KR20200054316A - 어레이 기판, 어레이 기판의 제조 방법 및 액정 표시 패널 - Google Patents

어레이 기판, 어레이 기판의 제조 방법 및 액정 표시 패널 Download PDF

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KR20200054316A
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electrode layer
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렌펭 리
코타로 요네다
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우한 차이나 스타 옵토일렉트로닉스 테크놀로지 컴퍼니 리미티드
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Abstract

어레이 기판 (100), 어레이 기판 (100)의 제조 방법 및 액정 표시 패널 (200)을 제공한다. 어레이 기판 (100)은 소스-드레인 층 (20), 픽셀 전극 층 (40) 및 스페이서 층 (30)을 포함한다. 스페이서 층 (30) 상에는 비아 홀 구조 (50)가 형성되고, 픽셀 전극 층 (40)은 비아 홀 구조 (50)을 통해 소스-드레인 층 (20)에 전기적으로 연결된다. 비아 홀 구조 (50)은 비아 홀 (51) 및 비아 홀 (51)의 가장자리에 간격을 두고 배치된 복수의 액체 가이딩 홈 (52)을 포함한다. 비아 홀 (51)에 대응하는 픽셀 전극 층 (40)의 위치에 홈 (41)이 형성되고, 각 액체 가이딩 홈 (52)에 대응하는 위치에 서브 액체 가이딩 홈 (42)이 형성된다. 픽셀 전극 층 (40)상에 배향 층 (60)을 배치 할 때, 배향 층 (60)을 형성하는 배향 액은 서브 액체 가이딩 홈 (42)을 통해 픽셀 전극 층 (40) 상의 홈 (41) 내로 유입 될 수 있어서, 픽셀 전극 층 (40) 상의 홈 (41) 위치에서도 배향 층 (60)을 덮을 수 있으므로 어레이 기판 (100)에 의해 형성된 액정 표시 패널 (200)이 정상적으로 표시되도록 보장한다.

Description

어레이 기판, 어레이 기판의 제조 방법 및 액정 표시 패널
본 발명은 표시 패널 제조 기술 분야, 특히 어레이 기판, 어레이 기판의 제조 방법 및 액정 표시 패널에 관한 것이다.
액정 표시 패널(LCD)은 크기가 작고 전력 소비가 적으며 방사선이 없는 등 특징이 있어 많은 관심을 받고 있다. 평판 표시 분야를 지배하고 있으며 다양한 산업 분야에서 널리 사용되고 있다. 액정 표시 패널은 통상 컬러 필름 기판과 어레이 기판이 서로 대향하여 형성된다. 여기서, 상기 어레이 기판은 일반적으로 소스-드레인 층, 상기 소스-드레인 층 상에 구비 된 스페이서 층, 및 상기 스페이서 층 상에 위치된 픽셀 전극 층을 포함한다. 여기서, 상기 스페이서 층 상에 비아 홀이 구비됨으로써 상기 픽셀 전극 층은 상기 비아 홀을 통해 상기 소스-드레인 층에 전기적으로 연결되어 상기 액정 표시 패널의 구동 및 표시를 실현한다. 상기 픽셀 전극이 상기 비아 홀을 통해 상기 소스-드레인에 전기적으로 연결 될 때, 상기 비아 홀에 대한 상기 픽셀 전극 층의 위치에 홈이 형성된다. 여기서, 상기 비아 홀의 면적이 작기 때문에, 상기 픽셀 전극 층 위에 배향 막을 배치 할 때에 상기 홈 내에 기포가 발생하기 쉬워진다. 따라서, 상기 배향 막을 형성하는 배향 액이 상기 픽셀 전극 층의 상기 홈에 쉽게 들어가서 상기 홈 내에서 균일하게 분산 될 수 없어, 이 영역에서 배향 막이 결여되어 상기 액정 표시 패널의 표시 이상을 초래한다.
본 발명은 어레이 기판, 어레이 기판의 제조 방법 및 액정 표시 패널을 제공하여, 상기 어레이 기판의 픽셀 전극 층의 각각의 위치가 배향 층으로 덮일 수 있고, 이에 의해 상기 어레이 기판에 의해 형성된 액정 표시 패널의 정상적인 표시를 보장한다.
상기 어레이 기판은 기판, 상기 기판 상에 적층된 소스-드레인 층, 상기 소스-드레인 층 상에 위치된 픽셀 전극 층, 및 상기 소스-드레인 층과 상기 픽셀 전극 층 사이에 적층된 스페이서 층을 포함한다. 상기 스페이서 층은 비아 홀 구조를 포함하고, 상기 비아 홀 구조는 비아 홀 및 상기 비아 홀의 가장자리에 간격을 두고 배치된 복수의 액체 가이딩 홈을 포함하고, 상기 액체 가이딩 홈은 상기 비아 홀의 내측으로부터 멀어지는 방향으로 상기 비아 홀의 내벽으로부터 리세스되고, 상기 비아 홀은 제 1 오리피스 및 상기 제 1 오리피스와 대향하는 제 2 오리피스를 가지며, 상기 액체 가이딩 홈은 상기 제 1 오리피스에서 상기 제 2 오리피스 방향으로 연장되고, 상기 픽셀 전극 층은 상기 비아 홀 구조를 통해 상기 스소-드레인 층에 전기적으로 연결된다.
여기서, 상기 액체 가이딩 홈의 연장 방향과 상기 비아 홀의 축 방향 사이의 협각은 상기 비아 홀의 내벽과 상기 축 방향 사이의 협각과 동일하다.
여기서, 상기 비아 홀에 대응하는 상기 픽셀 전극 층의 위치에는 홈이 형성되고, 각 상기 액체 가이딩 홈에 대응하는 상기 픽셀 전극 층의 위치에는 서브 액체 가이딩 홈이 형성된다.
여기서, 상기 어레이 기판은 배향 층을 더 포함하고, 상기 배향 층은 상기 픽셀 전극 층을 덮는다.
상기 어레이 기판의 제조 방법은 다음의 단계를 포함한다.
패터닝 공정을 통해 기판 상에 소스-드레인 층을 형성하는 단계;
상기 소스-드레인 층 상에 스페이서 층을 형성하고, 패터닝 공정을 통해 상기 스페이서 층 상에 비아 홀 구조를 형성하고, 상기 비아 홀 구조는 비아 홀 및 상기 비아 홀의 가장자리에 간격을 두고 배치된 복수의 액체 가이딩 홈을 포함하고, 상기 액체 가이딩 홈은 상기 비아 홀의 내측으로부터 멀어지는 방향으로 상기 비아 홀의 내벽으로부터 리세스되고, 상기 비아 홀은 제 1 오리피스 및 상기 제 1 오리피스와 대향하는 제 2 오리피스를 가지며, 상기 액체 가이딩 홈은 상기 제 1 오리피스에서 상기 제 2 오리피스 방향으로 연장되고, 상기 액체 가이딩 홈의 연장 방향과 상기 비아 홀의 축 방향 사이의 협각은 상기 비아 홀의 내벽과 상기 축 방향 사이의 협각과 동일하거나 다르게 형성된는 단계;
상기 스페이서 층 상에 픽셀 전극 층을 형성하고, 상기 픽셀 전극 층은 상기 비아 홀 구조를 통해 상기 소스-드레인 층에 전기적으로 연결되고, 상기 비아 홀에 대응하는 상기 픽셀 전극 층의 위치에는 상기 비아 홀과 동일한 형상 및 구조를 갖는 홈이 형성되고, 각 상기 액체 가이딩 홈에 대응하는 상기 픽셀 전극 층의 위치에는 상기 액체 가이딩 홈과 동일한 형상 및 구조를 갖는 서브 액체 가이딩 홈이 형성되는 단계;
상기 픽셀 전극 층 상에 상기 픽셀 전극 층을 덮는 배향 층을 형성하고, 상기 배향 층은 상기 픽셀 전극 층 및 상기 픽셀 전극 층의 상기 홈의 내벽과 상기 서브 액체 가이딩 홈의 내벽을 덮도록 형성되는 단계;를 포함한다.
여기서, 상기 "패터닝 공정을 통해 상기 스페이서 층 상에 비아 홀 구조를 형성하는 단계"는 다음의 단계를 포함한다.
상기 소스-드레인 층 상에 스페이서 재료 층 및 포토 레지스트 재료 층을 순차적으로 형성하는 단계;
포토 마스크를 통해 상기 포토 레지스트 재료 층을 노광 및 현상하여 상기 포토 마스크 상의 비아 홀 패턴을 상기 포토 레지스트 재료 층 상으로 전사하고, 상기 포토 마스크 상의 비아 홀 패턴은 상기 비아 홀 구조의 형상 및 크기와 동일하게 형성하는 단계;
상기 스페이서 재료 층을 식각하여, 상기 포토 레지스트 재료 층 상에 형성된 상기 비아 홀 패턴을 상기 스페이서 재료 층 상으로 전사하여 상기 비아 홀 구조를 갖는 스페이서 층을 형성하는 단계;
상기 포토 레지스트 재료 층을 박리하는 단계;를 포함한다.
여기서, 상기 액체 가이딩 홈의 연장 방향과 상기 비아 홀의 축 방향 사이의 협각이 상기 비아 홀의 내벽과 상기 축 방향 사이의 협각과 동일 할 때, 상기 포토 마스크는 차광 영역, 투광 영역 및 복수의 반 투광 영역을 포함하고, 상기 복수의 반 투광 영역은 상기 투광 영역 주위에 간격을 두고 배열되고, 상기 반 투광 영역은 상기 투광 영역에 연결되고, 상기 반 투광 영역의 투광율은 상기 투광 영역으로부터 멀어지는 방향으로부터 상기 투광 영역의 방향으로 점진적으로 증가하고, 상기 투광 영역은 상기 스페이서 층 상에 상기 비아 홀을 형성하는 위치에 대응하고, 상기 반 투광 영역은 상기 스페이서 층 상에 상기 액체 가이딩 홈을 형성하는 위치에 대응한다.
여기서, 상기 액체 가이딩 홈의 연장 방향과 상기 비아 홀의 축 방향 사이의 협각이 상기 비아 홀의 내벽과 상기 축 방향 사이의 협각과 다를 때, 상기 포토 마스크는 차광 영역, 제 1 투광 영역 및 복수의 제 2 반 투광 영역을 포함하고, 상기 복수의 제 2 반 투광 영역은 상기 제 1 투광 영역 주위에 간격을 두고 배열되고, 상기 제 2 투광 영역은 상기 제 1 투광 영역에 연결되고, 상기 제 1 투광 영역은 상기 스페이서 층 상에 상기 비아 홀을 형성하는 위치에 대응하고, 상기 제 2 투광 영역은 상기 스페이서 층 상에 상기 액체 가이딩 홈을 형성하는 위치에 대응한다.
여기서, 상기 "상기 픽셀 전극 층 상에 상기 픽셀 전극 층을 덮는 배향 층을 형성하고, 상기 배향 층은 상기 픽셀 전극 층 및 상기 픽셀 전극 층의 상기 홈의 내벽과 상기 서브 액체 가이딩 홈의 내벽을 덮도록 형성되는 단계"는 다음의 단계를 포함한다.
상기 픽셀 전극 층 상에 배향 액을 인쇄하여 상기 픽셀 전극 층을 덮고, 상기 배향 액이 상기 서브 액체 가이딩 홈을 따라 상기 홈 내로 유입되고, 상기 홈 및 상기 서브 액체 가이딩 홈의 내벽에 부착되는 단계;
상기 픽셀 전극 층, 상기 홈 및 상기 서브 액체 가이딩 홈의 내벽의 상기 배향 액을 프리 베이킹하여 상기 픽셀 전극 층, 상기 홈 및 상기 서브 액체 가이딩 홈의 내벽을 덮는 배향 층을 얻는 단계;를 포함한다.
상기 액정 표시 패널은 상기 어레이 기판, 상기 어레이 기판과 대향하는 컬러 필름 기판, 및 상기 어레이 기판과 상기 컬러 필름 기판 사이에 배치되는 액정 층을 포함하고, 상기 어레이 기판의 상기 픽셀 전극 층은 상기 액정 층을 향한다.
본 발명에 의해 제공되는 어레이 기판, 어레이 기판의 제조 방법 및 액정 표시 패널은, 상기 비아 홀의 가장자리에 간격을 두고 배치된 복수의 액체 가이딩 홈을 제공함으로써, 상기 픽셀 전극 층이 상기 스페이서 층 상에 적층 될 때, 상기 비아 홀에 대응하는 상기 픽셀 전극 층의 위치에 상기 비아 홀과 동일한 형상 및 구조를 갖는 홈을 형성하고, 각 상기 액체 가이딩 홈에 대응하는 위치에 상기 액체 가이딩 홈과 동일한 형상 및 구조를 갖는 서브 액체 가이딩 홈을 형성한다. 또한, 상기 픽셀 전극 층 상에 배향 층을 배치 할 때, 상기 배향 층을 형성하는 배향 액은 상기 서브 액체 가이딩 홈을 통해 상기 픽셀 전극 층 상의 홈 내로 유입 될 수 있어서, 상기 픽셀 전극 층 상의 홈 위치가 상기 배향 층을 덮을 수 있고, 이로써 상기 어레이 기판에 의해 형성된 액정 표시 패널의 정상적인 표시를 보장한다.
본 발명의 실시 예 또는 종래 기술의 기술적 솔루션을 보다 명확하게 설명하기 위해, 실시 예 또는 종래 기술의 설명에서 사용되는 도면을 간략하게 소개한다. 이하의 설명에서의 도면은 본 발명의 일부 실시 예일 뿐이며, 당업자라면 창조적인 노력 없이도 이들 도면에 기초하여 다른 도면을 얻을 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 어레이 기판의 개략적인 단면도이다.
도 2는 도 1에 도시 된 어레이 기판의 비아 홀 구조의 개략도이다.
도 3은 도 2에 도시 된 어레이 기판의 비아 홀의 개략적인 단면도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 어레이 기판의 비아 홀의 개략적인 단면도이다.
도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 어레이 기판의 제조 공정의 개략도이다.
도 6은 도 3에 도시 된 제조 공정에서 단계 120의 상세한 흐름도이다.
도 7은 도 3에 도시 된 제조 공정에서 단계 140의 상세한 흐름도이다.
도 8은 도 3에 도시 된 어레이 기판 상에 비아 홀 구조를 형성하는 차광 커버의 개략적인 구조도이다.
도 9는 도 4에 도시 된 어레이 기판 상에 비아 홀 구조를 형성하는 차광 커버의 개략적인 구조도이다.
도 10은 본 발명의 일 실시 예에 따른 액정 표시 패널의 개략도이다.
이하에서, 본 발명의 실시 예에서의 기술적 솔루션은 본 발명의 실시 예의 도면을 참조하여 명확하고 완전하게 설명 될 것이다. 설명 된 실시 예는 본 발명의 실시 예의 일부일 뿐이며 모든 실시 예는 아니다. 본 발명의 실시 예에 기초하여, 창조적 노력 없이 당업자에 의해 획득 된 다른 모든 실시 예는 본 발명의 보호 범위 내에 속할 것이다.
도 1을 참조하면, 본 발명은 어레이 기판 (100)을 제공한다. 상기 어레이 기판 (100)은 기판 (10), 상기 기판 (10) 상에 적층된 소스-드레인 층 (20), 상기 소스-드레인 층 (20) 상에 적층된 픽셀 전극 층 (40), 및 상기 소스-드레인 층 (20)과 상기 픽셀 전극 층 (40) 사이에 적층된 스페이서 층 (30)을 포함한다. 상기 스페이서 층 (30) 상에는 비아 홀 구조 (50)가 배치되고, 상기 픽셀 전극 층 (40)은 상기 비아 홀 구조 (50)를 통해 상기 소스-드레인 층 (20)에 전기적으로 연결된다. 본 실시 예에서, 상기 스페이서 층 (30)은 절연 층 및 평탄 층을 포함한다. 상기 어레이 기판 (100)의 설계 요구에 따라, 상기 스페이서 층 (30)은 다른 층 구조를 더 포함할 수 있음을 이해 할 수 있다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 상기 비아 홀 구조 (50)는 비아 홀 (51) 및 상기 비아 홀 (51)의 가장자리에 간격을 두고 배치된 복수의 액체 가이딩 홈 (52)을 포함하고, 액체는 상기 복수의 액체 가이딩 홈 (52)을 통해 상기 비아 홀 (51) 내로 원활하게 유입 될 수 있다. 여기서, 상기 액체의 유동 방향은 상기 액체 가이딩 홈 (52)의 연장 방향이다. 상기 액체 가이딩 홈 (52)은 상기 비아 홀 (51)의 내측으로부터 멀어지는 방향으로 상기 비아 홀 (51)의 내벽으로부터 리세스된다. 또한, 상기 비아 홀 (51)은 제 1 오리피스 (512) 및 상기 제 1 오리피스 (512)와 대향하는 제 2 오리피스 (513)를 가진다. 상기 액체 가이딩 홈 (52)은 상기 제 1 오리피스 (512)로부터 상기 제 2 오리피스 (513)의 방향으로 연장된다. 즉, 액체는 상기 액체 가이딩 홈 (52)을 통해 상기 제 1 오리피스 (512)의 일단으로부터 상기 제 2 오리피스 (513)의 일단으로 유동 할 수 있어서, 액체가 상기 오리피스 내로 원활하게 유입 될 수 있다. 본 실시 예에서, 상기 액체 가이딩 홈 (52)의 연장 방향과 상기 비아 홀의 축 방향 사이의 협각은 상기 비아 홀의 내벽 (511)과 상기 축 방향 사이의 협각과 동일하며, 상기 액체 가이딩 홈 (52)은 상기 제 1 오리피스 (512)의 일단으로부터 상기 제 2 오리피스 (513)의 일단으로 연장된다. 도 4를 참조하면, 본 발명의 다른 실시 예에서, 축 방향으로의 상기 액체 가이딩 홈 (52)의 협각은 상기 비아 홀의 내벽 (511)과 상기 축 방향 사이의 협각과 상이하다. 또한, 상기 액체 가이딩 홈 (52)은 상기 제 2 오리피스 (513)의 일단으로 연장되지 않을 수 있음을 이해할 수 있다. 이때, 상기 액체 가이딩 홈 (52)은 여전히 상기 비아 홀 (51) 내로 액체를 유입하는 효과를 달성 할 수 있다. 또한, 상기 액체 가이딩 홈 (52)은 임의의 형상을 가질 수 있으며, 예를 들어, 상기 액체 가이딩 홈 (52)의 단면은 V 자 형, 반원 형, 포물선 형 등일 수 있다.
상기 픽셀 전극 층(40)은 상기 스페이서 층 (30) 상에 적층되고, 상기 비아 홀 (51)에 대응하는 위치에 홈 (41)이 형성된다. 상기 홈 (41)의 내벽의 형상은 상기 비아 홀 (51)의 내벽의 형상과 동일하다. 각 상기 액체 가이딩 홈 (52)에 대응하는 위치에 서브 액체 가이딩 홈 (42)이 형성된다. 상기 서브 액체 가이딩 홈 (42) 내벽의 형상은 상기 액체 가이딩 홈 (52)의 내벽의 형상 구조와 동일하다.
나아가, 상기 어레이 기판 (100)은 배향 층 (60)을 더 포함하고, 상기 배향 층 (60)은 상기 픽셀 전극 층 (40)을 덮는다. 즉, 상기 배향 층 (60)은 상기 홈 (41) 및 상기 서브 액체 가이딩 홈 (42)의 내벽을 덮을 수 있다. 구체적으로, 상기 배향 층 (60)을 형성하는 배향 액은 상기 서브 액체 가이딩 홈 (42)을 통해 상기 홈 (41) 내로 유입 될 수 있고, 상기 배향 액의 표면 에너지 등으로 인해 상기 홈 (41) 내에 기포를 발생시키는 것은 쉽지 않다. 따라서, 상기 배향 층 (60)은 상기 홈 (41)을 덮고 내부에 균일하게 분산 될 수 있어, 상기 배향 층 (60)은 상기 픽셀 전극 층 (40)의 임의의 위치를 덮을 수 있다.
도 5를 참조하면, 본 발명은 어레이 기판 (100)의 제조 방법을 더 제공한다. 상기 제조 방법은 다음의 단계를 포함한다.
단계 110: 패터닝 공정을 통해 상기 기판 (10) 상에 상기 소스-드레인 층 (20)을 형성한다. 구체적으로, 상기 패터닝 공정은 포토 레지스트 코팅, 노광, 현상 및 에칭과 같은 공정을 포함하고, 상기 패터닝 공정에 의해 형성된 상기 소스-드레인 층 (20)은 간격을 두고 배치된 소스 및 드레인 전극을 포함한다.
단계 120: 상기 소스-드레인 층 (20) 상에 상기 스페이서 층 (30)을 형성하고, 패터닝 공정을 통해 상기 스페이서 층 (30) 상에 상기 비아 홀 구조 (50)를 형성한다. 상기 비아 홀 구조 (50)의 구조는 이미 설명되었기에 여기서 반복하여 설명하지 않는다.
도 6을 참조하면, 상기 단계 120는 다음의 단계를 더 포함한다.
단계 121: 상기 소스-드레인 층 (20) 상에 스페이서 재료 층을 형성한다. 소스-드레인 층 (20) 상에 기상 증착 및 코팅과 같은 방법에 의해 스페이서 재료 층을 형성한다. 본 실시 예에서, 상기 스페이서 층 (30)은 상기 절연 층 및 상기 절연 층 상에 적층된 평탄 층을 포함한다. 기상 증착 방법을 통해 상기 소스-드레인 층 (20) 상에 상기 절연 층을 적층하고 덮고; 코팅 방법을 통해 상기 절연 층 상에 평탄 층을 형성한다. 그 후, 코팅 공정을 통해 상기 스페이서 재료 층 상에 한 층의 포토 레지스트 재료 층을 형성한다.
단계 122: 상기 포토 레지스트 재료 층은 포토 마스크 (70)를 통해 노광되고 현상되어 상기 포토 마스크 (70) 상의 비아 홀 패턴을 상기 포토 레지스트 재료 층으로 전사한다. 상기 포토 마스크 (70)상의 비아 홀 패턴의 형상은 상기 비아 홀 구조의 형상과 크기가 동일하다. 구체적으로, 상기 비아 홀 구조가 다름에 따라 상기 포토 마스크 상의 패턴도 상이하다.
도 3 및 도 8을 참조하면, 본 실시 예에서, 상기 액체 가이딩 홈 (52)은 상기 비아 홀 축 방향에 평행된다. 상기 포토 마스크는 차광 영역 (74), 제 1 투광 영역 (76) 및 복수의 제 2 투광 영역 (75)을 포함한다. 상기 제 2 투광 영역 (75)은 상기 제 1 투광 영역 (76) 주위에 간격을 두고 배열되고, 상기 제 2 투광 영역 (75)은 상기 제 1 투광 영역 (76)에 연결된다. 상기 포토 마스크 (70)에서 상기 제 1 투광 영역 (76) 및 상기 제 2 투광 영역 (75)을 제외하고 기타 부분은 상기 차광 영역 (74)이다. 여기서, 상기 제 1 투광 영역 (76)에 대응하는 상기 스페이서 층 (30) 상의 위치에 상기 비아 홀 (51)이 형성되고, 상기 제 2 투광 영역 (75)에 대응하는 위치에 상기 액체 가이딩 홈 (52)이 형성된다.
혹은, 도 4 및 도 9를 참조하면, 본 발명의 다른 실시 예에서, 상기 비아 홀 구조 (10)의 상기 액체 가이딩 홈 (52)과 상기 비아 홀의 내벽 (111)이 협각을 이룰 때, 상기 포토 마스크 (70)는 차광 영역 (71), 투광 영역 (73), 및 복수의 반 투광 영역 (72)을 포함한다. 상기 반 투광 영역 (72)은 상기 투광 영역 (73) 주위에 간격을 두고 배열되고, 상기 반 투광 영역 (72)은 상기 투광 영역 (73)에 연결되고, 상기 반 투광 영역 (72)의 투광율은 상기 투광 영역 (73)으로부터 멀어지는 방향으로부터 상기 투광 영역 (73)에 가까운 방향으로 점진적으로 증가한다. 상기 포토 마스크 (70)에서 상기 투광 영역 (73) 및 상기 반 투광 영역 (72)을 제외하고 기타 부분은 상기 차광 영역 (71)이다. 여기서, 상기 투광 영역 (73)에 대응하는 상기 스페이서 층 (30) 상의 위치에 상기 비아 홀 (11)이 형성되고, 상기 반 투광 영역 (72)에 대응하는 위치에 상기 액체 가이딩 홈 (12)이 형성된다. 또한, 상기 반 투광 영역 (72)의 투광율은 상기 투광 영역 (73)으로부터 멀어지는 방향으로부터 상기 투광 영역 (73)에 가까운 방향으로 점진적으로 증가하므로, 상기 반 투광 영역 (72)에 대응하는 에칭 깊이가 점진적으로 변경되어, 상기 액체 가이딩 홈 (52)과 상기 비아 홀 (51)의 내벽이 협각을 이루게 된다. 상기 포토 마스크 (70) 상의 비아 홀 패턴을 상기 포토 레지스트 재료 층으로 전사하고, 구체적으로, 상기 포토 마스크 (70)를 상기 포토 레지스트 재료 층 위에 배치하고, 상기 포토 레지스트 재료 층은 상기 포토 마스크 (70)를 통해 노광되고 현상되어, 상기 포토 마스크 (70) 상의 비아 홀 패턴이 상기 포토 레지스트 재료 층 상으로 전사된다.
단계 123: 상기 스페이서 재료 층을 에칭하고, 상기 포토 레지스트 재료 층 상에 형성된 상기 비아 홀 패턴을 상기 스페이서 재료 층으로 전사하여 상기 비아 홀 구조 (50)를 갖는 스페이서 층 (30)을 얻는다.
단계 124: 상기 포토 레지스트 재료 층을 박리한다. 상기 스페이서 재료 층이 에칭되고 상기 비아 홀 구조 (50)를 갖는 스페이서 층 (30)이 형성된 후에, 상기 포토 레지스트 재료 층을 박리 할 수 있다.
단계 130: 상기 스페이서 층 (30) 상에 픽셀 전극 층 (40)을 형성하고, 상기 픽셀 전극 층 (40)은 상기 비아 홀 구조 (50)을 통해 상기 소스-드레인 (20)에 전기적으로 연결되고, 상기 비아 홀 (51)에 대응하는 상기 픽셀 전극 층 (40)의 위치에는 상기 비아 홀과 동일한 형상 및 구조를 갖는 홈 (41)이 형성되고, 각 상기 액체 가이딩 홈 (52)에 대응하는 위치에는 상기 액체 가이딩 홈 (52)과 동일한 형상 및 구조를 갖는 서브 액체 가이딩 홈 (42)이 형성된다. 본 실시 예에서, 기상 증착 방법에 의해 상기 스페이서 층 (30) 상에 픽셀 전극 층 (40)을 형성한다.
단계 140: 상기 픽셀 전극 층 (40) 상에 상기 픽셀 전극 층 (40)을 덮는 배향 층 (60)을 형성하고, 상기 배향 층 (60)은 상기 픽셀 전극 층 (40) 및 상기 픽셀 전극 층 (40)의 상기 홈 (41) 및 상기 서브 액체 가이딩 홈 (42)의 내벽을 덮는다.
구체적으로, 도 7를 참조하면, 상기 단계 140는 다음의 단계를 더 포함한다.
단계 141: 상기 픽셀 전극 층 (40) 상에 배향 액을 인쇄하고 상기 픽셀 전극 층 (40)을 덮고, 상기 배향 액이 상기 서브 액체 가이딩 홈 (42)을 따라 상기 홈 (41) 내로 유입되어 상기 홈 (41) 및 상기 서브 액체 가이딩 홈 (42)의 내벽에 부착된다. 상기 서브 액체 가이딩 홈 (42)을 통해 상기 배향 액을 상기 홈 (41) 내로 용이하게 유입 할 수 있기 때문에, 상기 홈 (41)에 기포가 발생하는 것이 방지되어, 상기 배향 액이 상기 픽셀 전극 층의 상기 홈 (41)에 유입되어 상기 홈 (41) 내에 균일하게 분산 될 수 있도록 하여, 상기 배향 액이 상기 픽셀 전극 층 (40)의 각 위치에 균일하게 분포 될 수 있다.
단계 142: 상기 픽셀 전극 층 (40) 및 상기 픽셀 전극 층 (40)의 상기 홈 (41)과 상기 액체 가이딩 홈 (42)의 내벽의 상기 배향 액을 프리 베이킹하여 상기 픽셀 전극 층 (42) 및 상기 픽셀 전극 층 (40)의 상기 홈 (41)의 내벽, 상기 서브 액체 가이딩 홈 (42)의 내벽을 덮는 배향 층 (60)을 얻는다.
도 10을 참조하면, 본 발명은 액정 표시 패널 (200)을 더 제공한다. 상기 액정 표시 패널 (200)은 상기 어레이 기판 (100), 상기 어레이 기판 (100)과 대향하는 컬러 필름 기판 (110) 및 상기 어레이 기판 (100)과 상기 컬러 필름 기판 (110) 사이에 구비 된 액정 층 (120)을 포함한다. 상기 어레이 기판 (100)의 상기 배향 층 (60)은 상기 액정 층 (120)과 접촉하며, 상기 배향 층 (60)을 통해 상기 액정 층 (12)의 액정 분자를 사전 배향한다.
본 발명에 의해 제공되는 상기 어레이 기판 (100) 및 이의 제조 방법은, 상기 스페이서 층 (30) 상의 상기 비아 홀 (51)의 가장자리에 간격을 두고 배치된 복수의 액체 가이딩 홈 (52)을 제공함으로써, 상기 픽셀 전극 층 (40)이 상기 스페이서 층 (30) 상에 적층 될 때, 상기 비아 홀 (51)에 대응하는 상기 픽셀 전극 층 (40)의 위치에 상기 비아 홀 (51)과 동일한 형상 및 구조를 갖는 홈 (41)을 형성하고, 각 상기 액체 가이딩 홈 (52)에 대응하는 위치에 상기 액체 가이딩 홈 (52)과 동일한 형상 및 구조를 갖는 서브 액체 가이딩 홈 (42)을 형성한다. 또한, 상기 픽셀 전극 층 (40) 상에 배향 층 (60)을 배치 할 때, 상기 배향 층 (60)을 형성하는 배향 액이 상기 서브 액체 가이딩 홈 (42)을 통해 상기 픽셀 전극 층 (40) 상의 홈 (41) 내로 유입 될 수 있어서, 상기 픽셀 전극 층 (40) 상의 홈 (41) 위치도 상기 배향 층 (60)을 덮을 수 있어, 상기 어레이 기판 (100)에 의해 형성된 액정 표시 패널 (200)이 정상적으로 표시되도록 보장한다.
전술 한 것은 본 발명의 바람직한 실시 예일 뿐이며, 본 발명의 권리 범위는 이에 의해 제한 될 수 없으며, 당업자는 상기 실시 예들을 구현하는 프로세스의 전부 또는 일부, 및 본 발명의 청구 범위에 따라 이루어진 등가의 변경이 여전히 본 발명의 범위 내에 있음을 이해 할 수 있다.

Claims (13)

  1. 기판, 상기 기판 상에 적층된 소스-드레인 층, 상기 소스-드레인 층 상에 위치된 픽셀 전극 층, 및 상기 소스-드레인 층과 상기 픽셀 전극 층 사이에 적층된 스페이서 층을 포함하는 어레이 기판에 있어서, 상기 스페이서 층은 비아 홀 구조를 포함하고, 상기 비아 홀 구조는 비아 홀 및 상기 비아 홀의 가장자리에 간격을 두고 배치된 복수의 액체 가이딩 홈을 포함하고, 상기 액체 가이딩 홈은 상기 비아 홀의 내측으로부터 멀어지는 방향으로 상기 비아 홀의 내벽으로부터 리세스되고, 상기 비아 홀은 제 1 오리피스 및 상기 제 1 오리피스와 대향하는 제 2 오리피스를 가지며, 상기 액체 가이딩 홈은 상기 제 1 오리피스에서 상기 제 2 오리피스 방향으로 연장되고, 상기 픽셀 전극 층은 상기 비아 홀 구조를 통해 상기 스소-드레인 층에 전기적으로 연결되는 어레이 기판.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 액체 가이딩 홈의 연장 방향과 상기 비아 홀의 축 방향 사이의 협각은 상기 비아 홀의 내벽과 상기 축 방향 사이의 협각과 동일한 것인 어레이 기판.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 비아 홀에 대응하는 상기 픽셀 전극 층의 위치에는 홈이 형성되고, 각 상기 액체 가이딩 홈에 대응하는 상기 픽셀 전극 층의 위치에는 서브 액체 가이딩 홈이 형성되는 어레이 기판.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 어레이 기판은 배향 층을 더 포함하고, 상기 배향 층은 상기 픽셀 전극 층을 덮는 어레이 기판.
  5. 패터닝 공정을 통해 기판 상에 소스-드레인 층을 형성하는 단계;
    상기 소스-드레인 층 상에 스페이서 층을 형성하고, 패터닝 공정을 통해 상기 스페이서 층 상에 비아 홀 구조를 형성하고, 상기 비아 홀 구조는 비아 홀 및 상기 비아 홀의 가장자리에 간격을 두고 배치된 복수의 액체 가이딩 홈을 포함하고, 상기 액체 가이딩 홈은 상기 비아 홀의 내측으로부터 멀어지는 방향으로 상기 비아 홀의 내벽으로부터 리세스되고, 상기 비아 홀은 제 1 오리피스 및 상기 제 1 오리피스와 대향하는 제 2 오리피스를 가지며, 상기 액체 가이딩 홈은 상기 제 1 오리피스에서 상기 제 2 오리피스 방향으로 연장되고, 상기 액체 가이딩 홈의 연장 방향과 상기 비아 홀의 축 방향 사이의 협각은 상기 비아 홀의 내벽과 상기 축 방향 사이의 협각과 동일하거나 다르게 형성되는 단계;
    상기 스페이서 층 상에 픽셀 전극 층을 형성하고, 상기 픽셀 전극 층은 상기 비아 홀 구조를 통해 상기 소스-드레인 층에 전기적으로 연결되고, 상기 비아 홀에 대응하는 상기 픽셀 전극 층의 위치에는 상기 비아 홀과 동일한 형상 및 구조를 갖는 홈이 형성되고, 각 상기 액체 가이딩 홈에 대응하는 상기 픽셀 전극 층의 위치에는 상기 액체 가이딩 홈과 동일한 형상 및 구조를 갖는 서브 액체 가이딩 홈이 형성되는 단계;
    상기 픽셀 전극 층 상에 상기 픽셀 전극 층을 덮는 배향 층을 형성하고, 상기 배향 층은 상기 픽셀 전극 층 및 상기 픽셀 전극 층의 상기 홈의 내벽과 상기 서브 액체 가이딩 홈의 내벽을 덮도록 형성되는 단계;를 포함하는 어레이 기판의 제조 방법.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 "패터닝 공정을 통해 상기 스페이서 층 상에 비아 홀 구조를 형성하는 단계"는,
    상시 소스-드레인 층 상에 스페이서 재료 층 및 포토 레지스트 재료 층을 순차적으로 형성하는 단계;
    포토 마스크를 통해 상기 포토 레지스트 재료 층을 노광 및 현상하여 상기 포토 마스크 상의 비아 홀 패턴을 상기 포토 레지스트 재료 층 상으로 전사하고, 상기 포토 마스크 상의 비아 홀 패턴은 상기 비아 홀 구조의 형상 및 크기와 동일하게 형성하는 단계;
    상기 스페이서 재료 층을 식각하여, 상기 포토 레지스트 재료 층 상에 형성된 상기 비아 홀 패턴을 상기 스페이서 재료 층 상으로 전사하여 상기 비아 홀 구조를 갖는 스페이서 층을 형성하는 단계;
    상기 포토 레지스트 재료 층을 박리하는 단계;를 포함하는 어레이 기판의 제조 방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 액체 가이딩 홈의 연장 방향과 상기 비아 홀의 축 방향 사이의 협각이 상기 비아 홀의 내벽과 상기 축 방향 사이의 협각과 동일 할 때, 상기 포토 마스크는 차광 영역, 투광 영역 및 복수의 반 투광 영역을 포함하고, 상기 복수의 반 투광 영역은 상기 투광 영역 주위에 간격을 두고 배열되고, 상기 반 투광 영역은 상기 투광 영역에 연결되고, 상기 반 투광 영역의 투광율은 상기 투광 영역으로부터 멀어지는 방향으로부터 상기 투광 영역의 방향으로 점진적으로 증가하고, 상기 투광 영역에 대응하는 상기 스페이서 층 상의 위치에는 상기 비아 홀이 형성되고, 상기 반 투광 영역에 대응하는 상기 스페이서 층 상의 위치에는 상기 액체 가이딩 홈이 형성되는 어레이 기판의 제조 방법.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 액체 가이딩 홈의 연장 방향과 상기 비아 홀의 축 방향 사이의 협각이 상기 비아 홀의 내벽과 상기 축 방향 사이의 협각과 다를 때, 상기 포토 마스크는 차광 영역, 제 1 투광 영역 및 복수의 제 2 반 투광 영역을 포함하고, 상기 복수의 제 2 반 투광 영역은 상기 제 1 투광 영역 주위에 간격을 두고 배열되고, 상기 제 2 투광 영역은 상기 제 1 투광 영역에 연결되고, 상기 제 1 투광 영역에 대응하는 상기 스페이서 층 상의 위치에는 상기 비아 홀이 형성되고, 상기 제 2 투광 영역에 대응하는 상기 스페이서 층 상의 위치에는 상기 액체 가이딩 홈이 형성되는 어레이 기판의 제조 방법.
  9. 제5항에 있어서,
    상기 "상기 픽셀 전극 층 상에 상기 픽셀 전극 층을 덮는 배향 층을 형성하고, 상기 배향 층은 상기 픽셀 전극 층 및 상기 픽셀 전극 층의 상기 홈의 내벽과 상기 서브 액체 가이딩 홈의 내벽을 덮도록 형성되는 단계"는,
    상기 픽셀 전극 층 상에 배향 액을 인쇄하여 상기 픽셀 전극 층을 덮고, 상기 배향 액이 상기 서브 액체 가이딩 홈을 따라 상기 홈 내로 유입되고, 상기 홈 및 상기 서브 액체 가이딩 홈의 내벽에 부착되는 단계;
    상기 픽셀 전극 층, 상기 홈 및 상기 서브 액체 가이딩 홈의 내벽의 상기 배향 액을 프리 베이킹하여 상기 픽셀 전극 층, 상기 홈 및 상기 서브 액체 가이딩 홈의 내벽을 덮는 배향 층을 얻는 단계;를 포함하는 어레이 기판의 제조 방법.
  10. 어레이 기판, 상기 어레이 기판과 대향하는 컬러 필름 기판, 및 상기 어레이 기판과 상기 컬러 필름 기판 사이에 구비 된 액정 층을 포함하는 액정 표시 패널에 있어서, 상기 어레이 기판은 기판, 상기 기판 상에 적층된 소스-드레인 층, 상기 소스-드레인 층 상에 위치된 픽셀 전극 층, 및 상기 소스-드레인 층과 상기 픽셀 전극 층 사이에 적층된 스페이서 층을 포함하고; 상기 픽셀 전극 층은 상기 액정 층을 향하며; 상기 스페이서 층은 비아 홀 구조를 포함하고, 상기 비아 홀 구조는 비아 홀 및 상기 비아 홀의 가장자리에 간격을 두고 배치된 복수의 액체 가이딩 홈을 포함하고, 상기 액체 가이딩 홈은 상기 비아 홀의 내측으로부터 멀어지는 방향으로 상기 비아 홀의 내벽으로부터 리세스되고, 상기 비아 홀은 제 1 오리피스 및 상기 제 1 오리피스와 대향하는 제 2 오리피스를 가지며, 상기 액체 가이딩 홈은 상기 제 1 오리피스에서 상기 제 2 오리피스 방향으로 연장되고; 상기 픽셀 전극 층은 상기 비아 홀 구조를 통해 상기 스소-드레인 층에 전기적으로 연결되는 액정 표시 패널.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 액체 가이딩 홈의 연장 방향과 상기 비아 홀의 축 방향 사이의 협각은 상기 비아 홀의 내벽과 상기 축 방향 사이의 협각과 동일한 것인 액정 표시 패널.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 비아 홀에 대응하는 상기 픽셀 전극 층의 위치에는 홈이 형성되고, 각 상기 액체 가이딩 홈에 대응하는 상기 픽셀 전극 층의 위치에는 서브 액체 가이딩 홈이 형성되는 액정 표시 패널.
  13. 제10항에 있어서,
    상기 어레이 기판은 배향 층을 더 포함하고, 상기 배향 층은 상기 픽셀 전극 층을 덮는 액정 표시 패널.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107479292B (zh) * 2017-09-28 2020-08-04 武汉华星光电技术有限公司 阵列基板、阵列基板的制作方法及液晶显示面板
US10620496B2 (en) 2017-09-28 2020-04-14 Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Array substrate, manufacturing method of array substrate and liquid crystal display panel
CN108227323B (zh) * 2017-12-29 2021-05-11 Tcl华星光电技术有限公司 Coa基板以及用于制作coa基板的树脂层中的过孔的光罩
CN109116646A (zh) * 2018-09-07 2019-01-01 深圳市华星光电技术有限公司 一种阵列基板、显示面板及光罩
CN110061012B (zh) * 2019-04-09 2022-01-28 Tcl华星光电技术有限公司 一种阵列基板及其制作方法、以及显示面板
CN109976017B (zh) * 2019-04-10 2021-09-24 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制作方法
CN110568640B (zh) * 2019-08-15 2021-03-23 Tcl华星光电技术有限公司 基板及其制作方法
US11081537B2 (en) 2019-08-15 2021-08-03 Tcl China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Substrate and manufacturing method thereof
CN110928093B (zh) * 2019-12-18 2021-08-24 Tcl华星光电技术有限公司 阵列基板和液晶显示面板
US11194196B2 (en) * 2019-12-18 2021-12-07 Tcl China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Array substrate and liquid crystal display panel
CN112363357A (zh) * 2020-12-03 2021-02-12 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板及显示面板
US11506946B1 (en) 2021-04-28 2022-11-22 Tcl China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Array substrate and liquid crystal display panel
CN113156714B (zh) * 2021-04-28 2023-12-08 Tcl华星光电技术有限公司 阵列基板及液晶显示面板

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6073928B2 (ja) * 2012-12-27 2017-02-01 シャープ株式会社 表示素子
CN203630483U (zh) * 2013-12-30 2014-06-04 厦门天马微电子有限公司 阵列基板及液晶显示器
TWI553881B (zh) * 2014-06-06 2016-10-11 群創光電股份有限公司 薄膜電晶體基板
CN104345485A (zh) * 2014-11-10 2015-02-11 深圳市华星光电技术有限公司 液晶显示面板及其用于电连接的过孔
CN204331229U (zh) * 2014-12-03 2015-05-13 京东方科技集团股份有限公司 液晶屏
KR102340409B1 (ko) * 2015-05-12 2021-12-17 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN105355630A (zh) * 2015-10-10 2016-02-24 深圳市华星光电技术有限公司 阵列基板和包含其的液晶显示器
CN106950769B (zh) * 2017-03-20 2020-05-05 深圳市华星光电技术有限公司 阵列基板、显示装置
CN107479292B (zh) * 2017-09-28 2020-08-04 武汉华星光电技术有限公司 阵列基板、阵列基板的制作方法及液晶显示面板

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