CN109256447A - 发光器件、包括该发光器件的封装件及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

提供了一种发光器件和一种发光器件封装件。所述发光器件包括：衬底；形成在衬底上的发光结构；在发光结构上的第一透射导电层；形成在所述第一透射导电层上的第一电介质图案层，所述第一电介质图案层包括多个开口；第二透射导电层，其共形地形成在通过所述多个开口暴露的第一透射导电层上和所述第一电介质图案层上；填充所述多个开口的第二电介质图案层；以及形成在所述第二透射导电层和所述第二电介质图案层上的反射电极层。

Description

发光器件、包括该发光器件的封装件及其制造方法
相关申请的交叉引用
本申请要求2017年7月13日提交至韩国知识产权局的韩国专利申请No.10-2017-0089168的优先权，其公开内容通过引用其全部合并于此。
技术领域
本发明构思涉及一种发光器件、包括该发光器件的封装件及其制造方法。例如，本公开涉及一种包括具有改进的光提取效率的结构的发光器件、包括该发光器件的封装件及其制造方法。
背景技术
发光器件可以包括发光结构之下的反射电极层，从而改善从发光结构发出的光的提取效率。近来，随着发光器件的尺寸逐渐减小，具有能够增加反射电极层的反射率的结构的发光器件和包括该发光器件的封装件是期望的。
发明内容
本公开提供了一种包括透射导电层和电介质层的发光器件，其具有能够有效改善光提取效率的结构。
本公开提供了一种包括透射导电层和电介质层的发光器件封装件，其具有能够有效改善光提取效率的结构。
本公开提供一种制造包括透射导电层和电介质层的发光器件的方法，其具有能够有效改善光提取效率的结构。
根据本发明构思的一个方面，提供了一种发光器件，包括：衬底；
形成在衬底上的发光结构；形成在发光结构上的第一透射导电层；形成在第一透射导电层上的第一电介质图案层，所述第一电介质图案层包括多个开口；第二透射导电层，其共形地形成在通过所述多个开口暴露的第一透射导电层上和所述第一电介质图案层上；填充所述多个开口的第二电介质图案层；以及形成在第二透射导电层和第二电介质图案层上的反射电极层。
根据本发明构思的另一方面，提供了一种发光器件封装件，包括：衬底；形成在所述衬底上的多个发光结构，所述发光结构中的每一个包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层；形成在所述第二导电半导体层上的第一透射导电层；形成在所述第一透射导电层上的第一电介质图案层，所述第一电介质图案层包括多个开口；第二透射导电层，其共形地形成在通过所述多个开口暴露的第一透射导电层上和所述第一电介质图案层上；填充所述多个开口的第二电介质图案层；第一电极层和第一外部连接端子，其分别电连接到所述第一导电半导体层；第二电极层和第二外部连接端子，其分别电连接到第二导电半导体层，第二电极层形成在第二透射导电层上和第二电介质图案层上；以及模块，其用于安装衬底并电连接到第一外部连接端子和第二外部连接端子。
根据本发明构思的另一方面，提供了一种发光器件，包括：衬底；位于衬底上的发光结构；形成在所述发光结构上并且包括内部空间的透射导电层；陷入在内部空间中的第一电介质图案层；未陷入在所述内部空间中的第二电介质图案层，所述第二电介质图案层包括与所述透射导电层的顶表面实质上处于相同水平高度处的顶表面；以及位于透射导电层和第二电介质图案层上的反射电极层。
附图说明
根据以下结合附图的详细描述，将更清楚地理解本发明构思的以上和其它方面、特征和其他优点，在附图中：
图1和图2分别是示出根据本发明构思的实施例的发光器件的平面图和截面图；
图3是示出根据本发明构思的实施例的发光器件封装件的截面图；
图4A至图4H是示出根据本发明构思的实施例的制造发光器件的方法的步骤的截面图；
图5是示出关于根据本发明构思的实施例的发光器件的入射角的反射率的图表；
图6是示出彼此具有不同反射结构的各发光器件的相对反射效率的图表；
图7是根据本发明构思的实施例的包括发光器件的背光单元的透视图；
图8是示出根据本发明构思的实施例的包括发光器件的直下式背光单元的截面图；
图9是示出根据本发明构思的实施例的包括发光器件的直下式背光单元的平面图；
图10是示出根据本发明构思的实施例的包括发光器件的直下式背光单元的截面图；
图11是示出图10所示的光源模块的放大图；
图12是示出根据本发明构思的实施例的包括发光器件的直下式背光单元的截面图；
图13至图15示出了根据本发明构思的实施例的包括发光器件的背光单元；
图16是根据本发明构思的实施例的包括发光器件的显示设备的示意性分解透视图；
图17是示意性地示出根据本发明构思的实施例的包括发光器件的平板照明设备的透视图；
图18是示意性地示出根据本发明构思的实施例的包括发光器件的照明设备的分解透视图；
图19是示意性地示出根据本发明构思的实施例的包括发光器件的照明设备的分解透视图；以及
图20是示意性地示出根据本发明构思的实施例的包括发光器件的条形照明设备的分解透视图。
具体实施方式
在下文中，将参照附图详细描述本发明构思的各实施例。
图1和图2分别是示出根据本发明构思的实施例的发光器件的平面图和截面图。
图1是根据本发明构思的实施例的发光器件100的平面图，图2是沿着图1中的线A-A'截取的发光器件100的截面图。在图1中，稍后将描述的第二电极层151可以是透明的，并且第二电极层151下面的第二电介质图案层133P的形状或边界由虚线示出。
发光器件100可以包括以下部件。
发光器件100可以包括发光结构110，发光结构110形成在衬底101上并且包括第一导电半导体层111、有源层113和第二导电半导体层115。在一些实施例中，第一导电半导体层111可以包括n型半导体材料，并且第二导电半导体层115可以包括p型半导体材料。例如，第一导电半导体层111可以是n型半导体层，并且第二导电半导体层115可以是p型半导体层。
发光器件100可以包括在第二导电半导体层115上的第一透射导电层121以及形成在第一透射导电层121上的第一电介质图案层131P。第一电介质图案层131P可以包括多个的开口。
发光器件100可以包括第二透射导电层123，第二透射导电层123共形地形成在第一电介质图案层131P和通过所述多个开口暴露的第一透射导电层121上。例如，第二透射导电层123可以具有符合包括多个开口的第一电介质图案层131P的形态的多个突起和多个凹陷。第二电介质图案层133P可以形成为填充多个开口。例如，第二电介质图案层133P可以包括在如图1所示的平面图中以规则间隔布置的多个圆形。
发光器件100可以包括形成在第二透射导电层123和第二电介质图案层133P上的第二电极层151。第二电极层151可以电连接到第二导电半导体层115。发光器件100可以包括电连接到第一导电半导体层111的第一电极层141。在一些实施例中，第二电极层151可以是反射电极层。
在发光器件的示例性实施例中，反射电极层可以包括具有高反射特性的反射金属。电介质层可以介于p型半导体层和反射电极层之间，并且由于p型半导体层和电介质层之间的折射率不同，可以获得全反射效果。例如，介于p型半导体层和反射电极层之间的电介质层可以具有比p型半导体层的折射率低的折射率。p型半导体层可以包括多量子阱(MQW)结构。通过全反射，从发光结构110发射的光可以被有效地反射朝向相对于发光结构与反射电极层相对设置的衬底。在某些实施例中，可以通过优化电介质层的厚度来进一步改善反射率。
在某些实施例中，可以在p型半导体层和反射电极层之间形成电流通道，用于p型半导体层和反射电极层之间的电信号施加。例如，可以去除电介质层的一部分以用于反射电极层和p型半导体层之间的电连接。在这种情况下，在去除了电介质层的区域中，p型半导体层可以接触反射电极层。这里使用的术语“接触”是指直接连接，即，碰触。
根据本发明构思的某些实施例的发光器件100可以包括多个透射导电层和多个电介质层，其可以代替形成反射电极层的区域作为用于施加电流的通道，从而反射率可能会因所有区域中的全反射而增加，并且因此可以提高光输出效率。
根据本发明构思的实施例的发光器件100可以基本上不具有第二电极层151接触第一透射导电层121的区域。当第一透射导电层121的所有部分被第一电介质图案层131P和/或第二电介质图案层133P覆盖时，可以通过全反射获得高反射率。例如，第一电介质图案层131P和第二电介质图案层133P的折射率可以低于第一透射导电层121和第二透射导电层123和/或第二导电半导体层115的折射率。例如，第一电介质图案层131P和第二电介质图案层133P可以具有相同的折射率。
将参照图4A至图4H详细描述制造包括这种反射结构的发光器件100的方法。另外，将参照图5详细描述通过全反射改善反射率的细节，并且将参照图6详细描述包括彼此不同的反射结构的各发光器件的反射率。
图3是示出根据本发明构思的实施例的发光器件封装件1000的截面图。
参照图3，示出了发光器件封装件1000，其中发光器件100经由第一外部连接端子145和第二外部连接端子155电连接到模块210，并且安装在模块210上。
发光器件100可以包括在衬底101的一侧上的发光结构110以及在发光结构110的相对于设置有衬底101的一侧的相对侧上的第一电连接单元143和第二电连接单元153。
发光器件100可以包括形成为覆盖第一电连接单元143和第二电连接单元153的一部分的绝缘单元161。第一电极层141和第二电极层151可以分别通过第一电连接单元143和第二电连接单元153电连接到第一外部连接端子145和第二外部连接端子155。
第一电极层141和第二电极层151可以包括各种材料和/或各种结构以改善欧姆特性和/或反射特性。
绝缘单元161可以包括暴露第一电连接单元143和第二电连接单元153的至少一部分的开口区域。第一外部连接端子145和第二外部连接端子155可以分别接触第一电连接单元143和第二电连接单元153。例如，绝缘单元161可以具有这样开口区域，第一外部连接端子145和第二外部连接端子155分别通过该开口区域接触第一电连接单元143和第二电连接单元153。绝缘单元161可以包括氧化硅、氮化硅或硅的氮氧化物。
发光器件100可以以倒装芯片结构安装在模块210上，例如引线框架和印刷电路板。在这种情况下，第一外部连接端子145和第二外部连接端子155可以布置为面向同一方向。例如，第一外部连接端子145和第二外部连接端子155可以设置在发光器件100的底部上，如图3所示。
在一些实施例中，发光器件100可以包括在衬底101的一侧上的多个相互分开的发光结构110。通过在衬底101上形成多个彼此分开的发光结构110，从有源层113发射的光的路径可以是多个，使得可以减小半导体层内的光吸收率，可以增加光散射的比率，并且可以改善光提取效率。
第一外部连接端子145和第二外部连接端子155可以分别连接到第一电连接单元143和第二电连接单元153，以用作发光器件100的外部端子。第一外部连接端子145和第二外部连接端子155可以包括例如金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、钛(Ti)、钨(W)、铜(Cu)、锡(Sn)、镍(Ni)、铂(Pt)、铬(Cr)及其共晶金属。在这种情况下，当通过与共晶金属结合将发光器件100安装在模块210上时，可以不使用单独的焊料凸块进行倒装芯片接合。因为在使用共晶金属的安装方法中散热效果可能比使用焊料凸块的安装方法更好，所以可具有优势。在这种情况下，第一外部连接端子145和第二外部连接端子155可以形成为占据大面积以获得更好的散热效果。例如，在如图3所示的与有源图案的中心交叉的截面图中，第一外部连接端子145和/或第二外部连接端子155可以比对应的发光结构110的有源层113更宽。在某些实施例中，第一外部连接端子145和/或第二外部连接端子155在平面图中可以具有比对应的发光结构110的有源层113更大的面积。
模块210可以包括分别在其顶表面和底表面上的顶电极层217和底电极层215以及穿过主体单元211用于连接顶电极层217和底电极层215的通孔213。主体单元211可以包括诸如树脂和陶瓷的绝缘材料，并且顶电极层217和底电极层215可以包括诸如Au、Ag、Al和Cu的金属。
然而，模块210不限于此，只要形成用于驱动发光器件100的布线结构，就可以应用任何类型的模块。例如，可以将发光器件100设置在这样的结构中，其中发光器件100安装在引线框架上。
根据本发明构思的实施例的发光器件封装件1000可以包括多个透射导电层和多个电介质层，其可以代替形成反射电极层的区域作为用于施加电流的通道，从而可以通过全部区域中的全反射来增加反射率，从而可以提高光输出效率。在某些实施例中，除了多个透射导电层和多个电介质层之外，可以形成反射电极层以提高发光器件的光输出效率。例如，如图2所示，第二透射导电层123与第二电极层151之间的接触面积大于第二透射导电层123与第一透射导电层121之间的接触面积。
包括在根据本发明构思的实施例的发光器件封装件1000中的发光器件100实质上可不包括第二电极层151和第一透射导电层121彼此接触的区域，并且当第一透射导电层121的整个区域被第一电介质图案层131P和/或第二电介质图案层133P覆盖时，可以通过全反射获得高反射率。
图4A至图4H是示出根据本发明构思的实施例的制造发光器件的方法的步骤的截面图。
图4A至4H是对应于图2中的线B-B'的截面图。如以上参照图2所述，根据本发明构思的实施例的发光器件100提供这样的构造，其中第一透射导电层121和第二透射导电层123以及第一电介质图案层131P和第二电介质图案层133P形成在第二导电半导体层115上，下面将描述该构造。在第一导电半导体层111上形成第一电极层141的工艺可以类似于制造普通发光器件的工艺，因此这里将省略其详细描述。
参照图4A，可以在衬底101上形成发光结构110，并且可以在发光结构110上形成第一透射导电层121。
可以在发光结构110下方布置衬底101以支撑发光结构110。衬底101可以通过基层(未示出)接收从发光结构110产生的热量，并且可以将接收到的热量释放到外部。例如，衬底101可以具有光学透明性。衬底101可以包括透光材料或者可以包括当其厚度等于或小于特定厚度时具有透光率的材料。例如，来自发光结构110的光可以穿过衬底101。
根据需要，衬底101可以是绝缘衬底、导电衬底或半导体衬底。例如，衬底101可以包括蓝宝石(Al2O3)、氮化镓(GaN)、硅(Si)、锗(Ge)、砷化镓(GaAs)、氧化锌(ZnO)、碳化硅(SiC)、氧化镓(Ga2O3)、氧化镓锂(LiGaO2)、氧化铝锂(LiAlO2)、氧化镁铝(MgAl2O4)中的一种。
在一些实施例中，蓝宝石、碳化硅、硅等可以主要用于衬底101，并且与碳化硅衬底相比可以更多地使用相对便宜的蓝宝石衬底或硅衬底。例如，衬底101可以包括上述一种或多种材料。
在发光器件100的制造过程期间，可以在形成发光结构110之前或之后，完全或部分地去除衬底101，以改善光学特性或电特性。在蓝宝石衬底的情况下，可以通过用激光经由衬底101照射衬底101与基层之间的界面来去除衬底101。在硅衬底和碳化硅衬底的情况下，可以通过抛光或刻蚀来去除衬底101。
可以形成基层，从而提供发光结构110的生长表面。例如，基层可以包括InxAlyGa(1-xy)(0≤x≤1,0≤y≤1)、GaN、AlN、AlGaN、InGaN或InGaNAlN，并且根据需要，基层可以包括ZrB2、HfB2、ZrN、HfN、TiN等。基层可以形成为多层结构，或者基层可以通过逐渐改变多层结构中的组分来形成。在一些实施例中，可以省略基层。
发光结构110可以包括第一导电半导体层111、有源层113和第二导电半导体层115。根据需要，第一导电半导体层111和第二导电半导体层115中的每一个可以具有单层结构，或者可以具有其中具有不同组分的多层结构。例如，第一导电半导体层111和第二导电半导体层115中的每一个可以包括能够提高电子和/或空穴的注入效率的载流子注入层，并且可以包括各种类型的超晶格结构。
第一导电半导体层111可以包括在与有源层113相邻的部分处的电流扩散层(未示出)。电流扩散层可以具有部分形成的结构，在该结构中具有不同组分或不同杂质的多个InxAlyGa(1-xy)N层被重复层压，或者电流扩散层可以具有部分形成的绝缘材料层。
第二导电半导体层115可以包括在与有源层113相邻的部分处的电子阻挡层(未示出)。电子阻挡层可以具有这样的结构，在该结构中层叠多种不同组分的InxAlyGa(1-x-y)N，或者电子阻挡层可以具有由AlyGa(1-y)N组成的材料层，并且其带隙可以大于有源层113的带隙，使得可以防止电子转移到第二导电半导体层115。
作为制造发光结构110的方法，可以将诸如三甲基镓(TMG)和三甲基铝(TMA)的有机金属化合物气体以及含氮气体(例如氨气)作为反应气体供应到其中具有衬底101的反应容器中，并且衬底101的温度可以保持在约900℃至约1100℃。氮化镓化合物半导体可以在衬底101上生长。根据在生长过程中供应的杂质气体，可以以未掺杂类型、n型或者p型来层叠氮化镓化合物半导体。
布置在第一导电半导体层111和第二导电半导体层115之间的有源层113可以包括量子阱层和量子势垒层交替层叠的多量子阱(MQW)结构，例如，在氮化物半导体的情况下，有源层113可以包括多GaN/InGaN结构，或者可替换地，有源层113可以包括单量子阱(SQW)结构。
可以在第二导电半导体层115上形成第一透射导电层121。第一透射导电层121可以实质形成在第二导电半导体层115的整个区域中，使得电流可以均匀地提供给第二导电半导体层115的整个区域。
第一透射导电层121可以包括包含例如Zn、In、Sn等的氧化物。例如，第一透射导电层121可以是铟锡氧化物(ITO)、ZnO、In2O3、SnO2等。
可以考虑，例如，光吸收率和电阻/薄层电阻等来确定第一透射导电层121的厚度。相对于从发光结构110发射的光的波长λ，第一透射导电层121的厚度大约为λ/4的整数倍，可有利于提高光提取效率。
参照图4，可在第一透射导电层121上形成第一电介质层131。
可以将第一电介质层131形成为单层结构或通过在第一透射导电层121上交替地层叠具有不同折射率的两种不同电介质层将第一电介质层131形成为多层结构。在某些实施例中，多层结构可以通过层叠三种或更多种不同层来形成。例如，第一电介质层131可以是包括SiO2、MgF2、SiN、TiO2和Nb2O5中的一种的单层，或者第一电介质层131可以具有通过交替层叠两种不同层而形成的多层结构，所述两个不同层分别由形成单层的所述示例材料形成。在某些实施例中，第一电介质层131可以具有通过三层或更多层形成的多层结构，所述三层或更多层由分别由形成单层的所述示例材料形成。
第一电介质层131的总厚度可以是大约0.2μm至大约1μm。第一电介质层131可以由具有比第二导电半导体层115的折射率小的折射率的材料形成。
第二导电半导体层115可以是p型氮化镓(GaN)半导体层，并且在这种情况下，折射率可以约为2.45。例如，折射率可以根据第二导电半导体层115的厚度而变化，并且第二导电半导体层115的厚度可以形成为具有约2.45的折射率。第一电介质层131可以是氧化硅层，并且在这种情况下，其近似折射率可以约为1.46。例如，当第一电介质层131的折射率小于第二导电半导体层115的折射率时，根据从发光结构110发射并入射在第一电介质层131上的光的入射角，可发生全反射。例如，全反射可以发生在第二导电半导体层115与第一电介质层131之间的边界处。
参照图4C，可以在第一电介质层131上形成光掩模图案PM。
在第一电介质层131上涂覆光致抗蚀剂之后，可以对光致抗蚀剂进行曝光和显影。然后，如图4C所示，仅可以保留光致抗蚀剂的一部分，并且可以去除光致抗蚀剂的另一部分以形成光掩模图案PM。
光掩模图案PM可以是以特定规则布置的图案或不规则布置的图案。例如，光掩模图案PM可以有规律地布置。可以在稍后的过程中调整光掩模图案PM的厚度和宽度以影响包括在第一电介质图案层131P(参照图4D)中的开口131G的形状(参照图4D)。例如，可以在稍后的步骤中改变光掩模图案PM以具有用于刻蚀第一电介质层131的刻蚀掩模的形状。
参照图4D，可以通过使用光掩模图案PM(参照图4C)作为刻蚀掩模来刻蚀第一电介质层131的一部分(参照图4C)，并且可以通过灰化工艺和剥离工艺来去除光掩模图案PM。
刻蚀工艺可以是干法刻蚀工艺。包括多个开口131G的第一电介质图案层131P可以通过干法刻蚀而形成。由于某些实施例的刻蚀工艺的特性，开口131G可具有倾斜侧壁或锥形侧壁。例如，开口131G的侧壁可以不是垂直的，而是倾斜的。例如，开口131G随着下降而变窄。例如，在截面图中，开口131G可以具有下底比上底短的梯形形状。例如，在截面图中，两个开口131G之间，第一电介质图案层131P可以具有上底比下底短的梯形形状。例如，在截面图中，开口131G和第一电介质图案层131P可以分别具有等腰梯形形状。例如，在某些实施例中，开口131G可以具有倒梯形的截面形状，并且第一电介质图案层131P可以具有正交梯形的截面形状。
在某些实施例中，开口131G可以具有实质垂直的侧壁。在这种情况下，例如在截面图中，开口131G和第一电介质图案层131P各自可以具有矩形形状。
每个开口131G可以部分地暴露第一透射导电层121。例如，当从第一透射导电层121的顶表面观察第一透射导电层121的暴露部分时，暴露部分可以是圆形的。例如，在平面图中，每个暴露部分可以具有圆形形状。例如，第一电介质图案层131P可以包括柱状的多个开口131G。
参照图4E，第二透射导电层123可以共形地形成在第一电介质图案层131P的侧表面和顶表面以及第一透射导电层121的通过多个开口131G暴露的顶表面上。
当形成第二透射导电层123以覆盖通过多个开口131G暴露的第一透射导电层121时，第二透射导电层123可以电连接到第一透射导电层121。第二透射导电层123可以形成为具有与第一透射导电层121的较宽的接触面积，以向发光结构110注入/提供均匀的电流。
类似于上述第一透射导电层121，第二透射导电层123可以包括包含例如Zn、In、Sn等的氧化物。第二透射导电层123可以包括ITO、ZnO、In2O3、SnO2等。
例如，构成第一透射导电层121和第二透射导电层123的材料可以是相同的。然而，实施例不限于此，第一透射导电层121和第二透射导电层123可以包括彼此不同的材料。
从另一角度来看，当构成第一透射导电层121和第二透射导电层123的材料相同时，第一透射导电层121和第二透射导电层123两者可以被认为是一个部件，并且可以被称为具有内部空间的透射导电层。在这种情况下，第一电介质图案层131P可以陷入该内部空间中。
在某些实施例中，第一透射导电层121的厚度121H可以大于第二透射导电层123的厚度123H。增加第二透射导电层123的厚度123H以改善导电特性可以是有利的。然而，当构成第二透射导电层123的材料(例如ITO)具有吸收性质时，将厚度123H形成为具有适当厚度以提高发光效率可以是有利的。例如，减少光吸收有利于提高发光器件的光提取效率，并且第一透射导电层121的厚度121H和第二透射导电层123的厚度123H均可以形成为等于或小于约100nm，例如，以改善光提取效率。当厚度大于约100nm时，在发光器件100的整个区域中可能出现更大的损耗。例如，光提取效率和导电率与透射导电层121和123的厚度121H和123H可处于折衷关系。例如，当透射导电层121和123的厚度增加时，导电特性得到改善，并且由于吸收的光而导致光提取效率降低。
参照图4F，可形成第二电介质层133以完全填充开口131G(参照图4E)并且覆盖第二透射导电层123的顶表面。
第二电介质层133可以在第二透明导电层123上形成作为单层结构，或者通过交替地层叠具有不同折射率的两个不同的电介质层而形成为多层结构的。在某些实施例中，多层结构可以通过层叠三层或更多个不同层来形成。例如，第二电介质层133可以是包括SiO2、MgF2、SiN、TiO2和Nb2O5中的一种的单层，或者第二电介质层133可以具有通过交替地层叠两个不同层而形成的多层结构，所述两个不同层分别由形成单层的示例材料形成。在某些实施例中，第二电介质层133可具有由三层或更多层形成的多层结构，所述三层或更多层分别由形成单层的示例材料形成。
第二电介质层133可以包括与第一电介质层131相同的材料(参照图4B)。可替换地，第二电介质层133可以包括与第一电介质层131不同的材料。
第二电介质层133的总厚度可以是大约0.2μm至大约1μm。第二电介质层133的折射率可以被调整为小于第二导电半导体层115的折射率。这与关于第一电介质层131的折射率的上述对照的内容类似。
例如，当第二电介质层133的折射率小于第二导电半导体层115的折射率时，根据从发光结构110发射的光入射在第二电介质层133上的入射角，可发生全反射。例如，上述结构可以允许从发光结构110发射的光以高于临界角的入射角在第二导电半导体层115和第二电介质层133之间的边界处发生全内反射。
参照图4G，可以通过使用回蚀工艺或抛光工艺去除第二电介质层的不需要的部分来形成第二电介质图案层133P，使得第二电介质层133(参照图4F)仅保留在开口131G中。
在回蚀工艺或抛光工艺中，第二透射导电层123可以用作刻蚀停止层。例如，可以执行回蚀工艺或抛光工艺，直到第二透射导电层123的最上表面完全暴露出来。在这种情况下，第二电介质层可能被过度刻蚀。例如，如图4G所示，第二电介质图案层133P的顶表面133T的中心部分可以低于形成在第一电介质图案层131P的顶表面上的第二透射导电层123的顶表面。
例如，当第二透射导电层123的厚度无论其形成位置是相同的时候，第二电介质图案层133P的厚度133H可以小于第一电介质图案层131P的厚度131H。例如，第二电介质图案层133P的中心部分厚度133H可以小于第一电介质图案层131P的厚度131H。
在其他实施例中，当第二电介质图案层133P未被过度刻蚀时，第二电介质图案层133P的厚度133H可以与第一电介质图案层131P的厚度131H实质相同。例如，第二透射导电层123的最上表面和第二电介质图案层133P的顶表面133T可以彼此共面地布置。当提及定向、布局、位置、形状、尺寸、数量或其他措施时，诸如“相同”、“相等”、“平面”或“共面”的术语不一定意味着完全相同的定向、布局、位置、形状、尺寸、数量或其他措施，而是旨在包含在例如由于制造过程而可能发生的可接受变化内的几乎相同的定向、布局、位置、形状、尺寸、数量或其他措施。除非上下文或其他陈述另有说明，否则术语“实质上”可以在此用于强调该含义。例如，被描述为“实质上相同”、“实质上相等”或“实质上平面”的项可以完全相同、相等或平面，或者可以是在例如由于制造过程可能发生的可接受变化内的相同、相等或平面。
当第二电介质图案层133P填充开口131G时，第二电介质图案层133P可以具有类似开口131G那样的倒梯形的截面形状。例如，第二电介质图案层133P可以是上底大于其下底的梯形截面图。例如，第一电介质图案层131P可以是下底大于上底的梯形截面形状。例如，在截面图中，第一电介质图案层131P和第二电介质图案层133P中的一者或两者可以具有等腰梯形。
在图4G中，示出了第一电介质图案层131P的各个梯形截面形状的宽度大于第二电介质图案层133P的各个倒梯形截面形状的宽度。然而，实施例不限于此。
当第一透射导电层121的全部区域被第一电介质图案层131P和第二电介质图案层133P覆盖时，从发光器件100在垂直方向上发射的光可以穿过第一电介质图案层131P和第二电介质图案层133P中的至少一个。
以这种方式，在通过以下方法形成的结构中可以限制或防止发生全反射效率的降低，即，通过去除一部分电介质层并且在去除电介质层的部分中填充导体材料以通过导体材料将电流施加到发光器件的发光结构中。例如，尽管第一电介质层131的一部分(参照图4B)被去除，但是去除部分可以填充有第二电介质图案层133P。因此，由于第一电介质图案层131P和/或第二电介质图案层133P形成为覆盖第一透射导电层121的所有区域，因此可以通过全反射来获得高反射率。
第二透射导电层123可以用作用于将电流施加到发光结构110中的电路径。
参照图4H，可以在第二透射导电层123和第二电介质图案层133P上形成第二电极层151。
第二电极层151可以依次通过第二透射导电层123和第一透射导电层121电连接到构成发光结构110的第二导电半导体层115。
第二电极层151可以是如上所述的反射电极层，并且第二电极层151可以将从发光结构110发射的光朝向衬底101反射，并且第二电极层151可以作为导电层将电信号传输到发光结构110。发光器件100可以利用这种反射功能来提高光提取效率和可靠性。
第二电极层151可以包括例如银(Ag)、铝(Al)、钛(Ti)、钨(W)、铜(Cu)、锡(Sn)、铬(Cr)或银的合金。
这里，已经描述了形成到第二电极层151的工艺，并且可以在形成第二电极层151之后执行形成第一电极层141(参照图2)的工艺。基于本说明书中描述的内容，本领域普通技术人员可以执行形成第一电极层141的工艺。
图5是示出关于根据本发明构思的实施例的发光器件的入射角的反射率的图表。
参照图5，该图表比较了在反射电极层(Ag)与发光结构(GaN)接触的发光器件中产生的光反射率(由虚线示出，以下称为第一反射率)与在发光结构(GaN)和反射电极(Ag)之间形成电介质层(SiO2)而制造的发光器件中产生的光反射率(以实线表示，以下称为第二反射率)。
观察第一反射率，可以看出，随着光的入射角从约0°增加到约50°，第一反射率也从约0.95增加到约0.97。然而，可以看出，在第一反射率中，任何入射角度都不会发生全反射R。
观察第二反射率，可以看出，随着光的入射角从约0°增加到约50°，第二反射率在约0.925和约1之间增大或减小。可以看出，在第二反射率中，在入射角等于或大于约37°的区域中发生全反射R。
通过调整光的入射角并改变发光结构的形状，可以增加发生光的全反射的区域，从而增加光的第二反射率。当通过形成电介质层获得全反射效果时，可以提高光的总提取效率。
例如，随着电介质层被去除的面积增加，发生全反射的面积会减小，这会导致光提取效率的降低。基于关于第一反射率和第二反射率的数据，根据本发明构思的实施例的发光器件100和发光器件封装件1000可以设置有多个透射导电层和多个电介质图案层，例如如图5所示。
图6是示出彼此具有不同反射结构的各发光器件的相对反射效率的图表。
参照图6，该图表比较了反射电极层与发光结构接触的发光器件(情况1至情况4)中的光的反射效率，以及通过在发光结构和反射电极层之间形成电介质层而制造的发光器件(情况5至情况7)中的反射效率。反射效率表示相对反射效率。例如，图6示出了各样本的相对亮度值。例如，情况1是测量基本亮度的参照情况，并且亮度被设置为相对亮度值100。其他情况的亮度值表示为相对于情况1亮度的亮度相对值。情况5、情况6和情况7示出了比参照情况1高约1.7％的亮度。例如，图6示出了本公开的某些实施例的亮度改进。
观察情况1至情况4，可以看出，反射效率等于或小于约10％。例如，可以理解的是，当不形成电介质层时，可能无法获得全反射效果，因此反射效率会相对较低。
观察情况5至情况7，可以看出，反射效率等于或大于约44％。例如，可以理解的是，当形成电介质层时，可以获得全反射效果，并且因此反射效率会相对较高。
例如，在情况5至情况7中，情况5是通过去除电介质层的一部分形成反射电极层的情况，并且情况6和情况7是根据本发明构思的一些实施例的通过在像发光器件100那样的多个层中形成透射导电层和电介质图案层中的每个来增加全反射效果的情况。
根据测量，情况5的反射效率可以是大约44％，情况6和情况7的反射效率可以是大约45％或更大。例如，可以看出，根据本发明实施例的发光器件100和发光器件封装件1000增加了全反射效果，并总体上提高了光提取效率。
图7是根据本发明构思的实施例的包括发光器件的背光单元的示意性透视图。
背光单元2000可以包括导光板2040和布置在导光板2040两侧上的光源模块2010。另外，背光单元2000还可以包括在导光板2040下方的反射板2020。根据该实施例的背光单元2000可以是边缘型背光单元。根据一个实施例，光源模块2010可以仅设置在导光板2040的一侧上，或者可以另外设置在导光板2040的另一侧上。光源模块2010可以包括印刷电路板2001和安装在印刷电路板2001的顶表面上的多个光源2005。光源2005可以是根据上述发明构思的实施例的发光器件100和/或发光器件封装件1000。
图8是示出根据本发明构思的实施例的包括发光器件的直下式背光单元2100的截面图。
直下式背光单元2100可以包括光漫射板2140和光漫射板2140下方的光源模块2110。另外，直下式背光单元2100还可以包括布置在光漫射板2140下方并容纳光源模块2110的底壳2160。
光源模块2110可以包括印刷电路板2101和安装在印刷电路板2101的顶表面上的多个光源2105。每个光源2105可以是根据上述发明构思的实施例的发光器件100和/或发光器件封装件1000。
图9是示出根据本发明构思的实施例的包括发光器件的直下式背光单元的平面图。
图9示出了直下式背光单元2200中的光源2205的示例布置。光源2205可以是根据上述发明构思的实施例的发光器件100和/或发光器件封装件1000。
根据实施例的直下式背光单元2200可以包括布置在基板2201上的多个光源2205。布置光源2205的结构可以是以行和列布置的矩阵结构，并且每行和列可以具有Z字形。该结构可以是多个光源2205在直线上排列成行和列的第一矩阵布置的结构，并且与第一矩阵类型相同的第二矩阵布置在第一矩阵的内部。可以理解的是，第二矩阵的每个光源2205放置在由包括在第一矩阵中的四个相邻光源2205形成的正方形内部。例如，第一矩阵可以包括奇数行的多个光源2205，并且第二矩阵可以包括偶数行的多个光源2205。例如，光源2205可以以矩阵形式排列，其中偶数行的元件相对于奇数行的元件偏移了两个相邻元件之间的水平间隔的一半，如图9所示。在某些实施例中，第一矩阵可以包括奇数列的多个光源2205，并且第二矩阵可以包括偶数列的多个光源2205。例如，光源2205可以以矩阵形式排列，其中偶数列的元件相对于奇数列的元件偏移了两个相邻元件之间的垂直间隔的一半。
然而，为了提高直下式背光单元2200中的亮度均匀性和光效率，第一矩阵和第二矩阵可以根据需要而具有不同的布置结构和间隔。除了布置多个光源2205的方法之外，可以优化相邻光源2205之间的距离S1和S2以确保亮度均匀性。通过将各行各列光源2205布置成Z字形而不是直线，例如与对光源2205进行直线式行、列布置相比，可以将光源2205的数量减少大约15％至大约25％。
图10是用于说明根据本发明构思的实施例的包括发光器件100的背光单元2300的截面图。图11是图10中的光源模块2310的放大图。
根据本发明构思的实施例的直下型背光单元2300可以包括光学片2320以及光学片2320下面的光源模块2310。光学片2320可以包括漫射片2321、聚光片2322、保护片2323等。
光源模块2310可以包括电路板2311、安装在电路板2311上的多个光源2312以及分别布置在多个光源2312上的多个光学元件2313。光源2312可以是根据上述发明构思的实施例的发光器件100和/或发光器件封装件1000。
光学元件2313可以调节经折射的光的方向角，并且可以使用在宽区域中对光源2312的光进行漫射的光方向角透镜。例如，光学元件2313可以改变来自光源2312的光的行进方向。例如，光学元件2313可以包括使来自光源2312的光漫射和/或折射的透镜，使得光学元件2313具有宽的光分布。由于结合光学元件2313的光源2312具有更宽的光学分布，因此当光源模块2310用于背光照明、平板照明等时，对于相同的面积可以减少布置的光源2312的数量。
如图11所示，光学元件2313可以包括光源2312上的底表面2313a、来自光源2312的光入射至其上的入射面2313b以及出射表面2313c。底表面2313a可以设置有凹槽单元2313d，凹槽单元2313d在光源2312的光轴Z通过的中心处在出射表面2313c的方向上凹入。凹槽单元2313d的表面可以被定义为光源2312的光入射在其上的入射面2313b。例如，入射面2313b可以形成凹槽单元2313d的表面。
底表面2313a可以具有中心区域，其连接到入射面2313b并且部分地朝向光源2312突出，并且因此可以具有整体上非平面结构。例如，与底表面2313a的整个区域是平坦的一般结构不同，底表面2313a可以具有沿着凹槽单元2313d的周边部分地突出的结构。多个支撑构件2313f可以布置在底表面2313a上，并且当光学元件2313安装在电路板2311上时可以固定和支撑该光学元件2313。例如，多个支撑构件2313f可以设置在光学元件2313和电路板2311之间。例如，如图11所示，多个支撑构件2313f可以与底表面2313a和电路板2311接触。
出射表面2313c可以从与底表面2313a连接的边缘沿向上方向(发光方向)上以穹顶形状突出，并且可以具有因中心而包含拐点的结构，光轴Z穿过该拐点，该拐点向凹槽单元2313d凹陷。例如，出射表面2313c可以具有在中心包括凹陷部分的穹顶形状。在图11所示截面图中，穹顶的凹陷部分可以是反射点。多个不平坦部分2313e可以在从光轴Z起的边缘方向上周期性地布置在出射表面2313c上。多个不平坦部分2313e可以具有与光学元件2313的水平截面形状相对应的环形形状，并且可以基于光轴Z形成同心圆。多个不平坦部分2313e可以布置在径向散射结构中，并且同时以光轴Z为中心沿着出射表面2313c的表面形成周期性图案。例如，在微观视图中，出射表面2313c可以设置有多个半球形突起的突起图案。
多个不平坦部分2313e可以彼此间隔一定间距以形成图案。在这种情况下，多个不平坦部分2313e之间的周期可以具有在约0.01mm与约0.04mm之间的范围。多个不平坦部分2313e可以抵消由于在制造光学元件2313的过程中可能出现的微小加工误差所造成的各光学元件之间的性能差异，并且可以改善光分布的均匀性。
图12是用于说明根据本发明构思的实施例的包括发光器件的直下式背光单元2400的截面图。
直下式背光单元2400可以包括安装在电路板2401上的光源2405，并且可以包括其顶表面上的一个或多个光学片2406。光源2405可以是包含红色荧光体的白色发光器件。光源2405可以是安装在电路板2401上的模块。光源2405可以是根据上述发明构思的实施例的发光器件100和/或发光器件封装件1000。
本实施例中采用的电路板2401可以包括与主区域对应的第一平坦表面部分2401a，布置在第一平坦表面部分2401a周围并且至少部分弯曲的倾斜部分2401b以及位于倾斜部分2401b外侧的电路板2401边缘的第二平坦表面部分2401c。光源2405可以以第一间隔d1布置在第一平坦表面部分2401a上，并且一个或多个光源2405可以以第二间隔d2布置在倾斜部分2401b上。第一间隔d1可以等于第二间隔d2。倾斜部分2401b的宽度(或者横截面的长度)可以小于第一平坦表面部分2401a的宽度并且大于第二平坦表面部分2401c的宽度。例如，根据需要，至少一个光源2405可以布置在第二平坦表面部分2401c中。
可以相对第一平坦表面部分2401a在大于约0°且小于约90°的范围内适当调整倾斜部分2401b的斜度。通过采用这种结构，即使在光学片2406的边缘附近，电路板2401也可以保持均匀的亮度。
图13至图15是用于说明根据本发明构思的实施例的包括发光器件的背光单元2500、2600和2700的截面图。
波长转换器2550、2650和2750可以不在光源2505、2605和2705中，而是可以在光源2505、2605和2705的外部并且在背光单元2500、2600和2700中，并且可以转换光线。每个光源2505、2605和2705可以是根据上述发明构思的实施例的发光器件100和/或发光器件封装件1000。
图13所示的背光单元2500可以是直下式背光单元，并且包括波长转换器2550、在波长转换器2550下方的光源模块2510和容纳光源模块2510的底壳2560。例如，光源模块2510可以包括印刷电路板2501和安装在印刷电路板2501的顶表面上的多个光源2505。
背光单元2500可以包括位于底壳2560上方的波长转换器2550。例如，波长转换器2550可以转换从光源模块2510发射的光的至少一部分的波长。波长转换器2550可以用单独的膜来制造和应用，但是也可以以与光漫射板(未示出)集成的形式来设置。
图14和图15的背光单元2600和2700可以是边缘型背光单元，并且可以包括分别波长转换器2650和2750、导光板2640和2740、在导光板2640和2740一侧上的反射器2620和2720以及光源2605和2705。从光源2605和2705发射的光可以通过反射器2620和2720被引导到导光板2640和2740中。在图14的背光单元2600中，波长转换器2650可以在导光板2640和光源2605之间。在图15的背光单元2700中，波长转换器2750可以在导光板2740上。在某些实施例中，波长转换器2750可以位于导光板2740和显示面板(未示出)之间。例如，在某些实施例中，来自光源2705的光可以在光穿过导光板2740之后被转换。
波长转换器2550、2650和2750可以包括传统的荧光体。例如，可以使用量子点磷光体来补偿易受来自光源的热量或湿气影响的量子点的特性。例如，量子点磷光体可以应用于波长转换器2550、2650和2750，并且量子点磷光体可以有利于控制显示器的色谱。
图16是根据本发明构思的实施例的包括发光器件的显示设备3000的示意性透视图。
显示设备3000可以包括背光单元3100、光学片3200和诸如液晶面板的图像显示面板3300。背光单元3100可以包括在底壳3110的至少一侧上的光源模块3130、反射板3120和导光板3140。光源模块3130可以包括印刷电路板3131和光源3132。
例如，光源3132可以是安装在与发光表面相邻的一侧上的侧视型发光器件。例如，光源3132可以安装在印刷电路板3131上，用于使从光源3132发射的光入射到导光板3140的一侧。光源3132可以是根据上述发明构思的实施例的发光器件100和/或发光器件封装件1000。光学片3200可以包括诸如棱镜片和保护片的各种片材。
图像显示面板3300可以通过使用从光学片3200发出的光来显示图像。图像显示面板3300可以包括阵列基底3320、液晶层3330和彩色滤光器基底3340。阵列基底3320可以包括矩阵形式的像素电极、用于向像素电极施加驱动电压的薄膜晶体管以及用于操作薄膜晶体管的信号线。
彩色滤光器基底3340可以包括透明基底、彩色滤光器和公共电极。彩色滤光器可以包括用于选择性地透射从背光单元3100发射的白色光中的特定波长的光的滤光器。液晶层3330可以通过在像素电极和公共电极之间形成的电场来重新排列，以控制光透射率。具有调整后的光透射率的光可以穿过彩色滤光器基底3340的滤光器来显示图像。图像显示面板3300还可以包括用于处理视频信号的驱动电路单元等。
根据本实施例的显示设备3000，每个光源3132可以发射具有相对小的FWHM(半峰全宽)的蓝色光、绿色光和/或红色光，并且在发出的光已经穿过彩色滤光器基底3340之后，可以实现高色彩纯度的蓝色、绿色和红色。
图17是示意性地示出根据本发明构思的实施例的包括发光器件的平板照明设备的透视图。
平板照明设备4100可以包括光源模块4110、电源4120和外壳4030。光源模块4110可以包括作为光源的发光器件阵列。光源模块4110可以包括上述描述为光源的根据本发明构思的实施例的发光器件100和/或发光器件封装件1000。电源4120可以包括发光器件驱动器。
光源模块4110可以包括发光器件阵列，并且可以形成为整体上具有平坦度。例如，包括发光器件阵列的光源模块4110可以整体上是平坦的。发光器件阵列可以包括发光器件和用于存储发光器件的驱动信息的控制器。
电源4120可以被配置为向光源模块4110供电。壳体4130可以具有容纳空间，使得光源模块4110和电源4120容纳在其中，并且可以形成为在一侧开口的六面体形状，但是实施例不限于此。光源模块4110可以布置成向壳体4130的开口侧发光。
图18是示意性地示出根据本发明构思的实施例的包括发光器件的照明设备4200的分解透视图。
照明设备4200可以包括插座4210、电源4220、散热单元4230、光源模块4240和光学单元4250。光源模块4240可以包括发光器件阵列，并且电源4220可以包括发光器件驱动器。
插座4210可以被配置为可以用现有的照明设备替换。可以经由插座4210施加提供给照明设备4200的电力。如图18所示，电源4220可以包括可分离的第一电源单元4221和第二电源单元4222并且由可分离的第一电源单元4221和第二电源单元4222组装。散热单元4230可以包括内部散热单元4231和外部散热单元4232，并且内部散热单元4231可以直接连接到光源模块4240和/或电源4220，使得热量可以是通过其传送到外部散热单元4232。光学单元4250可以包括内部光学单元(未示出)和外部光学单元(未示出)，并且可以被配置为均匀地分布由光源模块4240发射的光。
光源模块4240可以从电源4220接收电力并将光发射到光学单元4250。光源模块4240可以包括一个或多个发光器件封装件4241、电路板4242和控制器4243，并且控制器4243可以存储发光器件封装件4241的驱动信息。发光器件封装件4241可以包括根据上述发明构思的实施例的发光器件100和/或发光器件封装件1000。
图19是示意性地示出根据本发明构思的实施例的包括发光器件的照明设备4300的分解透视图。
根据本实施例的照明设备与图18中公开的照明设备4200的不同在于，反射板4310和通信模块4320布置在光源模块4240上方。反射板4310可以通过将来自光源的光均匀地散布到其侧面和背面来减少眩光。
通信模块4320可以安装在反射板4310上，并且可以经由通信模块4320实现家庭网络通信。例如，通信模块4320可以是使用Zigbee、WiFi或LiFi的无线通信模块，并且可以经由智能电话或无线控制器来控制安装在家庭内部和/或外部的照明设备的照明操作(例如，开/关)和亮度控制。例如，LiFi通信可以通过使用安装在家庭内部和/或外部的照明设备的可见射线波长，来控制安装在家庭内部和/或外部的电子设备和车辆系统，诸如TV、冰箱、空调、门锁和汽车。反射板4310和通信模块4320可以被盖单元4330覆盖。
图20是示意性地示出根据本发明构思的实施例的包括发光器件的条形照明设备4400的分解透视图。
条形照明设备4400可以包括散热构件4401、盖子4427、光源模块4421、第一插座4405和第二插座4423。多个散热鳍片4409和4410可以以不平坦的形状形成在散热构件4401的内表面和/或外表面上，并且散热鳍片4409和4410可以被设计为具有各种形状和间隔。例如，散热鳍片4409和4410可以分别形成为从散热构件4401的内表面和外表面突出。突出的支撑基座4413可以形成在散热构件4401的内侧上。光源模块4421可以固定到支撑基座4413。锁定突起4411可以形成在散热构件4401的两端。
盖子4427可以形成有锁定槽4429，并且散热构件4401的锁定突起4411可以钩联接结构结合到锁定槽4429。锁定槽4429和锁定突起4411形成的位置可以相互交换。例如，锁定槽4429可以形成在散热构件4401的两端，并且锁定突起4411可以形成在盖子4427中。
光源模块4421可以包括发光器件阵列。光源模块4421可以包括印刷电路板4419、光源4417和控制器4415。控制器4415可以存储光源4417的驱动信息。用于操作光源4417的电路布线可以形成在印刷电路板4419上。例如，可以包括用于操作光源4417的部件。光源4417可以是根据上述发明构思的实施例的发光器件100和/或发光器件封装件1000。
作为一对插座的第一插座4405和第二插座4423可以具有这样的结构，其中，第一插座4405和第二插座4423结合到由散热构件4401和盖子4427组成的圆柱形盖单元的两端。例如，第一插座4405可以包括电极端子4403和电源4407，并且第二插座4423可以设置有虚设端子4425。例如，光学传感器和/或通信模块可以嵌入在第一插座4405和第二插座4423的任何一个插座中。例如，光学传感器和/或通信模块可以嵌入其中包括虚设端子4425的第二插座4423中。作为另一个例子，光学传感器和/或通信模块可以嵌入其中包括电极端子4403的第一插座4405中。
尽管已经参照本发明的实施例具体示出和描述了本发明构思，但将理解的是，在不脱离所附权利要求的精神和范围的情况下，可以在其中进行形式和细节上的各种改变。

Claims (20)

1.一种发光器件，包括：
衬底；
发光结构，其形成在所述衬底上；
第一透射导电层，其形成在所述发光结构上；
第一电介质图案层，其形成在所述第一透射导电层上，所述第一电介质图案层包括多个开口；
第二透射导电层，其共形地形成在通过所述多个开口暴露的第一透射导电层上和所述第一电介质图案层上；
第二电介质图案层，其填充所述多个开口；以及
反射电极层，其形成在所述第二透射导电层和所述第二电介质图案层上。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述发光结构包括n型半导体层、有源层和p型半导体层，并且所述p型半导体层的折射率大于第一电介质图案层的折射率和第二电介质图案层的折射率。
3.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一电介质图案层的厚度大于所述第二电介质图案层的厚度。
4.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一电介质图案层的截面具有上底比下底短的梯形形状，并且所述第二电介质图案层的截面具有上底比下底长的梯形形状。
5.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一电介质图案层和所述第二电介质图案层中的至少一个包括多层结构，所述多层结构包括具有彼此不同的折射率的各材料层。
6.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述反射电极层包括银或者银的合金，并且所述反射电极层的顶表面和底表面分别是平坦的。
7.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第二透射导电层的最上表面和所述第二电介质图案层的顶表面位于相同的水平高度处。
8.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第二透射导电层与所述反射电极层之间的接触面积大于所述第二透射导电层与所述第一透射导电层之间的接触面积。
9.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一透射导电层的厚度大于所述第二透射导电层的厚度。
10.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一透射导电层的厚度和所述第二透射导电层的厚度中的每一个等于或小于100nm。
11.一种发光器件封装件，包括：
衬底；
多个发光结构，所述多个发光结构形成在所述衬底上，所述发光结构中的每一个包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层；
第一透射导电层，其形成在所述第二导电半导体层上；
第一电介质图案层，其形成在所述第一透射导电层上，所述第一电介质图案层包括多个开口；
第二透射导电层，其共形地形成在通过所述多个开口暴露的第一透射导电层上和所述第一电介质图案层上；
第二电介质图案层，其填充所述多个开口；
第一电极层和第一外部连接端子，其分别电连接到所述第一导电半导体层；
第二电极层和第二外部连接端子，其分别电连接到所述第二导电半导体层，所述第二电极层形成在所述第二透射导电层上和所述第二电介质图案层上；以及
模块，其用于安装所述衬底并电连接到第一外部连接端子和所述第二外部连接端子。
12.根据权利要求11所述的发光器件封装件，其中，所述第一导电半导体层包括n型半导体，并且所述第二导电半导体层包括p型半导体。
13.根据权利要求11所述的发光器件封装件，其中，所述发光器件封装件被配置用于从所述多个发光结构发射的并且以特定角度入射在所述第一电介质图案层或所述第二电介质图案层上的光被全反射。
14.根据权利要求11所述的发光器件封装件，其中，所述第二透射导电层包括多个突起和多个凹陷。
15.根据权利要求11所述的发光器件封装件，其中，所述多个发光结构包括倒装芯片结构，其中，通过所述衬底发射经由所述第一电介质图案层、所述第二电介质图案层或所述第二电极层反射的光。
16.一种发光器件，包括：
衬底；
发光结构，其位于所述衬底上；
透射导电层，其形成在所述发光结构上并且包括内部空间；
第一电介质图案层，其陷入在所述内部空间中；
第二电介质图案层，其未陷入在所述内部空间中并且包括顶表面，所述顶表面与所述透射导电层的顶表面处于相同的水平高度处；以及
反射电极层，其位于所述透射导电层和所述第二电介质图案层上。
17.根据权利要求16所述的发光器件，其中，所述第二电介质图案层包括在平面图中以规则间隔布置的多个圆形。
18.根据权利要求16所述的发光器件，其中，所述第一电介质图案层和所述第二电介质图案层包括具有相同的折射率的材料。
19.根据权利要求16所述的发光器件，其中，所述第一电介质图案层不与所述反射电极层接触。
20.根据权利要求16所述的发光器件，其中，所述反射电极层覆盖所述透射导电层的顶表面和所述第二电介质图案层的顶表面。
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