CN101783393A - 一种图形化有机场效应晶体管有源层的制备方法 - Google Patents
一种图形化有机场效应晶体管有源层的制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101783393A CN101783393A CN200910077519A CN200910077519A CN101783393A CN 101783393 A CN101783393 A CN 101783393A CN 200910077519 A CN200910077519 A CN 200910077519A CN 200910077519 A CN200910077519 A CN 200910077519A CN 101783393 A CN101783393 A CN 101783393A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- adhesion layer
- preparation
- layer
- organic
- high hydrophobicity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
本发明公开了一种图形化有机场效应晶体管有源层的制备方法,该方法包括:步骤1、在亲水性的绝缘层或介质层表面形成高疏水性粘附层图形;步骤2、在形成高疏水性粘附层图形的绝缘层或介质层表面沉积有机半导体溶液,该有机半导体溶液自动迁移到没有高疏水性黏附层的区域;步骤3、烘烤除去溶剂,形成图形化的有机半导体薄膜。由于高表面能,液相材料不能附着在高疏水性粘附层表面,而是自然地向没有高疏水性粘附层的地方迁移,从而能够复制高疏水性粘附层的图形。该方法工艺步骤简单,能够实现自对准,是一种低成本的有机半导体图形化方法。
Description
技术领域
本发明涉及有机电子学技术领域,特别涉及一种图形化有机场效应晶体管有源层的制备方法。
背景技术
随着信息技术的不断深入,电子产品已经进入人们生活工作的每个环节;在日常生活中人们对低成本、柔性、低重量、便携的电子产品的需求越来越大;传统的基于无机半导体材料的器件和电路很难满足这些要求,因此可以实现这些特性的基于有机聚合物半导体材料的有机微电子技术在这一趋势下得到了人们越来越多的关注。
图形化有源层是实现有机半导体应用的必要步骤。传统的微电子加工中,对硅薄膜晶体管的半导体层图形化普遍采用光刻的方法,但这种方法并不能直接应用于有机半导体薄膜的图形化加工,因为光刻工艺中所采用的各种溶液及光刻胶本身都会对有机薄膜性能产生破坏。因此,必须寻找一种在不损伤有机薄膜性能的条件下,能对有机薄膜进行图形化加工的技术。
目前已提出的有机半导体图形化方法有:利用光敏的聚乙烯醇(PVA)做负性光刻胶和保护层,通过光刻技术图形化保护层,再通过干法刻蚀把图形转移到有源层的方法;溶液加工图形化有源层的方法;自组织图形化有源层的方法;光刻胶掩模版图形化有源层的方法。这些方法要么成品率低,降低器件性能,要么重复性不好,不利于后续工艺。因此,要想使有机电子能够走向实际应用,必须开发工艺简单、高重复性、无损伤和低成本的有机半导体图形化方法。
发明内容
(一)要解决的技术问题
本发明的目的是提供一种工艺简单、高重复性、无损伤和低成本的图形化有机场效应晶体管有源层的制备方法。
(二)技术方案
为达到上述目的,本发明提供了一种图形化有机场效应晶体管有源层的制备方法,该方法包括:
步骤1、在亲水性的绝缘层或介质层表面形成高疏水性粘附层图形;
步骤2、在形成高疏水性粘附层图形的绝缘层或介质层表面沉积有机半导体溶液,该有机半导体溶液自动迁移到没有高疏水性黏附层的区域;
步骤3、烘烤除去溶剂,形成图形化的有机半导体薄膜。
上述方案中,步骤1中所述绝缘层或介质层为亲水性薄膜,使步骤2中有机半导体溶液能够很好地粘附在其表面。
上述方案中,步骤1中所述高疏水性粘附层的图形是通过光刻剥离、气相沉积、图章印刷或喷墨打印方法形成的。
上述方案中,步骤1中所述高疏水性粘附层的图形是由trichloro(1H,1H,2H,2H-perfluorooctyl)silane(FOTS)材料形成的。
上述方案中,步骤2中所述的有机半导体溶液是P3HT溶液。
(三)有益效果
本发明提供的图形化有机场效应晶体管有源层方法,是在沉积有机半导体之前制备好图形,通过改变表面能使有机半导体溶液在不同的区域黏附性有较大差异,从而进一步控制溶液的分布,烘烤除去溶剂后形成图形化的有机半导体薄膜。该方法不会有机功能薄膜造成损伤,工艺简单,能有效降低器件制备的成本。
附图说明
为了更进一步说明本发明的内容,以下结合附图及实施例子,对本发明做详细描述,其中,
图1是本发明制备图形化有机场效应晶体管有源层的方法流程图;
图2是本发明制备图形化有机场效应晶体管有源层的的结构示意图;
图3-1~图3-3是本发明一具体实施例制备过程的示意图。
其中:
101-衬底,102-介质层,103-高疏水性黏附层,104-有机半导体层;
201-硅衬底,202-二氧化硅介质层,203-FOTS黏附层,204-P3HT-有机半导体薄膜。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白,以下结合具体实施例,并参照附图,对本发明进一步详细说明。
本发明是在亲水性的绝缘层或介质层表面采用光刻剥离、气相沉积、图章印刷或喷墨打印方法形成的图形化的高疏水性黏附层,使沉积有机半导体溶液自动地迁移到没有高疏水性黏附层的区域,复制已定义好的图形。然后通过烘烤蒸发溶剂,形成有机半导体薄膜,把设计的图形固定下来。其中一个关键的要求是:绝缘层或介质层必须是亲水性的,但黏附层必须是高疏水性的。这样才能保证有机半导体溶液能够复制所需的图形。
图1是本发明制备图形化有机场效应晶体管有源层的方法流程图,该方法包括以下步骤:
步骤1、在亲水性的绝缘层或介质层表面形成高疏水性粘附层图形;
步骤2、在形成高疏水性粘附层图形的绝缘层或介质层表面沉积有机半导体溶液,该有机半导体溶液自动迁移到没有高疏水性黏附层的区域;
步骤3、烘烤除去溶剂,形成图形化的有机半导体薄膜。
由于高表面能,液相材料不能附着在高疏水性粘附层表面,而是自然地向没有高疏水性粘附层的地方迁移,从而能够复制高疏水性粘附层的图形。
上述步骤1中所述绝缘层或介质层为亲水性薄膜,使步骤2中有机半导体溶液能够很好地粘附在其表面。所述高疏水性粘附层的图形是通过光刻剥离、气相沉积、图章印刷或喷墨打印方法形成的。所述高疏水性粘附层的图形是由trichloro(1H,1H,2H,2H-perfluorooctyl)silane(FOTS)材料形成的。
上述步骤2中所述的有机半导体溶液是P3HT溶液。
图2示出了本发明制备图形化有机场效应晶体管有源层的的结构示意图。
图3-1~图3-3示出了本发明一具体实施例制备过程的示意图。
如图3-1所示,在氧化硅介质层202上采用镂空掩模掩蔽,然后通过气相沉积形成trichloro(1H,1H,2H,2H-perfluorooctyl)silane(FOTS)高疏水性粘附层图形203;
如图3-2所示,在样品表面通过浸入提拉的方法沉积P3HT有机半导体溶液,放置一段时间,保证高疏水黏附层上的溶液迁移到亲水性的介质层202表面。
如图3-3所示,烘烤除去溶剂,形成图形化的有机半导体薄膜204。
本发明提供的图形化有机场效应晶体管有源层方法,是在沉积有机半导体之前制备好图形,通过改变表面能使有机半导体溶液在不同的区域黏附性有较大差异,从而进一步控制溶液的分布,烘烤除去溶剂后形成图形化的有机半导体薄膜。该方法不会有机功能薄膜造成损伤,工艺简单,能有效降低器件制备的成本。
以上所述的具体实施例,对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明,所应理解的是,以上所述仅为本发明的具体实施例而已,并不用于限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所做的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (5)
1.一种图形化有机场效应晶体管有源层的制备方法,其特征在于,该方法包括:
步骤1、在亲水性的绝缘层或介质层表面形成高疏水性粘附层图形;
步骤2、在形成高疏水性粘附层图形的绝缘层或介质层表面沉积有机半导体溶液,该有机半导体溶液自动迁移到没有高疏水性黏附层的区域;
步骤3、烘烤除去溶剂,形成图形化的有机半导体薄膜。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤1中所述绝缘层或介质层为亲水性薄膜,使步骤2中有机半导体溶液能够很好地粘附在其表面。
3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤1中所述高疏水性粘附层的图形是通过光刻剥离、气相沉积、图章印刷或喷墨打印方法形成的。
4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤1中所述高疏水性粘附层的图形是由trichloro(1H,1H,2H,2H-perfluorooctyl)silane(FOTS)材料形成的。
5.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤2中所述的有机半导体溶液是P3HT溶液。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN200910077519A CN101783393A (zh) | 2009-01-21 | 2009-01-21 | 一种图形化有机场效应晶体管有源层的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN200910077519A CN101783393A (zh) | 2009-01-21 | 2009-01-21 | 一种图形化有机场效应晶体管有源层的制备方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN101783393A true CN101783393A (zh) | 2010-07-21 |
Family
ID=42523288
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN200910077519A Pending CN101783393A (zh) | 2009-01-21 | 2009-01-21 | 一种图形化有机场效应晶体管有源层的制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN101783393A (zh) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105098074A (zh) * | 2015-06-26 | 2015-11-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示面板及装置 |
CN105161621A (zh) * | 2015-09-01 | 2015-12-16 | 华南理工大学 | 一种薄膜图案化制备方法 |
CN106125291A (zh) * | 2016-06-27 | 2016-11-16 | 华南师范大学 | 一种双稳态电润湿显示器及其制备方法 |
CN107644806A (zh) * | 2017-08-30 | 2018-01-30 | 中山大学 | 金属氧化物有序自组装图形化制备方法及金属氧化物薄膜 |
CN109166968A (zh) * | 2018-08-31 | 2019-01-08 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 有机半导体器件的制备方法 |
-
2009
- 2009-01-21 CN CN200910077519A patent/CN101783393A/zh active Pending
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105098074A (zh) * | 2015-06-26 | 2015-11-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示面板及装置 |
US10014472B2 (en) | 2015-06-26 | 2018-07-03 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Thin film transistor and manufacturing method thereof, array substrate, display panel and display device |
CN105098074B (zh) * | 2015-06-26 | 2018-12-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示面板及装置 |
CN105161621A (zh) * | 2015-09-01 | 2015-12-16 | 华南理工大学 | 一种薄膜图案化制备方法 |
CN106125291A (zh) * | 2016-06-27 | 2016-11-16 | 华南师范大学 | 一种双稳态电润湿显示器及其制备方法 |
CN106125291B (zh) * | 2016-06-27 | 2018-09-25 | 华南师范大学 | 一种双稳态电润湿显示器及其制备方法 |
CN107644806A (zh) * | 2017-08-30 | 2018-01-30 | 中山大学 | 金属氧化物有序自组装图形化制备方法及金属氧化物薄膜 |
CN109166968A (zh) * | 2018-08-31 | 2019-01-08 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 有机半导体器件的制备方法 |
US10797254B2 (en) | 2018-08-31 | 2020-10-06 | Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Method of manufacturing organic semiconductor device |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN103620733B (zh) | 转印薄膜的方法 | |
CN101783393A (zh) | 一种图形化有机场效应晶体管有源层的制备方法 | |
CN104091886B (zh) | 一种有机薄膜晶体管、阵列基板及制备方法、显示装置 | |
Zhao et al. | High‐performance full‐photolithographic top‐contact conformable organic transistors for soft electronics | |
CN101587939A (zh) | 有机薄膜晶体管与像素结构及其制作方法以及显示面板 | |
US8785264B2 (en) | Organic TFT array substrate and manufacture method thereof | |
CN110034007A (zh) | 一种实现透明可拉伸电极超高精度图案化的方法 | |
CN101459119B (zh) | 形成接触孔的方法 | |
CN102800629A (zh) | 一种有机薄膜晶体管阵列基板制作方法 | |
CN105118835A (zh) | 阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置 | |
WO2013127197A1 (zh) | Otft阵列基板、显示装置及其制作方法 | |
WO2014185023A1 (en) | Method for forming epoxy-based planarization layer | |
US10199236B2 (en) | Thin film transistor, manufacturing method thereof, and method for manufacturing array substrate | |
CN107579006B (zh) | 一种薄膜晶体管、阵列基板及其制备方法 | |
JP2008258480A (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法、画素アレイの製造方法 | |
JP2014527710A (ja) | トップゲート型トランジスタの形成方法 | |
CN105140261A (zh) | 有机薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板及显示装置 | |
Chakraborty et al. | Conductive organic electrodes for flexible electronic devices | |
JP2009059737A (ja) | シリコーン・エラストマー・スタンプおよびその製造方法。 | |
CN107919365B (zh) | 背沟道蚀刻型tft基板及其制作方法 | |
CN102263201A (zh) | 一种有机场效应晶体管及其制备方法 | |
TWI469224B (zh) | 有機薄膜電晶體及其製造方法 | |
CN100505186C (zh) | 垂直薄膜晶体管的制造方法 | |
CN103606634B (zh) | 一种图案化金属电极及其制备方法 | |
CN105576039A (zh) | 图形化薄膜及薄膜晶体管的制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Open date: 20100721 |