JP2010182668A - 発光装置及び電子機器 - Google Patents

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Abstract

【課題】薄型化を達成しながら、信頼性が高い発光装置を提供することを目的の一とする。また、可撓性を有する基板上に発光素子が設けられた発光装置を歩留まり良く製造することを目的の一とする。
【解決手段】可撓性を有する基板と、基板上に形成された発光素子と、発光素子を覆う樹脂膜と、を有し、発光素子において隔壁として機能する絶縁層が凸状部有し、樹脂膜がその凸状部を埋没することで、薄型化を達成しながら、信頼性の高い発光装置を提供することができる。また、作製工程においても、歩留まり良く発光装置を作製することができる。
【選択図】図１

Description

本発明は、エレクトロルミネッセンスを利用した発光素子を有する発光装置に関する。また、その発光装置を部品として搭載した電子機器に関する。
近年、テレビ、携帯電話、デジタルカメラ等における表示装置は、平面的で薄型の表示装置が求められており、この要求を満たすための表示装置として、自発光型である発光素子を利用した表示装置が注目されている。自発光型の発光素子の一つとして、エレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）を利用する発光素子があり、この発光素子は、発光材料を一対の電極で挟み、電圧を印加することにより、発光材料からの発光を得ることができるものである。
このような自発光型の発光素子は、液晶ディスプレイに比べ画素の視認性が高く、バックライトが不要である等の利点があり、フラットパネルディスプレイ素子として好適である。また、このような自発光型の発光素子は、薄膜化が可能なこと、または非常に応答速度が速いことも特徴の一つである。
また、発光装置の市場が拡大するに伴い、薄型化が製品小型化の上で重要な要素となっており、薄型化技術や小型化製品の使用範囲が急速に広まっている。例えば、特許文献１では、剥離および転写技術を用いたフレキシブルなエレクトロルミネッセンス発光装置を提案されている。
特開２００３−１７４１５３号公報
本発明の一態様は、薄型化を達成しながら、信頼性が高い発光装置を提供することを目的とする。また、本発明の一態様は、可撓性を有する基板上に発光素子が設けられた発光装置を歩留まり良く製造することを目的とする。
本発明の一態様は、可撓性を有する基板と、基板上に形成された発光素子と、発光素子を覆う樹脂膜と、を有する。また、その発光素子は、第１の電極と、第１の電極の端部を覆い、且つ凸状部を有する絶縁層と、第１の電極に接するＥＬ層と、ＥＬ層に接する第２の電極と、を少なくとも含み、発光素子を覆う樹脂膜は、凸状部を埋没させている。すなわち、樹脂膜は絶縁層と第２の電極の全面を覆っている。
また、本発明の一態様は、可撓性を有する第１の基板と、第１の基板上に形成された発光素子と、発光素子を覆う樹脂膜と、樹脂膜上に設けられた可撓性を有する第２の基板と、を有する。また、その発光素子は、第１の電極と、第１の電極の端部を覆い、且つ凸状部を有する絶縁層と、第１の電極に接するＥＬ層と、ＥＬ層に接する第２の電極と、を少なくとも含み、発光素子を覆う樹脂膜は、凸状部を埋没させている。すなわち、樹脂膜は絶縁層と第２の電極の全面を覆っている。
また、本発明の一態様は、可撓性を有する第１の基板と、第１の基板上に形成された発光素子と、発光素子を覆う樹脂膜と、樹脂膜上に設けられた可撓性を有する第２の基板と、を有する。また、その発光素子は、第１の電極と、第１の電極の端部を覆う第１の絶縁層と、第１の絶縁層に接し、その接触面積が前記第１の絶縁層の上面積より小さい第２の絶縁層と、第１の電極に接するＥＬ層と、ＥＬ層に接する第２の電極と、を少なくとも含み、発光素子を覆う樹脂膜は、第２の絶縁層を埋没させている。すなわち、樹脂膜は第２の絶縁層と第２の電極の全面を覆っている。
上記に示す本発明の一態様としての発光装置において、第１又は第２の基板の一方または双方は、繊維体に有機樹脂が含浸された構造体であってもよい。
なお、本明細書において、発光素子は、電流または電圧によって輝度が制御される素子をその範疇に含んでおり、具体的には有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子、無機ＥＬ素子等が含まれる。
また、本明細書において開示される発光装置は、パッシブマトリクス型でもアクティブマトリクス型でもよい。
なお、本明細書中における発光装置とは、画像表示デバイス、発光デバイス、もしくは光源（照明装置含む）を含む。また、パネルにコネクター、例えばＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）もしくはＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）テープもしくはＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）が取り付けられたモジュール、ＴＡＢテープやＴＣＰの先にプリント配線板が設けられたモジュール、または発光素子にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式によりＩＣ（集積回路）が直接実装されたモジュールも全て発光装置に含むものとする。
なお、本明細書において使用した程度を表す用語、例えば「同じ」、「同程度」などは、最終結果が顕著には変化しないように幾分変更された用語の合理的な逸脱の程度を意味する。これらの用語は、幾分変更された用語の少なくともプラスマイナス５％の逸脱を含むものとして解釈されるべきであるが、この逸脱が幾分変更される用語の意味を否定しないことを条件とする。
また、本明細書において、第１又は第２などとして付される序数詞は便宜上用いるものであり、工程順又は積層順を示すものではない。また、本明細書において発明を特定するための事項として固有の名称を示すものではない。
本発明の一態様は、薄型化を達成しながら、信頼性の高い発光装置を提供することができる。また、本発明の一態様は、発光装置の製造工程においても、形状や特性の不良を防ぐことが可能であり、歩留まり良く発光装置を製造することができる。
本発明の一態様の発光装置を説明する図。 本発明の一態様の発光装置を説明する図。 本発明の一態様の発光装置の製造方法を説明する図。 本発明の一態様の発光装置の製造方法を説明する図。 本発明の一態様の発光装置の製造方法を説明する図。 発光素子の構造の例を示す図。 本発明の一態様の発光装置の構造の例を示す図。 本発明の一態様の発光装置を説明する図。 本発明の一態様の発光装置の適用例を説明する図。 本発明の一態様の発光装置の適用例を説明する図。
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する実施の形態の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。
（実施の形態１）
本実施の形態では、発光装置の一例を図１を用いて詳細に説明する。
図１に本実施の形態の発光装置の表示部を示す。図１に図示する本実施の形態の発光装置は、基板２００上に形成された素子部１７０を有している。また、素子部１７０は、樹脂膜１３０によって覆われている。
基板２００としては、可撓性を有する基板を用いることができ、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂、ポリアクリルニトリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート樹脂（ＰＣ）、ポリエーテルスルフォン樹脂（ＰＥＳ）、ポリアミド樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂などを好適に用いることができる。または、基板２００として、繊維体に有機樹脂が含浸された構造体を用いることができる。ただし、基板２００側から光を取り出す場合には、透光性を有する基板を用いるものとする。
基板２００上には素子部１７０が形成されている。素子部１７０は、発光素子１４０と、その発光素子１４０に電位をかけるためのスイッチング素子とを少なくとも有する。スイッチング素子としては、トランジスタ（例えば、バイポーラトランジスタ、ＭＯＳトランジスタなど）、ダイオード（例えば、ＰＮダイオード、ＰＩＮダイオード、ショットキーダイオード、ＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ Ｍｅｔａｌ）ダイオード、ＭＩＳ（Ｍｅｔａｌ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）ダイオード、ダイオード接続のトランジスタなど）、サイリスタなどを用いることが出来る。または、これらを組み合わせた論理回路をスイッチング素子として用いることが出来る。本実施の形態では、スイッチング素子として薄膜トランジスタ１０６を用いるものとする。また、発光装置をドライバ一体型として素子部１７０に駆動回路部を含めても良い。なお、封止された基板の外部に駆動回路を形成することもできる。
発光素子１４０は、第１の電極１２２、第１の電極の端部を覆う絶縁層１３７、ＥＬ層１３４、及び第２の電極１３６を有している。第１の電極１２２及び第２の電極１３６は、一方が陽極として用いられ、他方が陰極として用いられる。
発光素子を構成するＥＬ層１３４は、少なくとも発光層を有する。また、ＥＬ層１３４は、発光層の他に、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層などを有する積層構造とすることもできる。ＥＬ層１３４には、低分子系材料および高分子系材料のいずれを用いることもできる。なお、ＥＬ層１３４を形成する材料には、有機化合物材料のみから成るものだけでなく、無機化合物を含む構成も含めるものとする。
なお、発光装置をフルカラー表示とする場合、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）及び青色（Ｂ）の発光が得られる材料を用いて選択的にＥＬ層１３４を形成すればよく、モノカラー表示とする場合、少なくとも一つの色を呈する材料を用いてＥＬ層１３４を形成すればよい。また、ＥＬ層と、カラーフィルタ（図示しない）を組み合わせて用いてもよい。カラーフィルタにより、単色発光層（例えば白色発光層）を用いる場合であっても、フルカラー表示が可能となる。例えば、白色（Ｗ）の発光が得られる材料を用いたＥＬ層と、カラーフィルタを組み合わせる場合、カラーフィルタを設けない画素とＲＧＢのそれぞれの画素の４つのサブピクセルでフルカラー表示を行っても良い。
絶縁層１３７は、凸状部を有している。本実施の形態では、絶縁層１３７が、第１の絶縁層１３７ａと第２の絶縁層１３７ｂの２層が積層された構造を示す。また、絶縁層１３７は、珪素の酸化物や珪素の窒化物等の無機材料、ポリイミド、ポリアミド、ベンゾシクロブテン、アクリル、エポキシ等の有機材料やシロキサン材料等により形成されている。なお、絶縁層１３７を構成する第１の絶縁層１３７ａ及び第２の絶縁層１３７ｂは、同じ材料を用いて形成しても、又は別々の材料を用いて形成しても構わない。
基板２００上に形成された素子部１７０は、樹脂膜１３０によって覆われている。樹脂膜１３０としては、例えば、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、メラミン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリアセタール、ポリエーテル、ポリウレタン、ポリアミド（ナイロン）、フラン樹脂、ジアリルフタレート樹脂等の有機化合物、シリカガラスに代表されるシロキサンポリマー系材料を出発材料として形成された珪素、酸素、水素からなる化合物のうちＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を含む無機シロキサンポリマー、又はアルキルシロキサンポリマー、アルキルシルセスキオキサンポリマー、水素化シルセスキオキサンポリマー、水素化アルキルシルセスキオキサンポリマーに代表される珪素に結合される水素がメチルやフェニルのような有機基によって置換された有機シロキサンポリマー等を用いることができる。または、樹脂膜１３０として繊維体に有機樹脂が含浸された構造体を用いることもできる。
なお、発光素子１４０の第２の電極１３６側から発光を取り出す場合には、樹脂膜１３０は、少なくとも発光装置の表示面においては、透光性を有する材料を用いて形成する、又は、光を透過する膜厚で形成するものとする。発光素子１４０の第１の電極１２２側からのみ発光を取り出す場合には、透光性を有する樹脂膜１３０としなくても構わない。
本実施の形態で示す発光装置に含まれる発光素子１４０において、隔壁（土手）として機能する絶縁層１３７は、凸状部を有する絶縁層とする。なお、図１においては、第１の絶縁層１３７ａと、第１の絶縁層１３７ａ上に１つ設けられた第２の絶縁層１３７ｂを有する絶縁層１３７を図示したが、絶縁層の形状はこれに限られるものではなく、２つ以上の凸状部を有していても構わない。絶縁層１３７が凸状部を有し、この凸状部が樹脂膜１３０に埋め込まれることで、絶縁層１３７と、樹脂膜１３０との密着性を向上させることができるため、製造された発光装置を信頼性の高い発光装置とすることができる。また、絶縁層１３７と、樹脂膜１３０との密着性を向上すると、発光装置の製造工程において、発光素子内部での剥離を生じさせることなく、発光素子を可撓性基板へ転写することが可能となる。よって、信頼性の高い発光装置を歩留まり良く製造することができる。
また、素子部１７０の厚さを薄くすることで、発光装置を湾曲させることが可能となる。従って、本実施の形態の発光装置を様々な基材に接着することができ、曲面を有する基材に貼りつければ、曲面を有するディスプレイ、または曲面を有する照明等が実現できる。また、素子部１７０の厚さを薄くすることで、発光装置を軽量化させることができる。
なお、本実施の形態は他の実施の形態と適宜組み合わせて用いることができる。
（実施の形態２）
本実施の形態では、発光装置の別の一例を、図２を用いて詳細に説明する。なお、実施の形態１と準じ重複する構成については、説明を省略或いは簡略化する。
図２に本実施の形態の発光装置の表示部を示す。図２に図示する本実施の形態の発光装置は、第１の基板１３２及び第２の基板１３３との間に挟持された素子部１７０を有している。また、素子部１７０と第２の基板１３３との間には、樹脂膜１３０が形成されている。図２において、樹脂膜１３０は、実施の形態１で示した樹脂膜１３０と同様の材料を用いて形成することができる。
第１の基板１３２及び第２の基板１３３としては、可撓性を有する基板を用いることができ、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂、ポリアクリルニトリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート樹脂（ＰＣ）、ポリエーテルスルフォン樹脂（ＰＥＳ）、ポリアミド樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂などを好適に用いることができる。ただし、少なくとも発光素子の光の取り出し方向に位置する基板には、透光性を有する基板を用いるものとする。
なお、第１の基板１３２及び第２の基板１３３は、熱膨張係数が低い材料であって、同程度の熱膨張係数を有する材料を用いるのが好ましい。また、第１の基板１３２と第２の基板１３３とが同じ材料で構成されているのがより好ましい。なお、第１の基板１３２及び第２の基板１３３の有する熱膨張係数が２０ｐｐｍ／℃以下であると、発光装置の耐熱性が向上するため好ましい。
本実施の形態において、第１の基板１３２及び第２の基板１３３としては、繊維体１３２ａに有機樹脂１３２ｂが含浸された構造体を用いるものとする。第１の基板１３２及び第２の基板１３３として用いる構造体は、弾性率１３ＧＰａ以上、破断係数は３００ＭＰａ未満の材料を用いるのが好ましい。また、第１の基板１３２及び第２の基板１３３は、５μｍ以上５０μｍ以下の膜厚であることが好ましく、第１の基板１３２と第２の基板１３３が同じ膜厚を有していることが好ましい。第１の基板１３２と第２の基板１３３が同じ膜厚を有していることで、素子部１７０を発光装置の中央部に配置することができる。また、第１及び第２の基板の膜厚を５μｍ以上５０μｍ以下とすると、素子部の膜厚と比べて第１の基板及び第２の基板の膜厚が厚いので、素子部がほぼ中央部に配置され、曲げストレスに強い発光装置を提供することができる。
本実施の形態において第１の基板１３２及び第２の基板１３３として用いる構造体における繊維体１３２ａは、一定間隔をあけた経糸と、一定間隔をあけた緯糸とで織られている。このような経糸及び緯糸を用いて製織された繊維体には、経糸及び緯糸が存在しない領域を有する。このような繊維体１３２ａは、有機樹脂１３２ｂが含浸される割合が高まり、繊維体１３２ａと発光素子との密着性を高めることができる。
また繊維体１３２ａは、経糸及び緯糸の密度が高く、経糸及び緯糸が存在しない領域の割合が低いものでもよい。
また、繊維糸束内部への有機樹脂の浸透率を高めるため、繊維に表面処理が施されても良い。例えば、繊維表面を活性化させるためのコロナ放電処理、プラズマ放電処理等がある。また、シランカップリング剤、チタネートカップリング剤を用いた表面処理がある。
なお繊維体に有機樹脂が含浸された構造体は、複数層を積層させてもよい。この場合、単層の繊維体に有機樹脂が含浸された構造体を複数積層させることで構造体を形成してもよいし、複数の積層された繊維体に有機樹脂を含浸させた構造体を第１の基板１３２又は第２の基板１３３として用いても良い。また、単層の繊維体に有機樹脂が含浸された構造体を複数積層させる際、各構造体間に別の層を挟むようにしても良い。
第１の基板１３２及び第２の基板１３３によって挟持された素子部１７０は、発光素子１４０と、その発光素子１４０に電位をかけるためのスイッチング素子とを少なくとも有する。本実施の形態では、スイッチング素子として薄膜トランジスタ１０６を用いるものとする。また、発光装置をドライバ一体型として素子部１７０に駆動回路部を含めても良い。なお、封止された基板の外部に駆動回路を形成することもできる。
発光素子１４０は、第１の電極１２２、第１の電極の端部を覆う絶縁層１３７、ＥＬ層１３４、及び第２の電極１３６を有している。第１の電極１２２及び第２の電極１３６は、一方が陽極として用いられ、他方が陰極として用いられる。図２の発光素子１４０は、実施の形態１で示した発光素子１４０と同様の構成とすることができる。
絶縁層１３７は、凸状部を有している。本実施の形態では、絶縁層１３７が、第１の絶縁層１３７ａと第２の絶縁層１３７ｂの２層が積層された構造を示す。また、絶縁層１３７は、珪素の酸化物や珪素の窒化物等の無機材料、ポリイミド、ポリアミド、ベンゾシクロブテン、アクリル、エポキシ等の有機材料やシロキサン材料等により形成されている。なお、絶縁層１３７を構成する第１の絶縁層１３７ａ及び第２の絶縁層１３７ｂは、同じ材料を用いて形成しても、又は別々の材料を用いて形成しても構わない。
絶縁層１３７が凸状部を有し、樹脂膜１３０がこの凸状部を埋没させることで、絶縁層１３７と、樹脂膜１３０との密着性を向上させることができる。よって、製造された発光装置を信頼性の高い発光装置とすることができる。また、絶縁層１３７と、樹脂膜１３０との密着性を向上すると、発光装置の製造工程において、発光素子内部での剥離を生じさせることなく、発光素子を可撓性基板へ転写することが可能となる。よって、信頼性の高い発光装置を歩留まり良く製造することができる。
なお、本実施の形態において第１及び第２の基板として機能する構造体に含まれる繊維体１３２ａは高強度繊維で形成されており、高強度繊維は、引っ張り弾性率が高い、またはヤング率が高い。このため、発光装置に点圧や線圧等の局所的な押圧がかかっても高強度繊維は延伸せず、押圧された力が繊維体１３２ａ全体に分散され、発光装置全体で湾曲するようになる。この結果、局所的な押圧が加えられても、発光装置で生じる湾曲は曲率半径の大きなものとなり、一対の構造体によって挟持された発光素子、配線等に亀裂が生じず、発光装置の破壊を低減することができる。
また、素子部１７０の厚さを薄くすることで、発光装置を湾曲させることが可能となる。従って、本実施の形態の発光装置を様々な基材に接着することができ、曲面を有する基材に貼りつければ、曲面を有するディスプレイ、照明が実現できる。また、素子部１７０の厚さを薄くすることで、発光装置を軽量化させることができる。
なお、本実施の形態は他の実施の形態と適宜組み合わせて用いることができる。
（実施の形態３）
本実施の形態では、実施の形態２に示す発光装置の製造方法の一例について図面を参照して詳細に説明する。
まず、基板１００の一表面に剥離層１０２を形成し、続けて絶縁層１０４を形成する（図３（Ａ）参照）。剥離層１０２、絶縁層１０４は、連続して形成することができる。連続して形成することにより、大気に曝されないため不純物の混入を防ぐことができる。
基板１００は、ガラス基板、石英基板、金属基板やステンレス基板等を用いることができる。例えば、１辺が１メートル以上の矩形状のガラス基板を用いることにより、生産性を格段に向上させることができる。
なお、本工程では、剥離層１０２を基板１００の全面に設ける場合を示しているが、必要に応じて、基板１００の全面に剥離層１０２を設けた後に当該剥離層１０２を選択的に除去し、所望の領域にのみ剥離層を設けてもよい。また、基板１００に接して剥離層１０２を形成しているが、必要に応じて、基板１００に接するように酸化珪素膜、酸化窒化珪素膜、窒化珪素膜、窒化酸化珪素膜等の絶縁層を形成し、当該絶縁層に接するように剥離層１０２を形成してもよい。
剥離層１０２は、スパッタリング法やプラズマＣＶＤ法、塗布法、印刷法等により、厚さ３０ｎｍ〜２００ｎｍのタングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、亜鉛（Ｚｎ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）、及び珪素（Ｓｉ）の中から選択された元素、又は元素を主成分とする合金材料、又は元素を主成分とする化合物材料からなる層を、単層または複数の層を積層させて形成する。珪素を含む層の結晶構造は、非晶質、微結晶、多結晶のいずれの場合でもよい。ここでは、なお、塗布法は、溶液を被処理物上に吐出させて成膜する方法であり、例えばスピンコーティング法や液滴吐出法を含む。また、液滴吐出法とは微粒子を含む組成物の液滴を微細な孔から吐出して所定の形状のパターンを形成する方法である。
剥離層１０２が単層構造の場合、好ましくは、タングステン、モリブデン、又はタングステンとモリブデンの混合物を含む層を形成する。又は、タングステンの酸化物若しくは酸化窒化物を含む層、又はタングステンとモリブデンの混合物の酸化物若しくは酸化窒化物を含む層を形成する。なお、タングステンとモリブデンの混合物とは、例えば、タングステンとモリブデンの合金に相当する。
剥離層１０２が積層構造の場合、好ましくは、１層目として金属層を形成し、２層目として金属酸化物層を形成する。例えば、１層目の金属層として、タングステン、モリブデン、又はタングステンとモリブデンの混合物を含む層を形成し、２層目として、タングステン、モリブデン、又はタングステンとモリブデンの混合物の酸化物、タングステン、又はタングステンとモリブデンの混合物の窒化物、タングステン、又はタングステンとモリブデンの混合物の酸化窒化物、又はタングステン、又はタングステンとモリブデンの混合物の窒化酸化物を含む層を形成する。
剥離層１０２として、１層目として金属層、２層目として金属酸化物層の積層構造を形成する場合、金属層としてタングステンを含む層を形成し、その上層に酸化物で形成される絶縁層を形成することで、タングステンを含む層と絶縁層との界面に、金属酸化物層としてタングステンの酸化物を含む層が形成されることを活用してもよい。さらには、金属層の表面を、熱酸化処理、酸素プラズマ処理、オゾン水等の酸化力の強い溶液での処理等を行って金属酸化物層を形成してもよい。
絶縁層１０４は、保護層として機能し、後の剥離工程において剥離層１０２との界面での剥離が容易となるように、又は後の剥離工程において半導体素子や配線に亀裂やダメージが入るのを防ぐために設ける。例えば、絶縁層１０４として、スパッタリング法やプラズマＣＶＤ法、塗布法、印刷法等により、無機化合物を用いて単層又は多層で形成する。無機化合物の代表例としては、酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素、窒化酸化珪素等がある。なお、絶縁層１０４として、窒化珪素、窒化酸化珪素、酸化窒化珪素等を用いることにより、外部から後に形成される素子層へ水分や、酸素等の気体が侵入することを防止することができる。保護層として機能する絶縁層の厚さは１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下、さらには１００ｎｍ以上７００ｎｍ以下が好ましい。
次に、絶縁層１０４上に薄膜トランジスタ１０６を形成する（図３（Ｂ）参照）。薄膜トランジスタ１０６は、少なくともソース領域、ドレイン領域及びチャネル形成領域を有する半導体層１０８、ゲート絶縁層１１０、ゲート電極１１２で構成される。
半導体層１０８は、好ましくは厚さ１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下、さらに好ましくは２０ｎｍ以上７０ｎｍ以下で形成される。半導体層１０８を形成する材料は、シランやゲルマンに代表される半導体材料を用いて気相成長法やスパッタリング法で作製される非晶質半導体、該非晶質半導体を光エネルギーや熱エネルギーを利用して結晶化させた多結晶半導体、或いは微結晶半導体、有機材料を主成分とする半導体などを用いることができる。半導体層に結晶性半導体層を用いる場合、その結晶性半導体層の作製方法は、レーザ光の照射、瞬間熱アニール（ＲＴＡ）やファーネスアニール炉を用いた熱処理、又はこれらの方法を組み合わせた方法を適用することができる。加熱処理においては、シリコン半導体の結晶化を助長する作用のあるニッケルなどの金属元素を用いた結晶化法を適用することができる。
また、半導体の材料としてはシリコン（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）などの単体のほかＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＳｉＣ、ＺｎＳｅ、ＧａＮ、ＳｉＧｅなどのような化合物半導体も用いることができる。また酸化物半導体である酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、酸化マグネシウム亜鉛、酸化ガリウム、インジウム酸化物、及び上記酸化物半導体の複数より構成される酸化物半導体などを用いることができる。例えば、酸化亜鉛とインジウム酸化物と酸化ガリウムとから構成される酸化物半導体なども用いることができる。なお、酸化亜鉛を半導体層に用いる場合、ゲート絶縁層をＹ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、それらの積層などを用いるとよく、ゲート電極層、ソース電極層、ドレイン電極層としては、ＩＴＯ、Ａｕ、Ｔｉなどを用いるとよい。また、ＺｎＯにＩｎやＧａなどを添加することもできる。
ゲート絶縁層１１０は、厚さ５ｎｍ以上２００ｎｍ以下、好ましくは１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の酸化珪素及び酸化窒化珪素などの無機絶縁物で形成する。
ゲート電極１１２は、金属または一導電型の不純物を添加した多結晶半導体で形成することができる。金属を用いる場合は、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、アルミニウム（Ａｌ）などを用いることができる。また、金属を窒化させた金属窒化物を用いることができる。或いは、当該金属窒化物からなる第１層と当該金属から成る第２層とを積層させた構造としても良い。このとき第１層を金属窒化物とすることで、バリアメタルとすることができる。すなわち、第２層の金属が、ゲート絶縁層やその下層の半導体層に拡散することを防ぐことができる。また、積層構造とする場合には、第１層の端部が第２層の端部より外側に突き出した形状としても良い。
半導体層１０８、ゲート絶縁層１１０、ゲート電極１１２等を組み合わせて構成される薄膜トランジスタ１０６は、シングルドレイン構造、ＬＤＤ（低濃度ドレイン）構造、ゲートオーバーラップドレイン構造など各種構造を適用することができる。ここでは、ゲート電極１１２の側面に接する絶縁層（「サイドウォール」ともよばれる）を用いて低濃度不純物領域が設けられたＬＤＤ構造の薄膜トランジスタを示している。さらには、等価的には同電位のゲート電圧が印加されるトランジスタが直列に接続された形となるマルチゲート構造、半導体層の上下をゲート電極で挟むデュアルゲート構造等で形成される薄膜トランジスタ等を適用することができる。なお、図面においては、トップゲート構造の薄膜トランジスタの一例を示したが、もちろんその他、ボトムゲート構造や公知の他の構造の薄膜トランジスタを用いても構わない。
また、薄膜トランジスタとして金属酸化物や有機半導体材料を半導体層に用いた薄膜トランジスタを用いることが可能である。金属酸化物の代表的には酸化亜鉛や亜鉛ガリウムインジウムの酸化物等がある。
なお、薄膜トランジスタとして、比較的低温（５００℃未満）のプロセスで作製される薄膜トランジスタを形成する場合には、モリブデン（Ｍｏ）、モリブデンを主成分とする合金材料、又はモリブデン元素を主成分とする化合物材料からなる層を単層、又は複数積層させて剥離層１０２を形成するのが好ましい。
次に、薄膜トランジスタ１０６のソース領域、ドレイン領域に電気的に接続する配線１１８を形成し、当該配線１１８に電気的に接続する第１の電極１２２を形成する（図３（Ｃ）参照）。
ここでは、薄膜トランジスタ１０６を覆うように絶縁層１１４、１１６を形成し、絶縁層１１６上にソース電極、ドレイン電極としても機能しうる配線１１８を形成する。その後、配線１１８上に絶縁層１２０を形成し、当該絶縁層１２０上に第１の電極１２２を形成する。
絶縁層１１４、１１６は、層間絶縁層として機能する。絶縁層１１４、１１６は、ＣＶＤ法、スパッタ法、ＳＯＧ法、液滴吐出法、スクリーン印刷法等により、珪素の酸化物や珪素の窒化物等の無機材料、ポリイミド、ポリアミド、ベンゾシクロブテン、アクリル、エポキシ等の有機材料やシロキサン材料等により、単層または積層で形成する。ここでは、１層目の絶縁層１１４として窒化酸化珪素膜で形成し、２層目の絶縁層１１６として酸化窒化珪素膜で形成することができる。
配線１１８は、チタン（Ｔｉ）とアルミニウム（Ａｌ）の積層構造、モリブデン（Ｍｏ）とアルミニウム（Ａｌ）との積層構造など、アルミニウム（Ａｌ）のような低抵抗材料と、チタン（Ｔｉ）やモリブデン（Ｍｏ）などの高融点金属材料を用いたバリアメタルとの組み合わせで形成することが好ましい。
絶縁層１２０は、ＣＶＤ法、スパッタ法、ＳＯＧ法、液滴吐出法、スクリーン印刷法等により、珪素の酸化物や珪素の窒化物等の無機材料、ポリイミド、ポリアミド、ベンゾシクロブテン、アクリル、エポキシ等の有機材料やシロキサン材料等により、単層または積層で形成する。ここでは、絶縁層１２０として、スクリーン印刷法を用いてエポキシで設ける。
第１の電極１２２は、発光素子の陽極又は陰極として用いられる電極である。陽極として用いる場合には、仕事関数の大きい材料を用いることが望ましい。例えば、インジウム錫酸化物膜、珪素を含有したインジウム錫酸化物膜、酸化インジウムに２〜２０ｗｔ％の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合したターゲットを用いてスパッタ法により形成した透光性を有する導電膜、酸化亜鉛（ＺｎＯ）膜、窒化チタン膜、クロム膜、タングステン膜、Ｚｎ膜、Ｐｔ膜などの単層膜の他、窒化チタンとアルミニウムを主成分とする膜との積層、窒化チタン膜とアルミニウムを主成分とする膜と窒化チタン膜との３層構造等を用いることができる。なお、陽極を積層構造とすると、配線としての抵抗も低く、良好なオーミックコンタクトがとれる。
また、陰極として用いる場合には、仕事関数の小さい材料（Ａｌ、Ａｇ、Ｌｉ、Ｃａ、またはこれらの合金ＭｇＡｇ、ＭｇＩｎ、ＡｌＬｉ、ＣａＦ２、または窒化カルシウム）を用いることが好ましい。なお、陰極として用いる第１の電極１２２を透光性とする場合には、電極として、膜厚を薄くした金属薄膜と、透光性を有する導電膜（インジウム錫酸化物膜、珪素を含有したインジウム錫酸化物膜、酸化インジウムに２〜２０ｗｔ％の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合したターゲットを用いてスパッタ法により形成した透光性を有する導電膜、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等）との積層を用いるのが良い。
次いで、第１の電極１２２の端部を覆うように、第１の絶縁層１３７ａを形成する（図３（Ｄ）参照）。本実施の形態においては、ポジ型の感光性アクリル樹脂膜を用いることにより、第１の絶縁層１３７ａを形成する。第１の絶縁層１３７ａの被覆性を良好なものとするため、その上端部または下端部に曲率を有する曲面が形成されるように設けるのが好ましい。例えば、第１の絶縁層１３７ａの材料としてポジ型の感光性アクリルを用いた場合、第１の絶縁層１３７ａの上端部のみに曲率半径（０．２μｍ〜３μｍ）を有する曲面を持たせることが好ましい。第１の絶縁層１３７ａとしては、感光性の光によってエッチャントに不溶解性となるネガ型、或いは光によってエッチャントに溶解性となるポジ型のいずれも使用することができる。他にも、第１の絶縁層１３７ａとして珪素の酸化物や珪素の窒化物等の無機材料、エポキシ、ポリイミド、ポリアミド、ポリビニルフェノール、ベンゾシクロブテン等の有機材料やシロキサン樹脂等のシロキサン材料からなる単層または積層構造で設けることができる。
次いで、第１の絶縁層１３７ａ上に、第２の絶縁層１３７ｂを形成する。第２の絶縁層１３７ｂは、第１の絶縁層１３７ａと同様に、珪素の酸化物や珪素の窒化物等の無機材料、ポリイミド、ポリアミド、ベンゾシクロブテン、アクリル、エポキシ等の有機材料やシロキサン材料等により形成されている。なお、第１の絶縁層１３７ａ及び第２の絶縁層１３７ｂは、同じ材料を用いて形成しても、又は別々の材料を用いて形成しても構わない。また、第２の絶縁層１３７ｂと第１の絶縁層１３７ａとの接触面積は、第１の絶縁層１３７ａの上面積よりも小さく、第２の絶縁層１３７ｂが、第１の絶縁層１３７ａ上に収まるように形成するのが好ましい。なお、第２の絶縁層１３７ｂは、フォトリソグラフィ法の他、スクリーン印刷法、又はインクジェット法等により形成することができる。これによって、第１の絶縁層１３７ａと第２の絶縁層１３７ｂの２層よりなる絶縁層１３７が形成される。
なお、絶縁層１３７にプラズマ処理を行い、当該絶縁層１３７を酸化または窒化することによって、絶縁層１３７の表面を改質して緻密な膜を得ることも可能である。絶縁層１３７の表面を改質することによって、当該絶縁層１３７の強度が向上し開口部等の形成時におけるクラックの発生やエッチング時の膜減り等の物理的ダメージを低減することが可能となる。
次に、第１の電極１２２上に、ＥＬ層１３４を形成する。ＥＬ層１３４には、低分子系材料および高分子系材料のいずれを用いることもできる。なお、ＥＬ層１３４を形成する材料には、有機化合物材料のみから成るものだけでなく、無機化合物を一部に含む構成も含めるものとする。ＥＬ層１３４は、少なくとも発光層を有し、発光層一層でなる単層構造であっても、各々異なる機能を有する層からなる積層構造であっても良い。例えば、発光層の他に、正孔注入層、正孔輸送層、キャリアブロッキング層、電子輸送層、電子注入層等、各々の機能を有する機能層を適宜組み合わせて構成することができる。なお、それぞれの層の有する機能を２つ以上同時に有する層を含んでいても良い。
また、ＥＬ層１３４の形成には、蒸着法、インクジェット法、スピンコート法、ディップコート法、ノズルプリンティング法など、湿式、乾式を問わず、用いることができる。
次いで、ＥＬ層１３４上に、第２の電極１３６を形成する。これによって、第１の電極１２２、第１の電極１２２の端部を覆う絶縁層１３７、ＥＬ層１３４、第２の電極１３６が積層された発光素子１４０を形成することができる。なお、第１の電極１２２及び第２の電極１３６は、一方を陽極として用い、他方を陰極として用いる。
本実施の形態においては、第１の電極１２２を陽極として用い、ＥＬ層１３４は、第１の電極１２２側から順に、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子注入層が積層された構造とする。発光層としては種々の材料を用いることができる。例えば、蛍光を発光する蛍光性化合物や燐光を発光する燐光性化合物を用いることができる。
なお、第１の電極１２２を陰極として用いる場合には、第１の電極１２２と接続する薄膜トランジスタ１０６は、ｎチャネル型トランジスタであることが好ましい。
次いで、発光素子１４０を覆うように、第２の電極１３６上に絶縁層１３８を形成する（図４（Ａ）参照）。これによって、薄膜トランジスタ１０６及び発光素子１４０を含む素子部１７０を形成することができる。絶縁層１３８は、発光素子１４０の保護層として機能し、後の第２の基板の圧着工程等においてＥＬ層１３４に水分やダメージが入るのを防ぐために設ける。また、後の第２の基板を圧着させた場合にＥＬ層１３４が加熱されるのを低減させるための断熱層としても機能する。例えば、絶縁層１３８として、スパッタリング法やプラズマＣＶＤ法、塗布法、印刷法等により、無機化合物を用いて単層又は多層で形成する。無機化合物の代表例としては、酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素、窒化酸化珪素等がある。また、カバレッジの良い膜を絶縁層１３８として用いることが好ましい。また、絶縁層１３８を有機化合物と無機化合物の積層膜としても良い。なお、絶縁層１３８として、窒化珪素、窒化酸化珪素、酸化窒化珪素等を用いることにより、外部から後に形成される素子層へ水分や、酸素等の気体が侵入することを防止することができる。保護層として機能する絶縁層の厚さは１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下、さらには１００ｎｍ以上７００ｎｍ以下が好ましい。
次に、図４（Ｂ）に示すように、素子部１７０上に樹脂膜１３０を形成する。樹脂膜１３０は、例えば、塗布法を用いて組成物を塗布し、乾燥加熱して形成することができる。樹脂膜１３０は後の剥離工程において発光素子の保護層として機能するため、表面の凹凸の少ない膜であることが好ましい。また、絶縁層１３８と密着性の良好な材料を用いるものとする。具体的には、塗布法を用いて樹脂膜１３０を形成する場合、例えば、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、メラミン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリアセタール、ポリエーテル、ポリウレタン、ポリアミド（ナイロン）、フラン樹脂、ジアリルフタレート樹脂等の有機化合物、シリカガラスに代表されるシロキサンポリマー系材料を出発材料として形成された珪素、酸素、水素からなる化合物のうちＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を含む無機シロキサンポリマー、又はアルキルシロキサンポリマー、アルキルシルセスキオキサンポリマー、水素化シルセスキオキサンポリマー、水素化アルキルシルセスキオキサンポリマーに代表される珪素に結合される水素がメチルやフェニルのような有機基によって置換された有機シロキサンポリマー等を用いることができる。または、樹脂膜１３０として繊維体に有機樹脂が含浸された構造体を用いることもできる。
なお、発光素子１４０の第２の電極１３６側から発光を取り出す場合には、樹脂膜１３０は、少なくとも発光装置の表示面においては、透光性を有する材料を用いて形成する、又は、光を透過する膜厚で形成するものとする。発光素子１４０の第１の電極１２２側からのみ発光を取り出す場合には、透光性を有する樹脂膜１３０としなくても構わない。
次いで、樹脂膜１３０上に粘着シート１３１を貼り合わせて設ける。粘着シート１３１は、光または熱により剥離可能なシートを適用する。粘着シート１３１を貼り合わせることにより、剥離が容易に行えると共に剥離の前後において素子部１７０に加わる応力を低減し、薄膜トランジスタ１０６及び発光素子１４０の破損を抑制することが可能となる。なお、１枚の基板から複数の発光装置のパネルを形成する（多面取りする）場合には、粘着シート１３１を設ける前に、パネルを形成する各々の領域の端部においてエッチングし、それぞれのパネルを構成する素子部毎に分離することができる。または、第１の基板及び第２の基板で挟持した後に、ダイシング等によって素子部毎に分離しても良い。
次に、薄膜トランジスタ１０６、発光素子１４０等を含む素子部１７０を基板１００から剥離する（図４（Ｃ）参照）。剥離方法としては、様々な方法を用いることができる。例えば、剥離層１０２として絶縁層１０４に接する側に金属酸化層を形成した場合には、当該金属酸化層を結晶化により脆弱化して、素子部１７０を基板１００から剥離することができる。また、基板１００として透光性を有する基板を用い、剥離層１０２として窒素、酸素や水素等を含む膜（例えば、水素を含む非晶質珪素膜、水素含有合金膜、酸素含有合金膜など）を用いた場合には、基板１００から剥離層１０２にレーザ光を照射して、剥離層内に含有する窒素、酸素や水素を気化させて、基板１００と剥離層１０２との間で剥離する方法を用いることができる。または、剥離層１０２をエッチングにより除去することで、素子部１７０を基板１００から剥離しても良い。
または、基板１００を機械的に研磨し除去する方法や、基板１００をＮＦ３、ＢｒＦ３、ＣｌＦ３等のフッ化ハロゲンガスまたはＨＦによるエッチングで除去する方法等を用いることができる。この場合、剥離層１０２を用いなくともよい。また、剥離層１０２として絶縁層１０４に接する側に金属酸化層を形成し、当該金属酸化膜を結晶化により脆弱化し、さらに剥離層１０２の一部を溶液やＮＦ３、ＢｒＦ３、ＣｌＦ３等のフッ化ハロゲンガスによりエッチングで除去した後、脆弱化された金属酸化層において剥離することができる。
また、レーザ光の照射、ガスや溶液などによるエッチング、又は、鋭いナイフやメスなどを用いて、剥離層１０２を露出させる溝を形成し、溝をきっかけとして剥離層１０２と保護層として機能する絶縁層１０４の界面において素子部１７０を基板１００から剥離することもできる。剥離方法としては、例えば、機械的な力を加えること（人間の手や把治具で引き剥がす処理や、ローラーを回転させながら分離する処理等）を用いて行えばよい。また、溝に液体を滴下し、剥離層１０２及び絶縁層１０４の界面に液体を浸透させて剥離層１０２から素子部１７０を剥離してもよい。また、溝にＮＦ３、ＢｒＦ３、ＣｌＦ３等のフッ化ガスを導入し、剥離層をフッ化ガスでエッチングし除去して、絶縁表面を有する基板から素子部１７０を剥離する方法を用いることができる。また、剥離を行う際に水などの液体をかけながら剥離してもよい。
その他の剥離方法としては、剥離層１０２をタングステンで形成した場合は、アンモニア水と過酸化水素水の混合溶液により剥離層をエッチングしながら剥離を行うことができる。
一般に、有機化合物を含むＥＬ層と、無機化合物で形成される第２の電極との密着性は非常に低く、剥離工程においてＥＬ層と第２の電極との界面で膜剥がれが生じることがある。しかしながら、本実施の形態で示す発光素子１４０は、絶縁層１３７が凸状部を有しており、樹脂膜１３０が絶縁層１３７（または、絶縁層１３７の凸状部）を埋没させている。この絶縁層１３７が樹脂膜１３０内においてくさびのような働きをする（いわゆるアンカー効果を有する）ため、樹脂膜１３０と絶縁層１３７との密着性が高くなる。従って、剥離工程においてＥＬ層１３４と第２の電極１３６の界面では剥離しにくくなり、歩留まり良く素子部１７０を基板１００から剥離することができる。
次に、剥離した素子部１７０の剥離面（剥離により露出した絶縁層１０４表面）側に、第１の基板１３２を設ける。本実施の形態においては、第１の基板１３２として、繊維体１３２ａに有機樹脂１３２ｂが含浸された第１の構造体を設ける（図５（Ａ）参照）。このような構造体は、プリプレグとも呼ばれる。
プリプレグは、繊維体にマトリックス樹脂を有機溶剤で希釈したワニスを含浸させた後、乾燥して有機溶剤を揮発させてマトリックス樹脂を半硬化させたものである。構造体の厚さは、１０μｍ以上１００μｍ以下、さらには１０μｍ以上３０μｍが好ましい。このような厚さの構造体を用いることで、薄型で湾曲することが可能な発光装置を製造することができる。
有機樹脂１３２ｂとしては、熱硬化性樹脂、紫外線硬化樹脂等を用いることができ、具体的には、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂又はシアネート樹脂等を用いることができる。また、ポリフェニレンオキシド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂又はフッ素樹脂等の熱可塑性樹脂を用いてもよい。上記有機樹脂を用いることで、熱処理により繊維体を半導体集積回路に固着することができる。なお、有機樹脂１３２ｂはガラス転移温度が高いほど、局所的押圧に対して破壊しにくいため好ましい。
有機樹脂１３２ｂまたは繊維体１３２ａの糸束内に高熱伝導性フィラーを分散させてもよい。高熱伝導性フィラーとしては、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化珪素、アルミナ等が挙げられる。また、高熱伝導性フィラーとしては、銀、銅等の金属粒子がある。導電性フィラーが有機樹脂または繊維糸束内に含まれることにより発熱を外部に放出しやすくなるため、発光装置の蓄熱を抑制することが可能であり、発光装置の破壊を低減することができる。
繊維体１３２ａは、有機化合物または無機化合物の高強度繊維を用いた織布または不織布であり、部分的に重なるように配置する。高強度繊維としては、具体的には引張弾性率またはヤング率の高い繊維である。高強度繊維の代表例としては、ポリビニルアルコール系繊維、ポリエステル系繊維、ポリアミド系繊維、ポリエチレン系繊維、アラミド系繊維、ポリパラフェニレンベンゾビスオキサゾール繊維、ガラス繊維、または炭素繊維が挙げられる。ガラス繊維としては、Ｅガラス、Ｓガラス、Ｄガラス、Ｑガラス等を用いたガラス繊維が挙げられる。なお、繊維体１３２ａは、一種類の上記高強度繊維で形成されてもよい。また、複数の上記高強度繊維で形成されてもよい。なお、繊維体１３２ａと有機樹脂１３２ｂとは、同程度の屈折率を有する材料を用いるのが好ましい。
また、繊維体１３２ａは、繊維（単糸）の束（以下、糸束と呼ぶ）を経糸及び緯糸に使って製織した織布、または複数種の繊維の糸束をランダムまたは一方向に堆積させた不織布であってもよい。織布の場合、平織り、綾織り、しゅす織り等を適宜用いることができる。
糸束の断面は、円形でも楕円形でもよい。繊維糸束として、高圧水流、液体を媒体とした高周波の振動、連続超音波の振動、ロールによる押圧等によって、開繊加工をした繊維糸束を用いてもよい。開繊加工をした繊維糸束は、糸束幅が広くなり、厚み方向の単糸数を削減することが可能であり、糸束の断面が楕円形または平板状となる。また、繊維糸束として低撚糸を用いることで、糸束が扁平化やすく、糸束の断面形状が楕円形状または平板形状となる。このように、断面が楕円形または平板状の糸束を用いることで、繊維体１３２ａを薄くすることが可能である。このため、構造体を薄くすることが可能であり、薄型の発光装置を製造することができる。
次に、第１の基板１３２として用いる第１の構造体を加熱し圧着して第１の構造体の有機樹脂１３２ｂを可塑化、半硬化、又は硬化する。第１の基板１３２を加熱する場合、加熱温度は１００℃以下とするのが好ましい。なお、有機樹脂１３２ｂが可塑性有機樹脂の場合、この後、室温に冷却することにより可塑化した有機樹脂を硬化する。又は、第１の構造体に紫外光を照射し圧着して有機樹脂１３２ｂを半硬化、又は硬化しても良い。有機樹脂１３２ｂは加熱若しくは紫外光照射、及び圧着により、素子形成層１２４の表面に有機樹脂１３２ｂが均一に広がり硬化する。第１の構造体を圧着する工程は、大気圧下または減圧下で行うことができる。
第１の構造体を圧着後、粘着シート１３１を除去して、樹脂膜１３０を露出させる。次いで、樹脂膜１３０上に、第２の基板１３３を設ける（図５（Ｂ）参照）。本実施の形態においては、第２の基板１３３も第１の基板１３２と同様、繊維体に有機樹脂が含浸された第２の構造体を用いる。その後、第２の構造体を加熱し圧着して、第２の構造体の有機樹脂１３２ｂを可塑化、又は硬化する。又は、第２の構造体に紫外光を照射し圧着して有機樹脂１３２ｂを硬化しても良い。なお、樹脂膜１３０を、第２の基板１３３として機能させることも可能である。この場合、新たに第２の基板１３３を設けなくとも良い。
以上によって、第１及び第２の基板によって挟持された発光素子を有する本実施の形態の発光装置を形成することができる。
なお、本実施の形態において、隔壁として機能する絶縁層１３７は、第１の絶縁層１３７ａと第１の絶縁層１３７ａ上に１層形成された第２の絶縁層１３７ｂからなる凸状部を有する構造としたが、本発明の実施の形態はこれに限られない。隔壁として機能する絶縁層は、樹脂膜１３０中に埋め込まれて、樹脂膜１３０との密着性を向上させるために表面積が大きく形成されており、凸状部を有していれば良い。例えば、図６（Ａ）に図示する発光素子のように、第１の絶縁層１３７ａ上に、２つの第２の絶縁層１３７ｂを設けた凸状部を有する絶縁層１３７を形成してもよい。第２の絶縁層１３７ｂは、フォトリソグラフィ法、スクリーン印刷法、インクジェット法等によって形成することが可能である。また、図６（Ｂ）に図示する発光素子のように、第１の絶縁層１３７ａ上に、３つの第２の絶縁層１３７ｂを設けた凸状部を有する絶縁層１３７を形成しても良い。絶縁層１３７の表面積を大きくするほど、アンカー効果をより増大し、絶縁層１３７と樹脂膜１３０の密着性を向上させることができるため好ましい。なお、第１の電極の端部を覆う一対の絶縁層１３７において、それぞれの絶縁層１３７の有する凸状部の個数が異なっていても構わない。なお、第１の絶縁層１３７ａ上に複数の第２の絶縁層１３７ｂを設ける場合、複数の第２の絶縁層１３７ｂと第１の絶縁層１３７ａとの接触面積は、第１の絶縁層１３７ａの上面積よりも小さく、複数の第２の絶縁層１３７ｂが、第１の絶縁層１３７ａ上に収まるように形成するのが好ましい。
また、図６（Ｃ）に図示する発光素子のように絶縁層１３７を３層以上の積層構造としても良い。ただし、絶縁層１３７の膜厚（絶縁層１２０表面から絶縁層１３７の最表面までの高さ）は、３００ｎｍ以上５μｍ以下とするのが好ましい。絶縁層の膜厚を３００ｎｍ以上とすることで絶縁性が良好となる。また、５μｍ以下とすることで生産性良く絶縁層１３７を形成することができる。
なお、本実施の形態においては、第１の基板１３２及び第２の基板１３３として、繊維体に有機樹脂が含浸された構造体（いわゆるプリプレグ）を用いた例を示したが、本発明の実施の形態はこれに限られない。例えば、第１の基板１３２又は第２の基板１３３として、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂、アクリル樹脂、ポリアクリルニトリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート樹脂（ＰＣ）、ポリエーテルスルフォン樹脂（ＰＥＳ）、ポリアミド樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂等からなる可撓性を有する基板若しくはフィルムなどを用い、接着剤によって絶縁層１０４又は樹脂膜１３０と貼り合わせることができる。接着剤の材料としては、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、紫外線硬化型接着剤など光硬化型の接着剤や嫌気型接着剤など各種硬化型接着剤を用いることができる。これらの接着剤の材質としてはエポキシ樹脂やアクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂などを用いることができる。ただし、少なくとも発光素子１４０の光の取り出し方向に位置する基板には、透光性を有する基板を用いるものとする。
また、第１の基板１３２又は第２の基板１３３として、金属基板を用いてもよい。金属基板は可撓性を得るためにその膜厚は１０μｍ以上２００μｍ以下のものを用いるのが好ましい。なお、膜厚が２０μｍ以上１００μｍ以下のものが可撓性が高いためより好ましい。金属基板を構成する材料としては、特に限定はないが、アルミニウム、銅、ニッケル等の金属や、アルミニウム合金若しくはステンレスなどの金属の合金などを好適にもちいることができる。これらの金属基板は、接着剤によって絶縁層１０４又は樹脂膜１３０と貼り合わせることができる。なお、金属基板は、接着剤を用いて接着する前に、真空中でのベークやプラズマ処理を行うことによって、その表面に付着した水を取り除いておくことが好ましい。
金属基板は透水性が低いため、発光装置の支持体として用いることで、発光素子１４０への水分の侵入を防ぐことができ、寿命の長い発光装置とすることが可能となる。なお、これらの金属基板は、透水性の低さと可撓性とを同時に持ち合わせているが、可視光に対する透光性が低いため、発光装置においては発光素子を挟持する一対の基板のうち、どちらか一方にのみ使用するのが好ましい。
また、図７（Ａ）に図示するように、樹脂膜１３０と、第２の基板１３３との間に乾燥剤１４２を設けてもよい。乾燥剤１４２を封入することで、水分などによる発光素子の劣化を防ぐことができる。乾燥剤としては、酸化カルシウムや酸化バリウム等のアルカリ土類金属の酸化物のような化学吸着によって水分を吸収する物質を用いることが可能である。その他の乾燥剤として、ゼオライトやシリカゲル等の物理吸着によって水分を吸着する物質を用いてもよい。なお、発光素子１４０の第２の電極１３６側から発光を取り出す場合には、画素領域と重ならない箇所（例えば、画素領域の周辺部）に乾燥剤を配置すると、開口率を下げることがないため好ましい。
また、図７（Ｂ）に図示するように、第１の基板１３２と第２の基板１３３の外側（発光素子１４０と反対側）に、それぞれ第１の衝撃緩和層１４４及び第２の衝撃緩和層１４６を設けた構成としてもよい。
衝撃緩和層は外部から発光装置にかかる力を拡散し、低減する効果がある。よって、図７（Ｂ）に示すように、発光装置に外部から与えられる力（外部ストレスともいう）を拡散する衝撃緩和層を設けることによって、局所的にかかる力を軽減することができるため、発光装置の強度を高め、破損や特性不良などを防止することが可能となる。
第１の衝撃緩和層１４４及び第２の衝撃緩和層１４６は、例えば、弾性率５ＧＰａ以上１２ＧＰａ以下、破断係数３００ＭＰａ以上のゴム弾性を有する膜を用いることができる。なお、第１の基板１３２及び第２の基板１３３より弾性率が低く、かつ破断強度が高い材料を用いるのが好ましい。
第１の衝撃緩和層１４４及び第２の衝撃緩和層１４６は、高強度材料で形成されていることが好ましい。高強度材料の代表例としては、ポリビニルアルコール樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリエチレン樹脂、アラミド樹脂、ポリパラフェニレンベンゾビスオキサゾール樹脂、ガラス樹脂等がある。弾性を有する高強度材料で形成される第１の衝撃緩和層１４４及び第２の衝撃緩和層１４６を設けると局所的な押圧などの荷重を層全体に拡散し吸収するために、発光装置の破損を防ぐことができる。
より具体的には、第１の衝撃緩和層１４４及び第２の衝撃緩和層１４６として、アラミド樹脂、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）樹脂、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）樹脂、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）樹脂、ポリイミド（ＰＩ）樹脂、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）樹脂などを用いることができる。本実施の形態では、第１の衝撃緩和層１４４及び第２の衝撃緩和層１４６としてアラミド樹脂を用いたアラミドフィルムを用いる。
第１の基板１３２と第１の衝撃緩和層１４４、または第２の基板１３３と第２の衝撃緩和層１４６とは、接着剤（図示しない）等によって接着することができる。なお、第１の基板１３２または第２の基板１３３として、繊維体に有機樹脂が含浸された構造体を用いると、接着剤を介さず直接加熱及び加圧処理によって接着することができる。
なお、図７（Ｂ）には、衝撃緩和層を第１の基板１３２及び第２の基板１３３の双方の外側に設けた例を示したが、衝撃緩和層は、第１の基板１３２又は第２の基板１３３のどちらか一方のみの外側に設けても構わない。但し、図７（Ｂ）に示すように素子部１７０に対して一対の衝撃緩和層を対称に設けると、発光装置にかかる力を均一に拡散できるため、曲げや反りなどに起因する素子部１７０の破損を防止できるため好ましい。また、一対の基板同士、または一対の衝撃緩和層同士をそれぞれ同材料及び同じ膜厚で作製すると、同等な特性を付与できるために、力の拡散効果はより高まる。
本実施の形態で示す発光装置は、絶縁層１３７が凸状部を有し、この凸状部が樹脂膜１３０に埋め込まれることで、絶縁層１３７と、樹脂膜１３０との密着性を向上させることができるため、発光装置の製造工程において、発光素子内部での剥離を生じさせることなく、発光素子を可撓性基板へ転写することが可能となる。よって、歩留まりよく発光装置を製造することが可能となる。また、製造された発光装置を信頼性の高い発光装置とすることができる。
また、本実施の形態の発光装置において、素子部を挟持する一対の構造体を設けることによって、局所的にかかる力を軽減することができるため、外部ストレスによる発光装置の破損や特性不良などを防止することが可能となる。よって、薄型化及び小型化を達成しながら耐性を有する信頼性の高い発光装置を提供することができる。また、製造工程においても外部ストレスに起因する形状や特性の不良を防ぎ、歩留まり良く発光装置を製造することができる。
なお、本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて用いることができる。
（実施の形態４）
本実施の形態では、モジュール型の発光装置（ＥＬモジュールとも表記する）の一例を図８の上面図及び断面図を用いて示す。
図８（Ａ）は、上記実施の形態に示す方法によって製造したＥＬモジュールを示す上面図、図８（Ｂ）は図８（Ａ）をＡ−Ａ’で切断した断面図である。図８（Ａ）において、第１の基板１３２上に、画素部５０２、ソース側駆動回路５０４、及びゲート側駆動回路５０３を形成されている。
なお、５０８はソース側駆動回路５０４及びゲート側駆動回路５０３に入力される信号を伝送するための配線であり、画素部のスイッチング素子に含まれる配線と同時に形成することができる。配線５０８は、外部入力端子となるＦＰＣ４０２（フレキシブルプリントサーキット）からビデオ信号、クロック信号、スタート信号、リセット信号等を受け取る。なお、ここではＦＰＣ４０２しか図示されていないが、このＦＰＣにはプリント配線基盤（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い。本明細書における発光装置には、発光装置本体だけでなく、それにＦＰＣもしくはＰＷＢが取り付けられた状態をも含むものとする。
次に、断面構造について図８（Ｂ）を用いて説明する。第１の基板１３２の上方には画素部５０２、ゲート側駆動回路５０３が形成されており、画素部５０２は薄膜トランジスタ１０６とそのドレインに電気的に接続された第１の電極を含む複数の画素により形成される。外部入力端子となるＦＰＣ４０２は、第１の基板１３２に設けられた配線５０８上に異方性導電剤等を介して貼りつけられている。異方性導電剤に含まれる導電性粒子により、配線５０８とＦＰＣ４０２に形成された配線とが電気的に接続する。図８において、ＦＰＣ４０２は、第１の基板１３２及び第２の基板１３３によって挟持されている。
以上によって、ＦＰＣ４０２が接続されたモジュール型の発光装置を得ることができる。
なお、本実施の形態は、他の実施の形態と自由に組み合わせて用いることができる。
（実施の形態５）
上記実施の形態で示した発光装置は、電子機器の表示部として用いることができる。本実施の形態で示す電子機器は、上記実施の形態で示した発光装置を有する。上記実施の形態で示した発光装置の製造方法によって、歩留まり良く、かつ信頼性の高い発光装置を得ることが可能になり、結果として、最終製品としての電子機器をスループット良く、良好な品質で製造することが可能になる。
上記実施の形態で示した発光装置は、例えば、表示装置、コンピュータ、携帯電話、カメラ等のあらゆる電子機器の表示部に用いることができる。上記実施の形態で示した発光装置を表示部に用いることで、薄型化及び軽量化され、かつ信頼性の高い電子機器を提供することが可能である。
図９（Ａ）はテレビ装置であり、筐体９１０１、支持台９１０２、表示部９１０３、スピーカー部９１０４、ビデオ入力端子９１０５等を含む。このテレビ装置の表示部９１０３は、上記実施の形態に示した発光装置を用いることによって製造される。フレキシブル且つ長寿命で簡便に製造できる上記実施の形態に記載の発光装置を搭載したテレビ装置は、表示部９１０３において、曲面の表示が可能かつ軽量化を実現しながら信頼性の高い商品とすることが可能となる。
図９（Ｂ）はコンピュータであり、本体９２０１、筐体９２０２、表示部９２０３、キーボード９２０４、外部接続ポート９２０５、ポインティングデバイス９２０６等を含む。このコンピュータの表示部９２０３は、上記実施の形態に示した発光装置を用いることによって製造される。フレキシブル且つ長寿命で簡便に製造できる上記実施の形態に記載の発光装置を搭載したコンピュータは、表示部９２０３において、曲面の表示が可能かつ軽量化を実現しながら信頼性の高い商品とすることが可能となる。
図９（Ｃ）は携帯電話であり、本体９４０１、筐体９４０２、表示部９４０３、音声入力部９４０４、音声出力部９４０５、操作キー９４０６、外部接続ポート９４０７等を含む。この携帯電話の表示部９４０３は、上記実施の形態に示した発光装置を用いることによって製造される。フレキシブル且つ長寿命で簡便に製造できる上記実施の形態に記載の発光装置を搭載した携帯電話は、表示部９４０３において、曲面の表示が可能かつ軽量化を実現しながら信頼性の高い商品とすることが可能となる。また軽量化が図られた本実施の形態における携帯電話には、様々な付加価値を備えても携帯に適した、重量に止めることができ、当該携帯電話は高機能な携帯電話としても適した構成となっている。
図９（Ｄ）はカメラであり、本体９５０１、表示部９５０２、筐体９５０３、外部接続ポート９５０４、リモコン受信部９５０５、受像部９５０６、バッテリー９５０７、音声入力部９５０８、操作キー９５０９、接眼部９５１０等を含む。このカメラの表示部９５０２は、上記実施の形態に示した発光装置を用いることによって製造される。フレキシブル且つ長寿命で簡便に製造できる上記実施の形態に記載の発光装置を搭載したカメラは、表示部９５０２において、曲面の表示が可能かつ軽量化を実現しながら信頼性の高い商品とすることが可能となる。
図９（Ｅ）はディスプレイであり、本体９６０１、表示部９６０２、外部メモリ挿入部９６０３、スピーカー部９６０４、操作キー９６０５等を含む。本体９６０１には他にテレビ受像アンテナや外部入力端子、外部出力端子、バッテリーなどが搭載されていても良い。このディスプレイの表示部９６０２は上記実施の形態に示した発光装置を用いることによって製造される。フレキシブルな表示部９６０２は本体９６０１内に巻き取ることで収納することが可能であり、携帯に好適である。フレキシブルな形状とすることが可能な上記実施の形態に記載の発光装置を搭載したディスプレイは、表示部９６０２において、携帯好適性かつ軽量化を実現しながら信頼性の高い商品とすることが可能となる。
以上の様に、上記実施の形態に示した発光装置を用いて製造された発光装置の適用範囲は極めて広く、この発光装置をあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。
また、上記実施の形態で示した発光装置は、照明装置として用いることもできる。照明装置として用いる一態様を、図１０を用いて説明する。
図１０は、上記実施の形態で一例を示した発光装置を、照明装置である電気スタンド３０００、及び室内の照明装置３００１、３００２として用いた例である。図１０に示す電気スタンド３０００は、光源として、上記実施の形態で一例を示した発光装置が用いられている。従って、軽量化を実現し、且つ信頼性の高い電気スタンドとすることができる。また、上記実施の形態に示す発光装置を用いることで、軽量化され、且つ信頼性の高い照明装置３００１、３００２を提供することができる。また、この発光装置は、フレキシブル化が可能であるため、例えば、照明装置３００２のように、ロール型の照明とすることが可能である。
また、照明装置としては、図１０で例示したものに限られず、住宅や公共施設の照明をはじめ、様々な形態の照明装置として応用することができる。このような場合において、上記実施の形態で示した発光装置を用いた照明装置は、発光媒体が薄膜状であるので、デザインの自由度が高く、様々な意匠を凝らした商品を市場に提供することができる。
なお、本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて用いることができる。
１００ 基板
１０２ 剥離層
１０４ 絶縁層
１０６ 薄膜トランジスタ
１０８ 半導体層
１１０ ゲート絶縁層
１１２ ゲート電極
１１４ 絶縁層
１１６ 絶縁層
１１８ 配線
１２０ 絶縁層
１２２ 電極
１２４ 素子形成層
１３０ 樹脂膜
１３１ 粘着シート
１３２ 基板
１３２ａ 繊維体
１３２ｂ 有機樹脂
１３３ 基板
１３４ ＥＬ層
１３６ 電極
１３７ 絶縁層
１３７ａ 絶縁層
１３７ｂ 絶縁層
１３８ 絶縁層
１４０ 発光素子
１４２ 乾燥剤
１４４ 衝撃緩和層
１４６ 衝撃緩和層
１７０ 素子部
２００ 基板
４０２ ＦＰＣ
５０２ 画素部
５０３ ゲート側駆動回路
５０４ ソース側駆動回路
５０８ 配線
３０００ 電気スタンド
３００１ 照明装置
３００２ 照明装置
９１０１ 筐体
９１０２ 支持台
９１０３ 表示部
９１０４ スピーカー部
９１０５ ビデオ入力端子
９２０１ 本体
９２０２ 筐体
９２０３ 表示部
９２０４ キーボード
９２０５ 外部接続ポート
９２０６ ポインティングデバイス
９４０１ 本体
９４０２ 筐体
９４０３ 表示部
９４０４ 音声入力部
９４０５ 音声出力部
９４０６ 操作キー
９４０７ 外部接続ポート
９５０１ 本体
９５０２ 表示部
９５０３ 筐体
９５０４ 外部接続ポート
９５０５ リモコン受信部
９５０６ 受像部
９５０７ バッテリー
９５０８ 音声入力部
９５０９ 操作キー
９５１０ 接眼部
９６０１ 本体
９６０２ 表示部
９６０３ 外部メモリ挿入部
９６０４ スピーカー部
９６０５ 操作キー

Claims (10)

  1. 可撓性を有する基板と、
    前記基板上に形成された第１の電極と、前記第１の電極の端部を覆い、且つ凸状部を有する絶縁層と、前記第１の電極に接するＥＬ層と、前記ＥＬ層に接する第２の電極と、を少なくとも含む発光素子と、
    前記凸状部を埋没させ、前記発光素子を覆う樹脂膜と、を有する発光装置。
  2. 請求項１において、
    前記基板又は前記樹脂膜のどちらか一方、または双方は、
    繊維体に有機樹脂が含浸された構造体である発光装置。
  3. 請求項１又は請求項２において、
    前記基板又は前記樹脂膜のどちらか一方、または双方の、前記発光素子と反対側の表面に衝撃緩和層を有する発光装置。
  4. 可撓性を有する第１の基板上と、
    前記第１の基板上に形成された第１の電極と、前記第１の電極の端部を覆い、且つ凸状部を有する絶縁層と、前記第１の電極に接するＥＬ層と、前記ＥＬ層に接する第２の電極と、を少なくとも含む発光素子と、
    前記凸状部を埋没させ、前記発光素子を覆う樹脂膜と、
    前記樹脂膜上に設けられた可撓性を有する第２の基板と、を有する発光装置。
  5. 可撓性を有する第１の基板と、
    前記第１の基板上に形成された第１の電極と、前記第１の電極の端部を覆う第１の絶縁層と、前記第１の絶縁層に接し、その接触面積が前記第１の絶縁層の表面積より小さい第２の絶縁層と、前記第１の電極に接するＥＬ層と、前記ＥＬ層に接する第２の電極と、を少なくとも含む発光素子と、
    前記第２の絶縁層を埋没させ、前記発光素子を覆う樹脂膜と、
    前記樹脂膜上に設けられた可撓性を有する第２の基板と、を有する発光装置。
  6. 請求項４又は請求項５において、
    前記第１の基板又は前記第２の基板のどちらか一方、または双方は、
    繊維体に有機樹脂が含浸された構造体である発光装置。
  7. 請求項４乃至請求項６のいずれか一において、
    前記第１の基板又は前記第２の基板のどちらか一方、または双方の、前記発光素子と反対側の表面に衝撃緩和層を有する発光装置。
  8. 請求項４乃至請求項７のいずれか一において、
    前記発光素子と、前記第２の基板との間に、乾燥剤を有する発光装置。
  9. 請求項４乃至請求項８のいずれか一において、
    前記第１の基板と前記第２の基板は、同じ膜厚を有する発光装置。
  10. 請求項１乃至請求項９のいずれか一に記載の発光装置を有する電子機器。
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Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012046428A1 (ja) * 2010-10-08 2012-04-12 シャープ株式会社 半導体装置の製造方法
JP2014049441A (ja) * 2012-08-31 2014-03-17 Samsung Display Co Ltd 有機発光装置およびその製造方法
KR20140055950A (ko) * 2012-10-30 2014-05-09 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드 표시장치 및 그 제조방법
KR20150074383A (ko) * 2013-12-24 2015-07-02 엘지디스플레이 주식회사 점등 패드부 및 이를 포함하는 유기발광표시장치
JP2016164893A (ja) * 2011-02-14 2016-09-08 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
JP2017037860A (ja) * 2011-02-25 2017-02-16 株式会社半導体エネルギー研究所 電子機器
JP2019008305A (ja) * 2013-08-19 2019-01-17 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
JP2020073947A (ja) * 2014-07-25 2020-05-14 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP2021009849A (ja) * 2014-02-19 2021-01-28 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JPWO2020111202A1 (ja) * 2018-11-28 2021-10-07 ソニーグループ株式会社 表示装置および電子機器
JP2021185416A (ja) * 2013-08-01 2021-12-09 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
JP2022089889A (ja) * 2013-07-12 2022-06-16 株式会社半導体エネルギー研究所 発光表示装置
WO2022214904A1 (ja) * 2021-04-08 2022-10-13 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
WO2023126739A1 (ja) * 2021-12-29 2023-07-06 株式会社半導体エネルギー研究所 電子機器

Families Citing this family (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI517378B (zh) 2005-10-17 2016-01-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
TWI607670B (zh) * 2009-01-08 2017-12-01 半導體能源研究所股份有限公司 發光裝置及電子裝置
US9136286B2 (en) * 2009-08-07 2015-09-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display panel and electronic book
US20120295376A1 (en) * 2011-05-16 2012-11-22 Korea Advanced Institute Of Science And Technology Method for manufacturing a led array device, and led array device manufactured thereby
KR101879831B1 (ko) * 2012-03-21 2018-07-20 삼성디스플레이 주식회사 플렉시블 표시 장치, 유기 발광 표시 장치 및 플렉시블 표시 장치용 원장 기판
KR102105287B1 (ko) 2012-08-01 2020-04-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
KR20140031003A (ko) * 2012-09-04 2014-03-12 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
JP6076683B2 (ja) 2012-10-17 2017-02-08 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
JP6204012B2 (ja) 2012-10-17 2017-09-27 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
CN103794625B (zh) * 2012-10-30 2017-04-12 乐金显示有限公司 有机发光二极管显示装置及其制造方法
US20140144593A1 (en) * 2012-11-28 2014-05-29 International Business Machiness Corporation Wafer debonding using long-wavelength infrared radiation ablation
US9636782B2 (en) 2012-11-28 2017-05-02 International Business Machines Corporation Wafer debonding using mid-wavelength infrared radiation ablation
JP6155020B2 (ja) 2012-12-21 2017-06-28 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及びその製造方法
JP6216125B2 (ja) 2013-02-12 2017-10-18 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
KR20140107036A (ko) * 2013-02-27 2014-09-04 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법, 그리고 도너 기판
JP6104649B2 (ja) 2013-03-08 2017-03-29 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
KR20140120427A (ko) * 2013-04-02 2014-10-14 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR102064392B1 (ko) * 2013-06-04 2020-01-10 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 그 제조방법
KR102080008B1 (ko) 2013-07-12 2020-02-24 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 그 제조방법
TWI610374B (zh) 2013-08-01 2018-01-01 格芯公司 用於將搬運器晶圓接合至元件晶圓以及能以中段波長紅外光雷射燒蝕釋出之接著劑
GB2521000A (en) 2013-12-07 2015-06-10 Ct De Inova Μes Csem Brasil Electroluminescent device and manufacturing method thereof
KR102107456B1 (ko) * 2013-12-10 2020-05-08 삼성디스플레이 주식회사 플렉시블 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20150075367A (ko) * 2013-12-25 2015-07-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 전자 기기
KR102203447B1 (ko) * 2014-05-27 2021-01-18 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시패널 및 그 제조방법
CN104779269B (zh) * 2015-04-13 2017-06-27 深圳市华星光电技术有限公司 Oled显示器件
CN104779268B (zh) * 2015-04-13 2016-07-06 深圳市华星光电技术有限公司 Oled显示器件
US9467190B1 (en) 2015-04-23 2016-10-11 Connor Sport Court International, Llc Mobile electronic device covering
JP2017009725A (ja) * 2015-06-19 2017-01-12 ソニー株式会社 表示装置
KR102516054B1 (ko) 2015-11-13 2023-03-31 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 유기발광표시장치의 제조 방법
KR102642198B1 (ko) * 2016-04-04 2024-03-05 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 디스플레이 장치
CN106601779A (zh) * 2016-12-29 2017-04-26 深圳市华星光电技术有限公司 Oled基板及其制作方法
TWI692002B (zh) * 2017-02-28 2020-04-21 財團法人國家實驗研究院 可撓式基板結構、可撓式電晶體及其製造方法
WO2018179266A1 (ja) * 2017-03-30 2018-10-04 シャープ株式会社 Ｅｌデバイスの製造方法及びｅｌデバイスの製造装置
US20190013370A1 (en) * 2017-07-07 2019-01-10 Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Woled display panel and display device
CN109166968B (zh) * 2018-08-31 2020-10-16 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 有机半导体器件的制备方法
CN112640577A (zh) * 2018-09-06 2021-04-09 夏普株式会社 显示装置
KR102573780B1 (ko) * 2018-09-28 2023-08-31 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20200046221A (ko) * 2018-10-23 2020-05-07 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 디스플레이 장치를 제조하기 위한 마스크
KR102178463B1 (ko) * 2019-01-24 2020-11-13 국민대학교산학협력단 섬유형 발광소자 및 그 제조방법
CN110707232A (zh) * 2019-09-12 2020-01-17 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示装置
CN111403623A (zh) * 2020-03-26 2020-07-10 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及其制备方法
CN111430428B (zh) * 2020-04-10 2023-02-07 京东方科技集团股份有限公司 柔性显示面板及其制作方法、显示装置
CN113285046B (zh) * 2021-05-21 2023-07-04 京东方科技集团股份有限公司 衬底基板、衬底基板制造方法与显示面板
US11906133B2 (en) 2022-03-31 2024-02-20 Alliance Sports Group, L.P. Outdoor lighting apparatus

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004040649A1 (ja) * 2002-11-01 2004-05-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. 半導体装置および半導体装置の作製方法
JP2005135929A (ja) * 2001-02-19 2005-05-26 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置の作製方法
JP2005140976A (ja) * 2003-11-06 2005-06-02 Sharp Corp 表示装置
JP2005158494A (ja) * 2003-11-26 2005-06-16 Seiko Epson Corp 薄膜の形成方法、電気光学装置の製造方法及び電気光学装置並びに電子機器
JP2005298634A (ja) * 2004-04-09 2005-10-27 Sumitomo Bakelite Co Ltd 透明複合基板の製造方法
JP2006259049A (ja) * 2005-03-16 2006-09-28 Seiko Epson Corp 中吊り広告用情報表示装置
JP2007225716A (ja) * 2006-02-21 2007-09-06 Toppan Printing Co Ltd 膜厚を平坦化する隔壁
JP2007280866A (ja) * 2006-04-11 2007-10-25 Seiko Epson Corp 薄膜デバイス、有機ｅｌ装置および液晶表示装置、電子機器、薄膜デバイスの製造方法、有機ｅｌ装置の製造方法および液晶表示装置の製造方法
JP2007305357A (ja) * 2006-05-10 2007-11-22 Casio Comput Co Ltd 表示装置及びその製造方法
JP2008124448A (ja) * 2006-10-19 2008-05-29 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及び半導体装置の作製方法

Family Cites Families (118)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6045219A (ja) 1983-08-23 1985-03-11 Toshiba Corp アクテイブマトリクス型表示装置
US4653864A (en) 1986-02-26 1987-03-31 Ovonic Imaging Systems, Inc. Liquid crystal matrix display having improved spacers and method of making same
US6166557A (en) 1996-10-31 2000-12-26 Texas Instruments Incorporated Process of selecting dies for testing on a wafer
US7362093B2 (en) 1995-10-31 2008-04-22 Texas Instruments Incorporated IC selectively connecting logic and bypass conductors between opposing pads
US6046600A (en) 1995-10-31 2000-04-04 Texas Instruments Incorporated Process of testing integrated circuit dies on a wafer
US7230447B2 (en) 2003-10-31 2007-06-12 Texas Instruments Incorporated Fault tolerant selection of die on wafer
US5760643A (en) 1995-10-31 1998-06-02 Texas Instruments Incorporated Integrated circuit die with selective pad-to-pad bypass of internal circuitry
US5994912A (en) 1995-10-31 1999-11-30 Texas Instruments Incorporated Fault tolerant selection of die on wafer
US5969538A (en) 1996-10-31 1999-10-19 Texas Instruments Incorporated Semiconductor wafer with interconnect between dies for testing and a process of testing
JP4041550B2 (ja) 1995-10-31 2008-01-30 テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド 集積回路
US6326801B1 (en) 1996-10-31 2001-12-04 Texas Instruments Incorporated Wafer of semiconductor material with dies, probe areas and leads
JP3361029B2 (ja) 1997-03-19 2003-01-07 株式会社東芝 表示装置
JP3570857B2 (ja) 1997-05-20 2004-09-29 パイオニア株式会社 有機ｅｌディスプレイパネルとその製造方法
US6465268B2 (en) 1997-05-22 2002-10-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing an electro-optical device
US6175345B1 (en) 1997-06-02 2001-01-16 Canon Kabushiki Kaisha Electroluminescence device, electroluminescence apparatus, and production methods thereof
CN100517424C (zh) * 1997-08-21 2009-07-22 精工爱普生株式会社 显示装置
JP3580092B2 (ja) 1997-08-21 2004-10-20 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクス型表示装置
CN100530758C (zh) 1998-03-17 2009-08-19 精工爱普生株式会社 薄膜构图的衬底及其表面处理
JPH11339958A (ja) 1998-05-22 1999-12-10 Casio Comput Co Ltd 電界発光素子の製造方法
US6274887B1 (en) 1998-11-02 2001-08-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method therefor
JP4186289B2 (ja) 1998-12-24 2008-11-26 凸版印刷株式会社 有機エレクトロルミネッセンス表示素子用基板の製造方法および有機エレクトロルミネッセンス表示素子の製造方法
US6680487B1 (en) 1999-05-14 2004-01-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor comprising a TFT provided on a substrate having an insulating surface and method of fabricating the same
TW459275B (en) 1999-07-06 2001-10-11 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and method of fabricating the same
US6952020B1 (en) 1999-07-06 2005-10-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US6833668B1 (en) 1999-09-29 2004-12-21 Sanyo Electric Co., Ltd. Electroluminescence display device having a desiccant
US20020024356A1 (en) 1999-10-12 2002-02-28 Whetsel Lee D. Method and apparatus for parallel die testing on wafer
EP1096568A3 (en) 1999-10-28 2007-10-24 Sony Corporation Display apparatus and method for fabricating the same
JP3809758B2 (ja) 1999-10-28 2006-08-16 ソニー株式会社 表示装置及び表示装置の製造方法
US6384427B1 (en) 1999-10-29 2002-05-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device
JP4776769B2 (ja) 1999-11-09 2011-09-21 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
JP2001148291A (ja) 1999-11-19 2001-05-29 Sony Corp 表示装置及びその製造方法
JP4076720B2 (ja) 1999-12-28 2008-04-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
TW473800B (en) 1999-12-28 2002-01-21 Semiconductor Energy Lab Method of manufacturing a semiconductor device
JP4132528B2 (ja) 2000-01-14 2008-08-13 シャープ株式会社 液晶表示装置の製造方法
US6559594B2 (en) 2000-02-03 2003-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
TWI226205B (en) 2000-03-27 2005-01-01 Semiconductor Energy Lab Self-light emitting device and method of manufacturing the same
TW484238B (en) 2000-03-27 2002-04-21 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and a method of manufacturing the same
US6736993B1 (en) * 2000-04-18 2004-05-18 Advanced Technology Materials, Inc. Silicon reagents and low temperature CVD method of forming silicon-containing gate dielectric materials using same
US20010030511A1 (en) 2000-04-18 2001-10-18 Shunpei Yamazaki Display device
JP2002025767A (ja) 2000-07-03 2002-01-25 Sharp Corp 有機ｅｌ素子の製造方法
JP2002164181A (ja) 2000-09-18 2002-06-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置及びその作製方法
US6739931B2 (en) 2000-09-18 2004-05-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method of fabricating the display device
US6924594B2 (en) 2000-10-03 2005-08-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
TW522752B (en) 2000-10-20 2003-03-01 Toshiba Corp Self-luminous display panel and method of manufacturing the same
JP2002151252A (ja) 2000-11-16 2002-05-24 Stanley Electric Co Ltd 有機ｅｌ表示装置
SG143946A1 (en) 2001-02-19 2008-07-29 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of manufacturing the same
JP4101529B2 (ja) 2001-02-22 2008-06-18 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置及びその作製方法
US6992439B2 (en) 2001-02-22 2006-01-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device with sealing structure for protecting organic light emitting element
JP2002289347A (ja) 2001-03-27 2002-10-04 Sanyo Electric Co Ltd エレクトロルミネッセンス表示装置、その製造方法、被着マスク及びその製造方法
JP2003017244A (ja) * 2001-07-05 2003-01-17 Sony Corp 有機電界発光素子およびその製造方法
JP4027740B2 (ja) 2001-07-16 2007-12-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
TW564471B (en) 2001-07-16 2003-12-01 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and peeling off method and method of manufacturing semiconductor device
JP2003059671A (ja) 2001-08-20 2003-02-28 Sony Corp 表示素子及びその製造方法
US7351300B2 (en) * 2001-08-22 2008-04-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Peeling method and method of manufacturing semiconductor device
JP2003123969A (ja) 2001-10-17 2003-04-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd 蒸着用マスクおよび有機エレクトロルミネッセンスディスプレイの製造方法
JP3705264B2 (ja) 2001-12-18 2005-10-12 セイコーエプソン株式会社 表示装置及び電子機器
US6815723B2 (en) 2001-12-28 2004-11-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, method of manufacturing the same, and manufacturing apparatus therefor
KR100488953B1 (ko) 2001-12-31 2005-05-11 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 액정표시장치의 지주 스페이서 형성방법
US7109653B2 (en) 2002-01-15 2006-09-19 Seiko Epson Corporation Sealing structure with barrier membrane for electronic element, display device, electronic apparatus, and fabrication method for electronic element
SG126714A1 (en) 2002-01-24 2006-11-29 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of manufacturing the same
JP4094863B2 (ja) 2002-02-12 2008-06-04 三星エスディアイ株式会社 有機ｅｌ表示装置
JP2003243171A (ja) 2002-02-18 2003-08-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルおよびその製造方法
JP3481232B2 (ja) 2002-03-05 2003-12-22 三洋電機株式会社 有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法
GB2391686B (en) * 2002-07-31 2006-03-22 Dainippon Printing Co Ltd Electroluminescent display and process for producing the same
JP4373653B2 (ja) * 2002-09-12 2009-11-25 東芝モバイルディスプレイ株式会社 有機ｅｌ表示装置
JP2004165067A (ja) 2002-11-14 2004-06-10 Sanyo Electric Co Ltd 有機電界発光パネル
JPWO2004068446A1 (ja) * 2003-01-27 2006-05-25 東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社 有機ｅｌディスプレイの製造方法
KR100628074B1 (ko) 2003-02-06 2006-09-27 대영산업개발 주식회사 보호막과 보호캡슐을 갖는 유기전계발광표시패널
EP1598796B1 (en) * 2003-02-28 2013-10-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display and folding mobile terminal
EP1615473A4 (en) 2003-04-15 2009-11-25 Fujifilm Corp EL ORGANIC DISPLAY
US7397592B2 (en) * 2003-04-21 2008-07-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Beam irradiation apparatus, beam irradiation method, and method for manufacturing a thin film transistor
TWI255153B (en) * 2003-10-20 2006-05-11 Hitachi Displays Ltd Organic EL display device
US7601236B2 (en) 2003-11-28 2009-10-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing display device
KR100565745B1 (ko) 2003-12-22 2006-03-29 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기 전계발광 소자 및 그의 제조방법
US7792489B2 (en) 2003-12-26 2010-09-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, electronic appliance, and method for manufacturing light emitting device
JP3994998B2 (ja) 2004-03-03 2007-10-24 セイコーエプソン株式会社 発光装置、発光装置の製造方法及び電子機器
US7619258B2 (en) 2004-03-16 2009-11-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP2005322564A (ja) 2004-05-11 2005-11-17 Sony Corp 表示装置の製造方法および表示装置
US8350466B2 (en) 2004-09-17 2013-01-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
JP2006100043A (ja) 2004-09-28 2006-04-13 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 表示装置及び表示装置の製造方法
JP4879541B2 (ja) 2004-09-29 2012-02-22 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置の作製方法
US7753751B2 (en) 2004-09-29 2010-07-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of fabricating the display device
US8772783B2 (en) 2004-10-14 2014-07-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP4329740B2 (ja) * 2004-10-22 2009-09-09 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、及び有機エレクトロルミネッセンス装置
KR100683695B1 (ko) 2004-11-11 2007-02-15 삼성에스디아이 주식회사 유기전계 발광표시장치
US7582904B2 (en) 2004-11-26 2009-09-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device and method for manufacturing thereof, and television device
US7517791B2 (en) 2004-11-30 2009-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US7696625B2 (en) 2004-11-30 2010-04-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
BRPI0405799B1 (pt) * 2004-12-21 2018-06-12 Petroleo Brasileiro S.A. - Petrobras Estaca torpedo com poder de garra aumentado e com abas para ancoragem permanente ou temporária de estruturas flutuantes e método de instalação
CN101090887B (zh) 2004-12-28 2010-09-29 株式会社半导体能源研究所 蒽衍生物、使用它的发光元件和使用它的发光器件
JP4742626B2 (ja) 2005-03-09 2011-08-10 セイコーエプソン株式会社 発光装置、及びこれを備えた電子機器
JP2007005138A (ja) 2005-06-23 2007-01-11 Fuji Electric Holdings Co Ltd 有機ｅｌ素子およびそれを用いた薄型有機ｅｌパネル
JP2007005173A (ja) * 2005-06-24 2007-01-11 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 表示装置
EP1760776B1 (en) * 2005-08-31 2019-12-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method for semiconductor device with flexible substrate
JP2007123240A (ja) * 2005-09-28 2007-05-17 Sony Corp 表示装置の製造方法および表示装置
JP4701971B2 (ja) 2005-09-30 2011-06-15 セイコーエプソン株式会社 表示装置および電子機器、表示装置の製造方法
TWI517378B (zh) 2005-10-17 2016-01-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
JP5301080B2 (ja) * 2005-12-26 2013-09-25 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置
KR20070051620A (ko) * 2006-02-03 2007-05-18 주식회사 대우일렉트로닉스 오엘이디 디스플레이 소자
JP2007213999A (ja) 2006-02-10 2007-08-23 Seiko Epson Corp 有機ｅｌ装置の製造方法及び有機ｅｌ装置
JP2007250520A (ja) 2006-02-16 2007-09-27 Toyota Industries Corp 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネル
KR100868427B1 (ko) 2006-05-10 2008-11-11 가시오게산키 가부시키가이샤 표시장치 및 그 제조방법
JP2008010402A (ja) * 2006-06-02 2008-01-17 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光素子及び表示装置
WO2008018137A1 (fr) 2006-08-10 2008-02-14 Pioneer Corporation Dispositif optique et procédé de fabrication de dispositif optique
GB0618698D0 (en) 2006-09-22 2006-11-01 Cambridge Display Tech Ltd Molecular electronic device fabrication methods and structures
JP2008080581A (ja) * 2006-09-26 2008-04-10 Matsushita Electric Works Ltd 扉パネルとその製造方法
EP2064732A4 (en) 2006-10-19 2012-07-25 Semiconductor Energy Lab SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
JP2008112649A (ja) 2006-10-31 2008-05-15 Optrex Corp 有機ｅｌ装置の製造方法
US8304982B2 (en) 2006-11-30 2012-11-06 Lg Display Co., Ltd. Organic EL device and method for manufacturing the same
JP4503586B2 (ja) 2006-12-21 2010-07-14 株式会社 日立ディスプレイズ 有機ｅｌ表示装置
KR101452370B1 (ko) * 2007-04-25 2014-10-21 세이코 엡슨 가부시키가이샤 유기 ｅｌ 장치
TWI470325B (zh) 2007-04-26 2015-01-21 Semiconductor Energy Lab 液晶顯示裝置及其製造方法
KR101443580B1 (ko) * 2007-05-11 2014-10-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 Soi구조를 갖는 기판
JP2009238456A (ja) 2008-03-26 2009-10-15 Casio Comput Co Ltd エレクトロルミネッセンスパネル
KR101455317B1 (ko) 2008-04-18 2014-10-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 박막 트랜지스터 및 그 제작 방법
WO2009128553A1 (en) 2008-04-18 2009-10-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor and method for manufacturing the same
US20100065834A1 (en) * 2008-09-16 2010-03-18 Plextronics, Inc. Integrated organic photovoltaic and light emitting diode device
TWI607670B (zh) 2009-01-08 2017-12-01 半導體能源研究所股份有限公司 發光裝置及電子裝置

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005135929A (ja) * 2001-02-19 2005-05-26 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置の作製方法
WO2004040649A1 (ja) * 2002-11-01 2004-05-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. 半導体装置および半導体装置の作製方法
JP2005140976A (ja) * 2003-11-06 2005-06-02 Sharp Corp 表示装置
JP2005158494A (ja) * 2003-11-26 2005-06-16 Seiko Epson Corp 薄膜の形成方法、電気光学装置の製造方法及び電気光学装置並びに電子機器
JP2005298634A (ja) * 2004-04-09 2005-10-27 Sumitomo Bakelite Co Ltd 透明複合基板の製造方法
JP2006259049A (ja) * 2005-03-16 2006-09-28 Seiko Epson Corp 中吊り広告用情報表示装置
JP2007225716A (ja) * 2006-02-21 2007-09-06 Toppan Printing Co Ltd 膜厚を平坦化する隔壁
JP2007280866A (ja) * 2006-04-11 2007-10-25 Seiko Epson Corp 薄膜デバイス、有機ｅｌ装置および液晶表示装置、電子機器、薄膜デバイスの製造方法、有機ｅｌ装置の製造方法および液晶表示装置の製造方法
JP2007305357A (ja) * 2006-05-10 2007-11-22 Casio Comput Co Ltd 表示装置及びその製造方法
JP2008124448A (ja) * 2006-10-19 2008-05-29 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及び半導体装置の作製方法

Cited By (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012046428A1 (ja) * 2010-10-08 2012-04-12 シャープ株式会社 半導体装置の製造方法
JP2016164893A (ja) * 2011-02-14 2016-09-08 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
JP2022081576A (ja) * 2011-02-25 2022-05-31 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
JP2017037860A (ja) * 2011-02-25 2017-02-16 株式会社半導体エネルギー研究所 電子機器
JP2019133949A (ja) * 2011-02-25 2019-08-08 株式会社半導体エネルギー研究所 電子機器
JP2021073672A (ja) * 2011-02-25 2021-05-13 株式会社半導体エネルギー研究所 電子機器
JP2014049441A (ja) * 2012-08-31 2014-03-17 Samsung Display Co Ltd 有機発光装置およびその製造方法
US10658626B2 (en) 2012-08-31 2020-05-19 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting device and manufacturing method thereof
US11111347B2 (en) 2012-08-31 2021-09-07 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting device and manufacturing method thereof
KR20140055950A (ko) * 2012-10-30 2014-05-09 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드 표시장치 및 그 제조방법
KR102065364B1 (ko) * 2012-10-30 2020-01-13 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드 표시장치 및 그 제조방법
JP2022089889A (ja) * 2013-07-12 2022-06-16 株式会社半導体エネルギー研究所 発光表示装置
JP2021185416A (ja) * 2013-08-01 2021-12-09 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
JP2019008305A (ja) * 2013-08-19 2019-01-17 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
US10658433B2 (en) 2013-08-19 2020-05-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US11508787B2 (en) 2013-08-19 2022-11-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
KR20150074383A (ko) * 2013-12-24 2015-07-02 엘지디스플레이 주식회사 점등 패드부 및 이를 포함하는 유기발광표시장치
KR102244722B1 (ko) * 2013-12-24 2021-04-26 엘지디스플레이 주식회사 점등 패드부 및 이를 포함하는 유기발광표시장치
JP2021009849A (ja) * 2014-02-19 2021-01-28 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP2022104974A (ja) * 2014-02-19 2022-07-12 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP2020073947A (ja) * 2014-07-25 2020-05-14 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US11063094B2 (en) 2014-07-25 2021-07-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
US11800747B2 (en) 2014-07-25 2023-10-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
JPWO2020111202A1 (ja) * 2018-11-28 2021-10-07 ソニーグループ株式会社 表示装置および電子機器
JP7464335B2 (ja) 2018-11-28 2024-04-09 ソニーグループ株式会社 表示装置および電子機器
WO2022214904A1 (ja) * 2021-04-08 2022-10-13 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
WO2023126739A1 (ja) * 2021-12-29 2023-07-06 株式会社半導体エネルギー研究所 電子機器

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