KR102131303B1 - 발광 소자 및 발광소자 제조방법 - Google Patents

발광 소자 및 발광소자 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102131303B1
KR102131303B1 KR1020130061941A KR20130061941A KR102131303B1 KR 102131303 B1 KR102131303 B1 KR 102131303B1 KR 1020130061941 A KR1020130061941 A KR 1020130061941A KR 20130061941 A KR20130061941 A KR 20130061941A KR 102131303 B1 KR102131303 B1 KR 102131303B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
emitting device
semiconductor layer
substrate
light
Prior art date
Application number
KR1020130061941A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20140142384A (ko
Inventor
최영재
이호준
Original Assignee
엘지이노텍 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지이노텍 주식회사 filed Critical 엘지이노텍 주식회사
Priority to KR1020130061941A priority Critical patent/KR102131303B1/ko
Publication of KR20140142384A publication Critical patent/KR20140142384A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102131303B1 publication Critical patent/KR102131303B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H01L33/22—Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0016—Processes relating to electrodes

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자는 기판; 기판 상에 배치되고, 제1 반도체층, 제2 반도체층 및 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 배치되는 활성층을 포함하는 발광구조물; 및 발광구조물의 상면 또는 하면에 배치되며, 산화물을 포함하며, 표면에 곡률을 가지는 복수의 볼;을 포함한다.

Description

발광 소자 및 발광소자 제조방법 {A Light emitting device and A Fabrication method thereof}
실시예는 발광 소자 및 발광소자 제조방법에 관한 것이다.
LED(Light Emitting Diode; 발광 다이오드)는 화합물 반도체의 특성을 이용해 전기 신호를 적외선, 가시광선 또는 빛의 형태로 변환시키는 소자로, 가정용 가전제품, 리모콘, 전광판, 표시기, 각종 자동화 기기 등에 사용되고, 점차 LED의 사용 영역이 넓어지고 있는 추세이다.
보통, 소형화된 LED는 PCB(Printed Circuit Board) 기판에 직접 장착하기 위해서 표면실장소자(Surface Mount Device)형으로 만들어지고 있고, 이에 따라 표시소자로 사용되고 있는 LED 램프도 표면실장소자 형으로 개발되고 있다. 이러한 표면실장소자는 기존의 단순한 점등 램프를 대체할 수 있으며, 이것은 다양한 칼라를 내는 점등표시기용, 문자표시기 및 영상표시기 등으로 사용된다.
LED 반도체는 육방 정계의 구조를 갖는 사파이어(Sapphire)나 실리콘카바이드(SiC)등의 이종 기판에서 금속유기화학기상증착법(MOCVD) 또는 분자선 증착법(molecular beam epitaxy; MBE) 등의 공정을 통해 성장된다.
LED는 활성층에서 정공과 전자가 재결합하여 빛을 생성할 수 있다. 이 빛은 LED 내부에서 외부로 방출되지 못하고 내부에서 전반사로 인하여 열에너지로 변할 수 있다. 따라서, 빛에너지가 열에너지로 변하면서 생기는 광손실을 줄이기 위한 노력이 계속되고 있다.
사파이어(Sapphire) 기판 상에는 광추출 효율을 높이기 위하여 PSS(PSS : Patterned Sapphire SubStrate) 구조가 형성될 수 있다. 사파이어(Sapphire) 기판 상에 PSS 구조를 형성하는 경우 빛이 LED 내부에서 전반사로 인하여 손실되는 양을 최소화할 수 있다. PSS 구조 이외에도 반도체층의 상면에 요철 구조를 형성하여 광추출구조를 개선하는 노력 등이 계속되고 있다.
또한, 발광소자는 내부의 층간의 격자정수의 차이로 인하여, 성장과정에서 반도체층에 결함이 발생하여 광효율을 떨어질 수 있어, 결함 발생을 최소화하는 공정에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다.
실시예는 기판 상에 복수의 볼을 배치하여, 광추출효율이 향상된 발광소자를 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자는 기판; 기판 상에 배치되고, 제1 반도체층, 제2 반도체층 및 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 배치되는 활성층을 포함하는 발광구조물; 및 발광구조물의 상면 또는 하면에 배치되며, 산화물을 포함하며, 표면에 곡률을 가지는 복수의 볼;을 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 제조방법은, 기판을 친수화하는 단계; 기판 상에 산화물을 포함하며, 표면에 곡률을 가지는 복수의 볼을 배치하는 단계; 및 기판 상에 제1 반도체층, 제2 반도체층 및 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 배치되는 활성층을 포함하는 발광구조물을 성장시키는 단계;를 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자는 산화물을 포함하는 볼을 반도체층의 일 면에 배치하여, 발광구조물에서 발생된 빛이 굴절되어 광추출효율이 향상될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 제조방법은 발광구조물을 볼이 배치된 기판의 상면에 성장시켜, 격자정수의 차이로 발생된 결함이 발광구조물의 성장방향과 수직한 방향으로 유도되어, 발광구조물의 품질을 유지할 수 있다
본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자는 볼이 배치된 발광구조물의 일면을 식각하여, 요철을 균일한 크기로 형성하여, 광추출효율이 극대화될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 제조방법은, 기판을 친수화하여, 볼이 배치되기 유리한 환경을 조성하여, 결과적으로 결함이 최소화되어 광추출효율이 극대화된 발광구조물을 성장시킬 수 있다.
도 1 은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자의 구조를 도시한 단면도,
도 2 내지 도 4 는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 제조방법에 따른 발광소자의 형태변화를 도시한 단면도,
도 5 는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자의 발광구조물과 볼이 보이는 상면을 찍은 사진,
도 6 은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자의 발광구조물 및 볼의 형태를 도시한 일부단면도,
도 7 은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 제조방법을 도시한 순서도이다.
도 8a 는 실시예의 발광 소자를 포함한 발광소자 패키지를 나타낸 사시도,
도 8b 는 실시예의 발광 소자를 포함한 발광소자 패키지를 나타낸 단면도,
도 9a 는 실시예에 따른 발광소자 모듈을 포함하는 조명장치를 도시한 사시도,
도 9b 는 실시예에 따른 발광소자 모듈을 포함하는 조명장치를 도시한 단면도,
도 10 은 실시예에 따른 발광소자 모듈을 포함하는 백라이트 유닛을 도시한 분해 사시도, 그리고
도 11 은 실시예에 따른 발광소자 모듈을 포함하는 백라이트 유닛을 도시한 분해 사시도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 "아래(below)"또는 "아래(beneath)"로 기술된 소자는 다른 소자의 "위(above)"에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "아래"는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다. 소자는 다른 방향으로도 배향될 수 있고, 이에 따라 공간적으로 상대적인 용어들은 배향에 따라 해석될 수 있다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않은 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.
도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기와 면적은 실제크기나 면적을 전적으로 반영하는 것은 아니다.
또한, 실시예에서 발광소자의 구조를 설명하는 과정에서 언급하는 각도와 방향은 도면에 기재된 것을 기준으로 한다. 명세서에서 발광소자를 이루는 구조에 대한 설명에서, 각도에 대한 기준점과 위치관계를 명확히 언급하지 않은 경우, 관련 도면을 참조하도록 한다.
이하에서는 도면을 참조하여 실시예를 보다 상세하게 설명한다.
도 1 은 실시예에 따른 발광소자(100)의 단면을 나타낸 단면도이다.
도 1 을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자(100)는 기판(110), 기판(110) 상에 배치되고, 제1 반도체층(132), 제2 반도체층(136) 및 제1 반도체층(132)과 제2 반도체층(136) 사이에 배치되는 활성층(134)을 포함하는 발광구조물(130) 및 발광구조물(130)의 상면 또는 하면에 배치되며, 산화물을 포함하며, 표면에 곡률을 가지는 복수의 볼(140)을 포함한다.
기판(110)은 제1 반도체층(132) 하부에 배치될 수 있다. 기판(110)은 제1 반도체층(132)을 지지할 수 있다. 기판(110)은 제1 반도체층(132)에서 열을 전달받을 수 있다. 기판(110)은 광 투과적 성질을 가질 수 있다. 기판(110)은 광 투과적 물질을 사용하거나, 일정두께 이하로 형성하는 경우 광 투과적 성질을 가질 수 있으나, 이에 한정하지 아니한다. 예를 들어, 기판은 사파이어(Al2O3)로 형성될 수 있다. 기판(110)의 굴절율은 광 추출 효율을 위해 제1 반도체층(132)의 굴절율보다 작은 것이 바람직하다.
기판(110)은 실시예에 따라 반도체 물질로 형성될 수 있으며, 예를 들어, 규소(Si), 게르마늄(Ge), 비소화갈륨(GaAs), 산화아연(ZnO), 실리콘카바이드(SiC), 실리콘게르마늄(SiGe), 스피넬, InP, 질화갈륨(GaN), 또는 갈륨(Ⅲ)옥사이드(Ga2O3)와 같은 물질로 구현될 수 있다.
기판(110)은 광 추출 효율을 높이기 위해서, 상면에 PSS(Patterned Sapphire Substrate) 구조를 구비할 수 있다.
기판(110)은 발광소자(100)에서 발생하는 열의 방출을 용이하게 하여 발광소자(100)의 열적 안정성을 향상시킬 수 있다. 기판(110)은 제1 반도체층(132)과 격자상수의 차이가 존재할 수 있다. 발광소자(100)는 기판(110)과 제1 반도체층(132) 사이의 격자상수 차이를 완화시키는 버퍼층(120)을 구비할 수 있다.
버퍼층(120)은 기판(110)과 제1 반도체층(132) 사이에 배치될 수 있다. 버퍼층(120)은 질화갈륨(GaN), 질화인듐(InN), 질화알루미늄(AlN), 알루미늄인듐나이트라이드(AlInN), 인듐갈륨나이트라이드(InGaN), 알루미늄갈륨나이트라이드(AlGaN), 및 인듐알루미늄갈륨나이트라이드(InAlGaN) 중의 하나 이상의 물질로 형성될 수 있으나, 그 종류에 한정되지 아니한다. 버퍼층(120)은 기판(110) 상에 단결정으로 성장될 수 있다.
버퍼층(120)은 기판(110)과 제1 반도체층(132) 사이의 격자부정합을 완화할 수 있다. 버퍼층(120)은 상면에 제1 반도체층(132)이 용이하게 성장될 수 있도록 할 수 있다. 버퍼층(120)은 상면에 배치되는 제1 반도체층(132)의 결정성을 향상시킬 수 있다. 버퍼층(120)은 기판(110)과 제1 반도체층(132) 사이의 격자상수 차이를 완화시켜 줄 수 있는 물질로 이루어 질 수 있다.
제1 반도체층(132)은 기판(110) 상에 배치될 수 있다. 제1 반도체층(132)은 기판(110)과의 격자상수 차이를 정합시키기 위해 버퍼층(120) 상에 배치될 수 있으나, 이에 한정하지 아니한다. 제1 반도체층(132)은 기판(110) 상에서 성장될 수 있다.
발광구조물(130)은 제1 반도체층(132), 활성층(134) 및 제2 반도체층(136)을 포함할 수 있고, 제1 반도체층(132)과 제2 반도체층(136) 사이에 활성층(134)이 개재된 구성으로 이루어질 수 있다.
제1 반도체층(132)은 n형 반도체층으로 구현될 수 있으며, 상기 n형 반도체층은 예컨데, InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 GaN(Gallium nitride), AlN(Aluminium nitride), AlGaN(Aluminium gallium nitride), InGaN(Indium gallium nitride), InN(Indium nitride), InAlGaN, AlInN 등에서 선택될 수 있다. 제1 반도체층(132)은 예를 들어, 규소(Si), 게르마늄(Ge), 주석(Sn), 셀레늄(Se), 텔루늄(Te)와 같은 n형 도펀트가 도핑될 수 있다.
활성층(134)은 제1 반도체층(132) 상에 형성될 수 있다. 활성층(134)은 3족-5족 원소의 화합물 반도체 재료를 이용하여 단일 또는 다중 양자 우물 구조, 양자 선(Quantum-Wire) 구조, 또는 양자 점(Quantum Dot) 구조 등으로 형성될 수 있다.
활성층(134)이 양자우물구조로 형성된 경우 예컨데, InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 우물층과 InaAlbGa1 -a- bN (0≤a≤1, 0≤b≤1, 0≤a+b≤1)의 조성식을 갖는 장벽층을 갖는 단일 또는 양자우물구조를 갖을 수 있다. 상기 우물층은 상기 장벽층의 밴드 갭보다 작은 밴드 갭을 갖는 물질로 형성될 수 있다.
활성층(134)의 위 또는/및 아래에는 도전성 클래드층(미도시)이 형성될 수 있고, 상기 도전성 클래드층(미도시)은 AlGaN계 반도체로 형성될 수 있으며, 활성층(134)의 밴드 갭보다는 큰 밴드 갭을 가질 수 있다.
제2 반도체층(136)은 활성층(134) 상에 형성될 수 있다. 제2 반도체층(136)은 p형 도펀트가 도핑된 p형 반도체층으로 구현될 수 있다. 제2 반도체층(136)은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 GaN(Gallium nitride), AlN(Aluminium nitride), AlGaN(Aluminium gallium nitride), InGaN(Indium gallium nitride), InN(Indium nitride), InAlGaN, AlInN 등에서 선택될 수 있으며 마그네슘(Mg), 아연(Zn), 칼슘(Ca), 스트론튬(Sr), 바륨(Ba) 등의 p형 도펀트가 도핑될 수 있다.
제1 반도체층(132), 활성층(134) 및 제2 반도체층(136)은 예를 들어, 유기금속 화학 증착법(MOCVD; Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 화학 증착법(CVD; Chemical Vapor Deposition), 플라즈마 화학 증착법(PECVD; Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition), 분자선 성장법(MBE; Molecular Beam Epitaxy), 수소화물 기상 성장법(HVPE; Hydride Vapor Phase Epitaxy) 등의 방법을 이용하여 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
발광구조물(130)은 제1 반도체층(132) 및 제2 반도체층(136) 내의 도전형 도펀트의 도핑 농도가 균일 또는 불균일하게 형성될 수 있으나, 이에 한정하지 아니한다. 발광구조물(130)의 층간구조는 다양하게 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지 아니한다.
발광구조물(130)과 기판(110) 사이에는 복수의 볼(140)이 배치될 수 있다. 볼(140)은 산화물을 포함할 수 있다. 예를 들어, 복수의 볼(140)은 산화실리콘(SiO2) 볼, 사파이어(Al2O3) 볼, 산화타이타늄(TiO2)볼, 산화지르코늄(ZrO2) 볼, Y2O3-ZrO2 볼, 산화구리(CuO, Cu2O) 볼, 산화탄탈륨(Ta2O5) 볼, PZT(Pb(Zr,Ti)O3)볼, Nb2O5 볼, FeSO4 볼, Fe3O4 볼, Fe2O3 볼, Na2SO4 볼 또는 GeO2 볼 중 적어도 어느 하나일 수 있다.
볼(140)은 표면에 곡률을 가질 수 있다. 볼(140)은 예를 들어, 구와 유사한 형상일 수 있으나, 실시예에 따라서, 단면이 타원형태일 수 있다.
도 2 내지 도 4 는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 제조방법에 따른 발광소자의 형태변화를 도시한 단면도이다.
도 2 를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자는 발광구조물(130)의 기판(110)이 배치된 면의 반대쪽 면에 전극부(150)가 배치될 수 있다.
전극부(150)는 제2 반도체층(136)과 연결될 수 있다. 전극부(150)는 전도성 물질, 예를 들어 In, Co, Si, Ge, Au, Pd, Pt, Ru, Re, Mg, Zn, Hf, Ta, Rh, Ir, W, Ti, Ag, Cr, Mo, Nb, Al, Ni, Cu, 및 WTi 중에서 선택된 금속을 포함할 수 있으며, 또는 이들의 합금을 포함할 수 있고, 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며 이에 한정하지 아니한다.
전극부(150)의 하부에는 지지기판(미도시)이 배치될 수 있다. 지지기판(미도시)은 실시예에 따라 전도성 물질로 형성될 수 있다. 지지기판(미도시)은 실시예에 따라서 금속으로 형성될 수 있으며, 예를 들어 금(Au), 니켈(Ni), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 탄탈륨(Ta), 은(Ag), 백금(Pt), 크롬(Cr)중에서 선택된 어느 하나로 형성하거나 둘 이상의 합금으로 형성할 수 있으며, 위 물질 중 둘 이상의 물질을 적층하여 형성할 수 있다. 지지기판(미도시)이 금속으로 형성된 경우 발광 소자에서 발생하는 열의 방출을 용이하게 하여 발광 소자의 열적 안정성을 향상시킬 수 있다.
발광소자(100)는 기판(110) 및 버퍼층(120)이 제거될 수 있다. 기판(110) 및 버퍼층(120)은 발광구조물(130)로부터 분리될 수 있다.
도 3 을 참조하면, 일 실시예의 발광소자는 발광구조물(130)의 일면이 식각될 수 있다.
예를 들어, 볼(140)이 배치된 발광구조물(130)의 일면은 식각될 수 있다.
상기 식각하는 공정은 식각 이방성이 양호한 건식 식각일 수 있으나, 이에 한정하지 아니한다. 예를 들어, 상기 식각하는 공정은 반응성 이온 식각(Reactive Ion Etching; RIE)이나, ICP(Inductively Coupled Plasma) 또는 TCP(Transformer Coupled Plasma)등의 플라즈마 식각일 수 있다. 식각 가스는 식각 대상인 발광구조물(130)을 이루는 물질에 따라 달라질 수 있으나, 그 종류에 한정하지 아니한다.
예를 들어, 발광구조물(130)이 갈륨나이트라이드(GaN)로 이루어진 경우, 식각 가스는 BCl3나 Cl2 등이 이용될 수 있다. 식각 시간이나 공정 압력, 온도 등의 공정 조건은 구체적인 식각 방법과 식각 깊이 즉, 형성하고자 하는 돌출부(138)의 높이에 따라 식각 속도를 고려하여 정하면 된다.
발광구조물(130)은 볼(140)이 배치된 면이 식각되어 돌출부(138)가 형성될 수 있다. 볼(140)은 식각에 강한 물질로 형성되어, 볼(140)의 하부에 위치한 발광구조물(130)은 식각되지 않고, 볼(140)이 배치되지 않은 발광구조물(130)의 상면이 식각되어, 돌출부(138)가 형성될 수 있다.
도 4 를 참조하면, 돌출부(138)는 측면이 기울기를 가질 수 있다. 돌출부(138)는 측면이 기울기를 가져, 발광구조물(130)에서 발생된 빛이 전반사되어 외부로 방출되지 못하는 문제를 최소화하여, 발광소자의 광 추출효율을 높일 수 있다.
도 5 는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자의 발광구조물과 볼이 보이는 상면을 찍은 사진이다. 도 5 를 참조하면, 볼(140)이 배치된 부분과 배치되지 않아 식각된 발광구조물의 상면(130)을 확인할 수 있다.
도 6 은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자의 발광구조물 및 볼의 형태를 도시한 일부단면도이다.
도 6 을 참조하면, 일 실시예의 발광소자의 돌출부(138) 상에 배치되는 볼(140)의 형태를 확인할 수 있다.
볼(140)은 발광구조물(130)의 상면과 평행하는 방향의 직경(b)과 높이(a)가 서로 다를 수 있다. 예를 들어, 볼(140)은 발광구조물(130)의 상면과 평행하는 방향의 직경(b)보다 높이(a)가 더 길 수 있다.
볼(140)의 직경(b)은 300nm 내지 2㎛ 일 수 있다. 볼(140)의 직경이 300nm 미만인 경우, 기판(110)과 발광구조물(130)의 격자정수 차이로 인하여 발생하는 결함을 차단하는 효과가 미미해지고, 2㎛ 초과인 경우에는 기판(110) 상에 발광구조물(130)이 성장할 공간이 너무 줄어들어, 발광구조물(130)의 품질을 떨어트릴 수 있다.
도 7 은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 제조방법을 도시한 순서도이다.
도 7 을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 제조방법은, 기판을 친수화하는 단계(S410), 기판 상에 산화물을 포함하며, 표면에 곡률을 가지는 복수의 볼을 배치하는 단계(S420) 및 기판 상에 제1 반도체층, 제2 반도체층 및 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 배치되는 활성층을 포함하는 발광구조물을 성장시키는 단계(S430)를 포함한다.
기판을 친수화하는 단계(S410)는 볼이 기판 상에 잘 안착하도록 기판을 친수화할 수 있다. 예를 들어, 기판을 친수화하는 단계(S410)는, 기판 상에 고온 순수로 린스하면서, 세척용기에 오존을 주입하여, 기판 표면에 얇고 균일한 박막을 형성할 수 있다.
볼을 형성하기 위하여, TEOS(tetraethyl orthosilicate)를 무수 에탄올에 녹여 제1 용액을 만든다. 암모니아 에탄올 용액과 탈이온화된(deionized)물과 에탄올을 섞어 제2 용액을 제조한다. 암모니아는 구형 볼을 만들기 위한 촉매제로 작용한다.
제1 용액과 제2 용액을 섞은 후, 적당한 온도에서 적당한 시간 동안 교반하면 구형의 볼이 제조될 수 있다. 이렇게 하여 얻어진, 볼이 포함된 용액을 원심분리하여, 볼을 분리할 수 있다. 볼은 에탄올로 씻어주고, 에탄올 용액에 재분산시켜 슬러리(slurry)와 유사한 형태의 볼이 분산된 용액을 얻을 수 있다. 볼은 제조 조건, 즉 반응 시간, 온도, 반응 물질의 양에 따라 그 크기가 다양할 수 있다.
기판 상에 산화물을 포함하며, 표면에 곡률을 가지는 복수의 볼을 배치하는 단계(S420)는 상기 볼을 포함하는 용액을 기판 상에 도포하여, 기판 상에 볼이 배치되도록 할 수 있다.
기판 상에 제1 반도체층, 제2 반도체층 및 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 배치되는 활성층을 포함하는 발광구조물을 성장시키는 단계(S430)는, 복수의 볼이 배치된 기판의 상면에 발광구조물을 성장시킬 수 있다.
기판 상면으로부터 성장된 발광구조물은 기판의 상면과 평행하는 방향으로 결함이 생성되는 경로를 유도할 수 있다. 예를 들어, 발광구조물은 기판의 상면 중 볼이 배치되지 않은 부분에서부터 성장이 시작되어, 볼의 측면을 감싸도록 성장되고, 결과적으로 볼을 덮을 수 있다.
일 실시예의 발광소자 제조방법은 발광구조물의 일면에 전극부를 본딩하는 단계(S440), 기판을 제거하는 단계(S450) 및 제거된 기판과 대향하던 발광구조물의 일면을 식각하는 단계(S460)를 더 포함할 수 있다.
상기 식각하는 단계(S460)는, 발광구조물의 일면에, 상부에 상기 볼이 배치되는 돌출부를 형성할 수 있다. 상기 식각하는 단계(S460)는 돌출부의 측면이 기울기를 갖도록 식각을 할 수 있다.
도 8a는 실시예에 따른 발광소자를 포함한 발광소자 패키지를 나타낸 사시도이며, 도 8b는 실시예에 따른 발광소자를 포함한 발광소자 패키지의 단면을 도시한 단면도이다.
도 8a 및 도 8b 를 참조하면, 실시예에 따른 발광소자 패키지(300)는 캐비티가 형성된 몸체(310), 몸체(310)에 실장된 제1 및 제2 전극(340, 350) 제1 및 제2 전극과 전기적으로 연결되는 발광소자(320) 및 캐비티에 형성되는 봉지재(330)를 포함할 수 있고, 봉지재(330)는 형광체(미도시)를 포함할 수 있다.
몸체(310)는 폴리프탈아미드(PPA:Polyphthalamide)와 같은 수지 재질, 실리콘(Si), 알루미늄(Al), 알루미늄 나이트라이드(AlN), 액정폴리머(PSG, photo sensitive glass), 폴리아미드9T(PA9T), 신지오택틱폴리스티렌(SPS), 금속 재질, 사파이어(Al2O3), 베릴륨 옥사이드(BeO), 인쇄회로기판(PCB, Printed Circuit Board), 세라믹 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 몸체(310)는 사출 성형, 에칭 공정 등에 의해 형성될 수 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다.
몸체(310)의 내측면은 경사면이 형성될 수 있다. 이러한 경사면의 각도에 따라 발광소자(320)에서 방출되는 광의 반사각이 달라질 수 있으며, 이에 따라 외부로 방출되는 광의 지향각을 조절할 수 있다.
몸체(310)에 형성되는 캐비티를 위에서 바라본 형상은 원형, 사각형, 다각형, 타원형 등의 형상일 수 있으며, 특히 모서리가 곡선인 형상일 수도 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
봉지재(330)는 캐비티에 충진될 수 있으며, 형광체(미도시)를 포함할 수 있다. 봉지재(330)는 투명한 실리콘, 에폭시, 및 기타 수지 재질로 형성될 수 있으며, 캐비티 내에 충진한 후, 이를 자외선 또는 열 경화하는 방식으로 형성될 수 있다.
형광체(미도시)는 발광소자(320)에서 방출되는 광의 파장에 따라 종류가 선택되어 발광소자 패키지(300)가 백색광을 구현하도록 할 수 있다.
봉지재(330)에 포함되어 있는 형광체(미도시)는 발광소자(320)에서 방출되는 광의 파장에 따라 청색 발광 형광체, 청록색 발광 형광체, 녹색 발광 형광체, 황녹색 발광 형광체, 황색 발광 형광체, 황적색 발광 형광체, 오렌지색 발광 형광체, 및 적색 발광 형광체중 하나가 적용될 수 있다.
즉, 형광체(미도시)는 발광소자(320)에서 방출되는 제1 빛을 가지는 광에 의해 여기 되어 제2 빛을 생성할 수 있다. 예를 들어, 발광소자(320)가 청색 발광 다이오드이고 형광체(미도시)가 황색 형광체인 경우, 황색 형광체는 청색 빛에 의해 여기되어 황색 빛을 방출할 수 있으며, 청색 발광 다이오드에서 발생한 청색 빛 및 청색 빛에 의해 여기 되어 발생한 황색 빛이 혼색됨에 따라 발광소자 패키지(300)는 백색 빛을 제공할 수 있다.
이와 유사하게, 발광소자(320)가 녹색 발광 다이오드인 경우는 magenta 형광체 또는 청색과 적색의 형광체(미도시)를 혼용하는 경우, 발광소자(320)가 적색 발광 다이오드인 경우는 Cyan형광체 또는 청색과 녹색 형광체를 혼용하는 경우를 예로 들 수 있다.
이러한 형광체(미도시)는 YAG계, TAG계, 황화물계, 실리케이트계, 알루미네이트계, 질화물계, 카바이드계, 니트리도실리케이트계, 붕산염계, 불화물계, 인산염계 등의 공지된 것일 수 있다.
한편, 몸체(310)에는 제1 전극(340) 및 제2 전극(350)이 실장될 수 있다. 제1 전극(340) 및 제2 전극(350)은 발광소자(320)와 전기적으로 연결되어 발광소자(320)에 전원을 공급할 수 있다.
제1 전극(340) 및 제2 전극(350)은 서로 전기적으로 분리되며, 발광소자(320)에서 발생된 빛을 반사시켜 광 효율을 증가시킬 수 있고, 또한 발광소자(320)에서 발생된 열을 외부로 배출시킬 수 있다.
도 8b 에는 발광소자(320)가 제1 전극(350) 상에 실장되었으나, 이에 한정되지 않으며, 발광소자(320)와 제1 전극(340) 및 제2 전극(350)은 와이어 본딩(wire bonding) 방식, 플립 칩(flip chip) 방식 또는 다이 본딩 방식 중 어느 하나에 의해 전기적으로 연결될 수도 있다.
이러한 제1 전극(340) 및 제2 전극(350)은 금속 재질, 예를 들어, 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P), 알루미늄(Al), 인듐(In), 팔라듐(Pd), 코발트(Co), 실리콘(Si), 게르마늄(Ge), 하프늄(Hf), 루테늄(Ru), 철(Fe) 중에서 하나 이상의 물질 또는 합금을 포함할 수 있다. 또한, 제1 전극(340) 및 제2 전극(350)은 단층 또는 다층 구조를 가지도록 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
발광소자(320)는 제1 전극(340) 상에 실장되며, 예를 들어, 적색, 녹색, 청색, 백색 등의 빛을 방출하는 발광소자 또는 자외선을 방출하는 UV(Ultra Violet) 발광소자일 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다. 또한, 발광소자(320)는 한 개 이상 실장될 수 있다.
또한, 발광소자(320)는 그 전기 단자들이 모두 상부 면에 형성된 수평형 타입(Horizontal type)이거나, 또는 상, 하부 면에 형성된 수직형 타입(Vertical type), 또는 플립 칩(flip chip) 모두에 적용 가능하다.
한편, 발광소자(320)는 발광소자 일면에 복수의 볼을 배치하여, 광추출효율이 향상될 수 있고, 발광소자(320) 및 발광소자 패키지(300)의 발광 효율이 개선될 수 있다.
실시예에 따른 발광소자 패키지(300)는 복수개가 기판 상에 어레이되며, 발광소자 패키지(300)의 광 경로 상에 광학 부재인 도광판, 프리즘 시트, 확산 시트 등이 배치될 수 있다.
이러한 발광소자 패키지(300), 기판, 광학 부재는 라이트 유닛으로 기능할 수 있다. 또 다른 실시 예는 상술한 실시 예들에 기재된 발광소자(100) 또는 발광소자 패키지(300)를 포함하는 표시 장치, 지시 장치, 조명 시스템으로 구현될 수 있으며, 예를 들어, 조명 시스템은 램프, 가로등을 포함할 수 있다.
도 9a는 실시예에 따른 발광소자를 포함하는 조명 시스템을 도시한 사시도이며, 도 9b는 도 9a의 조명 시스템의 D-D' 단면을 도시한 단면도이다.
즉, 도 9b 는 도 9a의 조명 시스템(400)을 길이방향(Z)과 높이방향(X)의 면으로 자르고, 수평방향(Y)으로 바라본 단면도이다.
도 9a 및 도 9b를 참조하면, 조명 시스템(400)은 몸체(410), 몸체(410)와 체결되는 커버(430) 및 몸체(410)의 양단에 위치하는 마감캡(450)을 포함할 수 있다.
몸체(410)의 하부면에는 발광소자 모듈(440)이 체결되며, 몸체(410)는 발광소자 패키지(444)에서 발생한 열이 몸체(410)의 상부면을 통해 외부로 방출할 수 있도록 전도성 및 열발산 효과가 우수한 금속재질로 형성될 수 있고, 이에 한정하지 아니한다.
발광소자 패키지(444)는 기판(442) 상에 다색, 다열로 실장되어 모듈을 이룰 수 있으며, 동일한 간격으로 실장되거나 또는 필요에 따라서 다양한 이격 거리를 가지고 실장될 수 있어 밝기 등을 조절할 수 있다. 이러한 기판(442)으로 MCPCB(Metal Core PCB) 또는 FR4 재질의 PCB 를 사용할 수 있다.
커버(430)는 몸체(410)의 하부면을 감싸도록 원형의 형태로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않음은 물론이다.
커버(430)는 내부의 발광소자 모듈(440)을 외부의 이물질 등으로부터 보호한다. 또한, 커버(430)는 발광소자 패키지(444)에서 발생한 광의 눈부심을 방지하고, 외부로 광을 균일하게 방출할 수 있도록 확산입자를 포함할 수 있으며, 또한 커버(430)의 내면 및 외면 중 적어도 어느 한 면에는 프리즘 패턴 등이 형성될 수 있다. 또한 커버(430)의 내면 및 외면 중 적어도 어느 한 면에는 형광체가 도포될 수도 있다.
한편, 발광소자 패키지(444)에서 발생하는 광은 커버(430)를 통해 외부로 방출되므로, 커버(430)는 광투과율이 우수하여야 하며, 발광소자 패키지(444)에서 발생하는 열에 견딜 수 있도록 충분한 내열성을 구비할 수 있다. 커버(430)는 폴리에틸렌 테레프탈레이트(Polyethylen?Terephthalate;?PET), 리카보네이트(Polycarbonate;?PC), 또는 폴리메틸 메타크릴레이트(Polymethyl Methacrylate; PMMA) 등을 포함하는 재질로 형성되는 것이 바람직하다.
마감캡(450)은 몸체(410)의 양단에 위치하며 전원장치(미도시)를 밀폐하는 용도로 사용될 수 있다. 또한 마감캡(450)에는 전원 핀(452)이 형성되어 있어, 실시예에 따른 조명 시스템(400)은 기존의 형광등을 제거한 단자에 별도의 장치 없이 곧바로 사용할 수 있게 된다.
도 10 은 실시예에 따른 발광소자를 포함하는 액정 표시 장치의 분해 사시도이다.
도 10 은 에지-라이트 방식으로, 액정 표시 장치(500)는 액정표시패널(510)과 액정표시패널(510)로 빛을 제공하기 위한 백라이트 유닛(570)을 포함할 수 있다.
액정표시패널(510)은 백라이트 유닛(570)으로부터 제공되는 광을 이용하여 화상을 표시할 수 있다. 액정표시패널(510)은 액정을 사이에 두고 서로 대향하는 컬러 필터 기판(512) 및 박막 트랜지스터 기판(514)을 포함할 수 있다.
컬러 필터 기판(512)은 액정표시패널(510)을 통해 디스플레이되는 화상의 색을 구현할 수 있다.
박막 트랜지스터 기판(514)은 구동 필름(517)을 통해 다수의 회로부품이 실장되는 인쇄회로기판(518)과 전기적으로 접속되어 있다. 박막 트랜지스터 기판(514)은 인쇄회로기판(518)으로부터 제공되는 구동 신호에 응답하여 인쇄회로기판(518)으로부터 제공되는 구동 전압을 액정에 인가할 수 있다.
박막 트랜지스터 기판(514)은 유리나 플라스틱 등과 같은 투명한 재질의 다른 기판상에 박막으로 형성된 박막 트랜지스터 및 화소 전극을 포함할 수 있다.
백라이트 유닛(570)은 빛을 출력하는 발광소자 모듈(520), 발광소자 모듈(520)로부터 제공되는 빛을 면광원 형태로 변경시켜 액정표시패널(510)로 제공하는 도광판(530), 도광판(530)으로부터 제공된 빛의 휘도 분포를 균일하게 하고 수직 입사성을 향상시키는 다수의 필름(552, 566, 564) 및 도광판(530)의 후방으로 방출되는 빛을 도광판(530)으로 반사시키는 반사 시트(540)로 구성된다.
발광소자 모듈(520)은 복수의 발광소자 패키지(524)와 복수의 발광소자 패키지(524)가 실장되어 모듈을 이룰 수 있도록 PCB기판(522)을 포함할 수 있다.
특히, 발광소자 패키지(524)는 발광소자(미도시)를 포함하며, 발광소자(미도시)는 기판(미도시)의 상면에 돌출부(미도시)와 함몰부(미도시)가 형성되고 함몰부(미도시)에 금속 입자(미도시)를 배치하며 빛의 반사효과와 표면 플라즈몬 공명의 효과로 인하여 광추출효율이 향상될 수 있고, 발광소자 패키지(524) 및 백라이트 유닛(570)의 발광 효율이 개선될 수 있다.
한편, 백라이트유닛(570)은 도광판(530)으로부터 입사되는 빛을 액정 표시 패널(510) 방향으로 확산시키는 확산필름(566)과, 확산된 빛을 집광하여 수직 입사성을 향상시키는 프리즘필름(550)으로 구성될 수 있으며, 프리즘필름(550)를 보호하기 위한 보호필름(564)을 포함할 수 있다.
도 11 은 실시예에 따른 발광소자를 포함하는 액정 표시 장치의 분해 사시도이다. 다만, 도 10 에서 도시하고 설명한 부분에 대해서는 반복하여 상세히 설명하지 않는다.
도 11 은 직하 방식으로, 액정 표시 장치(600)는 액정표시패널(610)과 액정표시패널(610)로 빛을 제공하기 위한 백라이트 유닛(670)을 포함할 수 있다.
액정표시패널(610)은 도 10 에서 설명한 바와 동일하므로, 상세한 설명은 생략한다.
백라이트 유닛(670)은 복수의 발광소자 모듈(623), 반사시트(624), 발광소자 모듈(623)과 반사시트(624)가 수납되는 하부 섀시(630), 발광소자 모듈(623)의 상부에 배치되는 확산판(640) 및 다수의 광학필름(660)을 포함할 수 있다.
발광소자 모듈(623) 복수의 발광소자 패키지(622)와 복수의 발광소자 패키지(622)가 실장되어 모듈을 이룰 수 있도록 PCB기판(621)을 포함할 수 있다.
반사 시트(624)는 발광소자 패키지(622)에서 발생한 빛을 액정표시패널(610)이 위치한 방향으로 반사시켜 빛의 이용 효율을 향상시킨다.
한편, 발광소자 모듈(623)에서 발생한 빛은 확산판(640)에 입사하며, 확산판(640)의 상부에는 광학 필름(660)이 배치된다. 광학 필름(660)은 확산 필름(666), 프리즘필름(650) 및 보호필름(664)를 포함하여 구성된다.
실시예에 따른 발광소자는 상기한 바와 같이 설명된 실시예들의 구성과 방법이 한정되게 적용될 수 있는 것이 아니라, 상기 실시예들은 다양한 변형이 이루어질 수 있도록 각 실시예들의 전부 또는 일부가 선택적으로 조합되어 구성될 수도 있다.
이상에서는 바람직한 실시예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특정의 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형실시들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어져서는 안될 것이다
110: 기판
120: 버퍼층
130: 발광구조물
132: 제1 반도체층
134: 활성층
136: 제2 반도체층
140: 볼

Claims (13)

  1. 전극부;
    상기 전극부 상에 배치되고, 제2 반도체층, 상기 제2 반도체층 상에 배치되는 활성층, 상기 활성층 상에 배치되는 제1 반도체층을 포함하는 발광구조물; 및
    상기 제1 반도체층의 상면에 배치되고, 제1곡률을 갖는 복수의 산화물을 포함하며,
    상기 제1 반도체층은 상면에 적어도 하나의 돌출부를 포함하고,
    상기 돌출부는 상면에 제2곡률을 갖는 오목한 리세스를 포함하고,
    상기 돌출부의 리세스 상에 상기 산화물이 배치되며,
    상기 산화물의 제1곡률과 상기 리세스의 제2곡률은 서로 대응되고,
    상기 돌출부는 상기 산화물에서 상기 전극부를 향할수록 너비가 넓어지는 발광소자.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 돌출부는 측면이 기울기를 갖는 발광소자.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 산화물은 직경이 300nm 내지 2㎛ 인 발광소자.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 산화물은 상기 발광구조물의 상면과 평행하는 방향의 직경과 높이가 서로 다른 발광소자.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 산화물은 상기 발광구조물의 상면과 평행하는 방향의 직경보다 높이가 더 긴 발광소자.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 산화물은 산화실리콘(SiO2) 볼, 사파이어(Al2O3) 볼, 산화타이타늄(TiO2)볼, 산화지르코늄(ZrO2) 볼, Y2O3-ZrO2 볼, 산화구리(CuO, Cu2O) 볼, 산화탄탈륨(Ta2O5) 볼, PZT(Pb(Zr,Ti)O3)볼, Nb2O5 볼, FeSO4 볼, Fe3O4 볼, Fe2O3 볼, Na2SO4 볼 또는 GeO2 볼 중 적어도 어느 하나인 발광소자.
  8. 삭제
  9. 기판을 친수화하는 단계;
    상기 기판 상에 산화물을 포함하며, 표면에 곡률을 가지는 복수의 볼을 배치하는 단계;
    상기 기판 상에 제1 반도체층, 제2 반도체층 및 상기 제1 반도체층과 상기 제2 반도체층 사이에 배치되는 활성층을 포함하는 발광구조물을 성장시키는 단계;
    상기 기판을 제거하는 단계; 및
    상기 제거된 기판과 대향하던 상기 발광구조물의 일면을 식각하는 단계;를 포함하는 발광소자 제조방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 발광구조물의 일면에 전극부를 본딩하는 단계;를 더 포함하는 발광소자 제조방법.
  11. 삭제
  12. 제9항에 있어서,
    상기 식각하는 단계는,
    상기 발광구조물의 일면에, 상부에 상기 볼이 배치되는 돌출부를 형성하는 발광소자 제조방법.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 식각하는 단계는,
    상기 돌출부의 측면이 기울기를 갖도록 식각을 하는 발광소자 제조방법.
KR1020130061941A 2013-05-30 2013-05-30 발광 소자 및 발광소자 제조방법 KR102131303B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130061941A KR102131303B1 (ko) 2013-05-30 2013-05-30 발광 소자 및 발광소자 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130061941A KR102131303B1 (ko) 2013-05-30 2013-05-30 발광 소자 및 발광소자 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140142384A KR20140142384A (ko) 2014-12-12
KR102131303B1 true KR102131303B1 (ko) 2020-07-07

Family

ID=52459872

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020130061941A KR102131303B1 (ko) 2013-05-30 2013-05-30 발광 소자 및 발광소자 제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102131303B1 (ko)

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101747726B1 (ko) * 2010-12-08 2017-06-19 엘지디스플레이 주식회사 반도체 성장용 기판, 반도체 성장용 기판의 제조방법, 반도체 성장용 기판을 이용한 발광소자 및 발광소자의 제조방법
KR20130007368A (ko) * 2011-07-01 2013-01-18 엘지디스플레이 주식회사 발광다이오드 칩 및 그의 제조방법과, 발광다이오드 칩을 포함하는 액정표시장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR20140142384A (ko) 2014-12-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9224926B2 (en) Light-emitting device and lighting system
US8759853B2 (en) Light emitting device
KR101907619B1 (ko) 발광 소자
KR20130140417A (ko) 발광 소자 및 그 제조방법
KR101710892B1 (ko) 발광소자
KR20140096652A (ko) 발광 소자
KR101860318B1 (ko) 발광 소자
KR102131303B1 (ko) 발광 소자 및 발광소자 제조방법
KR101986720B1 (ko) 발광 소자 및 그를 포함하는 발광소자 패키지
KR20140124063A (ko) 발광 소자
KR101913712B1 (ko) 발광 소자
KR20140090282A (ko) 발광소자
KR20130040009A (ko) 발광소자 패키지
KR20140097603A (ko) 발광 소자 및 그를 포함하는 발광소자 패키지
KR101883342B1 (ko) 발광소자 패키지
KR20130025452A (ko) 발광 소자
KR20120044036A (ko) 발광소자
KR20140097605A (ko) 발광 소자 및 그를 포함하는 발광소자 패키지
KR102187480B1 (ko) 발광 소자 및 발광소자 제조방법
KR20140096654A (ko) 발광 소자 및 그를 포함하는 발광소자 패키지
KR20140115655A (ko) 발광 소자
KR20140096653A (ko) 발광 소자 및 그를 포함하는 발광소자 패키지
KR20140092957A (ko) 발광 소자 및 그를 포함하는 발광소자 패키지
KR102098132B1 (ko) 발광소자 패키지
KR102008304B1 (ko) 발광 소자 및 그를 포함하는 발광소자 패키지

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant