JP4572510B2 - エレクトロルミネッセンス表示装置及び電子機器 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、エレクトロルミネッセンス表示装置、エレクトロルミネッセンス表示装置用配線基板、エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法及び電子機器に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、従来の有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、光透過性を有する基板上に形成された有機エレクトロルミネッセンス素子から前記基板を通して下方に光を放つボトムエミッション構造と、基板上に形成された有機エレクトロルミネッセンス素子から上方に光を放つトップエミッション構造とに分類できる。
【０００３】
図６は、従来のボトムエミッション構造を持つ有機エレクトロルミネッセンス表示装置の一の画素の断面図である。
基板１１１上には、半導体膜１１２、ゲート絶縁膜１１３、ゲート電極１１４、第一の配線１１５、第一の層間絶縁膜１１６、ソース／ドレイン電極１１７及び第二の配線１１８が形成されている。ここで、半導体膜１１２、ゲート絶縁膜１１３、ゲート電極１１４及びソース／ドレイン電極１１７はＴＦＴ（薄膜トランジスタ）１３１を構成している。
【０００４】
第一の層間絶縁膜１１６及び第二の配線１１８の上面には、第二の層間絶縁膜１１９が形成され、第二の層間絶縁膜１１９の上面にはＩＴＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ）等の光透過性を有する導電膜からなる画素電極１２０が形成されている。さらに、第二の層間絶縁膜１１９の上面には、前記画素電極１２０を囲むように、隔壁１２１が形成され、隔壁１２１で囲まれた画素電極１２０上に、少なくとも発光層を含む一層又は複数の層からなる有機化合物層１２２が形成される。隔壁１２１と有機化合物層１２２の上面には陰極１２３が形成され、さらにその上面には封止材１２４が設けられて、陰極１２３が保護されている。
【０００５】
図７は、従来のトップエミッション構造を持つ有機エレクトロルミネッセンス表示装置の一の画素の断面図である。
基板２１１上には、半導体膜２１２、ゲート絶縁膜２１３、ゲート電極２１４、第一の配線２１５、層間絶縁膜２１６、ソース／ドレイン電極２１７及び第二の配線２１８が形成されている。ここで、半導体膜２１２、ゲート絶縁膜２１３、ゲート電極２１４及びソース／ドレイン電極２１７はＴＦＴ（薄膜トランジスタ）２３１を構成している。
【０００６】
層間絶縁膜２１６及び第二の配線２１８の上面には、平坦化膜２１９が形成され、平坦化膜２１９の上面にはＩＴＯ等の光透過性を有する導電膜からなる画素電極２２０が形成されている。さらに、平坦化膜２１９の上面には、前記画素電極２２０を囲むように、隔壁２２１が形成され、隔壁２２１で囲まれた画素電極２２０上に、少なくとも発光層を含む一層又は複数の層からなる有機化合物層２２２が形成される。隔壁２２１と有機化合物層２２２の上面には、光透過性を有する材料からなる陰極２２３が形成され、さらにその上面には光透過性を有する封止材２２４が設けられて、陰極２２３が保護されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
通常、有機化合物層の厚さは１００ｎｍ程度しかない。しかも、その両面は画素電極（陽極）と陰極とで挟まれているため、有機化合物層が段差のある場所に設けられると、その段差部で両極がショートするおそれがある。そのため有機化合物層は平坦な場所に設けられることが強く望まれる。
【０００８】
そこで、従来のボトムエミッション構造においては、ＴＦＴ１３１や配線１１５，１１８が形成されている部分と形成されていない部分とで段差が存在するため、図６に示すように、有機化合物層１２２はＴＦＴ１３１や配線１１５，１１８が形成されていない平坦なエリアにのみ設けられている。そのため、画素領域における、発光光が表示輝度に関与する領域の割合（開口率）は制限されることになる。開口率が低ければ、所定の電流で駆動しても十分な輝度を得るのは困難となるため、電流を所定量より増加させて輝度を得る必要がある。しかし、電流量を増加させて輝度を得たとすると、今度は有機エレクトロルミネッセンス装置の寿命が短くなるという問題を有する。
【０００９】
特に、有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、液晶表示装置と異なり電流駆動型であるため、全画素領域内の輝度のばらつきを抑制するのに、一画素につき多くのＴＦＴを必要とするなど、画素回路は複雑にならざるを得ない。同時に、配線抵抗による電圧降下によって輝度のばらつきが生じやすいため、配線を極力太くする必要があり、開口率の低減は液晶表示装置と比較しても深刻な問題となっている。
【００１０】
その点、前記トップエミッション構造の開口率は、ボトムエミッション構造の開口率より優れている。これは、トップエミッション構造は、平坦化膜２１９によって広い範囲に有機化合物層２２２を形成可能とし、さらに光を上方に放つようにしたことから、有機化合物層２２２の形成エリアは下側に形成されるＴＦＴ２３１や配線２１５，２１８に対する制約が小さくなるからである。
【００１１】
ところで、トップエミッション構造では、有機化合物層２２２の上面に形成される陰極２２３の材料は、有機化合物層２２２との関係により仕事関数が低いことに加えて、光透過性を有することが要求される。しかしながら、その両方の性質を十分に満足する材料は少なく、材料の選定が困難であるという問題を有している。
【００１２】
本発明は、上記のような種々の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、ボトムエミッション構造でありながら十分な開口率を得ることができ、輝度の向上が可能な有機エレクトロルミネッセンス表示装置を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明のエレクトロルミネッセンス表示装置は、走査線と、データ線と、前記走査線と前記データ線との交差に対応した位置に設けられた画素と、電源線と、を備え、前記画素は、光透過性を有する第１の電極と光反射性を有する第２の電極との間に設けられた有機化合物層を有するエレクトロルミネッセンス素子と、キャパシタと、前記走査線からの走査信号に基づいてオン状態となり、データ線からのデータ信号を前記キャパシタに書き込む第１のトランジスタと、前記キャパシタに書き込まれた電荷量に応じた駆動電流を前記電源線から前記エレクトロルミネッセンス素子に供給する第２のトランジスタと、を有し、前記データ線及び前記電源線は、光透過性を有する導電膜で形成されており、前記データ線、前記電源線、及び前記第１及び第２のトランジスタの上方には、光透過性を有する平坦化膜が形成されており、前記第２のトランジスタは、前記平坦化膜上に設けられた前記第１の電極に接続されており、前記第１の電極及び前記有機化合物層は、前記データ線及び前記電源線の上方に配置されてなる。
本発明のエレクトロルミネッセンス表示装置は、走査線と、データ線と、前記走査線と前記データ線との交差に設けられた画素と、電源線と、備え、前記画素は、光透過性を有する画素電極と金属薄膜との間に配置された有機化合物層を有するエレクトロルミネッセンス素子と、キャパシタと、前記走査線からの走査信号に基づいてオン状態となり、データ線からのデータ信号を前記キャパシタに書き込む第１のトランジスタと、前記キャパシタに書き込まれた電荷量に応じた駆動電流を前記電源線から前記エレクトロルミネッセンス素子に供給する第２のトランジスタと、有し、前記データ線及び前記電源線は、光透過性を有する導電膜で形成されており、前記データ線、前記電源線、及び前記第１及び第２のトランジスタの上方に平坦化膜が形成されており、前記第２のトランジスタは、前記平坦化膜上に設けられた前記画素電極に接続されており、前記画素電極及び前記有機化合物層は、前記データ線及び前記電源線の上方に配置されてなる。
また、本発明のエレクトロルミネッセンス表示装置は、先に記載のエレクトロルミネッセンス表示装置であって、前記データ線及び前記電源線と前記エレクトロルミネッセンス素子との間に、平坦化膜を形成し、前記データ線及び前記電源線及び前記平坦化膜の上方に前記エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも一部を形成したことを特徴とする。
また、本発明のエレクトロルミネッセンス表示装置は、先に記載のエレクトロルミネッセンス表示装置であって、前記平坦化膜は、光透過性を有することを特徴とする。
また、本発明のエレクトロルミネッセンス表示装置は、先に記載のエレクトロルミネッセンス表示装置であって、前記第１及び第２のトランジスタ及びキャパシタと前記エレクトロルミネッセンス素子との間に遮光層を形成したことを特徴とする。
また、本発明のエレクトロルミネッセンス表示装置は、先に記載のエレクトロルミネッセンス表示装置であって、前記第１及び第２のトランジスタ及びキャパシタの少なくとも１つの電極は、光透過性を有することを特徴とする。
また、本発明のエレクトロルミネッセンス表示装置は、先に記載のエレクトロルミネッセンス表示装置であって、前記第１の電極は陽極であり、前記第２の電極は陰極であることを特徴とする。
また、本発明のエレクトロルミネッセンス表示装置は、先に記載のエレクトロルミネッセンス表示装置であって、前記第１及び第２のトランジスタは、ポリシリコンからなる半導体膜と、導電材料からなるゲート電極と、金属からなるソース電極又はドレイン電極と、をそれぞれ有し、前記第１のトランジスタのゲート電極は、前記走査線に接続されており、前記第１のトランジスタのソース電極又はドレイン電極は、前記データ線に接続されており、前記第２のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第１の電極に接続されると共に、前記第２のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は前記電源線に接続されていることを特徴とする。
本発明のエレクトロルミネッセンス表示装置は、光透過性を有する基板に電子素子が形成され、前記電子素子の上方にエレクトロルミネッセンス素子が形成され、前記基板と前記エレクトロルミネッセンス素子との間に配線が形成されたエレクトロルミネッセンス表示装置において、前記配線を、光透過性を有する導電膜で形成したことを特徴とする。
【００１４】
この発明によれば、配線がエレクトロルミネッセンス素子からの光を遮ることがなくなるため、輝度の損失を最小限に抑えることが可能となる。その結果、装置の輝度が向上し、装置の寿命を向上することができる。
【００１５】
また、本発明のエレクトロルミネッセンス表示装置は、先に記載のエレクトロルミネッセンス表示装置であって、前記配線と前記エレクトロルミネッセンス素子との間に、平坦化膜が形成を形成し、前記配線及び前記平坦化膜の上方に前記エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも一部を形成したことを特徴とする。
【００１６】
この発明によれば、より広い領域にエレクトロルミネッセンス素子を形成することが可能となるため、装置の開口率が向上し、装置の寿命を向上することができる。
【００１７】
また、本発明のエレクトロルミネッセンス表示装置は、先に記載のエレクトロルミネッセンス表示装置であって、前記平坦化膜が光透過性を有することを特徴とする。
この発明によれば、輝度が向上し、装置の寿命を向上することができる。
【００１８】
また、本発明のエレクトロルミネッセンス表示装置は、先に記載のエレクトロルミネッセンス表示装置であって、前記電子素子と前記エレクトロルミネッセンス素子との間に遮光層を形成したことを特徴とする。
この発明によれば、遮光層が電子素子に照射される光を遮るため、光により励起される電子素子のリーク電流を抑制することが可能となる。
【００１９】
また、本発明のエレクトロルミネッセンス表示装置は、先に記載のエレクトロルミネッセンス表示装置であって、前記電子素子の少なくとも１つの電極は、光透過性を有することを特徴とする。
この発明によれば、電極部で光が遮られることがなくなるため、輝度が向上し、装置の寿命を向上することができる。
【００２０】
また、本発明のエレクトロルミネッセンス表示装置は、先に記載のエレクトロルミネッセンス表示装置であって、前記エレクトロルミネッセンス素子は、下から、光透過性を有する第一の電極と、少なくとも発光層を含む一層又は複数の層と、光反射性を有する第二の電極とで構成され、前記エレクトロルミネッセンス素子の光取り出し方向は、前記基板側であることを特徴とする。
【００２１】
さらに、本発明のエレクトロルミネッセンス表示装置は、先に記載のエレクトロルミネッセンス表示装置であって、前記第一の電極は陽極であり、前記第二の電極は陰極であることを特徴とする。
【００２２】
この発明によれば、陰極の材料として、例えばカルシウムやマグネシウム等、従来通りの仕事関数の低い材料を選択することが可能となる。この結果、特殊な材料を選択することなく、装置の寿命を向上することができる。
【００２３】
また、本発明のエレクトロルミネッセンス表示装置用配線基板は、光透過性を有する基板に電子素子と配線とが形成されたエレクトロルミネッセンス表示装置用配線基板において、前記配線を、光透過性を有する導電膜で形成したことを特徴とする。
【００２４】
この発明によれば、配線がエレクトロルミネッセンス素子からの光を遮ることがなくなるため、輝度の損失を最小限に抑えることが可能となる。その結果、装置の輝度が向上し、装置の寿命を向上することができる。
【００２５】
また、本発明のエレクトロルミネッセンス表示装置用配線基板は、先に記載のエレクトロルミネッセンス表示装置用配線基板であって、前記配線の上方に、平坦化膜を形成したことを特徴とする。
【００２６】
この発明によれば、より広い領域にエレクトロルミネッセンス素子を形成することが可能となるため、装置の開口率が向上し、装置の寿命を向上することができる。
【００２７】
また、本発明のエレクトロルミネッセンス表示装置用配線基板は、先に記載のエレクトロルミネッセンス表示装置用配線基板であって、前記平坦化膜が光透過性を有することを特徴とする。
この発明によれば、輝度が向上し、装置の寿命を向上することができる。
【００２８】
また、本発明のエレクトロルミネッセンス表示装置用配線基板は、先に記載のエレクトロルミネッセンス表示装置用配線基板であって、前記電子素子の上方に遮光層を形成したことを特徴とする。
この発明によれば、遮光層が電子素子に照射される光を遮るため、光により励起される電子素子のリーク電流を抑制することが可能となる。
【００２９】
また、本発明のエレクトロルミネッセンス表示装置用配線基板は、先に記載のエレクトロルミネッセンス表示装置用配線基板であって、前記電子素子の少なくとも１つの電極は、光透過性を有することを特徴とする。
この発明によれば、電極部で光が遮られることがなくなるため、輝度が向上し、装置の寿命を向上することができる。
【００３０】
また、本発明のエレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法は、基板に電子素子を形成する電子素子形成工程と、前記基板に配線を形成する配線形成工程と、前記電子素子及び前記配線の上方にエレクトロルミネッセンス素子を形成するエレクトロルミネッセンス素子形成工程とを有するエレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法であって、前記配線を、光透過性を有する導電膜で形成したことを特徴とする。
【００３１】
この発明によれば、配線がエレクトロルミネッセンス素子からの光を遮ることがなくなるため、輝度が向上し、寿命が向上したエレクトロルミネッセンス表示装置を製造することができる。
【００３２】
また、本発明のエレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法は、先に記載のエレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法であって、前記配線形成工程と前記エレクトロルミネッセンス素子形成工程との間に、平坦化膜を形成する平坦化膜形成工程を備え、前記エレクトロルミネッセンス素子形成工程は、前記平坦化膜の上方に前記エレクトロルミネッセンス素子を形成したことを特徴とする。
【００３３】
この発明によれば、より広い領域にエレクトロルミネッセンス素子を形成することが可能となるため、装置の開口率が向上し、寿命が向上したエレクトロルミネッセンス表示装置を製造することができる。
【００３４】
また、本発明のエレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法は、先に記載のエレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法であって、少なくとも前記電子素子形成工程の後に、遮光層を形成する遮光層形成工程を設けたことを特徴とする。
【００３５】
この発明によれば、遮光層が電子素子に照射される光を遮るため、光により励起される電子素子のリーク電流を抑制したエレクトロルミネッセンス表示装置を製造することができる。
【００３６】
また、本発明のエレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法は、先に記載のエレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法であって、前記平坦化膜形成工程と前記エレクトロルミネッセンス素子形成工程との間に、遮光層を形成する遮光層形成工程を設けたことを特徴とする。
【００３７】
この発明によれば、遮光層が電子素子に照射される光を遮るため、光により励起される電子素子のリーク電流を抑制したエレクトロルミネッセンス表示装置を製造することができる。
【００３８】
また、本発明の電子機器は、先に記載したエレクトロルミネッセンス表示装置のいずれかを搭載したことを特徴とする。
この発明によれば、輝度が向上し、寿命が向上した表示部を備えた電子機器を得ることができる。
【００３９】
【発明の実施の形態】
（第１実施形態）
以下、本発明を具体化したボトムエミッション構造よりなる有機エレクトロルミネッセンス表示装置の第１実施形態を、図１〜図３を用いて説明する。
【００４０】
図１は、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の概略構成図である。有機エレクトロルミネッセンス表示装置１は、表示パネル２を有し、この表示パネル２の図中下側には、フレキシブル配線板３が接続されている。
【００４１】
表示パネル２の略中央には、画像を表示する表示領域４が形成されている。表示領域４には、行方向に延びる多数の走査線が形成されているとともに、列方向に延びる多数のデータ線が形成されている。そして、表示領域４において、各走査線と各データ線との交差部に対応した位置に、有機エレクトロルミネッセンス素子や薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等からなる画素回路（以下、画素という）１０がマトリクス状に多数配置されている。表示領域４の左右両側には、前記各走査線を駆動する走査線駆動回路５が形成され、表示領域４の下側には、前記各データ線を駆動するデータ線駆動回路６が形成されている。
【００４２】
フレキシブル配線板３には制御用ＩＣ７が実装されている。制御用ＩＣ７は、フレキシブル配線板３を通して、表示パネル２上の走査線駆動回路５やデータ線駆動回路６との間で、各種信号や電源を送受可能になっている。なお、本実施形態では、制御用ＩＣ７をフレキシブル配線板３上に実装したが、制御用ＩＣ７の機能の全部又は一部は、表示パネル２上に備えられていてもよい。一方、表示パネル２上にある走査線駆動回路５やデータ線駆動回路６の機能の全部又は一部は、制御用ＩＣ７に含まれていてもよい。
【００４３】
図２は、有機エレクトロルミネッセンス表示装置１の表示パネル２上に形成された画素１０の断面図であり、図３はその上面図である。両図ではマトリクス状に配置された多数の画素１０のうち、第ｍ列、第ｎ行にある一の画素１０のみを主に示している。ここで、図３は、平坦化膜を形成前までの状態を示しているが、その後に形成される画素電極と有機化合物層の形状を、二点鎖線で示している。図３に示すように、有機エレクトロルミネッセンス表示装置１は、一の画素１０に、２つのＴＦＴ３１,３２と１つのキャパシタ３３とを有している。ＴＦＴ３２（スイッチング用ＴＦＴ）は、走査線１５ａからの走査信号に基づいてオン状態となり、データ線１８ａからのデータ信号がキャパシタ３３に書き込まれるようになっている。また、ＴＦＴ３１（駆動用ＴＦＴ）は、キャパシタ３３に書き込まれたデータ信号に基づいてオン状態となり、そのデータ信号、即ちキャパシタ３３に書き込まれた電荷量に応じた駆動電流を有機エレクトロルミネッセンス素子３０に供給する。有機エレクトロルミネッセンス素子３０は、供給される駆動電流に応じた輝度で発光する。なお、図２では、２つのＴＦＴ３１，３２のうち、駆動用ＴＦＴ３１のみを図示している。
【００４４】
図２に示すように、ガラスや樹脂等からなる光透過性を有する基板１１の上面には、ＴＦＴ３１，３２を形成するための、ポリシリコンからなる島状の半導体膜１２が形成され、さらに基板１１の上面には、半導体膜１２を覆うようにシリコン酸化膜や窒化膜からなる光透過性を有するゲート絶縁膜１３が形成されている。ゲート絶縁膜１３の上面には、タンタルやチタン等の薄膜を含む導電材料からなるゲート電極１４が形成され、ゲート絶縁膜１３及びゲート電極１４の上面には、第一の配線１５が形成されている。第一の配線１５は、ＩＴＯ等の光透過性を有する導電膜からなり、ゲート電極１４と導通可能に接合されている。また、図３に示すように、第一の配線１５は走査線１５ａ等の配線に用いられる。
【００４５】
ゲート絶縁膜１３及び第一の配線１５の上面には、シリコン酸化膜や窒化膜等からなる光透過性を有する層間絶縁膜１６が形成されている。半導体膜１２のソース領域及びドレイン領域の上面には、チタン等を含む金属からなるソース／ドレイン電極１７がゲート絶縁膜１３及び層間絶縁膜１６を貫通して形成されており、その下面は半導体膜１２と導通可能に接合されている。層間絶縁膜１６及びソース／ドレイン電極１７の上面には、第二の配線１８が形成されている。第二の配線１８は、ＩＴＯ等の光透過性を有する導電膜からなり、ソース／ドレイン電極１７と導通可能に接合されている。なお、ソース／ドレイン電極１７が、後述する画素電極２０のみに接続される場合には、そのソース／ドレイン電極１７上には第二の配線１８はなくてもよい。また、図３に示すように、第二の配線１８は、データ線１８ａや電源線１８ｂ等の配線に用いられる。
【００４６】
層間絶縁膜１６及び第二の配線１８の上面には、ポリイミドやアクリル等の光透過性を有する樹脂からなる平坦化膜１９が形成されている。平坦化膜１９とは、その下面に配線等の凹凸があっても、その上面が平坦に形成される絶縁膜である。平坦化膜１９の上面には、ＩＴＯ等の光透過性を有する導電膜からなる画素電極２０が形成されており、その一部はソース／ドレイン電極１７、第二の配線１８のいずれかと導通可能に接合されている。さらに、平坦化膜１９の上面には、画素電極２０を囲むように、感光性ポリイミドやアクリル等の樹脂からなる隔壁２１が形成され、隔壁２１に囲まれた画素電極２０上には、正孔輸送層及び発光層の２層からなる有機化合物層２２が形成されている。有機化合物層２２及び隔壁２１の上面には、カルシウムやリチウム等の金属薄膜とアルミニウム等の光反射性を有する金属とからなる陰極２３が形成されている。ここで、画素電極２０、陰極２３及びこれらに挟まれた有機化合物層２２とで、有機エレクトロルミネッセンス素子３０を形成する。なお、本実施形態では、陰極２３は、表示領域４のすべての画素１０に共通の電位を供するものであるため、表示領域４の全面を覆うように形成されており、すべての画素１０で共有される。
【００４７】
陰極２３の上面には、酸化の防止や湿度からの保護を目的に、封止基板と封止樹脂からなる封止材２４が形成されている。
ここで、半導体膜１２と、その上方に形成されたゲート絶縁膜１３、ゲート電極１４及びソース／ドレイン電極１７を有する領域Ｚ１（図２参照）は、駆動用ＴＦＴ３１を構成する。図２では図示していないスイッチング用ＴＦＴ３２も同様の構成からなる。
【００４８】
また、有機エレクトロルミネッセンス素子３０を構成する画素電極２０と有機化合物層２２は、平坦化膜１９上に形成されているため、配線１５，１８やＴＦＴ３１，３２等の上方にも形成可能である。図３において２点鎖線で示したように、有機エレクトロルミネッセンス素子３０は、対応する画素（第ｍ列、第ｎ行）の駆動用ＴＦＴ３１や、隣接する画素（第ｍ列、第ｎ＋１行）の配線１５（走査線１５ａ）、スイッチング用ＴＦＴ３２、キャパシタ３３等と重なる位置に形成される。同様に、対応する画素（第ｍ列、第ｎ行）の配線１５（走査線１５ａ）、スイッチング用ＴＦＴ３２、キャパシタ３３等の上方には、図示しない隣接する画素（第ｍ列、第ｎ−１行）の有機エレクトロルミネッセンス素子３０が形成される。
【００４９】
次に、前記表示パネル２の製造方法について、図２を参照して説明する。
まず、ガラスや樹脂等からなる光透過性を有する基板１１の片面に、必要に応じてシリコン酸化膜からなる下地保護膜（図示せず）を形成する。その上にアモルファスシリコン膜からなる半導体膜を形成し、レーザーアニール等の結晶化工程によりポリシリコン膜に結晶化する。その後、これをパターニングして島状の半導体膜１２とする。その表面にはＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）等を反応ガスとして用いたプラズマＣＶＤ法によりシリコン酸化膜や窒化膜からなる光透過性を有するゲート絶縁膜１３を形成する。
【００５０】
次に、ゲート絶縁膜１３の上面にタンタルやチタン等の薄膜を含む導電膜を形成した後、これをパターニングしてゲート電極１４を形成する。なお、この状態でイオン注入を行い、半導体膜１２にソース／ドレイン領域を形成するとともに、ゲート電極１４の下部にはチャンネル領域が形成される。
【００５１】
ゲート絶縁膜１３及びゲート電極１４の上面にＩＴＯ等の光透過性を有する導電膜を形成した後、これをパターニングして第一の配線１５を形成する。そして、ＴＥＯＳ等を反応ガスとして用いたプラズマＣＶＤ法によりシリコン酸化膜や窒化膜からなる光透過性を有する層間絶縁膜１６を形成した後、コンタクトホール２５を形成し、その中にチタン等を含む金属からなるソース／ドレイン電極１７を埋め込む。
【００５２】
次に、層間絶縁膜１６及びソース／ドレイン電極１７上にＩＴＯ等からなる光透過性を有する導電膜を形成し、これをパターニングして第二の配線１８を形成する。
【００５３】
さらに、これらの上面にポリイミドやアクリル等の樹脂からなる光透過性を有する平坦化膜１９を形成し、ソース／ドレイン電極１７に対応する位置にコンタクトホール２６を形成する。平坦化膜１９の上面には、一部がコンタクトホール２６内に埋め込まれるようにＩＴＯ等の光透過性を有する導電膜を形成し、これをパターニングして画素電極２０を形成する。
【００５４】
次に、有機化合物層２２を形成する領域の周辺に、感光性ポリイミドやアクリル等の樹脂からなる隔壁２１を形成し、隔壁２１に囲まれた画素電極２０上に、インクジェット法で正孔輸送層の形成材料を塗布する。これを固化した後、この上に発光層の形成材料を同様にインクジェット法で塗布し、これを固化する。これにより正孔輸送層と発光層とからなる有機化合物層２２が形成される。なお、本実施形態では、インクジェット法を用いて有機化合物層２２を形成したが、真空蒸着法等により形成してもよい。
【００５５】
その後、上面全体に、カルシウムやリチウム等の金属薄膜とアルミニウム等の光反射性を有する金属とからなる陰極２３を形成し、さらにその上面には、酸化の防止や湿度からの保護を目的に、封止基板と封止樹脂からなる封止材２４を形成する。そして、本実施形態では画素電極２０、有機化合物層２２及び陰極２３の形成がエレクトロルミネッセンス素子形成工程に相当する。また、前記平坦化膜１９の形成が平坦化膜形成工程に相当し、第一の配線１５又は第二の配線１８の形成が配線形成工程に相当し、半導体膜１２、ゲート電極１４、ソース／ドレイン領域等の形成が電子素子形成工程に相当する。
【００５６】
なお、特許請求の範囲に記載のエレクトロルミネッセンス表示装置は、例えばこの実施形態においては、有機エレクトロルミネッセンス表示装置１に対応している。特許請求の範囲に記載のエレクトロルミネッセンス素子は、例えばこの実施形態においては、有機エレクトロルミネッセンス素子３０に対応している。特許請求の範囲に記載の電子素子は、例えばこの実施形態においては、ＴＦＴ３１，３２及びキャパシタ３３に対応している。特許請求の範囲に記載の基板は、例えばこの実施形態においては、基板１１に対応している。特許請求の範囲に記載の配線は、例えばこの実施形態においては、配線１５（走査線１５ａを含む），１８（データ線１８ａ、電源線１８ｂを含む）に対応している。特許請求の範囲に記載の電極は、例えばこの実施形態においては、ゲート電極１４及びソース／ドレイン電極１７に対応している。特許請求の範囲に記載の少なくとも発光層を含む一層又は複数の層は、例えばこの実施形態においては、有機化合物層２２に対応している。特許請求の範囲に記載の第一の電極及び陽極は、例えばこの実施形態においては、画素電極２０に対応している。特許請求の範囲に記載の第ニの電極は、例えばこの実施形態においては、陰極２３に対応している。また、特許請求の範囲に記載のエレクトロルミネッセンス用配線基板は、この実施形態では、表示パネル２において、少なくとも配線１５，１８及び電子素子（ＴＦＴ３１,３２及びキャパシタ３３）を形成した状態をいう。
【００５７】
以上説明したように本実施形態によれば、以下の効果を得ることができる。
（１）本実施形態によれば、第一の配線１５（走査線１５ａ）及び第二の配線１８（データ線１８ａ、電源線１８ｂ）はＩＴＯ等の光透過性を有する導電膜で形成した。従って、有機エレクトロルミネッセンス素子３０の下方に形成された配線１５、１８が有機エレクトロルミネッセンス素子３０の光を遮ることがないため、発光輝度の損失を最小限にすることができる。この結果、有機エレクトロルミネッセンス表示装置１の輝度が向上し、装置の寿命を向上することができる。
（２）本実施形態によれば、画素電極２０が平坦化膜１９上に形成されているため、広い範囲に有機エレクトロルミネッセンス素子３０を形成することが可能となる。この結果、装置の開口率が向上し、装置の寿命を向上することができる。
（３）本実施形態によれば、発光方向がボトムエミッションであるため、陰極２３の材料は光透過性を有する必要がなく、例えばカルシウムやマグネシウム等、従来通りの仕事関数の低い材料を選択することが可能となる。この結果、特殊な材料を選択することなく、装置の寿命を向上することができる。
【００５８】
（第２実施形態）
次に、本発明を具体化した第２実施形態を、図４に基づいて説明する。
図４は、本発明の第２実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１の表示パネル２上に形成された画素１０の断面図である。図４において、平坦化膜１９の、ＴＦＴ３１の上部の位置に、遮光層２７を設けている点で第１実施形態の構成と異なっている。これは、インクジェット法等の溶液塗布法により遮光性を有する材料を塗布することなどで実現可能である。つまり、平坦化膜１９の、ＴＦＴ３１の上部の位置に貫通孔を設け、そこにインクジェットヘッドのノズルから遮光層２７の形成材料をインクとして吐出させた後、加熱等により溶媒を蒸発させることで遮光層２７が形成される（遮光層形成工程に相当）。なお、図示しないＴＦＴ３２の上部にも、遮光層２７が形成されている。
【００５９】
本実施形態によれば、ＴＦＴ３１，３２の上部に遮光層２７を形成したため、有機エレクトロルミネッセンス素子３０からの光による光励起等によって発生するＴＦＴ３１，３２のリーク電流を抑制することが可能となる。
【００６０】
（第３実施形態）
次に、前記第１及び第２実施形態で説明したエレクトロルミネッセンス表示装置としての有機エレクトロルミネッセンス表示装置１の、電子機器への適用について図５を用いて説明する。有機エレクトロルミネッセンス表示装置１は、携帯電話、携帯型情報機器、デジタルカメラ等種々の電子機器に適用可能である。
【００６１】
図５は、携帯電話の構成を示す斜視図である。図５において、携帯電話４０は、複数の操作ボタン４１、受話口４２、送話口４３、前記実施形態の有機エレクトロルミネッセンス表示装置１を用いた表示部４４を備えている。この場合でも、有機エレクトロルミネッセンス表示装置１からなる表示部４４は、前記実施形態と同様の効果を発揮する。その結果、携帯電話４０は、寿命が向上した表示部を得ることができる。
【００６２】
なお、本発明の実施形態は、以下のように変更してもよい。
・前記第１及び第２実施形態では、有機エレクトロルミネッセンス表示装置１は、有機エレクトロルミネッセンス素子３０、２つのＴＦＴ３１，３２及び１つのキャパシタ３３で画素回路１０を構成している。この画素回路１０は、より多くのＴＦＴやその他の回路構成からなる画素回路としてもよい。この場合、回路の複雑化に伴って配線も複雑になり、開口率が低くなってしまうため、よりいっそう本発明の効果が期待できる。
・前記第１及び第２実施形態では、タンタルやチタン等の薄膜を含む導電材料からなるゲート電極１４の上面に、ＩＴＯ等の光透過性を有する導電膜からなる第一の配線１５を形成した。このゲート電極１４及び第一の配線１５を、タンタルやチタン等の薄膜を含む導電部材を下地にしたＩＴＯ等の光透過性を有する導電膜からなる同一材料として、同時に形成してもよい。これにより、製造の簡略化が可能となる。
・前記第１及び第２実施形態では、層間絶縁膜１６の上面にＩＴＯ等の光透過性を有する導電膜からなる第二の配線１８を形成し、チタン等を含む金属からなるソース／ドレイン電極１７に接続させた。このソース／ドレイン電極１７と第二の配線１８を、チタン等を含む金属薄膜を下地にしたＩＴＯ等の光透過性を有する導電膜からなる同一の材料として、同時に形成してもよい。
【００６３】
これにより、製造が簡略化できると同時に、ソース／ドレイン電極１７で遮られていた光が透過可能となるため、開口率がさらに向上できる。
・前記第１及び第２実施形態では、第二の配線１８は層間絶縁膜１６の上面に形成されているが、これを、平坦化膜１９の上面で、画素電極２０と同一面に形成してもよい。この場合、第二の配線１８も画素電極２０もＩＴＯ等の光透過性を有する導電膜からなっているため、これらを同時に形成することが可能となる。
・前記第１及び第２実施形態では、ゲート絶縁膜１３及び第一の配線１５の上面に、層間絶縁膜１６を形成し、その上面に形成した第二の配線１８をソース／ドレイン電極１７に接続させている。そして、その上面に平坦化膜１９を形成し、その上面に画素電極２０を形成した。これを、ゲート絶縁膜１３及び第一の配線１５の上面に平坦化膜１９を形成し、その上面で画素電極２０と同一面に第二の配線１８を形成してもよい。さらに、ソース／ドレイン電極１７、第二の配線１８及び画素電極２０を、チタン等を含む金属薄膜を下地にしたＩＴＯ等の光透過性を有する導電膜からなる同一材料として、同時に形成してもよい。
・前記第２実施形態では、平坦化膜１９のＴＦＴ上部の位置に貫通孔を設け、そこに遮光層２７を形成した。これを、貫通孔の代わりに、下部に平坦化膜１９の一部を残した開口部とし、そこに遮光層２７を形成してもよい。
・前記第２実施形態では、平坦化膜１９に遮光層２７を設けて、ＴＦＴ部への光の照射を遮るようにした。これを、チタンを含むソース／ドレイン電極１７と、ＩＴＯからなる第二の配線１８との界面に、ＩＴＯとチタンとからなる光吸収層を形成して、ＴＦＴ部への光の照射を遮るようにしてもよい。
・前記実施形態では、エレクトロルミネッセンス素子として有機エレクトロルミネッセンス素子３０で実施したが、無機エレクトロルミネッセンス素子で実施してもよい。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態における有機エレクトロルミネッセンス表示装置の概略構成図。
【図２】本発明の第１実施形態における有機エレクトロルミネッセンス表示装置の画素の断面図。
【図３】本発明の第１実施形態における有機エレクトロルミネッセンス表示装置の画素の上面図。
【図４】本発明の第２実施形態における有機エレクトロルミネッセンス表示装置の画素の断面図。
【図５】携帯電話の構成を示す斜視図。
【図６】従来のボトムエミッション構造の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の画素の断面図。
【図７】従来のトップエミッション構造の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の画素の断面図。
【符号の説明】
１…エレクトロルミネッセンス表示装置としての有機エレクトロルミネッセンス表示装置、１１…基板、１４…電極としてのゲート電極、１５…配線としての第一の配線、１７…電極としてのソース／ドレイン電極、１８…配線としての第二の配線、１９…平坦化膜、２０…第一の電極又は陽極としての画素電極、２２…少なくとも発光層を含む一層又は複数の層としての有機化合物層、２３…第二の電極としての陰極、２７…遮光層、３０…エレクトロルミネッセンス素子としての有機エレクトロルミネッセンス素子、３１、３２…電子素子としてのＴＦＴ、３３…電子素子としてのキャパシタ、４０…電子機器としての携帯電話。
【発明の属する技術分野】
本発明は、エレクトロルミネッセンス表示装置、エレクトロルミネッセンス表示装置用配線基板、エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法及び電子機器に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、従来の有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、光透過性を有する基板上に形成された有機エレクトロルミネッセンス素子から前記基板を通して下方に光を放つボトムエミッション構造と、基板上に形成された有機エレクトロルミネッセンス素子から上方に光を放つトップエミッション構造とに分類できる。
【０００３】
図６は、従来のボトムエミッション構造を持つ有機エレクトロルミネッセンス表示装置の一の画素の断面図である。
基板１１１上には、半導体膜１１２、ゲート絶縁膜１１３、ゲート電極１１４、第一の配線１１５、第一の層間絶縁膜１１６、ソース／ドレイン電極１１７及び第二の配線１１８が形成されている。ここで、半導体膜１１２、ゲート絶縁膜１１３、ゲート電極１１４及びソース／ドレイン電極１１７はＴＦＴ（薄膜トランジスタ）１３１を構成している。
【０００４】
第一の層間絶縁膜１１６及び第二の配線１１８の上面には、第二の層間絶縁膜１１９が形成され、第二の層間絶縁膜１１９の上面にはＩＴＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ）等の光透過性を有する導電膜からなる画素電極１２０が形成されている。さらに、第二の層間絶縁膜１１９の上面には、前記画素電極１２０を囲むように、隔壁１２１が形成され、隔壁１２１で囲まれた画素電極１２０上に、少なくとも発光層を含む一層又は複数の層からなる有機化合物層１２２が形成される。隔壁１２１と有機化合物層１２２の上面には陰極１２３が形成され、さらにその上面には封止材１２４が設けられて、陰極１２３が保護されている。
【０００５】
図７は、従来のトップエミッション構造を持つ有機エレクトロルミネッセンス表示装置の一の画素の断面図である。
基板２１１上には、半導体膜２１２、ゲート絶縁膜２１３、ゲート電極２１４、第一の配線２１５、層間絶縁膜２１６、ソース／ドレイン電極２１７及び第二の配線２１８が形成されている。ここで、半導体膜２１２、ゲート絶縁膜２１３、ゲート電極２１４及びソース／ドレイン電極２１７はＴＦＴ（薄膜トランジスタ）２３１を構成している。
【０００６】
層間絶縁膜２１６及び第二の配線２１８の上面には、平坦化膜２１９が形成され、平坦化膜２１９の上面にはＩＴＯ等の光透過性を有する導電膜からなる画素電極２２０が形成されている。さらに、平坦化膜２１９の上面には、前記画素電極２２０を囲むように、隔壁２２１が形成され、隔壁２２１で囲まれた画素電極２２０上に、少なくとも発光層を含む一層又は複数の層からなる有機化合物層２２２が形成される。隔壁２２１と有機化合物層２２２の上面には、光透過性を有する材料からなる陰極２２３が形成され、さらにその上面には光透過性を有する封止材２２４が設けられて、陰極２２３が保護されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
通常、有機化合物層の厚さは１００ｎｍ程度しかない。しかも、その両面は画素電極（陽極）と陰極とで挟まれているため、有機化合物層が段差のある場所に設けられると、その段差部で両極がショートするおそれがある。そのため有機化合物層は平坦な場所に設けられることが強く望まれる。
【０００８】
そこで、従来のボトムエミッション構造においては、ＴＦＴ１３１や配線１１５，１１８が形成されている部分と形成されていない部分とで段差が存在するため、図６に示すように、有機化合物層１２２はＴＦＴ１３１や配線１１５，１１８が形成されていない平坦なエリアにのみ設けられている。そのため、画素領域における、発光光が表示輝度に関与する領域の割合（開口率）は制限されることになる。開口率が低ければ、所定の電流で駆動しても十分な輝度を得るのは困難となるため、電流を所定量より増加させて輝度を得る必要がある。しかし、電流量を増加させて輝度を得たとすると、今度は有機エレクトロルミネッセンス装置の寿命が短くなるという問題を有する。
【０００９】
特に、有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、液晶表示装置と異なり電流駆動型であるため、全画素領域内の輝度のばらつきを抑制するのに、一画素につき多くのＴＦＴを必要とするなど、画素回路は複雑にならざるを得ない。同時に、配線抵抗による電圧降下によって輝度のばらつきが生じやすいため、配線を極力太くする必要があり、開口率の低減は液晶表示装置と比較しても深刻な問題となっている。
【００１０】
その点、前記トップエミッション構造の開口率は、ボトムエミッション構造の開口率より優れている。これは、トップエミッション構造は、平坦化膜２１９によって広い範囲に有機化合物層２２２を形成可能とし、さらに光を上方に放つようにしたことから、有機化合物層２２２の形成エリアは下側に形成されるＴＦＴ２３１や配線２１５，２１８に対する制約が小さくなるからである。
【００１１】
ところで、トップエミッション構造では、有機化合物層２２２の上面に形成される陰極２２３の材料は、有機化合物層２２２との関係により仕事関数が低いことに加えて、光透過性を有することが要求される。しかしながら、その両方の性質を十分に満足する材料は少なく、材料の選定が困難であるという問題を有している。
【００１２】
本発明は、上記のような種々の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、ボトムエミッション構造でありながら十分な開口率を得ることができ、輝度の向上が可能な有機エレクトロルミネッセンス表示装置を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明のエレクトロルミネッセンス表示装置は、走査線と、データ線と、前記走査線と前記データ線との交差に対応した位置に設けられた画素と、電源線と、を備え、前記画素は、光透過性を有する第１の電極と光反射性を有する第２の電極との間に設けられた有機化合物層を有するエレクトロルミネッセンス素子と、キャパシタと、前記走査線からの走査信号に基づいてオン状態となり、データ線からのデータ信号を前記キャパシタに書き込む第１のトランジスタと、前記キャパシタに書き込まれた電荷量に応じた駆動電流を前記電源線から前記エレクトロルミネッセンス素子に供給する第２のトランジスタと、を有し、前記データ線及び前記電源線は、光透過性を有する導電膜で形成されており、前記データ線、前記電源線、及び前記第１及び第２のトランジスタの上方には、光透過性を有する平坦化膜が形成されており、前記第２のトランジスタは、前記平坦化膜上に設けられた前記第１の電極に接続されており、前記第１の電極及び前記有機化合物層は、前記データ線及び前記電源線の上方に配置されてなる。
本発明のエレクトロルミネッセンス表示装置は、走査線と、データ線と、前記走査線と前記データ線との交差に設けられた画素と、電源線と、備え、前記画素は、光透過性を有する画素電極と金属薄膜との間に配置された有機化合物層を有するエレクトロルミネッセンス素子と、キャパシタと、前記走査線からの走査信号に基づいてオン状態となり、データ線からのデータ信号を前記キャパシタに書き込む第１のトランジスタと、前記キャパシタに書き込まれた電荷量に応じた駆動電流を前記電源線から前記エレクトロルミネッセンス素子に供給する第２のトランジスタと、有し、前記データ線及び前記電源線は、光透過性を有する導電膜で形成されており、前記データ線、前記電源線、及び前記第１及び第２のトランジスタの上方に平坦化膜が形成されており、前記第２のトランジスタは、前記平坦化膜上に設けられた前記画素電極に接続されており、前記画素電極及び前記有機化合物層は、前記データ線及び前記電源線の上方に配置されてなる。
また、本発明のエレクトロルミネッセンス表示装置は、先に記載のエレクトロルミネッセンス表示装置であって、前記データ線及び前記電源線と前記エレクトロルミネッセンス素子との間に、平坦化膜を形成し、前記データ線及び前記電源線及び前記平坦化膜の上方に前記エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも一部を形成したことを特徴とする。
また、本発明のエレクトロルミネッセンス表示装置は、先に記載のエレクトロルミネッセンス表示装置であって、前記平坦化膜は、光透過性を有することを特徴とする。
また、本発明のエレクトロルミネッセンス表示装置は、先に記載のエレクトロルミネッセンス表示装置であって、前記第１及び第２のトランジスタ及びキャパシタと前記エレクトロルミネッセンス素子との間に遮光層を形成したことを特徴とする。
また、本発明のエレクトロルミネッセンス表示装置は、先に記載のエレクトロルミネッセンス表示装置であって、前記第１及び第２のトランジスタ及びキャパシタの少なくとも１つの電極は、光透過性を有することを特徴とする。
また、本発明のエレクトロルミネッセンス表示装置は、先に記載のエレクトロルミネッセンス表示装置であって、前記第１の電極は陽極であり、前記第２の電極は陰極であることを特徴とする。
また、本発明のエレクトロルミネッセンス表示装置は、先に記載のエレクトロルミネッセンス表示装置であって、前記第１及び第２のトランジスタは、ポリシリコンからなる半導体膜と、導電材料からなるゲート電極と、金属からなるソース電極又はドレイン電極と、をそれぞれ有し、前記第１のトランジスタのゲート電極は、前記走査線に接続されており、前記第１のトランジスタのソース電極又はドレイン電極は、前記データ線に接続されており、前記第２のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第１の電極に接続されると共に、前記第２のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は前記電源線に接続されていることを特徴とする。
本発明のエレクトロルミネッセンス表示装置は、光透過性を有する基板に電子素子が形成され、前記電子素子の上方にエレクトロルミネッセンス素子が形成され、前記基板と前記エレクトロルミネッセンス素子との間に配線が形成されたエレクトロルミネッセンス表示装置において、前記配線を、光透過性を有する導電膜で形成したことを特徴とする。
【００１４】
この発明によれば、配線がエレクトロルミネッセンス素子からの光を遮ることがなくなるため、輝度の損失を最小限に抑えることが可能となる。その結果、装置の輝度が向上し、装置の寿命を向上することができる。
【００１５】
また、本発明のエレクトロルミネッセンス表示装置は、先に記載のエレクトロルミネッセンス表示装置であって、前記配線と前記エレクトロルミネッセンス素子との間に、平坦化膜が形成を形成し、前記配線及び前記平坦化膜の上方に前記エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも一部を形成したことを特徴とする。
【００１６】
この発明によれば、より広い領域にエレクトロルミネッセンス素子を形成することが可能となるため、装置の開口率が向上し、装置の寿命を向上することができる。
【００１７】
また、本発明のエレクトロルミネッセンス表示装置は、先に記載のエレクトロルミネッセンス表示装置であって、前記平坦化膜が光透過性を有することを特徴とする。
この発明によれば、輝度が向上し、装置の寿命を向上することができる。
【００１８】
また、本発明のエレクトロルミネッセンス表示装置は、先に記載のエレクトロルミネッセンス表示装置であって、前記電子素子と前記エレクトロルミネッセンス素子との間に遮光層を形成したことを特徴とする。
この発明によれば、遮光層が電子素子に照射される光を遮るため、光により励起される電子素子のリーク電流を抑制することが可能となる。
【００１９】
また、本発明のエレクトロルミネッセンス表示装置は、先に記載のエレクトロルミネッセンス表示装置であって、前記電子素子の少なくとも１つの電極は、光透過性を有することを特徴とする。
この発明によれば、電極部で光が遮られることがなくなるため、輝度が向上し、装置の寿命を向上することができる。
【００２０】
また、本発明のエレクトロルミネッセンス表示装置は、先に記載のエレクトロルミネッセンス表示装置であって、前記エレクトロルミネッセンス素子は、下から、光透過性を有する第一の電極と、少なくとも発光層を含む一層又は複数の層と、光反射性を有する第二の電極とで構成され、前記エレクトロルミネッセンス素子の光取り出し方向は、前記基板側であることを特徴とする。
【００２１】
さらに、本発明のエレクトロルミネッセンス表示装置は、先に記載のエレクトロルミネッセンス表示装置であって、前記第一の電極は陽極であり、前記第二の電極は陰極であることを特徴とする。
【００２２】
この発明によれば、陰極の材料として、例えばカルシウムやマグネシウム等、従来通りの仕事関数の低い材料を選択することが可能となる。この結果、特殊な材料を選択することなく、装置の寿命を向上することができる。
【００２３】
また、本発明のエレクトロルミネッセンス表示装置用配線基板は、光透過性を有する基板に電子素子と配線とが形成されたエレクトロルミネッセンス表示装置用配線基板において、前記配線を、光透過性を有する導電膜で形成したことを特徴とする。
【００２４】
この発明によれば、配線がエレクトロルミネッセンス素子からの光を遮ることがなくなるため、輝度の損失を最小限に抑えることが可能となる。その結果、装置の輝度が向上し、装置の寿命を向上することができる。
【００２５】
また、本発明のエレクトロルミネッセンス表示装置用配線基板は、先に記載のエレクトロルミネッセンス表示装置用配線基板であって、前記配線の上方に、平坦化膜を形成したことを特徴とする。
【００２６】
この発明によれば、より広い領域にエレクトロルミネッセンス素子を形成することが可能となるため、装置の開口率が向上し、装置の寿命を向上することができる。
【００２７】
また、本発明のエレクトロルミネッセンス表示装置用配線基板は、先に記載のエレクトロルミネッセンス表示装置用配線基板であって、前記平坦化膜が光透過性を有することを特徴とする。
この発明によれば、輝度が向上し、装置の寿命を向上することができる。
【００２８】
また、本発明のエレクトロルミネッセンス表示装置用配線基板は、先に記載のエレクトロルミネッセンス表示装置用配線基板であって、前記電子素子の上方に遮光層を形成したことを特徴とする。
この発明によれば、遮光層が電子素子に照射される光を遮るため、光により励起される電子素子のリーク電流を抑制することが可能となる。
【００２９】
また、本発明のエレクトロルミネッセンス表示装置用配線基板は、先に記載のエレクトロルミネッセンス表示装置用配線基板であって、前記電子素子の少なくとも１つの電極は、光透過性を有することを特徴とする。
この発明によれば、電極部で光が遮られることがなくなるため、輝度が向上し、装置の寿命を向上することができる。
【００３０】
また、本発明のエレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法は、基板に電子素子を形成する電子素子形成工程と、前記基板に配線を形成する配線形成工程と、前記電子素子及び前記配線の上方にエレクトロルミネッセンス素子を形成するエレクトロルミネッセンス素子形成工程とを有するエレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法であって、前記配線を、光透過性を有する導電膜で形成したことを特徴とする。
【００３１】
この発明によれば、配線がエレクトロルミネッセンス素子からの光を遮ることがなくなるため、輝度が向上し、寿命が向上したエレクトロルミネッセンス表示装置を製造することができる。
【００３２】
また、本発明のエレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法は、先に記載のエレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法であって、前記配線形成工程と前記エレクトロルミネッセンス素子形成工程との間に、平坦化膜を形成する平坦化膜形成工程を備え、前記エレクトロルミネッセンス素子形成工程は、前記平坦化膜の上方に前記エレクトロルミネッセンス素子を形成したことを特徴とする。
【００３３】
この発明によれば、より広い領域にエレクトロルミネッセンス素子を形成することが可能となるため、装置の開口率が向上し、寿命が向上したエレクトロルミネッセンス表示装置を製造することができる。
【００３４】
また、本発明のエレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法は、先に記載のエレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法であって、少なくとも前記電子素子形成工程の後に、遮光層を形成する遮光層形成工程を設けたことを特徴とする。
【００３５】
この発明によれば、遮光層が電子素子に照射される光を遮るため、光により励起される電子素子のリーク電流を抑制したエレクトロルミネッセンス表示装置を製造することができる。
【００３６】
また、本発明のエレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法は、先に記載のエレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法であって、前記平坦化膜形成工程と前記エレクトロルミネッセンス素子形成工程との間に、遮光層を形成する遮光層形成工程を設けたことを特徴とする。
【００３７】
この発明によれば、遮光層が電子素子に照射される光を遮るため、光により励起される電子素子のリーク電流を抑制したエレクトロルミネッセンス表示装置を製造することができる。
【００３８】
また、本発明の電子機器は、先に記載したエレクトロルミネッセンス表示装置のいずれかを搭載したことを特徴とする。
この発明によれば、輝度が向上し、寿命が向上した表示部を備えた電子機器を得ることができる。
【００３９】
【発明の実施の形態】
（第１実施形態）
以下、本発明を具体化したボトムエミッション構造よりなる有機エレクトロルミネッセンス表示装置の第１実施形態を、図１〜図３を用いて説明する。
【００４０】
図１は、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の概略構成図である。有機エレクトロルミネッセンス表示装置１は、表示パネル２を有し、この表示パネル２の図中下側には、フレキシブル配線板３が接続されている。
【００４１】
表示パネル２の略中央には、画像を表示する表示領域４が形成されている。表示領域４には、行方向に延びる多数の走査線が形成されているとともに、列方向に延びる多数のデータ線が形成されている。そして、表示領域４において、各走査線と各データ線との交差部に対応した位置に、有機エレクトロルミネッセンス素子や薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等からなる画素回路（以下、画素という）１０がマトリクス状に多数配置されている。表示領域４の左右両側には、前記各走査線を駆動する走査線駆動回路５が形成され、表示領域４の下側には、前記各データ線を駆動するデータ線駆動回路６が形成されている。
【００４２】
フレキシブル配線板３には制御用ＩＣ７が実装されている。制御用ＩＣ７は、フレキシブル配線板３を通して、表示パネル２上の走査線駆動回路５やデータ線駆動回路６との間で、各種信号や電源を送受可能になっている。なお、本実施形態では、制御用ＩＣ７をフレキシブル配線板３上に実装したが、制御用ＩＣ７の機能の全部又は一部は、表示パネル２上に備えられていてもよい。一方、表示パネル２上にある走査線駆動回路５やデータ線駆動回路６の機能の全部又は一部は、制御用ＩＣ７に含まれていてもよい。
【００４３】
図２は、有機エレクトロルミネッセンス表示装置１の表示パネル２上に形成された画素１０の断面図であり、図３はその上面図である。両図ではマトリクス状に配置された多数の画素１０のうち、第ｍ列、第ｎ行にある一の画素１０のみを主に示している。ここで、図３は、平坦化膜を形成前までの状態を示しているが、その後に形成される画素電極と有機化合物層の形状を、二点鎖線で示している。図３に示すように、有機エレクトロルミネッセンス表示装置１は、一の画素１０に、２つのＴＦＴ３１,３２と１つのキャパシタ３３とを有している。ＴＦＴ３２（スイッチング用ＴＦＴ）は、走査線１５ａからの走査信号に基づいてオン状態となり、データ線１８ａからのデータ信号がキャパシタ３３に書き込まれるようになっている。また、ＴＦＴ３１（駆動用ＴＦＴ）は、キャパシタ３３に書き込まれたデータ信号に基づいてオン状態となり、そのデータ信号、即ちキャパシタ３３に書き込まれた電荷量に応じた駆動電流を有機エレクトロルミネッセンス素子３０に供給する。有機エレクトロルミネッセンス素子３０は、供給される駆動電流に応じた輝度で発光する。なお、図２では、２つのＴＦＴ３１，３２のうち、駆動用ＴＦＴ３１のみを図示している。
【００４４】
図２に示すように、ガラスや樹脂等からなる光透過性を有する基板１１の上面には、ＴＦＴ３１，３２を形成するための、ポリシリコンからなる島状の半導体膜１２が形成され、さらに基板１１の上面には、半導体膜１２を覆うようにシリコン酸化膜や窒化膜からなる光透過性を有するゲート絶縁膜１３が形成されている。ゲート絶縁膜１３の上面には、タンタルやチタン等の薄膜を含む導電材料からなるゲート電極１４が形成され、ゲート絶縁膜１３及びゲート電極１４の上面には、第一の配線１５が形成されている。第一の配線１５は、ＩＴＯ等の光透過性を有する導電膜からなり、ゲート電極１４と導通可能に接合されている。また、図３に示すように、第一の配線１５は走査線１５ａ等の配線に用いられる。
【００４５】
ゲート絶縁膜１３及び第一の配線１５の上面には、シリコン酸化膜や窒化膜等からなる光透過性を有する層間絶縁膜１６が形成されている。半導体膜１２のソース領域及びドレイン領域の上面には、チタン等を含む金属からなるソース／ドレイン電極１７がゲート絶縁膜１３及び層間絶縁膜１６を貫通して形成されており、その下面は半導体膜１２と導通可能に接合されている。層間絶縁膜１６及びソース／ドレイン電極１７の上面には、第二の配線１８が形成されている。第二の配線１８は、ＩＴＯ等の光透過性を有する導電膜からなり、ソース／ドレイン電極１７と導通可能に接合されている。なお、ソース／ドレイン電極１７が、後述する画素電極２０のみに接続される場合には、そのソース／ドレイン電極１７上には第二の配線１８はなくてもよい。また、図３に示すように、第二の配線１８は、データ線１８ａや電源線１８ｂ等の配線に用いられる。
【００４６】
層間絶縁膜１６及び第二の配線１８の上面には、ポリイミドやアクリル等の光透過性を有する樹脂からなる平坦化膜１９が形成されている。平坦化膜１９とは、その下面に配線等の凹凸があっても、その上面が平坦に形成される絶縁膜である。平坦化膜１９の上面には、ＩＴＯ等の光透過性を有する導電膜からなる画素電極２０が形成されており、その一部はソース／ドレイン電極１７、第二の配線１８のいずれかと導通可能に接合されている。さらに、平坦化膜１９の上面には、画素電極２０を囲むように、感光性ポリイミドやアクリル等の樹脂からなる隔壁２１が形成され、隔壁２１に囲まれた画素電極２０上には、正孔輸送層及び発光層の２層からなる有機化合物層２２が形成されている。有機化合物層２２及び隔壁２１の上面には、カルシウムやリチウム等の金属薄膜とアルミニウム等の光反射性を有する金属とからなる陰極２３が形成されている。ここで、画素電極２０、陰極２３及びこれらに挟まれた有機化合物層２２とで、有機エレクトロルミネッセンス素子３０を形成する。なお、本実施形態では、陰極２３は、表示領域４のすべての画素１０に共通の電位を供するものであるため、表示領域４の全面を覆うように形成されており、すべての画素１０で共有される。
【００４７】
陰極２３の上面には、酸化の防止や湿度からの保護を目的に、封止基板と封止樹脂からなる封止材２４が形成されている。
ここで、半導体膜１２と、その上方に形成されたゲート絶縁膜１３、ゲート電極１４及びソース／ドレイン電極１７を有する領域Ｚ１（図２参照）は、駆動用ＴＦＴ３１を構成する。図２では図示していないスイッチング用ＴＦＴ３２も同様の構成からなる。
【００４８】
また、有機エレクトロルミネッセンス素子３０を構成する画素電極２０と有機化合物層２２は、平坦化膜１９上に形成されているため、配線１５，１８やＴＦＴ３１，３２等の上方にも形成可能である。図３において２点鎖線で示したように、有機エレクトロルミネッセンス素子３０は、対応する画素（第ｍ列、第ｎ行）の駆動用ＴＦＴ３１や、隣接する画素（第ｍ列、第ｎ＋１行）の配線１５（走査線１５ａ）、スイッチング用ＴＦＴ３２、キャパシタ３３等と重なる位置に形成される。同様に、対応する画素（第ｍ列、第ｎ行）の配線１５（走査線１５ａ）、スイッチング用ＴＦＴ３２、キャパシタ３３等の上方には、図示しない隣接する画素（第ｍ列、第ｎ−１行）の有機エレクトロルミネッセンス素子３０が形成される。
【００４９】
次に、前記表示パネル２の製造方法について、図２を参照して説明する。
まず、ガラスや樹脂等からなる光透過性を有する基板１１の片面に、必要に応じてシリコン酸化膜からなる下地保護膜（図示せず）を形成する。その上にアモルファスシリコン膜からなる半導体膜を形成し、レーザーアニール等の結晶化工程によりポリシリコン膜に結晶化する。その後、これをパターニングして島状の半導体膜１２とする。その表面にはＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）等を反応ガスとして用いたプラズマＣＶＤ法によりシリコン酸化膜や窒化膜からなる光透過性を有するゲート絶縁膜１３を形成する。
【００５０】
次に、ゲート絶縁膜１３の上面にタンタルやチタン等の薄膜を含む導電膜を形成した後、これをパターニングしてゲート電極１４を形成する。なお、この状態でイオン注入を行い、半導体膜１２にソース／ドレイン領域を形成するとともに、ゲート電極１４の下部にはチャンネル領域が形成される。
【００５１】
ゲート絶縁膜１３及びゲート電極１４の上面にＩＴＯ等の光透過性を有する導電膜を形成した後、これをパターニングして第一の配線１５を形成する。そして、ＴＥＯＳ等を反応ガスとして用いたプラズマＣＶＤ法によりシリコン酸化膜や窒化膜からなる光透過性を有する層間絶縁膜１６を形成した後、コンタクトホール２５を形成し、その中にチタン等を含む金属からなるソース／ドレイン電極１７を埋め込む。
【００５２】
次に、層間絶縁膜１６及びソース／ドレイン電極１７上にＩＴＯ等からなる光透過性を有する導電膜を形成し、これをパターニングして第二の配線１８を形成する。
【００５３】
さらに、これらの上面にポリイミドやアクリル等の樹脂からなる光透過性を有する平坦化膜１９を形成し、ソース／ドレイン電極１７に対応する位置にコンタクトホール２６を形成する。平坦化膜１９の上面には、一部がコンタクトホール２６内に埋め込まれるようにＩＴＯ等の光透過性を有する導電膜を形成し、これをパターニングして画素電極２０を形成する。
【００５４】
次に、有機化合物層２２を形成する領域の周辺に、感光性ポリイミドやアクリル等の樹脂からなる隔壁２１を形成し、隔壁２１に囲まれた画素電極２０上に、インクジェット法で正孔輸送層の形成材料を塗布する。これを固化した後、この上に発光層の形成材料を同様にインクジェット法で塗布し、これを固化する。これにより正孔輸送層と発光層とからなる有機化合物層２２が形成される。なお、本実施形態では、インクジェット法を用いて有機化合物層２２を形成したが、真空蒸着法等により形成してもよい。
【００５５】
その後、上面全体に、カルシウムやリチウム等の金属薄膜とアルミニウム等の光反射性を有する金属とからなる陰極２３を形成し、さらにその上面には、酸化の防止や湿度からの保護を目的に、封止基板と封止樹脂からなる封止材２４を形成する。そして、本実施形態では画素電極２０、有機化合物層２２及び陰極２３の形成がエレクトロルミネッセンス素子形成工程に相当する。また、前記平坦化膜１９の形成が平坦化膜形成工程に相当し、第一の配線１５又は第二の配線１８の形成が配線形成工程に相当し、半導体膜１２、ゲート電極１４、ソース／ドレイン領域等の形成が電子素子形成工程に相当する。
【００５６】
なお、特許請求の範囲に記載のエレクトロルミネッセンス表示装置は、例えばこの実施形態においては、有機エレクトロルミネッセンス表示装置１に対応している。特許請求の範囲に記載のエレクトロルミネッセンス素子は、例えばこの実施形態においては、有機エレクトロルミネッセンス素子３０に対応している。特許請求の範囲に記載の電子素子は、例えばこの実施形態においては、ＴＦＴ３１，３２及びキャパシタ３３に対応している。特許請求の範囲に記載の基板は、例えばこの実施形態においては、基板１１に対応している。特許請求の範囲に記載の配線は、例えばこの実施形態においては、配線１５（走査線１５ａを含む），１８（データ線１８ａ、電源線１８ｂを含む）に対応している。特許請求の範囲に記載の電極は、例えばこの実施形態においては、ゲート電極１４及びソース／ドレイン電極１７に対応している。特許請求の範囲に記載の少なくとも発光層を含む一層又は複数の層は、例えばこの実施形態においては、有機化合物層２２に対応している。特許請求の範囲に記載の第一の電極及び陽極は、例えばこの実施形態においては、画素電極２０に対応している。特許請求の範囲に記載の第ニの電極は、例えばこの実施形態においては、陰極２３に対応している。また、特許請求の範囲に記載のエレクトロルミネッセンス用配線基板は、この実施形態では、表示パネル２において、少なくとも配線１５，１８及び電子素子（ＴＦＴ３１,３２及びキャパシタ３３）を形成した状態をいう。
【００５７】
以上説明したように本実施形態によれば、以下の効果を得ることができる。
（１）本実施形態によれば、第一の配線１５（走査線１５ａ）及び第二の配線１８（データ線１８ａ、電源線１８ｂ）はＩＴＯ等の光透過性を有する導電膜で形成した。従って、有機エレクトロルミネッセンス素子３０の下方に形成された配線１５、１８が有機エレクトロルミネッセンス素子３０の光を遮ることがないため、発光輝度の損失を最小限にすることができる。この結果、有機エレクトロルミネッセンス表示装置１の輝度が向上し、装置の寿命を向上することができる。
（２）本実施形態によれば、画素電極２０が平坦化膜１９上に形成されているため、広い範囲に有機エレクトロルミネッセンス素子３０を形成することが可能となる。この結果、装置の開口率が向上し、装置の寿命を向上することができる。
（３）本実施形態によれば、発光方向がボトムエミッションであるため、陰極２３の材料は光透過性を有する必要がなく、例えばカルシウムやマグネシウム等、従来通りの仕事関数の低い材料を選択することが可能となる。この結果、特殊な材料を選択することなく、装置の寿命を向上することができる。
【００５８】
（第２実施形態）
次に、本発明を具体化した第２実施形態を、図４に基づいて説明する。
図４は、本発明の第２実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１の表示パネル２上に形成された画素１０の断面図である。図４において、平坦化膜１９の、ＴＦＴ３１の上部の位置に、遮光層２７を設けている点で第１実施形態の構成と異なっている。これは、インクジェット法等の溶液塗布法により遮光性を有する材料を塗布することなどで実現可能である。つまり、平坦化膜１９の、ＴＦＴ３１の上部の位置に貫通孔を設け、そこにインクジェットヘッドのノズルから遮光層２７の形成材料をインクとして吐出させた後、加熱等により溶媒を蒸発させることで遮光層２７が形成される（遮光層形成工程に相当）。なお、図示しないＴＦＴ３２の上部にも、遮光層２７が形成されている。
【００５９】
本実施形態によれば、ＴＦＴ３１，３２の上部に遮光層２７を形成したため、有機エレクトロルミネッセンス素子３０からの光による光励起等によって発生するＴＦＴ３１，３２のリーク電流を抑制することが可能となる。
【００６０】
（第３実施形態）
次に、前記第１及び第２実施形態で説明したエレクトロルミネッセンス表示装置としての有機エレクトロルミネッセンス表示装置１の、電子機器への適用について図５を用いて説明する。有機エレクトロルミネッセンス表示装置１は、携帯電話、携帯型情報機器、デジタルカメラ等種々の電子機器に適用可能である。
【００６１】
図５は、携帯電話の構成を示す斜視図である。図５において、携帯電話４０は、複数の操作ボタン４１、受話口４２、送話口４３、前記実施形態の有機エレクトロルミネッセンス表示装置１を用いた表示部４４を備えている。この場合でも、有機エレクトロルミネッセンス表示装置１からなる表示部４４は、前記実施形態と同様の効果を発揮する。その結果、携帯電話４０は、寿命が向上した表示部を得ることができる。
【００６２】
なお、本発明の実施形態は、以下のように変更してもよい。
・前記第１及び第２実施形態では、有機エレクトロルミネッセンス表示装置１は、有機エレクトロルミネッセンス素子３０、２つのＴＦＴ３１，３２及び１つのキャパシタ３３で画素回路１０を構成している。この画素回路１０は、より多くのＴＦＴやその他の回路構成からなる画素回路としてもよい。この場合、回路の複雑化に伴って配線も複雑になり、開口率が低くなってしまうため、よりいっそう本発明の効果が期待できる。
・前記第１及び第２実施形態では、タンタルやチタン等の薄膜を含む導電材料からなるゲート電極１４の上面に、ＩＴＯ等の光透過性を有する導電膜からなる第一の配線１５を形成した。このゲート電極１４及び第一の配線１５を、タンタルやチタン等の薄膜を含む導電部材を下地にしたＩＴＯ等の光透過性を有する導電膜からなる同一材料として、同時に形成してもよい。これにより、製造の簡略化が可能となる。
・前記第１及び第２実施形態では、層間絶縁膜１６の上面にＩＴＯ等の光透過性を有する導電膜からなる第二の配線１８を形成し、チタン等を含む金属からなるソース／ドレイン電極１７に接続させた。このソース／ドレイン電極１７と第二の配線１８を、チタン等を含む金属薄膜を下地にしたＩＴＯ等の光透過性を有する導電膜からなる同一の材料として、同時に形成してもよい。
【００６３】
これにより、製造が簡略化できると同時に、ソース／ドレイン電極１７で遮られていた光が透過可能となるため、開口率がさらに向上できる。
・前記第１及び第２実施形態では、第二の配線１８は層間絶縁膜１６の上面に形成されているが、これを、平坦化膜１９の上面で、画素電極２０と同一面に形成してもよい。この場合、第二の配線１８も画素電極２０もＩＴＯ等の光透過性を有する導電膜からなっているため、これらを同時に形成することが可能となる。
・前記第１及び第２実施形態では、ゲート絶縁膜１３及び第一の配線１５の上面に、層間絶縁膜１６を形成し、その上面に形成した第二の配線１８をソース／ドレイン電極１７に接続させている。そして、その上面に平坦化膜１９を形成し、その上面に画素電極２０を形成した。これを、ゲート絶縁膜１３及び第一の配線１５の上面に平坦化膜１９を形成し、その上面で画素電極２０と同一面に第二の配線１８を形成してもよい。さらに、ソース／ドレイン電極１７、第二の配線１８及び画素電極２０を、チタン等を含む金属薄膜を下地にしたＩＴＯ等の光透過性を有する導電膜からなる同一材料として、同時に形成してもよい。
・前記第２実施形態では、平坦化膜１９のＴＦＴ上部の位置に貫通孔を設け、そこに遮光層２７を形成した。これを、貫通孔の代わりに、下部に平坦化膜１９の一部を残した開口部とし、そこに遮光層２７を形成してもよい。
・前記第２実施形態では、平坦化膜１９に遮光層２７を設けて、ＴＦＴ部への光の照射を遮るようにした。これを、チタンを含むソース／ドレイン電極１７と、ＩＴＯからなる第二の配線１８との界面に、ＩＴＯとチタンとからなる光吸収層を形成して、ＴＦＴ部への光の照射を遮るようにしてもよい。
・前記実施形態では、エレクトロルミネッセンス素子として有機エレクトロルミネッセンス素子３０で実施したが、無機エレクトロルミネッセンス素子で実施してもよい。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態における有機エレクトロルミネッセンス表示装置の概略構成図。
【図２】本発明の第１実施形態における有機エレクトロルミネッセンス表示装置の画素の断面図。
【図３】本発明の第１実施形態における有機エレクトロルミネッセンス表示装置の画素の上面図。
【図４】本発明の第２実施形態における有機エレクトロルミネッセンス表示装置の画素の断面図。
【図５】携帯電話の構成を示す斜視図。
【図６】従来のボトムエミッション構造の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の画素の断面図。
【図７】従来のトップエミッション構造の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の画素の断面図。
【符号の説明】
１…エレクトロルミネッセンス表示装置としての有機エレクトロルミネッセンス表示装置、１１…基板、１４…電極としてのゲート電極、１５…配線としての第一の配線、１７…電極としてのソース／ドレイン電極、１８…配線としての第二の配線、１９…平坦化膜、２０…第一の電極又は陽極としての画素電極、２２…少なくとも発光層を含む一層又は複数の層としての有機化合物層、２３…第二の電極としての陰極、２７…遮光層、３０…エレクトロルミネッセンス素子としての有機エレクトロルミネッセンス素子、３１、３２…電子素子としてのＴＦＴ、３３…電子素子としてのキャパシタ、４０…電子機器としての携帯電話。
Claims (8)
- 走査線と、
データ線と、
前記走査線と前記データ線との交差に対応した位置に設けられた画素と、
電源線と、を備え、
前記画素は、
光透過性を有する第１の電極と光反射性を有する第２の電極との間に設けられた有機化合物層を有するエレクトロルミネッセンス素子と、
キャパシタと、
前記走査線からの走査信号に基づいてオン状態となり、データ線からのデータ信号を前記キャパシタに書き込む第１のトランジスタと、
前記キャパシタに書き込まれた電荷量に応じた駆動電流を前記電源線から前記エレクトロルミネッセンス素子に供給する第２のトランジスタと、を有し、
前記データ線及び前記電源線は、光透過性を有する導電膜で形成されており、
前記データ線、前記電源線、及び前記第１及び第２のトランジスタの上方には、光透過性を有する平坦化膜が形成されており、
前記第２のトランジスタは、前記平坦化膜上に設けられた前記第１の電極に接続されており、
前記第１の電極及び前記有機化合物層は、前記データ線及び前記電源線の上方に配置されてなるエレクトロルミネッセンス表示装置。 - 請求項１に記載のエレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記データ線及び前記電源線と前記エレクトロルミネッセンス素子との間に、平坦化膜を形成し、前記データ線及び前記電源線及び前記平坦化膜の上方に前記エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも一部を形成したことを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置。 - 請求項２に記載のエレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記平坦化膜は、光透過性を有することを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置。 - 請求項１〜３のいずれか１つに記載のエレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記第１及び第２のトランジスタ及びキャパシタと前記エレクトロルミネッセンス素子との間に遮光層を形成したことを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置。 - 請求項１〜４のいずれか１つに記載のエレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記第１及び第２のトランジスタ及びキャパシタの少なくとも１つの電極は、光透過性を有することを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置。 - 請求項１〜５のいずれか１つに記載のエレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記第１の電極は陽極であり、前記第２の電極は陰極であることを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置。 - 請求項１〜６のいずれか１つに記載のエレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記第１及び第２のトランジスタは、ポリシリコンからなる半導体膜と、導電材料からなるゲート電極と、金属からなるソース電極又はドレイン電極と、をそれぞれ有し、
前記第１のトランジスタのゲート電極は、前記走査線に接続されており、
前記第１のトランジスタのソース電極又はドレイン電極は、前記データ線に接続されており、
前記第２のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第１の電極に接続されると共に、前記第２のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は前記電源線に接続されていることを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置。 - 請求項１〜７のいずれか１つに記載のエレクトロルミネッセンス表示装置を搭載した電子機器。
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