JP4603081B2

JP4603081B2 - 配線回路基板の製造方法、配線回路基板および多層配線基板の製造方法

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Publication number: JP4603081B2
Application number: JP2009014166A
Authority: JP
Inventors: 貴加藤
Original assignee: テセラ・インターコネクト・マテリアルズ，インコーポレイテッド
Priority date: 2009-01-26
Filing date: 2009-01-26
Publication date: 2010-12-22
Anticipated expiration: 2023-07-15
Also published as: JP2009088572A

Description

本発明は、例えばＩＣやＬＳＩ等の電子デバイス実装用の配線回路基板に関し、特に高密度実装を実現できる配線回路基板と、その製造方法に関する。

近年の半導体製造技術の進歩は非常に目覚しく、半導体素子の微細化は、マスクプロセス技術及びエッチング技術などの微細パターン形成技術の飛躍的な進歩により実現されている。そして、配線基板を高集積化するためには、配線基板を多層化し、且つ上下配線膜間の接続を高信頼度で且つ微細に形成する必要がある。そのために、銅箔等の金属膜を一方の表面側からエッチングすることにより、縦断面形状が略台形のバンプを形成し、そのバンプを、上下配線膜間を導通する層間膜導通手段として用いている（例えば、特許文献１）。

ここで、図１３を参照しつつ、銅を成分とするバンプを銅箔上に形成し、さらにそのバンプが形成された配線回路基板を利用して多層配線基板を製造する工程について説明する。この図１３は、従来技術の製造工程を示す基板の断面図である。

まず、図１３（ａ）に示すように、多層金属板１３００を用意する。この多層金属板１３００は、銅箔からなる配線膜形成用金属層１３０１上に積層された、Ｎｉからなるエッチングストッパー層１３０２と、さらにその上に積層された、銅箔からなるバンプ形成用金属層１３０３とからなる。

次に、図１３（ｂ）に示すように、バンプ形成用金属層１３０３及びエッチングストッパー層１３０２をウエットエッチングによりパターニングして、上下配線膜間を導通する層間膜導通手段のバンプ１３０４を形成する。このエッチングにおいて、エッチングストッパー層１３０２はバンプ形成用金属層１３０３のエッチング時に配線膜形成用金属層１３０１がエッチングされるのを防止する。そして、バンプ１３０４をマスクとして、エッチングストッパー層１３０２をエッチングする。

ここで、パターニングに使用する露光マスクには、円形パターンが形成されたマスクが使用される。そして、その露光マスクを使用してパターニングすることにより、横断面形状が円形で縦断面形状が略台形のバンプが形成されることになる。

次に、図１３（ｃ）に示すように、樹脂からなる絶縁膜１３０５をバンプ１３０４上から押し込み、圧着させ、配線回路基板１３０６を製造する。そして、図１３（ｄ）に示すように、絶縁膜１３０５上に銅箔からなる配線膜形成用金属層１３０７を積層する。そして、図１３（ｅ）に示すように、上下両面に積層された配線膜形成用金属層１３０１及び配線膜形成用金属層１３０７をウエットエッチングしてパターニングすることにより、上下両面に配線膜１３０８を形成し、配線膜及びバンプが形成された配線回路基板１３０９を製造する。

そして、図１３（ｆ）に示すように、配線回路基板１３０９を、配線回路基板１３０６によって挟む。このとき、配線回路基板１３０６に形成された各バンプ１３０４が配線回路基板１３１０の方向に向くように、配線回路基板１３０６を配置する。さらに、配線回路基板１３０６に形成された各バンプ１３０４が配線回路基板１３０９に形成された配線膜１３０８と接触するように、配線回路基板１３０６と配線回路基板１３０９とを配置する。そして、図１３（ｇ）に示すように、配線回路基板１３０９を、バンプ付銅箔１３０６によって挟んで圧着することにより、多層配線基板１３１０を製造する。そして、多層配線基板１３１０の上下両面に形成されている配線膜形成用金属層１３０１をウエットエッチングしてパターニングすることにより配線膜１３１１を形成する。

特開２００１−１１１１８９号公報（段落［００２５］―［００２９］）

しかしながら、従来技術においては、図１３（ｅ）に示す、配線膜形成用金属層１３０１及び配線膜形成用金属層１３０７をウエットエッチングしてパターニングすることにより配線膜１３０８を形成する過程で、例えば樹脂からなる絶縁膜１３０５がエッチング液に晒されてしまう。その結果、未硬化の絶縁材料を絶縁膜として用いようとした場合、絶縁膜１３０５までもエッチングされてしまい、絶縁材としての機能を果たさないという問題があった。

また、従来技術においては、絶縁膜として熱膨張係数が大きい樹脂を使用しているため、ベア・チップのフリップ・チップ実装後の熱工程において、チップと樹脂の熱膨張係数の違いにより、例えば半田バンプとチップ又は基板との接続部分にクラックが生じるという問題があった。従って、樹脂の代わりにセラミック材料を絶縁材として使用する必要性が出てきた。セラミック等の低熱膨張係数材料を絶縁材として使用する場合は、予めセラミック材料を粉砕し、そのセラミック材料と樹脂とを混合し、複数枚のグリーンシートを作製しておく。そして、その複数枚のグリーンシートを重ねて積層することにより絶縁膜を形成する。しかしながら、前述したように配線層を形成する過程でそのグリーンシートがエッチング液に晒されてしまうため、セラミック材料を使用したとしても絶縁材としての機能を果たすことができないという問題があった。

さらに、多層配線基板を製造するために、上下配線膜間を導通する層間膜導通手段としてのバンプを有する金属層を何層も作製する必要があり、工程数が多くなってしまう問題があった。

本発明は、上記の問題を解決するものであり、エッチング方法又はめっき方法を採用し、絶縁膜がエッチング液に晒されないで形成することができる配線回路基板とその製造方法を提供するものである。

また、絶縁膜にセラミック材料を使用することにより、チップと基板の熱膨張差による半田バンプとチップ又は基板との接続部分におけるクラックが発生しない配線回路基板とその製造方法を提供するものである。

また、上記の配線回路基板を用いた多層配線基板とその製造方法を提供するものであり、更に、上下両面にバンプが形成された配線回路基板を用いることにより、その多層配線基板の製造工程数を削減することを目的とするものである。

（１７）請求項１に記載の発明は、絶縁層の上下両面に配線膜形成用金属層が形成され、その配線膜形成用金属層の上下両面にエッチングストッパー層を介してバンプ形成用金属層が形成され、さらに上下配線膜間を電気的に接続するためのスルーホールが形成された多層金属板に対して、前記バンプ形成用金属層を部分的にエッチングすることにより、前記多層金属板の上下両面にバンプを形成するバンプ形成ステップと、前記バンプをマスクとして前記エッチングストッパー層をエッチングすることにより、前記多層金属板の上下両面に形成されたエッチングストッパー層を除去するステップと、前記バンプが形成された上下両面にレジストを塗布したうえで、所定のパターンを有する露光マスクに従って露光および現像を行うことにより前記レジストを除去し、前記レジストを除去した配線膜形成用金属層をエッチングすることにより、前記スルーホールによって電気的に接続するように前記絶縁層の上下両面に配線膜を形成する配線膜形成ステップと、を含むことを特徴とする多層配線基板の製造方法である。

（１８）請求項２に記載の発明は、絶縁層の上下両面に配線膜形成用金属層が形成され、その配線膜形成用金属層の上下両面にエッチングストッパー層を介してバンプ形成用金属層が形成され、さらに上下配線膜間を電気的に接続するためのスルーホールが形成された多層金属板に対して、前記バンプ形成用金属層を部分的にエッチングすることにより、前記多層金属板の上下両面にバンプを形成するバンプ形成ステップと、前記バンプをマスクとして前記エッチングストッパー層をエッチングすることにより、前記多層金属板の上下両面に形成されたエッチングストッパー層を除去するステップと、前記バンプが形成された上下両面にレジストを塗布したうえで、所定のパターンを有する露光マスクに従って露光および現像を行うことにより前記レジストを除去し、前記レジストを除去した配線膜形成用金属層をエッチングすることにより、前記スルーホールによって電気的に接続するように前記絶縁層の上下両面に配線膜を形成する配線膜形成ステップと、前記バンプおよび前記配線膜が形成されている面に、前記バンプの頂部のみが露出するよう絶縁層を形成する絶縁層形成ステップと、を含むことを特徴とする多層配線基板の製造方法である。

（１９）請求項３に記載の発明は、請求項２に記載の多層配線基板の製造方法によって製造された、上下両面にバンプが形成された多層配線基板に対して、配線膜が形成されている銅箔を、前記配線膜が前記多層配線基板の上下両面に形成されている前記バンプと接するように、前記多層配線基板の上下両面に積層して多層金属板を形成するステップと、前記銅箔を部分的にエッチングすることにより、前記多層金属板の上下両面にバンプを形成するバンプ形成ステップと、前記多層金属板の上下両面に、前記多層金属板の上下両面に形成されたバンプの頂部のみが露出するように絶縁層を形成する絶縁層形成ステップと、を含むことを特徴とする多層配線基板の製造方法である。

（２０）請求項４に記載の発明は、配線膜形成用金属層の上下両面にエッチングストッパー層を介してバンプ形成用金属層が形成された第１の多層金属板に対して、前記第１の多層金属板の一方の面の前記バンプ形成用金属層を部分的にエッチングすることにより、前記第１の多層金属板の一方の面にバンプを形成するバンプ形成ステップと、前記バンプをマスクとして、前記バンプが形成されている面のエッチングストッパー層をエッチングすることにより、前記エッチングストッパー層を除去するステップと、前記バンプが形成されている面に、バンプの頂部のみが露出するように絶縁層を形成する絶縁層形成ステップと、前記絶縁層が形成されている面に、配線膜形成用金属層の上にエッチングストッパー層を介してバンプ形成用金属層が形成された第２の多層金属板を、該第２の多層金属板の配線膜形成用金属層が前記バンプと接するように積層して第３の多層金属板を形成するステップと、前記第３の多層金属板の上下両面のバンプ形成用金属層を部分的にエッチングすることにより、前記第３の多層金属板の上下両面にバンプを形成するバンプ形成ステップと、を含むことを特徴とする多層配線基板の製造方法である。

（２１）請求項５に記載の発明は、請求項４に記載の多層配線基板の製造方法によって製造された、上下両面にバンプが形成されている多層配線基板に対して、前記バンプが形成された上下両面にレジストを塗布したうえで、所定のパターンを有する露光マスクに従って露光および現像を行うことにより前記レジストを除去し、前記レジストを除去した配線膜形成用金属層をエッチングすることにより、前記スルーホールによって電気的に接続するように前記絶縁層の上下両面に配線膜を形成する配線膜形成ステップと、前記多層配線基板の上下両面に、前記バンプの頂部のみが露出するように絶縁層を形成する絶縁層形成ステップと、を含むことを特徴とする多層配線基板の製造方法である。

（２２）請求項６に記載の発明は、請求項５に記載の多層配線基板の製造方法によって製造された、上下両面にバンプが形成されている多層配線基板に対して、配線膜が形成されている銅箔を、前記配線膜が前記多層配線基板の上下両面に形成されているバンプと接するように、前記多層配線基板の上下両面に積層するステップと、前記銅箔を部分的にエッチングすることにより、上下両面に別のバンプを形成するバンプ形成ステップと、前記別のバンプの頂部のみが露出するように、上下両面に絶縁層を形成する絶縁層形成ステップと、を含むことを特徴とする多層配線基板の製造方法である。

また、請求項１乃至請求項６に記載の発明によると、基板の上下両面を同時にエッチングしてバンプを形成するため、片面毎にバンプを形成する方法よりも工程数を削減することが可能となる。

参考例１における配線回路基板の製造方法を工程順に示す基板の断面図である。参考例１における配線回路基板の製造方法を工程順に示す基板の断面図である。参考例２における配線回路基板の製造方法を工程順に示す基板の断面図である。参考例２における配線回路基板の製造方法を工程順に示す基盤の断面図である。参考例３における多層配線基板の製造方法を工程順に示す基板の断面図である。参考例４における多層配線基板の製造方法を工程順に示す基板の断面図である。参考例５における多層配線基板の製造方法を工程順に示す基板の断面図である。参考例５における配線回路基板の製造方法を工程順に示す基板の断面図である。本発明の第１の実施の形態における多層配線基板の製造方法を工程順に示す基板の断面図である。本発明の第１の実施の形態における多層配線基板の製造方法を工程順に示す基板の断面図である。本発明の第２の実施の形態における多層配線基板の製造方法を工程順に示す基板の断面図である。本発明の第２の実施の形態における多層配線基板の製造方法を工程順に示す基板の断面図である。従来の配線回路基板の製造方法を工程順に示す基板の断面図である。

以下、本発明の実施の形態について、図１乃至図１２を参照しつつ説明する。

［参考例１］
まず、参考例１における配線回路基板の製造工程について図１および図２を参照しつつ説明する。図１および図２は、参考例１における配線回路基板の製造方法を工程順に示す基板の断面図である。この参考例１においては、エッチング法を採用して配線回路基板を製造する。

まず、図１（ａ）に示すように、剥離性シート１００が設けられた多層金属板１０１を用意する。この多層金属板１０１は、例えば厚さ１２μｍの銅箔からなる配線膜形成用金属層１０２上に積層された、例えば厚さ１μｍのＮｉからなるエッチングストッパー層１０３と、さらにその上に積層された、例えば厚さ８０μｍの銅箔からなるバンプ形成用金属層１０４とからなる。剥離性シート１００としては、粘着テープ等の基材として用いられている各種の薄層品が用いられ、例えば紙、金属箔や、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリプロピレン、ナイロン、ウレタン、ポリ塩化ビニリデン又はポリ塩化ビニル等の合成樹脂フィルムが用いられる。また、これらの積層品であってもよい。そして、紫外線照射や加熱によりその粘着性が無くなり、剥離しやすいものを使用する。

次に、図１（ｂ）に示すように、バンプ形成用金属層１０４上にレジスト１０５を塗布する。そして、図１（ｃ）に示すように、レジスト１０５に対して露光、現像を行うことにより所定のパターンを有するレジスト１０６を形成する。このとき、円形パターンが形成された露光マスクを使用して露光が行われる。従って、現像後のレジスト１０６のパターンは円形パターンをなしている。

そして、図１（ｄ）に示すように、レジスト１０６をマスクとしてバンプ形成用金属層１０４を選択的にエッチングしてパターニングすることにより、層間膜導通手段のバンプ１０７を形成する。このエッチングはウエットエッチングにより行い、使用するエッチング液はＮｉからなるエッチングストッパー層１０３をエッチングし得ないが、バンプ形成用金属層１０４をエッチングできるエッチング液を使用する。ここで、パターニングには、前述したように円形パターンが形成された露光マスクが使用されるため、エッチングによって形成されるバンプ１０７の縦断面形状は略台形をなしている。また、この選択的エッチングにおいて、エッチングストッパー層１０３はバンプ形成用金属層１０４のエッチング時に配線膜形成用金属膜１０２がエッチングされるのを防止する。そして、エッチングマスクとして使用したレジスト１０６を剥離する。尚、図１（ｄ）はレジスト１０６を剥離した後の状態を示すものである。

そして、図１（ｅ）に示すように、バンプ１０７をマスクとして、エッチングストッパー層１０３をエッチングすることによりエッチングストッパー層１０８を形成する。このエッチングには、バンプ１０７を構成する金属（本参考例においては銅である。）をエッチングしないが、エッチングストッパー層１０３を構成する金属（本参考例においてはＮｉである。）をエッチングするエッチング液（Ｎｉ剥離液）を使用する。このエッチング工程により、エッチングストッパー層１０８は、バンプ１０７と配線膜形成用金属層１０２との間にのみ存在することになる。

次に、図１（ｆ）に示すように、バンプ１０７が形成されている面に対してポジ型のレジスト１０９を塗布する。ポジ型レジストとしては電着レジストや液レジストを用いる。そして、図１（ｇ）に示すように、レジスト１０９に対して露光、現像を行うことにより所定のパターンを有する、例えばレジスト１１０ａとレジスト１１０ｂを形成する。例えば図１（ｇ）に示すように、レジスト１１０ａは配線膜形成用金属層１０２の上に形成され、レジスト１１０ｂはバンプ１０７を覆うようにして形成される。そして、図１（ｈ）に示すように、ウエットエッチングにより配線膜形成用金属層１０２を選択的にエッチングしてパターニングすることにより、配線膜１１１を形成する。この配線膜１１１は、例えば配線膜１１１ａと配線膜１１１ｂで構成されている。例えば図１（ｈ）に示すように、レジスト１１０ａで保護されることにより形成された配線膜１１１ａはバンプと接することなく剥離性シート１００上に形成されることとなるが、レジスト１１０ｂで保護されることにより形成された配線膜１１１ｂは、バンプ１０７と剥離性シート１００との間に形成されることになる。

そして、図１（ｉ）に示すように、バンプ１０７が形成されている面に絶縁膜１１３を、離型クッションシートを介して熱プレス、熱ローラ又は超音波ローラ等で圧着することにより積層して配線回路基板１１４を作製する。このとき、絶縁膜１１３の表面からバンプ１０７の頂部のみが露出するように、バンプ１０７の高さよりも適宜薄いものを用いる。この絶縁膜１１３には例えば、樹脂やセラミック材料が使用される。セラミック材料を使用する場合には、予め絶縁膜１１３を構成するセラミック材料を粉砕し、そのセラミック材料と樹脂とを混合し、複数枚のグリーンシートを作製しておく。そして、その複数枚のグリーンシートを重ねて熱圧着により積層化を行う。

以上の方法を採用することにより、ウエットエッチングにより配線膜を形成する過程で、絶縁材がエッチング液に晒されてしまうこともなく、バンプと配線膜を形成することが可能となる。さらに、図１（ｆ）から図１（ｈ）に示されている工程を採用することにより、バンプと配線膜を同一基板上（本参考例においては剥離性シート上）に形成することが可能となる。そのことにより、他の配線回路基板と圧着した後に剥離性シートを除去しても配線膜のパターンを平坦に維持することができる。さらに、複数の配線回路基板と組み合わせて多層配線基板を製造する際の設計の自由度が増すという効果も奏する。

次に、この配線回路基板１１４を利用した他の配線回路基板の製造工程について図２を参照しつつ説明する。

まず、図２（ａ）に示すように、前述の図１（ａ）から図１（ｉ）に示された工程により作製された配線回路基板１１４と、配線膜付剥離性シート１１５とを用意する。この配線膜付剥離性シート１１５は、剥離性シート１１６上に配線膜１１７が形成されており、この配線膜１１７は例えば、配線膜１１７ａ及び１１７ｂによって構成されている。

そして、図２（ｂ）に示すように、配線回路基板１１４と配線膜付剥離性シート１１５とを、圧着する。このとき、配線回路基板１１４に形成されたバンプ１０７と、配線膜付剥離性シート１１５に形成された配線膜１１７が向き合うように、配線回路基板１１４と配線膜付剥離性シート１１５を配置する。さらに、例えば、配線回路基板１１４に形成された各バンプ１０７が配線膜付剥離性シート１１５に形成された配線膜１１７ａ及び１１７ｂと接触するように、配線回路基板１１４と配線膜付剥離性シート１１５を配置する。そして、バンプ１０７と配線膜１１７ａ及び１１７ｂとが接触するため、配線膜１１１ｂと配線膜１１７とが電気的につながることになる。従って、バンプ１０７が上下配線膜間を導通する層間膜導通手段として機能することとなる。そして、圧着した後に、２００℃〜３５０℃の温度で仮ベーキングを行い、バンプ１０７と配線膜１１７ａとを接合する。

そして、図２（ｃ）に示すように、剥離性シート１００及び１１６を除去することにより、配線回路基板１１８を形成する。尚、剥離性シート１１６の接着層に紫外線効果型又は熱硬化型樹脂を用いると、紫外線又は熱を加えることにより剥離が容易になる。

以上の方法を採用することにより、層間絶縁膜がエッチング液に晒されてしまうこともなく、上下の配線膜が層間膜導通手段のバンプによって接続された配線回路基板を製造することができる。また、剥離性シートの同一面上にバンプと配線膜を形成することにより、他の配線回路基板と圧着した後に剥離性シートを除去しても配線膜のパターンを平坦に維持することが可能となる。

［参考例２］
次に、参考例２における配線回路基板の製造工程について図３および図４を参照しつつ説明する。図３および図４は、参考例２における配線回路基板の製造方法を工程順に示す基板の断面図である。この参考例２においては、めっき法を採用して配線回路基板を製造する。

まず、図３（ａ）に示すように、例えば厚さ８０μｍの銅箔からなるバンプ形成用金属層３００を用意する。そして、図３（ｂ）に示すように、バンプ形成用金属層３００の上下両面にレジストを塗布又はラミネート（圧着）する。そして、片面のレジストのみを露光、現像することにより配線膜を形成するためのパターンを有するレジスト３０２を形成する。例えば図３（ｂ）に示すように、レジスト３０１は全面露光され、現像されずにバンプ形成用金属層３００の全面に形成されているが、レジスト３０２は露光、現像されて、配線膜を形成するためのパターンをなしている。

次に、図３（ｃ）に示すように、レジスト３０２によって形成されたパターンに、めっき法によって例えば厚さ１μｍのＮｉからなるエッチングストッパー層３０３をバンプ形成用金属層３００に接着するように形成する。さらに、そのエッチングストッパー層３０３の上にめっき法により、例えば厚さ１２μｍの銅箔からなる配線膜３０４を形成する。

そして、図３（ｄ）に示すように、レジスト３０１及び３０２を除去する。その結果、バンプ形成用金属層３００の片面には、所定のパターンをなしているエッチングストッパー層３０３及び配線膜３０４が形成される。また、レジスト３０１が形成されることにより、バンプ形成用金属層３００の片面（レジスト３０１が塗布された面）には、エッチングストッパー層３０３としてのＮｉや、配線膜３０４としての銅がめっき法によって形成されることはない。

次に、図３（ｅ）に示すように、エッチングストッパー層３０３および配線膜３０４が形成されているバンプ形成用金属層３００の面に、剥離性シート３０５を接着する。

次に、図３（ｆ）のように、バンプ形成用金属層３００上にレジストを塗布又はラミネート（圧着）し、露光、現像することにより所定のパターンを有するレジスト３０６を形成する。このとき、前述した参考例１において使用された露光マスクと同様に、円形パターンが形成された露光マスクを使用して露光が行われる。従って、現像後のレジスト３０６のパターンは円形パターンをなしている。

そして、図３（ｇ）に示すように、レジスト３０６をマスクとしてバンプ形成用金属層３００を選択的にエッチングしてパターニングすることにより、上下配線間接続用のバンプ３０７を形成する。そして、エッチングマスクとして使用したレジスト３０６を剥離する。尚、図３（ｇ）はレジスト３０６を剥離した後の状態を示すものである。

そして、図３（ｈ）に示すように、バンプ３０７が形成されている面に絶縁膜３０８を、離型クッションシートを介して熱プレス、熱ローラ又は超音波ローラ等で圧着することにより積層して配線回路基板３０９を作製する。このとき、絶縁膜３０８の表面からバンプ３０７の頂部のみが露出するように、バンプ３０７の高さよりも適宜薄いものを用いる。この絶縁膜３０８には前述した参考例１と同様に、エポキシやポリイミド等の樹脂やセラミック材料が使用される。

以上の方法を採用することにより、配線膜を形成する過程で、従来技術のように絶縁膜がエッチング液に晒されてしまうこともなく、バンプと配線膜を形成することが可能となる。また、バンプと配線膜を同一基板上（本参考例においては剥離シート上）に形成することが可能となる。そのことにより、他の配線回路基板と圧着した後に剥離性シートを除去しても配線膜のパターンを平坦に維持することができる。さらに、複数の配線回路基板と組み合わせて多層配線基板を製造する際の設計の自由度が増すという効果も奏する。また、めっき法を採用したことにより、参考例１のエッチング法を用いて形成するパターンよりも、更に微細なパターンを形成することが可能となる。

次に、この配線回路基板３０９を利用した他の配線回路基板の製造工程について図４を参照しつつ説明する。

まず、図４（ａ）に示すように、前述した図３（ａ）から図３（ｈ）に示された工程により作製された配線回路基板３０９と、配線膜付剥離性シート３１０とを用意する。この配線膜付剥離性シート３１０は、剥離性シート３１１上に配線膜３１２が形成されており、その配線膜３１２は例えば、配線膜３１２ａ及び３１２ｂによって構成されている。

そして、図４（ｂ）に示すように、配線回路基板３０９と配線膜付剥離性シート３１０とを、圧着する。このとき、配線回路基板３０９に形成されたバンプ３０７と、配線膜付剥離性シート３１０に形成された配線膜３１２が向き合うように、配線回路基板３０９と配線膜付剥離性シート３１０を配置する。さらに、例えば、配線回路基板３０９に形成された各バンプ３０７が配線膜付剥離性シート３１０に形成された配線膜３１２ａ及び３１２ｂと接触するように、バンプ付剥離性シート３０９と配線膜付剥離性シート３１０を配置する。そのように配置することにより、バンプ３０７と配線膜３１２ａ及び３１２ｂとが接触するため、配線膜３０４と配線膜３１２とが電気的につながることになる。従って、バンプ３０７が上下配線膜間を導通する層間膜導通手段として機能することとなる。そして、圧着した後に、２００℃〜３５０℃の温度で仮ベーキングすることにより、バンプ３０７と配線膜３１２ａとを接合する。

そして、図４（ｃ）に示すように、剥離性シート３０５及び３１１を除去することにより、配線回路基板３１３を形成する。尚、剥離性シート１１６の接着層に紫外線効果型又は熱硬化型樹脂を用いると、紫外線又は熱を加えることにより剥離が容易になる。

以上の方法を採用することにより、層間絶縁膜がエッチング液に晒されてしまうこともなく、上下の配線膜が層間膜導通手段のバンプによって接続された配線回路基板を製造することができる。また、剥離性シートの同一面上にバンプと配線膜を形成することにより、他の配線回路基板と圧着した後に剥離性シートを除去しても配線膜のパターンを平坦に維持することが可能となる。さらに、めっき法を採用したことにより、参考例１のエッチング法を用いて形成するパターンよりも、更に微細なパターンを形成することが可能となる。

［参考例３］
次に、参考例３として、参考例１において作製された配線回路基板を用いた多層配線基板の製造方法について図５を参照しつつ説明する。図５は、参考例３における多層配線基板の製造方法を工程順に示す基板の断面図である。

まず図５（ａ）に示すように、コア基板５００を用意する。このコア基板５００は、樹脂又はセラミック材料からなる絶縁基板５０１と、銅等の金属からなる配線膜５０２と、上下導体間接続用スルーホール５０３とからなる。また、配線膜５０２は、例えば配線膜５０２ａ、５０２ｂ、５０２ｃから構成されている。例えば、絶縁基板５０１の片面には配線膜５０２ａが形成されており、もう一方の面には配線膜５０２ｂ及び５０２ｃが形成されている。そして、上下導体間接続用スルーホール５０３によって絶縁基板５０１の上下の面に設けられている配線膜５０２ａと配線膜５０２ｂとが接続される。上下導体間接続用スルーホール５０３は、例えばドリルで絶縁基板５０１に孔を形成した後、その孔の内壁に例えば銅などの金属層５０４をめっき法で形成した後、エポキシ樹脂等で孔埋めすることにより作製される。

そして、コア基板５００の上下両面に配線回路基板５１０および配線回路基板５２０を配置する。配線回路基板５２０は、前述した参考例１における配線回路基板１１４に相当し、図１（ａ）から図１（ｉ）を参照して説明した方法により作製される。また、配線回路基板５１０は露光マスクのパターンを変えるのみで、配線回路基板５２０と同様の工程により作製される。従って、配線回路基板５１０および配線回路基板５２０は、配線回路基板１１４と同様の構成をなしている。

配線回路基板５１０は、剥離性シート５１１上に配線膜５１２が形成されており、その配線膜５１２は、配線膜５１２ａ、５１２ｂ、５１２ｃによって構成されている。さらに、配線膜５１２ａ上に形成されたエッチングストッパー層５１３を介してバンプ５１４が形成されている。そして、バンプ５１４の頂部が露出するように絶縁膜５１５が形成されている。

また、配線回路基板５２０は、剥離性シート５２１上に配線膜５２２が形成されており、その配線膜５２２は、配線膜５２２ａと配線膜５２２ｂによって構成されている。さらに、配線膜５２２ｂ上に形成されたエッチングストッパー層５２３を介してバンプ５２４が形成されている。そして、バンプ５２４の頂部が露出するように絶縁膜５２５が形成されている。

そして、図５（ｂ）に示すように、例えば、配線回路基板５１０のバンプ５１４がコア基板５００の片面に形成された配線膜５０２ｃと接するように配線回路基板５１０とコア基板５００とを圧着する。また、配線回路基板５２０のバンプ５２４がコア基板５００のもう一方の面に形成された配線膜５０２ａと接するように配線回路基板５２０とコア基板５００とを圧着する。

その後、２００℃〜３５０℃の温度で仮ベーキングを行い、図５（ｃ）に示すように、剥離性シート５１１及び５１２を除去し、多層配線基板５３０を作製する。

さらに、図５（ｄ）に示すように、多層配線基板５３０の上下両面に配線回路基板５４０及び５５０を配置する。この配線回路基板５４０及び５５０は、露光マスクのパターンを変えるのみで、前述した参考例１における配線回路基板１１４と同様の工程によって作製される。従って、配線回路基板１１４と同様の構成をなしている。

配線回路基板５４０は、剥離性シート５４１上に配線膜５４２が形成されており、この配線膜５４２は配線膜５４２ａ、５４２ｂ、５４２ｃによって構成されている。さらに、配線膜５４２ａ上に形成されたエッチングストッパー層５４３ａを介してバンプ５４４ａが形成されている。さらに、配線膜５４２ｂ上に形成されたエッチングストッパー層５４３ｂを介してバンプ５４４ｂが形成されている。そして、バンプ５４４ａ及び５４４ｂの頂部が露出するように絶縁膜５４５が形成されている。

また、配線回路基板５５０は、剥離性シート５５１上に配線膜５５２が形成されており、この配線膜５５２は配線膜５５２ａと５５２ｂによって構成されている。さらに、配線膜５５２ａ上にエッチングストッパー層５５３ａと５５３ｂが形成されている。そして、エッチングストッパー層５５３ａを介してバンプ５５４ａが形成されており、エッチングストッパー層５５３ｂを介してバンプ５５４ｂが形成されている。そして、バンプ５４４ａ及び５４４ｂの頂部が露出するように絶縁膜５５５が形成されている。

そして、図５（ｅ）に示すように、例えば、配線回路基板５４０のバンプ５４４ａが多層配線基板５３０の片面に形成された配線膜５１２ｂと接し、さらに、配線回路基板５４０のバンプ５４４ｂが多層配線基板５３０の片面に形成された配線膜５１２ａと接するように配線回路基板５４０と多層配線基板５３０とを圧着する。また、配線回路基板５５０のバンプ５５４ａが多層配線基板５３０の片面に形成された配線膜５２２ａと接し、さらに、配線回路基板５５０のバンプ５５４ｂが多層配線基板５３０の片面に形成された配線膜５２２ｂと接するように配線回路基板５５０と多層配線基板５３０とを圧着する。そして、絶縁膜としてセラミック材料を使用した場合は、約８００℃の温度でベーキングを行い、絶縁膜を焼成する。そして、図５（ｅ）に示すように、剥離性シート５４１及び５５１を除去し、多層配線回路基板を作製する。

以上の方法を採用することにより、層間絶縁膜がエッチング液に晒されてしまうこともなく、上下の配線膜が層間膜導通手段のバンプによって接続された多層配線基板を製造することができる。また、剥離性シートの同一面上にバンプと配線膜を形成した配線回路基板を使用しているため、それらを圧着して多層配線基板を作製した後に剥離性シートを除去しても配線膜のパターンを平坦に維持することができる。

尚、この参考例３において使用される配線回路基板５１０、５２０、５４０、５５０は、参考例１の製造方法によって作製されたものであるが、本発明はこれに限られない。それらに代わって、参考例２の製造方法によって作製された配線回路基板３０９を使用して多層配線基板を作製することもできる。参考例２の配線回路基板を使用した場合には、更に微細なパターンを形成することが可能となる。

また、この参考例３においては、上下導体間接続用スルーホール５０３が形成されたコア基板５００を用いて多層配線回路基板を作製したが、コア基板５００の代わりに、配線回路基板を使用することもできる。例えば参考例１及び参考例２において作製された配線回路基板１１８又は３１３を使用して多層配線回路基板を作製することも可能である。そのような場合には、配線回路基板１１８又は３１３の上下両面に配線回路基板５１０及び５２０を配置、圧着して多層配線基板を形成し、さらに、その多層配線基板の上下両面に配線回路基板５４０及び５５０を配置、圧着して多層配線基板を形成する。このように、コア基板に代えて配線回路基板を使用することにより、改めてスルーホールを形成する工程やスルーホール内を銅などの金属でめっきする工程が必要でなくなるため、上記の効果に加えて更に工程数を削減することが可能となる。

［参考例４］
次に、参考例４として、参考例１および参考例２において作製された配線回路基板を利用した多層配線基板の製造方法について図６を参照しつつ説明する。この図６は、参考例４における多層配線基板の製造方法を工程順に示す基板の断面図である。

まず図６（ａ）に示すように、配線回路基板６００を用意する。この配線回路基板６００は、前述した第１の実施形態における配線回路基板１１８に相当する。この配線回路基板６００は、配線膜６０２が形成されており、例えば、絶縁膜６０１の一方の面には配線膜６０２ａ、６０２ｂ及び６０２ｃがそれらの表面が絶縁膜６０１から露出するように絶縁膜６０１の内部に形成されている。また、絶縁間６０１の他方の面には配線膜６０２ｄがその表面が絶縁膜６０１から露出するように絶縁膜６０１の内部に形成されている。そして、配線膜６０２ｄ上にはエッチングストッパー層６０３ａと６０３ｂが形成されており、さらに、それらを介してエッチングストッパー層６０３ａ上にはバンプ６０４ａが形成され、エッチングストッパー層６０３ｂ上にはバンプ６０４ｂが形成されている。エッチングストッパー層６０３ａ、６０３ｂとバンプ６０４ａ、６０４ｂは絶縁膜６０１の内部に形成されており、バンプ６０４ａの頂部は配線膜６０２ｂと接触し、バンプ６０４ｂは配線膜６０２ｃと接触している。

そして、配線回路基板６００の上下両面に別の配線回路基板６１０及び６２０を配置する。配線回路基板６２０は、前述した参考例２における配線回路基板３０９に相当し、図３（ａ）から図３（ｈ）を参照して説明した方法により作製される。また、配線回路基板６１０は露光マスクのパターンを変えるのみで、配線回路基板３０９と同様の工程により作製される。従って、配線回路基板３０９と同様の構成をなしている。

配線回路基板６１０は、剥離性シート６１１の内部に配線膜６１２が形成されており、その配線膜６１２は配線膜６１２ａ、６１２ｂ、６１２ｃによって構成されている。さらに、配線膜６１２の上にはエッチングストッパー層６１３が形成されている。例えば、配線膜６１２ａ上にはエッチングストッパー層６１３ａが形成されており、そのエッチングストッパー層６１３ａを介してバンプ６１４が形成されている。また、配線膜６１２ｂ上にはエッチングストッパー層６１３ｂが形成されており、配線膜６１２ｃ上にはエッチングストッパー層６１２ｃが形成されている。そして、バンプ６１４の頂部が露出するように剥離性シート６１１上に絶縁膜６１５が形成されている。

また、配線回路基板６２０は、剥離性シート６２１の内部に配線膜６２２が形成されており、その配線膜６２２は配線膜６２２ａと６２２ｂによって構成されている。さらに、配線膜６２２の上にはエッチングストッパー層６２３が形成されている。具体的には、配線膜６２２ａ上にはエッチングストッパー層６２３ａが形成されており、そのエッチングストッパー層６２３ａを介してバンプ６２４ａとバンプ６２４ｂが形成されている。また、配線膜６２２ｂ上にはエッチングストッパー層６２３ｂが形成されている。そして、バンプ６２４ａと６２４ｂの頂部が露出するように剥離性シート６２１上に絶縁膜６２５が形成されている。

そして、図６（ｂ）に示すように、例えば、配線回路基板６１０のバンプ６１４が多層配線基板６００の一方の面に形成された配線膜６０２ｄと接するように配線回路基板６１０と多層配線基板６００とを圧着する。また、配線回路基板６２０のバンプ６２４ａが多層配線基板の一方の面に形成された配線膜６０２ａと接し、さらに、配線回路基板６２０のバンプ６２４ｂが多層配線基板６００の片面に形成された配線膜６０２ｂと接するように配線回路基板６２０と多層配線基板６００とを圧着する。その後、２００℃から３５０℃の温度で仮ベーキングを行い、図６（ｂ）に示すように、剥離性シート６１１及び６２１を除去し、多層配線基板６３０を作製する。

さらに、図６（ｃ）に示すように、多層配線基板６３０の上下両面に配線回路基板６４０及び６５０を配置する。配線回路基板６４０及び６５０は、前述した参考例１における配線回路基板１１４に相当し、露光マスクのパターンを変えるのみで配線回路基板１１４と同様の工程により作製される。

配線回路基板６４０は、剥離性シート６４１上に配線膜形成用金属層６４２が形成され、その上にはエッチングストッパー層６４３ａ及び６４３ｂが形成されている。さらにそのエッチングストッパー層６４３ａの上にはバンプ６４４ａが形成され、エッチングストッパー層６４３ｂの上にはバンプ６４４ｂが形成されている。そして、バンプ６４４ａと６４４ｂの頂部が露出するように絶縁膜６４５が形成されている。

配線回路基板６５０についても配線回路基板６４０と同様に、例えば、剥離性シート６５１上に配線膜形成用金属層６５２が形成され、その上にはエッチングストッパー層６５３ａと６５３ｂが形成されている。さらにそのエッチングストッパー層６５３ａの上にはバンプ６５４ａが形成され、エッチングストッパー層６５３ｂの上にはとバンプ６５４ｂが形成されている。そして、バンプ６５４ａと６５４ｂの頂部が露出するように絶縁膜６５５が形成されている。

そして、図６（ｄ）に示すように、配線回路基板６４０のバンプ６４４ａが多層配線基板６３０の一方の面に形成された配線膜６１２ａと接し、バンプ６４４ｂが配線膜６１２ｂと接するように配線回路基板６４０と多層配線基板６３０とを圧着する。また、配線回路基板６５０のバンプ６５４ａが多層配線基板６３０の一方の面に形成された配線膜６２２ｂと接し、バンプ６５４ｂが配線膜６２２ａと接するように配線回路基板６５０と多層配線基板６３０とを圧着する。そして、絶縁膜としてセラミック材料を使用した場合は、約８００℃の温度でベーキングを行い、絶縁膜を焼成する。そして、図６（ｄ）に示すように、剥離性シート６４１及び６５１を除去し、配線膜６４２及び６４２を形成することで、多層配線回路基板６６０を作製する。

以上の方法を採用することにより、層間絶縁膜がエッチング液に晒されてしまうことなく、上下の配線間が層間膜導通手段のバンプによって接続された配線回路基板を製造することができる。また、剥離性シートの同一面上にバンプと配線膜を形成した配線回路基板を使用しているため、それらを圧着して多層配線基板を作製した後に剥離性シートを除去しても配線膜のパターンを平坦に維持することができる。また、水平方向の配線膜と垂直方向のバンプを同時に備えた配線回路基板を用いて多層配線基板を製造することにより、改めてスルーホールを形成する工程が不要となり、工程数を削減することが可能となる。さらに、めっき法によって作製した配線回路基板を使用することにより、微細なパターンが形成された多層配線基板を作製することが可能となる。

尚、本参考例において使用される配線回路基板６００は、参考例１における製造方法（エッチング法）によって作製された配線回路基板１１８を使用したが、本発明はこれに限られない。例えば、参考例２における方法（めっき法）によって作製された配線回路基板３１３を使用して多層配線基板を作製することもできる。その結果、更に微細なパターンが形成された多層配線基板を作製することが可能となる。

また、本参考例において使用される配線回路基板６１０及び６２０は、参考例２における製造方法（めっき法）によって作製された配線回路基板３０９を使用したが、本発明はこれに限られない。例えば、参考例１における製造方法（エッチング法）によって作製された配線回路基板１１４を使用して多層配線基板を作製してよい。

また、本参考例において使用される配線回路基板６４０と６５０は、参考例１における製造方法（エッチング法）によって作製した配線回路基板を使用したが、本発明にそれに限られない。例えば、参考例２における製造方法（めっき法）によって作製された配線回路基板を使用して多層配線基板を作製してもよい。その結果、更に微細なパターンが形成された多層配線基板を作製することができる。

以上において、絶縁層をエッチング液に晒されない目的で剥離性シートを用いた配線回路基板及び多層配線基板の製造方法を示した。これ以降は、エッチング液に晒されることが可能な絶縁材を用いた配線回路基板及びそれらを組み合わせた多層配線基板の製造方法を示す。

［参考例５］
次に、参考例５として、参考例２において作製された配線回路基板を利用した多層配線基板の製造方法について図７を参照しつつ説明する。この図７は、参考例５における配線回路基板の製造方法を工程順に示す基板の断面図である。

まず図７（ａ）に示すように、配線回路基板７１０及び７２０を用意する。配線回路基板７１０は、前述した参考例２において作製された配線回路基板３０９に相当する。従って、配線回路基板３０９と同様の構成をなしている。

この配線回路基板７１０は、剥離性シート７１１の内部に配線膜７１２が形成されており、その配線膜７１２は配線膜７１２ａと７１２ｂによって構成されている。さらに、配線膜７１２の上にはエッチングストッパー層７１３が形成されている。具体的には、配線膜７１２ａ上にはエッチングストッパー層７１３ａが形成されており、そのエッチングストッパー層７１３ａを介して銅からなるバンプ７１４ａと７１４ｂが形成されている。また、配線膜７１２ｂ上にはエッチングストッパー層７１３ｂが形成されている。そして、バンプ７１４ａと７１４ｂの頂部が露出するように剥離性シート７１１上に絶縁膜７１５が形成されている
。

また、配線回路基板７２０は例えばめっき法を用いて作製する。この配線回路基板７２０の作製方法の１例について図８を参照しつつ説明する。

まず図８（ａ）に示すように、例えば厚さ８０μｍの銅箔からなる金属層７２１を用意する。そして、その金属膜７２１の上下両面にレジストを塗布し、図８（ｂ）に示すように、片面のみを露光、現像して、エッチングストッパー層及び配線膜を形成するためのパターンを有するレジストを形成する。例えば図８（ｂ）に示すように、レジスト７２２は露光、現像されずに金属層７２１の全面に形成されているが、レジスト７２３は露光、現像されて、エッチングストッパー層及び配線層を形成するためのパターンをなしている。

次に、図８（ｃ）に示すように、レジスト７２３によって形成されたパターンに、金属層７２１に接着するようにめっき法によって例えば厚さ１μｍのＮｉからなるエッチングストッパー層７２４を形成する。このエッチングストッパー層７２４はエッチングストッパー層７２４ａ、７２４ｂ、７２４ｃによって構成されている。さらに、エッチングストッパー層７２４の上にはめっき法により例えば厚さ１２μｍの銅からなる配線膜７２５が形成されており、その配線膜７２５は配線膜７２５ａ、７２５ｂ、７２５ｃによって構成されている。具体的には、エッチングストッパー層７２４ａ上に配線膜７２５ａが形成され、同様にエッチングストッパー層７２４ｂ上に配線膜７２５ｂが形成され、エッチングストッパー層７２４ｃ上に配線膜７２５ｃが形成されている。

そして、図８（ｄ）に示すように、レジスト７２２と７２３を除去する。その結果、金属膜７２１の片面に所定のパターンを有するエッチングストッパー層７２４ａ、７２４ｂ、７２４ｃが形成され、さらに、それぞれのエッチングストッパー層を介して配線膜７２５ａ、７２５ｂ、７２５ｃが形成された配線回路基板７２０が作製される。また、レジスト７２２が形成されることにより、金属膜７２１の片面（レジスト７２２が塗布された面）には、エッチングストッパー層としてのＮｉや、配線膜としての銅がめっき法によって形成されることはない。このようにして作製された配線回路基板７２０を使用して多層配線回路基板を作製する。

再び図７の説明に戻る。図７（ｂ）に示すように、配線回路基板７１０のバンプ７１４ａが、配線回路基板７２０の配線膜７２５ａと接し、バンプ７１４ｂが配線膜７２５ｂと接するように配線回路基板７１０と配線回路基板７２０を圧着する。その後、２００℃から３５０℃の温度で仮ベーキングを行う。

次に、金属層７２１の上にレジストを塗布し、円形パターンが形成された露光マスクを使用して露光、現像し、その後ウエットエッチングにより金属層７２１をエッチングしてパターニングすることによりバンプ７４１を形成する。このバンプ７４１は例えば、図７（ｃ）に示すようにバンプ７４１ａと７４１ｂによって構成されている。このバンプ７４１ａは、エッチングストッパー層７２４ａを介して配線膜７２５ａ上に形成されており、バンプ７４１ｂは、エッチングストッパー層７２４ｃを介して配線膜７２５ｃ上に形成されている。また、そのような位置に形成されるようにパターニングに使用する露光マスクのパターンを作製する。

そして、図７（ｄ）に示すように、バンプ７４１ａと７４１ｂが形成されている面に絶縁膜７５１を積層し、配線回路基板７５０を作製する。このとき、絶縁膜７５１の表面からバンプ７４１ａと７４１ｂの頂部のみが露出するように絶縁膜７５１を積層する。

この配線回路基板７５０を用いて多層配線回路基板を作製する。その工程について引き続き図７を参照しつつ説明する。

図７（ｅ）に示すように、配線回路基板７５０と７６０を用意し、配線回路基板７６０の上下両面に配線回路基板７５０を配置する。配線回路基板７５０は、図７（ａ）から図７（ｄ）を参照して説明した方法によって作製されたものである。また、配線回路基板７６０は、参考例１における配線回路基板１１８に相当する。この配線回路基板７６０は、配線膜７６２が形成されている。具体的には、絶縁膜７６１の一方の面には配線膜７６２ａ及び７６２ｂが、それらの表面が絶縁膜７６１から露出するように絶縁膜７６１の内部に形成されている。また、絶縁膜７６１の他方の面には配線膜７６２ｃ及び７６２ｄが、それらの表面が絶縁膜７６１から露出するように絶縁膜７６１の内部に形成されている。そして、配線膜７６２ｄ上にはエッチングストッパー層７６３ａと７６３ｂが形成されており、さらに、それらを介してエッチングストッパー層７６３ａ上にはバンプ７６４ａが形成され、エッチングストッパー層７６３ｂ上にはバンプ７６４ｂが形成されている。エッチングストッパー層７６３ａ、７６３ｂとバンプ７６４ａ、７６４ｂは絶縁膜７６１の内部に形成されており、バンプ７６４ａと７６４ｂの頂部は配線膜７６２ｂに接触している。

そして、図７（ｆ）に示すように、一方の配線回路基板７５０に形成されているバンプ７４１ａが配線回路基板７６０の一方の面に形成されている配線膜７６２ａと接し、バンプ７４１ｂが配線膜７６２ｂと接するように配線回路基板７５０と７６０とを圧着する。それと同様に、他方の配線回路基板７５０に形成されているバンプ７４１ａが配線膜７６２ｄと接し、バンプ７４１ｂが配線膜７６２ｃと接するように配線回路基板７５０と７６０とを圧着する。その後、２００℃から３５０℃の温度で仮ベーキングを行い、図７（ｆ）に示すように、上下両面に形成されている剥離性シート７１１を除去し、多層配線基板を作製する。

尚、本参考例において使用される配線回路基板７１０は、参考例２における製造方法（めっき法）によって作製された配線回路基板３０９を使用したが、本発明はこれに限られない。例えば、参考例１における方法（エッチング法）によって作製された配線回路基板１１４を使用して多層配線基板を作製することもできる。

また、本参考例において使用される配線回路基板７６０は、参考例１における製造方法（エッチング法）によって作製された配線回路基板１１８を使用したが、本発明はこれに限られない。例えば、参考例２における方法（めっき法）によって作製された配線回路基板３１３を使用しても同様の工程で多層配線基板を作製することができる。その場合、更に微細なパターンが形成された多層配線基板を作製することが可能となる。

また、本参考例においては、バンプが形成された配線回路基板７６０を用いて多層配線基板を作製したが、その代わりに図７（ｇ）に示すようなコア基板７７０を用いて多層配線基板を作製することも可能である。このコア基板７７０は、参考例３において説明したコア基板５００と同様に、樹脂またはセラミック材料からなる絶縁基板７７１と、銅等の金属からなる配線膜７７２、上下導体間接続用スルーホール７７３とからなる。また、配線膜７７２は配線膜７７２ａ、７７２ｂ、７７２ｃ、７７２ｄによって構成されている。そして、絶縁基板７７１の一方の面には配線膜７７２ａと７７２ｂが形成されており、他方の面には配線膜７７２ｃと７７２ｄが形成されている。そして、上下導体間接続用スルーホール７７３によって絶縁基板７７１の上下の面に設けられている配線膜７７２が接続される。上下導体間接続用スルーホール７７３は、例えばドリルで絶縁基板７７１に孔を形成した後、その孔の内壁に例えば銅などの金属層７７４をめっき法で形成することにより作製される。

そして、コア基板７７０の上下両面に配線回路基板７５０を配置する。一方の配線回路基板７５０に形成されているバンプ７４１ａが、コア基板７７０の一方の面に形成されている配線膜７７２ａと接し、バンプ７４１ｂが配線膜７７２ｂと接するように配線回路基板７５０とコア基板７７０とを圧着する。それと同様に、他方の配線回路基板７５０に形成されているバンプ７４１ａがコア基板７７０の他方の面に形成されている配線膜７７２ｄと接し、バンプ７４１ｂが配線膜７７２ｃと接するように配線回路基板７５０とコア基板７７０とを圧着する。その後、先に図７（ｇ）および図７（ｈ）を参照しつつ説明したように、２００℃から３５０℃の温度で仮ベーキングを行い、上下両面に形成されている剥離性シート７１１を除去することにより多層配線基板を作製する。

［第１の実施の形態］
次に、本発明の第１の実施形態として、図９を参照しつつ説明する。この図９は、第１の実施形態における多層配線基板の製造方法を工程順に示す基板の断面図である。

まず、図９（ａ）に示すように、多層金属板９００を用意する。この多層金属板９００は、ポリイミドやエポキシ材料からなる絶縁膜９０１の上下両面に積層された例えば厚さ１８μｍの銅箔からなる配線膜形成用金属層９０２と、その配線膜形成用金属層９０２の上下両面に積層された例えば厚さ１μｍのＮｉからなるエッチングストッパー層９０３と、さらにそのエッチングストッパー層９０３の上下両面に積層された例えば厚さ１００μｍの銅箔からなるバンプ形成用金属層９０４とからなる。

そして、図９（ｂ）に示すように多層金属板９００に上下導体間接続用スルーホール９０５を形成する。この上下導体間接続用スルーホール９０５は、例えばドリルで多層金属板９００に孔を形成した後、その孔の内壁に銅等の金属層９０６をめっき法で成膜することにより形成される。そして、例えばアルカリ溶解型のレジストを用いて孔を埋める。このレジストは、後の工程でバンプを形成するためのウエットエッチングを行う際に、上下導体間接続用スルーホール９０５の内壁に成膜されている金属層９０６がエッチングされるのを防止する。

そして、多層金属板９００の上下面（バンプ形成用金属層９０４の面）にレジストを塗布し、円形パターンが形成された露光マスクを使用して露光、現像を行うことにより、図９（ｃ）に示すように、円形パターンのレジスト９０７を形成する。そして、ウエットエッチングをしてパターニングすることにより、図９（ｄ）に示すように、バンプ９０８を形成する。このバンプはバンプ９０８ａ、９０８ｂ、９０８ｃによって構成されている。このとき、多層金属板９００の上下両面を同時にエッチングしてバンプを形成する。このように上下両面を同時にエッチングしてバンプを形成することにより、片面毎にバンプを形成する方法よりも工程数を削減することが可能となり、従来技術では得られなかった効果を奏する。

また、上下導体間接続用スルーホール９０５内にレジストが埋められているため、ウエットエッチングする際にエッチング液が上下導体間接続用スルーホール９０５内に入りこんで、金属層９０６がエッチングされることがなくなる。そして、エッチングによりバンプ９０８ａ、９０８ｂ、９０８ｃを形成した後は、水酸化ナトリウムなどが含まれている溶液を用いて上下導体間接続用スルーホール９０５内に埋め込んだレジストをバンプ形用レジスト９０７と共に除去する。そして、エッチングストッパー層９０３をエッチングで除去する。

次に、図９（ｅ）に示すように、上下両面に対してポジ型のレジスト９０９を塗布する。ポジ型レジストとしては、電着レジストや液レジストを用いる。そして、図９（ｆ）に示すように、レジスト９０９に対して露光、現像を行うことにより所定のパターンを有するレジストを形成する。例えば、図９（ｆ）に示すように、レジスト９１０ａはバンプ９０８ａを覆うようして形成され、レジスト９１０ｂはバンプ９０８ｂを覆うようにして形成され、レジスト９１０ｃはバンプ９０８ｃを覆うようにして形成される。また、レジスト９１０ｄは一部の配線膜形成用金属層９０２の上に形成される。さらに、レジスト９１０ｅは導通孔壁及びその周辺の配線膜形成用金属層９０２の上に形成される。

そして、図９（ｇ）に示すように、ウエットエッチングにより配線膜形成用金属層９０３を選択的にエッチングしてパターニングすることにより、配線膜９１１を形成する。この配線膜９１１は配線膜９１１ａ、９１１ｂ、９９１ｃ、９１１ｄによって構成されている。例えば、図９（ｇ）に示すように、レジスト９１０ａ、９１１ｂ、９１１ｃで保護されることにより形成された配線膜９１１ａ、９１１ｂ、９１１ｃは、それぞれバンプ９０８ａ、９０８ｂ、９０８ｃと絶縁膜９０１との間に形成される。一方、レジスト９１１ｄで保護されることにより形成された配線膜９１１ｄは、バンプと接することなく絶縁膜９０１上に形成される。

そして、図９（ｈ）に示すように、上下両面に絶縁膜９１２を積層して多層配線基板９２０を作製する。このとき、絶縁膜９１２の表面からバンプ９０８ａ、９８０ｂ、９０８ｃの頂部のみが露出するように絶縁膜９１２を積層する。この絶縁膜９１２には例えば、ポリイミドやエポキシ材料が使用される。

以上の方法を採用することにより、上下両面を同時にエッチングしてバンプを形成することにより、片面毎にバンプを形成する方法よりも工程数を削減しながら、両面バンプ付の多層配線基板９２０を形成することが可能となる。また、同一面上に水平方向の配線膜と垂直方向のバンプを形成することにより、改めてスルーホールを形成する必要がなるなり、工程数を削減することが可能となる。

次に、この多層配線基板９２０の上下両面に配線回路基板を積層して作製する多層配線基板およびその製造方法について図１０を参照しつつ説明する。

まず図１０（ａ）に示すように、２つの配線回路基板７２０と多層配線基板９２０を用意する。配線回路基板７２０は、先に図８を参照しつつ説明した方法（めっき法）によって作製されるものである。多層配線基板９２０は、図９を参照しつつ説明した方法によって作製されるものである。

そして、多層配線基板９２０の上下両面に配線回路基板７２０を配置し、図１０（ｂ）に示すように、例えば、一方の配線回路基板７２０上に形成されている配線膜７２５ａが多層配線基板９２０の一方の面に形成されているバンプ９０８ａと接するように、配線回路基板７２０と多層配線基板９２０を圧着する。それと同様に、他方の配線回路基板７２０上に形成されている配線膜７２５ａが多層配線基板９２０の他方の面に形成されているバンプ９０８ｃと接し、配線膜７２５ｃがバンプ９０８ｂに接するように、配線回路基板７２０と多層配線基板９２０を圧着する。その後、２００℃から３５０℃の温度で仮ベーキングを行う。

さらに、上下両面に形成されている配線回路基板７２０の金属層７２１をエッチングしてパターニングすることにより、上下両面にバンプ１００１を形成する。このバンプ１００１は、例えばバンプ１００１ａ、１００１ｂ、１００１ｃ、１００１ｄによって構成されている。例えば、図１０（ｃ）に示すように、一方の面には、エッチングストッパー層７２４ａを介して配線膜７２５ａ上にバンプ１００１ａを形成し、エッチングストッパー層７２４ｃを介して配線膜７２５ｃ上にバンプ１００１ｃを形成する。また、他方の面には、エッチングストッパー層７２４ｂを介して配線膜７２５ｂ上にバンプ１００１ｄを形成し、エッチングストッパー層７２４ｃを介して配線膜７２５ｃ上にバンプ１００１ｃを形成する。このように、上下両面を同時にエッチングしてバンプを形成することにより、片面毎にバンプを形成する方法よりも工程数を削減することが可能となる。

次に、図１０（ｄ）に示すように、上下両面に絶縁膜１００２を積層し、多層配線基板を作製する。このとき、絶縁膜１００２の表面から各バンプ１００１ａ、１００１ｂ、１００１ｃ、１００１ｄの頂部のみが露出するように絶縁膜１００２を積層する。この絶縁膜１００２には例えば、ポリイミドやエポキシ材料が使用される。

次に、図１０（ｅ）に示すように、上下両面に例えば厚さ１８μｍの銅箔からなる配線膜形成用金属層１００３を形成する。そして、配線膜形成用金属層１００３をエッチングしてパターニングすることにより、配線膜１１０４を形成する。この配線膜１００４は、例えば図１０（ｆ）に示すように、配線膜１００４ａ、１００４ｂ、１００４ｃ、１００４ｄによって構成されている。このパターニング工程において、例えば、一方の面においては配線膜１００４ａがバンプ１００１ａに接し、配線膜１００４ｂがバンプ１００１ｂに接するように配線膜１００４のパターンを形成する。また、他方の面では配線膜１００４ｃがバンプ１００１ｃとバンプ１００１ｄに接するように配線膜のパターンを形成する。

以上の方法のように上下両面を同時にエッチングしてバンプを形成することにより、片面毎にバンプを形成する方法よりも工程数を削減することが可能となる。

［第２の実施の形態］
次に、本発明の多層配線基板の製造方法の第２の実施形態について、図１１を参照しつつ説明する。この図１１は、第２の実施形態の多層配線基板の製造方法を工程順に示す基板の断面図である。

まず、図１１（ａ）に示すように、多層金属板１１００を用意する。この多層金属板１１００は、例えば厚さ１２μｍの銅箔からなる配線膜形成用金属層１１０１の上下両面に積層された、例えば厚さ１μｍのＮｉからなるエッチングストッパー層１１０２と、さらにそのエッチングストッパー層１１０２の上下両面に積層された、例えば厚さ８０μｍの銅箔からなるバンプ形成用金属層１１０３とからなる。従って、本実施形態における多層金属板１１００は５層構造をなしている。

そして、多層金属板１０００の片面のバンプ形成用金属層１１０３上にレジストを塗布し、円形パターンが形成された露光マスクを使用して露光、現像することにより、図示しない円形パターンのレジストを形成する。そして、その円形パターンのレジストをマスクとしてウエットエッチングしてパターニングすることによりバンプ１１０４を形成する。このバンプ１１０４は例えば図１１（ｂ）に示すように、バンプ１１０４ａと１１０４ｂによって構成されている。その後、バンプ１１０４をマスクとしてエッチングストッパー層１１０２をエッチングする。

次に、バンプ１１０４が形成されている面に絶縁膜１１０５を積層し、配線回
路基板１１１０を作製する。このとき、絶縁膜１１０５の表面からバンプ１１０
４ａと１１０４ｂの頂部のみが露出するように絶縁膜１１０５を積層する。この
絶縁膜１１０５には例えば、エポキシやポリイミド材料が使用される。

次に、図１１（ｄ）に示すように、上記のようにして作製した配線回路基板１１１０と多層金属板１１２０を用意する。この多層金属板１１２０は、例えば厚さ８０μｍの銅箔からなるバンプ形成用金属層１１２３上に積層された、例えば厚さ１μｍのＮｉからなるエッチングストッパー層１１２２と、さらにそのエッチングストッパー層１１２２の上に積層された、例えば厚さ１２μｍの銅箔からなる配線膜形成用金属層１１２１とからなる。従って、本実施形態における多層金属板１１２０は３層構造をなしている。そして、配線回路基板１１１０と多層金属板１１２０とを圧着する。

そして、配線回路基板１１１０と多層金属板１１２０とを圧着した基板の上下両面に図示しないレジストを塗布する。つまり、配線回路基板１１１０のバンプ形成用金属層１１０３の上と、多層金属板１１２０のバンプ形成用金属層１１２３の上にレジストを塗布する。そして、円形パターンが形成された露光マスクを使用して露光、現像を行うことにより、図示しない円形パターンのレジストを形成する。そして、ウエットエッチングをしてパターニングすることによりバンプ１１３１を形成する。このバンプ１１３１は、例えば図１１（ｅ）に示すように、バンプ１１３１ａ、１１３１ｂ、１１３１ｃによって構成されている。バンプ１１３１ａはエッチングストッパー層１１２２および配線膜形成用金属層１１２１を介して、バンプ１１３１ａの底部がバンプ１１０４ａの頂部と接続するように形成される。また、バンプ１１３１ｃはエッチングストッパー層１１２２および配線膜形成用金属層１１２１を介して、バンプ１１３１ｃの底部がバンプ１１０４ａの底部と接続するように形成される。また、上下両面を同時にエッチングしてバンプを形成する。このように上下両面を同時にエッチングしてバンプを形成することにより、片面毎にバンプを形成する方法よりも工程数を削減することが可能となる。また、バンプを形成した後に、エッチングストッパー層１１０２およびエッチングストッパー層１１２２をエッチングする。

次に、図１１（ｆ）に示すように、上下両面にレジスト１１３２を塗布する。そして、図１１（ｇ）に示すように、レジスト１１３２に対して露光、現像を行うことにより所定のパターンを有するレジストを形成する。例えば図１１（ｇ）に示すように、レジスト１１３３ａはバンプ１１３１ａを覆うようにして形成され、レジスト１１３３ｃはバンプ１１３１ｂを覆うようにして形成され、レジスト１１３３ｅはバンプ１１３１ｃを覆うようにして形成される。また、レジスト１１３３ｄはバンプ１１０４ｂが形成されている位置に対応した位置に形成される。

そして、図１１（ｈ）に示すように、ウエットエッチングにより配線膜形成用金属層１１０１および配線膜形成用金属層１１２１を選択的にエッチングしてパターニングすることにより、配線膜１１３４を形成する。この配線膜１１３４は例えば、配線膜１１３４ａ、１１３４ｂ、１１３４ｃ、１１３４ｄによって構成されている。そして、図１１（ｉ）に示すように、配線膜１１３４ａはバンプ１１３１ａとバンプ１１０４ａ並びにバンプ１１０４ｂとの間に形成されることになる。配線膜１１３４ｃはバンプ１１３１ｂと絶縁膜１１０５との間に形成され、配線膜１１３４ｅはバンプ１１３１ｃと１１０４ａとの間に形成される。また、配線膜１１３４ｄはバンプ１１０４ｂが形成されている位置に対応する位置に形成されることになる。

そして、図１１（ｉ）に示すように、上下両面に絶縁膜１１３５を積層する。このとき、絶縁膜１１３５の表面からバンプ１１３１の頂部のみが露出するように絶縁膜１１３５を積層する。この絶縁膜１１３５には例えば、樹脂やセラミック材料が使用される。

以上の方法のように上下両面を同時にエッチングしてバンプを形成することにより、片面毎にバンプを形成する方法よりも工程数を削減することが可能となる。また、同一面上の水平方向の配線膜と垂直方向のバンプを同時に形成することが可能となるため、改めてスルーホールを形成する工程が不要となり、工程数を削減することが可能となる。

次に、この多層配線基板１１４０の上下両面に配線回路基板を積層して作製する多層配線基板およびその製造方法について図１２を参照しつつ説明する。

まず、図１２（ａ）に示すように、２つの配線回路基板７２０と多層配線基板１１４０を用意する。配線回路基板７２０は、先に図８を参照しつつ説明した方法（めっき法）によって作製されるものである。多層配線基板１１４０は、図１１を参照しつつ説明した方法によって作製されるものである。

そして、多層配線基板１１４０の上下両面に配線回路基板７２０を配置し、図１２（ｂ）に示すように、一方の配線回路基板７２０上に形成されている配線膜７２５ａが多層配線基板１１４０の一方の面に形成されているバンプ１１３１ａと接するように、配線回路基板７２０と多層配線基板１１４０を圧着する。さらに、他方の配線回路基板７２０に形成されている配線膜７２５ａが多層配線基板１１４０の他方の面に形成されているバンプ１１３１ｃと接し、さらに、配線膜７２５ｃがバンプ１１３１ｂに接するように配線回路基板７２０と多層配線基板１１４０を圧着する。その後、２００℃から３５０℃の温度で仮ベーキングを行う。

そして、上下両面のバンプ形成用金属層７２１上にレジストを塗布し、円形パターンが形成された露光マスクを使用して露光、現像することにより、図示しない円形パターンのレジストを形成する。そして、その円形パターンのレジストをマスクとしてウエットエッチングしてパターニングすることにより、上下両面にバンプ１２０１を形成する。このバンプ１２０１は、バンプ１２０１ａ、１２０１ｂ、１２０１ｃ、１２０１ｄによって構成されている。図１２（ｃ）に示すように、バンプ１２０１ａは配線膜７２５ａと接するように形成され、バンプ１２０１ｂは配線膜７２５ｃと接するように形成される。さらに、バンプ１２０１ｃは配線膜７２５ｃと接するように形成され、バンプ１２０１ｄは配線膜７２５ｂと接するように形成される。また、そのような位置に形成されるように、露光マスクのパターンを形成しておく。このように、上下両面を同時にエッチングしてバンプを形成することにより、片面毎にバンプを形成する方法よりも工程数を削減することが可能となる。

次に、図１２（ｄ）に示すように、上下両面に絶縁膜１２０２を積層し、多層配線基板を作製する。このとき、絶縁膜１２０２の表面から各バンプ１２０１ａ、１２０１ｂ、１２０１ｃ、１２０１ｄの頂部のみが露出するように絶縁膜１２０２を積層する。この絶縁膜１２０２には例えば、樹脂やセラミック材料が使用される。

次に、図１２（ｅ）に示すように、上下両面に例えば厚さ１８μｍの銅箔からなる配線膜形成用金属層１２０３を形成する。そして、配線膜形成用金属層１２０３をエッチングしてパターニングすることにより、配線膜１２０４を形成する。この配線膜１２０４は、例えば配線膜１２０４ａ、１２０４ｂ、１２０４ｃ、１２０４ｄによって構成されている。このパターニング工程によって、図１２（ｆ）に示すように、配線膜１２０４ａはバンプ１２０１ａと接するように形成され、配線膜１２０４ｂはバンプ１２０１ｂと接するように形成される。また、配線膜１２０４ｃはバンプ１２０１ｃおよびバンプ１２０１ｄと接するように形成される。また、このような位置に配線膜が形成されるように、露光マスクのパターンを形成しておく。

以上の方法のように上下両面を同時にエッチングしてバンプを形成することにより、片面毎にバンプを形成する方法よりも工程数を削減することが可能となる。さらに、めっき法を用いて作製した配線回路基板７２０を使用するため、配線膜のパターンが微細な多層配線基板を作製することが可能となる。

１００、１１６、３０５、３１１剥離性シート
１０１多層金属板
１０２配線膜形成用金属層
１０３、１０８、３０３エッチングストッパー層
１０４、３００バンプ形成用金属層
１０５、１０６、１０９、１１０、３０１、３０２、３０６レジスト
１０７、３０７バンプ
１１１、１１７、３０４、３１２配線膜
１１３、３０８絶縁膜

Claims

絶縁層の上下両面に配線膜形成用金属層が形成され、その配線膜形成用金属層の上下両面にエッチングストッパー層を介してバンプ形成用金属層が形成され、さらに上下配線膜間を電気的に接続するためのスルーホールが形成された多層金属板に対して、
前記バンプ形成用金属層を部分的にエッチングすることにより、前記多層金属板の上下両面にバンプを形成するバンプ形成ステップと、
前記バンプをマスクとして前記エッチングストッパー層をエッチングすることにより、前記多層金属板の上下両面に形成されたエッチングストッパー層を除去するステップと、
前記バンプが形成された上下両面にレジストを塗布したうえで、所定のパターンを有する露光マスクに従って露光および現像を行うことにより前記レジストを除去し、前記レジストを除去した配線膜形成用金属層をエッチングすることにより、前記スルーホールによって電気的に接続するように前記絶縁層の上下両面に
配線膜を形成する配線膜形成ステップと、
を含むことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
絶縁層の上下両面に配線膜形成用金属層が形成され、その配線膜形成用金属層の上下両面にエッチングストッパー層を介してバンプ形成用金属層が形成され、さらに上下配線膜間を電気的に接続するためのスルーホールが形成された多層金属板に対して、
前記バンプ形成用金属層を部分的にエッチングすることにより、前記多層金属板の上下両面にバンプを形成するバンプ形成ステップと、
前記バンプをマスクとして前記エッチングストッパー層をエッチングすることにより、前記多層金属板の上下両面に形成されたエッチングストッパー層を除去するステップと、
前記バンプが形成された上下両面にレジストを塗布したうえで、所定のパターンを有する露光マスクに従って露光および現像を行うことにより前記レジストを除去し、前記レジストを除去した配線膜形成用金属層をエッチングすることにより、前記スルーホールによって電気的に接続するように前記絶縁層の上下両面に配線膜を形成する配線膜形成ステップと、
前記バンプおよび前記配線膜が形成されている面に、前記バンプの頂部のみが露出するよう絶縁層を形成する絶縁層形成ステップと、
を含むことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
請求項２に記載の多層配線基板の製造方法によって製造された、上下両面にバンプが形成された多層配線基板に対して、
配線膜が形成されている銅箔を、前記配線膜が前記多層配線基板の上下両面に形成されている前記バンプと接するように、前記多層配線基板の上下両面に積層して多層金属板を形成するステップと、
前記銅箔を部分的にエッチングすることにより、前記多層金属板の上下両面にバンプを形成するバンプ形成ステップと、
前記多層金属板の上下両面に、前記多層金属板の上下両面に形成されたバンプの頂部のみが露出するように絶縁層を形成する絶縁層形成ステップと、
を含むことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
配線膜形成用金属層の上下両面にエッチングストッパー層を介してバンプ形成用金属層が形成された第１の多層金属板に対して、
前記第１の多層金属板の一方の面の前記バンプ形成用金属層を部分的にエッチングすることにより、前記第１の多層金属板の一方の面にバンプを形成するバンプ形成ステップと、
前記バンプをマスクとして、前記バンプが形成されている面のエッチングストッパー層をエッチングすることにより、前記エッチングストッパー層を除去するステップと、
前記バンプが形成されている面に、バンプの頂部のみが露出するように絶縁層を形成する絶縁層形成ステップと、
前記絶縁層が形成されている面に、配線膜形成用金属層の上にエッチングストッパー層を介してバンプ形成用金属層が形成された第２の多層金属板を、該第２の多層金属板の配線膜形成用金属層が前記バンプと接するように積層して第３の多層金属板を形成するステップと、
前記第３の多層金属板の上下両面のバンプ形成用金属層を部分的にエッチングすることにより、前記第３の多層金属板の上下両面にバンプを形成するバンプ形成ステップと、
を含み、
前記配線膜形成用金属層が前記バンプと同じ側からエッチングされることを特徴とする多層配線基板の製造方法。
請求項４に記載の多層配線基板の製造方法によって製造された、上下両面にバンプが形成されている多層配線基板に対して、
前記バンプが形成された上下両面にレジストを塗布したうえで、所定のパターンを有する露光マスクに従って露光および現像を行うことにより前記レジストを除去し、前記レジストを除去した配線膜形成用金属層をエッチングすることにより、前記スルーホールによって電気的に接続するように前記絶縁層の上下両面に配線膜を形成する配線膜形成ステップと、
前記多層配線基板の上下両面に、前記バンプの頂部のみが露出するように絶縁層を形成する絶縁層形成ステップと、
を含むことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
請求項５に記載の多層配線基板の製造方法によって製造された、上下両面にバンプが形成されている多層配線基板に対して、
配線膜が形成されている銅箔を、前記配線膜が前記多層配線基板の上下両面に形成されているバンプと接するように、前記多層配線基板の上下両面に積層するステップと、
前記銅箔を部分的にエッチングすることにより、上下両面に別のバンプを形成するバンプ形成ステップと、
前記別のバンプの頂部のみが露出するように、上下両面に絶縁層を形成する絶縁層形成ステップと、
を含むことを特徴とする多層配線基板の製造方法。