CN114195090B - 超高电容mems封装载板及其制作工艺 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 238000011068 loading method Methods 0.000 title abstract description 7
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 44
- 238000005553 drilling Methods 0.000 claims abstract description 37
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims abstract description 29
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 26
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- 238000011049 filling Methods 0.000 claims abstract description 17
- 238000011161 development Methods 0.000 claims abstract description 16
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 7
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 275
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 claims description 195
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 80
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 80
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 70
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 34
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 28
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- 239000003814 drug Substances 0.000 claims description 24
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 22
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 18
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 18
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 238000013461 design Methods 0.000 claims description 12
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 12
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims description 8
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 claims description 8
- 239000003973 paint Substances 0.000 claims description 8
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims description 7
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 7
- ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L copper(II) chloride Chemical compound Cl[Cu]Cl ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 6
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 claims description 6
- 238000007127 saponification reaction Methods 0.000 claims description 6
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims description 5
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 4
- 239000012459 cleaning agent Substances 0.000 claims description 4
- 239000004519 grease Substances 0.000 claims description 4
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 4
- 238000003848 UV Light-Curing Methods 0.000 claims description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 3
- 238000001723 curing Methods 0.000 claims description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 3
- 230000003301 hydrolyzing effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000003801 milling Methods 0.000 claims description 3
- 238000005554 pickling Methods 0.000 claims description 3
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 3
- 239000002893 slag Substances 0.000 claims description 3
- 238000002791 soaking Methods 0.000 claims description 3
- 238000012719 thermal polymerization Methods 0.000 claims description 3
- 238000000465 moulding Methods 0.000 abstract 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 5
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910000366 copper(II) sulfate Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical compound [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910001431 copper ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 1
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000004880 explosion Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000012163 sequencing technique Methods 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 230000026676 system process Effects 0.000 description 1
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B7/00—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
- B81B7/02—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems containing distinct electrical or optical devices of particular relevance for their function, e.g. microelectro-mechanical systems [MEMS]
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B7/00—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
- B81B7/0032—Packages or encapsulation
- B81B7/007—Interconnections between the MEMS and external electrical signals
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
- B81C1/00015—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
- B81C1/00261—Processes for packaging MEMS devices
- B81C1/00301—Connecting electric signal lines from the MEMS device with external electrical signal lines, e.g. through vias
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C2203/00—Forming microstructural systems
- B81C2203/01—Packaging MEMS
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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Abstract
本发明涉及一种超高电容MEMS封装载板及其制作工艺，所述制作工艺包括如下步骤：开料、内层线路：进行压干膜、曝光、显影、蚀刻和退膜处理、压合、机械钻孔、镭射钻孔及填孔、外层线路：进行压干膜、曝光、显影、蚀刻和退膜处理、阻焊和成型；通过上述制作工艺得到的埋容四层板具有相互并联的双层电容层，因此具有超高的电容密度，从而极大地提升了PCB产品电容值，使得产品性能得到了明显的提高。
Description
技术领域
本发明涉及MEMS封装载板，具体涉及一种超高电容MEMS封装载板及其制作工艺。
背景技术
随着电子技术的发展和人们对电子产品小型化、高度集成化的要求，MESM集成电路封载板对电容值要求越来越高，由于高密度电容材料及现有技术的限制，使得MEMS产品的高电容值设计非常受限。传统4层MEMS封装载板叠构如下：埋容板材先做单面内层线路后与铜箔单面压合，此时为3层板，再经内层二次线路将埋容板材另一面线路制作，再次将线路面与铜箔单面压合，此时为4层板，最后经过外层线路及后续工序得到成品板件。由于电容值受埋容材料自身电容密度以及有效正对面积的影响，当存在大电容产品设计时，往往会因为有效正对面积不够导致无法设计，从而限制了MEMS产品的应用。
发明内容
为了克服上述缺陷，本发明提供一种超高电容MEMS封装载板的制作工艺，该制作工艺中将两块埋容基板直接压合而形成埋容四层板，不仅得到了超高电容密度的四层板，而且简化了工艺流程，提升了生产效率。
本发明为了解决其技术问题所采用的技术方案是：
一种超高电容MEMS封装载板的制作工艺，包括如下步骤：
步骤1：开料：将埋容基材裁切成一定的尺寸并形成两块埋容基板，分别定义为第一埋容基板和第二埋容基板，所述第一埋容基板具有第一电容层以及分别设置于该第一电容层正、反两面的第一铜箔层和第二铜箔层，所述第二埋容基板具有第二电容层以及分别设置于该第二电容层正、反面的第三铜箔层和第四铜箔层；
步骤2：内层线路：分别对第一埋容基板的第二铜箔层和第二埋容基板的第三铜箔层进行压干膜、曝光、显影、蚀刻和退膜处理，得到具有内层线路的第一埋容基板和第二埋容基板；
步骤3：压合：将第一埋容基板、PP层和第二埋容基板依次叠合，利用压机将叠合好的第一埋容基板、PP层和第二埋容基板压合而形成埋容四层板，且所述第二铜箔层和第三铜箔层分别贴合于PP层的正反两面；
步骤4：机械钻孔、镭射钻孔及填孔：
机械钻孔：根据线路布局需求，在第一铜箔层和第四铜箔层上利用钻头钻出多个定位孔；
镭射钻孔：镭射机利用CO2激光在定位孔处镭射开设出所需尺寸的槽孔，采用双面镭射钻孔方式即分别从第一铜箔层和第四铜箔层两面进行镭射，从第一铜箔层的定位孔开始钻出的槽孔定义为第一槽孔，该第一槽孔依次穿过第一铜箔层、第一电容层和PP层而不烧穿第三铜箔层，且该第一槽孔避让了第二铜箔层，从第四铜箔层的定位孔开始钻出的槽孔定义为第二槽孔，该第二槽孔依次穿过第四铜箔层、第二电容层和PP层而不烧穿第二铜箔层，且该第二槽孔避让了第三铜箔层；
填孔：对第一槽孔和第二槽孔内进行去胶渣、化学铜和电镀铜处理，使得第一槽孔与第二槽孔内壁形成导电铜层；
步骤5：外层线路：分别对埋容四层板的第一铜箔层和第四铜箔层进行压干膜、曝光、显影、蚀刻和退膜处理，得到具有外层线路的埋容四层板，其中所述第一槽孔导通了第一铜箔层和第三铜箔层之间的线路，利用所述第二槽孔导通了第二铜箔层和第四铜箔层之间的线路；
步骤6：阻焊：在埋容四层板的第一铜箔层和第四铜箔层表面通过防焊前处理、印刷、预烤、曝光、显影和后烤形成一层防焊油墨层，而得到成品载板；
步骤7：成型：最后铣成型、电测及检验后包装成成品出货。
优选地，上述步骤2内层线路中具体包括以下步骤：
(1)前处理：利用含有双氧水的清洗液对基板进行清洗，再利用硫酸溶液对第二铜箔层和第三铜箔层表面进行粗化；
(2)压干膜：利用热压的方式将感光干膜贴附于第二铜箔层和第三铜箔层表面上；
(3)曝光：使用LDI曝光机将感光干膜中的光敏物质进行聚合反应，从而使设计的图形转移到感光干膜上；
(4)显影：利用显影液与未曝光干膜的皂化反应，将其去除；
(5)蚀刻：通过蚀刻机将氯化铜药水喷洒在铜面上，利用药水与铜的化学反应，对未被干膜保护的铜面进行蚀刻，形成线路；
(6)腿模：通过褪膜机将NaOH或KOH药水喷淋在板面上，利用药水与干膜的化学反应将干膜去除，完成内层线路的制作，得到具有内层线路的第一埋容基板和第二埋容基板；
(7)AOI：AOI系统对照蚀刻后内层线路与原始的设计线路之间的差异，对铜面上的内层线路进行检验。
优选地，在上述步骤3中压合具体包括以下步骤：
(1)前处理：酸洗：利用硫酸溶液对第二铜箔层和第三铜箔层表面氧化物进行清除；清洁：利用清洁剂将油脂水解成易溶于水的小分子物质；预浸：利用棕化液对内层板进行预浸润；
(2)棕化：利用棕化液对第二铜箔层和第三铜箔层表面进行棕化处理，使得铜表面形成凹凸不平的表面形状，增大了铜面与树脂的接触面积；
(3)叠合：将第一埋容基板、PP层和第二埋容基板依次叠合且PP层位于第二铜箔层与第三铜箔层之间；
(4)压合：在压机的高温、高压下将第一埋容基板、PP层和第二埋容基板融合粘接呈埋容四层板。
优选地，在上述步骤4中填孔具体包括以下步骤：
(1)去胶渣：利用等离子法去除钻孔时产生的胶渣；
(2)化学铜：在第一槽孔和第二槽孔内通过化学作用沉积上一层薄层均匀、具有导电性的化学铜层；
(3)电镀铜：在化学铜层表面通过电镀方式镀上一层电镀铜层。
优选地，在上述步骤4中具体工艺参数为：
在机械钻孔中，利用直径0.350mm的UC双刃刀钻刀，进刀速速控制在1.2m/min以下、回刀速度控制在15m/min以下，在转速为90-120kprm/min条件下，钻出直径为0.350mm的孔；
在镭射钻孔中，脉宽为5-12ms、能量2-7mj、发数3-4个以及MASK为1.5-2.5，镭射孔的孔径为75-120μm；
在填孔中，孔的纵横比控制在0.8:1以上，凹陷度控制在20μm以下，铜厚公差为±20％。
优选地，在上述步骤5外层线路具体包括以下步骤：
(1)前处理：利用含有双氧水的清洗液对埋容四层板进行清洗，再利用硫酸溶液对第一铜箔层和第四铜箔层表面进行粗化；
(2)压干膜：利用热压的方式将感光干膜贴附于第一铜箔层12和第四铜箔层23表面上；
(3)曝光：使用LDI曝光机将感光干膜中的光敏物质进行聚合反应，从而使设计的图形转移到感光干膜上；
(4)显影：利用显影液与未曝光干膜的皂化反应，将其去除；
(5)蚀刻：通过蚀刻机将氯化铜药水喷洒在铜面上，利用药水与铜的化学反应，对未被干膜保护的铜面进行蚀刻，形成线路；
(6)褪膜：通过褪膜机将NaOH或KOH药水喷淋在板面上，利用药水与干膜的化学反应将干膜去除，完成外层线路的制作，得到具有外层线路的埋容四层板40；
(7)AOI：AOI系统对照蚀刻后外层线路与原始的设计线路之间的差异，对铜面上的外层线路进行检验。
优选地，在上述步骤6阻焊中具体包括以下步骤：
(1)前处理：将蚀刻后埋容四层板的铜面氧化物去除，经微蚀作用后酸洗再烘干；
(2)网印和预烘烤：通过丝网印刷将绿油均匀的涂覆于第一铜箔层和第四铜箔层表面，并通过预烘烤使其局部固化；
(3)曝光：通过LDI曝光机来定义绿漆开窗部位，利用紫外线照射，使感光部分聚合键结、结构加强；
(4)显影：以显影液将未曝光的感光油墨溶解去除达到显影目的；
(5)后烘烤和UV固化：利用热烤结合UV固化设备加速热聚反应使绿漆完全反应，进一步键结及强化，形成稳定的网状结构，使防焊油墨层彻底固化，达到一定的抗物性和耐化性。
本发明还提供了一种超高电容MEMS封装载板，采用上述制作工艺制备而成。
优选地，所述MEMS封装载板包括依次设置的第一铜箔层、第一电容层、第二铜箔层、PP层、第三铜箔层、第二电容层和第四铜箔层，且所述第一铜箔层和第四铜箔层上覆盖一层防焊油墨层，所述第一铜箔层与第三铜箔层之间设有第一槽孔，所述第二铜箔层与第四铜箔层之间设有第二槽孔。
本发明的有益效果是：本发明通过内层线路、压合、机械钻孔、镭射钻孔及填孔、外层线路、阻焊和成型将两块埋容基板直接压合成埋容四层板，与传统的四层MEMS封装载板叠构相比，本发明得到的埋容四层板具有相互并联的双层电容层，因此具有超高的电容密度，从而极大地提升了PCB产品电容值，使得产品性能得到了明显的提高；而且本工艺中采用双面对称压合设计，因此整个工艺中只需要进行一次压合操作，有效降低了产品流程的复杂度、提高了产品的生产效率。
附图说明
图1为本发明中封装载板的结构示意图；
图2为本发明压合过程的示意图；
图3为本发明中埋容四层板钻孔后的结构示意图；
图4为本发明中埋容四层板外层线路后的结构示意图；
图中：10-第一埋容基板，11-第一电容层，12-第一铜箔层，13-第二铜箔层，20-第二埋容基板，21-第二电容层，22-第三铜箔层，23-第四铜箔层，30-PP层，40-埋容四层板，41-第一槽孔，42-第二槽孔，43-防焊油墨层。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
需要说明的是，本申请的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以使这里描述的本申请的实施方式例如能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
为了便于描述，在这里可以使用空间相对术语，如“在……之上”、“在……上方”、“在……上表面”、“上面的”等，用来描述如在图中所示的一个器件或特征与其他器件或特征的空间位置关系。应当理解的是，空间相对术语旨在包含除了器件在图中所描述的方位之外的在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的器件被倒置，则描述为“在其他器件或构造上方”或“在其他器件或构造之上”的器件之后将被定位为“在其他器件或构造下方”或“在其他器件或构造之下”。因而，示例性术语“在……上方”可以包括“在……上方”和“在……下方”两种方位。该器件也可以其他不同方式定位(旋转90度或处于其他方位)，并且对这里所使用的空间相对描述作出相应解释。
实施例：如图1-4所示，一种超高电容MEMS封装载板的制作工艺，包括如下步骤：
步骤1：开料：将埋容基材裁切成一定的尺寸并形成两块埋容基板，分别定义为第一埋容基板10和第二埋容基板20，所述第一埋容基板10具有第一电容层11以及分别设置于该第一电容层正、反两面的第一铜箔层12和第二铜箔层13，所述第二埋容基板20具有第二电容层21以及分别设置于该第二电容层正、反面的第三铜箔层22和第四铜箔层23；
步骤2：内层线路：分别对第一埋容基板10的第二铜箔层13和第二埋容基板20的第三铜箔层22进行压干膜、曝光、显影、蚀刻和退膜处理，得到具有内层线路的第一埋容基板10和第二埋容基板20；
步骤3：压合：如图2所示，将第一埋容基板10、PP层30和第二埋容基板20依次叠合，利用压机将叠合好的第一埋容基板10、PP层30和第二埋容基板20压合而形成埋容四层板40，且所述第二铜箔层13和第三铜箔层22分别贴合于PP层30的正反两面；即埋容基板单面蚀刻处的线路面朝向PP层；
步骤4：机械钻孔、镭射钻孔及填孔：
机械钻孔：根据线路布局需求，在第一铜箔层12和第四铜箔层23上利用钻头钻出多个定位孔；
镭射钻孔：如图3所，镭射机利用CO2激光在定位孔处镭射开设出所需尺寸的槽孔，采用双面镭射钻孔方式即分别从第一铜箔层12和第四铜箔层23两面进行镭射，从第一铜箔层12的定位孔开始钻出的槽孔定义为第一槽孔41，该第一槽孔41依次穿过第一铜箔层12、第一电容层11和PP层30而不烧穿第三铜箔层22，且该第一槽孔避让了第二铜箔层13，从第四铜箔层23的定位孔开始钻出的槽孔定义为第二槽孔42，该第二槽孔42依次穿过第四铜箔层23、第二电容层21和PP层30而不烧穿第二铜箔层13，且该第二槽孔避让了第三铜箔层22；利用镭射光束在其红外光与可见光的热量作用于板材上，使得板材吸收后出现熔融、气化与气浆等分解物，形成镭射烧孔，累积排序加工所需深度槽尺寸；因为在第二铜箔层13和第三铜箔层22上形成了内层线路而有部分铜箔被蚀刻掉形成空腔，在设计第一槽孔和第二槽孔路径时使对准第二铜箔层和第三铜箔层的空腔处，而使得第一槽孔41避让了第二铜箔层13，第二槽孔42避让了第三铜箔层22，这样使得第一电容层11和第二电容层21形成并联连接，而使得第一铜箔层12和第四铜箔层23之间的总电容等于第一电容层和第二电容层中电容之和；
填孔：对第一槽孔41和第二槽孔42内进行去胶渣、化学铜和电镀铜处理，使得第一槽孔41与第二槽孔42内壁形成导电铜层；
步骤5：外层线路：如图4所示，分别对埋容四层板40的第一铜箔层12和第四铜箔层23进行压干膜、曝光、显影、蚀刻和退膜处理，得到具有外层线路的埋容四层板40，其中所述第一槽孔41导通了第一铜箔层和第三铜箔层之间的线路，利用所述第二槽孔42导通了第二铜箔层和第四铜箔层之间的线路；
步骤6：阻焊：在埋容四层板40的第一铜箔层12和第四铜箔层23表面通过防焊前处理、印刷、预烤、曝光、显影和后烤形成一层防焊油墨层43，而得到成品载板；阻焊的目的为在埋容四层板40表面覆盖一层保护膜，防止线路、铜面被氧化，防止湿气、各种电解质及机械外力对线路造成伤害，并有阻焊限焊的功能；
步骤7：成型：最后铣成型、电测及检验后包装成成品出货。本发明最终得到的埋容四层板40自上而下依次为第一铜箔层12、第一电容层11、第二铜箔层13、PP层30、第三铜箔层22、第二电容层21和第四铜箔层23，且在第一铜箔层和第四铜箔层上形成防焊油墨层，所述第一铜箔层和第四铜箔层上具有外层线路，所述第二铜箔层和第三铜箔层上具有内层线路，线路之间通过第一槽孔和第二槽孔相互导通，并使第一槽孔避让了第二铜箔层，第二槽孔避让了第三铜箔层，而使第一电容层11和第二电容层21形成并联连接；本发明通过内层线路、压合、机械钻孔、镭射钻孔及填孔、外层线路、阻焊和成型将两块埋容基板直接压合成埋容四层板，与传统的四层MEMS封装载板叠构相比，本发明得到的埋容四层板具有相互并联的双层电容层，因此具有超高的电容密度，从而极大地提升了PCB产品电容值，使得产品性能得到了明显的提高；而且本工艺中采用双面对称压合设计，因此整个工艺中只需要进行一次压合操作，有效降低了产品流程的复杂度、提高了产品的生产效率。
上述步骤2内层线路中具体包括以下步骤：
(1)前处理：利用含有双氧水的清洗液对基板进行清洗，再利用硫酸溶液对第二铜箔层13和第三铜箔层22表面进行粗化；对板面进行清洗以去除其上的附着物，如污渍、氧化物等；利用硫酸溶液微蚀可以使铜面粗化，增加与干膜的附着力，主要的化学反应为：Cu+H2O2→CuO+H2O；CuO+H2SO4→CuSO4+H2O；
(2)压干膜：利用热压的方式将感光干膜贴附于第二铜箔层13和第三铜箔层22表面上；在第二铜箔层13和第三铜箔层22上压覆一层感光干膜，作为后续影像转移使用，当干膜受热后，具有流动性和一定的填充性，利用此特性将其以热压的方式贴附于板面上；
(3)曝光：使用LDI曝光机将感光干膜中的光敏物质进行聚合反应，从而使设计的图形转移到感光干膜上；LDI曝光机(Laser Direcl Imaging激光直接成像)利用紫外线(UV)的能量完成图形转移；
(4)显影：利用显影液与未曝光干膜的皂化反应，将其去除；经过曝光的干膜不与显影液反应，显影主要化学反应：R-COOH+Na2CO3→R-COO-Na++2NaHCO3；
(5)蚀刻：通过蚀刻机将氯化铜药水喷洒在铜面上，利用药水与铜的化学反应，对未被干膜保护的铜面进行蚀刻，形成线路；主要化学反应：3Cu+NaClO3+6HCl→3CuCl2+3H2O+NaCl；
(6)腿模：通过褪膜机将NaOH或KOH药水喷淋在板面上，利用药水与干膜的化学反应将干膜去除，完成内层线路的制作，得到具有内层线路的第一埋容基板10和第二埋容基板20；
(7)AOI：AOI系统对照蚀刻后内层线路与原始的设计线路之间的差异，对铜面上的内层线路进行检验。AOI为Automatic Optical Inspection自动光学检验)，Genesis系统将原始的设计线路的CAM资料处理成检测用的参考资料，输出给AOI系统。AOI系统利用光学原理，对照蚀刻后线路与设计线路之间的差异，对短路、断路、缺口等不良进行判别。
在上述步骤3中压合具体包括以下步骤：
(1)前处理：酸洗：利用硫酸溶液对第二铜箔层13和第三铜箔层22表面氧化物进行清除；清洁：利用清洁剂将油脂水解成易溶于水的小分子物质；预浸：利用棕化液对内层板进行预浸润；前处理是为了棕化工艺做准备；酸洗：利用硫酸与CuO的化学反应，去除铜面的氧化物，主要化学反应：CuO+H2SO4→CuSO4+H2O；清洁:利用清洁剂与油脂反应，主要化学反应KOH+R1COOH→RNHCOR1+H2O；预浸使板面具有与棕化液相似的成分，防止水破坏棕化液；
(2)棕化：利用棕化液对第二铜箔层13和第三铜箔层22表面进行棕化处理，使得铜表面形成凹凸不平的表面形状，增大了铜面与树脂的接触面积；所述的棕化液为硫酸与双氧水，利用硫酸与双氧水对铜面进行微蚀，在微蚀的同时生成一层极薄且均匀一致的有机金属转化膜，棕化的主要目的为：粗化铜面，增加与PP层(prepreg半固化片是树脂浸渍并固化到中间程度的薄片材料)接触的表面积，改善与PP层的附着性，防止分层；增加铜面与流动树脂的浸润性；使铜面钝化，阻挡压板过程中环氧树脂聚合硬化产生的氨类物质对铜面的作用，氨类物质对铜面攻击会产生水汽，导致爆板；
(3)叠合：将第一埋容基板10、PP层30和第二埋容基板20依次叠合且PP层位于第二铜箔层13与第三铜箔层22之间；
(4)压合：在压机的高温、高压下将第一埋容基板10、PP层30和第二埋容基板20融合粘接呈埋容四层板40。
4.根据权利要求1所述的超高电容MEMS封装载板的制作工艺，其特征在于：在上述步骤4中填孔具体包括以下步骤：
(1)去胶渣：利用等离子法去除钻孔时产生的胶渣；多层板在镭射的高温中，当温度超过树脂的Tg点时，树脂将呈现软化甚至气化状态，形成的流体会涂满孔壁，冷却后形成胶渣糊(smear)，使得内层铜孔环后续所做铜壁之间形成隔阂，因此在化学铜(PTH)之前，必须对已形成的胶渣进行清除，以利于后续制程孔内化学铜的顺利附着；
(2)化学铜：在第一槽孔41和第二槽孔42内通过化学作用沉积上一层薄层均匀、具有导电性的化学铜层；即将原非金属化孔壁金属化，以利于后续电化学铜顺利镀上；
(3)电镀铜：在化学铜层表面通过电镀方式镀上一层电镀铜层。使得第一槽孔和第二槽孔具有导电功能，在电镀槽内，对于溶液中的铜离子成分，利用施加交流电的方式(阴极得电子镀铜，阳极失电子溶铜)，将其均匀还原在铜表面及孔内，达到规格要求铜层厚度。
在上述步骤4中具体工艺参数为：
在机械钻孔中，利用直径0.350mm的UC双刃刀钻刀，进刀速速控制在1.2m/min以下、回刀速度控制在15m/min以下，在转速为90-120kprm/min条件下，钻出直径为0.350mm的孔；
在镭射钻孔中，脉宽为5-12ms、能量2-7mj、发数3-4个以及MASK为1.5-2.5，镭射孔的孔径为75-120μm；
在填孔中，孔的纵横比控制在0.8:1以上，凹陷度控制在20μm以下，铜厚公差为±20％。
在上述步骤5外层线路具体包括以下步骤：
(1)前处理：利用含有双氧水的清洗液对埋容四层板40进行清洗，再利用硫酸溶液对第一铜箔层12和第四铜箔层23表面进行粗化；
(2)压干膜：利用热压的方式将感光干膜贴附于第一铜箔层12和第四铜箔层23表面上；在第一铜箔层12和第四铜箔层23上压覆一层感光干膜，作为后续影像转移使用，当干膜受热后，具有流动性和一定的填充性，利用此特性将其以热压的方式贴附于板面上；
(3)曝光：使用LDI曝光机将感光干膜中的光敏物质进行聚合反应，从而使设计的图形转移到感光干膜上；
(4)显影：利用显影液与未曝光干膜的皂化反应，将其去除；
(5)蚀刻：通过蚀刻机将氯化铜药水喷洒在铜面上，利用药水与铜的化学反应，对未被干膜保护的铜面进行蚀刻，形成线路；
(6)褪膜：通过褪膜机将NaOH或KOH药水喷淋在板面上，利用药水与干膜的化学反应将干膜去除，完成外层线路的制作，得到具有外层线路的埋容四层板40；
(7)AOI：AOI系统对照蚀刻后外层线路与原始的设计线路之间的差异，对铜面上的外层线路进行检验。
在上述步骤6阻焊中具体包括以下步骤：
(1)前处理：将蚀刻后埋容四层板40的铜面氧化物去除，经微蚀作用后酸洗再烘干；这样增加了铜面粗糙度使绿漆涂布后可以得到更紧密的结合，防止涂布的绿漆脱落；
(2)网印和预烘烤：通过丝网印刷将绿油均匀的涂覆于第一铜箔层12和第四铜箔层23表面，并通过预烘烤使其局部固化；
(3)曝光：通过LDI曝光机来定义绿漆开窗部位，利用紫外线照射，使感光部分聚合键结、结构加强；未感光部分则随显影液清洗而去除；
(4)显影：以显影液将未曝光的感光油墨溶解去除达到显影目的；本工艺还具有去除残胶的功能；
(5)后烘烤和UV固化：利用热烤结合UV固化设备加速热聚反应使绿漆完全反应，进一步键结及强化，形成稳定的网状结构，使防焊油墨层43彻底固化，达到一定的抗物性和耐化性。
一种超高电容MEMS封装载板，所述封装载板通过上述制作工艺制备而成。如图1所示，所述超高电容MEMS封装载板包括依次设置的第一铜箔层12、第一电容层11、第二铜箔层13、PP层30、第三铜箔层22、第二电容层21和第四铜箔层23，且所述第一铜箔层12和第四铜箔层23上覆盖一层防焊油墨层43，所述第一铜箔层12与第三铜箔层22之间设有第一槽孔41，所述第二铜箔层13与第四铜箔层23之间设有第二槽孔42。
应当指出，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (9)
1.一种超高电容MEMS封装载板的制作工艺，其特征在于：包括如下步骤：
步骤1：开料：将埋容基材裁切成一定的尺寸并形成两块埋容基板，分别定义为第一埋容基板(10)和第二埋容基板(20)，所述第一埋容基板(10)具有第一电容层(11)以及分别设置于该第一电容层正、反两面的第一铜箔层(12)和第二铜箔层(13)，所述第二埋容基板(20)具有第二电容层(21)以及分别设置于该第二电容层正、反面的第三铜箔层(22)和第四铜箔层(23)；
步骤2：内层线路：分别对第一埋容基板(10)的第二铜箔层(13)和第二埋容基板(20)的第三铜箔层(22)进行压干膜、曝光、显影、蚀刻和退膜处理，得到具有内层线路的第一埋容基板(10)和第二埋容基板(20)；
步骤3：压合：将第一埋容基板(10)、PP层(30)和第二埋容基板(20)依次叠合，利用压机将叠合好的第一埋容基板(10)、PP层(30)和第二埋容基板(20)压合而形成埋容四层板(40)，且所述第二铜箔层(13)和第三铜箔层(22)分别贴合于PP层(30)的正反两面；
步骤4：机械钻孔、镭射钻孔及填孔：
机械钻孔：根据线路布局需求，在第一铜箔层(12)和第四铜箔层(23)上利用钻头钻出多个定位孔；
镭射钻孔：镭射机利用CO2激光在定位孔处镭射开设出所需尺寸的槽孔，采用双面镭射钻孔方式即分别从第一铜箔层(12)和第四铜箔层(23)两面进行镭射，从第一铜箔层(12)的定位孔开始钻出的槽孔定义为第一槽孔(41)，该第一槽孔(41)依次穿过第一铜箔层(12)、第一电容层(11)和PP层(30)而不烧穿第三铜箔层(22)，且该第一槽孔避让了第二铜箔层(13)，从第四铜箔层(23)的定位孔开始钻出的槽孔定义为第二槽孔(42)，该第二槽孔(42)依次穿过第四铜箔层(23)、第二电容层(21)和PP层(30)而不烧穿第二铜箔层(13)，且该第二槽孔避让了第三铜箔层(22)；
填孔：对第一槽孔(41)和第二槽孔(42)内进行去胶渣、化学铜和电镀铜处理，使得第一槽孔(41)与第二槽孔(42)内壁形成导电铜层；
步骤5：外层线路：分别对埋容四层板(40)的第一铜箔层(12)和第四铜箔层(23)进行压干膜、曝光、显影、蚀刻和退膜处理，得到具有外层线路的埋容四层板(40)，其中所述第一槽孔(41)导通了第一铜箔层和第三铜箔层之间的线路，利用所述第二槽孔(42)导通了第二铜箔层和第四铜箔层之间的线路；
步骤6：阻焊：在埋容四层板(40)的第一铜箔层(12)和第四铜箔层(23)表面通过防焊前处理、印刷、预烤、曝光、显影和后烤形成一层防焊油墨层(43)，而得到成品载板；
步骤7：成型：最后铣成型、电测及检验后包装成成品出货。
2.根据权利要求1所述的超高电容MEMS封装载板的制作工艺，其特征在于：上述步骤2内层线路中具体包括以下步骤：
(1)前处理：利用含有双氧水的清洗液对基板进行清洗，再利用硫酸溶液对第二铜箔层(13)和第三铜箔层(22)表面进行粗化；
(2)压干膜：利用热压的方式将感光干膜贴附于第二铜箔层(13)和第三铜箔层(22)表面上；
(3)曝光：使用LDI曝光机将感光干膜中的光敏物质进行聚合反应，从而使设计的图形转移到感光干膜上；
(4)显影：利用显影液与未曝光干膜的皂化反应，将其去除；
(5)蚀刻：通过蚀刻机将氯化铜药水喷洒在铜面上，利用药水与铜的化学反应，对未被干膜保护的铜面进行蚀刻，形成线路；
(6)腿模：通过褪膜机将NaOH或KOH药水喷淋在板面上，利用药水与干膜的化学反应将干膜去除，完成内层线路的制作，得到具有内层线路的第一埋容基板(10)和第二埋容基板(20)；
(7)AOI：AOI系统对照蚀刻后内层线路与原始的设计线路之间的差异，对铜面上的内层线路进行检验。
3.根据权利要求1所述的超高电容MEMS封装载板的制作工艺，其特征在于：在上述步骤3中压合具体包括以下步骤：
(1)前处理：酸洗：利用硫酸溶液对第二铜箔层(13)和第三铜箔层(22)表面氧化物进行清除；清洁：利用清洁剂将油脂水解成易溶于水的小分子物质；预浸：利用棕化液对内层板进行预浸润；
(2)棕化：利用棕化液对第二铜箔层(13)和第三铜箔层(22)表面进行棕化处理，使得铜表面形成凹凸不平的表面形状，增大了铜面与树脂的接触面积；
(3)叠合：将第一埋容基板(10)、PP层(30)和第二埋容基板(20)依次叠合且PP层位于第二铜箔层(13)与第三铜箔层(22)之间；
(4)压合：在压机的高温、高压下将第一埋容基板(10)、PP层(30)和第二埋容基板(20)融合粘接呈埋容四层板(40)。
4.根据权利要求1所述的超高电容MEMS封装载板的制作工艺，其特征在于：在上述步骤4中填孔具体包括以下步骤：
(1)去胶渣：利用等离子法去除钻孔时产生的胶渣；
(2)化学铜：在第一槽孔(41)和第二槽孔(42)内通过化学作用沉积上一层薄层均匀、具有导电性的化学铜层；
(3)电镀铜：在化学铜层表面通过电镀方式镀上一层电镀铜层。
5.根据权利要求1所述的超高电容MEMS封装载板的制作工艺，其特征在于：在上述步骤4中具体工艺参数为：
在机械钻孔中，利用直径0.350mm的UC双刃刀钻刀，进刀速速控制在1.2m/min以下、回刀速度控制在15m/min以下，在转速为90-120kprm/min条件下，钻出直径为0.350mm的孔；
在镭射钻孔中，脉宽为5-12ms、能量2-7mj、发数3-4个以及MASK为1.5-2.5，镭射孔的孔径为75-120μm；
在填孔中，孔的纵横比控制在0.8:1以上，凹陷度控制在20μm以下，铜厚公差为±20％。
6.根据权利要求1所述的超高电容MEMS封装载板的制作工艺，其特征在于：在上述步骤5外层线路具体包括以下步骤：
(1)前处理：利用含有双氧水的清洗液对埋容四层板(40)进行清洗，再利用硫酸溶液对第一铜箔层(12)和第四铜箔层(23)表面进行粗化；
(2)压干膜：利用热压的方式将感光干膜贴附于第一铜箔层(12)和第四铜箔层(23)表面上；
(3)曝光：使用LDI曝光机将感光干膜中的光敏物质进行聚合反应，从而使设计的图形转移到感光干膜上；
(4)显影：利用显影液与未曝光干膜的皂化反应，将其去除；
(5)蚀刻：通过蚀刻机将氯化铜药水喷洒在铜面上，利用药水与铜的化学反应，对未被干膜保护的铜面进行蚀刻，形成线路；
(6)褪膜：通过褪膜机将NaOH或KOH药水喷淋在板面上，利用药水与干膜的化学反应将干膜去除，完成外层线路的制作，得到具有外层线路的埋容四层板(40)；
(7)AOI：AOI系统对照蚀刻后外层线路与原始的设计线路之间的差异，对铜面上的外层线路进行检验。
7.根据权利要求1所述的超高电容MEMS封装载板的制作工艺，其特征在于：在上述步骤6阻焊中具体包括以下步骤：
(1)前处理：将蚀刻后埋容四层板(40)的铜面氧化物去除，经微蚀作用后酸洗再烘干；
(2)网印和预烘烤：通过丝网印刷将绿油均匀的涂覆于第一铜箔层(12)和第四铜箔层(23)表面，并通过预烘烤使其局部固化；
(3)曝光：通过LDI曝光机来定义绿漆开窗部位，利用紫外线照射，使感光部分聚合键结、结构加强；
(4)显影：以显影液将未曝光的感光油墨溶解去除达到显影目的；
(5)后烘烤和UV固化：利用热烤结合UV固化设备加速热聚反应使绿漆完全反应，进一步键结及强化，形成稳定的网状结构，使防焊油墨层(43)彻底固化，达到一定的抗物性和耐化性。
8.一种超高电容MEMS封装载板，其特征在于：所述封装载板通过如权利要求1-7中任一项所述的制作工艺制备而成。
9.根据权利要求8所述的超高电容MEMS封装载板，其特征在于：包括依次设置的第一铜箔层(12)、第一电容层(11)、第二铜箔层(13)、PP层(30)、第三铜箔层(22)、第二电容层(21)和第四铜箔层(23)，且所述第一铜箔层(12)和第四铜箔层(23)上覆盖一层防焊油墨层(43)，所述第一铜箔层(12)与第三铜箔层(22)之间设有第一槽孔(41)，所述第二铜箔层(13)与第四铜箔层(23)之间设有第二槽孔(42)。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202111444168.8A CN114195090B (zh) | 2021-11-30 | 2021-11-30 | 超高电容mems封装载板及其制作工艺 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202111444168.8A CN114195090B (zh) | 2021-11-30 | 2021-11-30 | 超高电容mems封装载板及其制作工艺 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN114195090A CN114195090A (zh) | 2022-03-18 |
| CN114195090B true CN114195090B (zh) | 2024-05-03 |
Family
ID=80649761
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202111444168.8A Active CN114195090B (zh) | 2021-11-30 | 2021-11-30 | 超高电容mems封装载板及其制作工艺 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN114195090B (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115440600B (zh) * | 2022-09-14 | 2023-06-09 | 江门市和美精艺电子有限公司 | 一种boc产品捞内槽加工方法及封装基板 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006210664A (ja) * | 2005-01-28 | 2006-08-10 | Toppan Printing Co Ltd | プリント配線板およびその製造方法 |
| KR100674295B1 (ko) * | 2005-09-20 | 2007-01-24 | 삼성전기주식회사 | 다층 인쇄회로기판의 제조방법 |
| CN103298274A (zh) * | 2012-02-24 | 2013-09-11 | 北大方正集团有限公司 | 一种埋容印制电路板的制作方法以及埋容印制电路板 |
| CN107889350A (zh) * | 2017-12-22 | 2018-04-06 | 珠海快捷中祺电子科技有限公司 | 多层线路板 |
| CN110312366A (zh) * | 2019-07-03 | 2019-10-08 | 安捷利电子科技（苏州）有限公司 | 埋容材料及其制备工艺、埋容电路板及其制作工艺 |
| CN111755416A (zh) * | 2019-03-29 | 2020-10-09 | 英特尔公司 | 包括电容器的电子器件封装 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3670196B2 (ja) * | 2000-04-26 | 2005-07-13 | 三井金属鉱業株式会社 | プリント配線板の製造法 |
-
2021
- 2021-11-30 CN CN202111444168.8A patent/CN114195090B/zh active Active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006210664A (ja) * | 2005-01-28 | 2006-08-10 | Toppan Printing Co Ltd | プリント配線板およびその製造方法 |
| KR100674295B1 (ko) * | 2005-09-20 | 2007-01-24 | 삼성전기주식회사 | 다층 인쇄회로기판의 제조방법 |
| CN103298274A (zh) * | 2012-02-24 | 2013-09-11 | 北大方正集团有限公司 | 一种埋容印制电路板的制作方法以及埋容印制电路板 |
| CN107889350A (zh) * | 2017-12-22 | 2018-04-06 | 珠海快捷中祺电子科技有限公司 | 多层线路板 |
| CN111755416A (zh) * | 2019-03-29 | 2020-10-09 | 英特尔公司 | 包括电容器的电子器件封装 |
| CN110312366A (zh) * | 2019-07-03 | 2019-10-08 | 安捷利电子科技（苏州）有限公司 | 埋容材料及其制备工艺、埋容电路板及其制作工艺 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN114195090A (zh) | 2022-03-18 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| GR01 | Patent grant | ||
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