CN107479292A - 阵列基板、阵列基板的制作方法及液晶显示面板 - Google Patents

阵列基板、阵列基板的制作方法及液晶显示面板 Download PDF

Info

Publication number
CN107479292A
CN107479292A CN201710934432.3A CN201710934432A CN107479292A CN 107479292 A CN107479292 A CN 107479292A CN 201710934432 A CN201710934432 A CN 201710934432A CN 107479292 A CN107479292 A CN 107479292A
Authority
CN
China
Prior art keywords
electrode layer
pixel electrode
intake chute
base palte
array base
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201710934432.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN107479292B (zh
Inventor
李任鹏
米田公太郎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Original Assignee
Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd filed Critical Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority to CN201710934432.3A priority Critical patent/CN107479292B/zh
Publication of CN107479292A publication Critical patent/CN107479292A/zh
Priority to KR1020207012411A priority patent/KR20200054316A/ko
Priority to JP2020517792A priority patent/JP6985507B2/ja
Priority to EP18862214.6A priority patent/EP3690536A4/en
Priority to PCT/CN2018/071559 priority patent/WO2019061937A1/zh
Priority to US15/916,380 priority patent/US10620496B2/en
Application granted granted Critical
Publication of CN107479292B publication Critical patent/CN107479292B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286Wiring, e.g. gate line, drain line
    • G02F1/136295Materials; Compositions; Manufacture processes
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1337Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
    • G02F1/133707Structures for producing distorted electric fields, e.g. bumps, protrusions, recesses, slits in pixel electrodes
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/136209Light shielding layers, e.g. black matrix, incorporated in the active matrix substrate, e.g. structurally associated with the switching element
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/136227Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本发明提供一种阵列基板、阵列基板的制作方法及液晶显示面板。所述阵列基板源漏极层、像素电极层及间隔层。所述间隔层上设有过孔结构,所述像素电极层通过所述过孔结构与所述源漏极层电连接。所述过孔结构包括过孔及设于所述过孔边缘的间隔设置的多个导液槽。所述像素电极层对应于所述过孔的位置形成凹槽,在对应于每个所述导液槽的位置形成子导液槽。在所述像素电极上设置配向层时,形成所述配向层的配向液能够通过所述子导液槽流入所述像素电极上的凹槽内,从而使得在所述像素电极层上的凹槽位置也能够覆盖所述配向膜,进而保证所述阵列基板形成的液晶显示面板正常显示。

Description

阵列基板、阵列基板的制作方法及液晶显示面板
技术领域
本发明涉及一种显示面板制造技术领域,尤其涉及一种阵列基板、阵列基板的制作方法及液晶显示面板。
背景技术
液晶显示面板(LCD)由于具有体积小、功耗低、无辐射等特点而备受关注,在平板显示领域中占据了主导地位,被广泛地应用到各行各业中。液晶显示面板通常由彩膜基板和阵列基板对盒而成。其中,所述阵列基板一般包括源漏极层、设于所述源漏极层上的间隔层及位于所述间隔层上的像素电极层。其中,需要在所述间隔层上设置过孔,使得所述像素电极层通过所述过孔与所述源漏极层进行电连接,以实现所述液晶显示面板的驱动及显示。所述像素电极通过所述过孔与所述源漏极电连接时,会在所述像素电极层相对于所述过孔的位置形成凹槽。其中,由于所述过孔的面积较小,从而使得后续在所述像素电极层上方设置配向膜时,在所述凹槽内容易产生气泡,从而形成所述配向膜的配向液不容易进入所述像素电极层的所述凹槽并均匀的分散在所述凹槽内,使得此区域缺少配向膜,进而使得所述液晶显示面板出现显示异常。
发明内容
本发明提供一种阵列基板、阵列基板的制作方法及液晶显示面板,使得所述阵列基板的像素电极层的各位置均能够覆盖有配向膜,保证所述阵列基板形成的液晶显示面板正常显示。
所述阵列基板包括衬底、层叠于所述衬底上的源漏极层、位于所述源漏极层上的像素电极层、及层叠于所述源漏极层及所述像素电极层之间的间隔层,所述间隔层包括过孔结构,所述过孔结构包括过孔及设于所述过孔边缘的间隔设置的多个导液槽,所述导液槽从所述过孔的内壁向背离所述过孔内部的方向凹陷,所述过孔具有第一孔口及与所述第一孔口相对的第二孔口,所述导液槽从所述第一孔口向所述第二孔口的方向延伸;所述像素电极层通过所述过孔结构与所述源漏极层电连接。
其中,所述导液槽的延伸方向与所述过孔的轴线方向的夹角同所述过孔内壁与所述轴线方向的夹角相同。
其中,所述像素电极层对应于所述过孔的位置形成一凹槽,所述像素电极层在对应于每个所述导液槽的位置形成一子导液槽。
其中,所述阵列基板还包括配向层,所述配向层覆盖所述像素电极层。
所述阵列基板的制作方法,包括步骤:
在衬底上通过构图工艺形成源漏极层;
在所述源漏极层上形成间隔层,并通过构图工艺在所述间隔层上形成过孔结构,所述过孔结构包括过孔及设于所述过孔边缘的间隔设置的多个导液槽,所述导液槽从所述过孔的内壁向背离所述过孔内部的方向凹陷形成,所述过孔具有第一孔口及与所述第一孔口相对的第二孔口,所述导液槽从所述第一孔口向所述第二孔口的方向延伸,且所述导液槽的延伸方向与所述过孔的轴线方向的夹角同所述过孔内壁与所述轴线方向的夹角相同或不同;
在所述间隔层上形成像素电极层,所述像素电极层通过所述过孔结构与所述源漏极层电连接,且所述像素电极层对应于所述过孔的位置形成与所述过孔形状结构相同的凹槽,在对应于每个所述导液槽的位置形成与所述导液槽形状结构相同的子导液槽;
在所述像素电极层上形成覆盖所述像素电极层的配向层,所述配向层覆盖所述像素电极层及所述像素电极层的所述凹槽的内壁、所述子导液槽的内壁。
其中,所述“通过构图工艺在所述间隔层上形成过孔结构”包括步骤:
在所述源漏极层上依次形成间隔材料层及光阻材料层;
通过所述光罩对所述光阻材料层进行曝光、显影,以将所述光罩上的过孔图案转移至所述光阻材料层上,所述光罩上的过孔图案与所述过孔结构形状大小相同;
对所述间隔材料层进行刻蚀,将所述光阻材料层上形成所述过孔图案转移至所述间隔材料层上,得到具有所述过孔结构的间隔层;
剥离所述光阻材料层。
其中,所述导液槽的延伸方向与所述过孔的轴线方向的夹角同所述过孔内壁与所述轴线方向的夹角相同时,所述光罩包括遮光区、透光区及多个半透光区,所述多个半透光区围绕所述透光区并间隔排布,且所述半透光区与所述透光区连接,所述半透光区的透光率从远离所述透光区的方向向所述透光区的方向逐渐增加;所述透光区对应于所述间隔层上形成所述过孔的位置,所述半透光区对应于所述间隔层上形成所述导液槽的位置。
其中,所述导液槽的延伸方向与所述过孔的轴线方向的夹角同所述过孔内壁与所述轴线方向的夹角不相同时,所述光罩包括遮光区、第一透光区及多个第二半透光区,所述多个第二半透光区围绕所述第一透光区并间隔排布,且所述第二透光区与所述第一透光区连接;所述第一透光区对应于所述间隔层上形成所述过孔的位置,所述第二透光区对应于所述间隔层上形成所述导液槽的位置。
其中,所述步骤“在所述像素电极层上形成覆盖所述像素电极层的配向层,所述配向层覆盖所述像素电极层、所述凹槽及所述子导液槽的内壁”包括步骤:
将配向液印刷于所述像素电极层上并覆盖所述像素电极层,且所述配向液沿所述子导液槽流至所述凹槽内,并附着于所述凹槽及所述子导液槽的内壁;
对所述像素电极层、所述凹槽及所述子导液槽的内壁的所述配向液进行预烘烤,得到覆盖所述像素电极层、所述凹槽及所述子导液槽的内壁的配向层。
所述液晶显示面板,包括上述阵列基板、与所述阵列基板相对的彩膜基板,及设于所述阵列基板与所述彩膜基板之间的液晶层,所述阵列基板的所述配向层与所述液晶层接触。
本发明提供的所述阵列基板、阵列基板的制作方法及液晶显示面板,通过在所述过孔的边缘设置间隔设置的多个导液槽,所述像素电极层层叠于所述间隔层上时,所述像素电极层对应于所述过孔的位置形成与所述过孔形状结构相同的凹槽,在对应于每个所述导液槽的位置形成与所述导液槽形状结构相同的子导液槽。进而在所述像素电极上设置配向层时,形成所述配向层的配向液能够通过所述子导液槽流入所述像素电极上的凹槽内,从而使得在所述像素电极层上的凹槽位置也能够覆盖所述配向膜,进而保证所述阵列基板形成的液晶显示面板正常显示。
附图说明
为更清楚地阐述本发明的构造特征和功效,下面结合附图与具体实施例来对其进行详细说明。
图1是本发明一实施例的阵列基板的截面示意图;
图2是图1所述阵列基板的过孔结构示意图;
图3是图2所述阵列基板的过孔的截面示意图;
图4是本发明另一实施例的所述阵列基板的过孔的截面示意图;
图5是本发明实施例的阵列基板的制作流程示意图;
图6是图3所述制作流程中步骤120的具体流程示意图;
图7是图3所述制作流程中步骤140的具体流程示意图;
图8是形成图3所述阵列基板上的过孔结构的遮光罩的结构示意图;
图9是形成图4所述阵列基板上的过孔结构的遮光罩的结构示意图;
图10是本发明一实施例的液晶显示面板的示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。其中,附图仅用于示例性说明,表示的仅是示意图,不能理解为对本专利的限制。
请参阅图1,本发明提供一种阵列基板100。所述阵列基板100包括衬底10、层叠于所述衬底10上的源漏极层20、层叠于所述源漏极层20上的像素电极层40、及层叠于所述源漏极层20及所述像素电极层40之间的间隔层30。所述间隔层30上设有过孔结构50,所述像素电极层40通过所述过孔结构50与所述源漏极层20进行电连接。本实施例中,所述间隔层30包括绝缘层及平坦层。可以理解的是,根据所述阵列基板100的设计需要,所述间隔层30还可以包括其他的层结构。
请参阅图2及图3,所述过孔结构50包括过孔51及设于所述过孔51边缘的间隔设置的多个导液槽52,通过多个所述导液槽52能够使得液体顺利的流至所述过孔51内。其中,所述液体的流动方向为所述导液槽52的延伸方向。所述导液槽52从所述过孔51的内壁511向背离所述过孔51内部的方向凹陷形成。并且,所述过孔51具有第一孔口512及与所述第一孔口512相对的第二孔口513。所述导液槽52从所述第一孔口512向所述第二孔口513的方向延伸,即液体能够通过所述导液槽52从所述第一孔口512的一端向所述第二孔口513的一端流动,从而使得液体能够顺利的流至所述孔口内。本实施例中,所述导液槽52的延伸方向与所述过孔的轴线方向的夹角同所述过孔内壁511与所述轴线方向的夹角相同,且所述导液槽52从所述第一孔口512一端延伸至所述第二孔口513一端。参阅图4,在本发明的其它实施例中,所述导液槽52可以轴线方向的夹角同所述过孔内壁511与所述轴线方向的夹角不相同。并且,可以理解的是,所述导液槽52可以不延伸至所述第二孔口513的一端,此时,所述导液槽52仍然可以实现将液体导入所述过孔51内的效果。并且,所述导液槽52可以为任意形状,例如,所述导液槽52的截面可以为V型、半圆形、抛物线型等。
所述像素电极层40层叠于所述间隔层30上,并在对应于所述过孔51的位置形成凹槽41,所述凹槽41的内壁形状与所述过孔51内壁形状相同。在对应于每个所述导液槽的52位置形成子导液槽42,所述子导液槽42的内壁形状与所述导液槽52内壁形状结构相同的。
进一步的,所述阵列基板100还包括配向层60,所述配向层60覆盖所述像素电极层40,即所述配向层60能够覆盖所述凹槽41及所述子导液槽42的内壁。具体的,形成所述配向层60的配向液能够通过所述子导液槽42流进所述凹槽41内,不容易因为所述配向液的表面能等使得所述凹槽41内产生气泡,进而使得所述配向层60能够覆盖并均匀的分散于所述凹槽41内,使得所述配向层60能够覆盖所述像素电极层40的任意位置。
请参阅图5,本发明还提供一种阵列基板100的制作方法,包括:
步骤110、在所述衬底10上通过构图工艺形成所述源漏极层20。具体的,所述构图工艺包括光阻涂布、曝光、显影、蚀刻等工序,通过所述构图工艺形成的所述源漏极层20包括间隔设置的源极及漏极。
步骤120、在所述源漏极层20上形成所述间隔层30,并通过构图工艺在所述间隔层30上形成所述过孔结构50。所述过孔结构50的结构已进行描述,在此不进行赘述。
请参阅图6,所述步骤120还包括:
步骤121、在所述源漏极层20上形成间隔材料层。通过气相沉积及涂布等方式在源漏极层20上形成间隔材料层。本实施例中,所述间隔层30包括所述绝缘层及层叠于所述绝缘层上的平坦层。通过气相沉积的方式在所述源漏极层20上层叠覆盖所述绝缘层;并通过涂布的方式在所述绝缘层上形成平坦层。之后,通过涂布工艺在所述间隔材料层上形成一层光阻材料层。
步骤122、通过一光罩70对所述光阻材料层进行曝光、显影,以将所述光罩70上的过孔图案转移至所述光阻材料层上。所述光罩上70上的过孔图案与所述过孔结构形状大小相同。具体的,根据所述过孔结构的不同,所述光罩上的图案也不同。
请参阅图3及图8,本实施例中,所述导液槽52与所述过孔轴线方向平行。所述光罩包括遮光区74、第一透光区76及多个第二透光区75,所述第二透光区75围绕所述第一透光区76间隔排布,且所述第二透光区75与所述第一透光区76连接。所述光罩70除所述第一透光区76及所述第二透光区75外的其它部分为所述遮光区74。其中,所述间隔层30上对应于所述第一透光区76的位置形成所述过孔51,对应于所述第二透光区75的位置形成所述导液槽52。
或者,请参阅图4及图9,在本发明的其它实施例中,所述过孔结构10的所述导液槽52与所述过孔内壁111呈夹角时,所述光罩70包括遮光区71、透光区73及多个半透光区72。所述半透光区72围绕所述透光区73间隔排布,且所述半透光区72与所述透光区73连接,所述半透光区72的透光率从远离所述透光区73的方向向靠近所述透光区73的方向逐渐增加。所述光罩70除所述透光区73及所述半透光区72外的其它部分为所述遮光区71。其中,所述间隔层30上对应于所述透光区73的位置形成所述过孔11,对应于所述半透光区72的位置形成所述导液槽12。并且,由于所述半透光区72的透光率从远离所述透光区73的方向向靠近所述透光区73的方向逐渐增加,从而使得所述对应于所述半透光区72的刻蚀深度逐渐变化,进而使得所述导液槽52与所述过孔51的内壁呈夹角。将所述光罩70上的过孔图案转移至所述光阻材料层上具体为,将所述光罩70设于所述光阻材料层上方,透过所述光罩70对所述光阻材料层进行曝光、显影操作,从而将所述光罩70上的过孔图案转移至所述光阻材料层上。
步骤123、对所述间隔材料层进行刻蚀,将所述光阻材料层上形成所述过孔图案转移至所述间隔材料层上,得到具有所述过孔结构50的间隔层30。
步骤124、剥离所述光阻材料层。完成对所述间隔材料层的刻蚀,并形成具有所述过孔结构50的间隔层30后,即可剥离所述光阻材料层。
步骤130、在所述间隔层30上形成像素电极层40,所述像素电极层40通过所述过孔结构50与所述源漏极层20电连接,且所述像素电极层40对应于所述过孔51的位置形成与所述过孔形状结构相同的凹槽41,在对应于每个所述导液槽52的位置形成与所述导液槽52形状结构相同的子导液槽42。本实施例中,通过气相沉积的方式在所述间隔层30上形成像素电极层40。
步骤140、在所述像素电极层40上形成覆盖所述像素电极层40的配向层60,所述配向层60覆盖所述像素电极层40及所述像素电极层40的所述凹槽41及所述子导液槽42的内壁。
具体的,请参阅图7,所述步骤140还包括:
步骤141、将配向液印刷于所述像素电极层40上并覆盖所述像素电极层40,且所述配向液沿所述子导液槽42流至所述凹槽41内,并附着于所述凹槽41及所述子导液槽42的内壁。通过所述子导液槽42能够容易的将所述配向液引流至所述凹槽41内,从而避免所述凹槽41产生气泡,使得所述配向液能够进入所述像素电极层的所述凹槽41并均匀的分散在所述凹槽41内,使得所述像素电极层40的各位置能够均匀的分布所述配向液。
步骤142、对所述像素电极层40及所述像素电极层40的所述凹槽41及所述子导液槽42的内壁的所述配向液进行预烘烤,得到覆盖所述像素电极层42及所述像素电极层40的所述凹槽41的内壁、所述子导液槽42的内壁的配向层60。
请参阅图10,本发明还提供一种液晶显示面板200,所述液晶显示面板200包括所述阵列基板100、与所述阵列基板100相对的彩膜基板110及设于所述阵列基板100与所述彩膜基板110之间的液晶层120。所述阵列基板100的所述配向层60与所述液晶层120接触,通过所述配向层60对所述液晶层120中的液晶分子进行预配向。
本发明提供的所述阵列基板100及其制作方法,通过在所述间隔层30上所述过孔51的边缘设置间隔设置的多个导液槽52,使得所述像素电极层40层叠于所述间隔层30上时,所述像素电极层40对应于所述过孔51的位置形成与所述过孔51形状结构相同的凹槽41,在对应于每个所述导液槽52的位置形成与所述导液槽52形状结构相同的子导液槽42。进而在所述像素电极层40上设置配向层60时,形成所述配向层60的配向液能够通过所述子导液槽42流入所述像素电极层40上的凹槽41内,从而使得在所述像素电极层40上的凹槽41位置也能够覆盖所述配向膜60,进而保证所述阵列基板100形成的液晶显示面板200正常显示。
以上所述为本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种阵列基板,其特征在于,包括衬底、层叠于所述衬底上的源漏极层、位于所述源漏极层上的像素电极层、及层叠于所述源漏极层及所述像素电极层之间的间隔层,所述间隔层包括过孔结构,所述过孔结构包括过孔及设于所述过孔边缘的间隔设置的多个导液槽,所述导液槽从所述过孔的内壁向背离所述过孔内部的方向凹陷,所述过孔具有第一孔口及与所述第一孔口相对的第二孔口,所述导液槽从所述第一孔口向所述第二孔口的方向延伸;所述像素电极层通过所述过孔结构与所述源漏极层电连接。
2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述导液槽的延伸方向与所述过孔的轴线方向的夹角同所述过孔内壁与所述轴线方向的夹角相同。
3.如权利要求1或2所述的阵列基板,其特征在于,所述像素电极层对应于所述过孔的位置形成一凹槽,所述像素电极层在对应于每个所述导液槽的位置形成一子导液槽。
4.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括配向层,所述配向层覆盖所述像素电极层。
5.一种阵列基板的制作方法,其特征在于,包括步骤:
在衬底上通过构图工艺形成源漏极层;
在所述源漏极层上形成间隔层,并通过构图工艺在所述间隔层上形成过孔结构,所述过孔结构包括过孔及设于所述过孔边缘的间隔设置的多个导液槽,所述导液槽从所述过孔的内壁向背离所述过孔内部的方向凹陷形成,所述过孔具有第一孔口及与所述第一孔口相对的第二孔口,所述导液槽从所述第一孔口向所述第二孔口的方向延伸,且所述导液槽的延伸方向与所述过孔的轴线方向的夹角同所述过孔内壁与所述轴线方向的夹角相同或不同;
在所述间隔层上形成像素电极层,所述像素电极层通过所述过孔结构与所述源漏极层电连接,且所述像素电极层对应于所述过孔的位置形成与所述过孔形状结构相同的凹槽,在对应于每个所述导液槽的位置形成与所述导液槽形状结构相同的子导液槽;
在所述像素电极层上形成覆盖所述像素电极层的配向层,所述配向层覆盖所述像素电极层及所述像素电极层的所述凹槽的内壁、所述子导液槽的内壁。
6.如权利要求5所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,所述“通过构图工艺在所述间隔层上形成过孔结构”包括步骤:
在所述源漏极层上依次形成间隔材料层及光阻材料层;
通过所述光罩对所述光阻材料层进行曝光、显影,以将所述光罩上的过孔图案转移至所述光阻材料层上,所述光罩上的过孔图案与所述过孔结构形状大小相同;
对所述间隔材料层进行刻蚀,将所述光阻材料层上形成所述过孔图案转移至所述间隔材料层上,得到具有所述过孔结构的间隔层;
剥离所述光阻材料层。
7.如权利要求6所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,所述导液槽的延伸方向与所述过孔的轴线方向的夹角同所述过孔内壁与所述轴线方向的夹角相同时,所述光罩包括遮光区、透光区及多个半透光区,所述多个半透光区围绕所述透光区并间隔排布,且所述半透光区与所述透光区连接,所述半透光区的透光率从远离所述透光区的方向向所述透光区的方向逐渐增加;所述间隔层上对应于所述透光区的位置形成所述过孔,所述间隔层上对应于所述半透光区的位置形成所述导液槽。
8.如权利要求6所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,所述导液槽的延伸方向与所述过孔的轴线方向的夹角同所述过孔内壁与所述轴线方向的夹角不相同时,所述光罩包括遮光区、第一透光区及多个第二半透光区,所述多个第二半透光区围绕所述第一透光区并间隔排布,且所述第二透光区与所述第一透光区连接;所述间隔层上对应于所述第一透光区的位置形成所述过孔,所述间隔层上对应于所述第二透光区的位置形成所述导液槽。
9.如权利要求5所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,所述步骤“在所述像素电极层上形成覆盖所述像素电极层的配向层,所述配向层覆盖所述像素电极层、所述凹槽及所述子导液槽的内壁”包括步骤:
将配向液印刷于所述像素电极层上并覆盖所述像素电极层,且所述配向液沿所述子导液槽流至所述凹槽内,并附着于所述凹槽及所述子导液槽的内壁;
对所述像素电极层、所述凹槽及所述子导液槽的内壁的所述配向液进行预烘烤,得到覆盖所述像素电极层、所述凹槽及所述子导液槽的内壁的配向层。
10.一种液晶显示面板,其特征在于,包括如权利要求1-4任意一项所述阵列基板、与所述阵列基板相对的彩膜基板,及设于所述阵列基板与所述彩膜基板之间的液晶层,所述阵列基板的所述配向层与所述液晶层接触。
CN201710934432.3A 2017-09-28 2017-09-28 阵列基板、阵列基板的制作方法及液晶显示面板 Active CN107479292B (zh)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710934432.3A CN107479292B (zh) 2017-09-28 2017-09-28 阵列基板、阵列基板的制作方法及液晶显示面板
KR1020207012411A KR20200054316A (ko) 2017-09-28 2018-01-05 어레이 기판, 어레이 기판의 제조 방법 및 액정 표시 패널
JP2020517792A JP6985507B2 (ja) 2017-09-28 2018-01-05 アレイ基板、アレイ基板の製造方法及び液晶表示パネル
EP18862214.6A EP3690536A4 (en) 2017-09-28 2018-01-05 ARRAY SUBSTRATE, MANUFACTURING METHOD FOR THE ARRAY SUBSTRATE AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY PANEL
PCT/CN2018/071559 WO2019061937A1 (zh) 2017-09-28 2018-01-05 阵列基板、阵列基板的制作方法及液晶显示面板
US15/916,380 US10620496B2 (en) 2017-09-28 2018-03-09 Array substrate, manufacturing method of array substrate and liquid crystal display panel

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710934432.3A CN107479292B (zh) 2017-09-28 2017-09-28 阵列基板、阵列基板的制作方法及液晶显示面板

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107479292A true CN107479292A (zh) 2017-12-15
CN107479292B CN107479292B (zh) 2020-08-04

Family

ID=60606042

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710934432.3A Active CN107479292B (zh) 2017-09-28 2017-09-28 阵列基板、阵列基板的制作方法及液晶显示面板

Country Status (5)

Country Link
EP (1) EP3690536A4 (zh)
JP (1) JP6985507B2 (zh)
KR (1) KR20200054316A (zh)
CN (1) CN107479292B (zh)
WO (1) WO2019061937A1 (zh)

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108227323A (zh) * 2017-12-29 2018-06-29 深圳市华星光电技术有限公司 Coa基板以及用于制作coa基板的树脂层中的过孔的光罩
CN109116646A (zh) * 2018-09-07 2019-01-01 深圳市华星光电技术有限公司 一种阵列基板、显示面板及光罩
WO2019061937A1 (zh) * 2017-09-28 2019-04-04 武汉华星光电技术有限公司 阵列基板、阵列基板的制作方法及液晶显示面板
CN109976017A (zh) * 2019-04-10 2019-07-05 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制作方法
CN110568640A (zh) * 2019-08-15 2019-12-13 深圳市华星光电技术有限公司 基板及其制作方法
CN110928093A (zh) * 2019-12-18 2020-03-27 Tcl华星光电技术有限公司 阵列基板和液晶显示面板
US10620496B2 (en) 2017-09-28 2020-04-14 Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Array substrate, manufacturing method of array substrate and liquid crystal display panel
WO2020206752A1 (zh) * 2019-04-09 2020-10-15 深圳市华星光电技术有限公司 一种阵列基板及其制作方法、以及显示面板
CN112363357A (zh) * 2020-12-03 2021-02-12 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板及显示面板
CN113156714A (zh) * 2021-04-28 2021-07-23 Tcl华星光电技术有限公司 阵列基板及液晶显示面板
US11081537B2 (en) 2019-08-15 2021-08-03 Tcl China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Substrate and manufacturing method thereof
US11194196B2 (en) * 2019-12-18 2021-12-07 Tcl China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Array substrate and liquid crystal display panel
US11506946B1 (en) 2021-04-28 2022-11-22 Tcl China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Array substrate and liquid crystal display panel

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN203630483U (zh) * 2013-12-30 2014-06-04 厦门天马微电子有限公司 阵列基板及液晶显示器
CN204331229U (zh) * 2014-12-03 2015-05-13 京东方科技集团股份有限公司 液晶屏
CN105321955A (zh) * 2014-06-06 2016-02-10 群创光电股份有限公司 薄膜晶体管基板
CN105355630A (zh) * 2015-10-10 2016-02-24 深圳市华星光电技术有限公司 阵列基板和包含其的液晶显示器
US9664960B2 (en) * 2015-05-12 2017-05-30 Samsung Display Co., Ltd. Display device with reduced manufacturing cost and method of manufacturing the same

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20150355516A1 (en) * 2012-12-27 2015-12-10 Sharp Kabushiki Kaisha Display component and display device
CN104345485A (zh) * 2014-11-10 2015-02-11 深圳市华星光电技术有限公司 液晶显示面板及其用于电连接的过孔
CN106950769B (zh) * 2017-03-20 2020-05-05 深圳市华星光电技术有限公司 阵列基板、显示装置
CN107479292B (zh) * 2017-09-28 2020-08-04 武汉华星光电技术有限公司 阵列基板、阵列基板的制作方法及液晶显示面板

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN203630483U (zh) * 2013-12-30 2014-06-04 厦门天马微电子有限公司 阵列基板及液晶显示器
CN105321955A (zh) * 2014-06-06 2016-02-10 群创光电股份有限公司 薄膜晶体管基板
CN204331229U (zh) * 2014-12-03 2015-05-13 京东方科技集团股份有限公司 液晶屏
US9664960B2 (en) * 2015-05-12 2017-05-30 Samsung Display Co., Ltd. Display device with reduced manufacturing cost and method of manufacturing the same
CN105355630A (zh) * 2015-10-10 2016-02-24 深圳市华星光电技术有限公司 阵列基板和包含其的液晶显示器

Cited By (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019061937A1 (zh) * 2017-09-28 2019-04-04 武汉华星光电技术有限公司 阵列基板、阵列基板的制作方法及液晶显示面板
US10620496B2 (en) 2017-09-28 2020-04-14 Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Array substrate, manufacturing method of array substrate and liquid crystal display panel
CN108227323A (zh) * 2017-12-29 2018-06-29 深圳市华星光电技术有限公司 Coa基板以及用于制作coa基板的树脂层中的过孔的光罩
CN108227323B (zh) * 2017-12-29 2021-05-11 Tcl华星光电技术有限公司 Coa基板以及用于制作coa基板的树脂层中的过孔的光罩
CN109116646A (zh) * 2018-09-07 2019-01-01 深圳市华星光电技术有限公司 一种阵列基板、显示面板及光罩
WO2020206752A1 (zh) * 2019-04-09 2020-10-15 深圳市华星光电技术有限公司 一种阵列基板及其制作方法、以及显示面板
CN109976017A (zh) * 2019-04-10 2019-07-05 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制作方法
CN109976017B (zh) * 2019-04-10 2021-09-24 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制作方法
US11081537B2 (en) 2019-08-15 2021-08-03 Tcl China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Substrate and manufacturing method thereof
CN110568640A (zh) * 2019-08-15 2019-12-13 深圳市华星光电技术有限公司 基板及其制作方法
WO2021027168A1 (zh) * 2019-08-15 2021-02-18 Tcl华星光电技术有限公司 基板及其制作方法
CN110568640B (zh) * 2019-08-15 2021-03-23 Tcl华星光电技术有限公司 基板及其制作方法
CN110928093A (zh) * 2019-12-18 2020-03-27 Tcl华星光电技术有限公司 阵列基板和液晶显示面板
WO2021120276A1 (zh) * 2019-12-18 2021-06-24 Tcl华星光电技术有限公司 阵列基板和液晶显示面板
CN110928093B (zh) * 2019-12-18 2021-08-24 Tcl华星光电技术有限公司 阵列基板和液晶显示面板
US11194196B2 (en) * 2019-12-18 2021-12-07 Tcl China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Array substrate and liquid crystal display panel
CN112363357A (zh) * 2020-12-03 2021-02-12 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板及显示面板
CN113156714A (zh) * 2021-04-28 2021-07-23 Tcl华星光电技术有限公司 阵列基板及液晶显示面板
WO2022227134A1 (zh) * 2021-04-28 2022-11-03 Tcl华星光电技术有限公司 阵列基板及液晶显示面板
US11506946B1 (en) 2021-04-28 2022-11-22 Tcl China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Array substrate and liquid crystal display panel
CN113156714B (zh) * 2021-04-28 2023-12-08 Tcl华星光电技术有限公司 阵列基板及液晶显示面板

Also Published As

Publication number Publication date
WO2019061937A1 (zh) 2019-04-04
KR20200054316A (ko) 2020-05-19
EP3690536A4 (en) 2021-06-16
JP2020535480A (ja) 2020-12-03
CN107479292B (zh) 2020-08-04
JP6985507B2 (ja) 2021-12-22
EP3690536A1 (en) 2020-08-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107479292A (zh) 阵列基板、阵列基板的制作方法及液晶显示面板
CN107424520B (zh) 基板及其制备方法、显示面板、显示装置
CN103779360B (zh) 显示基板及其制作方法、显示装置
US9324742B2 (en) Array substrate and manufacturing method thereof
CN103913869B (zh) 一种内嵌触控装置的液晶显示器及其形成方法
CN104777692A (zh) 阵列基板及制作方法、触控显示面板
CN102955612B (zh) 一种触控传感器、其制备方法及显示装置
CN103869563B (zh) 阵列基板和包括阵列基板的液晶显示装置
CN103033999A (zh) 薄膜晶体管基板和制造薄膜晶体管基板的方法
CN106933416A (zh) 一种阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置
CN108020971A (zh) 阵列基板、液晶面板以及液晶显示装置
CN107255896A (zh) 一种显示面板、阵列基板及其制造方法
CN107425045A (zh) 一种阵列基板、显示器件和阵列基板的制造方法
CN102800630A (zh) 一种阵列基板及其制备方法和显示装置
CN104570525B (zh) 液晶显示装置及其制造方法
CN106324881A (zh) 显示装置、显示面板及其制备方法
CN107121859A (zh) 阵列基板及其制造方法、显示面板
CN202735644U (zh) 一种阵列基板
CN109752891A (zh) 阵列基板及其制备方法、显示面板
US9933652B2 (en) Color filter array substrate and manufacturing method thereof, and display device
CN103246117A (zh) 一种双栅型薄膜晶体管液晶显示装置的像素结构
CN104020621B (zh) 一种阵列基板及其制备方法、显示装置
CN106531766A (zh) 一种像素bank结构及制备方法
CN101710579A (zh) 薄膜晶体管阵列基板制造方法
CN101840892A (zh) 反射式液晶显示面板的薄膜晶体管基板及其制作方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant