JP2016119474A - 導体組成物インク、積層配線部材、半導体素子および電子機器、並びに、積層配線部材の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
しかしながら、これらの方法においても、核やピラーを除去する工程を必要とし、コンタクトホール内に核やピラーなどの残渣が残ることも懸念される。また、特許文献2の方法では、ピラー形成に静電吸引型液滴吐出法を利用しているため、工程に時間を要し生産性が問題となる可能性がある。
特許文献3には、ヴィアポストを形成した後にヴィアポストの頭部よりも僅かに大きい非吐出領域を有するスクリーン版を用いて層間絶縁膜を形成する方法が提案されている。しかしながら、スクリーン印刷を用いるためヴィアポストの微細化が難しく、また層間絶縁膜の材料もスクリーン印刷が適用できるものに制限されるといった問題がある。
特許文献4には、基板上に設けられた配線パターン上に、インクジェット法により中央部より端部が突出した形状で直接ヴィアを形成する方法が提案されている。しかしながら、本手法では導電部の突出した周縁部を用いるため、形成された導電部が小さくなるにつれ、有効な導電面積が得られなくなることや、全てのヴィアにおいてヴィア形状を完全に再現することが難しいといった問題がある。
本発明の一態様によれば、前述の本発明の一態様に係る積層配線部材を備える半導体素子であって、前記第1電極がソース電極、ドレイン電極または中間電極であり、前記第2電極がゲート電極、中間電極または外部入出力電極であることを特徴とする半導体素子が提供される。
本発明の一態様によれば、前述の本発明の一態様に係る積層配線部材を備える電子機器が提供される。
また、以下に述べる実施の形態は、本発明の好適な具体例であるから、技術的に好ましい種々の限定が付されているが、本発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの態様に限られるものではない。
まず、本実施形態の積層配線部材の製造方法について説明する。
本実施形態の積層配線部材の製造方法は、以下説明する第1工程(導電性凸部形成工程)と、第2工程(絶縁層形成工程)と、第3工程(第2電極形成工程)と、を備える方法である。
図1は、本実施形態の積層配線部材の製造方法を示す工程図である。
本実施形態の積層配線部材の製造方法においては、まず図1(A)に示すように、基材21および基材21上に形成された第1電極22を有する配線部材2を準備する。次に、導電性材料、撥液剤および溶媒を含む導体組成物インクを第1電極22上にパターン状に塗布して焼成することにより、図1(B)に示すように、第1電極22と導通し撥液性を有する導電性凸部3を形成する(導電性凸部形成工程)。次に、図1(C)に示すように、導電性凸部3が形成された配線部材2上に樹脂組成物の塗膜4Aを形成する。次に、樹脂組成物の塗膜4Aを硬化させることにより、図1(D)に示すように、導電性凸部3がヴィアポストとして機能し、導電性凸部3以外の部分に絶縁層4を形成する(絶縁層形成工程)。次に、図1(E)に示すように、ヴィアポストとして機能する導電性凸部3と導通するように、絶縁層4上に第2電極6を形成する(第2電極形成工程)。以上により積層配線部材1を製造することができる。
よって、本実施形態においては、フォトリソグラフィ法などを用いる従来の方法に比べてより簡便な方法でヴィアポストを有する絶縁層4を形成することができる。
その他に樹脂組成物をパターニング可能な塗布法として、インクジェット法やグラビアオフセット印刷法などが挙げられるが、樹脂組成物の表面張力が小さい場合には、良好なパターニングを行うことができない。
一方で、本実施形態においては、樹脂組成物の塗膜4Aをパターニングする必要がなく、樹脂組成物を配線部材2上の全面に塗布できるため、平坦性が良好な絶縁層4を形成することができる。
導電性凸部形成工程においては、図1(A)に示すように、基材21および基材21上に形成された第1電極22を有する配線部材2を準備する。そして、導電性材料、撥液剤および溶媒を含む導体組成物インクを第1電極22上にパターン状に塗布して焼成することにより、第1電極22と導通し、撥液性を有し、かつヴィアポストとして機能する導電性凸部3を形成する(図1(B)参照)。
配線部材2は、基材21と、第1電極22とを有するものである。
基材21は、第1電極22を支持するものである。また、基材21は、通常、耐熱性を有するものである。基材21の耐熱性としては、積層配線部材の製造工程における加熱に対して変形などを生じない程度であれば特に限定されない。
基材21としては、ガラス基材などの可撓性を有さないリジット基材、および、プラスチック樹脂からなるフィルムなどの可撓性を有するフレキシブル基材が挙げられる。プラスチック樹脂としては、例えば、ポリエチレンテレフタラート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリエーテルサルホン(PES)、ポリイミド(PI)、ポリエーテルエーテルケトン(PEEK)、ポリカーボネート(PC)、ポリフェニレンサルファイド(PPS)およびポリエーテルイミド(PEI)などが挙げられる。
基材21が透明性を有する場合、可視光領域における透過率は80%以上であることが好ましい。ここで、透過率は、JIS K7361−1(プラスチック−透明材料の全光透過率の試験方法)により測定することができる。
第1電極22の厚みが厚すぎると、第1電極22による段差が大きくなるため、絶縁層を良好に形成することが困難となる可能性があるからである。また、第1電極22の厚みが薄すぎると良好な導電性を示すことが困難となる可能性があるからである。
上記接触角が大きすぎると、後から形成する導電性凸部3の撥液性と濡れ性差が形成できなくなるからである。また、上記接触角が小さすぎると導体組成物インクが濡れ広がりやすくなり、第1電極22に隣接する他の電極などに導電性凸部3が形成されて導通不良が生じやすくなる可能性があるからである。
なお、「水との接触角」は、25℃における水との接触角をいう。
本実施形態における上記接触角は、例えば、測定対象上に1マイクロリットルの液体を滴下し、滴下した液滴の形状を側面より観測し、液滴と測定対象とのなす角を計測することにより測定することができる。本実施形態における接触角は、例えば、井元製作所製接触角測定装置を用いて測定することができる。また、本発明における接触角は、例えば、協和界面科学製接触角計 DM−901を用いて測定することができる。
また、第1電極22の形成方法としては、導電性ペーストを用いた印刷方法により形成することができる。印刷法としては、例えば、インクジェット法、スクリーン印刷法、グラビアオフセット印刷法、反転オフセット印刷法などが挙げることができる。
本実施形態においては、第1電極22の形成方法として、印刷法を用いた方法を採用することが好ましい。印刷法により形成された導電層は、蒸着法などにより形成された導電層に比べて導電層の表面の濡れ性を調整しやすく、導電性凸部3の形状を制御しやすいからである。
配線部材用絶縁層の厚みについては、本実施形態により製造される積層配線部材1の用途などに応じて適宜選択することができる。
配線部材用絶縁層の形成方法としては、後述する絶縁層4の形成方法を用いることができる。また、配線部材用絶縁層が無機材料である場合は、例えば、CVD法などを採用することができる。
本工程に用いられる導体組成物インクは、導電性材料、撥液剤および溶媒を含むものである。
導電性材料は、導電性凸部3の導電性発現の起源となるものである。導電性材料としては、導電性凸部3に所望の導電性を付与することができるものであり、具体的には金属粒子である。
導電性材料は、金属粒子が溶媒中に分散したナノコロイドであってもよい。
金属粒子の金属種としては、銀、銅、水銀、スズ、インジウム、ニッケル、パラジウム、白金、および金などが挙げられる。なお、これらは1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。これらの中でも、上述の撥液剤との親和性の観点から、銀が特に好ましい。
金属粒子は、平均粒子径が10nm以上1000nm以下であることが好ましい。また、直径50nm以下の金属ナノワイヤーを含んでも良い。金属粒子の平均粒子径は、透過型電子顕微鏡(TEM)観察により測定できる。具体的には、50個程度の粒子を含む視野において、全ての粒子の投影面積円相当径を測定し、その平均を算出する方法が挙げられる。
自己組織化単分子膜を形成するフッ素含有チオール化合物は、導電性材料として金属粒子を用いた場合に、導電性を確保しつつ、金属粒子に撥液性をもたらすことができる。その結果、導体組成物インクで得られる導電性凸部は導電性と撥液性を両立できる。
なお、撥液剤は、フッ素含有チオール化合物に限定されるものではなく、フッ素を含む組成物(フッ素含有化合物)であればよい。このようなフッ素含有化合物としては、例えば、フッ素含有ジスルフィド化合物が挙げられる。
ジルオキシ)−1−ウンデカンチオールなどが挙げられる。これらの中でも、撥液性の観点からトリフルオロメチルベンゼンチオール、2,3,5,6−テトラフルオロ−4−(トリフルオロメチル)ベンゼンチオールが特に好ましい。
溶媒としては、水、アルコール系溶媒(モノアルコール系溶媒、ジオール系溶媒、多価アルコール系溶媒など)、炭化水素系溶媒、ケトン系溶媒、エステル系溶媒、エーテル系溶媒、グライム系溶媒、ハロゲン系溶媒などが挙げられる。これらの溶媒は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を混合して用いてもよい。これらの中でも、印刷性の観点から、アルコール系溶媒が好ましい。アルコール系溶媒としては、イソプロピルアルコール、ヘキサノール、ヘプタノール、オクタノール、ノナノール、デカノール、ウンデカノール、ドデカノール、トリデカノール、テトラデカノール、ペンタデカノール、ヘキサデカノール、シクロヘキサノール、1−メトキシ−2−プロパノールなどが挙げられる。また、ケトン系溶媒としては、シクロヘキサノン、メチルイソブチルケトンなどが挙げられる。
また、溶媒の表面張力は、25℃において40mN/m以上65mN/m以下であることが好ましい。溶媒の表面張力が上記範囲内であれば、導体組成物インクを下地に十分に付着させることができる。なお、表面張力は、ペンダントドロップ法により測定できる。
各種任意成分としては、分散剤などが挙げられる。
これらの任意成分は、導体組成物インク全量に対して、10質量%以下であることが好ましい。
なお、表面エネルギーは、各溶媒にて測定した接触角の値から、北崎、畑の拡張Fowkes式に基づく幾何学平均法による解析(北崎寧昭、畑敏雄ら、日本接着協会誌、第8巻(3)131−141頁(1972年))で求めた値を言う。
導体組成物インクをスピンコートし焼成した固化膜の表面エネルギーを調整する手段としては、撥液剤の種類や配合量を調整することなどが挙げられる。
固化膜の表面エネルギーが前記下限値よりも小さくなると、撥液剤の量が多くなり、導体組成物インク中の導電性材料が凝集し、インク状態を保持できなくなる。また、固化膜の表面エネルギーが前記上限値よりも大きくなると、撥液性が低下し、絶縁層を開孔することができなくなる。また、同様の観点から、固化膜の表面エネルギーは、32mN/m以上70mN/m以下であることが好ましく、35mN/m以上60mN/m以下であることがより好ましく、40mN/m以上50mN/m以下であることが特に好ましい。
本工程においては、上述した導体組成物インクは第1電極22上にパターン状に塗布される。
ここで、「導体組成物インクをパターン状に塗布する」とは、第1電極22上に所定の平面視形状を有するように導体組成物インクを塗布することをいい、第1電極22が形成された配線部材2上の全面に導体組成物インクを塗布する場合を含まないことをいう。
本工程においては、導体組成物インクを第1電極22上に塗布することができればよく、図2(A)に示すように、第1電極22上にのみ導体組成物インクを塗布し、付着物3Aを形成してもよく、図2(B)に示すように第1電極22上およびその近傍に導体組成物インクを塗布し、付着物3Aを形成してもよい。この場合、導体組成物インクは、通常、第1電極22上に塗布され、かつ上記第1電極22に隣接する他の電極22aと導通しないように塗布される。本実施形態においては導体組成物インクを第1電極22上にのみ塗布することがより好ましい。第1電極22の表面の濡れ性および導体組成物インクの物性を調整して導電性凸部3の形状を調整しやすくなるからである。
なお、図2は、導体組成物インクの塗布位置について説明する説明図である。
本工程においては、焼成前または焼成中に超音波などを照射して撥液剤の移行を促進させる処理を行なってもよい。
また、本工程における焼成温度および焼成時間については、導体組成物インクに含まれる溶媒、撥液剤などの種類に応じて適宜調整される。
本工程により形成される導電性凸部3は、第1電極22上に形成されるものである。導電性凸部3は、複数形成されていてもよい。また、導電性凸部3は、撥液性を有し、かつヴィアポストとして機能する。この導電性凸部3は、前記導電性材料および前記撥液剤を含み、表面エネルギーが30mN/mより大きく80mN/m以下である導電体であることが必要である。また、この導電体においては、表面エネルギーおよび導電性の観点から、表面に前記導電性材料および前記撥液剤が露出していることが好ましい。
ここで、「導電性凸部が撥液性を有する」とは、導電性凸部3の表面と水との接触角が、第1電極22の表面と水との接触角および基材21の表面と水との接触角よりも大きいことをいう。
具体的には、導電性凸部3の表面と水との接触角と、第1電極22の表面と水との接触角との差が、5°以上であることをいい、好ましくは20°以上であることをいう。両者の接触角の差が小さいと、導電性凸部3が形成された配線部材2上に樹脂組成物を塗布した場合に濡れ性の差を利用して、樹脂組成物を弾くことが困難となる可能性があるからである。
また、上記接触角の差の上限値としては、導電性凸部3の材料、第1電極22の材料などに応じて適宜決定され、特に限定されないが、例えば、100°程度である。
また、上記接触角の差の上限値としては、導電性凸部3の材料、基材21の材料などに応じて適宜決定され、特に限定されないが、例えば、100°程度である。
導電性凸部3の形成位置については、通常は、上述した導体組成物インクの塗布位置と同様である。
なお、図3は、本実施形態における導電性凸部3の縦断面形状について説明する説明図である。導電性凸部3の縦断面形状とは、基材21に対して垂直方向の導電性凸部3の断面形状をいう。
なお、「導電性凸部3の大きさ」とは、導電性凸部3の平面視形状の大きさをいい、例えば、平面視形状が円形状の場合は直径をいい、平面視形状が四角形状の場合は、一辺の幅をいう。また、平面視形状が長方形、楕円形などの短辺および長辺を有する形状の場合は短辺の幅をいう。また、平面視形状が多角形状の場合は、内接円の直径をいう。
具体的に導電性凸部3の大きさとは、図4においてuで示される距離をいう。
なお、「導電性凸部3の高さ」とは、導電性凸部3の縦断面形状において基材と垂直方向の距離が最大となる部分の値をいい、後述する図5においてxで示される距離をいう。
絶縁層形成工程においては、図1(C)に示すように、導電性凸部3が形成された配線部材2上に樹脂組成物の塗膜4Aを形成して、硬化させることにより、ヴィアポストとして機能する導電性凸部3を有する絶縁層4を形成する(図1(D)参照)。
本工程に用いられる樹脂組成物は、少なくとも樹脂を含有し、必要に応じて重合開始剤等その他の成分を含有する。ここで、樹脂とは、モノマーやオリゴマーの他、ポリマーを含む概念である。
樹脂としては、例えば、アクリレート系、エポキシ系、ポリエステル系などの電離放射線硬化性樹脂、アクリレート系、ウレタン系、エポキシ系、ポリシロキサン系などの熱硬化性樹脂が挙げられる。なお、電離放射線とは、分子を重合させて硬化させ得るエネルギーを有する電磁波または荷電粒子を意味し、例えば、すべての紫外線(UV−A、UV−B、UV−C)、可視光線、ガンマー線、X線、電子線などが挙げられる。
このような樹脂としては、なかでも、熱硬化性樹脂であることが好ましい。熱硬化性樹脂を用いることにより、絶縁層4の絶縁性をより良好なものとすることができるからである。
また、本工程に用いられる樹脂組成物として、フッ素系樹脂組成物を用いても良い。フッ素系樹脂組成物とは、少なくともフッ素系樹脂を含有し、必要に応じて重合開始剤などのその他の成分を含有する。
フッ素系樹脂組成物を構成する樹脂としては、フッ素が添加されたポリイミド、フッ素が添加されたポリパラキシレン、ポリスチレン、サイトップ(登録商標)、テフロン(登録商標)、テフロン(登録商標)AF、フルオロポリアリールエーテルなどが挙げられる。また、代表的な例としては、サイトップ(旭硝子社製)が挙げられるが、これに限定されるものではない。
このような樹脂としては、なかでも、熱硬化性樹脂であることが好ましい。熱硬化性樹脂を用いることにより、絶縁層4の絶縁性をより良好なものとすることができるからである。
また、樹脂組成物がフッ素系樹脂組成物である場合には、通常、フッ素系溶媒を含有するものである。ただし、フッ素系樹脂組成物をパッシベーション層として用いる場合には、下地の半導体層などの、溶剤への耐性が低い下地層に対して、ダメージを与えないフッ素系溶媒を選択する必要がある。
なお、粘度の測定方法については、粘度を精度良く測定できる方法であれば特に限定されるものではないが、例えば、レオメーター、B型粘度計、キャピラリー式粘度計などの粘度測定装置を用いる方法が挙げられる。また、粘度の測定方法としては、デジタル粘度計(東機産業株式会社 TV−35)を用いることができる。
なお、表面張力の測定方法については、表面張力を精度良く測定できる方法であれば特に限定されるものではないが、例えば、Wilhelmy法(プレート法)、懸滴法(ペンダント・ドロップ法)、Young−Laplace法、du Nouy法などが挙げられる。また、表面張力の測定方法としては、高精度表面張力計(協和界面科学社 DY−700)を用いることができる。
本工程においては、絶縁層4は、上述した樹脂組成物を導電性凸部3が形成された配線部材2上に塗布することにより形成される。
塗布方法としては、所望の厚みを有する絶縁層4を形成することができれば特に限定されず、一般的な塗布法を用いることができる。具体的には、スリットコート法、スピンコート法、ダイコート法、ロールコート法、バーコート法、LB法、ディップコート法、スプレーコート法、ブレードコート法、およびキャスト法などが挙げられる。本実施形態においては、なかでも、スピンコート法、およびスリットコート法を用いることが好ましい。絶縁層4の平坦性を良好なものとすることができるからである。
また、導電性凸部3の高さよりも樹脂組成物の塗膜4Aの厚みが厚い場合、塗膜4Aは導電性凸部3を覆うように形成されていてもよい。樹脂組成物の粘度および表面張力などを調整することにより、導電性凸部3上に塗布された樹脂組成物を時間経過とともに弾くようにすることができる。
絶縁層4は、第1電極22と後述する第2電極6とを絶縁するために形成されるものである。また、絶縁層4は、ヴィアポストとして機能する導電性凸部3を有する。
また、本実施形態により製造される積層配線部材1の第2電極6が形成された面をより平坦なものとすることができるため、積層配線部材1を他の構成と良好に積層させて配置させることができるからである。
「第1電極22上における絶縁層4の厚み」とは、第1電極22の表面からの絶縁層の厚さ方向の距離をいい、図5においてyで示される距離をいう。
なお、図5は、本実施形態における絶縁層4について説明する説明図である。
第2電極形成工程においては、図1(E)に示すように、ヴィアポストとして機能する導電性凸部3と導通するように、絶縁層4上に第2電極6を形成する。この場合、絶縁層4から突出した導電性凸部3の少なくとも一部と、第2電極6とが接触し、導通する。
第2電極6は、通常、絶縁層4上にパターン状に形成される。第2電極6の平面視形状としては、本実施形態の製造方法により製造される積層配線部材1の種類に応じて適宜選択することができる。
本実施形態の積層配線部材の製造方法は、上述した各工程を有していれば特に限定されず、必要な構成を適宜選択して追加することができる。例えば、上述した配線部材2を形成する工程などが挙げられる。
本実施形態の積層配線部材の製造方法は、ヴィアポストを介して2つの電極が導通する積層構造を有するデバイスの製造方法に適用できる。具体的には、例えば、半導体素子、タッチパネルセンサ、RF−ID(Radio Frequency Identification)、有機エレクトロルミネッセンス素子、フレキシブルプリント基板(FPC)などの製造方法に適用できる。
本実施形態の積層配線部材1は、例えば、上述の積層配線部材の製造方法により製造できるものである。そして、本実施形態の積層配線部材1は、基材21および基材21上に形成された第1電極22を有する配線部材2と、導電性材料および撥液剤を含み、第1電極22上にパターン状に形成され、第1電極22と導通し、ヴィアポストとして機能する導電性凸部3と、樹脂組成物からなり、導電性凸部3を有する絶縁層4と、導電性凸部3と導通し、絶縁層4上に形成された第2電極6と、を備えるものである。
本実施形態の積層配線部材1は、液晶ディスプレイ、テレビ、カーナビゲーション、携帯電話、ゲーム機、デジタルカメラ、パーソナルコンピュータ、プリンタなどの電子機器に使用できる。
次に、本実施形態の半導体素子の製造方法を図面に基づいて説明する。
なお、本実施形態の半導体素子の製造方法における工程の一部は、上述した本実施形態の積層配線部材の製造方法と同様であるから、その詳細な説明の一部は省略または簡略化する。
また、以下の説明において、「半導体トランジスタ」とは、ソース電極、ドレイン電極、半導体層、およびゲート電極を有する構成を指す。
図6は、本実施形態の半導体素子の製造方法を示す工程図である。
図6(A)〜図6(D)においては、ボトムゲートボトムコンタクト型の半導体トランジスタを有する半導体素子を製造する例について説明する。本実施形態の半導体素子の製造方法においては、まず図6(A)に示すように、基材31、基材31上に形成されたゲート電極32、ゲート電極32を覆うように形成されたゲート絶縁層33、ゲート絶縁層33上に形成されたソース電極34およびドレイン電極35、並びにソース電極34およびドレイン電極35の間のチャネル領域に形成された半導体層36を有する配線部材2を準備する。次に、導電性材料、撥液剤および溶媒を含む導体組成物インクをドレイン電極35上にパターン状に塗布して焼成することにより、図6(B)に示すように、ドレイン電極35と導通し撥液性を有する導電性凸部3を形成する(導電性凸部形成工程)。次に、図示はしないが、ソース電極34、ドレイン電極35および半導体層36を覆うように樹脂組成物の塗膜を形成して硬化させることにより、図6(C)に示すように、ヴィアポストとして機能する導電性凸部3を有する絶縁層4としてパッシベーション層37を形成する(絶縁層形成工程)。次に、図6(D)に示すように、ヴィアポストとして機能する導電性凸部3と導通するように、パッシベーション層37上に外部入出力電極38を形成する(電極形成工程)。以上の工程により、半導体素子30を製造することができる。
なお、図7(C)については、遮光層39上に外部入出力電極38を形成する工程を示している。
図7(A)〜図7(C)において説明していない符号については、図6(A)〜図6(D)において説明した内容と同様とすることができるため、ここでの説明は省略する。
なお、図9は、本実施形態により製造される半導体素子の一例を示す概略断面図であり、トップゲートトップコンタクト型の半導体トランジスタを有する半導体素子の例を示している。
導電性凸部形成工程においては、基材31、基材31上(または基材31上に形成されたゲート絶縁層33上)に形成されたソース電極34およびドレイン電極35、並びにソース電極34およびドレイン電極35の間のチャネル領域に形成された半導体層36を有する配線部材2を準備し、導電性材料、撥液剤および溶媒を含む導体組成物インクをドレイン電極35上にパターン状に塗布して焼成することにより、ドレイン電極35と導通し、撥液性を有し、かつヴィアポストとして機能する導電性凸部3を形成する。
配線部材2は、半導体トランジスタの構造によっても異なるが、例えば図6(A)に示すようにボトムゲートボトムコンタクト型の半導体トランジスタを有する半導体素子を製造する場合、基材31と、ゲート電極32と、ゲート絶縁層33と、ソース電極34およびドレイン電極35と、半導体層36とを有するものである。以下、各構成について説明する。なお、基材31については、上述した積層配線部材の製造方法で用いるものと同様とすることができるため、ここでの説明は省略する。
ソース電極34およびドレイン電極35は、基材31上に直接形成されてもよく、後述するようにゲート絶縁層33上に形成されてもよい。
チャネル長さとしては、チャネル領域内に半導体層を形成可能な程度であれば特に限定されないが、1μm以上100μm以下であることが好ましく、3μm以上50μm以下であることがより好ましく、5μm以上10μm以下であることが特に好ましい。チャネル長さとは、ソース電極34およびドレイン電極35の間の距離をいう。
半導体層36の形成位置は、半導体トランジスタの構造に応じて適宜選択され、通常、図8(A)および図9に示すように基材31上、または、図6(A)および図7(A)に示すようにゲート絶縁層33上に形成される。また、図6(A)および図8(A)に示すように、ソース電極34およびドレイン電極35,35a上に半導体層36が形成されてもよく、図7(A)および図9に示すように、半導体層36上にソース電極34およびドレイン電極35が形成されてもよい。
半導体層36としては、有機半導体層であってもよく、無機半導体層であってもよい。
有機半導体層の材料、厚みおよび形成方法については、一般的な有機半導体層に用いられるものと同様とすることができる。また、無機半導体層の材料、厚み、形成方法については、一般的な無機半導体層に用いられるものと同様とすることができる。
ゲート電極32の材料としては、上述した積層配線部材の製造方法における第1電極の材料から適宜選択して用いることができる。また、ゲート電極32の厚みおよび形成方法については、上述した積層配線部材の製造方法における第1電極の厚みおよび形成方法と同様とすることができるため、ここでの説明は省略する。
ゲート絶縁層33を構成する材料、厚みおよび形成方法については、上述した積層配線部材の製造方法における配線部材用絶縁層と同様とすることができるため、ここでの説明は省略する。
導体組成物インク、その塗布方法および焼成方法、並びに導電性凸部については、上述した積層配線部材の製造方法におけるものと同様とすることができるため、ここでの説明は省略する。
絶縁層形成工程においては、ソース電極34、ドレイン電極35および半導体層36を覆うように樹脂組成物の塗膜を形成して硬化させることにより、ヴィアポストとして機能する導電性凸部3を有する絶縁層(パッシベーション層37など)を形成する。
本工程により形成される絶縁層としては、半導体トランジスタの構造に応じて適宜選択される。例えば、本実施形態により製造される半導体素子30がトップゲート型の半導体トランジスタを有する場合は、絶縁層としては、少なくともゲート絶縁層33が形成される。
一方、本実施形態により製造される半導体素子30がボトムゲート型の半導体トランジスタを有する場合は、絶縁層としては、パッシベーション層37および遮光層39の少なくともいずれかが形成される。
絶縁層として遮光層39を形成する場合、樹脂組成物には遮光性材料が含有される。遮光性材料については、一般的な有機半導体素子に用いられるものと同様とすることができるため、ここでの説明は省略する。
なお、各層の厚みと導電性凸部の高さとの関係などについては、上述した積層配線部材の製造方法における絶縁層の厚みと導電性凸部の高さとの関係などと同様とすることができるため、ここでの説明は省略する。
電極形成工程においては、ヴィアポストとして機能する導電性凸部3と導通するように、絶縁層(パッシベーション層37、ゲート絶縁層33など)上に中間電極35bまたは外部入出力電極38を形成する。
一方、本実施形態により製造される半導体素子30がボトムゲート型の半導体トランジスタを有する場合は、パッシベーション層37上に外部入出力電極38を形成する。
本工程により形成される外部入出力電極38としては、一般的な半導体素子に用いられるものと同様とすることができる。例えば、本実施形態の半導体素子30を表示装置の駆動に用いる場合は、画素電極を挙げることができる。また、本実施形態の半導体素子30を圧力センサーや温度センサーに用いる場合は、入力電極を挙げることができる。
本実施形態の半導体素子の製造方法は、上述した各工程を有していれば特に限定されず、必要な工程を適宜選択して追加することができる。
また、本実施形態により製造される半導体素子30がトップゲート型の半導体トランジスタを有し、かつ中間電極35bを有する場合は、通常、中間電極35b上にパッシベーション層37を形成する工程、およびパッシベーション層37上に外部入出力電極38を形成する工程が行われる。この際、図8に示すように、ヴィアポストとして機能する導電性凸部3bを有するパッシベーション層37を形成してもよい。
本実施形態により製造される半導体素子30が有する半導体トランジスタとしては、ボトムゲートトップコンタクト型、ボトムゲートボトムゲート型、トップゲートトップコンタクト型、またはトップゲートボトムコンタクト型のいずれの形態であってもよい。
本実施形態により製造される半導体素子30は、例えば、TFT方式を用いる表示装置のTFTアレイ基材として用いることができる。このような表示装置としては、例えば、液晶表示装置、電気泳動表示装置、有機EL表示装置などが挙げられる。また、半導体素子は、温度センサーや圧力センサーなどに用いることもできる。
本実施形態の半導体素子30は、例えば、上述の半導体素子の製造方法により製造できるものである。そして、本実施形態の半導体素子30は、基材31、基材31に形成されたソース電極34およびドレイン電極35,35a、並びにソース電極34およびドレイン電極35,35aの間のチャネル領域に形成された半導体層36を有する配線部材2と、導電性材料および撥液剤を含み、ドレイン電極35,35a上にパターン状に形成され、ドレイン電極35,35aと導通し、ヴィアポストとして機能する導電性凸部3,3aと、樹脂組成物からなり、導電性凸部3,3aを有する絶縁層(パッシベーション層37など)と、導電性凸部3,3aと導通し、絶縁層(パッシベーション層37など)上に形成された中間電極35bまたは外部入出力電極38と、を備えるものである。
本実施形態の半導体素子30は、液晶ディスプレイ、テレビ、カーナビゲーション、携帯電話、ゲーム機、デジタルカメラ、パーソナルコンピュータ、プリンタなどの電子機器に使用できる。
本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良などは本発明に含まれるものである。
例えば、前記実施形態の積層配線部材の製造方法では、第1電極と第2電極との導通を図り、2層の配線電極を有する積層配線部材を製造したが、これに限定されない。3層以上の配線電極であっても、前記実施形態の積層配線部材の製造方法を適用できる。
[実施例1]
基材として、ガラス(Corning社製のEagle XG、大きさ:40mm×40mm、厚み:0.7mm)を準備した。上記基材の表面にスピンコート法により、導体組成物インク(銀ナノコロイド(平均粒子径:40nm)と2,3,5,6−テトラフルオロ−4−(トリフルオロメチル)ベンゼンチオールと溶媒(水とエチレングリコールと1,3-プロパンジオールとグリセリンの混合溶媒)を、質量比39.7:0.8:59.5の割合で混ぜたもの)を成膜し、180℃30分間焼成し固化膜を形成した。その固化膜の表面エネルギーを測定したところ、48.3mN/mとなった。
基材として、ガラス(Corning社製のEagle XG、大きさ:40mm×40mm、厚み:0.7mm)を準備した。上記基材の表面に真空蒸着法で金の薄膜を成膜した。金の薄膜の厚みを段差計(KLA−Tencor P−15)で測定した結果50nmであった。
上述の金電極上に、実施例1で用いた導体組成物インクを、インクジェット印刷法により同位置に繰り返し吐出し、180℃で30分間焼成することにより、撥液性を有する導電性凸部を形成した。この導電性凸部は、直径30μmの径で、高さ5.5μmであった。
樹脂組成物の調製のために、Poly(methyl methacrylate)(PMMA、シグマアルドリッチ445746)を、1−Methoxy−2−propyl acetate(関東化学)に5質量%で溶解させた。この樹脂組成物の表面張力を高精度表面張力計(協和界面科学社 DY−700)で測定すると25℃において29.4mN/mであった。また、上記樹脂組成物の粘度をデジタル粘度計(英弘精機株式会社
DV−E)で測定した結果、25℃において113mPa・sであった。
導電性凸部を形成した上記基材の表面に上述の樹脂組成物をアプリケーター(PI−1210自動塗工装置)を用いて塗布した後、130℃のホットプレート(アズワン EC−1200NP)上で5分乾燥させ、PMMAによる絶縁層を形成した。絶縁層表面を顕微鏡(オリンパス社 MX61)で観察すると、上述の導電性凸部上の絶縁層は開孔を示していた。
また、上述した金電極と直交するように、真空蒸着法で金の薄膜を50nmの厚さで成膜した。そして、下部の金電極と、上部の金電極の電気的接続を確認したところ、導通を確認できた。
以上より、導電性凸部により絶縁層が貫かれ、開孔しており、導電性凸部がヴィアポストとして機能することが確認された。
基材として、ガラス(Corning社製のEagle XG、大きさ:40mm×40mm、厚み:0.7mm)を準備した。上記基材の表面にスピンコート法により、導体組成物インク(銀ナノコロイド(平均粒子径:40nm)と2,3,5,6−テトラフルオロ−4−(トリフルオロメチル)ベンゼンチオールと溶媒(水とエチレングリコールと1,3-プロパンジオールとグリセリンの混合溶媒)を、質量比39.4:1.5:59.1の割合で混ぜたもの)を成膜し、180℃30分間焼成し固化膜を形成した。その固化膜の表面エネルギーを測定したところ、43.8mN/mとなった。
基材として、ガラス(Corning社製のEagle XG、大きさ:40mm×40mm、厚み:0.7mm)を準備した。上記基材の表面に真空蒸着法で50nmの金の薄膜を成膜した。上述の金電極上に、実施例3で用いた導体組成物インクを、インクジェット印刷法により繰り返し吐出し、180℃で30分間焼成することにより、撥液性を有する導電性凸部を形成した。この導電性凸部は、直径26μmの径で、高さ5μmであった。
フッ素系樹脂組成物として、サイトップ(CTL−809M、旭硝子社製)を用いた。サイトップの表面張力を高精度表面張力計で測定すると25℃において19mN/mであった。また、上記フッ素系樹脂組成物の粘度をデジタル粘度計(東機産業株式会社 TV−35)で測定した結果、25℃において311mPa・sであった。なお、サイトップは、フッ素系溶媒にて適宜希釈を行ってもよい。
導電性凸部を形成した上記基材の表面に上述のフッ素系樹脂組成物をスピンコーター(MS−A15 ミカサ株式会社)を用いて500rpmで5秒回転させ、続けて4000rpmで30秒回転させ塗布した後、180℃のホットプレート上で30分乾燥させ、サイトップによるフッ素系絶縁層を形成した。フッ素系絶縁層表面を顕微鏡で観察すると、上述の導電性凸部を中心にフッ素系絶縁層は直径12.5μmの開孔を示しており、導電性凸部の表面は露出していた。フッ素系絶縁層の膜厚を段差計で測定した結果400nmであった。また導電性凸部を含む領域を同じく段差計で測定すると、導電性凸部の表面はフッ素系絶縁層の表面から4.6μm上方に位置しており、双方の高さに応じた段差が形成されていた。
また、上述した金電極と直交するように、真空蒸着法で金の薄膜を50nmの厚さで成膜した。そして、下部の金電極と、上部の金電極の電気的接続を確認したところ、導通を確認できた。
以上より、導電性凸部によりフッ素系絶縁層が貫かれ、開孔しており、導電性凸部がヴィアポストとして機能することが確認された。
基材として、ガラス(Corning社製のEagle XG、大きさ:40mm×40mm、厚み:0.7mm)を準備した。上記基材の表面にスピンコート法により、市販の銀ナノインク(シグマアルドリッチ736465−100G)を成膜し、180℃30分間焼成し固化膜を形成した。その固化膜の表面エネルギーを測定したところ、90.9mN/mとなった。
基材として、ガラス(Corning社製のEagle XG、大きさ:40mm×40mm、厚み:0.7mm)を準備した。上記基材の表面に真空蒸着法で金の薄膜を成膜した。金の薄膜の厚みを段差計で測定した結果50nmであった。上述の金電極上に、インクジェット印刷法により、市販の銀ナノインク(シグマアルドリッチ736465−100G)を印刷し、180℃で30分間焼成することにより、導電性凸部を形成した。この導電性凸部は、直径50μmの径で、高さ520nmであった。
上記基材の表面に実施例1と同様にしてサイトップによるフッ素系絶縁層を形成した。顕微鏡観察と段差測定による評価を行ったが導電性凸部の表面はフッ素系絶縁層で被覆されており開孔は確認されなかった。
以下の手順でトップゲートボトムコンタクト型の有機薄膜トランジスタを作製した。
基材として、実施例1のガラスを準備した。上記基材の表面にソース電極およびドレイン電極のパターンで開孔を持つメタルマスクを固定し、真空蒸着法で金の薄膜を成膜した。金の薄膜の厚みを実施例1と同じく測定すると100nmであった。このソース電極およびドレイン電極上にインクジェット印刷法によりRegioregular poly(3−hexylthiophene−2,5−diyl)(P3HT、シグマアルドリッチ698989)をDecahydronaphthalene(和光純薬工業)に1wt%で溶解させた有機半導体インクを塗布し、150℃のホットプレート上で10分間乾燥させた。
上述のソース電極およびドレイン電極においてトランジスタの動作には関わらない箇所に実施例4と同様にして撥液性を有する導電性凸部を形成した。次いで実施例4と同様にしてサイトップを塗布、乾燥することで厚み0.4μmのゲート絶縁層を形成した。ゲート絶縁層の表面には撥液性を有する導電性凸部の効果によってヴィアポストが形成されていることを顕微鏡観察から確認した。ソース電極およびドレイン電極それぞれに形成されたヴィアポストに重なる引き出し線のパターンの開孔を持つメタルマスクを基材に固定し、真空蒸着法で金を100nm蒸着し、ゲート絶縁層の下方にあるソース電極およびドレイン電極からの引き出し線を基材上に形成した。
上述の基材の表面にゲート電極パターンの開孔を持つメタルマスクを固定し、真空蒸着法でアルミニウムを200nm蒸着し、トップゲートボトムコンタクト型の有機薄膜トランジスタを作製した。
ヴィアポストを経由してソース電極およびドレイン電極に接続させた引き出し線に、それぞれ測定用のプローブを接触させ、半導体パラメーターアナライザー(アジレント社B1500A)を用いてトランジスタ特性を測定した。作製したトランジスタはソース電極およびドレイン電極間の電位差に応じて電流値が増大し、ゲート電圧がそれを制御可能な正常の動作を示した。
以上より、導電性凸部によりフッ素系絶縁層が貫かれ、開孔しており、層間導通が図れることが確認された。つまり、フッ素系絶縁層のヴィアポストを簡単な方法で形成することが可能であることが確認された。
2…配線部材
21…基材
22…第1電極
3,3a,3b…導電性凸部
4…絶縁層
4A…樹脂組成物の塗膜
6…第2電極
30…半導体素子
31…基材
32…ゲート電極
33…ゲート絶縁層
34…ソース電極
35,35a…ドレイン電極
35b…中間電極
36…半導体層
37…パッシベーション層
38…外部入出力電極
Claims (21)
- 基材および前記基材上に形成された第1電極を有する配線部材と、
導電性材料および撥液剤を含み、前記第1電極上に形成され、前記第1電極と導通し、ヴィアポストとして機能する、前記導電性材料が金属粒子であり、前記撥液剤が自己組織化単分子膜を形成するフッ素含有化合物であり、表面エネルギーが30mN/mより大きく80mN/m以下である導電体からなる導電性凸部と、
樹脂組成物からなり、前記導電性凸部を有する絶縁層と、
前記導電性凸部と導通し、前記絶縁層上に形成された第2電極と、を備え、
前記導電性凸部の高さが前記絶縁層の厚みよりも大きく、前記絶縁層から突出した前記導電性凸部の少なくとも一部が前記第2電極と導通している
ことを特徴とする積層配線部材。 - 請求項1に記載の積層配線部材において、
前記フッ素含有化合物が、フッ素含有チオール化合物である
ことを特徴とする積層配線部材。 - 請求項1または請求項2に記載の積層配線部材において、
前記導電体の表面に導電性材料および撥液剤が露出した
ことを特徴とする積層配線部材。 - 請求項1から請求項3までのいずれか1項に記載の積層配線部材において、
前記導電性凸部が、複数形成されている
ことを特徴とする積層配線部材。 - 請求項1から請求項4までのいずれか1項に記載の積層配線部材において、
前記導電性凸部の縦断面形状が、半円形状、半楕円形状、四角形状、中央に平坦部もしくは窪みを有している半円形状、中央に平坦部もしくは窪みを有している半楕円形状、および、中央に平坦部もしくは窪みを有している四角形状からなる群から選択される少なくとも1種である
ことを特徴とする積層配線部材。 - 請求項1から請求項5までのいずれか1項に記載の積層配線部材において、
前記樹脂組成物がフッ素系樹脂組成物である
ことを特徴とする積層配線部材。 - 請求項1から請求項6までのいずれか1項に記載の積層配線部材において、
前記導電性凸部の高さが、前記第1電極上における前記絶縁層の厚みに対して1倍を超え10倍以下である
ことを特徴とする積層配線部材。 - 請求項1から請求項7までのいずれか1項に記載の積層配線部材において、
前記導電性凸部の大きさが、10μm以上100μm以下である
ことを特徴とする積層配線部材。 - 請求項1から請求項8までのいずれか1項に記載の積層配線部材において、
前記導電性凸部のアスペクト比(高さ/大きさ)が、0.01以上0.5以下である
ことを特徴とする積層配線部材。 - 基材および前記基材上に形成された第1電極を有する配線部材を準備し、導電性材料、撥液剤および溶媒を含む導体組成物インクを前記第1電極上に塗布して焼成することにより、前記第1電極と導通し、撥液性を有し、かつヴィアポストとして機能する、前記導電性材料が金属粒子であり、前記撥液剤が自己組織化単分子膜を形成するフッ素含有化合物であり、表面エネルギーが30mN/mより大きく80mN/m以下である導電体からなる導電性凸部を形成する第1工程と、
前記導電性凸部が形成された前記配線部材上に樹脂組成物の塗膜を形成して硬化させることにより、前記導電性凸部を有する絶縁層を、前記導電性凸部の高さが前記絶縁層の厚みよりも大きくなるように、形成する第2工程と、
前記絶縁層から突出した前記導電性凸部の少なくとも一部と導通するように、前記絶縁層上に第2電極を形成する第3工程と、を備える
ことを特徴とする積層配線部材の製造方法。 - 請求項10に記載の積層配線部材の製造方法において、
前記フッ素含有化合物が、フッ素含有チオール化合物である
ことを特徴とする積層配線部材の製造方法。 - 請求項10または請求項11に記載の積層配線部材の製造方法において、
前記第1工程における前記導体組成物インクの焼成温度は、120℃以上200℃以下である
ことを特徴とする積層配線部材の製造方法。 - 請求項10から請求項12までのいずれか1項に記載の積層配線部材の製造方法において、
前記樹脂組成物がフッ素系樹脂組成物である
ことを特徴とする積層配線部材の製造方法。 - 請求項10から請求項13までのいずれか1項に記載の積層配線部材の製造方法において、
前記第2工程では、前記導電性凸部の高さが、前記第1電極上における前記絶縁層の厚みに対して1倍を超え10倍以下となるように、前記絶縁層を形成する
ことを特徴とする積層配線部材の製造方法。 - 請求項10から請求項14までのいずれか1項に記載の積層配線部材の製造方法において、
前記第1工程では、前記導電性凸部の大きさが、10μm以上100μm以下となるように、前記導電性凸部を形成する
ことを特徴とする積層配線部材の製造方法。 - 請求項10から請求項15までのいずれか1項に記載の積層配線部材の製造方法において、
前記第1工程では、前記導電性凸部のアスペクト比(高さ/大きさ)が、0.01以上0.5以下となるように、前記導電性凸部を形成する
ことを特徴とする積層配線部材の製造方法。 - 請求項10から請求項16までのいずれか1項に記載の積層配線部材の製造方法において、前記樹脂組成物の粘度が、25℃において、20mPa・s以上500mPa・s以下であることを特徴とする積層配線部材の製造方法。
- 請求項10から請求項17までのいずれか1項に記載の積層配線部材の製造方法において、前記樹脂組成物の表面張力が、20mN/m以上50mN/m以下である
ことを特徴とする積層配線部材の製造方法。 - 請求項10から請求項18までのいずれか1項に記載の積層配線部材の製造方法に用いる導体組成物インクであって、
導電性材料、撥液剤および溶媒を含み、前記導電性材料が金属粒子であり、前記撥液剤が自己組織化単分子膜を形成するフッ素含有チオール化合物であり、180℃で30分間加熱して得られる固化膜の表面エネルギーが30mN/mより大きく80mN/m以下である
ことを特徴とする導体組成物インク。 - 請求項1から請求項9までのいずれか1項に記載の積層配線部材を備える半導体素子であって、
前記第1電極がソース電極、ドレイン電極または中間電極であり、前記第2電極がゲート電極、中間電極または外部入出力電極であることを特徴とする半導体素子。 - 請求項1から請求項9までのいずれか1項に記載の積層配線部材を備えることを特徴とする電子機器。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023140115A1 (ja) * | 2022-01-24 | 2023-07-27 | 東京応化工業株式会社 | 導電体表面用撥水剤、導電体表面の撥水化方法、導電体表面を有する領域を選択的に撥水化する方法、表面処理方法、及び基板表面の領域選択的製膜方法 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10717889B2 (en) * | 2014-06-24 | 2020-07-21 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Conductor composition ink, conductor, laminate, laminated wiring board and electronic equipment |
CN106708319B (zh) * | 2016-12-23 | 2019-12-20 | 上海天马微电子有限公司 | 一种触摸传感器及其制作方法、触摸显示面板 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06216258A (ja) * | 1993-01-15 | 1994-08-05 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2002164635A (ja) * | 2000-06-30 | 2002-06-07 | Seiko Epson Corp | 導電膜パターンの形成方法および電気光学装置、電子機器 |
JP2005101552A (ja) * | 2003-08-15 | 2005-04-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 配線の作製方法及び半導体装置の作製方法 |
WO2010010609A1 (ja) * | 2008-07-22 | 2010-01-28 | パイオニア株式会社 | コンタクトホールの形成方法、及び回路基板 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7202155B2 (en) | 2003-08-15 | 2007-04-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing wiring and method for manufacturing semiconductor device |
JP2006245238A (ja) | 2005-03-02 | 2006-09-14 | Canon Inc | スルーホールの形成方法および電子回路の製造方法 |
JP5073194B2 (ja) | 2005-03-14 | 2012-11-14 | 株式会社リコー | フラットパネルディスプレイおよびその作製方法 |
JP5145687B2 (ja) | 2006-10-25 | 2013-02-20 | ソニー株式会社 | デバイスの製造方法 |
JP2009010276A (ja) | 2007-06-29 | 2009-01-15 | C Uyemura & Co Ltd | 配線基板の製造方法 |
KR100887391B1 (ko) | 2007-08-31 | 2009-03-06 | 삼성전기주식회사 | 인쇄회로기판의 제조방법 |
GB0810039D0 (en) * | 2008-06-03 | 2008-07-09 | Univ Belfast | Shape-formed product with tailored wettability |
JP5330814B2 (ja) * | 2008-11-26 | 2013-10-30 | 花王株式会社 | インクジェット記録用水系インク |
JP2011134879A (ja) | 2009-12-24 | 2011-07-07 | Seiko Epson Corp | ビルドアップ基板の製造方法 |
KR20110098476A (ko) | 2010-02-26 | 2011-09-01 | 삼성에스디아이 주식회사 | 소액체성막 형성제, 소액체성막 형성방법, 이를 이용한 미세배선 형성방법 및 이를 포함하는 인쇄회로기판 |
KR20110111174A (ko) * | 2010-04-02 | 2011-10-10 | 주식회사 오이티 | 콜로이드 입자층의 전사 방법 |
JP2012186455A (ja) | 2011-02-16 | 2012-09-27 | Ricoh Co Ltd | ホール形成方法、並びに該方法を用いてビアホールを形成した多層配線、半導体装置、表示素子、画像表示装置、及びシステム |
JP2013120624A (ja) | 2011-12-06 | 2013-06-17 | Ricoh Co Ltd | 導電性ペーストおよび導電性薄膜 |
JP2014106368A (ja) * | 2012-11-27 | 2014-06-09 | Fujifilm Corp | エレクトロウェッティング表示用染料組成物及びエレクトロウェッティング表示装置 |
US10717889B2 (en) * | 2014-06-24 | 2020-07-21 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Conductor composition ink, conductor, laminate, laminated wiring board and electronic equipment |
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06216258A (ja) * | 1993-01-15 | 1994-08-05 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2002164635A (ja) * | 2000-06-30 | 2002-06-07 | Seiko Epson Corp | 導電膜パターンの形成方法および電気光学装置、電子機器 |
JP2005101552A (ja) * | 2003-08-15 | 2005-04-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 配線の作製方法及び半導体装置の作製方法 |
WO2010010609A1 (ja) * | 2008-07-22 | 2010-01-28 | パイオニア株式会社 | コンタクトホールの形成方法、及び回路基板 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023140115A1 (ja) * | 2022-01-24 | 2023-07-27 | 東京応化工業株式会社 | 導電体表面用撥水剤、導電体表面の撥水化方法、導電体表面を有する領域を選択的に撥水化する方法、表面処理方法、及び基板表面の領域選択的製膜方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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