JP2001111189A - 配線回路基板とその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 製造過程で曲がり、折れ、寸法の狂いが生じ
ないようにし、製造過程における寸法の安定性を高める
ことにより上下導体回路間の接続の確実性を高め、上下
導体回路間接続手段のコスト低減を図る。 【解決手段】突起形成用銅層２１上に別の金属から成る
エッチングバリア層２２を介して導体回路形成用銅箔２
３を形成したものを用意し、突起形成用銅層２１を、エ
ッチングバリア層２２を侵さないエッチング液により選
択的にエッチングすることにより突起２５を形成し、エ
ッチングバリア層２２を突起２５をマスクとして導体回
路を成す銅箔２３を侵さないエッチング液で除去し、銅
箔２３の突起形成側の面に層間絶縁膜２７を形成して突
起２５を導体回路に接続された層間接続手段とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えばＩＣ、ＬＳ
Ｉ等の電子デバイス接続用の配線回路基板、特に高密度
実装を実現できる配線回路基板と、その製造方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】図９（Ａ）〜（Ｆ）及び図１０（Ｇ）〜
（Ｉ）は高密度実装用配線回路基板に関する一つの従来
例を説明するためのもので、配線回路基板の製造方法を
工程順（Ａ）〜（Ｉ）に示す断面図である。

【０００３】（Ａ）先ず、５０〜１００μｍ程度の厚さ
の絶縁シートからなる絶縁ベース１を用意し、図９
（Ａ）に示すように、該絶縁シート１に層間接続用の孔
２をドリルにより或いはレーザー加工により形成する。 （Ｂ）次に、図９（Ｂ）に示すように、上記孔２を導電
性ペースト（例えば銀或いは銅等を主材料とする。）３
により例えば印刷法で充填する。これにより、絶縁ベー
ス１は孔２、２、・・・が導電性ペースト３により充填
された半硬化状態のシートＡになる。

【０００４】（Ｃ）、（Ｄ）次に、図９（Ｃ）に示すよ
うに、上記シートＡの両面に例えば銅からなる金属箔
４、４を臨ませ、図９（Ｄ）に示すようにその金属箔
４、４を加圧プレスで積層する。これにより両面に金属
箔４、４が形成され、その間に絶縁シート１が存在し、
孔２、２、・・・にて導電性ペースト３、３、・・・に
より上記両面の金属箔４・４間が電気的に接続された積
層体が構成される。 （Ｅ）次に、上記金属箔４、４上に形成すべき導体回路
と同じパターンを有するレジスト膜５、５を形成する。
図９（Ｅ）はレジスト膜５、５形成後の状態を示す。

【０００５】（Ｆ）次に、上記レジスト膜５、５をマス
クとして上記金属箔４、４をエッチングすることにより
図９（Ｆ）に示すように導体回路６、６を形成する。こ
れにより両面に絶縁シート１により層間分離され、孔２
内の導電性ペースト３により層間接続された導体回路
６、６が形成された積層体Ｂが構成される。 （Ｇ）次に、図１０（Ｇ）に示すように、上記積層体Ｂ
の両面に、孔２、２、・・・を有し、その孔２、２、・
・・が導電性ペースト３、３、・・・で充填された絶縁
シート１ａ、１ａと金属箔４ａ、４ａを重ね、その後、
加圧プレスでこれらを積層する。この積層により形成さ
れた積層体をＣとする。

【０００６】（Ｈ）次に、図１０（Ｈ）に示すように、
積層体Ｃの両面の金属箔４ａ、４ａ上にレジスト膜５、
５を選択的に形成する。 （Ｉ）次に、上記レジスト膜５、５をマスクとして金属
箔４ａ、４ａを選択的にエッチングすることによりパタ
ーニングして、図１０（Ｉ）に示すように配線膜６ａ、
６ａを形成する。これにより、４層の導体回路６、６、
６ａ、６ａを有する配線回路基板７が形成される。

【０００７】図１１（Ａ）〜（Ｇ）は高密度実装用配線
回路基板に関する別の従来例を説明するためのもので、
配線回路基板の製造方法を工程順（Ａ）〜（Ｇ）に示す
断面図である。 （Ａ）例えば銅からなる金属箔（厚さ例えば１８μｍ）
１０を用意し、図１１（Ａ）に示すように、該金属箔１
０上に導電性の突起１１、１１、・・・を銅或いは銀等
の導電性ペーストのスクリーン印刷により形成する。突
起１１、１１、・・・の厚さは例えば５０〜１００μｍ
程度である。

【０００８】（Ｂ）次に、図１１（Ｂ）に示すように、
上記金属箔１０の突起１１、１１、・・・が形成された
面上に絶縁性の接着シート１２を接着する。この接着シ
ート１２として記突起１１、１１、・・・の厚さよりも
適宜薄いものを用いることより、上記突起１１、１１、
・・・の頂部が接着シート１２の表面から突出するよう
にする。この金属箔１０に突起１１、１１、・・・を形
成し、接着シート１２をそれから突起１１、１１、・・
・の頂部が突出するように接着した積層体Ａが出来上が
る。

【０００９】（Ｃ）、（Ｄ）次に、図１１（Ｃ）に示す
ように、上記金属箔１０と同様の金属箔１３を上記接着
シート１０の接着シート１２表面上方に臨ませ、熱加圧
プレス法により、図１０（Ｄ）に示すように、金属箔１
３を接着シート１２及び突起１１、１１、・・・上に積
層する。Ｂはそれによりできた積層体である。 （Ｅ）次に、上記積層体Ｂの両面の金属箔１０、１３上
にパターニングした例えばレジスト膜を形成し、該レジ
スト膜をマスクとして上記金属箔１０、１３をエッチン
グすることにより導体回路１４、１５を形成する。図１
１（Ｅ）は導体回路形成後マスクとして用いたレジスト
膜を除去した状態を示す。

【００１０】（Ｆ）次に、上記図１１（Ｂ）に示す積層
体Ａと同じ方法でつくられた積層体ａを二つ用意し、そ
の二つの積層体ａ、ａを、図１１（Ｆ）に示すように、
上記積層体Ｂの両面に臨ませる。 （Ｇ）次に、上記積層体Ｂをその両面側から積層体ａ、
ａでサンドイッチ状に挟んで上述した熱加圧プレス法に
より加圧して積層し、図１１（Ｇ）に示すような配線回
路基板１６が出来上がる。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】ところで、図９、図１
０に示した従来例には、第１に、絶縁シート１の孔２を
銀等の高価な金属を主材料とする導電性ペースト３で埋
めて層間接続に用いるので、コストアップに繋がるとい
う問題があった。特に、高密度化に伴い、孔２の配設密
度が増えるので、無視できないコストアップが生じる。
第２に、孔２を導電性ペースト３で埋める際に、孔２以
外の部分にも導電性材料が微量ながら付着し、絶縁抵抗
が低下するという問題があった。

【００１２】第３に、絶縁シート１に孔２、２、・・・
を形成した後加圧積層するときに、加わる圧力によりシ
ート１が横方向に伸延され、孔２、２、・・・の位置ず
れが生じ、補正するための孔明けをしても補正しきれな
い場合が生じるという問題があった。斯かる孔２の位置
ずれは層間接続不良の原因になり看過できない重大な問
題となり、特に高密度実装の配線回路基板の場合には致
命的となる。第４に、銅等からなる金属箔４、４と導電
性ペースト３との接合の信頼性が不充分であるという問
題があった。即ち、孔２を埋めた導電性ペースト３は半
硬化状になるように溶剤分を除去するが、半硬化後の導
電ペーストは溶剤分の除去等により収縮し、体積が小さ
くなり、導電ペースト３の上下両面が凹状になることが
多い。その結果、金属箔４、４との間に接合不良が生じ
やすく、歩留まり、信頼性が低くなると言う問題がった
のである。

【００１３】次に、図１１に示す従来例にも問題があっ
た。第１に、突起１１は高価な材料である導電性ペース
トで形成するので、コストアップになるという問題があ
った。第２に、突起１１の導電性ペーストによる形成に
は、スクリーン印刷法を用いる結果、導電性ペーストを
厚くすることに限界があり、その結果、突起１１の形成
にスクリーン印刷を複数回繰り返すことが必要になる場
合が多い。そして、そのように印刷回数が多くなると、
位置ずれによる突起１１の形状の変形が生じ易くなり、
延いては後における金属箔４との接続の信頼度が低くな
ると言う問題があるし、スクリーン印刷するときの位置
合わせ作業が非常に難しく、面倒で、熟練を要すると
か、位置合わせ時間が長くなるという問題が生じる。こ
のような傾向は、突起１１の径が小さくなる程顕著であ
る。因みに、直径が０．３ｍｍの突起の場合、２回印刷
が必要であり、直径０．２ｍｍの突起の場合、４回印刷
する必要がある。これはかなり面倒であり、高密度配線
回路基板への対応に課題を残している。

【００１４】第３に、突起１１、１１、・・・の高さに
ばらつきが生じやすいと言う問題があった。即ち、スク
リーン印刷には、形成される膜の厚さを均一にすること
が難しいので、当然にスクリーン印刷により形成した突
起１１、１１、・・・の高さにはばらつきが生じやす
く、その結果、その厚さのばらつきにより、金属箔１３
と突起１１、１１、・・・との接続が不良になるおそれ
が生じ、歩留まり、信頼性が低くなるという問題があっ
たのである。第４に、製造過程において配線回路基板の
ベースとなる金属箔１０が例えば１８μｍと薄く、上記
スクリーン印刷の際に、金属箔１３側にしわ、変形、折
れ曲がり等が生じないように充分な注意が必要であり、
僅かなミスによる歩留まり低下を起こす可能性を有す
る。これは当然のことながら、コストアップの原因とな
り、看過できない問題となる。かといって、その金属箔
１０を厚くしてベースの剛性を強くしようとすると、導
体回路のファインパターン化を妨げることになるという
問題に直面する。

【００１５】本発明はこのような問題点を解決すべく為
されたものであり、製造過程において曲がり、折れ、変
形等が生じないようにし、製造過程における寸法の安定
性を高めることにより上下導体回路間の接続の確実性を
高め、上下導体回路間接続手段のコスト低減を図ること
を目的とする。

【００１６】

【課題を解決するための手段】請求項１の配線回路基板
は、導体回路となる導体回路形成用金属層上に、該金属
層とは別の金属から成るエッチングバリア層を介して金
属から成る突起が、選択的に形成され、上記導体回路の
上記突起が形成された側の面に層間絶縁層が形成され、
上記突起が上記絶縁層を貫通して上記導体回路となる金
属層と他との層間接続手段を成していることを特徴とす
る。

【００１７】請求項２の配線回路基板は、請求項１記載
の配線回路基板において、上記突起の表面に表面処理剤
として導電性ペースト材料がコーティングされたことを
特徴とする。

【００１８】請求項３の配線回路基板の製造方法は、突
起形成用の金属層上にそれとは別の金属から成るエッチ
ングバリア層を形成し、該エッチングバリア層上に導体
回路となる金属層を形成したものを用意する工程と、上
記突起形成用の金属層を、上記エッチングバリア層を侵
さないエッチング液により選択的にエッチングすること
により突起を形成する工程と、上記エッチングバリア層
のみを上記突起をマスクとして上記導体回路を成す金属
層を侵さないエッチング液で除去する工程と、上記導体
回路を成す金属層の上記突起形成側の面に層間絶縁用の
絶縁層を形成して該突起を上記導体回路に接続された層
間接続手段とする工程と、を有することを特徴とする。

【００１９】請求項４の配線回路基板の製造方法は、突
起形成用の金属層上にそれとは別の金属から成るエッチ
ングバリア層を形成し、該エッチングバリア層上に導体
回路となる金属層を形成したものを用意し、上記突起形
成用の金属層を、上記エッチングバリア層を侵さないエ
ッチング液により選択的にエッチングすることにより突
起を形成し、上記導体回路を成す金属層の上記突起形成
側の面に層間絶縁用の絶縁層を形成して該突起を上記導
体回路に接続された層間接続手段とし、そして、上記導
体回路となる上記エッチングバリア層上の金属層を該エ
ッチングバリア層と共にエッチングマスク層をマスクと
する選択エッチングにより除去することによって導体回
路を形成することを特徴とする。

【００２０】請求項５の配線回路基板の製造方法は、請
求項３又は４記載の配線回路基板の製造方法において、
上記ベースメタルからなる層を選択的にエッチングして
上記突起を形成する際に、エッチングマスクとして例え
ば半田メッキ、銀メッキ、金メッキ或いはパラジウムメ
ッキ等により形成した金属層を用い、上記突起の形成後
においても上記エッチングマスクとして用いた金属層を
残存させてその金属層で突起表面を全面的に覆う状態に
することを特徴とする。

【００２１】請求項６の配線回路基板の製造方法は、請
求項１の配線回路基板の上記突起及び上記層間絶縁膜が
形成された側の面に、上記導体回路とは別の導体回路形
成用の金属箔を積層して加圧することにより一体化し、
その後、導体回路形成用の金属層及び金属箔を選択的に
エッチングすることにより両面に導体回路を形成するこ
とを特徴とする。

【００２２】請求項７の配線回路基板の製造方法は、請
求項６の配線回路基板の製造方法により製造された配線
回路基板の両面に、請求項１の配線回路基板を、この配
線回路基板の突起及び層間絶縁膜の形成された側が内側
を向くようにサンドイッチ状に重ねて積層して加圧する
ことにより一体化し、その一体化をされたものの両面に
位置する２個の金属層を選択的にエッチングすることに
より両面に導体回路を形成することを特徴とする。

【００２３】請求項８の配線回路基板、請求項９の配線
回路基板の製造方法は、一層又は多層の導体回路の一方
の主面に開口を有した絶縁層を介してベースメタルから
なり、上記開口を通じて上記導体回路と電気的に接続さ
れた突起を有し、上記絶縁層の該突起が形成された側に
層間絶縁膜を形成した２個の配線回路基板を、突起及び
層間絶縁膜が形成された側が内側を向くように直接に又
は配線回路基板を介して積層して加圧することにより一
体化してなる、或いは一体化する。

【００２４】請求項１０の配線回路基板は、請求項７の
配線回路基板の両面にＬＳＩチップ若しくはパッケージ
を搭載してなることを特徴とする。

【００２５】

【発明の実施の形態】以下、本発明を図示実施形態に従
って詳細に説明する。図１（Ａ）〜（Ｇ）及び図２
（Ｈ）〜（Ｋ）は本発明配線回路基板の製造方法の第１
の実施の形態を工程順に示す断面図である。 （Ａ）図１（Ａ）に示すように、ベース材２０を用意す
る。該ベース材２０は厚さ例えば１００μｍの突起形成
用の銅層（突起形成用金属層）２１の一方の主面に例え
ばニッケルからなるエッチングバリア層（厚さ例えば２
μｍ）２２を例えばメッキにより形成し、該エッチング
バリア層２２の表面に導体回路形成用銅箔（導体回路形
成用金属箔、厚さ例えば１８μｍ）２３を形成してな
る。

【００２６】（Ｂ）次に、図１（Ｂ）に示すように、上
記突起形成用の銅層２１の表面にレジスト膜２４を選択
的に形成する。このレジスト膜２４は突起を形成すべき
部分を覆うように形成する。 （Ｃ）次に、上記レジスト膜２４をマスクとして上記銅
層２１をエッチングすることにより、突起２５、２５、
・・・を形成する。このエッチングはウェットエッチン
グにより行うこととし、使用するエッチング液はニッケ
ルからなるところの上記エッチングバリア層２２を侵し
得ないが、銅層２１を侵食できるエッチング液を用い
る。

【００２７】（Ｄ）次に、上記エッチングにおけるエッ
チングマスクとして用いたレジスト膜２４を除去する。
図１（Ｄ）はエッチングマスク除去後の状態を示す。 （Ｅ）次に、図１（Ｅ）に示すように、上記エッチング
バリア層２２を、上記突起２５、２５、・・・をマスク
としてエッチングする。このエッチングには、突起２
５、２５、・・・を成す金属（本実施の形態では銅）を
侵さないが、エッチングバリア層２２を成す金属（本実
施の形態ではニッケル）を侵すエッチング液（ニッケル
剥離液）を使用する。

【００２８】（Ｆ）次に、図１（Ｅ）に示すように、必
要に応じ上記各突起２５、２５、・・・の頂部（上部）
に薄く導電性ペースト２６を塗布し、硬化させる。この
工程は不可欠ではない。但し、この工程により、突起２
５、２５、・・・と後で形成される銅箔との接続の信頼
度を非常に高めることができる。

【００２９】（Ｇ）次に、接着剤シートを、上記銅層２
１の上記突起２５、２５、・・・が形成された側の面に
熱ローラで圧着することにより、図１（Ｇ）に示すよう
に、該接着剤シートからなる層間絶縁層２７を形成す
る。この場合、突起２５、２５、・・・の上部が突出す
るように接着剤シートとしてその突起２５、２５、・・
・の高さ（導電性ペースト２６を塗布した場合はそのペ
ースト２６をも含めた高さ）よりも適宜薄いものを用い
る。さもないと、突起２５、２５、・・・による層間接
続を確実に行うことができないからである。この工程に
より、銅箔２３上に層間絶縁層２７が形成され、更に、
上記銅箔２３とエッチングバリア層２２、２２、・・・
を介して接続された突起２５、２５、・・・が上記層間
絶縁層２７を貫通してその表面から突出した積層体２８
が構成される。

【００３０】（Ｈ）、（Ｉ）次に、図２（Ｈ）に示すよ
うに、上記積層体２８の、層間絶縁層２７が形成され、
突起２５、２５、・・・の頂部が突出する側に、例えば
厚さ１８μｍ程度の銅箔（導体形成用の金属層）２９を
臨ませ、図２（Ｉ）に示すように、積層プレスにて熱圧
着することにより積層する。この工程により、層間絶縁
層２７の両主面に形成された金属層２３、２９を上記突
起２５、２５・・・により層間接続した積層体３０が構
成される。

【００３１】（Ｊ）、（Ｋ）次に、図２（Ｊ）に示すよ
うに、上記金属層２３、２９の表面にエッチングマスク
となるレジスト膜２４、２４を形成し、その後、該レジ
スト膜２４、２４をマスクとして上記金属層２３、２９
をエッチングすることにより導体回路３１、３２を形成
する。これにより、両面の導体回路３１、３２が突起２
５、２５、・・・により層間接続された、図１（Ｋ）に
示すような配線回路基板３３が出来上がる。この配線回
路基板３３が本発明配線回路基板の第１の実施の形態で
ある。

【００３２】このような第１の実施の形態によれば、突
起２５を構成し得る厚い（例えば５０〜２００μｍ）突
起形成用金属層である銅層２１を少なくとも含むベース
材２０をベースとして加工を始めるので、変形等の不具
合が生じにくく、且つ、寸法の安定性が高いという利点
がある。そして、寸法の安定性があるが故に、突起形成
後における突起の位置ずれが生じないため、例えば図
９、図１０に示す従来例における孔２内の導電性ペース
ト３（謂わばスルーホール）が位置ずれして上下導体回
路５・５間のとるべき接続がとれないという類の問題は
生じない。従って、微小径の突起２５を高密度に配設
し、且つ導体回路間の層間接続を確実にとる超高密度配
線回路基板３３を得ることができる。

【００３３】また、突起２５は例えば銅等からなる銅層
２１により形成するので、その形成に要する材料費は安
くて済み、従って、突起２５の配設密度を高め、配設数
を増やしても、従来におけるように銀等貴金属を主材料
とする高価な導電性ペーストを使用するため配線回路基
板が高価になることはなく、配線回路基板の低価格化に
大きく寄与する。

【００３４】また、突起２５は銅層２１の選択的にエッ
チングにより形成するので、突起２５の高さは銅層２１
の厚さにより決まり、この銅層２１の厚さは極めて均一
性が高いので、突起２５の高さを均一にできる。従っ
て、図１１に示す従来例におけるような、導電性ペース
トにより印刷により突起１１を形成するために突起１１
の高さが不均一になって上下導体回路間の接続が不完全
になる虞があるとか、図９、図１０に示す従来例におけ
るような導電性ペースト３の硬化過程での溶剤成分の揮
散により上部が凹部になり、上下導体回路間の接続が不
完全になる虞があると言う問題は生じない。従って、突
起２５の微細化、高密度化が進んでも上下導体回路間の
確実な接続が期待でき、歩留まり、信頼性の向上を図る
ことができる。

【００３５】図３（Ａ）〜（Ｆ）は本発明配線回路基板
の製造方法の第２の実施の形態を工程順に示すものであ
る。 （Ａ）図１（Ａ）〜（Ｄ）に示すと同じ方法で、突起２
５を形成した状態にする。図３（Ａ）はその突起２５が
形成された状態を示す。

【００３６】（Ｂ）次に、図３（Ｂ）に示すように、必
要に応じ上記各突起２５、２５、・・・の頂部（上部）
に薄く導電性ペースト２６を塗布し、硬化させる。この
工程は不可欠ではない。但し、この工程により、突起２
５、２５、・・・と後で形成される銅箔との接続の信頼
度を非常に高めることができる。尚、本実施の形態にお
いては、突起２５、２５、・・・をマスクとしてエッチ
ングバリア層２２を除去することはしない。このエッチ
ングバリア層２２は、後の説明で明らかになるが、金属
層２３を選択的にエッチングすることによりパターニン
グして導体回路を形成するときに金属層２３と共に同時
にエッチングすることにより不要部分の除去が為され
る。これが図１、図２に示す第１の実施の形態との大き
な相違である。。

【００３７】（Ｃ）次に、図３（Ｃ）に示すように、層
間絶縁膜２７を形成する。２８はこの形成工程終了後に
おける積層体である。 （Ｄ）次に、図３（Ｄ）に示すように、その積層体２８
に銅箔（導体形成用の金属層）２９を積層プレスにて熱
圧着で積層することにより、層間絶縁層２７の両主面に
形成された金属層２３、２９を上記突起２５、２５・・
・により層間接続した積層体３０が構成される。

【００３８】（Ｅ）次に、図３（Ｅ）に示すように、上
記金属層２３、２９の表面にエッチングマスクとなるレ
ジスト膜２４、２４を形成し、その後、該レジスト膜２
４、２４をマスクとして上記金属層２３、２９をエッチ
ングすることにより導体回路３１、３２を形成するが、
更に、そのエッチングにより金属層２３と接するところ
のニッケルからなるエッチングバリア層２２をも同時に
エッチングする。これにより、両面の導体回路３１、３
２が突起２５、２５、・・・により層間接続された配線
回路基板３３が出来上がる。

【００３９】（Ｆ）その後、図３（Ｆ）に示すように、
エッチングマスクとして用いたレジスト膜２４、２４を
除去する。その除去後における配線回路基板３３が本発
明配線回路基板の第２の実施の形態である。尚、この導
体回路３１、３２を形成するところのレジスト膜２４、
２４をマスクとするエッチングは当然のことながら、ニ
ッケル系金属も銅系金属もエッチングできるエッチング
液を使用して行う。すると、ニッケルからなるエッチン
グバリア層２２を金属層２３と共に同じレジスト膜２４
をマスクとする１回の選択的エッチングにより選択的に
除去するので、突起２５形成後これをマスクとしてエッ
チングバリア層２２を選択的に除去する必要がなく、従
って、工程数の低減を図ることができるという利点があ
る。

【００４０】図３に示す第２の実施の形態によれば、図
１、図２に示した第１の実施の形態によると同様の利点
を得ることができるのみならず、エッチングバリア層２
２を金属層２３と共に同じレジスト膜２４をマスクとす
る１回の選択的エッチングにより選択的に除去できるの
で、第１の実施の形態よりも工程数の低減を図ることが
できるという利点もある。

【００４１】図４（Ａ）〜（Ｃ）は本発明配線回路基板
の製造方法の第３の実施の形態を工程順に示すものであ
る。本実施の形態は、第１の実施の形態により製造され
た配線回路基板３３の両面に、第１の実施の形態におけ
る工程（Ａ）から工程（Ｇ）迄の工程でつくられた積層
体２８、２８を積層し、該各積層体２８、２８の金属層
２３、２３を選択的エッチングによりパターニングして
導体回路を形成し、４層の導体回路を得るものである。

【００４２】（Ａ）先ず、図４（Ａ）に示すように上記
配線回路基板３３の両面に上記積層体２８、２８を突起
２５及び層間絶縁層２７が形成された面が配線回路基板
３３側を向くように対向させ位置決めして臨ませる。そ
して、積層プレスにより熱圧着により積層一体化する。 （Ｂ）次に、図４（Ｂ）に示すように、上記積層体２
８、２８の金属層２３、２３上にレジスト膜２４、２４
を選択的に形成する。

【００４３】（Ｃ）上記レジスト膜２４、２４をマスク
として上記金属層２３、２３をエッチングすることによ
り導体回路３５、３５を形成する。これにより配線回路
基板３６が出来上がる。この配線回路基板３６が本発明
配線回路基板の第２の実施の形態である。この実施の形
態によれば、導体回路を４層有する配線回路基板３６を
得ることができ、より一層の高密度化を図ることができ
る。

【００４４】図５（Ａ）〜（Ｇ）及び図６（Ｈ）〜
（Ｉ）は本発明配線回路基板の製造方法の第４の実施の
形態を工程順に示す断面図である。 （Ａ）図１（Ａ）に示すベース材と同じベース材２０を
用意し、その後、後で突起（２５、２５、・・・）とな
る、銅層２１の表面に、レジスト膜２４を塗布し、その
露光、現像により図５（Ａ）に示すようにパターニング
する。具体的には、各突起（２５、２５、・・・）とな
る部分のみが開口し、突起（２５、２５、・・・）を形
成しない部分を覆うようにレジスト膜２４をパターニン
グする。

【００４５】（Ｂ）次に、図５（Ｂ）に示すように、上
記レジスト膜２４をマスクとして電解メッキ法で半田メ
ッキ層（厚さ例えば２０μｍ）３７、３７、・・・を形
成する。半田メッキ層は例えば錫Ｓｎ／鉛Ｐｂ或いは錫
Ｓｎ／銀Ａｇ／銅Ｃｕ等からなる。尚、金Ａｕ或いはパ
ラジウムＰｄのメッキ層を形成する場合もある。 （Ｃ）次に、図５（Ｃ）に示すように、上記レジスト膜
２４を剥離する。

【００４６】（Ｄ）次に、図５（Ｄ）に示すように、上
記半田メッキ層３７、３７、・・・をマスクとして上記
銅からなる金属層２１を選択的にエッチングすることに
より突起２５、２５、・・・を形成する。 （Ｅ）次に、図５（Ｅ）に示すように、ニッケルからな
るエッチングバリア層２２を剥離する。

【００４７】（Ｆ）次に、半田リフロー処理により、図
５（Ｆ）に示すように、上記半田メッキ層３７、３７、
・・・で突起２５、２５、・・・の表面を覆うような状
態にする。 （Ｇ）次に、接着剤シートを、上記突起２５、２５、・
・・が形成された側の面に熱ローラで圧着することによ
り、図５（Ｇ）に示すように、該接着剤シートからなる
層間絶縁層２７を形成する。この場合、突起２５、２
５、・・・の上部が突出するように接着剤シートとして
その突起２５、２５、・・・の半田メッキ層３６をも含
めた高さよりも適宜薄いものを用いる。さもないと、突
起２５、２５、・・・の頂部が層間絶縁層２７の表面か
ら突出せず、上下導体回路間を確実に接続することがで
きないからである。この工程でできた積層体を２８ａと
する。

【００４８】（Ｈ）次に、第６図（Ｈ）に示すように、
上記積層体２８の、層間絶縁層２７が形成され、突起２
５、２５、・・・の頂部が突出する側に、例えば厚さ１
８μｍ程度の導体回路形成用の金属層を成す銅箔２９を
臨ませる。 （Ｉ）その後、積層プレスにて熱圧着することにより積
層し、上記銅箔２９及び上記金属層２３上にレジスト膜
を選択的に形成し、該レジスト膜をマスクとして上記銅
箔２９及び金属層２３をエッチングすることにより導体
回路３１、３２を形成する。これにより配線回路基板３
３ａができる。この配線回路基板３３ａが本発明配線回
路基板の第３の実施の形態である。

【００４９】本実施の形態は、図１、図２に示した実施
の形態とは、銅層２１を選択的エッチングして突起２
５、２５、・・・を形成する際にエッチングマスクとし
てレジスト膜２４に代えて半田メッキ層３６を用い、そ
の後、その半田メッキ層３６を除去することなく残存さ
せ、絶縁シートからなる層間絶縁層２７を形成する前
に、半田リフローにより突起２５、２５、・・・をその
半田メッキ層３６で覆う状態にするという点で相違す
る。従って、本実施の形態によれば、図１、図２に示し
た実施の形態のように各突起２５、２５、・・・上部に
導電性ペースト２６を塗布すると言うことが必要ではな
くなる。その点でのみ、本実施の形態は図１、図２の実
施の形態と異なり、外には相違点はない。

【００５０】図７（Ａ）〜（Ｈ）及び図８（Ｉ）〜
（Ｋ）は本発明配線回路基板の製造方法の第５の実施の
形態を工程順に示す断面図である。 （Ａ）先ず、銅からなり突起形成用の金属層を成すベー
スメタル（厚さ例えば５０〜１５０μｍ）２１ａを用意
し、図７（Ａ）に示すように、その一方の表面に感光性
樹脂膜４０を塗布する。

【００５１】（Ｂ）次に、図７（Ｂ）に示すように、上
記感光性樹脂膜４０を開口４１、４１、・・・を有する
ように形成する。この開口４１、４１、・・・は後で突
起（２５、２５、・・・）を形成する位置と対応すると
ころに形成する。 （Ｃ）次に、図７（Ｃ）に示すように、ベースメタル２
１ａの上記感光性樹脂膜４０が形成された側に例えば銅
からなる配線膜４２を形成する。尚、この配線膜４２は
例えば次のようにして形成することができる。

【００５２】先ず、例えばＮｉ−Ｐからなる薄い導電層
を無電解メッキにより形成し、その表面に、形成すべき
配線膜４２に対してネガのパターンのレジスト膜を形成
し、このレジスト膜をマスクとして例えば銅を電解メッ
キすることにより配線膜４２を形成し、その後、その配
線膜４２をマスクとして上記無電解メッキによるＮｉ−
Ｐからなる導電層を除去することにより配線膜４２間の
ショート状態をなくす。

【００５３】（Ｄ）次に、上記ベースメタル２１ａの上
記配線膜４２が形成された側の表面を感光性樹脂膜４３
を塗布し、その後、該感光性樹脂膜４３を露光、現像す
ることにより、端子形成用の開口４４、４４、・・・を
形成する。図７（Ｄ）は該開口４４、４４、・・・形成
後の状態を示す。 （Ｅ）次に、図７（Ｅ）に示すように、例えば電解メッ
キにより上記開口４４、４４、・・・に突起状のマイク
ロボール４５、４５、・・・を形成する。

【００５４】（Ｆ）次に、上記各実施の形態におけると
同じ方法で、図７（Ｆ）に示すように、突起２５、２
５、・・・を形成する。 （Ｇ）次に、図１、図２に示した実施の形態と同じ方法
で、図７（Ｅ）に示すように、上記各突起２５、２５、
・・・上面に導電性ペースト２６、２６、・・・を塗布
する。

【００５５】（Ｈ）次に、図１、図２に示した実施の形
態と同じ方法で、図７（Ｈ）に示すように、接着剤シー
トからなる層間絶縁膜２７を形成する。この形成を終え
たものを便宜上基板４６とする。 （Ｉ）次に、本実施の形態の工程（Ｈ）迄進んだ状態の
上記基板４６を２個４６、４６と、図１、図２に示した
実施の形態の配線回路基板３３を１個を用意し、図８
（Ｉ）に示すように、配線回路基板３３の両面側に上記
基板４６、４６を上記突起２５及び層間絶縁膜２７が形
成された側を向く向きで臨ませ、位置決めする。

【００５６】（Ｊ）そして、上記配線回路基板３３とそ
れをサンドイッチ状に挟む基板４６、４６を加圧接着す
ることにより、図８（Ｊ）に示すように配線回路基板４
７を得る。この配線回路基板４７が本発明配線回路基板
の第４の実施の形態である。 （Ｋ）その後、図８（Ｋ）に示すように、上記配線回路
基板４７の両面にＬＳＩチップ４８、４８、・・・を搭
載する。この場合、上記マイクロボール４５、４５、・
・・が上記積層体４７の導体回路と、ＬＳＩチップ４
８、４８、・・・とを接続する接続手段として機能す
る。

【００５７】このような配線回路基板４７によれば、極
めて高い集積密度でＬＳＩチップ４８、４８、・・・を
実装することができる。尚、図８、図９に示す実施の形
態には種々の変形例があり得る。先ず、配線回路基板４
６、４６として、反突起形成側にする導体回路の層数が
１層のものが用いられていたが、必ずしもその層数は１
層である必要はなく、２層或いはそれ以上の層数であっ
ても良い。層数の増加は、例えば感光性絶縁樹脂の選択
的形成、無電解メッキによる薄い導体層の形成、形成し
ようとするパターンに対してネガのパターンを有するレ
ジスト膜の形成、上記導体層を下地とし該レジスト膜を
マスクとする電解メッキによる例えば銅等からなる導体
回路の形成、該導体回路をマスクとする上記導体膜の除
去の一連の工程を行うことにより容易に為し得る。

【００５８】また、配線回路基板４６、４６を配線回路
基板３３を介して積層して一体化して配線回路基板４６
を得るようにしていたが、必ずしもそのようにすること
は不可欠ではなく、例えば配線回路基板４６・４６同士
を直接積層し一体化するようにしても良いし、逆に配線
回路基板４６・４６間に介在させる配線回路基板の数を
一個ではなく、複数個にするというようにすることもで
き得る。また、配線回路基板に搭載するものは必ずしも
ベアのＬＳＩチップ４８であることは必要ではなく、パ
ッケージに収納されたＬＳＩであっても良い。このよう
に、本発明は種々の態様で実施でき、色々のバリエーシ
ョンがあり得る。

【００５９】

【発明の効果】請求項１の配線回路基板によれば、導体
回路からなる金属層上に、該金属層とは別の金属から成
るエッチングバリア層を介して金属から成る突起が、選
択的に形成されており、上記エッチングバリア層により
導体回路となる上記金属層の侵食を防止しつつ金属層の
選択的エッチングにより上記突起を形成できる。従っ
て、ベース材として少なくとも突起の高さ或いはそれ以
上の厚さを有するものを使用して配線回路基板を得るこ
とができる。依って、製造過程でベース材が折れ曲がっ
たり、変形したりする虞が少なくなる。また、寸法が製
造過程で変動するおそれがなく、突起の位置が横方向に
ずれるおそれがないので、突起を微細に形成し、配設密
度を高めても突起の位置ずれに起因して上下導体回路間
の層間接続不良が生じるおそれがなく、歩留まり、信頼
度が高くなる。

【００６０】更に、突起を金属層により形成することが
でき、金属層を例えば銅等比較的低価格材料で形成する
ことができるので、従来の孔を埋める或いは印刷により
形成された導電性ペーストを上下導体回路間接続手段と
して用いた場合よりも配線回路基板の低価格化を図るこ
とができる。また、上述したように、突起を金属層の選
択的エッチングにより形成するので、高さを均一にで
き、高さの不均一による上下導体回路間接続不良の発生
するおそれがない。

【００６１】請求項２の配線回路基板によれば、上記突
起の表面に表面処理剤として導電性ペースト材料がコー
ティングしたので、突起と導体回路の接合性をその導電
性ペーストにより高めることができる。

【００６２】請求項３の配線回路基板の製造方法によれ
ば、突起形成用の金属層上にエッチングバリア層を形成
し、該エッチングバリア層上に導体回路となる金属層を
形成したものを用意し、上記突起形成用の金属層を、上
記エッチングバリア層を侵さないエッチング液により選
択的にエッチングすることにより突起を形成し、上記エ
ッチングバリア層のみを上記突起をマスクとして上記導
体回路を成す金属層を侵さないエッチング液で除去し、
上記導体回路を成す金属層の上記突起形成側の面に層間
絶縁用の絶縁層を形成して該突起を上記導体回路に接続
された層間接続手段とするので、請求項１の配線回路基
板を得ることができ、請求項１の配線回路基板について
述べたと同様の効果を奏する。

【００６３】請求項４の配線回路基板の製造方法によれ
ば、請求項３の配線回路基板の製造方法における突起を
マスクとするエッチングバリア層の選択的エッチングを
行わないで、導体回路を成す金属層の選択的エッチング
の際にその金属層と共に上記エッチングバリア層をもエ
ッチングすることととするので、エッチングバリア層の
不要部分を除去するためだけの工程をなくすことができ
る。従って、製造工程の低減を図ることができる。

【００６４】請求項５の配線回路基板の製造方法によれ
ば、請求項３又は４記載の配線回路基板の製造方法にお
いて、上記ベースメタルからなる層を選択的にエッチン
グして上記突起を形成する際に、エッチングマスクとし
て金属層を用い、上記突起の形成後においても上記エッ
チングマスクとして用いた金属層を残存させてその金属
層で突起表面を全面的に覆う状態にするので、各突起上
部に導電性ペーストを塗布する面倒な作業をしなくて
も、エッチングマスクとして用いた金属層を該各突起と
導体回路との間の接続性を高める手段として用いること
ができる。

【００６５】請求項６の配線回路基板の製造方法によれ
ば、請求項１の配線回路基板と金属箔を積層し、該配線
回路基板の金属層と該金属箔を共に選択的にエッチング
することにより、層間絶縁膜により層間絶縁された導体
回路を両面に有し、その導体回路間を層間絶縁膜を貫通
する突起で電気的に接続した配線回路基板を得ることが
できる。

【００６６】請求項７の配線回路基板の製造方法によれ
ば、請求項６の配線回路基板の製造方法により製造され
た配線回路基板の両面に、請求項１の配線回路基板を積
層し、加圧して一体化し、その上で一体化されたものの
両面に存在する金属層を選択的にエッチングすることに
より両面に導体回路を形成するので、４層の導体回路を
有する配線回路基板を得ることができる。

【００６７】請求項８の配線回路基板、請求項９の配線
回路基板の製造方法によれば、一層又は多層の導体回路
の一方の主面に開口を有した絶縁層を介してベースメタ
ルからなり、上記開口を通じて上記導体回路と電気的に
接続された突起を有し、上記絶縁層の該突起が形成され
た側に層間絶縁膜を形成した２個の配線回路基板を、突
起及び層間絶縁膜が形成された側が内側を向くように直
接に又は配線回路基板を介して積層加圧されて一体化す
るので、配線回路基板の導体回路の層数を極めて多くす
ることができ、実装密度を高めることができる。

【００６８】請求項１０の配線回路基板によれば、請求
項８の配線回路基板の両面にＬＳＩチップ若しくはパッ
ケージを搭載したので、ＬＳＩチップ若しくはパッケー
ジを高密度に実装した配線回路基板を得ることができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】（Ａ）〜（Ｇ）は本発明配線回路基板の製造方
法の第１の実施の形態の工程（Ａ）〜（Ｇ）を順に示す
断面図である。

【図２】（Ｈ）〜（Ｋ）は上記第１の実施の形態の工程
（Ｈ）〜（Ｋ）を順に示す断面図である。

【図３】（Ａ）〜（Ｆ）は本発明配線回路基板の製造方
法の第２の実施の形態を工程順に示す断面図である。

【図４】（Ａ）〜（Ｃ）は本発明配線回路基板の製造方
法の第３の実施の形態を工程順に示す断面図である。

【図５】（Ａ）〜（Ｇ）は本発明配線回路基板の製造方
法の第４の実施の形態の工程（Ａ）〜（Ｇ）を順に示す
断面図である。

【図６】（Ｈ）、（Ｉ）は上記第５の実施の形態の工程
（Ｈ）〜（Ｉ）を順に示す断面図である。

【図７】（Ａ）〜（Ｈ）は本発明配線回路基板の製造方
法の第６の実施の形態の工程（Ａ）〜（Ｈ）を順に示す
断面図である。

【図８】（Ｉ）〜（Ｋ）は本発明配線回路基板の製造方
法の第６の実施の形態の工程（Ｉ）〜（Ｋ）を順に示す
断面図である。

【図９】（Ａ）〜（Ｆ）は高密度実装用配線回路基板に
関する一つの従来例を説明するためのもので、配線回路
基板の製造方法の工程（Ａ）〜（Ｆ）を順に示す断面図
である。

【図１０】上記従来例の配線回路基板の製造方法の工程
（Ｇ）〜（Ｉ）を順に示す断面図である。

【図１１】（Ａ）〜（Ｇ）は高密度実装用配線回路基板
に関する別の従来例を説明するためのもので、配線回路
基板の製造方法を工程順（Ａ）〜（Ｇ）に示す断面図で
ある。

【符号の説明】

２０・・・ベース材、２１、２１ａ・・・突起形成用金
属層（銅層）、２２・・・エッチングバリア層、２３・
・・導体回路形成用金属層（銅箔）、２５・・・突起、
２６・・・導電性ペースト、２７・・・層間絶縁膜、２
８・・・積層体、２９・・・導体回路形成用金属層（銅
箔）、３０・・・積層体、３１、３２・・・導体回路、
３３、３３ａ・・・配線回路基板、３５・・・導体回
路、３６・・・配線回路基板、３７・・・突起形成用マ
スク兼突起被覆半田メッキ膜、４０・・・絶縁膜、４１
・・・開口、４２・・・導体回路、４３・・・絶縁膜、
４４・・・開口、４５・・・突起状端子、４６、４７・
・・配線回路基板、４８・・・ＬＳＩチップ。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5E317 AA24 BB01 BB12 CC13 CC53 CD21 CD25 GG01 GG14 GG17 5E346 AA02 AA12 AA15 AA32 AA43 AA54 CC02 CC08 CC32 DD02 DD32 EE04 EE06 EE08 EE12 EE13 FF22 GG22 GG28 HH11 HH21 HH33

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 導体回路となる金属層上に、該金属層と
   は別の金属から成るエッチングバリア層を介して金属か
   ら成る突起が、選択的に形成され、 上記導体回路の上記突起が形成された側の面に層間絶縁
   層が形成され、 上記突起が上記絶縁層を貫通して上記導体回路となる金
   属層と他との層間接続手段を成していることを特徴とす
   る配線回路基板。
2. 【請求項２】 上記突起の表面に表面処理剤として導電
   性ペースト材料がコーティングされたことを特徴とする
   請求項１記載の配線回路基板。
3. 【請求項３】 突起形成用の金属層上にそれとは別の金
   属から成るエッチングバリア層を形成し、該エッチング
   バリア層上に導体回路となる金属層を形成したものを用
   意する工程と、 上記突起形成用の金属層を、上記エッチングバリア層を
   侵さないエッチング液により選択的にエッチングするこ
   とにより突起を形成する工程と、 上記エッチングバリア層のみを上記突起をマスクとして
   上記導体回路を成す金属層を侵さないエッチング液で除
   去する工程と、 上記導体回路を成す金属層の上記突起形成側の面に層間
   絶縁用の絶縁層を形成して該突起を上記導体回路に接続
   された層間接続手段とする工程と、 を有することを特徴とする配線回路基板の製造方法。
4. 【請求項４】 突起形成用の金属層上にそれとは別の金
   属から成るエッチングバリア層を形成し、該エッチング
   バリア層上に導体回路となる金属層を形成したものを用
   意する工程と、 上記突起形成用の金属層を、上記エッチングバリア層を
   侵さないエッチング液により選択的にエッチングするこ
   とにより突起を形成する工程と、 上記導体回路を成す金属層の上記突起形成側の面に層間
   絶縁用の絶縁層を形成して該突起を上記導体回路に接続
   された層間接続手段とする工程と、 上記導体回路となる上記エッチングバリア層上の金属層
   を該エッチングバリア層と共にエッチングマスク層をマ
   スクとする選択エッチングにより除去することによって
   導体回路を形成する工程と、 を有することを特徴とする配線回路基板の製造方法。
5. 【請求項５】 上記突起形成用の金属層を選択的にエッ
   チングして上記突起を形成する際に、エッチングマスク
   として金属層を用い、 上記突起の形成後においても上記エッチングマスクとし
   て用いた金属層を残存させてその金属層で突起表面を全
   面的に覆う状態にする ことを特徴とする請求項３又は４記載の配線回路基板の
   製造方法。
6. 【請求項６】 請求項１記載の配線回路基板の上記突起
   及び上記層間絶縁膜が形成された側の面に、上記導体回
   路とは別の導体回路を形成する導体回路形成用の金属箔
   を積層して加圧することにより一体化し、 その後、上記導体回路形成用の金属層及び導体回路形成
   用の金属箔を選択的にエッチングすることにより両面に
   導体回路を形成することを特徴とする配線回路基板の製
   造方法。
7. 【請求項７】 請求項６の配線回路基板の製造方法によ
   り製造された第１の配線回路基板と、導体回路形成用金
   属層上に、該金属層とは別の金属から成るエッチングバ
   リア層を介して金属から成る突起が、選択的に形成さ
   れ、上記導体回路の上記突起が形成された側の面に層間
   絶縁層が形成され、上記突起が上記絶縁層を貫通して上
   記導体回路となる金属層と他との層間接続手段を成して
   いる２個の第２の配線回路基板を用意し、 上記第１の配線回路基板の両面に、上記２個の第２の配
   線回路基板を、この配線回路基板の突起及び層間絶縁膜
   の形成された側の面が内側を向くようにサンドイッチ状
   に重ねて積層して加圧することにより一体化し、 上記一体化されたものの両面に位置する２つの導体回路
   形成用金属層を選択的にエッチングすることにより両面
   に導体回路を形成することを特徴とする配線回路基板の
   製造方法。
8. 【請求項８】 一層又は多層の導体回路の一方の主面に
   開口を有した絶縁層を介して導体形成用金属層からなり
   上記開口を通じて上記導体回路と電気的に接続された突
   起を形成し上記絶縁層の該突起が形成された側に層間絶
   縁膜を形成した２個の配線回路基板を、突起及び層間絶
   縁膜が形成された側が内側を向くように直接に又は配線
   回路基板を介して積層加圧されて一体化されたことを特
   徴とする配線回路基板。
9. 【請求項９】 一層又は多層の導体回路の一方の主面に
   開口を有した絶縁層を介して導体回路形成用金属層から
   なり上記開口を通じて上記導体回路と電気的に接続され
   た突起を形成し上記絶縁層の該突起が形成された側に層
   間絶縁膜を形成した２個の配線回路基板を用意し、 上記２個の配線回路基板を上記突起及び層間絶縁膜が形
   成された側が内側を向くようにして直接に又は別の配線
   回路基板を介して積層加圧して一体化することを特徴と
   する配線回路基板の製造方法
10. 【請求項１０】 請求項８に記載された配線回路基板の
    両面にＬＳＩチップ若しくはパッケージを搭載されてな
    ることを特徴とする配線回路基板。