JP2014527710A - トップゲート型トランジスタの形成方法 - Google Patents
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Abstract
Description
基板上にソースおよびドレイン電極を形成することと、
基板とソースおよびドレイン電極上の有機半導体層および有機半導体層上の有機誘電体層を含む有機積層を、基板とソースおよびドレイン電極上に形成することと、
第1ゲート層が第2ゲート層上に形成され、第2ゲート層が有機積層上に形成された、第1材料の第1層および異なる第2材料の第2層を含む2層のゲート電極を形成することと、
2層のゲート電極上にマスク材料の領域を選択的に堆積することと、
マスク材料をマスクとして使用して第1ゲート層の部分を除去する第1プラズマエッチング工程を実行することと、
第1ゲート層をマスクとして使用して第2ゲート層および有機積層の部分を除去する第2プラズマエッチング工程を実行し、それによって、2層のゲート電極および有機積層のパターニングを行うこととを含む方法が提供される。
基板上に形成されるソースおよびドレイン電極と、
基板とソースおよびドレイン電極上の有機半導体層および有機半導体層上の有機誘電体層を含む、基板とソースおよびドレイン電極上に形成される有機積層と、
第1ゲート層が第2ゲート層上に形成され、第2ゲート層が有機積層上に形成された第1材料の第1層および異なる第2材料の第2層を含む有機積層上に形成された2層のゲート電極とを含む、トップゲート型トランジスタが提供される。
Claims (29)
- 基板上のトップゲート型トランジスタの形成方法であって、
前記基板上にソースおよびドレイン電極を形成することと、
前記基板と前記ソースおよびドレイン電極上の有機半導体層および前記有機半導体層上の有機誘電体層を含む有機積層を、前記基板と前記ソースおよびドレイン電極上に形成することと、
第1ゲート層が第2ゲート層上に形成され、前記第2ゲート層が前記有機積層上に形成された、第1材料の第1層および異なる第2材料の第2層を含む2層のゲート電極を形成することと、
前記2層のゲート電極上にマスク材料の領域を選択的に堆積することと、
マスク材料をマスクとして使用して前記第1ゲート層の部分を除去する第1プラズマエッチング工程を実行することと、
前記第1ゲート層をマスクとして使用して前記第2ゲート層および前記有機積層の部分を除去する第2プラズマエッチング工程を実行し、それによって前記2層のゲート電極および前記有機積層のパターニングを行うこととを含む、方法。 - 前記第2プラズマエッチング工程もまた、前記マスク材料の除去をさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記第2ゲート層は、前記第1ゲート層よりも実質的に厚い、請求項1または2に記載の方法。
- 前記第1ゲート層は2nmから200nmの間の厚みを有する、請求項1に記載の方法。
- 前記第2ゲート層は20nmから500nmの間の厚みを有する、請求項1に記載の方法。
- 前記第1ゲート層の材料はアルミニウム、クロム、ニッケルおよびそれらの合金のうちの一つである、請求項1から5のいずれか一項に記載の方法。
- 前記第1ゲート層の材料はAl2O3、MgOおよびSC2O3のうちの一つである、請求項1から6のいずれか一項に記載の方法。
- 前記第1ゲート層の材料はアルミニウムである、請求項6に記載の方法。
- 前記第2ゲート層の材料はチタン、タングステン、モリブデン、タンタル、ニオブおよびそれらの合金のうちの一つである、請求項1から8のいずれか一項に記載の方法。
- 前記第2ゲート層の材料はチタンである、請求項9に記載の方法。
- アルゴンプラズマスパッタエッチングによる前記第1プラズマエッチング工程の実行を含む、請求項1から10のいずれか一項に記載の方法。
- 塩素プラズマエッチングによる前記第1プラズマエッチング工程の実行を含む、請求項1から11のいずれか一項に記載の方法。
- 酸素−フッ素プラズマエッチングによる前記第2プラズマエッチング工程の実行を含む、請求項1から12のいずれか一項に記載の方法。
- 前記マスク材料は有機マスク材料を含む、請求項1から13のいずれか一項に記載の方法。
- インクジェット印刷による前記マスク材料の領域の選択的な堆積を含む、請求項1から14のいずれか一項に記載の方法。
- 基板上に形成されるトップゲート型トランジスタであって、
前記基板上に形成されるソースおよびドレイン電極と、
前記基板と前記ソースおよびドレイン電極上の有機半導体層および前記有機半導体層上の有機誘電体層を含む、前記基板と前記ソースおよびドレイン電極上に形成される有機積層と、
第1ゲート層が第2ゲート層上に形成され、前記第2ゲート層が前記有機積層上に形成された、第1材料の第1層および異なる第2材料の第2層を含む前記有機積層上に形成された2層のゲート電極とを含む、トップゲート型トランジスタ。 - 前記第2ゲート層は、前記第1ゲート層よりも実質的に厚い、請求項16に記載のトップゲート型トランジスタ。
- 前記第1ゲート層は2nmから200nmの間の厚みを有する、請求項16に記載のトップゲート型トランジスタ。
- 前記第2ゲート層は20nmから500nmの間の厚みを有する、請求項16に記載のトップゲート型トランジスタ。
- 前記第1ゲート層の材料はアルミニウム、クロム、ニッケルおよびそれらの合金のうちの一つである、請求項16から19のいずれか一項に記載のトップゲート型トランジスタ。
- 前記第1ゲート層の材料はAl2O3、MgOおよびSC2O3のうちの一つである、請求項16から19のいずれか一項に記載のトップゲート型トランジスタ。
- 前記第1ゲート層の材料はアルミニウムである、請求項20に記載のトップゲート型トランジスタ。
- 前記第2ゲート層の材料はチタン、タングステン、モリブデン、タンタル、ニオブおよびそれらの合金のうちの一つである、請求項16から19のいずれか一項に記載のトップゲート型トランジスタ。
- 前記第2ゲート層の材料はチタンである、請求項23に記載のトップゲート型トランジスタ。
- 請求項16から24のいずれか一項に記載のトップゲート型トランジスタを含む、OLEDディスプレイ用のバックプレーン。
- 請求項16から24のいずれか一項に記載のトップゲート型トランジスタを含む、フラットパネルディスプレイ用のバックプレーン。
- 請求項16から24のいずれか一項に記載のトップゲート型トランジスタを含む、電気泳動ディスプレイ用のバックプレーン。
- 請求項16から24のいずれか一項に記載のトップゲート型トランジスタを含む、バイオセンサ。
- 請求項16から24のいずれか一項に記載のトップゲート型トランジスタを含む、RFIDタグ。
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