CN104571716B - 上基板及制备方法、触控显示面板及制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明实施例提供了一种触控显示面板用上基板及制备方法、触控显示面板及制备方法，涉及显示技术领域，可避免构图工艺次数增加，降低生产成本。该上基板的制备方法包括：通过一次构图工艺形成黑矩阵，其中在显示区黑矩阵与相邻两个触控电极之间的间隙对应；在形成黑矩阵的基板上形成负性感光型有机树脂薄膜，并以黑矩阵为掩膜进行曝光和显影，使与黑矩阵对应的有机树脂薄膜去除掉形成有机树脂层；在有机树脂层上方形成透明导电薄膜，其中位于有机树脂层上方与位于黑矩阵上方的透明导电薄膜断开，且位于有机树脂层上方的透明导电薄膜形成触控电极，位于黑矩阵上方的透明导电薄膜形成保留图案。用于触控显示面板用上基板及触控显示面板的制造。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种触控显示面板用上基板及制备方法、触控显示面板及制备方法。
背景技术
随着显示技术的飞速发展，触控屏(Touch Panel，简称TP)的诞生使人们的生活更加便捷。
以液晶触控显示面板为例，其包括阵列基板和彩膜基板，其中，实现触控功能的触控电极可以位于彩膜基板上。
例如，以外挂式液晶触控显示面板为例，在彩膜基板上需通过一次构图工艺形成黑矩阵，所述黑矩阵与阵列基板上的栅线、数据线完全对应，然后至少通过一次构图工艺形成透明的触控电极。
由于至少需要通过一次构图工艺来形成上述的触控电极，相比无触控功能的液晶显示面板，当其增加触控功能后，必然导致制作过程中构图工艺次数的增加，从而使得其生产成本增加。
发明内容
本发明的实施例提供一种触控显示面板用上基板及制备方法、触控显示面板及制备方法，可以避免构图工艺次数的增加，从而可以降低生产成本。
为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
一方面，提供一种触控显示面板用上基板的制备方法，包括在第一衬底基板上形成黑矩阵和触控电极，其中，所述形成黑矩阵和触控电极包括：
通过一次构图工艺形成所述黑矩阵，其中，在显示区所述黑矩阵与相邻两个所述触控电极之间的间隙对应；在形成有所述黑矩阵的基板上形成负性感光型有机树脂薄膜，并以所述黑矩阵为掩膜，进行曝光和显影，使与所述黑矩阵对应的所述有机树脂薄膜去除掉，形成有机树脂层；在所述有机树脂层上方形成透明导电薄膜，其中，位于所述有机树脂层上方的透明导电薄膜与位于所述黑矩阵上方的透明导电薄膜断开，且位于所述有机树脂层上方的透明导电薄膜形成所述触控电极，位于所述黑矩阵上方的透明导电薄膜形成保留图案。
另一方面，提供一种触控显示面板的制备方法，包括形成阵列基板和上基板；其中通过上述的制备方法形成所述上基板。
再一方面，提供一种触控显示面板用上基板，包括设置在第一衬底基板上的黑矩阵和触控电极；在显示区所述黑矩阵与相邻两个所述触控电极之间的间隙对应；所述上基板还包括：有机树脂层和保留图案；其中，所述有机树脂层位于所述第一衬底基板和所述触控电极之间，并在所述黑矩阵上方断开，且所述有机树脂层为负性感光型有机树脂层；所述保留图案位于所述有机树脂层的断开处且与所述触控电极材料相同。
又一方面，提供一种触控显示面板，包括阵列基板和上基板；其中所述上基板为上述的上基板
本发明实施例提供了一种触控显示面板用上基板及制备方法、触控显示面板及制备方法，该触控显示面板用上基板的制备方法，包括：通过一次构图工艺形成所述黑矩阵，其中，在显示区所述黑矩阵与相邻两个所述触控电极之间的间隙对应；在形成有所述黑矩阵的基板上形成负性感光型有机树脂薄膜，并以所述黑矩阵为掩膜，进行曝光和显影，使与所述黑矩阵对应的所述有机树脂薄膜去除掉，形成有机树脂层；在所述有机树脂层上方形成透明导电薄膜，其中，位于所述有机树脂层上方的透明导电薄膜与位于所述黑矩阵上方的透明导电薄膜断开，且位于所述有机树脂层上方的透明导电薄膜形成所述触控电极，位于所述黑矩阵上方的透明导电薄膜形成保留图案。
即：在通过一次构图工艺形成黑矩阵的基础上，只需通过曝光和显影便可形成所述有机树脂层，且该有机树脂层与所述黑矩阵对应位置处是断开的，在此基础上，当在其上沉积透明导电薄膜后，无需任何其他工艺该透明导电薄膜也在相应的断开处断开，从而使得位于有机树脂层上方的透明导电薄膜形成为触控电极。基于此，上述只采用了一次构图工艺便形成了所述黑矩阵和所述触控电极，减少了构图工艺次数，从而也降低了生产成本。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1a-4a为本发明实施例提供的一种制备形成触控显示面板用上基板的过程示意图；
图1b-4b为本发明实施例提供的另一种制备形成触控显示面板用上基板的过程示意图；
图5为本发明实施例提供的一种触控电极和黑矩阵的俯视示意图；
图6a为本发明实施例提供的一种触控显示面板用上基板的结构示意图一；
图6b为本发明实施例提供的一种触控显示面板用上基板的结构示意图二；
图7为本发明实施例提供的一种触控显示面板用阵列基板的结构示意图；
图8为本发明实施例提供的一种触控显示面板的结构示意图一；
图9为本发明实施例提供的一种触控显示面板的结构示意图二；
图10为本发明实施例提供的一种触控显示面板的结构示意图三。
附图说明：
10-第一衬底基板；20-黑矩阵；30a-有机树脂薄膜；30-有机树脂层；401-触控电极；402-保留图案；50-保护层；60-第二衬底基板；70-薄膜晶体管；80-彩色滤光层。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明实施例提供了一种触控显示面板用上基板的制备方法，包括在第一衬底基板上形成黑矩阵和触控电极。其中，所述形成黑矩阵和触控电极可以包括如下步骤：
S01、如图1a和1b所示，通过一次构图工艺形成所述黑矩阵20，其中，在显示区所述黑矩阵20与相邻两个所述触控电极之间的间隙对应；
S02、如图2a和2b所示，在形成有所述黑矩阵20的基板上形成负性感光型有机树脂薄膜30a，并以所述黑矩阵20为掩膜，进行曝光和显影，使与所述黑矩阵20对应的所述有机树脂薄膜30a去除掉，形成如图3a和3b所示有机树脂层30；
S03、如图4a和图4b所示，在所述有机树脂层30上方形成透明导电薄膜，其中，位于所述有机树脂层30上方的透明导电薄膜与位于所述黑矩阵20上方的透明导电薄膜断开，且位于所述有机树脂层30上方的透明导电薄膜形成所述触控电极401，位于所述黑矩阵20上方的透明导电薄膜形成保留图案402。
示例的，本发明实施例中所述触控电极401例如可以为如图5所示的情况，即：一个所述触控电极401可以对应多个子像素，触控电极401之间的间隙在水平方向与栅线对应，在竖直方向与数据线对应。
由此可以看出，相邻触控电极401之间的间隙只对应了某些栅线的一小段长度和/或某些数据线的一小段长度，因而可以知道，本发明实施例中位于显示区的所述黑矩阵20并不同于现有技术中的与整个栅线和整个数据线对应的黑矩阵。
需要说明的是，第一，本发明实施例中所述第一衬底基板10可以是形成有其他图案层的衬底基板，也可以是不形成任何其他图案层的衬底基板，在此不做限定。
第二，本发明实施例中不对所述触控电极401之间的间隙进行限定，只要其不影响触控的实现即可。
第三，不对所述黑矩阵20的位置进行限定，其可以位于所述第一衬底基板10的上表面也可以位于所述第一衬底基板10的下表面。
其中，除包括位于显示区的黑矩阵20外还包括位于非显示区的黑矩阵20，对与非显示区的黑矩阵20在此不做限定，具体根据实际情况进行设定。
第四，不对负性感光型有机树脂薄膜30a的材料进行限定，只要在曝光后，通过显影使没有被曝光的有机树脂薄膜30a被去除即可。
其中，以所述黑矩阵20为掩膜进行曝光，是指从设置有黑矩阵20的一侧进行曝光。
此外，由于一次构图工艺对应一次掩膜工艺，而一次掩膜工艺是指使用了一次掩膜板，在此基础上，形成所述有机树脂层30是以在先形成的黑矩阵20为掩膜，进行曝光和显影，并没有使用掩膜板，因而也就不存在构图工艺一说。
第五，不对所述有机树脂层30的厚度以及所述有机树脂层30与所述黑矩阵20对应的断开处的形状进行限定，只要能使后续在其上方形成所述透明导电薄膜时，使位于所述有机树脂层30上方的透明导电薄膜与位于所述黑矩阵20上方的透明导电薄膜断开即可。
本发明实施例提供了一种触控显示面板用上基板的制备方法，包括：通过一次构图工艺形成所述黑矩阵20，其中，在显示区所述黑矩阵20与相邻两个所述触控电极401之间的间隙对应；在形成有所述黑矩阵20的基板上形成负性感光型有机树脂薄膜30a，并以所述黑矩阵20为掩膜，进行曝光和显影，使与所述黑矩阵20对应的所述有机树脂薄膜30a去除掉，形成有机树脂层30；在所述有机树脂层30上方形成透明导电薄膜，其中，位于所述有机树脂层30上方的透明导电薄膜与位于所述黑矩阵20上方的透明导电薄膜断开，且位于所述有机树脂层30上方的透明导电薄膜形成所述触控电极401，位于所述黑矩阵20上方的透明导电薄膜形成保留图案402。
即：在通过一次构图工艺形成黑矩阵20的基础上，只需通过曝光和显影便可形成所述有机树脂层30，且该有机树脂层30与所述黑矩阵20对应位置处是断开的，在此基础上，当在其上沉积透明导电薄膜后，无需任何其他工艺该透明导电薄膜也在相应的断开处断开，从而使得位于有机树脂层30上方的透明导电薄膜形成为触控电极401。基于此，上述只采用了一次构图工艺便形成了所述黑矩阵20和所述触控电极401，减少了构图工艺次数，从而也降低了生产成本。
优选的，所述以所述黑矩阵20为掩膜，进行曝光和显影，使与所述黑矩阵20对应的所述有机树脂薄膜30a去除掉，形成有机树脂层30，具体可以通过如下过程实现：
以所述黑矩阵20为掩膜，进行曝光和显影，使与所述黑矩阵20对应的所述有机树脂薄膜30a去掉，且去除掉的所述有机树脂薄膜30a靠近所述第一衬底基板10的下表面面积大于远离所述第一衬底基板10的上表面的面积，形成所述有机树脂层30。
通过控制所述有机树脂层30的与所述黑矩阵20对应的断开处的形状，即，使该断开处的下表面面积大于上表面面积，来进一步保证后续形成在其上的透明导电薄膜也在与该断开处对应处断开，即所述触控电极401和保留图案402是完全断开的，避免不良的产生。
这里，所述有机树脂层30的厚度优选为1-3μm。
优选的，对于所述黑矩阵20，如图2a所示，其可以形成在第一衬底基板10的上表面，在此情况下，可以直接在黑矩阵20上方形成所述负性感光性有机树脂薄膜30a。
或者，如图2b所示，其可以形成在第一衬底基板10的下表面，在此情况下，可以在第一衬底基板10的另一面即上表面形成所述负性感光性有机树脂薄膜30a。
这里，第一衬底基板10的上、下表面是相对而言的，哪一面都可以称为上表面，则另一面为下表面。
优选的，如图6a和图6b所示，所述方法还包括：在所述触控电极401上方形成覆盖所述第一衬底基板10的保护层50。
在此情况下，当该上基板与阵列基板形成触控显示面板后，可以将第一衬底基板10面向阵列基板，也可以将保护层50面向阵列基板，方便操作。
本发明实施例还提供了一种触控显示面板的制备方法，包括形成阵列基板和上基板；其中，所述上基板通过上述的制备方法形成。
需要说明的是，本发明实施例不对通过阵列基板和上基板形成所述触控显示面板的具体方法进行限定，只要将该阵列基板和上基板形成为显示面板即可。
其中，如图7所示，所述阵列基板可以包括在第二衬底基板60上形成薄膜晶体管70、与薄膜晶体管70的栅极相连的栅线、与薄膜晶体管70的源极相连的数据线等；其中，所述薄膜晶体管70包括栅极、栅绝缘层、半导体有源层、源极和漏极(图7中均未示出)。
本发明实施例所述的阵列基板可以是液晶显示器(LCD)的阵列基板，在此情况下，该阵列基板的制备方法还包括：形成与所述漏极电连接的像素电极(图7中未示出)。
本发明实施例的所述阵列基板可适用于扭曲向列型(Twisted Nematic，简称TN)、垂直配向技术(Vertical Alignment，简称VA)、平面转换(In-Plane Switching，简称IPS)、高级超维场转换技术(Advanced Super Dimensional Switching，简称ADS)等模式的液晶显示器。
其中，高级超维场转换技术，其核心技术特性描述为：通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场转换技术可以提高LCD产品的画面品质，具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹(Push Mura)等优点。
因此，优选的，所述阵列基板的制备方法还包括：形成公共电极钝化层(图7中未示出)。
当然，本发明实施例所述的阵列基板还可以是有机电致发光二极管显示器(OLED)的阵列基板，在此情况下，该阵列基板的制备方法还包括：形成与所述漏极电连接的阳极、位于阳极上方的有机材料功能层、位于所述有机材料功能层上方的阴极(图7中均未示出)。
其中，所述有机材料功能层可以包括：空穴传输层、发光层和电子传输层；为了能够提高电子和空穴注入发光层的效率，所述有机材料功能层还可以包括设置在所述阴极与所述电子传输层之间的电子注入层，以及设置在所述阳极与所述空穴传输层之间的空穴注入层。
这里所述发光层可以分别包括红光、绿光、蓝光的发光分子；当然，上述发光层也可以仅包括白光的发光分子，在此基础上可以在发光侧形成彩色滤光层，具体不做限定。
根据所述阳极和所述阴极的材料的不同，可以分为单面发光型阵列基板和双面发光型阵列基板；即：当所述阳极和所述阴极中其中一个电极的材料为不透明或半透明材料时，所述阵列基板为单面发光型；当所述阳极和所述阴极的材料均为透明材料和/或半透明材料时，所阵列基板为双面发光型。
对于单面发光型阵列基板，根据所述阳极和所述阴极的材料的不同，又可以分为上发光型和下发光型。具体的，当所述阳极靠近第二衬底基板60形成，所述阴极远离所述第二衬底基板60形成，且所述阳极的材料为透明导电材料，所述阴极的材料为不透明导电材料时，由于光从阳极、再经第二衬底基板60一侧出射，因此，可以称为下发光型；当所述阳极的材料为不透明导电材料，所述阴极的材料为透明或半透明导电材料时，由于光从阴极远离第二衬底基板60一侧出射，因此，可以称为上发光型。当然，也可以将上述两种阳极和阴极的相对位置进行替换，在此再赘述。
对于双面发光型阵列基板，当所述阳极靠近所述第二衬底基板60形成，所述阴极远离所述第二衬底基板60形成，且所述阳极和所述阴极的材料均为透明导电和/或半透明材料时，由于光一方面从阳极、再经衬底基底一侧出射，另一方面从阴极远离第二衬底基板60一侧出射，因此可以称为双面发光型。这里，也可以是所述阳极远离所述第二衬底基板60形成，所述阴极靠近所述第二衬底基板60形成。
进一步优选的，如图7所示，所述阵列基板为包括彩色滤光层的阵列基板，在此情况下，所述阵列基板的制备方法还包括：形成彩色滤光层80。
其中，所述彩色滤光层80可以包括红色滤光层、蓝色滤光层和绿色滤光层。
具体的，当所述阵列基板为OLED的阵列基板，且发光层仅包括白光的发光分子时，优选在所述阵列基板上形成所述彩色滤光层80。
当所述阵列基板为LCD的阵列基板时，优选在所述阵列基板上形成所述彩色滤光层80。
其中，由于阵列基板上的数据线和栅线可以充当黑矩阵的角色，因此，将彩色滤光层80设置在阵列基板上，可以有效的防止相邻像素的混色，改善显示画面的品质。
这里，不对所述彩色滤光层80的具体位置进行限定。
本发明实施例还提供了一种触控显示面板用上基板，如图4a和图4b所示，该触控显示面板用上基板包括：设置在第一衬底基板10上的黑矩阵20和触控电极401，其中在显示区所述黑矩阵20与相邻两个所述触控电极401之间的间隙对应；所述上基板还包括：有机树脂层30和保留图案402，其中所述有机树脂层30位于所述第一衬底基板10和所述触控电极401之间，并在所述黑矩阵30上方断开，且所述有机树脂层30为负性感光型有机树脂层，所述保留图案402位于所述有机树脂层30的断开处且与所述触控电极401材料相同。
需要说明的是，第一，本发明实施例中所述第一衬底基板10可以是在形成有其他图案层的衬底基板，也可以是不形成任何其他图案层的衬底基板，在此不做限定。
第二，本发明实施例中不对所述触控电极401之间的间隙进行限定，只要其不影响触控的实现即可。
第三，不对所述黑矩阵20的位置进行限定，其可以位于所述第一衬底基板10的上表面也可以位于所述第一衬底基板10的下表面。
第四，不对负性感光型有机树脂薄膜30a的材料进行限定，只要在曝光后，通过显影使没有被曝光的有机树脂薄膜30a被去除即可。
本发明实施例还提供了一种触控显示面板用上基板，包括：设置在第一衬底基板10上的黑矩阵20和触控电极401，其中在显示区所述黑矩阵20与相邻两个所述触控电极401之间的间隙对应；所述上基板还包括：有机树脂层30和保留图案402，其中所述有机树脂层30位于所述第一衬底基板10和所述触控电极401之间，并在所述黑矩阵30上方断开，且所述有机树脂层30为负性感光型有机树脂层，所述保留图案402位于所述有机树脂层30的断开处且与所述触控电极401材料相同。
即：在通过一次构图工艺形成黑矩阵20的基础上，只需通过曝光和显影便可形成所述有机树脂层30，且该有机树脂层30与所述黑矩阵20对应位置处是断开的，在此基础上，当在其上沉积透明导电薄膜后，无需任何其他工艺该透明导电薄膜也在相应的断开处断开，从而使得位于有机树脂层30上方的透明导电薄膜形成为触控电极401。基于此，上述只采用了一次构图工艺便形成了所述黑矩阵20和所述触控电极401，减少了构图工艺次数，从而也降低了生产成本。
优选的，如图4a和图4b所示，被断开的所述有机树脂层30的靠近所述第一衬底基板10的下表面面积小于远离所述第一衬底基板10的上表面的面积。
即：使去除掉的所述有机树脂薄膜靠近所述第一衬底基板10的下表面面积大于远离所述第一衬底基板10的上表面的面积，来进一步保证后续形成在其上的透明导电薄膜也在与该断开处对应处断开，即所述触控电极401和保留图案402是完全断开的，避免不良的产生。
优选的，如图4a所示，所述黑矩阵20和所述有机树脂层30设置在所述第一衬底基板10的同一侧。
或者，如图4b所示，所述黑矩阵20和所述有机树脂层30设置在所述第一衬底基板10的不同侧。
优选的，如图6a和图6b所示，所述上基板还包括：设置在所述触控电极401上方且覆盖所述第一衬底基板10的保护层50。
在此情况下，当该上基板与阵列基板形成触控显示面板后，可以将第一衬底基板10面向阵列基板，也可以将保护层50面向阵列基板，方便操作。
本发明实施例还提供了一种触控显示面板，如图8-10所示，该触控显示面板包括阵列基板和上基板；其中，所述上基板为上述的上基板。
所述阵列基板可以包括设置在第二衬底基板60上的薄膜晶体管70、与薄膜晶体管70的栅极相连的栅线、与薄膜晶体管70的源极相连的数据线等(图8-10中均未示出)。
其中，本发明实施例所述的阵列基板可以是液晶显示器(LCD)的阵列基板，在此情况下，该阵列基板还包括与所述漏极电连接的像素电极(图8-10中未示出)。
进一步的，所述阵列基板还包括：公共电极钝化层(图8-10中未示出)。
当然，本发明实施例所述的阵列基板还可以是有机电致发光二极管显示器(OLED)的阵列基板，在此情况下，该阵列基板的制备方法还包括：形成与所述漏极电连接的阳极、位于阳极上方的有机材料功能层、位于所述有机材料功能层上方的阴极(图8-10中均未示出)。
进一步优选的，如图8-10所示，所述阵列基板为包括彩色滤光层的阵列基板，在此情况下，所述阵列基板还包括彩色滤光层80。
其中，所述彩色滤光层80可以包括红色滤光层、蓝色滤光层和绿色滤光层。
具体的，当所述阵列基板为OLED的阵列基板，且发光层仅包括白光的发光分子时，优选在所述阵列基板上设置所述彩色滤光层80。
当所述阵列基板为LCD的阵列基板时，优选在所述阵列基板上设置所述彩色滤光层80。
这里，不对所述彩色滤光层的具体位置进行限定。
优选的，基于上述提供的上基板，在形成所述触控显示面板后，如图9和图10所示，所述上基板的第一衬底基板10可以靠近所述阵列基板设置；或者，如图8所示，所述上基板的触控电极401靠近所述阵列基板设置。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (13)
1.一种触控显示面板用上基板的制备方法，包括在第一衬底基板上形成黑矩阵和触控电极，其特征在于，所述形成黑矩阵和触控电极包括：
通过一次构图工艺形成所述黑矩阵，其中，在显示区所述黑矩阵与相邻两个所述触控电极之间的间隙对应；
在形成有所述黑矩阵的基板上形成负性感光型有机树脂薄膜，并以所述黑矩阵为掩膜，进行曝光和显影，使与所述黑矩阵对应的所述有机树脂薄膜去除掉，形成有机树脂层；
在所述有机树脂层上方形成透明导电薄膜，其中，位于所述有机树脂层上方的透明导电薄膜与位于所述黑矩阵上方的透明导电薄膜断开，且位于所述有机树脂层上方的透明导电薄膜形成所述触控电极，位于所述黑矩阵上方的透明导电薄膜形成保留图案。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述以所述黑矩阵为掩膜，进行曝光和显影，使与所述黑矩阵对应的所述有机树脂薄膜去除掉，形成有机树脂层，包括：
以所述黑矩阵为掩膜，进行曝光和显影，使与所述黑矩阵对应的所述有机树脂薄膜去掉，且去除掉的所述有机树脂薄膜靠近所述第一衬底基板的下表面面积大于远离所述第一衬底基板的上表面的面积，形成所述有机树脂层。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在形成有所述黑矩阵的基板上形成负性感光型有机树脂薄膜，包括：
在所述黑矩阵上方形成所述负性感光性有机树脂薄膜；或者，
在所述第一衬底基板相对所述黑矩阵的另一侧形成所述负性感光性有机树脂薄膜。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述方法还包括：在所述触控电极上方形成覆盖所述第一衬底基板的保护层。
5.一种触控显示面板的制备方法，包括形成阵列基板和上基板；其特征在于，通过权利要求1至4任一项所述的制备方法形成所述上基板。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述形成阵列基板包括：
形成包括彩色滤光层的阵列基板。
7.一种触控显示面板用上基板，包括设置在第一衬底基板上的黑矩阵和触控电极；其特征在于，在显示区所述黑矩阵与相邻两个所述触控电极之间的间隙对应；
所述上基板还包括：有机树脂层和保留图案；
其中，所述有机树脂层位于所述第一衬底基板和所述触控电极之间，并在所述黑矩阵上方断开，且所述有机树脂层为负性感光型有机树脂层；所述保留图案位于所述有机树脂层的断开处且与所述触控电极材料相同。
8.根据权利要求7所述的上基板，其特征在于，被断开的所述有机树脂层的靠近所述第一衬底基板的下表面面积小于远离所述第一衬底基板的上表面的面积。
9.根据权利要求7所述的上基板，其特征在于，所述黑矩阵和所述有机树脂层设置在所述第一衬底基板的同一侧；或者，
所述黑矩阵和所述有机树脂层设置在所述第一衬底基板的不同侧。
10.根据权利要求7所述的上基板，其特征在于，所述上基板还包括：设置在所述触控电极上方且覆盖所述第一衬底基板的保护层。
11.一种触控显示面板，包括阵列基板和上基板；其特征在于，所述上基板为权利要求7至10任一项所述的上基板。
12.根据权利要求11所述的触控显示面板，其特征在于，所述阵列基板包括彩色滤光层。
13.根据权利要求11所述的触控显示面板，其特征在于，所述上基板的第一衬底基板靠近所述阵列基板设置；或者，
所述上基板的触控电极靠近所述阵列基板设置。
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