JP3972508B2 - 電極基板 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、液晶表示素子などの薄型表示デバイスに用いられる電極基板に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、液晶表示素子においては、一対の透明なフィルム基板の対向面にそれぞれ複数の透明電極を形成するとともに、これら透明電極を覆って配向膜を形成し、これら配向膜にそれぞれラビング処理などの配向処理を施した上、各透明電極を対向させた状態で、フィルム基板間に液晶をシール材で囲んで封入し、この状態で対向する透明電極間に電界を選択的に印加することにより、情報を表示するように構成されている。このような液晶表示素子のフィルム基板に形成される透明電極は、その素材として、例えば、インジウム - スズなどのインジウム合金(ITM)、或いは少量のスズを添加した酸化インジウムの金属酸化物(ITO)などの2種類があり、これらの素材から真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティングなどの方法により成膜し、フォトリソグラフィ法により所定形状に形成されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような透明電極のうち、前者のインジウム合金(ITM)で成膜された透明電極では、成膜された状態で粒子が粗く粒界が多く存在することにより、弾性係数が大きく、曲げなどの応力を吸収できるため、可撓性を有するフィルム基板に適しているが、粒子が粗大であるため表面に凹凸が多く、ラビング処理などの配向処理工程で傷付きやすく、断線の原因になりやすいばかりか、粒界が多く存在するため電気抵抗が高いという問題がある。
また、後者の酸化インジウムの金属酸化物(ITO)で成膜された透明電極では、成膜された状態で粒子が微細であり、緻密で粒界が少なく表面が平坦であるから、ラビング処理などの配向処理工程で傷付きにくく、耐擦傷性に優れ、かつ粒界が少ないので電気抵抗が低いが、逆に粒界が少ないことにより弾性係数が小さく、曲げなどの応力に弱く、亀裂や割れなどが生じやすく、断線しやすという問題がある。
【0004】
この発明の課題は、耐擦傷性に優れ、断線しにくい透明電極を得ることである。
【0005】
【課題を解決するための手段】
この発明は、可撓性を有する基板に透明電極が形成された電極基板において、前記透明電極が、酸素分圧が10−3Paよりも低い雰囲気中で成膜され、酸化インジウムと少量の酸化スズとからなる金属酸化物により形成された透明な第1導電層と、この第1導電層上に酸素分圧が10 −3 Paの雰囲気中で成膜され、酸化インジウムと少量の酸化スズとからなる金属酸化物により、その粒径が前記第1導電層の粒径よりも小さい粒子で形成された透明な第2導電層との2層構造に形成されていることを特徴とする。
この発明によれば、基板上に形成された第1導電層が粗大な粒子で、粒界が多く存在する膜であり、この第1導電層上に形成された第2導電層が第1導電層の粒径よりも小さい粒子で形成されているので、表面が平坦で、耐擦傷性に優れ、かつ第2導電層は粒界が少ないので電気抵抗が低く、しかも第1導電層と第2導電層との2層に形成しているので、透明電極の断線を防ぐことができ、これにより耐擦傷性に優れ、断線しにくい透明電極を得ることができる。
【0007】
【発明の実施の形態】
[第1参考例]
以下、図1および図2を参照して、第1の参考例としての液晶表示素子について説明する。
図1は液晶表示素子の拡大断面図、図2(a)および図2(b)はその電極基板の製造工程を示した各拡大断面図である。
この液晶表示素子は、図1に示すように、上下一対の透明な電極基板1、2を備えている。下側の電極基板2は、可撓性を有する透明な合成樹脂からなるフィルム基板3の上面に帯状の透明電極4が複数配列されているとともに、これら複数の透明電極4を覆って配向膜5が形成された構成になっている。この場合、配向膜5は、その表面にラビング処理などの配向処理が施されている。
【0008】
また、上側の電極基板1は、下側の電極基板2と同様、可撓性を有する透明な合成樹脂からなるフィルム基板6の下面に帯状の透明電極7が下側の電極基板2の透明電極4と直交するように配列されているとともに、これら透明電極7を覆って配向膜8が形成されている。この場合にも、配向膜8は、その表面にラビング処理などの配向処理が施されている。
そして、上下の電極基板1、2は、透明電極7、4を対向させた状態で、周縁部がシール材9により接合されている。これら上下の電極基板1、2間には、液晶10がスペーサ11と共にシール材9で囲われて封入されている。
この液晶表示素子は、上下の電極基板1、2の対向する透明電極7、4間に選択的に電界を印加することにより、情報を表示するように構成されている。
【0009】
ところで、上下の電極基板1、2の透明電極7、4は、それぞれ、フィルム基板6、3に形成された透明な第1導電層12と、この第1導電層12上に形成された透明な第2導電層13との2層構造に形成されている。すなわち、透明電極7、4のうち、下側の電極基板2の透明電極4の第1導電層12は、図2(a)に示すように、フィルム基板3上にインジウム−スズなどのインジウム合金(ITM)から真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティングなどの方法により成膜してなり、この成膜された状態で、粒子が粗く粒界が多く存在し、かつ電気抵抗が数百Ω程度と高く形成されている。また、第2導電層13は、図2(b)に示すように、第1導電層12上に酸化インジウム、または少量の酸化スズを添加した酸化インジウムの金属酸化物(ITO)から真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティングなどの方法により成膜してなり、この成膜された状態で、粒子が第1導電層12よりも微細で緻密に形成されて粒界が少なく、表面が平坦に形成されている。なお、これら第1、第2導電層12、13は、フィルム基板3上に第1導電層12を成膜し、この第1導電層12上に第2導電層13を成膜した後に、フォトリソグラフィ法により一括して所定形状に形成されている。また、上側の電極基板1の透明電極7も、下側の電極基板2の透明電極4と同様に形成されている。
【0010】
このような液晶表示素子の上下の電極基板1、2では、各フィルム基板6、3に形成された各透明電極7、4の第1導電層12がインジウム−スズなどのインジウム合金(ITM)で成膜されていることにより、成膜された状態で、粒子が粗大で粒界が多く存在し、これにより電気抵抗は数百Ω程度と高いが、弾性係数が大きくなり、曲げなどの応力を十分に吸収することができる。また、第1導電層12上に形成された第2導電層13が酸化インジウム、または少量の酸化スズを添加した酸化インジウムの金属酸化物(ITO)で成膜されていることにより、成膜された状態で、粒子が第1導電層12よりも微細で緻密に形成されて粒界が少なく、表面が平坦であるから、配向膜5、8にラビング処理などの配向処理を施す際に第2導電層13の表面が傷付くことがなく、耐擦傷性に優れ、かつ粒界が少ないので電気抵抗を低くすることができる。しかも、第2導電層13は粒界が少ないことにより弾性係数が小さくなるが、第1導電層12の弾性係数が大きいので、フィルム基板3、6が曲げられた際、その曲げなどの応力により第2導電層13に亀裂や割れなどが生じても、第1導電層12が曲げなどの応力を吸収して破損することがないので、透明電極4、7の断線を防ぐことができ、これにより耐擦傷性および耐屈曲性に優れ、断線しにくい透明電極4、7を得ることができる。
【0011】
[第1実施形態]
次に、図3および図4を参照して、この発明の電極基板を液晶表示素子に適用した第1実施形態について説明する。なお、図1および図2に示された第1参考例と同一部分には同一符号を付し、その説明は省略する。
この液晶表示素子は、上下の電極基板1、2の透明電極20、21が第1参考例と異なり、これ以外は第1参考例と同じ構成になっている。
すなわち、上下の電極基板1、2の透明電極20、21は、それぞれ、フィルム基板6、3に形成された透明な第1導電層22と、この第1導電層22上に形成された透明な第2導電層23との2層構造に形成されている。
【0012】
この場合、各透明電極20、21のうち、下側の電極基板2の透明電極21の第1、第2導電層22、23は、それぞれ、酸化インジウム、または少量の酸化スズを添加した酸化インジウムの金属酸化物(ITO)を真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティングなどの方法により成膜してなるが、その成膜条件が第1、第2導電層22、23でそれぞれ異なっている。すなわち、第1導電層22は、図4(a)に示すように、フィルム基板3の上面に金属酸化物(ITO)を成膜するときに、所定の酸素分圧(10-3Pa)付近よりも低い状態で成膜され、これにより成膜された状態で、粒子が粗大で粒界が多く存在した組成で形成されている。また、第2導電層23は、図4(b)に示すように、第1導電層22上に金属酸化物(ITO)を成膜するときに、所定の酸素分圧(10-3Pa)付近の状態で成膜され、これにより成膜された状態で、粒子が第1導電層22よりも微細で緻密に形成されて粒界が少ない組成で形成されている。なお、これら第1、第2導電層22、23は、第1参考例と同様、フィルム基板3の上面に第1導電層22を成膜し、この第1導電層22上に第2導電層23を成膜した後に、フォトリソグラフィ法により一括して所定形状に形成されている。また、上側の電極基板1の透明電極20も、下側の電極基板2の透明電極21と同様に形成されている。
【0013】
このような液晶表示素子の各電極基板1、2では、各フィルム基板6、3に形成される各透明電極20、21の第1導電層22が、酸化インジウム、または少量の酸化スズを添加した酸化インジウムの金属酸化物(ITO)を成膜するときに、所定の酸素分圧(10-3Pa)付近よりも低い状態で成膜されることにより、成膜された状態で、粒子が粗大で粒界が多く存在する組成であるから電気抵抗が高くなる。また、第1導電層22上に形成された第2導電層23が、酸化インジウム、または少量の酸化スズを添加した酸化インジウムの金属酸化物(ITO)を成膜するときに、所定の酸素分圧(10-3Pa)付近の状態で成膜されることにより、成膜された状態で、粒子が第1導電層22よりも微細で緻密に形成されて粒界が少ない組成であるから、表面が平坦になり、配向膜5、8にラビング処理などの配向処理を施す際に第2導電層23の表面が傷付くことがなく、耐擦傷性に優れ、かつ粒界が少ないので電気抵抗を低くすることができる。
【0014】
この場合、第1導電層22に2第2導電層23とが積層された2層構造としたので、断線を防ぐことができ、これにより耐擦傷性に優れ、断線しにくい透明電極20、21を得ることができる。
また、この電極基板1、2の各透明電極20、21では、酸化インジウム、または少量の酸化スズを添加した酸化インジウムの金属酸化物(ITO)を成膜するときに、同一の蒸着源を用いて酸素分圧を変えるだけで、第1、第2導電層22、23を成膜することができるので、同じ装置内で連続して第1、第2導電層22、23を成膜することができ、製造工程の簡素化を図ることができ、量産性が良い。
【0015】
なお、上記第1実施形態では、液晶表示素子に適用した場合について述べたが、これに限らず、例えば、エレクトロルミネッセンス表示素子などの薄型形状のディスプレイ、あるいはタッチパネルや平面発光素子などにも広く適用することができる。
【0016】
【発明の効果】
以上説明したように、この発明によれば、可撓性を有する基板に形成される透明電極を第1導電層と第2導電層の2層構造にし、基板上に形成される第1導電層を粗大な粒子で成膜し、この第1導電層上に形成される第2導電層を第1導電層の粒径よりも小さい粒子で成膜したことにより、第1導電層よりも緻密で粒界が少なく、表面が平坦でかつ電気抵抗を低くすることができ、これにより耐擦傷性に優れ、断線しにくい透明電極を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 参考例の液晶表示素子を示した拡大断面図。
【図2】 図1の電極基板の製造工程を示し、(a)はフィルム基板に第1導電層を成膜した状態の要部拡大断面図、(b)はその第1導電層上に第2導電層を成膜した状態の要部拡大断面図。
【図3】 この発明の電極基板を液晶表示素子に適用した第1実施形態を示した拡大断面図。
【図4】 図3の電極基板の製造工程を示し、(a)はフィルム基板に第1導電層を成膜した状態の要部拡大断面図、(b)はその第1導電層上に第2導電層を成膜した状態の要部拡大断面図。
【符号の説明】
1、2 電極基板
3、6 フィルム基板
4、7、20、21 透明電極
12、22 第1導電層
13、23 第2導電層
Claims (1)
- 可撓性を有する基板に透明電極が形成された電極基板において、
前記透明電極が、酸素分圧が10−3Paよりも低い雰囲気中で成膜され、酸化インジウムと少量の酸化スズとからなる金属酸化物により形成された透明な第1導電層と、この第1導電層上に酸素分圧が10 −3 Paの雰囲気中で成膜され、酸化インジウムと少量の酸化スズとからなる金属酸化物により、その粒径が前記第1導電層の粒径よりも小さい粒子で形成された透明な第2導電層との2層構造に形成されていることを特徴とする電極基板。
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