TWI499829B

TWI499829B - 導電性基板及其製造方法以及觸控面板

Info

Publication number: TWI499829B
Application number: TW099120551A
Authority: TW
Inventors: Hiroshi Kobayashi; Noritoshi Tomikawa
Original assignee: Toppan Printing Co Ltd
Priority date: 2009-12-10
Filing date: 2010-06-24
Publication date: 2015-09-11
Also published as: US20120241199A1; JPWO2011070801A1; JP4888608B2; CN102652340A; CN102652340B; JP4780254B2; JP2011253546A; TW201120519A; WO2011070801A1; KR20120114260A; KR101641402B1

Description

導電性基板及其製造方法以及觸控面板

本發明係關於作為輸入裝置而安裝的觸控面板中使用的導電性基板及導電性基板之製造方法。

近年來，在各式各樣的電子設備的顯示器上，就輸入裝置而言，安裝有透明的觸控面板。觸控面板的方式例如：電阻膜式、靜電電容式等。尤其，靜電電容式可採多點觸控(multi touch)，在可攜式機器等用途中常採用。

靜電電容式之觸控面板，構造為：在基板的表面及背面，各有形成有X座標及Y座標之圖案的透明導電膜經由金屬配線圖案而連接到電路，能檢知表面之透明導電膜與背面之透明導電膜之間的電壓變化。透明導電膜之圖案之形成方法，如專利文獻1至3，有利用光微影之方法。其他方法，如專利文獻4，就導電膜形成用組成物而言，使用具有對光反應之官能基或部位之銦化合物及具有同樣的官能基或部位的錫化合物，進行圖案曝光的方法，或如專利文獻5，利用雷射光形成圖案之方法等。又，金屬配線圖案，如專利文獻1，與透明導電膜之圖案同時形成時，或如專利文獻5或6，使用Ag墨或Al等金屬膜以印刷在透明導電膜上等形成。

先前技術文獻

專利文獻

專利文獻1　特開平1-197911號公報

專利文獻2　特開平2-109205號公報

專利文獻3　特開平2-309510號公報

專利文獻4　特開平9-142884號公報

專利文獻5　特開2008-140130號公報

專利文獻6　特開2008-33777號公報

但是，藉由如專利文獻1至3之利用光微影的方法，形成透明導電膜之圖案後，印刷如專利文獻5或6之金屬配線之圖案時，當為了此透明導電膜的圖案的圖案形狀不要顯眼而採微細構成時，會讀取不到在透明導電膜的圖案上為了配合金屬配線圖案的定位用記號，會有使得透明導電膜之圖案與金屬配線圖案偏離的問題。另一方面，專利文獻1雖記載使金屬配線圖案與透明導電膜的圖案同時形成，但是，金屬配線圖案含有用於透明導電膜的ITO，必需使用多量的稀少資源銦，此點成為問題。

本發明有鑑於習知技術的缺點，其目的在於探討製造步驟，提供一種導電性基板及其製造方法及觸控面板，即使是透明導電膜的圖案形狀不顯眼的導電性基板，透明導電膜圖案形狀與金屬配線圖案之位置精度仍高。

就解決課題之方法而言，申請專利範圍第1項之發明係一種導電性基板，其特徵在於：於透明基板之至少一面，由前述透明基板側起依序包含導電層及透明導電膜。

申請專利範圍第2項之發明為如申請專利範圍第1項之導電性基板，其中前述透明導電膜具有導電性圖案區及非導電性圖案區。

申請專利範圍第3項之發明為如申請專利範圍第2項之導電性基板，其中於前述透明導電膜之表面形成1或2層以上之光學調整層。

申請專利範圍第4項之發明為如申請專利範圍第2項之導電性基板，其中，僅在前述透明導電膜之導電性圖案區的表面形成1或2層以上之光學調整層。

申請專利範圍第5項之發明為如申請專利範圍第3項之導電性基板，其中前述導電性基板的至少一面的任一層之間或最表面形成硬塗層。

申請專利範圍第6項之發明，為如申請專利範圍第5項之導電性基板，其中前述導電層之片電阻值為1Ω/□以下，前述透明導電膜之片電阻值為100Ω/□以上、700kΩ/□以下。

申請專利範圍第7項之發明，係一種觸控面板，使用如申請專利範圍第6項之導電性基板。

申請專利範圍第8項之發明，係如申請專利範圍第2項之導電性積層體，係隔著黏著層而貼合在其他透明基板或其他導電性基板。

申請專利範圍第9項之發明，係如申請專利範圍第8項之導電性基板，其中前述導電層之片電阻值為1Ω/□以下，前述透明導電膜之片電阻值為100Ω/□以上、700kΩ/□以下。

申請專利範圍第10項之發明，為一種觸控面板，使用如申請專利範圍第9項之導電性基板。

申請專利範圍第11項之發明，為一種導電性基板之製造方法，其特徵在於依序包含以下步驟：在透明基板之至少一面形成導電層；及在前述導電層之表面形成透明導電膜。

申請專利範圍第12項之發明，為如申請專利範圍第11項之導電性基板之製造方法，其中在前述導電層之表面形成透明導電膜之步驟，在前述導電層之表面形成具有導電性圖案區及非導電性圖案區之透明導電膜。

申請專利範圍第13項之發明，為如申請專利範圍第12項之導電性基板之製造方法，更包含形成光學調整層之步驟及/或形成硬塗層之步驟。

申請專利範圍第14項之發明，為如申請專利範圍第13項之導電性基板之製造方法，其中，所有步驟係以捲軸式(Roll-to-Roll)方式進行。

依照本發明，可提供一種導電性基板及其製造方法與觸控面板，即使是透明導電膜之圖案形狀不顯眼的導電性基板，仍能輕易地進行透明導電膜與金屬配線之位置對準。

以下使用圖式說明實施本發明之形態。又，本發明不限於以下記載的實施形態，可依據該技術領域中具有通常知識者之知識加諸設計變更等變形，施加有如此的變形的實施形態也包含在本發明之範圍。

第1圖顯示本發明之導電性基板之剖面例1之說明圖。導電性基板4，由設於透明基板1之一面的導電層2，與不具有圖案的透明導電膜3構成。透明導電膜3由於不具有圖案，因此，第1圖之導電性基板4，可作為電阻膜式觸控面板之導電性基板使用。

第2圖顯示本發明之導電性基板之剖面例2之說明圖。導電性基板4，由設於透明基板1之一面的導電層2、與形成有導電性圖案區3a及非導電性圖案區3b之透明導電膜3構成。透明導電膜3由於具有圖案，因此，第2圖之導電性基板4，可作為靜電電容式觸控面板之導電性基板使用。在此，導電性圖案區，係指透明導電層當中具有導電性的部分，非導電性圖案區，係指透明導電層當中除去具有導電性之部分的不具有導電性的部分。

本發明之靜電電容式觸控面板之導電性基板，除了第2圖以外，尚有例如第3圖至第10圖的導電性基板。第3圖及第4圖，各為本發明之導電性基板之剖面例3及4之說明圖。如第3圖，也可在如第2圖所示之透明導電膜3上設置光學調整層5。又，如第4圖，視構成，也可僅在透明導電膜3之導電性圖案區3a設置光學調整層5。

第5圖及第6圖，各為本發明之導電性基板之剖面例5及6之說明圖。如第5圖，藉由在第2圖所示之導電性基板4之至少其中一面形成硬塗層6，表面硬度增高，成為不易受傷的基板。在此，係以在形成有導電層2之側的相反面形成硬塗層6為例顯示，但是，可適當選擇導電層2與透明基板1之間，形成有導電性圖案區3a及非導電性圖案區3b之透明導電膜3之表面，或如第6圖所示之光學調整層5之表面等。

第7圖至第9圖，各顯示本發明之導電性積層體之剖面例7至9之說明圖。於第5圖所示之導電性基板4之硬塗層6側，隔著黏著層8貼合有其他的透明基板1’。在此，貼合的其他透明基板1’，也可構成與第2圖所示之導電性基板4為同構成的其他導電性基板4’。具體而言，如第8圖，使用在其他透明基板1’之一面設有導電層2，及設有形成有導電性圖案區3a及非導電性圖案區3b之透明導電膜3的其他導電性基板4’，將其他導電性基板4’之透明導電膜3之表面與導電性基板4之硬塗層6，隔著黏著層8貼合。又，也可如第9圖，將其他導電性基板4’之其他透明基板1’，與導電性基板4之透明基板1，隔著黏著層8貼合。於第8圖或第9圖之情形，導電性基板4之透明導電膜3之圖案，與其他導電性基板4’之透明導電膜3之圖案，宜如後述為彼此垂直相交之圖案較佳。

第10圖為本發明之導電性積層體之剖面例10之說明圖。第3圖所示之導電性基板4之透明基板1之設有透明導電膜3之面的相反面，也可設有與透明導電膜3之圖案垂直相交之透明導電膜之圖案。此相反面之情形，亦為宜以依序為透明基板1、導電層2及形成有導電性圖案區3a及非導電性圖案區3b之透明導電膜3的構成。

其次，詳細說明本發明之導電性基板4之構成部分。又，關於其他導電性基板4’，與導電性基板4以同等者處理。

本發明使用之透明基板1之形狀，例如板狀、膜狀等。透明基板1之材料，除了玻璃以外，也可使用高分子樹脂。高分子樹脂，只要是成膜步驟及後步驟中具有足夠強度，且表面平滑性良好即不特別限定，例如：聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚對苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚醚碸、聚碸、聚芳酯、環狀聚烯烴、聚醯亞胺等。其厚度考慮構件的薄型化及基板之可撓性，可使用10μm以上、200μm以下左右者。

透明基板1含有之材料，除上述材料以外，也可在基材表面使用周知的各種添加劑或安定劑，例如抗靜電劑、抗紫外線劑、可塑劑、潤滑劑、易接著劑等。為了改善與薄膜之密合性，也可施以電暈處理、低溫電漿處理、離子轟擊處理、藥品處理等作為前處理。

又，關於其他透明基板1’，也與透明基板1作為同等者處理。

本發明使用之導電層2，係連接於能檢知電壓變化之電路的金屬配線圖案，係以相接於透明導電膜3之導電性圖案區3a的方式形成。透明導電膜3之導電性圖案區3a為透明，且為了能以良好精度讀取位置資訊，多為微細的圖案，因此，導電層2必需與透明導電膜3之導電性圖案區3a進行精確的位置對準以形成。

導電層2，係將金屬膜利用光微影或雷射等方法圖案化者，例如將銀墨、奈米碳管(CNT)、導電性樹脂等以網版印刷或噴墨印刷形成圖案者等，可形成約100μm以下的細線，只要是即使細線化仍能得到足夠導電性的材料、形成技術，各種方法均可使用。又，也可將其他材料組合於金屬膜、銀墨、CNT或導電性樹脂等的圖案而形成導電層2。

導電層2，宜從透明基板1側起依序設置導電層2、透明導電膜3。設置導電層2後藉由設置透明導電膜3，可輕易進行導電層2與透明導電層3之位置對準。反之，當從透明基板1側起依序設置透明導電膜3、導電層2時，由於透明導電膜3之圖案為透明且微細的構成，因此，難以將導電層3以良好精度對準於透明導電膜3之圖案之位置故為不佳。

又，藉由與導電層2分別地，預先形成位置對準用的記號，更能輕易地進行與透明導電膜圖案的位置調整。視材料，為了乾燥或硬化可適當使用熱或紫外線。

關於導電層2之片電阻，宜有1Ω/□以下之導電性者。藉由於此範圍，即使細線化仍能得到足夠的導電性。又，片電阻可利用四端針法測定，或由圖案形狀及其電阻值計算。

本發明使用之硬塗層6，係為了使導電性基板4帶有機械性強度而設置。使用的樹脂不特別限定，但以具有透明性及適度硬度及機械性強度之樹脂較佳。具體而言，宜為如以能期待3維交聯的3官能以上的丙烯酸酯為主成分之單體或交聯性寡聚物的光硬化性樹脂。

3官能以上之丙烯酸酯單體，以三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、異脲氰酸EO變性三丙烯酸酯、三丙烯酸季戊四醇酯、三丙烯酸二季戊四醇酯、四丙烯酸二季戊四醇酯、五丙烯酸二季戊四醇酯、六丙烯酸二季戊四醇酯、二-三羥甲基丙烷四丙烯酸酯、四丙烯酸季戊四醇酯、聚酯丙烯酸酯等較佳。特佳者為，異脲氰酸EO變性三丙烯酸酯及聚酯丙烯酸酯。此等可單獨使用，也可併用2種以上。又，此等3官能以上之丙烯酸酯以外，也可併用環氧丙烯酸酯、胺基甲酸酯丙烯酸酯、多元醇丙烯酸酯等所謂的丙烯酸系樹脂。

交聯性寡聚物，例如：聚酯(甲基)丙烯酸酯、聚醚(甲基)丙烯酸酯、聚胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、環氧(甲基)丙烯酸酯、矽酮(甲基)丙烯酸酯等丙烯酸寡聚物較佳。具體而言，例如：聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、雙酚A型環氧丙烯酸酯、聚胺基甲酸酯之二丙烯酸酯、甲酚酚醛清漆型環氧(甲基)丙烯酸酯等。

硬塗層6，也可含有其他粒子、光聚合起始劑等添加劑。

添加之粒子，例如有機或無機粒子，若考慮透明性，使用有機粒子較佳。有機粒子，例如：由丙烯酸樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚酯樹脂、聚烯烴樹脂、聚醯胺樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂、矽酮樹脂及氟樹脂等構成之粒子。

粒子之平均粒徑，視硬塗層6之厚度而異，由混濁度(haze)等外觀上的理由，使用下限為2μm以上，更佳為5μm以上，上限為30μm以下，較佳為15μm以下者。又，粒子含量亦為同樣理由，相對於樹脂而言，為0.5重量%以上、5重量%以下較佳。

添加光聚合起始劑時，就自由基產生型之光聚合起始劑而言，例如：苯偶因、苯偶因甲醚、苯偶因乙醚、苯偶因異丙醚、苄基甲基縮酮等苯偶因與其烷基醚類、苯乙酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、1-羥基環己基苯酮等苯乙酮類、甲基蒽醌、2-乙基蒽醌、2-戊基蒽醌等蒽醌類、噻噸酮(thioxanthone)、2,4-二乙基噻噸酮、2,4-二異丙基噻噸酮等噻噸酮類、苯乙酮二甲基縮酮、苄基二甲基縮酮等縮酮類、二苯基酮、4,4-雙甲基胺基二苯基酮等二苯基酮類及偶氮化合物等。此等可單獨使用，或以2種以上之混合物的形式使用，又，也可組合三乙醇胺、甲基二乙醇胺等第3級胺、2-二甲基胺基乙基苯甲酸、4-二甲基胺基苯甲酸乙酯等苯甲酸衍生物等光起始助劑等使用。

上述光聚合起始劑之添加量，相對於主成分之樹脂，為0.1重量%以上、5重量%以下，較佳為0.5重量%以上、3重量%以下。小於下限值時，硬塗層之硬化不充分故不佳。又，超過上限值時，硬塗層會起黃變，或耐候性降低故不佳。使光硬化型樹脂硬化時使用的光，為紫外線、電子射線、或gamma射線等，為電子射線或gamma射線時，不一定要含有光聚合起始劑或光起始助劑。此等射線源，可使用高壓水銀燈、氙燈、金屬鹵化物燈或加速電子等。

又，硬塗層6之厚度，不特別限定，但以0.5μm以上、15μm以下之範圍較佳。又，與透明基板層11之折射率同等或近似者更佳，1.45以上、1.75以下左右較佳。

硬塗層6之形成方法，係將主成分樹脂與吸收紫外線的材料溶於溶劑，並以模塗、簾流塗布、輥塗、逆向輥塗、凹版塗布、刀塗、桿塗、旋塗、微型凹版塗布等公知的塗布方法形成。

關於溶劑，只要是溶解上述主成分之樹脂者即可，不特別限定。具體而言，溶劑例如：乙醇、異丙醇、異丁醇、苯、甲苯、二甲苯、丙酮、甲乙酮、甲基異丁酮、乙酸乙酯、乙酸正丁酯、乙酸異戊酯、乳酸乙酯、甲基塞珞蘇、乙基塞珞蘇、丁基塞珞蘇、甲基塞珞蘇乙酸酯、丙二醇單甲醚乙酸酯等。此等溶劑可單獨使用1種，也可併用2種以上。

光學調整層5，係具有使形成於透明導電膜3之圖案不顯眼的機能，且用於使視讀性提高之層。使用無機化合物時，可使用氧化物、硫化物、氟化物、氮化物等材料。由上述無機化合物構成之薄膜，視其材料，折射率不同，藉由將折射率不同的薄膜形成特定膜厚，可調整光學特性。又，光學機能層之層數，可視目的光學特性，也可為多層。

折射率低之材料，例如：氧化鎂(1.6)、二氧化矽(1.5)、氟化鎂(1.4)、氟化鈣(1.3～1.4)、氟化鈰(1.6)、氟化鋁(1.3)等。又，折射率高的材料，例如：氧化鈦(2.4)、氧化鋯(2.4)、硫化鋅(2.3)、氧化鉭(2.1)、氧化鋅(2.1)、氧化銦(2.0)、氧化鈮(2.3)、氧化鉭(2.2)。惟，上述括弧內之數值表示折射率。

另一方面，光學調整層5也可使用與硬塗層6同樣的樹脂。此情形，可將氧化鋯或氧化鈦等高折射率無機微粒子分散於樹脂，而使樹脂之折射率提高。

透明導電膜3，例如：氧化銦、氧化鋅、氧化錫其中之一，或此等的2種或3種的混合氧化物，又，添加有其他添加物之物等，可視目的、用途使用各種材料，不特別限定。目前，可靠度最高，有許多實績的材料為氧化銦錫(ITO)。

當使用最為一般的透明導電材料氧化銦錫(ITO)作為透明導電膜3使用時，攙雜於氧化銦之氧化錫之含有比例，可視裝置要求的規格，選擇任意比例。例如，基材為塑膠膜時，於提高機械強度的目的，用於使薄膜結晶化使用的濺鍍靶材，希望氧化錫之含有比小於10重量%，為了使薄膜非晶質化且帶有可撓性，氧化錫之含有比希望為10重量%以上。又，對於薄膜要求低電阻時，氧化錫之含有比希望為3重量%至20重量%之範圍。

透明導電膜3之片電阻，宜為具有100Ω/□以上、700kΩ/□以下之導電性。藉由在此範圍，耐久性及穿透性優異，能以良好精度檢知接觸位置。又，關於片電阻，可與導電層2同樣，利用四端針法測定，或由圖案形狀及其電阻值計算。

光學調整層5使用無機化合物時，及就透明導電膜3之製造方法而言，只要能控制膜厚，可使用各種成膜方法，其中，薄膜之生成以乾式法為優異。其可使用真空蒸鍍法、濺鍍等物理性氣相析出法或如CVD法之化學性氣相析出法。尤其，為了形成大面積且均勻膜質的薄膜，希望為製程穩定且薄膜緻密的濺鍍法。

於透明導電膜3，施用如第11圖或第12圖的圖案。如第11圖或第12圖，形成之圖案，係由以黑色表示之導電性圖案區3a與以白色表示之非導電性圖案區3b構成。導電性圖案區3a相接於導電層2，連接於能檢知電壓變化的電路。人的手指等若接近為檢測電極的導電性圖案區3a，由於全體的靜電電容變化，電路的電壓變動，能判定接觸位置。藉由貼合第11圖或第12圖的圖案，如第13圖所示以彼此垂直相交之方式組合，與電壓變化檢知電路連接，可得到2維的位置資訊。

又，透明導電膜3，以透明導電膜3之導電性圖案區3a及非導電性圖案區3b的總光線穿透率的差異為1%以下較佳，於此範圍時，導電性基板的兩面即使形成不同圖案，圖案形狀仍然不會顯眼，視讀性提高。又，導電性圖案區與非導電性圖案區的穿透色相b＊差宜為1.5以下。於此範圍時，圖案形狀更為不顯眼，視讀性更提高。

透明導電膜3之圖案形狀，除了如第11圖或第12圖之鑽石型圖案以外，有網型圖案等，為了精確讀取2維的位置資訊，儘可能形成微細圖案，且對於2片圖案精確進行位置對準為必要。

透明導電膜3之圖案形成方法，例如：在透明導電膜3上塗布光阻劑並將圖案以曝光、顯影形成後，將透明導電膜化學性溶解之利用光微影形成的方法、於真空中利用化學反應使氣化之方法、利用雷射使透明導電膜昇華之方法等。圖案形成方法，可依圖案形狀、精度等適當選擇，但考慮圖案精度、細線化，以利用光微影之方法較佳。

本發明之導電性基板4之圖案形成步驟，以第5圖所示導電性基板4為例，顯示於第14圖。首先，準備透明基板1(步驟(a))，於其中一面形成硬塗層6(步驟(b))。在與透明基板1之硬塗層6相反之面，於既定位置形成導電層2(步驟(c))。再將透明導電膜3成膜(步驟(d))。其次，在導電層2及透明導電膜3之表面塗布光阻劑7a(步驟(e))，依序配置用以在透明導電膜3形成圖案的光源、以第11圖或第12圖代表的圖案光罩、塗布有光阻劑7a的透明基板，以光源的光進行曝光，製作出光阻劑7b及7c之區域(步驟(f))。又，7c係因光而感光的光阻劑。其次，將未感光的光阻劑7b以顯影液除去(步驟(g))，將透明導電膜3之露出部分蝕刻(步驟(h))。最後，將已感光的光阻劑7c剝離，得到導電性基板4(步驟(i))。

本發明之導電性基板4之製造方法，宜依序包含形成導電層2之步驟(c)及將透明導電膜3成膜之步驟(d)。藉由先形成導電層2，再將透明導電膜3成膜並形成圖案，能以導電層2之位置作為基準，形成透明導電膜3之圖案，故能輕易進行位置對準。反之，當將透明導電膜3成膜並形成圖案後，形成導電層2時，必需配合透明且微細形狀之透明導電膜3之圖案之位置來形成導電層2，無法輕易地進行位置對準。又，當將透明導電膜3成膜並形成圖案後，形成導電層2時，由於係將形成導電層2的銀墨於高溫乾燥，故先成膜的透明導電膜3的片電阻值會增大，無法以良好精度檢知接觸位置。

形成導電層2之步驟(c)，更佳為：在形成導電層2的同時，先形成位置對準用的記號。藉此，之後形成透明導電膜3之圖案時，能以位置對準用的記號作為標記形成圖案。

第14圖顯示使用負型光阻劑形成圖案之方法的各步驟，也可使用正型光阻劑形成圖案。

其他圖所示之本發明之導電性基板4，也可同樣依上述各步驟，形成透明導電膜3之導電性圖案區3a及非導電性圖案區3b。

本發明之導電性基板4之製造方法，也可包含在依第14圖所示步驟得到的導電性基板4的透明基板1貼合其他透明基板1’之步驟。又，也可包含使用依其他步驟得到的導電性基板4’，將其他導電性基板4’之透明導電膜3之表面與導電性基板4之硬塗層6隔著黏著層8貼合之步驟。

本發明之導電性基板4之製造方法中，形成導電層2之步驟、形成透明導電膜3之步驟或形成具有導電性圖案區3a及非導電性圖案區3b之透明導電膜3之步驟、形成光學調整層5之步驟及形成硬塗層6之步驟，各以依照捲軸式(roll to roll)方式進行較佳。藉此，能將導電性基板4有效率地大量生產。尤其，將各步驟連續以捲軸方式進行較佳。

[實施例] 其次說明實施例及比較例。 <實施例1>

使用聚對苯二甲酸乙二醇酯膜(Toray公司製、厚度：100μm)作為透明基板，於其中一面以微型凹版塗布機塗布下述組成之樹脂層形成用塗液，於60℃使乾燥1分鐘，並以紫外線使硬化，藉此形成硬塗層。

[樹脂層形成用塗液之組成]

樹脂：紫光UV-7605B(日本合成化學公司製)100重量份

起始劑：Irgacure 184(Chiba Japan公司製)　4重量份

溶劑：乙酸甲酯　100重量份

在與透明基板之硬塗層為相反之面，使用銀墨利用網版印刷機形成導電層及位置對準用記號，於150℃乾燥30分鐘。其次在導電層上以濺鍍法，將作為透明導電膜的ITO膜成膜25nm後，以銀墨之位置對準用記號作為基準，以光微影法形成透明導電膜之圖案。

實施例1之情形，藉由塗布硬塗，能形成刮痕少的透明導電膜。又，由於容易進行位置對準，沒有因為圖案偏離所致缺陷。ITO膜之片電阻值穩定為200Ω/□。

<實施例2>

使用聚對苯二甲酸乙二醇酯膜(Toray公司製、厚度：100μm)作為透明基板，於其中一面，形成與實施例1同樣的硬塗層，並於與透明基板之硬塗層為相反之面，形成與實施例1同樣的導電層及位置對準用記號。其次，將與實施例1之同樣的ITO膜成膜25nm後，並將作為光學調整層的SiO₂ 成膜70nm後，以銀墨之位置對準用記號作為基準，以光微影法將SiO₂ 及ITO以相同圖案蝕刻，得到導電性基板。

實施例2之情形，藉由塗布硬塗，能形成刮痕少的透明導電膜。又，由於容易進行位置對準，故沒有圖案偏離所致缺陷。ITO膜之片電阻值穩定為200Ω/□，關於光學特性，導電性圖案區與非導電性圖案區之總光線穿透率差為0.3%，可得到圖案之視讀難的導電性基板。

<比較例>

使用聚對苯二甲酸乙二醇酯膜(Toray公司製、厚度：100μm)作為透明基板，於其中一面形成與實施例1同樣的硬塗層，並在與透明基板之硬塗層為相反之面，以濺鍍法分別將作為光學調整層的TiO₂ 成膜10nm、SiO₂ 成膜56nm、作為透明導電膜之ITO膜成膜25nm。其次，以光微影法，在ITO膜形成導電性圖案區、非導電性圖案區及位置對準用記號，最後使用銀墨，以網版印刷機形成導電層，於150℃乾燥30分鐘，得導電性基板。

比較例之情形，可得到導電性圖案區與非導電性圖案區之總光線穿透率差為0.7%及圖案之視讀難的導電性基板，但是位置對準用記號在設置導電層的網版印刷步驟無法讀取，位置對準缺陷頻率高。又，由於銀墨之乾燥步驟的高溫，確認成膜後原為200Ω/□的ITO膜的片電阻值增大為800Ω/□。

1．．．透明基板

1’．．．其他之透明基板

2．．．導電層

3．．．透明導電膜

3a．．．導電性圖案區

3b．．．非導電性圖案區

4．．．導電性基板

4’．．．其他之導電性基板

5．．．光學調整層

6．．．硬塗層

7a、7b．．．光阻劑

7c．．．已感光之光阻劑

8．．．黏著層

第1圖顯示本發明之導電性基板之剖面例1之說明圖。

第2圖顯示本發明之導電性基板之剖面例2之說明圖。

第3圖顯示本發明之導電性基板之剖面例3之說明圖。

第4圖顯示本發明之導電性基板之剖面例4之說明圖。

第5圖顯示本發明之導電性基板之剖面例5之說明圖。

第6圖顯示本發明之導電性基板之剖面例6之說明圖。

第7圖顯示本發明之導電性基板之剖面例7之說明圖。

第8圖顯示本發明之導電性基板之剖面例8之說明圖。

第9圖顯示本發明之導電性基板之剖面例9之說明圖。

第10圖顯示本發明之導電性基板之剖面例10之說明圖。

第11圖顯示透明導電膜之圖案例(X座標)之說明圖。

第12圖顯示透明導電膜之圖案例(Y座標)之說明圖。

第13圖顯示透明導電膜之圖案例之X座標與Y座標之位置關係之說明圖。

第14圖顯示本發明之導電性基板之圖案形成步驟例之說明圖。

1．．．透明基板

2．．．導電層

3．．．透明導電膜

4．．．導電性基板

Claims

一種導電性基板，其特徵在於：於透明基板之至少一面，從該透明基板側起依序包含導電層及透明導電膜，該透明導電膜具有導電性圖案區及非導電性圖案區，該導電層係連接於能檢知電壓變化之電路的金屬配線圖案。
如申請專利範圍第1項之導電性基板，其中該透明導電膜之表面形成有1或2層以上之光學調整層。
如申請專利範圍第1項之導電性基板，其中僅在該透明導電膜之導電性圖案區之表面形成1或2層以上之光學調整層。
如申請專利範圍第2項之導電性基板，其中該導電性基板之至少一面的任一層之間或最表面形成有硬塗層。
如申請專利範圍第4項之導電性基板，其中該導電層之片電阻值為1Ω/□以下，該透明導電膜之片電阻值為100Ω/□以上、700kΩ/□以下。
一種觸控面板，係使用如申請專利範圍第5項之導電性基板。
如申請專利範圍第1項之導電性基板，隔著黏著層貼合於其他透明基板或其他導電性基板。
如申請專利範圍第7項之導電性基板，其中該導電層之片電阻值為1Ω/□以下，該透明導電膜之片電阻值為100Ω/□以上、700kΩ/□以下。
一種觸控面板，係使用如申請專利範圍第8項之導電性基板。
一種導電性基板之製造方法，其特徵在於：依序包含以下步驟：於透明基板之至少一面，形成屬於連接於能檢知電壓變化之電路的金屬配線圖案的導電層；於該導電層之表面，形成具有導電性圖案區及非導電性圖案區的透明導電膜。
如申請專利範圍第10項之導電性基板之製造方法，更包含形成光學調整層之步驟及/或形成硬塗層之步驟。
如申請專利範圍第11項之導電性基板之製造方法，所有步驟係以捲軸方式進行。