JP2021048048A - 表示装置及び表示装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】有機材料層の上面に設けられる上部電極の酸化を防ぐことが可能な表示装置を提供する。【解決手段】画素アレイ部を備える表示領域４２及び額縁領域４４を有する基板７２と、額縁領域にて設けられるコンタクト領域において配線と電気的に接続され、かつ画素アレイ部の上面に設けられる、金属薄膜からなる上部電極１０４と、上部電極と接するように表示領域から額縁領域へ連続的に設けられる酸化保護膜１０６と、上部電極及び酸化保護膜を覆うように基板上に設けられる第１の無機封止膜１２０と、無機封止膜上に設けられる有機封止膜１２２と、有機封止膜上に設けられるとともに、第１の無機封止膜とその周縁部にて直接接する第２の無機封止膜１２４と、を有する表示装置であって、酸化保護膜は、額縁領域において、少なくとも上部電極のコンタクト領域を覆い、かつ第１の無機封止膜と第２の無機封止膜とが直接接する周縁部には設けられない。【選択図】図３

Description

本発明は、表示装置及び表示装置の製造方法に関する。

表示装置は、ディスプレイ基板に含まれる発光層の下部電極及び上部電極を水分等から保護する必要がある。発光層の下部電極及び上部電極に金属薄膜を用いる場合は、金属薄膜の酸化が非点灯などの不具合につながる可能性がある。特に、上部電極が酸化すると、配線とのコンタクト領域は高抵抗化してしまう。そのため、ディスプレイ基板の最上面には封止層が設けられる。その上で、さらに表示品質を上げるため、封止膜の下面（ディスプレイ基板側の面）に水分等を吸収するなどの機能を果たす保護膜を設けることがある。

特許文献１には、水分等による表示品質の劣化が低減された表示装置が開示されている。この表示装置は、陽極配線（アノード配線）と陰極配線（カソード配線）との間に有機ＥＬ層を備える。そしてさらに、陰極配線上に、アルカリ土類金属やアルカリ土類金属の酸化物からなる薄膜を捕水材層として設けている。

特開２００７−００５０４７号公報

しかし、表示装置の上部電極（上記特許文献１における陰極配線）が金属薄膜からなる場合、上部電極の直上に設けた捕水材層と上部電極間で酸化還元反応が起こってしまう。そのため、引き続き上部電極の酸化を防ぐことが出来ていない。

また、上部電極直上に封止層を設けた場合においても、上部電極の酸化が十分に防がれているとは言えない。具体的には、封止層を構成する膜のうち、上部電極側の膜を構成する材料に酸素原子が含まれていると、上部電極の酸化が起こってしまう可能性がある。また、封止層を構成する膜の材料に酸素原子が含まれていない場合でも、封止層を形成する膜を製膜する製造工程における雰囲気下で上部電極の酸化が起こってしまうことも考えられる。

本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、有機材料層の上面に設けられる上部電極の酸化を防ぐことが可能な表示装置を提供する。

本発明の表示装置の一態様は、画素アレイ部を備える表示領域及び前記表示領域外の額縁領域を有する基板と、前記額縁領域にて設けられるコンタクト領域において配線と電気的に接続され、かつ前記画素アレイ部の上面に設けられる、金属薄膜からなる上部電極と、前記上部電極と接するように前記表示領域から前記額縁領域へ連続的に設けられる酸化保護膜と、前記上部電極及び前記酸化保護膜を覆うように前記基板上に設けられる第１の無機封止膜と、前記第１の無機封止膜上に設けられる有機封止膜と、前記有機封止膜上に設けられるとともに、前記第１の無機封止膜とその周縁部にて直接接する第２の無機封止膜と、を有する表示装置であって、前記酸化保護膜は、前記額縁領域において、少なくとも前記上部電極の前記コンタクト領域を覆い、かつ前記第１の無機封止膜と前記第２の無機封止膜とが直接接する前記周縁部には設けられない、ことを特徴とする。

本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の概略の構成を示す模式図である。 図１に示す有機ＥＬ表示装置の表示パネルの一例を示す模式的な平面図である。 図２のＩＩＩ−ＩＩＩ断面の一例を示す概略図である。 図１に示す有機ＥＬ表示装置の表示パネルにおいて、陰極コンタクト部が額縁領域の一辺にのみ設けられる場合の例を示す模式的な平面図である。 図４のＶ部を拡大して示す模式的な拡大平面図である。 図１に示す有機ＥＬ表示装置の表示パネルにおいて、陰極コンタクト部が額縁領域の三辺に設けられる場合の例を示す模式的な平面図である。 図６のＶＩＩ部を拡大して示す模式的な拡大平面図である。

以下に、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。

さらに、本発明の詳細な説明において、ある構成物と他の構成物との位置関係を規定する際、「上に」「下に」とは、ある構成物の直上又は直下に位置する場合のみでなく、特に断りの無い限りは、間にさらに他の構成物を介在する場合を含むものとする。

図１は、本発明の一実施形態に係る表示装置の概略の構成を、有機ＥＬ表示装置を例にして示す模式図である。有機ＥＬ表示装置２は、画像を表示する画素アレイ部４と、画素アレイ部４を駆動する駆動部とを備える。有機ＥＬ表示装置２は、基材上に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）や有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）などの積層構造が形成されて構成される。なお、図１に示した概略図は一例であって、本実施形態はこれに限定されるものではない。

画素アレイ部４には、ＯＬＥＤ６及び画素回路８をそれぞれ有する画素がマトリクス状に配置される。画素回路８は複数のＴＦＴ１０，１２やキャパシタ１４で構成される。

上記駆動部は、走査線駆動回路２０、映像線駆動回路２２、駆動電源回路２４及び制御装置２６を含み、画素回路８を駆動しＯＬＥＤ６の発光を制御する。

走査線駆動回路２０は、画素の水平方向の並び（画素行）ごとに設けられた走査信号線２８に接続されている。走査線駆動回路２０は、制御装置２６から入力されるタイミング信号に応じて走査信号線２８を順番に選択し、選択した走査信号線２８に、スイッチングＴＦＴ１０をオンする電圧を印加する。

映像線駆動回路２２は、画素の垂直方向の並び（画素列）毎に設けられた映像信号線３０に接続されている。映像線駆動回路２２は、制御装置２６から映像信号を入力され、走査線駆動回路２０による走査信号線２８の選択に合わせて、選択された画素行の映像信号に応じた電圧を各映像信号線３０に出力する。当該電圧は、選択された画素行にてスイッチングＴＦＴ１０を介してキャパシタ１４に書き込まれる。駆動ＴＦＴ１２は、書き込まれた電圧に応じた電流をＯＬＥＤ６に供給する。これにより、選択された走査信号線２８に対応する画素のＯＬＥＤ６が発光する。

駆動電源回路２４は、画素列毎に設けられた駆動電源線３２に接続され、駆動電源線３２及び選択された画素行の駆動ＴＦＴ１２を介してＯＬＥＤ６に電流を供給する。なお、駆動電源線３２は、図１では画素列毎に設けられているが、画素行毎に設けられていても良く、さらにその両方に設けられていても良い。

ここで、ＯＬＥＤ６の下部電極１００は、駆動ＴＦＴ１２に接続される。一方、各ＯＬＥＤ６の上部電極１０４は、全画素のＯＬＥＤ６に共通の電極で構成される。下部電極１００を陽極（アノード）として構成する場合は、高電位が入力され、上部電極１０４は陰極（カソード）となって低電位が入力される。下部電極１００を陰極（カソード）として構成する場合は、低電位が入力され、上部電極１０４は陽極（アノード）となって高電位が入力される。

図２は、図１に示す有機ＥＬ表示装置２の表示パネルの一例を示す模式的な平面図である。表示パネル４０の表示領域４２に、図１に示した画素アレイ部４が設けられる。また上述のように、画素アレイ部４にはＯＬＥＤ６が配列される。上述の、ＯＬＥＤ６を構成する上部電極１０４は、各画素に共通に形成されて表示領域４２全体を覆う。表示領域４２の周囲には額縁領域４４が設けられ、上述した走査線駆動回路２０、映像線駆動回路２２、駆動電源回路２４及び制御装置２６等が設けられる。

矩形である表示パネル４０の額縁領域４４の一辺には、部品実装領域４６及び折り曲げ領域４８が設けられる。部品実装領域４６及び折り曲げ領域４８には表示領域４２に繋がる配線が配置される。さらに、部品実装領域４６には、駆動部を構成するドライバＩＣ５０が搭載されたり、フレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）５２が接続されたりする。ＦＰＣ５２は、制御装置２６やその他の回路２０，２２，２４等に接続されたり、その上にＩＣを搭載されたりする。

図３は、図２のＩＩＩ−ＩＩＩ断面の一例を示す概略図である。ＩＩＩ−ＩＩＩ断面は、主に、画素を構成するＮｃｈＴＦＴを含む表示領域４２、額縁領域４４及び折り曲げ領域４８における断面構造を示す。なお図３では、断面構造を見易くするため、一部の層のハッチングを省略している。

表示パネル４０は、例えば、基材７０の上に、ＴＦＴ７２などが形成された回路層７４、ＯＬＥＤ６及びＯＬＥＤ６を封止する封止層１１０などが積層された構造を有する。

基材７０は、例えば、ガラス、石英等の透明基板の他、ポリイミド系樹脂などの樹脂を含む樹脂膜で構成される。樹脂膜で構成される場合、基材７０は、例えば、図示しない支持基板上に樹脂材料を塗布により成膜して形成され、後に支持基板を剥離することで可撓性が付与される。ここでは、基材７０及び対向基板ともポリイミドを用いている。但し、シートディスプレイとして十分な可撓性を有する基材であれば他の樹脂材料を用いても良い。

封止層１１０の上には、例えば、保護層（図示せず）が配置される。本実施形態においては、画素アレイ部４はトップエミッション構造であり、ＯＬＥＤ６で生じた光は、基材７０側とは反対側（図３において上向き）に出射される。なお、有機ＥＬ表示装置２におけるカラー化方式をカラーフィルタ方式とする場合には、例えば、封止層１１０と保護層（図示せず）との間、又は対向基板側にカラーフィルタが配置される。このカラーフィルタに、ＯＬＥＤ６にて生成した白色光を通すことで、例えば、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の光を作る。

表示領域４２の回路層７４には、上述した画素回路８、走査信号線２８、映像信号線３０、駆動電源線３２などが形成される。駆動部の少なくとも一部分は、基材７０上に回路層７４として表示領域４２に隣接する領域に形成することができる。駆動部を構成するドライバＩＣ５０やＦＰＣ５２の端子は、部品実装領域４６にて、回路層７４の配線１１４に、電気的に接続される。

図３に示すように、基材７０上には、無機絶縁材料で形成されたアンダーコート層８０が配置されている。無機絶縁材料としては、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ_ｙ）、酸化シリコン（ＳｉＯ_ｘ）及びこれらの複合体が用いられる。

本実施形態では、アンダーコート層８０は、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン酸化膜の三層積層構造を設けている。最下層のシリコン酸化膜は、基材７０との密着性向上のために設けられる。中層のシリコン窒化膜は、外部からの水分及び不純物のブロック膜として設けられる。最上層のシリコン酸化膜は、シリコン窒化膜中に含有する水素原子が半導体層側に拡散しないようにするブロック膜として設けられる。このアンダーコート層８０は、特に三層積層構造に限定するものではない。さらに積層があっても良いし、単層あるいは二層積層としても良い。

なお、アンダーコート層８０を形成する時に、後にＴＦＴ７２を形成する箇所に合わせてＬＳ膜７６を形成しても良い。ＬＳ膜７６は、ＴＦＴ７２のチャネル裏面からの光の侵入等によるＴＦＴ特性の変化を抑制することができる。また、ＬＳ膜７６を導電層で形成し、ある電位を与えることで、ＴＦＴ７２にバックゲート効果を与えることができる。ここでは、最下層のシリコン酸化膜を形成した後、駆動トランジスタが形成される箇所に合わせてＬＳ膜７６を島状に形成する。その後、中層のシリコン窒化膜及び最上層のシリコン酸化膜を積層する。このように、アンダーコート層８０にＬＳ膜７６を封入するように形成しているが、構造はこの限りではない。基材７０上にまずＬＳ膜７６を形成し、その後にアンダーコート層８０を形成しても良い。

表示領域４２においては、アンダーコート層８０上に、ＴＦＴ７２が形成される。ＴＦＴ７２としてはポリシリコンＴＦＴを例とし、ここではＮｃｈＴＦＴのみが示されている。しかしこれに限らず、ＰｃｈＴＦＴを同時に形成しても良い。ＮｃｈＴＦＴは、チャネル電極及びソース・ドレイン電極となる半導体領域８２を有する。半導体領域８２は、例えば、ポリシリコン（ｐ−Ｓｉ）で形成される。具体的に、まず基材７０上に半導体層（ｐ−Ｓｉ膜）を設ける。その後この半導体層をパターニングし、回路層７４で用いる箇所を選択的に残す。これにより、半導体領域８２が形成される。

ＴＦＴ７２のチャネル部の上には、ゲート絶縁膜８４を介してゲート電極８６が配置されている。ゲート絶縁膜８４は、代表的には、ＴＥＯＳで形成される。ここでは、ゲート絶縁膜として、ここではシリコン酸化膜を用いる。ゲート電極８６は、例えば、スパッタリング等で形成した金属膜をパターニングして形成される。ここでは、ゲート電極８６はＭｏＷ（１ｓｔ配線）を用いる。ゲート電極８６は、さらに保持容量線を形成し、ポリシリコンとの間で、保持容量（Ｃｓ）の形成にも用いられる。

ゲート電極８６上には、ゲート電極８６を覆うように層間絶縁層８８が配置されている。層間絶縁層８８は、シリコン窒化膜及びシリコン酸化膜の二層積層構造で設けられる。これら二層の積層後にパターニングを行い、折り曲げ領域４８に相当する箇所の層間絶縁層８８を除去する。さらに、層間絶縁層８８の除去によって、アンダーコート層８０が露出するので、これもパターニングを行って除去する。アンダーコート層８０を除去した後には、基材７０を構成するポリイミドが露出する。またこのとき、アンダーコート層８０のエッチングを通じて、ポリイミド表面が一部浸食されて膜減りを生ずる場合が有る。

このとき、層間絶縁層８８の端部による段差部分及びアンダーコート層８０の端部による段差部分、それぞれの下層に配線パターンを形成しておく。この配線パターンは、次の工程で形成する引き回し配線が段差部分を横切る際に、配線パターンの上を通る。ここでは、層間絶縁層８８とアンダーコート層８０との間にはゲート電極８６があり、アンダーコート層８０と基材７０との間にはＬＳ膜７６があるため、それらの層を利用して配線パターンを形成する。

さらにソース・ドレイン電極及び引き回し配線となる導電層（２ｎｄ配線）９２を形成する。導電層９２は、例えば、スパッタリング等で形成した金属膜をパターニングすることにより形成される。ここでは、Ｔｉ、Ａｌ、Ｔｉの三層積層構造を採用する。層間絶縁層８８、ＴＦＴのゲート電極と同層の導電層で形成される電極及びＴＦＴのソース・ドレイン配線と同層の導電層で形成される電極とで、保持容量（Ｃｓ）が形成される。引き回し配線は、基材７０の額縁領域４４から部品実装領域４６まで延在される。そして後に、ドライバＩＣ５０やＦＰＣ５２を接続する端子を形成する。

なお引き回し配線は、折り曲げ領域４８を横切ってＦＰＣ５２等の端子が接続される領域へ到達するように形成されるため、層間絶縁層８８及びアンダーコート層８０の段差を横切る。上述のように、段差部分にはＬＳ膜７６による配線パターンが形成されているため、引き回し配線が段差の凹部で段切れを生じたとしても、下のＬＳ膜７６にコンタクトすることで電気的な接続を維持することができる。

その後、ＴＦＴ７２及び導電層９２を覆うように平坦化膜９４及びパッシベーション膜９６を形成する。平坦化膜９４は、例えば、樹脂材料で形成される。中でも感光性アクリル等の有機材料は、化学気相成長（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等により形成される無機絶縁材料に比べて表面の平坦性に優れるため、多く用いられる。パッシベーション膜９６は、例えば、ＳｉＮ_ｙ等の無機絶縁材料で形成される。そして、表示領域４２において、パッシベーション膜９６上にＯＬＥＤ６が形成されている。

ＯＬＥＤ６は、下部電極１００、有機材料層１０２および上部電極１０４を含む。ＯＬＥＤ６は、代表的には、下部電極１００、有機材料層１０２および上部電極１０４を基材７０側からこの順に積層して形成される。

図３に示すＴＦＴ７２が、ｎチャネルを有した駆動ＴＦＴ１２であるとすると、下部電極１００は、ＴＦＴ７２のソース電極９０ａに接続される。具体的には、上述した平坦化膜９４の形成後、下部電極１００をＴＦＴ７２に接続するためのコンタクトホール１１２が形成され、例えば、平坦化膜９４表面およびコンタクトホール１１２内に形成した導電体部をパターニングすることにより、ＴＦＴ７２に接続された下部電極１００が画素毎に形成される。下部電極１００は、例えば、ＩＴＯやＩＺＯ等の透明金属酸化物で形成されてもよい。また下部電極１００は、ＡｇやＡｌ等の金属を薄膜で形成することで設けてもよい。

上記構造上には、画素領域の隔壁となるバンク９８（又はリブとも言う）を形成する。例えば、下部電極１００の形成後、画素境界にバンク９８を形成する。その後、バンク９８で囲まれた画素の有効領域（下部電極１００の露出する領域）に、有機材料層１０２及び上部電極１０４が積層される。

バンク９８は、平坦化膜９４と同様に、例えば、樹脂材料（感光性アクリル等）で形成される。またバンク９８の端部はなだらかなテーパー形状となるのが好ましい。開口端が急峻な形状になっていると、有機材料層１０２のカバレッジ不良を生ずる。

なお、平坦化膜９４とバンク９８は、両者の間のパッシベーション膜９６に設けた開口を通じて接触させている部位を有する。この部位は、バンク９８形成後の熱処理等で平坦化膜９４から脱離する水分やガスを、バンク９８を通じて引き抜くための開口である。

有機材料層１０２は、代表的には、アノード側から順に、ホール輸送層、発光層および電子輸送層を積層して形成されている。また、有機材料層１０２は、その他の層を有し得る。その他の層としては、例えば、アノードと発光層との間に配置されるホール注入層や電子ブロック層、カソードと発光層との間に配置される電子注入層やホールブロック層が挙げられる。有機材料層１０２は、図３に示すように複数の下部電極１００上及びバンク９８上に亘って連続的に形成されても良いし、それぞれの下部電極１００上に選択的に形成されても良い。また、上述の通り有機材料層１０２は複数の層を有し得るが、一部の層は複数の下部電極１００上及びバンク９８上に亘って連続的に形成され、他の一部の層はそれぞれの下部電極１００上に選択的に形成されても良い。

有機材料層１０２の形成後、上部電極１０４を形成する。上部電極１０４は、有機材料層１０２及びバンク９８を覆う。上部電極１０４は、表示領域４２においては全体に広がる一様な膜（いわゆるベタ膜）として形成される。有機材料層１０２、並びに有機材料層１０２を挟む下部電極１００及び上部電極１０４によって、発光素子が構成される。有機材料層１０２に含まれる発光層は、下部電極１００と上部電極１０４との間を流れる電流によって発光する。

上部電極１０４は、例えばＭｇＡｇ等の金属薄膜で形成される。トップエミッション構造を採用した有機ＥＬ表示装置２に金属薄膜を用いる場合は、光が透過する程度に膜厚を小さくする必要がある。一方、有機ＥＬ表示装置２がボトムエミッション構造を採用した場合、上部電極１０４は反射電極として形成される必要がある。

ここではトップエミッション構造としているため、上部電極１０４を、ＭｇＡｇを有機ＥＬ層からの出射光が透過する程度の薄膜として形成する。例示した有機材料層１０２の形成順序に従うと、下部電極１００が陽極（アノード）となり、上部電極１０４が陰極（カソード）となる。上部電極１０４は、表示領域４２上と、表示領域４２近傍に設けられた陰極コンタクト部１３０に亘って形成され、陰極コンタクト部１３０で下層の導電層９２と接続される。導電層９２は、さらに下層に設けられた配線１１４と接続され、部品実装領域４６でＦＰＣ５２等と接続される。

上部電極１０４の形成後、酸化保護膜１０６を形成する。酸化保護膜１０６は表示領域４２及び額縁領域４４に設けられる。うち額縁領域４４においては、表示領域４２近傍に設けられた陰極コンタクト部１３０を覆うように設けられる。また、酸化保護膜１０６は、後述する封止層１１０のうち、第１の無機封止膜１２０と第２の無機封止膜１２２とが直接接する周縁部には設けられない。

酸化保護膜１０６は、上部電極１０４に用いられる金属よりもイオン化傾向の大きいアルカリ金属及びアルカリ土類金属のどちらか一方を少なくとも含む化合物で形成される。つまり、酸化保護膜１０６は、上部電極１０４に用いられる金属よりもイオン化傾向の大きいアルカリ金属を含む化合物のみ又はアルカリ土類金属を含む化合物のみで形成されていてもよい。また、酸化保護膜１０６は、上部電極１０４に用いられる金属よりもイオン化傾向の大きいアルカリ金属を含む化合物及びアルカリ土類金属を含む化合物を混合して形成されていてもよい。なお酸化保護膜１０６は、図１に示す画素アレイ部４を構成する光学調整層（図示せず）と同一の材料によって形成されてもよい。

酸化保護膜１０６は、上部電極１０４の酸化を防止することを目的の一として設けられる。つまり、上部電極１０４は、有機材料層１０２の発光に関する領域において、酸化保護膜１０６に覆われることで、酸素を含む雰囲気下における酸化や水分の浸入による酸化を防ぐことが可能となる。

酸化保護膜１０６を形成後、封止層１１０を形成する。封止層１１０は、バンク９８及び有機材料層１０２を覆うことで、封止により外部からの水分浸入を防止することを機能の一としている。そのため、封止層１１０は高いガスバリア性を有する。

封止層１１０は、第１の無機封止膜１２０、有機封止膜１２２及び第２の無機封止膜１２４をこの順で含む積層構造を有している。第１の無機封止膜１２０は、例えば、ＣＶＤ法によりシリコン窒化膜を成膜することにより形成される。第１無機材料膜１２０の膜厚は、例えば、１μｍ程度である。有機封止膜１２２は、例えば、アクリル系、エポキシ系等の樹脂材料で形成される。有機封止膜１２２は、例えば、硬化性樹脂組成物をインクジェット方式やスクリーン印刷方式等の任意の適切な方法で塗布し、得られた塗布層を硬化させることで形成される。有機封止膜１２２の膜厚は、例えば、１０μｍ程度である。第２の無機封止膜１２４は、第１の無機封止膜１２０と同様、ＣＶＤ法によりシリコン窒化膜を成膜することにより形成される。第２の無機封止膜１２４の膜厚は、例えば１μｍ程度である。

なお、酸化保護膜１０６と第１の無機封止膜１２０との間には、図３に示すように、密着性向上を目的の一として、無機材料膜１０８を設けてもよい。無機材料膜１０８は、無機絶縁材料で形成される。無機絶縁材料の例としては、酸化ケイ素（ＳｉＯ_ｘ）や酸窒化ケイ素（ＳｉＯＮ）などのケイ素と酸素との化合物及びアルミナなどの金属酸化物等が挙げられる。無機材料膜１０８は、上記材料のうちの１種類から構成されていてもよく、２種類以上が混合されて構成されていてもよい。なお、表示特性への影響を低減する観点から、無機材料膜１０８は、少なくとも表示領域４２においては均一に配置される。なお、無機材料膜１０８は、第１の無機封止膜１２０の下面の少なくとも一部に配置されていればよい。但し、密着性向上の目的から、第１の無機封止膜１２０及び第２の無機封止膜１２４が直接接する額縁領域４４の周縁部においては、少なくとも無機材料膜１０８が設けられていることが好ましい。

無機材料膜１０８の膜厚は、例えば、０．１μｍ程度である。また、無機材料膜１０８の膜厚は第１の無機封止膜１２０の膜厚の、例えば、１／５０〜１／５に設定することができる。無機材料膜１０８の表面（第１の無機封止膜１２０が配置される側の面）は、平滑（膜厚が均一）であってもよいし、凹凸形状を備えた状態（膜厚が不均一）であってもよい。表面に凹凸形状を備えることで、第１の無機封止膜１２０との接触面積が増えて、密着性をさらに向上させ得る。無機材料膜１０８は、例えば、ＣＶＤ法により形成される。表面に凹凸形状を備える無機材料膜１０８は、例えば、メッシュ状のマスクを介して、ＣＶＤ法による成膜を行うことで形成される。表面の凹凸形状が表示パネル４０の表示特性に影響を及ぼす場合等は、表示領域４２を囲む領域（額縁領域４４）に選択的に凹凸形状が形成されていてもよい。

図４は、図１に示す有機ＥＬ表示装置２の表示パネル４０において、陰極コンタクト部１３０が額縁領域４４の一辺にのみ設けられる場合の例を示す模式的な平面図である。図４に示すように、有機ＥＬ表示装置２において、陰極コンタクト部１３０は表示領域４２とＦＰＣ５２との間の領域に設けられている。

図５は、図４のＶ部を拡大して示す模式的な拡大平面図である。図４に示す構成を有する有機ＥＬ表示装置２の場合、各層は図５に示すように位置していることが好ましい。

また、図４及び図５に示す有機ＥＬ表示装置２の構成とは異なる構成の例として、図６及び図７を示す。図６は、図１に示す有機ＥＬ表示装置２の表示パネル４０において、陰極コンタクト部１３０が額縁領域４４の三辺に設けられる場合の例を示す模式的な平面図である。図７は、図６のＶＩＩ部を拡大して示す模式的な拡大平面図である。

このように、図４及び図５に示す構成とは異なる有機ＥＬ表示装置２として、図６に示すように陰極コンタクト部１３０が表示領域４２の周囲を囲むように設けられている場合、各層の位置関係は図７のようになることが好ましい。

以下、図４乃至図７に示す、有機材料層１０２、上部電極１０４、酸化保護膜１０６、封止層１１０（第１の無機封止膜１２０、有機封止膜１２２及び第２の無機封止膜１２４）及び陰極コンタクト部１３０との位置関係について説明する。

有機材料層１０２は、表示領域４２上に設けられる。この際有機材料層１０２は、上述のように複数の下部電極１００のそれぞれを個別に覆うように形成されても良いし、表示領域４２全体を連続的に覆うように形成されても良い。

上部電極１０４は、当該上部電極１０４の端部が有機材料層１０２の端部よりも表示パネル４０の端部に近い側に位置するように形成されることが好ましい。同時に、表示領域４２から陰極コンタクト部１３０まで連続して延在し、陰極コンタクト部１３０を平面視で完全に覆うように形成されることが好ましい。

酸化保護膜１０６は、上部電極１０４の形成領域を平面視で完全に覆うように形成されることが好ましい。また、酸化保護膜１０６は、少なくとも表示領域４２全体、陰極コンタクト部１３０全体を平面視で完全に覆うように形成されることが好ましい。その上で、表示領域４２と陰極コンタクト部１３０との間の領域は、酸化保護膜１０６に連続的に覆われるように形成されることが好ましい。

第１の無機封止膜１２０は、酸化保護膜１０６の端部が外部に露出しないように、酸化保護膜１０６を平面視で完全に覆うように形成されることが好ましい。この際、第１の無機封止膜１２０と第２の無機封止膜１２４は、工程上同時にパターニングされるのが最も簡略である。ゆえに、結果として第２の無機封止膜１２４も平面視で第１の無機封止膜１２０と等しい形状となる。

第１の無機封止膜１２０と第２の無機封止膜１２４との間に設けられる有機封止膜１２２については、少なくとも表示領域４２を平面視で完全に覆うように形成される。その上で、有機封止膜１２２の端部が外部に露出しないように、有機封止膜１２２の周囲で第１の無機封止膜１２０と第２の無機封止膜１２４とが接するように形成されることが好ましい。また、折り曲げ領域４８にかかる部分では、第１の無機封止膜１２０及び第２の無機封止膜１２４は除去されていることが好ましい。

以上の工程により、有機ＥＬ表示装置２が作製される。必要に応じて、封止層１１０上にカバーガラスやタッチパネル基板等を設けても良い。この場合、有機ＥＬ表示装置２との空隙を埋めるために、樹脂等を用いた充填材を介しても良い。

本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、上記実施形態で示した構成と実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成または同一の目的を達成することができる構成で置き換えることができる。

本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。例えば、前述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。

２ 有機ＥＬ表示装置、４ 画素アレイ部、６ ＯＬＥＤ、８ 画素回路、１０ スイッチングＴＦＴ、１２ 駆動ＴＦＴ、１４ キャパシタ、２０ 走査線駆動回路、２２ 映像線駆動回路、２４ 駆動電源回路、２６ 制御装置、２８ 走査信号線、３０ 映像信号線、３２ 駆動電源線、４０ 表示パネル、４２ 表示領域、４４ 額縁領域、４６ 部品実装領域、４８ 折り曲げ領域、５０ ドライバＩＣ、５２ ＦＰＣ、７０ 基材、７２ ＴＦＴ、７４ 回路層、７６ ＬＳ膜、８０ アンダーコート層、８２ 半導体領域、８４ ゲート絶縁膜、８６ ゲート電極、８８ 層間絶縁層、９０ａ ソース電極、９０ｂ ドレイン電極、９２ 導電層、９４ 平坦化膜、９６ パッシベーション膜、９８ バンク、１００ 下部電極、１０２ 有機材料層、１０４ 上部電極、１０６ 酸化保護膜、１０８ 無機材料膜、１１０ 封止層、１１２ コンタクトホール、１１４ 配線、１２０ 第１の無機封止膜、１２２ 有機封止膜、１２４ 第２の無機封止膜、１３０ 陰極コンタクト部。

Claims (6)

1. 画素アレイ部を備える表示領域及び前記表示領域外の額縁領域を有する基板と、
   前記額縁領域にて設けられるコンタクト領域において配線と電気的に接続され、かつ前記画素アレイ部の上面に設けられる、金属薄膜からなる上部電極と、
   前記上部電極と接するように前記表示領域から前記額縁領域へ連続的に設けられる酸化保護膜と、
   前記上部電極及び前記酸化保護膜を覆うように前記基板上に設けられる第１の無機封止膜と、
   前記第１の無機封止膜上に設けられる有機封止膜と、
   前記有機封止膜上に設けられるとともに、前記第１の無機封止膜とその周縁部にて直接接する第２の無機封止膜と、
   を有する表示装置であって、
   前記酸化保護膜は、前記額縁領域において、少なくとも前記上部電極の前記コンタクト領域を覆い、かつ前記第１の無機封止膜と前記第２の無機封止膜とが直接接する前記周縁部には設けられない、
   ことを特徴とする表示装置。
2. 前記酸化保護膜と前記第１の封止膜との間に設けられる、酸素原子を含む無機材料膜をさらに有する、
   ことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
3. 前記無機材料膜は、酸化ケイ素、酸窒化ケイ素及び金属酸化物のいずれか１種類以上からなる、
   ことを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
4. 前記酸化保護膜は、前記上部電極に用いられる金属よりもイオン化傾向の大きいアルカリ金属及びアルカリ土類金属のどちらか１種類を少なくとも含む化合物からなる、
   ことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
5. 前記酸化保護膜は、前記画素アレイ部を構成する光学調整層と同一の材料からなる、
   ことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
6. 画素アレイ部を備える表示領域及び前記表示領域外の額縁領域を有する基板を設ける工程と、
   前記額縁領域にて設けられるコンタクト領域において配線と電気的に接続される、金属薄膜からなる上部電極を前記画素アレイ部の上面に設ける工程と、
   前記表示領域から前記額縁領域へ連続的に設けられる酸化保護膜を前記上部電極と接するように設ける工程、
   前記上部電極及び前記酸化保護膜を覆う第１の無機封止膜を前記基板上に設ける工程と、
   前記第１の無機封止膜上に有機封止膜を設ける工程と、
   前記有機封止膜上に、前記第１の無機封止膜とその周縁部にて直接接する第２の無機封止膜を設ける工程と、
   を有する表示装置の製造方法であって、
   前記酸化保護膜は、前記額縁領域において、少なくとも前記上部電極の前記コンタクト領域を覆い、かつ前記第１の無機封止膜と前記第２の無機封止膜とが直接接する前記周縁部には設けられない、
   ことを特徴とする表示装置の製造方法。

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