JP2002368368A - 接続基板とその接続基板を用いた多層配線板と半導体パッケージ用基板と半導体パッケージ並びに接続基板の製造方法とその方法を用いた多層配線板の製造方法と半導体パッケージ用基板の製造方法と半導体パッケージの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】精度、強度、接続信頼性に優れた接続基板とそ
の接続基板を用いた多層配線板、半導体パッケージ用基
板及び半導体パッケージを効率よく製造する方法の提
供。 【解決手段】絶縁樹脂と接続用導体からなる基板であっ
て、少なくとも、キャリアとなる第２の金属層４２と、
その第２の金属層と除去条件の異なる第１の金属層４１
からなる複合金属層の、第１の金属層を選択的に除去し
て接続用導体１３を形成し、少なくともその接続用導体
の側面を覆うように薄く第１の絶縁樹脂組成物を形成
し、その表面に第２の絶縁樹脂１２１をその接続用導体
が埋没するように形成し、少なくとも第２の絶縁樹脂１
２２を硬化させた後、接続用導体１３が露出するように
絶縁樹脂を研磨する工程を有する接続基板、多層配線板
及び半導体パッケージ用基板の製造法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、接続基板とその接
続基板を用いた多層配線板と半導体パッケージ用基板と
半導体パッケージ並びに接続基板の製造方法とその方法
を用いた多層配線板の製造方法と半導体パッケージ用基
板の製造方法と半導体パッケージの製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、我々を取り巻く社会環境は、情報
通信網の進展と共に大きく変化している。その中に、携
帯機器の成長があり、小型・高機能化と共にその市場は
拡大している。このため、半導体パッケージの更なる小
型化と、それらを高密度に実装できる多層配線基板が要
求され、高密度配線が可能な層間接続、すなわち高密度
多層化技術が重要となっている。

【０００３】主な多層化方法としては、ドリル穴明けと
めっきプロセスを組み合わせたスルーホール接続があ
り、広く一般に知られているが、全ての層にわたって穴
があくので、配線収容量に限界がある。そこで、接続部
の穴体積を減らすため、絶縁層の形成−穴あけ−回路形
成を繰り返すビルドアップ技術が主流となりつつある。
このビルドアップ技術は、大別して、レーザ法とフォト
リソ法があり、レーザ法は、絶縁層に穴をあけるのにレ
ーザ照射を行うものであり、一方、フォトリソ法は、絶
縁層に感光性の硬化剤（光開始剤）を用い、フォトマス
クを重ねて、露光・現像して穴を形成する。

【０００４】また、更なる低コスト化・高密度化を目的
とするいくつかの層間接続方法が提案されている。その
中に、穴明けと導電層めっき工程を省略できる工法が注
目されている。この方法は、まず、基板の配線上に導電
性ペーストの印刷でバンプを形成した後、Ｂステージ状
態にある層間接続絶縁材と金属層を配置して、プレスに
よりバンプを成形樹脂内に貫挿させ金属層と導通接続さ
せるものである。このバンプを貫挿する方法は、学会や
新聞でも発表されており、プリント板業界で広く認知さ
れている。また、シリコンゴムなどのエラストマの中に
めっきしたワイヤを厚さ方向に埋め込んだものが開発さ
れ、２層の導体を接続する簡易ツールとして利用されて
いる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
技術のうちレーザ法では、絶縁材料の選択範囲が広く、
隣接する層間の穴あけだけでなく、さらに隣接する層ま
での穴あけも行えるが、レーザ照射して蒸散した樹脂か
すを除去するためにデスミア処理を必要とし、穴数に比
例した加工費増大を伴うという課題がある。一方、フォ
ト法では、従来の配線板製造設備を利用でき、穴加工も
一度に行うことができ低コスト化に有利ではあるが、層
間絶縁材料の解像度と、耐熱性および回路と絶縁層間の
接着強度の両立が困難であるという課題がある。さらに
また、バンプの形成は、導電ペーストの印刷や、めっき
方法であり、バンプ形成の精度が、印刷技術の限度であ
り、あるいはめっきによるバンプの高さのばらつきを抑
制するのが困難であるという課題がある。また、導電ペ
ーストによるバンプは機械強度が小さく、プレス圧力に
よって破壊されるおそれがあり、穴明け工程を必要とす
る場合があり効率が低くなるおそれがある。シリコンゴ
ムなどのエラストマの中にめっきしたワイヤを厚さ方向
に埋め込んだものは、簡便ではあるが、接続したい任意
の箇所にだけワイヤを埋め込むことが困難であり、格子
状に埋め込むと、接触させたくない箇所では、ワイヤが
じゃまになるという課題がある。

【０００６】本発明は、精度に優れ、強度に優れ、接続
信頼性に優れ、かつ必要な箇所のみの接続の行える接続
基板とその接続基板を用いた多層配線板と半導体パッケ
ージ用基板と半導体パッケージ並びに効率よくこれらを
製造する方法を提供することを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明は、以下のことを
特徴とする。 （１）絶縁樹脂と接続用導体からなる基板であって、そ
の絶縁樹脂が２以上の絶縁樹脂組成物からなる接続基
板。 （２）一方の絶縁樹脂が少なくとも接続用導体の側面を
覆っている（１）に記載の接続基板 （３）２以上の絶縁樹脂組成物が、硬化の異なる同じ種
類の樹脂である（１）または（２）に記載の接続基板。 （４）２以上の絶縁樹脂組成物が、充填剤を含む量が異
なる樹脂である（１）〜（３）のうちいずれかに記載の
接続基板。 （５）２以上の絶縁樹脂組成物が、少なくとも１の樹脂
は充填剤を含まず、他の樹脂は含むものである（１）〜
（３）のうちいずれかに記載の接続基板。 （６）２以上の絶縁樹脂組成物が、充填剤の種類の異な
る（１）〜（５）のうちいずれかに記載の接続基板。 （７）充填剤の種類の違いが、粒子径の異なるものであ
る（６）に記載の接続基板。 （８）充填剤の種類の違いが、粒子形状の異なるもので
ある（６）に記載の接続基板。 （９）充填剤の種類の違いが、比重の異なるものである
（６）に記載の接続基板。 （１０）絶縁樹脂組成物の違いが、樹脂の種類の違いで
ある（１）〜（９）のうちいずれかに記載の接続基板。 （１１）基板の少なくとも一方の面に導体回路を有する
（１）〜（１０）のうちいずれかに記載の接続基板。 （１２）導体回路が金属層である（１）〜（１１）のう
ちいずれかに記載の接続基板。 （１３）接続用導体の露出した部分が、接触抵抗の小さ
い金属で覆われている（１）〜（１２）のうちいずれか
に記載の接続基板。 （１４）少なくとも一方の絶縁樹脂が、シリコーン変性
ポリアミドイミドである（１）〜（１３）のうちいずれ
かに記載の接続基板。 （１５）少なくとも、キャリアとなる第２の金属層と、
その第２の金属層と除去条件の異なる第１の金属層から
なる複合金属層の、第１の金属層を選択的に除去して接
続用導体を形成し、少なくともその接続用導体の側面を
覆うように薄く第１の絶縁樹脂組成物を形成し、その表
面に第２の絶縁樹脂組成物をその接続用導体が埋没する
ように形成し、少なくとも第２の絶縁樹脂組成物を硬化
させた後、接続用導体が露出するように絶縁樹脂を研磨
する工程を有する接続基板の製造方法。 （１６）接続用導体が露出するように絶縁樹脂を研磨し
た後に、第２の金属層を選択的に除去し、導体回路を形
成する工程を有する（１５）に記載の接続基板の製造方
法。 （１７）接続用導体が露出するように絶縁樹脂を研磨し
た後に、第２の金属層を全て除去する工程を有する（１
５）に記載の接続基板の製造方法。 （１８）複合金属層が、第１の金属層と第２の金属層と
さらに第３の金属層からなるものであり、第２の金属層
と第３の金属層の除去条件が異なるものを用いる（１
５）に記載の接続基板の製造方法。 （１９）接続用導体が露出するように絶縁樹脂を研磨し
た後に、第３の金属層を選択的に除去し、導体回路を形
成する工程を有する（１８）に記載の接続基板の製造方
法。 （２０）接続用導体が露出するように絶縁樹脂を研磨し
た後に、第３の金属層を全て除去する工程を有する（１
８）に記載の接続基板の製造方法。 （２１）第３の金属層を除去した後に、露出した第２の
金属層を除去する（１９）または（２０）に記載の接続
基板の製造方法。 （２２）接続用導体が露出するように絶縁樹脂を研磨し
た後に、露出した接続用導体の表面に導体を追加形成す
る工程を有する（１５）〜（２１）のうちいずれかに記
載した接続基板の製造方法。 （２３）接続用導体が露出するように絶縁樹脂を研磨し
た後に、露出した接続用導体の表面に、接触抵抗の小さ
い金属皮膜を形成する工程を有する（１５）〜（２１）
のうちいずれかに記載の接続基板の製造方法。 （２４）（１）〜（１４）のうちいずれかに記載の接続
基板と、少なくともその一方の面に形成された接着絶縁
層と、その接着絶縁層の表面に設けられた外層導体から
なり、その外層導体が接続用導体に接続された多層配線
板。 （２５）接着絶縁層が、シリコーン変性ポリアミドイミ
ドである（２４）に記載の多層配線板。 （２６）（１）〜（１４）のうちいずれかに記載の接続
基板を用いる多層配線板の製造方法。 （２７）接続用導体が露出するように絶縁樹脂を研磨し
た後に、露出した接続用導体の表面に、接着絶縁層と金
属箔を重ね、加熱・加圧して積層一体化する工程を有す
る（２６）に記載の多層配線板の製造方法。 （２８）接続用導体が露出するように絶縁樹脂を研磨し
た後に、露出した接続用導体の表面に、接着絶縁層と回
路導体を有する外層基板を重ね、加熱・加圧して積層一
体化する工程を有する（２６）または（２７）に記載の
多層配線板の製造方法。 （２９）外層基板に、絶縁層の一方の面に導体回路を有
し、他方の面に金属箔を有する基板を用いる（２８）に
記載の多層配線板の製造方法。 （３０）外層基板に、絶縁層の両面に導体回路を有する
基板を用いる（２８）に記載の多層配線板の製造方法。 （３１）外層基板に、両面の導体を接続するバイアホー
ルを有する基板を用いる（２８）〜（３０）のうちいず
れかに記載の多層配線板の製造方法。 （３２）外層基板に、基板の内部に内層回路を有する基
板を用いる（３０）に記載の多層配線板の製造方法。 （３３）接着絶縁層に、シリコーン変性ポリアミドイミ
ドを用いる（２６）〜（３２）のうちいずれかに記載の
多層配線板の製造方法。 （３４）加熱・加圧して積層一体化する工程の後に、外
層回路を形成する工程を有する（２６）〜（３３）のう
ちいずれかに記載の多層配線板の製造方法。 （３５）（１）〜（１４）のうちいずれかに記載の接続
基板を用いた半導体パッケージ用基板。 （３６）（２４）または（２５）に記載の多層配線板を
用いた半導体パッケージ用基板。 （３７）半導体チップを搭載する箇所にキャビティを有
する（３５）または（３６）に記載の半導体パッケージ
用基板。 （３８）（１５）〜（２３）及び（２６）〜（３３）の
うちいずれかに記載の方法を用いる半導体パッケージ用
基板の製造方法。 （３９）加熱・加圧して積層一体化する工程の後に、半
導体チップを搭載する箇所にキャビティを形成する工程
を有する（３８）に記載の半導体パッケージ用基板の製
造方法。 （４０）（１）〜（１４）のうちいずれかに記載の接続
基板、（２４）、（２５）のうちいずれかに記載の多層
配線板、及び（３４）〜（３９）のうちいずれかに記載
の半導体パッケージ用基板を用いた半導体パッケージ。 （４１）半導体チップを搭載した（４０）に記載の半導
体パッケージ。 （４２）（１５）〜（２３）、（２６）〜（３３）、
（３８）、及び（３９）のうちいずれかに記載の方法を
用いる半導体パッケージの製造方法。 （４３）半導体チップを搭載する工程を有する（４１）
に記載の半導体パッケージの製造方法。 （４４）半導体チップと外層回路とを接続する工程を有
する（４３）に記載の半導体パッケージの製造方法。 （４５）半導体チップを樹脂で封止する工程を有する
（４３）または（４４）に記載の半導体パッケージの製
造方法。

【０００８】

【発明の実施の形態】本発明に用いる絶縁樹脂には、半
硬化および／または硬化した熱硬化性樹脂、光硬化性樹
脂、熱可塑性樹脂などを用いることができる。熱硬化性
樹脂としては、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジ
ン樹脂、ポリイミド樹脂、シアノアクリレート樹脂、フ
ェノール樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、メラミン樹
脂、尿素樹脂、ポリイソシアネート樹脂、フラン樹脂、
レゾルシノール樹脂、キシレン樹脂、ベンゾグアナミン
樹脂、ジアリルフタレート樹脂、シリコーン変性エポキ
シ樹脂、シリコーン変性ポリアミドイミド樹脂、ベンゾ
シクロブテン樹脂、などのうちから選択された１種以上
と、必要な場合に、その硬化剤、硬化促進剤などを混合
したものを加熱し半硬化状にしたもの、あるいは、硬化
したものが使用できる。これらの樹脂を、直接、接続用
導体を形成した基板面に塗布することもできるが、ポリ
エチレンテレフタレートフィルムのようなプラスチック
フィルムや銅箔あるいはアルミニウム箔のような金属箔
をキャリアとし、その表面に塗布し、加熱乾燥してドラ
イフィルム状にした接着剤シートとして、必要な大きさ
に切断し、接続用導体を形成した基板にラミネートやプ
レスして用いることもできる。光硬化性樹脂としては、
不飽和ポリエステル樹脂、ポリエステルアクリレート樹
脂、ウレタンアクリレート樹脂、シリコーンアクリレー
ト樹脂、エポキシアクリレート樹脂、などのうちから選
択された１種以上と、必要な場合に、その光開始剤、硬
化剤、硬化促進剤などを混合したものを露光あるいは加
熱し半硬化状にしたもの、あるいは硬化したものが使用
できる。これらの樹脂を、直接、接続用導体を形成した
基板面に塗布することもできるが、ポリエチレンテレフ
タレートフィルムのようなプラスチックフィルムや銅箔
あるいはアルミニウム箔のような金属箔をキャリアと
し、その表面に塗布し、露光、加熱乾燥してドライフィ
ルム状にした接着剤シートとして、必要な大きさに切断
し、接続用導体を形成した基板にラミネートやプレスし
て用いることもできる。熱可塑性樹脂としては、ポリカ
ーボネート樹脂、ポリスルフォン樹脂、ポリエーテルイ
ミド樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、四フッ化ポリエチ
レン樹脂、六フッ化ポリプロピレン樹脂、ポリエーテル
エーテルケトン樹脂、塩化ビニル樹脂、ポリエチレン樹
脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリフェニレンスルフィド
樹脂、ポリオキシベンゾエート樹脂、などのうちから選
択された１種以上と、必要な場合に、その硬化剤、硬化
促進剤などを混合したものを加熱し半硬化状にしたも
の、あるいは硬化したものが使用できる。これらの樹脂
を、直接、接続用導体を形成した基板面に塗布すること
もできるが、ポリエチレンテレフタレートフィルムのよ
うなプラスチックフィルムや銅箔あるいはアルミニウム
箔のような金属箔をキャリアとし、その表面に塗布し、
加熱乾燥してドライフィルム状にした接着剤シートとし
て、必要な大きさに切断し、接続用導体を形成した基板
にラミネートやプレスして用いることもできる。これら
の接着性樹脂層は、または異種の樹脂の混合体であって
もよく、さらに、シリカや金属酸化物などの無機フィラ
ーを含むものでもよく、ニッケル、金、銀などの導電粒
子、あるいはこれらの金属をめっきした樹脂粒子であっ
てもよい。

【０００９】接続用導体には、配線導体として用いるも
のでよく、銅箔などの金属箔の不要な個所をエッチング
除去して形成することもでき、除去条件の異なる金属箔
の上に回路の形状にのみ無電解めっきで形成することも
できる。この接続用導体の厚さは、５〜１００μｍの範
囲であることが好ましい。厚さが５μｍ未満であると、
接続しようとする導体回路の距離が小さくなり、絶縁性
が低下することがあり、厚さが１００μｍを越えると、
金属箔の不要な箇所をエッチング除去するときの加工精
度が低下し、好ましくない。より好ましくは、２０〜８
０μｍの範囲である。さらには、その接続用導体上に、
バンプと呼ばれる突起状の導体を形成してもよい。この
バンプを形成するには、比較的厚い導体の突起部分以外
の個所を厚さ方向にハーフエエッチして突起の部分を形
成し、さらに薄くなった導体の回路部分を残してほかの
部分をエッチング除去することによって形成できる。ま
た、別の方法では、回路を形成した後に、接続端子の個
所だけめっきによって厚くする方法でも形成できる。

【００１０】この接続用導体が、２層以上の導体回路の
接続する箇所にのみ絶縁樹脂を厚さ方向に貫くように形
成されていることが重要であり、このことによって、従
来の技術のうち、エラストマにワイヤを埋め込んだ接続
ツールでは、一定間隔でワイヤが埋め込まれているの
で、接続を行う２層の回路導体の位置がすこしでもずれ
ると、接続ができなかったり、あるいは予定していない
箇所が接続されるおそれがあり、回路導体の精度が高
く、微細な回路の接続を行うことが困難であるのに対し
て、接続を予定されていない箇所に導体を形成しない本
発明の方法が、精度に優れた回路間の接続に適してい
る。

【００１１】接続基板１１は、例えば、図１（ａ）に示
すように、２層以上の導体回路１０１、１０２を接続す
る基板であって、絶縁樹脂１２と接続用導体１３からな
り、その接続用導体１３が、導体回路の接続する箇所に
のみ絶縁樹脂１２を厚さ方向に貫くように形成され、絶
縁樹脂１２の少なくとも一方の面から露出している構造
である。また、図１（ｂ）に示すように、絶縁樹脂１２
の一方の面に導体回路１０１を有するものでもよく、そ
の導体回路１０１が、図１（ｃ）に示すように、金属層
１１１であってもよい。また、図１（ｄ）に示すよう
に、絶縁樹脂１２の両面に接続用導体１３が露出してい
るものでもよい。この接続用導体１３の露出した部分
が、接触抵抗の小さい金属１１２で覆われていることが
好ましく、このような金属としては、金、白金、プラチ
ナ、ニッケルなどとこれらの金属を１種以上含む合金が
あり、２層以上の導体回路を接続するにあたって、接続
抵抗が小さく、接続信頼性が高い。

【００１２】また、絶縁樹脂１２には、上記の樹脂のう
ち、シリコーン変性ポリアミドイミドを含む異なる組成
の2種以上の絶縁樹脂を用いることが好ましい。このよ
うなシリコーン変性ポリアミドイミドは、シロキサン結
合、イミド結合及びアミド結合を有する重合体であり、
（１）シロキサン結合を有するジイミドジカルボン酸を
含むジイミドジカルボン酸（１−１）とジイソシアネー
ト化合物（１−２）を反応させる方法、（２）シロキサ
ン結合を有するジアミンを含むジアミン化合物（２−
２）とトリカルボン酸クロライド（２−３）を反応させ
る方法、（３）シロキサン結合を有するジイソシアネー
トを含むジイソシアネート化合物（３−１）とトリカル
ボン酸無水物（３−２）を反応させる方法等により製造
することができる。上記（１）の方法により得られるシ
リコーン変性ポリアミドイミドについて説明する。（１
−１）のシロキサン結合を有するジイミドジカルボン酸
を含むジイミドジカルボン酸には、次の化合物がある。
シロキサン結合を有するジイミドジカルボン酸以外のジ
イミドジカルボン酸のうちイミド基を連結する２価の残
基が芳香族ジイミドジカルボン酸の例として、

【化１】 また、シロキサン結合を有するジイミドジカルボン酸の
例として、１式においてＲ₁が２価の脂肪族基（酸素を
含んでいてもよい）のものがある。２価の脂肪族基とし
ては、プロピレン基、ヘキサメチレン基、オクタメチレ
ン基、デカメチレン基、オクタデカメチレン基等のアル
キレン基、アルキレン基の両端に酸素が結合した基など
がある。

【化２】 上記の２価の有機基としては、プロピレン基等のアルキ
レン基、フェニレン基、アルキル基置換フェニレン基等
がある。また、（１−２）ジイソシアネート化合物に
は、次の化合物がある。芳香族ジイソシアネート化合物
として、

【化３】 また、Ｒ₉としては、アルキレン基等の２価の脂肪族基
又はシクロアルキレン基等の２価の脂環式基がある脂肪
族ジイソシアネート化合物又は脂環式ジイソシアネート
化合物。 〔製造法〕シロキサン結合を有するジイミドジカルボン
酸及びそれ以外のジイミドジカルボン酸は、それぞれ、
シロキサン結合を有するジアミン化合物及びこれ以外の
ジアミンと無水トリメリット酸を反応させて得ることが
できる。シロキサン結合を有するジイミドジカルボン酸
及びそれ以外のジイミドジカルボン酸は混合物として使
用することが好ましい。シロキサン結合を有するジアミ
ン化合物及びこれ以外のジアミンの混合物と無水トリメ
リット酸を反応させて得られるジイミドジカルボン酸混
合物を使用することが特に好ましい。シロキサン結合を
有するジアミン化合物以外のジアミンとしては、芳香族
ジアミンが好ましく、特に、芳香族環を３個以上有する
ジアミンが好ましい。シロキサン結合を有するジアミン
化合物以外のジアミンのうち芳香族ジアミンが５０〜１
００モル％になるように使用することが好ましい。ま
た、（Ａ）シロキサン結合を有するジアミン化合物以外
のジアミン及び（Ｂ）シロキサンジアミンは（Ａ）／
（Ｂ）が９９．９／０．１〜０．１／９９．９モル比）
となるように使用することが好ましい。さらに、（Ａ）
シロキサン結合を有するジアミン化合物以外のジアミン
及び（Ｂ）シロキサンジアミンと無水トリメリット酸
は、（Ａ）＋（Ｂ）の合計１モルに対して無水トリメリ
ット酸２．０５〜２．２０の割合で反応させることが好
ましい。ジイソシアネート化合物としては、芳香族ジイ
ソシアネート化合物が好ましく、ジイソシアネート化合
物のうち芳香族ジイソシアネート化合物を５０〜１００
モル％使用することが好ましい。ジイミドジカルボン酸
全体とジイソシアネート化合物とは前者１モルに対して
後者１．０５〜１．５０モルになるように反応させるこ
とが好ましい。ジアミン化合物と無水トリメリット酸と
は、非プロトン性極性溶媒の存在下に、５０〜９０℃で
反応させ、さらに水と共沸可能な芳香族炭化水素を非プ
ロトン性極性溶媒の０．１〜０．５重量比で投入し、１
２０〜１８０℃で反応を行い、イミドジカルボン酸とシ
ロキサンジイミドジカルボン酸を含む混合物を製造し、
これとジイソシアネート化合物との反応を行うことが好
ましい。ジイミドジカルボン酸を製造した後、その溶液
から芳香族炭化水素を除去することが好ましい。イミド
ジカルボン酸とジイソシアネート化合物との反応温度
は、低いと反応時間が長くなることや、高すぎるとイソ
シアネート同士で反応するのでこれらを防止するため、
１００〜２００℃で反応させることが好ましい。 〔例示〕芳香族ジアミンとしては、フェニレンジアミ
ン、ビス（４−アミノフェニル）メタン、２，２−ビス
（４−アミノフェニル）プロパン、ビス（４−アミノフ
ェニル）カルボニル、ビス（４−アミノフェニル）スル
ホン、ビス（４−アミノフェニル）エーテル等があり、
特に、芳香族環を３個以上有するジアミンとしては、
２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］プロパン（以下、ＢＡＰＰと略す）、ビス［４−
（３−アミノフェノキシ）フェニル］スルホン、ビス
［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］スルホン、
２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］ヘキサフルオロプロパン、ビス［４−（４−アミノ
フェノキシ）フェニル］メタン、４，４’−ビス（４−
アミノフェノキシ）ビフェニル、ビス［４−（４−アミ
ノフェノキシ）フェニル］エーテル、ビス［４−（４−
アミノフェノキシ）フェニル］ケトン、１，３−ビス
（４−アミノフェノキシ）ベンゼン等がある。脂肪族ジ
アミンとしては、ヘキサメチレンジアミン、オクタメチ
レンジアミン、デカメチレンジアミン、オクタデカメチ
レンジアミン、末端アミノ化プロピレングリコール等が
ある。また、脂環式ジアミンとしては、１，４−ジアミ
ノシクロヘキサン等がある。シロキサンジアミンとして
は一般式（４式）で表されるものが用いられる。

【化４】 このようなシロキサンジアミンとしては（５式）で示す
ものが挙げられ、これらの中でもジメチルシロキサン系
両末端アミンであるアミノ変性反応性シリコーンオイル
Ｘ−２２−１６１ＡＳ（アミン当量４５０）、Ｘ−２２
−１６１Ａ（アミン当量８４０）、Ｘ−２２−１６１Ｂ
（アミン当量１５００）、以上信越化学工業株式会社製
商品名、ＢＹ１６−８５３（アミン当量６５０）、ＢＹ
１６−８５３Ｂ（アミン当量２２００）以上東レダウコ
ーニングシリコーン株式会社製商品名などが市販品とし
て挙げられる。

【化５】 芳香族ジイソシアネートとして具体的には、４，４’−
ジフェニルメタンジイソシアネート（以下ＭＤＩと略
す）、２，４−トリレンジイソシアネート、２，６−ト
リレンジイソシアネート、ナフタレン−１，５−ジイソ
シアネート、２，４−トリレンダイマー等が例示でき
る。特にＭＤＩは、分子構造においてイソシアネート基
が離れており、ポリアミドイミドの分子中におけるアミ
ド基やイミド基の濃度が相対的に低くなり、溶解性が向
上するため好ましい。脂肪族又は脂環式ジイソシアネー
トとしては、ヘキサメチレンジイソシアネート、イソホ
ロンジイソシアネート、メチレンビス（シクロヘキシル
ジイソシアネート）等がある。非プロトン性極性溶媒と
して、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、
ジメチルスルホキシド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、
４−ブチロラクトン、スルホラン、シクロヘキサノン等
が例示できる。イミド化反応には、高温を要するため沸
点の高い、Ｎ−メチル−２−メチルピロリドン（以下Ｎ
ＭＰと略す）が、特に好ましい。これらの混合溶媒中に
含まれる水分量はＴＭＡが水和して生成するトリメリッ
ト酸により、充分に反応が進行せず、ポリマの分子量低
下の原因になるため０．２重量％以下で管理されている
ことが好ましい。また、本発明で使用する非プロトン性
極性溶媒は、特に制限されないが、芳香族環を３個以上
有するジアミンとシロキサンジアミン及び無水トリメリ
ット酸を合わせた重量の割合が、多いと無水トリメリッ
ト酸の溶解性が低下し充分な反応が行えなくなること
や、低いと工業的製造法として不利であることから、１
０重量％〜７０重量％の範囲になることが好ましい。水
と共沸可能な芳香族炭化水素として、ベンゼン、キシレ
ン、エチルベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素が例
示でき、特に沸点が比較的低く、作業環境上有害性の少
ないトルエンが好ましく、使用量は、非プロトン性極性
溶媒の０．１〜０．５重量比（１０〜５０重量％）の範
囲が好ましい。つぎに、前記（２）の方法により得られ
るシリコーン変性ポリアミドイミドについて説明する。 （２−２）シロキサン結合を有するジアミンを含むジア
ミン化合物として、前記した（５式）で示される化合物
がある。その他のジアミンは、前記したものが使用でき
る。 （２−３）トリカルボン酸クロライドとして、トリメリ
ット酸クロライド等がある。製造法は、良く知られた酸
クロライド法により製造することができる。つぎに、前
記（３）の方法により得られるシリコーン変性ポリアミ
ドイミドについて説明する。 （３−１）シロキサン結合を有するジイソシアネートを
含むジイソシアネート化合物として、前記（４式）で示
されるシロキサンジアミンに対応するジイソシアネート
化合物がある。その他のジイソシアネート化合物は、前
記したものを使用することができる。 （３−２）トリカルボン酸無水物として、無水トリメリ
ット酸等がある。製造法は、従来から良く知られたジア
ミン化合物とジイソシアネート化合物の反応により製造
することができる。

【００１３】このような接続基板を作製するには、例え
ば、図２（ａ）に示すように、少なくとも、接続導体と
なる第１の金属層２１と、その第１の金属層２１と除去
条件の異なる第２の金属層２２からなる複合金属層２３
の、第１の金属層２１を選択的に除去し、図２（ｂ）に
示すように、２層以上の導体回路１０１の接続する箇所
にのみ接続用導体１３を形成し、図２（ｃ）に示すよう
に、その接続用導体１３を埋めるように絶縁樹脂１２１
および１２２を順次形成し、図２（ｄ）に示すように、
接続用導体１３が露出するように絶縁樹脂１２（１２
１、１２２）を研磨する。第１の金属層２１の厚さは、
接続用導体１３を形成するので、それよりも厚くしなけ
ればならず、その程度は、次の工程の絶縁樹脂１２（１
２１、１２２）の研磨工程で第１の金属層２１が研磨除
去される量に応じて決めなければならない。したがっ
て、第１の金属層２１の厚さは、５〜１００μｍの範囲
であることが好ましい。厚さが５μｍ未満であると、接
続しようとする導体回路の距離が小さくなり、絶縁性が
低下することがあり、厚さが１００μｍを越えると、金
属箔の不要な箇所をエッチング除去するときの加工精度
が低下し、好ましくない。より好ましくは、２０〜８０
μｍの範囲である。第２の金属層２２の厚さは、５〜１
００μｍの範囲であることが好ましく、厚さが５μｍ未
満であると機械的強度が低下し、第１の金属層２１を選
択的にエッチング除去したときに折れたり曲がりやすく
なり、１００μｍを越えても特に問題はないが、その後
に第２の金属層２２を全面に除去するときに、時間がか
かり経済的でない。より好ましくは２０〜８０μｍの範
囲である。

【００１４】さらには、図１（ａ）に示す接続基板を作
製するには、接続用導体１３が露出するように絶縁樹脂
１２（１２１、１２２）を研磨した後に、第２の金属層
２２を全て除去すればよく、図１（ｂ）に示すような接
続基板を作製するには、その第２の金属層２２を選択的
に除去し、導体回路１０１を形成することができる。

【００１５】複合金属層が、第１の金属層２１と第２の
金属層２２とさらに第３の金属層２３からなるものであ
り、第２の金属層２２と第３の金属層２３の除去条件が
異なるものを用いることもできる。このようにする理由
としては、第１の金属層２１と第２の金属層２２のみで
複合金属層を構成するのが経済的でないからである。と
いうのも、第１の金属層２１には、経済的な理由から、
銅を用いるのが好ましく、その銅とエッチング除去条件
の異なる第２の金属層２２としては、ニッケルやその合
金を用いるのが好ましいが、ニッケルやその合金は銅に
比べて高価であり、銅である第１の金属層２１を選択的
にエッチング除去して接続導体１３を形成したときに、
その支えとなる第２の金属層２２は、機械的強度が高く
なければならず、従って厚い第２の金属層２２を必要と
するが、高価な金属を大量に使用しなければならず、経
済的でない。そこで、エッチング除去条件の異なる第２
の金属層２２を薄くして、機械的強度を高めるために第
３の金属層２３を用いるものである。このような複合金
属層は、第２の金属層２２は薄い方がよく、０．０５〜
５μｍの範囲であることが好ましい。０．０５μｍ未満
であると、ニッケルやその合金の層を形成するめっき膜
に析出欠陥があると薄いために十分にめっき膜で覆われ
ないので、いわゆるピット（めっき欠け）が発生し、第
１の金属層２１をエッチング除去するときに、第３の金
属層２３も浸食されたり、そのエッチング液が残り、接
続の信頼性が低下するおそれがある。５μｍを越えても
工程上では支障がないが、材料の費用が高くなり、経済
的でない。第３の金属層２３の厚さは、５〜１００μｍ
の範囲であることが好ましく、厚さが５μｍ未満である
と機械的強度が低下し、第１の金属層２１を選択的にエ
ッチング除去したときに折れたり曲がりやすくなり、１
００μｍを越えても特に問題はないが、その後に第３の
金属層２３を全面に除去するときに、時間がかかり経済
的でない。より好ましくは２０〜８０μｍの範囲であ
る。

【００１６】この３層の複合金属層を用いた場合、接続
用導体１３が露出するように絶縁樹脂層１２（１２１、
１２２）を研磨した後に、第３の金属層２３を選択的に
除去し、導体回路１０２を形成することができる。ま
た、接続用導体１３が露出するように絶縁樹脂１２（１
２１、１２２）を研磨した後に、第３の金属層２３を全
て除去することもできる。第３の金属層２３を除去した
後に、露出した第２の金属層２２を除去することがで
き、導体回路１０２を形成した場合には、導体回路１０
２でない箇所の第２の金属層２２を除去でき、第３の金
属層２３を全て除去したときには、第２の金属層２２も
全て除去することができる。

【００１７】絶縁樹脂１２（１２１、１２２）から接続
用導体１３が露出した構造とするには、単に、絶縁樹脂
１２（１２１、１２２）を研磨するだけでもよく、研磨
のときの樹脂層の研磨量と金属の研磨量の違いで樹脂層
がよけいに研磨されることが多いので、簡便である。さ
らには、接続用導体１３が露出するように絶縁樹脂層１
２（１２１、１２２）を研磨した後に、露出した接続用
導体１３の表面に導体を追加形成することもでき、露出
部が大きくなるので、その上に導体回路１０１や１０２
を重ねたときに、接続用導体１３が導体回路１０１，１
０２に埋まり、接続が強固に行われるので好ましい。ま
た、接続用導体１３が露出するように絶縁樹脂１２（１
２１、１２２）を研磨した後に、露出した接続用導体１
３の表面に、接触抵抗の小さい金属皮膜１１２を形成す
れば、接続抵抗を小さくでき、より好ましい。

【００１８】本発明は、図３に示すように、上記に記載
の接続基板１１と、少なくともその一方の面に形成され
た接着絶縁層３０と、その接着絶縁層３０の表面に設け
られた外層導体３１からなり、その外層導体３１が接続
用導体１３に接続された多層配線板を提供する。この接
着絶縁層３０は、接続基板１１の接続用導体１３の露出
した高さより薄くすることが好ましい。このときの接着
絶縁層３０には、前述の接続基板の絶縁基板と同じ樹脂
を用いることもでき、シリコーン変性ポリアミドイミド
を用いることもできる。その厚さは、１〜１００μｍの
範囲であることが好ましく、１μｍ未満では、絶縁樹脂
を接着強度が低下しない程度に均一な厚さに形成するの
が困難となり、１００μｍを越えると、接続用導体３の
露出部の形成が困難になる。より好ましくは、３〜７０
μｍの範囲である。

【００１９】このような方法を用いて、外層導体３１を
回路の形状に加工すれば、多層配線板を製造することも
できる。さらには、外層導体３１に代えて、両面に回路
を有する基板や、その内部に内層回路を有する多層基板
を用いることができる。

【００２０】前述の接続基板を用いて、半導体パッケー
ジ用基板とすることができ、また、前述の多層配線板を
用いて、半導体パッケージ用基板とすることもできる。
さらには、半導体チップを搭載する箇所にキャビティを
有するものであってもよい。

【００２１】このような半導体パッケージは、前述の方
法を用いて製造することができ、さらに、加熱・加圧し
て積層一体化する工程の後に、半導体チップを搭載する
箇所にキャビティを形成する工程を設けてもよい。

【００２２】前述の接続基板、多層配線板、及び半導体
パッケージ用基板を用いて、半導体パッケージとするこ
とができ、このような半導体パッケージは、前述の方法
を用いて製造することができ、半導体チップを搭載する
工程を設けてもよく、また、半導体チップと外層回路と
を接続する工程を設けてもよい。さらには、半導体チッ
プを樹脂で封止する工程を設けてもよい。

【００２３】

【実施例】実施例１ 図４（ａ）に示すように、第１の金属層４１が厚さ７０
μｍの銅であり、第２の金属層４２が厚さ０．２μｍの
ニッケルであり、第３の金属層４３が厚さ３５μｍの銅
からなる複合金属層４を準備し、図４（ｂ）に示すよう
に、第１の金属層４１の表面に、接続用導体１３の形状
にエッチングレジスト４４を形成し、図４（ｃ）に示す
ように、ニッケルを浸食しないエッチング液であるアル
カリエッチングＡプロセス液（メルストリップ社製、商
品名）をスプレー噴霧して、第１の金属層４１を選択的
にエッチング除去して、接続用導体１３を形成した。こ
の時のエッチングレジスト４４には、レジスト４０１ｙ
２５（日本合成化学工業株式会社製、商品名）を用い、
ロール温度１１０℃、ロール速度は０．６ｍ／ｍｉｎの
条件でレジストをラミネートし、積算露光量約８０ｍＪ
／ｃｍ²の露光条件で焼き付け、炭酸ナトリウム溶液で
現像し、レジストの密着を確実なものとするために２０
０ｍＪ／ｃｍ²で後露光した。第１の金属層４１を選択
的にエッチング除去して接続用導体１３を形成した後、
水酸化ナトリウム溶液でエッチングレジスト４４を剥離
・除去した。次に、同じく図４（ｃ）に示すように、こ
のようにして作製した接続用導体１３付き複合金属箔
の、接続用導体１３の側に、絶縁樹脂１２１として、ま
ず、前記シリコーン変性ポリアミドイミドからなる液状
の樹脂をスピンコートにより塗膜形成した。また、未硬
化したシートをプレスあるいはラミネートして、接続用導
体１３の側に絶縁膜を形成することもできる。プレスで
は、接続用導体１３に絶縁樹脂が充分追従するように絶
縁樹脂の裏面から離型フィルムを介してゴムシートをあ
てがうことが有効である。その後、図４（ｄ）に示すよ
うに、加圧成形後の厚さが４５μｍとなる、ガラス不織
布にエポキシ樹脂を含浸させたプリプレグであるＥ６７
９−Ｐ（日立化成工業株式会社製、商品名）を重ね、さ
らにその絶縁樹脂１２２の表面を平滑にするために、厚
さ１８μｍの銅箔４５を、その粗化されていない側の面
が絶縁樹脂１２２に接するように重ね、１８５℃の温度
と、４ＭＰａの圧力を、４０分間加えて、加熱・加圧し
て積層一体化し、厚さ１８μｍの銅箔４５を手で剥離し
た。その後に、図４（ｅ）に示すように、絶縁樹脂１２
（１２１、１２２）を、水溶性オリーブオイルおよびエ
チレングリコールを主成分とし、径が３〜６μｍのダイ
アモンド粒子を混合した砥粒液で、研磨して、接続用導
体１３を露出させた。この後、図４（ｆ）に示すよう
に、第３の金属層４３を、第１の金属層４１と同じエッ
チング液で全面にエッチング除去し、さらに、ニッケル
のエッチング液であるメルストリップＮ９５０（メルテ
ックス社製、商品名）を用いて、第２の金属層４２をエ
ッチング除去し、接続用導体１３が露出した接続基板１
１を作製した。図４（e）の研磨工程では、図５に示す
様に、ロール研磨で両面を一度に研磨することができ
る。図５（ａ）に示すように、１ｍｍ厚さのエポキシ基
板５０の両面に、レシ゛ストフィルムを形成し、露光により粘着
力を調整した支持基板を用意し、この両面に、図５
（ｂ）が示すように、接続用導体が露出していない基板
４６をロール熱圧着で仮固定した。次に、図５（ｃ）で
示す様に、回転する研磨ロール５６の間隙を荷重および
回転速度を調整して、通過研磨させた。研磨後、上記支
持基板のレシ゛スト界面から基板４６は容易に離脱できた。
これにより生産性が飛躍的に向上することが確かめられ
た。この後、第３の金属層４３、第２の金属層４２を選
択的にエッチングして、図２（ｄ）や図４（ｆ）に示す
ような2種類の絶縁樹脂を層方向に貫通した接続用導体
１３を内蔵する基板を得た。

【００２４】実施例２ 実施例１の、基板表面に、めっきレジスト６１を形成
し、無電解めっきによって、図６（ａ）に示すように、
導体回路６０１を形成した接続基板１１を作製した。絶
縁樹脂1２には、以下の方法によって作成したポリアミ
ドイミドのフィルムを用いた。環流冷却器を連結したコ
ック付き２５ｍｌの水分定量受器、温度計、撹拌器を備
えた１リットルのセパラブルフラスコに芳香族環を３個
以上有するジアミンとしてＢＡＰＰ（２，２−ビス［４
−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン）６
５．７ｇ（０．１６モル）、シロキサンジアミンとして
反応性シリコンオイルＸ−２２−１６１ＡＳ（信越化学
工業株式会社製商品名、アミン当量４１６）３３．３ｇ
（０．０４モル）、ＴＭＡ（無水トリメリット酸）８
０．７ｇ（０．４２モル）を、非プロトン性極性溶媒と
してＮＭＰ（Ｎ−メチル−２−ピロリドン）５６０ｇを
仕込み、８０℃で３０分間撹拌した。そして水と共沸可
能な芳香族炭化水素としてトルエン１００ｍｌを投入し
てから温度を上げ約１６０℃で２時間環流させた。水分
定量受器に水が約７．２ｍｌ以上たまっていること、水
の流出が見られなくなっていることを確認し、水分定量
受器にたまっている流出液を除去しながら、約１９０℃
まで温度を上げて、トルエンを除去した。その後、溶液
を室温に戻し、芳香族ジイソシアネートとしてＭＤＩ
（４，４’−ジフェニルメタンジイソシアネート）６
０．１ｇ（０．２４ｍｏｌ）を投入し、１９０℃で２時
間反応させた。反応終了後、シロキサン含有ポリアミド
イミドのＮＭＰ溶液を得た。この溶液ワニスをガラス板
に塗布し１５０℃で３０分乾燥した後、フィルムをガラ
ス板から剥がして、さらに１８０℃で１時間加熱し、厚
さ約４０μｍのシロキサン含有ポリアミドイミドのフィ
ルムを得た。

【００２５】実施例３ 実施例１の接続用導体１３が露出するように絶縁樹脂１
２を研磨した後に、露出した接続用導体１３の表面に、
無電解銅めっき液であるＬ−５９めっき液（日立化成工
業株式会社製、商品名）を用いて、図５（ｂ）に示すよ
うに、厚さ５μｍの導体１３を追加形成した。

【００２６】実施例４ 実施例１の接続用導体１３が露出するように絶縁樹脂１
２を研磨した後に、露出した接続用導体１３の表面に、
図５（ｃ）に示すように、接触抵抗の小さい金属皮膜１
１２として、厚さ５μｍのニッケル下地めっきと、厚さ
０．３μｍの金めっきを形成した。

【００２７】実施例５ 実施例１で作製した接続基板１１の露出した接続用導体
１３の両面に、接着絶縁層６２として、厚さ１０μｍの
エポキシ系接着剤１５と、厚さ１８μｍの銅箔を重ね、
１８０℃の温度と、２ＭＰａの圧力を加えて、加熱・加
圧して積層一体化し、銅箔の不要な箇所を、選択的にエ
ッチング除去して外層回路６３を形成し、図５（ｄ）に
示すように、配線板を作製した。

【００２８】実施例６ 実施例１で作製した接続基板１１の露出した接続用導体
１３の表面に、実施例５と同じエポキシ系接着剤６２
と、回路導体６４を有する外層基板６５を重ね、180℃
の温度と、4.5ＭＰａの圧力を加えて、加熱・加圧して
積層一体化して、図５（ｅ）に示すように、多層配線板
を作製した。このときの外層基板６５は、厚さ０．１ｍ
ｍのガラス布にエポキシ樹脂を含浸させたプリプレグの
両面に厚さ１８μｍの銅箔を重ねて、加熱・加圧して積
層一体化した両面銅張り積層板に、穴をあけ、薄く無電
解銅めっきし、厚さ２５μｍに電解銅めっきした後に、
不要な銅部分を、レジストを形成して、選択的にエッチ
ング除去した両面回路板を用いた。

【００２９】実施例７ 実施例１で作製した接続基板１１の露出した接続用導体
１３の一方の面にめっきレジスト６１を形成して無電解
めっきで回路導体６０１を形成し、他方の面には、実施
例５と同じエポキシ系接着剤６２と、外層基板６６を重
ね、１８０℃の温度と、４．５ＭＰａの圧力を加えて、
加熱・加圧して積層一体化し、外層基板６６の外層回路
６７と接続し、図５（ｆ）に示すように、多層配線板を
作製した。このときの外層基板６６は、厚さ０．１ｍｍ
のガラス布にエポキシ樹脂を含浸させたプリプレグの両
面に厚さ１８μｍの銅箔を重ねて、加熱・加圧して積層
一体化した両面銅張り積層板の、バイアホールを形成す
る箇所の銅箔のみをエッチング除去して開口部を形成
し、その開口部に、レーザ加工機を用いて、照射エネル
ギ１００ｍＪ／ｃｍ²、パルス幅５０μｓｅｃ、ショッ
ト数５ショット／ｓｅｃの条件で穴あけを行い、過マン
ガン酸溶液でスミア処理し、無電解めっきで厚さ２０μ
ｍのめっきを行って、両面の銅箔を接続し、その銅箔の
不要な箇所を選択的にエッチング除去して、外層回路６
７を形成した。

【００３０】実施例８ 実施例７で作製した多層配線板に、半導体チップを搭載
し、ワイヤボンディングで外層回路９５と半導体チップ
を接続し、エポキシ樹脂で半導体チップと、ワイヤボン
ディングした箇所とを封止し、半導体パッケージとし
た。

【００３１】実施例９ 実施例７の片面に導体層を形成した後に、半導体チップ
を搭載する箇所に、ルータで開口部を形成し、キャビテ
ィとし、外層回路を形成した後に、そのキャビティ部分
に半導体チップを貼り付け、ワイヤボンディングで外層
回路と半導体チップを接続し、エポキシ樹脂で半導体チ
ップと、ワイヤボンディングした箇所とを封止し、半導
体パッケージとした。

【００３２】

【発明の効果】以上に説明したように、本発明によっ
て、精度に優れ、強度に優れ、接続信頼性に優れ、かつ
必要な箇所のみの接続の行える接続基板とその接続基板
を用いた多層配線板と半導体パッケージ用基板と半導体
パッケージ並びに効率よくこれらを製造する方法を提供
することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の実施例を説明する
ための断面図である。

【図２】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の一実施例工程を説
明するための断面図である。

【図３】本発明の他の実施例を示す断面図である。

【図４】（ａ）〜（ｆ）は、本発明の他の実施例を示す
各工程における断面図である。

【図５】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の研磨工程を示す断
面図である。

【図６】（ａ）〜（ｆ）は、本発明の他の実施例を示す
各工程における断面図である。

【符号の説明】

１１：接続基板 １２：絶縁樹脂 １３：接続用導体 １０１、１０
２：導体回路 １１１：金属層 １１２：接触抵
抗の小さい金属 １２１：絶縁樹脂 １２２：絶縁樹
脂 ２１：第１の金属層 ２２：第２の金
属層 ２３：複合金属層 ３０：接着絶縁
層 ３１：外層導体 ４：複合金属箔 ４１：第１の金属層 ４２：第２の金
属層 ４３：第３の金属層 ４４：エッチン
グレジスト ４５：銅箔 ４６：接続導体
が露出していない基板 ５０：エポキシ基板 ５１：レジスト ５６：研磨ロール ６１：めっきレ
ジスト ６２：接着絶縁層 ６３：外層回路 ６４：回路導体 ６５：外層基板 ６６：外層基板 ６７：外層回路 ６０１：導体回路

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｋ 1/03 ６３０ Ｈ０５Ｋ 3/46 Ｎ 3/46 Ｔ Ｈ０１Ｌ 23/12 Ｎ 23/14 Ｒ (72)発明者 中祖 昭士 茨城県下館大字小川1500番地 日立化成工 業株式会社総合研究所内 (72)発明者 高野 希 茨城県下館大字小川1500番地 日立化成工 業株式会社総合研究所内 (72)発明者 馬場 日男 茨城県下館大字小川1500番地 日立化成工 業株式会社総合研究所内 Ｆターム(参考） 5E317 AA24 BB02 BB12 CD25 GG16 5E346 AA43 CC04 CC09 CC10 CC32 DD12 DD32 EE09 EE13 FF22 GG22 HH33 (54)【発明の名称】 接続基板とその接続基板を用いた多層配線板と半導体パッケージ用基板と半導体パッケージ並び に接続基板の製造方法とその方法を用いた多層配線板の製造方法と半導体パッケージ用基板の製 造方法と半導体パッケージの製造方法

Claims (45)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】絶縁樹脂と接続用導体からなる基板であっ
   て、その絶縁樹脂が２以上の絶縁樹脂組成物からなる接
   続基板。
2. 【請求項２】一方の絶縁樹脂が少なくとも接続用導体の
   側面を覆っている請求項１に記載の接続基板
3. 【請求項３】２以上の絶縁樹脂組成物が、硬化の異なる
   同じ種類の樹脂である請求項１または２に記載の接続基
   板。
4. 【請求項４】２以上の絶縁樹脂組成物が、充填剤を含む
   量が異なる樹脂である請求項１〜３のうちいずれかに記
   載の接続基板。
5. 【請求項５】２以上の絶縁樹脂組成物が、少なくとも１
   の樹脂は充填剤を含まず、他の樹脂は含むものである請
   求項１〜３のうちいずれかに記載の接続基板。
6. 【請求項６】２以上の絶縁樹脂組成物が、充填剤の種類
   の異なる請求項１〜５のうちいずれかに記載の接続基
   板。
7. 【請求項７】充填剤の種類の違いが、粒子径の異なるも
   のである請求項６に記載の接続基板。
8. 【請求項８】充填剤の種類の違いが、粒子形状の異なる
   ものである請求項６に記載の接続基板。
9. 【請求項９】充填剤の種類の違いが、比重の異なるもの
   である請求項６に記載の接続基板。
10. 【請求項１０】絶縁樹脂組成物の違いが、樹脂の種類の
    違いである請求項１〜９のうちいずれかに記載の接続基
    板。
11. 【請求項１１】基板の少なくとも一方の面に導体回路を
    有する請求項１〜１０のうちいずれかに記載の接続基
    板。
12. 【請求項１２】導体回路が金属層である請求項１〜１１
    のうちいずれかに記載の接続基板。
13. 【請求項１３】接続用導体の露出した部分が、接触抵抗
    の小さい金属で覆われている請求項１〜１２のうちいず
    れかに記載の接続基板。
14. 【請求項１４】一方の絶縁樹脂が、シリコーン変性ポリ
    アミドイミドである請求項１〜１３のうちいずれかに記
    載の接続基板。
15. 【請求項１５】少なくとも、キャリアとなる第２の金属
    層と、その第２の金属層と除去条件の異なる第１の金属
    層からなる複合金属層の、第１の金属層を選択的に除去
    して接続用導体を形成し、少なくともその接続用導体の
    側面を覆うように薄く第１の絶縁樹脂組成物を形成し、
    その表面に第２の絶縁樹脂組成物をその接続用導体が埋
    没するように形成し、少なくとも第２の絶縁樹脂組成物
    を硬化させた後、接続用導体が露出するように絶縁樹脂
    を研磨する工程を有する接続基板の製造方法。
16. 【請求項１６】接続用導体が露出するように絶縁樹脂を
    研磨した後に、第２の金属層を選択的に除去し、導体回
    路を形成する工程を有する請求項１５に記載の接続基板
    の製造方法。
17. 【請求項１７】接続用導体が露出するように絶縁樹脂を
    研磨した後に、第２の金属層を全て除去する工程を有す
    る請求項１５に記載の接続基板の製造方法。
18. 【請求項１８】複合金属層が、第１の金属層と第２の金
    属層とさらに第３の金属層からなるものであり、第２の
    金属層と第３の金属層の除去条件が異なるものを用いる
    請求項１５に記載の接続基板の製造方法。
19. 【請求項１９】接続用導体が露出するように絶縁樹脂を
    研磨した後に、第３の金属層を選択的に除去し、導体回
    路を形成する工程を有する請求項１８に記載の接続基板
    の製造方法。
20. 【請求項２０】接続用導体が露出するように絶縁樹脂を
    研磨した後に、第３の金属層を全て除去する工程を有す
    る請求項１８に記載の接続基板の製造方法。
21. 【請求項２１】第３の金属層を除去した後に、露出した
    第２の金属層を除去する請求項１９または２０に記載の
    接続基板の製造方法。
22. 【請求項２２】接続用導体が露出するように絶縁樹脂を
    研磨した後に、露出した接続用導体の表面に導体を追加
    形成する工程を有する請求項１５〜２１のうちいずれか
    に記載した接続基板の製造方法。
23. 【請求項２３】接続用導体が露出するように絶縁樹脂を
    研磨した後に、露出した接続用導体の表面に、接触抵抗
    の小さい金属皮膜を形成する工程を有する請求項１５〜
    ２１のうちいずれかに記載の接続基板の製造方法。
24. 【請求項２４】請求項１〜１４のうちいずれかに記載の
    接続基板と、少なくともその一方の面に形成された接着
    絶縁層と、その接着絶縁層の表面に設けられた外層導体
    からなり、その外層導体が接続用導体に接続された多層
    配線板。
25. 【請求項２５】接着絶縁層が、シリコーン変性ポリアミ
    ドイミドである請求項２４に記載の多層配線板。
26. 【請求項２６】請求項１〜１４のうちいずれかに記載の
    接続基板を用いる多層配線板の製造方法。
27. 【請求項２７】接続用導体が露出するように絶縁樹脂を
    研磨した後に、露出した接続用導体の表面に、接着絶縁
    層と金属箔を重ね、加熱・加圧して積層一体化する工程
    を有する請求項２６に記載の多層配線板の製造方法。
28. 【請求項２８】接続用導体が露出するように絶縁樹脂を
    研磨した後に、露出した接続用導体の表面に、接着絶縁
    層と回路導体を有する外層基板を重ね、加熱・加圧して
    積層一体化する工程を有する請求項２６または２７に記
    載の多層配線板の製造方法。
29. 【請求項２９】外層基板に、絶縁層の一方の面に導体回
    路を有し、他方の面に金属箔を有する基板を用いる請求
    項２８に記載の多層配線板の製造方法。
30. 【請求項３０】外層基板に、絶縁層の両面に導体回路を
    有する基板を用いる請求項２８に記載の多層配線板の製
    造方法。
31. 【請求項３１】外層基板に、両面の導体を接続するバイ
    アホールを有する基板を用いる請求項２８〜３０のうち
    いずれかに記載の多層配線板の製造方法。
32. 【請求項３２】外層基板に、基板の内部に内層回路を有
    する基板を用いる請求項３０に記載の多層配線板の製造
    方法。
33. 【請求項３３】接着絶縁層に、シリコーン変性ポリアミ
    ドイミドを用いる請求項２６〜３２のうちいずれかに記
    載の多層配線板の製造方法。
34. 【請求項３４】加熱・加圧して積層一体化する工程の後
    に、外層回路を形成する工程を有する請求項２６〜３３
    のうちいずれかに記載の多層配線板の製造方法。
35. 【請求項３５】請求項１〜１４のうちいずれかに記載の
    接続基板を用いた半導体パッケージ用基板。
36. 【請求項３６】請求項２４または２５に記載の多層配線
    板を用いた半導体パッケージ用基板。
37. 【請求項３７】半導体チップを搭載する箇所にキャビテ
    ィを有する請求項３５または３６に記載の半導体パッケ
    ージ用基板。
38. 【請求項３８】請求項１５〜２３及び請求項２６〜３３
    のうちいずれかに記載の方法を用いる半導体パッケージ
    用基板の製造方法。
39. 【請求項３９】加熱・加圧して積層一体化する工程の後
    に、半導体チップを搭載する箇所にキャビティを形成す
    る工程を有する請求項３８に記載の半導体パッケージ用
    基板の製造方法。
40. 【請求項４０】請求項１〜１４のうちいずれかに記載の
    接続基板、請求項２４、２５のうちいずれかに記載の多
    層配線板、及び請求項３４〜３９のうちいずれかに記載
    の半導体パッケージ用基板を用いた半導体パッケージ。
41. 【請求項４１】半導体チップを搭載した請求項４０に記
    載の半導体パッケージ。
42. 【請求項４２】請求項１５〜２３、請求項２６〜３３、
    請求項３８、及び請求項３９のうちいずれかに記載の方
    法を用いる半導体パッケージの製造方法。
43. 【請求項４３】半導体チップを搭載する工程を有する請
    求項４１に記載の半導体パッケージの製造方法。
44. 【請求項４４】半導体チップと外層回路とを接続する工
    程を有する請求項４３に記載の半導体パッケージの製造
    方法。
45. 【請求項４５】半導体チップを樹脂で封止する工程を有
    する請求項４３または４４に記載の半導体パッケージの
    製造方法。