JP2007274127A - 電子回路 - Google Patents
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Abstract
【課題】トランスインピーダンスアンプのトランスインピーダンスを低減することが可能な電子回路を提供すること。
【解決手段】本発明は、トランスインピーダンスアンプ(100)の出力電圧に基づき、トランスインピーダンスアンプ(100)の入力電流の一部を引き込むことによりトランスインピーダンスアンプ(100)の利得を制御する制御回路(110)と、トランスインピーダンスアンプ(100)の入力と制御回路(110)との間に設けられ、制御回路(110)に引き込まれる電流に対し順方向に接続されたPINダイオード(D1)と、を有することを特徴とする電子回路である。
【選択図】図1
【解決手段】本発明は、トランスインピーダンスアンプ(100)の出力電圧に基づき、トランスインピーダンスアンプ(100)の入力電流の一部を引き込むことによりトランスインピーダンスアンプ(100)の利得を制御する制御回路(110)と、トランスインピーダンスアンプ(100)の入力と制御回路(110)との間に設けられ、制御回路(110)に引き込まれる電流に対し順方向に接続されたPINダイオード(D1)と、を有することを特徴とする電子回路である。
【選択図】図1
Description
本発明は、電子回路に関し、特に、トランスインピーダンスアンプを有する電子回路に関する。
トランスインピーダンスアンプ(TIA)は、電流を電圧に変換し増幅する増幅回路であり、例えば、光通信用に用いられる。光通信の受光側においては、光ファイバにより伝送された光をフォトダイオード等の受光素子が電流に変換する。TIAはこの受光素子の出力電流を増幅し電圧信号として出力する。TIAへの入力はDC成分である入力電流と高周波成分である入力信号とからなる。TIAが高感度に増幅できる入力電流の範囲がある。このため、入力電流の大きさが大きく変わると、TIAは入力信号を高感度で増幅することができない。そこで、TIAには自動利得制御(AGC)回路を設ける場合がある。AGC回路は、TIAの出力電圧に基づき、TIAの利得を制御する。TIAの出力電圧が小さな場合、AGC回路は利得を制御しないが、出力電圧が増加するに従い、TIAの利得を減少させる。よって、小さい入力電流から大きな入力電流まで高感度な増幅器を実現することができる。AGC回路を付加したTIA回路を用い受光素子の出力電流を増幅させることにより、微弱な電力の光信号から大きな電力の光信号まで高感度に増幅することが可能となる。特許文献1にはAGC回路を付加したTIA回路が開示されている。
AGC回路を付加したTIAにおいては、よりAGC回路の効果を高めること、つまり、AGC回路が利得であるトランスインピーダンスを一層制御することが求められている。本発明は、AGC回路(制御回路)がトランスインピーダンスアンプの利得を一層制御することが可能な電子回路を提供することを目的とする。
本発明は、トランスインピーダンスアンプの出力電圧に基づき、該トランスインピーダンスアンプの入力電流の一部を引き込むことにより前記トランスインピーダンスアンプの利得を制御する制御回路と、前記トランスインピーダンスアンプの入力と前記制御回路との間に設けられ、前記制御回路に引き込まれる電流に対し順方向に接続されたPINダイオードと、を具備することを特徴とする電子回路である。本発明によれば、制御回路がトランスインピーダンスアンプの利得を一層制御することができる。
上記構成において、前記入力電流は、受光素子の出力電流である構成とすることができる。
上記構成において、前記PINダイオードのカソード層とアノード層との間に設けられたアンドープ半導体層は、前記受光素子であるPINフォトダイオードのカソード層とアノード層との間に設けられたアンドープ半導体層と同じ膜厚を有する構成とすることができる。この構成によれば、PINダイオードとPINフォトダイオードとを同じ基板上に形成することができる。よって、集積化を図ることができる。さらに、PINダイオードのアンドープ半導体層を厚くすることができる。これにより、低周波数側においても、制御回路がトランスインピーダンスアンプの利得を一層制御することができる。
上記構成において、前記PINダイオードのカソード層とアノード層との間に設けられたアンドープ半導体層は、前記トランスインピーダンスアンプおよび前記制御回路の少なくとも一方を構成するバイポーラトランジスタのベース層とコレクタ層との間に設けられたアンドープ半導体層と同じ膜厚を有する構成とすることができる。PINダイオードとトランスインピーダンスアンプおよび制御回路の少なくとも一方とを同じ基板上に形成することができる。よって、回路の集積化を図ることができる。
上記構成において、前記PINダイオード、前記受光素子並びに前記トランスインピーダンスアンプおよび前記制御回路の少なくとも一方とは同じ基板に形成されている構成とすることができる。この構成によれば、回路を一層集積化させることができる。
上記構成において、前記制御回路は、前記出力電圧に関係した電圧が所定電圧以上の場合、前記制御回路に前記入力電流の一部を引き込む構成とすることができる。また、上記構成において、前記前記出力電圧に関係した電圧は前記出力電圧を平滑化した電圧である構成とすることができる。
本発明によれば、本発明は、AGC回路(制御回路)がトランスインピーダンスアンプの利得を一層制御することが可能な電子回路を提供することができる。
以下に図面を参照に本発明の実施例について説明する。
図1は実施例1に係るAGC回路(制御回路110)を有するトランスインピーダンスアンプの回路図である。例えば受光素子の出力電流である入力電流Iinは入力inよりTIA100に入力する。入力信号および入力電流ItiaがTIA100に入力する。TIA100には増幅器102および帰還抵抗R2が並列に設けられている。TIA100の出力電圧VtiaはノードNtiaに出力される。電圧Vtiaは抵抗R1と容量C1とのローパスフィルタにより平滑化されノードN0の電圧V0となる。電圧V0はTIA100への入力のDC成分である入力電流Itiaに対応する電圧である。ノードN0の電圧V0は差動増幅回路120に入力する。差動増幅回路120には抵抗R3を介し参照電圧Vrefが入力する。差動増幅回路120は平滑化された電圧V0と参照電圧Vrefとを差動増幅し制御回路110に電圧Vagcを出力する。TIA100の入力inはダイオードD1を介し制御回路110と接続される。制御回路110は、例えばノードNdとグランドとの間に接続されたトランジスタである。
制御回路110に入力する電圧Vagcが高くなるとTIA100の入力inからノードNdを介しグランドに流れる電流Idを多くする。電圧Vagcが低くなると電流Idを小さくする。このようにして、出力電圧Voutに関係した電圧(つまり出力電圧Voutを平滑化した電圧)V0が所定電圧Vref以上の場合(つまり、TIA100の出力電圧Voutに基づき)、TIA100への入力inの入力電流Iinの一部を制御回路110に電流Idとして引き込む。これにより、TIA100に入力する電流Itiaを減少させる。つまり、入力inの入力電流Iinのうち一部の電流Idを分流させることにより、TIA100に入力する入力電流Itiaを削減させる。以上のように、制御回路110はTIA100の利得を制御する。また、ダイオードD1は、制御回路110が電流Idを流す場合は、順方向となる。制御回路110が電流Idを流さない場合は、高インピーダンスとなり入力inからみた制御回路110のアイソレーションを良くする。
図2(a)および図2(b)はそれぞれダイオードD1としてPNダイオードおよびPINダイオードを用いた場合の周波数に対する図1の電子回路のトランスインピーダンスZtを測定した結果を示す図である。PNダイオードは、TIA100および制御回路110を構成するHBT(ヘテロバイポーラトランジスタ)のベース層とエミッタ層とから構成されるダイオード、PINダイオードはTIA100および制御回路110を構成するHBTのベース層とコレクタ層から構成されるダイオードである。図2(a)および図2(b)における各線は、入力inの入力電流Iinが0mA、0.1mA,0.5mA、1.0mAおよび2.0mAのときのトランスインピーダンスZtの周波数依存を示している。入力inの入力電流Iinが0mAの場合、制御回路110は動作していない(つまり、電流Idを流していない)。この場合、トランスインピーダンスZtの周波数依存性はダイオードD1としてPNダイオードおよびPINダイオードを用いた場合でほとんど変わらない。
一方、入力inの入力電流Iinが0.1mA以上の場合、制御回路110は動作している(つまり、電流Idを流している)。この場合、PINダイオードを用いたときのトランスインピーダンスZtをPNダイオードを用いた場合より約7dB程度低減できている。このように、TIA100の入力inと制御回路110との間に設けられ、制御回路110に引き込まれる電流Idに対し順方向に接続されたダイオードD1にPINダイオードを用いることにより、TIA100のトランスインピーダンスZtを低減できることがわかった。このように、制御回路110がTIA100の利得を一層制御できることがわかった。言い換えれば、制御回路110がAGC回路としてより機能していることがわかった。これは、PINダイオードの順方向のインピーダンスがPNダイオードより小さいことに起因している、
図3は、PINダイオードD1並びにTIA100および制御回路110を構成するHBTの断面摸式図を示す図である、InP基板10上に、PINダイオード25とHBT30とが形成されている。PINダイオード25は、半絶縁性InP基板10上に、例えば、ドープ量が1×1019cm−3、膜厚が300nmの高ドープN型GaInAsアノード層12a、例えば膜厚が400nmのアンドープ(イントリンシック)GaInAs半導体層14aおよび例えばドープ量が8×1018cm−3、膜厚が300nmのP型GaInAsカソード層16aが積層され、アノード層12a上にアノード電極21、カソード層16a上にカソード電極22が形成されている。HBT25は、半絶縁性InP基板10上に、高ドープN型GaInAsコレクタ層12b、アンドープGaInAs半導体層14b、P型GaInAsベース層16b、N型InPエミッタ層18およびエミッタコンタクト層20が積層され、コレクタ層12b上にコレクタ電極26、ベース層16b上にベース電極27およびエミッタコンタクト層20上にエミッタ電極28が形成されている。半導体層は例えば窒化シリコン膜からなる保護膜23に覆われている。
図3においては、基板10上のN型アノード層12aとN型コレクタ層12b、アンドープ半導体層14aとアンドープ半導体層14b、P型カソード層16aとP型ベース層16b、はそれぞれ同時に形成された層である。したがって、PINダイオード25とHBT30との対応する層の膜厚、組成およびドープ濃度が同じである。このように、PINダイオード25のカソード層16aとアノード層12aとの間に設けられたアンドープ半導体層14aは、トランスインピーダンスアンプ100および制御回路110の少なくとも一方を構成するHBT30(バイポーラトランジスタ)のベース層16bとコレクタ層12bとの間に設けられたアンドープ半導体層14bと同じ膜厚を有する。
これにより、図2(a)および図2(b)を用い説明したように、HBTのエミッタ層とベース層を用いダイオードを形成するのに比べ、制御回路110がTIA100の利得を一層制御することができる。また、ダイオードD1とトランスインピーダンスアンプ100および制御回路110とを同じ基板10上に形成することにより、実施例1に係る回路の集積化を図ることができる。なお、PINダイオードD1はトランスインピーダンスアンプ100および制御回路110の少なくとも一方と上記層とを共有することにより、図3に係る回路の集積化を図ることができる。また、基板10上には抵抗R1からR3およびコンデンサC1を集積化することもできる。
実施例2はPINダイオードを受光素子と共通の層で形成した場合の例である。回路構成は図1と同じであり説明を省略する。図4は実施例2に係る電子回路のPINダイオードD55並びに受光素子であるPINフォトダイオード60を示す断面模式図である。InP基板10上に、PINダイオード55とPINフォトダイオード60とが形成されている。PINダイオード25は、半絶縁性InP基板10上に、例えばドープ量が1×1019cm−3、膜厚が300nmのN型GaInAsアノード層40a、例えば膜厚が2500nmのアンドープGaInAs半導体層42aおよび例えばドープ量が8×1018cm−3、膜厚が300nmのP型GaInAsカソード層44aが積層され、アノード層40a上にアノード電極51、カソード層44a上にカソード電極52が形成されている。PINフォトダイオード60は、半絶縁性InP基板10上に、N型GaInAsアノード層40b、アンドープGaInAs半導体層42b、P型GaInAsカソード層44bおよびアンドープInP窓層46が積層され、N型アノード層40b上にN型コンタクト電極56、P型カソード層44b上にP型コンタクト電極57が形成されている。窓層46上には反射防止膜48が形成され、半導体層は保護膜49に覆われている。
図4においては、基板10上に、N型アノード層40aとN型アノード層40b、アンドープ半導体層42aとアンドープ半導体層42b、P型カソード層44aとP型カソード層44b、とをそれぞれ同時に形成している。したがって、PINダイオード55とPINフォトダイオード6との対応する層の膜厚、組成およびドープ濃度が同じである。つまり、PINダイオード55のカソード層44aとアノード層40aとの間に設けられたアンドープ半導体層42aは、受光素子であるPINフォトダイオード60のカソード層44bとアノード層40bとの間に設けられたアンドープ半導体層42bと同じ膜厚を有する。
これにより、ダイオードD1と受光素子とを同じ基板10上に形成することができる。よって、集積化を図ることができる。さらに、PINフォトダイオードのアンドープ半導体層42bはHBTのアンドープ半導体層14bより厚い。このため、PINダイオード55のアンドープ半導体層42aを実施例1のPINダイオード25のアンドープ半導体層14aより厚くすることができる。よって、PINダイオード55の順方向のインピーダンスをPINダイオード25より小さくできる。さらに、図2(b)において、入力inの入力電流Iinが0.5mA以上の場合、周波数が2GHz以下において、トランスインピーダンスZtが高くなる。これはPINダイオードの周波数特性が影響しているためである。実施例2によれば、PINダイオード55のアンドープ半導体層42aの膜厚を厚くすることができる。このため、PINダイオードの低周波数側でのインピーダンスを低減できる。よって、低周波数側においても、制御回路110がTIA100の利得を一層制御することできる。
また、PINダイオードD1、受光素子並びにトランスインピーダンスアンプ100および制御回路110の少なくとも一方を構成するバイポーラトランジスタとを同じ基板に形成することもできる。つまり、図3の基板10と図4の基板10とを共通とすることができる。この場合、PINダイオードD1の各層は、バイポーラトランジストと共通とすることもできるし、受光素子の各層と共通の層とすることもできる。これにより、回路の集積化が一層可能となる。なお、実施例1に係る電子回路は、InP基板10に形成されたPINダイオード25およびHBT30、実施例2に係る電子回路は、InP基板10に形成されたPINダイオード55およびPINフォトダイオード60を例に説明した。PINダイオードは順方向のインピーダンスが低いため、他のPINダイオードを本発明に用いることもできる。
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明は係る特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
10 半絶縁性基板
12a アノード層
12b コレクタ層
14a アンドープ半導体層
14b アンドープ半導体層
16a カソード層
16b ベース層
18 エミッタ層
20 エミッタコンタクト層
25 PINダイオード
30 HBT
40a、40b アノード層
42a、42b アンドープ半導体層
44a、44b カソード層
46 窓層
55 PINダイオード
60 PINフォトダイオード
100 トランスインピーダンスアンプ
110 制御回路
120 差動増幅回路
D1 ダイオード
12a アノード層
12b コレクタ層
14a アンドープ半導体層
14b アンドープ半導体層
16a カソード層
16b ベース層
18 エミッタ層
20 エミッタコンタクト層
25 PINダイオード
30 HBT
40a、40b アノード層
42a、42b アンドープ半導体層
44a、44b カソード層
46 窓層
55 PINダイオード
60 PINフォトダイオード
100 トランスインピーダンスアンプ
110 制御回路
120 差動増幅回路
D1 ダイオード
Claims (7)
- トランスインピーダンスアンプの出力電圧に基づき、該トランスインピーダンスアンプの入力電流の一部を引き込むことにより前記トランスインピーダンスアンプの利得を制御する制御回路と、
前記トランスインピーダンスアンプの入力と前記制御回路との間に設けられ、前記制御回路に引き込まれる電流に対し順方向に接続されたPINダイオードと、を具備することを特徴とする電子回路。 - 前記入力電流は、受光素子の出力電流であることを特徴とする請求項1記載の電子回路。
- 前記PINダイオードのカソード層とアノード層との間に設けられたアンドープ半導体層は、前記受光素子であるPINフォトダイオードのカソード層とアノード層との間に設けられたアンドープ半導体層と同じ膜厚を有することを特徴とする請求項2記載の電子回路
- 前記PINダイオードのカソード層とアノード層との間に設けられたアンドープ半導体層は、前記トランスインピーダンスアンプおよび前記制御回路の少なくとも一方を構成するバイポーラトランジスタのベース層とコレクタ層との間に設けられたアンドープ半導体層と同じ膜厚を有することを特徴とする請求項1記載の電子回路。
- 前記PINダイオード、前記受光素子並びに前記トランスインピーダンスアンプおよび前記制御回路の少なくとも一方とは同じ基板に形成されていることを特徴とする請求項1記載の電子回路。
- 前記制御回路は、前記出力電圧に関係した電圧が所定電圧以上の場合、前記制御回路に前記入力電流の一部を引き込むことを特徴とする請求項1記載の電子回路。
- 前記前記出力電圧に関係した電圧は前記出力電圧を平滑化した電圧であることを特徴とする請求項6記載の電子回路。
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