JP2006236744A - 有機el装置、有機el装置の製造方法および電子機器 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 55
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 101
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 63
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims description 52
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims description 18
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 10
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 9
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 9
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 abstract description 13
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 abstract description 11
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 abstract description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 106
- 239000010408 film Substances 0.000 description 42
- 238000000034 method Methods 0.000 description 25
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 16
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 13
- 230000008569 process Effects 0.000 description 13
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 description 11
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 10
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 9
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 8
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 7
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 6
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 6
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 6
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 6
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 6
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 5
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 5
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 239000002612 dispersion medium Substances 0.000 description 4
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 4
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 4
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 4
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 3
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 3
- 229940005642 polystyrene sulfonic acid Drugs 0.000 description 3
- 230000002940 repellent Effects 0.000 description 3
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 3
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 2
- 239000002585 base Substances 0.000 description 2
- ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N coumarin Chemical compound C1=CC=C2OC(=O)C=CC2=C1 ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 2
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 2
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 2
- -1 polyphenylene Polymers 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 1,4,4-triphenylbuta-1,3-dienylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(C=1C=CC=CC=1)=CC=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FCNCGHJSNVOIKE-UHFFFAOYSA-N 9,10-diphenylanthracene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=CC=CC=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 FCNCGHJSNVOIKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001148 Al-Li alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910019015 Mg-Ag Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical compound N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001339 alkali metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GQVWHWAWLPCBHB-UHFFFAOYSA-L beryllium;benzo[h]quinolin-10-olate Chemical compound [Be+2].C1=CC=NC2=C3C([O-])=CC=CC3=CC=C21.C1=CC=NC2=C3C([O-])=CC=CC3=CC=C21 GQVWHWAWLPCBHB-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 229960000956 coumarin Drugs 0.000 description 1
- 235000001671 coumarin Nutrition 0.000 description 1
- VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N coumarin 6 Chemical compound C1=CC=C2SC(C3=CC4=CC=C(C=C4OC3=O)N(CC)CC)=NC2=C1 VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 125000005678 ethenylene group Chemical group [H]C([*:1])=C([H])[*:2] 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 125000003983 fluorenyl group Chemical class C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12)* 0.000 description 1
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- VOFUROIFQGPCGE-UHFFFAOYSA-N nile red Chemical compound C1=CC=C2C3=NC4=CC=C(N(CC)CC)C=C4OC3=CC(=O)C2=C1 VOFUROIFQGPCGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- PARWUHTVGZSQPD-UHFFFAOYSA-N phenylsilane Chemical compound [SiH3]C1=CC=CC=C1 PARWUHTVGZSQPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 1
- 229920000548 poly(silane) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001197 polyacetylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920001690 polydopamine Polymers 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 239000001022 rhodamine dye Substances 0.000 description 1
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
【課題】 効率的な放熱を行うことが可能な有機EL装置を提供する。
【解決手段】 基板上に配列形成された複数の有機EL素子3と、有機EL素子3の形成領域以外の領域に形成された有機隔壁221とを備えた有機EL装置であって、その有機隔壁221の上面に、前記基板の端部まで連続する溝部27が設けられ、その溝部27の内側に、有機隔壁221を構成するポリイミド樹脂より熱伝導率の高い酸化アルミニウムが充填されて、放熱層28が構成されている。
【選択図】 図2
【解決手段】 基板上に配列形成された複数の有機EL素子3と、有機EL素子3の形成領域以外の領域に形成された有機隔壁221とを備えた有機EL装置であって、その有機隔壁221の上面に、前記基板の端部まで連続する溝部27が設けられ、その溝部27の内側に、有機隔壁221を構成するポリイミド樹脂より熱伝導率の高い酸化アルミニウムが充填されて、放熱層28が構成されている。
【選択図】 図2
Description
本発明は、有機EL装置、有機EL装置の製造方法および電子機器に関するものである。
次世代の表示装置として、有機エレクトロルミネッセンス装置(有機EL装置)が期待されている。有機EL装置は、上下の電極間に発光層を挟持した有機EL素子を基体上に配設して構成されており、典型的には、ガラス等の基板の上に、陽極となる画素電極と、有機機能層(正孔輸送層や発光層、電子輸送層等)と、陰極とを順次積層した構造が採られる。そして、陽極および陰極によって有機機能層に電流を供給することにより、有機機能層の発光層を発光させるようになっている(例えば、特許文献1参照)。
特開2003−249375号公報
有機EL素子においては、発光層からの発熱により素子寿命が低下することが明らかになっている。その発熱が、素子構成材料のガラス転移を誘発したりなど、材料特性を大きく変化させるからである。
発生した熱を逃がす対策として、例えば基板の外側にペルチェ素子などのヒートシンクを取り付ける構成等が提案されている。しかしながら、発熱源である有機EL素子の近傍から熱を逃がすための技術は少ないのが現状である。発熱源の近傍における熱伝達性を向上することができれば、速やかに放熱することが可能になり、有機EL素子の劣化を防止する上で効果的である。
発生した熱を逃がす対策として、例えば基板の外側にペルチェ素子などのヒートシンクを取り付ける構成等が提案されている。しかしながら、発熱源である有機EL素子の近傍から熱を逃がすための技術は少ないのが現状である。発熱源の近傍における熱伝達性を向上することができれば、速やかに放熱することが可能になり、有機EL素子の劣化を防止する上で効果的である。
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、有機EL素子の効率的な放熱を行うことが可能な、有機EL装置およびその製造方法を提供する。
また、寿命が長く信頼性に優れた電子機器を提供する。
また、寿命が長く信頼性に優れた電子機器を提供する。
上記目的を達成するため、本発明の有機EL装置は、基板上に配列形成された複数の有機EL素子と、前記有機EL素子の形成領域以外の領域に形成された隔壁とを備えた有機EL装置であって、前記隔壁は、前記基板の端部まで連続する放熱層を備えていることを特徴とする。
この構成によれば、有機EL素子の近傍に放熱層が配置されているので、陰極とともに放熱層を介して熱伝達を行うことが可能になり、有機EL素子の効率的な放熱を行うことができる。
この構成によれば、有機EL素子の近傍に放熱層が配置されているので、陰極とともに放熱層を介して熱伝達を行うことが可能になり、有機EL素子の効率的な放熱を行うことができる。
また前記隔壁の上面に、前記基板の端部まで連続する溝部が設けられ、前記溝部の内側に、前記隔壁の構成材料より熱伝導率の高い材料が充填されて、前記放熱層が構成されていることが望ましい。
また前記隔壁の内部に、前記隔壁の構成材料より熱伝導率の高い材料が分散されて、前記放熱層が構成されていることが望ましい。
これらの構成によれば、放熱層を簡単に形成することができる。
また前記隔壁の内部に、前記隔壁の構成材料より熱伝導率の高い材料が分散されて、前記放熱層が構成されていることが望ましい。
これらの構成によれば、放熱層を簡単に形成することができる。
また前記放熱層の表面に、電気絶縁膜が形成されていることが望ましい。
この構成によれば、隔壁の表面に撥液処理等の必要な表面処理を行うことが可能になる。また、有機EL素子の電源線と放熱層との間で寄生容量が形成されるのを防止することができる。
この構成によれば、隔壁の表面に撥液処理等の必要な表面処理を行うことが可能になる。また、有機EL素子の電源線と放熱層との間で寄生容量が形成されるのを防止することができる。
また前記隔壁の構成材料は、樹脂材料であり、前記隔壁の構成材料より熱伝導率の高い材料は、酸化アルミニウム、酸化シリコンまたは炭化シリコンのいずれかであることが望ましい。
この構成によれば、放熱層を安価に構成しつつ、有機EL素子の効率的な放熱を行うことができる。
この構成によれば、放熱層を安価に構成しつつ、有機EL素子の効率的な放熱を行うことができる。
また、前記有機EL素子における発光を、前記基板とは反対側から取り出すようになっていてもよい。
この場合でも、有機EL素子における発光を基板側から取り出す場合と同様に、有機EL素子の効率的な放熱を行うことができる。
この場合でも、有機EL素子における発光を基板側から取り出す場合と同様に、有機EL素子の効率的な放熱を行うことができる。
また前記放熱層は、黒色材料によって構成され、ブラックマトリクスとして機能することが望ましい。
この構成によれば、別途ブラックマトリクスを形成する必要がないので、製造コストを低減することができる。
この構成によれば、別途ブラックマトリクスを形成する必要がないので、製造コストを低減することができる。
また前記隔壁の上方には、前記有機EL素子に電流を供給する補助電極が形成されていることが望ましい。
この構成によれば、有機EL素子における発光を基板とは反対側から取り出すため、光取出し側の電極が薄く形成されていても、補助電極を介して有機EL素子に充分な電流を供給することができるとともに、補助電極を介して有機EL素子の効率的な放熱を行うことができる。
この構成によれば、有機EL素子における発光を基板とは反対側から取り出すため、光取出し側の電極が薄く形成されていても、補助電極を介して有機EL素子に充分な電流を供給することができるとともに、補助電極を介して有機EL素子の効率的な放熱を行うことができる。
一方、本発明の有機EL装置の製造方法は、基板上に複数の有機EL素子が配列形成された有機EL装置の製造方法であって、前記基板上における前記有機EL素子の形成領域以外の領域に、前記基板の端部まで連続する放熱層を備えた隔壁を形成する工程と、前記放熱層の表面に電気絶縁膜を形成する工程と、前記隔壁の開口部に、前記有機EL素子を形成する工程と、を有することを特徴とする。
この構成によれば、有機EL素子の効率的な放熱を行うことが可能な有機EL装置を製造することができる。
この構成によれば、有機EL素子の効率的な放熱を行うことが可能な有機EL装置を製造することができる。
一方、本発明の電子機器は、上述した有機EL装置を備えたことを特徴とする。
この構成によれば、有機EL素子の効率的な放熱を行うことが可能な有機EL装置を備えているので、寿命が長く信頼性に優れた電子機器を提供することができる。
この構成によれば、有機EL素子の効率的な放熱を行うことが可能な有機EL装置を備えているので、寿命が長く信頼性に優れた電子機器を提供することができる。
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、以下で参照する各図面においては、理解を容易にするために、各構成要素の寸法等を適宜変更して表示している。
(第1実施形態)
最初に、本発明の第1実施形態に係る有機EL装置につき、図1ないし図3を用いて説明する。
図1は、一般的な有機EL装置の側面断面図である。有機EL装置は、素子基板2と、素子基板2の表面に配設された駆動回路部5と、駆動回路部5の表面に配設された複数の有機EL素子3と、有機EL素子3を封止する封止基板30とを主として構成されている。この有機EL素子3は、素子基板2に垂直な方向から見て円形状や長円形状等に形成され、素子基板2上にマトリクス状に整列配置されている。なお第1実施形態では、有機EL素子3における発光光を素子基板2側から取り出すボトムエミッション型の有機EL装置を例にして説明する。
最初に、本発明の第1実施形態に係る有機EL装置につき、図1ないし図3を用いて説明する。
図1は、一般的な有機EL装置の側面断面図である。有機EL装置は、素子基板2と、素子基板2の表面に配設された駆動回路部5と、駆動回路部5の表面に配設された複数の有機EL素子3と、有機EL素子3を封止する封止基板30とを主として構成されている。この有機EL素子3は、素子基板2に垂直な方向から見て円形状や長円形状等に形成され、素子基板2上にマトリクス状に整列配置されている。なお第1実施形態では、有機EL素子3における発光光を素子基板2側から取り出すボトムエミッション型の有機EL装置を例にして説明する。
(有機EL装置)
ボトムエミッション型の有機EL装置では、素子基板2側から発光光を取り出すので、素子基板2としては透明あるいは半透明のものが採用される。例えば、ガラスや石英、樹脂(プラスチック、プラスチックフィルム)等を用いることが可能であり、特にガラス基板が好適に用いられる。
ボトムエミッション型の有機EL装置では、素子基板2側から発光光を取り出すので、素子基板2としては透明あるいは半透明のものが採用される。例えば、ガラスや石英、樹脂(プラスチック、プラスチックフィルム)等を用いることが可能であり、特にガラス基板が好適に用いられる。
素子基板2上には、有機EL素子3の駆動用TFT123(駆動素子4)などを含む駆動回路部5が形成されている。なお、駆動回路を備えた半導体素子を素子基板2に実装して有機EL装置を構成することも可能である。
駆動回路部5の具体的な構成として、素子基板2の表面に絶縁材料からなる下地保護層281が形成され、その上に半導体材料であるシリコン層241が形成されている。このシリコン層241の表面には、SiO2及び/又はSiNを主体とするゲート絶縁層282が形成されている。そのゲート絶縁層282の表面には、ゲート電極242が形成されている。このゲート電極242は、図示しない走査線の一部によって構成されている。なお前記シリコン層241のうち、ゲート絶縁層282を挟んでゲート電極242と対向する領域がチャネル領域241aとされている。一方、ゲート電極242およびゲート絶縁層282の表面には、SiO2を主体とする第1層間絶縁層283が形成されている。
またシリコン層241のうち、チャネル領域241aの一方側には低濃度ソース領域241bおよび高濃度ソース領域241Sが設けられ、チャネル領域241aの他方側には低濃度ドレイン領域241cおよび高濃度ドレイン領域241Dが設けられて、いわゆるLDD(Light Doped Drain )構造となっている。これらのうち、高濃度ソース領域241Sは、ゲート絶縁層282および第1層間絶縁層283を貫通するコンタクトホール243aを介して、ソース電極243に接続されている。このソース電極243は、図示しない電源線の一部によって構成されている。一方、高濃度ドレイン領域241Dは、ゲート絶縁層282および第1層間絶縁層283を貫通するコンタクトホール244aを介して、ソース電極243と同層に配置されたドレイン電極244に接続されている。
上述したソース電極243およびドレイン電極244、並びに第1層間絶縁層283の上層には、アクリル系やポリイミド系等の耐熱性絶縁性樹脂材料などを主体とする平坦化膜284が形成されている。この平坦化膜284は、駆動用TFT123(駆動素子4)やソース電極243、ドレイン電極244などによる表面の凹凸をなくすために形成されたものである。
そして、平坦化膜284の表面における有機EL素子3の形成領域には、複数の画素電極23が形成されている。この画素電極23は、ITO(インジウム錫酸化物)等の透明導電性材料からなり、平坦化膜284の表面にマトリクス状に配設されている。画素電極23は、該平坦化膜284に設けられたコンタクトホール23aを介して、ドレイン電極244に接続されている。すなわち画素電極23は、ドレイン電極244を介して、シリコン層241の高濃度ドレイン領域241Dに接続されている。
また、平坦化膜284の表面における画素電極23の周囲には、SiO2等の無機絶縁材料からなる無機隔壁25が形成されている。さらに無機隔壁25の表面には、ポリイミド等の有機絶縁材料からなる有機隔壁221が形成されている。そして、有機EL素子3の形成領域に配置された画素電極23の上方には、無機隔壁25の開口25aと、有機隔壁221の開口221aとが形成されている。
そして、無機隔壁25の開口25aおよび有機隔壁221の開口221aの内側に、複数の機能膜が積層形成されて、有機EL素子3が構成されている。有機EL素子3は、陽極として機能する画素電極23と、この画素電極23からの正孔を注入/輸送する正孔輸送層70と、有機EL物質からなる発光層60と、陰極52とを積層して構成されている。
ボトムエミッション型の有機EL装置の場合、陽極として機能する画素電極23は、ITO等の透明導電材料によって形成されている。
正孔輸送層70の形成材料としては、特に3,4−ポリエチレンジオキシチオフェン/ポリスチレンスルフォン酸(PEDOT/PSS)の分散液、すなわち、分散媒としてのポリスチレンスルフォン酸に3,4−ポリエチレンジオキシチオフェンを分散させ、さらにこれを水に分散させた分散液が好適に用いられる。
なお、正孔輸送層70の形成材料としては、前記のものに限定されることなく種々のものが使用可能である。例えば、ポリスチレン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリアセチレンやその誘導体などを、適宜な分散媒、例えば前記のポリスチレンスルフォン酸に分散させたものなどが使用可能である。
正孔輸送層70の形成材料としては、特に3,4−ポリエチレンジオキシチオフェン/ポリスチレンスルフォン酸(PEDOT/PSS)の分散液、すなわち、分散媒としてのポリスチレンスルフォン酸に3,4−ポリエチレンジオキシチオフェンを分散させ、さらにこれを水に分散させた分散液が好適に用いられる。
なお、正孔輸送層70の形成材料としては、前記のものに限定されることなく種々のものが使用可能である。例えば、ポリスチレン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリアセチレンやその誘導体などを、適宜な分散媒、例えば前記のポリスチレンスルフォン酸に分散させたものなどが使用可能である。
発光層60を形成するための材料としては、蛍光あるいは燐光を発光することが可能な公知の発光材料が用いられる。具体的には、(ポリ)フルオレン誘導体(PF)、(ポリ)パラフェニレンビニレン誘導体(PPV)、ポリフェニレン誘導体(PP)、ポリパラフェニレン誘導体(PPP)、ポリビニルカルバゾール(PVK)、ポリチオフェン誘導体、ポリメチルフェニルシラン(PMPS)などのポリシラン系などが好適に用いられる。また、これらの高分子材料に、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素などの高分子系材料や、ルブレン、ペリレン、9,10−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン6、キナクリドン等の低分子材料をドープして用いることもできる。
陰極52は、主陰極50および補助陰極51を積層して構成されている。主陰極50として、仕事関数が3.0eV以下のCaやMg、LiF等の材料を採用することが望ましい。これにより、主陰極50に電子注入層としての機能が付与されるので、低電圧で発光層を発光させることができる。また補助陰極51は、陰極52全体の導電性を高めるとともに、主陰極50を酸素や水分等から保護する機能を有している。そのため補助陰極51として、導電性に優れたAlやAu、Ag等の金属材料を採用することが望ましい。
一方、陰極52の上方には、接着層40を介して封止基板30が貼り合わされている。なお、陰極52の全体を覆う封止キャップを素子基板2の周縁部に固着し、その封止キャップの内側に水分や酸素等を吸収するゲッター剤を配置してもよい。また、陰極52の表面にSiO2等からなる無機封止膜を積層形成してもよい。
上述した有機EL装置では、駆動回路部5のソース電極243から供給された画像信号が、駆動素子4により所定のタイミングで画素電極23に印加される。そして、その画素電極23から注入された正孔と、陰極52から注入された電子とが、発光層60で再結合して所定波長の光が放出される。その発光光は、透明材料からなる画素電極23、駆動回路部5および素子基板2を透過して外部に取り出される。これにより、素子基板2側において画像表示が行われるようになっている。なお、無機隔壁25は絶縁材料で構成されているので、無機隔壁25の開口25aの内側のみに電流が流れて発光層60が発光する。そのため、無機隔壁25の開口25aの内側が有機EL素子3の画素領域となっている。
(放熱層)
図2は、第1実施形態に係る有機EL装置の説明図であり、図3のA−A線における側面断面図である。なお図2では、駆動回路部や封止基板等の記載を省略している。第1実施形態に係る有機EL装置は、有機隔壁221の上面に溝部27が形成され、その溝部27の内側に放熱層28が形成されたものである。
図2は、第1実施形態に係る有機EL装置の説明図であり、図3のA−A線における側面断面図である。なお図2では、駆動回路部や封止基板等の記載を省略している。第1実施形態に係る有機EL装置は、有機隔壁221の上面に溝部27が形成され、その溝部27の内側に放熱層28が形成されたものである。
有機隔壁221の上面には、溝部27が設けられている。この溝部27は、有機隔壁221と同時に形成する。具体的には、まず有機隔壁221を構成する感光性のポリイミド樹脂等を素子基板の全面に塗布して感光性樹脂層を形成する。次に、感光性樹脂層における有機EL素子3の形成領域を露光する。その際、グレーマスクを用いて、有機隔壁221の上面に相当する領域を同時に露光する。そして、感光性樹脂層を現像することにより、有機EL素子3の形成領域に開口221aを備えた有機隔壁221が形成されるとともに、その有機隔壁221の上面に溝部27が形成される。なお、ハーフエッチングを用いて溝部を形成することも可能である。
その溝部27の内側には、有機隔壁221の構成材料より熱伝導率の高い材料が充填されて、放熱層28が形成されている。有機隔壁221を構成するポリイミド樹脂の熱伝導率が約0.3W/(m・k)であるから、放熱層の材料として酸化アルミニウムや酸化シリコン、炭化シリコン等を採用することが可能であり、特に熱伝導率が約30W/(m・k)の酸化アルミニウム(Al2O3;アルミナ)を採用することが望ましい。
図3は、第1実施形態に係る有機EL装置の平面図である。上述したように、放熱層28は有機隔壁の上面に形成され、その有機隔壁は有機EL素子3の形成領域以外の領域に形成され、その有機EL素子3は素子基板上にマトリクス状に配列形成されている。したがって、放熱層28は格子状に形成され、素子基板の端部まで引廻されている。その素子基板の端部には放熱性に優れたヒートドレイン(不図示)が配設され、そのヒートドレインに放熱層28が接続されている。
放熱層28は、液相プロセスによって形成することが望ましい。液相プロセスは、機能膜の形成材料を含む液状体を塗布し、その液状体を乾燥させて機能膜を形成するものである。この液相プロセスでは、蒸着法等の気相プロセスに比べて、真空条件を必要としないので、エネルギー消費量を低減することが可能になり、製造コストを低減することができる。また基板サイズの制限がなくなるので、大画面ディスプレイの製造に有効となる。さらに蒸着マスクが不要となるので、高精細なディスプレイの製造に有効となる。加えて、比較的低温での成膜が可能になり、耐熱性の低いプラスチック基板を用いたフレキシブルなディスプレイの開発に有効となる。
液相プロセスとして、具体的にはインクジェット法を採用することが望ましい。インクジェット法は、機能膜の形成材料を含む液状体をインク室内に充填し、そのインク室内に圧力変化を生じさせ、インク室に連通するノズルから液滴を吐出して、機能膜を形成すべき所定位置に着弾させるものである。そのため、少なくとも塗布すべき液状体を充填するインク室と、インク室内に圧力変化を生じさせるピエゾ素子等の駆動素子と、インク室に連通するノズルとを備えたインクジェットヘッドを使用する。このインクジェット法を採用することにより、所定量の液状体を所定位置に正確に塗布することが可能になり、寸法精度に優れた機能膜を形成することができる。また、液状体を効率的に使用することが可能になり、製造コストを低減することができる。
具体的には、まず酸化アルミニウムの微粒子をアルコール等の分散媒に分散させ、その液状体をインクジェットヘッドのインク室内に充填する。次に、インクジェットヘッドと素子基板とを相対移動させて、インクジェットヘッドのノズルが図2に示す溝部27と対向するように配置する。そして、駆動素子によりインク室内に圧力変化を生じさせ、ノズルから溝部27に向かって液滴を吐出する。さらに、インクジェットヘッドを移動させつつ液滴を吐出して、溝部27の全体に液状体を充填する。
次に、塗布された液状体を乾燥させる。具体的には、素子基板をホットプレート上に配置して液状体を加熱し、液状体に含まれる分散媒を蒸発させる。これにより、酸化アルミニウムの微粒子が析出して、放熱層28が形成される。
次に、塗布された液状体を乾燥させる。具体的には、素子基板をホットプレート上に配置して液状体を加熱し、液状体に含まれる分散媒を蒸発させる。これにより、酸化アルミニウムの微粒子が析出して、放熱層28が形成される。
このように構成された第1実施形態に係る有機EL装置において、発光層60で発生した熱は、まず熱伝導率の高い金属材料で構成された陰極52に伝達される。その熱の多くは、陰極52の表面から接着層および封止基板を介して垂直方向に放出され、その熱の一部は、陰極52の内部を通って水平方向に伝達される。本実施形態では、有機隔壁221の構成材料より熱伝導率の高い材料からなる放熱層28を備えているので、陰極52とともに放熱層28を介して熱伝達を行うことが可能になり、有機EL素子の効率的な放熱を行うことができる。
なお、第1実施形態では絶縁材料によって放熱層を構成したが、導電材料によって放熱層を構成することも可能である。ただし、陰極と放熱層とが導通していると、その放熱層と駆動回路部の電源線との間で寄生容量が形成されるおそれがある。そこで、放熱層の上面に電気絶縁膜を形成し、その電気絶縁膜の表面に陰極を形成することが望ましい。この電気絶縁膜の構成材料として、放熱層の構成材料と同等かまたはそれより高い熱伝導率を示す材料を採用することが望ましい。これにより、寄生容量が形成されるのを防止しつつ、有機EL素子の効率的な放熱を行うことができる。
また、第1実施形態ではボトムエミッション型の有機EL装置を例にして説明したが、トップエミッション型の場合には、放熱層をSiCやC60等の黒色材料で構成することが望ましい。これにより、外光反射を防止するブラックマトリクスとしての機能を放熱層に付与することが可能になり、別途ブラックマトリクスを形成する必要がないので、製造コストを低減することができるからである。
また、第1実施形態では有機隔壁の上層に放熱層を形成したが、有機隔壁の中間層または下層に放熱層を形成してもよい。この場合、発光層で発生した熱は、陰極を介することなく、放熱層に直接伝達されることになる。この場合にも、第1実施形態と同様に、有機EL素子の効率的な放熱を行うことができる。
(第2実施形態)
次に、本発明の第2実施形態に係る有機EL装置につき、図4を用いて説明する。
図4は、第2実施形態に係る有機EL装置の側面断面図である。第2実施形態に係る有機EL装置は、第1実施形態と同じボトムエミッション型であるが、隔壁221が高熱伝導率の酸化アルミニウムによって形成され、隔壁221の全体により放熱層28が構成されている点で、第1実施形態と異なっている。なお、第1実施形態と同様の構成となる部分については、その詳細な説明を省略する。
次に、本発明の第2実施形態に係る有機EL装置につき、図4を用いて説明する。
図4は、第2実施形態に係る有機EL装置の側面断面図である。第2実施形態に係る有機EL装置は、第1実施形態と同じボトムエミッション型であるが、隔壁221が高熱伝導率の酸化アルミニウムによって形成され、隔壁221の全体により放熱層28が構成されている点で、第1実施形態と異なっている。なお、第1実施形態と同様の構成となる部分については、その詳細な説明を省略する。
第2実施形態における隔壁221は、第1実施形態の隔壁221を構成するポリイミド樹脂より熱伝導率の高い、酸化アルミニウムによって形成されている。この隔壁221は有機EL素子の形成領域以外の領域に形成され、基板の端部まで連続しているので、隔壁221の全体により放熱層28が構成されている。
また隔壁221の表面には、電気絶縁膜29が形成されている。この電気絶縁膜29は、後述する撥液処理の対象となるものであり、樹脂等の有機材料によって構成されている。なお、本実施形態のように放熱層28が電気絶縁性を有する場合には、電気絶縁膜29は薄く形成すればよい。これにより、電気絶縁膜29による熱伝達率の低下を抑制することができる。
次に、上述した第2実施形態に係る有機EL装置の製造方法につき、図5を用いて説明する。図5は、第2実施形態に係る有機EL装置の製造方法の工程図である。ここでは、画素電極23および無機隔壁25の形成後の各工程について説明する。
図5(a)に示すように、まず無機隔壁25の表面に隔壁221を形成する。具体的には、酸化アルミニウムの微粒子をアルコール等に分散させ、その液状体を素子基板の全体に塗布する。次に塗布された液状体を乾燥させ、酸化アルミニウム膜を形成する。次に、酸化アルミニウム膜の表面にレジストを塗布し、有機EL素子の形成領域にレジストの開口部を形成する。そして、そのレジストをマスクとして酸化アルミニウム膜をエッチングし、有機EL素子の形成領域に開口221aを備えた隔壁221を形成する。
次に図5(b)に示すように、隔壁221の表面に電気絶縁膜29を形成する。具体的には、感光性のポリイミド樹脂の液状体を塗布し、有機EL素子3の形成領域を露光および現像することにより、隔壁221の表面のみに電気絶縁膜29を形成する。
次に、有機EL素子3の形成領域に親液性を示す部分および撥液性を示す部分を形成する。具体的には、まず素子基板を70〜80℃程度に予備加熱する。次に、大気圧下で酸素を反応ガスとするプラズマ処理(O2プラズマ処理)を行い、画素電極23の上面、無機隔壁25の表面、並びに電気絶縁膜29の表面をそれぞれ親液化処理する。次に、大気圧下で4フッ化メタンを反応ガスとするプラズマ処理(CF4プラズマ処理)を行い、電気絶縁膜29の表面を撥液化処理する。ここで、電気絶縁膜29は樹脂等の有機材料で構成されているので、その表面にフッ素を導入して撥液化処理を行うことができる。最後に、素子基板を室温まで冷却する。
なお、画素電極23の上面および無機隔壁25の表面も、CF4プラズマ処理の影響を受ける。しかしながら、画素電極23の材料であるITOや、無機隔壁25の構成材料であるSiO2などは、フッ素に対する親和性に乏しいため、親液化工程で付与された水酸基がフッ素基で置換されることはない。したがって、画素電極23の上面および無機隔壁25の表面に付与された親液性は維持される。
次に図5(c)に示すように、液相プロセスによって正孔輸送層を形成する。具体的には、まずPEDOT/PSSをイソプロピルアルコールなどの極性溶媒に溶解させ、その液状体をインクジェットヘッドのインク室内に充填する。そして、インクジェットヘッドのノズルから、有機EL素子3の形成領域に向かって液滴を吐出する。このとき、ノズルから吐出された液滴は、親液性が付与された画素電極23の表面に濡れ広がり、無機隔壁25の開口の内側に充填される。一方、電気絶縁膜29の表面に向かって飛散した液滴は、撥液性が付与された上記部分には付着せず、有機EL素子3の形成領域に向かって流れ込む。そして、撥液性が付与された電気絶縁膜29の表面から、有機EL素子3の形成領域の中央部にかけて、盛り上がるように液状体71が塗布される。
次に図5(d)に示すように、塗布された液状体を乾燥させる。具体的には、素子基板をホットプレート上に配置して液状体を加熱し、液状体に含まれる溶媒を蒸発させることにより、PEDOT/PSSを析出させる。以上により、PEDOT/PSSからなる正孔輸送層70が形成される。
その後は、図4に示すように、正孔輸送層70の表面に、液相プロセスにより発光層60を形成する。また発光層60および電気絶縁膜29の表面に、蒸着法等の気相プロセスにより陰極52を形成する。このようにして、第2実施形態に係る有機EL装置が形成される。
このように構成された第2実施形態に係る有機EL装置では、発光層60で発生した熱が、陰極52に伝達されるとともに、電気絶縁膜29を介して隔壁221に伝達される。本実施形態では、隔壁221が高熱伝導率の酸化アルミニウムによって形成され、隔壁221の全体が放熱層28として機能する。したがって、陰極52とともに隔壁221を介して熱伝達を行うことが可能になり、有機EL素子の効率的な放熱を行うことができる。
また、隔壁221の表面に電気絶縁膜29が形成されているので、高熱伝導率の材料で構成された隔壁221が導電性を示す場合でも、陰極52と隔壁221との導通を遮断することができる。これにより、隔壁221と駆動回路部の電源線との間で寄生容量が形成されるのを防止することができる。
(第3実施形態)
次に、本発明の第3実施形態に係る有機EL装置につき、図6を用いて説明する。
図6は、第3実施形態に係る有機EL装置の側面断面図である。第3実施形態に係る有機EL装置は、有機EL素子3における発光光を陰極52側から取り出すトップエミッション型である。そのため、陰極52が透明導電性材料により薄膜状に形成され、有機隔壁221の上方に補助電極51aが形成されている点で、上記各実施形態と異なっている。なお、上記各実施形態と同様の構成となる部分については、その詳細な説明を省略する。
次に、本発明の第3実施形態に係る有機EL装置につき、図6を用いて説明する。
図6は、第3実施形態に係る有機EL装置の側面断面図である。第3実施形態に係る有機EL装置は、有機EL素子3における発光光を陰極52側から取り出すトップエミッション型である。そのため、陰極52が透明導電性材料により薄膜状に形成され、有機隔壁221の上方に補助電極51aが形成されている点で、上記各実施形態と異なっている。なお、上記各実施形態と同様の構成となる部分については、その詳細な説明を省略する。
第3実施形態に係る有機EL装置では、有機隔壁221の内部に有機隔壁221の構成材料より熱伝導率の高い材料が分散されている。例えば、有機隔壁221を構成するポリイミド樹脂の内部に、ポリイミド樹脂より熱伝導率の高い酸化アルミニウムの微粒子が分散されている。このような材料で構成された有機隔壁221は、ポリイミド樹脂のみで構成された有機隔壁と比べて、熱伝導率が高くなっている。したがって、有機隔壁221の全体により放熱層28が構成されている。また、有機隔壁221の表面には電気絶縁膜29が形成されている。
また、第3実施形態に係る有機EL装置はトップエミッション型であるため、画素電極23がAl等の高反射率を有する金属材料で構成されている。逆に、陰極52はITO等の透明導電性材料で構成されている。しかも、光取出し効率を向上させるため、陰極52は薄膜状に形成されている。その結果、トップエミッション型の陰極52の導電性は、ボトムエミッション型の陰極の導電性に比べて、非常に低くなっている。
このような陰極52の導電性の低さをカバーするため、有機隔壁221の上方における陰極52の表面には、Al等の高導電性材料からなる補助電極51aが形成されている。
このような陰極52の導電性の低さをカバーするため、有機隔壁221の上方における陰極52の表面には、Al等の高導電性材料からなる補助電極51aが形成されている。
このように構成された第3実施形態に係る有機EL装置では、発光層60で発生した熱が、陰極52に伝達されるとともに、電気絶縁膜29を介して有機隔壁221に伝達される。薄膜状の陰極52の熱伝達率は小さいが、補助電極51aの熱伝達率が大きいので、その補助電極51aを介して熱伝達を行うことができる。また本実施形態では、有機隔壁221に熱伝導率の高い材料が分散されているので、有機隔壁221の全体が放熱層として機能する。したがって、補助電極51aとともに有機隔壁221を介して熱伝達を行うことが可能になり、有機EL素子の効率的な放熱を行うことができる。
なお、有機隔壁221の上方に補助電極51aを設けない場合には、有機隔壁221の内部に分散させる高熱伝導率材料として、SiCやC60等の黒色微粒子を採用することにより、外光反射を防止するブラックマトリクスとしての機能を有機隔壁221に付与することが望ましい。また補助電極51aを設ける場合でも、補助電極51aを黒色材料で構成することにより、ブラックマトリクスとしての機能を補助電極51aに付与してもよい。
(第4実施形態)
次に、本発明の第4実施形態に係る有機EL装置につき、図7を用いて説明する。
図7は、第4実施形態に係る有機EL装置の側面断面図である。第4実施形態に係る有機EL装置は、第3実施形態と同じトップエミッション型であるが、低分子発光材料からなる発光層60を備えた低分子有機EL装置であり、また素子基板側に陰極が配置され封止基板側に陽極が配置された逆積層構造である点で、上記各実施形態とは異なっている。なお、上記各実施形態と同様の構成となる部分については、その詳細な説明を省略する。
次に、本発明の第4実施形態に係る有機EL装置につき、図7を用いて説明する。
図7は、第4実施形態に係る有機EL装置の側面断面図である。第4実施形態に係る有機EL装置は、第3実施形態と同じトップエミッション型であるが、低分子発光材料からなる発光層60を備えた低分子有機EL装置であり、また素子基板側に陰極が配置され封止基板側に陽極が配置された逆積層構造である点で、上記各実施形態とは異なっている。なお、上記各実施形態と同様の構成となる部分については、その詳細な説明を省略する。
第4実施形態に係る有機EL装置では、有機隔壁221の内部に有機隔壁221の構成材料より熱伝導率の高い材料が分散されている。例えば、有機隔壁221を構成するポリイミド樹脂の内部に、ポリイミド樹脂より熱伝導率の高いAg等の金属微粒子が分散されている。このような材料で構成された有機隔壁221は、ポリイミド樹脂のみで構成された有機隔壁と比べて、熱伝導率が高くなっている。したがって、有機隔壁221の全体により放熱層28が構成されている。
また、有機隔壁221の表面には電気絶縁膜29が形成されている。第4実施形態の有機隔壁221は、Ag微粒子が分散されて絶縁性が不十分になっているので、上記各実施形態より電気絶縁膜29を厚く形成することが望ましい。
一方、第4実施形態に係る有機EL装置は、低分子発光材料からなる発光層60を備えた複数の低分子有機EL素子によって構成されている。したがって、有機EL素子を構成する各機能層は、蒸着法等の気相プロセスによって形成されている。
また、第4実施形態に係る有機EL装置は、逆積層構造を採用しているので、駆動回路部の表面に陰極52が形成されている。陰極52は、AlやAl−Li合金、Mg−Ag合金等の金属材料で構成されている。このように、良好な光反射性を有する金属材料で陰極52を形成することにより、発光層60からの光を陰極52で反射して封止基板側から取り出すことが可能になり、光利用効率を向上させることができる。
なお陰極52の表面に、陰極52から供給される電子を発光層60に注入/輸送する機能を有する電子注入/輸送層(不図示)を設けてもよい。電子輸送性を有する材料として、Alq3(トリスアルミニウム錯体)等を採用することが可能である。また電子注入性を有する材料として、Li等のアルカリ金属の化合物等を採用することが可能である。
その陰極52の表面には、発光層60が形成されている。発光層60は、陽極23および陰極52によって電流を流すことにより発光する機能を有する。カラー表示を行う有機EL装置では、それぞれ異なる色光に発光する複数の発光層60が、素子基板上に整列配置されている。一例を挙げれば、青色発光層の構成材料としてDTVBi(ジトルイルビニルビフェニル)等を、緑色発光層の構成材料としてAlq3(トリスアルミニウム錯体)等を、赤色発光層の構成材料としてBeBq2(ビスベリリウム錯体)等を、それぞれ採用することが可能である。
陰極52の表面には、陽極23から供給される正孔を発光層60に注入/輸送する機能を有する正孔注入/輸送層70を設けてもよい。正孔注入性を有する材料として、アリールアミン類やフタロシアニン類等を採用することが可能である。また正孔輸送性を有する材料として、アリールアミン類等を採用することが可能である。なお、正孔注入/輸送層70に電子ブロック層としての機能を付与してもよい。
正孔注入/輸送層70の表面には、陽極23が形成されている。第4実施形態に係る有機EL装置はトップエミッション型であるため、陽極23はITO等の透明導電性材料で構成されている。しかも、光取出し効率を向上させるため、陽極23は薄膜状に形成されている。その結果、第4実施形態の陽極23の導電性は非常に低くなっている。このような陽極23の低導電性をカバーするため、有機隔壁221の上方には、Al等の高導電性材料からなる補助電極51aが形成されている。
このように構成された第4実施形態に係る有機EL装置では、発光層60で発生した熱が、陽極23に伝達されるとともに、電気絶縁膜29を介して有機隔壁221に伝達される。薄膜状の陽極23の熱伝達率は小さいが、補助電極51aの熱伝達率が大きいので、その補助電極51aを介して熱伝達を行うことができる。また本実施形態では、有機隔壁221に熱伝導率の高い材料が分散されているので、有機隔壁221の全体が放熱層として機能する。したがって、陽極23とともに有機隔壁221を介して熱伝達を行うことが可能になり、有機EL素子の効率的な放熱を行うことができる。
(電子機器)
図8は、上記各実施形態の有機EL装置を備えた電子機器の一例を示す斜視構成図である。同図に示す携帯電話機1300は、複数の操作ボタン1302と、受話口1303と、送話口1304と、先の実施形態の有機EL装置からなる表示部1301とを備えて構成されている。この携帯電話機1300は、有機EL素子の効率的な放熱を行うことが可能な有機EL装置を備えているので、寿命が長く信頼性に優れている。
図8は、上記各実施形態の有機EL装置を備えた電子機器の一例を示す斜視構成図である。同図に示す携帯電話機1300は、複数の操作ボタン1302と、受話口1303と、送話口1304と、先の実施形態の有機EL装置からなる表示部1301とを備えて構成されている。この携帯電話機1300は、有機EL素子の効率的な放熱を行うことが可能な有機EL装置を備えているので、寿命が長く信頼性に優れている。
なお、本発明における有機EL装置を備えた電子機器としては、上記のものに限らず、他に例えば、デジタルカメラ、パーソナルコンピュータ、テレビ、携帯用テレビ、ビューファインダ型・モニタ直視型のビデオテープレコーダ、PDA、携帯用ゲーム機、ページャ、電子手帳、電卓、時計、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、タッチパネルを備えた機器などを挙げることができる。また、本発明における有機EL装置を備えた電子機器として、車載用オーディオ機器や自動車用計器、カーナビゲーション装置等の車載用ディスプレイを挙げることもできる。
なお本発明の技術範囲は、上述した各実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、上述した各実施形態に種々の変更を加えたものを含む。すなわち、各実施形態で挙げた具体的な材料や構成などはほんの一例に過ぎず、適宜変更が可能である。
3‥有機EL素子 27‥溝部 28‥放熱層 221‥有機隔壁
Claims (10)
- 基板上に配列形成された複数の有機EL素子と、前記有機EL素子の形成領域以外の領域に形成された隔壁とを備えた有機EL装置であって、
前記隔壁は、前記基板の端部まで連続する放熱層を備えていることを特徴とする有機EL装置。 - 前記隔壁の上面に、前記基板の端部まで連続する溝部が設けられ、
前記溝部の内側に、前記隔壁の構成材料より熱伝導率の高い材料が充填されて、前記放熱層が構成されていることを特徴とする請求項1に記載の有機EL装置。 - 前記隔壁の内部に、前記隔壁の構成材料より熱伝導率の高い材料が分散されて、前記放熱層が構成されていることを特徴とする請求項1に記載の有機EL装置。
- 前記放熱層の表面に、電気絶縁膜が形成されていることを特徴とする請求項2または請求項3に記載の有機EL装置。
- 前記隔壁の構成材料は、樹脂材料であり、
前記隔壁の構成材料より熱伝導率の高い材料は、酸化アルミニウム、酸化シリコンまたは炭化シリコンのいずれかであることを特徴とする請求項2ないし請求項4のいずれかに記載の有機EL装置。 - 前記有機EL素子における発光を、前記基板とは反対側から取り出すようになっていることを特徴とする請求項1ないし請求項5のいずれかに記載の有機EL装置。
- 前記放熱層は、黒色材料によって構成され、ブラックマトリクスとして機能することを特徴とする請求項6に記載の有機EL装置。
- 前記隔壁の上方には、前記有機EL素子に電流を供給する補助電極が形成されていることを特徴とする請求項6または請求項7に記載の有機EL装置。
- 基板上に複数の有機EL素子が配列形成された有機EL装置の製造方法であって、
前記基板上における前記有機EL素子の形成領域以外の領域に、前記基板の端部まで連続する放熱層を備えた隔壁を形成する工程と、
前記放熱層の表面に電気絶縁膜を形成する工程と、
前記隔壁の開口部に、前記有機EL素子を形成する工程と、
を有することを特徴とする有機EL装置の製造方法。 - 請求項1ないし請求項8に記載の有機EL装置を備えたことを特徴とする電子機器。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Family
ID=37044161
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2005048629A Withdrawn JP2006236744A (ja) | 2005-02-24 | 2005-02-24 | 有機el装置、有機el装置の製造方法および電子機器 |
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