CN111785170B - 彩膜基板及其制作方法、显示装置 - Google Patents

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Abstract

本申请提供一种彩膜基板及其制作方法、显示装置，该彩膜基板包括衬底基板、位于衬底基板上的黑矩阵和彩色滤光层、位于彩色滤光层远离衬底基板一侧的量子点层和位于黑矩阵远离衬底基板一侧的阻隔层，还包括第一无机层，第一无机层至少包括：位于彩色滤光层与量子点层之间的第一部分；位于衬底基板上，且位于量子点层与阻隔层之间的第二部分；及位于阻隔层远离衬底基板一侧的第三部分。应用本申请可以有效降低彩膜基板的内部应力，提高对合精度。

Description

彩膜基板及其制作方法、显示装置
技术领域
本发明涉及显示装置技术领域，具体地，涉及一种彩膜基板及其制作方法、显示装置。
背景技术
目前，量子点-有机电致发光(QD-OLED)技术是比较前沿的实现高显色的方式，其通常采用蓝光OLED作为激发光源，激发QD材料发光。QD的发光原理与常规半导体发光原理相近，均是材料中载流子在接受外来能量后，达到激发态，在载流子恢复至基态的过程中，会释放能量，这种能量通常以光的形式发射出去。不同QD材料受到外界激发光源激发后会发出不同波段的光，当用蓝光光源激发红光和绿光QD材料后会发出红光和绿光。
但是，现有QD-OLED器件的制作过程中仍存在很多技术问题，在彩膜基板和显示背板对合过程中，难以实现高精度对位，容易产生串色现象，并影响最终的显示效果。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种彩膜基板及其制作方法、显示装置，可以有效降低彩膜基板的内部应力，提高对合精度。
为实现本发明的目的，第一方面提供一种彩膜基板，包括衬底基板、位于所述衬底基板上的黑矩阵和彩色滤光层、位于所述彩色滤光层远离所述衬底基板一侧的量子点层和位于所述黑矩阵远离所述衬底基板一侧的阻隔层，还包括第一无机层，所述第一无机层至少包括：
位于所述彩色滤光层与所述量子点层之间的第一部分；
位于所述量子点层与所述阻隔层之间的第二部分；
位于所述阻隔层远离所述衬底基板一侧的第三部分。
可选地，还包括第二无机层，所述第二无机层包括：
位于所述彩色滤光层靠近所述衬底基板的一侧的第四部分；
位于所述彩色滤光层与所述黑矩阵之间的第五部分；
位于所述黑矩阵与所述阻隔层之间的第六部分。
可选地，还包括多个柱状支撑体，多个所述柱状支撑体间隔位于所述阻隔层远离所述衬底基板的一侧。
可选地，所述柱状支撑体沿垂直所述衬底方向的截面为梯形，所述梯形的短边靠近所述阻隔层；
还包括金属反光层，所述金属反光层位于所述柱状支撑体的外表面，用于将从入光侧入射的光线反射至所述量子点层。
可选地，还包括第三无机层，所述第三无机层位于所述阻隔层与所述柱状支撑体之间，且覆盖所述量子点层，用于对所述量子点层进行保护。
可选地，所述第一无机层、所述第二无机层及所述第三无机层的厚度的取值范围均为100nm-1500nm，且所述第一无机层的厚度大于所述第二无机层的厚度，所述第二无机层的厚度大于所述第三无机层的厚度。
可选地，所述第一无机层、所述第二无机层及所述第三无机层的材料均包括氮化硅、二氧化硅、氮氧化硅及氧化铝中的一种或多种。
可选地，还包括第四无机层，所述第四无机层位于所述柱状支撑体与所述金属反光层之间，用于对所述柱状支撑体进行保护。
可选地，所述金属反光层的材料包括铝或银，所述金属反光层的厚度的取值范围为50nm-8000nm。
为实现本发明的目的，第二方面提供一种显示装置，包括对合在一起的显示背板和彩膜基板，所述彩膜基板为第一方面的所述彩膜基板。
为实现本发明的目的，第三方面提供一种彩膜基板的制作方法，包括：
于衬底基板之上形成黑矩阵；
于所述衬底基板之上形成彩色滤光层，且所述彩色滤光层位于所述黑矩阵形成的间隙中；
于所述黑矩阵远离所述衬底基板的一侧形成阻隔层；
于所述彩色滤光层远离所述衬底基板的一侧形成第一无机层，且所述第一无机层完全覆盖所述阻隔层；
于所述第一无机层远离所述衬底基板的一侧形成量子点层，且所述量子点层位于所述阻隔层形成的间隙中，与所述彩色滤光层对应设置。
可选地，所述于所述衬底基板之上形成彩色滤光层之前，还包括：
于所述衬底基板之上形成第二无机层，且所述第二无机层完全覆盖所述黑矩阵；
所述于所述衬底基板之上形成彩色滤光层，包括：
于所述第二无机层远离所述衬底基板的一侧形成彩色滤光层。
可选地，还包括：
于所述量子点层远离所述衬底基板的一侧形成第三无机层，且所述第三无机层覆盖所述第二无机层；
于所述第三无机层远离所述衬底基板的一侧形成多个间隔设置的柱状支撑体，所述柱状支撑体沿垂直所述衬底方向的截面为梯形，所述梯形的短边靠近所述阻隔层；
于所述柱状支撑体的外表面形成金属反光层，所述金属反光层用于将从入光侧入射的光线反射至所述量子点层。
本发明具有以下有益效果：
本发明提供的彩膜基板，设置有无机层，可分别将彩色滤光层与量子点层、量子点层与阻隔层进行分隔，当彩色滤光层、量子点层及阻隔层为有机层时，上述无机层位于各有机层之间，由于有机层与无机层的内部应力方向相反，可进行抵消，所以，该第一无机层的设置可减小彩膜基板因有机层较多较厚产生的内部应力，可有效降低彩膜基板的弯曲程度，从而确保该彩膜基板与显示背板的对合精准度，避免串色现象。且第一无机层的第一部分位于彩色滤光层与量子点层之间，其对量子点层所发的光具有一定的光学调节作用，可使得彩膜基板发出的光更加柔和。
附图说明
图1为本申请实施例提供的彩膜基板的剖视结构示意图；
图2为本申请实施例提供的彩膜基板的制作流程示意图；
图3为本申请实施例提供的显示装置的剖视结构示意；
图4为采用光刻胶去掉柱状支撑体远离衬底基板的表面上的Al膜层的工艺流程示意图；
图5为采用光刻胶和硬掩模去掉柱状支撑体远离衬底基板的表面上的Al膜层的工艺流程示意图。
具体实施方式
下面详细描述本申请，本申请的实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的部件或具有相同或类似功能的部件。此外，如果已知技术的详细描述对于示出的本申请的特征是不必要的，则将其省略。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本申请，而不能解释为对本申请的限制。
本技术领域技术人员可以理解，除非另外定义，这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)，具有与本申请所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。还应该理解的是，诸如通用字典中定义的那些术语，应该被理解为具有与现有技术的上下文中的意义一致的意义，并且除非像这里一样被特定定义，否则不会用理想化或过于正式的含义来解释。
本技术领域技术人员可以理解，除非特意声明，这里使用的单数形式“一”、“一个”和“该”也可包括复数形式。应该理解，当我们称元件被“连接”或“耦接”到另一元件时，它可以直接连接或耦接到其他元件，或者也可以存在中间元件。此外，这里使用的“连接”或“耦接”可以包括无线连接或无线耦接。这里使用的措辞“和/或”包括一个或更多个相关联的列出项的全部或任一单元和全部组合。
下面结合附图以具体的实施例对本申请的技术方案以及本申请的技术方案如何解决上述技术问题进行详细说明。
请参照图1，为本实施例提供的一种彩膜基板的结构示意图，该彩膜基板可与显示背板对合形成显示装置，如量子点发光二极管(QD-LED)、量子点有机发光二极管(QD-OLED)等。其中，显示背板通常能够发出能量较高的蓝光，以激发彩膜基板的量子点层60发光，量子点层60发出的光经过彩色滤光层30，形成彩色的光，以使显示装置呈现彩色。现有技术中，彩膜基板的制作过程中仍存在很多技术问题，其中，一重要技术问题为：彩膜基板制作时，彩膜基板主要采用有机材料制作，多层有机材料层叠置在一起，使得彩膜基板整体内部应力较大，导致彩膜基板容易弯曲变形，在彩膜基板和显示基板对合过程中，难以实现高精度对位，进而产生串色现象，并影响最终的显示效果。
为解决上述彩膜基板和显示基板对合过程中，难以实现高精度对位，进而产生串色现象的技术问题，如图1所示，本实施例提供一种彩膜基板，该彩膜基板可以包括衬底基板101、位于衬底基板101上的黑矩阵10和彩色滤光层30、位于彩色滤光层30远离衬底基板101一侧的量子点层60和位于黑矩阵10远离衬底基板101一侧的阻隔层40，还包括第一无机层50，第一无机层50至少包括：位于彩色滤光层30与量子点层60之间的第一部分；位于量子点层60与阻隔层40之间的第二部分；位于阻隔层40远离衬底基板101一侧的第三部分。
在实际应用中，其中，彩色滤光层30可以包括呈现蓝光的蓝色滤光层(CF-B层)、呈现绿光的绿色滤光层(CF-G层)及呈现红光的红色滤光层(CF-R层)，各彩色滤光层30通常采用有机材料。黑矩阵10(BM)通常位于相邻两个颜色的彩色滤光层30之间，用于对两个颜色的彩色滤光层30进行隔离，以防相邻两个颜色的彩色滤光层30发出的彩色光相互干扰，发生串色等，为便于工艺实施和降低成本，黑矩阵10通常也选用有机材料。量子点层60(quantum dot，QD)通常为采用添加量子点材料的有机材料形成的膜层，通过量子点材料实现光转换的作用，可对应彩色滤光层30设置，并位于彩色滤光层30之上，由于不同QD材料受到激发光源激发后会发出不同波段的光，如当用蓝光光源激发蓝光量子点(QD-B)层、红光量子点(QD-R)层及绿光量子点(QD-G)层材料后会分别发出蓝光、红光及绿光，可对应不同的彩色滤光层30设置不同的材料的量子点层60，比如CF-B层之上设置QD-B层、CF-G层之上设置QD-G层及CF-R层之上设置QD-R层。阻隔层40也可包括多个间隔设置的子层，各子层可分别位于相邻两个颜色的量子点层60之间，用于隔离限定量子点层60的位置，阻隔层40与量子点层60通常都具有一定厚度(比黑矩阵10和彩色滤光层30要厚)，为便于加工实施及降低成本，阻隔层40通常也选用有机材料。
其中，黑矩阵10的厚度可以稍微大于彩色滤光层30的厚度，以能够有效限定彩色滤光层30的位置；同理，阻隔层40的厚度可以稍微大于量子点层60的厚度，以能够有效限定量子点层60的位置，防止不同颜色的光相互干扰，发生串色等。具体地，黑矩阵10的厚度范围可以为1um-12um(微米)，优选3.5um；彩色滤光层30的厚度的取值范围可以为1um-12um，优选3um；量子点层60的厚度的取值范围可以为2um-16um，优选10um；阻隔层40的厚度的取值范围可以为2um-15um，优选10.5um。
本实施例提供的彩膜基板，包括位于衬底基板101上的彩色滤光层30、黑矩阵10、量子点层60及阻隔层40，还包括第一无机层50，且第一无机层50至少包括位于彩色滤光层30与量子点层60之间的第一部分，位于量子点层60与阻隔层40之间的第二部分，及位于阻隔层40远离衬底基板101一侧的第三部分，如此，通过设置无机层，至少可将彩色滤光层30与量子点层60、量子点层60与阻隔层40进行分隔，当彩色滤光层30、量子点层60及阻隔层40为有机层时，上述无机层位于各有机层之间，由于有机层与无机层的内部应力方向相反，可进行抵消，所以，该第一无机层50的设置可减小彩膜基板因有机层较多较厚产生的内部应力，可有效降低彩膜基板的弯曲程度，从而确保该彩膜基板与显示背板的对合精准度，避免串色现象。且第一无机层50的第一部分位于彩色滤光层30与量子点层60之间，其对量子点层60所发的光具有一定的光学调节作用，可使得彩膜基板发出的光更加柔和。
于本实施例一具体实施方式中，该彩膜基板还可包括第二无机层20，该第二无机层20可以包括：位于衬底基板101上，且位于彩色滤光层30靠近衬底基板101的一侧的第四部分；位于衬底基板101上，且位于彩色滤光层30与黑矩阵10之间的第五部分；位于黑矩阵10与阻隔层40之间的第六部分。在第一无机层50的基础上，增加第二无机层20，第二无机层20的设置和工作原理与第一无机层50类似，亦可抵消彩膜基板的内部应力，以进一步降低彩膜基板的弯曲程度，进一步提高彩膜基板与显示背板的对合精准度，避免串色现象。
于本实施例另一具体实施方式中，该彩膜基板还可包括多个柱状支撑体80，多个柱状支撑体80间隔设置于阻隔层40远离衬底基板101的一侧，设置柱状支撑体80可对彩膜基板的有机层进行支撑，进一步降低彩膜基板的的弯曲程度(可以实现无弯曲)，以保证在彩膜基板与显示背板对合的时候，不会导致QD层被挤压变形，从而进一步提高对合精度。
进一步地，柱状支撑体80沿垂直衬底方向的截面可以为梯形，梯形的短边靠近阻隔层40，即该梯形可为倒梯形。可在倒梯形的柱状支撑体80的外表面设置金属反光层82，该金属反光层82能够将从入光侧入射的光线(可以为显示背板发出的蓝光)反射至量子点层60，使得更多的光到达量子点层60，从而提高激发光源的光利用效率。同时，可以防止某一发光层发出的光到达相邻量子点层60，继而可以进一步消除串色现象。更进一步地，可以仅在柱状支撑体80的侧壁设置金属反光层82，以防光线在柱状支撑体80远离衬底基板101的表面发生反射，阻碍光线传播，甚至引起串色风险等。
该柱状支撑体80设置为倒梯形，可便于形成金属反光层82。该柱状支撑体80可选用有机材料制作，具体可以是环氧树脂、丙烯酸脂、硅胶等，优选环氧树脂。梯形的高度的取值范围可以为2-20um，梯形的锐角夹角可为30-90度，以便于实现下述金属反光层82的反光效果。其中，梯形的高度优选8um；锐角夹角优选70度，以提高外层反光金属层的同型覆盖能力。金属反光层82的材料可以包括铝或银，优选反射率较高、成本较低的铝，铝或银的厚度的取值范围可为50nm-8000nm，优选2000nm。
于本实施例另一具体实施方式中，该彩膜基板还可以包括第三无机层70，第三无机层70可以位于阻隔层40与柱状支撑体80之间，且覆盖量子点层60，如此，可在制作柱状支撑体80表面的金属反射层时，防止对量子点层60和阻隔层40造成污染和腐蚀，以对量子点层60进行保护。
于本实施例另一具体实施方式中，该彩膜基板还可以包括第四无机层81，第四无机层81可以设置于柱状支撑体80与金属反光层82之间，用于对柱状支撑体80进行保护，防止沉积和刻蚀金属反射层过程中，对柱状支撑体80造成污染和腐蚀。
具体地，第一无机层50、第二无机层20、第三无机层70及第四无机层81的厚度的取值范围均可以为100nm-1500nm，且第一无机层50的厚度大于第二无机层20的厚度，第二无机层20的厚度大于第三无机层70的厚度。其中，由于第一无机层50位于彩色滤光层30与量子点层60之间和量子点层60与阻隔层40之间，与彩膜基板的有机层的接触面积相对更大，其对抵消彩膜基板的内应力、降低彩膜基板的弯曲度的作用也更大，所以，第一无机层50的厚度可以相对第二无机层20的厚度、第三无机层70的厚度更厚，以保证其能有效抵消彩膜基板的内部应力、降低彩膜基板的弯曲度。第二无机层20对第一无机层50的作用进行补充，可以进一步降低彩膜基板的弯曲度，所以第二无机层20的厚度可以小于第一无机层50的厚度。第三无机层70主要用于对量子点层60进行保护，所以其相对可以设置薄一点。
进一步地，第一无机层50、第二无机层20、第三无机层70的材料及第四无机层81均可以包括氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiO2)、氮氧化硅(SiON)及氧化铝(Al2O3)，且可以设为单层或多层(不同材质)，这几种无机材料均是透明材质，且相对彩膜基板的各有机物材料层，其折射率相近，有利于光线的传播。
其中，第一无机层50优选SiON，厚度优选800nm；第二无机层20优选SiO2，厚度优选500nm；第三无机层70优选SiNx，厚度优选200nm。SiNx的折射率为1.84，SiON的折射率为1.75左右，SiO2的折射率为1.50左右，而各有机层的折射率为1.49-1.52左右，如此，沿光线的传播方向折射率由高到低设置，更有利于光从衬底基板101射出，可提高光源利用率。第四无机层81也可优选高折射率的SiNx，其厚度优选300nm。
需要说明的是，上述无机层的具体材料和厚度只是本实施例的一种实施方式，本实施并不以此为限，只要其能实现上述各无机层各自的功能即可。
于本实施例另一具体实施方式中，如图2所示，该彩膜基板的具体制作工艺可包括以下步骤：
1)在衬底基板101上制作黑矩阵10，用以限定各彩色滤光层30的位置。
2)衬底基板101上第二无机层20，且第二无机层20层可以完全覆盖黑矩阵10，其厚度可以为500nm，用以分隔黑矩阵10和彩色滤光层30。
3)在第二无机层20之上、黑矩阵10形成的间隙中形成彩色滤光层30，彩色滤光层30的厚度可以为3.0um，彩色滤光层30可以包括CF-B、CF-G及CF-R。
4)在黑矩阵10上沉积阻隔层40，阻隔层40的厚度可以为0.5um，用以限定各量子点层60的位置。
5)在彩色滤光层30之上沉积第一无机层50，且第一无机层50可以完全覆盖阻隔层40，第一无机层50的厚度可以为800nm，用于分隔阻隔层40和量子点层60(下一步沉积)。
6)在第一无机层50之上沉积量子点层60，量子点层60的厚度可以为10um，且量子点层60可以分别对应CF-B、CF-G及CF-R设置QD-B、QD-G及QD-R。
7)在量子点层60和阻隔层40之上沉积第三无机层70，第三无机层70的厚度可以为200nm，第三无机层70可以至少完全覆盖量子点层60，以对量子点层60进行保护。
8)制作倒梯形的柱状支撑体80，其高度可以为8um，长边与侧边的夹角可以为70度。具体地，可先采用有机材料在第三无机层70之上形成一整层膜层，该整层膜层的厚度与柱状支撑体80的高度相当，通过曝光、显影使该整层膜层图形化，得到倒梯形的柱状支撑体80。其中，通过控制曝光量可控制倒梯形的长边与侧边的夹角(曝光越大，倒梯形的长边与侧边的夹角越小)。
9)在柱状支撑体80外表面沉积第四无机层81，第四无机层81可以厚300nm，以防在柱状支撑体80外形成金属反射层82时，高温金属离子溅射至有机的柱状支撑体80，使柱状支撑体80飞溅污染腔室等。具体地，可采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺先在第三无机层70之上沉积一无机层，该无机层的厚度可大于柱状支撑体80的高度；然后，对该无机层进行图形化，以得到位于柱状支撑体80外表面的第四无机层81。
10)在第三无机层70之上形成整体金属反射层，且该整体金属反射层覆盖第四无机层81的外表面。具体可采用蒸镀或磁控溅射工艺形成该整体金属反射层，该整体金属反射层可以为Al膜层，Al膜层的厚度可以为2000nm。
11)对整体金属反射层进行图形化，去除整体金属反射层的位于柱状支撑体80远离衬底基板101一侧的表面的部分及位于第三无机层70表面的部分，以形成仅覆盖柱状支撑体80侧表面的金属反射层82。
上述形成仅覆盖柱状支撑体80侧表面的金属反射层82可通过至少两种工艺实现，其一、通过负性光刻胶和正性光刻胶实现：如图4所示，先在整体金属反射层82’之上整体涂覆负性光刻胶300，采用合适的光胶掩模，经曝光显影后，可去掉第三无机层70正上方的负性光刻胶300，使整体金属反射层82’的位于第三无机层70之上的部分显露，然后通过刻蚀、剥离等工艺去除整体金属反射层82’的该部分(由于柱状支撑体80侧面的负性光刻胶300的保护，在靠近柱状支撑体80的位置可能会有少量金属反射层残留)和剩余的负性光刻胶300，然后在第三无机层70之上整体涂覆正性光刻胶400，采用合适的光胶掩模，经曝光显影后，可去掉柱状支撑体80远离衬底基板101一侧的表面上的正性光刻胶400，使整体金属反射层82’的位于柱状支撑体80远离衬底基板101一侧的表面上的部分显露，然后通过刻蚀、剥离等工艺去除柱整体金属反射层82’的该部分和剩余的正性光刻胶400，即可得到仅覆盖柱状支撑体80侧表面的金属反射层82。其二、通过硬掩模、负性光刻胶及正性光刻胶实现：如图5所示，通过沉积工艺在整体金属反射层82’之上形成硬掩模层500，然后在硬掩模层500之上整体涂覆负性光刻胶300’，采用合适的光胶掩模，经曝光显影后，可将硬掩模层500的位于第三无机层70的正上方的部分显露，继而可通过刻蚀、剥离等工艺将硬掩模层500的显露的该部分去除，从而显露出整体金属反射层82’的位于第三无机层70正上方的部分，然后可通过刻蚀工艺去除整体金属反射层82’的显露的该部分和剩余的负性光刻胶300’，然后再在第三无机层70之上整体涂覆正性光刻胶400’，采用合适的光胶掩模，经曝光显影后，可去掉柱状支撑体80远离衬底基板101一侧的表面上的正性光刻胶400’，使硬掩模层500的位于柱状支撑体80远离衬底基板101一侧的表面上的部分显露，然后通过刻蚀、剥离等工艺依次去除硬掩模层500的该部分、整体金属反射层82’的位于该部分之上的部分及剩余的正性光刻胶400’，然后再刻蚀掉硬掩模层500的剩余部分(柱状支撑体80侧面的部分)，即可得到覆盖柱状支撑体80侧表面的金属反射层82。且如果硬掩膜层500的折射率与金属反射层82的折射率比较相近，则硬掩模层500也具有光反射作用，可以保留硬掩模层500的位于柱状支撑体80侧面的部分(即可省略图5中最后一个步骤)。
基于上述彩膜基板相同的构思，如图3所示，本实施例还提供一种显示装置，包括对合在一起的显示背板200和彩膜基板的100，该彩膜基板的100为上述任一实施方式的彩膜基板。
本实施例提供的显示装置，可以包括上述任一实施方式的彩膜基板，所以至少可实现上述彩膜基板的有益效果，在此不再赘述。
本技术领域技术人员可以理解，本申请中已经讨论过的各种操作、方法、流程中的步骤、措施、方案可以被交替、更改、组合或删除。进一步地，具有本申请中已经讨论过的各种操作、方法、流程中的其他步骤、措施、方案也可以被交替、更改、重排、分解、组合或删除。进一步地，现有技术中的具有与本申请中公开的各种操作、方法、流程中的步骤、措施、方案也可以被交替、更改、重排、分解、组合或删除。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
以上仅是本申请的部分实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本申请的保护范围。

Claims (11)

1.一种彩膜基板，包括衬底基板、位于所述衬底基板上的黑矩阵和彩色滤光层、位于所述彩色滤光层远离所述衬底基板一侧的量子点层和位于所述黑矩阵远离所述衬底基板一侧的阻隔层，其特征在于，还包括第一无机层，所述第一无机层至少包括：
位于所述彩色滤光层与所述量子点层之间的第一部分；
位于所述量子点层与所述阻隔层之间的第二部分；
位于所述阻隔层远离所述衬底基板一侧的第三部分；
还包括第二无机层，所述第二无机层包括：
位于所述彩色滤光层靠近所述衬底基板的一侧的第四部分；
位于所述彩色滤光层与所述黑矩阵之间的第五部分；
位于所述黑矩阵与所述阻隔层之间的第六部分。
2.根据权利要求1所述的彩膜基板，其特征在于，还包括多个柱状支撑体，多个所述柱状支撑体间隔位于所述阻隔层远离所述衬底基板的一侧。
3.根据权利要求2所述的彩膜基板，其特征在于，所述柱状支撑体沿垂直所述衬底方向的截面为梯形，所述梯形的短边靠近所述阻隔层；
还包括金属反光层，所述金属反光层位于所述柱状支撑体的外表面，用于将从入光侧入射的光线反射至所述量子点层。
4.根据权利要求2所述的彩膜基板，其特征在于，还包括第三无机层，所述第三无机层位于所述阻隔层与所述柱状支撑体之间，且覆盖所述量子点层，用于对所述量子点层进行保护。
5.根据权利要求4所述的彩膜基板，其特征在于，所述第一无机层、所述第二无机层及所述第三无机层的厚度的取值范围均为100nm-1500nm，且所述第一无机层的厚度大于所述第二无机层的厚度，所述第二无机层的厚度大于所述第三无机层的厚度。
6.根据权利要求4或5所述的彩膜基板，其特征在于，所述第一无机层、所述第二无机层及所述第三无机层的材料均包括氮化硅、二氧化硅、氮氧化硅及氧化铝中的一种或多种。
7.根据权利要求3所述的彩膜基板，其特征在于，还包括第四无机层，所述第四无机层位于所述柱状支撑体与所述金属反光层之间，用于对所述柱状支撑体进行保护。
8.根据权利要求3所述的彩膜基板，其特征在于，所述金属反光层的材料包括铝或银，所述金属反光层的厚度的取值范围为50nm-8000nm。
9.一种显示装置，包括对合在一起的显示背板和彩膜基板，其特征在于，所述彩膜基板为所述权利要求1-8任一项所述的彩膜基板。
10.一种彩膜基板的制作方法，其特征在于，包括：
于衬底基板之上形成黑矩阵；
于所述衬底基板之上形成彩色滤光层，且所述彩色滤光层位于所述黑矩阵形成的间隙中；
于所述黑矩阵远离所述衬底基板的一侧形成阻隔层；
于所述彩色滤光层远离所述衬底基板的一侧形成第一无机层，且所述第一无机层完全覆盖所述阻隔层；
于所述第一无机层远离所述衬底基板的一侧形成量子点层，且所述量子点层位于所述阻隔层形成的间隙中，与所述彩色滤光层对应设置；
所述于所述衬底基板之上形成彩色滤光层之前，还包括：
于所述衬底基板之上形成第二无机层，且所述第二无机层完全覆盖所述黑矩阵；
所述于所述衬底基板之上形成彩色滤光层，包括：
于所述第二无机层远离所述衬底基板的一侧形成彩色滤光层。
11.根据权利要求10所述的制作方法，其特征在于，还包括：
于所述量子点层远离所述衬底基板的一侧形成第三无机层，且所述第三无机层覆盖所述第二无机层；
于所述第三无机层远离所述衬底基板的一侧形成多个间隔设置的柱状支撑体，所述柱状支撑体沿垂直所述衬底方向的截面为梯形，所述梯形的短边靠近所述阻隔层；
于所述柱状支撑体的外表面形成金属反光层，所述金属反光层用于将从入光侧入射的光线反射至所述量子点层。
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113138486A (zh) * 2021-04-01 2021-07-20 武汉华星光电技术有限公司 彩膜基板及显示面板
CN113488496A (zh) * 2021-06-17 2021-10-08 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 量子点彩膜基板及其制备方法、显示装置
CN114141809B (zh) * 2021-11-30 2023-07-25 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板的制备方法及显示面板
CN114488603A (zh) * 2022-02-21 2022-05-13 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 量子点彩膜基板及其制备方法、显示面板
CN117940982A (zh) * 2022-08-26 2024-04-26 京东方科技集团股份有限公司 彩膜基板、显示面板及显示装置

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016157116A (ja) * 2015-02-23 2016-09-01 東洋紡株式会社 液晶表示装置
CN106647002A (zh) * 2017-01-16 2017-05-10 京东方科技集团股份有限公司 一种彩膜基板及其制备方法、显示面板
CN107861181A (zh) * 2017-12-04 2018-03-30 福州大学 一种量子点彩色滤光片及其制作方法
CN109256484A (zh) * 2018-08-31 2019-01-22 云谷（固安）科技有限公司 一种显示面板及其制备方法、显示器
CN109375411A (zh) * 2018-10-30 2019-02-22 武汉华星光电技术有限公司 液晶面板及其制作方法
CN109633965A (zh) * 2019-01-03 2019-04-16 京东方科技集团股份有限公司 彩膜结构、显示基板及其制造方法、显示装置
CN111105721A (zh) * 2018-10-26 2020-05-05 三星显示有限公司 滤光器基板和包括滤光器基板的显示设备

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104166265B (zh) * 2014-06-16 2017-12-19 京东方科技集团股份有限公司 一种彩色滤光片基板及其制备方法、有机发光显示面板、显示装置
JP2017187549A (ja) * 2016-04-01 2017-10-12 シャープ株式会社 波長変換基板、波長変換基板の製造方法および表示装置
KR102469945B1 (ko) * 2017-07-14 2022-11-23 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조방법
KR102507122B1 (ko) * 2017-11-03 2023-03-08 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이를 이용한 제조 방법
CN109728200B (zh) * 2019-01-03 2022-02-08 京东方科技集团股份有限公司 显示基板、显示基板的制备方法、显示装置
KR20200140965A (ko) * 2019-06-07 2020-12-17 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US11394014B2 (en) * 2019-08-29 2022-07-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display unit, display module, and electronic device
KR20210133371A (ko) * 2020-04-28 2021-11-08 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR20220027357A (ko) * 2020-08-26 2022-03-08 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016157116A (ja) * 2015-02-23 2016-09-01 東洋紡株式会社 液晶表示装置
CN106647002A (zh) * 2017-01-16 2017-05-10 京东方科技集团股份有限公司 一种彩膜基板及其制备方法、显示面板
CN107861181A (zh) * 2017-12-04 2018-03-30 福州大学 一种量子点彩色滤光片及其制作方法
CN109256484A (zh) * 2018-08-31 2019-01-22 云谷（固安）科技有限公司 一种显示面板及其制备方法、显示器
CN111105721A (zh) * 2018-10-26 2020-05-05 三星显示有限公司 滤光器基板和包括滤光器基板的显示设备
CN109375411A (zh) * 2018-10-30 2019-02-22 武汉华星光电技术有限公司 液晶面板及其制作方法
CN109633965A (zh) * 2019-01-03 2019-04-16 京东方科技集团股份有限公司 彩膜结构、显示基板及其制造方法、显示装置

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