CN107425045A - 一种阵列基板、显示器件和阵列基板的制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种阵列基板、显示器件和阵列基板的制造方法，属于显示设备领域。该阵列基板包括衬底基板和像素界定层，像素界定层将衬底基板划分为多个子像素区域，至少一个子像素区域在衬底基板上的正投影均为四边形，四边形的第一侧边与第三侧边向四边形的内侧凹陷，较窄的区域的墨水会向靠近第二侧边和第四侧边的两个方向流动，使较窄的区域的墨水量减少，墨水分布更加均匀，从而降低较窄的区域形成的薄膜厚度，使墨水完全干燥后形成的薄膜厚度更均匀，在干燥过程中，墨水会更多的向第一侧边和第三侧边的两端流动，增加了子像素区域的边缘厚度较薄的区域的膜厚，从而使子像素区域内可以形成面积更大的厚度较均匀的薄膜。
Description
技术领域
本发明涉及显示设备领域，特别涉及一种阵列基板、显示器件和阵列基板的制造方法。
背景技术
有机发光显示器(英文Organic Light-Emitting Display，简称OLED)是一种应用十分广泛的主流显示器，具有超轻薄、制作成本低等优点。
OLED的显示面板通常包括阵列基板和盖板，阵列基板上设置有OLED像素单元，盖板盖合在阵列基板上的OLED像素单元上方。OLED像素单元包括依次设置于阵列基板上的一电极、有机薄膜层和另一电极，有机薄膜层主要包括层叠设置在电极上的空穴注入层、空穴传输层、有机发光层以及电子传输层。OLED像素单元的有机薄膜层的制作方法主要包括如下两种：一种是蒸镀方式，另一种是喷墨打印方式。其中，喷墨打印方式是指将液态有机材料均匀沉积形成有机薄膜层。
在喷墨打印的过程中，有机材料通过喷嘴被注入到每一个子像素区域中。子像素区域中的有机材料干燥后形成的薄膜的厚度不均匀，由于咖啡环效应，有机材料在干燥后通常会呈现中间较厚，从中间向边缘缓慢变薄，再迅速变厚的形状。由于厚度分布不均匀，在每个子像素中形成的薄膜通常只有中间面积较小的厚度较均匀的区域可以发出正常颜色的光，其他部分可能会发出与正常颜色的颜色不同的光，从而影响显示的效果。
发明内容
为了解决喷墨打印中形成的薄膜厚度不均匀的问题，本发明实施例提供了一种阵列基板、显示器件和阵列基板的制造方法。所述技术方案如下：
一方面，本发明实施例提供了一种阵列基板，所述阵列基板包括衬底基板和设置于所述衬底基板上的像素界定层，所述像素界定层将所述衬底基板划分为多个子像素区域，至少一个所述子像素区域在所述衬底基板上的正投影为四边形，所述四边形包括首尾顺次连接的第一侧边、第二侧边、第三侧边和第四侧边，所述第一侧边与所述第三侧边相对设置，所述第一侧边与所述第三侧边向所述四边形的内侧凹陷，且所述第一侧边与第一线段之间的垂直距离在所述第一线段的延伸方向上先逐渐增大再逐渐减小，所述第三侧边与第二线段之间的垂直距离在所述第二线段的延伸方向上先逐渐增大再逐渐减小，其中，所述第一线段为连接所述第一侧边的两个端点的线段，所述第二线段为连接所述第三侧边的两个端点的线段。
可选地，所述第一侧边上与所述第一线段的垂直距离最大的点为所述第一线段的中垂线与所述第一侧边的交点，所述第三侧边上与所述第二线段的垂直距离最大的点为所述第二线段的中垂线与所述第三侧边的交点。
可选地，所述第二侧边和所述第四侧边向所述四边形的内侧凹陷。
可选地，所述子像素区域在所述衬底基板上的正投影为曲边矩形。
可选地，所述像素界定层上设置有扩展槽，所述扩展槽位于所述子像素区域的角处，且与所述子像素区域连通。
可选地，所述扩展槽的内侧壁在所述衬底基板上的正投影为优弧。
可选地，所述优弧的半径为所述子像素区域的较短的一条侧边的长度的1/8～1/12。
进一步地，在垂直于所述衬底基板的方向上，所述扩展槽的深度小于所述像素界定层的厚度。
可选地，所述像素界定层的厚度与所述扩展槽的深度的差为1000埃～2000埃。
进一步地，所述第一侧边和所述第三侧边的长度大于所述第二侧边和所述第四侧边的长度。
可选地，所述第一侧边和所述第三侧边为圆弧边，所述圆弧边的圆缺高为所述第二侧边或所述第四侧边的长度的1/8～1/12，其中，所述圆弧边的圆缺高为所述圆弧边的半径与所述圆弧边所对的弦的弦心距的差
可选地，所述阵列基板还包括设置在所述衬底基板和所述像素界定层之间的电极，所述子像素区域在所述衬底基板上的正投影位于所述电极在所述衬底基板上的正投影内。
另一方面，本发明实施例还提供了一种显示器件，所述显示器件包括前述的任一种阵列基板。
另一方面，本发明实施例还提供了一种阵列基板的制造方法，所述制造方法包括：
提供一衬底基板；
在所述衬底基板上制作像素界定层，所述像素界定层将所述衬底基板划分为多个子像素区域，至少一个所述子像素区域在所述衬底基板上的正投影为四边形，所述四边形包括首尾顺次连接的第一侧边、第二侧边、第三侧边和第四侧边，所述第一侧边与所述第三侧边相对设置，所述第一侧边与所述第三侧边向所述四边形的内侧凹陷，且所述第一侧边与第一线段之间的垂直距离在所述第一线段的延伸方向上先逐渐增大再逐渐减小，所述第三侧边与第二线段之间的垂直距离在所述第二线段的延伸方向上先逐渐增大再逐渐减小，其中，所述第一线段为连接所述第一侧边的两个端点的线段，所述第二线段为连接所述第三侧边的两个端点的线段。
进一步地，所述在所述衬底基板上制作像素界定层，包括：
在所述衬底基板上形成透明绝缘膜层；
在所述透明绝缘膜层上形成子像素开口和扩展槽，所述扩展槽位于所述子像素开口的角处，且与所述子像素开口连通。
可选地，所述在所述衬底基板上制作像素界定层，包括：
在所述衬底基板上形成第一透明绝缘膜层；
在所述第一透明绝缘膜层上形成子像素开口；
在所述第一透明绝缘膜层上形成第二透明绝缘膜层；
在所述第二透明绝缘膜层上形成所述扩展槽。
本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是：通过改变子像素区域的形状，使子像素区域在衬底基板上的正投影呈四边形，在四边形中，第一侧边和与之相对的第三侧边向四边形内侧凹陷，且第一侧边与第一线段之间的垂直距离在第一线段的延伸方向上先逐渐增大再逐渐减小，第三侧边与第二线段之间的垂直距离在第二线段的延伸方向上先逐渐增大再逐渐减小，这样子像素区域会有一个较窄的区域，可以减少喷墨打印过程中积累在较窄的区域内的墨水量，同时在墨水干燥的过程中，刚开始位于子像素区域的较窄的区域的墨水会较高，由于较窄的区域内的墨水干燥速度比边缘慢，在马拉高尼效应下，较窄的区域的墨水会向靠近第二侧边和第四侧边的两个方向流动，使较窄的区域的墨水量进一步减少，墨水分布更加均匀，从而降低子像素区域中较窄的区域形成的薄膜厚度，使墨水完全干燥后形成的薄膜厚度更均匀，且由于第一侧边和第三侧边均向四边形内侧凹陷，在干燥过程中，墨水会更多的向第一侧边和第三侧边的两端流动，增加了子像素区域的边缘厚度较薄的区域的膜厚，从而使子像素区域内可以形成面积更大的厚度较均匀的薄膜。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供的一种阵列基板的局部俯视图；
图2是图1中的A-A截面图；
图3是本发明实施例提供的另一种阵列基板的局部俯视图；
图4是本发明实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图；
图5是本发明实施例提供的一种阵列基板的局部放大示意图；
图6是本发明实施例提供的另一种阵列基板的俯视图；
图7是图6中的C-C截面图；
图8是本发明实施例提供的一种阵列基板的制造方法的流程图；
图9是本发明实施例提供的另一种阵列基板的制造方法的流程图；
图10～图14是本发明实施例提供的阵列基板的制造中的结构示意图；
图15是本发明实施例提供的另一种阵列基板的制造方法的流程图；
图16是本发明实施例提供的一种像素界定层的制造方法的流程图；
图17～图20是本发明实施例提供的阵列基板的制造中的结构示意图；
图21是本发明实施例提供的另一种像素界定层的制造方法的流程图；
图22～图24是本发明实施例提供的阵列基板的制造中的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。
图1是本发明实施例提供的一种阵列基板的局部俯视图。图2是图1中的A-A截面图，如图1和图2所示，该阵列基板包括衬底基板10和设置于衬底基板10上的像素界定层20。参照图1，像素界定层20将衬底基板10划分为多个子像素区域30。
可选地，衬底基板10可以为透明基板，例如玻璃基板、硅基板和塑料基板等。像素界定层20可以采用透明绝缘材料制成，例如聚酰亚胺、氮化硅、氧化硅。
如图1所示，至少一个子像素区域30在衬底基板10上的正投影为四边形，四边形包括首尾顺次连接的第一侧边30a、第二侧边30b、第三侧边30c和第四侧边30d，第一侧边30a与第三侧边30c相对设置，第二侧边30b和第四侧边30d的两端分别连接在第一侧边30a与第三侧边30c之间。第一侧边30a与第三侧边30c向四边形的内侧凹陷，且第一侧边30a与第一线段p之间的垂直距离在第一线段p的延伸方向上先逐渐增大再逐渐减小，第三侧边30c与第二线段q之间的垂直距离在第二线段q的延伸方向上先逐渐增大再逐渐减小，其中，第一线段p为连接第一侧边30a的两个端点的线段，第二线段q为连接第三侧边30c的两个端点的线段，使得四边形从第一侧边30a和第三侧边30c的两端向中部逐渐变窄。
进一步地，第二侧边和第四侧边也可以向四边形的内侧凹陷，且四边形从第二侧边30b和第四侧边30d的两端向中部逐渐变窄。这样可以使所形成的膜层的厚度更加均匀。
示例性地，第一侧边30a上与第一线段p的垂直距离最大的点为第一线段p的中垂线与第一侧边30a的交点，第三侧边30c上与第二线段q的垂直距离最大的点为第二线段q的中垂线与第三侧边30c的交点。这样可以使子像素区域的中部较窄，墨水在干燥时向四周都会有流动，有利于在子像素区域的中部形成面积较大的厚度较均匀的薄膜。
可选地，前述的四边形的四个顶点分别位于矩形100的四个顶点处，这样可以便于子像素的排列，使子像素的排列更加整齐。
进一步地，子像素区域30在衬底基板10上的正投影为轴对称图形，且该正投影的对称轴可以有两条(如图1中的对称轴a和对称轴b)，该两条对称轴可以分别是连接第一侧边30a的两个端点的线段的中垂线和连接第二侧边30b的两个端点的线段的中垂线。这样可以使得子像素的排列更加整齐。
图3是本发明实施例提供的另一种阵列基板的局部俯视图，如图3所示，四边形的四条侧边均为曲边，使得子像素区域30在衬底基板10上的正投影呈曲边矩形。其中，曲边矩形是指将矩形的至少一条边替换为曲边后得到的图形，例如图3中所示的子像素区域30在衬底基板10上的正投影所呈的曲边矩形是将矩形的4条边均替换为曲边后得到的图形。在本发明的其他实施例中，子像素区域30也可以只有两条对边为曲边，例如只有第一侧边30a和第三侧边30c为曲边。
本发明实施例通过改变子像素区域的形状，使子像素区域在衬底基板上的正投影呈四边形，在四边形中，第一侧边和与之相对的第三侧边向四边形内侧凹陷，且第一侧边与第一线段之间的垂直距离在第一线段的延伸方向上先逐渐增大再逐渐减小，第三侧边与第二线段之间的垂直距离在第二线段的延伸方向上先逐渐增大再逐渐减小，这样子像素区域会有一个较窄的区域，可以减少喷墨打印过程中积累在较窄的区域内的墨水量，同时在墨水干燥的过程中，刚开始位于子像素区域的较窄的区域的墨水会较高，由于较窄的区域内的墨水干燥速度比边缘慢，在马拉高尼效应下，较窄的区域的墨水会向靠近第二侧边和第四侧边的两个方向流动，使较窄的区域的墨水量进一步减少，墨水分布更加均匀，从而降低子像素区域中较窄的区域形成的薄膜厚度，使墨水完全干燥后形成的薄膜厚度更均匀，且由于第一侧边和第三侧边均向四边形内侧凹陷，在干燥过程中，墨水会更多的向第一侧边和第三侧边的两端流动，增加了子像素区域的边缘厚度较薄的区域的膜厚，从而使子像素区域内可以形成面积更大的厚度较均匀的薄膜。
示例性地，第一侧边30a和第三侧边30c的长度大于第二侧边30b和第四侧边30d的长度。子像素区域30的两条较长的侧边可以为曲边，较长的侧边为曲边可以使子像素区域中部的墨水在干燥过程中向相距较远的两条短边流动，以使墨水分布的更加均匀，形成的薄膜厚度更均匀。其中，子像素区域30的较长的侧边(例如图3中所示的第一侧边30a和第三侧边30c)指的是子像素区域30的四个顶点所构成的矩形中，与该矩形的长边共端点的曲边。
在子像素区域30的四个顶点所构成的矩形中，长边与短边的长度之比可以为3∶1～1∶1，在本发明实施例中，长边与短边的长度之比为3∶1。需要说明的是，子像素区域的四个顶点所构成的矩形的邻边的长度之比也可以是1∶1，这样子像素区域30的四个顶点则构成了一个正方形。
如图3所示，第一侧边30a和第三侧边30c可以为圆弧边，圆弧边的圆缺高h为子像素区域30的第二侧边30b或第四侧边30d的长度的1/8～1/12，其中，圆弧边的圆缺高h为圆弧边的半径与圆弧边所对的弦的弦心距的差，若圆缺高h过小，则墨水在干燥的过程中，向两条短边流动的程度不明显，对薄膜厚度的影响过小，若圆缺高h过大，则会使得子像素区域30的中部过窄，相邻的子像素区域30之间会有较大的不发光区域，从而导致像素的亮度降低。需要说明的是，本发明实施例中，子像素区域30的某条边的长度指的是该条边的两个端点之间的直线距离。
当第二侧边30b和第四侧边30d也为圆弧边时，第二侧边30b和第四侧边30d的圆缺高与第一侧边30a和第三侧边30c的圆缺高h呈比例，且比值与子像素区域30的四个顶点所构成的矩形中短边与长边的长度之比相等。
在本发明的一种实现方式中，像素界定层20的厚度m不超过3μm，在本实施例中为1.5～2μm。若像素界定层20的厚度m过大会增大阵列基板的厚度，若像素界定层20的厚度过小，则容易使子像素区域30出射的光线进入到相邻的子像素区域30中，从而对显示效果造成影响。
其中，像素界定层20的厚度m指的是像素界定层20的远离衬底基板10且与衬底基板10平行的表面和衬底基板10的垂直距离。
图4是本发明实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图，如图4所示，像素界定层20上还可以设置有扩展槽31，扩展槽31位于子像素区域30的角处，且与子像素区域30连通。通过设置扩展槽31，使得在喷墨打印的过程中有墨水流入到扩展槽31内，在墨水干燥的过程中，位于扩展槽31内的墨水会先干燥，使子像素区域30内的墨水流入到扩展槽31内，这样可以避免在子像素区域30的边缘处形成的薄膜厚度过大，使子像素区域30内的薄膜厚度更加均匀。
图5是本发明实施例提供的一种阵列基板的局部放大示意图，如图5所示，扩展槽31的内侧壁在衬底基板10上的正投影可以为优弧311。
进一步地，优弧311所对的圆心角α可以为300°。
可选地，子像素区域30的四个角处均可以设置有扩展槽31，从而使得形成的薄膜厚度更均匀。
在本发明的其他实施例中，也可以只在部分角处设置扩展槽31。
进一步地，优弧311的半径可以为子像素区域30的较短的一条边的长度的1/8～1/12。可以在使薄膜更加均匀的情况下，避免扩展槽31过大导致的子像素间距增大，子像素排列的密度降低。
图6是本发明实施例提供的另一种阵列基板的俯视图，如图6所示，该阵列基板还包括设置在衬底基板10和像素界定层20之间的电极40(如图6中虚线所示)，电极40与子像素区域30一一对应设置。图7是图6中的C-C截面图，如图7所示，扩展槽31的槽底设有绝缘层50，使得在垂直于衬底基板10的方向上，扩展槽31的深度小于像素界定层20的厚度，这样墨水滴入到子像素区域30后，位于扩展槽31中的墨水较浅(墨水在扩展槽深度方向上的尺寸)，在干燥过程中，扩展槽31中的墨水干燥的更快，使得不断有墨水从子像素区域30补充到扩展槽31内，从而有利于墨水向扩展槽31中流动，同时由于在制作时，难以确保扩展槽31在衬底基板10上的投影与电极40之间没有重叠，若扩展槽31在衬底基板10上的投影与电极40之间有重叠区域，则墨水在扩展槽31内干燥形成的薄膜有可能会发光，通过设置绝缘层50可以将电极40与在扩展槽31内的有机材料形成的薄膜隔开，从而可以避免扩展槽31内形成的薄膜在电极的作用下发光。
进一步地，像素界定层20的厚度与扩展槽31的深度的差不超过2000埃。即绝缘层50的厚度不超过2000埃。示例性地，可以为1000埃～2000埃。若差值过大，则扩展槽31会过浅，使得墨水难以流入扩展槽31内。
可选地，子像素区域30在衬底基板10上的正投影可以位于电极40在衬底基板10上的正投影内，这样可以使得在子像素区域30内打印形成的有机薄膜层都能够发光。
本发明实施例还提供了一种显示器件，该显示器件包括图1～图7所示的任一种阵列基板。该显示器件可以为：电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
本发明实施例通过改变子像素区域的形状，使子像素区域在衬底基板上的正投影呈四边形，在四边形中，第一侧边和与之相对的第三侧边向四边形内侧凹陷，且第一侧边与第一线段之间的垂直距离在第一线段的延伸方向上先逐渐增大再逐渐减小，第三侧边与第二线段之间的垂直距离在第二线段的延伸方向上先逐渐增大再逐渐减小，这样子像素区域会有一个较窄的区域，可以减少喷墨打印过程中积累在较窄的区域内的墨水量，同时在墨水干燥的过程中，刚开始位于子像素区域的较窄的区域的墨水会较高，由于较窄的区域内的墨水干燥速度比边缘慢，在马拉高尼效应下，较窄的区域的墨水会向靠近第二侧边和第四侧边的两个方向流动，使较窄的区域的墨水量进一步减少，墨水分布更加均匀，从而降低子像素区域中较窄的区域形成的薄膜厚度，使墨水完全干燥后形成的薄膜厚度更均匀，且由于第一侧边和第三侧边均向四边形内侧凹陷，在干燥过程中，墨水会更多的向第一侧边和第三侧边的两端流动，增加了子像素区域的边缘厚度较薄的区域的膜厚，从而使子像素区域内可以形成面积更大的厚度较均匀的薄膜。
图8是本发明实施例提供的一种阵列基板的制造方法的流程图，该方法适用于制造图1～图7所示的任一种阵列基板。如图8所示，该制造方法包括：
S11：提供一衬底基板。
S12：在衬底基板上制作像素界定层。
其中，像素界定层将衬底基板划分为多个子像素区域。至少一个子像素区域在衬底基板上的正投影为四边形，四边形包括首尾顺次连接的第一侧边、第二侧边、第三侧边和第四侧边，第一侧边与第三侧边相对设置，第一侧边与第三侧边向四边形的内侧凹陷，且第一侧边与第一线段之间的垂直距离在第一线段的延伸方向上先逐渐增大再逐渐减小，第三侧边与第二线段之间的垂直距离在第二线段的延伸方向上先逐渐增大再逐渐减小，其中，第一线段为连接第一侧边的两个端点的线段，第二线段为连接第三侧边的两个端点的线段。
示例性地，第一侧边上与第一线段的垂直距离最大的点为第一线段的中垂线与第一侧边的交点，第三侧边上与第二线段的垂直距离最大的点为第二线段的中垂线与第三侧边的交点，使得四边形从第一侧边和第三侧边的两端向中部逐渐变窄。
本发明实施例通过改变子像素区域的形状，使子像素区域在衬底基板上的正投影呈四边形，在四边形中，第一侧边和与之相对的第三侧边向四边形内侧凹陷，且第一侧边与第一线段之间的垂直距离在第一线段的延伸方向上先逐渐增大再逐渐减小，第三侧边与第二线段之间的垂直距离在第二线段的延伸方向上先逐渐增大再逐渐减小，这样子像素区域会有一个较窄的区域，可以减少喷墨打印过程中积累在较窄的区域内的墨水量，同时在墨水干燥的过程中，刚开始位于子像素区域的较窄的区域的墨水会较高，由于较窄的区域内的墨水干燥速度比边缘慢，在马拉高尼效应下，较窄的区域的墨水会向靠近第二侧边和第四侧边的两个方向流动，使较窄的区域的墨水量进一步减少，墨水分布更加均匀，从而降低子像素区域中较窄的区域形成的薄膜厚度，使墨水完全干燥后形成的薄膜厚度更均匀，且由于第一侧边和第三侧边均向四边形内侧凹陷，在干燥过程中，墨水会更多的向第一侧边和第三侧边的两端流动，增加了子像素区域的边缘厚度较薄的区域的膜厚，从而使子像素区域内可以形成面积更大的厚度较均匀的薄膜。
图9是本发明实施例提供的另一种阵列基板的制造方法的流程图，该方法适用于制造图6所示的阵列基板。下面结合图10～图13对本发明进行详细说明。如图9所示，该制造方法包括：
S21：提供一衬底基板。
可选地，衬底基板可以为透明基板，例如玻璃基板、硅基板和塑料基板等。
步骤S21中可以对衬底基板进行洗净处理。
S22：在衬底基板上制作电极。
如图10所示，衬底基板10上形成有多个电极40。多个电极40可以阵列分布在衬底基板10上。
示例性地，步骤S22可以包括：
在衬底基板10上形成一层电极材料薄膜层。
通过构图工艺形成多个电极40。
示例性地，可以采用磁控溅射或蒸镀的方式在衬底基板10上形成电极材料薄膜层，使电极材料薄膜层覆盖在衬底基板10的表面。可选地，当该电极作为阳极时，电极材料薄膜层可以是ITO/Ag/ITO，当该电极作为阴极时，电极材料薄膜层可以是Mg/Ag。
S23：在衬底基板上制作像素界定层。
如图11所示，衬底基板10上形成有像素界定层20。
示例性地，步骤S23可以包括：
在衬底基板10上形成透明绝缘膜层。
在透明绝缘膜层上形成多个子像素开口201，以制成像素界定层20。
示例性地，可以在衬底基板10上形成一层氮化硅或氧化硅或聚酰亚胺，以形成透明绝缘膜层。可以通过构图工艺在透明绝缘膜层上制作出阵列布置的多个子像素开口201，从而将衬底基板划分为多个子像素区域。
需要说明的是，图10和图11均为阵列基板上对应图6中B-B位置的截面图。
如图12所示，子像素区域30在衬底基板上的正投影为曲边矩形，子像素区域30的四条侧边均为曲边，且四条曲边均向曲边矩形内侧凹陷。其中，曲边矩形是指将矩形的至少一条边替换为曲边后得到的图形。在本发明的其他实施例中，子像素区域也可以只有两条对边为曲边。
S24：在像素界定层上形成扩展槽。
如图13所示，在像素界定层20上形成有多个扩展槽31。
其中，扩展槽31位于子像素开口201的角处，且与子像素开口201连通。
可选地，子像素开口201的四个角处均可以设置有扩展槽31，从而使得喷墨打印形成的薄膜厚度更均匀。
扩展槽31的具体形状可以参见前述实施例。此处不再详述。
示例性地，扩展槽31可以通过光刻工艺在像素界定层20上形成。
可选地，步骤S23与步骤S24可以同时进行，通过光刻工艺在透明绝缘膜层上同时制作出多个子像素开口201和扩展槽31，减少光刻次数。
示例性地，如图14所示，可以采用半透掩膜进行光刻，使得扩展槽31的槽底留有一层绝缘层50，在垂直于衬底基板10的方向上，扩展槽31的深度小于像素界定层20的厚度。
需要说明的是，图14为制作过程中，阵列基板上对应图6中的C-C处的截面图。
图15是本发明实施例提供的另一种阵列基板的制造方法的流程图，该方法适用于制造图6所示的阵列基板。如图15所示，该制造方法包括：
S31：提供一衬底基板。
该步骤与S21相同，此处不再赘述。
S32：在衬底基板上制作电极。
该步骤与S22相同，此处不再赘述。
S33：在衬底基板上制作像素界定层。
示例性地，如图16所示，S33可以包括以下步骤：
S311：在衬底基板上形成第一透明绝缘膜层。
如图17所示，衬底基板10上形成有第一透明绝缘膜层21。
示例性地，可以在衬底基板上形成一层氮化硅或氧化硅或聚酰亚胺，以形成第一透明绝缘膜层21。
S312：在第一透明绝缘膜层上形成子像素开口和扩展槽开口。
如图18所示，第一透明绝缘膜层21上形成有子像素开口201和扩展槽开口31a。
此时，在垂直于衬底基板10的方向上，扩展槽开口31a的深度与第一透明绝缘膜层21的厚度相同。
可以通过构图工艺在第一透明绝缘膜层21上制作出阵列布置的多个开口，从而形成多个子像素开口201和扩展槽开口31a。
形成有子像素开口201和扩展槽开口31a的第一透明绝缘膜层21将衬底基板10划分为多个子像素区域。
S313：在衬底基板上形成第二透明绝缘膜层。
如图19所示，衬底基板10上形成有第二透明绝缘膜层22。
第二透明绝缘膜层22的材料可以与第一透明绝缘膜层21的材料相同，也可以不同。
S314：去除位于子像素开口内的第二透明绝缘膜层。
如图20所示，由第一透明绝缘膜层21和第二透明绝缘膜层22共同构成了像素界定层20，在像素界定层20上形成了子像素开口201和扩展槽31。由于仅去除了位于子像素开口201内的第二透明绝缘膜层22，扩展槽开口31a内的第二透明绝缘膜层22并没有去除，从而形成了深度小于像素界定层20的厚度的扩展槽31，扩展槽31的槽底留有一层绝缘层50。该绝缘层50可以将电极40与在扩展槽31内的有机材料形成的薄膜隔开，避免扩展槽31内形成的薄膜在电极40的作用下发光。
可以通过构图工艺去除位于子像素区域内的第二透明绝缘膜层。通过步骤S333和步骤S334，在衬底基板上形成了像素界定层，且衬底基板上对应扩展槽的位置也形成有第二透明绝缘膜层，从而形成了深度小于像素界定层的厚度的扩展槽。形成有像素界定层和扩展槽的衬底基板的结构可以参见图7。
需要说明的是，图17～图20为制作过程中，阵列基板上对应图6中的C-C处的截面图。
在本发明的另一种实施例中，如图21所示，S33也可以包括以下步骤：
S321：在衬底基板上形成第一透明绝缘膜层。
步骤S321可以与S311相同，此处不再详述。
S322：在第一透明绝缘膜层上形成子像素开口。
如图22所示，在第一透明绝缘膜层21上形成有子像素开口。
可以通过构图工艺在第一透明绝缘膜层21上制作出阵列布置的多个子像素开口201，从而将衬底基板10划分为多个子像素区域。
S323：在衬底基板上形成第二透明绝缘膜层。
如图23所示，在衬底基板10上形成有第二透明绝缘膜层22。
第二透明绝缘膜层22的材料可以与第一透明绝缘膜层21的材料相同，也可以不同。
S324：去除位于子像素开口内的第二透明绝缘膜层，并制作出扩展槽。
如图24所示，由第一透明绝缘膜层21和第二透明绝缘膜层22共同构成了像素界定层20，在像素界定层20上形成了子像素开口201和扩展槽31。
可以通过构图工艺去除位于子像素开口内的第二透明绝缘膜层22，同时在子像素开口201的角处制作出扩展槽31，扩展槽31的深度与第二透明绝缘膜层22的厚度相同。这样在扩展槽31的底部形成有一绝缘层50，该绝缘层50可以将电极40与在扩展槽31内的有机材料形成的薄膜隔开，避免扩展槽31内形成的薄膜在电极40的作用下发光。
需要说明的是，图22～图24为制作过程中，阵列基板上对应图6中的C-C处的截面图。
这样使得墨水滴入到子像素区域后，位于扩展槽中的墨水形成的薄膜较薄，扩展槽中的墨水干燥的更快，有利于墨水向扩展槽中流动，同时衬底基板上对应扩展槽的位置形成的第二透明绝缘膜层可以将电极与在扩展槽内的有机材料形成的薄膜隔开，从而可以避免扩展槽内形成的薄膜发光。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (16)
1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括衬底基板和设置于所述衬底基板上的像素界定层，所述像素界定层将所述衬底基板划分为多个子像素区域，至少一个所述子像素区域在所述衬底基板上的正投影为四边形，所述四边形包括首尾顺次连接的第一侧边、第二侧边、第三侧边和第四侧边，所述第一侧边与所述第三侧边相对设置，所述第一侧边与所述第三侧边向所述四边形的内侧凹陷，且所述第一侧边与第一线段之间的垂直距离在所述第一线段的延伸方向上先逐渐增大再逐渐减小，所述第三侧边与第二线段之间的垂直距离在所述第二线段的延伸方向上先逐渐增大再逐渐减小，其中，所述第一线段为连接所述第一侧边的两个端点的线段，所述第二线段为连接所述第三侧边的两个端点的线段。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一侧边上与所述第一线段的垂直距离最大的点为所述第一线段的中垂线与所述第一侧边的交点，所述第三侧边上与所述第二线段的垂直距离最大的点为所述第二线段的中垂线与所述第三侧边的交点。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二侧边和所述第四侧边向所述四边形的内侧凹陷。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述子像素区域在所述衬底基板上的正投影为曲边矩形。
5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述像素界定层上设置有扩展槽，所述扩展槽位于所述子像素区域的角处，且与所述子像素区域连通。
6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述扩展槽的内侧壁在所述衬底基板上的正投影为优弧。
7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述优弧的半径为所述子像素区域的较短的一条侧边的长度的1/8～1/12。
8.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述扩展槽的槽底设有绝缘层。
9.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述像素界定层的厚度与所述扩展槽的深度的差为1000埃～2000埃。
10.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第一侧边和所述第三侧边的长度大于所述第二侧边和所述第四侧边的长度。
11.根据权利要求10所述的阵列基板，其特征在于，所述第一侧边和所述第三侧边为圆弧边，所述圆弧边的圆缺高为所述第二侧边或所述第四侧边的长度的1/8～1/12，其中，所述圆弧边的圆缺高为所述圆弧边的半径与所述圆弧边所对的弦的弦心距的差。
12.根据权利要求1～11任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括设置在所述衬底基板和所述像素界定层之间的电极，所述子像素区域在所述衬底基板上的正投影位于所述电极在所述衬底基板上的正投影内。
13.一种显示器件，其特征在于，所述显示器件包括如权利要求1～12任一项所述的阵列基板。
14.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：
提供一衬底基板；
在所述衬底基板上制作像素界定层，所述像素界定层将所述衬底基板划分为多个子像素区域，至少一个所述子像素区域在所述衬底基板上的正投影均为四边形，所述四边形包括首尾顺次连接的第一侧边、第二侧边、第三侧边和第四侧边，所述第一侧边与所述第三侧边相对设置，所述第一侧边与所述第三侧边向所述四边形的内侧凹陷，且所述第一侧边与第一线段之间的垂直距离在所述第一线段的延伸方向上先逐渐增大再逐渐减小，所述第三侧边与第二线段之间的垂直距离在所述第二线段的延伸方向上先逐渐增大再逐渐减小，其中，所述第一线段为连接所述第一侧边的两个端点的线段，所述第二线段为连接所述第三侧边的两个端点的线段。
15.根据权利要求14所述的制造方法，其特征在于，所述在所述衬底基板上制作像素界定层，包括：
在所述衬底基板上形成透明绝缘膜层；
在所述透明绝缘膜层上形成子像素开口和扩展槽，所述扩展槽位于所述子像素开口的角处，且与所述子像素开口连通。
16.根据权利要求14所述的制造方法，其特征在于，所述在所述衬底基板上制作像素界定层，包括：
在所述衬底基板上形成第一透明绝缘膜层；
在所述第一透明绝缘膜层上形成子像素开口；
在所述第一透明绝缘膜层上形成第二透明绝缘膜层；
在所述第二透明绝缘膜层上形成所述扩展槽。
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