JPWO2015111327A1 - 透明導電体 - Google Patents

Abstract

本発明の課題は、耐湿性に優れ、反りの発生を抑制できる透明導電体を提供することである。当該透明導電体は、透明基板１と、透明基板１の両面に設けられた導電層６と、を備え、導電層６のうち少なくとも一方が、透明金属層３及び硫化亜鉛を含有する第１高屈折率層２又は第２高屈折率層４を含む積層体であることを特徴とする。

Description

本発明は、透明金属層を含む透明導電体に関する。特に、耐湿性に優れ、反りの発生を抑制できる透明導電体に関する。

近年、液晶ディスプレイやプラズマディスプレイ、無機及び有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ等の表示装置、タッチパネル、太陽電池等の各種装置に透明導電体が使用されている。

透明導電体を構成する材料として、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｌ、Ｃｒ等の金属やＩｎ_２Ｏ_３、ＣｄＯ、ＣｄＩｎ_２Ｏ_４、Ｃｄ_２ＳｎＯ_４、ＴｉＯ_２、ＳｎＯ_２、ＺｎＯ、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ；Indium Tin Oxide）等の酸化物半導体が知られている。

このような透明導電体としては、例えば、透明高分子フィルム上に、金属酸化物層及び金属層が積層され、更にその上に、環境中に存在するハロゲンイオンや水分等の侵入を抑制する透明樹脂層が積層されて構成されたものが提供されている（例えば、特許文献１参照。）。

しかしながら、上記従来の技術によれば、水分等の侵入を抑制する機能が十分ではなく、金属層等の腐食が発生することで、透明導電体の外観が損なわれたり、光透過率が低減したりするという問題がある。また、透明高分子フィルムの片面側のみに各層が設けられた場合には、当該透明導電体に応力が生じて反りが発生するという問題もある。

特開２００７−１９６５５２号公報

本発明は、上記問題・状況に鑑みてなされたものであり、その解決課題は、耐湿性に優れ、反りの発生を抑制できる透明導電体を提供することである。

本発明に係る上記課題を解決すべく、上記問題の原因等について検討した結果、透明基板と、前記透明基板の両面に設けられた導電層と、を備え、前記導電層のうち少なくとも一方が、透明金属層及び硫化亜鉛含有層を含む積層体であることで、耐湿性に優れ、反りの発生を抑制できる透明導電体が得られることを見いだした。
すなわち、本発明に係る課題は、以下の手段により解決される。

１．透明基板と、
前記透明基板の両面に設けられた導電層と、を備え、
前記導電層のうち少なくとも一方が、透明金属層及び硫化亜鉛含有層を含む積層体であることを特徴とする透明導電体。

２．前記透明金属層と前記硫化亜鉛含有層との間に、硫化防止層が設けられていることを特徴とする第１項に記載の透明導電体。

３．前記導電層又は前記透明金属層がパターン化されていることを特徴とする第１項又は第２項に記載の透明導電体。

本発明によれば、耐湿性に優れ、反りの発生を抑制できる透明導電体を提供することができる。
本発明の効果の発現機構ないし作用機構については、明確にはなっていないが、以下のように推察している。
透明基板の両面に設けられた導電層のうち少なくとも一方が、硫化亜鉛含有層を含んで構成されているので、硫化亜鉛含有層が水分の透過を抑制し、透明導電体の耐湿性を向上させることができる。これにより、透明金属層の腐食を抑制することができ、透明導電体の外観が損なわれたり透過率が低下したり抵抗値が上昇することを抑制できる。
また、導電層が透明基板の両面に設けられているので、透明導電体の両面に生じる応力を相殺でき、反りの発生を抑制することができる。

本発明の透明導電体の層構成の一例を示す概略断面図 本発明の透明導電体の層構成の他の例を示す概略断面図 本発明の透明導電体の導通領域及び絶縁領域からなるパターンの一例を示す模式図 透明導電体の波長５７０ｎｍのアドミッタンス軌跡を示すグラフ

本発明の透明導電体は、透明基板と、前記透明基板の両面に設けられた導電層と、を備え、前記導電層のうち少なくとも一方が、透明金属層及び硫化亜鉛含有層を含む積層体であることを特徴とする。この特徴は、請求項１から請求項４までの各請求項に共通する又は対応する技術的特徴である。
また、本発明は、前記透明金属層と前記硫化亜鉛含有層との間に、硫化防止層が設けられていることが好ましい。これにより、金属硫化物が生成されることを抑制でき、透明導電体の光透過性を向上させることができる。
また、本発明は、前記導電層又は前記透明金属層がパターン化されていることが好ましい。これにより、透明導電体を各種オプトエレクトロニクスデバイスに使用することができる。

以下、本発明とその構成要素、及び本発明を実施するための形態・態様について詳細な説明をする。なお、本願において、「〜」は、その前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む意味で使用する。

１．透明導電体の層構成
本発明の透明導電体の層構成の例を図１及び図２に示す。図１及び図２に示されるように、本発明の透明導電体１００には、透明基板１の両面に、透明基板１側から、第１高屈折率層２／透明金属層３／第２高屈折率層４が設けられている。そして、本発明の透明導電体１００では、当該第１高屈折率層２及び第２高屈折率層４のうちいずれか一方又は両方が、硫化亜鉛を含有する硫化亜鉛含有層を構成している。そして、硫化亜鉛を含有する第１高屈折率層２又は第２高屈折率層４と透明金属層３との間には、硫化防止層５（５ａ及び５ｂ）が設けられていることが好ましい。
図１及び図２に示される透明導電体１００においては、第１高屈折率層２及び第２高屈折率層４がともに硫化亜鉛を含有し、第１高屈折率層２と透明金属層３との間に第１硫化防止層５ａが設けられ、透明金属層３と第２高屈折率層４との間に第２硫化防止層５ｂが設けられている例を示している。
また、図１及び図２に示される透明導電体１００においては、第１高屈折率層２、第１硫化防止層５ａ、透明金属層３、第２硫化防止層５ｂ及び第２高屈折率層４が導電層６を構成している。

透明金属層と硫化亜鉛を含有する層とが隣接して形成されると、透明金属層を構成する金属由来の金属硫化物が生成されやすく、透明導電体の光透過性が低下しやすい。金属硫化物は、以下のように生成されると推察される。

硫化亜鉛含有層（第１高屈折率層）上にスパッタ法又は蒸着法等の気相成膜法で透明金属層を形成する場合、硫化亜鉛含有層中の未反応の硫黄成分が、透明金属層の材料（金属材料）によって成膜雰囲気中に弾き出される。そして、弾き出された硫黄成分と金属とが反応し、金属硫化物が硫化亜鉛含有層上に堆積する。また、硫化亜鉛含有層と透明金属層とを連続的に形成する場合、硫化亜鉛含有層の成膜雰囲気に含まれる硫黄成分が透明金属層雰囲気内に残存する。そして、この硫黄成分と金属とが反応し、金属硫化物が硫化亜鉛含有層上に堆積する。

一方、透明金属層上に硫化亜鉛含有層（第２高屈折率層）を形成する場合、透明金属層中の金属が、硫化亜鉛含有層の材料によって、成膜雰囲気中に弾き出される。そして、弾き出された金属と硫黄成分とが反応し、金属硫化物が透明金属層表面に堆積する。更に、透明金属層の表面と、成膜雰囲気中の硫黄成分とが接触することによっても、透明金属層表面に金属硫化物が生成する。

これに対し、本発明の透明導電体１００では、例えば、図１に示すように、第１高屈折率層２上に、第１硫化防止層５ａが積層される。当該構成では、第１高屈折率層２が第１硫化防止層５ａで保護されるため、透明金属層３の形成時に第１高屈折率層２中の硫黄成分が弾き出されにくい。また、第１高屈折率層２と透明金属層３とを連続的に形成したとしても、第１高屈折率層２の成膜雰囲気に含まれる硫黄成分が、第１硫化防止層５ａの構成成分と反応したり、第１硫化防止層５ａの構成成分に吸着されたりする。したがって、透明金属層３の成膜雰囲気には硫黄が含まれにくく、金属硫化物の生成が抑制される。

また、本発明の透明導電体１００では、例えば、図１に示すように、透明金属層３上に第２硫化防止層５ｂが積層される。当該構成では、透明金属層３が第２硫化防止層５ｂで保護されるため、第２高屈折率層４の形成時に透明金属層３中の金属が弾き出されにくい。また、第２高屈折率層４の成膜雰囲気中の硫黄成分が、透明金属層３の表面と接触しにくい。したがって、透明金属層３表面に金属硫化物が生成しにくい。

本発明の透明導電体では、図１に示すように、透明金属層３が透明基板１の全面に積層されていても良いし、図２に示されるように、透明金属層３が所望の形状にパターン化されていても良い。本発明の透明導電体において、透明金属層３が積層されている領域ａが、電気が導通する領域（以下、「導通領域」ともいう。）である。一方、図２に示されるように、透明金属層３が含まれない領域ｂが絶縁領域である。

導通領域ａ及び絶縁領域ｂからなるパターンは、透明導電体１００の用途に応じて、適宜選択される。例えば、透明導電体１００が静電方式のタッチパネルに適用される場合には、図３に示されるように、複数の導通領域ａと、これを区切るライン状の絶縁領域ｂとを含むパターン等であり得る。

また、本発明の透明導電体１００には、透明基板１、第１高屈折率層２、透明金属層３、第２高屈折率層４及び硫化防止層５以外の層が設けられていても良い。例えば、透明金属層３の形成時に成長核になり得る、下地層が、透明金属層３と第１高屈折率層２との間において、透明金属層３に隣接して設けられていても良い。

以下、本発明の透明導電体１００を構成する各層及びその材料等について説明する。

《透明基板》
透明基板１としては、透明な基板であれば良く、従来公知の各種表示デバイスの透明基板と同様のものを用いることができる。
ここで、本発明において、透明とは、波長５５０ｎｍの光の平均透過率が５０％以上であることをいう。

透明基板１としては、例えば、ガラス基板や、セルロースエステル樹脂（例えば、トリアセチルセルロース、ジアセチルセルロース、アセチルプロピオニルセルロース等）、ポリカーボネート樹脂（例えば、パンライト、マルチロン（いずれも帝人社製））、シクロオレフィン樹脂（例えば、ゼオノア（日本ゼオン社製）、アートン（ＪＳＲ社製）、アペル（三井化学社製））、アクリル樹脂（例えば、ポリメチルメタクリレート、アクリライト（三菱レイヨン社製）、スミペックス（住友化学社製））、ポリイミド、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）樹脂、ポリエステル樹脂（例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート）、ポリエーテルスルホン、ＡＢＳ／ＡＳ樹脂、ＭＢＳ樹脂、ポリスチレン、メタクリル樹脂、ポリビニルアルコール／ＥＶＯＨ（エチレンビニルアルコール樹脂）、スチレン系ブロックコポリマー樹脂等からなる透明樹脂フィルム等が挙げられる。透明基板１が透明樹脂フィルムである場合、当該透明樹脂フィルムには２種以上の樹脂が含まれていても良い。

透明性の観点から、透明基板１の材料としては、例えば、ガラス基板や、セルロースエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂（特にポリエチレンテレフタレート）、トリアセチルセルロース、シクロオレフィン樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）樹脂、ポリエーテルスルホン、ＡＢＳ／ＡＳ樹脂、ＭＢＳ樹脂、ポリスチレン、メタクリル樹脂、ポリビニルアルコール／ＥＶＯＨ（エチレンビニルアルコール樹脂）、スチレン系ブロックコポリマー樹脂等からなる透明樹脂フィルムであることが好ましい。

透明基板１は、可視光に対する透明性が高いことが好ましく、波長４５０〜８００ｎｍの光の平均透過率が７０％以上であることが好ましく、より好ましくは８０％以上、更に好ましくは８５％以上である。透明基板１の光の平均透過率が７０％以上であると、透明導電体１００の光透過性が高まりやすい。また、透明基板１の波長４５０〜８００ｎｍの光の平均吸収率は１０％以下であることが好ましく、より好ましくは５％以下、更に好ましくは３％以下である。

上記平均透過率は、透明基板１の表面の法線に対して、５°傾けた角度から光を入射させて測定する。一方、平均吸収率は、平均透過率と同様の角度から光を入射させて、透明基板１の平均反射率を測定し；平均吸収率＝１００−（平均透過率＋平均反射率）として算出する。平均透過率及び平均反射率は分光光度計で測定される。

透明基板１の波長５７０ｎｍの光の屈折率は１．４０〜１．９５であることが好ましく、より好ましくは１．４５〜１．７５であり、更に好ましくは１．４５〜１．７０である。透明基板の屈折率は、通常、透明基板の材質によって定まる。透明基板の屈折率は、エリプソメーターで測定される。

透明基板１のヘイズ値は０．０１〜２．５であることが好ましく、より好ましくは０．１〜１．２である。透明基板のヘイズ値が２．５以下であると、透明導電体のヘイズ値が抑制される。ヘイズ値は、ヘイズメーターで測定される。

透明基板１の厚さは、１μｍ〜２０ｍｍであることが好ましく、より好ましくは１０μｍ〜２ｍｍである。透明基板の厚さが１μｍ以上であると、透明基板１の強度が高まり、第１高屈折率層２の作製時に割れたり裂けたりすることを抑制できる。一方、透明基板１の厚さが２０ｍｍ以下であれば、透明導電体１００のフレキシブル性が十分となる。更に、透明導電体１００を用いた機器の厚さを薄くすることができる。また、透明導電体１００を用いた機器を軽量化することもできる。

《第１高屈折率層》
第１高屈折率層２は、透明導電体１００の導通領域ａ、つまり透明金属層３が形成されている領域の光透過性（光学アドミッタンス）を調整する層であり、少なくとも透明導電体１００の導通領域ａに形成される。第１高屈折率層２は、透明導電体１００の絶縁領域ｂにも形成されていても良いが、導通領域ａ及び絶縁領域ｂからなるパターンの視認性を確保する観点から、導通領域ａのみに形成されていることが好ましい。

第１高屈折率層２には、前述の透明基板１の屈折率より高い屈折率を有する誘電性材料又は酸化物半導体材料が含まれる。当該誘電性材料又は酸化物半導体材料の波長５７０ｎｍの光の屈折率は、透明基板１の波長５７０ｎｍの光の屈折率より０．１〜１．１大きいことが好ましく、０．４〜１．０大きいことがより好ましい。一方、第１高屈折率層２に含まれる誘電性材料又は酸化物半導体材料の波長５７０ｎｍの光の具体的な屈折率は１．５より大きいことが好ましく、１．７〜２．５であることがより好ましく、更に好ましくは１．８〜２．５である。誘電性材料又は酸化物半導体材料の屈折率が１．５より大きいと、第１高屈折率層２によって、透明導電体１００の導通領域ａの光学アドミッタンスが十分に調整される。なお、第１高屈折率層２の屈折率は、第１高屈折率層２に含まれる材料の屈折率や、第１高屈折率層２に含まれる材料の密度で調整される。

第１高屈折率層２に含まれる誘電性材料又は酸化物半導体材料は、絶縁性の材料であっても良く、導電性の材料であっても良い。誘電性材料又は酸化物半導体材料としては、金属酸化物を用いることができる。金属酸化物の例には、ＴｉＯ_２、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）、ＺｎＯ、Ｎｂ_２Ｏ_５、ＺｒＯ_２、ＣｅＯ_２、Ｔａ_２Ｏ_５、Ｔｉ_３Ｏ_５、Ｔｉ_４Ｏ_７、Ｔｉ_２Ｏ_３、ＴｉＯ、ＳｎＯ_２、Ｌａ_２Ｔｉ_２Ｏ_７、ＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）、ＡＺＯ（酸化アルミニウム亜鉛）、ＧＺＯ（酸化ガリウム亜鉛）、ＡＴＯ（酸化アンチモンスズ）、ＩＣＯ（酸化インジウムセリウム）、Ｂｉ_２Ｏ_３、Ｇａ_２Ｏ_３、ＧｅＯ_２、ＷＯ_３、ＨｆＯ_２、ａ−ＧＩＯ（ガリウム、インジウム、及び酸素からなる非晶質酸化物）、ＩＧＺＯ（ＩｎＧａＺｎＯ）等が挙げられる。第１高屈折率層２には、当該金属酸化物が１種のみ含まれていても良く、２種以上が含まれていても良い。

また、第１高屈折率層２に含まれる誘電性材料又は酸化物半導体材料としては、上記したとおり、硫化亜鉛を用いることができる。第１高屈折率層２に硫化亜鉛が含有されていると、透明金属層３への水分の透過を抑制し、透明金属層３の腐食を抑制することができる。第１高屈折率層２には、硫化亜鉛のみが含有されていても良いし、硫化亜鉛とともに他の材料が含有されていても良い。硫化亜鉛とともに含有される材料は、上記誘電性材料又は酸化物半導体材料として用いることができる金属酸化物やＳｉＯ_２等であり、後述するように、特に好ましくはＳｉＯ_２である。硫化亜鉛とともにＳｉＯ_２が含有されていると、第１高屈折率層２が非晶質になりやすく、透明導電体１００のフレキシブル性が高まりやすい。

第１高屈折率層２に硫化亜鉛とともに他の材料が含有されている場合、硫化亜鉛の含有量は、第１高屈折率層２を構成する全材料の総モル数に対して、０．１〜９５質量％であることが好ましく、より好ましくは５０〜９０質量％、更に好ましくは６０〜８５質量％である。硫化亜鉛の含有量が大きいとスパッタ速度が速くなり、第１高屈折率層２の形成速度が速くなる。一方、硫化亜鉛以外の成分が多く含有されていると、第１高屈折率層２の非晶質性が高まり、第１高屈折率層２の割れが抑制される。

第１高屈折率層２の層厚は、１５〜１５０ｎｍであることが好ましく、より好ましくは２０〜８０ｎｍである。第１高屈折率層２の層厚が１５ｎｍ以上であると、第１高屈折率層２によって、透明導電体１００の導通領域ａの光学アドミッタンスが十分に調整される。一方、第１高屈折率層２の層厚が１５０ｎｍ以下であれば、第１高屈折率層２が含まれる領域の光透過性が低下しにくい。第１高屈折率層２の層厚は、エリプソメーターで測定される。

第１高屈折率層２は、例えば、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等の一般的な気相成膜法で形成することができる。第１高屈折率層２の屈折率（密度）が高まるとの観点から、第１高屈折率層２は、電子ビーム蒸着法又はスパッタ法で形成されることが好ましい。電子ビーム蒸着法の場合は膜密度を高めるため、ＩＡＤ（イオンアシスト）などのアシストがあることが望ましい。

また、第１高屈折率層２が所望の形状にパターン化された層である場合、パターニング方法は特に制限されない。第１高屈折率層２は、例えば、所望のパターンを有するマスク等を被成膜面に配置して、気相成膜法でパターン状に形成された層であっても良いし、公知のエッチング法によってパターン化された層であっても良い。

（アモルファス化金属材料）
第１高屈折率層２には、硫化亜鉛を含有させることが好ましいが、アモルファス化硫化亜鉛を含有させることがより好ましい。第１高屈折率層２にアモルファス化した硫化亜鉛が含有されていることで、透明導電体１００に発生する応力を低減することができ、透明導電体１００に反りが発生することを抑制できるとともに、透明導電体１００を折り曲げた時にクラックが発生することを抑制できる。更に、第１高屈折率層２にアモルファス化硫化亜鉛が含有されていることで、第１高屈折率層２の光透過性を向上させることができる。

第１高屈折率層２に硫化亜鉛とともに、金属酸化物、金属窒化物又は金属フッ化物等のアモルファス化金属材料を含有させることで、硫化亜鉛をアモルファス化することができる。アモルファス化金属材料としては、硫化亜鉛に対して１〜５０質量％混合させることで硫化亜鉛のアモルファス化を達成することができ、５〜２０質量％混合させることが好ましい。また、アモルファス化金属材料の含有量を適宜調整することで、光の屈折率が変更可能である。そのため、光の透過度を所望のものにすることができる。具体的には、第１高屈折率層２に、例えば、硫化亜鉛よりも屈折率の高い透明材料であるＴｉＯ_２やＮｂ_２Ｏ_５をアモルファス化金属材料として含有させることで、アモルファス化していない、すなわち結晶性の硫化亜鉛単体からなる第１高屈折率層と比べて、反射帯域を拡げることができる。これにより、透明導電体１００の光学特性の調整が容易になる。

また、アモルファス化金属材料を用いてアモルファス化した硫化亜鉛は、より良好な耐久性を有する。そのため、透明金属層３の保護をより確実に行うことができる。したがって、例えば、第１高屈折率層２に硫化亜鉛とともにアモルファス化金属材料としてＳｉ_３Ｎ_４やＡｌ_２Ｏ_３等を含有させることで、透明導電体１００の擦傷性を改善させることが可能になる。

アモルファス化金属材料としては、例えば、金属酸化物、金属フッ化物、金属窒化物等を用いることができる。

アモルファス化金属材料として用いられる金属酸化物としては、例えば、ＴｉＯ_２、Ｉｎ_２Ｏ_５、ＺｎＯ、Ｎｂ_２Ｏ_５、ＺｒＯ_２、ＣｅＯ_２、Ｔａ_２Ｏ_５、Ｔｉ_３Ｏ_５、Ｔｉ_４Ｏ_７、Ｔｉ_２Ｏ_３、ＴｉＯ、ＳｎＯ_２、Ｌａ_２Ｔｉ_２Ｏ_７、ＩＴＯ（ＩｎＳｎＯ）、ＩＧＺＯ（ＩｎＧａＺｎＯ）、ＩＺＯ（ＩｎＺｎＯ）、ＡＺＯ（ＡｌＺｎＯ）、ＧＺＯ（ＧａＺｎＯ）、ＡＴＯ（ＡｌＳｎＯ）、ＩＣＯ（ＩｎＣｅＯ）、Ｂｉ_２Ｏ_３、ａ−ＧＩＯ（ＧａＩｎＯ）、Ｇａ_２Ｏ_３、ＧｅＯ_２、ＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、ＨｆＯ_２、ＳｉＯ、ＭｇＯ、Ｙ_２Ｏ_３、ＷＯ_３等が挙げられる。

これらの中でも、ＳｉＯ_２及びＴｉＯ_２が好ましい。ＳｉＯ_２を用いる場合、その含有量が少量でも、硫化亜鉛のアモルファス化が可能である。そのため、ＳｉＯ_２を含有させることで、硫化亜鉛のアモルファス化後に、高い密着性（耐剥離性）や高い耐久性（例えば耐湿性等）を特に良好に奏させることができる。また、ＴｉＯ_２は透明材料の中でも特に高屈折率を示すため、ＴｉＯ_２を用いることで、反射帯域を広くして反射率を高め、反射特性を向上させることができる。

また、アモルファス化金属材料として用いられる金属フッ化物としては、例えば、ＬａＦ_３、ＢａＦ_２、Ｎａ_５Ａｌ_３Ｆ_１４、Ｎａ_３ＡｌＦ_６、ＡｌＦ_３、ＭｇＦ_２、ＣａＦ_２、ＢａＦ_２、ＣｅＦ_３、ＮｄＦ_３、ＹＦ_３等が挙げられる。

更に、アモルファス化金属材料として用いられる金属窒化物としては、例えば、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＡｌＮ等が挙げられる。これらの中でも、Ｓｉ_３Ｎ_４が好ましい。Ｓｉ_３Ｎ_４は硬度が高いため、Ｓｉ_３Ｎ_４を用いることで、第１高屈折率層２の耐擦傷性を向上させることができる。

なお、これらのアモルファス化金属材料は単独で用いられても良いし、二種以上が任意の比率及び組み合わせで用いられても良い。

アモルファス化硫化亜鉛を得るために、結晶性の硫化亜鉛に対して含有させるアモルファス化金属材料の量に特に制限はない。例えば、アモルファス化金属材料の種類によっても異なるため一概にはいえないものの、アモルファス化金属材料としてＳｉＯ_２を用いる場合、結晶性の硫化亜鉛に対して、通常１質量％以上、より好ましくは５質量％以上であって、通常９９質量％以下、より好ましくは９５質量％以下のＳｉＯ_２を含有させることで、アモルファス化硫化亜鉛とすることができる。

《第１硫化防止層》
第１高屈折率層２が硫化亜鉛を含有する場合、図１に示すように、第１高屈折率層２と透明金属層３との間に第１硫化防止層５ａが設けられることが好ましい。第１硫化防止層５ａは、透明導電体１００の絶縁領域ｂにも形成されていても良いが、導通領域ａ及び絶縁領域ｂからなるパターンの視認性を確保する観点から、導通領域ａのみに形成されていることが好ましい。

当該第１硫化防止層５ａの材料としては、例えば、金属酸化物、金属窒化物、金属フッ化物等又はＺｎを用いることができる。第１硫化防止層５ａには、これらが一種のみ含まれていても良いし、二種以上含まれていても良い。ただし、第１高屈折率層２と、第１硫化防止層５ａと、透明金属層３とが連続的に形成される場合には、第１硫化防止層は、硫黄と反応可能な化合物や、硫黄を吸着可能な化合物を含有していることが好ましい。第１硫化防止層に含有されている材料が、硫黄と反応する化合物である場合、当該硫黄との反応生成物は可視光透過率が高いことが好ましい。

金属酸化物としては、例えば、ＴｉＯ_２、ＩＴＯ、ＺｎＯ、Ｎｂ_２Ｏ_５、ＺｒＯ_２、ＣｅＯ_２、Ｔａ_２Ｏ_５、Ｔｉ_３Ｏ_５、Ｔｉ_４Ｏ_７、Ｔｉ_２Ｏ_３、ＴｉＯ、ＳｎＯ_２、Ｌａ_２Ｔｉ_２Ｏ_７、ＩＺＯ、ＡＺＯ、ＧＺＯ、ＡＴＯ、ＩＣＯ、Ｂｉ_２Ｏ_３、ａ−ＧＩＯ、Ｇａ_２Ｏ_３、ＧｅＯ_２、ＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、ＨｆＯ_２、ＳｉＯ、ＭｇＯ、Ｙ_２Ｏ_３、ＷＯ_３、ＩＧＺＯ、Ｍ３（登録商標、メルクジャパン社製、酸化アルミニウムと酸化ランタンとの混合物）、Ｉｎ_２Ｏ_５等を挙げることができる。
金属フッ化物としては、例えば、ＬａＦ_３、ＢａＦ_２、Ｎａ_５Ａｌ_３Ｆ_１４、Ｎａ_３ＡｌＦ_６、ＡｌＦ_３、ＭｇＦ_２、ＣａＦ_２、ＢａＦ_２、ＣｅＦ_３、ＮｄＦ_３、ＹＦ_３等を挙げることができる。
金属窒化物としては、例えば、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＡｌＮ等を挙げることができる。
中でも、第１硫化防止層５ａを構成する材料としては、金属酸化物が好ましく、特に、ＺｎＯ、ＩＴＯ、ＩＧＺＯ、Ｇａ_２Ｏ_３、Ｎｂ_２Ｏ_５、ＳｎＯ_２、Ｙ_２Ｏ_３及びＭ３が好ましい。これにより、第１高屈折率層２又は第２高屈折率層４に含まれる硫化亜鉛との密着性を高めることができ、耐久性をより向上させることができる。

ここで、第１硫化防止層５ａの層厚は、後述する透明金属層３の形成時の衝撃から、第１高屈折率層２の表面を保護可能な層厚であることが好ましい。一方で、第１高屈折率層に含有され得る硫化亜鉛は、透明金属層３に含有される金属との親和性が高い。そのため、第１硫化防止層５ａの層厚が非常に薄く、第１高屈折率層２の一部が僅かに露出していると、当該露出部分を中心に透明金属層が成長し、透明金属層３が緻密になりやすい。つまり、第１硫化防止層５ａは比較的薄いことが好ましく、０．１〜１０ｎｍであることが好ましく、より好ましくは０．５〜５ｎｍであり、更に好ましくは１〜３ｎｍである。第１硫化防止層５ａの層厚は、エリプソメーターで測定される。

第１硫化防止層５ａは、例えば、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等の一般的な気相成膜法で形成することができる。

第１硫化防止層５ａが、所望の形状にパターン化された層である場合、パターニング方法は特に制限されない。第１硫化防止層５ａは、例えば、所望のパターンを有するマスク等を被成膜面に配置して、気相成膜法でパターン状に形成された層であっても良いし、公知のエッチング法によってパターン化された層であっても良い。

《透明金属層》
透明金属層３は、透明導電体１００において電気を導通させるための層である。透明金属層３は、前述のように、透明基板１の全面に形成されていても良いし、所望の形状にパターン化されていても良い。

透明金属層３に含有される金属は、導電性の高い金属であれば特に制限されず、例えば、銀、銅、金、白金族、チタン、クロム、パラジウム、ルテニウム、ビスマス、タンタル等を用いることができる。透明金属層３には、これらの金属が１種のみ含有されていても良いし、２種以上含有されていても良い。

高い導電性を得る観点から、透明金属層は、銀、又は、銀が９０ａｔ％以上含まれる合金からなることが好ましい。
銀と組み合わされる金属としては、例えば、亜鉛、金、銅、パラジウム、アルミニウム、マンガン、ビスマス、ネオジム、モリブデン、ニッケル、鉄、コバルト、タングステン、タンタル、クロム、インジウム、チタン等を用いることができる。中でも、ビスマス、パラジウム又は銅が好ましい。透明金属層３には、銀の単体又は化合物と、ビスマス、パラジウム又は銅の単体又は化合物とが併存していても良いし、銀とこれらの金属のうち少なくとも一つとの合金の形態で含まれていても良いが、合金の形態で含まれていることが好ましい。また、透明金属層３を構成する材料の全てが、銀とこれらの金属のうち少なくとも一つとの合金であることが好ましい。透明金属層３にこれらの金属のうち少なくとも一つが含まれることで、透明導電体１００の耐久性や耐剥離性等をより向上させることができる。
また、例えば、透明金属層３が銀と亜鉛との合金を含有する場合、透明金属層３の耐硫化性を向上させることができる。また、例えば、透明金属層３が銀と金との合金を含有する場合、透明金属層３の耐塩（ＮａＣｌ）性を向上させることができる。更に、例えば、透明金属層３が銀と銅との合金を含有する場合、透明金属層３の耐酸化性を向上させることができる。

透明金属層３のプラズモン吸収率は、波長４００〜８００ｎｍにわたって（全範囲で）１０％以下であることが好ましく、７％以下であることがより好ましく、５％以下であることが更に好ましい。波長４００〜８００ｎｍの一部にプラズモン吸収率が大きい領域があると、透明導電体１００の導通領域ａの透過光が着色しやすくなる。

透明金属層３の波長４００〜８００ｎｍにおけるプラズモン吸収率は、以下の手順で測定される。
（ｉ）ガラス基板上に、白金パラジウムをマグネトロンスパッタ装置にて０．１ｎｍ形成する。白金パラジウムの平均厚さは、スパッタ装置のメーカー公称値の形成速度等から算出する。その後、白金パラジウムが付着した基板上にスパッタ法にて金属からなる膜を２０ｎｍ形成する。
（ii）そして、得られた金属膜の表面の法線に対して、５°傾けた角度から測定光を入射させ、金属膜の透過率及び反射率を測定する。そして、各波長における透過率及び反射率から、吸収率＝１００−（透過率＋反射率）を算出し、これをリファレンスデータとする。透過率及び反射率は、分光光度計で測定する。
（iii）続いて、測定対象の透明金属層を同様のガラス基板上に形成する。そして、当該透明金属層について、同様に透過率及び反射率を測定する。得られた吸収率から上記リファレンスデータを差し引き、算出された値を、プラズモン吸収率とする。

透明金属層３の層厚は、１０ｎｍ以下であり、好ましくは３〜９ｎｍであり、更に好ましくは５〜８ｎｍである。透明金属層３の層厚が１０ｎｍ以下であると、第１高屈折率層２及び第２高屈折率層４によって、透明導電体１００の光学アドミッタンスが調整されやすく、導通領域ａ表面での光の反射が抑制されやすい。透明金属層３の層厚は、エリプソメーターで測定される。

透明金属層３は、いずれの形成方法で形成されたものであっても良いが、透明金属層の平均透過率を高める観点から、スパッタ法で形成された層であることが好ましく、また、後述する下地層上に形成された層であることが好ましい。

スパッタ法では、形成時に材料が被成膜体に高速で衝突するため、緻密かつ平滑な膜が得られやすく、透明金属層３の光透過性を向上させることができる。また、透明金属層３がスパッタ法により形成された層であると、透明金属層３が高温かつ低湿度な環境においても腐食しにくくなる。スパッタ法の種類は特に制限されず、イオンビームスパッタ法や、マグネトロンスパッタ法、反応性スパッタ法、２極スパッタ法、バイアススパッタ法、対向スパッタ法等を用いることができる。透明金属層３は、特に、対向スパッタ法で形成された層であることが好ましい。透明金属層３が、対向スパッタ法で形成された層であると、透明金属層３が緻密になり、表面平滑性が高まりやすい。その結果、透明金属層３の表面電気抵抗をより低減させることができ、光の透過率も向上させることができる。

一方、透明金属層３が後述する下地層上に形成された層である場合、透明金属層３の形成時に下地層が成長核となるか、又は透明金属に対して濡れ性が高くなるため、透明金属層３が平滑な層になりやすい。その結果、透明金属層３が薄くとも、プラズモン吸収が生じにくくなる。この場合、透明金属層３の形成方法は特に制限されず、例えば、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等の一般的な気相成膜法を用いることができる。

また、透明金属層３が所望の形状にパターン化された層である場合、パターニング方法は特に制限されない。透明金属層３は、例えば、所望のパターンを有するマスクを配置して形成された膜であっても良いし、公知のエッチング法によってパターン化された層であっても良い。

《第２硫化防止層》
第２高屈折率層４が硫化亜鉛を含有する場合、図１に示すように、透明金属層３と第２高屈折率層４との間に第２硫化防止層５ｂが設けられることが好ましい。
第２硫化防止層５ｂは、上記第１硫化防止層５ａと同様に構成されているため、共通する点について説明を省略し、第１硫化防止層５ａと異なっている点についてのみ以下に説明する。

第２硫化防止層５ｂの層厚は、第２高屈折率層４の形成時の衝撃から、透明金属層３の表面を保護可能な層厚であることが好ましい。透明金属層３に含有される金属と、第２高屈折率層４に含有され得る硫化亜鉛は、親和性が高い。そのため、第２硫化防止層５ｂの層厚が非常に薄く、透明金属層３の一部が僅かに露出していると、透明金属層３や第２硫化防止層５ｂと第２高屈折率層４との密着性が高まりやすい。したがって、第２硫化防止層５ｂの具体的な層厚は０．１〜１０ｎｍであることが好ましく、より好ましくは０．５〜５ｎｍであり、更に好ましくは１〜３ｎｍである。第２硫化防止層５ｂの層厚は、エリプソメーターで測定される。

《第２高屈折率層》
第２高屈折率層４は、透明導電体１００の導通領域ａ、つまり透明金属層３が形成されている領域の光透過性（光学アドミッタンス）を調整するための層であり、少なくとも透明導電体１００の導通領域ａに形成される。
第２高屈折率層４は、上記第１高屈折率層２と同様に構成されているため、共通する点について説明を省略し、第１高屈折率層２と異なっている点についてのみ以下に説明する。

上記したとおり、第２高屈折率層４には硫化亜鉛が含有されていても良く、第２高屈折率層４に硫化亜鉛が含有されていると、透明金属層３への水分の透過を抑制し、透明金属層３の腐食を抑制することができる。

第２高屈折率層４は、例えば、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等の一般的な気相成膜法で形成することができるが、第２高屈折率層４の透湿性を低減する観点から、第２高屈折率層４はスパッタ法で形成されることが特に好ましい。

《応力調整層》
透明導電体１００は、透明導電体１００の両面のうち少なくとも一方の面に設けられることで、当該面の応力を調整し、透明導電体１００の両面の応力差を低減する応力調整層（図示略）を更に備えていても良い。応力調整層としては、隣接する層との屈折率差が低くなるように構成されていることが好ましく、例えば、応力調整層と隣接する層との屈折率差が２０％以内となるように構成されていることが好ましい。

応力調整層は、透明導電体１００の応力を調整することができれば、いずれの材料であっても良いが、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリメタクリル酸メチル、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、ポリスチレン、ポリイミド、ポリアミド、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリビニルアルコール、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、トリアセチルセルロース、ポリウレタン、シクロオレフィンポリマー等の高分子材料を用いることができる。中でも、透明性、耐久性、加工性等の観点から、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリメタクリル酸メチル、シクロオレフィンポリマー等であることが好ましい。応力調整層には、これらのうち１種のみ含まれていても良いし、２種以上が含まれていても良い。

また、応力調整層は、例えばＳｉＯ_２、ＩＴＯ、ＩＧＺＯ、ＺｎＯ又はＺｎＳ等の蒸着膜又はスパッタ膜であっても良いし、ハードコート層やポリマーを塗布した層であっても良い。特に、光学調整の観点から、応力調整層は蒸着膜又はスパッタ膜であることが好ましい。

応力調整層の層厚は、透明導電体１００の応力を調整できるように設定されていれば良く、その材料や形成方法に応じて適宜設定されるものである。
また、応力調整層は、透明導電体１００の最表面に設けられていても良いし、透明導電体１００を構成する各層の機能を損なわない範囲内で各層のいずれの層間に設けられていても良い。また、応力調整層は、透明基板の両面に設けられていても良く、その場合には、互いに異なる層厚や材料であっても良い。

《下地層》
前述のように、透明導電体１００は、透明金属層３の形成時に成長核となる下地層（図示略）を更に備えていても良い。下地層は、透明金属層３の透明基板１側に隣接して設けられ、具体的には、第１高屈折率層２と透明金属層３との間、又は、第１硫化防止層５ａと透明金属層３との間に設けられる。下地層は、少なくとも透明導電体１００の導通領域ａに形成されていることが好ましいが、透明導電体１００の絶縁領域ｂに形成されていても良い。

透明導電体１００が下地層を備えていると、透明金属層３の層厚が薄くとも、透明金属層３の表面の平滑性を高めることができる。

ここで、下地層には、パラジウム、モリブデン、亜鉛、ゲルマニウム、ニオブ、インジウム、又はこれらの金属と他の金属との合金や、これらの金属の酸化物や硫化物（例えば、硫化亜鉛）が含まれていることが好ましい。中でも、パラジウム又はモリブデンが含まれていることが特に好ましい。また、下地層には、窒素含有有機化合物等が含まれていても良い。下地層には、これらが一種のみ含まれていても良いし、二種以上が含まれていても良い。

下地層に、パラジウム、モリブデン、亜鉛、ゲルマニウム、ニオブ又はインジウムと他の金属との合金が含まれている場合、当該他の金属としては、特に制限されないが、例えば、パラジウム以外の白金族、金、コバルト、ニッケル、チタン、アルミニウム、クロム等を用いることができる。

下地層が所望の形状にパターン化された層である場合、パターニング方法は特に制限されない。下地層は、例えば、所望のパターンを有するマスク等を被成膜面に配置して、気相成膜法でパターン状に形成された層であっても良いし、公知のエッチング法によってパターン化された層であっても良い。

《低屈折率層》
透明導電体１００は、第２高屈折率層４上に、透明導電体の導通領域ａの光透過性（光学アドミッタンス）を調整する低屈折率層（図示略）を更に備えていても良い。低屈折率層は、透明導電体１００の導通領域ａにのみ形成されていても良いし、透明導電体１００の導通領域ａ及び絶縁領域ｂの両方に形成されていても良い。

低屈折率層には、第１高屈折率層２及び第２高屈折率層４に含まれる誘電性材料又は酸化物半導材料の波長５７０ｎｍの光の屈折率より、波長５７０ｎｍの光の屈折率が低い誘電性材料又は酸化物半導体材料が含まれている。低屈折率層に含まれる誘電性材料又は酸化物半導体材料の波長５７０ｎｍの光の屈折率は、第１高屈折率層２及び第２高屈折率層４に含まれている上記材料の波長５７０ｎｍの光の屈折率より、それぞれ０．２以上低いことが好ましく、０．４以上低いことがより好ましい。

低屈折率層に含まれる誘電性材料又は酸化物半導体材料の波長５７０ｎｍの光の具体的な屈折率は１．８未満であることが好ましく、より好ましくは１．３０〜１．６であり、特に好ましくは１．３５〜１．５である。なお、低屈折率層の屈折率は主に、低屈折率層に含まれる材料の屈折率や、低屈折率層に含まれる材料の密度で調整される。

低屈折率層に含まれる誘電性材料又は酸化物半導体材料としては、例えば、ＭｇＦ_２、ＳｉＯ_２、ＡｌＦ_３、ＣａＦ_２、ＣｅＦ_３、ＣｄＦ_３、ＬａＦ_３、ＬｉＦ、ＮａＦ、ＮｄＦ_３、ＹＦ_３、ＹｂＦ_３、Ｇａ_２Ｏ_３、ＬａＡｌＯ_３、Ｎａ_３ＡｌＦ_６、Ａｌ_２Ｏ_３、ＭｇＯ、又はＴｈＯ_２等を挙げることができる。中でも、ＭｇＦ_２、ＳｉＯ_２、ＣａＦ_２、ＣｅＦ_３、ＬａＦ_３、ＬｉＦ、ＮａＦ、ＮｄＦ_３、Ｎａ_３ＡｌＦ_６、Ａｌ_２Ｏ_３、ＭｇＯ又はＴｈＯ_２であることが好ましく、屈折率が低いという観点からＭｇＦ_２又はＳｉＯ_２であることが特に好ましい。低屈折率層には、これらの材料が１種のみ含まれていても良いし、２種以上含まれていても良い。

低屈折率層の層厚は、１０〜１５０ｎｍであることが好ましく、より好ましくは２０〜１００ｎｍである。低屈折率層の層厚が１０ｎｍ以上であると、透明導電体１００表面の光学アドミッタンスが微調整されやすい。一方、低屈折率層の層厚が１５０ｎｍ以下であれば、透明導電体１００の厚さが薄くなる。低屈折率層の層厚は、エリプソメーターで測定される。

低屈折率層は、例えば、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等の一般的な気相成膜法で形成することができる。層形成の容易性等の観点から、低屈折率層は、電子ビーム蒸着法又はスパッタ法で形成されることが好ましい。

また、低屈折率層がパターン化された層である場合、パターニング方法は特に制限されない。低屈折率層は、例えば、所望のパターンを有するマスク等を被成膜面に配置して、気相成膜法でパターン状に形成された層であっても良いし、公知のエッチング法でパターン化された層であっても良い。

《第３高屈折率層》
透明導電体１００は、上記低屈折率層上に更に、透明導電体１００の導通領域ａの光透過性（光学アドミッタンス）を調整する第３高屈折率層（図示略）を備えていても良い。第３高屈折率層は、透明導電体１００の導通領域ａにのみ形成されていても良いし、透明導電体１００の導通領域ａ及び絶縁領域ｂの両方に形成されていても良い。

第３高屈折率層には、前述の透明基板１の屈折率及び前記低屈折率層の屈折率より高い屈折率を有する誘電性材料又は酸化物半導体材料が含まれることが好ましい。
第３高屈折率層に含まれる誘電性材料又は酸化物半導体材料の波長５７０ｎｍの光の具体的な屈折率は１．５より大きいことが好ましく、より好ましくは１．７〜２．５、更に好ましくは１．８〜２．５である。誘電性材料又は酸化物半導体材料の屈折率が１．５より大きいと、第３高屈折率層によって、透明導電体１００の導通領域ａの光学アドミッタンスが十分に調整される。なお、第３高屈折率層の屈折率は、第３高屈折率層に含まれる材料の屈折率や、第３高屈折率層に含まれる材料の密度で調整される。

第３高屈折率層に含まれる誘電性材料又は酸化物半導体材料は、絶縁性の材料であっても良いし、導電性の材料であっても良い。第３高屈折率層に含まれる誘電性材料又は酸化物半導体材料としては、金属酸化物又はＺｎＳであることが好ましい。金属酸化物としては、例えば、前述の第１高屈折率層２又は第２高屈折率層４に含まれる金属酸化物が挙げられる。第３高屈折率層には、当該金属酸化物又はＺｎＳが１種のみ含まれても良いし、２種以上が含まれても良い。また、金属酸化物やＺｎＳとともに、ＳｉＯ_２等の誘電性材料が含まれていても良い。

第３高屈折率層の層厚は特に制限されず、好ましくは１〜４０ｎｍであり、更に好ましくは５〜２０ｎｍである。第３高屈折率層の層厚が上記範囲であると、透明導電体１００の導通領域ａの光学アドミッタンスが十分に調整される。第３高屈折率層の層厚は、エリプソメーターで測定される。

第３高屈折率層の形成方法は特に制限されず、第１高屈折率層２や第２高屈折率層４と同様の方法で形成することができる。

なお、上記したように、透明導電体１００は、低屈折率層や第３高屈折率層を備えていても良いが、高屈折率層及び低屈折率層が複数積層されてなる光学調整層を備えているものとしても良い。

２．透明導電体の光学アドミッタンスについて
透明導電体の導通領域ａの表面（透明導電体１００において透明基板１とは反対側の表面）の反射率Ｒは、光が入射する媒質の光学アドミッタンスＹ_ｅｎｖと、透明導電体の導通領域ａの表面の等価アドミッタンスＹ_Ｅとから定まる。ここで、光が入射する媒質とは、透明導電体に入射する光が、その入射直前に通過する部材又は環境であって、有機樹脂からなる部材、又は環境をいう。光が入射する媒質の光学アドミッタンスＹ_ｅｎｖと、透明導電体の表面の等価アドミッタンスＹ_Ｅとの関係は以下の式で表される。

上記の式に基づけば、｜Ｙ_ｅｎｖ−Ｙ_Ｅ｜が０に近い程、透明導電体（導通領域ａ）の表面の反射率Ｒが低くなる。

前記媒質の光学アドミッタンスＹ_ｅｎｖは、電場強度と磁場強度との比（Ｈ／Ｅ）から求められ、通常、媒質の屈折率ｎ_ｅｎｖと同一である。一方、透明導電体の導通領域ａの表面の等価アドミッタンスＹ_Ｅは、導通領域ａを構成する層の光学アドミッタンスＹから求められる。例えば、透明導電体（導通領域ａ）が一層からなる場合には、透明導電体の等価アドミッタンスＹ_Ｅは、当該層の光学アドミッタンスＹ（屈折率）と等しくなる。

一方、透明導電体（導通領域ａ）が積層体からなる場合、１層目からｘ層目までの積層体の光学アドミッタンスＹ_ｘ（Ｅ_ｘ Ｈ_ｘ）は、１層目から（ｘ−１）層目までの積層体の光学アドミッタンスＹ_ｘ−１（Ｅ_ｘ−１ Ｈ_ｘ−１）と、特定のマトリクスとの積で表され、具体的には以下の式（１）又は式（２）にて求められる。

・ｘ層目が誘電性材料又は酸化物半導体材料からなる層である場合

上記式において、δ＝２πｎｄ／λであり、ｙ＝ｎ（ｘ層目の膜のアドミッタンス）、ｄはｘ層目の層の層厚である。

・ｘ層目が理想金属層である場合

上記式において、γ＝（２π／λ）ｋｄ、ｄはｘ層目の層の層厚、ｋは層の屈折率（虚部）である。

そして、ｘ層目が最表層であるときの、透明基板から最表層までの積層物の光学アドミッタンスＹｘ（Ｅ_ｘ Ｈ_ｘ）が、当該透明導電体の等価アドミッタンスＹ_Ｅとなる。

図４に、透明基板／第１高屈折率層（ＺｎＳ−ＳｉＯ_２）／第１硫化防止層（ＩＴＯ）／透明金属層（Ａｇ）／第２高屈折率層（ＺｎＳ−ＳｉＯ_２）を備える透明導電体の導通領域ａの波長５７０ｎｍのアドミッタンス軌跡を示す。グラフの横軸は、当該領域の光学アドミッタンスＹをｘ＋ｉｙで表したときの実部、つまり当該式におけるｘであり、縦軸は光学アドミッタンスの虚部、つまり当該式におけるｙである。なお、第１硫化防止層（ＩＴＯ）は層厚が十分に薄いため、その光学アドミッタンスは無視するものとする。

図４において、アドミッタンス軌跡の最終座標が、導通領域ａの等価アドミッタンスＹ_Ｅである。そして、等価アドミッタンスＹ_Ｅの座標（ｘ_Ｅ，ｙ_Ｅ）と、光が入射する媒質のアドミッタンス座標Ｙ_ｅｎｖ（ｎ_ｅｎｖ，０）（図示略）との距離が、透明導電体の導通領域ａの表面の反射率Ｒに比例する。

ここで、本発明の透明導電体では、透明金属層の高屈折率層側の表面の波長５７０ｎｍにおける光学アドミッタンスをＹ１（＝ｘ_１＋ｉｙ_１）とし、透明金属層の中間層側の表面の波長５７０ｎｍにおける光学アドミッタンスをＹ２（＝ｘ_２＋ｉｙ_２）とした場合に、ｘ_１及びｘ_２のうちいずれか一方、又は両方が１．６以上であることが好ましい。ｘ_１又はｘ_２のうちいずれか一方が、１．６以上であると透明導電体の光透過性が高まりやすい。その理由を以下に説明する。

透明導電体を構成する各層どうしの界面のアドミッタンスＹと、各層に存在する電場強度Ｅとの間には、下記関係式が成り立つ。

上記関係式に基づけば、透明金属層表面の光学アドミッタンスＹ１及びＹ２の実数部（ｘ_１及びｘ_２）が大きくなれば、透明金属層の電場強度Ｅが小さくなり、電場損失（光の吸収）が抑制される。すなわち、透明導電体の光透過性が十分に高まる。

したがって、上記ｘ_１及びｘ_２のうち、いずれか一方、又は両方が１．６以上であることが好ましく、より好ましくは１．８以上であり、更に好ましくは２．０以上である。ｘ_１及びｘ_２のうち、いずれか一方が１．６以上であれば良いが、特にｘ_１が１．６以上であることが好ましい。また、ｘ_１及びｘ_２は、７．０以下であることが好ましく、５．５以下であることがより好ましい。ｘ_１は、第１高屈折率層の屈折率や、第１高屈折率層の層厚等で調整される。ｘ_２は、ｘ_１の値や透明金属層の屈折率、透明金属層の層厚等によって調整される。例えば、第１高屈折率層の屈折率が高い場合や、第１高屈折率層の層厚がある程度厚い場合には、ｘ_１及びｘ_２の値が大きくなりやすい。また、ｘ_１とｘ_２との差の絶対値（｜ｘ_１−ｘ_２｜）は１．５以下であることが好ましく、より好ましくは１．０以下であり、更に好ましくは０．８以下である。

また、特定波長（本発明では５７０ｎｍ）におけるアドミッタンス軌跡は、グラフの横軸を中心に線対称であることが好ましい。アドミッタンス軌跡が、グラフの横軸を中心に線対称であると、特定波長以外の波長（例えば、４５０ｎｍや７００ｎｍ）における等価アドミッタンスＹ_Ｅの座標が、一定になりやすく、いずれの波長においても、反射率Ｒが小さくなる。したがって、上記Ｙ１の虚部の座標ｙ_１と、Ｙ２の虚部の座標ｙ_２が、ｙ_１×ｙ_２≦０を満たすことが好ましい。更に、｜ｙ_１＋ｙ_２｜が０．８未満であることが好ましく、より好ましくは０．５以下、更に好ましくは０．３以下である。

更に、前述のｙ_１が十分に大きいことが好ましい。前述のように、透明金属層の光学アドミッタンスは虚部の値が大きく、アドミッタンス軌跡が縦軸（虚部）方向に大きく移動する。そのため、ｙ_１が十分に大きければ、アドミッタンス座標の虚部の絶対値が適切な範囲に収まりやすく、アドミッタンス軌跡が線対称になりやすい。ｙ_１は０．２以上であることが好ましく、より好ましくは０．３〜１．５であり、更に好ましくは０．３〜１．０である。一方、前述のｙ_２は、−０．３〜−２．０であることが好ましく、より好ましくは−０．６〜−１．５である。

一方、導通領域ａの波長５７０ｎｍの光の等価アドミッタンス座標（ｘ_Ｅ，ｙ_Ｅ）と、透明導電体の第２高屈折率層側の表面と接する部材又は環境（媒質）の波長５７０ｎｍの光の等価アドミッタンス座標（ｎ_ｅｎｖ，０）との距離（（ｘ_Ｅ−ｎ_ｅｎｖ）^２＋（ｙ_Ｅ）^２）^０．５）は、０．５未満であることが好ましく、更に好ましくは０．３以下である。上記距離が０．５未満であれば、導通領域ａの表面の反射率Ｒ_ａが十分に小さくなり、導通領域ａの光の透過性が高まる。

更に、透明金属層３がパターン化されている場合には、導通領域ａの波長５７０ｎｍの光の等価アドミッタンス座標（ｘ_Ｅ，ｙ_Ｅ）と、絶縁領域ｂの波長５７０ｎｍの光の等価アドミッタンス座標（（ｘ_ｂ，ｙ_ｂ）で表す）との距離、（（ｘ_Ｅ−ｘ_ｂ）^２＋（ｙ_Ｅ−ｙ_ｂ）^２）^０．５）が０．５未満であることが好ましく、より好ましくは０．３以下である。導通領域ａの等価アドミッタンスＹ_Ｅの座標と、絶縁領域ｂの等価アドミッタンスＹ_ｂの座標とが十分に近くなると、これらのパターンが視認されにくくなる。また更に、｜（ｘ_ｅｎｖ−ｘ_ｂ）^２＋（ｙ_ｅｎｖ−ｙ_ｂ）^２−（ｘ_ｅｎｖ−ｘ_Ｅ）^２＋（ｙ_ｅｎｖ−ｙ_Ｅ）^２｜が０．１以下であることが好ましい。当該値を満たすと、導通領域ａ及び絶縁領域ｂがいずれも視認されにくくなる。

３．透明導電体の物性について
本発明の透明導電体の波長４５０〜８００ｎｍの光の平均透過率は、導通領域ａ及び絶縁領域ｂのいずれにおいても７５％以上であることが好ましく、より好ましくは８０％以上、更に好ましくは８５％以上である。上記波長範囲における平均透過率が７５％以上であると、透明導電体を、可視光に対して高い透明性が要求される用途に適用することができる。

一方、透明導電体の波長４００〜１０００ｎｍの光の平均透過率は、導通領域ａ及び絶縁領域ｂのいずれにおいても７０％以上であることが好ましく、より好ましくは７５％以上、更に好ましくは８０％以上である。波長４００〜１０００ｎｍの光の平均透過率が７０％以上であると、広い波長範囲の光に対して透明性が要求される用途、例えば、太陽電池用の透明導電膜等にも透明導電体を適用することができる。

一方、透明導電体の波長４００〜８００ｎｍの光の平均吸収率は、導通領域ａ及び絶縁領域ｂのいずれにおいても２０％以下であることが好ましく、より好ましくは１５％以下、更に好ましくは１０％以下である。また、透明導電体の波長４５０〜８００ｎｍの光の吸収率の最大値は、導通領域ａ及び絶縁領域ｂのいずれにおいても２５％以下であることが好ましく、より好ましくは２０％以下、更に好ましくは１５％以下である。一方、透明導電体の波長５００〜７００ｎｍの光の平均反射率は、導通領域ａ及び絶縁領域ｂのいずれにおいても、１０％以下であることが好ましく、より好ましくは８％以下、更に好ましくは５％以下である。透明導電体の平均吸収率及び平均反射率が低いほど、前述の平均透過率が高まる。

上記平均透過率及び平均反射率は、透明導電体の使用環境下での平均透過率及び平均反射率であることが好ましい。具体的には、透明導電体が有機樹脂と貼り合わされて使用される場合には、透明導電体上に有機樹脂からなる層を配置して平均透過率及び平均反射率を測定することが好ましい。一方、透明導電体が大気中で使用される場合には、大気中での平均透過率及び平均反射率を測定することが好ましい。また、透明導電体の実質の透過率を測定するために、最表面での反射を計算上で除去する補正を行っても良い。必要に応じて透過率及び反射率は、透明導電体の表面の法線に対して５°傾けた角度から測定光を入射させて分光光度計で測定することができる。吸収率は、１００−（透過率＋反射率）の計算式より算出される。

また、透明導電体１００に導通領域ａ及び絶縁領域ｂが含まれる場合、導通領域ａの反射率及び絶縁領域ｂの反射率がそれぞれ近似することが好ましい。具体的には、導通領域ａの視感反射率と、絶縁領域ｂの視感反射率との差ΔＲが５％以下であることが好ましく、より好ましくは３％以下、更に好ましくは１％以下、特に好ましくは０．３％以下である。一方、導通領域ａ及び絶縁領域ｂの視感反射率は、それぞれ５％以下であることが好ましく、より好ましくは３％以下、更に好ましくは１％以下である。視感反射率は、分光光度計（Ｕ４１００；日立ハイテクノロジーズ社製）で測定されるＹ値である。

また、透明導電体１００に導通領域ａ及び絶縁領域ｂが含まれる場合、いずれの領域においても、Ｌ^＊ａ^＊ｂ^＊表色系におけるａ^＊値及びｂ^＊値は±３０以内であることが好ましく、±５以内であることがより好ましく、±３．０以内であることが更に好ましく、±２．０以内であることが特に好ましい。Ｌ^＊ａ^＊ｂ^＊表色系におけるａ^＊値及びｂ^＊値が±３０以内であれば、導通領域ａ及び絶縁領域ｂのいずれの領域も無色透明に観察される。Ｌ^＊ａ^＊ｂ^＊表色系におけるａ^＊値及びｂ^＊値は、分光光度計で測定される。

透明導電体の導通領域ａの表面電気抵抗は、５０Ω／□以下であることが好ましく、３０Ω／□以下であることが更に好ましい。導通領域の表面電気抵抗値が５０Ω／□以下である透明導電体は、静電容量方式のタッチパネル用の透明導電パネル等に適用できる。導通領域ａの表面電気抵抗値は、透明金属層の層厚等によって調整される。導通領域ａの表面電気抵抗値は、例えば、ＪＩＳ Ｋ７１９４、ＡＳＴＭ Ｄ２５７等に準拠して測定される。また、市販の表面電気抵抗率計によっても測定される。

４．透明導電体の用途
前述の透明導電体は、液晶、プラズマ、有機エレクトロルミネッセンス、フィールドエミッションなど各種方式のディスプレイをはじめ、タッチパネルや携帯電話、電子ペーパー、各種太陽電池、各種エレクトロルミネッセンス調光素子など様々なオプトエレクトロニクスデバイスの基板等に好ましく用いることができる。

このとき、透明導電体の表面は、接着層等を介して、他の部材と貼り合わせられていても良い。この場合には、前述のように、透明導電体の表面の等価アドミッタンス座標と、接着層のアドミッタンス座標と、がそれぞれ近似することが好ましい。これにより、透明導電体と接着層との界面での反射が抑制される。

一方、透明導電体の表面が空気と接するような構成で使用される場合には、透明導電体の表面のアドミッタンス座標と、空気のアドミッタンス座標と、がそれぞれ近似することが好ましい。これにより、透明導電体と空気との界面での光の反射が抑制される。

以下、実施例に基づいて本発明をより具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。

《透明導電体１の作製》
透明基板としてのシクロオレフィンポリマーからなるフィルムの表面側及び裏面側に、下記の方法で、第１高屈折率層（ＺｎＳ）／透明金属層（Ａｇ）／第２高屈折率層（ＺｎＳ）を順に下記の方法で積層した。その後、当該積層体を下記の方法でパターン化した。各層の層厚は、Ｊ．Ａ．Ｗｏｏｌｌａｍ Ｃｏ．Ｉｎｃ．製のＶＢ−２５０型ＶＡＳＥエリプソメーターで測定した。

（第１高屈折率層（ＺｎＳ）の形成）
大阪真空社のマグネトロンスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ_２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．１Ｐａ、室温下、ターゲット側電力１５０Ｗ、成膜レート３．８Å／ｓでＺｎＳをＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。ＺｎＳの波長５７０ｎｍの光の屈折率は、２．３７であり、第１高屈折率層の波長５７０ｎｍの光の屈折率も２．３７とした。形成された第１高屈折率層の層厚は４０ｎｍであった。

（透明金属層（Ａｇ）の形成）
ＦＴＳコーポレーション社の対向スパッタ機を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．５Ｐａ、室温下、ターゲット側電力１５０Ｗ、成膜レート１４Å／ｓでＡｇを対向スパッタした。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。形成された透明金属層の層厚は７ｎｍであった。

（第２高屈折率層（ＺｎＳ）の形成）
第２高屈折率層は、上記第１高屈折率層と同様の方法で形成した。

（積層体のパターン化）
得られた積層体上にレジスト層をパターン状に形成し、透明基板以外の各層を図３に示されるパターン（複数の導通領域ａと、これを区切るライン状の絶縁領域ｂとを含むパターン）状にＩＴＯエッチング液（林純薬製）でパターン化した。絶縁領域には、透明基板のみが含まれるものとした。また、ライン状の絶縁領域ｂの幅は１６μｍとした。このようなパターン化を透明基板の両面に対して施した。

《透明導電体２の作製》
透明導電体１の作製において、透明金属層の層厚を表１に記載のとおりに変更した以外は同様にして、透明導電体２を作製した。

《透明導電体３の作製》
透明導電体１の作製において、透明基板の裏面側に積層される第１高屈折率層及び第２高屈折率層の層厚を表１に記載のとおりに変更した以外は同様にして、透明導電体３を作製した。

《透明導電体４の作製》
透明導電体１の作製において、第２高屈折率層の形成方法を下記の形成方法に変更した以外は同様にして、透明導電体４を作製した。

（第２高屈折率層（ＩＧＺＯ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳを用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ_２ ５ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．３Ｐａ、室温下、ターゲット側電力３００Ｗ、成膜レート２．２Å／ｓでＩＧＺＯをＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。

《透明導電体５の作製》
透明導電体１の作製において、第１高屈折率層及び第２高屈折率層の形成方法を下記の形成方法に変更した以外は同様にして、透明導電体５を作製した。

（第１高屈折率層（ＺｎＳ＋ＳｉＯ_２）の形成）
大阪真空社のマグネトロンスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ_２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．１Ｐａ、室温下、ターゲット側電力１５０Ｗ、成膜レート３．０Å／ｓでＺｎＳ−ＳｉＯ_２をＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。
ＺｎＳとＳｉＯ_２との比率（モル比）は、８０：２０であり、第１高屈折率層の屈折率は２．１４であった。

（第２高屈折率層（ＺｎＳ＋ＳｉＯ_２）の形成）
第２高屈折率層は、上記第１高屈折率層と同様の方法で形成した。

《透明導電体６の作製》
透明導電体５の作製において、第１高屈折率層と透明金属層の間に第１硫化防止層を設け、透明金属層と第２高屈折率層との間に第２硫化防止層を設けた以外は同様にして、透明導電体６を作製した。第１硫化防止層及び第２硫化防止層は以下のように形成した。

（第１硫化防止層（ＺｎＯ）の形成）
大阪真空社のマグネトロンスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ_２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．１Ｐａ、室温下、ターゲット側電力１５０Ｗ、成膜レート１．１Å／ｓでＺｎＯをＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。

（第２硫化防止層（ＺｎＯ）の形成）
第２硫化防止層は、上記第１硫化防止層と同様の方法で形成した。

《透明導電体７の作製》
透明導電体６の作製において、透明基板の表面側に積層される第２高屈折率層上に、更に応力調整層を設けた以外は同様にして、透明導電体７を作製した。応力調整層は以下のようにして形成した。

（応力調整層の形成）
大阪真空社のマグネトロンスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ_２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．１Ｐａ、室温下、ターゲット側電力３００Ｗ、成膜レート３．１Å／ｓでＳｉＯ_２をＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。

《透明導電体８の作製》
透明導電体１の作製において、透明基板の裏面側に積層される第１高屈折率層及び第２高屈折率層の形成方法を、透明導電体４の第２高屈折率層の形成方法と同様の方法に変更した以外は同様にして、透明導電体８を作製した。

《透明導電体９の作製》
透明導電体１の作製において、透明金属層の材料を、ＡＰＣ（ＡｇにＰｄ及びＣｕを添加した合金）に変更した以外は同様にして、透明導電体９を作製した。

《透明導電体１０の作製》
透明導電体６の作製において、透明金属層の材料をＡＰＣに変更した以外は同様にして、透明導電体１０を作製した。

《透明導電体１１の作製》
透明基板としてのシクロオレフィンポリマーからなるフィルムの表面側及び裏面側に、下記の方法で、透明金属層（ＩＴＯ）／応力調整層（ＳｉＯ_２）を順に下記の方法で積層した。その後、当該積層体を上記透明導電体１と同様の方法でパターン化した。各層の層厚は、Ｊ．Ａ．Ｗｏｏｌｌａｍ Ｃｏ．Ｉｎｃ．製のＶＢ−２５０型ＶＡＳＥエリプソメーターで測定した。

（透明金属層（ＩＴＯ）の形成）
大阪真空社のマグネトロンスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ_２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．１Ｐａ、室温下、ターゲット側電力５０Ｗ、成膜レート２．５Å／ｓでＩＴＯを３５０ＫＨｚのＤＣパルススパッタした。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。

（応力調整層（ＳｉＯ_２）の形成）
大阪真空社のマグネトロンスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ_２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．１Ｐａ、室温下、ターゲット側電力３００Ｗ、成膜レート３．１Å／ｓでＳｉＯ_２をＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。

《透明導電体１２の作製》
透明導電体１の作製において、第１高屈折率層（ＺｎＳ）／透明金属層（Ａｇ）／第２高屈折率層（ＺｎＳ）を、透明基板の表面側のみに積層した以外は同様にして、透明導電体１２を作製した。

《透明導電体１３の作製》
透明基板としてのシクロオレフィンポリマーからなるフィルムの表面側及び裏面側に、下記の方法で、ＴｉＯ_２層／Ａｇ層／ＴｉＯ_２＋ＰＡ層／ＴｉＯ_２層／Ａｇ層／ＴｉＯ_２＋ＰＡ層／ＴｉＯ_２層／Ａｇ層／ＴｉＯ_２＋ＰＡ層を順に下記の方法で積層した。その後、当該積層体を上記透明導電体１と同様の方法でパターン化した。各層の層厚は、Ｊ．Ａ．Ｗｏｏｌｌａｍ Ｃｏ．Ｉｎｃ．製のＶＢ−２５０型ＶＡＳＥエリプソメーターで測定した。
ここで、透明導電体１３における「ＴｉＯ_２層」は、当該層が、チタン酸化物（ＴｉＯ_２）を主に含み、かつ、アルコール可溶性ポリアミドを含有していないことを表している。また、「ＴｉＯ_２＋ＰＡ層」は、当該層が、チタン酸化物（ＴｉＯ_２）を主に含み、かつ、アルコール可溶性ポリアミドを含有していることを表している。また、「Ａｇ層」は、当該層が銀を主に含んでいることを表している。

（ＴｉＯ_２層又はＴｉＯ_２＋ＰＡ層の形成）
ダイレクトグラビアコーターを用いて、各層の原料を成膜レート３ｍ／ｍｉｎで透明基板上に塗工した後、この塗工膜を１００℃で８０秒間乾燥し、前駆体層を形成し、次いで、７８℃に加温した状態で、ＵＶランプ〔高圧水銀ランプ（２４０Ｗ／ｃｍ）、出力１００％〕を用いて、上記前駆体層に対して紫外線を１回照射し、チタン酸化物層を形成した。
この際、ＴｉＯ_２層は紫外線照射速度を３ｍ／ｍｉｎとし、ＴｉＯ_２＋ＰＡ層は、紫外線照射速度を２ｍ／ｍｉｎとした。

（Ａｇ層の形成）
直流スパッタを用いてＡｇ層を形成した。スパッタ条件は、投入電力１．７Ｗ／ｃｍ^２、真空到達圧５×１０^−６ｔｏｒｒ、ガス圧２．５×１０^−３ｔｏｒｒとした。

なお、表１中の透明導電体１３の欄においては、透明基板の両面に設けられる各層の材料を「／」で区切って示しており、「／」は、各層の境界を示し、括弧内の数値は、各層の層厚（ｎｍ）を示している。

《透明導電体１〜１３の評価》
上記のようにして作製した透明導電体１〜１３について下記の評価を行った。評価結果を表２に示す。

（１）耐湿性の評価
透明導電体１〜１３の耐久性を評価するために、耐久性の一種である耐湿性（透明導電体がどの程度の湿度に耐えられるか）を評価した。耐湿性の評価は、以下のようにして行った。すなわち、作製した透明導電体を６５℃９５％（相対湿度）の環境下に１００時間静置し、その後、透明導電体を目視することにより、下記の基準にしたがって評価した。
◎：クラックや変色等が認められない
○：クラックや変色等が殆ど認められない
△：クラックや変色等が少し認められる
×：クラックや変色等が多数認められる

（２）透過率の評価
透明導電体１〜１３の表面の法線に対して、５°傾けた角度から光を入射させて、その平均透過率を測定した。平均透過率は、分光光度計Ｕ４１００（日立ハイテクノロジーズ社製）を使用してＶ−Ｗ法により測定した。４５０−８００ｎｍの平均透過率を下記の基準で評価した。
◎：８５％以上
○：８０％以上８５％未満
△：７５％以上８０％未満
×：７５％以下

（３）導電率の評価
透明導電体１〜１３の導通領域ａに三菱化学アナリテック製のロレスタＥＰ ＭＣＰ−Ｔ３６０を接触させて、導通領域ａの表面電気抵抗を測定した。測定結果を下記の基準で評価した。
◎：１０Ω／□未満
○：１０Ω／□以上２０Ω／□未満
△：２０Ω／□以上３０Ω／□未満
×：３０Ω／□以上

（４）反り抑制の評価
松波ガラス製薄板ガラス（５０ｍｍ×１０ｍｍ×厚さ０．１ｍｍ）を透明基材として上記透明導電体１〜１３を作製し、ＫＥＹＥＮＣＥ社製レーザー変位計ＬＡ２０１０を用いて反り量を測定した。５ｃｍ離れた２点の反り角度を下記の基準で評価した。
◎◎：１ｍｒａｄ未満
◎：１ｍｒａｄ以上５ｍｒａｄ未満
○：５ｍｒａｄ以上１０ｍｒａｄ未満
△：１０ｍｒａｄ以上２０ｍｒａｄ未満
×：２０ｍｒａｄ以上

（５）折り曲げ時のクラック抑制の評価
透明導電体１〜１３を平板状の支持部材に載置し、一端を固定した。次いで、当該透明導電体１〜１３を反りに対して順方向及び逆方向それぞれにＵ字状に屈曲させた。屈曲部の曲率半径は５ｍｍとした。そして、支持部材と平行に配置した摺動板に、透明導電体１〜１３の他端を固定した。摺動板と支持部材とを平行に保ったまま、透明導電体１〜１３の長さ方向に摺動板を１０００回往復移動させた。その後、透明導電体１〜１３の各層にクラック等が生じたかを目視で確認した。その確認結果を下記の基準で評価した。
◎：屈曲部位を含む３０ｍｍ×３０ｍｍの領域に、クラックが一つも生じなかった
○：屈曲部位を含む３０ｍｍ×３０ｍｍの領域に、１個以上１０個未満のクラックが生じた
△：屈曲部位を含む３０ｍｍ×３０ｍｍの領域に、１０個以上５０個未満のクラックが生じた
×：屈曲部位を含む３０ｍｍ×３０ｍｍの領域に、５０個以上のクラックが生じた

（６）まとめ
表１及び表２に示すように、透明基板の両面に導電層が設けられ、導電層のうち少なくとも一方が透明金属層及び硫化亜鉛含有層を含む積層体である本発明の透明導電体１〜１０は、比較例の透明導電体１１〜１３に比べて、耐湿性に優れ、反りの発生を抑制する効果に優れていることが分かる。また、その他の機能においても、本発明の透明導電体１〜１０は、比較例の透明導電体１１〜１３よりも優れていることが分かる。
中でも、第１硫化防止層及び第２硫化防止層が設けられている本発明の透明導電体６、７、１０は、本発明の透明導電体１〜５、８、９よりも、透過率に優れていることが分かる。第１硫化防止層及び第２硫化防止層が設けられていることで、硫化金属の生成が抑制されたためと考えられる。

比較例の透明導電体１１は、厚さが大きく、透過率が低いものとなっている。比較例の透明導電体１１においては、透明金属層の層厚を薄くすれば、透過率を改善できるものと考えられるが、透明金属層の層厚を薄くすると導電率が劣化することが予測される。また、比較例の透明導電体１１は、折り曲げ時のクラック耐性が低いが、これは、透明金属層の層厚が大きく結晶性を有するためと考えられる。
また、比較例の透明導電体１２は、反り抑制効果が低いものとなっている。これは、導電層が透明基板の一方の面にのみ形成されているため、透明導電体に応力が発生し、反りが発生してしまうものと考えられる。また、透明導電体１２には大きな反りが発生しているため、反りと逆方向に折り曲げられた際に大きな応力が加わってクラックが発生しやすくなっていると考えられ、これによりクラック耐性が低下しているものと考えられる。
比較例の透明導電体１３は、厚さが大きいため、透過率が低いものとなっている。また、透明導電体１３は、硫化亜鉛含有層を備えていないため、耐湿性も低いものとなっている。また、ＴｉＯ_２は、ＺｎＳに比べて硬度が高くクラックが発生しやすい上に、応力の大きい膜材料であるため、透明導電体の材料として用いられるとクラック及び反りが発生しやすい。このため、透明導電体１３は、大きな反りが発生しており、折り曲げ時のクラック耐性が低い。

以上のように、本発明は、耐湿性に優れ、反りの発生を抑制できる透明導電体を提供することに適している。

１ 透明基板
２ 第１高屈折率層（硫化亜鉛含有層）
３ 透明金属層
４ 第２高屈折率層（硫化亜鉛含有層）
５ａ 第１硫化防止層
５ｂ 第２硫化防止層
６ 導電層
１００ 透明導電体
ａ 導通領域
ｂ 絶縁領域

Claims (3)

1. 透明基板と、
   前記透明基板の両面に設けられた導電層と、を備え、
   前記導電層のうち少なくとも一方が、透明金属層及び硫化亜鉛含有層を含む積層体であることを特徴とする透明導電体。
2. 前記透明金属層と前記硫化亜鉛含有層との間に、硫化防止層が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の透明導電体。
3. 前記導電層又は前記透明金属層がパターン化されていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の透明導電体。

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