CN114269071B - 多层板的通孔填孔制作工艺 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种多层板的通孔填孔制作工艺，包括以下步骤：开料与烘烤；内层线路：将两个内铜箔层进行压干膜、曝光、显影、蚀刻和退膜处理，完成内层线路的制作；双面压合：分别在两个内铜箔层上压合一外绝缘层和一外铜箔层，形成四层板；机械钻孔：利用钻孔机在四层板上钻出用于层间连通的通孔；PTH：在通孔内壁沉积一层薄薄的化学铜，实现孔内导通；第一次外层线路；填孔电镀；研磨；二次镀铜；第二次外层线路，完成外层线路的制作。本制作工艺保证了产品面铜均匀性的同时提高通孔镀铜的信赖性，避免盲孔的挡pad设计，为客户提供更多的设计空间，且降低了制作成本。
Description
技术领域
本发明涉及多层板的制作，具体涉及一种多层板的通孔填孔制作工艺。
背景技术
现有多层板产品多为盲孔及POFV设计，盲孔设计底部必须有挡pad，随着电子技术的发展和人们对电子产品小型化、高精度的要求，挡pad的存在会影响产品布线，严重制约空间的利用率；而机械钻孔结合POFV工艺又会影响产品的信赖性及铜厚均匀性，不利于细密线路的制作。
发明内容
为了克服上述缺陷，本发明提供一种多层板的通孔填孔制作工艺，该制作工艺保证了产品面铜均匀性的同时提高通孔镀铜的信赖性，避免盲孔的挡pad设计，为客户提供更多的设计空间，且降低了制作成本。
本发明为了解决其技术问题所采用的技术方案是：
一种多层板的通孔填孔制作工艺，包括以下步骤：
步骤1：开料与烘烤：裁切一定尺寸的基板，放于烘箱中烘烤，所述基板为双面覆铜基板，所述双面覆铜基板具有一内绝缘层以及两个分别压合于该内绝缘层正、反两面的内铜箔层；
步骤2：内层线路：将两个内铜箔层进行压干膜、曝光、显影、蚀刻和退膜处理，完成内层线路的制作；
步骤3：双面压合：分别在两个内铜箔层上压合一外绝缘层和一外铜箔层，形成四层板，所述四层板依次设置外铜箔层、外绝缘层、内铜箔层、内绝缘层、内铜箔层、外绝缘层和外铜箔层；
步骤4：机械钻孔：利用钻孔机在四层板上钻出用于层间连通的通孔；
步骤5：PTH：在通孔内壁沉积一层薄薄的化学铜，实现孔内导通；
步骤6：第一次外层线路：将步骤5处理后的四层板双面覆盖干膜，并对其中一面干膜的通孔位置开窗而便于后续镀铜，另一面干膜保持完整，通孔形成类盲孔；
步骤7：填孔电镀：将类盲孔进行电镀处理而使类盲孔用铜填满，实现层间导通，电镀好后去除双面残留的干膜；
步骤8：研磨：将步骤7处理后的四层板通过八轴研磨机将凸起的铜去除而使得孔内的铜与板面齐平；
步骤9：二次镀铜：对研磨后的四层板再次镀铜，增加外铜箔层的厚度使之符合工艺要求；
步骤10：第二次外层线路：对增厚后的外铜箔层进行压干膜、曝光、显影、蚀刻和退膜处理，完成外层线路的制作。
优选地，上述步骤2和10中的制作线路具体包括以下工序：
(1)前处理：利用含有双氧水的清洗液对板面进行清洗，再利用硫酸溶液对铜箔层表面进行粗化；
(2)压干膜：利用热压的方式将感光干膜贴附于铜箔层表面上，其中压膜时工艺参数如下：温度为110±2℃、线速为1.8±0.2m/min、压力为6±0.2kg/cm2；
(3)曝光：使用LDI曝光机将感光干膜中的光敏物质进行聚合反应，从而使设计的图形转移到感光干膜上，其中，曝光时能量格为6±1；
(4)显影：利用显影液与未曝光干膜的皂化反应，将其去除，其中显影时的工艺参数如下：线速3.0±0.1m/min，压力1.3±0.3kg/cm2，温度30±2℃；
(5)蚀刻：通过蚀刻机将氯化铜药水喷洒在铜面上，利用药水与铜的化学反应，对未被干膜保护的铜面进行蚀刻，形成线路；
(6)退膜：通过退膜机将NaOH或KOH药水喷淋在板面上，利用药水与干膜的化学反应将干膜去除，完成线路的制作；
(7)AOI：AOI系统对照蚀刻后线路与原始的设计线路之间的差异，对铜面上的线路进行检验。
优选地，上述步骤3双面压合具体包括如下步骤：
(1)前处理：酸洗：利用硫酸对铜箔层表面氧化物进行清除；清洁：利用清洁剂将油脂水解成易溶于水的小分子物质；预浸：利用棕化液对基板进行预浸润；
(2)棕化：利用棕化液对铜箔层表面进行棕化处理，使得铜表面形成凹凸不平的表面形状，增大了铜面与树脂的接触面积；
(3)叠合：将外铜箔层、外绝缘层和基板依次布置；
(4)压合：在压机的高温、高压下将外铜箔层、外绝缘层和基板融合粘接呈四层板；
(5)后处理：钻靶：利用X光将板靶标成像，用钻头在靶标上钻出后续工序所需的定位孔和防呆孔；铣边：利用铣床机将多余的边料切割去除。
优选地，上述步骤4机械钻孔的具体工艺参数为：进刀速1.2±0.1m/min，退刀速15±1m/min，转速160±10krpm/min，深度补偿0.3-0.4mm。
优选地，上述步骤5PTH的具体工艺为：第一次水刀洗、膨松、止水洗、第一次冲污水、第二次水刀洗、除胶渣、回收水洗、第二次冲污水、第三次水刀洗、预中和、第四次水刀洗、中和、第五次水刀洗、强风吹干、检查、整孔、第六次水刀洗、微蚀、第七次水刀洗、预浸、活化、第八次水刀洗、还原、第九次水刀洗、化学沉铜、第十次水刀洗、干板组合、冷却和出板。
优选地，上述步骤5PTH的具体工艺参数为：第一、四～十次水刀洗以及止水洗的温度为室温、进水量为6±2L/min、水刀流量为55±15L/min；膨松的温度为75±3℃；第一、二次冲污水的温度为室温、水刀流量为5±2L/min；第二、三次水刀洗的温度为室温、进水量为8±2L/min、水刀流量为55±15L/min；除胶的温度为85±3℃；预中和的温度为室温、水刀流量为55±15L/min；中和、整孔的温度为40±3℃、水刀流量为55±15L/min；微蚀的温度为28±3℃、水刀流量为55±15L/min、喷压压力为1.5±0.5Kg/cm2；预浸的温度为24±3℃、水刀流量为55±15L/min；活化的温度为50±3℃、水刀流量为55±15L/min；还原的温度为35±3℃、水刀流量为55±15L/min；化学沉铜的温度为34±3℃、水刀流量为55±15L/min。
优选地，上述步骤8研磨具体包括如下工艺：入板、第一段刷磨、转向、第二段刷磨、溢流水洗、第一次氢氟酸溶液洗、第二次氢氟酸溶液洗、加压水洗、干板、冷却和出板。
优选地，上述步骤8研磨具体的工艺参数如下：第一、二段刷磨的上喷压为1.0±0.5Kg/cm2、下喷压为1.0±0.5kg/cm2；溢流水洗时压力为1.5±0.5kg/cm2；第一、二次氢氟酸溶液清洗时压力为2.0±0.5kg/cm2；加压水洗压力为2.0±0.5kg/cm2、溢流量为4.0±1.0L；干板的温度为85±5℃；冷却时的压力为5.0～8.0KPa。
本发明的有益效果是：
1)本发明中以通孔填孔替代了传统的盲孔填孔工艺，保证了铜面的平整性，同时整个流程也相对简单；本制作工艺保证了产品面铜均匀性的同时提高通孔镀铜的信赖性，避免盲孔的挡pad设计，为客户提供更多的设计空间，且降低了制作成本；
2)本发明中填孔时将面铜表面覆盖了一层干膜，填孔时只在孔内长铜，不增加面铜厚度，因此面铜均匀性较好，便于制作精密线路；且孔填满即可实现铜面平整性，节约设计空间；
3)与POFV工艺相比，本发明中避免树脂塞孔研磨流程，保证板件的尺寸稳定性，降低了生产难度；同时孔内为铜塞满，CTE即热膨胀系数变化与面铜一致，减少孔内信赖性风险；
4)与盲孔工艺相比，本发明中避免蚀刻开窗流程，减少一次对位偏差，保证层间对准度，本发明可以适用于现有工艺，无需增加工艺成本，也无需特殊管控，具有很强的实用性。
附图说明
图1为本发明中基板的结构示意图；
图2为本发明中基板内层线路后的结构示意图；
图3为本发明中四层板的结构示意图；
图4为本发明中四层板钻孔后的结构示意图；
图5为本发明中四层板一次线路后的结构示意图；
图6为本发明中四层板填孔后的结构示意图；
图7为本发明中四层板研磨后的结构示意图；
图8为本发明中四层板二次镀铜后的结构示意图；
图中：10-基板，11-内绝缘层，12-内铜箔层，20-四层板，21-外绝缘层，22-外铜箔层，23-通孔，24-干膜。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
需要说明的是，本申请的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以使这里描述的本申请的实施方式例如能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
为了便于描述，在这里可以使用空间相对术语，如“在……之上”、“在……上方”、“在……上表面”、“上面的”等，用来描述如在图中所示的一个器件或特征与其他器件或特征的空间位置关系。应当理解的是，空间相对术语旨在包含除了器件在图中所描述的方位之外的在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的器件被倒置，则描述为“在其他器件或构造上方”或“在其他器件或构造之上”的器件之后将被定位为“在其他器件或构造下方”或“在其他器件或构造之下”。因而，示例性术语“在……上方”可以包括“在……上方”和“在……下方”两种方位。该器件也可以其他不同方式定位(旋转90度或处于其他方位)，并且对这里所使用的空间相对描述作出相应解释。
实施例：如图1-8所示，一种多层板的通孔填孔制作工艺，包括以下步骤：
步骤1：开料与烘烤：裁切一定尺寸的基板，放于烘箱中烘烤，所述基板10为双面覆铜基板，所述双面覆铜基板具有一内绝缘层11以及两个分别压合于该内绝缘层正、反两面的内铜箔层12；如图1所示，开料的目的是方便后续设备加工；烘烤的条件为：温度为122-148℃，烘烤的时间为2-4h；对基板进行烘烤以消除基板的应力防止基板翘曲，提高基板尺寸稳定性，减少基板的涨缩；
步骤2：内层线路：如图2所示，将两个内铜箔层12进行压干膜、曝光、显影、蚀刻和退膜处理，完成内层线路的制作；
步骤3：双面压合：如图3所示，分别在两个内铜箔层12上压合一外绝缘层21和一外铜箔层22，形成四层板20，所述四层板20依次设置外铜箔层22、外绝缘层21、内铜箔层12、内绝缘层11、内铜箔层12、外绝缘层21和外铜箔层22；
步骤4：机械钻孔：利用钻孔机在四层板20上钻出用于层间连通的通孔23；Genesis系统将设计的CAM钻孔资料处理成可供钻孔机的工作资料，钻孔机读取程序后根据坐标钻出所需的孔，图4为钻孔后的四层板；
步骤5：PTH：在通孔23内壁沉积一层薄薄的化学铜，实现孔内导通；先通过PTH即化学铜在通孔内壁形成一层薄薄的铜层，以利于后续的电镀铜；
步骤6：第一次外层线路：如图5所示，将步骤5处理后的四层板20双面覆盖干膜24，并对其中一面干膜的通孔位置开窗而便于后续镀铜，另一面干膜保持完整，通孔23形成类盲孔；因此外铜箔层被干膜保护，后续填孔时不会增加面铜的厚度，且面铜均匀性较好，便于制作精密线路；
步骤7：填孔电镀：如图6所示，将类盲孔进行电镀处理而使类盲孔用铜填满，实现层间导通，电镀好后去除双面残留的干膜24；
步骤8：研磨：如图7所示，将步骤7处理后的四层板20通过八轴研磨机将凸起的铜去除而使得孔内的铜与板面齐平；
步骤9：二次镀铜：如图8所示，对研磨后的四层板20再次镀铜，增加外铜箔层22的厚度使之符合工艺要求；对外铜箔层22单独镀铜增厚，便于面铜的厚度控制；
步骤10：第二次外层线路：对增厚后的外铜箔层22进行压干膜、曝光、显影、蚀刻和退膜处理，完成外层线路的制作。
上述步骤2和10中的制作线路具体包括以下工序：
(1)前处理：利用含有双氧水的清洗液对板面进行清洗，再利用硫酸溶液对铜箔层表面进行粗化；对板面进行清洗以去除其上的附着物，如污渍、氧化物等；利用硫酸溶液微蚀可以使铜面粗化，增加与干膜的附着力，主要的化学反应为：Cu+H2O2→CuO+H2O；CuO+H2SO4→CuSO4+H2O；所述铜箔层可为内铜箔层或外铜箔层，下同；
(2)压干膜：利用热压的方式将感光干膜贴附于铜箔层表面上，其中压膜时工艺参数如下：温度为110±2℃、线速为1.8±0.2m/min、压力为6±0.2kg/cm2；在铜面层上压覆一层感光干膜，作为后续影像转移使用，当干膜受热后，具有流动性和一定的填充性，利用此特性将其以热压的方式贴附于板面上；
(3)曝光：使用LDI曝光机将感光干膜中的光敏物质进行聚合反应，从而使设计的图形转移到感光干膜上，其中，曝光时能量格为6±1；LDI曝光机(Laser Direcl Imaging激光直接成像)利用紫外线(UV)的能量完成图形转移；
(4)显影：利用显影液与未曝光干膜的皂化反应，将其去除，其中显影时的工艺参数如下：线速3.0±0.1m/min，压力1.3±0.3kg/cm2，温度30±2℃；经过曝光的干膜不与显影液反应，显影主要化学反应：R-COOH+Na2CO3→R-COO-Na++2NaHCO3；
(5)蚀刻：通过蚀刻机将氯化铜药水喷洒在铜面上，利用药水与铜的化学反应，对未被干膜保护的铜面进行蚀刻，形成线路；主要化学反应：3Cu+NaClO3+6HCl→3CuCl2+3H2O+NaCl；
(6)退膜：通过退膜机将NaOH或KOH药水喷淋在板面上，利用药水与干膜的化学反应将干膜去除，完成线路的制作；
(7)AOI：AOI系统对照蚀刻后线路与原始的设计线路之间的差异，对铜面上的线路进行检验。AOI为Automatic Optical Inspection自动光学检验)，Genesis系统将原始的设计线路的CAM资料处理成检测用的参考资料，输出给AOI系统。AOI系统利用光学原理，对照蚀刻后线路与设计线路之间的差异，对短路、断路、缺口等不良进行判别。
上述步骤3双面压合具体包括如下步骤：
(1)前处理：酸洗：利用硫酸对铜箔层表面氧化物进行清除；清洁：利用清洁剂将油脂水解成易溶于水的小分子物质；预浸：利用棕化液对基板进行预浸润；前处理是为了棕化工艺做准备；酸洗：利用硫酸与CuO的化学反应，去除铜面的氧化物，主要化学反应：CuO+H2SO4→CuSO4+H2O；清洁:利用清洁剂与油脂反应，主要化学反应KOH+R1COOH→RNHCOR1+H2O；预浸使板面具有与棕化液相似的成分，防止水破坏棕化液；
(2)棕化：利用棕化液对铜箔层表面进行棕化处理，使得铜表面形成凹凸不平的表面形状，增大了铜面与树脂的接触面积；所述的棕化液为硫酸与双氧水，利用硫酸与双氧水对铜面进行微蚀，在微蚀的同时生成一层极薄且均匀一致的有机金属转化膜，棕化的主要目的为：粗化铜面，增加与PP片即外绝缘层(prepreg半固化片是树脂浸渍并固化到中间程度的薄片材料)接触的表面积，改善与PP片的附着性，防止分层；增加铜面与流动树脂的浸润性；使铜面钝化，阻挡压板过程中环氧树脂聚合硬化产生的氨类物质对铜面的作用，氨类物质对铜面攻击会产生水汽，导致爆板；
(3)叠合：将外铜箔层、外绝缘层和基板依次布置；
(4)压合：在压机的高温、高压下将外铜箔层、外绝缘层和基板融合粘接呈四层板20；
(5)后处理：钻靶：利用X光将板靶标成像，用钻头在靶标上钻出后续工序所需的定位孔和防呆孔；铣边：利用铣床机将多余的边料切割去除。
上述步骤4机械钻孔的具体工艺参数为：进刀速1.2±0.1m/min，退刀速15±1m/min，转速160±10krpm/min，深度补偿0.3-0.4mm。
上述步骤5PTH的具体工艺为：第一次水刀洗、膨松、止水洗、第一次冲污水、第二次水刀洗、除胶渣、回收水洗、第二次冲污水、第三次水刀洗、预中和、第四次水刀洗、中和、第五次水刀洗、强风吹干、检查、整孔、第六次水刀洗、微蚀、第七次水刀洗、预浸、活化、第八次水刀洗、还原、第九次水刀洗、化学沉铜、第十次水刀洗、干板组合、冷却和出板。
上述步骤5PTH的具体工艺参数为：第一、四～十次水刀洗以及止水洗的温度为室温、进水量为6±2L/min、水刀流量为55±15L/min；膨松的温度为75±3℃；第一、二次冲污水的温度为室温、水刀流量为5±2L/min；第二、三次水刀洗的温度为室温、进水量为8±2L/min、水刀流量为55±15L/min；除胶的温度为85±3℃；预中和的温度为室温、水刀流量为55±15L/min；中和、整孔的温度为40±3℃、水刀流量为55±15L/min；微蚀的温度为28±3℃、水刀流量为55±15L/min、喷压压力为1.5±0.5Kg/cm2；预浸的温度为24±3℃、水刀流量为55±15L/min；活化的温度为50±3℃、水刀流量为55±15L/min；还原的温度为35±3℃、水刀流量为55±15L/min；化学沉铜的温度为34±3℃、水刀流量为55±15L/min。
上述步骤8研磨具体包括如下工艺：入板、第一段刷磨、转向、第二段刷磨、溢流水洗、第一次氢氟酸溶液洗、第二次氢氟酸溶液洗、加压水洗、干板、冷却和出板。
上述步骤8研磨具体的工艺参数如下：第一、二段刷磨的上喷压为1.0±0.5Kg/cm2、下喷压为1.0±0.5kg/cm2；溢流水洗时压力为1.5±0.5kg/cm2；第一、二次氢氟酸溶液清洗时压力为2.0±0.5kg/cm2；加压水洗压力为2.0±0.5kg/cm2、溢流量为4.0±1.0L；干板的温度为85±5℃；冷却时的压力为5.0～8.0KPa。本研磨工艺中除了干板时温度在85℃左右外，其他工艺段皆为常温。
应当指出，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (6)
1.一种多层板的通孔填孔制作工艺，其特征在于：包括以下步骤：
步骤1：开料与烘烤：裁切一定尺寸的基板，放于烘箱中烘烤，所述基板(10)为双面覆铜基板，所述双面覆铜基板具有一内绝缘层(11)以及两个分别压合于该内绝缘层正、反两面的内铜箔层(12)；
步骤2：内层线路：将两个内铜箔层(12)进行压干膜、曝光、显影、蚀刻和退膜处理，完成内层线路的制作；
步骤3：双面压合：分别在两个内铜箔层(12)上压合一外绝缘层(21)和一外铜箔层(22)，形成四层板(20)，所述四层板(20)依次设置外铜箔层(22)、外绝缘层(21)、内铜箔层(12)、内绝缘层(11)、内铜箔层(12)、外绝缘层(21)和外铜箔层(22)；
步骤4：机械钻孔：利用钻孔机在四层板(20)上钻出用于层间连通的通孔(23)；
步骤5：PTH：在通孔(23)内壁沉积一层薄薄的化学铜，实现孔内导通；
步骤6：第一次外层线路：将步骤5处理后的四层板(20)双面覆盖干膜(24)，并对其中一面干膜的通孔位置开窗而便于后续镀铜，另一面干膜保持完整，通孔(23)形成类盲孔；
步骤7：填孔电镀：将类盲孔进行电镀处理而使类盲孔用铜填满，实现层间导通，电镀好后去除双面残留的干膜(24)；
步骤8：研磨：将步骤7处理后的四层板(20)通过八轴研磨机将凸起的铜去除而使得孔内的铜与板面齐平；
步骤9：二次镀铜：对研磨后的四层板(20)再次镀铜，增加外铜箔层(22)的厚度使之符合工艺要求；
步骤10：第二次外层线路：对增厚后的外铜箔层(22)进行压干膜、曝光、显影、蚀刻和退膜处理，完成外层线路的制作；
步骤4机械钻孔的具体工艺参数为：进刀速1.2±0.1m/min，退刀速15±1m/min，转速160±10krpm/min，深度补偿0.3-0.4mm；
步骤5PTH的具体工艺为：第一次水刀洗、膨松、止水洗、第一次冲污水、第二次水刀洗、除胶渣、回收水洗、第二次冲污水、第三次水刀洗、预中和、第四次水刀洗、中和、第五次水刀洗、强风吹干、检查、整孔、第六次水刀洗、微蚀、第七次水刀洗、预浸、活化、第八次水刀洗、还原、第九次水刀洗、化学沉铜、第十次水刀洗、干板组合、冷却和出板。
2.根据权利要求1所述的多层板的通孔填孔制作工艺，其特征在于：步骤2和10中的制作线路具体包括以下工序：
(1)前处理：利用含有双氧水的清洗液对板面进行清洗，再利用硫酸溶液对铜箔层表面进行粗化；
(2)压干膜：利用热压的方式将感光干膜贴附于铜箔层表面上，其中压膜时工艺参数如下：温度为110±2℃、线速为1.8±0.2m/min、压力为6±0.2kg/cm2；
(3)曝光：使用LDI曝光机将感光干膜中的光敏物质进行聚合反应，从而使设计的图形转移到感光干膜上，其中，曝光时能量格为6±1；
(4)显影：利用显影液与未曝光干膜的皂化反应，将其去除，其中显影时的工艺参数如下：线速3.0±0.1m/min，压力1.3±0.3kg/cm2，温度30±2℃；
(5)蚀刻：通过蚀刻机将氯化铜药水喷洒在铜面上，利用药水与铜的化学反应，对未被干膜保护的铜面进行蚀刻，形成线路；
(6)退膜：通过退膜机将NaOH或KOH药水喷淋在板面上，利用药水与干膜的化学反应将干膜去除，完成线路的制作；
(7)AOI：AOI系统对照蚀刻后线路与原始的设计线路之间的差异，对铜面上的线路进行检验。
3.根据权利要求1所述的多层板的通孔填孔制作工艺，其特征在于：步骤3双面压合具体包括如下步骤：
(1)前处理：酸洗：利用硫酸对铜箔层表面氧化物进行清除；清洁：利用清洁剂将油脂水解成易溶于水的小分子物质；预浸：利用棕化液对基板进行预浸润；
(2)棕化：利用棕化液对铜箔层表面进行棕化处理，使得铜表面形成凹凸不平的表面形状，增大了铜面与树脂的接触面积；
(3)叠合：将外铜箔层、外绝缘层和基板依次布置；
(4)压合：在压机的高温、高压下将外铜箔层、外绝缘层和基板融合粘接呈四层板(20)；
(5)后处理：钻靶：利用X光将板靶标成像，用钻头在靶标上钻出后续工序所需的定位孔和防呆孔；铣边：利用铣床机将多余的边料切割去除。
4.根据权利要求1所述的多层板的通孔填孔制作工艺，其特征在于：步骤5PTH的具体工艺参数为：第一、四～十次水刀洗以及止水洗的温度为室温、进水量为6±2L/min、水刀流量为55±15L/min；膨松的温度为75±3℃；第一、二次冲污水的温度为室温、水刀流量为5±2L/min；第二、三次水刀洗的温度为室温、进水量为8±2L/min、水刀流量为55±15L/min；除胶的温度为85±3℃；预中和的温度为室温、水刀流量为55±15L/min；中和、整孔的温度为40±3℃、水刀流量为55±15L/min；微蚀的温度为28±3℃、水刀流量为55±15L/min、喷压压力为1.5±0.5Kg/cm2；预浸的温度为24±3℃、水刀流量为55±15L/min；活化的温度为50±3℃、水刀流量为55±15L/min；还原的温度为35±3℃、水刀流量为55±15L/min；化学沉铜的温度为34±3℃、水刀流量为55±15L/min。
5.根据权利要求1所述的多层板的通孔填孔制作工艺，其特征在于：步骤8研磨具体包括如下工艺：入板、第一段刷磨、转向、第二段刷磨、溢流水洗、第一次氢氟酸溶液洗、第二次氢氟酸溶液洗、加压水洗、干板、冷却和出板。
6.根据权利要求5所述的多层板的通孔填孔制作工艺，其特征在于：步骤8研磨具体的工艺参数如下：第一、二段刷磨的上喷压为1.0±0.5Kg/cm2、下喷压为1.0±0.5kg/cm2；溢流水洗时压力为1.5±0.5kg/cm2；第一、二次氢氟酸溶液清洗时压力为2.0±0.5kg/cm2；加压水洗压力为2.0±0.5kg/cm2、溢流量为4.0±1.0L；干板的温度为85±5℃；冷却时的压力为5.0～8.0KPa。
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