CN109166968B - 有机半导体器件的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本揭示提供了有机半导体器件的制备方法。所述方法包括提供衬底，在衬底上形成牺牲层，在牺牲层上形成图案化的有机半导体层，在图案化的有机半导体层上形成绝缘层，在绝缘层上形成栅电极，从图案化的有机半导体层上分离牺牲层及衬底，以及在图案化的有机半导体层上形成源漏电极。本揭示能提供简单有效的有机半导体器件的制备方法。
Description
【技术领域】
本揭示涉及显示技术领域，特别涉及一种有机半导体器件的制备方法。
【背景技术】
在现有技术中，有机半导体器件的制备方法使用有机物及铜掩模版作为保护层，以保护有机半导体层。现有技术的制备方案为了有效地保护有机半导体层，增加了额外的有机物涂布与铜掩模版的热蒸镀工艺，较为复杂。
故，有需要提供一种有机半导体器件的制备方法，以解决现有技术存在的问题。
【发明内容】
为解决上述技术问题，本揭示的一目的在于提供简单有效的有机半导体器件的制备方法。
为达成上述目的，本揭示提供了有机半导体器件的制备方法。所述方法包括提供衬底，在所述衬底上形成牺牲层，在所述牺牲层上形成图案化的有机半导体层，在所述图案化的有机半导体层上形成绝缘层，在所述绝缘层上形成栅电极，从所述图案化的有机半导体层上分离所述牺牲层及所述衬底，以及在所述图案化的有机半导体层上形成源漏电极。
于本揭示其中的一实施例中，所述方法还包括在所述牺牲层上进行图案化的表面处理。
于本揭示其中的一实施例中，所述方法还包括使用含氟气体蚀刻所述牺牲层。
于本揭示其中的一实施例中，所述方法还包括使用十八烷基三氯硅烷(octadecyltrichlorosilane,OTS)对所述牺牲层进行图案化的表面处理。
于本揭示其中的一实施例中，所述方法还包括在所述牺牲层上形成图案化的疏液区。
于本揭示其中的一实施例中，所述牺牲层的所述图案化的疏液区的图案与所述图案化的有机半导体层的图案相同。
于本揭示其中的一实施例中，所述牺牲层的所述图案化的疏液区的图案与所述图案化的有机半导体层的图案互补。
于本揭示其中的一实施例中，所述方法还包括在所述栅电极上形成有机衬底。
于本揭示其中的一实施例中，所述绝缘层为有机绝缘层。
于本揭示其中的一实施例中，所述源漏电极为图案化的纳米银线或图案化的碳纳米管。
由于本揭示的实施例中的有机半导体器件的制备方法包括提供衬底，在衬底上形成牺牲层，在牺牲层上形成图案化的有机半导体层，在图案化的有机半导体层上形成绝缘层，在绝缘层上形成栅电极，从图案化的有机半导体层上分离牺牲层及衬底，以及在图案化的有机半导体层上形成源漏电极，因此能提供简单有效的有机半导体器件的制备方法。
为让本揭示的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下：
【附图说明】
图1显示根据本揭示的一实施例的有机半导体器件的制备方法的流程图；
图2显示根据本揭示的一实施例的有机半导体器件的制备方法的示意图；
图3显示根据本揭示的一实施例的有机半导体器件的制备方法的示意图；
图4显示根据本揭示的一实施例的有机半导体器件的制备方法的示意图；
图5显示根据本揭示的一实施例的有机半导体器件的制备方法的示意图；以及
图6显示根据本揭示的一实施例的有机半导体器件的制备方法的示意图。
【具体实施方式】
为了让本揭示的上述及其他目的、特征、优点能更明显易懂，下文将特举本揭示优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。再者，本揭示所提到的方向用语，例如上、下、顶、底、前、后、左、右、内、外、侧层、周围、中央、水平、横向、垂直、纵向、轴向、径向、最上层或最下层等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本揭示，而非用以限制本揭示。
在图中，结构相似的单元是以相同标号表示。
参照图1，本揭示的一实施例提供机半导体器件的制备方法，包括如下步骤。
参照图1及图2，步骤1、提供衬底100。衬底100的材料例如包括硅(Si)或二氧化硅(SiO2)。
步骤2、在衬底100上形成牺牲层200。
具体地，在衬底100上形成整面的牺牲层200。在牺牲层200上进行图案化的表面处理。在牺牲层200上形成图案化的疏液区。在一实施例中，使用含氟气体蚀刻牺牲层200。在另一实施例中，使用使用十八烷基三氯硅烷(octadecyltrichlorosilane,OTS)对牺牲层200进行图案化的表面处理。
步骤3、在牺牲层200上形成图案化的有机半导体层300。
具体地，在一实施例中，牺牲层200的图案化的疏液区的图案与图案化的有机半导体层300的图案相同。在另一实施例中，牺牲层200的图案化的疏液区的图案与图案化的有机半导体层300的图案互补。
具体地，通过喷印的方式在牺牲层200的表面进行图案化的表面处理，由于牺牲层200的表面进行了图案化的预处理，有机半导体层300的溶液与牺牲层200的表面亲疏性的区别，因此有机半导体层300容易聚集出图案化的形状，接着经过加热或紫外光固化半导体层300的溶液以形成图案化的有机半导体层300。
参照图1及图3，步骤4、在图案化的有机半导体层300上形成绝缘层400。
具体地，绝缘层400为有机绝缘层。具体而言，在有机半导体层300形成后，可进行其他功能层的制作，例如在有机半导体层300的上方整面制备一层有机半导体层300。
参照图1及图4，步骤5、在绝缘层400上形成栅电极500。
参照图1及图5，步骤6、从图案化的有机半导体层300上分离牺牲层200及衬底100。
具体地，通过牺牲层200剥离掉衬底100，使得有机半导体层300露出。
具体地，所述方法还包括在栅电极500上形成有机衬底600。具体地，例如使用涂布的方式制作聚亚酰胺(polyimide,PI)衬底做为有机衬底600。例如使用涂布的方式制作氢化橡胶(polystyrene-block-ethlene-block-styrene,SEBS)衬底做为有机衬底600。
参照图1及图6，步骤7、在图案化的有机半导体层300上形成源漏电极700。
具体地，源漏电极700为图案化的纳米银线或图案化的碳纳米管。
本揭示的实施例的特征包括，在衬底100上形成图案化的有机半导体层300，然后在图案化的有机半导体层300上形成绝缘层400，通过整面绝缘层400可以在形成栅电极500时有效保护有机半导体层300。之后再剥离衬底100，露出有机半导体层300及形成接触有机半导体层300的源漏电极700。本揭示的实施例中的有机半导体器件的制备方法简单有效，有利于在大规模生产柔性电子器件时提高效率。
至此，即完成了有机半导体器件的制备方法。有机半导体器件例如为柔性有机半导体器件。
由于本揭示的实施例中的有机半导体器件的制备方法包括提供衬底，在衬底上形成牺牲层，在牺牲层上形成图案化的有机半导体层，在图案化的有机半导体层上形成绝缘层，在绝缘层上形成栅电极，从图案化的有机半导体层上分离牺牲层及衬底，以及在图案化的有机半导体层上形成源漏电极，因此能提供简单有效的有机半导体器件的制备方法。
尽管已经相对于一个或多个实现方式示出并描述了本揭示，但是本领域技术人员基于对本说明书和附图的阅读和理解将会想到等价变型和修改。本揭示包括所有这样的修改和变型，并且仅由所附权利要求的范围限制。特别地关于由上述组件执行的各种功能，用于描述这样的组件的术语旨在对应于执行所述组件的指定功能(例如其在功能上是等价的)的任意组件(除非另外指示)，即使在结构上与执行本文所示的本说明书的示范性实现方式中的功能的公开结构不等同。此外，尽管本说明书的特定特征已经相对于若干实现方式中的仅一个被公开，但是这种特征可以与如可以对给定或特定应用而言是期望和有利的其他实现方式的一个或多个其他特征组合。而且，就术语“包括”、“具有”、“含有”或其变形被用在具体实施方式或权利要求中而言，这样的术语旨在以与术语“包含”相似的方式包括。
以上仅是本揭示的优选实施方式，应当指出，对于本领域普通技术人员，在不脱离本揭示原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本揭示的保护范围。
Claims (10)
1.一种有机半导体器件的制备方法，其特征在于，包括:
提供衬底；
在所述衬底上形成整面的牺牲层；
在所述整面的牺牲层上形成图案化的有机半导体层；
在所述图案化的有机半导体层上形成绝缘层；
在所述绝缘层上形成栅电极；
从所述图案化的有机半导体层上分离所述整面的牺牲层及所述衬底，通过所述整面的牺牲层剥离掉所述衬底，使得所述有机半导体层露出；以及
在所述图案化的有机半导体层上形成源漏电极。
2.如权利要求1所述的有机半导体器件的制备方法，其特征在于，还包括在所述牺牲层上进行图案化的表面处理。
3.如权利要求2所述的有机半导体器件的制备方法，其特征在于，还包括使用含氟气体蚀刻所述牺牲层。
4.如权利要求2所述的有机半导体器件的制备方法，其特征在于，还包括使用十八烷基三氯硅烷对所述牺牲层进行图案化的表面处理。
5.如权利要求2所述的有机半导体器件的制备方法，其特征在于，还包括在所述牺牲层上形成图案化的疏液区。
6.如权利要求5所述的有机半导体器件的制备方法，其特征在于，所述牺牲层的所述图案化的疏液区的图案与所述图案化的有机半导体层的图案相同。
7.如权利要求5所述的有机半导体器件的制备方法，其特征在于，所述牺牲层的所述图案化的疏液区的图案与所述图案化的有机半导体层的图案互补。
8.如权利要求1所述的有机半导体器件的制备方法，其特征在于，还包括在所述栅电极上形成有机衬底。
9.如权利要求1所述的有机半导体器件的制备方法，其特征在于，所述绝缘层为有机绝缘层。
10.如权利要求1所述的有机半导体器件的制备方法，其特征在于，所述源漏电极为图案化的纳米银线或图案化的碳纳米管。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| GR01 | Patent grant | ||
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