CN104166265B - 一种彩色滤光片基板及其制备方法、有机发光显示面板、显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种彩色滤光片基板，所述彩色滤光片基板包括衬底基板、彩膜矩阵、黑矩阵和隔垫物，其中：彩膜矩阵形成在衬底基板上，彩膜矩阵中，部分三色光阻在对应相邻像素之间的空隙处交叠存在，且三色光阻分别在对应像素区域单独设置；黑矩阵及隔垫物依次形成在三色光阻的交叠处上。本发明还公开了彩色滤光片基板的制备方法、有机发光显示面板和显示装置。本发明通过在对应相邻像素之间的空隙处交叠形成红、绿、蓝三色光阻、并设置阻挡层，增加了彩色滤光片基板的高度，降低了隔垫物的制作高度，降低了工艺实现难度，提高了彩色滤光片的制作良率；另外，阻挡层还能够大大减少黑矩阵材料的残留，进一步提高彩色滤光片基板的制作良率。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其是一种彩色滤光片(Color Filter，CF)基板及其制备方法、有机发光显示面板、显示装置。
背景技术
有源矩阵有机发光二极体面板(AMOLED，Active Matrix/Organic LightEmitting Diode)作为下一代显示技术，不管在画质、效能及成本上都优于传统的薄膜场效应晶体管LCD(Thin Film Transistor LCD，TFT-LCD)。具体来说，在显示效能方面，AMOLED反应速度较快、对比度更高、视角也较广；AMOLED耗电量小，其耗电量大约仅有TFT-LCD的60％；另外，AMOLED具有自发光特色，不需要使用背光源，因此能够比TFT-LCD做得更轻薄，而且还能够节省背光模块的成本，而背光模块的成本在TFT-LCD制作成本中占有高达30-40％的比重。
但是AMOLED存在的最大的问题是良率，以目前的良率，AMOLED的价格比TFT-LCD高出很多，这就在很大程度上限制了AMOLED的广泛使用。
目前有些显示器厂商采用WOLED+CF方式来实现彩色显示，WOLED+CF方式即为在白色OLED背板上组合使用彩色滤光片(CF)，作为AMOLED的一种技术选择，WOLED+CF方式除了具有有机EL材料利用率高、开口率高、容易实现大屏幕化等优点外，还易于确保量产时的成品率。
WOLED+CF方式通常采用阵列背板与CF基板对位压盒的方式，常规用于LCD显示的CF基板的结构如图1所示，制作该CF基板时，通常先制作黑色遮光区(Black Matrix，BM)，然后制作红/绿/蓝(R/G/B)三种颜色的亚像素彩膜，最后在BM对应的位置处制作起支撑作用的柱状隔 垫物(Post Spacer，PS)，其具体工艺步骤包括：进行BM材料涂布及图形化；分别进行红色、绿色、蓝色光阻涂布及图形化；形成保护膜(Over-coat，OC)；形成PS柱。
但是由于AMOLED的WOLED+CF技术方案对于盒厚的要求较高，这就要求在CF基板中起支撑作用的PS柱的高度较高，这在工艺上实现的难度较大，工艺实现步骤较为复杂，良率不能够保证。并且，这种PS结构在和OLED背板的对盒过程中，容易产生破损，进而导致AMOLED整体良率降低。
发明内容
为了解决上述现有技术中存在的问题，本发明提出一种彩色滤光片基板及其制备方法、有机发光显示面板、显示装置。
根据本发明的一方面，提出一种彩色滤光片基板，所述彩色滤光片基板包括衬底基板、彩膜矩阵、黑矩阵和隔垫物，其中：
所述彩膜矩阵形成在所述衬底基板上，所述彩膜矩阵中，部分红、绿、蓝三色光阻在对应相邻像素之间的空隙处交叠存在，并且红、绿、蓝三色光阻分别在对应像素区域单独设置；
所述黑矩阵及隔垫物依次形成在彩膜矩阵中红、绿、蓝三色光阻的交叠处之上。
其中，还包括阻挡层，所述阻挡层形成在所述彩膜矩阵和所述黑矩阵之间，用于减少黑矩阵材料的残留。
其中，所述阻挡层由无机材料制成。
其中，所述阻挡层由二氧化硅制成。
其中，所述阻挡层经过灰化处理。
其中，还包括辅助电极层，所述辅助电极层覆盖所述彩膜矩阵、黑矩阵和隔垫物。
其中，所述隔垫物的截面面积小于所述黑矩阵的截面面积。
根据本发明的另一方面，还提出一种有机发光显示面板，其特征在于，所述有机发光显示面板包括如上所述的彩色滤光片基板。
根据本发明的另一方面，还提出一种显示装置，所述显示装置包括如 上所述的有机发光显示面板。
根据本发明的再一方面，还提出一种彩色滤光片基板的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：
在衬底基板上形成红、绿、蓝三色光阻层并进行图形化，形成彩膜矩阵，所述彩膜矩阵中，部分红、绿、蓝三色光阻在对应相邻像素之间的空隙处交叠存在，并且红、绿、蓝三色光阻分别在对应像素区域单独设置；
在所述彩膜矩阵中红、绿、蓝三色光阻的交叠处之上依次形成黑矩阵及隔垫物图形。
其中，还包括在所述彩膜矩阵上形成阻挡层的步骤，所述阻挡层用于减少黑矩阵材料的残留。
其中，所述阻挡层由无机材料制成。
其中，所述阻挡层由二氧化硅制成。
其中，在形成所述阻挡层之后，还包括对于所述阻挡层进行灰化处理的步骤。
其中，所述灰化处理的气氛为氧或氟，处理时间为10s-30s。
其中，还包括在所述彩色滤光片基板上形成辅助电极层的步骤。所述阻挡层形成在所述彩膜矩阵和所述黑矩阵之间
根据本发明的上述技术方案，一方面，在本发明的彩膜矩阵中，部分红、绿、蓝三色光阻在对应相邻像素之间的空隙处交叠存在，并且红、绿、蓝三色光阻分别在对应像素区域单独设置，该具有层叠结构的彩色滤光片，相较现有技术中的彩色滤光片而言，具有一定的高度，这样就降低了隔垫物的制作高度，进而降低了工艺实现难度，提高了彩色滤光片的制作良率；另一方面，本发明阻挡层的设置能够大大减少黑矩阵材料的残留，进一步提高了所述彩色滤光片基板的制作良率；另一方面，黑矩阵设置在彩膜矩阵之上，更接近于像素发光区域，较现有技术可更好地降低像素区域之间的漏光现象，并可进一步提高所述彩色滤光片基板的基础高度，从而进一步降低隔垫物的制作高度，降低工艺实现难度，提高彩色滤光片的制作良率；再一方面，本发明叠层彩膜矩阵、黑矩阵和隔垫物的堆叠设置使得制得的彩色滤光片基板在对盒过程中，较现有技术中单个隔垫物的设计更为稳固，从而更进一步提高了所述彩色滤光片基板的可靠性和制作良 率。
附图说明
图1是现有技术中的CF基板的结构示意图；
图2是根据本发明一实施例的CF基板的结构示意图；
图3是根据本发明另一实施例的CF基板的结构示意图；
图4是根据本发明再一实施例的CF基板的结构示意图；
图5是根据本发明一实施例的CF基板的制作工艺流程图；
图6是根据本发明另一实施例的CF基板的制作工艺流程图；
图7是根据本发明另一实施例的CF基板的制作工艺流程图；
图8是根据本发明再一实施例的CF基板的制作工艺流程图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本发明进一步详细说明。
根据本发明的一方面，提出一种彩色滤光片基板，如图2所示，所述彩色滤光片基板包括衬底基板1、彩膜矩阵2、黑矩阵3(BM)和隔垫物4(PS)，其中：
所述彩膜矩阵2形成在所述衬底基板1上；
可选地，所述衬底基板1的制作材料包括玻璃、硅片、石英、塑料以及硅片等材料，优选为玻璃。
所述彩膜矩阵2中，部分红、绿、蓝三色光阻(5、6、7)在对应相邻像素之间的空隙处交叠存在，并且红、绿、蓝三色光阻分别在对应像素区域单独设置。
本领域技术人员应当了解，彩色滤光片是液晶显示器等显示装置能够显示色彩的关键，光源透过彩色滤光片中的至少红、绿、蓝色三色光阻提供相应的色相，最终形成了彩色显示画面，其中，红、绿、蓝色三色光阻需单独形成在相应像素的区域上。如图2所示，图2示出的三处凹陷区域为像素区域，在这三个像素区域中，分别形成有红、绿、蓝三色光阻(5、6、7)，这样光源在透过彩色滤光片时，就可以在相应的像素区域分别形 成红、绿、蓝三色光。
本发明上述技术方案在保证红、绿、蓝三色光阻单独形成在相应像素区域的情况下，还在对应相邻像素之间的空隙处交叠形成有红、绿、蓝三色光阻，请参照图2，图2中示出的四处凸起对应相邻像素之间的空隙，在这四处相邻像素之间的空隙处交叠形成有红、绿、蓝三色光阻，如此形成的具有层叠结构的彩色滤光片，相较现有技术中的彩色滤光片而言，具有一定的高度，这样就降低了隔垫物4的制作高度，进而降低了工艺实现难度，提高了彩色滤光片的制作良率。所述黑矩阵3及隔垫物4依次形成在所述彩膜矩阵2中红、绿、蓝三色光阻的交叠处之上，即彩膜矩阵2中红、绿、蓝三色光阻的交叠处之上均形成有黑矩阵3和隔垫物4。
其中，所述黑矩阵3由高遮光材料制成，可选的，黑矩阵3材料为现有技术中的掺有遮光材料的树脂材料。
所述隔垫物4起支撑作用，其由具有高弹性恢复率和高外压形变承受能力的材料制成，这样就可以使得制作的基板在对盒过程中更为稳固、最终制得的AMOLED抗压、抗形变能力更强。
其中，所述黑矩阵3的设置可降低像素区域之间的漏光，并可进一步提高所述彩色滤光片基板的基础高度，进一步降低隔垫物4的制作高度，降低工艺实现难度，提高彩色滤光片的制作良率。另外，本发明叠层彩膜矩阵、黑矩阵和隔垫物的堆叠设置使得制得的彩色滤光片基板在对盒过程中，较现有技术中单个隔垫物的设计更为稳固，进一步提高了所述彩色滤光片基板的可靠性和制作良率。
图3是根据本发明另一实施例的CF基板的结构示意图，在该实施例中，所述彩色滤光片基板还包括阻挡层8，所述阻挡层8形成在所述彩膜矩阵2上；
图2所示的实施例中，由于黑矩阵材料和彩膜矩阵材料通常为树脂材料，二者之间材料特性相近粘结力较强。因此，直接在彩膜矩阵上形成黑矩阵图形的过程中，黑矩阵在对应像素区域处残留现象明显，即在黑矩阵构图工艺过程中，需要完全去除黑矩阵材料的区域仍然会留有部分黑矩阵材料，这会导致整体彩色滤光片基板的透过率和色彩纯度降低。为解决上 述问题，本发明实施例中，在彩膜矩阵和黑矩阵之间形成一层阻挡层8，其中，所述阻挡层8由无机材料制成，其与黑矩阵的粘附现象较小，可减少黑矩阵材料的残留，同时保证黑矩阵能够在彩膜叠加处顺利形成。优选地，所述无机材料为二氧化硅SiO2，更优选地，为二氧化硅薄膜。
可选地，采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)等半导体工艺形成所述阻挡层8。
在本发明一实施例中，在350℃下利用PECVD沉积得到的SiO2薄膜，沉积气氛为N2O+N2+SiH4，沉积条件为功率为800W，压强为1500mTorr。
本领域技术人员应当了解，黑矩阵用于间隔彩色滤光片红、绿、蓝三色色阻，其主要作用是防止背景光泄漏、提高显示对比度、防止混色和增加颜色的纯度，也就是说形成有黑矩阵的非像素区域能够阻止背景光，而未形成有黑矩阵的像素区域能够透过背景光，再借助红、绿、蓝三色色阻进而透出红、绿、蓝三种有色光，因此，黑矩阵通常由高遮光材料制成，黑矩阵材料和彩膜矩阵材料通常为树脂材料，二者之间材料特性相近，粘结力较强，并且在形成黑矩阵时，由于显影或水洗等制作工艺的技术限制，因此，直接在彩膜矩阵上形成黑矩阵图形的过程中，黑矩阵在对应像素区域处残留现象明显，即在黑矩阵构图工艺过程中，需要完全去除黑矩阵材料的区域仍然会留有部分黑矩阵材料，这样就会导致像素区域对应的光在一定程度上被残留的黑矩阵材料遮挡，进而导致彩色滤光片颜色纯度下降、显示面板显示对比度降低等质量缺陷，严重情况下，还有可能直接导致彩色滤光片无法使用。
SiO2由于疏水性及透过率良好，将其制作在彩膜矩阵2之上，再在其上旋涂黑矩阵材料，这样在经过曝光显影及图形化之后，可以大大减少黑矩阵材料的残留，进而提高彩色滤光片基板的制作良率。但是不可否认的是，由于黑矩阵材料的特性，即使在SiO2薄膜上制作大面积范围的黑矩阵，仍会存在较小程度的残留，但即使这样，本发明阻挡层的存在也会大大提高所述彩色滤光片基板的制作良率。
优选地，所述阻挡层经过灰化处理。
灰化处理属于一种表面处理方法，其使用反应气体的等离子体(主要 是氧等离子体)进行灰化(焚烧)，以改变材料表面的某些特性或者直接去除某些材料。
为了进一步降低BM残留现象，在进行黑矩阵材料旋涂之前，对已形成有阻挡层的基板进行灰化处理，经过灰化处理之后，可改变所述阻挡层的表面特性，改变阻挡层与黑矩阵材料的表面接触角，从而使得BM更容易从阻挡层表面剥离洗去，进一步降低BM残留现象。在本发明一实施例中，所述灰化处理的气氛为O2，处理时间为10s-30s。
图4是根据本发明另一实施例的CF基板的结构示意图，在该实施例中，所述彩色滤光片基板上还形成有辅助电极层9，用于作为辅助电极与阴极进行电连接，以降低阴极电阻，降低电压降。
其中，所述辅助电极层9由透明导电材料制成，所述透明导电材料包括透明金属薄膜、透明金属氧化物薄膜、非金属氧化物薄膜以及导电性颗粒分散铁电材料等材料，薄膜的形式包括单层膜、二层膜、多层膜或复层膜、无掺杂型、掺杂型和多元素型。优选地，所述透明导电材料为金属氧化物薄膜，比如氧化铟锡(ITO)薄膜。
需要说明的是，图4只是对于本实施例进行示例性的说明，当然也可以在图2所示彩色滤光片基板的基础上形成辅助电极层9。也就是说，本发明对于各个独立材料层之间的组合关系不作任何的限定，只要能够实现本发明所述彩色滤光片基板功能的任何可能的组合关系都属于本发明的保护范围。
优选地，所述隔垫物4的截面面积小于所述黑矩阵3的截面面积。
与现有技术中辅助电极层形成在单个隔垫物上的结构相比，本发明所述结构中辅助电极层的凸起所呈现的坡度较小，与各膜层的粘附力较高，从而使得所述辅助电极层在对盒过程中不容易脱落。
根据本发明的上述技术方案，一方面，在本发明的彩膜矩阵中，部分红、绿、蓝三色光阻在对应相邻像素之间的空隙处交叠存在，并且红、绿、蓝三色光阻分别在对应像素区域单独设置，该具有层叠结构的彩色滤光片，相较现有技术中的彩色滤光片而言，具有一定的高度，这样就降低了隔垫物的制作高度，进而降低了工艺实现难度，提高了彩色滤光片的制作良率；另一方面，本发明阻挡层的设置能够大大减少黑矩阵材料的残留， 进一步提高了所述彩色滤光片基板的制作良率；另一方面，黑矩阵设置在彩膜矩阵之上，更接近于像素发光区域，较现有技术可更好地降低像素区域之间的漏光现象，并可进一步提高所述彩色滤光片基板的基础高度，从而进一步降低隔垫物的制作高度，降低工艺实现难度，提高彩色滤光片的制作良率；再一方面，本发明隔垫物叠层彩膜矩阵、黑矩阵和隔垫物的堆叠设置使得制得的彩色滤光片基板在对盒过程中，较现有技术中单个隔垫物的设计更为稳固，从而更进一步提高了所述彩色滤光片基板的可靠性和制作良率。
根据本发明的另一方面，还提出一种有机发光显示面板，所述有机发光显示面板包括如上所述的彩色滤光片基板。
根据本发明的另一方面，还提出一种显示装置，所述显示装置包括如上所述的有机发光显示面板。
根据本发明的再一方面，还提出一种彩色滤光片基板的制备方法，如图5所示，所述制备方法包括以下步骤：
在衬底基板1上形成红、绿、蓝三色光阻层并进行图形化，形成彩膜矩阵2，所述彩膜矩阵2中，部分红、绿、蓝三色光阻(5、6、7)在对应相邻像素之间的空隙处交叠存在，并且红、绿、蓝三色光阻分别在对应像素区域单独设置，如图5a和图5b所示；可选地，所述衬底基板1的制作材料包括玻璃、硅片、石英、塑料以及硅片等材料，优选为玻璃。
其中，采用旋涂等半导体工艺形成所述红、绿、蓝三色光阻层，利用曝光显影等半导体工艺进行图形化处理。
图5b示出了根据本发明一实施例得到的具有层叠结构的彩膜矩阵2，图5b中，红、绿、蓝三色光阻涂布并图形化形成部分红、绿、蓝三色光阻在对应相邻像素之间的空隙处交叠存在，并且红、绿、蓝三色光阻分别在对应像素区域单独设置的层叠结构。当然，本领域技术人员也可以采用其他方式形成红、绿、蓝三色光阻，对于形成方式，本发明不作任何限制，只要能够实现部分红、绿、蓝三色光阻在对应相邻像素之间的空隙处交叠存在，并且红、绿、蓝三色光阻分别在对应像素区域单独设置这一技术效果均落入本发明保护范围之内。
本领域技术人员应当了解，彩色滤光片是液晶显示器等显示装置能够显示色彩的关键，光源透过彩色滤光片中的至少红、绿、蓝色三色光阻提供相应的色相，最终形成了彩色显示画面，其中，红、绿、蓝色三色光阻需单独形成在相应像素的区域上。如图5b所示，图5b示出的三处凹陷区域为像素区域，在这三个像素区域中，分别形成有红、绿、蓝三色色阻(5、6、7)，这样光源在透过彩色滤光片时，就可以在相应的像素区域分别形成红、绿、蓝三色光。
本发明上述技术方案在保证红、绿、蓝三色光阻单独形成在相应像素区域的情况下，还在对应相邻像素之间的空隙处交叠形成有红、绿、蓝三色光阻，还请参照图5b，图5b中示出的四处凸起对应相邻像素之间的空隙，在这四处相邻像素之间的空隙处交叠形成有红、绿、蓝三色光阻，如此形成的具有层叠结构的彩色滤光片，相较现有技术中的彩色滤光片而言，具有一定的高度，这样就降低了隔垫物4的制作高度，进而降低了工艺实现难度，提高了彩色滤光片的制作良率。
在所述彩膜矩阵2中红、绿、蓝三色光阻的交叠处之上隔垫物依次形成黑矩阵及隔垫物图形，在红、绿、蓝三色光阻的交叠处之上均形成黑矩阵3及隔垫物4，如图5c所示。
其中，所述黑矩阵3由高遮光材料制成。
所述隔垫物4起支撑作用，其由具有高弹性恢复率和高外压形变承受能力的材料制成，这样就可以使得制作的基板在对盒过程中更为稳固、最终制得的AMOLED抗压、抗形变能力更强。
其中，所述黑矩阵3的设置可降低像素区域之间的漏光，并可进一步提高所述彩色滤光片基板的基础高度，进一步降低隔垫物4的制作高度，降低工艺实现难度，提高彩色滤光片的制作良率。本发明叠层彩膜矩阵、黑矩阵和隔垫物的堆叠设置使得制得的彩色滤光片基板在对盒过程中，较现有技术中单个隔垫物的设计更为稳固，进一步提高了所述彩色滤光片基板的可靠性和制作良率。
图6是根据本发明另一实施例的CF基板的制作工艺流程图，如图6所示，在该实施例中，在图6a和图6b所示的在衬底基板1上形成彩膜矩阵2之后，所述制备方法还包括在所述彩膜矩阵2上形成阻挡层8的步骤， 如图6c所示；其中，所述阻挡层8由无机材料制成，以减少黑矩阵材料的残留，同时保证黑矩阵能够在彩膜叠加处顺利形成。优选地，所述无机材料为二氧化硅SiO2，更优选地，为薄二氧化硅薄膜。
可选地，采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)等半导体工艺形成所述阻挡层8。
在本发明一实施例中，在350℃下利用PECVD沉积得到的SiO2薄膜，沉积气氛为N2O+N2+SiH4，沉积条件为功率为800W，压强为1500mTorr。
本领域技术人员应当了解，黑矩阵用于间隔彩色滤光片红、绿、蓝三色色阻，其主要作用是防止背景光泄漏、提高显示对比度、防止混色和增加颜色的纯度，也就是说形成有黑矩阵的非像素区域能够阻止背景光，而未形成有黑矩阵的像素区域能够透过背景光，再借助红、绿、蓝三色色阻进而透出红、绿、蓝三种有色光，因此，黑矩阵通常由高遮光材料制成，黑矩阵材料和彩膜矩阵材料通常为树脂材料，二者之间材料特性相近，粘结力较强，并且在形成黑矩阵时，由于显影或水洗等制作工艺的技术限制，因此，直接在彩膜矩阵上形成黑矩阵图形的过程中，黑矩阵在对应像素区域处残留现象明显，即在黑矩阵构图工艺过程中，需要完全去除黑矩阵材料的区域仍然会留有部分黑矩阵材料，这样就会导致像素区域对应的光在一定程度上被残留的黑矩阵材料遮挡，进而导致彩色滤光片颜色纯度下降、显示面板显示对比度降低等质量缺陷，严重情况下，还有可能直接导致彩色滤光片无法使用。
SiO2由于疏水性及透过率良好，将其制作在彩膜矩阵2之上，再在其上旋涂黑矩阵材料，这样在经过曝光显影及图形化之后，可以大大减少黑矩阵材料的残留，进而提高彩色滤光片基板的制作良率。但是不可否认的是，由于黑矩阵材料的特性，即使在SiO2薄膜上制作大面积范围的黑矩阵，仍会存在较小程度的残留，但即使这样，本发明阻挡层的存在也会大大提高所述彩色滤光片基板的制作良率。
当然，本实施例中，还包括如图6d所示的在所述阻挡层8上依次形成黑矩阵3和隔垫物4的步骤。
需要说明的是，图6所示的其他步骤与图5所示实施例中的相应步骤相同或相似，在此不再一一详细说明。
图7是根据本发明另一实施例的CF基板的制作工艺流程图，如图7所示，在该实施例中，在图7a和图7b所示的在衬底基板1上形成彩膜矩阵2、在图7c所示的在彩膜矩阵2上形成阻挡层8之后，所述制备方法还包括对于所述阻挡层8进行灰化处理的步骤，如图7d所示。
灰化处理属于一种表面处理方法，其使用反应气体的等离子体(主要是氧等离子体)进行灰化(焚烧)，以改变材料表面的某些特性或者直接去除某些材料。
为了进一步降低BM残留现象，在进行黑矩阵材料旋涂之前，对已形成有阻挡层的基板进行灰化处理，经过灰化处理之后，可改变所述阻挡层的表面特性，改变阻挡层与黑矩阵材料的表面接触角，从而使得BM更容易从阻挡层表面剥离洗去，进一步降低BM残留现象。在本发明一实施例中，所述灰化处理的气氛为O2，处理时间为10s-30s。
当然，本实施例中，还包括如图7e所示的在经过灰化处理的阻挡层8上依次形成黑矩阵3和隔垫物4的步骤。
需要说明的是，图7所示的其他步骤与图5、图6所示实施例中的相应步骤相同或相似，在此不再一一详细说明。隔垫物
隔垫物图8是根据本发明另一实施例的CF基板的制作工艺流程图，如图8所示，在该实施例中，在图8a和图8b所示的在衬底基板1上形成彩膜矩阵2、在图8c所示的在彩膜矩阵2上形成阻挡层8、在图8d所示的在阻挡层8上依次形成黑矩阵3和隔垫物4之后，所述制备方法还包括在制得的所述彩色滤光片基板上形成辅助电极层9的步骤，如图8e所示，其中，所述辅助电极层9用于作为辅助电极与阴极进行电连接，以降低阴极电阻，降低电压降。
其中，所述辅助电极层9由透明导电材料制成，所述透明导电材料包括透明金属薄膜、透明金属氧化物薄膜、非金属氧化物薄膜以及导电性颗粒分散铁电材料等材料，薄膜的形式包括单层膜、二层膜、多层膜或复层膜、无掺杂型、掺杂型和多元素型。优选地，所述透明导电材料为金属氧化物薄膜，比如氧化铟锡(ITO)薄膜。
优选地，所述隔垫物4的截面面积小于所述黑矩阵3的截面面积。
与现有技术中辅助电极层形成在单个隔垫物上的结构相比，本发明所述结构中辅助电极层的凸起所呈现的坡度较小，与各膜层的粘附力较高，从而使得所述辅助电极层在对盒过程中不易脱落。
需要说明的是，图8所示的其他步骤与图5、图6、图7所示实施例中的相应步骤相同或相似，在此不再一一详细说明。
在本发明再一实施例中，所述制备方法在在所述衬底基板1上旋涂红、绿、蓝三色光阻之前，还包括对于所述衬底基板1进行清洗的步骤。
其中，对于所述衬底基板的清洗可采用标准清洗方法进行清洗，本发明对于衬底基板的清洗方法不作任何限定。
需要说明的是，以上制备工艺流程图只是对于各个实施例进行示例性的说明，以上所描述的步骤在不违背常识的情况下可随意组合，本发明对于各个独立步骤之间的组合及顺序关系不作任何的限定，只要能够制得本发明所述彩色滤光片基板的任何可能的步骤组合都属于本发明的保护范围。
根据本发明的上述技术方案，一方面，在本发明的彩膜矩阵中，部分红、绿、蓝三色光阻在对应相邻像素之间的空隙处交叠存在，并且红、绿、蓝三色光阻分别在对应像素区域单独设置，该具有层叠结构的彩色滤光片，相较现有技术中的彩色滤光片而言，具有一定的高度，这样就降低了隔垫物的制作高度，进而降低了工艺实现难度，提高了彩色滤光片的制作良率；另一方面，本发明阻挡层的设置能够大大减少黑矩阵材料的残留，阻挡层进一步灰化处理黑矩阵残留现象降低效果更为明显，进一步提高了所述彩色滤光片基板的制作良率；另一方面，黑矩阵设置在彩膜矩阵之上，更接近于像素发光区域，较现有技术可更好地降低像素区域之间的漏光现象，并可进一步提高所述彩色滤光片基板的基础高度，从而进一步降低隔垫物的制作高度，降低工艺实现难度，提高彩色滤光片的制作良率；再一方面，本发明叠层彩膜矩阵、黑矩阵和隔垫物的堆叠设置使得制得的彩色滤光片基板在对盒过程中，较现有技术中单个隔垫物的设计更为稳固，从而更进一步提高了所述彩色滤光片基板的可靠性和制作良率。
以上所述的具体实施例，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行 了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (6)
1.一种彩色滤光片基板，其特征在于，所述彩色滤光片基板包括衬底基板、彩膜矩阵、阻挡层、黑矩阵和隔垫物，其中：
所述彩膜矩阵形成在所述衬底基板上，所述彩膜矩阵中，部分红、绿、蓝三色光阻在对应相邻像素之间的空隙处交叠存在，并且红、绿、蓝三色光阻分别在对应像素区域单独设置；
所述黑矩阵及隔垫物依次形成在彩膜矩阵中红、绿、蓝三色光阻的交叠处之上；
所述阻挡层形成在所述彩膜矩阵和所述黑矩阵之间，用于减少黑矩阵材料的残留，其中，所述阻挡层由二氧化硅制成并且所述阻挡层经过灰化处理,
其中，所述彩色滤光片基板还包括辅助电极层，该辅助电极层覆盖彩膜矩阵、黑矩阵和隔垫物。
2.根据权利要求1所述的彩色滤光片基板，其特征在于，所述隔垫物的截面面积小于所述黑矩阵的截面面积。
3.一种有机发光显示面板，其特征在于，所述有机发光显示面板包括如权利要求1或2所述的彩色滤光片基板。
4.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求3所述的有机发光显示面板。
5.一种彩色滤光片基板的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：
在衬底基板上形成红、绿、蓝三色光阻层并进行图形化，形成彩膜矩阵，所述彩膜矩阵中，部分红、绿、蓝三色光阻在对应相邻像素之间的空隙处交叠存在，并且红、绿、蓝三色光阻分别在对应像素区域单独设置；
在所述彩膜矩阵上形成阻挡层，其中，所述阻挡层用于减少黑矩阵材料的残留，所述阻挡层由二氧化硅制成；
对所述阻挡层进行灰化处理；
在所述彩膜矩阵中红、绿、蓝三色光阻的交叠处之上的阻挡层上依次形成黑矩阵及隔垫物图形；以及
在所述彩膜矩阵、黑矩阵和隔垫物上形成辅助电极层。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述灰化处理的气氛为氧或氟，处理时间为10s-30s。
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