JP2005116646A - 透明電磁波遮蔽フィルム - Google Patents
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Abstract
【課題】
電磁波遮蔽能、透明性、耐候性が高い透明電磁波遮蔽フィルム、およびそれを用いた窓を提供すること。
【解決手段】
透明基体(A)の一方の面、もしくは両方の面に、金属酸化物から形成された高屈折率透明導電層(b)と厚さ10nm以上の金属薄膜層(c)をその両最外層が高屈折率透明導電層(b)となるように積層した透明導電層(B)を設けた透明電磁波遮蔽フィルムとすること。
【効果】
高い透明性と、電磁波遮蔽能を維持しつつ、濃度が0.5mol/lの塩水に透明電磁波遮断フィルムを12時間曝したても全光線透過率の減少率が3%以内であるという耐候性に優れた高透明電磁波遮蔽フィルムをが得られる。
【選択図】 図1
電磁波遮蔽能、透明性、耐候性が高い透明電磁波遮蔽フィルム、およびそれを用いた窓を提供すること。
【解決手段】
透明基体(A)の一方の面、もしくは両方の面に、金属酸化物から形成された高屈折率透明導電層(b)と厚さ10nm以上の金属薄膜層(c)をその両最外層が高屈折率透明導電層(b)となるように積層した透明導電層(B)を設けた透明電磁波遮蔽フィルムとすること。
【効果】
高い透明性と、電磁波遮蔽能を維持しつつ、濃度が0.5mol/lの塩水に透明電磁波遮断フィルムを12時間曝したても全光線透過率の減少率が3%以内であるという耐候性に優れた高透明電磁波遮蔽フィルムをが得られる。
【選択図】 図1
Description
本発明は、透明電磁波遮蔽フィルムに関する。さらに詳しくは、各種機器から発生する電磁波の漏洩防止、外部から侵入してくる電磁波による機器の誤動作防止、可視光域における透明性を兼ね備えた電磁波遮蔽フィルムに関する。また本発明は、建築、自動車、各種表示機器等に利用可能な電磁波遮蔽性能と視認性に優れた窓に関する。
近年、無線機器や電子機器の発達が目覚しく、またその需要は急増している。無線機器は便利である反面、他人に使用している電磁波を傍受され、その電磁波が持つ情報を読み取られる危険性を有している。また無線機器だけでなく、電子機器においても本体の他、コード類からも電磁波の発生があり、無線機器同様、これを他人に傍受され、容易にその情報を読み取られる危険性がある。この電磁波漏洩に伴う情報の漏洩を抑制する為に、近年、電磁波遮蔽材料に対する要請が高まっている。電磁波は、金属の様な導電性材料で遮蔽することが出来るが、各種建築物の窓や自動車窓、各種表示機器の表示部分など、電磁波遮断性能に加えて透明性が必要な材料が求められている。このような電磁波遮蔽性と透明性を有する材料としては、大きく二種類に分けることができる。一つは、特開平10−41679号公報(特許文献1)に報告されている様な金属メッシュタイプと呼ばれているものであり、透明基材に細く金属を格子状に配置させたものである。これは、導電性に優れ、優れた電磁波遮蔽能を有するが、モワレ像が生じる問題がある。もう一つは、透明膜タイプと呼ばれるものであり、透明導電性薄膜を透明基体に設けたものである。透明膜タイプの電磁波遮蔽材料は、金属メッシュタイプに比べて、電磁波遮蔽能力に劣るが、モワレ像の発生が無く、視認性、透明性に優れているという特徴がある。
透明膜タイプの電磁波遮蔽材料は、蒸着、スパッタリングなどの方法で抵抗が低い金属の薄膜を透明基体上に形成することが通常行われる。中でも、純物質の中で最も比抵抗が低い銀からなる金属薄膜が好適に用いられる。但し、特に銀は空気中の酸素や硫黄、水分中に含まれる塩素などのイオンに対して不安定で、経時的に電磁波遮蔽性、透明性が低下する問題がある。そのため金属薄膜層の安定性向上の目的で、金属薄膜層に他の金属を混入させた合金薄膜層を形成したり、金属薄膜層を高屈折率透明導電層で挟み込み、透明導電性薄膜積層体を形成したりするのが通常である。このうち、合金層を用いる方法は、その安定性は向上するものの、電気特性・光学特性が低下することがある。また、金属薄膜層を高屈折率透明導電層で挟み込む方法も、近年の市場の要求に対応するには充分な性能を有しているとは言えないのが現状である。このため、これらの特性を保持しつつ金属層の安定性向上することが求められている。
金属薄膜層の代わりに金属酸化物の薄膜を形成する方法もある。金属酸化物薄膜は透明性、安定性に優れているが、導電性が金属に比して低いため、電磁波遮蔽能力が不充分であるという問題がある。
特開平10−41679号公報
従って本発明の課題は、上記従来技術に鑑み、情報の漏洩や電子機器の誤作動を防止する電磁波遮蔽性能および透明性、熱線反射機能を兼ね備え、さらに塩素等に対する優れた安定性も有する、高耐候・高透明電磁波遮蔽フィルムを提供することである。さらに、電磁波遮断性能と視認性とに優れた各種窓を提供することにある。
本発明者らは、上記の問題を解決する為に鋭意研究を重ねた結果、特定の厚みの金属薄膜層と高屈折率透明導電層との積層構造の透明導電層を有するフィルムが塩素等に対しても優れた安定性を有し、可視光域の透明性と電磁波遮蔽能にも優れた電磁波遮蔽フィルムであることを見出し、本発明を完成するに至った。
すなわち本発明は、
(1)透明基体(A)と、
高屈折率透明導電層(b)と金属薄膜層(c)との積層体であって、下記(I)〜(III)の要件を満たす透明導電層(B)
とからなり、
濃度0.5mol/lの塩水に透明導電層(B)を12時間曝した後の全光線透過率の減少率が3%以下である透明電磁波遮蔽フィルム
(I)高屈折率透明導電層(b)の厚さが5〜200nmである。
(II)金属薄膜層(c)の厚さ10nm以上である。
(III)両最外層側が高屈折率透明導電層(b)である構成を有する。
であり、
(2)透明導電層(B)の表面抵抗率が0.1〜10Ω/□であり、且つ
電磁波遮蔽能が30MHz〜10000MHzの周波数帯域で40dB以上であり、かつ可視光線透過率が50%以上であることを特徴とする透明電磁波遮蔽フィルムであり、
(3)請求項1に記載の透明電磁波遮蔽フィルムを用いた窓
である。
(1)透明基体(A)と、
高屈折率透明導電層(b)と金属薄膜層(c)との積層体であって、下記(I)〜(III)の要件を満たす透明導電層(B)
とからなり、
濃度0.5mol/lの塩水に透明導電層(B)を12時間曝した後の全光線透過率の減少率が3%以下である透明電磁波遮蔽フィルム
(I)高屈折率透明導電層(b)の厚さが5〜200nmである。
(II)金属薄膜層(c)の厚さ10nm以上である。
(III)両最外層側が高屈折率透明導電層(b)である構成を有する。
であり、
(2)透明導電層(B)の表面抵抗率が0.1〜10Ω/□であり、且つ
電磁波遮蔽能が30MHz〜10000MHzの周波数帯域で40dB以上であり、かつ可視光線透過率が50%以上であることを特徴とする透明電磁波遮蔽フィルムであり、
(3)請求項1に記載の透明電磁波遮蔽フィルムを用いた窓
である。
本発明の透明電磁波遮蔽フィルムは、視認性の良好な光学特性を有し、且つ、内部から発生する電磁波の漏洩や外部から侵入する電磁波を遮蔽する機能に加え、耐候性、耐環境性に優れ、施工時にも取り扱い易い特徴を有している。
本発明の電磁波遮蔽フィルムは、透明基体(A)と、特定の厚みの高屈折率透明導電層(b)と特定の厚みの金属薄膜層(c)とからなる積層構造を有する透明導電層(B)とからなる。
(透明基体(A))
本発明の電磁波遮蔽フィルムに用いられる透明基体(A)は、通常、可視波長領域において透明である高分子フィルムが用いられる。具体的には、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル類、ポリエーテルサルフォン、ポリアリレート、ポリエーテルエーテルケトン、ポリカーボネート等の機能性樹脂類、ナイロン6等のポリアミド類、ポリイミド類、トリアセチルセルロース等のセルロース系樹脂、ポリウレタン類、ポリテトラフルオロエチレン等のフッ素系樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリアクリル酸、ポリアクリル酸エステル、ポリアクリロニトリル、エチレン/酢酸ビニル共重合体、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール等のビニル化合物の(共)重合体、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン等の含塩素化合物の重合体、フッ化ビニリデン/トリフルオロエチレン共重合体等の含フッ素系化合物の共重合体、ポリエチレンオキシド等のポリエーテル類、エポキシ樹脂等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。上記のような透明な高分子フィルムは可撓性を有しており後述する透明導電層(B)をロール・ツー・ロール法で連続的に形成することができるため、これを使用した場合には効率よく、また、長尺大面積に透明積層体を生産できることから、好適に用いることができる。この場合フィルムの厚さは通常10μm〜250μmのものが用いられる。フィルムの厚さが10μm以下では、基材としての機械的強度に不足し、250μm以上では可撓性が不足するためフィルムをロールで巻き取りが困難になる場合がある。
本発明の電磁波遮蔽フィルムに用いられる透明基体(A)は、通常、可視波長領域において透明である高分子フィルムが用いられる。具体的には、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル類、ポリエーテルサルフォン、ポリアリレート、ポリエーテルエーテルケトン、ポリカーボネート等の機能性樹脂類、ナイロン6等のポリアミド類、ポリイミド類、トリアセチルセルロース等のセルロース系樹脂、ポリウレタン類、ポリテトラフルオロエチレン等のフッ素系樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリアクリル酸、ポリアクリル酸エステル、ポリアクリロニトリル、エチレン/酢酸ビニル共重合体、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール等のビニル化合物の(共)重合体、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン等の含塩素化合物の重合体、フッ化ビニリデン/トリフルオロエチレン共重合体等の含フッ素系化合物の共重合体、ポリエチレンオキシド等のポリエーテル類、エポキシ樹脂等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。上記のような透明な高分子フィルムは可撓性を有しており後述する透明導電層(B)をロール・ツー・ロール法で連続的に形成することができるため、これを使用した場合には効率よく、また、長尺大面積に透明積層体を生産できることから、好適に用いることができる。この場合フィルムの厚さは通常10μm〜250μmのものが用いられる。フィルムの厚さが10μm以下では、基材としての機械的強度に不足し、250μm以上では可撓性が不足するためフィルムをロールで巻き取りが困難になる場合がある。
本発明の透明基体(A)は、少なくとも一方の主面上に後述する透明導電層(B)が付される。この透明導電層(B)側の主面には透明導電層との密着性を高める等目的で、下地層を形成したり、コロナ処理を行っても良い。また透明基体(A)の透明導電層(B)側と反対側の面には、他の機能性層が形成されていても良い。具体的には反射防止層、防眩層、防汚層、ハードコート層の他、(セパレータフィルム付き)粘着剤層や接着剤層等が挙げられる。
(透明導電層(B))
本発明における透明導電層(B)は、特定の厚みの高屈折率透明導電層(b)と特定の厚みの金属薄膜層(c)とからなる特定の構成の積層構造を有する。
本発明における透明導電層(B)は、特定の厚みの高屈折率透明導電層(b)と特定の厚みの金属薄膜層(c)とからなる特定の構成の積層構造を有する。
本発明における透明導電層(B)は、高屈折率透明導電層(b)と金属薄膜層(c)とからなる積層構造を有し、且つその両最外層側が高屈折率透明導電層(b)となる構造である。より具体的には(b)/(c)を繰り返し単位として1回以上繰り返し積層し、さらにその上に少なくとも高屈折率透明導電層(b)が積層された構造を有する。好ましい繰り返し積層の回数は、1回〜4回であり、より好ましくは2回〜4回、特に好ましくは2回〜3回である。繰り返し積層数が5回以上では、生産性の問題が大きくなり、また、可視光線透過率の低下と可視光線反射率の増加が生じる場合がある。
具体的な層構成としては、(b)/(c)/(b)、
(b)/(c)/(b)/(c)/(b)、
(b)/(c)/(b)/(c)/(b)/(c)/(b)、
(b)/(c)/(b)/(c)/(b)/(c)/(b)/(c)/(b)等を例示することができる。図1に繰り返し積層回数2回の透明電磁波遮蔽フィルムの一例の断面図を示した。すなわち、透明基体であるPETフィルム11上に高屈折率透明導電層であるITO薄膜12が3層と、金属薄膜層である銀薄膜12が2層とからなる積層構造を有する透明伝導層20が形成された透明電磁波遮蔽フィルムである。
(b)/(c)/(b)/(c)/(b)、
(b)/(c)/(b)/(c)/(b)/(c)/(b)、
(b)/(c)/(b)/(c)/(b)/(c)/(b)/(c)/(b)等を例示することができる。図1に繰り返し積層回数2回の透明電磁波遮蔽フィルムの一例の断面図を示した。すなわち、透明基体であるPETフィルム11上に高屈折率透明導電層であるITO薄膜12が3層と、金属薄膜層である銀薄膜12が2層とからなる積層構造を有する透明伝導層20が形成された透明電磁波遮蔽フィルムである。
高屈折率透明導電層(b)、金属薄膜層(c)の他にも、本発明の目的を損なわない範囲で他の層が含まれていても良い。具体的には低屈折率透明導電層、界面密着性付与層、ハードコート層、UV吸収層、防錆層、粘着剤層、接着剤層等の公知の層を形成させることが出来る。
高屈折率透明導電層(b)を形成する透明薄膜としては、可視域において透明性を有し、金属薄膜層の可視域における光線反射を防止する効果を有するものであれば特に限定されるものではないが、可視光線に対する屈折率が1.6以上、好ましくは1.8以上、さらに好ましくは2.0以上の屈折率の高い材料が用いられる。このような透明薄膜を形成する具体的な材料としては、インジウム、チタン、ジルコニウム、ビスマス、スズ、亜鉛、アンチモン、タンタル、セリウム、ネオジウム、ランタン、トリウム、マグネシウム、ガリウム等の酸化物、または、これら酸化物の混合物や、硫化亜鉛などが挙げられる。これら酸化物あるいは硫化物は、金属と酸素あるいは硫黄と化学量論的な組成にズレがあっても、光学特性を大きく変えない範囲であるならば差し支えない。なかでも、酸化亜鉛、酸化チタン、酸化インジウムや酸化インジウムと酸化スズの混合物(ITO)は、透明性、屈折率に加えて、成膜速度が速く金属薄膜層との密着性等が良好であることから好適に使用できる。
高屈折率透明導電層(b)の厚さは、5nm以上200nm以下である。通常、上記の厚みは各種用途に応じて設定される光学特性に応じて、後述する金属薄膜層(c)の厚さ、および、高屈折率透明導電層(b)の屈折率等から光学設計的かつ実験的に求められるものであり、一概に規定できないが、本発明の課題である電磁波遮断性、透明性、耐候性を高いレベルでバランスさせるためには、上記の厚さの範囲に制御することが必要である。より好ましい厚さの範囲は、10nm以上100nm以下である。また、高屈折率透明導電層(b)の各層が同じ厚さである必要はなく、また、同じ透明薄膜材料でなくともよい。高屈折率透明導電層(b)の形成には、スパッタリング、イオンプレーティング、イオンビームアシスト、真空蒸着、原子層成長法、メッキ法等、乾式、湿式を問わず、従来公知の方法のいずれでも採用できる。
金属薄膜層(c)の材料としては、銀が、導電性、および多層積層したときの可視光線透過性に優れているため好適である。しかし、銀は化学的、物理的安定性に欠け、環境中の汚染物質、水蒸気、熱、光等によって劣化するため、銀に金、白金、パラジウム、銅、インジウム、スズ等の環境に安定な金属を一種以上含んだ合金やこれら環境に安定な金属も好適に使用できる。特に金、銅、パラジウム、ネオジウム等は耐環境性、光学特性に優れ好適である。ここで、銀を含む合金の銀の含有率は、特に限定されるものではないが銀薄膜の導電性、光学特性と大きく変わらないことが望ましく、50質量%以上100質量%未満程度である。しかしながら、銀に他の金属を添加すると、前述した通り、その優れた導電性、光学特性がやや低下する。従って、複数の金属薄膜層を有する場合は、可能であれば少なくとも1つの層は銀を合金にしないで用いることや、その最も外側の層を合金層にすることが望ましい。
本発明の金属薄膜層(c)の厚みは、10nm以上である。好ましくは10nm〜60nm、さらに好ましくは10nm〜50nm、特に好ましくは10nm〜40nmである。10nm未満では、特に耐候性、具体的には後述する塩水試験などで評価される本発明透明電磁波遮断フィルムの安定性が不足することがある。
本発明における透明導電層(B)の表面抵抗は0.1〜10Ω/□である事が好ましい。より好ましい表明抵抗の上限値は、5Ω/□であり、特に好ましくは2Ω/□である。表面抵抗率が0.1Ω/□未満では、製造コストが高くなり過ぎることがある。10Ω/□を越えると、要求される電磁波遮蔽性能を満足できない用途が増え、実用上問題となる場合がある。例えば、透明電磁波遮蔽シートの表面抵抗が10Ω/□を超える場合、機器によっては上記の電磁波遮蔽シートを装着していても、無線LAN等が発する電磁波により誤作動する場合がある。
上記の透明導電層(B)は、自立膜とはなり難いので、本発明では透明基体(A)上に形成する。透明基体(A)が可撓性を有するフィルムである場合には、生産性の高いロールトゥーロールプロセスでの生産が可能である。
透明導電膜(B)の表面原子組成は、オージェ電子分光法(AES)、蛍光X線法(XRF)、X線マイクロアナライシス法(XMA)、荷電粒子励起X線分析法(RBS)、X線光電子分光法(XPS)、真空紫外光電子分光法(UPS)、赤外吸収分光法(IR)、ラマン分光法、2次イオン質量分析法(SIMS)、低エネルギーイオン散乱分光法(ISS)等により測定できる。また、膜中の原子組成及び膜厚は、オージェ電子分光法(AES)や2次イオン質量分析(SIMS)を深さ方向に実施することによって調べることができる。
本発明の透明電磁波遮蔽フィルムは、透明導電層(B)が上述の特定厚みの高屈折率透明導電薄膜(b)と金属薄膜(c)とが積層された構成を有しているので、驚くべきことに導電性、近赤外線カット能、可視光線透過率のいずれにおいても好ましい特性を有しているだけでなく、安定性、耐候性においても好ましい特性を有している。また、上記多層薄膜は、層数及びまたはそれぞれの層の厚さを制御することにより可視光線透過率、可視光線反射率、近赤外線の透過率、透過色、反射色を比較的広い範囲で変化させることができる。
本発明透明電磁波遮蔽フィルムの可視光線透過率は、50%以上である。好ましくは、50%以上80%以下である。可視光線透過率が50%未満では、後述する窓や、表示機材の透明前面窓に用いた場合などに視認性が不十分となることがある。なお、本発明における可視光線反射率とは、透過率及び反射率の波長依存性からJIS(R−3106)に従って計算されるものである。また、日射反射率は40%以上である事が好ましく、この場合、熱線遮断フィルムとしても好適に利用できる。
本発明の透明電磁波遮断フィルムは、電磁波遮断能が30MHz〜10000MHzの周波数帯域で40dB以上、好ましくは40〜50dBである。上記の電磁波遮断能は、MIL−STD−285に準拠した測定施設を用いて評価される。
本発明の透明電磁波遮蔽フィルムは、濃度が0.5mol/lの塩水中に12時間浸した後の、全光線透過率の減少率が3%以下、好ましくは2%以下である。このため、本発明の透明電磁波遮蔽フィルムは、屋内、屋外使用に関わらず、雨や水蒸気などの外的劣化要因に対しても高い耐性を示す。尚、本発明において塩水とは特に断らない限り、塩化ナトリウム水溶液のことを指す。
本発明の電磁波遮蔽フィルムは、内部から発生する電磁波の漏洩や外部から侵入し電子機器誤動作を招く電磁波を遮蔽する電磁波遮蔽能を兼ね備え、かつ高い透明性を有し、かつ高い耐候性を有することを特徴とする。従って、本発明の電磁波遮蔽フィルムは、窓用ガラス板や、各種表示機材の前面窓に貼合したり、ガラス板で挟んだ、いわゆる合わせガラスとして窓材とすることが出来る。また、本発明の透明電磁波遮蔽フィルムは、高い耐候性を有しているので、例えば、透明導電層(B)側に粘着材を塗布して窓に貼る際に、水を使用する用途に使用されても透明導電層(B)が変質し難いため粘着材選択の自由度が高いという利点がある。また、合わせガラス内に使用する際もフィルムの端部が変色する恐れを無視できることから、合わせガラス製造時の作業性向上が期待できる。
つぎに、本発明を実施例により具体的に説明する。本発明はこれらによりなんら制限されるものではない。
実施例中及び比較例中の透明導電層の薄膜は、透明基体(ポリエチレンテレフタレートフィルム)の一方の主面にマグネトロンDCスパッタリング法により成膜した。膜厚は、触針粗さ計(製品名:Dektak)により測定した値である。高屈折率透明導電層(b)がIO薄膜(酸化インジウム薄膜)の場合は、ターゲットにインジウムを、ITO薄膜の場合は、ターゲットに酸化インジウム・酸化スズ焼結体(組成比In2O3:SnO2=90:10wt%))を、スパッタガスにアルゴン・酸素混合ガス(全圧266mPa:酸素分圧5mPa)を用いて成膜した。金属薄膜層(c)である銀薄膜は、ターゲットに銀を、スパッタガスにアルゴンガス(全圧266mPa)を用いて成膜した。
[実施例1]
2軸延伸ポリエチレンテレフタレート(以下PET)フィルム(厚さ:75μm)を透明基体(A)としてその一方の主面に、PETフィルムから順にITO薄膜(膜厚:40nm)、銀薄膜(膜厚:11nm)、ITO薄膜(膜厚:100nm)、銀薄膜(膜厚:20nm)、ITO薄膜(膜厚:40nm)の計5層の透明導電膜を作製し、面抵抗1.8Ω/□の透明導電層(B)であるスパッタフィルムを作製した。該透明導電層(B)の断面を、本発明における透明導電層の一例を示す断面図として、図1に示した。
2軸延伸ポリエチレンテレフタレート(以下PET)フィルム(厚さ:75μm)を透明基体(A)としてその一方の主面に、PETフィルムから順にITO薄膜(膜厚:40nm)、銀薄膜(膜厚:11nm)、ITO薄膜(膜厚:100nm)、銀薄膜(膜厚:20nm)、ITO薄膜(膜厚:40nm)の計5層の透明導電膜を作製し、面抵抗1.8Ω/□の透明導電層(B)であるスパッタフィルムを作製した。該透明導電層(B)の断面を、本発明における透明導電層の一例を示す断面図として、図1に示した。
[実施例2]
2軸延伸ポリエチレンテレフタレート(以下PET)フィルム(厚さ:75μm)を透明基体(A)としてその一方の主面に、PETフィルムから順にITO薄膜(膜厚:40nm)、銀薄膜(膜厚:18nm)、ITO薄膜(膜厚:80nm)、銀薄膜(膜厚:16nm)、ITO薄膜(膜厚:30nm)の計5層の透明導電膜を作製し、面抵抗1.3Ω/□の透明導電層(B)であるスパッタフィルムを作製した。
2軸延伸ポリエチレンテレフタレート(以下PET)フィルム(厚さ:75μm)を透明基体(A)としてその一方の主面に、PETフィルムから順にITO薄膜(膜厚:40nm)、銀薄膜(膜厚:18nm)、ITO薄膜(膜厚:80nm)、銀薄膜(膜厚:16nm)、ITO薄膜(膜厚:30nm)の計5層の透明導電膜を作製し、面抵抗1.3Ω/□の透明導電層(B)であるスパッタフィルムを作製した。
[実施例3]
2軸延伸ポリエチレンテレフタレート(以下PET)フィルム(厚さ:75μm)を透明基体(A)としてその一方の主面に、PETフィルムから順にITO薄膜(膜厚:10nm)、銀薄膜(膜厚:20nm)、ITO薄膜(膜厚:80nm)、銀薄膜(膜厚:20nm)、ITO薄膜(膜厚:40nm)の計5層の透明導電膜を作製し、面抵抗0.9Ω/□の透明導電層(B)であるスパッタフィルムを作製した。
2軸延伸ポリエチレンテレフタレート(以下PET)フィルム(厚さ:75μm)を透明基体(A)としてその一方の主面に、PETフィルムから順にITO薄膜(膜厚:10nm)、銀薄膜(膜厚:20nm)、ITO薄膜(膜厚:80nm)、銀薄膜(膜厚:20nm)、ITO薄膜(膜厚:40nm)の計5層の透明導電膜を作製し、面抵抗0.9Ω/□の透明導電層(B)であるスパッタフィルムを作製した。
[比較例1]
2軸延伸ポリエチレンテレフタレート(以下PET)フィルム(厚さ:75μm)を透明基体(A)としてその一方の主面に、PETフィルムから順にITO薄膜(膜厚:40nm)、銀薄膜(膜厚:7nm)、ITO薄膜(膜厚:80nm)、銀薄膜(膜厚:9nm)、ITO薄膜(膜厚:8nm)の計5層の透明導電膜を作製し、面抵抗2.5Ω/□の透明導電層(B)であるスパッタフィルムを作製した。
2軸延伸ポリエチレンテレフタレート(以下PET)フィルム(厚さ:75μm)を透明基体(A)としてその一方の主面に、PETフィルムから順にITO薄膜(膜厚:40nm)、銀薄膜(膜厚:7nm)、ITO薄膜(膜厚:80nm)、銀薄膜(膜厚:9nm)、ITO薄膜(膜厚:8nm)の計5層の透明導電膜を作製し、面抵抗2.5Ω/□の透明導電層(B)であるスパッタフィルムを作製した。
実施例1〜3及び比較例1は、透明積層体の薄膜形成後、2週間以上薄膜層熟成した後に評価を行った。
各種評価方法は以下の通りである。
1)表面抵抗率
表面抵抗率を、四探針測定法(プローブ間隔1mm)により測定した。
2)電磁波遮蔽能
測定対象物を600mm角に切り出し、MIL−STD−285法に準拠した測定施設を用いて30〜10000MHz帯域における電磁波遮蔽能を測定した。この際、当該フィルムの透明導電層面端部からアースをとった。
また、以下に示す表1には、1GHz帯での遮蔽能を代表値として記した。
3)可視光線透過率
測定対象物を小片に切り出し、(株)島津製作所分光光度計(UV-3100)及び積分球(光線入射角度垂直)を用いて380〜780nmの全光線透過率を測定した。ここでの測定値からJIS-R3106に従って透過率を計算した。
4)可視光線反射率
測定対象物を小片に切り出し、(株)島津製作所分光光度計(UV-3100)及び積分球(光線入射角度8°)を用いて380〜780nmの全光線反射率を測定した。ここでの測定値からJIS-R3106に従って反射率を計算した。
5)日射透過率
測定対象物を小片に切り出し、(株)島津製作所分光光度計(UV-3100)及び積分球(光線入射角度垂直)を用いて300〜2100nmの全光線透過率を測定した。ここでの測定値からJIS-R3106に従って日射透過率を計算した。
6)日射反射率
測定対象物を小片に切り出し、(株)島津製作所分光光度計(UV-3100)及び積分球(光線入射角度8°)を用いて300〜2100nmの全光線反射率を測定した。ここでの測定値からJIS-R3106に従って日射反射率を計算した。
7)耐候性(塩水暴露試験)
測定対象物を小片に切り出し、濃度0.5mol/lの塩水溶液中に浸水し、塩水暴露前、塩水暴露後(6時間、12時間)の、白化の発生を調べた。調査は、有限会社東京電色全自動ヘーズメーター(TC-H III DPK)を用いて可視光線透過率を測定し、塩水暴露前後での可視光線透過率測定値を用いて、100*[(暴露前の透過率)−(暴露後の透過率)]/(暴露前の透過率)を計算した。
以上の結果を表1及び表2に掲げる。
各種評価方法は以下の通りである。
1)表面抵抗率
表面抵抗率を、四探針測定法(プローブ間隔1mm)により測定した。
2)電磁波遮蔽能
測定対象物を600mm角に切り出し、MIL−STD−285法に準拠した測定施設を用いて30〜10000MHz帯域における電磁波遮蔽能を測定した。この際、当該フィルムの透明導電層面端部からアースをとった。
また、以下に示す表1には、1GHz帯での遮蔽能を代表値として記した。
3)可視光線透過率
測定対象物を小片に切り出し、(株)島津製作所分光光度計(UV-3100)及び積分球(光線入射角度垂直)を用いて380〜780nmの全光線透過率を測定した。ここでの測定値からJIS-R3106に従って透過率を計算した。
4)可視光線反射率
測定対象物を小片に切り出し、(株)島津製作所分光光度計(UV-3100)及び積分球(光線入射角度8°)を用いて380〜780nmの全光線反射率を測定した。ここでの測定値からJIS-R3106に従って反射率を計算した。
5)日射透過率
測定対象物を小片に切り出し、(株)島津製作所分光光度計(UV-3100)及び積分球(光線入射角度垂直)を用いて300〜2100nmの全光線透過率を測定した。ここでの測定値からJIS-R3106に従って日射透過率を計算した。
6)日射反射率
測定対象物を小片に切り出し、(株)島津製作所分光光度計(UV-3100)及び積分球(光線入射角度8°)を用いて300〜2100nmの全光線反射率を測定した。ここでの測定値からJIS-R3106に従って日射反射率を計算した。
7)耐候性(塩水暴露試験)
測定対象物を小片に切り出し、濃度0.5mol/lの塩水溶液中に浸水し、塩水暴露前、塩水暴露後(6時間、12時間)の、白化の発生を調べた。調査は、有限会社東京電色全自動ヘーズメーター(TC-H III DPK)を用いて可視光線透過率を測定し、塩水暴露前後での可視光線透過率測定値を用いて、100*[(暴露前の透過率)−(暴露後の透過率)]/(暴露前の透過率)を計算した。
以上の結果を表1及び表2に掲げる。
表1から明らかな様に、銀膜厚を増大させると共に電磁波遮蔽能の向上が確認された。また、実施例1、2は可視光線透過率が70%以上であり、日射透過率が低く、日射反射率が高い熱線反射体として非常に好ましい特性を有していた。例えば、実施例2の日射透過率は比較例1の約60%、日射反射率は約200%の改善が確認できる。また、実施例2を窓に貼付したところ屋内の映り込みが少なく視認性が良く、当該フィルムがあるために居住空間にストレスを発生させるようなことはなかった。
表2から明らかな様に、銀膜厚を増大させた実施例1〜3では白化はほとんどなく可視光線透過率変化も3%以内であった。
10 透明基体(PETフィルム)
11 高屈折率透明導電層(ITO薄膜)
12 金属薄膜層(銀薄膜)
20 透明導電層(B)
11 高屈折率透明導電層(ITO薄膜)
12 金属薄膜層(銀薄膜)
20 透明導電層(B)
Claims (3)
- 透明基体(A)と、
高屈折率透明導電層(b)と金属薄膜層(c)との積層体であって、下記(I)〜(III)の要件を満たす透明導電層(B)
とからなり、
濃度0.5mol/lの塩水に透明導電層(B)を12時間曝した後の全光線透過率の減少率が3%以下である透明電磁波遮蔽フィルム。
(I)高屈折率透明導電層(b)の厚さが5〜200nmである。
(II)金属薄膜層(c)の厚さ10nm以上である。
(III)両最外層側が高屈折率透明導電層(b)である構成を有する。 - 透明導電層(B)の表面抵抗率が0.1〜10Ω/□であり、且つ
電磁波遮蔽能が30MHz〜10000MHzの周波数帯域で40dB以上であり、かつ可視光線透過率が50%以上であることを特徴とする請求項1記載の透明電磁波遮蔽フィルム。 - 請求項1に記載の透明電磁波遮蔽フィルムを用いた窓。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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JP2005116646A true JP2005116646A (ja) | 2005-04-28 |
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ID=34539355
Family Applications (1)
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JP2003346431A Pending JP2005116646A (ja) | 2003-10-03 | 2003-10-03 | 透明電磁波遮蔽フィルム |
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-
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- 2003-10-03 JP JP2003346431A patent/JP2005116646A/ja active Pending
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