JP2007188751A - 発光装置および電子機器 - Google Patents
発光装置および電子機器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007188751A JP2007188751A JP2006005770A JP2006005770A JP2007188751A JP 2007188751 A JP2007188751 A JP 2007188751A JP 2006005770 A JP2006005770 A JP 2006005770A JP 2006005770 A JP2006005770 A JP 2006005770A JP 2007188751 A JP2007188751 A JP 2007188751A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- light
- reflective film
- insulating film
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 5
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 5
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims description 4
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 3
- 230000000452 restraining effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 163
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 42
- 239000000463 material Substances 0.000 description 25
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 20
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 10
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 8
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 7
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 7
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 5
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 9H-carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 3
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 3
- 229940005642 polystyrene sulfonic acid Drugs 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 3
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N coumarin Chemical compound C1=CC=C2OC(=O)C=CC2=C1 ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 239000002612 dispersion medium Substances 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 2
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 2
- -1 polyphenylene Polymers 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 1,4,4-triphenylbuta-1,3-dienylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(C=1C=CC=CC=1)=CC=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FCNCGHJSNVOIKE-UHFFFAOYSA-N 9,10-diphenylanthracene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=CC=CC=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 FCNCGHJSNVOIKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010199 LiAl Inorganic materials 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical compound N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960000956 coumarin Drugs 0.000 description 1
- 235000001671 coumarin Nutrition 0.000 description 1
- VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N coumarin 6 Chemical compound C1=CC=C2SC(C3=CC4=CC=C(C=C4OC3=O)N(CC)CC)=NC2=C1 VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 125000005678 ethenylene group Chemical group [H]C([*:1])=C([H])[*:2] 0.000 description 1
- 125000003983 fluorenyl group Chemical class C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12)* 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- VOFUROIFQGPCGE-UHFFFAOYSA-N nile red Chemical compound C1=CC=C2C3=NC4=CC=C(N(CC)CC)C=C4OC3=CC(=O)C2=C1 VOFUROIFQGPCGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- PARWUHTVGZSQPD-UHFFFAOYSA-N phenylsilane Chemical compound [SiH3]C1=CC=CC=C1 PARWUHTVGZSQPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 229920000548 poly(silane) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001197 polyacetylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000001022 rhodamine dye Substances 0.000 description 1
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N triphenylamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
- H05B33/24—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers of metallic reflective layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/02—Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
- H01J29/10—Screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored
- H01J29/18—Luminescent screens
- H01J29/30—Luminescent screens with luminescent material discontinuously arranged, e.g. in dots, in lines
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/26—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/856—Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K59/878—Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
- H10K2102/3023—Direction of light emission
- H10K2102/3026—Top emission
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/852—Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K59/876—Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
【解決手段】素子基板2上に設けられた有機絶縁膜284と、有機絶縁膜284の表面に形成された反射膜27と、反射膜27の表面に無機絶縁膜25を介して配置された発光素子3とを備え、複数の発光素子3G,3B,3Rが整列配置されてなる表示装置であって、反射膜27は、複数の発光素子3G,3B,3Rと平面視において重なるように形成されている。
【選択図】図1
Description
そこで特許文献1には、層間絶縁膜と発光素子との間に、珪素と窒素とを主成分とする無機絶縁膜、或いはSP3結合を有し水素を含有する炭素膜が形成された発光装置が提案されている。
図8および図9は従来技術に係る発光装置の説明図である。図8(a)は平面図であり、図8(b)は図8(a)のA−A´線における断面図であり、図9は図8(a)のC−C´線における断面図である。トップエミッション型の有機EL装置では、図8(b)に示すように、発光層60の素子基板2側に反射膜27が設けられている。この反射膜27と画素電極23との間に、特許文献1と同様の無機絶縁膜25が形成されている。
なお、光共振条件を満たすためには、無機絶縁膜の厚さを極めて薄くする必要がある。そのため、無機絶縁膜を厚くしてクラックの発生を抑制することは困難である。
この構成によれば、反射膜の角部および端部が少なくなるので、無機絶縁膜にクラックが発生するのを抑制することができる。
この構成によれば、青色発光素子の周囲に反射膜の角部が配置されないので、無機絶縁膜にクラックが発生するのを抑制することができる。
この構成によれば、反射膜の角部および端部が少なくなるので、無機絶縁膜にクラックが発生するのを抑制することができる。
この構成によれば、反射膜によって有機絶縁膜の略全面を覆うことができるので、有機絶縁膜からの水分の流出を防止することができる。
この構成によれば、反射膜の開口端部において無機絶縁膜にクラックが発生するのを抑制することができる。
この構成によれば、反射膜の表面全体に欠陥の極めて少ない緻密な無機絶縁膜を形成することが可能になる。また、無機反射膜の製造コストを低減することができる。
この構成によれば、共通電極の導電性を向上させることができる。また共通電極の表面に補助電極を設ける必要がなくなり、製造コストを低減することができる。
この構成によれば、クラックの発生を抑制することにより、有機絶縁膜からの水分の拡散を防止することが可能になる。したがって、有機材料を含む発光素子の劣化を抑制することができる。
この構成によれば、クラックの発生を抑制することが可能な発光装置を備えているので、信頼性に優れた電子機器を提供することができる。
図1および図2は、第1実施形態に係る発光装置の説明図である。なお図1(a)は平面図であり、図1(b)は図1(a)のA−A´線における断面図であり、図2は図1(a)のB−B´線における断面図である。図1(b)に示すように、第1実施形態に係る発光装置は、光共振構造を備えたトップエミッション型の有機EL装置であって、青色発光素子3B並びにその両側の緑色発光素子3Gおよび赤色発光素子3Rと平面視において重なるように、反射膜27が形成されたものである。
図1(b)に示すトップエミッション型の有機EL装置では、発光層60における発光光を封止基板30側から取り出すので、素子基板2としては透明基板のほか不透明基板を用いることも可能である。透明基板としては、ガラスや石英、樹脂(プラスチック、プラスチックフィルム)等を用いることが可能であり、特にガラス基板が好適に用いられる。
なお、正孔注入層の形成材料としては、前記のものに限定されることなく種々のものが使用可能である。例えば、ポリスチレン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリアセチレンやその誘導体などを、適宜な分散媒、例えば前記のポリスチレンスルフォン酸に分散させたものなどが使用可能である。またα−NPD(4,4'-ビス-[N-(ナフチル)-N-フェニル-アミノ]ビフェニル)やMTDATA(4,4',4"-トリス(N-3-メチルフェニル-N-フェニル-アミノ)トリフェニルアミン)などの芳香族アミンや銅フタロシアニン(CuPc)などのフタロシアニンやその誘導体などの低分子材料を真空蒸着などの方法で正孔注入層として形成することもできる。
トップエミッション型の有機EL装置では、光取出し効率を向上させるため共通電極50が薄膜状に形成されるので、共通電極50の導電性が低くなっている。そこで、図1(a)に示すように、共通電極の表面にライン状の補助電極52が形成されている。この補助電極52は、上述した共通電極の導電性を補助するものであり、導電性に優れたAlやAu、Ag等の金属材料で構成されている。また補助電極52は、開口率の低下を防止するため、サブ画素の周囲に配置されている。なお、補助電極52を遮光膜として機能させることも可能である。また補助電極52は、素子基板の表面を横断するように延設されている。なお複数の補助電極52が、一方向にストライプ状に整列配置されていてもよく、二方向に格子状に整列配置されていてもよい。
図1(b)に示す共通電極50は、発光層60から発光した光の一部を透過し残りの光を反射膜27側に反射する、半透過反射膜として機能する。一般に、金属薄膜等の透光性導電膜は、発光層60との界面で10〜50%程度の反射率を有しており、特段の工夫を施さなければ、このような透光性導電膜を用いた共通電極50は、上記のような半透過反射膜としての機能を有するものとなっている。発光層60は、このような半透過反射機能を有する共通電極50と反射膜27との間に挟持されており、これら共通電極50と反射膜27との間で、発光層60から発光した光を共振させる光共振構造が形成されている。この有機EL装置では、発光層60から発光した光は、反射膜27と共通電極50との間で往復し、その光学的距離に対応した共振波長の光だけが増幅されて取り出される。このため、発光輝度が高く、スペクトルもシャープな光を取り出すことができる。
図1(b)に示すように、有機絶縁膜284の表面には、反射膜27が形成されている。この反射膜27は、AgやAl等の高反射率の金属材料で構成することが望ましい。図1(a)に示すように、反射膜27は、平面視(基板2の法線方向からみた場合)において、複数の発光素子3G,3B,3Rと重なるように形成されている。すなわち、各色発光素子3G,3B,3Rの形成領域より広範囲に、反射膜27が形成されている。なお反射膜27の端部は、画素電極23の端部より内側に配置されていてもよく、外側に配置されていてもよい。また反射膜27の端部は、図2に示すように有機絶縁膜284の表面のみに形成されていてもよく、コンタクトホールの内面に延設されていてもよい。
これに対して、図1(a)に示す本実施形態では、青色発光素子3Bを中心として、青色発光素子3Bの両側に隣接配置された緑色発光素子3Gおよび赤色発光素子3Rと平面視において重なるように、反射膜27が形成されている。この構成によれば、青色発光素子3Bの周囲に反射膜27の角部が配置されないので、青色発光素子3Bの画素電極23にクラックが発生するのを防止することができる。これにより、ダークスポットの発生を効果的に抑制することができる。
図3および図4は、第2実施形態に係る発光装置の説明図である。なお図3(a)は平面図であり、図3(b)は図3(a)のA−A´線における断面図であり、図4は図3(a)のB−B´線における断面図である。図3(b)に示すように、第2実施形態に係る発光装置は、反射膜27が素子基板2の略全面に形成されている点で、画素ごとに形成されている第1実施形態とは異なっている。なお第1実施形態と同様の構成となる部分については、その詳細な説明を省略する。
このように陽極酸化法を用いることにより、反射膜の表面全体に欠陥の極めて少ない緻密な無機絶縁膜を形成することが可能になる。また、無機反射膜の製造コストを低減することができる。
図5および図6は、第3実施形態に係る発光装置の説明図である。なお図5は平面図であり、図6は図5のC−C´線における断面図である。なお図5のA−A´線における断面図は、図3(a)と同様である。図6に示すように、第3実施形態に係る発光装置は、反射膜27と共通電極50とが電気的接続されている点で、第2実施形態と異なっている。なお第1実施形態および第2実施形態と同様の構成になる部分については、その詳細な説明を省略する。
次に、上記各実施形態の有機EL装置を備えた電子機器につき図7を用いて説明する。
図7は、電子機器の一例である携帯電話機の斜視構成図である。同図に示す携帯電話機1300は、複数の操作ボタン1302と、受話口1303と、送話口1304と、先の実施形態の有機EL装置からなる表示部1301とを備えて構成されている。この表示部には、上記各実施形態の有機EL装置が採用されている。上記各実施形態の発光装置では、ダークスポットの発生を防止することができるので、信頼性に優れた携帯電話機を提供することができる。
Claims (9)
- 基板の一方面側に設けられた有機絶縁膜と、前記有機絶縁膜の前記一方面側に形成された反射膜と、前記反射膜の前記一方面側に無機絶縁膜を介して形成された発光素子とを備え、複数の前記発光素子が整列配置されてなる発光装置であって、
前記反射膜は、複数の前記発光素子と平面視において重なるように形成されていることを特徴とする発光装置。 - 前記発光装置は、異なる色光の前記発光素子が整列配置されてなり、
前記反射膜は、異なる色光のうち青色の前記発光素子に加えて、前記青色発光素子の両側に隣接する青色以外の前記発光素子と平面視において重なるように形成されていることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。 - 前記反射膜は、前記有機絶縁膜の前記一方面側を覆うように形成されていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の発光装置。
- 前記反射膜は、前記有機絶縁膜の貫通孔の内面を覆うように形成されていることを特徴とする請求項3に記載の発光装置。
- 前記反射膜は、前記有機絶縁膜の貫通孔の底部に配置された無機材料層の前記一方面側で開口していることを特徴とする請求項3または請求項4に記載の発光装置。
- 前記無機絶縁膜は、前記反射膜を電極とした陽極酸化法によって形成されていることを特徴とする請求項3ないし請求項5のいずれか1項に記載の発光装置。
- 前記発光装置は、複数の前記発光素子に対する共通電極を備え、
前記反射膜は、前記共通電極と電気的接続されていることを特徴とする請求項3ないし請求項6のいずれか1項に記載の発光装置。 - 前記発光素子は、有機材料からなる発光層を含むことを特徴とする請求項1ないし請求項7のいずれか1項に記載の発光装置。
- 請求項1ないし請求項8のいずれか1項に記載の発光装置を備えたことを特徴とする電子機器。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006005770A JP4582004B2 (ja) | 2006-01-13 | 2006-01-13 | 発光装置および電子機器 |
US11/613,573 US7638939B2 (en) | 2006-01-13 | 2006-12-20 | Light-emitting device and electronic apparatus |
CN2006101711010A CN101000921B (zh) | 2006-01-13 | 2006-12-22 | 发光装置以及电子设备 |
KR1020060136017A KR20070076422A (ko) | 2006-01-13 | 2006-12-28 | 발광 장치 및 전자 기기 |
TW096101309A TW200733780A (en) | 2006-01-13 | 2007-01-12 | Light-emitting device and electronic apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006005770A JP4582004B2 (ja) | 2006-01-13 | 2006-01-13 | 発光装置および電子機器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007188751A true JP2007188751A (ja) | 2007-07-26 |
JP4582004B2 JP4582004B2 (ja) | 2010-11-17 |
Family
ID=38343769
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006005770A Expired - Fee Related JP4582004B2 (ja) | 2006-01-13 | 2006-01-13 | 発光装置および電子機器 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7638939B2 (ja) |
JP (1) | JP4582004B2 (ja) |
KR (1) | KR20070076422A (ja) |
CN (1) | CN101000921B (ja) |
TW (1) | TW200733780A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20090118848A (ko) * | 2008-05-14 | 2009-11-18 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 발광 장치 및 전자 기기 |
US7990050B2 (en) | 2008-09-05 | 2011-08-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Organic light emitting display having auxiliary electrode |
JP2013505570A (ja) * | 2009-09-17 | 2013-02-14 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 電子デバイスの脆弱な無機層におけるコンタクトサイト構成 |
JP2016197580A (ja) * | 2015-04-06 | 2016-11-24 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機el表示装置 |
CN107086237A (zh) * | 2016-02-15 | 2017-08-22 | 精工爱普生株式会社 | 电光学装置以及电子设备 |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006269108A (ja) * | 2005-03-22 | 2006-10-05 | Hitachi Displays Ltd | 有機発光表示装置及びその欠陥画素の修復方法 |
JP5066836B2 (ja) * | 2005-08-11 | 2012-11-07 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及び電子機器 |
JP4809087B2 (ja) * | 2006-03-14 | 2011-11-02 | セイコーエプソン株式会社 | エレクトロルミネッセンス装置、電子機器、およびエレクトロルミネッセンス装置の製造方法 |
BRPI0718360A2 (pt) * | 2006-12-04 | 2013-11-12 | Univ Illinois | "composições e métodos para o tratamento do câncer com cupredoxinas e dna rico em cpg" |
JP2008170756A (ja) | 2007-01-12 | 2008-07-24 | Sony Corp | 表示装置 |
US8138549B2 (en) * | 2007-01-12 | 2012-03-20 | Chimei Innolux Corporation | System for displaying images |
JP2010093068A (ja) * | 2008-10-08 | 2010-04-22 | Hitachi Displays Ltd | 有機el表示装置およびその製造方法 |
JP5296590B2 (ja) * | 2009-03-30 | 2013-09-25 | 新光電気工業株式会社 | 半導体パッケージの製造方法 |
JP5476878B2 (ja) * | 2009-09-14 | 2014-04-23 | カシオ計算機株式会社 | 発光パネルの製造方法 |
KR101730152B1 (ko) * | 2010-10-06 | 2017-04-25 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 |
KR102271226B1 (ko) * | 2013-11-13 | 2021-06-29 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광표시패널 및 이를 이용한 유기발광표시장치 |
JP6318665B2 (ja) * | 2014-02-10 | 2018-05-09 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、電子機器 |
US9875705B2 (en) * | 2015-05-13 | 2018-01-23 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Display apparatus and method of driving the same |
KR102447451B1 (ko) * | 2016-01-20 | 2022-09-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
JP6696193B2 (ja) * | 2016-02-09 | 2020-05-20 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置、および電子機器 |
CN105677128B (zh) | 2016-03-21 | 2019-05-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 3d触控面板及其制备方法、触控驱动装置、显示装置 |
CN109659349B (zh) * | 2019-01-11 | 2021-02-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其制备方法、显示装置 |
CN110718571A (zh) * | 2019-10-14 | 2020-01-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制备方法、显示装置 |
GB2595250B (en) * | 2020-05-19 | 2022-09-28 | Plessey Semiconductors Ltd | Array of light emitting devices with reduced optical crosstalk |
US11810907B2 (en) * | 2021-01-27 | 2023-11-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Pixel structure for displays |
WO2022160164A1 (zh) * | 2021-01-28 | 2022-08-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机发光显示基板及其制作方法、显示装置 |
CN113299858A (zh) * | 2021-05-24 | 2021-08-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制作方法、显示装置 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09134788A (ja) * | 1994-12-08 | 1997-05-20 | Denso Corp | El素子 |
JP2004079427A (ja) * | 2002-08-21 | 2004-03-11 | Seiko Epson Corp | 発光装置及びその製造方法、並びに電子機器 |
JP2005031645A (ja) * | 2003-06-16 | 2005-02-03 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置及びその作製方法 |
JP2005038651A (ja) * | 2003-07-16 | 2005-02-10 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、電気光学装置の製造方法及び電子機器 |
JP2005197011A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-21 | Sanyo Electric Co Ltd | 表示装置及びその製造方法 |
JP2005202094A (ja) * | 2004-01-15 | 2005-07-28 | Sony Corp | 表示装置の基板、薄膜デバイスの製造方法、薄膜デバイス、液晶表示装置およびエレクトロルミネッセンス表示装置 |
JP2005285977A (ja) * | 2004-03-29 | 2005-10-13 | Seiko Epson Corp | 半導体装置、電気光学装置および電子機器 |
JP2005340197A (ja) * | 2004-05-28 | 2005-12-08 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機電界発光表示素子及びその製造方法 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2797883B2 (ja) | 1993-03-18 | 1998-09-17 | 株式会社日立製作所 | 多色発光素子とその基板 |
US5804918A (en) * | 1994-12-08 | 1998-09-08 | Nippondenso Co., Ltd. | Electroluminescent device having a light reflecting film only at locations corresponding to light emitting regions |
JPH08321380A (ja) | 1995-05-25 | 1996-12-03 | Chisso Corp | 有機電界発光素子 |
JP2003114626A (ja) | 2001-06-18 | 2003-04-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置及びその作製方法 |
JP2003133070A (ja) * | 2001-10-30 | 2003-05-09 | Seiko Epson Corp | 積層膜の製造方法、電気光学装置、電気光学装置の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、及び電子機器 |
JP2003288983A (ja) | 2002-01-24 | 2003-10-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置およびその作製方法、及び製造装置 |
US7161184B2 (en) * | 2003-06-16 | 2007-01-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
JP4815761B2 (ja) * | 2003-11-27 | 2011-11-16 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、電子機器 |
KR100581901B1 (ko) * | 2004-02-06 | 2006-05-22 | 삼성에스디아이 주식회사 | 액티브 매트릭스형 유기전계발광소자 |
US8278818B2 (en) * | 2004-06-04 | 2012-10-02 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Electroluminescent display device and method of fabricating the same |
KR100685407B1 (ko) * | 2004-10-18 | 2007-02-22 | 삼성에스디아이 주식회사 | 레드, 그린, 블루, 시안, 마젠타 및 옐로우칼라조절층들을 갖는 풀칼라 유기전계발광표시장치 |
JP4742639B2 (ja) * | 2005-03-25 | 2011-08-10 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置 |
-
2006
- 2006-01-13 JP JP2006005770A patent/JP4582004B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2006-12-20 US US11/613,573 patent/US7638939B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-12-22 CN CN2006101711010A patent/CN101000921B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2006-12-28 KR KR1020060136017A patent/KR20070076422A/ko not_active Application Discontinuation
-
2007
- 2007-01-12 TW TW096101309A patent/TW200733780A/zh unknown
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09134788A (ja) * | 1994-12-08 | 1997-05-20 | Denso Corp | El素子 |
JP2004079427A (ja) * | 2002-08-21 | 2004-03-11 | Seiko Epson Corp | 発光装置及びその製造方法、並びに電子機器 |
JP2005031645A (ja) * | 2003-06-16 | 2005-02-03 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置及びその作製方法 |
JP2005038651A (ja) * | 2003-07-16 | 2005-02-10 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、電気光学装置の製造方法及び電子機器 |
JP2005197011A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-21 | Sanyo Electric Co Ltd | 表示装置及びその製造方法 |
JP2005202094A (ja) * | 2004-01-15 | 2005-07-28 | Sony Corp | 表示装置の基板、薄膜デバイスの製造方法、薄膜デバイス、液晶表示装置およびエレクトロルミネッセンス表示装置 |
JP2005285977A (ja) * | 2004-03-29 | 2005-10-13 | Seiko Epson Corp | 半導体装置、電気光学装置および電子機器 |
JP2005340197A (ja) * | 2004-05-28 | 2005-12-08 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機電界発光表示素子及びその製造方法 |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20090118848A (ko) * | 2008-05-14 | 2009-11-18 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 발광 장치 및 전자 기기 |
JP2009277507A (ja) * | 2008-05-14 | 2009-11-26 | Seiko Epson Corp | 発光装置及び電子機器 |
KR101598026B1 (ko) * | 2008-05-14 | 2016-02-26 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 발광 장치 및 전자 기기 |
US7990050B2 (en) | 2008-09-05 | 2011-08-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Organic light emitting display having auxiliary electrode |
JP2013505570A (ja) * | 2009-09-17 | 2013-02-14 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 電子デバイスの脆弱な無機層におけるコンタクトサイト構成 |
JP2016197580A (ja) * | 2015-04-06 | 2016-11-24 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機el表示装置 |
CN107086237A (zh) * | 2016-02-15 | 2017-08-22 | 精工爱普生株式会社 | 电光学装置以及电子设备 |
JP2017146336A (ja) * | 2016-02-15 | 2017-08-24 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置、および電子機器 |
CN107086237B (zh) * | 2016-02-15 | 2021-10-15 | 精工爱普生株式会社 | 电光学装置以及电子设备 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4582004B2 (ja) | 2010-11-17 |
US20080018243A1 (en) | 2008-01-24 |
US7638939B2 (en) | 2009-12-29 |
CN101000921A (zh) | 2007-07-18 |
CN101000921B (zh) | 2011-12-14 |
KR20070076422A (ko) | 2007-07-24 |
TW200733780A (en) | 2007-09-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4582004B2 (ja) | 発光装置および電子機器 | |
JP4655942B2 (ja) | 発光装置、発光装置の製造方法および電子機器 | |
KR102167506B1 (ko) | 표시 장치 및 전자 기기 | |
US8400055B2 (en) | Organic electroluminescence apparatus with metal auxiliary wiring | |
US8237354B2 (en) | Organic light emitting diode display | |
US8013521B2 (en) | Organic el device and electronic apparatus | |
JP7208679B2 (ja) | 表示装置および電子機器 | |
US8716931B2 (en) | Organic light emitting diode (OLED) display | |
US20110168988A1 (en) | Organic light emitting diode display | |
JP2007207962A (ja) | 発光装置、発光装置の製造方法および電子機器 | |
JP4924329B2 (ja) | 発光装置の製造方法 | |
KR20220051095A (ko) | 표시 장치 | |
JP2008234990A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス装置 | |
JP2008153043A (ja) | エレクトロルミネッセンス装置及び電子機器 | |
KR20220105665A (ko) | 디스플레이 패널, 플렉시블 디스플레이, 전자 디바이스 및 디스플레이 패널을 제조하는 방법 | |
JP2010049956A (ja) | 電気光学装置、電気光学装置の製造方法ならびに電子機器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090820 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090825 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090911 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100302 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100602 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20100611 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100803 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100816 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130910 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |