TW202109867A - 微型發光元件顯示裝置及其製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 37
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 146
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 19
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 15
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 5
- 230000035515 penetration Effects 0.000 claims description 5
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 12
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 aluminum tin oxide Chemical compound 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- JVPLOXQKFGYFMN-UHFFFAOYSA-N gold tin Chemical compound [Sn].[Au] JVPLOXQKFGYFMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
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- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
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- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
- H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0095—Post-treatment of devices, e.g. annealing, recrystallisation or short-circuit elimination
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
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- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0058—Processes relating to semiconductor body packages relating to optical field-shaping elements
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- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
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- H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
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Abstract
一種微型發光元件顯示裝置包括線路基板、多個磊晶結構、多個接墊以及多個遮光圖案。多個磊晶結構彼此分散配置於線路基板上。多個接墊配置於多個磊晶結構與線路基板之間。多個磊晶結構分別透過多個接墊電性連接至線路基板。多個遮光圖案與多個接墊交替排列於線路基板上，且各遮光圖案連接於兩相鄰的接墊之間並適於阻擋150nm~400nm波長的光穿透。一種微型發光元件顯示裝置的製造方法亦被提出。
Description
本發明是有關於一種顯示裝置及其製造方法，且特別是有關於一種微型發光元件顯示裝置及其製造方法。
近年來，在有機發光二極體（Organic light-emitting diode，OLED）顯示面板的製造成本偏高及其使用壽命無法與現行的主流顯示器相抗衡的情況下，微型發光二極體顯示裝置（Micro LED Display）逐漸吸引各科技大廠的投資目光。除了低耗能及材料使用壽命長的優勢外，微型發光二極體顯示裝置還具有優異的光學表現，例如高色彩飽和度、應答速度快及高對比。
目前，在微型發光元件顯示裝置的製造流程中，巨量轉移（mass transfer）技術扮演著相當重要的角色，其透過轉移頭（transfer head）將預先製作完成並存放在暫時性基板上的微型發光元件轉移至應用端（例如顯示裝置）的線路基板上。然而，以目前巨量轉移技術的轉移精度而言，將其應用於超高解析度（Ultra High Definition，UHD）顯示裝置的生產仍有良率的問題。即使不採用巨量轉移的技術而直接在顯示裝置的線路基板上進行磊晶結構的製作，所形成的微型發光元件仍存有發光效率的問題。因此，如何在兼顧顯示性能（例如發光效率與超高解析度）的前提下，提升微型發光元件顯示裝置的生產良率是相關廠商所面臨的重要課題。
本發明提供一種具有較佳顯示品質的微型發光元件顯示裝置。
本發明提供一種微型發光元件顯示裝置的製造方法，其生產良率高。
本發明的微型發光元件顯示裝置，包括線路基板、多個磊晶結構、多個接墊以及多個遮光圖案。多個磊晶結構彼此分散配置於線路基板上。多個接墊配置於多個磊晶結構與線路基板之間。多個磊晶結構分別透過多個接墊電性連接至線路基板。多個遮光圖案與多個接墊交替排列於線路基板上，且各遮光圖案連接於兩相鄰的接墊之間並可阻擋150nm~400nm波長的光穿透。
在本發明的一實施例中，上述的微型發光元件顯示裝置的線路基板具有表面，各接墊的第一表面距離線路基板的表面具有第一高度，各遮光圖案的第二表面距離線路基板的表面具有第二高度，且第二高度小於等於第一高度。
在本發明的一實施例中，上述的微型發光元件顯示裝置的各接墊包括第一子接墊與第二子接墊，第一子接墊與其中一磊晶結構連接，且第二子接墊連接於第一子接墊與線路基板之間。第一子接墊在一方向上具有第一長度，第二子接墊在此方向上具有第二長度，且第一長度等於或小於第二長度。
在本發明的一實施例中，上述的微型發光元件顯示裝置的遮光圖案的楊氏模量介於2.9GPa至3.6GPa。
在本發明的一實施例中，上述的微型發光元件顯示裝置的多個遮光圖案彼此連接並圍繞多個接墊。
在本發明的一實施例中，上述的微型發光元件顯示裝置的多個遮光圖案不重疊於多個接墊。
在本發明的一實施例中，上述的微型發光元件顯示裝置更包括平坦層以及導店層。平坦層設置於多個磊晶結構之間。平坦層覆蓋各磊晶結構的周圍表面。導電層覆蓋多個磊晶結構與平坦層，並電性連接這些磊晶結構。
在本發明的一實施例中，上述的微型發光元件顯示裝置更包括反射層，設置於多個磊晶結構之間。反射層覆蓋各磊晶結構的周圍表面。
在本發明的一實施例中，上述的微型發光元件顯示裝置的磊晶結構包括第一型半導體層、發光層以及第二型半導體層。第一型半導體層電性連接對應的接墊。發光層設置於第一型半導體層上。第二型半導體層設置於發光層上。反射層覆蓋第一型半導體層的周圍、發光層的周圍與至少部分的第二型半導體層的周圍。
在本發明的一實施例中，上述的微型發光元件顯示裝置的反射層在線路基板的法線方向上具有第一厚度，發光層與第一型半導體層在線路基板的法線方向上具有第二厚度，且第一厚度大於第二厚度。
在本發明的一實施例中，上述的微型發光元件顯示裝置更包括吸光層，設置於多個磊晶結構之間。反射層位於多個遮光圖案與吸光層之間。
在本發明的一實施例中，上述的微型發光元件顯示裝置的各磊晶結構具有彼此相對的第一表面與第二表面以及連接第一表面與第二表面的周圍表面。周圍表面包括第一部分與第二部分。第一部分連接第二部分而具有轉折點，且磊晶結構的寬度由第一表面往轉折點逐漸增加，而從轉折點往第二表面逐漸減小。
本發明的微型發光元件顯示裝置的製造方法，包括形成磊晶層於磊晶基板上，且形成彼此分離的多個第一子接墊於磊晶層上、形成彼此分離的多個第二子接墊於線路基板上、接合磊晶基板於線路基板上、電性接合該些第一子接墊與該些第二子接墊以形成電性連接該磊晶層與該線路基板的多個接墊、形成多個遮光圖案於磊晶基板與線路基板之間、在線路基板接合於磊晶基板上之後，移除磊晶基板以及移除部分磊晶層，而形成多個磊晶結構。多個遮光圖案與多個第二子接墊交替排列於線路基板上且可阻擋150nm~400nm波長的光穿透。多個磊晶結構分別對應多個接墊，且分別透過這些接墊而電性連接線路基板。
在本發明的一實施例中，上述的微型發光元件顯示裝置的製造方法更包括在接合磊晶基板於線路基板上之前，形成多個遮光圖案於磊晶層上。
在本發明的一實施例中，上述的微型發光元件顯示裝置的製造方法更包括在接合磊晶基板於線路基板上之前，形成多個遮光圖案於線路基板上。
在本發明的一實施例中，上述的微型發光元件顯示裝置的製造方法的各第一子接墊在一方向上具有第一長度，各第二子接墊在此方向上具有第二長度，且第一長度等於或小於第二長度。
在本發明的一實施例中，上述的微型發光元件顯示裝置的製造方法的多個遮光圖案不重疊於多個接墊。
在本發明的一實施例中，上述的微型發光元件顯示裝置的製造方法更包括對磊晶基板進行薄化製程。移除磊晶基板的步驟包括進行雷射剝離製程。
在本發明的一實施例中，上述的微型發光元件顯示裝置的製造方法更包括於多個磊晶結構之間形成反射層反射層覆蓋各磊晶結構的周圍表面。
在本發明的一實施例中，上述的微型發光元件顯示裝置的製造方法更包括於多個磊晶結構之間形成吸光層。反射層位於多個遮光圖案與吸光層之間。
在本發明的一實施例中，上述的微型發光元件顯示裝置的製造方法的各磊晶結構具有彼此相對的第一表面與第二表面以及連接第一表面與第二表面的周圍表面。周圍表面包括第一部分與第二部分。第一部分連接第二部分而具有轉折點，且磊晶結構的寬度由第一表面往轉折點逐漸增加，而從轉折點往第二表面逐漸減小。
基於上述，在本發明一實施例的微型發光元件顯示裝置及其製造方法中，透過多個遮光圖案的設置可避免在移除磊晶基板的過程中線路基板受損。另外，當微型發光元件顯示裝置被致能時，這些遮光圖案還可阻擋自磊晶結構出射的光束進入線路基板，有助於提升驅動電路的操作穩定性（operational stability）以及在長時間運作下的信賴性（reliability）。另一方面，在磊晶層接合至線路基板後，才移除部分的磊晶層並形成多個磊晶結構，可實現較佳顯示品質之微型發光元件顯示裝置的製作，而形成的磊晶結構的發光效率也較佳。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
現將詳細地參考本發明的示範性實施方式，示範性實施方式的實例說明於所附圖式中。只要有可能，相同元件符號在圖式和描述中用來表示相同或相似部分。
圖1A至圖1H是本發明之第一實施例的微型發光元件顯示裝置的製造流程的剖面示意圖。圖2是圖1H的接墊與遮光圖案的上視示意圖。首先，請參照圖1H，微型發光元件顯示裝置1包括線路基板50、多個磊晶結構110P以及多個接墊120。多個磊晶結構110P彼此分散配置於線路基板50上，且多個接墊120配置於這些磊晶結構110P與線路基板50之間。多個磊晶結構110P分別透過這些接墊120與線路基板50電性連接。在本實施例中，線路基板50例如是一互補式金屬氧化物半導體（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor，CMOS）基板、一矽基液晶（Liquid Crystal on Silicon，LCOS）基板、一薄膜電晶體（Thin Film Transistor，TFT）基板或其他具有工作電路的基板。
進一步而言，微型發光元件顯示裝置1更包括多個遮光圖案130。這些遮光圖案130與多個接墊120交替排列於線路基板50上，且各遮光圖案130連接於兩相鄰的接墊120之間。在本實施例中，這些遮光圖案130彼此連接並圍繞多個接墊120（如圖2所示），但本發明不以此為限。在其他實施例中，多個遮光圖案130也可以彼此間隔開來。在本實施例中，各接墊120自線路基板50凸出第一高度H1，而各遮光圖案130自線路基板50凸出第二高度H2，且第一高度H1實質上可等於第二高度H2。亦即，各接墊120連接磊晶結構110P的表面120s實質上可切齊遮光圖案130的表面130s。遮光圖案130可阻擋150nm~400nm波段的光透過，也就是說150nm~400nm波段的光大部分可被遮光圖案130吸收或反射而不穿透。於本實施例中，遮光圖案130可阻擋波長248nm的雷射光穿透。較佳地，遮光圖案130的楊氏模量介於2.9GPa至3.6GPa。本實施例的遮光圖案130的材質為一有機材料，例如是光阻、苯並還丁烯（Benzo cyclobutene, BCB）、聚醯亞胺（polyimide，PI）、有機膠材等。
另一方面，微型發光元件顯示裝置1還可選擇性地包括絕緣層140與多個導電圖案150。這些導電圖案150分別重疊設置於多個磊晶結構110P，且位於多個接墊120與線路基板50之間。多個接墊120分別透過這些導電圖案150與線路基板50電性連接。然而，本發明不限於此，根據其他實施例，多個接墊120也可直接與線路基板50電性連接。進一步而言，微型發光元件顯示裝置1更包括平坦層160與導電層CE。平坦層160設置於多個磊晶結構110P之間。這些磊晶結構110P各自具有朝向另一磊晶結構110P的周圍表面110Ps，且平坦層160覆蓋各磊晶結構110P的周圍表面110Ps。在本實施例中，絕緣層140與平坦層160的材質包括無機材料（例如：氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、其它合適的材料、或上述至少兩種材料的堆疊層）、有機材料、或其它合適的材料、或上述之組合。
承接上述，導電層CE覆蓋多個磊晶結構110P與平坦層160並與這些磊晶結構110P電性連接。換句話說，在本實施例中，導電層CE可以是共電極（common electrode），但本發明不以此為限。在其他實施例中，導電層也可以是多個彼此分離的導電走線，且每個導電走線與一部分的磊晶結構110P電性連接。特別一提的是，本實施例的導電層CE與接墊120分別位於磊晶結構110P的相對兩側。亦即，在本實施例中，由部分導電層CE、接墊120與磊晶結構110P所形成的微型發光元件例如是垂直式（vertical type）發光二極體元件。
舉例而言，當微型發光元件顯示裝置1被致能時，接墊120可具有一高電位，而導電層CE可具有一接地電位（Ground）或低電位。透過接墊120與導電層CE之間的電位差所產生的電流，致能對應的磊晶結構110P並發出（可見）光束。更具體地說，微型發光元件顯示裝置1可藉由線路基板50的主動元件進行控制，讓多個接墊120分別具有不同的高電位，致使這些磊晶結構110P因各自的驅動電流不同而發出不同強度的光束。這些具有不同光強度的光束在空間中的分布便可形成影像畫面而被人眼所視覺。
值得一提的是，當微型發光元件顯示裝置1被致能時，遮光圖案130的設置可阻擋來自磊晶結構110P的光束照射到線路基板50，並造成線路基板50上的主動元件（例如薄膜電晶體）劣化（degradation）。換句話說，遮光圖案130的設置有助於提升驅動電路的操作穩定性（operational stability）以及在長時間操作（long-life operation）下的可靠度（reliability）。以下將針對圖1H所示的微型發光元件顯示裝置1的製造流程進行示範性地說明。
請參照圖1A，首先，於磊晶基板60上形成磊晶層110。舉例而言，磊晶層110包括依序堆疊於磊晶基板60上的第二型半導體層113、發光層112以及第一型半導體層111。在本實施例中，第一型半導體層111例如是P型半導體，第二型半導體層113例如是N型半導體，而發光層112可以是多重量子井（Multiple Quantum Well，MWQ）層，但不以此為限。接著，於磊晶層110上形成多個彼此分離的第一子接墊121，如圖1B所示。第一子接墊121是由導電材料組成，例如金、金錫合金。
請參照圖1C，在形成多個第一子接墊121後，於磊晶層110上形成多個遮光圖案130，其中這些遮光圖案130與多個第一子接墊121交替排列於磊晶層110上，但本發明不以此為限。在本實施例中，這些遮光圖案130在垂直磊晶基板60的方向上不重疊於多個第一子接墊121。更具體地說，多個遮光圖案130切齊多個第一子接墊121，但本發明不以此為限。在其他實施例中，相鄰的遮光圖案與第一子接墊121也可彼此間隔開來。
接著，將磊晶基板60接合於線路基板50上，如圖1D所示。舉例來說，在磊晶基板60接合於線路基板50上之前，可形成多個第二子接墊122於線路基板50上，且這些第二子接墊122與磊晶層110上的多個第一子接墊121相對應，但本發明不以此為限。特別說明的是，在一些實施例中，於磊晶基板60接合至線路基板50前，多個遮光圖案130也可預先設置在多個第二子接墊122之間。亦即，多個遮光圖案130與多個第二子接墊122交替排列於線路基板50上。在本實施例中，線路基板50上還可設有絕緣層140與導電圖案150，其中導電圖案150設置於第二子接墊122與線路基板50之間，且第二子接墊122貫穿絕緣層140與導電圖案150電性連接，但本發明不以此為限。
在此步驟中，磊晶層110上的各遮光圖案130可伸入線路基板50上對應的兩個第二子接墊122之間的空隙122g以連接線路基板50上的絕緣層140，但本發明不以此為限。根據其他實施例，各遮光圖案130也可與線路基板50直接連接。特別一提的是，在磊晶基板60接合至線路基板50後，多個第一子接墊121分別連接多個第二子接墊122以形成多個接墊120。然而，本發明不限於此，根據其他實施例，在磊晶基板60接合於線路基板50上之前，多個接墊120也可預先形成在磊晶基板60或線路基板50上。
請參照圖1E及圖1F，在磊晶層110接合至線路基板50後，移除磊晶基板60。舉例來說，移除磊晶基板60的方法包括進行一雷射剝離（Laser Lift-Off，LLO）製程。詳細而言，可利用雷射光LB由磊晶基板60遠離磊晶層110的一側照射磊晶層110與磊晶基板60的接觸面110s以分離第二型半導體層113與磊晶基板60。然而，本發明不限於此，根據其他實施例，也可透過研磨製程來移除磊晶基板60。另一方面，為了降低雷射光LB的使用功率以達到節能的目的，在進行雷射剝離製程前，還可對磊晶基板60進行薄化製程，以降低雷射光LB在通過磊晶基板60的光能損耗。值得一提的是，在雷射光LB照射磊晶層110的過程中，遮光圖案130能有效地吸收雷射光LB，可避免線路基板50被雷射光LB照射而受損，有助於提升整體的生產良率。
在移除磊晶基板60後，移除部分的磊晶層110以形成多個磊晶結構110P（即對磊晶層110進行圖案化製程），如圖1G所示。具體而言，這些磊晶結構110P對應於多個接墊120，且分別透過這些接墊120而電性連接線路基板50。值得一提的是，在磊晶層110接合至線路基板50後，才移除部分的磊晶層110並形成多個磊晶結構110P，可實現超高解析度（Ultra High Definition，UHD）之微型發光元件顯示裝置的製作，且所形成的磊晶結構110P的發光效率也較佳。
接著，於多個磊晶結構110P間形成平坦層160，且此平坦層160覆蓋接墊120的部分表面120s、遮光圖案130以及磊晶結構110P的至少部分周圍表面110Ps，如圖1H所示。在平坦層160形成後，於平坦層160上形成導電層CE。此導電層CE連接平坦層160並延伸覆蓋多個磊晶結構110P，以電性連接這些磊晶結構110P。於此，便完成本實施的微型發光元件顯示裝置1。
由圖1H可知，微型發光元件顯示裝置1包括線路基板50、多個磊晶結構110P、多個接墊120以及多個遮光圖案130。多個磊晶結構110P彼此分散配置於線路基板50上。多個接墊120配置於多個磊晶結構110P與線路基板50之間。多個磊晶結構110P分別透過多個接墊120電性連接至線路基板50。多個遮光圖案130與多個接墊120交替排列於線路基板50上，且各遮光圖案130可連接於兩相鄰的接墊120之間。
在本實施例中，基於導電性的考量，接墊120的材料一般是使用金屬材料。然而，本發明不限於此，根據其他實施例，接墊120也可使用其他導電材料，例如：合金、金屬材料的氮化物、金屬材料的氧化物、金屬材料的氮氧化物、或其他合適的材料、或是金屬材料與其他導電材料的堆疊層。另一方面，導電層CE例如是光穿透式電極，光穿透式電極的材質包括金屬氧化物，例如：銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、或其它合適的氧化物、或者是上述至少兩者之堆疊層。也就是說，本實施例的微型發光元件顯示裝置1為頂發光（top emission）型態的顯示裝置。
以下將列舉另一些實施例以詳細說明本揭露，其中相同的構件將標示相同的符號，並且省略相同技術內容的說明，省略部分請參考前述實施例，以下不再贅述。
圖3是本發明之第二實施例的微型發光元件顯示裝置的剖面示意圖。請參照圖3，本實施例的微型發光元件顯示裝置2與圖1H的微型發光元件顯示裝置1的主要差異在於：接墊的構型不同。在本實施例中，接墊120A的第一子接墊121A與第二子接墊122在方向X上分別具有第一長度L1與第二長度L2，且第一長度L1小於第二長度L2。詳細而言，在形成多個第二子接墊122後，還可形成多個遮光圖案130於這些第二子接墊122之間，且各遮光圖案130自相鄰的兩第二子接墊122朝遠離線路基板50的方向凸伸。
在本實施例中，透過第一子接墊121A的第一長度L1小於第二子接墊122的第二長度L2，可增加磊晶基板60與線路基板50（如圖1D所示）接合時的製程裕度（例如對位精度的容許值）。進一步而言，本實施例的微型發光元件顯示裝置2與圖1H的微型發光元件顯示裝置1的另一差異在於：在磊晶基板60與線路基板50接合前（如圖1D所示），遮光圖案130A已形成於線路基板50上。
在本實施例中，接墊120的表面120s與線路基板50之間的第一高度H1可大於遮光圖案130A的表面130s與線路基板50之間的第二高度H2A，且遮光圖案130A的表面130s大致上可切齊第一子接墊121與第二子接墊122的連接面122s，但本發明不以此為限。據此，可增加磊晶基板60與線路基板50（如圖1D所示）接合時的製程裕度（例如對位精度的容許值）。
圖4是本發明之第三實施例的微型發光元件顯示裝置的剖面示意圖。請參照圖4，本實施例的微型發光元件顯示裝置3與圖1H的微型發光元件顯示裝置1的差異在於：多個磊晶結構110P的間距不同。在本實施例中，磊晶結構110P在方向X上具有底寬W，而任兩相鄰的磊晶結構110P之間在方向X上具有間距S，且底寬W大於間距S。也就是說，本實施例的微型發光元件顯示裝置3為具有超高解析度的顯示裝置，且可透過如圖1A至圖1H所示的製造流程來生產。
圖5是本發明之第四實施例的微型發光元件顯示裝置的剖面示意圖。請參照圖5，本實施例的微型發光元件顯示裝置4與圖4的微型發光元件顯示裝置3的差異在於：兩相鄰的磊晶結構110P之間的組成構件不同。在本實施例中，於微型發光元件顯示裝置4的多個磊晶結構110P之間還可形成反射層161以及堆疊於反射層161上的吸光層162。反射層161覆蓋磊晶結構110P的至少部分的周圍表面110Ps。更具體地說，反射層161覆蓋第一型半導體層111、發光層112以及至少部分的第二型半導體層113。
從另一觀點來說，在線路基板50的法線方向上，反射層161具有第一厚度t1，而第一型半導體層111與發光層112具有第二厚度t2，且第一厚度t1大於第二厚度t2並小於磊晶結構110P的高度。據此，可避免發光層112所發出的光束由磊晶結構110P的周圍表面110Ps出射，有助於提升磊晶結構110P的光萃取效率（light extraction efficiency）。
在本實施例中，反射層161的材質可以是反射率大於90%的金屬、或金屬化合物材料，例如鋁、銀或布拉格反射鏡，但不以此為限。應可理解的是，由於本實施例的反射層161可為金屬材料所形成，為了避免多個磊晶結構110P之間發生電性短路，微型發光元件顯示裝置4還可包括設置於磊晶結構110P與反射層161之間的絕緣層115，其中導電層CE貫穿絕緣層115與第二型半導體層113電性連接。另一方面，透過設置在反射層161上方的吸收層162，可降低兩相鄰的磊晶結構110P所發出的兩光束產生混光。換言之，可提升微型發光元件顯示裝置4的影像清晰度。
圖6是本發明之第五實施例的微型發光元件顯示裝置的剖面示意圖。請參照圖6，本實施例的微型發光元件顯示裝置5與圖1H的微型發光元件顯示裝置1的差異在於：磊晶結構的構型不同。在本實施例中，磊晶結構110PA具有彼此相對的第一表面110s1與第二表面110s2，且周圍表面110Ps連接於第一表面110s1與第二表面110s2之間。周圍表面110Ps包括第一部分110Ps1與第二部分110Ps2，第一部分110Ps1連接第二部分110Ps2而具有轉折點TP。值得一提的是，磊晶結構110PA的寬度由第一表面110s1往轉折點TP逐漸增加，而從轉折點TP往第二表面110s2逐漸減小。也就是說，本實施例的磊晶結構110PA在XY平面上的投影可具有鑽石狀的外輪廓。據此，可降低後製程中形成在磊晶結構110PA與平坦層160上的導電層CE發生破膜或斷線的風險。
綜上所述，在本發明一實施例的微型發光元件顯示裝置及其製造方法中，透過多個遮光圖案的設置可避免在移除磊晶基板的過程中線路基板受損。另外，當微型發光元件顯示裝置被致能時，這些遮光圖案還可阻擋自磊晶結構出射的光束進入線路基板，有助於提升驅動電路的操作穩定性（operational stability）以及在長時間運作下的信賴性（reliability）。另一方面，在磊晶層接合至線路基板後，才移除部分的磊晶層並形成多個磊晶結構，可實現較佳顯示品質之微型發光元件顯示裝置的製作，而形成的磊晶結構的發光效率也較佳。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
1、2、3、4、5:微型發光元件顯示裝置
50:線路基板
50s:表面
60:磊晶基板
110:磊晶層
110s:接觸面
110P、110PA:磊晶結構
110Ps:周圍表面
110Ps1:第一部分
110Ps2:第二部分
110s1:第一表面
110s2:第二表面
111:第一型半導體層
112:發光層
113:第二型半導體層
115:絕緣層
120、120A:接墊
120s、130s:表面
121、121A:第一子接墊
122:第二子接墊
122s:連接面
122g:空隙
130、130A:遮光圖案
140:絕緣層
150:導電圖案
160:平坦層
161:反射層
162:吸光層
CE:導電層
H1:第一高度
H2、H2A:第二高度
LB:雷射光
L1、L2:長度
S:間距
TP:轉折點
t1、t2:厚度
W:底寬
X、Y:方向
圖1A至圖1H是本發明之第一實施例的微型發光元件顯示裝置的製造流程的剖面示意圖。
圖2是圖1H的接墊與遮光圖案的上視示意圖。
圖3是本發明之第二實施例的微型發光元件顯示裝置的剖面示意圖。
圖4是本發明之第三實施例的微型發光元件顯示裝置的剖面示意圖。
圖5是本發明之第四實施例的微型發光元件顯示裝置的剖面示意圖。
圖6是本發明之第五實施例的微型發光元件顯示裝置的剖面示意圖。
1:微型發光元件顯示裝置
50:線路基板
50s:表面
110P:磊晶結構
110Ps:周圍表面
120:接墊
120s、130s:表面
121:第一子接墊
122:第二子接墊
130:遮光圖案
140:絕緣層
150:導電圖案
160:平坦層
CE:導電層
H1:第一高度
H2:第二高度
Claims (21)
- 一種微型發光元件顯示裝置，包括： 一線路基板； 多個磊晶結構，彼此分散配置於該線路基板上； 多個接墊，配置於該些磊晶結構與該線路基板之間，其中該些磊晶結構分別透過該些接墊電性連接至該線路基板；以及 多個遮光圖案，與該些接墊交替排列於該線路基板上，且各該遮光圖案連接於兩相鄰的該些接墊之間並適於阻擋150nm~400nm波長的光穿透。
- 如申請專利範圍第1項所述的微型發光元件顯示裝置，其中該線路基板具有一表面，各該接墊的一第一表面距離該線路基板的該表面具有一第一高度，各該遮光圖案的一第二表面距離該線路基板的該表面具有一第二高度，且該第二高度小於等於該第一高度。
- 如申請專利範圍第1項所述的微型發光元件顯示裝置，其中各該接墊包括一第一子接墊與一第二子接墊，該第一子接墊與其中一該磊晶結構連接，該第二子接墊連接於該第一子接墊與該線路基板之間，其中該第一子接墊在一方向上具有一第一長度，該第二子接墊在該方向上具有一第二長度，且該第一長度等於或小於該第二長度。
- 如申請專利範圍第1項所述的微型發光元件顯示裝置，其中該遮光圖案的楊氏模量介於2.9GPa至3.6GPa。
- 如申請專利範圍第1項所述的微型發光元件顯示裝置，其中該些遮光圖案彼此連接並圍繞該些接墊。
- 如申請專利範圍第1項所述的微型發光元件顯示裝置，其中該些遮光圖案不重疊於該些接墊。
- 如申請專利範圍第1項所述的微型發光元件顯示裝置，更包括： 一平坦層，設置於該些磊晶結構之間，且覆蓋各該磊晶結構的一周圍表面；以及 一導電層，覆蓋該些磊晶結構與該平坦層，並電性連接該些磊晶結構。
- 如申請專利範圍第1項所述的微型發光元件顯示裝置，更包括： 一反射層，設置於該些磊晶結構之間，且覆蓋各該磊晶結構的一周圍表面。
- 如申請專利範圍第8項所述的微型發光元件顯示裝置，其中各該磊晶結構包括： 一第一型半導體層，電性連接於對應的該接墊； 一發光層，設置於該第一型半導體層上；以及 一第二型半導體層，設置於該發光層上，其中該反射層覆蓋該第一型半導體層的周圍、該發光層的周圍與至少部分的該第二型半導體層的周圍。
- 如申請專利範圍第9項所述的微型發光元件顯示裝置，其中該反射層在該線路基板的法線方向上具有一第一厚度，該發光層與該第一型半導體層在該線路基板的法線方向上具有一第二厚度，且該第一厚度大於該第二厚度。
- 如申請專利範圍第8項所述的微型發光元件顯示裝置，更包括： 一吸光層，設置於該些磊晶結構之間，其中該反射層位於該些遮光圖案與該吸光層之間。
- 如申請專利範圍第1項所述的微型發光元件顯示裝置，其中各該磊晶結構具有彼此相對的一第一表面與一第二表面以及連接該第一表面與該第二表面的一周圍表面，該周圍表面包括一第一部分與一第二部分，該第一部分連接該第二部分而具有一轉折點，且該磊晶結構的寬度由該第一表面往該轉折點逐漸增加，而從該轉折點往該第二表面逐漸減小。
- 一種微型發光元件顯示裝置的製造方法，包括： 形成一磊晶層於一磊晶基板上，且形成彼此分離的多個第一子接墊於該磊晶層上； 形成彼此分離的多個第二子接墊於一線路基板上； 接合該磊晶基板於該線路基板上； 電性接合該些第一子接墊與該些第二子接墊以形成電性連接該磊晶層與該線路基板的多個接墊； 形成多個遮光圖案於該磊晶基板與該線路基板之間，其中該些遮光圖案與該些第二子接墊交替排列於該線路基板上且可阻擋150nm~400nm波長的光穿透； 在該線路基板接合於該磊晶基板上之後，移除該磊晶基板；以及 移除部分該磊晶層，而形成多個磊晶結構，其中該些磊晶結構分別對應該些接墊，且分別透過該些接墊而電性連接該線路基板。
- 如申請專利範圍第13項所述的微型發光元件顯示裝置的製造方法，更包括： 在接合該磊晶基板於該線路基板上之前，形成該些遮光圖案於該磊晶層上。
- 如申請專利範圍第13項所述的微型發光元件顯示裝置的製造方法，更包括： 在接合該磊晶基板於該線路基板上之前，形成該些遮光圖案於該線路基板上。
- 如申請專利範圍第13項所述的微型發光元件顯示裝置的製造方法，其中各該第一子接墊在一方向上具有一第一長度，各該第二子接墊在該方向上具有一第二長度，且該第一長度等於或小於該第二長度。
- 如申請專利範圍第13項所述的微型發光元件顯示裝置的製造方法，其中該些遮光圖案不重疊於該些接墊。
- 如申請專利範圍第13項所述的微型發光元件顯示裝置的製造方法，更包括： 對該磊晶基板進行一薄化製程，其中移除該磊晶基板的步驟包括進行一雷射剝離製程。
- 如申請專利範圍第13項所述的微型發光元件顯示裝置的製造方法，更包括： 於該些磊晶結構之間形成一反射層，其中該反射層覆蓋各該磊晶結構的一周圍表面。
- 如申請專利範圍第19項所述的微型發光元件顯示裝置的製造方法，更包括： 於該些磊晶結構之間形成一吸光層，其中該反射層位於該些遮光圖案與該吸光層之間。
- 如申請專利範圍第13項所述的微型發光元件顯示裝置的製造方法，其中各該磊晶結構具有彼此相對的一第一表面與一第二表面以及連接該第一表面與該第二表面的一周圍表面，該周圍表面包括一第一部分與一第二部分，該第一部分連接該第二部分而具有一轉折點，且該磊晶結構的寬度由該第一表面往該轉折點逐漸增加，而從該轉折點往該第二表面逐漸減小。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW108129200A TWI715155B (zh) | 2019-08-16 | 2019-08-16 | 微型發光元件顯示裝置及其製造方法 |
| US16/711,400 US11056626B2 (en) | 2019-08-16 | 2019-12-11 | Micro light emitting device display apparatus and method of fabricating the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW108129200A TWI715155B (zh) | 2019-08-16 | 2019-08-16 | 微型發光元件顯示裝置及其製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TWI715155B TWI715155B (zh) | 2021-01-01 |
| TW202109867A true TW202109867A (zh) | 2021-03-01 |
Family
ID=74566754
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW108129200A TWI715155B (zh) | 2019-08-16 | 2019-08-16 | 微型發光元件顯示裝置及其製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11056626B2 (zh) |
| TW (1) | TWI715155B (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI766632B (zh) * | 2021-03-30 | 2022-06-01 | 錼創顯示科技股份有限公司 | 微型發光二極體顯示裝置 |
| TWI776654B (zh) * | 2021-08-24 | 2022-09-01 | 友達光電股份有限公司 | 顯示裝置及其製造方法 |
| TWI787890B (zh) * | 2021-06-30 | 2022-12-21 | 錼創顯示科技股份有限公司 | 微型發光二極體顯示裝置 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN212648273U (zh) | 2020-07-29 | 2021-03-02 | 隆达电子股份有限公司 | 发光二极管装置 |
| CN114068503A (zh) * | 2020-08-10 | 2022-02-18 | 深超光电（深圳）有限公司 | 微型led显示面板及其制备方法 |
| US20220093578A1 (en) * | 2020-09-18 | 2022-03-24 | Lextar Electronics Corporation | Light emitting array structure and display |
| KR20230014118A (ko) * | 2021-07-20 | 2023-01-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| CN113990996A (zh) * | 2021-10-26 | 2022-01-28 | 錼创显示科技股份有限公司 | 微型发光二极管显示设备 |
| CN114005919A (zh) * | 2021-10-28 | 2022-02-01 | 錼创显示科技股份有限公司 | 微型发光二极管显示面板及其形成方法 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3984116B2 (ja) * | 2002-07-09 | 2007-10-03 | 株式会社東芝 | フォトマスクの製造方法 |
| US8573469B2 (en) * | 2011-11-18 | 2013-11-05 | LuxVue Technology Corporation | Method of forming a micro LED structure and array of micro LED structures with an electrically insulating layer |
| US9484504B2 (en) * | 2013-05-14 | 2016-11-01 | Apple Inc. | Micro LED with wavelength conversion layer |
| US10134803B2 (en) * | 2015-01-23 | 2018-11-20 | Vuereal Inc. | Micro device integration into system substrate |
| KR102465382B1 (ko) * | 2015-08-31 | 2022-11-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 및 표시장치의 제조방법 |
| WO2018091459A1 (en) * | 2016-11-15 | 2018-05-24 | X-Celeprint Limited | Micro-transfer-printable flip-chip structures and methods |
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| TWI647742B (zh) * | 2018-04-19 | 2019-01-11 | 友達光電股份有限公司 | 發光裝置及其製造方法 |
-
2019
- 2019-08-16 TW TW108129200A patent/TWI715155B/zh active
- 2019-12-11 US US16/711,400 patent/US11056626B2/en active Active
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| TWI766632B (zh) * | 2021-03-30 | 2022-06-01 | 錼創顯示科技股份有限公司 | 微型發光二極體顯示裝置 |
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| TWI787890B (zh) * | 2021-06-30 | 2022-12-21 | 錼創顯示科技股份有限公司 | 微型發光二極體顯示裝置 |
| TWI776654B (zh) * | 2021-08-24 | 2022-09-01 | 友達光電股份有限公司 | 顯示裝置及其製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US11056626B2 (en) | 2021-07-06 |
| TWI715155B (zh) | 2021-01-01 |
| US20210050495A1 (en) | 2021-02-18 |
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