JP6722291B2 - 導電性フィルム、タッチパネル、フォトマスク、インプリントテンプレート、導電性フィルム形成用積層体、導電性フィルムの製造方法、および電子デバイスの製造方法 - Google Patents
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Description
本発明は、導体配線を有する導電性フィルム、導電性フィルムを備えるタッチパネル、導電性フィルムの製造に利用されるフォトマスク、インプリントテンプレートおよび導電性フィルム形成用積層体、導電性フィルムの製造方法、ならびに電子デバイスの製造方法に関し、特に、導体配線の２次元的なパターンを制御した導電性フィルム、導電性フィルムを備えるタッチパネル、導電性フィルムの製造に利用されるフォトマスク、インプリントテンプレートおよび導電性フィルム形成用積層体、導電性フィルムの製造方法、ならびに電子デバイスの製造方法に関する。
近年、携帯電話およびタブレット端末のような各種電子機器の入力装置としてタッチパネルが著しく普及してきている。
タッチパネルは、抵抗膜方式、静電容量方式、赤外線走査方式、再帰反射方式、および表面弾性波方式等の様々な方式が存在する。タッチパネルは、一般的には電極部材として、ガラス板またはポリエチレンテレフタレートフィルム等からなる基材に透明導電膜を形成したものが使用されている。しかし、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜からなる透明導電膜は、インジウムというレアメタルが使用されるために高価である点、およびタッチパネルの大面積化を図るには、表面抵抗率等の抵抗が高い点で、低コスト化および大面積化への要求に対応することが難しい。
タッチパネルは、抵抗膜方式、静電容量方式、赤外線走査方式、再帰反射方式、および表面弾性波方式等の様々な方式が存在する。タッチパネルは、一般的には電極部材として、ガラス板またはポリエチレンテレフタレートフィルム等からなる基材に透明導電膜を形成したものが使用されている。しかし、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜からなる透明導電膜は、インジウムというレアメタルが使用されるために高価である点、およびタッチパネルの大面積化を図るには、表面抵抗率等の抵抗が高い点で、低コスト化および大面積化への要求に対応することが難しい。
そこで、ＩＴＯ薄膜の透明導電膜に代えて、透明基材に金属細線からなる金属メッシュを金属配線として形成したタッチパネル用電極部材が使用されるようになってきた。金属細線パターンにおいて、特に銅細線パターンは、低抵抗性、屈曲性および価格の観点から特に好ましいとされている。
しかし、メッシュからなる銅層をタッチパネル用電極部材に使用すると、外光が入射した際に、銅層からの反射光、または散乱光により、使用者が銅層を視認できてしまう、いわゆる、骨見えの問題が発生する。現在、最も普及している静電容量方式のタッチパネルに関して、透明基材の表裏の両方に、金属細線が特定のパターン状に形成されているものについては、透明基材の表裏の両方の金属配線に対して、骨見えの問題が生じる。
上述の骨見えに対し、金属配線の表面に黒化処理を施す方法、および金属配線に視認性改善層設ける方法等が知られている。
上述の骨見えに対し、金属配線の表面に黒化処理を施す方法、および金属配線に視認性改善層設ける方法等が知られている。
また、視認性に関しては、視認性改善層を導入した場合においても、入射光の方向と、配線のなす角度の関係によって、筋状の光が発生する方向、すなわち、明らかに視認できる方向と、筋状の光が発生しない方向、すなわち、明らかに視認できない方向が存在する。これは配線からの光の散乱指向性に起因する。つまり視認のしやすさに関して、配線配置角度の角度依存性が大きいという問題がある。
例えば、金属細線を用い略菱形形状を有する複数のＹ電極パターンと、複数のＸ電極パターンとを形成したタッチパネルでは、タッチパネルを視認する際、エッジラフネスが光の波長よりも十分に小さければ、周囲からの指向性の高い光によって、筋状の光の反射が発生することがある。この筋状の光の反射の発生する方向から配線を観察すると、配線の存在を観察者に視認しやすくさせる。しかしながら、観察者の観察方向によっては筋状の光が視認されることはない。つまり、ある角度で極めて視認しやすく、ある角度で視認できない。つまり、視認性の配線角度の角度依存性が大きくなる。
散乱指向性をなくし、筋状の光を見えにくくする技術として、例えば、表面を荒らす等の方法が考えられる。しかしながら、こうした技術は、高さ方向を含む３次元的パターン形成と制御が必要となり、製造上のプロセス難易度が上がることから現実的に適切に制御することが難しい。
例えば、金属細線を用い略菱形形状を有する複数のＹ電極パターンと、複数のＸ電極パターンとを形成したタッチパネルでは、タッチパネルを視認する際、エッジラフネスが光の波長よりも十分に小さければ、周囲からの指向性の高い光によって、筋状の光の反射が発生することがある。この筋状の光の反射の発生する方向から配線を観察すると、配線の存在を観察者に視認しやすくさせる。しかしながら、観察者の観察方向によっては筋状の光が視認されることはない。つまり、ある角度で極めて視認しやすく、ある角度で視認できない。つまり、視認性の配線角度の角度依存性が大きくなる。
散乱指向性をなくし、筋状の光を見えにくくする技術として、例えば、表面を荒らす等の方法が考えられる。しかしながら、こうした技術は、高さ方向を含む３次元的パターン形成と制御が必要となり、製造上のプロセス難易度が上がることから現実的に適切に制御することが難しい。
配線に関し、例えば、特許文献１には、貼合わせ適性に優れた透明導電性フィルムとして、フィルム基材と、フィルム基材の片面に形成された透明導電膜からなる透明電極パターンと、透明電極パターンが形成されたフィルム基材上の周縁部に引き回されて透明電極パターンの端部と接続される、透明導電膜より低抵抗の材料からなる厚膜回路パターンとを備え、厚膜回路パターンが０．０５〜１００μｍの膜厚で、なおかつ少なくとも一方のラインエッジをギザキザ形状に形成されている透明導電性フィルムが記載されている。特許文献１では、ギザキザ形状の凸部ピークから隣の凸部ピークまでの距離が１０〜６００μｍである。
特許文献２には、基板上に導電性膜を形成するステップ、導電性膜上にエッチングレジストパターンを形成するステップ、およびエッチングレジストパターンを利用して導電性膜をオーバーエッチングすることによって、エッチングレジストパターンの幅より小さい線幅を有する第１導電性パターンを形成するステップを含み、エッチングレジストパターンのラインエッジラフネス（ＬＥＲ）は、形成しようとする第１導電性パターンの線幅の１／２以下に調節されるタッチスクリーンの製造方法が記載されている。
上述のように骨見えに対して、視認性の配線角度の角度依存性を減らすことが困難である。
また、特許文献１および特許文献２では、配線に関し、形状を規定しているが、上述の骨見えに対することは考慮したものではなく、視認性の改善に有効ではない。なお、特許文献１では、ギザキザ形状の凸部ピークから隣の凸部ピークまでの距離を１０〜６００μｍとしているが、視認性の観点からは有効な形状ではない。
また、特許文献１および特許文献２では、配線に関し、形状を規定しているが、上述の骨見えに対することは考慮したものではなく、視認性の改善に有効ではない。なお、特許文献１では、ギザキザ形状の凸部ピークから隣の凸部ピークまでの距離を１０〜６００μｍとしているが、視認性の観点からは有効な形状ではない。
本発明の目的は、前述の従来技術に基づく問題点を解消し、導体配線が視認されにくい導電性フィルム、タッチパネル、フォトマスク、インプリントテンプレート、導電性フィルム形成用積層体、導電性フィルムの製造方法、および電子デバイスの製造方法を提供することにある。
上述の目的を達成するために、本発明は、基材と、基材の少なくとも一方の面に設けられる導体配線とを有し、導体配線は、長手方向と直交する方向の両方の側端面のラインエッジラフネスが、それぞれ３σ値で０．７μｍ以上であり、かつ導体配線の両方の側端面は、それぞれパワースペクトルＰ（ｆ）について下記数式を満たすことを特徴とする導電性フィルムを提供するものである。
導体配線は、金属層を有することが好ましい。
導体配線は、視認抑制層を有することが好ましい。
本発明の導電性フィルムを有することを特徴とするタッチパネルを提供するものである。
導体配線は、視認抑制層を有することが好ましい。
本発明の導電性フィルムを有することを特徴とするタッチパネルを提供するものである。
また、本発明は、基材と、基材の少なくとも一方の面に設けられる導体配線とを有する導電性フィルムの製造に用いられるフォトマスクであって、導体配線に対応する開口部を有し、開口部は、長手方向と直交する方向の両方の側端面のラインエッジラフネスが、それぞれ３σ値で０．７μｍ以上であり、かつ開口部の両方の側端面は、それぞれパワースペクトルＰ（ｆ）について下記数式を満たすことを特徴とするフォトマスクを提供するものである。
また、本発明は、基材と、基材の少なくとも一方の面に設けられる導体配線とを有する導電性フィルムの製造に用いられるインプリントテンプレートであって、導体配線に対応するパターン部を有し、パターン部は、長手方向と直交する方向の両方の側端面のラインエッジラフネスが、それぞれ３σ値で０．７μｍ以上であり、かつパターン部の両方の側端面は、それぞれパワースペクトルＰ（ｆ）について下記数式を満たすことを特徴とするインプリントテンプレートを提供するものである。
また、本発明は、基材と、基材の少なくとも一方の面に設けられる導体配線とを有する導電性フィルムの製造に用いられる導電性フィルム形成用積層体であって、基材上に設けられ、導体配線となる導体層と、導体層上に設けられ、導体配線に対応する導体配線形成用部材とを有し、導体配線形成用部材は、長手方向と直交する方向の両方の側端面のラインエッジラフネスが、それぞれ３σ値で０．７μｍ以上であり、かつ両方の側端面は、それぞれパワースペクトルＰ（ｆ）について下記数式を満たすことを特徴とする導電性フィルム形成用積層体を提供するものである。
本発明は、基材と、基材の少なくとも一方の面に設けられる導体配線とを有する導電性フィルムの製造方法であって、導体配線に対応する開口部が、長手方向と直交する方向の両方の側端面のラインエッジラフネスが、それぞれ３σ値で０．７μｍ以上であり、かつ開口部の両方の側端面は、それぞれパワースペクトルＰ（ｆ）について下記数式を満たすフォトマスクを用いたリソグラフィー法で、導体配線を形成することを特徴とする導電性フィルムの製造方法を提供するものである。
また、本発明は、基材と、基材の少なくとも一方の面に設けられる導体配線とを有する導電性フィルムの製造方法であって、導体配線に対応するパターン部が、長手方向と直交する方向の両方の側端面のラインエッジラフネスが、それぞれ３σ値で０．７μｍ以上であり、かつパターン部の両方の側端面は、それぞれパワースペクトルＰ（ｆ）について下記数式を満たすインプリントテンプレートを用いたリソグラフィー法で、導体配線を形成することを特徴とする導電性フィルムの製造方法を提供するものである。
また、本発明は、基材と、基材の少なくとも一方の面に設けられる導体配線とを有する導電性フィルムを備える電子デバイスの製造方法であって、導体配線に対応する開口部が、長手方向と直交する方向の両方の側端面のラインエッジラフネスが、それぞれ３σ値で０．７μｍ以上であり、かつ開口部の両方の側端面は、それぞれパワースペクトルＰ（ｆ）について下記数式を満たすフォトマスクを用いたリソグラフィー法で、導体配線を形成することを特徴とする電子デバイスの製造方法を提供するものである。
また、本発明は、基材と、基材の少なくとも一方の面に設けられる導体配線とを有する導電性フィルムを備える電子デバイスの製造方法であって、導体配線に対応するパターン部が、長手方向と直交する方向の両方の側端面のラインエッジラフネスが、それぞれ３σ値で０．７μｍ以上であり、かつパターン部の両方の側端面は、それぞれパワースペクトルＰ（ｆ）について下記数式を満たすインプリントテンプレートを用いたリソグラフィー法で、導体配線を形成することを特徴とする電子デバイスの製造方法を提供するものである。
本発明によれば、導体配線が視認されにくい導電性フィルムおよび導電性フィルムを備えるタッチパネルを得ることができる。
また、導体配線が視認されにくい導電性フィルムの製造に利用されるフォトマスク、インプリントテンプレートおよび導電性フィルム形成用積層体を得ることができる。
さらには、導体配線が視認されにくい導電性フィルム、および導電性フィルムを備える電子デバイスを製造することができる。
また、導体配線が視認されにくい導電性フィルムの製造に利用されるフォトマスク、インプリントテンプレートおよび導電性フィルム形成用積層体を得ることができる。
さらには、導体配線が視認されにくい導電性フィルム、および導電性フィルムを備える電子デバイスを製造することができる。
以下に、添付の図面に示す好適実施形態に基づいて、本発明の導電性フィルム、タッチパネル、フォトマスク、インプリントテンプレート、導電性フィルム形成用積層体、導電性フィルムの製造方法、および電子デバイスの製造方法を詳細に説明する。
なお、以下において数値範囲を示す「〜」とは両側に記載された数値を含む。例えば、εが数値α〜数値βとは、εの範囲は数値αと数値βを含む範囲であり、数学記号で示せばα≦ε≦βである。
「具体的な数値で表された角度」、「平行」、「垂直」および「直交」等の角度は、特に記載がなければ、該当する技術分野で一般的に許容される誤差範囲を含む。
また、「同一」および「全部」等は、該当する技術分野で一般的に許容される誤差範囲を含む。
透明とは、光透過率が、波長３８０〜７８０ｎｍの可視光波長域において、８０％以上のことであり、好ましくは９０％以上、より好ましくは９５％以上のことである。
光透過率は、例えば、ＪＩＳ（日本工業規格） Ｋ ７３７５：２００８に規定される「プラスチック--全光線透過率および全光線反射率の求め方」を用いて測定されるものである。
なお、以下において数値範囲を示す「〜」とは両側に記載された数値を含む。例えば、εが数値α〜数値βとは、εの範囲は数値αと数値βを含む範囲であり、数学記号で示せばα≦ε≦βである。
「具体的な数値で表された角度」、「平行」、「垂直」および「直交」等の角度は、特に記載がなければ、該当する技術分野で一般的に許容される誤差範囲を含む。
また、「同一」および「全部」等は、該当する技術分野で一般的に許容される誤差範囲を含む。
透明とは、光透過率が、波長３８０〜７８０ｎｍの可視光波長域において、８０％以上のことであり、好ましくは９０％以上、より好ましくは９５％以上のことである。
光透過率は、例えば、ＪＩＳ（日本工業規格） Ｋ ７３７５：２００８に規定される「プラスチック--全光線透過率および全光線反射率の求め方」を用いて測定されるものである。
図１は本発明の実施形態の導電性フィルムを有する表示装置を示す模式図である。
図１に示すように、導電性フィルム１０は、表示装置２０の表示ユニット２２上に、例えば、透明層１８を介して設けられる。
導電性フィルム１０には、表面１０ａに保護層１２が設けられている。導電性フィルム１０はコントローラ１４に接続されている。
導電性フィルム１０および保護層１２でタッチセンサー１３が構成され、導電性フィルム１０、保護層１２およびコントローラ１４により、タッチパネル１６が構成される。タッチパネル１６と表示装置２０で、電子デバイスである表示機器２４が構成される。なお、電子デバイスは上述の表示機器２４に限定されるものではない。
保護層１２の表面１２ａが、表示ユニット２２の表示領域（図示せず）に表示された表示物の視認面となる。また、保護層１２の表面１２ａが、タッチパネル１６のタッチ面となる。
図１に示すように、導電性フィルム１０は、表示装置２０の表示ユニット２２上に、例えば、透明層１８を介して設けられる。
導電性フィルム１０には、表面１０ａに保護層１２が設けられている。導電性フィルム１０はコントローラ１４に接続されている。
導電性フィルム１０および保護層１２でタッチセンサー１３が構成され、導電性フィルム１０、保護層１２およびコントローラ１４により、タッチパネル１６が構成される。タッチパネル１６と表示装置２０で、電子デバイスである表示機器２４が構成される。なお、電子デバイスは上述の表示機器２４に限定されるものではない。
保護層１２の表面１２ａが、表示ユニット２２の表示領域（図示せず）に表示された表示物の視認面となる。また、保護層１２の表面１２ａが、タッチパネル１６のタッチ面となる。
コントローラ１４は静電容量式のタッチセンサーまたは抵抗膜式のタッチセンサーの検出に利用される公知のもので構成される。タッチセンサー１３では、保護層１２の表面１２ａに対する指等の接触により、静電容量式であれば、静電容量が変化した位置がコントローラ１４で検出される。抵抗膜式であれば、抵抗が変化した位置がコントローラ１４で検出される。
上述のようにタッチパネル１６は導電性フィルム１０を含むものであり、導電性フィルム１０をタッチパネル用電極部材として用いることができる。
導電性フィルム１０を含むタッチパネル１６は、抵抗膜方式、電磁誘導方式および静電容量方式等のいずれの方式であってもよい。なかでも、抵抗膜方式または静電容量方式のタッチパネルが好ましく、静電容量方式のタッチパネルがより好ましい。
上述のようにタッチパネル１６は導電性フィルム１０を含むものであり、導電性フィルム１０をタッチパネル用電極部材として用いることができる。
導電性フィルム１０を含むタッチパネル１６は、抵抗膜方式、電磁誘導方式および静電容量方式等のいずれの方式であってもよい。なかでも、抵抗膜方式または静電容量方式のタッチパネルが好ましく、静電容量方式のタッチパネルがより好ましい。
保護層１２は、導電性フィルム１０を保護するためのものである。保護層１２は、その構成は、特に限定されるものではない。例えば、ガラス、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、またはポリメタクリル酸メチル樹脂（ＰＭＭＡ)等のアクリル樹脂が用いられる。保護層１２の表面１２ａは、上述のようにタッチ面となるため、必要に応じて表面１２ａにハードコート層を設けてもよい。
透明層１８は、光学的に透明であり、電気的に絶縁性を有するものであり、かつ安定して導電性フィルム１０を固定することができれば、その構成は、特に限定されるものではない。透明層１８としては、例えば、光学的に透明な粘着剤（ＯＣＡ、Optical Clear Adhesive）およびＵＶ（Ultra Violet）硬化樹脂等の光学的に透明な樹脂（ＯＣＲ、Optical Clear Resin）を用いることができる。また、透明層１８は部分的に中空でもよい。
なお、透明層１８を設けることなく、表示ユニット２２上に隙間をあけて導電性フィルム１０を離間して設ける構成でもよい。この隙間のことをエアギャップともいう。
なお、透明層１８を設けることなく、表示ユニット２２上に隙間をあけて導電性フィルム１０を離間して設ける構成でもよい。この隙間のことをエアギャップともいう。
表示装置２０は、表示領域（図示せず）を備える表示ユニット２２を有するものであり、例えば、液晶表示装置である。この場合、表示ユニット２２は、液晶表示セルである。なお、表示装置は、液晶表示装置に限定されるものではなく、有機ＥＬ（Organic electro luminescence）表示装置でもよく、この場合、表示ユニットは、有機ＥＬ（Organic electro luminescence）素子である。
本発明の電子デバイスは、導電性フィルム１０またはタッチパネル１６を有するものであり、導電性フィルム１０またはタッチパネル１６を有すれば、特に限定されるものではない。電子デバイスとしては、例えば、上述の表示機器２４が挙げられる。電子デバイスとして、具体的には、携帯電話、スマートフォン、携帯情報端末、カーナビゲーションシステム、およびタブレット端末等が挙げられる。
本発明の電子デバイスは、導電性フィルム１０またはタッチパネル１６を有するものであり、導電性フィルム１０またはタッチパネル１６を有すれば、特に限定されるものではない。電子デバイスとしては、例えば、上述の表示機器２４が挙げられる。電子デバイスとして、具体的には、携帯電話、スマートフォン、携帯情報端末、カーナビゲーションシステム、およびタブレット端末等が挙げられる。
導電性フィルム１０は、例えば、静電容量式のタッチセンサーに利用されるものである。基材と、基材の少なくとも一方の面に設けられる導体配線とを有する。導体配線は、後述のように、両方の側端面がラインエッジラフネスの規定とパワースペクトルの規定を満たすものである。
図２は本発明の実施形態の導電性フィルムを用いたタッチセンサーを示す模式的平面図であり、図３は本発明の実施形態の導電性フィルムの構成の第１の例を示す模式的断面図である。
図２は本発明の実施形態の導電性フィルムを用いたタッチセンサーを示す模式的平面図であり、図３は本発明の実施形態の導電性フィルムの構成の第１の例を示す模式的断面図である。
導電性フィルム１０では、基材に、例えば、透明基板３０を用いる。導電性フィルム１０は、具体的には、図２に示すように、基材である透明基板３０の表面３０ａ上にそれぞれ第１の方向Ｄ１に沿って延びると共に第１の方向Ｄ１に直交する第２の方向Ｄ２に並列配置された複数の第１の検出電極３２が形成され、複数の第１の検出電極３２に電気的に接続された複数の第１の周辺配線３３が互いに近接して配列されている。複数の第１の周辺配線３３は透明基板３０の一辺３０ｃにて１つの端子３９にまとめられている。複数の第１の周辺配線３３をまとめて第１の周辺配線部５０という。
透明基板３０の裏面３０ｂ（図３参照）上には、それぞれ第２の方向Ｄ２に沿って延び、かつ第１の方向Ｄ１に並列配置された複数の第２の検出電極３４が形成され、複数の第２の検出電極３４に電気的に接続された複数の第２の周辺配線３５が互いに近接して配列されている。複数の第２の周辺配線３５は透明基板３０の一辺３０ｃにて１つの端子３９にまとめられている。複数の第２の周辺配線３５をまとめて第２の周辺配線部５２という。
第２の検出電極３４は第１の検出電極３２に対して少なくとも一部を重ねて離間して層状に配置されている。より具体的には、透明基板３０の一方の面に対して垂直な方向Ｄｎ（図３参照）から見た際に、第２の検出電極３４は第１の検出電極３２に対して少なくとも一部を重ねて配置されている。第１の検出電極３２と第２の検出電極３４を重ねた積層方向は上述の垂直な方向Ｄｎ（図３参照）と同じ方向である。複数の第１の検出電極３２と複数の第２の検出電極３４とでセンサー部３６が構成される。
第２の検出電極３４は第１の検出電極３２に対して少なくとも一部を重ねて離間して層状に配置されている。より具体的には、透明基板３０の一方の面に対して垂直な方向Ｄｎ（図３参照）から見た際に、第２の検出電極３４は第１の検出電極３２に対して少なくとも一部を重ねて配置されている。第１の検出電極３２と第２の検出電極３４を重ねた積層方向は上述の垂直な方向Ｄｎ（図３参照）と同じ方向である。複数の第１の検出電極３２と複数の第２の検出電極３４とでセンサー部３６が構成される。
図２および図３に示すように、１つの透明基板３０の表面３０ａに第１の検出電極３２を設け、裏面３０ｂに第２の検出電極３４を設けることにより、透明基板３０が収縮しても第１の検出電極３２と第２の検出電極３４との位置関係のズレを小さくすることができる。
第１の検出電極３２および第２の検出電極３４は、いずれも導体配線４０で構成されており、開口部を備えるメッシュパターンを有する。第１の検出電極３２および第２の検出電極３４のメッシュパターンについては、後に詳細に説明する。
第１の周辺配線３３および第２の周辺配線３５は、導体配線４０で形成されてもよく、また導体配線４０とは線幅および厚み等が異なる導電配線で構成されていてもよい。第１の周辺配線３３および第２の周辺配線３５は、例えば、帯状の導体で形成されていてもよい。導電性フィルム１０の各構成部材については、後に詳細に説明する。
導電性フィルム１０は、静電容量式タッチセンサーに限定されるものではなく、抵抗膜式タッチセンサーでもよい。抵抗膜式タッチセンサーでも複数の第１の検出電極３２と複数の第２の検出電極３４でセンサー部３６が構成される。
第１の周辺配線３３および第２の周辺配線３５は、導体配線４０で形成されてもよく、また導体配線４０とは線幅および厚み等が異なる導電配線で構成されていてもよい。第１の周辺配線３３および第２の周辺配線３５は、例えば、帯状の導体で形成されていてもよい。導電性フィルム１０の各構成部材については、後に詳細に説明する。
導電性フィルム１０は、静電容量式タッチセンサーに限定されるものではなく、抵抗膜式タッチセンサーでもよい。抵抗膜式タッチセンサーでも複数の第１の検出電極３２と複数の第２の検出電極３４でセンサー部３６が構成される。
導電性フィルム１０では、透明基板３０において、複数の第１の検出電極３２と複数の第２の検出電極３４とが平面視で重なって配置される領域がセンサー部３６である。センサー部３６は、静電容量式タッチセンサーにおいて、指等の接触、すなわち、タッチの検出が可能な領域である。表示装置２０の表示ユニット２２の表示領域上にセンサー部３６を重ねて、導電性フィルム１０が表示装置２０上に配置されている。このため、センサー部３６は可視領域でもある。表示領域上に画像が表示されれば、センサー部３６は画像表示領域となる。
透明基板３０において、第１の周辺配線部５０および第２の周辺配線部５２が形成されている領域には、例えば、遮光機能を有する装飾板(図示せず)が設けられる。装飾板で第１の周辺配線部５０および第２の周辺配線部５２を覆うことにより第１の周辺配線部５０および第２の周辺配線部５２が不可視とされる。
透明基板３０において、第１の周辺配線部５０および第２の周辺配線部５２が形成されている領域には、例えば、遮光機能を有する装飾板(図示せず)が設けられる。装飾板で第１の周辺配線部５０および第２の周辺配線部５２を覆うことにより第１の周辺配線部５０および第２の周辺配線部５２が不可視とされる。
装飾板は、タッチパネルの技術分野において加飾層と呼ばれるものである。装飾板としては、第１の周辺配線部５０および第２の周辺配線部５２を不可視とすることができれば、その構成は特に限定されるものではなく、公知の加飾層を用いることができる。装飾板の形成には、スクリーン印刷法、グラビア印刷法およびオフセット印刷法等の各種の印刷法、転写法、ならびに蒸着法を用いることができる。
不可視とは、第１の周辺配線部５０および第２の周辺配線部５２を視認できないことをいい、１０人の観察者が見た場合、１人も視認できないことを不可視という。
不可視とは、第１の周辺配線部５０および第２の周辺配線部５２を視認できないことをいい、１０人の観察者が見た場合、１人も視認できないことを不可視という。
次に、第１の検出電極３２および第２の検出電極３４の導体配線の配線パターンについて説明する。
図４は本発明の実施形態の導電性フィルムの導体配線の配線パターンの一例を示す模式図である。
例えば、第１の検出電極３２および第２の検出電極３４は、いずれも配線パターンが開口部を備えるメッシュパターンである。具体的には、図４に示す配線パターン６０のように、例えば、格子状のパターンである。導体配線４０により、四角形状のセル６１が構成されており、セル６１が多数組み合わされて格子状のパターンが構成される。
図４は本発明の実施形態の導電性フィルムの導体配線の配線パターンの一例を示す模式図である。
例えば、第１の検出電極３２および第２の検出電極３４は、いずれも配線パターンが開口部を備えるメッシュパターンである。具体的には、図４に示す配線パターン６０のように、例えば、格子状のパターンである。導体配線４０により、四角形状のセル６１が構成されており、セル６１が多数組み合わされて格子状のパターンが構成される。
配線パターン６０のセル６１の一辺の長さＰが短すぎると、開口率および透過率が低下し、それに伴って、透明性が劣化するという問題がある。反対に、セル６１の一辺の長さＰが長すぎると、導体配線４０が視認されやすくなる可能性がある。
配線パターン６０のセル６１の一辺の長さＰは特に限定されるものではないが、視認性の観点から、一辺の長さＰは５０〜５００μｍであることが好ましく、７５〜２５０μｍであることがさらに好ましい。セル６１の一辺の長さＰが上述の範囲である場合には、さらに透明性も良好に保つことが可能であり、表示装置の前面にとりつけた際に、違和感なく表示を視認することができる。
可視光透過率の点から、導体配線４０より形成される配線パターン６０の開口率は８５％以上であることが好ましく、９０％以上であることがさらに好ましく、９５％以上であることが最も好ましい。開口率とは、導体配線４０を除いた透光性部分が全体に占める割合であり、例えば、線幅６μｍ、セル６１の一辺の長さＰが２４０μｍの正方形の格子状の開口率は９５％である。
配線パターン６０のセル６１の一辺の長さＰは特に限定されるものではないが、視認性の観点から、一辺の長さＰは５０〜５００μｍであることが好ましく、７５〜２５０μｍであることがさらに好ましい。セル６１の一辺の長さＰが上述の範囲である場合には、さらに透明性も良好に保つことが可能であり、表示装置の前面にとりつけた際に、違和感なく表示を視認することができる。
可視光透過率の点から、導体配線４０より形成される配線パターン６０の開口率は８５％以上であることが好ましく、９０％以上であることがさらに好ましく、９５％以上であることが最も好ましい。開口率とは、導体配線４０を除いた透光性部分が全体に占める割合であり、例えば、線幅６μｍ、セル６１の一辺の長さＰが２４０μｍの正方形の格子状の開口率は９５％である。
図５は本発明の実施形態の導電性フィルムの導体配線を示す模式的斜視図である。図５において、図３に示す導電性フィルム１０と同一構成物には同一符号を付して、その詳細な説明は省略する。
図５に示すように、導体配線４０は、長手方向ＤＬと直交する方向Ｄｗの両方の側端面４０ｃ、４０ｄのラインエッジラフネスが、それぞれ３σ値で０．７μｍ以上である。かつ導体配線４０の両方の側端面４０ｃ、４０ｄは、それぞれパワースペクトルＰ（ｆ）について下記数式（１）を満たす。なお、σは標準偏差を表し、下記数式（１）のｆは空間周波数を表し、単位はμｍ−１である。
導体配線４０の長手方向ＤＬとは、導体配線４０が延びる方向のことである、図４に示す配線パターン６０の導体配線４０では、長手方向ＤＬはセル６１の辺に平行な方向である。
導体配線４０の長手方向ＤＬとは、導体配線４０が延びる方向のことである、図４に示す配線パターン６０の導体配線４０では、長手方向ＤＬはセル６１の辺に平行な方向である。
ラインエッジラフネスは、図５に示すように、導体配線４０の表面４０ａに対して垂直な方向から観察した場合の側端面４０ｃ、４０ｄでの方向Ｄｗの凹凸を表す。なお、導体配線４０の表面４０ａが平面でない場合には、透明基板３０の表面３０ａに対して垂直な方向から導体配線４０を観察した場合とする。
下記数式（１）は、ラインエッジラフネスの空間周波数の分布を表している、下記数式（１）の分母の単位は無次元であり、分子の単位はμｍ−１である。
下記数式（１）では０．２μｍ−１超としており、ある程度以上の周期の凹凸が存在することを表している。なお、下記数式（１）では０．２μｍ−１超としているが、０．２μｍ−１とは、目安の周期としては５μｍ程度である。
パワースペクトルＰ（ｆ）は側端面４０ｃ、４０ｄのラインエッジラフネスのパワースペクトルである。
下記数式（１）は、ラインエッジラフネスの空間周波数の分布を表している、下記数式（１）の分母の単位は無次元であり、分子の単位はμｍ−１である。
下記数式（１）では０．２μｍ−１超としており、ある程度以上の周期の凹凸が存在することを表している。なお、下記数式（１）では０．２μｍ−１超としているが、０．２μｍ−１とは、目安の周期としては５μｍ程度である。
パワースペクトルＰ（ｆ）は側端面４０ｃ、４０ｄのラインエッジラフネスのパワースペクトルである。
ラインエッジラフネスおよびパワースペクトルについては、導体配線４０の両方の側端面４０ｃ、４０ｄのうち、側端面４０ｃまたは側端面４０ｄのいずれかだけが、満足するだけでは効果が得られない。
ラインエッジラフネスの値およびパワースペクトルＰ（ｆ）の数式（１）が、上述の条件を満たさない場合、導体配線の視認性の角度依存を改善する効果が弱い。
ラインエッジラフネスの値およびパワースペクトルＰ（ｆ）の数式（１）が、上述の条件を満たさない場合、導体配線の視認性の角度依存を改善する効果が弱い。
なお、上述のようにラインエッジラフネスは３σ値で０．７μｍ以上であるが、その上限値は、導体配線４０が断線しない、または必要な導電率が得られる限りにおいては特に限定されるものではない。
ラインエッジラフネスが大きすぎると、場合によっては、導体配線４０の左端と右端が交差してしまう。これは導体配線４０が断線することを意味し、導電性フィルム１０として機能しなくなる。また、仮に導体配線４０が断線しなかったとしても、導体配線４０に部分的に極端に細い部分ができてしまう場合があり、このことで極端に抵抗が高くなる場合がある。このようなことを回避するように設計されれば、上述のラインエッジラフネスについて、上限値は特に限定されるものではない。
ラインエッジラフネスが大きすぎると、場合によっては、導体配線４０の左端と右端が交差してしまう。これは導体配線４０が断線することを意味し、導電性フィルム１０として機能しなくなる。また、仮に導体配線４０が断線しなかったとしても、導体配線４０に部分的に極端に細い部分ができてしまう場合があり、このことで極端に抵抗が高くなる場合がある。このようなことを回避するように設計されれば、上述のラインエッジラフネスについて、上限値は特に限定されるものではない。
ラインエッジラフネスについては、配線パターン形成後に、ＳＥＭ（走査電子顕微鏡）を用いて、導体配線４０の表面４０ａ側から、導体配線４０の上方のＳＥＭ（走査電子顕微鏡）像を取得し、ＳＥＭ像に画像処理を施し、導体配線４０の両方の側端面４０ｃ、４０ｄのラインエッジを抽出することで、両方の側端面４０ｃ、４０ｄの配線の長さ方向の位置とラフネスの大きさの関係を表す関数を抽出することができる。両方の側端面４０ｃ、４０ｄの関数から、例えば、Jornal of Micro/Nanolithography, MEMS, and MOEMS 11(1),013004に記載されている定義に従って各側端面４０ｃ、４０ｄのラインエッジラフネスを求めることができる。さらに、抽出した両方の側端面４０ｃ、４０ｄの関数に対し、フーリエ変換を施すことで、各側端面４０ｃ、４０ｄのパワースペクトルを取得することができる。これにより、上述の数式（１）の値を求めることができる。
図５に示す導体配線４０の側端面４０ｃ、４０ｄの縁４０ｅについて、表面粗さはあってもなくてもよい。側端面４０ｃ、４０ｄの縁４０ｅの表面粗さが、視認性に与える影響は小さい。
Jornal of Micro/Nanolithography, MEMS, and MOEMS 11(1),013004に記載されている定義は、下記ＬＥＲ（ラインエッジラフネス）の３σの式で表される。
図５に示す導体配線４０の側端面４０ｃ、４０ｄの縁４０ｅについて、表面粗さはあってもなくてもよい。側端面４０ｃ、４０ｄの縁４０ｅの表面粗さが、視認性に与える影響は小さい。
Jornal of Micro/Nanolithography, MEMS, and MOEMS 11(1),013004に記載されている定義は、下記ＬＥＲ（ラインエッジラフネス）の３σの式で表される。
上記ＬＥＲの式において、Ｎは、測定点の数であり、Ｘｉは、導体配線に沿った位置である。また、下記式に示すように、<Ｚ（Ｘｉ）>は平均値（適切な座標の選択によって０に設定することができる。）である。
導電性フィルム１０では、導体配線４０について、上述のようにラインエッジラフネスおよびパワースペクトルを規定して、２次元的なパターンを制御することにより、筋状の光の反射を抑制し、導体配線４０について、観察方向による視認性の相違を小さくすることができる。すなわち、導体配線４０について、視認性を低減することができる。
導電性フィルム１０を有するタッチパネル１６、および電子デバイスについても、上述のように、導体配線４０について、視認性を低減することができる。
導電性フィルム１０を有するタッチパネル１６、および電子デバイスについても、上述のように、導体配線４０について、視認性を低減することができる。
導電性フィルム１０は、図２および図３に示すものに、特に限定されるものではなく、例えば、図６に示す導電性フィルム１０のように１つの透明基板３０、３１に１つの検出電極を設ける構成でもよい。導電性フィルム１０は、１つの透明基板３０の表面３０ａに第１の検出電極３２が設けられ、透明基板３０の裏面３０ｂに、接着層５６を介して表面３１ａに第２の検出電極３４が設けられた透明基板３１が積層された構成でもよい。なお、透明基板３１は透明基板３０と同じ構成である。接着層５６は、上述の透明層１８と同じものを用いることができる。図６でも、第１の検出電極３２と第２の検出電極３４を重ねた積層方向は垂直な方向Ｄｎと同じ方向である。
また、導電性フィルム１０では、第１の検出電極３２と第２の検出電極３４の２つの検出電極を設ける構成としたが、これに限定されるものではない。例えば、図７に示すように、１つの透明基板３０の表面３０ａに第１の検出電極３２を設ける構成でもよい。
また、導電性フィルム１０では、第１の検出電極３２と第２の検出電極３４の２つの検出電極を設ける構成としたが、これに限定されるものではない。例えば、図７に示すように、１つの透明基板３０の表面３０ａに第１の検出電極３２を設ける構成でもよい。
また、導電性フィルム１０は、検出電極と電気的に絶縁されたダミー電極を有する構成でもよい。この場合、図８に示すように、複数の第１の検出電極３２の第２の方向Ｄ２における間に、第１の検出電極３２と電気的に絶縁されたダミー電極６４を有する構成でもよい。
第１の検出電極３２とダミー電極６４とは隙間６５を設けて配置されている。ダミー電極６４は、隙間６５により第１の検出電極３２と電気的に絶縁され、検出電極としては機能しない。
ダミー電極６４は、隙間６５により第１の検出電極３２と電気的に絶縁されている以外は、第１の検出電極３２と同じメッシュパターンである。ダミー電極６４は、メッシュパターンを作製した後、第１の検出電極３２を作製する際に、第１の検出電極３２間にあるメッシュパターンを全部取り除くことなく、隙間６５となるメッシュパターンの領域だけを取り除くことにより形成することができる。
なお、図８では、第１の検出電極３２を例にして説明したが、第２の検出電極３４についても、第１の検出電極３２と同様に、上述のダミー電極６４を設ける構成とする。
第１の検出電極３２とダミー電極６４とは隙間６５を設けて配置されている。ダミー電極６４は、隙間６５により第１の検出電極３２と電気的に絶縁され、検出電極としては機能しない。
ダミー電極６４は、隙間６５により第１の検出電極３２と電気的に絶縁されている以外は、第１の検出電極３２と同じメッシュパターンである。ダミー電極６４は、メッシュパターンを作製した後、第１の検出電極３２を作製する際に、第１の検出電極３２間にあるメッシュパターンを全部取り除くことなく、隙間６５となるメッシュパターンの領域だけを取り除くことにより形成することができる。
なお、図８では、第１の検出電極３２を例にして説明したが、第２の検出電極３４についても、第１の検出電極３２と同様に、上述のダミー電極６４を設ける構成とする。
また、導体配線４０単層に限定されるものではなく、導体配線４０は、少なくとも導電性を確保するために金属層を有するものであればよい。図９に示す導電性フィルム１０のように、導体配線４１としては、金属層４３に加えて、視認抑制層４５を有する構成であることが好ましい。視認抑制層４５は金属層４３の表面４３ａに形成されている。
なお、図９に示す導電性フィルム１０において、図３に示す導電性フィルム１０と同一構成物には同一符号を付して、その詳細な説明は省略する。
視認抑制層４５は、金属層４３を見えにくくして、結果として導体配線４１を見えにくくするものである。視認抑制層４５は、金属層４３を見えにくくすることができれば、特に限定されるものではなく、例えば、金属層４３を黒化処理して形成したものでもよい。視認抑制層４５は、導体配線４０の反射率を小さくすることができれば、特に限定されるものではなく、ＣｕＯ、ＡｇＯ、Ｐｄまたはカーボン等で構成され、これ以外にも窒化物で構成される。
なお、図９に示す導電性フィルム１０において、図３に示す導電性フィルム１０と同一構成物には同一符号を付して、その詳細な説明は省略する。
視認抑制層４５は、金属層４３を見えにくくして、結果として導体配線４１を見えにくくするものである。視認抑制層４５は、金属層４３を見えにくくすることができれば、特に限定されるものではなく、例えば、金属層４３を黒化処理して形成したものでもよい。視認抑制層４５は、導体配線４０の反射率を小さくすることができれば、特に限定されるものではなく、ＣｕＯ、ＡｇＯ、Ｐｄまたはカーボン等で構成され、これ以外にも窒化物で構成される。
以下、導電性フィルム１０の各部材について説明する。
まず、第１の検出電極３２と第２の検出電極３４の導体配線４０について説明する。
導体配線４０の線幅ｗは、特に限定されるものではないが、第１の検出電極３２および第２の検出電極３４として適用される場合には、視認性がより抑制される理由から、導体配線４０の線幅ｗが５μｍ以下であり、かつ導体配線４０のピッチが３０〜５００μｍであることが好ましい。また、導体配線４０の線幅ｗは、視認性と抵抗率の観点から、０．５μｍ〜５μｍであることがより好ましく、０．８μｍ〜４μｍであることが更に好ましく、１μｍ〜３μｍであることが特に好ましい。導体配線のピッチとは、例えば、上述のセル６１の一辺の長さＰである。導体配線のピッチは視認性の観点から５０μｍ〜５００μｍがより好ましく、７５μｍ〜２５０μｍがさらに好ましい。
導体配線４０が周辺配線として適用される場合には、導体配線４０の線幅ｗは５００μｍ以下が好ましく、１００μｍ以下がより好ましく、５０μｍ以下が特に好ましい。線幅ｗが上述の範囲であれば、低抵抗の周辺配線を比較的容易に形成できる。
まず、第１の検出電極３２と第２の検出電極３４の導体配線４０について説明する。
導体配線４０の線幅ｗは、特に限定されるものではないが、第１の検出電極３２および第２の検出電極３４として適用される場合には、視認性がより抑制される理由から、導体配線４０の線幅ｗが５μｍ以下であり、かつ導体配線４０のピッチが３０〜５００μｍであることが好ましい。また、導体配線４０の線幅ｗは、視認性と抵抗率の観点から、０．５μｍ〜５μｍであることがより好ましく、０．８μｍ〜４μｍであることが更に好ましく、１μｍ〜３μｍであることが特に好ましい。導体配線のピッチとは、例えば、上述のセル６１の一辺の長さＰである。導体配線のピッチは視認性の観点から５０μｍ〜５００μｍがより好ましく、７５μｍ〜２５０μｍがさらに好ましい。
導体配線４０が周辺配線として適用される場合には、導体配線４０の線幅ｗは５００μｍ以下が好ましく、１００μｍ以下がより好ましく、５０μｍ以下が特に好ましい。線幅ｗが上述の範囲であれば、低抵抗の周辺配線を比較的容易に形成できる。
導体配線４０が周辺配線として適用される場合、第１の検出電極３２および第２の検出電極３４と同じくメッシュパターンとすることもでき、その場合、線幅ｗは特に限定されるものではないが、５０μｍ以下が好ましく、１５μｍ以下がより好ましく、１０μｍ以下がさらに好ましく、９μｍ以下が特に好ましく、７μｍ以下が最も好ましく、０．５μｍ以上が好ましく、１．０μｍ以上がより好ましい。線幅ｗが上述の範囲であれば、低抵抗の周辺配線を比較的容易に形成できる。周辺配線をメッシュパターンとすることで、第１の検出電極３２および第２の検出電極３４を形成する際に、キセノンフラッシュランプからのパルス光を照射する工程において、検出電極と周辺配線の照射による低抵抗化の均一性を高めることができる他、粘着剤層を貼合した場合に、第１の検出電極３２および第２の検出電極３４と周辺配線のピール強度を一定にでき、面内分布が小さくできる点で好ましい。
導体配線４０の厚みｔは、特に限定されるものではないが、１〜２００μｍが好ましく、５０μｍ以下であることがより好ましく、２０μｍ以下であることがさらに好ましく、０．０１〜９μｍであることが特に好ましく、０．０５〜５μｍであることが最も好ましい。厚みｔが上述の範囲であれば、低抵抗で、かつ耐久性に優れた検出電極を比較的容易に形成できる。
導体配線４０の線幅ｗおよび導体配線４０の厚みｔは、導体配線４０を含む導電性フィルム１０の断面画像を取得し、断面画像をパーソナルコンピュータに取り見込み、モニタに表示し、モニタ上で上述の導体配線４０の線幅ｗを規定する２箇所に、それぞれ水平線をひき、水平線間の長さを求める。これにより、導体配線４０の線幅ｗを得ることができる。また、導体配線４０の厚みｔを規定する２箇所に、それぞれ水平線をひき、水平線間の長さを求める。これにより、導体配線４０の厚みｔを得ることができる。
導体配線４０の線幅ｗおよび導体配線４０の厚みｔは、導体配線４０を含む導電性フィルム１０の断面画像を取得し、断面画像をパーソナルコンピュータに取り見込み、モニタに表示し、モニタ上で上述の導体配線４０の線幅ｗを規定する２箇所に、それぞれ水平線をひき、水平線間の長さを求める。これにより、導体配線４０の線幅ｗを得ることができる。また、導体配線４０の厚みｔを規定する２箇所に、それぞれ水平線をひき、水平線間の長さを求める。これにより、導体配線４０の厚みｔを得ることができる。
＜基材＞
基材は、導体配線を支持することができれば、その種類は特に限定されるものではく、透明基板であることが好ましい。透明とは、上述の通りであるため、その詳細な説明は省略する。
基材の厚みは、用途に応じて適宜設定することができるため特に限定されないが、通常、１０〜５０００μｍであることが好ましく、２５〜２５０μｍであることがより好ましく、５０〜１５０μｍであることがさらに好ましい。
また、基材の形状は特に限定されず、例えば、ロールの形で供給されるもの、巻き取れるほどには曲がらないが負荷をかけることによって湾曲するもの、曲がらないもののいずれであってもよい。
また、基材の構成は、単一の層からなる構成に限られるものではなく、複数の層が積層された構成を有していてもよい。複数の層が積層された構成を有する場合は、同一組成の層が積層されてもよく、また、異なった組成を有する複数の層が積層されてもよい。
基材は、導体配線を支持することができれば、その種類は特に限定されるものではく、透明基板であることが好ましい。透明とは、上述の通りであるため、その詳細な説明は省略する。
基材の厚みは、用途に応じて適宜設定することができるため特に限定されないが、通常、１０〜５０００μｍであることが好ましく、２５〜２５０μｍであることがより好ましく、５０〜１５０μｍであることがさらに好ましい。
また、基材の形状は特に限定されず、例えば、ロールの形で供給されるもの、巻き取れるほどには曲がらないが負荷をかけることによって湾曲するもの、曲がらないもののいずれであってもよい。
また、基材の構成は、単一の層からなる構成に限られるものではなく、複数の層が積層された構成を有していてもよい。複数の層が積層された構成を有する場合は、同一組成の層が積層されてもよく、また、異なった組成を有する複数の層が積層されてもよい。
＜透明基板＞
基材として透明基板が用いられる。上述の透明基板３０と透明基板３１は同じであるため、透明基板３０についてだけ説明する。透明基板３０は、第１の検出電極３２、第１の周辺配線３３、第２の検出電極３４および第２の周辺配線３５を支持するものである。
透明基板３０の材料としては、例えば、透明樹脂材料および透明無機材料等が挙げられる。
透明樹脂材料としては、具体的には、例えば、トリアセチルセルロース等のアセチルセルロース系樹脂、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル系樹脂、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリメチルペンテン、シクロオレフィンポリマー、シクロオレフィンコポリマー等のオレフィン系樹脂、ポリメチルメタクリレート等のアクリル系樹脂、ポリウレタン系樹脂、ポリエーテルサルホン、ポリカーボネート、ポリスルホン、ポリエーテル、ポリエーテルケトン、アクロニトリル、メタクリロニトリル等が挙げられる。
透明無機材料としては、具体的には、例えば、ソーダ硝子、カリ硝子、および鉛ガラス等の硝子、透光性圧電セラミックス（ＰＬＺＴ（チタン酸ジルコン酸ランタン鉛））等のセラミックス、石英、蛍石、ならびにサファイア等が挙げられる。
基材として透明基板が用いられる。上述の透明基板３０と透明基板３１は同じであるため、透明基板３０についてだけ説明する。透明基板３０は、第１の検出電極３２、第１の周辺配線３３、第２の検出電極３４および第２の周辺配線３５を支持するものである。
透明基板３０の材料としては、例えば、透明樹脂材料および透明無機材料等が挙げられる。
透明樹脂材料としては、具体的には、例えば、トリアセチルセルロース等のアセチルセルロース系樹脂、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル系樹脂、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリメチルペンテン、シクロオレフィンポリマー、シクロオレフィンコポリマー等のオレフィン系樹脂、ポリメチルメタクリレート等のアクリル系樹脂、ポリウレタン系樹脂、ポリエーテルサルホン、ポリカーボネート、ポリスルホン、ポリエーテル、ポリエーテルケトン、アクロニトリル、メタクリロニトリル等が挙げられる。
透明無機材料としては、具体的には、例えば、ソーダ硝子、カリ硝子、および鉛ガラス等の硝子、透光性圧電セラミックス（ＰＬＺＴ（チタン酸ジルコン酸ランタン鉛））等のセラミックス、石英、蛍石、ならびにサファイア等が挙げられる。
透明基板３０の好適態様の１つとしては、大気圧プラズマ処理、コロナ放電処理、および紫外線照射処理からなる群から選択される少なくとも１つの処理が施された処理済基板が挙げられる。上述の処理が施されることにより、処理された透明基板３０の面にはＯＨ基等の親水性基が導入され、第１の検出電極３２、第１の周辺配線３３、第２の検出電極３４、および第２の周辺配線３５と、透明基板３０との密着性がより向上する。
上述の処理の中でも、第１の検出電極３２、第１の周辺配線３３、第２の検出電極３４、および第２の周辺配線３５と、透明基板３０との密着性がより向上する点で、大気圧プラズマ処理が好ましい。
上述の処理の中でも、第１の検出電極３２、第１の周辺配線３３、第２の検出電極３４、および第２の周辺配線３５と、透明基板３０との密着性がより向上する点で、大気圧プラズマ処理が好ましい。
透明基板３０の他の好適態様としては、第１の検出電極３２、第１の周辺配線３３、第２の検出電極３４、および第２の周辺配線３５が設けられる面上に高分子を含む下塗り層を有することが好ましい。この下塗り層上に、第１の検出電極３２、第１の周辺配線３３、第２の検出電極３４、および第２の周辺配線３５を形成するための感光性層が形成されることにより、第１の検出電極３２、第１の周辺配線３３、第２の検出電極３４、および第２の周辺配線３５と、透明基板３０との密着性がより向上する。
下塗り層の形成方法は特に限定されるものではないが、例えば、高分子を含む下塗り層形成用組成物を基板上に塗布して、必要に応じて加熱処理を施す方法が挙げられる。下塗り層形成用組成物には、必要に応じて、溶媒が含まれていてもよい。溶媒の種類は特に限定されるものではないが、後述する感光性層形成用組成物で使用される溶媒が例示される。また、高分子を含む下塗り層形成用組成物として、高分子の微粒子を含むラテックスを使用してもよい。
下塗り層の厚みは特に限定されるものではないが、第１の検出電極３２、第１の周辺配線３３、第２の検出電極３４、および第２の周辺配線３５と、透明基板３０との密着性がより優れる点で、０．０２〜０．３μｍが好ましく、０．０３〜０．２μｍがより好ましい。
なお、必要に応じて、導電性フィルム１０は、透明基板３０と第１の検出電極３２と第２の検出電極３４との間に他の層として、上述の下塗り層以外に、例えば、アンチハレーション層を備えていてもよい。
下塗り層の形成方法は特に限定されるものではないが、例えば、高分子を含む下塗り層形成用組成物を基板上に塗布して、必要に応じて加熱処理を施す方法が挙げられる。下塗り層形成用組成物には、必要に応じて、溶媒が含まれていてもよい。溶媒の種類は特に限定されるものではないが、後述する感光性層形成用組成物で使用される溶媒が例示される。また、高分子を含む下塗り層形成用組成物として、高分子の微粒子を含むラテックスを使用してもよい。
下塗り層の厚みは特に限定されるものではないが、第１の検出電極３２、第１の周辺配線３３、第２の検出電極３４、および第２の周辺配線３５と、透明基板３０との密着性がより優れる点で、０．０２〜０．３μｍが好ましく、０．０３〜０．２μｍがより好ましい。
なお、必要に応じて、導電性フィルム１０は、透明基板３０と第１の検出電極３２と第２の検出電極３４との間に他の層として、上述の下塗り層以外に、例えば、アンチハレーション層を備えていてもよい。
＜導体配線＞
導体配線４０は、電気導電性を有するものであり、例えば、金属、または合金で構成される。導体配線４０は、例えば、銅線または銀線で構成することができる。導体配線４０としては、上述のように、少なくとも導電性を確保するために金属層を有していればよい。
導体配線４０は、電気導電性を有するものであり、例えば、金属、または合金で構成される。導体配線４０は、例えば、銅線または銀線で構成することができる。導体配線４０としては、上述のように、少なくとも導電性を確保するために金属層を有していればよい。
＜金属層＞
金属層に含まれる金属は特に限定されないが、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、ニッケル（Ｎｉ）およびパラジウム（Ｐｄ）からなる群から選択される少なくとも１種の金属を含有していることが好ましく、ＣｕおよびＡｌのうち、少なくとも一方を含有していることがより好ましく、Ｃｕを含有していることが更に好ましい。
また、金属層がＣｕを含有している場合、その含有量（原子組成比）は、コスト、加工性、抵抗率等の観点から、８０原子％以上であることが好ましく、９０原子％以上であることがより好ましい。
また、金属層がＡｌを含有している場合、その含有量（原子組成比）は、コスト、作製容易性、抵抗率等の観点から、８０原子％以上であることが好ましく、９０原子％以上であることがより好ましい。なお、上述の金属以外に、鉄（Ｆｅ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）等が数質量％程度含有されていてもよい。
金属層の厚みは、パターニング時の加工性、表面抵抗等の観点から、０．０５〜３μｍであることが好ましく、０．１５〜２μｍであることがより好ましい。
金属層は、２つ以上の金属層が積層されたものであってもよく、例えば、Ｃｕを８０原子％以上含有する金属層と、Ａｌを８０質量％含有する金属層とが積層された構造であってもよい。
金属層に含まれる金属は特に限定されないが、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、ニッケル（Ｎｉ）およびパラジウム（Ｐｄ）からなる群から選択される少なくとも１種の金属を含有していることが好ましく、ＣｕおよびＡｌのうち、少なくとも一方を含有していることがより好ましく、Ｃｕを含有していることが更に好ましい。
また、金属層がＣｕを含有している場合、その含有量（原子組成比）は、コスト、加工性、抵抗率等の観点から、８０原子％以上であることが好ましく、９０原子％以上であることがより好ましい。
また、金属層がＡｌを含有している場合、その含有量（原子組成比）は、コスト、作製容易性、抵抗率等の観点から、８０原子％以上であることが好ましく、９０原子％以上であることがより好ましい。なお、上述の金属以外に、鉄（Ｆｅ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）等が数質量％程度含有されていてもよい。
金属層の厚みは、パターニング時の加工性、表面抵抗等の観点から、０．０５〜３μｍであることが好ましく、０．１５〜２μｍであることがより好ましい。
金属層は、２つ以上の金属層が積層されたものであってもよく、例えば、Ｃｕを８０原子％以上含有する金属層と、Ａｌを８０質量％含有する金属層とが積層された構造であってもよい。
また、導体配線４０は、メッシュパターンの形成に好適な、金属銀およびゼラチン等の高分子バインダーが含有されたものでもよい。導体配線４０は、上述の金属または合金で構成されるものに限定されるものではなく、例えば、金属酸化物粒子、銀ペーストまたは銅ペースト等の金属ペースト、および銀ナノワイヤまたは銅ナノワイヤ等の金属ナノワイヤ粒子を含むものであってもよい。
導体配線における金属層の形成方法は特に限定されるものではなく、例えば、基材上の全面に金属層を形成した後に、パターニングにより配線形状とすることができる。
基板上に金属層を形成する方法としては、例えば、真空成膜法である。より具体的には、電子線蒸着法、抵抗加熱蒸着法、レーザーアブレーション法、スパッタリング法、およびイオンビームスパッタ法等により、基板上に金属層を形成することができる。なお、これらの方法を２以上組み合わせて基板上に金属層を形成してもよく、電解めっき、または無電解めっき等の液相プロセスを組み合わせて基板上に金属層を形成してもよい。
また、基材上に形成した金属層をパターニングする方法としては、例えば、フォトリソグラフィー法、および電子線リソグラフィー法等が挙げられる。
基板上に金属層を形成する方法としては、例えば、真空成膜法である。より具体的には、電子線蒸着法、抵抗加熱蒸着法、レーザーアブレーション法、スパッタリング法、およびイオンビームスパッタ法等により、基板上に金属層を形成することができる。なお、これらの方法を２以上組み合わせて基板上に金属層を形成してもよく、電解めっき、または無電解めっき等の液相プロセスを組み合わせて基板上に金属層を形成してもよい。
また、基材上に形成した金属層をパターニングする方法としては、例えば、フォトリソグラフィー法、および電子線リソグラフィー法等が挙げられる。
第１の検出電極３２と第２の検出電極３４のメッシュパターンは、特に限定されるものではないが、正三角形、二等辺三角形、直角三角形等の三角形、正方形、長方形、菱形、平行四辺形、台形等の四角形、六角形、八角形等の多角形、円、楕円、もしくは星形等、またはこれらを組み合わせた幾何学図形であることが好ましい。メッシュパターンとは、導体配線により格子状に構成されたセルが多数組み合わされてなるものである。具体的には、図５に示すように、透明基板の同じ面上に形成された、交差する導体配線４０により構成される複数の正方形状の格子が多数組み合わされたパターンを意図する。メッシュパターンとしては、相似形、合同な形状の格子が組み合わされた構成でもよく、異なる形状の格子が組み合わされたものでもよい。格子の一辺の長さは特に限定されないが、５０〜５００μｍであることが視認されにくいことから好ましく、７５〜２５０μｍであることがさらに好ましい。単位格子の辺の長さが上述の範囲である場合には、さらに透明性も良好に保つことが可能であり、表示機器の前面にとりつけた際に、違和感なく表示を視認することができる。
また、第１の検出電極３２と第２の検出電極３４のメッシュパターンは、曲線を組み合わせたもので構成してもよく、例えば、円弧を組み合わせて、円または楕円の格子状のセルとしてもよい。円弧としては、例えば、９０度の円弧、１８０度の円弧を用いることができる。
また、第１の検出電極３２と第２の検出電極３４のメッシュパターンは、曲線を組み合わせたもので構成してもよく、例えば、円弧を組み合わせて、円または楕円の格子状のセルとしてもよい。円弧としては、例えば、９０度の円弧、１８０度の円弧を用いることができる。
第１の検出電極３２と第２の検出電極３４のメッシュパターンは、ランダムパターンでもよい。ランダムパターンは、例えば、種類および大きさが異なる多角形を無作為に組み合わせたパターンである。これ以外にも、ランダムなパターンとは、例えば、パターンを構成する多角形に対して、配置ピッチ、角度、長さおよび形状のうち、少なくとも１つが一定でないパターンのことである。なお、ここで、多角形とは実質的に多角形であればよく、辺の一部または全部が曲線を成していてもよい。
この場合、例えば、ランダムなパターンは、規則性のある菱形形状について、角度が保存され、かつピッチに対して不規則性が付与された、開口部が平行四辺形であるパターンである。また、ランダムなパターンは、開口部が菱形であり、菱形形状の角度について、角度に対して不規則性が付与されたパターンでもよい。不規則性の分布は、正規分布でも、一様分布でもよい。
この場合、例えば、ランダムなパターンは、規則性のある菱形形状について、角度が保存され、かつピッチに対して不規則性が付与された、開口部が平行四辺形であるパターンである。また、ランダムなパターンは、開口部が菱形であり、菱形形状の角度について、角度に対して不規則性が付与されたパターンでもよい。不規則性の分布は、正規分布でも、一様分布でもよい。
次に、導体配線４０の形成方法について説明する。導体配線４０の形成方法は、透明基板３０等の基材に形成することができれば、特に限定されるものではない。導体配線４０の形成方法には、例えば、めっき法、銀塩法、蒸着法および印刷法等が適宜利用可能である。
めっき法よる導体配線４０の形成方法について説明する。例えば、導体配線４０は、無電解めっき下地層に無電解めっきすることにより下地層上に形成される金属めっき膜で構成することができる。この場合、少なくとも金属微粒子を含有する触媒インクを基材上にパターン状に形成した後に、基材を無電解めっき浴に浸漬し、金属めっき膜を形成することで形成される。より具体的には、特開２０１４−１５９６２０号公報に記載の金属被膜基材の製造方法を利用することができる。また、少なくとも金属触媒前駆体と相互作用しうる官能基を有する樹脂組成物を基材上にパターン状に形成した後、触媒または触媒前駆体を付与し、基材を無電解めっき浴に浸漬し、金属めっき膜を形成することで形成される。より具体的には、特開２０１２−１４４７６１号公報に記載の金属被膜基材の製造方法を応用することができる。
めっき法よる導体配線４０の形成方法について説明する。例えば、導体配線４０は、無電解めっき下地層に無電解めっきすることにより下地層上に形成される金属めっき膜で構成することができる。この場合、少なくとも金属微粒子を含有する触媒インクを基材上にパターン状に形成した後に、基材を無電解めっき浴に浸漬し、金属めっき膜を形成することで形成される。より具体的には、特開２０１４−１５９６２０号公報に記載の金属被膜基材の製造方法を利用することができる。また、少なくとも金属触媒前駆体と相互作用しうる官能基を有する樹脂組成物を基材上にパターン状に形成した後、触媒または触媒前駆体を付与し、基材を無電解めっき浴に浸漬し、金属めっき膜を形成することで形成される。より具体的には、特開２０１２−１４４７６１号公報に記載の金属被膜基材の製造方法を応用することができる。
めっき方法は無電解めっきのみでもよく、無電解めっき後電解めっきを行ってもよい。めっき法にはアディティブ法を用いることができる。
アディティブ法とは、透明基板上の導体配線を形成したい部分にのみめっき処理等を施すことにより、導体配線を形成する方法である。生産性等の点から、アディティブ方法が好ましい。
導体配線４０の形成には、サブトラクティブ方法を用いることもできる。サブトラクティブ方法とは、透明基板上に導電層を形成して、例えば、化学エッチング処理等のエッチング処理により不要部分を除去して、導体配線を形成する方法である。
アディティブ法とは、透明基板上の導体配線を形成したい部分にのみめっき処理等を施すことにより、導体配線を形成する方法である。生産性等の点から、アディティブ方法が好ましい。
導体配線４０の形成には、サブトラクティブ方法を用いることもできる。サブトラクティブ方法とは、透明基板上に導電層を形成して、例えば、化学エッチング処理等のエッチング処理により不要部分を除去して、導体配線を形成する方法である。
銀塩法よる導体配線４０の形成方法について説明する。まず、ハロゲン化銀が含まれる銀塩乳剤層に、導体配線４０となる露光パターンを用いて露光処理を施し、その後現像処理を行うことで、導体配線４０を形成することができる。より具体的には、特開２０１５−２２５９７号公報に記載の導体配線の製造方法を利用することができる。
蒸着法よる導体配線４０の形成方法について説明する。まず、蒸着により、銅箔層を形成し、フォトリソグラフィー法により銅箔層から銅配線を形成することにより、導体配線４０を形成することができる。銅箔層は、蒸着銅箔以外にも、電解銅箔が利用可能である。より具体的には、特開２０１４−２９６１４号公報に記載の銅配線を形成する工程を利用することができる。
印刷法よる導体配線４０の形成方法について説明する。まず、導電性粉末を含有する導電性ペーストを導体配線４０と同じパターンで基板に塗布し、その後、加熱処理を施すことにより導体配線４０を形成することができる。導電性ペーストを用いたパターン形成は、例えば、インクジェット法またはスクリーン印刷法でなされる。導電性ペーストとしては、より具体的には、特開２０１１−２８９８５号公報に記載の導電性ペーストを利用することができる。
蒸着法よる導体配線４０の形成方法について説明する。まず、蒸着により、銅箔層を形成し、フォトリソグラフィー法により銅箔層から銅配線を形成することにより、導体配線４０を形成することができる。銅箔層は、蒸着銅箔以外にも、電解銅箔が利用可能である。より具体的には、特開２０１４−２９６１４号公報に記載の銅配線を形成する工程を利用することができる。
印刷法よる導体配線４０の形成方法について説明する。まず、導電性粉末を含有する導電性ペーストを導体配線４０と同じパターンで基板に塗布し、その後、加熱処理を施すことにより導体配線４０を形成することができる。導電性ペーストを用いたパターン形成は、例えば、インクジェット法またはスクリーン印刷法でなされる。導電性ペーストとしては、より具体的には、特開２０１１−２８９８５号公報に記載の導電性ペーストを利用することができる。
次に、導電性フィルム１０の製造方法について、より具体的に説明する。
図１０〜図１２は、フォトマスクを用いた導電性フィルムの製造方法を示す模式的断面図である。
透明基板３０の表面３０ａに、導体配線４０となる導体層として第１金属膜８０を形成する。第１金属膜８０の形成方法は、特に限定されるものではなく、例えば、真空成膜法により形成することができ、具体的には、例えば、電子線蒸着法、抵抗加熱蒸着法、レーザーアブレーション法、スパッタリング法、およびイオンビームスパッタ法等により形成することができる。なお、これらの方法を２以上組み合わせて形成してもよく、電解めっき、または無電解めっき等の液相プロセスを組み合わせて第１金属膜８０を形成してもよい。
図１０〜図１２は、フォトマスクを用いた導電性フィルムの製造方法を示す模式的断面図である。
透明基板３０の表面３０ａに、導体配線４０となる導体層として第１金属膜８０を形成する。第１金属膜８０の形成方法は、特に限定されるものではなく、例えば、真空成膜法により形成することができ、具体的には、例えば、電子線蒸着法、抵抗加熱蒸着法、レーザーアブレーション法、スパッタリング法、およびイオンビームスパッタ法等により形成することができる。なお、これらの方法を２以上組み合わせて形成してもよく、電解めっき、または無電解めっき等の液相プロセスを組み合わせて第１金属膜８０を形成してもよい。
次に、第１金属膜８０の表面８０ａに、例えば、紫外線硬化性樹脂を塗布し、レジスト膜８２を形成する。
次に、レジスト膜８２にフォトマスク７０を密着させる。フォトマスク７０は、導体配線４０となる領域に開口部７１が形成されている。開口部７１は、導体配線４０の配線パターン状に形成されている。
次に、フォトマスク７０の表面７０ａ側から、紫外光を露光光Ｌｅとして照射する。これにより、レジスト膜８２で開口部７１を介して露光光Ｌｅが照射された部分が硬化する。
次に、レジスト膜８２にフォトマスク７０を密着させる。フォトマスク７０は、導体配線４０となる領域に開口部７１が形成されている。開口部７１は、導体配線４０の配線パターン状に形成されている。
次に、フォトマスク７０の表面７０ａ側から、紫外光を露光光Ｌｅとして照射する。これにより、レジスト膜８２で開口部７１を介して露光光Ｌｅが照射された部分が硬化する。
次に、フォトマスク７０をレジスト膜８２から取り除き、現像液を用いて、レジスト膜８２の露光部分を現像する。これにより、図１１に示すように、導体配線４０に対応する導体配線形成用部材８３が形成される。
図１１に示す透明基板３０上に設けられ、導体配線となる第１金属膜８０と、第１金属膜８０上に設けられ、導体配線４０に対応する導体配線形成用部材８３とを有するものが導電性フィルム形成用積層体８８である。
図１１に示す透明基板３０上に設けられ、導体配線となる第１金属膜８０と、第１金属膜８０上に設けられ、導体配線４０に対応する導体配線形成用部材８３とを有するものが導電性フィルム形成用積層体８８である。
次に、エッチング液を用いて第１金属膜８０をエッチングし、その後、レジスト膜８２を除去して、図１２に示すように導体配線４０を形成する。
透明基板３０の表面３０ａに導体配線４０を形成することしか示していないが、透明基板３０の裏面３０ｂにも、上述のようにフォトマスク７０を用いて導体配線４０を形成することにより、例えば、図３に示す構成の導電性フィルム１０を形成することができる。
透明基板３０の表面３０ａに導体配線４０を形成することしか示していないが、透明基板３０の裏面３０ｂにも、上述のようにフォトマスク７０を用いて導体配線４０を形成することにより、例えば、図３に示す構成の導電性フィルム１０を形成することができる。
図１０に示すフォトマスク７０は、開口部７１が、長手方向と直交する方向の両方の側端面７１ｃのラインエッジラフネスが、それぞれ３σ値で０．７μｍ以上であり、かつ開口部７１の両方の側端面７１ｃは、それぞれパワースペクトルＰ（ｆ）について上述の数式（１）を満たす。フォトマスク７０は、例えば、石英ガラス基板にクロム膜で構成された遮光膜が形成されたものであり、遮光膜に上述の開口部７１が形成されている。
導体配線４０に対応する導体配線形成用部材８３についても長手方向と直交する方向の両方の側端面８３ｃのラインエッジラフネスが、それぞれ３σ値で０．７μｍ以上であり、かつ両方の側端面７１ｃは、それぞれパワースペクトルＰ（ｆ）について上述の数式（１）を満たす。
形成された導体配線４０についても、両側の側端面４０ｃ、４０ｄは、それぞれラインエッジラフネスが３σ値で０．７μｍ以上であり、パワースペクトルＰ（ｆ）について上述の数式（１）を満たす。
導体配線４０に対応する導体配線形成用部材８３についても長手方向と直交する方向の両方の側端面８３ｃのラインエッジラフネスが、それぞれ３σ値で０．７μｍ以上であり、かつ両方の側端面７１ｃは、それぞれパワースペクトルＰ（ｆ）について上述の数式（１）を満たす。
形成された導体配線４０についても、両側の側端面４０ｃ、４０ｄは、それぞれラインエッジラフネスが３σ値で０．７μｍ以上であり、パワースペクトルＰ（ｆ）について上述の数式（１）を満たす。
フォトマスク７０を用いたフォトリソグラフィー法について説明したが、フォトリソグラフィー法に特に限定されるものではなく、電子線を用いた電子線リソグラフィー法を用いることができる。電子線リソグラフィー法の場合、マスクを使うことなく、電子線を使ってレジスト膜８２に直接パターンを形成する。このため、電子線の描画パターンは、上述のラインエッジラフネスとパワースペクトルＰ（ｆ）の条件を満たすものとする必要がある。
図１３および図１４はインプリントテンプレートを用いた導電性フィルムの製造方法を示す模式的断面図である。図１３および図１４において、フォトマスクを用いた導電性フィルムの製造方法を示す図１０〜図１２と同一構成物には同一符号を付して、その詳細な説明は省略する。導電性フィルムは、インプリントテンプレート７２を用いても製造することができる。
上述のフォトマスク７０を用いた場合と同様に、透明基板３０の表面３０ａに第１金属膜８０を形成する。第１金属膜８０は、上述の金属層を形成する方法を適宜利用することができる。
次に、第１金属膜８０の表面８０ａに、例えば、紫外線硬化性樹脂を塗布してレジスト膜８２を形成する。
次に、レジスト膜８２にインプリントテンプレート７２を、レジスト膜８２上に配置し、押し付ける。その後、レジスト膜８２に紫外光を照射する。このため、インプリントテンプレート７２は紫外光に対して透過率が高いもので構成することが好ましい。
インプリントテンプレート７２は、導体配線に対応するパターン部７３を有する。パターン部７３は、導体配線４０の配線パターン状に形成されている。
インプリントテンプレート７２のパターン部７３に相応するレジスト膜８２だけが残る。レジスト膜８２では、紫外光の照射により、インプリントテンプレート７２のパターン部７３に相当する部分が硬化する。
インプリントテンプレート７２をレジスト膜８２に配置し、押し付けた際、パターン部７３に相応しない部分のレジスト膜８２が残ることがあるが、これはプラズマ処理等により適宜除去することができる。
次に、第１金属膜８０の表面８０ａに、例えば、紫外線硬化性樹脂を塗布してレジスト膜８２を形成する。
次に、レジスト膜８２にインプリントテンプレート７２を、レジスト膜８２上に配置し、押し付ける。その後、レジスト膜８２に紫外光を照射する。このため、インプリントテンプレート７２は紫外光に対して透過率が高いもので構成することが好ましい。
インプリントテンプレート７２は、導体配線に対応するパターン部７３を有する。パターン部７３は、導体配線４０の配線パターン状に形成されている。
インプリントテンプレート７２のパターン部７３に相応するレジスト膜８２だけが残る。レジスト膜８２では、紫外光の照射により、インプリントテンプレート７２のパターン部７３に相当する部分が硬化する。
インプリントテンプレート７２をレジスト膜８２に配置し、押し付けた際、パターン部７３に相応しない部分のレジスト膜８２が残ることがあるが、これはプラズマ処理等により適宜除去することができる。
次に、インプリントテンプレート７２をレジスト膜８２から取り除き、図１４に示すように、導体配線４０に対応する導体配線形成用部材８３が形成される。
図１４に示す透明基板３０上に設けられ、導体配線となる第１金属膜８０と、第１金属膜８０上に設けられ、導体配線４０に対応する導体配線形成用部材８３とを有するものが導電性フィルム形成用積層体８８である。
図１４に示す透明基板３０上に設けられ、導体配線となる第１金属膜８０と、第１金属膜８０上に設けられ、導体配線４０に対応する導体配線形成用部材８３とを有するものが導電性フィルム形成用積層体８８である。
次に、エッチング液を用いて第１金属膜８０をエッチングし、その後、レジスト膜８２からなる導体配線形成用部材８３を除去して、図１２に示すように導体配線４０を形成する。透明基板３０の表面３０ａに導体配線４０を形成することしか示していないが、透明基板３０の裏面３０ｂにも、上述のようにインプリントテンプレート７２を用いて導体配線４０を形成することにより、例えば、図３に示す構成の導電性フィルム１０を形成することができる。
図１３に示すインプリントテンプレート７２は、上述のように、紫外光に対して透過率が高いもので構成することが好ましく、また対象物に押し付けるため、硬度が高いことが好ましい。このため、インプリントテンプレート７２は、例えば、石英ガラスで構成される。
また、レジスト膜８２が熱硬化するものである場合、インプリントテンプレート７２を押し付けた状態で加熱し、導体配線形成用部材８３を形成する。この場合、インプリントテンプレート７２は、加熱した際に寸法変化が小さいことが要求され、熱膨張係数が小さいもので構成することが好ましい。
インプリントテンプレート７２は、パターン部７３が、長手方向と直交する方向の両方の側端面７３ｃのラインエッジラフネスが、それぞれ３σ値で０．７μｍ以上であり、かつパターン部７３の両方の側端面７３ｃは、それぞれパワースペクトルＰ（ｆ）について、上述の数式（１）を満たす。
また、レジスト膜８２が熱硬化するものである場合、インプリントテンプレート７２を押し付けた状態で加熱し、導体配線形成用部材８３を形成する。この場合、インプリントテンプレート７２は、加熱した際に寸法変化が小さいことが要求され、熱膨張係数が小さいもので構成することが好ましい。
インプリントテンプレート７２は、パターン部７３が、長手方向と直交する方向の両方の側端面７３ｃのラインエッジラフネスが、それぞれ３σ値で０．７μｍ以上であり、かつパターン部７３の両方の側端面７３ｃは、それぞれパワースペクトルＰ（ｆ）について、上述の数式（１）を満たす。
導体配線４０に対応する導体配線形成用部材８３についても長手方向と直交する方向の両方の側端面８３ｃのラインエッジラフネスが、それぞれ３σ値で０．７μｍ以上であり、かつ両方の側端面７１ｃは、それぞれパワースペクトルＰ（ｆ）について、上述の数式（１）を満たす。
形成された導体配線４０についても、両側の側端面４０ｃ、４０ｄは、それぞれラインエッジラフネスが３σ値で０．７μｍ以上であり、パワースペクトルＰ（ｆ）について、上述の数式（１）を満たす。
形成された導体配線４０についても、両側の側端面４０ｃ、４０ｄは、それぞれラインエッジラフネスが３σ値で０．７μｍ以上であり、パワースペクトルＰ（ｆ）について、上述の数式（１）を満たす。
上述のフォトマスク７０を用いた導体配線４０の形成方法、およびインプリントテンプレート７２を用いた導体配線４０の形成方法では、第１金属膜８０が一層である場合を示したが、これに限定されるものではなく、複数層であってもよく、第１金属膜８０上に、視認抑制層となる視認抑制膜を形成してもよい。
レジスト膜８２の形成およびレジスト膜８２の除去は、それぞれ公知の方法を用いることができる。後述のレジスト膜８４の形成方法および除去方法を用いることもできる。
レジスト膜８２の形成およびレジスト膜８２の除去は、それぞれ公知の方法を用いることができる。後述のレジスト膜８４の形成方法および除去方法を用いることもできる。
導電性フィルム１０の導体配線４０の形成方法としては、上述の方法以外に、以下に示すセミアディティブ法により導体配線を電気めっきにより形成する方法等がある。
セミアディティブ法について説明する。例えば、セミアディティブ法は、以下に示す工程を有する。
（１）基板上に、第１金属膜を形成する工程（第１金属膜形成工程）
（２）第１金属膜上に導体配線が形成される領域に開口を備えるレジスト膜を形成する工程（レジスト膜形成工程）
（３）開口内であって、第１金属膜上に、第２金属膜を形成する工程（第２金属膜形成工程）
（４）レジスト膜を除去する工程（レジスト膜除去工程）
（５）第２金属膜をマスクとして、上述の第１金属膜の一部を除去して、導体配線から構成される導電部を形成する工程（導電部形成工程）
以下、上述の各工程の手順について詳述する。
セミアディティブ法について説明する。例えば、セミアディティブ法は、以下に示す工程を有する。
（１）基板上に、第１金属膜を形成する工程（第１金属膜形成工程）
（２）第１金属膜上に導体配線が形成される領域に開口を備えるレジスト膜を形成する工程（レジスト膜形成工程）
（３）開口内であって、第１金属膜上に、第２金属膜を形成する工程（第２金属膜形成工程）
（４）レジスト膜を除去する工程（レジスト膜除去工程）
（５）第２金属膜をマスクとして、上述の第１金属膜の一部を除去して、導体配線から構成される導電部を形成する工程（導電部形成工程）
以下、上述の各工程の手順について詳述する。
〔第１金属膜形成工程〕
図１５は、第１金属膜形成工程を説明するための模式的断面図である。第１金属膜形成工程を実施することで、第１金属膜８０が透明基板３０の表面３０ａに形成される。
第１金属膜８０は、シード層および下地金属層（下地密着層）のうち少なく一方として機能する。
なお、図１５では、第１金属膜８０が一層である場合を示したが、これに限定されない。例えば、第１金属膜８０は、２以上の層が積層されてなる積層構造体であってもよい。第１金属膜８０が積層構造体である場合、透明基板３０側にある下層が下地金属層（下地密着層）として機能することが好ましく、後述の第２金属膜８６側にある上層がシード層として機能することが好ましい。
第１金属膜８０の材質としては、上述の導体配線４０で挙げた材質と同様であるので、その説明を省略する。
第１金属膜８０の厚みとしては特に限定されないが、一般に、３０〜３００ｎｍが好ましく、４０〜１００ｎｍがより好ましい。
第１金属膜８０の厚みが、３００ｎｍ以下であると、後述する導電部形成工程（特にエッチングプロセス）における製造適性が良化するため、導体配線４０がより優れた線幅の面内均一性を有する。
図１５は、第１金属膜形成工程を説明するための模式的断面図である。第１金属膜形成工程を実施することで、第１金属膜８０が透明基板３０の表面３０ａに形成される。
第１金属膜８０は、シード層および下地金属層（下地密着層）のうち少なく一方として機能する。
なお、図１５では、第１金属膜８０が一層である場合を示したが、これに限定されない。例えば、第１金属膜８０は、２以上の層が積層されてなる積層構造体であってもよい。第１金属膜８０が積層構造体である場合、透明基板３０側にある下層が下地金属層（下地密着層）として機能することが好ましく、後述の第２金属膜８６側にある上層がシード層として機能することが好ましい。
第１金属膜８０の材質としては、上述の導体配線４０で挙げた材質と同様であるので、その説明を省略する。
第１金属膜８０の厚みとしては特に限定されないが、一般に、３０〜３００ｎｍが好ましく、４０〜１００ｎｍがより好ましい。
第１金属膜８０の厚みが、３００ｎｍ以下であると、後述する導電部形成工程（特にエッチングプロセス）における製造適性が良化するため、導体配線４０がより優れた線幅の面内均一性を有する。
第１金属膜８０の形成方法としては特に限定されず、公知の形成方法を用いることができる。なかでも、より緻密な構造を有する層を形成し易い点で、スパッタリング法、または蒸着法が好ましい。
〔レジスト膜形成工程〕
図１６は、レジスト膜形成工程を説明するための模式的断面図である。本工程を実施することで、レジスト膜８４が第１金属膜８０上に形成される。
レジスト膜８４は、導体配線４０（図１９参照）が形成される領域に開口８５を備える。レジスト膜８４中における開口８５の領域は、導体配線を配置したい領域に合わせて適宜調整できる。具体的には、メッシュ状に配置された導体配線を形成しようとする場合、メッシュ状の開口を有するレジスト膜８４が形成される。なお、通常、開口８５は導体配線に合わせて細線状に形成される。開口８５の両方の側端面８５ｃは、いずれもラインエッジラフネスが３σ値で０．７μｍ以上であり、パワースペクトルＰ（ｆ）について上述の数式（１）を満たす。
開口８５の線幅は２．０μｍ未満であることが好ましく、１．５μｍ以下がより好ましく、１．０μｍ以下がさらに好ましい。開口８５の線幅を２．０μｍ未満とすることにより、線幅の細い導体配線４０を得ることができる。特に、開口８５の線幅が１．５μｍ以下の場合、得られる導体配線４０の線幅がより細くなり、使用者から導体配線４０がより視認されにくい。
なお、開口８５の線幅とは、開口８５の細線部分の延在方向に直交する方向での細線部の幅を意図する。後述する各工程を経て、開口８５の線幅に対応した線幅を有する導体配線４０が形成される。
図１６は、レジスト膜形成工程を説明するための模式的断面図である。本工程を実施することで、レジスト膜８４が第１金属膜８０上に形成される。
レジスト膜８４は、導体配線４０（図１９参照）が形成される領域に開口８５を備える。レジスト膜８４中における開口８５の領域は、導体配線を配置したい領域に合わせて適宜調整できる。具体的には、メッシュ状に配置された導体配線を形成しようとする場合、メッシュ状の開口を有するレジスト膜８４が形成される。なお、通常、開口８５は導体配線に合わせて細線状に形成される。開口８５の両方の側端面８５ｃは、いずれもラインエッジラフネスが３σ値で０．７μｍ以上であり、パワースペクトルＰ（ｆ）について上述の数式（１）を満たす。
開口８５の線幅は２．０μｍ未満であることが好ましく、１．５μｍ以下がより好ましく、１．０μｍ以下がさらに好ましい。開口８５の線幅を２．０μｍ未満とすることにより、線幅の細い導体配線４０を得ることができる。特に、開口８５の線幅が１．５μｍ以下の場合、得られる導体配線４０の線幅がより細くなり、使用者から導体配線４０がより視認されにくい。
なお、開口８５の線幅とは、開口８５の細線部分の延在方向に直交する方向での細線部の幅を意図する。後述する各工程を経て、開口８５の線幅に対応した線幅を有する導体配線４０が形成される。
第１金属膜８０上にレジスト膜８４を形成する方法としては特に限定されず、公知のレジスト膜形成方法を用いることができる。例えば、以下の工程を含有する方法が挙げられる。
（ａ）第１金属膜８０上にレジスト膜形成用組成物を塗布し、レジスト膜形成用組成物層を形成する工程。
（ｂ）パターン状の開口を備えるフォトマスクを介して、レジスト膜形成用組成物を露光する工程。
（ｃ）露光後のレジスト膜形成用組成物を現像し、レジスト膜８４を得る工程。
なお、上述の工程（ａ）と工程（ｂ）の間、工程（ｂ）と工程（ｃ）の間、および工程（ｃ）の後のうち、少なくとも１つのタイミングで、レジスト膜形成用組成物層およびレジスト膜８４を加熱する工程のうち、少なくとも一方の工程を、さらに実施してもよい。
（ａ）第１金属膜８０上にレジスト膜形成用組成物を塗布し、レジスト膜形成用組成物層を形成する工程。
（ｂ）パターン状の開口を備えるフォトマスクを介して、レジスト膜形成用組成物を露光する工程。
（ｃ）露光後のレジスト膜形成用組成物を現像し、レジスト膜８４を得る工程。
なお、上述の工程（ａ）と工程（ｂ）の間、工程（ｂ）と工程（ｃ）の間、および工程（ｃ）の後のうち、少なくとも１つのタイミングで、レジスト膜形成用組成物層およびレジスト膜８４を加熱する工程のうち、少なくとも一方の工程を、さらに実施してもよい。
・工程（ａ）
上述の工程（ａ）において用いることができるレジスト膜形成用組成物としては、公知のポジ型の感放射線性組成物をいずれも用いることができる。
上述の工程（ａ）において用いることができるレジスト膜形成用組成物としては、公知のポジ型の感放射線性組成物をいずれも用いることができる。
第１金属膜８０上にレジスト膜形成用組成物を塗布する方法としては特に限定されず、公知の塗布方法を用いることができる。
レジスト膜形成用組成物の塗布方法としては、例えば、スピンコート法、スプレー法、ローラーコート法、および浸漬法等が挙げられる。
レジスト膜形成用組成物の塗布方法としては、例えば、スピンコート法、スプレー法、ローラーコート法、および浸漬法等が挙げられる。
第１金属膜８０上にレジスト膜形成用組成物層を形成後、レジスト膜形成用組成物層を加熱してもよい。加熱により、レジスト膜形成用組成物層に残留する不要な溶剤を除去し、レジスト膜形成用組成物層を均一な状態とすることができる。
レジスト膜形成用組成物層を加熱する方法としては特に限定されないが、例えば、透明基板３０を加熱する方法が挙げられる。
上述の加熱の温度としては特に限定されないが、一般に４０〜１６０℃が好ましい。
レジスト膜形成用組成物層を加熱する方法としては特に限定されないが、例えば、透明基板３０を加熱する方法が挙げられる。
上述の加熱の温度としては特に限定されないが、一般に４０〜１６０℃が好ましい。
レジスト膜形成用組成物層の厚みとしては特に限定されないが、乾燥後の厚みとして、一般に、１．０〜５．０μｍが好ましい。
・工程（ｂ）
レジスト膜形成用組成物層を露光する方法としては特に限定されず、公知の露光方法を用いることができる。
レジスト膜形成用組成物層を露光する方法としては、例えば、パターン状の開口を備えるフォトマスクを介して、レジスト膜形成用組成物層に、活性光線、または放射線を照射する方法が挙げられる。露光量としては特に限定されないが、一般に１０〜５０ｍＷ／ｃｍ２で、１〜１０秒間照射することが好ましい。
レジスト膜形成用組成物層を露光する方法としては特に限定されず、公知の露光方法を用いることができる。
レジスト膜形成用組成物層を露光する方法としては、例えば、パターン状の開口を備えるフォトマスクを介して、レジスト膜形成用組成物層に、活性光線、または放射線を照射する方法が挙げられる。露光量としては特に限定されないが、一般に１０〜５０ｍＷ／ｃｍ２で、１〜１０秒間照射することが好ましい。
工程（ｂ）中で用いられるフォトマスクが備えるパターン状の開口の線幅は、一般に２．０μｍ未満が好ましく、１．５μｍ以下がより好ましく、１．０μｍ以下がさらに好ましい。なお、フォトマスクにより開口８５が形成されるが、フォトマスクが備えるパターン状の開口は、長手方向と直交する方向の両方の側端面のラインエッジラフネスが、それぞれ３σ値で０．７μｍ以上であり、かつ開口の両方の側端面は、それぞれパワースペクトルＰ（ｆ）について上述の数式（１）を満たす。
露光後のレジスト膜形成用組成物層を加熱してもよい。加熱の温度としては特に限定されないが、一般に４０〜１６０℃が好ましい。
・工程（ｃ）
露光後のレジスト膜形成用組成物層を現像する方法としては特に限定されず、公知の現像方法を用いることができる。
公知の現像方法としては、例えば、有機溶剤を含有する現像液、またはアルカリ現像液を用いる方法が挙げられる。
現像方法としては、例えば、ディップ法、パドル法、スプレー法、およびダイナミックディスペンス法等が挙げられる。
露光後のレジスト膜形成用組成物層を現像する方法としては特に限定されず、公知の現像方法を用いることができる。
公知の現像方法としては、例えば、有機溶剤を含有する現像液、またはアルカリ現像液を用いる方法が挙げられる。
現像方法としては、例えば、ディップ法、パドル法、スプレー法、およびダイナミックディスペンス法等が挙げられる。
また、現像後のレジスト膜８４を、リンス液を用いて洗浄してもよい。リンス液としては特に限定されず、公知のリンス液を用いることができる。リンス液としては、有機溶剤、および水等が挙げられる。
〔第２金属膜形成工程〕
図１７は、第２金属膜形成工程を説明するための模式的断面図である。本工程により、レジスト膜８４の開口８５内であって、第１金属膜８０上に、第２金属膜８６が形成される。第２金属膜８６がレジスト膜８４の開口８５を埋めるように形成される。
図１７は、第２金属膜形成工程を説明するための模式的断面図である。本工程により、レジスト膜８４の開口８５内であって、第１金属膜８０上に、第２金属膜８６が形成される。第２金属膜８６がレジスト膜８４の開口８５を埋めるように形成される。
第２金属膜８６は、めっき法により形成されることが好ましい。
めっき法としては、公知のめっき法を用いることができる。具体的には、電解めっき法および無電解めっき法が挙げられ、生産性の点から、電解めっき法が好ましい。
めっき法としては、公知のめっき法を用いることができる。具体的には、電解めっき法および無電解めっき法が挙げられ、生産性の点から、電解めっき法が好ましい。
第２金属膜８６に含まれる金属としては特に限定されず、公知の金属を用いることができる。
第２金属膜８６は、例えば、銅、クロム、鉛、ニッケル、金、銀、すず、および亜鉛等の金属、ならびにこれらの金属の合金を含有していてもよい。
なかでも、第２金属膜８６は、導体配線４０の導電性がより優れる点で、銅またはその合金を含有することが好ましい。また、導体配線４０の導電性がより優れる点で、第２金属膜８６の主成分は、銅であることが好ましい。
第２金属膜８６は、例えば、銅、クロム、鉛、ニッケル、金、銀、すず、および亜鉛等の金属、ならびにこれらの金属の合金を含有していてもよい。
なかでも、第２金属膜８６は、導体配線４０の導電性がより優れる点で、銅またはその合金を含有することが好ましい。また、導体配線４０の導電性がより優れる点で、第２金属膜８６の主成分は、銅であることが好ましい。
第２金属膜８６中の主成分を構成する金属の含有量としては、特に限定されないが、一般に、５０〜１００質量％が好ましく、９０〜１００質量％がより好ましい。
第２金属膜８６の線幅は、レジスト膜８４の開口８５の線幅に対応する線幅を有しており、具体的には、２．０μｍ未満が好ましく、１．５μｍ以下がより好ましく、１．０μｍ以下がさらに好ましい。第２金属膜８６の線幅の下限値としては特に限定されないが、一般に０．３μｍ以上が好ましい。
第２金属膜８６の線幅とは、第２金属膜８６の細線部分の延在方向に直交する方向での細線の幅を意図する。
第２金属膜８６の線幅とは、第２金属膜８６の細線部分の延在方向に直交する方向での細線の幅を意図する。
第２金属膜８６の厚みとしては特に限定されないが、一般に、３００〜２０００ｎｍが好ましく、３００〜１０００ｎｍがより好ましい。
〔レジスト膜除去工程〕
図１８は、レジスト膜除去工程を説明するための模式的断面図である。本工程により、レジスト膜８４が除去されて、透明基板３０、第１金属膜８０および第２金属膜８６がこの順に形成された積層体が得られる。
レジスト膜８４を除去する方法としては特に限定されず、公知のレジスト膜除去液を用いてレジスト膜８４を除去する方法が挙げられる。
レジスト膜除去液としては例えば、有機溶剤、およびアルカリ溶液等が挙げられる。
レジスト膜除去液をレジスト膜８４に接触させる方法としては、特に限定されないが、例えば、ディップ法、パドル法、スプレー法、およびダイナミックディスペンス法等が挙げられる。
図１８は、レジスト膜除去工程を説明するための模式的断面図である。本工程により、レジスト膜８４が除去されて、透明基板３０、第１金属膜８０および第２金属膜８６がこの順に形成された積層体が得られる。
レジスト膜８４を除去する方法としては特に限定されず、公知のレジスト膜除去液を用いてレジスト膜８４を除去する方法が挙げられる。
レジスト膜除去液としては例えば、有機溶剤、およびアルカリ溶液等が挙げられる。
レジスト膜除去液をレジスト膜８４に接触させる方法としては、特に限定されないが、例えば、ディップ法、パドル法、スプレー法、およびダイナミックディスペンス法等が挙げられる。
〔導電部形成工程〕
図１９は、導電部形成工程を説明するための模式的断面図である。本工程によれば、第２金属膜８６が形成されていない領域である第１金属膜８０の一部が除去されて、透明基板３０の表面３０ａに導体配線４０が形成される。
導体配線４０は、第１金属膜８０に対応する第１金属層８１と、第２金属膜８６に対応する第２金属層８７とを有する。第１金属層８１と第２金属層８７とは透明基板３０の表面３０ａ側からこの順に積層されている。
図１９は、導電部形成工程を説明するための模式的断面図である。本工程によれば、第２金属膜８６が形成されていない領域である第１金属膜８０の一部が除去されて、透明基板３０の表面３０ａに導体配線４０が形成される。
導体配線４０は、第１金属膜８０に対応する第１金属層８１と、第２金属膜８６に対応する第２金属層８７とを有する。第１金属層８１と第２金属層８７とは透明基板３０の表面３０ａ側からこの順に積層されている。
第１金属膜８０の一部を除去する方法としては、特に限定されないが、公知のエッチング液を用いることができる。
公知のエッチング液としては、例えば、塩化第二鉄溶液、塩化第二銅溶液、アンモニアアルカリ溶液、硫酸−過酸化水素混合液、およびリン酸−過酸化水素混合液等が挙げられる。これらの中から、第１金属膜８０が溶解しやすく、第２金属膜８６が第１金属膜８０よりも溶解しにくいエッチング液を適宜選択すればよい。
なお、上述のように第１金属膜８０が積層構造体である場合には、層毎にエッチング液を変えて、多段階のエッチングを行ってもよい。
公知のエッチング液としては、例えば、塩化第二鉄溶液、塩化第二銅溶液、アンモニアアルカリ溶液、硫酸−過酸化水素混合液、およびリン酸−過酸化水素混合液等が挙げられる。これらの中から、第１金属膜８０が溶解しやすく、第２金属膜８６が第１金属膜８０よりも溶解しにくいエッチング液を適宜選択すればよい。
なお、上述のように第１金属膜８０が積層構造体である場合には、層毎にエッチング液を変えて、多段階のエッチングを行ってもよい。
第１金属層８１の線幅は、２．０μｍ未満が好ましく、１．５μｍ以下がより好ましく、１．０μｍ以下がさらに好ましい。第１金属層８１の線幅の下限値としては特に限定されないが、一般に０．３μｍ以上が好ましい。
第１金属層８１の線幅とは、第１金属層８１の細線部分の延在方向に直交する方向での細線の幅を意図する。
第２金属層８７の線幅は、上述の第２金属膜８６の線幅と同様であるので、その説明を省略する。
第１金属層８１の線幅とは、第１金属層８１の細線部分の延在方向に直交する方向での細線の幅を意図する。
第２金属層８７の線幅は、上述の第２金属膜８６の線幅と同様であるので、その説明を省略する。
導体配線４０の線幅ｗは、２．０μｍ未満であり、１．５μｍ以下が好ましく、１．０μｍ以下がより好ましい。導体配線４０の線幅ｗの下限値としては特に限定されないが、一般に０．３μｍ以上が好ましい。
導体配線４０の線幅ｗが２．０μｍ未満であると、タッチパネルの使用者が導体配線４０をより視認しにくい。
なお、導体配線４０の線幅ｗとは、導体配線４０の幅方向の断面（導体配線の延在方向と直交する断面）において、第１金属層８１および第２金属層８７の線幅のうち最大の線幅を意図する。
導体配線４０の線幅ｗが２．０μｍ未満であると、タッチパネルの使用者が導体配線４０をより視認しにくい。
なお、導体配線４０の線幅ｗとは、導体配線４０の幅方向の断面（導体配線の延在方向と直交する断面）において、第１金属層８１および第２金属層８７の線幅のうち最大の線幅を意図する。
本発明は、基本的に以上のように構成されるものである。以上、本発明の導電性フィルム、タッチパネル、フォトマスク、インプリントテンプレート、導電性フィルム形成用積層体、導電性フィルムの製造方法、および電子デバイスの製造方法について詳細に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々の改良または変更をしてもよいのはもちろんである。
以下に実施例を挙げて本発明の特徴をさらに具体的に説明する。以下の実施例に示す材料、試薬、使用量、物質量、割合、処理内容、処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更することができる。従って、本発明の範囲は以下に示す具体例により限定的に解釈されるべきものではない。
第１の実施例では、以下に示す実施例１−１〜実施例１−３、および比較例１−１〜比較例１−６について、視認性を評価した。
視認性については、観察者による評価と、時間領域差分法（ＦＤＴＤ（Finite-difference time-domain）法）を用いた計算による評価を行った。視認性の評価は、後に詳細に説明する。
視認性については、観察者による評価と、時間領域差分法（ＦＤＴＤ（Finite-difference time-domain）法）を用いた計算による評価を行った。視認性の評価は、後に詳細に説明する。
以下、実施例１−１〜実施例１−３、および比較例１−１〜比較例１−６について説明する。
（実施例１−１）
まず、基板上に、厚さ１５０ｎｍのＣｕ膜と、厚さ１００ｎｍのＣｕＯ膜をこの順で、それぞれスパッタリングにより形成した。なお、基板には、東レ株式会社製 商品名「ルミラー（登録商標）Ｕ４８」のポリエチレンテレフタレートフィルムを用いた。
次に、ＣｕＯ膜上に、紫外線硬化性樹脂を塗布し、予め用意しておいたフォトマスクを密着させ、紫外光にて露光した。フォトマスクとして、導体配線のパターンの平均線幅が３．０μｍ、導体配線のピッチが１５０μｍのものを用いた。導体配線のパターンレイアウトは図２２に示すものとした。
その後、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液に浸すことにより、紫外線硬化性樹脂の露光部分を現像した。
次に、塩酸を用いてＣｕＯ膜をエッチングした。次に、塩化第II鉄（ＦｅＣｌ３）溶液を用いて、Ｃｕ膜をエッチングした。これにより、図２０に示すように基板９０上に金属層９３と視認抑制層９４とで構成された導体配線９２が、１５０μｍのピッチＤｐで形成された実施例１−１を得た。実施例１−１の導体配線９２は、図２２に示すパターンレイアウトであり、導体配線９２の平均線幅は３．０μｍであり、ラインエッジラフネス（ＬＥＲ）は３σ値で０．７９μｍであった。
ラインエッジラフネスおよびパワースペクトルについては、上述のように、導体配線９２のＳＥＭ（走査電子顕微鏡）像を取得して求めた。
（実施例１−１）
まず、基板上に、厚さ１５０ｎｍのＣｕ膜と、厚さ１００ｎｍのＣｕＯ膜をこの順で、それぞれスパッタリングにより形成した。なお、基板には、東レ株式会社製 商品名「ルミラー（登録商標）Ｕ４８」のポリエチレンテレフタレートフィルムを用いた。
次に、ＣｕＯ膜上に、紫外線硬化性樹脂を塗布し、予め用意しておいたフォトマスクを密着させ、紫外光にて露光した。フォトマスクとして、導体配線のパターンの平均線幅が３．０μｍ、導体配線のピッチが１５０μｍのものを用いた。導体配線のパターンレイアウトは図２２に示すものとした。
その後、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液に浸すことにより、紫外線硬化性樹脂の露光部分を現像した。
次に、塩酸を用いてＣｕＯ膜をエッチングした。次に、塩化第II鉄（ＦｅＣｌ３）溶液を用いて、Ｃｕ膜をエッチングした。これにより、図２０に示すように基板９０上に金属層９３と視認抑制層９４とで構成された導体配線９２が、１５０μｍのピッチＤｐで形成された実施例１−１を得た。実施例１−１の導体配線９２は、図２２に示すパターンレイアウトであり、導体配線９２の平均線幅は３．０μｍであり、ラインエッジラフネス（ＬＥＲ）は３σ値で０．７９μｍであった。
ラインエッジラフネスおよびパワースペクトルについては、上述のように、導体配線９２のＳＥＭ（走査電子顕微鏡）像を取得して求めた。
（実施例１−２）
実施例１−２は、実施例１−１に比して、導体配線が図２３に示すパターンレイアウトである点以外は、実施例１−１と同じである。このため、その詳細な説明は省略する。
（実施例１−３）
実施例１−３は、実施例１−１に比して、導体配線９２の構造が図２１に示すように金属層９３単層である点、および導体配線が図２３に示すパターンレイアウトである点以外は、実施例１−１と同じである。このため、その詳細な説明は省略する。
実施例１−２は、実施例１−１に比して、導体配線が図２３に示すパターンレイアウトである点以外は、実施例１−１と同じである。このため、その詳細な説明は省略する。
（実施例１−３）
実施例１−３は、実施例１−１に比して、導体配線９２の構造が図２１に示すように金属層９３単層である点、および導体配線が図２３に示すパターンレイアウトである点以外は、実施例１−１と同じである。このため、その詳細な説明は省略する。
（比較例１−１）
比較例１−１は、実施例１−１に比して、導体配線が図２４に示すパターンレイアウトである点以外は、実施例１−１と同じである。このため、その詳細な説明は省略する。
（比較例１−２）
比較例１−２は、実施例１−１に比して、導体配線が図２５に示すパターンレイアウトである点以外は、実施例１−１と同じである。このため、その詳細な説明は省略する。比較例１−１では、両側の側端面が平坦であり、ラインエッジラフネスが０μｍである。
（比較例１−３）
比較例１−３は、実施例１−１に比して、導体配線が図２６に示すパターンレイアウトである点以外は、実施例１−１と同じである。このため、その詳細な説明は省略する。
比較例１−１は、実施例１−１に比して、導体配線が図２４に示すパターンレイアウトである点以外は、実施例１−１と同じである。このため、その詳細な説明は省略する。
（比較例１−２）
比較例１−２は、実施例１−１に比して、導体配線が図２５に示すパターンレイアウトである点以外は、実施例１−１と同じである。このため、その詳細な説明は省略する。比較例１−１では、両側の側端面が平坦であり、ラインエッジラフネスが０μｍである。
（比較例１−３）
比較例１−３は、実施例１−１に比して、導体配線が図２６に示すパターンレイアウトである点以外は、実施例１−１と同じである。このため、その詳細な説明は省略する。
（比較例１−４）
比較例１−４は、実施例１−１に比して、導体配線が図２７に示すパターンレイアウトである点以外は、実施例１−１と同じである。このため、その詳細な説明は省略する。比較例１−４では、片側の側端面は平坦である。
（比較例１−５）
比較例１−５は、実施例１−１に比して、導体配線が図２８に示すパターンレイアウトである点以外は、実施例１−１と同じである。このため、その詳細な説明は省略する。比較例１−５では、比較例１−４とは異なる側端面が平坦である。
（比較例１−６）
比較例１−６は、実施例１−１に比して、導体配線９２の構造が、図２１に示すように金属層９３単層である点、および導体配線が図２４に示すパターンレイアウトである点以外は、実施例１−１と同じである。このため、その詳細な説明は省略する。
比較例１−４は、実施例１−１に比して、導体配線が図２７に示すパターンレイアウトである点以外は、実施例１−１と同じである。このため、その詳細な説明は省略する。比較例１−４では、片側の側端面は平坦である。
（比較例１−５）
比較例１−５は、実施例１−１に比して、導体配線が図２８に示すパターンレイアウトである点以外は、実施例１−１と同じである。このため、その詳細な説明は省略する。比較例１−５では、比較例１−４とは異なる側端面が平坦である。
（比較例１−６）
比較例１−６は、実施例１−１に比して、導体配線９２の構造が、図２１に示すように金属層９３単層である点、および導体配線が図２４に示すパターンレイアウトである点以外は、実施例１−１と同じである。このため、その詳細な説明は省略する。
導体配線のパターン形状を表す図２２〜図２８では、導体配線の一部しか示しておらず、実際の導体配線は縦軸方向に周期的に続いている。
実施例１−１〜実施例１−３、および比較例１−２〜比較例１−５は、Ｋ値を同じ値とし、ラインエッジラフネスの値を変えたものである。なお、実施例１−１〜実施例１−３、および比較例１−２〜比較例１−５はいずれもＫ値を０．５とした。比較例１−１および比較例１−６はラインエッジラフネスがゼロであり、Ｋ値が定まらない。Ｋ値は下記数式により求められる値である。本発明では、Ｋ値＞０．２μｍ−１としている。
また、実施例１−１〜実施例１−３、および比較例１−１〜比較例１−６は、導体配線の平均線幅を３．０μｍとした。
実施例１−１〜実施例１−３、および比較例１−２〜比較例１−５は、Ｋ値を同じ値とし、ラインエッジラフネスの値を変えたものである。なお、実施例１−１〜実施例１−３、および比較例１−２〜比較例１−５はいずれもＫ値を０．５とした。比較例１−１および比較例１−６はラインエッジラフネスがゼロであり、Ｋ値が定まらない。Ｋ値は下記数式により求められる値である。本発明では、Ｋ値＞０．２μｍ−１としている。
また、実施例１−１〜実施例１−３、および比較例１−１〜比較例１−６は、導体配線の平均線幅を３．０μｍとした。
以下、視認性について説明する。
観察者による評価では、図２９に示すように、光源９５としてキセノンランプを用い、キセノンランプからのコリメートした光Ｌｓを、導体配線９２が形成された基板９０に対し、入射角４５度の角度から当てた場合における、基板９０正面から、導体配線９２を目視して視認性を評価した。
光Ｌｓは、ｓ偏光とｐ偏光の中間の偏光状態の光であり、キセノンランプの出射部に直線偏光子を配置することで実現した。
光Ｌｓの照射面積は直径２０ｍｍであり、基板９０に照射されるキセノンランプの光Ｌｓの照度が、おおよそ５００ルクスとなるように調整した。これは標準的な室内環境と同程度の照度である。
導体配線の配置は、０度、２２．５度、４５度、６７．５度、および９０度の配置でそれぞれ視認性を評価した。０度は導体配線を縦向きにした状態とし、９０度は導体配線を横向きにした状態とした。導体配線の配置の各角度は、図３０に示すように、０度を基準とした回転角ｒとした。
観察者による評価では、図２９に示すように、光源９５としてキセノンランプを用い、キセノンランプからのコリメートした光Ｌｓを、導体配線９２が形成された基板９０に対し、入射角４５度の角度から当てた場合における、基板９０正面から、導体配線９２を目視して視認性を評価した。
光Ｌｓは、ｓ偏光とｐ偏光の中間の偏光状態の光であり、キセノンランプの出射部に直線偏光子を配置することで実現した。
光Ｌｓの照射面積は直径２０ｍｍであり、基板９０に照射されるキセノンランプの光Ｌｓの照度が、おおよそ５００ルクスとなるように調整した。これは標準的な室内環境と同程度の照度である。
導体配線の配置は、０度、２２．５度、４５度、６７．５度、および９０度の配置でそれぞれ視認性を評価した。０度は導体配線を縦向きにした状態とし、９０度は導体配線を横向きにした状態とした。導体配線の配置の各角度は、図３０に示すように、０度を基準とした回転角ｒとした。
評価に際し、視認性はランダムに抽出した１０名の被験者９６がそれぞれ導体配線９２の正面から、基板９０から距離Ｌｄ離して目視にて評価した。なお、距離Ｌｄは１２０ｍｍとした。
評価基準は以下の通りとした。
配線配置角度における視認性の評価結果が、被験者１０名中、視認可能とした人数が０名以上３名以下場合を○、４名以上６名以下の場合を△、７名以上視認可能とした場合を×と判定した。
視認性に関し、配置角度０度〜９０度の全てで○の場合をＡ、少なくとも１つ×を含む場合をＣ、それ以外をＢと判定した。
評価基準は以下の通りとした。
配線配置角度における視認性の評価結果が、被験者１０名中、視認可能とした人数が０名以上３名以下場合を○、４名以上６名以下の場合を△、７名以上視認可能とした場合を×と判定した。
視認性に関し、配置角度０度〜９０度の全てで○の場合をＡ、少なくとも１つ×を含む場合をＣ、それ以外をＢと判定した。
時間領域差分法（ＦＤＴＤ（Finite-difference time-domain）法）では、上述の観察者による評価と同様の状況で、ＦＤＴＤ法（時間領域差分法）により計算して、計算結果を評価した。
計算モデルとしては図３１に示すように、視認性の評価と同じ状況を想定したものとした。具体的には、基板モデル９７に、１５０μｍピッチで導体配線モデル９８を配置した。基板モデル９７は、上述の基板９０と同じ反射特性とした。導体配線モデル９８は、波長５５０ｎｍにおける反射特性を上述の導体配線９２と同じ反射特性とした。上述の基板モデル９７および導体配線モデル９８は、ＦＤＴＤ法（時間領域差分法）による計算が可能なモデルであり、公知の方法でモデル化した。
計算モデルとしては図３１に示すように、視認性の評価と同じ状況を想定したものとした。具体的には、基板モデル９７に、１５０μｍピッチで導体配線モデル９８を配置した。基板モデル９７は、上述の基板９０と同じ反射特性とした。導体配線モデル９８は、波長５５０ｎｍにおける反射特性を上述の導体配線９２と同じ反射特性とした。上述の基板モデル９７および導体配線モデル９８は、ＦＤＴＤ法（時間領域差分法）による計算が可能なモデルであり、公知の方法でモデル化した。
導体配線モデル９８の配置は、観察者による評価と同じく、０度、２２．５度、４５度、６７．５度、９０度とし、入射角４５度で、ｓ偏光とｐ偏光の中間の偏光状態の光Ｌｓを入射させた場合における、散乱強度分布を計算した。その後、基板モデル９７から距離Ｌｄが１２０ｍｍ離れた位置にある直径８ｍｍの円形開口９９に入射する光の電場強度の合計を計算した。なお、上述の電場強度とは、電場の絶対値を２乗したものを意味する。また、円形開口９９が上述の被験者９６に相当する。
そして、ある配線配置角度と別の配線配置角度の光の電場強度の差を取り、その値を規格化した。実施例１−１〜実施例１−３、および比較例１−１〜比較例１−６を、比較例１−６の計算結果を用いて規格化した。
基準値を０．１５として、比較例１−６で規格化した値が０．１５以下になったものをＡと判定し、比較例１−６で規格化した値が０．１５を超えるものをＣと判定した。
そして、ある配線配置角度と別の配線配置角度の光の電場強度の差を取り、その値を規格化した。実施例１−１〜実施例１−３、および比較例１−１〜比較例１−６を、比較例１−６の計算結果を用いて規格化した。
基準値を０．１５として、比較例１−６で規格化した値が０．１５以下になったものをＡと判定し、比較例１−６で規格化した値が０．１５を超えるものをＣと判定した。
配置角度をΨとし、形開口に入射する光の電場強度をＥとすると、計算による視認性の角度依存値ＲΨは、下記数式で定義される。
ＲΨ＝max（Ｅ（Ψ１）、・・・Ｅ（Ψｎ））−min（Ｅ（Ψ１）、・・・Ｅ（Ψｎ））
なお、配線配置は、０度、２２．５度、４５度、６７．５度および９０度の５通りであるため、ｎ＝５である。
上述の視認性の角度依存値ＲΨは、各配置角度Ψでの入射する光の電場強度Ｅの最大値と最小値との差である。
比較例１−６での角度依存値ＲΨをＹとすると、規格化された角度依存値Ｒｄは、下記数式で定義される。
Ｒｄ＝（max（Ｅ（Ψ１）、・・・Ｅ（Ψｎ））−min（Ｅ（Ψ１）、・・・Ｅ（Ψｎ）））／Ｙ
角度依存値Ｒｄが大きいほど、すなわち、比較例１−６で規格化した値が大きいほど、導体配線について、ある角度で見えやすく、ある角度で見えにくい、というように、導体配線の配置による見えやすさの差異が大きいことを意味する。
ＲΨ＝max（Ｅ（Ψ１）、・・・Ｅ（Ψｎ））−min（Ｅ（Ψ１）、・・・Ｅ（Ψｎ））
なお、配線配置は、０度、２２．５度、４５度、６７．５度および９０度の５通りであるため、ｎ＝５である。
上述の視認性の角度依存値ＲΨは、各配置角度Ψでの入射する光の電場強度Ｅの最大値と最小値との差である。
比較例１−６での角度依存値ＲΨをＹとすると、規格化された角度依存値Ｒｄは、下記数式で定義される。
Ｒｄ＝（max（Ｅ（Ψ１）、・・・Ｅ（Ψｎ））−min（Ｅ（Ψ１）、・・・Ｅ（Ψｎ）））／Ｙ
角度依存値Ｒｄが大きいほど、すなわち、比較例１−６で規格化した値が大きいほど、導体配線について、ある角度で見えやすく、ある角度で見えにくい、というように、導体配線の配置による見えやすさの差異が大きいことを意味する。
なお、図３２は、実施例１−１〜実施例１−３、および比較例１−１〜比較例１−６の計算結果を示しており、符号１０１は実施例１−１、符号１０２は実施例１−２、符号１０３は実施例１−３、符号１１１は比較例１−１、符号１１２は比較例１−２、符号１１３は比較例１−３、符号１１４は比較例１−４、符号１１５は比較例１−５、符号１１６は比較例１−６を示す。また、図３２の基準線ＢＬは値０．１５を示す線である。
実施例１−１〜実施例１−３、および比較例１−１〜比較例１−６の評価結果を下記表１に示す。なお、下記表１では、ラインエッジラフネスをＬＥＲと表し、数値は３σ値を示す。
実施例１−１〜実施例１−３、および比較例１−１〜比較例１−６の評価結果を下記表１に示す。なお、下記表１では、ラインエッジラフネスをＬＥＲと表し、数値は３σ値を示す。
表１に示すように、実施例１−１〜実施例１−３、および比較例１−１〜比較例１−６の結果から、ラインエッジラフネス（ＬＥＲ）が３σ値で０．７μｍ以上の場合において、観察者による評価と、ＦＤＴＤ法（時間領域差分法）を用いた計算による評価のいずれにおいても、見え方の角度による相違が小さく、視認性が良好となることが示された。また、実施例１−１〜実施例１−３を比べると、実施例１−３は視認抑制層が設けられていない。視認抑制層を設けた方が、観察者による評価では良好な結果が得られた。
第２の実施例では、以下に示す実施例２−１、実施例２−２、比較例２−１、および比較例２−２について視認性を評価した。
視認性は、第１の実施例と同じく、観察者による評価と、ＦＤＴＤ法（時間領域差分法）を用いた計算による評価とを行った。視認性の評価については、上述の第１の実施例と同じであるため、その詳細な説明は省略する。
視認性は、第１の実施例と同じく、観察者による評価と、ＦＤＴＤ法（時間領域差分法）を用いた計算による評価とを行った。視認性の評価については、上述の第１の実施例と同じであるため、その詳細な説明は省略する。
以下、実施例２−１、実施例２−２、比較例２−１、および比較例２−２について説明する。実施例２−１、実施例２−２、比較例２−１、および比較例２−２はラインエッジラフネスを同じ値とし、Ｋ値を変えた。なお、実施例２−１、実施例２−２、比較例２−１、および比較例２−２では、ラインエッジラフネスはいずれも３σ値で０．７９μｍとし、導体配線の平均線幅を３．０μｍとした。
（実施例２−１）
実施例２−１は、第１の実施例の実施例１−１に比して、導体配線が図３３に示すパターンレイアウトである点以外は、実施例１−１と同じである。このため、その詳細な説明は省略する。
（実施例２−２）
実施例２−２は、第１の実施例の実施例１−１に比して、導体配線が図３４に示すパターンレイアウトである点以外は、実施例１−１と同じである。このため、その詳細な説明は省略する。
実施例２−１は、第１の実施例の実施例１−１に比して、導体配線が図３３に示すパターンレイアウトである点以外は、実施例１−１と同じである。このため、その詳細な説明は省略する。
（実施例２−２）
実施例２−２は、第１の実施例の実施例１−１に比して、導体配線が図３４に示すパターンレイアウトである点以外は、実施例１−１と同じである。このため、その詳細な説明は省略する。
（比較例２−１）
比較例２−１は、第１の実施例の実施例１−１に比して、導体配線が図３５に示すパターンレイアウトである点以外は、実施例１−１と同じである。このため、その詳細な説明は省略する。
（比較例２−２）
比較例２−２は、第１の実施例の実施例１−１に比して、導体配線が図３６に示すパターンレイアウトである点以外は、実施例１−１と同じである。このため、その詳細な説明は省略する。
比較例２−１は、第１の実施例の実施例１−１に比して、導体配線が図３５に示すパターンレイアウトである点以外は、実施例１−１と同じである。このため、その詳細な説明は省略する。
（比較例２−２）
比較例２−２は、第１の実施例の実施例１−１に比して、導体配線が図３６に示すパターンレイアウトである点以外は、実施例１−１と同じである。このため、その詳細な説明は省略する。
観察者による評価と、ＦＤＴＤ法（時間領域差分法）を用いた計算による評価も、上述の第１の実施例と同じであるため、その詳細な説明は省略する。
ＦＤＴＤ法（時間領域差分法）を用いた計算による評価では、上述の第１の実施例の比較例１−６の計算結果を用いて、実施例２−１、実施例２−２、比較例２−１、および比較例２−２の計算結果を規格化した。
第２の実施例でも基準値を０．１５として、比較例１−６で規格化した値が０．１５以下になったものをＡと判定し、比較例１−６で規格化した値が０．１５を超えるものをＣと判定した。
なお、図３７は、実施例２−１、実施例２−２、比較例２−１および比較例２−２の計算結果を示しており、符号１２１は実施例２−１、符号１２２は実施例２−２、符号１２３は比較例２−１、符号１２４は比較例２−２を示す。また、図３７の基準線ＢＬは値０．１５を示す線である。
実施例２−１、実施例２−２、比較例２−１、および比較例２−２の評価結果を下記表２に示す。なお、下記表２では、ラインエッジラフネスをＬＥＲと表し、数値は３σ値を示す。
ＦＤＴＤ法（時間領域差分法）を用いた計算による評価では、上述の第１の実施例の比較例１−６の計算結果を用いて、実施例２−１、実施例２−２、比較例２−１、および比較例２−２の計算結果を規格化した。
第２の実施例でも基準値を０．１５として、比較例１−６で規格化した値が０．１５以下になったものをＡと判定し、比較例１−６で規格化した値が０．１５を超えるものをＣと判定した。
なお、図３７は、実施例２−１、実施例２−２、比較例２−１および比較例２−２の計算結果を示しており、符号１２１は実施例２−１、符号１２２は実施例２−２、符号１２３は比較例２−１、符号１２４は比較例２−２を示す。また、図３７の基準線ＢＬは値０．１５を示す線である。
実施例２−１、実施例２−２、比較例２−１、および比較例２−２の評価結果を下記表２に示す。なお、下記表２では、ラインエッジラフネスをＬＥＲと表し、数値は３σ値を示す。
表２に示すように、実施例２−１、実施例２−２、比較例２−１、および比較例２−２の結果から、ＬＥＲ≧０．７μｍを満足する導体配線では、上述のパワースペクトルＰ（ｆ）の数式（１）を満たす場合、観察者による評価と、ＦＤＴＤ法（時間領域差分法）を用いた計算による評価のいずれにおいても、ある特定の配置角度において見えやすい、という現象が抑制されており、視認性が良好となることが示された。
１０ 導電性フィルム
１０ａ、１２ａ，３０ａ、３１ａ、４３ａ、７０ａ、８０ａ 表面
１２ 保護層
１３ タッチセンサー
１４ コントローラ
１６ タッチパネル
１８ 透明層
２０ 表示装置
２２ 表示ユニット
２４ 表示機器
３０、３１ 透明基板
３０ｂ 裏面
３０ｃ 一辺
３２ 第１の検出電極
３３ 第１の周辺配線
３４ 第２の検出電極
３５ 第２の周辺配線
３９ 端子
４０、４１、９２ 導体配線
４０ｃ、４０ｄ、７１ｃ、７３ｃ、８３ｃ、８５ｃ 側端面
４０ｅ 縁
４３ 金属層
４５ 視認抑制層
５０ 第１の周辺配線部
５２ 第２の周辺配線部
５６ 接着層
６０ 配線パターン
６１ セル
６４ ダミー電極
６５ 隙間
７０ フォトマスク
７１ 開口部
７２ インプリントテンプレート
７３ パターン部
８０ 第１金属膜
８１ 第１金属層
８２、８４ レジスト膜
８３ 導体配線形成用部材
８５ 開口
８６ 第２金属膜
８７ 第２金属層
８８ 導電性フィルム形成用積層体
９０ 基板
９３ 金属層
９４ 視認抑制層
９５ 光源
９６ 被験者
９７ 基板モデル
９８ 導体配線モデル
９９ 円形開口
１０１ 実施例１−１
１０２ 実施例１−２
１０３ 実施例１−３
１１１ 比較例１−１
１１２ 比較例１−２
１１３ 比較例１−３
１１４ 比較例１−４
１１５ 比較例１−５
１１６ 比較例１−６
１２１ 実施例２−１
１２２ 実施例２−２
１２３ 比較例２−１
１２４ 比較例２−２
ＢＬ 基準線
Ｄ１ 第１の方向
Ｄ２ 第２の方向
ＤＬ 長手方向
Ｄｎ 方向
Ｄｐ ピッチ
Ｄｗ 方向
Ｌｄ 距離
Ｌｅ 露光光
Ｌｓ 光
ｒ 回転角
ｔ 厚み
ｗ 線幅
１０ａ、１２ａ，３０ａ、３１ａ、４３ａ、７０ａ、８０ａ 表面
１２ 保護層
１３ タッチセンサー
１４ コントローラ
１６ タッチパネル
１８ 透明層
２０ 表示装置
２２ 表示ユニット
２４ 表示機器
３０、３１ 透明基板
３０ｂ 裏面
３０ｃ 一辺
３２ 第１の検出電極
３３ 第１の周辺配線
３４ 第２の検出電極
３５ 第２の周辺配線
３９ 端子
４０、４１、９２ 導体配線
４０ｃ、４０ｄ、７１ｃ、７３ｃ、８３ｃ、８５ｃ 側端面
４０ｅ 縁
４３ 金属層
４５ 視認抑制層
５０ 第１の周辺配線部
５２ 第２の周辺配線部
５６ 接着層
６０ 配線パターン
６１ セル
６４ ダミー電極
６５ 隙間
７０ フォトマスク
７１ 開口部
７２ インプリントテンプレート
７３ パターン部
８０ 第１金属膜
８１ 第１金属層
８２、８４ レジスト膜
８３ 導体配線形成用部材
８５ 開口
８６ 第２金属膜
８７ 第２金属層
８８ 導電性フィルム形成用積層体
９０ 基板
９３ 金属層
９４ 視認抑制層
９５ 光源
９６ 被験者
９７ 基板モデル
９８ 導体配線モデル
９９ 円形開口
１０１ 実施例１−１
１０２ 実施例１−２
１０３ 実施例１−３
１１１ 比較例１−１
１１２ 比較例１−２
１１３ 比較例１−３
１１４ 比較例１−４
１１５ 比較例１−５
１１６ 比較例１−６
１２１ 実施例２−１
１２２ 実施例２−２
１２３ 比較例２−１
１２４ 比較例２−２
ＢＬ 基準線
Ｄ１ 第１の方向
Ｄ２ 第２の方向
ＤＬ 長手方向
Ｄｎ 方向
Ｄｐ ピッチ
Ｄｗ 方向
Ｌｄ 距離
Ｌｅ 露光光
Ｌｓ 光
ｒ 回転角
ｔ 厚み
ｗ 線幅
Claims (11)
- 基材と、
前記基材の少なくとも一方の面に設けられる導体配線とを有し、
前記導体配線は、長手方向と直交する方向の両方の側端面のラインエッジラフネスが、それぞれ３σ値で０．７μｍ以上であり、かつ前記導体配線の前記両方の側端面は、それぞれパワースペクトルＰ（ｆ）について下記数式を満たすことを特徴とする導電性フィルム。
- 前記導体配線は、金属層を有する請求項１に記載の導電性フィルム。
- 前記導体配線は、視認抑制層を有する請求項１または２に記載の導電性フィルム。
- 請求項１〜３のいずれか１項に記載の導電性フィルムを有することを特徴とするタッチパネル。
- 基材と、前記基材の少なくとも一方の面に設けられる導体配線とを有する導電性フィルムの製造に用いられるフォトマスクであって、
前記導体配線に対応する開口部を有し、
前記開口部は、長手方向と直交する方向の両方の側端面のラインエッジラフネスが、それぞれ３σ値で０．７μｍ以上であり、かつ前記開口部の前記両方の側端面は、それぞれパワースペクトルＰ（ｆ）について下記数式を満たすことを特徴とするフォトマスク。
- 基材と、前記基材の少なくとも一方の面に設けられる導体配線とを有する導電性フィルムの製造に用いられるインプリントテンプレートであって、
前記導体配線に対応するパターン部を有し、
前記パターン部は、長手方向と直交する方向の両方の側端面のラインエッジラフネスが、それぞれ３σ値で０．７μｍ以上であり、かつ前記パターン部の前記両方の側端面は、それぞれパワースペクトルＰ（ｆ）について下記数式を満たすことを特徴とするインプリントテンプレート。
- 基材と、前記基材の少なくとも一方の面に設けられる導体配線とを有する導電性フィルムの製造に用いられる導電性フィルム形成用積層体であって、
前記基材上に設けられ、前記導体配線となる導体層と、
前記導体層上に設けられ、前記導体配線に対応する導体配線形成用部材とを有し、
前記導体配線形成用部材は、長手方向と直交する方向の両方の側端面のラインエッジラフネスが、それぞれ３σ値で０．７μｍ以上であり、かつ前記両方の側端面は、それぞれパワースペクトルＰ（ｆ）について下記数式を満たすことを特徴とする導電性フィルム形成用積層体。
- 基材と、前記基材の少なくとも一方の面に設けられる導体配線とを有する導電性フィルムの製造方法であって、
前記導体配線に対応する開口部が、長手方向と直交する方向の両方の側端面のラインエッジラフネスが、それぞれ３σ値で０．７μｍ以上であり、かつ前記開口部の前記両方の側端面は、それぞれパワースペクトルＰ（ｆ）について下記数式を満たすフォトマスクを用いたリソグラフィー法で、前記導体配線を形成することを特徴とする導電性フィルムの製造方法。
- 基材と、前記基材の少なくとも一方の面に設けられる導体配線とを有する導電性フィルムの製造方法であって、
前記導体配線に対応するパターン部が、長手方向と直交する方向の両方の側端面のラインエッジラフネスが、それぞれ３σ値で０．７μｍ以上であり、かつ前記パターン部の前記両方の側端面は、それぞれパワースペクトルＰ（ｆ）について下記数式を満たすインプリントテンプレートを用いたリソグラフィー法で、前記導体配線を形成することを特徴とする導電性フィルムの製造方法。
- 基材と、前記基材の少なくとも一方の面に設けられる導体配線とを有する導電性フィルムを備える電子デバイスの製造方法であって、
前記導体配線に対応する開口部が、長手方向と直交する方向の両方の側端面のラインエッジラフネスが、それぞれ３σ値で０．７μｍ以上であり、かつ前記開口部の前記両方の側端面は、それぞれパワースペクトルＰ（ｆ）について下記数式を満たすフォトマスクを用いたリソグラフィー法で、前記導体配線を形成することを特徴とする電子デバイスの製造方法。
- 基材と、前記基材の少なくとも一方の面に設けられる導体配線とを有する導電性フィルムを備える電子デバイスの製造方法であって、
前記導体配線に対応するパターン部が、長手方向と直交する方向の両方の側端面のラインエッジラフネスが、それぞれ３σ値で０．７μｍ以上であり、かつ前記パターン部の前記両方の側端面は、それぞれパワースペクトルＰ（ｆ）について下記数式を満たすインプリントテンプレートを用いたリソグラフィー法で、前記導体配線を形成することを特徴とする電子デバイスの製造方法。
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|---|---|
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