JP4815761B2 - 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、薄膜を用いて構成される電気光学装置とこの電気光学装置に使用される電気
光学装置用基板、および半導体装置に関するものである。また、これらの製造方法及び電
気光学装置を用いた電子機器に関するものである。

近年、有機エレクトロルミネッセンス（以下、ＥＬという）素子やカラーフィルタなどの製造工程において、インクジェットプロセス（液滴吐出法を用いた製造方法）を用いたパターン形成方法が注目されている。例えば有機ＥＬ薄膜を用いた電気光学装置では、この製造方法を用い、表示基板上の所定の領域に所定のパターンで複数の画素を形成し、各画素における発光を制御することによって表示を行っている。以下では、インクジェットプロセスを用いた薄膜形成方法について、有機ＥＬ薄膜を用いた電気光学装置の場合を例に説明をする。

図２８は、従来の電気光学装置の画素部の要部断面図であり、図２９は、従来の電気光
学装置における薄膜形成時における乾燥工程を模式的に示す図である。上述したように、
有機ＥＬ薄膜は基板上に所定のパターンで所定の区画ごと作製される。基板上には、インクジェットプロセスによる有機ＥＬ薄膜の吐出された液体材料（薄膜材料液）が隣接する画素に流出しないように、断面形状が凸状の仕切部材（以下、隔壁という）２４２が互いに隣接する画素間に設けられている。この隔壁は、基板２６０に形成された画素電極上（図示しない）に第１の隔壁２４３と、その上部に形成される第２の隔壁２４４とから構成され、液滴充填領域Ｒ_Sを囲むように形成される。ここでは、第１の隔壁２４３の上面の開口部よりも第２の隔壁２４４の下面の開口部が大きくなるようにして、その断面を階段状に構成する。また、第１の隔壁２４３と画素電極は、薄膜材料液に対して親液性を有する無機材料によって形成され、第２の隔壁２４４は、同薄膜材料液に対して撥液性を有する有機材料によって形成される。

このような隔壁によって囲まれた各発光領域に、インクジェットプロセスを用い薄膜材料液が充填される。最初の状態は液滴の表面が、図２９の線分Ｌ１に示されるように第２の隔壁２４４の上面より盛り上がっている。しかし、この薄膜材料液を乾燥させることによって、液滴の表面が線分Ｌ１〜線分Ｌ４に示されるように徐々に下がり、最終的には表面が線分Ｌ４で示されるような薄膜２４５が形成される。なお、この乾燥課程において、液滴は第２の隔壁２４４の表面ではじかれ、第１の隔壁２４３の表面及び画素電極の表面ではなじむので、画素電極上の液滴充填領域Ｒ_S内にほぼ平坦な有機ＥＬ薄膜が形成される。（特許文献１参照）

特許第３３２８２９７号公報

しかし、上記方法は図３０に示すように、両端が半円状である細長い形状の発光領域を形成する場合や、図３１に示すような角部を有する発光領域を隔壁２４２内に形成する場合には、画素電極上に均一な膜厚の有機ＥＬ薄膜を形成できないという問題がある。

すなわち、図３０に示すように発光領域が細長い楕円形である場合には、インクジェットプロセスにより充填した薄膜材料液滴２５０は、最初隔壁２４２によって囲まれた領域の全体に広がるが(図左)、その後この液滴は表面張力により次第に球形に戻ろうとして、隔壁２４２内の中央近傍に溜まってしまう。また、図３１に示すように角部を有する隔壁２４２内に液滴を充填させた場合も、薄膜材料液滴２５０は最初隔壁２４２によって囲まれた領域の全体に広がるが(図左)、その後同様に前記領域の中央部に溜まってしまう。したがっていずれの場合にも、発光領域の周縁部、すなわち細長い形状の発光領域の場合には長手方向の両端部近傍で、また角部を有する発光領域の場合は、その角部近傍で有機ＥＬ薄膜の膜厚が薄くなり、発光領域の中央では膜厚が厚くなる。その結果、この膜厚のばらつきに起因して１つの画素内における発光輝度の不均一が生じるという問題が生じる。

本発明は、上記課題を鑑みてなされたものであり、隔壁に囲まれた区画領域内において均一な膜厚、均一な膜質にて機能薄膜層を形成し得る構造を具備し、もって発光輝度の均一性が良好な表示を可能とした電気光学装置、及び、これを用いた電子機器を提供することを目的としている。また、これらを製造するための製造方法を提供することを他の目的としている。

上記課題を解決し、その目的を達成するために、本発明にかかる電気光学装置は、基板上に設けられた隔壁によって囲まれた平面視で略矩形状の区画領域に薄膜材料液を塗布して形成された薄膜を有する電気光学装置であって、前記隔壁は、表面が前記薄膜材料液に対して親液性を有する第１隔壁と、前記第１隔壁上に積層形成され、表面が前記薄膜材料液に対して撥液性を有する第２隔壁とからなり、前記第１隔壁は、前記第２隔壁によって被覆されていない露出部分を有し、前記露出部分は、前記第１隔壁が設けられた前記基板の表面に対して略平行な平坦面を有し、前記平坦面は、前記区画領域の角部において、前記区画領域の辺部に沿った部分に比べて広くなった部分を有し、前記区画領域のうち前記第１隔壁で囲まれた領域内に前記薄膜を備えていることを特徴とする。

本発明にかかる電気光学装置は、表面が薄膜材料液に対して親液性を有する第１隔壁の上に、該第１隔壁が予め決められた領域を露出するように第２隔壁を積層形成する。このように第１隔壁の表面に親液性をもたせることにより、薄膜材料液と第１隔壁表面との濡れ性を良好な状態とすることができる。また、区画領域に薄膜材料液が充填された際には、第１隔壁で囲まれた領域に均一且つ確実に液滴が濡れ広がるため、薄膜を均一に形成することができる。更には、第２隔壁の表面に撥液性をもたせたので、乾燥時に薄膜材料液が第２隔壁から離れやすくなり、また第２隔壁の高さを超える量の薄膜材料液を充填しても、薄膜材料液の表面張力により第２隔壁の外部に薄膜材料液が流れ出すことがない。

更に本発明においては、親液性の第１隔壁の露出部分が区画領域内において予め決められた形状をしているため、第１隔壁の露出部分が他に比べて大きい部分、あるいは露出部分が特殊な形状をした部分では、薄膜材料液は第１隔壁の露出部分に強く引っ張られた状態のまま乾燥する。この事により、該薄膜材料液が表面張力により第１隔壁で囲まれた領域の中央部に集まることが防止される。この結果、薄膜材料液は第１隔壁で囲まれた領域の中央部と周縁部とで、膜厚のばらつきを生じることなく乾燥が完了する。

こうして形成された薄膜は、第１隔壁で囲まれた領域の隅々まで膜厚が均一な状態にあるので、例えば薄膜が発光層であれば、薄膜の膜厚ばらつきに起因する画素内の発光輝度の不均一、ばらつきが生じることが無い。したがって、本発明にかかる電気光学装置は、品質低下のない、高品質な電気光学装置を提供できるという効果がある。

また、本発明にかかる電気光学装置おいて、前記区画領域は、平面視で略矩形状であり、前記露出部分は、前記第１隔壁が設けられた前記基板の表面に対して略平行な平坦面を有し、前記平坦面は、前記区画領域の角部において、前記区画領域の辺部に沿った部分に比べて広くなった部分を有することを特徴とする。
この構成によれば、区画領域の角部において親液性を有する第１隔壁の平坦面を広くしておくと、該角部にまで薄膜材料液が濡れ広がり易くなる。言い換えれば、薄膜材料液が表面張力により区画領域の中央部に集まることが抑制される。これにより第１隔壁で囲まれた領域により膜厚均一性の良い薄膜を形成することができる。

また、本発明にかかる電気光学装置おいて、前記区画領域は、平面視で略矩形状であり、前記露出部分は、前記第１隔壁が設けられた前記基板の表面に対して略平行な平坦面を有し、前記平坦面は、前記区画領域の対向する短辺部に沿った部分において、前記区画領域の長辺部に沿った部分に比べて広くなった部分を有するとしてもよい。
この構成によれば、略矩形状の区画領域の対向する短辺部に沿った部分において親液性を有する第１隔壁の平坦面を広くしておくと、区画領域の長手方向に薄膜材料液が濡れ広がり易くなる。言い換えれば、薄膜材料液が表面張力により区画領域の中央部に集まることが抑制される。これにより第１隔壁で囲まれた領域により膜厚均一性の良い薄膜を形成することができる。

また、本発明にかかる電気光学装置において、前記平坦面の前記広くなった部分が、平面視で略円弧状であることが好ましい。
この構成によれば、平坦面の広くなった部分に薄膜材料液がより濡れ広がり易くなる。

また、本発明にかかる電気光学装置において、前記平坦面の前記広くなった部分に凹部を有することが好ましい。
この構成によれば、平坦面の広くなった部分に設けられた凹部が液溜りとして機能するので、薄膜材料液の乾燥に際して、薄膜材料液が凹部に引っ張られながら乾燥が進行する。つまり、乾燥時に薄膜材料液が表面張力によって区画領域の中央部に集まることが抑制されるので、第１隔壁で囲まれた領域により膜厚均一性の良い薄膜を形成することができる。

また、本発明にかかる電気光学装置の他の態様としては、前記基板の表面を覆う層間絶縁膜を有し、前記層間絶縁膜は前記区画領域に対応した凹部を有し、前記第２隔壁は前記凹部を囲む前記第１隔壁上に設けられ、前記第１隔壁は前記第２隔壁によって被覆されない前記露出部分として前記凹部の内壁を覆う部分を有することを特徴とする。

このように区画領域に対応した凹部の内壁を覆う部分を有する第１隔壁を設けることで、区画領域内における第１隔壁の露出部分の表面積を増加させることができるので、薄膜材料液を区画領域に配して機能薄膜（電荷輸送層や発光層）を形成する際に、この区画領域に薄膜材料液を良好に保持することが可能になる。これにより区画領域内で薄膜材料液が球形状に変形するのを防止し、膜厚の均一な機能薄膜を区画領域内に形成することができる。

また、本発明にかかる電気光学装置において、前記層間絶縁膜の前記凹部の内壁は、前記基板の表面に対して傾斜していることが好ましい。
この構成によれば、区画領域内に延設された第１隔壁の露出部分は、凹部の傾斜した内壁を覆うことで斜面を成しているため、区画領域の面方向への第１隔壁の突出長さを抑えつつその露出部分の表面積を増加させることができる。すなわち、機能薄膜の形成領域を大きく確保することができる。特に、機能薄膜が発光層の場合は明るい表示を得ることに効果を奏する。更には、機能薄膜の膜厚のばらつきに起因した品質低下のない、高品質な電気光学装置を提供できる。

また、本発明にかかる電気光学装置において、前記区画領域は、平面視で略矩形状であり、前記層間絶縁膜の前記凹部の内壁は、前記区画領域の対向する短辺部に沿った部分において傾斜しているとしてもよい。
この構成によれば、第１隔壁の露出部分は、区画領域の対向する短辺部に沿った部分において斜面を成している。つまり、区画領域の長手方向における両端の内壁に親液性を有する第１隔壁が露出しているので、薄膜材料液が区画領域に充填されたときに中央部に集まることが抑制される。したがって、区画領域内において膜厚が均一な薄膜が得られる。

また、別の本発明の好ましい態様によれば、前記区画領域が平面視略多角形状を成しており、前記第１隔壁の露出部分である斜面が、前記区画領域の平面領域のうち外側に凸なる頂部に対応して配置されている構成としてもよい。先の薄膜材料液の偏在は、区画領域の平面領域のうち外側に凸なる頂部においても同様に生じやすいものである。そこで本構成の如く前記頂部に対応して第１隔壁の前記斜面を配しておけば、区画領域内における液体材料の偏在を効果的に防止できる。

本発明による電気光学装置は、基体と隔壁部材との間に回路層を有する電気光学装置であって、前記隔壁部材と平面的に重なる位置の該回路層表面に、凸部が形成されていることを特徴とする。この構成によれば、回路層表面に形成された凸状部によって前記第１隔壁層の斜面部を形成できるため、回路層と仕切部材との間に、前記斜面部を形成するための部材を別途設ける必要が無く、効率的に製造可能な電気光学装置とすることができる。

また、本発明の好ましい態様によれば、前記凸部が、前記回路層に設けられた導電部材に起因して回路層表面に形成されたものであることが好ましい。この構成によれば、前記回路層に設けた導電部材、あるいは導電部材を覆って形成した絶縁膜により前記凸状部を形成できるので、例えば薄膜トランジスタ等の駆動素子を備えている場合には、それに接続される走査線や信号線等を上記導電部材として利用できる。また、上記導電部材は駆動素子に接続されないダミー配線であっても構わない。ダミー配線であれば、その配置や厚み、幅などの制限が駆動素子と接続される配線に比して緩和されるため、凸状部の配置の自由度が高まり、例えば区画領域の形状に合わせて第１隔壁層の斜面部の位置を変更する場合にも容易に対応可能になる。

本発明の電気光学装置では、前記第１隔壁が無機材料を主体としてなり、前記第２
隔壁が有機材料を主体としてなるものであることが好ましい。
この構成によれば、表面特性が互いに異なる第１隔壁と第２隔壁とを容易に得ることができる。

また、本発明の電気光学装置では、前記薄膜が有機エレクトロルミネッセンス膜であることを特徴とする。これにより、膜厚の均一性の良好な有機エレクトロルミネッセンス膜を形成することができ、有機エレクトロルミネッセンス膜の膜厚のばらつきに起因した品質低下のない、高品質な電気光学装置としての有機ＥＬ装置を提供できる。

本発明にかかる電気光学装置の製造方法は、基板上の薄膜形成領域に薄膜を有する電気光学装置の製造方法であって、前記薄膜形成領域を囲むと共に、表面が薄膜材料液に対して親液性を有する第１隔壁を形成する第１隔壁形成工程と、前記第１隔壁の一部を露出させた状態で前記薄膜形成領域を含む平面視で略矩形状の区画領域を囲むと共に、表面が前記薄膜材料液に対して撥液性を有する第２隔壁を前記第１隔壁上に形成する第２隔壁形成工程と、前記第２隔壁で囲まれた前記区画領域に前記薄膜材料液を充填し、その後乾燥して前記区画領域のうち前記第１隔壁で囲まれた前記薄膜形成領域に前記薄膜を形成する薄膜形成工程と、を備え、前記第１隔壁形成工程は、前記区画領域内において露出した部分が平坦面を有するように前記第１隔壁を形成し、前記第２隔壁形成工程は、前記平坦面が前記区画領域の角部において、前記区画領域の辺部に沿った部分に比べて広くなった部分を有するように、前記第１隔壁上に前記第２隔壁を形成することを特徴とする。

上記本発明にかかる電気光学装置の製造方法においては、表面が薄膜材料液に対して親液性を有する第１隔壁の上に、さらに該第１隔壁の一部が露出するように第２隔壁を積層形成する。第１隔壁の表面は親液性をもっているので、薄膜材料液と第１隔壁表面との濡れ性を良好な状態とすることができる。また、薄膜材料液が充填された際には、第１隔壁で囲まれた領域に均一且つ確実に液滴が濡れ広がるため、薄膜を均一に形成することができる。更には、第２隔壁の表面に撥液性をもたせたので、乾燥時に薄膜材料液が第２隔壁から離れやすくなり、また第２隔壁の高さを超える量の薄膜材料液を充填しても、薄膜材料液の表面張力により第２隔壁の外部に薄膜材料液が流れ出すことがない。

更に本発明においては、薄膜材料液は親液性の第１隔壁の露出部分に強く引っ張られた状態のまま乾燥する。この事により、該薄膜材料液が表面張力により第１隔壁で囲まれた薄膜形成領域の中央部に集まることが防止される。この結果、薄膜材料液は第１隔壁で囲まれた薄膜形成領域の中央部と周縁部とで、膜厚のばらつきを生じることなく乾燥が完了する。

こうして形成された薄膜は、第１隔壁で囲まれた薄膜形成領域の隅々まで膜厚が均一な状態にあるので、例えば薄膜が発光層ならば、薄膜の膜厚ばらつきに起因する画素内の発光輝度の不均一、ばらつきを生じることが無い。したがって、本発明にかかる電気光学装置は、膜厚のばらつきに起因した品質低下のない、高品質な電気光学装置を作製できるという効果がある。

本発明にかかる電気光学装置の製造方法において、前記区画領域は、平面視で略矩形状であり、前記第１隔壁形成工程は、前記区画領域内において露出した部分が平坦面を有するように前記第１隔壁を形成し、前記第２隔壁形成工程は、前記平坦面が前記区画領域の角部において、前記区画領域の辺部に沿った部分に比べて広くなった部分を有するように、前記第１隔壁上に前記第２隔壁を形成することが好ましい。

この方法によれば、第２隔壁形成工程では、区画領域の角部において親液性を有する第１隔壁の平坦面が広くなるように第１隔壁上に第２隔壁を形成するので、薄膜形成工程では該角部にまで薄膜材料液が濡れ広がり易くなる。言い換えれば、薄膜材料液が表面張力により区画領域の中央部に集まることが抑制される。これにより第１隔壁で囲まれた薄膜形成領域により膜厚均一性の良い薄膜を形成することができる。

また、本発明にかかる電気光学装置の製造方法において、前記区画領域は、平面視で略矩形状であり、前記第１隔壁形成工程は、前記区画領域内において露出した部分が平坦面を有するように前記第１隔壁を形成し、前記第２隔壁形成工程は、前記平坦面が前記区画領域の短辺部において、前記区画領域の長辺部に沿った部分に比べて広くなった部分を有するように、前記第１隔壁上に前記第２隔壁を形成するとしてもよい。
この方法によれば、第２隔壁形成工程では、略矩形状の区画領域の対向する短辺部に沿った部分において親液性を有する第１隔壁の平坦面が広くなるように第１隔壁上に第２隔壁を形成する。そうすると、薄膜形成工程では、区画領域の長手方向に薄膜材料液が濡れ広がり易くなる。言い換えれば、薄膜材料液が表面張力により区画領域の中央部に集まることが抑制される。これにより第１隔壁で囲まれた薄膜形成領域により膜厚均一性の良い薄膜を形成することができる。

また、本発明にかかる電気光学装置の製造方法において、前記第２隔壁形成工程は、前記平坦面の前記広くなった部分が、平面視で略円弧状となるように前記第１隔壁上に前記第２隔壁を形成することが好ましい。
この方法によれば、第１隔壁の平坦面の広くなった部分において万遍なく薄膜材料液が濡れ広がる。

また、本発明にかかる電気光学装置の製造方法において、前記平坦面の前記広くなった部分に凹部を形成する工程をさらに備えるとしてもよい。
この方法によれば、第１隔壁の平坦面の広くなった部分に形成された凹部は液溜りとして機能する。したがって、薄膜材料液の乾燥に際して、薄膜材料液が凹部に引っ張られながら乾燥が進行する。つまり、乾燥時に薄膜材料液が薄膜形成領域の中央部に集まることが抑制されるので、第１隔壁で囲まれた薄膜形成領域により膜厚均一性の良い薄膜を形成することができる。

本発明にかかる電気光学装置の製造方法の他の態様としては、前記第１隔壁形成工程の前に、前記基板の表面を覆うと共に前記区画領域に対応した凹部を有する層間絶縁膜を形成する層間絶縁膜形成工程を備え、前記第１隔壁形成工程は、前記凹部の内壁を覆うように前記第１隔壁を形成し、前記第２隔壁形成工程は、前記第１隔壁の前記凹部の内壁を覆った部分を露出させた状態で前記第１隔壁上に前記第２隔壁を形成するとしてもよい。
この方法によれば、第１隔壁形成工程で区画領域に対応した凹部の内壁を覆う部分を有する第１隔壁を形成することにより、区画領域内における第１隔壁の露出部分の表面積を増加させることができる。したがって、薄膜形成工程において、薄膜材料液を区画領域に配して機能薄膜を形成する際に、この区画領域に前記薄膜材料液を良好に保持することが可能になる。これにより区画領域内で薄膜材料液が球形状に変形するのを防止し、膜厚の均一な機能薄膜を区画領域内に形成することができる。

本発明にかかる電機光学装置の製造方法における他の態様において、前記層間絶縁膜形成工程は、前記凹部の内壁が、前記基板の表面に対して傾斜するように前記凹部を有する前記層間絶縁膜を形成することが好ましい。
この方法によれば、凹部の内壁を傾斜させることにより、区画領域内における第１隔壁の露出部分をさらに増やすことができる。

また、本発明にかかる電機光学装置の製造方法における他の態様において、前記区画領域は、平面視で略矩形状であり、前記層間絶縁膜形成工程は、前記凹部の内壁が、前記区画領域の対向する短辺部に沿った部分において傾斜するように前記凹部を有する前記層間絶縁膜を形成するとしてもよい。
この方法によれば、配された薄膜材料液を区画領域の長手方向における両端側まで行き渡らせ、薄膜材料液が中央部に集まることを抑制することができる。

また、本発明にかかる電気光学装置の製造方法における他の態様において、前記区画領域は、平面視で略矩形状であり、前記層間絶縁膜形成工程は、前記凹部の内壁が、前記区画領域の角部において傾斜するように前記凹部を有する前記層間絶縁膜を形成するとしてもよい。
この方法によれば、配された薄膜材料液を区画領域の角部にまで行き渡らせ、薄膜材料液が中央部に集まることを抑制することができる。

本発明にかかる電気光学装置の製造方法において、前記薄膜形成工程は、有機エレクトロルミネッセンス膜を形成することを特徴とする。
この方法によれば、第１隔壁で囲まれた区画領域（薄膜形成領域）において、膜厚の均一性が良好な有機エレクトロルミネッセンス膜を形成することができる。したがって、有機エレクトロルミネッセンス膜の膜厚のばらつきに起因した品質低下のない、高品質な電気光学装置としての有機ＥＬ装置を製造することができる。

また、本発明によれば、上述の電気光学装置を有する電子機器を提供する。これにより
、より高品質な電子機器を実現することができる。

以下、図面を参照しながら、本発明にかかる電気光学装置、半導体装置、電気光学装置用基板、そしてこれらを作製する電気光学装置の製造方法、半導体装置の製造方法、電気光学装置用基板の製造方法、並びに電子機器について説明する。以下においては、電気光学装置の発光層に半導体薄膜である有機ＥＬ薄膜を使用した有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示装置を例に挙げて説明するが、本発明は以下の記述に限定されるものではなく、適宜変更が可能である。また、以下の実施例で用いられる電気光学装置の断面図は模式的なものであり、層の厚みと幅との関係や各層の厚みの比率などは現実のものとは異なる。

〔実施例１−１〕
＜電気光学装置、半導体装置、電気光学装置用基板＞
図１は、本実施例にかかる電気光学装置の配線構造の平面模式図である。この図に示
されるように、電気光学装置１は、複数の走査線１０１と、走査線１０１に対して空間を
隔てて略直角に交差する方向に延びる複数の信号線１０２と、信号線１０２に並列に延び
る複数の電源線１０３とが、それぞれ配線された構成を有する。そして、走査線１０１と
信号線１０２の各交点に、マトリックス状に画素領域Ａが設けられている。

信号線１０２には、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオラインおよびアナログスイ
ッチを備えるデータ駆動回路１０４が接続されている。また、走査線１０１には、シフト
レジスタおよびレベルシフタを備える走査駆動回路１０５が接続されている。

画素領域Ａのそれぞれには、走査線１０１を介して走査信号がゲート電極に供給される
スイッチング用ＴＦＴ１１２と、このスイッチング用ＴＦＴ１１２を介して信号線１０２
から供給される画素信号を保持する保持容量ｃａｐと、この保持容量ｃａｐによって保持
された画素信号がゲート電極に供給される駆動用ＴＦＴ１１３と、この駆動用ＴＦＴ１１
３を介して電源線１０３から駆動電流が流れ込む画素電極（陽極）４１と、この画素電極４１と対になる対向電極（陰極）４６と、両者の間に挟み込まれた機能層４５とが設けられる。これらの画素電極４１と対向電極４６、および、機能層４５によって発光素子部が構成されている。なお、機能層４５は、後述する発光層を含む有機ＥＬ薄膜に対応する。

このような電気光学装置１では、走査線１０１が駆動されてスイッチング用ＴＦＴ１１２がオンになると、そのときの信号線１０２の電位が保持容量ｃａｐに保持され、この保持容量ｃａｐの状態に応じて、駆動用ＴＦＴ１１３のオン・オフ状態が決まる。すなわち発光素子は、この保持容量の状態に応じて、駆動ＴＦＴ１１３を介して電源線１０３から供給される電流量が変化するので、この流れる電流量に応じて輝度が変化する。このようにして電気光学装置１は所望の表示状態を示すことができる。

図２及び図３は、本実施例にかかる電気光学装置の画素領域Ａの構造を模式的に示す断
面図であり、図２は、図１における機能層４５および駆動用ＴＦＴ１１３のより詳細な構造を示す断面図である。また、図３は、画素領域Ａのうち１つの画素を模式的に示す平面図である。図３に示すように１つの画素は細長い形状を有する略矩形とされ、その周縁部には４つの角部を有している。そして、後述する第１隔壁４３に囲まれた領域が発光領域となる。なお、本発明においては、後述する隔壁４２に囲まれた領域全体を１つの画素と定義する。この電気光学装置１は、基板１０と、この基板１０上にＴＦＴなどの能動素子や配線が形成された駆動素子部２０と、有機ＥＬ薄膜が形成される機能素子部４０とから構成される。

基板１０は、各種のガラス材料、樹脂材料、単結晶を含むセラミックス材料または金属
材料などを用いることができ、用途に応じた基板を選択することができるが、図２では基
板にガラス基板を使用する場合を例に挙げている。

駆動素子部２０は、スイッチング用ＴＦＴ１１２、駆動用ＴＦＴ１１３、その他の素子
や配線を含んで構成される。駆動用ＴＦＴ１１３は、基板１０上に形成されたＳｉＯ₂な
どからなる下地層２１上の所定の位置に形成される島状のポリシリコンによって形成され
る。図２においては、駆動用ＴＦＴ１１３を縦方向に切断した縦断面図が描かれている。
駆動用ＴＦＴ１１３のゲート電極２４は、図１に示したスイッチング用ＴＦＴ１１２のド
レイン電極と電気的に接続されている。また、駆動用ＴＦＴ１１３のソース領域とドレイ
ン領域とには、第１の層間絶縁膜２３と第２の層間絶縁膜２５とに形成されたコンタクト
ホール２６を介してそれぞれソース電極／ドレイン電極２７が形成される。これらのソー
ス電極／ドレイン電極２７のうち一方は、図１に示した電源線１０３と電気的に接続され
、他方は第３の層間絶縁膜２８に形成されたコンタクトホール２９を介して機能素子部４
０の画素電極４１と電気的に接続される。なお、駆動素子部２０の第１〜第３の層間絶縁
膜２３，２５，２８は、ＳｉＯ₂などの絶縁性材料によって構成される。

機能素子部４０は、発光層と正孔注入層とを含む有機化合物層として有機ＥＬ薄膜から
なる機能層４５と、機能層４５を動作させるための一対の電極４１（陽極），４６（陰極
）と、機能層４５を所定の領域に形成するための隔壁４２と、機能層４５を周囲の雰囲気から遮断するためのシール層４７とを備えて構成されている。

隔壁４２は、所定の領域、すなわち機能層４５を形成する際に薄膜材料液が充填される液滴充填領域Ｒ_Sを取り囲むように駆動素子部２０上に形成され、その表面が薄膜材料液に対して良好な親液性を有する第１隔壁４３と、第１隔壁４３上に形成され、かつその表面が薄膜材料液に対して撥液性を有する第２隔壁４４とから構成されている。第１隔壁４３の開口上部は開口下部よりも広く形成されている。すなわち、第１隔壁４３の側面は、基板表面に垂直な方向に対して傾斜部４３ａを有するように形成されている。同様に、第２隔壁４４の開口上部は開口下部よりも広く形成されている。すなわち、第２隔壁４４の側面も、基板表面に垂直な方向に対して傾斜部４４ａを有するように形成されている。

また、第１隔壁４３の開口上部は、第２隔壁４４の開口下部よりも機能層４５の面内の中心側に位置している。換言すると、第２隔壁４４は上部から見て第１隔壁の平坦面４３ｂが露出するように第１隔壁４３上に形成されている。すなわち、図２に示されるように、隔壁４２を構成する第１隔壁４３と第２隔壁４４の断面形状は階段状となっている。

また、第１隔壁４３は開口部の外周部、すなわち機能層４５の外周部に第１隔壁の平坦面４３ｂ、４３ｂ´を有しており、この平坦面４３ｂは機能層４５の角部近傍が略円弧状に形成されている。そして、角部近傍の第１隔壁の平坦面４３ｂ´は、直線部（長辺部、短辺部）近傍に形成された第１隔壁の平坦面４３ｂよりも面積が大とされ、親液性の第１隔壁４３の面積が広く確保されている。第２隔壁４４は、第１隔壁の平坦面４３ｂ、４３ｂ´の外周に沿って傾斜部４４ａが立ち上がり、その外周部に平坦な面が形成されている。第１隔壁の角部に形成された略円弧状の第２隔壁の傾斜角は、開口部の直線部（長辺部、短辺部）近傍に形成された第２隔壁の傾斜角と比較して低くなっている。一般に有機樹脂を含む液体から第２隔壁を形成する場合、第２隔壁材料の圧縮応力は直線部分に加わる応力に比べて円弧部に加わる力が強くなる。したがって、開口部の直線部（長辺部、短辺）近傍より、略円弧状に形成された第２隔壁の傾斜角が小さくなる。このようにすることにより、薄膜材料を含む液面と第１隔壁により囲まれた薄膜形成領域との間隔を遠ざけることができる。その結果、薄膜材料液が表面張力により開口部の中央部に集まることが防止できる。

この第１隔壁４３は、後述する薄膜作製用液体材料と親液性を有し、下地の陽極４１との密着性が良く、フォトリソグラフィによるパターニングが容易な絶縁材料から構成されている。このような材料としては、ＳｉＯ₂やＴｉＯ₂などの無機材料を用いることができる。また、第２隔壁４４は、前述の液体材料と撥液性を有し、下地の第１隔壁４３との密着性が良く、フォトリソグラフィによるパターニングが容易な絶縁材料から構成されている。このような材料としては、例えばポリイミドやアクリルなどの有機材料を用いることができる。

機能層４５は、発光を行う発光層４５ｂと、正孔を発光層に移行させるとともに発光層からの電子の移行をブロックする正孔輸送層４５ａとから構成される。本実施例においては、機能層４５が発光層４５ｂと正孔輸送層４５ａとにより構成されている場合を例に挙げたが、補助層としてはこの他に、電子注入層、電子輸送層、正孔ブロック層、電子ブロック層、正孔注入層などの、発光層における発光を高めるための機能を有する層を設けることもできる。

発光層４５ｂを構成する発光材料としては、蛍光あるいは燐光となる公知の発光材料を用いることができる。具体的には、（ポリ）フルオレン誘導体（ＰＦ）、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体（ＰＰＶ）、ポリフェニレン誘導体（ＰＰ）、ポリパラフェニレン誘導体（ＰＰＰ）、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、ポリチオフェン誘導体、ポリジアルキルフルオレン（ＰＤＡＦ）、ポリフルオレンベンゾチアジアゾール（ＰＦＢＴ）、ポリアルキルチオフェン（ＰＡＴ）や、ポリメチルフェニルシラン（ＰＭＰＳ）などのポリシラン系が好適に用いられる。

また、これらの高分子材料に、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素な
どの高分子系材料や、ルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラ
フェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等の低分子材料をドープ
して用いることもできる。なお、発光層４５ｂは、単色を発光する構成としても良く、画
素毎に赤、青、緑などの多色を発光する構成としても良い。また、これらの中間色を発光
する構成とすることもできる。例えばプリンターのインクのように画素毎に異なる６色を
発光する構成とすることもできる。

また、正孔輸送層４５ａを構成する正孔輸送性材料としては、例えばポリチオフェン誘
導体、ポリピロール誘導体、またはこれらのドーピング体などを用いることができる。具
体的には、３，４−ポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルフォン酸（ＰＥ
ＤＯＴ／ＰＳＳ）の分散液、すなわち、分散媒としてのポリスチレンスルフォン酸に３，
４−ポリエチレンジオキシチオフェンを分散させ、さらにこれに水を分散させた分散液な
どを用いることができる。

これらの材料を使用し、機能層４５全体の膜厚は第１隔壁４３の厚みと略同等の厚みに形成されている。正孔輸送層４５ａの膜厚は第１隔壁の厚み以下とされている。また、発光層４５ｂは、第１隔壁４３に囲まれた領域（第１隔壁４３の開口部領域）の角部の隅々まで、膜厚が均一な状態で形成されている。すなわち、発光層４５ｂは、発光領域の中央近傍では膜厚が厚く、周縁部では膜厚が薄いといった膜厚のばらつきはなく、全面において一様の膜厚で形成されている。

電極４１，４６は、機能層４５を上下から挟むような形で形成されている。なお以下で
は、基板１０側に形成される電極４１を画素電極（陽極）と呼び、この画素電極に対向し
て配置される電極４６を対向電極（陰極）と呼ぶ場合もある。

電気光学装置１が、機能素子部４０側から発光を行うトップエミッション型である場合には、対向電極（陰極）４６はインジウムスズ酸化物（以下、ＩＴＯという）などの透明な導電性材料で形成され、画素電極（陽極）４１は電極として通常使用されるような金属の材料で形成される。また、ＩＴＯなどの光透過性材料を用いても良い。さらには、上記の電極材料を薄膜化して光透過性を付与した構成としても良い。

また、電気光学装置１が、基板１０側から発光を行うボトムエミッション型である場合には、画素電極（陽極）４１が透明な導電性材料で形成され、対向電極（陰極）４６は電極として通常使用されるような不透明な金属材料で形成される。例えば、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）などの単体材料や、ＭｇとＡｇの比率が１０：１である合金材料により構成することができる。また、上記の材料からなる二層または三層の電極構造にしても良い。具体的には、Ｌｉ₂Ｏ（膜厚５ｎｍ程度）／Ａｌ（膜厚２００ｎｍ程度）の二層からなる金属積層膜や、ＬｉＦ（膜厚０．５ｎｍ程度）／Ａｌ（膜厚２００ｎｍ程度）の二層からなる金属積層膜や、ＭｇＦ２（膜厚０．５ｎｍ程度）／Ａｌ（膜厚２００ｎ程度）の二層からなる金属積層膜などを用いることができる。

さらに、電気光学装置１の発光を基板１０の両側から行う場合には、画素電極（陽極）４１と対向電極（陰極）４６をともに透明な導電性材料で形成すればよい。

シール層４７は、大気中の水蒸気や酸素などが機能層４５と接触しないように陰極４６上に形成される層であり、缶によるケーシング、あるいはガスバリア性がある封止膜を有機ＥＬ素子上に設けることでよい。このようなシール材としては、公知の各種樹脂材料を用いることができる。

以上のように構成された電気光学装置１においては、機能層４５が、第１隔壁４３に囲まれた領域の隅々まで膜厚が均一な状態にあり、これにより発光層４５ｂの膜厚ばらつきに起因した発光輝度の不均一、ばらつきが生じることはない。従って、本発明により高品質な電気光学装置が実現される。

＜電気光学装置、半導体装置、電気光学装置用基板の製造方法＞
次に、本発明にかかる電気光学装置の製造方法について説明する。図４は、本実施例にかかる電気光学装置１の製造工程を示すフローチャートであり、図５−１〜図５−１２は、その製造工程を模式的に示す断面図である。この電気光学装置の製造方法は、図４に示すように、駆動素子部形成工程（Ｓ１）と、画素電極（陽極）形成工程（Ｓ２）と、第１隔壁形成工程（Ｓ３）と、第２隔壁形成工程（Ｓ４）と、親液性調整工程（Ｓ５）と、機能層形成工程（Ｓ６）と、対向電極（陰極）形成工程（Ｓ７）と、シール層形成工程（Ｓ８）とを含んでいる。

まず、駆動素子部形成工程（Ｓ１）では、図５−１〜図５−２に示すように基板１０上
に走査線１０１と信号線１０２などの配線や、スイッチング用ＴＦＴ１１２と駆動用ＴＦ
Ｔ１１３などの能動素子が形成される。例えば、図５−２に示されるように駆動用ＴＦＴ１１３が形成される場合には、まず、基板１０上にＳｉＯ₂からなる下地層２１が形成され、その上にアモルファスシリコン膜がプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）などの成膜手段によって堆積される。次に、アモルファスシリコン膜をレーザアニールによって、溶融、冷却、固化させることでポリシリコン膜とする。そして、基板１０上に駆動用ＴＦＴ１１３用のポリシリコン膜２２のみを残すようにエッチングする。

さらに、ポリシリコン膜２２と基板１０表面を覆うように第１の層間絶縁膜２３を形成
し、その後ポリシリコン膜２２の中央部付近にＮ⁺イオンを注入してｎチャネル２２ａを形成し、ｎチャネル２２ａを形成した第１の層間絶縁膜２３の上部付近にゲート電極２４を形成する。さらに、ゲート電極２４と第１の層間絶縁膜２３の表面を覆うように第２の層間絶縁膜２５を形成し、第１の層間絶縁膜２３と第２の層間絶縁膜２５を貫通してポリシリコン膜２２に到達するように２つのコンタクトホール２６がゲート電極２４を挟む位置に形成される。そして、コンタクトホール２６とその周辺にソース電極／ドレイン電極２７を形成した後、これらのソース電極／ドレイン電極２７と第２の層間絶縁膜２５の表面を覆うように第３の層間絶縁膜２８を形成する。このようにして、駆動素子部２０が形成される。

次に、画素電極（陽極）形成工程（Ｓ２）では、図５−３に示すようにソース電極また
はドレイン電極２７へ通じるコンタクトホール２９を貫通し、その後駆動素子部２０上に画素電極（陽極）４１となる導電性材料をスパッタ、蒸着、またはその他の成膜手段によって成膜する。この電極薄膜は、後述する薄膜材料に対して親液性を有する材料により形成することが好ましい。これにより後述するインクジェットプロセスで充填される組成物表面とのなじみがよくなる。そして、液体材料が充填された際には液体が画素電極（陽極）４１の表面に均一且つ確実に濡れ広がるため、良質な薄膜を形成することができる。

その後、フォト・エッチングプロセスを用いて、図５−３に示すように形成した導電性
薄膜を画素電極形状にパターニングして画素電極（陽極）４１を形成する。このとき、第３の層間絶縁膜２８に形成されたコンタクトホール２９内にも導電材料が製膜されているので、機能素子部４０の画素電極（陽極）４１と駆動用ＴＦＴ１１３の電極端子が、コンタクトホール２９を介して電気的に接続されるようになる。

次に、第１隔壁形成工程（Ｓ３）では、パターニングした画素電極（陽極）４１上およ
び第３の層間絶縁膜２８上に第１隔壁４３となる薄膜、例えばＳｉＯ₂膜を形成する。次に、図５−４及び図５−５に示すように、このＳｉＯ₂膜を画素電極（陽極）４１上の所定の位置でエッチング剥離し、機能層４５を形成する開口部を設置する。すなわち、第１隔壁４３は、機能層４５の形成領域を囲うように画素電極（陽極）４１の周縁に残される。本実施例においては、機能層４５を形成する開口部は、図５−５に示すように細長い矩形状であり、その周縁部には４つの角部を有した形状とする。また、第１隔壁４３の開口部は上部が下部よりも広く形成される。すなわち、第１隔壁４３の側面は、図５−４に示すように基板表面に垂直な方向に対して傾斜部４３ａを有するように形成される。

次に、第２隔壁形成工程（Ｓ４）では、感光性を有する絶縁有機材料を第１隔壁４３と画素電極（陽極）４１上に塗布し、これにマスクを通して紫外線を照射し、その後現像を行うことによって、図５−６及び図５−７に示すような第２隔壁４４を形成する。このとき第２隔壁４４の開口上部は、開口下部よりも広く形成する。すなわち、第２隔壁４４の側面は、基板表面に垂直な方向に対して傾斜部４４ａを有するように形成する。したがって、図５−６に示すように、第１隔壁４３と第２隔壁４４とにより構成される隔壁４２の断面形状は階段状となる。第２隔壁４４の厚さは特に限定されるものではないが、後述する機能層形成工程で充填される組成物の量、回路基板との間に生じる電気的寄生容量などを考慮して決定される。

また、第２隔壁４４は、上から見て第１隔壁の平坦面４３ｂ、４３ｂ´が露出するように第１隔壁４３上に形成され、第１隔壁４３の開口部の角、すなわち機能層４５の角近傍を円弧状とするようにパターニングされる。このようにすることで、開口部の角近傍の第１隔壁平坦面４３ｂ´は、開口部の直線（長辺部、短辺部）近傍の第１隔壁平坦面４３ｂよりも面積が大きくなり、親液性の第１隔壁４３の面積を広くすることができる。

つぎに、親液性調整工程（Ｓ５）では、画素電極（陽極）４１、第１の隔壁４３および
第２の隔壁４４の表面に対して、親液性の度合を調整するための処理を行う。すなわち画
素電極（陽極）４１及び第１の隔壁４３に対しては、薄膜材料液に対する親液性を高める
ための処理を行い、第２の隔壁４４に対しては、薄膜材料液に対する親液性を低下させる
、換言すると撥液性を高めるための処理を行う。例えば、画素電極（陽極）４１と第１の
隔壁４３の表面に対しては、酸素プラズマ処理やＵＶ照射処理、オゾン含有ガスへの暴露
処理などを行う。このように薄膜材料液に対する親液性を高めることにより、画素電極（
陽極）４１の表面及び第１隔壁４３の表面での薄膜材料液の濡れ性をより良好な状態とす
ることができ、後述するインクジェットプロセスで充填される薄膜材料液の組成物とのな
じみがよくなる。そして、薄膜材料液が充填された際に薄膜材料液が画素電極（陽極）４
１の表面に均一濡れ広がり易くなる。

また、第２の隔壁４４の表面に対しては、ＣＦ₄，ＳＦ₆，ＣＨＦ₃などのガスを用いたフッ素プラズマ処理を行い、表面を撥液性にする。これによって、後述するインクジェットプロセスで充填される薄膜材料液が乾燥する際に該薄膜材料液が第２隔壁４４から離れやすくなり、第２隔壁４４表面に液体材料が残留することなく薄膜を形成することができる。なお、画素電極（陽極）４１および第１隔壁４３が薄膜材料液に対して十分に良好な親液性を有する材料により構成されている場合は、この親液性調整処理工程は特に行わなくても良い。また同様に第２の隔壁４４が薄膜材料液に対して十分に良好な撥液性を有する材料により構成されている場合は、この親液性調整処理工程は特に行わなくても良い。

次に、機能層形成工程（Ｓ６）では、インクジェットによる液滴吐出法を用い、発光層４５ｂ、正孔輸送層４５ａからなる機能層４５を、図５−８に示すように形成する。手順は、正孔輸送層４５ａを構成する材料組成物を液滴充填領域Ｒ_S内に充填して乾燥させ、図５−９の正孔輸送層４５ａを形成する。このとき、乾燥後の正孔輸送層４５ａの膜厚が第１隔壁４３の厚み以下となるように、液滴充填領域Ｒ_S内に充填する薄膜材料液の量を調整しておく。

次に発光層４５ｂを構成する材料組成物が含まれた薄膜材料液を、液滴充填領域Ｒ_S内の正孔輸送層４５ａ上に充填して乾燥させ、図５−１０に示すように発光層４５ｂを形成する。このとき上記同様に、乾燥後の機能層４５の膜厚が第１隔壁４３の厚みと略同等となるように液滴充填領域Ｒ_S内に充填する薄膜材料液の量を調整しておく。

本発明では、前述したように第２隔壁から露出した第１隔壁の平坦面のうち第１隔壁４３の開口部の角部、すなわち機能層４５の角部近傍を略円弧状とし、平坦面４３ｂ´の角部近傍を、開口部の直線（長辺部、短辺部）近傍４３ｂより面積が大きくなるように設計している。そのため、発光材料液は面積が広く確保された略円弧状の第１隔壁平坦面４３ｂ´により、開口部の外周側に強く引っ張られながら乾燥するので、薄膜材料液が表面張力により開口部の中央部に集まることが防止される。

一般的に、薄膜が液層から固相になる際には液体に圧縮応力が加わる。この圧縮応力は直線部分に加わる応力に比べて円弧部に加わる応力が強くなる。したがって、開口部の直線（長辺部、短辺部）近傍より、開口部の角部近傍の略円弧状とされた第１隔壁の平坦面４３ｂ´において強い圧縮応力が薄膜材料液に加わり、薄膜材料液の液滴外縁部のテーパー角が小さくなる。テーパー角が小さくなることにより液面が広範囲に濡れ広がり、薄膜材料液が表面張力により開口部の中央部に集まることが防止される。
その結果、発光層４５ｂは、第１隔壁４３に囲まれた領域（第１隔壁４３の開口部領域
）の角部の隅々まで、全体的に膜厚が均一な状態で形成され、発光層４５ｂの膜厚のばらつきに起因した１つの画素内における発光輝度の不均一、ばらつきを生じることが防止される。

以上により、画素電極（陽極）４１上に正孔輸送層４５ａと発光層４５ｂが積層され
、かつ、第１隔壁４３の厚みと略同等とされた機能層４５が形成される。なお、補助層を複数形成する場合には、所望の補助層を構成する組成物を含んだ薄膜材料液を同様に液滴充填領域Ｒ_S内に充填して乾燥させることにより、複数の補助層を有する機能層４５を形成することができる。

次に、対向電極（陰極）形成工程（Ｓ７）では、機能層４５の上に蒸着、スパッタまた
はその他の成膜手段によって対向電極（陰極）となる薄膜を形成し、この薄膜を所定の形
状（対向電極形状）にパターニングすることによって、図５−１１に示すような対向電極（陰極）４６を形成する。対向電極（陰極）４６は、例えばアルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）などの単体材料や、ＭｇとＡｇの比率がＭｇ：Ａｇ＝１０：１である合金材料により形成することができる。また、対向電極（陰極）２５は一層の金属層として構成しても良く、また、上記の材料などからなる二層の金属層または三層の金属層として構成しても良い。

シール層形成工程（Ｓ８）では、図５−１２に示すように、上述した工程によって機能層４５が形成された基板１０の表面にシール層４７を形成する。このシール層４７は、大気中の水分や酸素が機能層４５や電極材料に接触してこれらが劣化することを防止する。シール材料としては、熱硬化型エポキシ系樹脂、紫外線硬化型エポキシ系樹脂などの各種樹脂材料を用いることができる。

上述した電気光学装置の製造方法によれば、上記Ｓ１〜Ｓ１０の工程を実施することにより、図２及び図３に示した電気光学装置１を作製することができ、隔壁に囲まれた領域内の周縁部の隅々まで、均一な膜厚の発光層４５ｂ（機能層４５）を簡便且つ確実に形成することができる。したがって、発光層４５ｂ（機能層４５）の膜厚のばらつきに起因した品質低下のない、高品質な電気光学装置を作製することができる。

なお、上述したＳ５まで（またはＳ４まで）の工程で、基板１０上に駆動素子部２０と機能素子部４０の一部（画素電極（陽極）４１、隔壁４２）を作製した基板を、この明細書では電気光学装置用基板と呼ぶ。

〔実施例１−２〕
また、本発明は上記の変形例として図６に示すような構成とすることもできる。図６においては図３に示した画素の構成において、第１隔壁４３の開口部の角部近傍、すなわち機能層４５の角部近傍に形成された略円弧状の第１隔壁の平坦面４３ｂ´に、薄膜材料液の液溜まりとして凹部４８を設けた構成としている。このように略円弧状の第１隔壁の平坦面４３ｂ´に凹部４８を設けることにより、薄膜材料液が乾燥する際に第１隔壁の平坦面４３ｂ´上の薄膜材料液が凹部４８に溜まり、薄膜材料液がより強く略円弧状の第１隔壁の平坦面４３ｂ´側に引っ張られる。これにより、薄膜材料液は略円弧状の角側により強く引っ張られながら乾燥するため、該薄膜材料液は表面張力により開口部の中央部に集まることが防止されながら乾燥する。その結果、第１隔壁４３に囲まれた領域（第１隔壁４３の開口部領域）の角隅々まで、膜厚が均一な状態で発光層４５ｂを形成することができる。
したがって、発光層４５ｂの膜厚のばらつきに起因して１つの画素内において発光輝度の不均一が生じることを確実に防止することができ、高品質な電気光学装置を作製することができる。

なお、凹部４８の形状としては特に限定されるものではなく、円柱状、角柱状、ディ
ンプル状など種々の形態を取ることが可能である。また、凹部４８の深さも特に限定され
るものではなく、略円弧状の第１隔壁の平坦面４３ｂ´の面積や、液滴充填領域Ｒ_S内に
充填される薄膜材料液の液滴量などの諸条件により適宜設定可能である。すなわち、凹部
４８の深さは、図７に示すように第２隔壁４４の厚み方向における途中位置までとしても
良く、図８に示すように第２隔壁４４及び第１隔壁４３を厚み方向において貫通した形態
としても良い。ただし、この場合には、第１隔壁４３の下層には画素電極（陽極）４１が
形成されていないことを条件とする。凹部４８が第２隔壁４４及び第１隔壁４３を厚み方
向において貫通した形態を取る場合には、凹部４８内に機能層４５が形成され、その上部
に対向電極（陰極）４６が形成されるため、凹部４８においても発光が生じる虞があり、
発光輝度の不均一の原因となるからである。

〔実施例１−３〕
また、上記の他の変形例として図９に示すような構成とすることもできる。図９は、図３に示した画素の構成において、略長方形を呈する画素電極（陽極）４１の長辺方向の第１隔壁の平坦面４３ｂを無くして、画素電極（陽極）４１の角部周辺にのみ略円弧状の第１隔壁の平坦面４３ｂ´を形成した構成である。図９の線分Ａ−Ａ´における断面形状は図１０のようになり、第１隔壁の傾斜部４３ａと第２隔壁４４の傾斜部４４ａとが、第１隔壁の平坦面４３ｂを有さない状態で連続した側面を形成している。なお、図９では理解の容易のため対向電極（陰極）４６及びシール層４７を形成していない状態、すなわち電気光学装置用基板の状態を示している。また、図１０では、図９の線分Ａ−Ａ´における断面形状のうち第１隔壁４３及び第２隔壁４４の傾斜部４３ａ、４４ａを示している。

このように画素電極（陽極）４１の角部周辺にのみ略円弧状の第１隔壁の平坦面４３ｂ
´を形成することにより、薄膜材料液が乾燥する際に該薄膜材料液は、開口部の直線部（長辺部）近傍では外周側に引っ張られないが、略円弧状の第１隔壁の平坦面４３ｂ´側には引っ張られる。これにより、該薄膜材料液は表面張力により開口部の中央部に集まることが防止される。その結果、第１隔壁４３に囲まれた領域（第１隔壁４３の開口部領域）の角隅々まで、膜厚が均一な状態で発光層４５ｂを形成することができる。
したがって、全体的に膜厚が均一な発光層４５ｂをより確実に形成することができるた
め、発光層４５ｂの膜厚のばらつきに起因した発光輝度の不均一がない高品質の電気光学装置を作製することができる。

〔実施例２−１〕
＜電気光学装置＞
図１１及び図１２は、本実施例にかかる電気光学装置1の画素領域Ｂ(図１）の構造を模式的に示す断面図であり、図１１は、図１における機能層４５および駆動用ＴＦＴ１１３の部分のより詳細な構造を示す断面図である。また、図１２は、画素領域Ａのうち１つの画素を模式的に示す平面図である。図１２に示すように１つの画素は細長い形状を呈し、長手方向の両端が円弧状形状とされる。そして後述する第１隔壁５２に囲まれた領域が発光領域とされている。この電気光学装置1は、基板１０と、この基板１０上にＴＦＴなどの能動素子や配線が形成された駆動素子部２０と、有機ＥＬ薄膜が形成される機能素子部４０とからなる。

機能素子部４０は、発光層と正孔注入層とからなる機能層４５と、機能層４５を動作させるための一対の電極４１（陽極），４６（陰極）と、機能層４５を所定の領域に形成するための隔壁５１と、機能層４５を周囲の雰囲気から遮断するためのシール層４７とを備えている。

隔壁５１は、機能層４５を形成する際の液滴充填領域Ｒ_Sを形成し、その表面が薄膜材料液に対して良好な親液性を有する第１隔壁５２と、第１隔壁５２上に形成され、その表面が薄膜材料液に対して撥液性を有する第２隔壁５３とから構成されている。第１隔壁５２の開口上部は開口下部よりも広く形成されている。すなわち、第１隔壁５２の側面は、基板表面に垂直な方向に対して傾斜部５２ａを有するように形成されている。同様に、第２隔壁５３の上部開口は下部開口よりも広く形成され、第２隔壁５３の側面も、基板表面に垂直な方向に対して傾斜５３ａするように形成されている。

また、第１隔壁５２の開口上部は、第２隔壁５３の開口下部よりも機能層４５の面内の中心側に位置している。換言すると、第２隔壁５３は上部から見て第１隔壁の平坦面５２ｂが露出するように第１隔壁５２上に形成されている。すなわち、図１１に示されるように、隔壁５１を構成する第１隔壁５２と第２隔壁５３の断面形状は階段状となっている。

また、第１隔壁５２は該第１隔壁５２の開口部の外周部、すなわち機能層４５の外周部
に第１隔壁の平坦面５２ｂ、５２ｂ´を有しており、該第１隔壁の平坦面５２ｂは開口部
の長手方向の両端が略半円状に形成されている。ここで、開口部の長手方向の両端近傍の第１隔壁の平坦面５２ｂ´は、開口部の直線部（長辺部）近傍に形成された第１隔壁の平坦面５２ｂよりも面積が大とされており、表面が親液性を有する第１隔壁の面積が広く確保されている。そして、第２隔壁５３は、第１隔壁の平坦面５２ｂ、５２ｂ´の外周に沿って傾斜部５３ａが立ち上がり、その外周部に平坦な面が形成されている。

さらには、この第１隔壁の平坦面５２ｂ´の幅（第１隔壁５２の長手方向の端部と第２隔壁４４の下部開口部との距離）Ｌ２は、第１隔壁の平坦面５２ｂの幅（第１隔壁５２の開口部の長辺部と第２隔壁４４の下部開口部との距離）Ｌ１よりも長く形成されている。これにより機能層４５の略円弧状に形成された第２隔壁の傾斜角が、開口部の直線部（長
辺部）の傾斜角と比較して低くなる。そのため有機樹脂を含む液体から第２隔壁を形成する場合、第２隔壁材料の圧縮応力は直線部分に加わる応力に比べて円弧部に加わる応力が強くなり、隔壁傾斜角は開口部の直線部（長辺部）近傍より、両端の略円弧状に形成された第２隔壁が小さくなる。このようにすることにより、薄膜材料を含む液面と第１隔壁により囲まれた薄膜形成領域との間隔を遠ざけることができる。したがって、薄膜材料液が表面張力により開口部の中央部に集まることが防止される。

上記画素領域では、機能層４５全体の膜厚は第１隔壁５２の厚みと略同等の厚みに形成され、正孔輸送層４５ａの膜厚は第１隔壁の厚み以下にできる。また、発光層４５ｂ（機能層４５）は、第１隔壁５２に囲まれた領域（第１隔壁５２の開口部領域）において長手方向の両端部の隅々まで、全体的に膜厚が均一な状態で形成され、発光層４５ｂは、発光領域の中央近傍では膜厚が厚く、周縁部では膜厚が薄いといった膜厚のばらつきはなくなり、、全面において一様の膜厚で形成される。これにより、発光層４５ｂの膜厚のばらつきに起因した画素内における発光輝度の不均一が生じることがない高品質な電気光学装置が実現される。

＜電気光学装置の製造方法＞
次に、本実施例にかかる電気光学装置1の製造方法の一例について説明する。製造方
法の基本的な流れは上述した実施例１と同様であるため、実施例１と異なる部分について
説明する。

第１隔壁形成工程（Ｓ３）では、パターニングした画素電極（陽極）４１上および第３
の層間絶縁膜２８上に第１隔壁５２となる薄膜として、例えばＳｉＯ₂膜を形成する。次に、図１３−１及び図１３−２に示すように、このＳｉＯ₂膜を、機能層４５を形成する開口部が画素電極（陽極）４１上の所定の位置に形成されるようにパターニングする。この結果、第１隔壁５２は、機能層４５の形成領域を囲うように画素電極（陽極）４１の周縁部上に乗り上げた状態で形成される。本実施例においては、機能層４５を形成するための開口部は、図１３−２に示すように細長い形状を呈し、長手方向の両端が円弧状とされる。また、第１隔壁５２の開口上部は、開口下部よりも広く形成される。すなわち、第１隔壁５２の側面は、図１３−１に示すように基板表面に垂直な方向に対して傾斜部５２ａを有するように形成される。

第２隔壁形成工程（Ｓ４）では、図１３−３及び図１３−４に示すように、機能層４５の形成領域を囲うように第２隔壁５３を形成する。 ここで、第２隔壁５３は、上部から見て第１隔壁５２の上面部が露出するように、第１隔壁の平坦面５２ｂ、５２ｂ´を露出させて第１隔壁５２上に形成される。そして、第２隔壁５３は、第１隔壁５２の開口部の長手方向の両端部、すなわち機能層４５の長手方向の両端部近傍を略半円状とするようにパターニングして形成する。このように第２隔壁５３を形成することにより、開口部の長
手方向の両端部近傍の第１隔壁の平坦面５２ｂ´は、開口部の直線部（長辺部）近傍の第１隔壁の平坦面５２ｂよりも面積が大とされ、親液性の第１隔壁５２の面積を広く確保することができる。

そして、本実施例においては、第１隔壁５２の開口部長手方向両端における平坦面５２ｂ´の幅（第１隔壁５２の長手方向の端部と第２隔壁４４の開口下部との距離）Ｌ２が、第１隔壁５２の開口部の直線部（長辺部）におけるの平坦面５２ｂの幅（第１隔壁５２の開口部の長辺と第２隔壁４４の開口下部との距離）Ｌ１よりも長くなるように形成する。Ｌ２をＬ１よりも長くすることにより、開口部の両端部近傍の平坦面５２ｂ´の面積を、開口部の直線部の平坦面５２ｂよりも大きくし、親液性の第１隔壁５２の面積を広く確保することができる。本実施例においては、開口部の長手方向の両端部が円弧状形状とされているが、この形状が直線状とされる場合も同様である。

上述したように本実施例においては、第１隔壁の平坦面のうち第１隔壁５２の開口部の長手方向の両端部、すなわち機能層４５の長手方向の両端部近傍が略半円状とされることにより第１隔壁の平坦面５２ｂ´は開口部の直線部（長辺部）近傍に形成された第１隔壁の平坦面５２ｂよりも面積が大とされ、親液性の第１隔壁５２の面積が広く確保されている。これにより、発光層４５ｂの薄膜材料液は、面積が広く確保された略半円状の第１隔壁の平坦面５２ｂ´により開口部の外周側に強く引っ張られながら乾燥する。そして、引っ張られながら乾燥することにより、薄膜材料液が表面張力により開口部の中央部に集まることが防止される。

一般的に薄膜膜が液層から固相になる際には圧縮応力が加わり、この圧縮応力は直線部分に加わる応力に比べて円弧部に加わる応力が強くなる。したがって、開口部の直線部（長辺部）より、開口部が略半円状とされた第１隔壁の平坦面５２ｂ´での液滴の接触角が小さくなり、液滴が広範囲に濡れ広がり、開口部の中央部に集まることが防止される。
その結果、発光層４５ｂは、第１隔壁５２に囲まれた領域の隅々まで膜厚が均一な状態で形成され、膜厚のばらつきに起因する１つの画素内における発光輝度の不均一が生じることがない。

〔実施例２-２〕
また、上記の変形例として図１４に示すような構成とすることもできる。図１４は、第１隔壁５２の開口両端の略半円状の平坦面５２ｂ´に、薄膜材料液の液溜まり部として開口部の両端形状に沿った弓状の凹部５５を設けている。このように凹部５５を設けることにより、凹部５５にも液滴が溜まり、薄膜材料液がより強く略半円状の第１隔壁の平坦面５２ｂ´側に引っ張られる。このため薄膜材料は両端方向により強く引っ張られながら乾燥するため、材料が開口部の中央部に集まることが防止される。その結果、第１隔壁５２に囲まれた領域（第１隔壁５２の開口部領域）内では、膜厚が均一な発光層４５ｂを形成することができ、発光層４５ｂ（機能層４５）の膜厚のばらつきに起因した品質低下のない、高品質な電気光学装置を作製することができる。

ここで、凹部５５の形状としては実施例１の場合と同様に特に限定されるものではなく
、円柱状、角柱状、ディンプル状など種々の形態を取ることが可能である。また、凹部５
５の深さも特に限定されるものではなく、略半円状の第１隔壁の平坦面５２ｂ´の面積や
、液滴充填領域Ｒ_S内に充填される薄膜材料液の液滴量などの諸条件により適宜設定可能
である。

〔実施例２-３〕
また、他の変形例として図１５に示すような構成とすることもできる。図１５に示した例は、図１２に示した画素構成の、開口中央の直線部（長辺部）では第１隔壁の平坦面５２ｂの面積が小となり、第１隔壁５２の開口の長手方向の両端部では第１隔壁の平坦面５２ｂ´の面積が大となるように第１隔壁の平坦面５２ｂ、５２ｂ´の外周部を曲線状に形成している。この場合も、上記の場合と同様の効果を得ることができ、第１隔壁５２に囲まれた領域の隅々まで、膜厚が均一な状態で発光層４５ｂを形成することができる。したがって、発光層４５ｂ（機能層４５）の膜厚のばらつきに起因した品質低下のない、高品質な電気光学装置を作製することができる。

上述した実施例１及び実施例２では、陽極を画素電極４１とし、陰極を対向電極４６として機能素子部４０を形成した場合を例示しているが、これに限られるものではなく、陰極を画素電極４１とし、陽極を対向電極４６として機能素子部４０を形成してもよい。また、上記の実施例及び実施例２では、アクティブマトリックス型の電気光学装置としてＴＦＴを駆動素子やスイッチング素子として用いた場合を説明したが、駆動素子やスイッチング素子としてＴＦＤ（薄膜ダイオード）を用いることもできる。そして、電気光学装置としてはアクティブマトリックス型の電気光学装置だけではなく、パッシブマトリックス型の電気光学装置を製造する場合にも同様に適用することができる。

さらに、上述した実施例１及び実施例２では、有機ＥＬ薄膜を有する電気光学装置を製
造する場合を例に挙げて説明したが、電気光学装置の製造に際してカラーフィルタなどの
薄膜を液滴吐出法を用いて形成する場合にも広く適用することが可能である。また、電気
光学装置だけでなく、インクジェットプロセスなどの液滴吐出法によって所定の位置に薄
膜層の形成が行われる半導体装置や表示デバイスなどの製造にも広く適用することが可能
である。

〔実施例３−１〕
＜電気光学装置＞
図１７は、本実施形態の有機ＥＬ装置１に備えられた各画素領域Ａの平面構造を示す図である。図の（ａ）は図１６の画素領域Ａのうち、主にＴＦＴ等の画素駆動部分を示す図であり、図の（ｂ）は画素間を区画する隔壁（仕切部材）等を示す図である。また図１８は、図１７（ａ）のＸ−Ｘ線に沿う断面構成を示しており、図１９は、同Ｙ−Ｙ線に沿う断面構成を示している。

図１７（ａ）において、画素領域Ａは、平面視略矩形状の画素電極１４１と、その四辺を取り囲んで配置された信号線１３２、共通給電線１３３、走査線１３１、及び、図示しない他の画素電極用の走査線から構成される。図１８に示す画素領域Ａの断面構造をみると、基板（基体）１０上に駆動用ＴＦＴ１４３が設けられており、さらに、駆動用ＴＦＴ１４３等を覆って形成された絶縁膜２４０上には、有機ＥＬ素子２００が形成されている。有機ＥＬ素子２００は、基板１０上に立設された隔壁（第２隔壁層；仕切部材）１５０に囲まれる領域内に設けられた有機機能層１４０を主体としてなり、この有機機能層１４０を画素電極１４１と共通電極１５４との間に挟持した構成を備えている。

図１７（ｂ）に示す平面構造では、隔壁１５０は、画素電極１４１の形成領域に対応した平面視略矩形状の区画領域１５１を有しており、この区画領域１５１の内側に先の有機機能層１４０が形成されるようになっている。また、区画領域１５１の内周に沿って無機隔壁１４９（後述する第１隔壁層）の一部が延出されており、無機隔壁１４９の開口部内では有機機能層１４０と画素電極１４１とが接触するようになっている。

図１８において、駆動用ＴＦＴ１４３は、半導体膜２１０に形成されたソース領域１４３ａ、ドレイン領域１４３ｂ、及びチャネル領域１４３ｃと、半導体膜表面に形成されたゲート絶縁膜２２０、およびゲート電極１４３Ａとから構成されている。また、この上には、半導体膜２１０及びゲート絶縁膜２２０を覆う第１層間絶縁膜２３０が形成されており、この第１層間絶縁膜２３０及びゲート絶縁膜２２０には、これらを貫通して半導体膜２１０に達するコンタクトホール２３２，２３４がある。ドレイン電極２３６、ソース電極２３８の両者はこのコンタクトホールを介し、各々上記ドレイン領域１４３ｂ、ソース領域１４３ａに接続されている。

上記第１層間絶縁膜２３０上には、さらに第２層間絶縁膜２４０が形成されており、この第２層間絶縁膜２４０のうち、信号線１３２やドレイン電極２３６等を覆う部分が、図１８、１９のように上方へ突出し、凸状部２４０ａを形成する。この凸状部２４０ａは、画素電極１４１を平面的に取り囲む走査線１３１や信号線１３２等に対応して有機機能層１４０を取り囲む平面視略矩形枠状を成している。
なお、基板１０と有機ＥＬ素子２００との間に形成された下地絶縁膜２１０から第２層間絶縁膜２４０までが、本発明に係る有機ＥＬ装置の回路層を構成している。

画素電極１４１は、周囲を取り囲む凸状部２４０ａに乗り上げるようにして形成される。また、第２層間絶縁膜２４０に貫設されたコンタクトホール２４０ｂに画素電極１１の一部が埋設され、コンタクトホール２４０ｂを介して画素電極１４１とドレイン電極２３６とが接続され、駆動用ＴＦＴ１４３と画素電極１４１とが電気的に接続されている。

本発明に係る隔壁（第１隔壁層）１４９は、凸状部２４０ａに一部乗り上げて形成された画素電極１４１の一部を覆い、かつ凸状部２４０ａに被さるように形成されている。このようにすることによって、隔壁１４９は、凸状部２４０ａ側方の斜面形状に倣う斜面部１４９ａを画素電極１４１上に有するようになる。さらに、無機材料からなる隔壁１４９上には、有機材料からなる隔壁（第２隔壁層）１５０が積層され、無機隔壁１４９とともに有機ＥＬ装置における仕切部材を形成する。この隔壁１５０の画素電極１４１側の側壁面に囲まれる領域が区画領域１５１となる。また、隔壁１５０の内壁面は、図１８に示すように無機隔壁の斜面部１４９ａより外側へ後退した位置に形成されている。

ここで、隔壁１４９及び隔壁１５０は、画素電極１４１を隔離する機能のみならず液相法を用いて有機機能層１４０を形成するに際して、それぞれ親液領域、撥液領域を形成する機能を有し、下層側に配された無機隔壁１４９は親液性であり、隔壁１５０は撥液性であることが好ましい。これにより、隣接画素への液の混合等に起因する不具合の発生を低減できる。
このような液体材料に対する親和性の差異を発現させるには、上記の如く無機隔壁１４９と隔壁１５０の材質を互いに異ならせ、これらの隔壁１４９，１５０に対してプラズマ処理等の表面改質処理を施す方法を例示できる。またプラズマ処理によらず、隔壁１５０を形成する有機材料にフッ化物を混入して隔壁１５０自体に撥液性を付与した構成も適用できる。

上記有機ＥＬ素子２００は、隔壁１５０に囲まれる区画領域１５１内の画素電極１４１上に、液相法を用いて形成された正孔注入層（電荷輸送層）１４０Ａ及び発光層１４０Ｂを積層し、さらに発光層１４０Ｂと隔壁１５０とを覆う共通電極１５４を形成することにより構成されている。本実施形態の場合、正孔注入層１４０Ａは、無機隔壁１４９に囲まれた領域内の画素電極１４１上と無機隔壁１４９の縁端部上に跨って形成されており、その側面部は無機隔壁１４９の斜面部１４９ａと当接している。発光層１４０Ｂは、正孔注入層１４０Ａ上に形成されるとともに、無機隔壁１４９の斜面部１４９ａとその側面部にて当接している。

基板１０としては、いわゆるボトムエミッション型の有機ＥＬ装置の場合、基板側から光を取り出す構成であるので、ガラス等の透明基板が用いられる。トップエミッション型の場合には不透明基板を用いることもできる。
画素電極１４１は、基板１０を介して光を取り出すボトムエミッション型の場合には、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）等の透光性導電材料により形成される。トップエミッション型の場合には透光性である必要はなく、金属材料等の適宜な導電材料によって形成できる。本実施形態に係る正孔注入層１４０Ａは液相法により形成されるため、画素電極１４１の表面は親液性であることが好ましく、正孔注入層１４０Ａの形成材料としては水系のインクを用いることが多いため、親水性であることがより好ましい。

共通電極１５４は、発光層１４０Ｂと隔壁１５０の上面、さらには隔壁１５０の側面部を形成する壁面を覆った状態で基板１０上に形成される。この共通電極１５４を形成するための材料としては、ボトムエミッション型の場合、ＡｌやＡｇ等の光反射性の金属材料が好適に用いられ、トップエミッション型の場合には透明導電材料が用いられる。透明導電材料としてはＩＴＯが好適であるが、他の透光性導電材料であっても構わない。

共通電極１５４の上層側には、陰極保護層を形成してもよい。係る陰極保護層を設ける
ことで、製造プロセス時に共通電極１５４が腐食されるのを防止する効果が得られ、無機
化合物、例えば、シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン窒酸化物等のシリコン化合
物により形成できる。共通電極５０を無機化合物からなる陰極保護層で覆うことにより、
無機酸化物からなる共通電極１５４への酸素等の侵入を良好に防止することができる。な
お、陰極保護層は、１０ｎｍから３００ｎｍ程度の厚みに形成される。

上記構成を備えた本実施形態の有機ＥＬ装置では、有機機能層１４０を取り囲む無機バ
ンク１４９が区画領域１５１内に延出され、かつその延出部分が区画領域内にて斜面部１
４９ａを構成していることで、液相法を用いた有機機能層１４０の形成時に正孔注入層１
４０Ａ及び発光層１４０Ｂを平坦化することができ、均一な膜厚及び膜質を備えた有機機
能層を形成できるものとなっている。また本実施形態の有機ＥＬ装置では、無機隔壁１４９の延出部分が斜面形状を成しているので、画素領域の開口率を低下させることなく無機隔壁１４９の区画領域１５１内への露出面積を増大させることができる利点がある。

＜電気光学装置の製造方法＞
次に、液滴吐出装置（ＩＪ）を用いた有機ＥＬ装置（電気光学装置）１の製造方法について、図２３及び図２４を参照しながら説明する。なお、図２３、図２４には、説明を簡略化するために単一の画素領域Ａ（図１９に示した断面構成に相当する図）のみが示されている。本発明に係る有機ＥＬ装置では、有機ＥＬ素子の光を基板側から取り出す構成（ボトムエミッション）、及び基板と反対側から取り出す構成（トップエミッション）のいずれも採用できるが、本実施形態ではボトムエミッション型の有機ＥＬ装置として説明する。

まず、図２３（ａ）に示すように、基板１０上に、駆動用ＴＦＴ１４３（図示略）を形成するとともに、第１層間絶縁膜２３０上に、走査線１３１、信号線１３２を形成する。基板１０は、ボトムエミッション型の本実施形態の有機ＥＬ装置では、ガラスや石英等の透光性基板である。
次に、図２３（ｂ）に示すように、第１層間絶縁膜２３０、及び各配線の上面を覆うように第２層間絶縁膜２４０を形成する。このとき、走査線１３１及び信号線１３２上の領域の第２層間絶縁膜２４０は部分的に基板１０の図示上方へ突出されて凸状部２４０ａを形成する。すなわち、第２層間絶縁膜２４０は、第１層間絶縁膜２３０上の走査線１３１等による凹凸を平坦化しない程度の膜厚にて形成する。

次に、図２３（ｃ）に示すように、公知のフォトリソグラフィ技術を用いて画素電極１４１をパターン形成する。このとき、画素電極１４１は、その周端部を凸状部２４０ａに乗り上げるように配置される。また図示は省略しているが、画素電極１４１は基板１０上に既設のＴＦＴ１４３と電気的に接続される（図１８参照）。これにより、先の図１７（ａ）に示したような信号線、共通給電線、及び走査線に囲まれた位置に、ドレイン電極２３６を介して駆動用ＴＦＴ１４３のドレイン領域１４３ｂと導電接続された画素電極１４１が形成される。本実施形態の場合、有機ＥＬ装置はボトムエミッション型であるため、画素電極１４１はＩＴＯ等の透明導電材料を用いて形成する。

次に、図２３（ｄ）に示すように、画素電極１４１の周縁部と一部平面的に重なるように、酸化シリコン等の無機絶縁材料からなる無機バンク（第１隔壁層）１４９を形成する。
このとき無機バンク１４９は凸状部２４０ａに被さるように形成する。これにより、凸状部２４０ａの断面形状に倣う斜面部１４９ａを有する無機バンク１４９を形成することができる。具体的には、画素電極１４１及び第２層間絶縁膜２４０を覆うように酸化シリコン膜を形成した後、公知のフォトリソグラフィ技術を用いて画素電極１４１上の所定領域（図に符号１４１ａで示す領域）の酸化シリコン膜を選択除去し、画素電極１４１の表面を部分的に露出させる。

次に、図２４（ａ）に示すように、凸状部２４０ａ上の領域の無機バンク１４９上に、アクリル、ポリイミド等の有機絶縁材料からなるバンク（第２隔壁層）１５０を形成する。
バンク１５０の高さは、例えば１〜２μｍ程度に設定され、基板１０上で有機ＥＬ素子の仕切部材として機能する。このような構成のもと、有機ＥＬ素子の正孔注入層や発光層の形成場所、すなわちこれらの形成材料の塗布位置とその周囲のバンク１５０との間に十分な高さの段差からなる区画領域１５１が形成される。
また、このバンク１５０を形成するに際して、区画領域１５１を構成するバンク１５０
壁面の位置を、無機バンク１４９の斜面部１４９ａより後退させて形成する。このように
して区画領域１５１内に無機バンク１４９の斜面部１４９ａを露出させておくことで、後
段の工程でバンク１５０内に配する液体材料の濡れ広がりを良好なものとすることができ
る。

バンク１５０を形成したならば、次に、バンク１５０及び画素電極１４１を含む基体上
の領域に対して撥液処理を施す。バンク１５０は、有機ＥＬ素子を区画する仕切部材とし
て機能するので、液滴吐出ヘッド２０から吐出される液体材料に対して非親和性（撥液性
）を示すものであることが好ましく、前記撥液処理により、バンク１５０に選択的に非親
和性を発現させることができる。
係る撥液処理として、例えばバンクの表面をフッ素系化合物などで表面処理するといっ
た方法を採用できる。フッ素化合物としては、例えばＣＦ₄、ＳＦ₆、ＣＨＦ₃などがあり、表面処理としては、例えばプラズマ処理、ＵＶ照射処理などが挙げられる。

このような撥液処理では、基体の一面全体に処理を施したとしても、ＩＴＯ膜からなる無機材料の画素電極１４１表面、及び酸化シリコンからなる無機バンク１４９表面は、有機材料からなるバンク１５０の表面よりも撥液化されにくいため、バンク１５０の表面のみが選択的に撥液化され、バンク１５０に囲まれる領域内に液体材料に対する親和性の異なる複数の領域が形成される。
あるいは、バンク１５０の形成材料にフッ化物を添加した樹脂材料を用いても同様の撥
液性を具備したバンク１５０を形成できる。

上記撥液処理を行ったならば、次いで、図２４（ａ）に示すように、基板１０の上面を上に向けた状態で、正孔注入層形成材料を含む液体材料１１４ａを液滴吐出ヘッド３００よりバンク１５０に囲まれた塗布位置に選択的に塗布する。正孔注入層を形成するための液体材料１１４ａは正孔注入層形成材料及び溶媒を含む。

正孔注入層形成材料を含む液体材料１１４ａが液滴吐出ヘッド３００より基板１０上に吐出されると、塗布された位置を囲んでバンク１５０が形成されているので、液体材料１１４ａはバンク１５０を越えてその外側に広がらないようになっている。また本実施形態では、画素電極１４１の表面が親液領域となっており、さらにその周囲を取り囲む無機バンク１４９の表面は画素電極１４１表面よりもさらに液体材料との親和性が高くなっているので、画素電極１４１上に塗布された液体材料１１４ａは、画素電極１４１上に隙間なく濡れ広がり、バンク１５０内に均一に満たされるようになっている。

次に、図２４（ｂ）に示すように加熱あるいは光照射により液体材料１１４ａの溶媒を蒸発させて画素電極１４１上に固形の正孔注入層１４０Ａを形成する。または、大気環境下又は窒素ガス雰囲気下において所定温度及び時間（一例として２００℃、１０分）焼成するようにしてもよい。あるいは大気圧より低い圧力環境下（真空環境下）に配置することで溶媒を除去するようにしてもよい。この際、図２４（ａ）に示した液体材料を配置する工程で、バンク１５０内に液体材料が均一に濡れ拡がっているので、図２４（ｂ）に示すように、均一な膜厚を有した平坦膜状の正孔注入層１４０Ａが得られる。

続いて、図２４（ｂ）に示すように、基板１０の上面を上に向けた状態で液滴吐出ヘッド３００より発光層形成材料と溶媒とを含む液体材料１１４ｂをバンク１５０内の正孔注入層１４０Ａ上に選択的に塗布する。
この発光層形成材料としては、例えば共役系高分子有機化合物の前駆体と、得られる発
光層の発光特性を変化させるための蛍光色素とを含んでなるものを好適に用いることがで
きる。共役系高分子有機化合物の前駆体は、蛍光色素等とともに液滴吐出ヘッドから吐出されて薄膜に成形された後、加熱硬化されることによって共役系高分子有機ＥＬ層となる発光層を生成し得るものをいい、例えば前駆体のスルホニウム塩の場合、加熱処理されることによりスルホニウム基が脱離し、共役系高分子有機化合物となるもの等である。

このようにして各色の発光層形成材料を含む液体材料１１４ｂを吐出し塗布したならば
、液体材料１１４ｂ中の溶媒を蒸発させる。この工程により、図２４（ｃ）に示すように正孔注入層１４０Ａ上に固形の発光層１４０Ｂが形成され、これにより正孔注入層１４０Ａと発光層１４０Ｂとからなる有機機能層１４０が得られる。ここで、発光層形成材料を含む液体材料１１４ｂ中の溶媒の蒸発については、必要に応じて加熱あるいは減圧等の処理を行うが、発光層形成材料は通常乾燥性が良好で速乾性であることから、特にこのような処理を行うことなく、したがって各色の発光層形成材料を順次吐出塗布することにより、その塗布順に各色の発光層１４０Ｂを形成することができる。また前述したように、液体材料１１４ｂが配される正孔注入層１４０Ａの表面は良好に平坦化されているので、その上に形成される発光層１４０Ｂも良好な平坦性を持って形成され、膜厚及び膜質が均一なものとなる。液体材料１１４ｂも無機バンク１４９の斜面部１４９ａに接した状態で乾燥に供されるので、斜面部１４９ａにより液体材料の偏在が防止され、より良好な均一性を得ることが可能である。

以上説明したように、本発明に係る電気光学装置の製造方法によれば、基板１０上に隔壁１５０及び有機ＥＬ素子２００を形成するに際して、画素電極１４１の周縁部に斜面部１４９ａを有する無機隔壁１４９を延設しておき、その後隔壁１５０の内部に液体材料１１４ａを配するので、画素電極１４１の表面で液体材料が球形状に変形するのを効果的に防止し、もって液体材料を均一に濡れ広がらせ、均一な膜厚にて乾燥固化することができる。また、これにより均一な膜厚の発光層１４０Ｂが得られる。したがって画素領域Ａ内で均一な発光特性を得ることができ、また膜厚が均一であることから電極間の短絡も生じ難い、信頼性に優れた有機ＥＬ素子２００を製造することができる。

また、斜面部１４９ａを有する無機隔壁１４９を形成するべく第２層間絶縁膜２４０に形成される凸状部２４０ａは、画素を駆動するためのＴＦＴ１４３等とともに形成される走査線１３１や信号線１３２による凹凸形状に倣って形成されるため、これらの配線の膜厚と第２層間絶縁膜２４０の膜厚とによって容易にその段差高さを制御可能である。なお本実施例の他の部分の製造方法は、実施例１と同様であるため割愛する。

〔実施例３-２〕
上記実施の形態では、凸状部２４０ａが、下層側に設けられた配線（走査線１３１、信
号線１３２等）の凹凸形状に起因するものである場合について説明したが、本発明に係る
電気光学装置にあっては、凸状部２４０ａを設けるために画素電極１４１より下層側（基
板側）にダミー配線等の導電部材を設けた構成とすることもできる。
図２０（ａ）は、このようなダミー配線を備えた有機ＥＬ装置の画素構成を示す平面構
成図である。図２０（ｂ）は、（ａ）図のＺ−Ｚ線に沿う断面構成図であり、基板やＴＦ
Ｔに接続された配線等は図示を省略している。なお、図２０において図１６から図１９と同一の構成要素には、それらと同一の符号を付して説明を省略する。

本実施形態の有機ＥＬ装置では、図２０（ａ）に示すように、画素電極（破線で示す矩
形状の領域）１４１の辺端に沿って複数のダミー配線１３６，１３７が設けられている。
換言すれば、これらのダミー配線１３６，１３７に囲まれる矩形状の領域に画素電極１４
１が配置されている。そして、図２０（ｂ）に示す断面構造をみると、第１層間絶縁膜２３０上にダミー配線１３６が形成されており、これらのダミー配線１３６を覆って第１層間絶縁膜２３０上に形成された第２層間絶縁膜２４０は、ダミー配線１３６に起因する第１層間絶縁膜２３０上の凹凸形状に倣ってダミー配線１３６上の領域で上方に突出された部分（凸状部２４０ａ）を有している。第２層間絶縁膜２４０上に形成された画素電極１４１は、凸状部２４０ａにその周縁部を乗り上げて配置されており、凸状部２４０ａ上の画素電極１４１を含む領域に形成された無機隔壁１４９は、画素電極１４１の中央側に斜面部１４９ａを有している。そして、無機隔壁１４９上に隔壁１５０が設けられ、隔壁１４９，１５０により囲まれる区画領域１５１内に有機機能層１４０が成膜されている。

上記構成を備えた本実施形態の有機ＥＬ装置によれば、先の実施形態の有機ＥＬ装置と同様に、有機機能層１４０を液相法により形成する際に、その形成材料が区画領域１５１内で偏在するのを効果的に防止することができ、もって均一な膜厚、膜質を有する有機機能層１４０を形成することができる。したがって、電極間での短絡や、膜厚や膜質の不均一による発光輝度のばらつきも生じ難く、高品質の発光が得られるものとなる。

また、本実施形態の如く画素電極１４１の辺端部に沿うようにダミー配線１３６，１３
を配置し、上記凸状部２４０ａを形成するならば、ダミー配線１３６，１３７の膜厚によ
り凸状部２４０ａの高さ（すなわち斜面部１４９ａの高さ）を自在に制御でき、有機機能
層１４０の膜厚変更にも容易に対応可能である。なお、上記ダミー配線１３６，１３７は、同層に形成されていても、異なる層に形成されていても構わない。同層に形成する場合には、これらを一体に平面視格子状に形成してもよい。

〔実施例３-３〕
前記実施形態では、画素電極１４１を平面視で取り囲むようにダミー配線１３６，１３７を配した場合について説明したが、ダミー配線１３６，１３７は、駆動部を構成する走査線や信号線と異なり、その配置にはほとんど制限がない。そこでこれらのダミー配線を画素電極１４１の周囲で局所的に形成した構成とすることもできる。図２１は、このようなダミー配線の配置のバリエーションを示す平面構成図である。図２１（ａ）は、ダミー配線１３７，１３７を、画素電極１４１の長軸方向両端に配した場合を示している。また図２１（ｂ）は、ダミー配線１３８を画素電極１４１の頂部近傍に配した場合を示している。

前述したように、区画領域１５１内に配された液体材料はより安定な球状になろうとするが、区画領域１５１が図２１に示すような略長方形状である場合には、この液体材料の偏在現象が生じやすくなる。そこで、図２１（ａ）に示すように、略長方形状の区画領域１５１の長辺方向の両辺端に沿うようにダミー配線１３７，１３７を配しておけば、液体材料が無機隔壁１４９から離れやすい部分である長辺方向の両端における液体材料の保持力を高めることができ、液体材料を画素電極１４１上で均一に濡れ広がらせることができる。これにより、均一な膜厚、膜質を有する有機機能層を区画領域１５１内に形成できる。

また、区画領域１５１がその平面形状において外側に凸なる頂部を有している場合、こ
の頂部においても液体材料が無機隔壁１４９から離れやすくなる。そこで、図２１（ｂ）に示すように、区画領域１５１の四隅（各頂点）にダミー配線１３８を配しておくことで、区画領域１５１内での液体材料の偏在を防止して、均一な膜厚、膜質の有機機能層１４０を得ることができる。

〔実施例３-４〕
図２２は、本発明の他の実施形態の有機ＥＬ装置を示す図であり、先の実施形態にて示した図２０（ｂ）に相当する断面構成図である。
上記各実施の形態では、画素電極１４１より下層側に設けた配線（走査線、信号線、ダ
ミー配線等）によって形成した凸状部２４０ａを利用して斜面部１４９ａを有する無機バ
ンク１４９を形成する場合について説明したが、図２２に示すように、第２層間絶縁膜２
４０に凹部２４０ｂを形成することにより、その周囲に凸状部２４０ａを形成することも
できる。この場合、その下層側にＴＦＴ等が形成された第１層間絶縁膜２３０上を第２層
間絶縁膜２４０により平坦化し、この第２層間絶縁膜２４０の所定位置に凹部２４０ｂを
エッチングによって形成する。

このように平坦化膜としての第２層間絶縁膜２４０を部分的に除去して凸状部２４０ａ
を形成するならば、画素電極１４１と、絶縁膜の下層側に設けられているＴＦＴとを接続
するためのコンタクトホールと、凹部２４０ｂとを同時に形成することができ、工程の効
率化、及び製造コストの低減を実現できる。

〔実施例４〕
実施例４では、実施例１、２及び３において説明した電気光学装置を備える電子機器の具体例について説明する。図２５〜図２７は、それぞれ、上述した本発明にかかる電気光学装置を搭載した電子機器の例である。図２５は、携帯電話の一例を示す斜視図である。１００は携帯電話本体を示し、そのうち１０８はこの発明にかかる電気光学装置からなる表示部である。図２６は、腕時計型の電子機器の一例を示す斜視図である。１１０は時計機能を内蔵した時計本体を示し、１１１はこの発明にかかる電気光学装置からなる表示部である。そして、図２７は、ワードプロセッサ機やパーソナルコンピュータなどの携帯型情報処理装置の一例を示す斜視図である。この図２７において、１２０は携帯型情報処理装置を示し、１２２はキーボードなどの入力部、１２４は演算手段や記憶手段などが格納されている情報処理装置本体部、１２６はこの発明にかかる電気光学装置からなる表示部である。

これらの電子機器において、本発明にかかる電気光学装置を使用すれば、高品質な電子機器を実現することができる。なお、電子機器は、電気光学装置を搭載可能であれば、これらに限らない。したがって、このような電気光学装置を備えた電子機器としては、図２５に示される携帯電話、図２６に示される腕時計型の電気機器、図２７に示される携帯型情報処理装置のほかに、たとえば、デジタルスチルカメラ、車載用モニタ、デジタルビデオカメラ、ビューファインダ型またはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワークステーション、テレビ電話機、ＰＯＳ端末機などの電気光学装置を備える電子機器を挙げることができる。

以上のように、本発明にかかる電気光学装置およびその製造方法は、隔壁により仕切られた領域内の隅々まで均一な薄膜を形成することが可能であり、特に、膜厚の均一性が光学特性を左右する電気光学装置に適している。

図１は、実施例１にかかる電気光学装置の配線構造を示す平面図。 図２は、図１に示した電気光学装置の画素領域の構造を示す断面図。 図３は、画素領域のうちの１つの画素を模式的に示す平面図。 図４は、電気光学装置の製造工程を示すフローチャート。 図５−１は、電気光学装置の製造工程を示す断面図。 図５−２は、電気光学装置の製造工程を示す断面図。 図５−３は、電気光学装置の製造工程を示す断面図。 図５−４は、電気光学装置の製造工程を示す断面図。 図５−５は、電気光学装置の製造工程を示す平面図。 図５−６は、電気光学装置の製造工程を示す断面図。 図５−７は、電気光学装置の製造工程を示す平面図。 図５−８は、電気光学装置の製造工程を示す断面図。 図５−９は、電気光学装置の製造工程を示す断面図。 図５−１０は、電気光学装置の製造工程を示す断面図。 図５−１１は、電気光学装置の製造工程を示す断面図。 図５−１２は、電気光学装置の製造工程を示す断面図。 図６は、電気光学装置の画素領域の他の構造例を示す平面図。 図７は、凹部の形状の一例を示す断面図。 図８は、凹部の形状の一例を示す断面図。 図９は、電気光学装置の画素領域の他の構造例を示す平面図。 図１０は、図９の線分Ａ−Ａ´における要部断面図。 図１１は、実施例２にかかる電気光学装置の画素領域の構造を示す断面図。 図１２は、画素領域のうちの１つの画素を模式的に示す平面図。 図１３−１は、電気光学装置の製造工程を示す断面図。 図１３−２は、電気光学装置の製造工程を示す平面図。 図１３−３は、電気光学装置の製造工程を示す断面図。 図１３−４は、電気光学装置の製造工程を示す平面図。 図１４は、電気光学装置の画素領域の他の構造例を示す平面図。 図１５は、電気光学装置の画素領域の他の構造例を示す平面図。 図１６は、実施例３にかかる電気光学装置の配線構造を示す平面図。 図１７は、実施例３にかかる画素領域の構造を示す平面図。 図１８は、図１７のＸ−Ｘ線に沿う断面図。 図１９は、図１７のＹ−Ｙ線に沿う断面図。 図２０は、画素領域の他の構造例を示す平面図および断面図。 図２１は、画素領域の他の構造例を示す平面図。 図２２は、画素領域の他の構造例を示す断面図。 図２３は、電気光学装置の製造工程を示す断面図。 図２４は、電気光学装置の製造工程を示す断面図。 図２５は、電子機器の一例を示す図。 図２６は、電子機器の一例を示す図。 図２７は、電子機器の一例を示す図。 図２８は、従来の電気光学装置の画素部の要部断面図。 図２９は、従来の電気光学装置における薄膜形成過程を模式的に示す図。 図３０は、従来の電気光学装置における薄膜形成過程を模式的に示す図。 図３１は、従来の電気光学装置における薄膜形成過程を模式的に示す図。

符号の説明

１ 電気光学装置、１０ 基板、２０ 駆動素子部、４０機能素子部、４１ 画素電
極、４２ 隔壁、４３ 第１隔壁、４３ａ 第１隔壁の傾斜部、４３ｂ 第１隔壁の平坦面、４４ 第２隔壁、４４ａ 第２隔壁の傾斜部、４５ 機能層、４６ 対向電極、４７ シール層、１４０ 機能層、１４１ 画素電極、１４９ 第１隔壁、 １４９ａ 第１隔壁斜面部、１５０ 第２隔壁、１５４ 共通電極、２００ 有機ＥＬ素子。

Claims (12)

1. 基板上に設けられた隔壁によって囲まれた平面視で略矩形状の区画領域に薄膜材料液を塗布して形成された薄膜を有する電気光学装置であって、
   前記隔壁は、表面が前記薄膜材料液に対して親液性を有する第１隔壁と、前記第１隔壁上に積層形成され、表面が前記薄膜材料液に対して撥液性を有する第２隔壁とからなり、
   前記第１隔壁は、前記第２隔壁によって被覆されていない露出部分を有し、
   前記露出部分は、前記第１隔壁が設けられた前記基板の表面に対して略平行な平坦面を有し、
   前記平坦面は、前記区画領域の角部において、前記区画領域の辺部に沿った部分に比べて広くなった部分を有し、
   前記区画領域のうち前記第１隔壁で囲まれた領域内に前記薄膜を備えていることを特徴とする電気光学装置。
2. 基板上に設けられた隔壁によって囲まれた平面視で略矩形状の区画領域に薄膜材料液を塗布して形成された薄膜を有する電気光学装置であって、
   前記隔壁は、表面が前記薄膜材料液に対して親液性を有する第１隔壁と、前記第１隔壁上に積層形成され、表面が前記薄膜材料液に対して撥液性を有する第２隔壁とからなり、
   前記第１隔壁は、前記第２隔壁によって被覆されていない露出部分を有し、
   前記露出部分は、前記第１隔壁が設けられた前記基板の表面に対して略平行な平坦面を有し、
   前記平坦面は、前記区画領域の対向する短辺部に沿った部分において、前記区画領域の長辺部に沿った部分に比べて広くなった部分を有し、
   前記区画領域のうち前記第１隔壁で囲まれた領域内に前記薄膜を備えていることを特徴とする電気光学装置。
3. 前記平坦面の前記広くなった部分が、平面視で略円弧状であることを特徴とする請求項１または２に記載の電気光学装置。
4. 前記平坦面の前記広くなった部分に凹部を有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
5. 前記第１隔壁が無機材料を主体としてなり、前記第２隔壁が有機材料を主体としてなるものであることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
6. 前記薄膜が有機エレクトロルミネッセンス膜であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の電気光学装置。
7. 基板上の薄膜形成領域に薄膜を有する電気光学装置の製造方法であって、
   前記薄膜形成領域を囲むと共に、表面が薄膜材料液に対して親液性を有する第１隔壁を形成する第１隔壁形成工程と、
   前記第１隔壁の一部を露出させた状態で前記薄膜形成領域を含む平面視で略矩形状の区画領域を囲むと共に、表面が前記薄膜材料液に対して撥液性を有する第２隔壁を前記第１隔壁上に形成する第２隔壁形成工程と、
   前記第２隔壁で囲まれた前記区画領域に前記薄膜材料液を充填し、その後乾燥して前記区画領域のうち前記第１隔壁で囲まれた前記薄膜形成領域に前記薄膜を形成する薄膜形成工程と、を備え、
   前記第１隔壁形成工程は、前記区画領域内において露出した部分が平坦面を有するように前記第１隔壁を形成し、
   前記第２隔壁形成工程は、前記平坦面が前記区画領域の角部において、前記区画領域の辺部に沿った部分に比べて広くなった部分を有するように、前記第１隔壁上に前記第２隔壁を形成することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
8. 基板上の薄膜形成領域に薄膜を有する電気光学装置の製造方法であって、
   前記薄膜形成領域を囲むと共に、表面が薄膜材料液に対して親液性を有する第１隔壁を形成する第１隔壁形成工程と、
   前記第１隔壁の一部を露出させた状態で前記薄膜形成領域を含む平面視で略矩形状の区画領域を囲むと共に、表面が前記薄膜材料液に対して撥液性を有する第２隔壁を前記第１隔壁上に形成する第２隔壁形成工程と、
   前記第２隔壁で囲まれた前記区画領域に前記薄膜材料液を充填し、その後乾燥して前記区画領域のうち前記第１隔壁で囲まれた前記薄膜形成領域に前記薄膜を形成する薄膜形成工程と、を備え、
   前記第１隔壁形成工程は、前記区画領域内において露出した部分が平坦面を有するように前記第１隔壁を形成し、
   前記第２隔壁形成工程は、前記平坦面が前記区画領域の短辺部において、前記区画領域の長辺部に沿った部分に比べて広くなった部分を有するように、前記第１隔壁上に前記第２隔壁を形成することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
9. 前記第２隔壁形成工程は、前記平坦面の前記広くなった部分が、平面視で略円弧状となるように前記第１隔壁上に前記第２隔壁を形成することを特徴とする請求項７または８に記載の電気光学装置の製造方法。
10. 前記平坦面の前記広くなった部分に凹部を形成する工程をさらに備えたことを特徴とする請求項７乃至９のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
11. 前記薄膜形成工程は、有機エレクトロルミネッセンス膜を形成することを特徴とする請求項７乃至１０のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
12. 請求項１乃至６のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。

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