KR100986652B1 - 중주파수 스퍼터링을 이용한 ｐｄｐ용 전자파 차폐막 및 이의 제조방법 - Google Patents

중주파수 스퍼터링을 이용한 ｐｄｐ용 전자파 차폐막 및 이의 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100986652B1
KR100986652B1 KR1020090036562A KR20090036562A KR100986652B1 KR 100986652 B1 KR100986652 B1 KR 100986652B1 KR 1020090036562 A KR1020090036562 A KR 1020090036562A KR 20090036562 A KR20090036562 A KR 20090036562A KR 100986652 B1 KR100986652 B1 KR 100986652B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
thin film
film
electromagnetic shielding
shielding film
voltage
Prior art date
Application number
KR1020090036562A
Other languages
English (en)
Inventor
박명섭
강신길
이정현
Original Assignee
주식회사 아바텍
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 아바텍 filed Critical 주식회사 아바텍
Priority to KR1020090036562A priority Critical patent/KR100986652B1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100986652B1 publication Critical patent/KR100986652B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/14—Structural association of two or more printed circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/14—Structural association of two or more printed circuits
    • H05K1/144—Stacked arrangements of planar printed circuit boards

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

본 발명은 적층 박막형 전자파 차폐막의 제조방법으로,a)기판상부에 고굴절 박막, 금속 박막, 보호 박막을 순차적으로 증착하는 단계;b)상기 고굴절 박막, 금속 박막, 보호 박막의 순차적 증착을 단위공정으로 하여 상기 단위공정을 한 회 이상 반복 수행하는 단계;c)상기 b)단계 후, 고굴절 박막을 증착하는 단계;를 포함하며, 상기 a) ~　c)단계의 증착은 중주파수 교류전압을 연속적으로 인가한 마그네트론 스퍼터링에 의한 것을 특징으로 하는 전자파 차폐막 제조방법 및 상기 제조방법으로 제조된 전자파 차폐막에 관한 것이다.
본 발명은 중주파수 교류전압을 연속적으로 인가함으로써 종래의 전자파 차폐막보다 전자파 차폐기능이 향상시킬 수 있으며, 보호 박막으로 NiCr 박막을 사용함으로써 내구성, 내식성, 신뢰성이 향상된 PDP용 전자파 차폐막을 제작 할 수 있는 효과가 있다.
중주파수 스퍼터링, 박막, PDP용 전자파 차폐막

Description

중주파수 스퍼터링을 이용한 ＰＤＰ용 전자파 차폐막 및 이의 제조방법{Electro-magnetic wave shielding film for plasma display panel using medium frequency sputtering and method of fabricating the same }
본 발명은 중주파수 교류전압을 연속적으로 인가하여 마그네트론 스퍼터링 법을 이용한 PDP(plasma display panel)용 전자파 차폐기능을 가진 전자파 차폐막 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로 PDP는 대형화 및 박형화를 동시에 만족할 수 있는 디스플레이 장치로서 각광받고 있다. 그러나, 이러한 PDP에서는 그 구동 특성상 강한 근적외선 광을 방출하게 되는데, 이 근적외선광은 무선 전화기나 리모콘등의 작동에 영향을 미쳐 오동작을 유발할 수도 있다. 그리고, PDP는 강한 전자파를 발생하며, 이러한 전자파 또한 인체나 다른 전자기기에 영향을 주기 때문에 이를 소정치 이하로 억제하는 것이 요구되고 있다. 이를 위해, PDP에서는 이러한 근적외선 및 전자파를 차폐하는 동시에 외부 조명에 의한 반사광을 감소시킬 수 있는 전면 필터가 구비되며, 이 전면 필터는 PDP의 전면부에 장착되는 관계로 투명성도 동시에 만족해야 한다.
이러한 조건을 만족시키기 위해 은(Ag)등으로 대표되는 전도성 금속박막, ITO 등으로 대표되는 투명도전막과 Nb2O5 등으로 대표되는 고굴절 박막을 이용한 다층박막 형태의 도전막 타입 PDP 필터가 널리 사용되고 있다. 이러한 다층박막은 통상적으로 금속박막, 투명도전막, 고굴절 투명박막이 교번 적으로 코팅되는 형태를 띠고 있으며, 이때 은(Ag) 또는 은을 주성분으로 하는 합금 내지 구리(Cu) 등의 전도성 금속 박막의 증착특성이 전자파 차폐기능에 주된 영향을 준다.
상기와 같은 은(Ag) 등으로 대표되는 전도성 금속박막, ITO 등으로 대표되는 투명도전막과 Nb2O5 등으로 대표되는 고굴절 박막을 제작함에 있어, 주로 도 1a와 도 1b에서 도시한 바와 같은 직류 마그네트론 스퍼터링(DC magnetron sputtering) 증착장치를 이용해 왔다. 하기 도 1a는 종래의 PDP용 전자파 차폐막 제작을 위한 직류 마그네트론 스퍼터링 장치를 나타낸 것이다. 하기 도1b는 직류 마그네트론 스퍼터링으로 증착시 인가되는 전압의 파형을 나타낸 것이다.
상기와 같은 직류 마그네트론 스퍼터링(DC magnetron sputtering) 증착장치는 직류전원을 이용한 스퍼터링(sputtering)법으로 구조가 간단하며, 가장 표준적인 증착장치이다. 성막속도가 여러 종류의 금속에 대해 거의 일정하며, 전류량과 박막두께가 거의 정비례하므로 조절이 용이하고, 성막속도와 박막의 균일도가 높다는 장점을 가지고 있으며, 높은 에너지의 공정이므로 밀착강도가 높아서 은(Ag) 또는 은을 주성분으로 하는 합금 내지 구리(Cu) 등의 금속박막을 증착하는 방법으로 많이 사용되어 왔다.
상기와 같은 직류 마그네트론 스퍼터링(DC magnetron sputtering) 증착장치는 통상적으로 은(Ag) 또는 은을 주성분으로 하는 합금 내지 구리(Cu) 등의 전도성 금속박막을 증착하는 방법으로 많이 알려져 있으나, 전력밀도(power density)와 플라즈마 임피던스(plasma impedence)를 높여, 전기 전도성이 금속 덩어리(bulk)일 때의 전도 특성을 가지는 금속박막(thin film) 제작하는데 문제점이 있으며, ITO 등으로 대표되는 투명도전막과 Nb2O5 등으로 대표되는 고굴절 박막을 제작함에 있어, 아크(arcing) 제어와 증착 두께 및 박막의 광학특성의 구현하는데 문제점을 가지고 있어, 직류 마그네트론 스퍼터링(DC magnetron sputtering) 증착장치를 이용하여 제작 시, 잦은 타겟(target)교체 및 챔버 청소로 인해 연속 생산 주기가 낮아지는 단점이 있다.
본 발명은 상기의 결점을 해소하기 위한 것으로 중주파수 교류 마그네트론 스퍼터링(MF magnetron sputtering)을 이용하여 은(Ag)또는 은을 주성분으로 하는 합금 내지 구리 등의 주전도 금속 박막의 비저항을 최소화 하여, 금속 박막의 전도성을 극대화함으로써 종래의 PDP용 전자파 필터보다 전자파 차폐 기능을 향상시키고, 연속 생산 주기를 최대한 늘어나도록 하는 중주파수 교류 마그네트론 스퍼터링(MF magnetron sputtering)법을 이용한 PDP(plasma display panel)용 전자파 차폐 기능을 가진 전자파 차폐막 제조방법을 제공하고자 한다.
본 발명의 다른 목적은 은(Ag)등으로 대표되는 전도성 금속 박막, Nb2O5등으로 대표되는 고굴절 박막이외에 ITO 또는 니켈-크롬(NiCr)등으로 대표되어지는 보호 박막을 사용함으로써, 고내식성, 고내구성, 고신뢰성의 기능을 가진 PDP(plasma display panel)용 전자파 차폐막 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명은 중주파수 교류전압을 연속적으로 인가하여 마그네트론 스퍼터링 법을 이용한 PDP(plasma display panel)용 전자파 차폐기능을 가진 다층박막 및 이의 제조방법을 제공한다.
본 발명은 적층 박막형 전자파 차폐막의 제조방법으로,
a)기판상부에 고굴절 박막, 금속 박막, 보호 박막을 순차적으로 증착하는 단 계;
b)상기 고굴절 박막, 금속 박막, 보호 박막의 순차적 증착을 단위공정으로 하여 상기 단위공정을 한 회 이상 반복 수행하는 단계;
c)상기 b)단계 후, 고굴절 박막을 증착하는 단계;
를 포함하며, 상기 a) ~　c)단계의 증착은 중주파수 교류전압을 연속적으로 인가한 마그네트론 스퍼터링에 의한 것을 특징으로 하는 전자파 차폐막 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 의한 증착 장치는 하기 도 2a 에 나타나 있다. 하기 도면을 참고하여 본 발명에 대해 구체적으로 설명하고자 한다.
먼저 본 발명에서 인가되는 전압에 대하여 설명하고자 한다. 본 발명에서, 상기 교류전압의 파형은 사인파, 톱니파, 사각파 또는 이들의 조합에 의한 파형이며, 상기 교류전압은 하기의 관계식 1을 만족하는 것이 좋다.
관계식1
|V1|-|V2| = 0
(상기 V1은 양의 전압의 최대값이고, V2는 음의 전압의 최대값이다.)
상기 교류전압은 양의 전압이 인가되는 평균시간과 음의 전압이 인가되는 평균 시간을 주파수 변화로 조절하여 상기 증착 시 발생하는 플라즈마의 밀도를 제어할 수 있다. 상기 교류전압의 조절 가능 주파수는 20 ~ 70 kHz인 중주파수 범위에서 사용한다.
보다 구체적으로 상기 주파수 범위에서 사인파형의 전압을 인가 시 순간 인 가 전압을 높일 수 있으며, 이로 인한 극성의 변화로 인하여 전자가 전극사이를 비행하는 평균 비행시간이 길어지게 된다. 전자의 평균 비행시간이 길어지면 플라즈마 내부 이온과 전자의 충돌이 증가하여 본 발명에 의해 제조되는 전자파 차폐막은 종래발명인 직류전원에 의해 증착된 금속 박막에 비해, 금속 박막의 비저항을 최소화 하고, 전도성을 극대화 할 수 있다.
이에 상기 금속 박막의 특징을 가지기 위하여, 보다 구체적으로는 연속적으로 인가되는 상기 교류전압의 파형은 사인파인 것이 좋으며, 상기 교류전압의 최대전압(V1)은 280 ~ 480V 이고 최소전압(V2)은 -280 ~ -480V인 것이 바람직하다. 보다 구체적으로는 본 발명에서 Ag 금속 박막 증착 시, 중 주파수 전압은 420~450V이 바람직하고, NiCr등의 금속 보호 박막은 380 ~ 400V, ITO등의 금속 보호 박막은 360 ~ 380V이며, TiO2등의 고굴절 박막은 300 ~ 350V의 중주파수 전압을 인가하여 증착하는 것이 바람직하며, 위의 모든 물질의 박막 증착 시, 중 주파수는 20 ~ 70 kHz, 보다 바람직하게는 20 ~ 30kHz범위중 하나의 주파수로 고정하여 증착하는 것이 균일한 박막을 증착시킬 수 있다.
본 발명은 또한 상기 a) ~ c)단계에서 금속 박막 증착 시 교류전압에 의해 인가된 전력은 1.5 ~ 2.0kw인 것이 좋으며, 상기 범위에서 금속 박막의 전도성을 극대화할 수 있다. 이하 본 발명에 의해 증착된 박막의 종류와 구조에 대해 보다 상세히 설명하고 한다. 이하 도3은 본 발명에 의한 전자폐 차폐막의 다층 박막 구조를 나타낸 것이다.
본 발명은 상기 a) ~ c)단계에서 상기 보호 박막은 ITO 박막 또는 NiCr 박막 이며, 상기 보호 박막은 NiCr 박막을 적어도 한층 이상 포함하는 것이 차폐기능을 향상시킨다. 본 발명에 적층 구조에서 보호 박막은 금속 박막을 적층하는 과정에서 산소 플라즈마로 인하여 금속 박막의 전기 전도성을 감소시키는 것을 방지하기 위한 보호 박막으로 사용되며, 상기 보호 박막의 구체적인 예시로 ITO , NiCr를 사용할 수 있으며, 요구되는 광투과율과 신뢰성에 따라 보호 박막의 종류를 결정할 수 있으며,보다 바람직하게는 NiCr 박막을 적어도 한층 이상 포함하는 것이 보다 효과적으로 금속 박막의 전기 전도성을 감소시키는 것을 방지 하는데 효과적이다. 상기 ITO적층 시에는 타겟을 ITO를 사용하고 스퍼터링 가스로는 아르곤을 사용하며, 산소는 상기 금속 박막을 보호하기 위해서는 주입하지 않는 것이 바람직하다. 상기 NiCr 박막은 NiCr타겟을 사용하되 Cr과 Ni의 몰비가 3:97 ~ 2:8가 되는 NiCr타겟을 사용하는 것이 바람직하며, 상기 보호 박막 증착시 공급전력량은 0.5 ~ 5kw로 할 수 있다.
본 발명은 상기 a)단계에서는 기판상부에 고굴절 박막, 금속 박막, 보호 박막을 순차적으로 적층한다. 상기 기판은 통상적으로 사용하는 것을 사용할 수 있으며, 본 발명에서는 투명기판으로 1 ~８nm두께를 가지는 유리 기판을 사용한다. 그리고, 본 발명은 상기 고굴절 박막은 통상적으로 전자파 차폐막에서 사용되는 것은 제한 받지 않고 사용할 수 있으며, 보다 바람직하게는 Nb2O5 박막 또는 TiO2박막을 증착 할 수 있다. 상기 고굴절 박막 증착시 스퍼터링 가스로는 크게 제한받지는 않지만 아르곤을 사용할 수 있으며, 반응가스로는 산소를 공급할 수 있는데 산소는 아르곤 100중량부에 대하여 40~50중량부를 공급 할 수 있다. 상기 고굴절 박막은 반응성 마그네트론 스퍼터링에 의해 많은 산소를 공급하는 상태에서 증착하여도 보호 박막에 의해 금속 박막의 산화로 인해 전자파 차폐막의 전도성 및 투과성 감소의 현상은 방지할 수 있다.
상기 금속 박막은 제한 받지 않으나 구체적으로 Ag, Cu, Ag합금, Cu합금 등을 증착 하여 사용할 수 있으며, 보다 구체적으로 Ag를 사용할 수 있다. 상기 금속 박막을 증착할 때 스퍼터링 가스로는 아르곤을 사용할 수 있고, 200 ~ 400sccm으로 공급할 수 있다.
상기 a) ~ c)단계에서 상기 금속 박막은 각각10~20m, 보호 박막은 각각1 ~ 20nm의 두께이며, 상기 a)단계 및 c)에서 고굴절 박막은 각각 20~ 30nm의 두께이며, 상기 b)단계에서 고굴절 박막은 40~ 60nm 두께인 것이 본 발명의 전자파 차폐기능을 극대화 하기에 바람직한 두께 범위이다. 보다 구체적으로는 보호 박막으로 ITO 박막을 증착할 때 10 ~ 20nm, NiCr 박막일 경우 1 ~ 5nm,보다 구체적으로 1 ~ 2nm의 두께가 바람직하다. 이때 NiCr은 일반적인 스퍼터링 방법으로는 1~ 2nm 두께의 박막제조가 힘들 수 있다. 이러한 문제를 개선하기 위하여 하기 도 7에서 나타나는 것과 같이 박막 두께 조절용 실드(shield)를 장착할 수 있다. 박막두께 조절용 실드는 3 ~ 5mm 두께의 알루미늄이나 스테인리스(SUS) 판으로 제작한 후 샌드블라스(sand blast)처리를 하여, 두께 조절용 실드에 의해 전자파 차폐막에 결점 발생을 최소화 하도록 하여 장착한다. 상기 두께 조절용 실드는 증착되는 NiCr의 입 자의 수를 조절할 수 있다. 그리고 금속 박막의 두께는 15 ~ 17nm 인 것이 보다 바람직한 두께 범위이다.
본 발명은 또한 상기 제조방법에 의해 제조된 전자파 차폐막에 관한 것이며, 상기 제조된 전자파 차폐막은 PDP필터로 사용할 수 있으며, 0.7 ~ 1.5Ω/□의 면 저항을 나타낼 수 있으며, 70 ~ 85%의 광투과율을 가질 수 있다.
본 발명은 중주파수 교류전압을 연속적으로 인가함으로써 종래의 전자파 차폐막보다 전자파 차폐기능이 향상시킬 수 있으며, 보호 박막으로 NiCr 박막을 사용함으로써 내구성, 내식성, 신뢰성이 향상된 PDP용 전자파 차폐막을 제작할 수 있다.
본 발명에 의한 전자파 차폐막은 높은 전기전도성을 만족시키는 동시에, 가시광의 투과율이 높은 전자파 차폐막을 제공한다. 본 발명에 의한 전자파 차폐막은 기판상에 고굴절 박막, 금속 박막, 보호 박막을 2회 이상 반복하여 증착시킴으로써, 가시광선 영역은 투과하고 근적외선 영역 및 전자파를 차단하는 PDP(Plasma Display Panel)등의 평판디스플레이용 투명전극이나 전자파 차폐필터에 사용될 수 있다. 본 발명에 의한 전자파 차폐막은 보호 박막층을 증착시킴으로써 Ag등 금속 박막의 산화를 최소할 뿐 아니라, Ag등의 금속 박막을 중주파수 스퍼터링(MF(Medium Frequency) sputtering)법 증착함으로써 비저항을 최소화 하고, 전도성을 극대화함으로써, 보다 나은 전기 전도 특성을 제공하여 종래 발명에 비해 향상된 전자파 차폐기능을 가진 전자파 차폐막을 제공한다.
이하는 본 발명의 구체적인 설명을 위하여 일예를 들어 설명하는 바, 본 발명이 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다. 하기 도 2a는 본 발명에 따른 전자파 차폐막 제조를 위한 증착장치를 나타낸 것이고 하기 도 2b는 본 발명에 따른 전자파 차폐막 제조시 인가되는 전압의 파형을 나타낸 것이다.
[실시예1]
a)유리기판상부에 Nb2O5박막 20nm, Ag박막 10nm, NiCr박막 1nm를 순차적으로 증착하였다. b) 상기 a)에서 증착된 박막위에 Nb2O5박막 40nm, Ag박막 10nm, NiCr 1nm박막의 순차적 증착을 단위공정으로 하여 상기 단위공정을 2회를 더 반복하여 수행하였다. c) 상기 2회를 반복한 후 Nb2O5 막 20nm을 다시 증착하여 본 발명에 의한 전자파 차폐막을 제조하였다. 상기 NiCr 박막 증착 시 하기 도7과 같이 두께 조절용 실드(shield)를 사용하여 증착하였다. 상기 박막 두께 조절용 실드(shield)는 스퍼터링 타겟과 기판 사이에 실드를 장착하여 증착되어지는 NiCr입자의 수를 조절함으로써 증착 두께를 조정할 수 있게 하였다. 상기 각 단계에서 박막의 증착 시 공통적으로, 교류전압을 사인파로 연속적으로 인가한 마그네트론 스퍼터링 방법으로 증착하였으며, 모든 막의 전원 인가 방법은 하기와 같았다. 최고 전압(Vp)는 450V이고 , 주파수는 27kHz이었다.
그리고, 각 박막 종류별 증착조건은 하기 표 1과 같이 나타내어 증착하였다.
상기 실시예1에서 제조된 전자파 차폐막을 하기 도 3과 같이 나타내었다.
[실시예2]
a)유리기판상부에 Nb2O5박막 20nm, Ag박막 10nm, ITO박막 10nm를 순차적으로 증착하였다. b)상기 a)에서 증착된 박막위에 Nb2O5박막 40nm, Ag박막 10nm, NiCr 1nm박막의 순차적 증착을 단위공정으로 하여 상기 단위공정을 2회를 더 반복하여 수행하였다. c) 상기 2회를 반복한 후 Nb2O5 막 20nm을 다시 증착하여 본 발명에 의한 전자파 차폐막을 제조하였다. 상기 NiCr 박막 증착 방법과, 모든 막의 전원인가 방법은 상기 실시예1과 동일하게 시행하였다. 그리고, 각 박막 종류별 증착조건은 하기 표 1과 같이 나타내어 증착하였다.
상기 실시예2에서 제조된 전자파 차폐막을 하기 도 3과 같이 나타내었다.
[실시예3]
a)유리기판상부에 Nb2O5박막 20nm, Ag박막 10nm, ITO박막 10nm를 순차적으로 증착하였다. b)상기 a)에서 증착된 박막위에 Nb2O5박막 40nm, Ag박막 10nm, ITO박막 10nm박막의 순차적 증착을 단위공정으로 하여 상기 단위공정을 1회 증착한 후 두 번째 단위공정에서 ITO 박막 대신 NiCr 박막1nm을 증착하였다. c) 상기 b)단계 후 반복한 후 Nb2O5막 20nm을 다시 증착하여 본 발명에 의한 전자파 차폐막을 제조하였다. 상기 NiCr 박막 증착 방법과, 모든 막의 전원인가 방법은 상기 실시예1과 동일하게 시행하였다. 그리고, 각 박막 종류별 증착조건은 하기 표 1과 같이 나타내어 증착하였다. 상기 실시예3에서 제조된 전자파 차폐막을 하기 도 3과 같이 나타내었 다.
[실시예4]
상기 실시예 1과 동일하게 실시하되, Ag박막의 증착방법은 450V의 27kHz 중주파수 교류전원으로 인가하였다. 하기 표 2에 조건을 기재하였다. 상기 제조된 전자파 차폐막의 Ag박막의 두께와 표면저항 및 비저항을 측정하여 하기 표2에 나타내었다.
[비교예1]
a)유리기판상부에 Nb2O5박막 20nm, Ag박막 10nm, ITO박막 10nm를 순차적으로 증착하였다. b) 상기 a)에서 증착된 박막위에 Nb2O5박막 40nm, Ag박막 10nm, ITO박막 10nm박막의 순차적 증착을 단위공정으로 하여 상기 단위공정을 2회를 더 반복하여 수행하였다. c) 상기 2회를 반복한 후 Nb2O5 막 20nm을 다시 증착하여 본 발명에 의한 전자파 차폐막을 제조하였다.
모든 막의 전원인가 방법은 상기 실시예1과 동일하게 시행하였다. 그리고, 각 박막 종류별 증착조건은 하기 표 1과 같이 나타내어 증착하였다. 그리고 Ag박막은 하기 표 2와 같이 직류전원으로 530V를 인가하여 증착하였다. 상기 제조된 전자파 차폐막의 Ag박막의 두께와 표면저항 및 비저항을 측정하여 하기 표2에 나타내었다. 상기 비교예1에서 제조된 전자파 차폐막을 하기 도 3과 같이 나타내었다.
[비교예2]
상기 실시예 1과 동일하게 실시하되, Ag박막의 증착방법을 하기 표 2와 같이 직류펄스전원으로 10KHz주파수로, 800V에서 증착하였다. 상기 제조된 전자파 차폐막의 Ag박막의 두께와 표면저항 및 비저항을 측정하여 하기 표2에 나타내었다.
하기 표 2에서 실시예4와 비교예1 내지 2의 Ag박막의 두께와 표면저항 및 비저항을 측정하여본 결과, 본 발명에 의한 중 주파수 교류 전원을 이용하여 제조한 전자파 차폐막의 Ag박막의 전기적 특성이 직류전원이나 직류펄스전원보다 우수한 특성을 가짐을 알 수 있다. 이 결과를 토대로 본 발명에서 제조된 전자파 차폐막은 모두 중 주파수 교류 전원을 이용하였다.
[시험예1] 광투과율 측정
상기 제조된 실시예1내지 3 및 비교예1의 광투과율을 측정하여 하기 도4에 나타내었다. 실시예 1 내지 3은 금속 보호층으로 NiCr으로 대표되어지는 보호금속박막을 1 내지 3번 사용한 예이며, 비교예 1은 ITO로 대표되어지는 투명전도막을 금속 보호층으로 사용한 예이다. 본 발명에서 제조된 실시예 1 내지 3과 비교예 1은 JIS R3106-1985 방식에 의거하여 PSI 5000 광투과율 측정기를 이용하여 400~900nm 파장 범위에서의 광투과율을 측정하여 하기 도 4에 도시하였다.
[시험예 2] 내구성 평가
실시예 1과 비교예1의 내구성 평가는 열충격 테스트 장비를 이용하여 JIS C0025-1988 방식에 따라 실시하였다. 본 발명에서 내열성 평가는 열충격 테스트 장비의 챔버 내에 실시예 1과 비교예 1을 넣은 후, 30℃(30min) ~ 70℃(30min)까지 범위 100번 반복하여 환경을 변화 시킨 후, 내구성 평가 전후의 저항과 투과율 변 화 폭을 측정 비교하였다. 상기 내구성을 평가하여 그 결과를 표 3 내지 6 및 도 5 내지 6에 나타내었다.
실시예1의 경우 투과율과 표면저항의 변화율이 6%이하였으나, 비교예1의 경우, 투과율과 표면저항의 변화율이 8~10%정도의 변화를 보였다. 이 결과를 통해 보호 금속박막으로 NiCr박막을 사용했을 경우, 신뢰성과 내구성이 ITO박막을 사용했을 때 보다 우수한 결과를 보임을 알 수 있었다.
하기 도 5는 비교예 1의 내구성 평가를 위한 열 충격 테스터 챔버 투입전후의 투과율을 나타낸 그래프이다. 금속 보호 층으로 ITO로 대표되어지는 투명 전도막을 사용한 결과 내구성 평가 후 투과율 값이 5~10% 감소하는 결과를 볼 수 있다. 하기 도 6은 실시예1의 내구성 평가를 위한 열충격 테스터 챔버 투입전후의 투과율을 나타낸 그래프이다. 금속보호층으로 NiCr으로 대표되어지는 박막을 사용한 전자파 차폐막의 경우, 내구성 평가 후의 투과율 변화가 6% 이하였다. 이는 금속 보호층으로 NiCr으로 대표 되어지는 보호금속박막을 사용하여 제조한 전자파 차폐막이 더 우수한 내구성 특성을 가짐을 알 수 있다.
표1. 실시예 1 내지 3 및 비교예 1의 각 박막별 증착 조건
Figure 112009025473116-pat00001
표2. 실시예 4 및 비교예 1내지 2의 Ag박막의 증착 조건
Figure 112009025473116-pat00002
표3. 실시예1의 내구성 평가-파장별 투과율 변화
Figure 112009025473116-pat00003
표4. 실시예1의 내구성 평가-표면저항의 변화
Figure 112009025473116-pat00004
표5. 비교예1의 내구성 평가-파장별 투과율 변화
Figure 112009025473116-pat00005
표6. 비교예1의 내구성 평가-표면저항의 변화
Figure 112009025473116-pat00006
도 1a는 종래의 전자파 차폐막 제조를 위한 증착장치를 나타낸 것이다.
도 1b는 종래의 전자파 차폐막 제조 시 인가되는 전압의 파형을 나타낸 그래프이다.
도 2a는 본 발명에 따른 전자파 차폐막 제조를 위한 증착장치를 나타낸 것이다.
도 2b는 본 발명에 따른 전자파 차폐막 제조 시 인가되는 전압의 파형을 나타낸 그래프이다.
도 3은 본 발명에 의한 전자파 차폐막의 다층 박막 구조를 나타낸 것이다.
도 4는 실시예 1 내지 3 및 비교예 1의 광투과율을 측정하여 나타낸 그래프이다.
도 5는 비교예 1에서 내구성 평가를 위한 열 충격 테스터 챔버 투입전후의 투과율을 나타낸 그래프이다.
도 6은 실시예1의 내구성 평가를 위한 열 충격 테스터 챔버 투입전후의 투과율을 나타낸 그래프이다.
도 7은 본 발명에 따른 두께 조절용 실드를 장착한 증착장치를 나타낸 것이다.

Claims (12)

  1. 적층 박막형 전자파 차폐막의 제조방법으로,
    a)기판상부에 고굴절 박막, 금속 박막, 보호 박막을 순차적으로 증착하는 단계;
    b)상기 a)단계 후, 고굴절 박막, 금속 박막, 보호 박막의 순차적 증착을 단위공정으로 하여 상기 단위공정을 1 회 이상 반복 수행하는 단계;
    c)상기 b)단계 후, 고굴절 박막을 증착하는 단계;
    를 포함하며, 상기 a) ~　c)단계의 증착은 중주파수 교류전압을 연속적으로 인가한 마그네트론 스퍼터링에 의한 것이며, 상기 a) ~ c)단계에서 상기 보호 박막은 ITO막, NiCr막으로부터 선택되며, 상기 NiCr막이 1회 이상 증착되어 형성되는 전자파 차폐막 제조방법.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 교류전압의 파형은 사인파, 톱니파, 사각파 또는 이들의 조합에 의한 파형인 것을 특징으로 하는 전자파 차폐막 제조방법.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 교류전압은 양의 전압이 인가되는 평균시간과 음의 전압이 인가되는 평균 시간을 조절하여 상기 증착 시 발생하는 플라즈마의 밀도를 제어하는 것을 특징으로 하는 전자파 차폐막 제조방법.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 교류전압의 주파수는 20 ~ 70 kHz인 것을 특징으로 하는 전자파 차폐막 제조방법.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 금속 박막은 은인 것을 특징으로 하는 전자파 차폐막 제조방법.
  6. 제 5항에 있어서,
    상기 교류전압의 파형인 사인파인 것을 특징으로 하는 전자파 차폐막 제조방법.
  7. 제 6항에 있어서,
    상기 교류전압의 최대전압(V1)은 280~ 480V 이고 최소전압(V2)은 -280 ~ -480V인 것을 특징으로 하는 전자파 차폐막 제조방법.
  8. 제 6항에 있어서,
    상기 a) ~ c)단계에서 금속 박막 증착 시 교류전압에 의해 인가된 전력은 1.5 ~ 2.0kw 을 특징으로 하는 전자파 차폐막 제조방법.
  9. 제 1항에 있어서,
    상기 고굴절 박막 증착 시 스퍼터링 가스로 아르곤 및 산소를 포함하되, 아르곤 100중량부에 대하여 산소가 40 ~ 50중량부 포함하는 것을 특징으로 하는 전자파 차폐막 제조방법.
  10. 삭제
  11. 제 1항에 있어서,
    상기 a) ~ c)단계에서 상기 금속 박막은 각각10~20nm, 보호 박막은 각각1 ~ 20nm의 두께이며, 상기 a)단계 및 c)에서 고굴절 박막은 각각 20~ 30nm의 두께이며, 상기 b)단계에서 고굴절 박막은 40~ 60nm 두께인 것을 특징으로 하는 전자파 차폐막 제조방법.
  12. 제 1항 내지 제 9항 및 제11항 내지 제12항에서 선택되는 어느 한 항에 의해 제조된 전자파 차폐막.
KR1020090036562A 2009-04-27 2009-04-27 중주파수 스퍼터링을 이용한 ｐｄｐ용 전자파 차폐막 및 이의 제조방법 KR100986652B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090036562A KR100986652B1 (ko) 2009-04-27 2009-04-27 중주파수 스퍼터링을 이용한 ｐｄｐ용 전자파 차폐막 및 이의 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090036562A KR100986652B1 (ko) 2009-04-27 2009-04-27 중주파수 스퍼터링을 이용한 ｐｄｐ용 전자파 차폐막 및 이의 제조방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR100986652B1 true KR100986652B1 (ko) 2010-10-11

Family

ID=43135239

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020090036562A KR100986652B1 (ko) 2009-04-27 2009-04-27 중주파수 스퍼터링을 이용한 ｐｄｐ용 전자파 차폐막 및 이의 제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100986652B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103131384A (zh) * 2013-02-28 2013-06-05 湖南大学 一种低密度多孔结构的纳米复合吸波粉体及其制备方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0710998U (ja) * 1993-07-02 1995-02-14 幸夫 城尾 電磁波遮断機能を有する電子回路用カバー
JP2003225964A (ja) 2002-02-05 2003-08-12 Mitsui Chemicals Inc 透明導電性薄膜積層体およびその用途
JP2004144970A (ja) 2002-10-24 2004-05-20 Toppan Printing Co Ltd ディスプレイ用積層フィルム
JP2005116646A (ja) * 2003-10-03 2005-04-28 Mitsui Chemicals Inc 透明電磁波遮蔽フィルム

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0710998U (ja) * 1993-07-02 1995-02-14 幸夫 城尾 電磁波遮断機能を有する電子回路用カバー
JP2003225964A (ja) 2002-02-05 2003-08-12 Mitsui Chemicals Inc 透明導電性薄膜積層体およびその用途
JP2004144970A (ja) 2002-10-24 2004-05-20 Toppan Printing Co Ltd ディスプレイ用積層フィルム
JP2005116646A (ja) * 2003-10-03 2005-04-28 Mitsui Chemicals Inc 透明電磁波遮蔽フィルム

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103131384A (zh) * 2013-02-28 2013-06-05 湖南大学 一种低密度多孔结构的纳米复合吸波粉体及其制备方法
CN103131384B (zh) * 2013-02-28 2014-06-04 湖南大学 一种低密度多孔结构的纳米复合吸波粉体及其制备方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10551740B2 (en) Transparent substrate with antireflective film having specified luminous transmittance and luminous reflectance
JP5221364B2 (ja) 基材の製造方法
KR100968389B1 (ko) 투명전극의 제조 방법
WO2015178297A1 (ja) 透明導電性フィルム
KR101344500B1 (ko) 반사 방지막의 성막 방법 및 반사 방지막
JP2007314892A (ja) スパッタリングターゲットとその製造方法
WO2015176850A1 (en) Single- and/or multi-charged gas ion beam treatment method for producing an anti-glare sapphire material
KR20110083622A (ko) 도전성 적층체 및 플라즈마 디스플레이용 보호판
WO2004038061A1 (ja) 多層膜付き基板とその製造方法
JP4067141B2 (ja) 透明導電膜とその製造方法およびスパッタリングターゲット
CN104230182A (zh) 高透过率可钢化低辐射镀膜玻璃的制备方法
WO2021106254A1 (ja) 光学膜、スパッタリングターゲットおよび光学膜の成膜方法
TW200300109A (en) Substrate with electromagnetic shield film
GB2372042A (en) Functional film with concentration gradient
KR100986652B1 (ko) 중주파수 스퍼터링을 이용한 ｐｄｐ용 전자파 차폐막 및 이의 제조방법
JP2011173764A (ja) 低放射膜
CN109704596A (zh) 一种折射率匹配的减反射导电膜及其制备方法
CN103614696B (zh) 一种耐腐蚀薄膜的制备方法
JPH09156964A (ja) 光吸収性反射防止体
CN203102214U (zh) 一种用于电容式触摸屏的电极结构
CN105755429A (zh) 一种离子束双过滤沉积技术制备手机屏幕抗划伤氧化铝涂层的方法
KR20110130261A (ko) 투명전도막의 구조 및 제조방법
JP2001164382A (ja) 導電性光選択透過シート
JP2004128220A (ja) 電磁波シールド膜付き基板
Raaif et al. Optoelectronic properties of ZrO2/Cu/ZrO2 multilayers prepared by DC pulsed magnetron sputtering for electrode and nano-filter applications

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
A302 Request for accelerated examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20131004

Year of fee payment: 4

LAPS Lapse due to unpaid annual fee