JP2005158494A

JP2005158494A - 薄膜の形成方法、電気光学装置の製造方法及び電気光学装置並びに電子機器

Info

Publication number: JP2005158494A
Application number: JP2003395613A
Authority: JP
Inventors: Tomoyuki Ito; 友幸伊藤; Ryoichi Nozawa; 陵一野澤
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2003-11-26
Filing date: 2003-11-26
Publication date: 2005-06-16

Abstract

【課題】膜表面の平坦性の良好な薄膜を形成可能な薄膜の形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】隔壁で囲われた薄膜形成面に薄膜材料液を充填して薄膜を形成する薄膜の製造方法であって、前記薄膜形成面に、表面が前記薄膜材料に対して親液性を有し、前記薄膜形成面と略平行な平坦面を有する第１隔壁を形成する第１隔壁形成工程と、前記第１隔壁の平坦面が露出するように第２隔壁を前記第１隔壁上に形成する第２隔壁形成工程と、前記第２隔壁の表面に、前記薄膜材料液に対して撥液性を有する撥液層を形成する撥液層形成工程と、前記第１隔壁及び第２隔壁で囲まれた領域に前記薄膜材料液を充填、乾燥して前記第１隔壁の厚みよりも膜厚の厚い薄膜を形成する薄膜形成工程と、前記撥液層及び前記薄膜の前記撥液層との当接部近傍を除去する除去工程と、を含む。
【選択図】図２

Description

本発明は、隔壁で囲われた領域内に薄膜を形成する薄膜の形成方法に関する。また、この薄膜の形成方法を用いた電気光学装置の製造方法及び電気光学装置並びに電子機器に関する。

近年、有機エレクトロルミネッセンス（以下、ＥＬという）薄膜などの有機半導体素子やカラーフィルタなどの有機薄膜を、インクジェットプロセスなどの液滴吐出法を用いたプロセスを用いて同一の基板上に所定のパターンに形成する技術が開発されている。このような技術を利用して、例えば表示装置に用いられる、有機ＥＬ薄膜を用いた電気光学装置などが製造される。この電気光学装置は、基板上の表示面となる領域に形成され、所定のパターンで区分される複数の画素に有機ＥＬ薄膜を形成し、各画素における発光の有無を制御することによって表示を行うものであう。そして、この画素内に有機ＥＬ薄膜を形成する際にインクジェットプロセスが利用される。以下では、インクジェットプロセスでの薄膜の形成について、有機ＥＬ薄膜を用いた電気光学装置の場合を例に挙げて説明する。

図１３は、従来の電気光学装置の画素部の要部断面図であり、図１４は、従来の電気光学装置における薄膜形成時における乾燥工程を模式的に示す図である。上述したように、有機ＥＬ薄膜は基板上に所定のパターンで区分された画素ごとに作製される。基板上には、インクジェットプロセスによる有機ＥＬ薄膜の形成時に、インクジェットプロセスにおいて吐出された液体材料（薄膜材料液）が隣接する画素に流出しないように、断面形状が凸状の仕切部材（以下、バンクという）２４２が互いに隣接する画素間に設けられている。このバンクは、基板２１０上に形成された図示しない画素電極上に液滴充填領域Ｒ_Sを囲むように形成される第１隔壁２４３と、その上部に形成される第２隔壁２４４と、から構成される。ここで、第１隔壁２４３の上面の開口部よりも第２隔壁２４４の下面の開口部の方が大きくなるように、その断面が段差状に構成されている。また、第１隔壁２４３と画素電極とは薄膜材料液に対して親液性を有する無機材料によって形成され、または親液性を有するように表面処理がなされ、第２隔壁２４４は同薄膜材料液に対して撥液性を有する有機材料によって形成され、または撥液性を有するように表面処理がなされている。

このようなバンクによって囲まれた各発光領域には、液滴の表面が図１４の線分Ｌ１に示されるように第２隔壁２４４の上面よりも盛り上がるように、薄膜材料液がインクジェットプロセスにより充填される。そして、この薄膜材料液を乾燥させることで、液滴の表面が線分Ｌ１〜線分Ｌ４に示されるように徐々に下がり、最終的には乾燥によって表面が線分Ｌ４で示すような有機ＥＬ薄膜２４５が形成される。図１４においては図示しないが、有機ＥＬ薄膜２４５は正孔注入層上に発光層が形成された積層構造とされている。乾燥時において、液滴は、第２隔壁２４４の表面ではじかれ、第１隔壁２４３の表面及び画素電極の表面ではなじむので、画素電極上の液滴充填領域Ｒ_S内にほぼ平坦な有機ＥＬ薄膜が形成される（例えば、特許文献１参照）。

特許第３３２８２９７号公報（図１１Ｆ、図１２Ｃ）

ところで、上述したバンク２４２の構成は、第１隔壁２４３の上面の開口部よりも第２隔壁２４４の下面の開口部の方が大きく、その断面は階段状の形状を呈するように構成されており、第１隔壁２４３の上面の一部には、第２隔壁２４４が形成されていない第２隔壁２４４から露出した平坦部２５１が存在する。そして、有機ＥＬ薄膜２４５の膜厚（有機ＥＬ薄膜２４５を形成するために液滴充填領域Ｒ_Sに注入する薄膜材料液の量）と第１隔壁の厚さとの関係によっては、有機ＥＬ薄膜２４５の周辺部が盛り上がってしまう場合がある。

すなわち、有機ＥＬ薄膜２４５の膜厚が第１隔壁２４３の厚さよりも厚い場合（液滴充填領域Ｒ_Sに注入する薄膜材料液の量が多い場合）には、薄膜材料液の液滴は該液滴に対して撥液性を有する第２隔壁２４４と最後まで接しながら乾燥するが、この際、第２隔壁２４４の表面の撥液性は完全ではないため、液滴は第２隔壁２４４の表面の表面に引っ張られた状態で乾燥する。このため、最終的に形成された有機ＥＬ薄膜２４５は、図１４及び図１５に示すように周縁部において第２隔壁２４４の表面に沿って盛り上がった状態となり、膜厚が一様にならず、表面の平坦性の悪いものとなる。そして、平坦部２５１上の有機ＥＬ薄膜２４５の膜厚が薄い場合には、該平坦部２５１上に正孔注入層がなくても画素電極上の正孔注入層からのわずかに正孔が注入されるため、周縁部の有機ＥＬ薄膜２４５でも発光が起こり、これが画素内における発光輝度の不均一性を引き起こすという問題がある。

したがって、上述したいずれの場合においても画素内に形成された有機ＥＬ薄膜２４５の表面の平坦性が悪くなることにより、画素内において発光輝度の不均一性が生じるという問題が生じる。

また、このような画素の構造においては、対向電極が第２隔壁２４４の側面上及び有機ＥＬ薄膜２４５上に形成され、この場合、対向電極は第２隔壁２４４及び有機ＥＬ薄膜２４５のみで支持されている。ここで、対向電極は第２隔壁２４４の表面、すなわち撥液性の表面に接した状態となっている。このため、対向電極は第２隔壁２４４の表面に接してはいるものの該第２隔壁２４４の表面が撥液性を有するため密着はしておらず、第２隔壁２４４によって確実には支持されず対向電極の機械的強度が不十分となる場合がある。特にインクジェット法を用いて有機ＥＬ薄膜２４５を形成する場合などにこの問題が顕著となる。

本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、膜表面の平坦性の良好な（膜厚の均一な）薄膜を形成可能な薄膜の形成方法を提供することを目的とする。また、これを用いた発光輝度の均一性の良好な電気光学装置の製造方法、該製造方法により作製した電気光学装置及び電子機器を提供することを目的とする。また、電極が確実に支持されるとともに良好な機械強度を有する、高品質な電気光学装置を提供することを目的とする。

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明にかかる薄膜の形成方法は、隔壁で囲われた薄膜形成面に薄膜材料液を充填して薄膜を形成する薄膜の製造方法であって、薄膜形成面に、表面が薄膜材料に対して親液性を有し、薄膜形成面と略平行な平坦面を有する第１隔壁を形成する第１隔壁形成工程と、第１隔壁の平坦面が露出するように第２隔壁を第１隔壁上に形成する第２隔壁形成工程と、第２隔壁の表面に、薄膜材料液に対して撥液性を有する撥液層を形成する撥液層形成工程と、第１隔壁及び第２隔壁で囲まれた領域に薄膜材料液を充填、乾燥して第１隔壁の厚みよりも膜厚の厚い薄膜を形成する薄膜形成工程と、撥液層及び薄膜の撥液層との当接部近傍を除去する除去工程と、を含むことを特徴とする。

以上のような本発明に係る薄膜の形成方法においては、表面が薄膜材料に対して親液性を有する第１隔壁の上に第２隔壁を形成し、撥液層形成工程において、薄膜材料液に対して撥液性を有する撥液層を第２隔壁の表面に形成する。そして、薄膜形成工程においては、乾燥後に得られる薄膜の膜厚が第１隔壁の厚みよりも厚くなるように液適量が調整されて薄膜材料液が第１隔壁及び第２隔壁で囲まれた領域に充填され、その後薄膜材料液を乾燥させることにより薄膜が形成される。

このように第１隔壁の表面に親液性をもたせることにより、薄膜材料液と第１隔壁の表面との濡れ性を良好な状態とすることができ、薄膜材料液が充填された際に薄膜材料液が第１隔壁で囲まれた領域に均一且つ確実に濡れ広がるため、薄膜を均一に形成することができる。

また、第２隔壁の表面に薄膜材料液に対して撥液性を有する撥液層を形成することにより、第２隔壁の高さを超える量の薄膜材料液を充填しても薄膜材料液の表面張力により第２隔壁の外部に薄膜材料液が流れ出すことがない。

そして、薄膜材料液が乾燥して得られる薄膜は、薄膜形成面の第１隔壁及び第２隔壁で囲まれた領域上および第１隔壁に設けられた平坦面上に形成される。したがって、薄膜の表面の位置が第１隔壁の平坦面よりも下の位置となり、薄膜材料液の乾燥時に第１隔壁に設けられた平坦面上に液滴が残留してしまうという状況が生じない。したがって、液滴が第１隔壁に設けられた平坦面上に残留することに起因して薄膜の周縁部の膜厚が薄くなり、薄膜表面の平坦性が悪くなることがない。

また、薄膜材料液の液滴は該液滴に対して撥液性を有する撥液層と最後まで接しながら乾燥し、液滴は撥液層の表面の表面に引っ張られた状態で乾燥する。このため、乾燥後に得られる薄膜の周縁部は、撥液層の表面に沿って盛り上がった状態となっている。そこで、本発明においては乾燥終了後に撥液層及び薄膜の撥液層との当接部近傍を除去する。これにより、薄膜の周縁部であり、撥液層の表面に沿って盛り上がった状態に形成された部分が除去され、表面の平坦性の良好な部分のみが残される。なお、最終的に得られる薄膜は、第１隔壁の平坦面上の薄膜と第２隔壁との間には空間が形成されており、第１隔壁の平坦面上の薄膜と第２隔壁とは離間した状態とされている。

したがって、本発明に係る薄膜の形成方法によれば、隔壁に囲まれた領域内に、表面の平坦性の良好な薄膜を簡便且つ確実に形成することができるという効果を奏する。

また、本発明の好ましい態様によれば、薄膜形成面の第１隔壁で囲まれた領域及び第１隔壁の表面の薄膜材料液に対する親液性を高める親液性調整工程を有することを特徴とする。このように第１隔壁の表面および薄膜形成面の第１隔壁で囲まれた領域の薄膜材料液に対する親液性を高めることにより、薄膜材料液と、第１隔壁の表面および薄膜形成面の第１隔壁で囲まれた領域と、の濡れ性を良好な状態とすることができ、薄膜材料液が充填された際に薄膜材料液が第１隔壁で囲まれた領域に均一且つ確実に濡れ広がるため、薄膜をより均一に形成することができる。

また、本発明の好ましい態様によれば、上記の撥液層形成工程において撥液層を光分解性材料により形成し、除去工程において撥液層に光を照射して該撥液層を分解除去することを特徴とする。撥液層を光分解性材料により形成することにより、撥液層に光を照射するだけで撥液層を簡単に分解除去することができ、簡便且つ確実に撥液層を除去することが可能である。

また、上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明にかかる電気光学装置の製造方法は、隔壁で囲われた薄膜形成面に薄膜材料液を充填して薄膜を形成する工程を含む電気光学装置の製造方法であって、薄膜形成面に、表面が薄膜材料に対して親液性を有し、薄膜形成面と略平行な平坦面を有する第１隔壁を形成する第１隔壁形成工程と、第１隔壁の平坦面が露出するように第２隔壁を第１隔壁上に形成する第２隔壁形成工程と、第２隔壁の表面に、薄膜材料液に対して撥液性を有する撥液層を形成する撥液層形成工程と、第１隔壁及び第２隔壁で囲まれた領域に薄膜材料液を充填、乾燥して第１隔壁の厚みよりも膜厚の厚い薄膜を形成する薄膜形成工程と、撥液層及び薄膜の撥液層との当接部近傍を除去する除去工程と、を含むことを特徴とする。

以上のような本発明に係る電気光学装置の製造方法においては、隔壁で囲われた薄膜形成面に薄膜材料液を充填して薄膜を形成する際に、表面が薄膜材料に対して親液性を有する第１隔壁の上に第２隔壁を形成し、撥液層形成工程において、薄膜材料液に対して撥液性を有する撥液層を第２隔壁の表面に形成する。そして、薄膜形成工程においては、乾燥後に得られる薄膜の膜厚が第１隔壁の厚みよりも厚くなるように液適量が調整されて薄膜材料液が第１隔壁及び第２隔壁で囲まれた領域に充填され、その後薄膜材料液を乾燥させることにより薄膜が形成される。

そして、薄膜材料液が乾燥して得られる薄膜は、薄膜形成面の第１隔壁及び第２隔壁で囲まれた領域上および第１隔壁に設けられた平坦面上に形成される。したがって、薄膜の表面の位置が第１隔壁の平坦面よりも下の位置となり、薄膜材料液の乾燥時に第１隔壁に設けられた平坦面上に液滴が残留してしまうという状況が生じない。したがって、液滴が第１隔壁に設けられた平坦面上に残留することにより薄膜の周縁部の膜厚が薄くなり、薄膜表面の平坦性が悪くなることを防止することができる。

したがって、本発明に係る電気光学装置の製造方法によれば、隔壁に囲まれた領域内に、表面の平坦性の良好な薄膜を簡便且つ確実に形成することができ、薄膜表面の平坦性に起因した品質低下のない、高品質な電気光学装置を作製できるという効果を奏する。

また、本発明の好ましい態様によれば、薄膜形成工程において有機エレクトロルミネッセンス膜を形成することを特徴とする。これにより隔壁に囲まれた領域内に表面の平坦性の良好な有機エレクトロルミネッセンス薄膜を簡便且つ確実に形成することができ、高品質の有機エレクトロルミネッセンス表示装置を作製することができる。すなわち、有機エレクトロルミネッセンス膜を備えた電気光学装置であって、該有機エレクトロルミネッセンス膜の薄膜表面の平坦性に起因した品質低下のない、高品質な電気光学装置を作製できるという効果を奏する。

また、本発明の好ましい態様によれば、上記の有機エレクトロルミネッセンス膜が、発光層と該発光層における発光を高めるための機能を有する補助層とを有し、薄膜形成工程において、乾燥後の補助層の膜厚が第１隔壁の厚み以下となるように補助層を形成する薄膜材料液を充填、乾燥後に、発光層を形成する薄膜材料液を充填、乾燥することを特徴とする。これにより、隔壁に囲まれた領域内に、表面の平坦性の良好な発光層を簡便且つ確実に形成することができる。その結果、発光層と補助層とを有した有機エレクトロルミネッセンス膜を備えた電気光学装置であって、該有機エレクトロルミネッセンス膜の平坦性に起因した品質低下のない、高品質な電気光学装置を作製できるという効果を奏する。

また、上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明にかかる薄膜の形成方法は、隔壁で囲われた薄膜形成面に薄膜材料液を充填して薄膜を形成する薄膜の製造方法であって、薄膜形成面に、表面が薄膜材料に対して親液性を有し、薄膜形成面と略平行な平坦面を有する第１隔壁を形成する第１隔壁形成工程と、第１隔壁の平坦面が露出するように、表面が薄膜材料に対して親液性を有し、薄膜形成面と略平行な平坦面を有する第２隔壁を第１隔壁上に形成する第２隔壁形成工程と、第２隔壁の平坦面が露出するように第２隔壁上に第３隔壁を形成する第３隔壁形成工程と、第３隔壁の表面に、薄膜材料液に対して撥液性を有する撥液層を形成する撥液層形成工程と、第１隔壁、第２隔壁及び第３隔壁で囲まれた領域に薄膜材料液を充填、乾燥して、第１隔壁の厚みと第２隔壁の厚みとを合わせた厚みよりも膜厚が厚い薄膜を形成する薄膜形成工程と、撥液層及び薄膜の撥液層との当接部近傍を除去する除去工程と、を含むことを特徴とする。

以上のような本発明に係る薄膜の形成方法においては、表面が薄膜材料に対して親液性を有する第１隔壁、第２隔壁の上に第３隔壁を形成し、撥液層形成工程において、薄膜材料液に対して撥液性を有する撥液層を第３隔壁の表面に形成する。そして、薄膜形成工程においては、乾燥後に得られる薄膜の膜厚が第１隔壁の厚みと第２隔壁の厚みとを合わせた厚みよりも厚くなるように液適量が調整されて薄膜材料液が第１隔壁、第２隔壁及び第３隔壁で囲まれた領域に充填され、その後薄膜材料液を乾燥させることにより薄膜が形成される。

このように第１隔壁及び第２隔壁の表面に親液性をもたせることにより、薄膜材料液と第１隔壁及び第２隔壁の表面との濡れ性を良好な状態とすることができ、薄膜材料液が充填された際に薄膜材料液が第１隔壁及び第２隔壁で囲まれた領域に均一且つ確実に濡れ広がるため、薄膜を均一に形成することができる。

また、第３隔壁の表面に薄膜材料液に対して撥液性を有する撥液層を形成することにより、第３隔壁の高さを超える量の薄膜材料液を充填しても薄膜材料液の表面張力により第３隔壁の外部に薄膜材料液が流れ出すことがない。

そして、薄膜材料液が乾燥して得られる薄膜は、薄膜形成面の第１隔壁、第２隔壁及び第３隔壁で囲まれた領域上および第２隔壁に設けられた平坦面上に形成される。したがって、薄膜の表面の位置が第２隔壁の平坦面よりも下の位置となり、薄膜材料液の乾燥時に第２隔壁に設けられた平坦面上に液滴が残留してしまうという状況が生じない。したがって、液滴が第２隔壁に設けられた平坦面上に残留することに起因して薄膜の周縁部の膜厚が薄くなり、薄膜表面の平坦性が悪くなることを防止することができる。

また、薄膜材料液の液滴は該液滴に対して撥液性を有する撥液層と最後まで接しながら乾燥し、液滴は撥液層の表面の表面に引っ張られた状態で乾燥する。このため、乾燥後に得られる薄膜の周縁部は、撥液層の表面に沿って盛り上がった状態となっている。そこで、本発明においては乾燥終了後に撥液層及び薄膜の撥液層との当接部近傍を除去する。これにより、薄膜の周縁部であり、撥液層の表面に沿って盛り上がった状態に形成された部分が除去され、表面の平坦性の良好な部分のみが残される。なお、最終的に得られる薄膜は、第２隔壁の平坦面上の薄膜と第３隔壁との間には空間が形成されており、第２隔壁の平坦面上の薄膜と第３隔壁とは離間した状態とされている。

また、本発明の好ましい態様によれば、薄膜形成面の第１隔壁で囲まれた領域と第１隔壁の表面と第２隔壁の表面との薄膜材料液に対する親液性を高める親液性調整工程を有することを特徴とする。このように薄膜形成面の第１隔壁で囲まれた領域、第１隔壁の表面及び第２隔壁の表面の薄膜材料液に対する親液性を高めることにより、薄膜材料液と、薄膜形成面の第１隔壁で囲まれた領域、第１隔壁の表面及び第２隔壁の表面と、の濡れ性を良好な状態とすることができ、薄膜材料液が充填された際に薄膜材料液が第１隔壁及び第２隔壁で囲まれた領域に均一且つ確実に濡れ広がるため、薄膜をより均一に形成することができる。

また、上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明にかかる電気光学装置の製造方法は、隔壁で囲われた薄膜形成面に薄膜材料液を充填して薄膜を形成する工程を含む電気光学装置の製造方法であって、薄膜形成面に、表面が薄膜材料に対して親液性を有し、薄膜形成面と略平行な平坦面を有する第１隔壁を形成する第１隔壁形成工程と、第１隔壁の平坦面が露出するように、表面が薄膜材料に対して親液性を有し、薄膜形成面と略平行な平坦面を有する第２隔壁を第１隔壁上に形成する第２隔壁形成工程と、第２隔壁の平坦面が露出するように第２隔壁上に第３隔壁を形成する第３隔壁形成工程と、第３隔壁の表面に、薄膜材料液に対して撥液性を有する撥液層を形成する撥液層形成工程と、第１隔壁、第２隔壁及び第３隔壁で囲まれた領域に薄膜材料液を充填、乾燥して、第１隔壁の厚みと第２隔壁の厚みとを合わせた厚みよりも膜厚が厚い薄膜を形成する薄膜形成工程と、撥液層及び薄膜の撥液層との当接部近傍を除去する除去工程と、を含むことを特徴とする。

以上のような本発明に係る電気光学装置の製造方法においては、隔壁で囲われた薄膜形成面に薄膜材料液を充填して薄膜を形成する際に、表面が薄膜材料に対して親液性を有する第１隔壁、第２隔壁の上に第３隔壁を形成し、撥液層形成工程において、薄膜材料液に対して撥液性を有する撥液層を第３隔壁の表面に形成する。そして、薄膜形成工程においては、乾燥後に得られる薄膜の膜厚が第１隔壁の厚みと第２隔壁の厚みとを合わせた厚みよりも厚くなるように液適量が調整されて薄膜材料液が第１隔壁、第２隔壁及び第３隔壁で囲まれた領域に充填され、その後薄膜材料液を乾燥させることにより薄膜が形成される。

また、本発明の好ましい態様によれば、薄膜形成面を形成する第１の電極を形成する第１の電極形成工程と、有機エレクトロルミネッセンス膜を形成する薄膜形成工程と、有機エレクトロルミネッセンス膜、第１隔壁及び第２隔壁を覆うように第１の電極と対向する第２の電極を形成する第２の電極形成工程と、を含むことを特徴とする。これにより隔壁に囲まれた領域内に表面の平坦性の良好な有機エレクトロルミネッセンス薄膜を簡便且つ確実に形成することができ、高品質の有機エレクトロルミネッセンス表示装置を作製することができる。すなわち、有機エレクトロルミネッセンス膜を備えた電気光学装置であって、該有機エレクトロルミネッセンス膜の薄膜表面の平坦性に起因した品質低下のない、高品質な電気光学装置を作製できるという効果を奏する。

また、上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明にかかる電気光学装置は、基板上に二次元的に配列された複数の薄膜形成領域に各々形成された第１の電極と、複数の薄膜形成領域を形成するために各領域間を分離し、表面が薄膜材料に対して親液性を有し、薄膜形成面と略平行な平坦面を有する第１隔壁と、第１隔壁の平坦面が露出するように第１隔壁上に形成した第２隔壁と、薄膜形成領域内に機能層材料を含む液滴を配することにより形成される少なくとも発光層を含む機能層と、少なくとも第１隔壁の略平行な平坦面の少なくとも一部と接するように、機能層及び第２隔壁の上に形成され、第１の電極と対向する第２の電極と、を備えることを特徴とする。

以上のように構成された本発明にかかる電気光学装置は、第１隔壁の表面に親液性を有することにより、薄膜材料液と第１隔壁の表面との濡れ性が良好な状態とされ、薄膜材料液が充填された際に薄膜材料液が第１隔壁で囲まれた領域に均一且つ確実に濡れ広がるため、機能層の薄膜が均一に形成されている。また、機能層の外周端部近傍が除去されているため、平坦性の良好な機能層が形成されている。これにより機能層の薄膜表面の平坦性に起因した品質低下のない、高品質な電気光学装置が実現されている。

また、第２の電極が少なくとも第１隔壁の略平な平坦面の少なくとも一部と接する構造とされているため、第２の電極は第１隔壁の平坦面、第２隔壁および機能層により支持される。そして、第２の電極はこれらにより確実に支持されるため、十分な機械的強度を得ることが可能となり、機械的強度に優れた電極を備えた、信頼性の高い電気光学装置が実現されている。

また、本発明の好ましい態様によれば、第２隔壁及び第２の電極はともに無機材料からなることを特徴とする。これにより、第２の電極は第１隔壁によってより確実に支持されるとともに良好な機械的強度を得ることができる。

また、上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明にかかる電気光学装置は、基板上に二次元的に配列された複数の薄膜形成領域に各々形成された第１の電極と、複数の薄膜形成領域を形成するために各領域間を分離し、表面が薄膜材料に対して親液性を有し、薄膜形成面と略平行な平坦面を有する第１隔壁と、第１隔壁の平坦面が露出するように第１隔壁上に形成した、表面が薄膜材料に対して親液性を有し、薄膜形成面と略平行な平坦面を有する第２隔壁と、第２隔壁の平坦面が露出するように第２隔壁上に形成した第３隔壁と、薄膜形成領域内に機能層材料を含む液滴を配することにより形成される少なくとも発光層を含む機能層と、少なくとも第２隔壁の略平行な平坦面の少なくとも一部と接するように、機能層及び第３隔壁の上に形成され、第１の電極と対向する第２の電極と、を備えることを特徴とする。

以上のように構成された本発明にかかる電気光学装置は、第１隔壁及び第２隔壁の表面に親液性を有することにより、薄膜材料液と第１隔壁及び第２隔壁の表面との濡れ性が良好な状態とされ、薄膜材料液が充填された際に薄膜材料液が第１隔壁及び第２隔壁で囲まれた領域に均一且つ確実に濡れ広がるため、機能層の薄膜が均一に形成されている。また、機能層の外周端部近傍が除去されているため、平坦性の良好な機能層が形成されている。これにより機能層の薄膜表面の平坦性に起因した品質低下のない、高品質な電気光学装置が実現されている。

また、第２の電極が少なくとも第２隔壁の略平な平坦面の少なくとも一部と接する構造とされているため、第２の電極は第２隔壁の平坦面、第３隔壁および機能層により支持される。そして、第２の電極はこれらにより確実に支持されるため、十分な機械的強度を得ることが可能となり、機械的強度に優れた電極を備えた、信頼性の高い電気光学装置が実現されている。

また、本発明によれば、上述の電気光学装置を有する電子機器を提供する。これにより、より高品質な電子機器を実現することができる。

以下に添付図面を参照して、本発明にかかる薄膜の製造方法及び電気光学装置の製造方法の好適な実施例を詳細に説明する。以下においては、電気光学装置の一例として発光層に有機ＥＬ薄膜を使用した有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示装置を例に挙げて説明するが、本発明は以下の記述に限定されるものではなく、適宜変更可能である。また、以下の実施例で用いられる電気光学装置の断面図は模式的なものであり、層の厚みと幅との関係や各層の厚みの比率などは現実のものとは異なる。

図１は、本実施例にかかる電気光学装置の配線構造の平面模式図である。この図１に示されるように、電気光学装置１は、複数の走査線１０１と、走査線１０１に対して空間を隔てて略直角に交差する方向に延びる複数の信号線１０２と、信号線１０２に並列に延びる複数の電源線１０３とが、それぞれ配線された構成を有する。そして、走査線１０１と信号線１０２の各交点付近に、すなわちマトリックス状に、画素領域Ａが設けられている。

信号線１０２には、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオラインおよびアナログスイッチを備えるデータ駆動回路１０４が接続されている。また、走査線１０１には、シフトレジスタおよびレベルシフタを備える走査側駆動回路１０５が接続されている。

画素領域Ａのそれぞれには、走査線１０１を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用ＴＦＴ１１２と、このスイッチング用ＴＦＴ１１２を介して信号線１０２から供給される画素信号を保持する保持容量ｃａｐと、この保持容量ｃａｐによって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用ＴＦＴ１１３と、この駆動用ＴＦＴ１１３を介して電源線１０３に電気的に接続した時に電源線１０３から駆動電流が流れ込む画素電極（陽極）４１と、この画素電極４１と対向電極（陰極）４６との間に挟み込まれた機能層４５とが設けられる。これらの画素電極４１と対向電極４６と機能層４５とによって、発光素子部が構成されている。なお、機能層４５は、後述する発光層を含む有機ＥＬ薄膜に対応する。

このような電気光学装置１の配線構造によれば、走査線１０１が駆動されてスイッチング用ＴＦＴ１１２がオンになると、そのときの信号線１０２の電位が保持容量ｃａｐに保持され、この保持容量ｃａｐの状態に応じて、駆動用ＴＦＴ１１３のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用ＴＦＴ１１３のチャネルを介して、電源線１０３から画素電極（陽極）４１に電流が流れ、さらに機能層４５を介して対向電極（陰極）４６に電流が流れる。機能層４５は、この流れる電流量に応じて発光する。このような画素領域Ａでの発光を制御することで所望の状態を表示することができる。

図２及び図３は、本実施の形態にかかる電気光学装置の画素領域Ａの構造を模式的に示す断面図であり、図２は、図１における機能層４５および駆動用ＴＦＴ１１３の部分のより詳細な構造を示す断面図である。また、図３は、図２における機能層４５の周縁部近傍を拡大して示す断面図である。この電気光学装置１は、基板１０と、この基板１０上にＴＦＴなどの能動素子や配線が形成された駆動素子部２０と、有機ＥＬ薄膜が形成される機能素子部４０とからなる。

基板１０は、各種のガラス材料、樹脂材料、単結晶を含むセラミックス材料または金属材料などを用いることができ、用途に応じた基板を選択することができるが、図２では基板１０としてガラス基板を使用する場合を例に挙げている。

駆動素子部２０は、スイッチング用ＴＦＴ１１２、駆動用ＴＦＴ１１３、その他の素子や配線を含んで構成される。駆動用ＴＦＴ１１３は、基板１０上に形成されたＳｉＯ₂などからなる下地層２１上の所定の位置に形成される島状のポリシリコンによって形成される。図２においては、駆動用ＴＦＴ１１３を縦方向に切断した縦断面図が描かれている。駆動用ＴＦＴ１１３のゲート電極２４は、図１に示したスイッチング用ＴＦＴ１１２のドレイン電極と電気的に接続されている。また、駆動用ＴＦＴ１１３のソース領域とドレイン領域とには、第１の層間絶縁膜２３と第２の層間絶縁膜２５とに形成されたコンタクトホール２６を介してそれぞれソース電極／ドレイン電極２７が形成される。これらのソース電極／ドレイン電極２７のうち一方は、図１に示した電源線１０３と電気的に接続され、他方は第３の層間絶縁膜２８に形成されたコンタクトホール２９を介して機能素子部４０の画素電極４１と電気的に接続される。なお、駆動素子部２０の第１〜第３の層間絶縁膜２３，２５，２８は、ＳｉＯ₂などの絶縁性材料によって構成される。

機能素子部４０は、発光層と正孔注入層とを含む有機化合物層として有機ＥＬ薄膜からなる機能層４５と、機能層４５を動作させるための一対の電極４１（陽極），４６（陰極）と、機能層４５を所定の領域に形成するためのバンク４２と、機能層４５を周囲の雰囲気から遮断するためのシール層４７とを備えて構成されている。

バンク４２は、機能層４５を形成する際に薄膜材料液が充填される液滴充填領域Ｒ_Sを取り囲むように駆動素子部２０上に形成され、表面の親液性が高められた第１隔壁４３と、第１隔壁４３上に形成された第２隔壁４４とから構成されている。この第１隔壁４３及び第２隔壁４４は基板１０上において二次元的に配列された複数の薄膜形成領域を形成するために各領域間を分離するものである。第１隔壁４３の上部開口部は下部開口部よりも広く形成されている。すなわち、第１隔壁４３の側面は、基板表面に垂直な方向に対して傾斜を有するように形成されている。同様に、第２隔壁４４の上部開口部は下部開口部よりも広く形成されている。すなわち、第２隔壁４４の側面も、基板表面に垂直な方向に対して傾斜を有するように形成されている。

また、第１隔壁４３の上部開口部は、第２隔壁４４の下部開口部よりも機能層４５の中心部側に位置している。換言すると、第２隔壁４４は上部から見て第１隔壁の平坦面４３ａが露出するように第１隔壁４３上に形成されている。すなわち、図３に示されるように、バンク４２を構成する第１隔壁４３と第２隔壁４４の断面形状は階段状となっている。

この第１隔壁４３は、後述する薄膜材料液と親液性を有し、下地の陽極４１との密着性が良く、フォトリソグラフィによるパターニングが容易な絶縁材料から構成されている。このような材料としては、ＳｉＯ₂やＴｉＯ₂などの無機材料を用いることができる。また、第２隔壁４４は、下地の第１隔壁４３との密着性が良く、フォトリソグラフィによるパターニングが容易な絶縁材料から構成されている。このような材料としては、例えばポリイミドやアクリルなどの有機材料を用いることができる。

機能層４５は、発光を行う発光層４５ｂと、発光層４５ｂでの発光を効率よく行うために設けられる補助層として陽極から発光層への正孔注入効率を高める正孔注入層４５ａと、を備えて構成されている。ここで補助層としては、正孔注入層４５ａの他に、陰極から発光層への電子注入効率を高める電子注入層、電子を発光層に移行させるとともに発光層からの正孔の移行をブロックする電子輸送層、正孔を発光層に移行させるとともに発光層からの電子の移行をブロックする正孔輸送層などの、発光層における発光を高めるための機能を有する層を設けることもできる。ここでは、機能層４５は、陽極４１上に形成された正孔注入層４５ａ上に発光層４５ｂが形成されて構成されている。

機能層４５全体の膜厚は第１隔壁４３の厚みよりも厚く形成されている。また正孔注入層４５ａの膜厚は第１隔壁の厚み以下とされ、本実施例においては正孔注入層４５ａは膜厚が第１隔壁４３の厚みよりも薄く形成されている。発光層４５ｂは、正孔注入層４５ａ上および第１隔壁の平坦面４３ａ上に良好な平坦性を有した状態で形成されている。また、発光層４５ｂはその周縁部が除去され、第１隔壁の平坦面上の発光層４５ｂと第２隔壁４４との間には空間が形成されており、第１隔壁の平坦面上の発光層４５ｂと第２隔壁４４とは離間した状態とされている。

電極４１，４６は、機能層４５を上下から挟むような形で対向して形成されている。なお以下では、基板１０側に形成される電極４１を画素電極（陽極）と呼び、この画素電極に対向して配置される電極４６を対向電極（陰極）と呼ぶ場合もある。

電気光学装置１が、機能素子部４０が形成される側から発光を行うトップエミッション型の電気光学装置である場合には、対向電極４６はインジウムスズ酸化物（以下、ＩＴＯという）などの透明な導電性材料で形成され、画素電極４１は電極として通常使用されるような導電性を有する材料で形成される。

また、電気光学装置１が基板１０側から発光を行うボトムエミッション型の電気光学装置である場合には、画素電極４１が透明な導電性材料で形成され、対向電極４６は電極として通常使用されるような導電性を有する材料で形成される。さらに、電気光学装置１が、機能素子部４０が形成される側、基板１０側の両側から発光する電気光学装置である場合には、画素電極４１と対向電極４６ともに透明な導電性材料で形成される。図２の例では、駆動素子部２０上に画素電極（陽極）４１、機能層４５、及び対向電極（陰極）４６がこの順番で積層されている。また、シール層４７は、大気中の水蒸気や酸素などが機能層４５と接触しないように陰極４６上に形成される層であり、各種の樹脂材料を用いることができる。

以上のように構成された電気光学装置１においては、発光層４５ｂの表面が良好な平坦性を有した状態で形成されており、機能層４５全体としても表面が良好な平坦性を有した状態で形成されている。これにより第１隔壁の平坦面４３ａ上に形成された発光層４５ｂの膜厚が薄い場合においても、発光層４５ｂ表面の平坦性の不均一に起因して画素内において発光輝度の不均一が生じることがない。したがって、この電気光学装置１においては、発光層４５ｂ表面の平坦性の不均一に起因して画素内における発光輝度のばらつきが生じることが画防止されており、高品質な電気光学装置が実現されている。

また、上記の電気光学装置１においては、第２の電極である対向電極（陰極）４６が第２隔壁４４の側面に沿って第１隔壁の平坦面４３ａまで延在するため、対向電極（陰極）４６は第１隔壁４３、第２隔壁４４および機能層４５により支持される。これにより、対向電極（陰極）４６はこれらにより確実に支持されるため、十分な機械的強度を得ることが可能となり、機械的強度に優れた対向電極（陰極）４６を備えた、信頼性の高い電気光学装置が実現されている。そして、この場合、第１隔壁４３及び対向電極（陰極）４６はともに無機材料からなることが好ましい。これにより、対向電極（陰極）４６は第１隔壁の平坦面４３ａによってより確実に支持されるとともにより良好な機械的強度を得ることができる。

次に、本発明にかかる電気光学装置の製造方法の一例について説明する。図４は、本実施例にかかる電気光学装置１の製造工程を示すフローチャートであり、図５−１〜図５−１３は、本実施例かかる電気光学装置１の製造工程を模式的に示す断面図である。この電気光学装置の製造方法は、図４に示すように、駆動素子部形成工程（Ｓ１）と、画素電極（陽極）形成工程（Ｓ２）と、第１隔壁形成工程（Ｓ３）と、第２隔壁形成工程（Ｓ４）と、親液性調整工程（Ｓ５）と、撥液層形成工程（Ｓ６）と、機能層形成工程（Ｓ７）と、除去工程（Ｓ８）と、陰極形成工程（Ｓ９）と、シール層形成工程（Ｓ１０）と、を含んでいる。

まず、駆動素子部形成工程（Ｓ１）では、図５−１〜図５−２に示すように基板１０上に走査線１０１と信号線１０２などの配線や、スイッチング用ＴＦＴ１１２と駆動用ＴＦＴ１１３などの能動素子などが形成される。例えば、図５−２に示されるように駆動用ＴＦＴ１１３が形成される場合には、まず、基板１０上にＳｉＯ₂からなる下地層２１が形成され、その上にアモルファスシリコン膜がプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）などの成膜手段によって堆積される。次に、アモルファスシリコン膜をレーザアニールによって、溶融、冷却、固化させることでポリシリコン膜とする。そして、基板１０上の駆動用ＴＦＴ１１３を形成する所定の位置に、所定の大きさのポリシリコン膜２２のみを残すようにエッチングする。

さらに、ポリシリコン膜２２と基板１０表面を覆うように第１の層間絶縁膜２３を形成した後に、ポリシリコン膜２２の中央部付近にＮ⁺イオンを注入してｎチャネル２２ａを形成し、ｎチャネル２２ａを形成した第１の層間絶縁膜２３の上部付近にゲート電極２４を形成する。その後、ゲート電極２４と第１の層間絶縁膜２３の表面を覆うように第２の層間絶縁膜２５を形成し、第１の層間絶縁膜２３と第２の層間絶縁膜２５を貫通してポリシリコン膜２２に到達するように２つのコンタクトホール２６がゲート電極２４を挟む位置に形成される。そして、コンタクトホール２６とその周辺にソース電極／ドレイン電極２７を形成した後に、これらのソース電極／ドレイン電極２７と第２の層間絶縁膜２５の表面を覆うように第３の層間絶縁膜２８が形成される。このようにして、駆動素子部２０が形成される。

次に、画素電極（陽極）形成工程（Ｓ２）では、基板１０上において二次元的に配列された複数の薄膜形成領域の各々に画素電極（陽極）を形成する。すなわち、図５−３に示すようにソース電極またはドレイン電極２７のいずれかに到達するように駆動素子部２０の第３の層間絶縁膜２８を貫通するコンタクトホール２９を形成し、駆動素子部２０上に画素電極（陽極）４１となる導電性材料の薄膜をスパッタや蒸着、またはその他の成膜手段によって形成する。この薄膜は、後述する薄膜材料液に対して親液性を有する材料により形成することが好ましい。これにより後述するインクジェットプロセスで充填される組成物と、これらの表面とのなじみがよくなる。そして、薄膜材料液が充填された際に薄膜材料液が画素電極（陽極）４１の表面に均一且つ確実に濡れ広がるため、良質な薄膜を形成することができる。

その後、フォト・エッチングプロセスを用いて、図５−３に示すように形成した導電性材料の薄膜を所定の位置において画素電極形状にパターニングして第１の電極である画素電極４１を形成する。このとき、第３の層間絶縁膜２８に形成されたコンタクトホール２９内にも画素電極（陽極）４１が形成されるので、機能素子部４０の画素電極（陽極）４１と駆動用ＴＦＴ１１３のソース電極またはドレイン電極２７のいずれかの端子とが、コンタクトホール２９を介して電気的に接続されるようになる。

次に、第１隔壁形成工程（Ｓ３）では、パターニングした画素電極（陽極）４１上および第３の層間絶縁膜２８上に第１隔壁４３となる薄膜として例えばＳｉＯ₂膜を形成する。そして、図５−４に示すようにこのＳｉＯ₂膜を、機能層４５を形成する開口部が画素電極（陽極）４１上の所定の位置に形成されるようにパターニングする。この結果、第１隔壁４３は、機能層４５の形成領域を囲うように画素電極（陽極）４１の周縁部上に乗り上げた状態で形成される。また、第１隔壁４３の上部開口部は、下部開口部よりも広く形成される。すなわち、第１隔壁４３の側面は、基板表面に垂直な方向に対して傾斜を有するように形成される。

次に、第２隔壁形成工程（Ｓ４）では、例えば感光性を有する絶縁有機材料を第１隔壁４３と画素電極（陽極）４１上に塗布し、フォトマスクを通して紫外線を照射した後に現像を行うことによって、図５−５に示すように機能層４５の形成領域を囲うように第２隔壁４４を形成する。第２隔壁４４の上部開口部は、下部開口部よりも広く形成する。すなわち、第２隔壁４４の側面は、基板表面に垂直な方向に対して傾斜を有するように形成する。ここで、第２隔壁４４は、上部から見て第１隔壁４３の上面部が露出するように、第１隔壁の平坦面４３ａを露出させて第１隔壁４３上に形成される。ここで、第１隔壁の平坦面４３ａを形成しないと、後述する撥液層４４ａを除去した後に対向電極（陰極）４６を形成した際に画素電極（陽極）と対向電極（陰極）４６とがショートしてしまう。したがって、図５−５に示すように、第１隔壁４３と第２隔壁４４とにより構成されるバンク４２の断面形状は階段状となっている。そして、第１隔壁４３及び第２隔壁４４により構成されるバンク４２により取り囲まれた領域が液滴充填領域Ｒ_Sとなる。第２隔壁４４の厚さは特に限定されるものではないが、後述する機能層形成工程でのインクジェットプロセスで液滴充填領域Ｒ_S内に充填される組成物の量、回路基板との間に生じる電気的寄生容量などを考慮して決定される。

次に、親液性調整処理工程（Ｓ５）では、画素電極（陽極）４１の表面、第１隔壁４３の表面に、薄膜材料液に対する親液性を高めるための処理を行う。例えば、画素電極（陽極）４１と第１隔壁４３の表面に対して、酸素プラズマ処理やＵＶ照射処理、オゾン含有ガスへの暴露処理などを行う。このように薄膜材料液に対する親液性を高めることにより、画素電極（陽極）４１の表面及び第１隔壁４３の表面での薄膜材料液の濡れ性をより良好な状態とすることができ、後述するインクジェットプロセスで充填される組成物と、画素電極（陽極）４１の表面及び第１隔壁４３の表面とのなじみがよくなる。そして、薄膜材料液が充填された際に薄膜材料液が画素電極（陽極）４１の表面に均一且つ確実に濡れ広がるため、良質な薄膜を形成することができる。なお、画素電極（陽極）４１および第１隔壁４３が薄膜材料液に対して十分に良好な親液性を有する材料により構成されている場合は、この親液性調整処理工程は特に行わなくても良い。

次に撥液層形成工程（Ｓ６）において、図５−６に示すように薄膜材料液に対して撥液性を有する撥液層４４ａを第２隔壁４４の表面に形成する。第２隔壁４４の表面に薄膜材料液に対して撥液性を有する撥液層４４ａを形成することにより、液滴充填領域Ｒ_Sに第２隔壁４４の高さを超える量の薄膜材料液を充填しても薄膜材料液の表面張力により第２隔壁４４の外部に薄膜材料液が流れ出すことを防止することができる。

撥液層４４ａは、例えば光分解性の材料により形成する。光分解性の材料を用いて撥液層４４ａを形成することにより、光を照射するだけで簡単に撥液層を分解除去することができる。このような材料としては例えばフッ素系の材料を用いることができる。撥液層４４ａを形成するには、まず画素電極（陽極）４１上、第１隔壁４３上および第２隔壁４４上に光分解性のフッ素系材料の薄膜を形成する。そして、第２隔壁４４上の薄膜のみを残すようにパターニングして他の部分を除去する。この場合、光分解性の材料を使うことによりレジストを使うことなくパターンニングすることができる。

次に、機能層形成工程（Ｓ７）では、液滴吐出法、例えばインクジェットプロセスによって、発光層４５ｂを構成する材料の組成物や補助層である正孔注入層４５ａを構成する材料の組成物を、それぞれ液滴充填領域Ｒ_S内に充填して乾燥させ、図５−７に示すように機能層４５を形成する。

機能層４５として発光層４５ｂと正孔注入層４５ａとを形成する場合には、まず正孔注入層４５ａを構成する材料の組成物が含まれた薄膜材料液を液滴充填領域Ｒ_S内に充填して乾燥させ、図５−８に示すように正孔注入層４５ａを形成する。このとき、乾燥後の正孔注入層４５ａの膜厚が第１隔壁４３の厚み以下となるように、液滴充填領域Ｒ_S内に充填する薄膜材料液の量を調整して正孔注入層４５ａを形成する。

次に発光層４５ｂを構成する材料の組成物が含まれた薄膜材料液を例えばインクジェットプロセスにより液滴充填領域Ｒ_S内に充填して乾燥させ、図５−９に示すように正孔注入層４５ａを形成する。このとき、乾燥後の機能層４５の膜厚が第１隔壁４３の厚みよりも厚くなるように、換言すると乾燥後の発光層４５ｂの表面の位置が第１隔壁の平坦面４３ａよりも高い位置となるように液滴充填領域Ｒ_S内に充填する薄膜材料液の量を調整して発光層４５ｂを形成する。すなわち発光層４５ｂを正孔注入層４５ａ上および第１隔壁の平坦面４３ａ上に形成する。これにより、発光層４５ｂの表面の位置が第１隔壁の平坦面４３ａよりも下の位置となって薄膜材料液の乾燥時に第１隔壁の平坦面４３ａ上に薄膜材料液が残留することを防止することができる。その結果、薄膜材料液が第１隔壁の平坦面４３ａ上に残留することに起因して発光層４５ｂの周縁部の膜厚が薄くなり、発光層４５ｂ表面の平坦性が悪くなることを防止することができる。

ここで、発光層４５ｂの薄膜材料液の液滴は撥液層４４ａの表面と最後まで接しながら乾燥し、該液滴の周縁部は撥液層の表面の表面に引っ張られた状態で乾燥する。このため、乾燥後に得られる発光層４５ｂの周縁部は、撥液層４４ａの表面に沿って盛り上がった状態となっている。

以上により、画素電極（陽極）４１上に正孔注入層４５ａと発光層４５ｂとが積層され、機能層４５全体としての膜厚が第１隔壁４３の厚みよりも厚い機能層４５が形成される。なお、補助層を複数形成する場合も同様であり、所望の補助層を構成する材料の組成物が含まれた薄膜材料液を液滴充填領域Ｒ_S内に充填して乾燥させることにより、複数の補助層を有する機能層４５を形成することができる。

次に、除去工程（Ｓ８）では、撥液層４４ａ及び発光層４５ｂにおける該撥液層４４ａの表面との当接部近傍を除去する。上述したように機能層形成工程（Ｓ７）で得られる発光層４５ｂの周縁部は、撥液層４４ａの表面に沿って盛り上がった状態となっており、膜厚が一様にならず、表面の平坦性の悪い状態となっている。そして、第１隔壁の平坦面４３ａ上の発光層４５ｂの膜厚が薄い場合には、該第１隔壁の平坦面４３ａ上に正孔注入層４５ａがなくても画素電極（陽極）４１上の正孔注入層４５ａからのわずかに正孔が注入されるため、周縁部の発光層４５ｂでも発光が起こり、これが画素内における発光輝度の不均一性を引き起こしてしまう。

そこで、本発明においては発光層４５ｂの形成後に撥液層４４ａ及び発光層４５ｂにおける撥液層４４ａとの当接部近傍を除去する。これにより、発光層４５ｂの周縁部であり、撥液層４４ａの表面に沿って盛り上がった状態に形成された部分が除去され、図５−１０、図５−１１に示すように発光層４５ｂは表面の平坦性の良好な部分のみが残される。これにより最終的に得られる発光層４５ｂは、第１隔壁の平坦面４３ａ上の発光層４５ｂと第２隔壁４４との間には空間が形成されており、第１隔壁の平坦面４３ａ上の発光層４５ｂと第２隔壁４４とは離間した状態とされる。その結果、第１隔壁４３および第２隔壁４４に囲まれた領域内に、表面の平坦性の良好な発光層４５ｂ（機能層４５）を簡便且つ確実に形成することができる。

本実施例においては、撥液層４４ａに光を照射することにより、撥液層４４ａ及び発光層４５ｂにおける該撥液層４４ａの表面との当接部近傍を除去する。撥液層４４ａは光分解性の材料により構成されているため、該撥液層４４ａに光を照射することにより、撥液層４４ａを簡単に分解除去することができる。そして、撥液層４４ａが分解除去される際に、撥液層４４ａの表面との当接部近傍の発光層４５ｂも一緒に除去される。これにより、撥液層４４ａ及び発光層４５ｂの該撥液層４４ａの表面との当接部近傍を簡便且つ確実に除去することができる。

次に、対向電極（陰極）形成工程（Ｓ９）では、第１隔壁の平坦面４３ａ上、第２隔壁４４の側面上及び機能層４５の上に蒸着やスパッタまたはその他の成膜手段によって対向電極（陰極）となる薄膜を形成し、この薄膜を所定の形状（対向電極形状）にパターニングして図５−１２に示すように第２の電極である対向電極（陰極）４６を形成する。対向電極（陰極）４６は、例えばアルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）などの単体材料などにより形成することができる。また、対向電極（陰極）２５は一層の金属層として構成しても良く、また、上記の材料などからなる二層の金属層または三層の金属層として構成しても良い。

そして、シール層形成工程（Ｓ１０）では、図５−１３に示すように上述した工程によって機能層４５が形成された基板１０の表面にシール層４７を形成する。このシール層４７を形成することにより、大気中の水分や酸素が機能層４５や電極材料に接触してこれらが劣化することを防止できる。シール層４７としては、例えば熱硬化型エポキシ系樹脂、紫外線硬化型エポキシ系樹脂などの各種樹脂材料を用いることができる。

上述した電気光学装置の製造方法によれば、以上のようなＳ１〜Ｓ１０の工程を実施することにより図２に示した電気光学装置１を作製することができ、隔壁に囲まれた領域内に、表面の平坦性の良好な薄膜を簡便且つ確実に形成することができ、薄膜表面の平坦性に起因した品質低下のない、高品質な電気光学装置を作製することができる。

図１に、本発明にかかる他の実施例である電気光学装置５０の配線構造の平面模式図を示す。電気光学装置５０は、図１に示されるように複数の走査線１０１と、走査線１０１に対して空間を隔てて略直角に交差する方向に延びる複数の信号線１０２と、信号線１０２に並列に延びる複数の電源線１０３とが、それぞれ配線された構成を有する。そして、走査線１０１と信号線１０２の各交点付近に、すなわちマトリックス状に、画素領域Ｂが設けられている。この電気光学装置５０は、画素領域Ｂの構造以外は実施例１で説明した電気光学装置１と同じであるため、電気光学装置１と同じ部材については理解の容易のため上記と同一符号を付す。

画素領域Ｂそれぞれには、走査線１０１を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用ＴＦＴ１１２と、このスイッチング用ＴＦＴ１１２を介して信号線１０２から供給される画素信号を保持する保持容量ｃａｐと、この保持容量ｃａｐによって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用ＴＦＴ１１３と、この駆動用ＴＦＴ１１３を介して電源線１０３に電気的に接続した時に電源線１０３から駆動電流が流れ込む画素電極（陽極）４１と、この画素電極４１と対向電極（陰極）４６との間に挟み込まれた機能層４５とが設けられる。これらの画素電極４１と対向電極４６と機能層４５とによって、発光素子部が構成されている。なお、機能層４５は、後述する発光層を含む有機ＥＬ薄膜に対応する。

このような電気光学装置５０の配線構造によれば、走査線１０１が駆動されてスイッチング用ＴＦＴ１１２がオンになると、そのときの信号線１０２の電位が保持容量ｃａｐに保持され、この保持容量ｃａｐの状態に応じて、駆動用ＴＦＴ１１３のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用ＴＦＴ１１３のチャネルを介して、電源線１０３から画素電極（陽極）４１に電流が流れ、さらに機能層４５を介して対向電極（陰極）４６に電流が流れる。機能層４５は、この流れる電流量に応じて発光する。このような画素領域Ｂでの発光を制御することで所望の状態を表示することができる。

図６及び図７は、本実施例にかかる電気光学装置５０の画素領域Ｂの構造を模式的に示す断面図であり、図６は、図１における機能層４５および駆動用ＴＦＴ１１３の部分のより詳細な構造を示す断面図である。また、図７は、図６における機能層４５の周縁部近傍を拡大して示す断面図である。この電気光学装置５０は、基板１０と、この基板１０上にＴＦＴなどの能動素子や配線が形成された駆動素子部２０と、有機ＥＬ薄膜が形成される機能素子部４０とからなる。

基板１０は、各種のガラス材料、樹脂材料、単結晶を含むセラミックス材料または金属材料などを用いることができ、用途に応じた基板を選択することができるが、図６では基板１０としてガラス基板を使用する場合を例に挙げている。

駆動素子部２０は、スイッチング用ＴＦＴ１１２、駆動用ＴＦＴ１１３、その他の素子や配線を含んで構成されている。駆動用ＴＦＴ１１３は、基板１０上に形成されたＳｉＯ₂などからなる下地層２１上の所定の位置に形成される島状のポリシリコンによって形成されている。図６においては、駆動用ＴＦＴ１１３を縦方向に切断した縦断面図が描かれている。駆動用ＴＦＴ１１３のゲート電極２４は、図１に示したスイッチング用ＴＦＴ１１２のドレイン電極と電気的に接続されている。また、駆動用ＴＦＴ１１３のソース領域とドレイン領域とには、第１の層間絶縁膜２３と第２の層間絶縁膜２５とに形成されたコンタクトホール２６を介してそれぞれソース電極／ドレイン電極２７が形成される。これらのソース電極／ドレイン電極２７のうち一方は、図１に示した電源線１０３と電気的に接続され、他方は第３の層間絶縁膜２８に形成されたコンタクトホール２９を介して機能素子部４０の画素電極４１と電気的に接続される。なお、駆動素子部２０の第１〜第３の層間絶縁膜２３，２５，２８は、ＳｉＯ₂などの絶縁性材料によって構成される。

機能素子部４０は、発光層と正孔注入層とを含む有機化合物層として有機ＥＬ薄膜からなる機能層４５と、機能層４５を動作させるための一対の電極４１（陽極），４６（陰極）と、機能層４５を所定の領域に形成するためのバンク５１と、機能層４５を周囲の雰囲気から遮断するためのシール層４７とを備えて構成されている。

バンク５１は、機能層４５を形成する際に薄膜材料液が充填される液滴充填領域Ｒ_Sを取り囲むように駆動素子部２０上に形成され、表面の親液性が高められた第１隔壁５２と、第１隔壁５２上に形成され表面の親液性が高められた第２隔壁５３と、第２隔壁５３上に形成された第３隔壁５４と、から構成されている。この第１隔壁５２、第２隔壁５３及び第３隔壁は基板１０上において二次元的に配列された複数の薄膜形成領域を形成するために各領域間を分離するものである。第１隔壁５２の上部開口部は下部開口部よりも広く形成されている。すなわち、第１隔壁５２の側面は、基板表面に垂直な方向に対して傾斜を有するように形成されている。同様に、第２隔壁５３、第３隔壁５４の上部開口部は下部開口部よりも広く形成されている。すなわち、第２隔壁５３および第３隔壁５４の側面も、基板表面に垂直な方向に対して傾斜を有するように形成されている。

また、第１隔壁５２の上部開口部は、第２隔壁５３の下部開口部よりも機能層４５の中心部側に位置している。換言すると、第２隔壁５３は上部から見て第１隔壁の平坦面４３ａが露出するように第１隔壁５２上に形成されている。同様に第２隔壁５３の上部開口部は、第３隔壁５４の下部開口部よりも機能層４５の中心部側に位置している。換言すると、第３隔壁５４は上部から見て第２隔壁の平坦面５３ａが露出するように第２隔壁５３上に形成されている。したがって、バンク５１を構成する第１隔壁５２と第２隔壁５３と第３隔壁５４との断面形状は図７に示されるように階段状となっている。

この第１隔壁５２は、後述する薄膜材料液と親液性を有し、下地の陽極４１との密着性が良く、フォトリソグラフィによるパターニングが容易な絶縁材料から構成されている。このような材料としては、ＳｉＯ₂やＴｉＯ₂などの無機材料を用いることができる。同様に第２隔壁５３は、後述する薄膜材料液と親液性を有し、下地の第１隔壁５２との密着性が良く、フォトリソグラフィによるパターニングが容易な絶縁材料から構成されている。このような材料としては、ＳｉＯ₂やＴｉＯ₂などの無機材料を用いることができる。また、第３隔壁５４は、下地の第２隔壁５３との密着性が良く、フォトリソグラフィによるパターニングが容易な絶縁材料から構成されている。このような材料としては、例えばポリイミドやアクリルなどの有機材料を用いることができる。

機能層４５全体の膜厚は、図７に示すように第１隔壁５２の厚みと第２隔壁５３の厚みとを合わせた厚みよりも厚く形成されている。正孔注入層４５ａは、その膜厚が第１隔壁の厚み以下とされ、第１隔壁５２の厚みと同等または薄く形成される。本実施例においては正孔注入層４５ａの膜厚は図７に示すように第１隔壁５２の厚みと同等としている。発光層４５ｂは、図７に示すように正孔注入層４５ａ上、第１隔壁５２の平坦面５２ａ上、および第２隔壁の平坦面５３ａ上に、良好な平坦性を有した状態で形成されている。また、発光層４５ｂはその周縁部が除去され、第２隔壁の平坦面５３ａ上の発光層４５ｂと第３隔壁５４との間には空間が形成されており、第２隔壁の平坦面５３ａの発光層４５ｂと第３隔壁５４とは離間した状態とされている。

電極４１，４６は、機能層４５を上下から挟むような形で形成されている。なお以下では、基板１０側に形成される電極４１を画素電極（陽極）と呼び、この画素電極に対向して配置される電極４６を対向電極（陰極）と呼ぶ場合もある。

電気光学装置５０が、機能素子部４０が形成される側から発光を行うトップエミッション型の電気光学装置である場合には、対向電極４６はインジウムスズ酸化物（以下、ＩＴＯという）などの透明な導電性材料で形成され、画素電極４１は電極として通常使用されるような導電性を有する材料で形成される。

また、電気光学装置５０が基板１０側から発光を行うボトムエミッション型の電気光学装置である場合には、画素電極４１が透明な導電性材料で形成され、対向電極４６は電極として通常使用されるような導電性を有する材料で形成される。さらに、電気光学装置５０が、機能素子部４０が形成される側、基板１０側の両側から発光する電気光学装置である場合には、画素電極４１と対向電極４６ともに透明な導電性材料で形成される。図６の例では、駆動素子部２０上に画素電極（陽極）４１、機能層４５、及び対向電極（陰極）４６がこの順番で積層されている。また、シール層４７は、大気中の水蒸気や酸素などが機能層４５と接触しないように陰極４６上に形成される層であり、各種の樹脂材料を用いることができる。

以上のように構成された電気光学装置５０においては、発光層４５ｂの表面が良好な平坦性を有した状態で形成されており、機能層４５全体としても表面が良好な平坦性を有した状態で形成されている。これにより第２隔壁の平坦面５３ａ上に形成された発光層４５ｂの膜厚が薄い場合においても、発光層４５ｂ表面の平坦性の不均一に起因して画素内において発光輝度の不均一が生じることがない。したがって、この電気光学装置５０においては、発光層４５ｂ表面の平坦性の不均一に起因して画素内の発光輝度のばらつきが生じることが防止されており、高品質な電気光学装置が実現されている。

また、上記の電気光学装置５０においては、第２の電極である対向電極（陰極）４６が第３隔壁５４の側面に沿って第２隔壁の平坦面５３ａまで延在するため、対向電極（陰極）４６は第２隔壁５３、第２隔壁５４および機能層４５により支持される。これにより、対向電極（陰極）４６はこれらにより確実に支持されるため、十分な機械的強度を得ることが可能となり、機械的強度に優れた対向電極（陰極）４６を備えた、信頼性の高い電気光学装置が実現されている。そして、この場合、第２隔壁５３及び対向電極（陰極）４６はともに無機材料からなることが好ましい。これにより、対向電極（陰極）４６は第２隔壁の平坦面５３ａによってより確実に支持されるとともにより良好な機械的強度を得ることができる。

次に、この電気光学装置５０の製造方法の一例について説明する。図８は、実施例２にかかる電気光学装置５０の製造工程を示すフローチャートであり、図９−１〜図９−１４は、電気光学装置５０の製造方法の工程を模式的に示す断面図である。この電気光学装置５０の製造方法は、図８に示すように、駆動素子部形成工程（Ｓ２１）と、画素電極（陽極）形成工程（Ｓ２２）と、第１隔壁形成工程（Ｓ２３）と、第２隔壁形成工程（Ｓ２４）と、第３隔壁形成工程（Ｓ２５）と、親液性調整工程（Ｓ２６）と、撥液層形成工程（Ｓ２７）と、機能層形成工程（Ｓ２８）と、除去工程（Ｓ２９）と、対向電極（陰極）形成工程（Ｓ３０）と、シール層形成工程（Ｓ３１）と、を含んでいる。

まず、駆動素子部形成工程（Ｓ２１）では、図９−１〜図９−２に示すように基板１０上に走査線１０１と信号線１０２などの配線や、スイッチング用ＴＦＴ１１２と駆動用ＴＦＴ１１３などの能動素子などが形成される。例えば、図９−２に示されるように駆動用ＴＦＴ１１３が形成される場合には、まず、基板１０上にＳｉＯ₂からなる下地層２１が形成され、その上にアモルファスシリコン膜がプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）などの成膜手段によって堆積される。次に、アモルファスシリコン膜をレーザアニールによって、溶融、冷却、固化させることでポリシリコン膜とする。そして、基板１０上の駆動用ＴＦＴ１１３を形成する所定の位置に、所定の大きさのポリシリコン膜２２のみを残すようにエッチングする。

次に、画素電極（陽極）形成工程（Ｓ２２）では、基板１０上において二次元的に配列された複数の薄膜形成領域の各々に画素電極（陽極）を形成する。すなわち、図９−３に示すようにソース電極またはドレイン電極２７のいずれかに到達するように駆動素子部２０の第３の層間絶縁膜２８を貫通するコンタクトホール２９を形成し、駆動素子部２０上に画素電極（陽極）４１となる導電性材料の薄膜をスパッタや蒸着、またはその他の成膜手段によって形成する。この薄膜は、後述する薄膜材料液に対して親液性を有する材料により形成することが好ましい。これにより後述するインクジェットプロセスで充填される組成物と、これらの表面とのなじみがよくなる。そして、薄膜材料液が充填された際に薄膜材料液が画素電極（陽極）４１の表面に均一且つ確実に濡れ広がるため、良質な薄膜を形成することができる。

その後、フォト・エッチングプロセスを用いて、図９−３に示すように形成した導電性材料の薄膜を所定の位置において画素電極形状にパターニングして画素電極４１を形成する。このとき、第３の層間絶縁膜２８に形成されたコンタクトホール２９内にも画素電極（陽極）４１が形成されるので、機能素子部４０の画素電極（陽極）４１と駆動用ＴＦＴ１１３のソース電極またはドレイン電極２７のいずれかの端子とが、コンタクトホール２９を介して電気的に接続されるようになる。

次に、第１隔壁形成工程（Ｓ２３）では、パターニングした画素電極（陽極）４１上および第３の層間絶縁膜２８上に第１隔壁５２となる薄膜として例えばＳｉＯ₂膜を形成する。そして、図９−４に示すようにこのＳｉＯ₂膜を、機能層４５を形成する開口部が画素電極（陽極）４１上の所定の位置に形成されるようにパターニングする。この結果、第１隔壁５２は、機能層４５の形成領域を囲うように画素電極（陽極）４１の周縁部上に乗り上げた状態で形成される。また、第１隔壁５２の上部開口部は、下部開口部よりも広く形成される。すなわち、第１隔壁５２の側面は、基板表面に垂直な方向に対して傾斜を有するように形成される。

次に、第２隔壁形成工程（Ｓ２４）では、画素電極（陽極）４１上および第１隔壁５２上に第２隔壁５３となる薄膜として例えばＴｉＯ₂膜を形成する。そして、図９−５に示すようにこのＴｉＯ₂膜をパターニングして機能層４５の形成領域を囲うように第２隔壁５３を形成する。第２隔壁５３の上部開口部は、下部開口部よりも広く形成される。すなわち、第２隔壁５３の側面は、基板表面に垂直な方向に対して傾斜を有するように形成される。ここで、第２隔壁５３は、上部から見て第１隔壁５２の上面部が露出するように、第１隔壁の平坦面５２ａを露出させて第１隔壁５２上に形成される。

次に、第３隔壁形成工程（Ｓ２５）では、例えば感光性を有する絶縁有機材料を第１隔壁の平坦面５２ａ上と第２隔壁５３上と画素電極（陽極）４１上とに塗布し、フォトマスクを通して紫外線を照射した後に現像を行うことによって、図９−６に示すように機能層４５の形成領域を囲うように第３隔壁５４を形成する。第３隔壁５４の上部開口部は、下部開口部よりも広く形成する。すなわち、第３隔壁５４の側面が、基板表面に垂直な方向に対して傾斜を有するように形成する。ここで、第３隔壁５４は、上部から見て第２隔壁５３の上面部が露出するように、第２隔壁の平坦面５３ａを露出させて第２隔壁５３上に形成される。したがって、図９−６に示すように第１隔壁５２と第２隔壁５３と第３隔壁５４とにより構成されるバンク５１の断面形状は階段状となっている。そして、第１隔壁５２、第２隔壁５３及び第３隔壁５４とで構成されるバンク５１により取り囲まれた領域が液滴充填領域Ｒ_Sとなる。第３隔壁５４の厚さは特に限定されるものではないが、後述する機能層形成工程でのインクジェットプロセスで液滴充填領域Ｒ_S内に充填される組成物の量、回路基板との間に生じる電気的寄生容量などを考慮して決定される。

次に、親液性調整工程（Ｓ２６）では、画素電極（陽極）４１の表面、第１隔壁５２の表面及び第２隔壁５３の表面に、薄膜材料液に対する親液性を高めるための処理を行う。例えば、画素電極（陽極）４１の表面と第１隔壁５２の表面と第２隔壁５３の表面とに対して、酸素プラズマ処理やＵＶ照射処理、オゾン含有ガスへの暴露処理などを行う。このように薄膜材料液に対する親液性を高めることにより、画素電極（陽極）４１の表面、第１隔壁５２の表面及び第２隔壁５３の表面での薄膜材料液の濡れ性をより良好な状態とすることができ、後述するインクジェットプロセスで充填される組成物と、これらの表面とのなじみがよくなる。そして、薄膜材料液が充填された際に薄膜材料液が画素電極（陽極）４１の表面に均一且つ確実に濡れ広がるため、良質な薄膜を形成することができる。なお、画素電極（陽極）４１、第１隔壁５２及び第２隔壁５３が薄膜材料液に対して十分に良好な親液性を有する材料により構成されている場合は、この親液性調整処理工程は特に行わなくても良い。

次に撥液層形成工程（Ｓ２７）において、図９−７に示すように薄膜材料液に対して撥液性を有する撥液層５４ａを第３隔壁５４の表面に形成する。第３隔壁５４の表面に薄膜材料液に対して撥液性を有する撥液層５４ａを形成することにより、液滴充填領域Ｒ_Sに第３隔壁５４の高さを超える量の薄膜材料液を充填しても薄膜材料液の表面張力により第３隔壁５４の外部に薄膜材料液が流れ出すことを防止することができる。

撥液層５４ａは、実施例１の場合と同様に例えば光分解性の材料により形成することができる。光分解性の材料を用いて撥液層５４ａを形成することにより、光を照射するだけで簡単に撥液層を分解除去することができる。このような材料としては例えばフッ素系の材料を用いることができる。撥液層５４ａを形成するには、まず画素電極（陽極）４１上、第１隔壁の平坦面５２ａ上、第２隔壁の平坦面５３ａ上及び第３隔壁５４上に光分解性のフッ素系材料の薄膜を形成する。そして、第３隔壁５４上の薄膜のみを残すようにパターニングして他の部分を除去する。この場合、光分解性の材料を使うことによりレジストを使うことなくパターンニングすることができる。

次に、機能層形成工程（Ｓ２８）では、液滴吐出法、例えばインクジェットプロセスによって、発光層４５ｂを構成する材料の組成物や補助層である正孔注入層４５ａを構成する材料の組成物を、それぞれ液滴充填領域Ｒ_S内に充填して乾燥させ、図９−８に示すように機能層４５を形成する。

機能層４５として発光層４５ｂと正孔注入層４５ａとを形成する場合には、まず正孔注入層４５ａを構成する材料の組成物が含まれた薄膜材料液を液滴充填領域Ｒ_S内に充填して乾燥させ、図９−９に示すように正孔注入層４５ａを形成する。このとき、乾燥後の正孔注入層４５ａは膜厚が第１隔壁の厚み以下とされ、第１隔壁５２の厚みと同等または薄くなるように、液滴充填領域Ｒ_S内に充填する薄膜材料液の量を調整して正孔注入層４５ａを形成する。本実施例においては第１隔壁５２の厚みと同等の膜厚の正孔注入層４５ａを形成している。

次に発光層４５ｂを構成する材料の組成物が含まれた薄膜材料液を例えばインクジェットプロセスにより液滴充填領域Ｒ_S内に充填して乾燥させ、図９−１０に示すように正孔注入層４５ａを形成する。このとき、乾燥後の機能層４５の膜厚が第１隔壁５２の厚みと第２隔壁５３の厚みとを合わせた厚みよりも厚くなるように、換言すると乾燥後の発光層４５ｂの表面の位置が第２隔壁の平坦面５３ａよりも高い位置となるように液滴充填領域Ｒ_S内に充填する薄膜材料液の量を調整して発光層４５ｂを形成する。すなわち発光層４５ｂを正孔注入層４５ａ上、第１隔壁の平坦面５２ａ上及び第２隔壁の平坦面５３ａ上に形成する。

これにより、発光層４５ｂの表面の位置が第２隔壁の平坦面５３ａよりも下の位置となって、薄膜材料液の乾燥時に第２隔壁の平坦面５３ａ上に薄膜材料液が残留することを防止することができる。その結果、薄膜材料液が第２隔壁の平坦面５３ａ上に残留することに起因して発光層４５ｂの周縁部の膜厚が薄くなり、発光層４５ｂ表面の平坦性が悪くなることを防止することができる。

ここで、発光層４５ｂの薄膜材料液の液滴は撥液層５４ａの表面と最後まで接しながら乾燥し、該液滴の周縁部は撥液層の表面の表面に引っ張られた状態で乾燥する。このため、乾燥後に得られる発光層４５ｂの周縁部は、撥液層５４ａの表面に沿って盛り上がった状態となっている。

以上により、画素電極（陽極）４１上に正孔注入層４５ａと発光層４５ｂとが積層され、機能層４５全体としての膜厚が第１隔壁５２の厚みと第２隔壁５３の厚みとを合わせた厚みよりも厚い機能層４５が形成される。なお、補助層を複数形成する場合も同様であり、所望の補助層を構成する材料の組成物が含まれた薄膜材料液を液滴充填領域Ｒ_S内に充填して乾燥させることにより、複数の補助層を有する機能層４５を形成することができる。

次に、除去工程（Ｓ２９）では、撥液層５４ａ及び発光層４５ｂにおける該撥液層５４ａの表面との当接部近傍を除去する。上述したように機能層形成工程（Ｓ２８）で得られる発光層４５ｂの周縁部は、撥液層５４ａの表面に沿って盛り上がった状態となっており、膜厚が一様にならず、表面の平坦性の悪い状態となっている。そして、第２隔壁の平坦面５３ａ上の発光層４５ｂの膜厚が薄い場合には、該第２隔壁の平坦面５３ａ上に正孔注入層４５ａがなくても画素電極（陽極）４１上の正孔注入層４５ａからのわずかに正孔が注入されるため、周縁部の発光層４５ｂでも発光が起こり、これが画素内における発光輝度の不均一性を引き起こしてしまう。

そこで、本実施例においては発光層４５ｂの形成後に撥液層５４ａ及び発光層４５ｂの撥液層５４ａとの当接部近傍を除去する。これにより、発光層４５ｂの周縁部であり、撥液層５４ａの表面に沿って盛り上がった状態に形成された部分が除去され、図９−１１、図９−１２に示すように発光層４５ｂは表面の平坦性の良好な部分のみが残される。これにより最終的に得られる発光層４５ｂは、第２隔壁の平坦面５３ａ上の発光層４５ｂと第３隔壁５４との間には空間が形成されており、第２隔壁の平坦面５３ａ上の発光層４５ｂと第３隔壁５４とは離間した状態とされる。その結果、第１隔壁５２、第２隔壁５３お及び第３隔壁に囲まれた領域内に、表面の平坦性の良好な発光層４５ｂ（機能層４５）を簡便且つ確実に形成することができる。

本実施例においては、撥液層５４ａに光を照射することにより、撥液層５４ａ及び発光層４５ｂにおける該撥液層５４ａの表面との当接部近傍を除去する。上述したように撥液層５４ａは光分解性の材料により構成されているため、該撥液層５４ａに光を照射することにより撥液層５４ａを簡単に分解除去することができる。そして、撥液層５４ａが分解除去される際に、撥液層５４ａの表面との当接部近傍の発光層４５ｂも一緒に除去される。これにより、撥液層５４ａ及び発光層４５ｂの該撥液層５４ａの表面との当接部近傍を簡便且つ確実に除去することができる。

次に、対向電極（陰極）形成工程（Ｓ３０）では、第２隔壁の平坦面５３ａ上、第３隔壁５４の側面上及び機能層４５の上に蒸着やスパッタまたはその他の成膜手段によって対向電極（陰極）となる薄膜を形成し、この薄膜を所定の形状（対向電極形状）にパターニングして図９−１３に示すように対向電極（陰極）４６を形成する。対向電極（陰極）４６は、実施例１の場合と同様に例えばアルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）などの単体材料などにより形成することができる。また、対向電極（陰極）２５は一層の金属層として構成しても良く、また、上記の材料などからなる二層の金属層または三層の金属層として構成しても良い。

そして、シール層形成工程（Ｓ３１）では、図９−１４に示すように上述した工程によって機能層４５が形成された基板１０の表面にシール層４７を形成する。このシール層４７を形成することにより、大気中の水分や酸素が機能層４５や電極材料に接触してこれらが劣化することを防止できる。シール層４７としては、例えば熱硬化型エポキシ系樹脂、紫外線硬化型エポキシ系樹脂などの各種樹脂材料を用いることができる。

上述した電気光学装置の製造方法によれば、以上のようなＳ２１〜Ｓ３１の工程を実施することにより図６に示した電気光学装置５０を作製することができ、隔壁に囲まれた領域内に、表面の平坦性の良好な薄膜を簡便且つ確実に形成することができ、薄膜表面の平坦性に起因した品質低下のない、高品質な電気光学装置を作製することができる。

上述した実施例１及び実施例２においては、陽極を画素電極４１とし、陰極を対向電極４６として機能素子部４０を形成した場合を例示しているが、これに限られる趣旨ではなく、陰極を画素電極４１とし、陽極を対向電極４６として機能素子部４０を形成してもよい。また、上記の実施例及び実施例２では、アクティブマトリックス型の電気光学装置としてＴＦＴを駆動素子やスイッチング素子として用いた場合を説明したが、駆動素子やスイッチング素子としてＴＦＤ（薄膜ダイオード）を用いることもできる。そして、電気光学装置としてはアクティブマトリックス型の電気光学装置ではなく、パッシブマトリックス型の電気光学装置を製造する場合にも同様に適用することができる。

さらに、上述した実施例１及び実施例２では、有機ＥＬ薄膜を有する電気光学装置を製造する場合を例に挙げて説明したが、電気光学装置の製造に際してカラーフィルタなどの薄膜を液滴吐出法を用いて形成する場合にも広く適用することが可能である。また、電気光学装置だけでなく、インクジェットプロセスなどの液滴吐出法によって所定の位置に薄膜層の形成が行われる半導体装置や表示デバイスなどの製造にも広く適用することが可能である。

実施例３では、実施例１及び実施例２において説明した電気光学装置を備える電子機器の具体例について説明する。図１０〜図１２は、それぞれ、上述した電気光学装置の製造方法により製造した電気光学装置を搭載した電子機器の例である。図１０は、携帯電話の一例を示す斜視図である。１００は携帯電話本体を示し、そのうち１０１はこの発明の電気光学装置の製造方法により製造した電気光学装置からなる表示部である。図１１は、腕時計型の電子機器の一例を示す斜視図である。１１０は時計機能を内蔵した時計本体を示し、１１１はこの発明の電気光学装置の製造方法により製造した電気光学装置からなる表示部である。そして、図１２は、ワードプロセッサ機やパーソナルコンピュータなどの携帯型情報処理装置の一例を示す斜視図である。この図１２において、１２０は携帯型情報処理装置を示し、１２２はキーボードなどの入力部、１２４は演算手段や記憶手段などが格納されている情報処理装置本体部、１２６はこの発明の電気光学装置の製造方法により製造した電気光学装置からなる表示部である。

これらの電子機器に本発明にかかる電気光学装置の製造方法により製造された電気光学装置を使用すれば、高品質な電子機器を実現することができる。なお、電子機器は、電気光学装置を搭載可能であれば、これらに限らない。したがって、このような電気光学装置を備えた電子機器としては、図１０に示される携帯電話、図１１に示される腕時計型の電気機器、図１２に示される携帯型情報処理装置のほかに、たとえば、デジタルスチルカメラ、車載用モニタ、デジタルビデオカメラ、ビューファインダ型またはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワークステーション、テレビ電話機、ＰＯＳ端末機などの電気光学装置を備える電子機器を挙げることができる。

以上のように、本発明に係る薄膜の形成方法は、隔壁により仕切られた領域内に薄膜を形成する場合に有用であり、特に、表面の平坦性が要求される薄膜の形成に適している。

実施例１にかかる電気光学装置の配線構造を示す平面図である。図１に示した電気光学装置の画素領域の構造を示す断面図である。図２における機能層の周縁部近傍を拡大して示す断面図である。電気光学装置の製造工程を示すフローチャートである。電気光学装置の製造工程を示す断面図である。電気光学装置の製造工程を示す断面図である。電気光学装置の製造工程を示す断面図である。電気光学装置の製造工程を示す断面図である。電気光学装置の製造工程を示す断面図である。電気光学装置の製造工程を示す断面図である。電気光学装置の製造工程を示す断面図である。電気光学装置の製造工程を示す断面図である。電気光学装置の製造工程を示す断面図である。電気光学装置の製造工程を示す断面図である。電気光学装置の製造工程を示す断面図である。電気光学装置の製造工程を示す断面図である。電気光学装置の製造工程を示す断面図である。図１に示した電気光学装置の画素領域の構造を示す断面図である。図６における機能層の周縁部近傍を拡大して示す断面図である。電気光学装置の製造工程を示すフローチャートである。電気光学装置の製造工程を示す断面図である。電気光学装置の製造工程を示す断面図である。電気光学装置の製造工程を示す断面図である。電気光学装置の製造工程を示す断面図である。電気光学装置の製造工程を示す断面図である。電気光学装置の製造工程を示す断面図である。電気光学装置の製造工程を示す断面図である。電気光学装置の製造工程を示す断面図である。電気光学装置の製造工程を示す断面図である。電気光学装置の製造工程を示す断面図である。電気光学装置の製造工程を示す断面図である。電気光学装置の製造工程を示す断面図である。電気光学装置の製造工程を示す断面図である。電気光学装置の製造工程を示す断面図である。電子機器の一例を示す図である。電子機器の一例を示す図である。電子機器の一例を示す図である。従来の電気光学装置の画素部の要部断面図である。従来の電気光学装置における薄膜形成過程を模式的に示す図である。従来の電気光学装置における薄膜形成過程を模式的に示す図である。

符号の説明

１電気光学装置、１０基板、２０駆動素子部、４０機能素子部、４１画素電極（陽極）、４２バンク、４３第１隔壁、４４ａ第１隔壁の平坦面、４４第２隔壁、４４ａ撥液層、４５機能層、４６対向電極（陰極）、４７シール層

Claims

隔壁で囲われた薄膜形成面に薄膜材料液を充填して薄膜を形成する薄膜の製造方法であって、
前記薄膜形成面に、表面が前記薄膜材料に対して親液性を有し、前記薄膜形成面と略平行な平坦面を有する第１隔壁を形成する第１隔壁形成工程と、
前記第１隔壁の平坦面が露出するように第２隔壁を前記第１隔壁上に形成する第２隔壁形成工程と、
前記第２隔壁の表面に、前記薄膜材料液に対して撥液性を有する撥液層を形成する撥液層形成工程と、
前記第１隔壁及び第２隔壁で囲まれた領域に前記薄膜材料液を充填、乾燥して前記第１隔壁の厚みよりも膜厚の厚い薄膜を形成する薄膜形成工程と、
前記撥液層及び前記薄膜の前記撥液層との当接部近傍を除去する除去工程と、
を含むことを特徴とする薄膜の形成方法。
前記薄膜形成面の前記第１隔壁で囲まれた領域及び前記第１隔壁の表面の前記薄膜材料液に対する親液性を高める親液性調整工程を有すること
を特徴とする請求項１に記載の薄膜の形成方法。
前記撥液層形成工程において、前記撥液層を光分解性材料により形成し、
前記除去工程において、前記撥液層に光を照射して該撥液層を分解除去すること
を特徴とする請求項１に記載の薄膜の形成方法。
隔壁で囲われた薄膜形成面に薄膜材料液を充填して薄膜を形成する工程を含む電気光学装置の製造方法であって、
前記薄膜形成面に、表面が前記薄膜材料に対して親液性を有し、前記薄膜形成面と略平行な平坦面を有する第１隔壁を形成する第１隔壁形成工程と、
前記第１隔壁の平坦面が露出するように第２隔壁を前記第１隔壁上に形成する第２隔壁形成工程と、
前記第２隔壁の表面に、前記薄膜材料液に対して撥液性を有する撥液層を形成する撥液層形成工程と、
前記第１隔壁及び第２隔壁で囲まれた領域に前記薄膜材料液を充填、乾燥して前記第１隔壁の厚みよりも膜厚の厚い薄膜を形成する薄膜形成工程と、
前記撥液層及び前記薄膜の前記撥液層との当接部近傍を除去する除去工程と、
を含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
前記薄膜形成面の前記第１隔壁で囲まれた領域及び前記第１隔壁の表面の前記薄膜材料液に対する親液性を高める親液性調整工程を有すること
を特徴とする請求項４に記載の電気光学装置の製造方法。
前記薄膜形成面を形成する第１の電極を形成する第１の電極形成工程と、有機エレクトロルミネッセンス膜を形成する薄膜形成工程と、
前記有機エレクトロルミネッセンス膜、前記第１隔壁及び前記第２隔壁を覆うように前記第１の電極と対向する第２の電極を形成する第２の電極形成工程と、
を含むことを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置の製造方法。
前記有機エレクトロルミネッセンス膜が、発光層と該発光層における発光を高めるための機能を有する補助層とを有し、
前記薄膜形成工程において、
乾燥後の前記補助層の膜厚が前記第１隔壁の厚み以下となるように前記補助層を形成する薄膜材料液を充填、乾燥後に、前記発光層を形成する薄膜材料液を充填、乾燥すること
を特徴とする請求項６に記載の電気光学装置の製造方法。
前記撥液層形成工程において、前記撥液層を光分解性材料により形成し、
前記除去工程において、前記撥液層に光を照射して該撥液層を分解除去すること
を特徴とする請求項４に記載の電気光学装置の製造方法。
隔壁で囲われた薄膜形成面に薄膜材料液を充填して薄膜を形成する薄膜の製造方法であって、
前記薄膜形成面に、表面が前記薄膜材料に対して親液性を有し、前記薄膜形成面と略平行な平坦面を有する第１隔壁を形成する第１隔壁形成工程と、
前記第１隔壁の平坦面が露出するように、表面が前記薄膜材料に対して親液性を有し、前記薄膜形成面と略平行な平坦面を有する第２隔壁を前記第１隔壁上に形成する第２隔壁形成工程と、
前記第２隔壁の平坦面が露出するように前記第２隔壁上に第３隔壁を形成する第３隔壁形成工程と、
前記第３隔壁の表面に、前記薄膜材料液に対して撥液性を有する撥液層を形成する撥液層形成工程と、
前記第１隔壁、第２隔壁及び第３隔壁で囲まれた領域に前記薄膜材料液を充填、乾燥して、前記第１隔壁の厚みと第２隔壁の厚みとを合わせた厚みよりも膜厚が厚い薄膜を形成する薄膜形成工程と、
前記撥液層及び前記薄膜の前記撥液層との当接部近傍を除去する除去工程と、
を含むことを特徴とする薄膜の形成方法。
前記薄膜形成面の前記第１隔壁で囲まれた領域と前記第１隔壁の表面と前記第２隔壁の表面との前記薄膜材料液に対する親液性を高める親液性調整工程を有すること
を特徴とする請求項９に記載の薄膜の形成方法。
前記撥液層形成工程において、前記撥液層を光分解性材料により形成し、
前記除去工程において、前記撥液層に光を照射して該撥液層を分解除去すること
を特徴とする請求項９に記載の薄膜の形成方法。
隔壁で囲われた薄膜形成面に薄膜材料液を充填して薄膜を形成する工程を含む電気光学装置の製造方法であって、
前記薄膜形成面に、表面が前記薄膜材料に対して親液性を有し、前記薄膜形成面と略平行な平坦面を有する第１隔壁を形成する第１隔壁形成工程と、
前記第１隔壁の平坦面が露出するように、表面が前記薄膜材料に対して親液性を有し、前記薄膜形成面と略平行な平坦面を有する第２隔壁を前記第１隔壁上に形成する第２隔壁形成工程と、
前記第２隔壁の平坦面が露出するように前記第２隔壁上に第３隔壁を形成する第３隔壁形成工程と、
前記第３隔壁の表面に、前記薄膜材料液に対して撥液性を有する撥液層を形成する撥液層形成工程と、
前記第１隔壁、第２隔壁及び第３隔壁で囲まれた領域に前記薄膜材料液を充填、乾燥して、前記第１隔壁の厚みと第２隔壁の厚みとを合わせた厚みよりも膜厚が厚い薄膜を形成する薄膜形成工程と、
前記撥液層及び前記薄膜の前記撥液層との当接部近傍を除去する除去工程と、
を含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
前記薄膜形成面の前記第１隔壁で囲まれた領域と前記第１隔壁の表面と前記第２隔壁の表面との前記薄膜材料液に対する親液性を高める親液性調整工程を有すること
を特徴とする請求項１２に記載の電気光学装置の製造方法。
前記薄膜形成工程において有機エレクトロルミネッセンス膜を形成すること
を特徴とする請求項１２に記載の電気光学装置の製造方法。
前記有機エレクトロルミネッセンス膜が、発光層と該発光層における発光を高めるための機能を有する補助層とを有し、
前記薄膜形成工程において、
乾燥後の前記補助層の膜厚が前記第１隔壁の厚み以下となるように前記補助層を形成する薄膜材料液を充填、乾燥後に、乾燥後の前記有機エレクトロルミネッセンス膜の膜厚が前記第１隔壁の厚みと第２隔壁の厚みとを合わせた厚みよりも厚くなるように前記発光層を形成する薄膜材料液を充填、乾燥すること
を特徴とする請求項１４に記載の電気光学装置の製造方法。
前記撥液層形成工程において、前記撥液層を光分解性材料により形成し、
前記除去工程において、前記撥液層に光を照射して該撥液層を分解除去すること
を特徴とする請求項１２に記載の電気光学装置の製造方法。
基板上に二次元的に配列された複数の薄膜形成領域に各々形成された第１の電極と、前記複数の薄膜形成領域を形成するために各領域間を分離し、表面が前記薄膜材料に対して親液性を有し、前記薄膜形成面と略平行な平坦面を有する第１隔壁と、
前記第１隔壁の平坦面が露出するように前記第１隔壁上に形成した第２隔壁と、
前記薄膜形成領域内に機能層材料を含む液滴を配することにより形成される少なくとも発光層を含む機能層と、
少なくとも前記第１隔壁の略平行な平坦面の少なくとも一部と接するように、前記機能層及び第２隔壁の上に形成され、第１の電極と対向する第２の電極と、
を備えることを特徴とする電気光学装置。
前記第１隔壁及び前記第２の電極はともに無機材料からなることを特徴とする請求項１７に記載の電気光学装置。
基板上に二次元的に配列された複数の薄膜形成領域に各々形成された第１の電極と、
前記複数の薄膜形成領域を形成するために各領域間を分離し、表面が前記薄膜材料に対して親液性を有し、前記薄膜形成面と略平行な平坦面を有する第１隔壁と、
前記第１隔壁の平坦面が露出するように前記第１隔壁上に形成した、表面が前記薄膜材料に対して親液性を有し、前記薄膜形成面と略平行な平坦面を有する第２隔壁と、
前記第２隔壁の平坦面が露出するように前記第２隔壁上に形成した第３隔壁と、
前記薄膜形成領域内に機能層材料を含む液滴を配することにより形成される少なくとも発光層を含む機能層と、
少なくとも前記第２隔壁の略平行な平坦面の少なくとも一部と接するように、前記機能層及び第３隔壁の上に形成され、第１の電極と対向する第２の電極と、
を備えることを特徴とする電気光学装置。
前記第２隔壁及び前記第２の電極はともに無機材料からなることを特徴とする請求項１９に記載の電気光学装置。
請求項１２から請求項１６に記載の電気光学装置の製造方法で製造した電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。