CN113192973A - 阵列基板及微型发光二极管显示面板 - Google Patents
阵列基板及微型发光二极管显示面板 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113192973A CN113192973A CN202110359403.5A CN202110359403A CN113192973A CN 113192973 A CN113192973 A CN 113192973A CN 202110359403 A CN202110359403 A CN 202110359403A CN 113192973 A CN113192973 A CN 113192973A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- sub
- array substrate
- array
- protective layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 71
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 212
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims abstract description 69
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 41
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 41
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims abstract description 31
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- 150000004706 metal oxides Chemical group 0.000 claims abstract description 19
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims abstract description 13
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims abstract description 10
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 24
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 10
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 9
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 7
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- KHXKESCWFMPTFT-UHFFFAOYSA-N 1,1,1,2,2,3,3-heptafluoro-3-(1,2,2-trifluoroethenoxy)propane Chemical compound FC(F)=C(F)OC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F KHXKESCWFMPTFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 claims description 4
- -1 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 claims description 4
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 claims description 4
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 claims description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000006748 scratching Methods 0.000 abstract description 4
- 230000002393 scratching effect Effects 0.000 abstract description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 14
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
- G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
- G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
- G09F9/33—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements being semiconductor devices, e.g. diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
- H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本申请实施例公开了一种阵列基板及微型发光二极管显示面板，阵列基板包括用于布设微型发光二极管的第一区和围绕第一区的第二区，阵列基板包括：基底；设于基底上的阵列功能层，阵列功能层包括阵列设置的焊接端子，焊接端子用以与微型发光二极管电连接；设于阵列功能层上的保护层，保护层包括第一子保护层和第二子保护层，第二子保护层设于阵列功能层上，第一子保护层设于第二子保护层上；其中，第一子保护层为金属氧化物层，第二子保护层为无机材料层或有机材料层，保护层位于第一区的部位设有通孔以暴露出对应的焊接端子，可以提升阵列基板的抗刮伤能力，避免基板刮伤导致金属短路的问题。
Description
技术领域
本申请涉及显示领域，具体涉及一种阵列基板及微型发光二极管显示面板。
背景技术
微型发光二极管显示面板(Micro-LED面板、Mini-LED面板)发展成未来显示技术的热点之一，和目前的LCD、OLED显示器件相比，具有反应快、高色域、高PPI、低能耗等优势。玻璃基底得益于优异的平整度，同时可以通过薄膜晶体管工艺(TFT array制程)制备有源Mini LED、有源Micro-LED(AMMini-LED、AM Micro-LED)的驱动线路，目前作为一个新兴技术正在大力发展当中。
但是由于玻璃基底上的金属层很薄(通常小于1um)，因此在实际生产中Mini-LED/Micro-LED基板上的线路很容易出现刮伤，造成基板刮伤短路的问题。
发明内容
本申请实施例提供一种阵列基板及微型发光二极管显示面板，可以解决现有阵列基板和微型发光二极管显示面板中金属层容易出现刮伤，造成基板刮伤短路的问题。
本申请实施例提供了一种阵列基板，所述阵列基板包括用于布设微型发光二极管的第一区和围绕所述第一区的第二区，所述阵列基板包括：
基底；
设于所述基底上的阵列功能层，所述阵列功能层包括阵列设置的焊接端子，所述焊接端子用以与所述微型发光二极管电连接；
设于所述阵列功能层上的保护层，所述保护层包括第一子保护层和第二子保护层，所述第二子保护层设于所述阵列功能层上，所述第一子保护层设于所述第二子保护层上；
其中，所述第一子保护层为金属氧化物层，所述第二子保护层为无机材料层或有机材料层，所述保护层位于所述第一区的部位设有通孔以暴露出对应的所述焊接端子。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述第二子保护层采用氮化硅、氧化硅、全氟丙基全氟乙烯基醚与聚四氟乙烯的共聚物中的任意一种材料或两种以上的组合材料。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述金属氧化物为ITO。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述第二子保护层的厚度为200纳米至500纳米之间。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一子保护层的厚度为350纳米至750纳米之间。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一子保护层位于所述第二区的部分还包括绑定端子，所述绑定端子用以与柔性电路板电连接。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述阵列功能层包括：
设于所述基底上的第一金属层，所述第一金属层包括栅极；
设于所述第一金属层上的栅极绝缘层；
设于所述栅极绝缘层上的有源层；
设于所述有源层上的第二金属层，所述第二金属层包括源极、漏极、以及所述焊接端子。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一金属层还包括第一电极；
所述第二金属层还包括第二电极，所述第二电极通过贯穿所述栅极绝缘层上的第一过孔与所述第一电极电连接；
所述第一子保护层包括位于所述第二区的绑定端子，所述绑定端子通过贯穿所述第二子保护层的第二过孔与所述第二电极电连接。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述有源层包括:
位于所述栅极上方的半导体部；
位于所述第二电极与所述栅极绝缘层之间的第一垫层部，所述第一过孔同时贯穿所述第一垫层部，所述第一垫层部的形状与所述第二电极相同；
位于所述焊接端子与所述栅极绝缘层之间的第二垫层部，所述第二垫层部的形状与所述焊接端子相同。
相应的，本申请实施例还提供一种微型发光二极管显示面板，在上述任一项所述的阵列基板上布设所述微型发光二极管，封装所述阵列基板以及所述微型发光二极管，形成所述微型发光二极管显示面板。
本申请实施例中，在阵列功能层上方设置保护层，保护层包括第一子保护层和第二子保护层，在阵列功能层上使用无机材料层或有机材料层作为第二子保护层，在第二子保护层上使用金属氧化物作为第一子保护层，优选第一子保护层使用ITO，第二子保护层使用氮化硅，通过双层子保护层的设置，可以防止金属层出现刮伤，避免基板刮伤短路。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请一实施例提供的阵列基板的第一种截面示意图；
图2是本申请一实施例提供的阵列基板的俯视示意图；
图3是本申请一实施例提供的阵列基板的第二种截面示意图；
图4至图8是制造本申请一实施例的阵列基板的过程示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请，并不用于限制本申请。在本申请中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
本申请实施例提供一种阵列基板及微型发光二极管显示面板。以下分别进行详细说明。需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。
实施例一、
请参阅图1,本申请的实施例提供了一种阵列基板10，阵列基板10包括用于布设微型发光二极管的第一区AA和围绕第一区AA的第二区BB，阵列基板10包括：基底11；设于基底11上的阵列功能层，阵列功能层包括阵列设置的焊接端子164，焊接端子164用以与微型发光二极管电连接；设于阵列功能层上的保护层187，保护层187包括第一子保护层18和第二子保护层17，第二子保护层17设于阵列功能层上，第一子保护层18设于第二子保护层17上。其中，第一子保护层18为金属氧化物层，第二子保护层17为无机材料层或有机材料层，保护层187位于第一区AA的部位设有通孔193以暴露出对应的焊接端子164。
具体的，第一区AA可以为或对应为显示区，第二区BB可以为或对应为非显示区，在第一区AA可以设置多个微型发光二极管与对应的焊接端子164电连接。阵列功能层包括阵列排布的薄膜晶体管(TFT)以及驱动走线等，阵列功能层为包括多个膜层的复合层结构。阵列功能层可以驱动微型发光二极管进行发光。
其中，在一些实施例中，第二子保护层17采用氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、全氟丙基全氟乙烯基醚与聚四氟乙烯的共聚物(PFA)中的任意一种材料或两种以上的组合材料，第二子保护层17还可以为其他无机或有机材料，在此不限定。
其中，在一些实施例中，金属氧化物为ITO，第一子保护层18还可以为其他金属氧化物材料，例如氧化锌等。
其中，在一些实施例中，第二子保护层17的厚度为200纳米至500纳米之间。
其中，在一些实施例中，第一子保护层18的厚度为350纳米至750纳米之间。
其中，在一些实施例中，第一子保护层18位于第二区BB的部分还包括绑定端子181，绑定端子181用以与柔性电路板电连接。
具体的，绑定端子181与柔性电路板电连接，通过柔性电路板电连接供给微型发光二极管电信号，可以使得微型发光二极管发光。
具体的，如图2所示，图2示意了阵列基板10的俯视图，在第一区AA中具有整面性的第一子保护层18，第一子保护层18上设有多个通孔193以暴露出对应的焊接端子164，第一子保护层18位于第二区BB的部分还包括绑定端子181。
其中，请继续参阅图1，阵列功能层包括：设于基底11上的第一金属层12，第一金属层12包括栅极121；设于第一金属层12上的栅极绝缘层13；设于栅极绝缘层13上的有源层145；设于有源层145上的第二金属层16，第二金属层16包括源极161、漏极162、以及焊接端子164。
其中，请继续参阅图1，第一金属层12还包括第一电极122；第二金属层16还包括第二电极163，第二电极163通过贯穿栅极绝缘层13上的第一过孔191与第一电极122电连接；第一子保护层18包括位于第二区BB的绑定端子181，绑定端子181通过贯穿第二子保护层17的第二过孔192与第二电极163电连接。
具体的，有源层145包括位于薄膜晶体管的沟道部141和欧姆接触部151，沟道部141和欧姆接触部151可以为a-Si材料或金属氧化物半导体，欧姆接触部151为a-Si材料或金属氧化物半导体掺杂部位，欧姆接触部151位于源极161和漏极162的正下方，例如沟道部141为a-Si，欧姆接触部151为n+Si。有源层还可以为其他半导体材料，在此不限定。
在本实施例中第二电极163与焊接端子164设于栅极绝缘层13上，并与栅极绝缘层13接触。
如下面表格展示了第一子保护层和第二子保护层不同厚度条件下的抗刮伤验证结果，设置第一子保护层厚度为300nm、第二子保护层厚度为600nm的条件的抗刮伤能力优于条件1和条件3。
本申请实施例中，在阵列功能层上方设置保护层，保护层包括第一子保护层和第二子保护层，在阵列功能层上使用无机材料层或有机材料层作为第二子保护层，在第二子保护层上使用金属氧化物作为第一子保护层，优选第一子保护层使用ITO，第二子保护层使用氮化硅，通过双层子保护层的设置，阵列基板表现出了优异的抗刮伤能力，可以防止金属层出现刮伤，避免基板刮伤短路。
实施例二、
请参阅图3,本申请的实施例提供了一种阵列基板10，阵列基板10包括用于布设微型发光二极管的第一区AA和围绕第一区AA的第二区BB，阵列基板10包括：基底11；设于基底11上的阵列功能层，阵列功能层包括阵列设置的焊接端子164，焊接端子164用以与微型发光二极管电连接；设于阵列功能层上的保护层187，保护层187包括第一子保护层18和第二子保护层17，第二子保护层17设于阵列功能层上，第一子保护层18设于第二子保护层17上。其中，第一子保护层18为金属氧化物层，第二子保护层17为无机材料层或有机材料层，保护层187位于第一区AA的部位设有通孔193以暴露出对应的焊接端子164。
具体的，第一区AA可以为或对应为显示区，第二区BB可以为或对应为非显示区，在第一区AA可以设置多个微型发光二极管与对应的焊接端子164电连接。阵列功能层包括阵列排布的薄膜晶体管(TFT)以及驱动走线等，阵列功能层为包括多个膜层的复合层结构。阵列功能层可以驱动微型发光二极管进行发光。
其中，在一些实施例中，第二子保护层17采用氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、全氟丙基全氟乙烯基醚与聚四氟乙烯的共聚物(PFA)中的任意一种材料或两种以上的组合材料，第二子保护层17还可以为其他无机或有机材料，在此不限定。
其中，在一些实施例中，金属氧化物为ITO，第一子保护层18还可以为其他金属氧化物材料，例如氧化锌等。
其中，在一些实施例中，第二子保护层17的厚度为200纳米至500纳米之间。
其中，在一些实施例中，第一子保护层18的厚度为350纳米至750纳米之间。
其中，在一些实施例中，第一子保护层18位于第二区BB的部分还包括绑定端子181，绑定端子181用以与柔性电路板电连接。
具体的，绑定端子181与柔性电路板电连接，通过柔性电路板电连接供给微型发光二极管电信号，可以使得微型发光二极管发光。
具体的，如图2所示，图2示意了阵列基板10的俯视图，在第一区AA中具有整面性的第一子保护层18，第一子保护层18上设有多个通孔193以暴露出对应的焊接端子164，第一子保护层18位于第二区BB的部分还包括绑定端子181。
其中，请继续参阅图3，阵列功能层包括：设于基底11上的第一金属层12，第一金属层12包括栅极121；设于第一金属层12上的栅极绝缘层13；设于栅极绝缘层13上的有源层145；设于有源层145上的第二金属层16，第二金属层16包括源极161、漏极162、以及焊接端子164。
其中，请继续参阅图3，第一金属层12还包括第一电极122；第二金属层16还包括第二电极163，第二电极163通过贯穿栅极绝缘层13上的第一过孔191与第一电极122电连接；第一子保护层18包括位于第二区BB的绑定端子181，绑定端子181通过贯穿第二子保护层17的第二过孔192与第二电极163电连接。
其中，请继续参阅图3，有源层145包括位于栅极121上方半导体部，半导体部包括沟道部141和欧姆接触部151；位于第二电极163与栅极绝缘层13之间的第一垫层部，第一垫层部包括与沟道部141同层的第一子垫层部142，以及与欧姆接触部151同层的第二子垫层部152，第一过孔191同时贯穿第一垫层部，使得第二电极163通过贯穿第一垫层部和栅极绝缘层13的第一过孔191电连接于第一电极122，第一垫层部的形状与第二电极163的形状相同。有源层145还包括位于焊接端子164与栅极绝缘层13之间的第二垫层部，第二垫层部包括与沟道部141同层的第三子垫层部143，以及与欧姆接触部151同层的第四子垫层部153，第二垫层部的形状与焊接端子164的形状相同。
具体的，有源层145包括位于薄膜晶体管的沟道部141和欧姆接触部151，沟道部141和欧姆接触部151可以为a-Si材料或金属氧化物半导体，欧姆接触部151为a-Si材料或金属氧化物半导体掺杂部位，例如沟道部141为a-Si，欧姆接触部151为n+Si。有源层还可以为其他半导体材料，在此不限定。
在本实施例中第二电极163与栅极绝缘层13之间还有有源层145制作的第一垫层部，第一垫层部的形状与第二电极163的形状相同。在本实施例中焊接端子164与栅极绝缘层13之间还有有源层145制作的第二垫层部，第二垫层部的形状与焊接端子164的形状相同。
需要说明的是，有源层145包括第一子有源层14和第二子有源层15，第二子有源层15为有源层145掺杂的部位，例如，当有源层145采用非晶硅制作时，第一子有源层14为a-Si，第二子有源层15为n+Si。第一子有源层14包括沟道部141、第一子垫层部142、第三子垫层部143，第二子有源层15包括欧姆接触部151、第二子垫层部152、第四子垫层部153。
实施例三、
请参阅图4、图5、图6、图7、图8、图3,示意了实施例二中的阵列基板10的一种制作过程，但阵列基板10还可以采用其他工艺或光罩顺序制作，在此不做限定。
具体的，实施例二中的阵列基板10的一种制作过程包括：第一道光罩，如图4所示，在基底11上形成第一金属层12，第一金属层12被图案化包括栅极121和第一电极122；第二道光罩，如图5所示，在第一金属层12上形成栅极绝缘层13，在栅极绝缘层13上形成有源层145，有源层145上表面进行掺杂工艺，有源层145可以为非晶硅或金属氧化物，有源层145包括第一子有源层14和第二子有源层15，在栅极绝缘层13、有源层145上形成第一过孔191；第三道光罩，如图6、图7所示，在有源层145上形成第二金属层16，采用halftone光罩(半灰阶光罩，半色调光罩)将第二金属层16和有源层145图案化，第二金属层16图案化后包括源极161、漏极162、第二电极163、以及焊接端子164，同时有源层145也被图案化包括第一垫层部、第二垫层部、薄膜晶体管的沟道部141和欧姆接触部151，第一垫层部包括与沟道部141同层的第一子垫层部142，以及与欧姆接触部151同层的第二子垫层部152，第一垫层部的形状与第二电极163的形状相同，第二垫层部包括与沟道部141同层的第三子垫层部143，以及与欧姆接触部151同层的第四子垫层部153，第二垫层部的形状与焊接端子164的形状相同；第四道光罩，如图8所示，在第二金属层16上形成第二子保护层17，并将第二子保护层17图案化形成位于第一区AA的通孔193、位于第二区BB的第二过孔192；第五道光罩，如图3所示，在第二子保护层17上形成第一子保护层18，并将第一子保护层18图案化形成位于第二区BB的绑定端子181和位于第一区AA的整面保护层结构，绑定端子181通过贯穿第二子保护层17的第二过孔192与第二电极163电连接。
实施例四、
基于上述实施例，本申请实施例还提供一种微型发光二极管显示面板，在上述任一项的阵列基板上布设微型发光二极管，微型发光二极管与对应的焊接端子164电连接，封装阵列基板以及微型发光二极管，形成微型发光二极管显示面板。
在本申请提供的实施例中，在阵列功能层上方设置保护层，保护层包括第一子保护层和第二子保护层，在阵列功能层上使用无机材料层或有机材料层作为第二子保护层，在第二子保护层上使用金属氧化物作为第一子保护层，优选第一子保护层使用ITO，第二子保护层使用氮化硅，通过双层子保护层的设置，阵列基板表现出了优异的抗刮伤能力，可以防止金属层出现刮伤，避免基板刮伤短路。
以上对本申请实施例所提供的一种阵列基板及微型发光二极管显示面板进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。
Claims (10)
1.一种阵列基板，所述阵列基板包括用于布设微型发光二极管的第一区和围绕所述第一区的第二区，其特征在于，所述阵列基板包括：
基底；
设于所述基底上的阵列功能层，所述阵列功能层包括阵列设置的焊接端子，所述焊接端子用以与所述微型发光二极管电连接；
设于所述阵列功能层上的保护层，所述保护层包括第一子保护层和第二子保护层，所述第二子保护层设于所述阵列功能层上，所述第一子保护层设于所述第二子保护层上；
其中，所述第一子保护层为金属氧化物层，所述第二子保护层为无机材料层或有机材料层，所述保护层位于所述第一区的部位设有通孔以暴露出对应的所述焊接端子。
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二子保护层采用氮化硅、氧化硅、全氟丙基全氟乙烯基醚与聚四氟乙烯的共聚物中的任意一种材料或两种以上的组合材料。
3.如权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述金属氧化物为ITO。
4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第二子保护层的厚度在200纳米至500纳米之间。
5.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第一子保护层的厚度在350纳米至750纳米之间。
6.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一子保护层位于所述第二区的部分还包括绑定端子，所述绑定端子用以与柔性电路板电连接。
7.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列功能层包括：
设于所述基底上的第一金属层，所述第一金属层包括栅极；
设于所述第一金属层上的栅极绝缘层；
设于所述栅极绝缘层上的有源层；
设于所述有源层上的第二金属层，所述第二金属层包括源极、漏极、以及所述焊接端子。
8.如权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，
所述第一金属层还包括第一电极；
所述第二金属层还包括第二电极，所述第二电极通过贯穿所述栅极绝缘层上的第一过孔与所述第一电极电连接；
所述第一子保护层包括位于所述第二区的绑定端子，所述绑定端子通过贯穿所述第二子保护层的第二过孔与所述第二电极电连接。
9.如权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述有源层包括：
位于所述栅极上方的半导体部；
位于所述第二电极与所述栅极绝缘层之间的第一垫层部，所述第一过孔还贯穿所述第一垫层部，所述第一垫层部的形状与所述第二电极相同；
位于所述焊接端子与所述栅极绝缘层之间的第二垫层部，所述第二垫层部的形状与所述焊接端子相同。
10.一种微型发光二极管显示面板，其特征在于，在如权利要求1-9任一项所述的阵列基板上布设所述微型发光二极管，封装所述阵列基板以及所述微型发光二极管，形成所述微型发光二极管显示面板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110359403.5A CN113192973A (zh) | 2021-04-02 | 2021-04-02 | 阵列基板及微型发光二极管显示面板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110359403.5A CN113192973A (zh) | 2021-04-02 | 2021-04-02 | 阵列基板及微型发光二极管显示面板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113192973A true CN113192973A (zh) | 2021-07-30 |
Family
ID=76974526
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202110359403.5A Pending CN113192973A (zh) | 2021-04-02 | 2021-04-02 | 阵列基板及微型发光二极管显示面板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN113192973A (zh) |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5916737A (en) * | 1993-12-01 | 1999-06-29 | Goldstar Co., Ltd. | Method for fabricating liquid crystal display device |
| CN1797773A (zh) * | 2004-12-30 | 2006-07-05 | Lg.菲利浦Lcd株式会社 | 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法 |
| CN103460270A (zh) * | 2011-03-30 | 2013-12-18 | 夏普株式会社 | 有源矩阵基板、显示装置和有源矩阵基板的制造方法 |
| US20140042397A1 (en) * | 2012-08-10 | 2014-02-13 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display device and method of fabricating the same |
| WO2014157665A1 (ja) * | 2013-03-29 | 2014-10-02 | 日本化薬株式会社 | エネルギー線硬化型樹脂組成物及びその硬化物 |
| CN106711169A (zh) * | 2015-11-16 | 2017-05-24 | 乐金显示有限公司 | 有机发光显示装置及其制造方法 |
| CN107077807A (zh) * | 2014-12-05 | 2017-08-18 | 凸版印刷株式会社 | 显示装置基板、显示装置基板的制造方法及使用其的显示装置 |
-
2021
- 2021-04-02 CN CN202110359403.5A patent/CN113192973A/zh active Pending
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5916737A (en) * | 1993-12-01 | 1999-06-29 | Goldstar Co., Ltd. | Method for fabricating liquid crystal display device |
| CN1797773A (zh) * | 2004-12-30 | 2006-07-05 | Lg.菲利浦Lcd株式会社 | 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法 |
| US20060145155A1 (en) * | 2004-12-30 | 2006-07-06 | Choi Young S | TFT array substrate and the fabrication method thereof |
| CN103460270A (zh) * | 2011-03-30 | 2013-12-18 | 夏普株式会社 | 有源矩阵基板、显示装置和有源矩阵基板的制造方法 |
| US20140042397A1 (en) * | 2012-08-10 | 2014-02-13 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display device and method of fabricating the same |
| WO2014157665A1 (ja) * | 2013-03-29 | 2014-10-02 | 日本化薬株式会社 | エネルギー線硬化型樹脂組成物及びその硬化物 |
| CN107077807A (zh) * | 2014-12-05 | 2017-08-18 | 凸版印刷株式会社 | 显示装置基板、显示装置基板的制造方法及使用其的显示装置 |
| CN106711169A (zh) * | 2015-11-16 | 2017-05-24 | 乐金显示有限公司 | 有机发光显示装置及其制造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10686148B2 (en) | Organic light emitting display device having a bending region and method of manufacturing the same | |
| US10230063B2 (en) | Organic light emitting display device and method of manufacturing the same | |
| US10090486B2 (en) | Frameless display device with concealed drive circuit board and manufacturing method thereof | |
| US11800783B2 (en) | Array substrate, stretchable display device, and method for manufacturing array substrate | |
| US11437411B2 (en) | Thin film transistor drive backplane and micro-light emitting diode display | |
| US20130044046A1 (en) | Display panel | |
| KR102649257B1 (ko) | 유기발광 표시장치 및 그 제조방법 | |
| JP2006178368A (ja) | アクティブマトリクス型表示装置及びその製造方法 | |
| CN112331679B (zh) | 显示装置 | |
| KR20230149786A (ko) | 플렉서블 표시장치 및 그 제조방법 | |
| KR20200133890A (ko) | 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
| KR20180049325A (ko) | 유기발광 표시장치 및 그 제조방법 | |
| KR101749265B1 (ko) | 어레이 기판 및 그 제조 방법 | |
| KR101484966B1 (ko) | 어레이 기판 및 이의 제조방법 | |
| KR20180060861A (ko) | 유기발광 표시장치 및 그 제조방법 | |
| US20200373281A1 (en) | Display device and method of manufacturing the same | |
| CN113192973A (zh) | 阵列基板及微型发光二极管显示面板 | |
| KR20170107619A (ko) | 표시장치 및 표시장치 제조방법 | |
| KR20070005983A (ko) | 표시 기판, 이의 제조 방법 및 이를 갖는 표시 장치 | |
| CN114220830B (zh) | 柔性显示面板 | |
| US11374036B2 (en) | Array substrate, manufacturing method thereof, and display device | |
| US20240032348A1 (en) | Display panel and display device and method of manufacturing display panel | |
| US20210226166A1 (en) | Display device and method of manufacturing display device | |
| US20210125888A1 (en) | Electronic device and manufacturing method thereof | |
| KR20180014365A (ko) | 유기발광 표시장치 및 그 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20210730 |