JPH06216258A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

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JPH06216258A
JPH06216258A JP5021738A JP2173893A JPH06216258A JP H06216258 A JPH06216258 A JP H06216258A JP 5021738 A JP5021738 A JP 5021738A JP 2173893 A JP2173893 A JP 2173893A JP H06216258 A JPH06216258 A JP H06216258A
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insulating film
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screen
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弘和 江澤
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雅弘 宮田
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 製造が容易であり、かつ、少ない工程で配線
間を接続するための金属柱を形成し、同時に絶縁膜の平
坦化を行うことが可能な半導体装置の製造方法を提供す
る。 【構成】 表面がシリコン熱酸化膜で絶縁されている半
導体基板１に所定のパターンを有する下層の配線２をス
パッタリングなどで形成する。この下層配線２上に接続
電極となる金属柱１１をスクリーン印刷により形成す
る。これを完全に埋めるようにポリイミド絶縁膜３を形
成してから、この絶縁膜をエッチバックして金属柱先端
を露出させる。その後この先端に接するように絶縁膜３
の上に配線４を施してこの両配線を電気的に接続する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方法
に係り、とくに複数の半導体チップを搭載する多層配線
基板の配線間を接続する方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体装置の高密度化、小形化を
図るために集積回路素子や個別半導体素子などが形成さ
れている半導体チップを複数個１つのパッケージに収め
るマルチチップパッケージが用いられるようになった。
特に、電子機器の機能の大規模化・高速化が求められる
につれて、例えば、論理ＬＳＩのゲート当たりの遅延時
間は数１００ｐｓと高速化している。これに対して、プ
リント配線基板に多数のＤＩＰ（dualinline package）
やプラグインパッケージを搭載する従来の実装形態では
高速化したＬＳＩの性能を十分発揮させることができな
い。つまり信号の伝搬時間に関してチップ間の配線が長
いのでこの遅延時間を短縮することができないのであ
る。そのために現在１枚のセラミック基板もしくはシリ
コンなどの半導体基板上に多くの半導体チップを搭載
し、半導体チップ間の配線長を非常に短くした高性能の
高密度実装のマルチチップモジュール（multichip modu
le:MCM）が開発されている。そして、回路基板や半導体
基板上の配線間を接続することはＩＣやＬＳＩなどの半
導体装置を形成する上で重要な製造工程の一つである。
特に、半導体装置の高集積化、小型化が進むに連れて回
路基板上に多層配線を形成し、その多層配線間を効率的
に接続することは高性能の半導体装置を形成するために
は必要不可欠である。
【０００３】図１０を参照して従来のＭＣＭの多層配線
基板の多層配線間の接続方法を説明する。例えば、表面
に厚さ１０００オングストロ−ムの熱酸化膜が形成され
たシリコン基板１の上に、所望のパタ−ンを有する第１
層配線２を形成する。この配線２は、各層の厚さが約６
００オングストロ−ムの２層のＴｉ層とこの２つのＴｉ
層に挟まれた厚さ約３μｍのＣｕ層からなるＴｉ／Ｃｕ
／Ｔｉの積層構造を有しており、その製造方法は、真空
蒸着法またはスパッタリング法などを利用している。続
いて、例えば、ポリイミドの溶液を半導体基板全面に塗
布し乾燥させてポリイミド絶縁膜３を形成する。そし
て、リソグラフィを用いて、ポリイミド膜３にコンタク
ト孔３１を形成した後に層間絶縁膜となるポリイミド膜
３を形成する。次いで、この上にＴｉ／Ｃｕ／ＴｉやＡ
ｌなどの第２層配線４を第１層配線と同様な工程で形成
する。この時、第２層配線４は前記コンタクト孔３１内
にも形成されるので、第１層及び第２層配線は互いに電
気的に接続される。この工程を繰り返してさらに多層の
配線が相互に接続される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】コンタクト孔開孔の際
には、フォトリソグラフィ−技術、ＲＩＥなどのエッチ
ング技術、フォトレシスト剥離などの工程を必要とす
る。ポリイミドの場合は、コリン溶液によりウエットエ
ッチングが出来るが、有機絶縁膜の加工は、ウエットエ
ッチングが出来ず、ドライエッチングに頼るか、ウエッ
トエッチング溶液の使用に大幅な制限のある場合が多い
ため、膜の持つ特性と製造コストが両立出来ない。ま
た、層間絶縁膜の膜厚が約１０μｍであるため上層配線
の密度が高くなると、上層配線形成の際下層の平坦化が
必要とされる。本発明は、この様な事情により成された
もので、製造が容易であり、しかも少ない工程数で配線
間を接続するための金属柱を形成し、同時に絶縁膜の平
坦化も行うことが可能な半導体装置の製造方法を提供す
ることを目的にしている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、半導体チップ
を搭載するＭＣＭの多層配線基板などの回路基板や半導
体基板の配線上に金属柱をスクリーン印刷により形成
し、この上に絶縁膜を被覆し、この金属柱を絶縁膜から
露出させ、その上に上層の配線を形成してこれら配線間
を接続することを特徴としている。すなわち、本発明の
半導体装置の製造方法は、複数の半導体チップが搭載さ
れる半導体基板又は絶縁基板からなる回路基板に下層の
配線を形成する工程と、前記下層の配線の所望の位置に
対応した開口を有するスクリーン版を用いて金属ペース
トをスクリーン印刷し、印刷された金属ペーストを熱処
理による乾燥及び焼成を行って、前記回路基板上の前記
下層の配線を含む所定の領域に金属柱を形成する工程
と、前記金属柱の先端部が露出するように前記下層の配
線と前記金属柱とを被覆する絶縁膜を形成する工程と、
前記金属柱の露出した先端部に重なるように前記絶縁膜
の上に上層の配線を形成する工程とを備えていることを
特徴としている。
【０００６】前記金属柱の先端部が露出するように前記
下層の配線と前記金属柱とを被覆する絶縁膜を形成する
工程において、前記回路基板上に、前記下層の配線及び
前記金属柱を埋め込むように層間絶縁膜を形成し、その
後この絶縁膜表面を前記金属柱の先端部が露出するまで
エッチバックする前記回路基板に半導体基板を用いる場
合において、この半導体基板の表面を絶縁膜で被覆す
る。所望の配線パターンの開口を有するスクリーン版を
介して金属ペーストを前記回路基板の上にスクリーン印
刷し、印刷された金属ペーストを熱処理による乾燥及び
焼成によって前記回路基板上に前記下層の配線又は前記
上層の配線もしくは前記上層及び下層の配線の双方を形
成することができる。
【０００７】
【作用】スクリーン印刷を利用して配線間を接続する接
続電極などの導電膜を半導体基板や回路基板などに形成
するので、リソグラフィ工程やエッチング工程を用い、
かつ、エッチバックを行うと、層間絶縁膜の表面が平坦
化されるので、改めて平坦化工程を行うこと無く層間絶
縁膜に形成された開口を介して配線間接続を行う従来の
工程に比較して大幅な工程削減が可能になる。
【０００８】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を説明
する。図１及至図４を参照して第１の実施例を説明す
る。図１は、この実施例に係る多層配線基板の断面図、
図２乃至図４は、その製造工程断面図である。回路基板
になる半導体基板１は、シリコン半導体基板からなり、
半導体基板主面上に厚さ約１０００オングストロ−ムの
シリコンの熱酸化膜（図示せず）が形成されていて、そ
の上に多層配線が形成される。この実施例ではシリコン
半導体基板を用いているが、この基板は、半導体チップ
などを搭載するＡｌＮなどからなる回路基板でも良い。
また、シリコン半導体基板を用いるにしても、その上に
ポリイミドなど層間絶縁膜を形成し、この上に前記多層
配線を形成することも可能である。この表面にシリコン
熱酸化膜が形成された半導体基板１上には所定のパタ−
ンを有する下層の第１の配線２を形成する。この第１の
配線２は、半導体基板１上の最初の配線層でも良く、ま
た、すでに何層か形成されていても良い。
【０００９】真空蒸着法やスパッタリング法によりＴｉ
又はＴｉを含むバリアメタルを約１０００オングストロ
−ム、Ｃｕを約３μｍ、Ｐｄを約１０００オングストロ
−ム連続して堆積した後にリソグラフィ工程を用いてパ
ターニングし、例えば、ＰｄはＨＣｌ、ＨＮＯ3 、ＣＨ
3 ＣＯＯＨの混液、Ｃｕ、ＴｉはＨ2 Ｏ2 とＣ6 Ｈ8Ｏ
7 の混液を用いてエッチングし、第１の配線である配線
幅２０〜３０μｍのＰｄ／Ｃｕ／Ｔｉ系金属配線パター
ンを形成する。基板上にフォトレジストを形成しこれを
エッチングして配線パターンを形成し、このフォトレジ
ストを介して基板上に配線用金属を蒸着法などで堆積
し、最終的にフォトレジストを除去して基板上に配線パ
ターンを形成することもできる。その後、金属配線パタ
ーン２上の３０〜５０μｍ2 程度のほぼ正方形のアラウ
ンド部に後述するスクリーン印刷法により配線間を接続
する接続電極である金属柱１１を形成する（図２）。印
刷用の金属ペーストは、例えば、粒径が約２０００オン
グストロ−ムのＡｕ粒子、ガラスフリット（ＰｂＯ）量
が１５ｗｔ％以下の材料を用いた。
【００１０】第１の配線２の上にＡｕペーストをスクリ
ーン印刷した後に、大気中で昇温速度２００℃／ｈｒ、
４５０℃で３０分保持し、焼成して前記Ａｕの金属柱１
１を形成する。Ａｕは第１の配線２表面のＰｄ層と良好
な密着性を有しており、接触抵抗が小さい。次いで、粘
度約２００００ｃｐのポリイミド溶液をこの半導体基板
１上に滴下し、５００ｒｐｍ／１０秒、１５００ｒｐｍ
／１５秒のスピン回転を順次行った後、窒素雰囲気中で
１５０℃／６０分の乾燥固化して約３０μｍ厚のポリイ
ミド膜の層間絶縁膜３を形成する（図３）。層間絶縁膜
はポリイミドに限らず、ＰＳＧやシリコン酸化膜などを
用いても良い。次で、この層間絶縁膜３の全面をコリン
溶液でエッチバックし、Ａｕ金属柱１１の先端を露出さ
せてから３２０℃／３０分の最終固化を行って層間絶縁
膜３を完全に形成する（図４）。次いで、前述と同じ方
法で、上層のＰｄ／Ｃｕ／Ｔｉからなる第２の配線４を
形成する。図示はしないが、この配線４上に次ぎの層間
絶縁膜を介して第３、第４或いはそれ以上の配線を形成
するか、すぐＢＰＳＧなどからなる保護絶縁膜５を形成
しても良い。
【００１１】この図に示すように第１及び第２の配線を
接続するには、接続電極であるＡｕ金属柱１１を用い
る。この接続電極１１は、層間絶縁膜３に埋め込まれて
上下にある２つの配線を電気的に接続している。ペース
ト焼成したＡｕはＰｂＯを含んでおり、結晶粒も小さ
く、比抵抗値は約５μΩｃｍとバルクに比較して高い値
を示すが、層間絶縁膜の耐熱限界が原因で多層配線形成
後の高温アニールにより再結晶・結晶粒粗大化が実施で
きなくても、金属柱を高さ約２０μｍ、直径約３０μｍ
で近似したときの抵抗値は１．４ｍΩであり、半導体装
置としての特性に支障を来さない。また、表面酸化が無
いので、Ａｕ金属柱と第２の配線との接触抵抗も小さく
なる。また、この実施例によれば、ポリイミドをエッチ
バックすることにより、金属柱の先端を露出させるとと
もに平坦化も行われる。したがって、その上の金属配線
形成にスクリーン印刷法を用いることも可能である。し
かし、金属ペーストの焼成温度の上限が層間絶縁膜の耐
熱温度以下に制限されるために使用できるペースト材料
は制約を受ける。
【００１２】本発明は、スクリーン印刷法を利用するこ
とに特徴がある。スクリーン印刷は版に張設されたスク
リーンに主として写真製版法により開口部と非開口部と
からなる図形パターンを形成してスクリーン印刷版を形
成し、このスクリーン印刷版の上に印刷用のインキを置
きスクリーン面にスキージを摺接させて前記開口部から
インキを押出すことによりスクリーンの下に配置された
被印刷面に図形パターンを転写する方式である。印刷方
法としては、図５による方法と図６による方法とがあ
る。図５は、スクリーン印刷機によるスクリーン印刷中
の模式断面図である。版１５は、木又は金属の矩形の枠
体１２にスクリーン１３をその四辺を引張って所定の張
力を持たせた状態で接着剤などを用いて取付けて構成さ
れている。そして、印刷を行うときは、印刷台１４上に
真空吸着などにより載置固定された半導体基板１とスク
リーン１３との間にギャップ（ｄ）をとり、枠体１２を
固定して版１５を印刷機本体にセットする。
【００１３】この時スクリーン１３は二点鎖線で示す様
に水平に張った状態にある。この状態でスクリーン上に
インキ１６を塗布する。次いで、スキージ１７をスクリ
ーン１３に圧接させてスクリーン１３を半導体基板１の
表面に押圧し接触させる。この時スクリーン１３は伸ば
されて実線で示した状態になっている。この状態でスキ
ージ１７を矢印の方向へ移動させ、スクリーン１３の開
口部を通してインキ１６を半導体基板１へ転写する。ス
キージ１７の移動に伴いスクリーン１３は、その張力に
より順次、いわゆる版離れしながら半導体基板１との接
触位置が移って印刷が行われる。本実施例では、図６の
印刷方法を用いた。図６は、スクリーン印刷機によるス
クリーン印刷中の模式断面図、図７はその平面図であ
る。この印刷機は、固定枠体１８と、可動枠体１９とを
備え、可動枠体１９は固定枠体１８を支点として移動す
る。半導体基板１のスクリーン印刷面と可動枠体１９と
のなす角度をθとすると、スキージ１７の移動に合わせ
て版１５の自由端の可動枠体１９を上方へ持ち上げて前
記角度θをθ1 、θ2 、θ3 と順に大きくすることによ
り、半導体基板１のスクリーン印刷面と版１５との間の
ギャップｄが印刷時に常にゼロである。スキージ押圧な
どによる版１５の変形が無いので印刷精度が向上する。
【００１４】前記実施例では、複数の集積回路素子や個
別半導体素子などからなる半導体チップが搭載される回
路基板として半導体基板を用いているが、これは、導電
性であるので、その表面は、シリコンなどの酸化膜やポ
リイミドなどの絶縁膜を形成する。そして、この上に半
導体チップを搭載する。この絶縁膜の一部は、例えばこ
の半導体装置の構成要素に含まれるキャパシタの誘電体
として用いることもできる。抵抗を形成する場合には、
絶縁膜の上に導電膜をスクリーン印刷などで適宜の領域
に形成する。
【００１５】つぎに、図８を参照して第２の実施例を説
明する。図は、この実施例により形成された半導体装置
の回路基板の断面図である。回路基板１には、ＡｌＮ基
板を利用し、その上に多層配線が形成される。この実施
例ではシリコン半導体基板を用いているが、この基板
は、半導体チップなどを搭載するＡｌＮなどからなる回
路基板でも良い。このＡｌＮ基板１上に所定のパタ−ン
を有する第１の配線２を形成する。この配線を形成する
には、まず、ガラスフリット（ＰｂＯ）を１５ｗｔ％以
下含むＡｇやＣｕなどの金属ペーストを、例えば、図６
に示す所定の配線パターンを有するスクリーンを介して
ＡｌＮ基板１上に塗布印刷し、これを焼成してこのＡｇ
などからなる配線幅２０〜３０μｍの第１の配線２を形
成する。次いで、第１の金属配線２上の３０〜５０μｍ
2 程度のほぼ正方形のアラウンド部にスクリーン印刷法
により配線間を接続する接続電極である金属柱１１を形
成する。印刷用の金属ペーストは、例えば、粒径が約２
０００オングストロ−ムのＡｕ粒子、ガラスフリット
（ＰｂＯ）量が１５ｗｔ％以下の材料を用いた。
【００１６】第１の配線２の上にＡｕペーストをスクリ
ーン印刷した後に、大気中で昇温速度２００℃／ｈｒ、
４５０℃で３０分保持し、焼成して前記Ａｕの金属柱１
１を形成する。次いで、粘度約２００００ｃｐのポリイ
ミド溶液をこの半導体基板１上に滴下し、５００ｒｐｍ
／１０秒、１５００ｒｐｍ／１５秒のスピン回転を順次
行った後、窒素雰囲気中で１５０℃／６０分の乾燥固化
して約３０μｍ厚のポリイミド膜の層間絶縁膜３を形成
する。次いで、この層間絶縁膜３の全面をコリン溶液で
エッチバックし、Ａｕ金属柱１１の先端を露出させてか
ら３２０℃／３０分の最終固化を行って層間絶縁膜３を
完全に形成する。次いで、前述と同じ様に図６に示すス
クリーンを用いて第２の配線４を形成する。その上にＰ
ＳＧなどからなる保護絶縁膜５を形成する。第２の配線
に用いる材料は、金属ペーストの焼成温度の上限が層間
絶縁膜の耐熱温度以下に制限されるために使用できる材
料は制約を受ける。この実施例は第１の配線、第２の配
線及び金属柱ともスクリーン印刷で形成しているので、
前述の実施例よりさらに工程が簡略化する。
【００１７】次ぎに、図９を参照して第３の実施例を説
明する。図は、この実施例により形成された半導体装置
の回路基板の断面図である。回路基板１には、ＡｌＮ基
板を用い、この表面には所定のパタ−ンを有する第１の
配線２を形成する。真空蒸着法やスパッタリング法によ
りＴｉ又はＴｉを含むバリアメタルを約１０００オング
ストロ−ム、Ｃｕを約３μｍ、Ｐｄを約１０００オング
ストロ−ム連続して堆積した後にリソグラフィ工程を用
いてパターニングし、例えば、ＰｄはＨＣｌ、ＨＮ
Ｏ3 、ＣＨ3 ＣＯＯＨの混液、Ｃｕ、ＴｉはＨ2 Ｏ2 と
Ｃ6 Ｈ8 Ｏ7 の混液を用いてエッチングし、第１の配線
である配線幅２０〜３０μｍのＰｄ／Ｃｕ／Ｔｉ系金属
配線パターン２を形成する。その後、金属配線パターン
２上の３０〜５０μｍ2 程度のほぼ正方形のアラウンド
部上にスクリーン印刷法により配線間を接続する金属柱
１１を形成する。印刷用の金属ペーストは、例えば、粒
径が約２０００オングストロ−ムのＡｕ粒子、ガラスフ
リット（ＰｂＯ）量が１５ｗｔ％以下の材料を用いた。
第１の配線２の上にＡｕペーストをスクリーン印刷した
後に、大気中で昇温速度２００℃／ｈｒ、４５０℃で３
０分保持し、焼成して前記Ａｕの金属柱１１を形成す
る。
【００１８】次いで、粘度約２００００ｃｐのポリイミ
ド溶液をこの半導体基板１上に滴下し、５００ｒｐｍ／
１０秒、１５００ｒｐｍ／１５秒のスピン回転を順次行
った後、窒素雰囲気中で１５０℃／６０分の乾燥固化し
て約３０μｍ厚のポリイミド膜の層間絶縁膜３を形成す
る。次いで、この層間絶縁膜３の全面をコリン溶液でエ
ッチバックし、Ａｕ金属柱１１の先端を露出させてから
３２０℃／３０分の最終固化を行って層間絶縁膜３を完
全に固化する。次いで、スクリーン印刷法で第２の配線
４を形成する。この配線を形成するには、まず、ガラス
フリット（ＰｂＯ）を１５ｗｔ％以下含むＡｇやＣｕ、
Ａｌなどの金属ペーストを、例えば、図６に示す所定の
配線パターンを有するスクリーンを介してＡｌＮ基板１
上に塗布印刷する。そして、これを焼成してＡｇなどか
らなる配線幅２０〜３０μｍの第２の配線４を形成す
る。その上にＰＳＧなどからなる保護絶縁膜５を形成す
る。
【００１９】この実施例では、第１の配線の形成にはス
パッタリング法を用い、第２の配線の形成にはスクリー
ン印刷法を用いているが、第１の配線をスクリーン印刷
で形成し、第２の配線をスパッタリングで形成すること
も可能である。前記スクリーン印刷により形成される金
属柱は、前述の実施例ではＡｕを用いたが、これ以外に
もＰｄ、Ｐｔ、Ａｇなどの材料を用いることが可能であ
る。以上、本発明の実施例において、配線形成には、ス
パッタリング、真空蒸着、スクリーン印刷などの方法を
利用しているが、本発明は、これらに限定すること無
く、例えば、蒸発させた金属を不活性ガスにより微粒子
化し、この微粒子を微粒子の発生した場所と回路基板が
載置されている場所との間の差圧を利用して、この回路
基板上に微粒子を吹付けて微粒子から構成した配線を回
路基板に形成するいわゆるガスデポジション法を利用す
ることもできる。
【００２０】
【発明の効果】本発明は、以上の構成により、基板上の
多層配線を形成するに際して、スクリーン印刷法により
配線間を接続する導電膜を形成するので、層間絶縁膜に
開口を設ける必要がなく、これを形成するためのリソグ
ラフィ工程やエッチグ工程を省略することができる。ま
た、層間絶縁膜をエッチバックしてこの導電膜を露出さ
せるときにこの層間絶縁膜の表面を平坦化するので、層
間絶縁膜の上に形成される上層の配線は、エッチバック
後連続して形成することが可能になり、製造工程を大幅
に短縮することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施例の多層配線基板の断面
図。
【図２】図１の多層配線基板の製造工程断面図。
【図３】図１の多層配線基板の製造工程断面図。
【図４】図１の多層配線基板の製造工程断面図。
【図５】本発明に用いるプリント印刷方式の説明断面
図。
【図６】本発明に用いるプリント印刷方式の説明断面
図。
【図７】図６のプリント印刷方式の説明平面図。
【図８】本発明の第１の実施例の多層配線基板の断面
図。
【図９】本発明の第１の実施例の多層配線基板の断面
図。
【図１０】従来の多層配線基板の断面図。
【符号の説明】
１ 基板（回路基板、半導体基板） ２ 第１の配線 ３ 層間絶縁膜 ４ 第２の配線 ５ 絶縁保護膜 １１ 導電膜（金属柱） １２ スクリーン枠体 １３ スクリーン １４ 印刷台 １５ 版 １６ インキ １７ スキージ １８ 固定枠体 １９ 移動枠体 ２０ 被印刷面 ３１ 層間絶縁膜のコンタクト孔
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０５Ｋ 3/22 Ｂ 7511−4Ｅ 3/40 Ｋ 7511−4Ｅ 3/46 Ｎ 6921−4Ｅ

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 複数の半導体チップが搭載される半導体
    基板又は絶縁基板からなる回路基板に下層の配線を形成
    する工程と、 前記下層の配線の所望の位置に対応した開口を有するス
    クリーン版を用いて金属ペーストをスクリーン印刷し、
    印刷された金属ペーストを熱処理による乾燥及び焼成を
    行って、前記回路基板上の前記下層の配線を含む所定の
    領域に金属柱を形成する工程と、 前記金属柱の先端部が露出するように前記下層の配線と
    前記金属柱とを被覆する絶縁膜を形成する工程と、 前記金属柱の露出した先端部に重なるように前記絶縁膜
    の上に上層の配線を形成する工程とを備えていることを
    特徴とする半導体装置の製造方法。
  2. 【請求項２】 前記金属柱の先端部が露出するように前
    記下層の配線と前記金属柱とを被覆する絶縁膜を形成す
    る工程において、前記回路基板上に、前記下層の配線及
    び前記金属柱を埋め込むように層間絶縁膜を形成し、そ
    の後この絶縁膜表面を前記金属柱の先端部が露出するま
    でエッチバックすることを特徴とする請求項１に記載の
    半導体装置の製造方法。
  3. 【請求項３】 前記回路基板に半導体基板を用いる場合
    において、この半導体基板の表面を絶縁膜で被覆するこ
    とを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体装
    置の製造方法。
  4. 【請求項４】 前記半導体基板の表面を被覆する絶縁膜
    の所定の領域は、キャパシタの誘電体に用いることを特
    徴とする請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
  5. 【請求項５】 所望の配線パターンの開口を有するスク
    リーン版を介して金属ペーストを前記回路基板の上にス
    クリーン印刷し、印刷された金属ペーストを熱処理によ
    る乾燥及び焼成によって前記回路基板上に前記下層の配
    線又は前記上層の配線もしくは前記上層及び下層の配線
    の双方を形成することを特徴とする請求項１乃至請求項
    ４に記載の半導体装置の製造方法。
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