TW201814730A - 導電性薄膜、觸控面板、光罩、壓印模板、導電性薄膜形成用積層體、導電性薄膜的製造方法及電子裝置的製造方法 - Google Patents

導電性薄膜、觸控面板、光罩、壓印模板、導電性薄膜形成用積層體、導電性薄膜的製造方法及電子裝置的製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TW201814730A
TW201814730A TW106132055A TW106132055A TW201814730A TW 201814730 A TW201814730 A TW 201814730A TW 106132055 A TW106132055 A TW 106132055A TW 106132055 A TW106132055 A TW 106132055A TW 201814730 A TW201814730 A TW 201814730A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
conductor wiring
conductive film
wiring
side end
base material
Prior art date
Application number
TW106132055A
Other languages
English (en)
Inventor
大津暁彦
吉澤宏俊
Original Assignee
日商富士軟片股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商富士軟片股份有限公司 filed Critical 日商富士軟片股份有限公司
Publication of TW201814730A publication Critical patent/TW201814730A/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
    • G06F3/0446—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means using a grid-like structure of electrodes in at least two directions, e.g. using row and column electrodes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
    • B32B15/04—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
    • B32B15/08—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of synthetic resin
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing conductors or cables
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B5/00—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form
    • H01B5/14—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form comprising conductive layers or films on insulating-supports

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Non-Insulated Conductors (AREA)
  • Position Input By Displaying (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Manufacturing Of Electric Cables (AREA)

Abstract

本發明提供一種很難觀察到導體佈線之導電性薄膜、觸控面板、光罩、壓印模板、導電性薄膜形成用積層體、導電性薄膜的製造方法及電子裝置的製造方法。導電性薄膜具有基材和設置於基材的至少一個面之導體佈線。導體佈線的與長邊方向正交之方向的兩個側端面的線邊緣粗糙度分別以3σ值計為0.7μm以上。並且導體佈線的兩個側端面分別針對功率譜P（f）滿足下述數式。

Description

導電性薄膜、觸控面板、光罩、壓印模板、導電性薄膜形成用積層體、導電性薄膜的製造方法及電子裝置的製造方法
本發明係有關具有導體佈線之導電性薄膜、具備導電性薄膜之觸控面板、在導電性薄膜的製造中利用之光罩、壓印模板及導電性薄膜形成用積層體、導電性薄膜的製造方法、以及電子裝置的製造方法，尤其係有關控制了導體佈線的二維圖案之導電性薄膜、具備導電性薄膜之觸控面板、在導電性薄膜的製造中利用之光罩、壓印模板及導電性薄膜形成用積層體、導電性薄膜的製造方法、以及電子裝置的製造方法。
近年來，作為如行動電話及平板終端等各種電子設備的輸入裝置觸控面板已顯著地普及。 關於觸控面板，存在電阻膜方式、靜電電容方式、紅外線掃描方式、逆反射方式及表面彈性波方式等各種方式。觸控面板通常作為電極部件，使用於由玻璃板或聚對苯二甲酸乙二酯膜等組成之基材上形成有透明導電膜者。但，由ITO（Indium Tin Oxide：氧化銦錫）膜組成之透明導電膜中使用銦這一稀有金屬因此為高價且實現觸控面板的大面積化時，表面電阻率等的電阻高，從而很難與低成本化及大面積化的要求對應。
於是，替代ITO薄膜的透明導電膜，開始使用了在透明基材形成由金屬細線組成之金屬網孔來作為金屬佈線之觸控面板用電極部件。金屬細線圖案中，從低電阻性、彎曲性及價格的觀點考慮，尤其銅細線圖案為特佳。
但，若將由網孔組成之銅層使用於觸控面板用電極部件，則入射有外光時，發生藉由來自銅層的反射光或散射光而使用者能夠觀察到銅層之所謂的圖案可視問題。現在，關於最普及之靜電電容方式的觸控面板，對於於透明基材的表裡這兩個面以特定圖案狀形成有金屬細線者，針對透明基材的表裡兩個面的金屬佈線發生圖案可視問題。 對於上述圖案可視，已知對金屬佈線的表面實施黑化處理之方法及於金屬佈線設置可見性改善層之方法等。
並且，關於可見性，於導入了可見性改善層之情況下，亦存在入射光的方向、因佈線所呈之角度的關係而產生條紋狀光之方向、亦即能夠明顯觀察到之方向及不產生條紋狀光之方向、亦即無法明顯觀察到之方向。其為由來自佈線的光的散射方向性導致。亦即，關於可見容易性，存在佈線配置角度的角度依賴性大之問題。 例如，於使用金屬細線形成有具有大致棱形形狀之複數個Y電極圖案和複數個X電極圖案之觸控面板中，對觸控面板進行觀察時，若與光的波長相比邊緣粗糙度充分小，則有時因來自周圍的方向性高的光而產生條紋狀光的反射。若從產生該條紋狀光的反射之方向觀察佈線，則使觀察者容易觀察到佈線的存在。然而，依觀察者的觀察方向有時觀察不到條紋狀光。亦即，以一定角度非常容易觀察到，且以一定角度無法觀察到。亦即，可見性的佈線角度的角度依賴性變大。 作為消除散射方向性，使得不易觀察到條紋狀光之技術，例如可考慮將表面粗糙化等方法。然而，該種技術中需要包括高度方向之三維圖案形成和控制，從製造上的過程難度提高的方面考慮，現實上很難適當控制。
關於佈線，例如專利文獻1中，作為貼合適應性優異之透明導電性薄膜，記載有一種透明導電性薄膜，該透明導電性薄膜具備：薄膜基材；透明電極圖案，由形成在薄膜基材的一個面之透明導電膜組成；及厚膜電路圖案，圍繞形成有透明電極圖案之薄膜基材上的周緣部而與透明電極圖案的端部連接，且由比透明導電膜低的低電阻材料組成，厚膜電路圖案的膜厚為0.05～100μm，而且至少一個線邊緣形成為鋸齒狀。專利文獻1中，鋸齒狀凸部峰值至相鄰的凸部峰值的距離為10～600μm。
專利文獻2中記載有一種觸摸屏的製造方法，該製造方法包括於基板上形成導電性膜之步驟、於導電性膜上形成蝕刻抗蝕劑圖案之步驟及利用蝕刻抗蝕劑圖案對導電性膜進行過蝕刻，藉此形成具有比蝕刻抗蝕劑圖案的寬度小的線寬之第1導電性圖案，且將蝕刻抗蝕劑圖案的線邊緣粗糙度（LER）調節為欲形成之第1導電性圖案的線寬的1/2以下。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]：日本特開2011-34806號公報 [專利文獻2]：日本專利第5474097號公報
對於如上述那樣的圖案可視，很難減少可見性的佈線角度的角度依賴性。 並且，專利文獻1及專利文獻2中，關於佈線，規定了其形狀，但並非為考慮了上述圖案可視者，且對可見性的改善並不有效。此外，專利文獻1中，將鋸齒狀凸部峰值至相鄰的凸部峰值的距離設為10～600μm，但從可見性的觀點考慮，並非為有效的形狀。
本發明的目的在於提供一種解決基於前述以往技術的問題點，且不易觀察到導體佈線之導電性薄膜、觸控面板、光罩、壓印模板、導電性薄膜形成用積層體、導電性薄膜的製造方法及電子裝置的製造方法。
為了實現上述目的，本發明提供一種導電性薄膜，其具有基材和設置於基材的至少一個面之導體佈線，導體佈線的與長邊方向正交之方向的兩個側端面的線邊緣粗糙度分別以3σ值計為0.7μm以上，並且導體佈線的兩個側端面分別針對功率譜P（f）滿足下述數式。 [數式1]
導體佈線具有金屬層為較佳。 導體佈線具有可見抑制層為較佳。 提供一種以具有本發明的導電性薄膜為特徵之觸控面板。
並且，本發明提供一種光罩，其使用於製造具有基材和設置於基材的至少一個面之導體佈線之導電性薄膜的製造中，該光罩的特徵為，具有與導體佈線對應之開口部，開口部的與長邊方向正交之方向的兩個側端面的線邊緣粗糙度分別以3σ值計為0.7μm以上，並且開口部的前述兩個側端面分別針對功率譜P（f）滿足下述數式。 [數式2]
並且，本發明提供一種壓印模板，其使用於製造具有基材和設置於基材的至少一個面之導體佈線之導電性薄膜的製造中，該壓印模板的特徵為，具有與導體佈線對應之圖案部，圖案部的與長邊方向正交之方向兩個側端面的線邊緣粗糙度分別以3σ值計為0.7μm以上，並且圖案部的前述兩個側端面分別針對功率譜P（f）滿足下述數式。 [數式3]
並且，本發明提供一種導電性薄膜形成用積層體，其使用於製造具有基材和設置於基材的至少一個面之導體佈線之導電性薄膜的製造中，該導電性薄膜形成用積層體的特徵為，具有：導體層，設置於基材上，且成為導體佈線；及導體佈線形成用部件，設置於導體層上，且與導體佈線對應，導體佈線形成用部件的與長邊方向正交之方向的兩個側端面的線邊緣粗糙度分別以3σ值計為0.7μm以上，並且兩個側端面分別針對功率譜P（f）滿足下述數式。 [數式4]
本發明提供一種導電性薄膜的製造方法，該導電性薄膜具有基材和設置於基材的至少一個面之導體佈線，該製造方法的特徵為，藉由使用了如下光罩之微影法形成前述導體佈線，該光罩中，與導體佈線對應之開口部的與長邊方向正交之方向的兩個側端面的線邊緣粗糙度分別以3σ值計為0.7μm以上，並且開口部的兩個側端面分別針對功率譜P（f）滿足下述數式。 [數式5]
並且，本發明提供一種導電性薄膜的製造方法，該導電性薄膜具有基材和設置於基材的至少一個面之導體佈線，該製造方法的特徵為，藉由使用了如下壓印模板之微影法形成導體佈線，該壓印模板中，與導體佈線對應之圖案部的與長邊方向正交之方向的兩個側端面的線邊緣粗糙度分別以3σ值計為0.7μm以上，並且圖案部的兩個側端面分別針對功率譜P（f）滿足下述數式。 [數式6]
並且，本發明提供一種電子裝置的製造方法，該電子裝置具備具有基材和設置於基材的至少一個面之導體佈線之導電性薄膜，該製造方法的特徵為，藉由使用了如下光罩之微影法形成導體佈線，該光罩中，與導體佈線對應之開口部的與長邊方向正交之方向的兩個側端面的線邊緣粗糙度分別以3σ值計為0.7μm以上，並且開口部的兩個側端面分別針對功率譜P（f）滿足下述數式。 [數式7]
並且，本發明提供一種電子裝置的製造方法，該電子裝置具備具有基材和設置於基材的至少一個面之導體佈線之導電性薄膜，該製造方法的特徵為，藉由使用了如下壓印模板之微影法形成導體佈線，該壓印模板中，與導體佈線對應之圖案部的與長邊方向正交之方向的兩個側端面的線邊緣粗糙度分別以3σ值計為0.7μm以上，並且圖案部的兩個側端面分別針對功率譜P（f）滿足下述數式。 [數式8][發明效果]
依本發明，能夠得到具備不易觀察到導體佈線之導電性薄膜及導電性薄膜之觸控面板。 並且，能夠得到利用於不易觀察到導體佈線之導電性薄膜的製造中之光罩、壓印模板及導電性薄膜形成用積層體。 進而，能夠製造具備不易觀察到導體佈線之導電性薄膜及導電性薄膜之電子裝置。
以下，基於圖式所示之較佳實施形態，對本發明的導電性薄膜、觸控面板、光罩、壓印模板、導電性薄膜形成用積層體、導電性薄膜的製造方法及電子裝置的製造方法進行詳細說明。 此外，以下表示數值範圍之“～”包括記載於其兩側之數值。例如，ε為數值α～數值β係指，ε的範圍為包括數值α和數值β之範圍，以數學符號表示則為α≤ε≤β。 “以具體數值表示之角度”、“平行”、“垂直”及“正交”等角度只要無特別記載，則包括與相符的技術領域中通常容許之誤差範圍。 並且，“相同”及“全部”等包括與相符的技術領域中通常容許之誤差範圍。 透明係指，透光率於波長380～780nm的可視光波長域中係80%以上，較佳為90%以上，更佳為95%以上。 透光率係例如利用JIS（日本工業規格） K 7375：2008中規定之“塑料—總光線透過率及總光線反射率的求出方法”而測定者。
圖1為表示具有本發明的實施形態的導電性薄膜之顯示裝置之示意圖。 如圖1所示，導電性薄膜10例如經由透明層18而設置於顯示裝置20的顯示單元22上。 導電性薄膜10中，於表面10a設有保護層12。導電性薄膜10與控制器14連接。 由導電性薄膜10及保護層12構成觸控感測器13，且由導電性薄膜10、保護層12及控制器14構成觸控面板16。由觸控面板16和顯示裝置20構成作為電子裝置的顯示設備24。此外，電子裝置並不限定於上述顯示設備24。 保護層12的表面12a成為顯示在顯示單元22的顯示區域（未圖示）之顯示物的觀察面。並且，保護層12的表面12a成為觸控面板16的觸控面。
控制器14由利用於靜電電容式觸控感測器或電阻膜式觸控感測器的檢測中之公知者構成。觸控感測器13中，藉由對保護層12的表面12a的手指等的接觸，若為靜電電容式，則控制器14檢測出靜電電容發生變化之位置，若為電阻膜式，則控制器14檢測出電阻發生變化之位置。 如上述，觸控面板16係包含導電性薄膜10者，且能夠將導電性薄膜10用作觸控面板用電極部件。 包含導電性薄膜10之觸控面板16可以係電阻膜方式、電磁感應方式及靜電電容方式等中的任一種。其中，電阻膜方式或靜電電容方式的觸控面板為較佳，靜電電容方式的觸控面板為更佳。
保護層12為用於保護導電性薄膜10者。關於保護層12，其結構並無特別限定。例如，使用玻璃、聚碳酸酯（PC）、聚對苯二甲酸乙二酯（PET）、或聚甲基丙烯酸甲酯樹脂（PMMA）等丙烯酸樹脂。保護層12的表面12a如上述那樣成為觸控面，因此可以依需要而於表面12a設置硬塗層。
透明層18只要係光學透明，且具有電絕緣性，並且能夠穩定地固定導電性薄膜10，則其結構並無特別限定。作為透明層18，例如能夠使用光學透明的黏合劑（OCA、Optical Clear Adhesive：光學透明膠黏劑）及UV（Ultra Violet：紫外線）硬化樹脂等光學透明的樹脂（OCR、Optical Clear Resin：光學透明樹脂）。並且，透明層18可以局部中空。 此外，可以係無需設置透明層18而於顯示單元22上隔開間隔而分開設置導電性薄膜10之結構。將該間隔稱為氣隙。
顯示裝置20係具有具備顯示區域（未圖示）之顯示單元22者，例如係液晶顯示裝置。該情況下，顯示單元22為液晶顯示單元。此外，顯示裝置並不限定於液晶顯示裝置，可以係有機EL（Organic electro luminescence：有機電致發光）顯示裝置，該情況下，顯示單元為有機EL（Organic electro luminescence）元件。 本發明的電子裝置係具有導電性薄膜10或觸控面板16者，且若具有導電性薄膜10或觸控面板16，則並無特別限定。作為電子裝置，例如可列舉上述顯示設備24。作為電子裝置，具體而言，可列舉行動電話、智能手機、可攜式資訊終端、汽車導航系統及平板終端等。
導電性薄膜10例如係利用於靜電電容式觸控感測器者。具有基材和設置於基材的至少一個面之導體佈線。如後述，導體佈線係兩個側端面滿足線邊緣粗糙度的規定和功率譜的規定者。 圖2為表示使用了本發明的實施形態的導電性薄膜之觸控感測器之示意性俯視圖，圖3為表示本發明的實施形態的導電性薄膜的結構的第1例之示意性剖面圖。
導電性薄膜10中，基材例如使用透明基板30。關於導電性薄膜10，具體而言，如圖2所示，於作為基材的透明基板30的表面30a上形成有分別沿第1方向D1延伸的同時沿與第1方向D1正交之第2方向D2並列配置之複數個第1檢測電極32，與複數個第1檢測電極32電連接之複數個第1周邊佈線33彼此接近而排列。複數個第1周邊佈線33於透明基板30的一邊30c匯集於一個端子39。將複數個第1周邊佈線33統稱為第1周邊佈線部50。
於透明基板30的背面30b（參閱圖3）上形有成分別沿第2方向D2延伸，並且沿第1方向D1並列配置之複數個第2檢測電極34，與複數個第2檢測電極34電連接之複數個第2周邊佈線35彼此接近而排列。複數個第2周邊佈線35於透明基板30的一邊30c匯集於一個端子39。將複數個第2周邊佈線35統稱為第2周邊佈線部52。 第2檢測電極34的至少一部分相對於第1檢測電極32重疊並分開配置成層狀。更具體而言，從相對於透明基板30的一個面呈垂直的方向Dn（參閱圖3）觀察時，第2檢測電極34被配置成相對於第1檢測電極32其至少一部分重疊。第1檢測電極32與第2檢測電極34重疊的積層方向與上述垂直方向Dn（參閱圖3）為相同方向。由複數個第1檢測電極32和複數個第2檢測電極34構成感測器部36。
如圖2及圖3所示，於一個透明基板30的表面30a設置第1檢測電極32，且於背面30b設置第2檢測電極34，藉此即使透明基板30收縮亦能夠減小第1檢測電極32與第2檢測電極34的位置關係的偏差。
第1檢測電極32及第2檢測電極34均由導體佈線40構成，且具有具備開口部之網孔圖案。關於第1檢測電極32及第2檢測電極34的網孔圖案，於後面進行詳細說明。 第1周邊佈線33及第2周邊佈線35可以由導體佈線40形成，並且亦可以由線寬及厚度等與導體佈線40不同之導電佈線構成。第1周邊佈線33及第2周邊佈線35例如可以由帶狀導體形成。關於導電性薄膜10的各構成部件，於後面進行詳細說明。 導電性薄膜10並不限定於靜電電容式觸控感測器，可以使用電阻膜式觸控感測器。即使為電阻膜式觸控感測器，亦由複數個第1檢測電極32和複數個第2檢測電極34構成感測器部36。
關於導電性薄膜10，透明基板30中，俯視觀察時，複數個第1檢測電極32和複數個第2檢測電極34重疊配置之區域為感測器部36。靜電電容式觸控感測器中，感測器部36為能夠檢測手指等接觸、亦即觸控之區域。於顯示裝置20的顯示單元22的顯示區域上重疊感測器部36，藉此導電性薄膜10配置於顯示裝置20上。因此，感測器部36亦係可見區域。若於顯示區域上顯示圖像，則感測器部36成為圖像顯示區域。 透明基板30中，於形成有第1周邊佈線部50及第2周邊佈線部52之區域例如設置具有遮光功能之裝飾板（未圖示）。用裝飾板覆蓋第1周邊佈線部50及第2周邊佈線部52，藉此將第1周邊佈線部50及第2周邊佈線部52設為不可視。
裝飾板係於觸控面板的技術領域中被稱為加飾層者。作為裝飾板，只要能夠將第1周邊佈線部50及第2周邊佈線部52設為不可視，則其結構並無特別限定，能夠使用公知的加飾層。裝飾板的形成中能夠使用絲網印刷法、凹版印刷法及膠版印刷法等各種印刷法、轉印法、以及沉積法。 不可視係指，無法觀察到第1周邊佈線部50及第2周邊佈線部52之情況，觀察者10人觀看時，1人均無法觀察之情況稱為不可視。
接著，對第1檢測電極32及第2檢測電極34的導體佈線的佈線圖案進行說明。 圖4為表示本發明的實施形態的導電性薄膜的導體佈線的佈線圖案的一例之示意圖。 例如，第1檢測電極32及第2檢測電極34均為佈線圖案具備開口部之網孔圖案。具體而言，如圖4所示之佈線圖案60，例如係方格狀圖案。藉由導體佈線40，構成四邊形單元61，且組合多個單元61而構成方格狀圖案。
若佈線圖案60的單元61的一邊的長度P過短，則開口率及透過率降低，隨此存在透明性劣化之問題。相反地，若單元61的一邊的長度P過長，則有可能容易觀察到導體佈線40。 佈線圖案60的單元61的一邊的長度並無特別限定，從可見性的觀點考慮，一邊的長度P為50～500μm為較佳，75～250μm為進一步較佳。單元61的一邊的長度P為上述範圍之情況下，還能夠進一步良好地確保透明性，且貼合於顯示裝置的前表面時，能夠觀察顯示而無不適感。 從可間透光率的方面考慮，由導體佈線40形成之佈線圖案60的開口率為85%以上為較佳，90%以上為進一步較佳，95%以上為最佳。開口率為去除可導體佈線40之透光性部分佔整體的比例，例如線寬6μm、單元61的一邊的長度P為240μm的正方形方格狀開口率為95%。
圖5為表示本發明的實施形態的導電性薄膜的導體佈線之示意性立體圖。圖5中，對與圖3所示之導電性薄膜10相同的構成物標註相同的符號，並省略其詳細說明。
如圖5所示，導體佈線40的與長邊方向DL 正交之方向Dw的兩個側端面40c、40d的線邊緣粗糙度分別以3σ值計為0.7μm以上。並且導體佈線40的兩個側端面40c、40d分別針對功率譜P（f）滿足下述數式（1）。此外，σ表示標準偏差，下述數式（1）的f表示空間頻率，單位為μm-1 。 導體佈線40的長邊方向DL 係導體佈線40延伸之方向，且於圖4所示之佈線圖案60的導體佈線40中，長邊方向DL 係與單元61的邊平行之方向。
如圖5所示，線邊緣粗糙度表示從相對於導體佈線40的表面40a呈垂直的方向觀察時的側端面40c、40d上的方向Dw的凹凸。此外，導體佈線40的表面40a為非平面之情況下，設為從相對於透明基板30的表面30a呈垂直的方向觀察導體佈線40之情況。 下述數式（1）表示線邊緣粗糙度的空間頻率的分佈，下述數式（1）的分母的單位為無量綱，分子的單位為μm-1 。 下述數式（1）中表示大於0.2μm-1 ，且存在某種程度以上的周期的凹凸。此外，下述數式（1）中設為大於0.2μm-1 ，0.2μm-1 係指，作為目標周期為5μm左右。 功率譜P（f）為側端面40c、40d的線邊緣粗糙度的功率譜。
關於線邊緣粗糙度及功率譜，導體佈線40的兩個側端面40c、40d中，若僅側端面40c或側端面40d中的任一個滿足則得不到效果。 線邊緣粗糙度的值及功率譜P（f）的數式（1）不滿足上述條件時，改善導體佈線的可見性的角度依存之效果弱。
此外，如上述線邊緣粗糙度以3σ值計為0.7μm以上，但其上限值只要導體佈線40不被斷線或可得到需要的導電率，則並無特別限定。 若線邊緣粗糙度過大，則有時導致導體佈線40的左端與右端交叉。者意味著導體佈線40會斷線，且作為導電性薄膜10而不發揮功能。並且，假定即使導體佈線40未斷線，亦有時導致於導體佈線40的一部分產生極細的部分，藉此有時電阻極高。若以避免該種情況之方式設計，則關於上述線邊緣粗糙度，上限值並無特別限定。
[數式9]
關於線邊緣粗糙度，於佈線圖案形成後，使用SEM（掃描電子顯微鏡），從導體佈線40的表面40a側獲取導體佈線40的上方的SEM（掃描電子顯微鏡）圖像，對SEM圖像實施圖像處理，並抽出導體佈線40的兩個側端面40c、40d的線邊緣，藉此能夠抽出表示兩側的側端面40c、40d的佈線的長度方向的位置與粗糙度的大小的關係之函數。能夠從兩側的側端面40c、40d的函數，依照例如Jornal of Micro/Nanolithography, MEMS, and MOEMS 11（1）,013004中所記載之定義求出各側端面40c、40d的線邊緣粗糙度。進而，對抽出之兩側的側端面40c、40d的函數實施傅立葉變換，藉此能夠獲取各側端面40c、40d的功率譜。藉此，能夠求出上述數式（1）的值。 關於圖5所示之導體佈線40的側端面40c、40d的邊緣40e，表面粗糙度可有可無。側端面40c、40d的邊緣40e的表面粗糙度對可見性賦予之影響小。 Jornal of Micro/Nanolithography, MEMS, and MOEMS 11（1）,013004中所記載之定義由下述LER（線邊緣粗糙度）的3σ的式表示。
[數式10]
上述LER的式中，N係測定點的數目，Xi 係沿導體佈線之位置。並且，如下述式所示，＜Z（Xi ）＞係平均值（能夠藉由適當的坐標的選擇而設定為0。）。
[數式11]
導電性薄膜10中，關於導體佈線40，如上述規定線邊緣粗糙度及功率譜，並控制二維圖案，藉此能夠抑制條紋狀光的反射，關於導體佈線40，能夠減小基於觀察方向的可見性的差異。亦即，關於導體佈線40，能夠減少可見性。 關於具有導電性薄膜10之觸控面板16及電子裝置，亦如上述，關於導體佈線40，能夠減少可見性。
導電性薄膜10並不特別限定於如圖2及圖3所示者，例如可以構成為如圖6所示之導電性薄膜10於一個透明基板30、31設置一個檢測電極。導電性薄膜10可以構成為於一個透明基板30的表面30a設置第1檢測電極32，於透明基板30的背面30b經由黏結層56積層於表面31a設有第2檢測電極34之透明基板31。此外，透明基板31為與透明基板30相同的結構。黏結層56能夠使用與上述透明層18相同者。圖6中，重疊第1檢測電極32和第2檢測電極34之積層方向與垂直方向Dn亦為相同方向。 並且，導電性薄膜10中，設為設置第1檢測電極32和第2檢測電極34這兩個檢測電極之結構，但並不限定於此。例如，如圖7所示，可以係於一個透明基板30的表面30a設置第1檢測電極32之結構。
並且，導電性薄膜10可以係具有與檢測電極電絕緣之虛擬電極之結構。該情況下，如圖8所示，可以係複數個第1檢測電極32的第2方向D2之間，可以構成為具有與第1檢測電極32電絕緣之虛擬電極64之結構。 第1檢測電極32與虛擬電極64隔開間隔65而配置。虛擬電極64藉由間隔65與第1檢測電極32電絕緣，且不會作為檢測電極而發揮功能。 虛擬電極64藉由間隔65與第1檢測電極32電絕緣，除此以外，為與第1檢測電極32相同的網孔圖案。虛擬電極64能夠結構如下方式來形成，於製作網孔圖案之後，製作第1檢測電極32時，無需將位於第1檢測電極32之間的網孔圖案全部取出，僅去除成為間隔65之網孔圖案的區域。 此外，圖8中，舉例說明了第1檢測電極32，但關於第2檢測電極34，亦與第1檢測電極32相同，設為設置上述虛擬電極64之結構。
並且，導體佈線40並不限定為單層，導體佈線40係至少為了確保導電性而具有金屬層者即可。如圖9所示之導電性薄膜10，作為導體佈線41，構成為於金屬層43的基礎上，具有可見抑制層45為較佳。可見抑制層45形成於金屬層43的表面43a。 此外，圖9所示之導電性薄膜10中，對於與圖3所示之導電性薄膜10相同的構成物標註相同的符號，並省略其詳細說明。 可見抑制層45係使得難以觀察到金屬層43而作為結果使得難以觀察到導體佈線41者。可見抑制層45只要能夠使得難以觀察到金屬層43，則並無特別限定，例如，可以係對金屬層43進行黑化處理來形成者。可見抑制層45只要能夠減小導體佈線40的反射率，則並無特別限定，由CuO、AgO、Pd或碳等構成，除此以外還由氮化物構成。
以下，對導電性薄膜10的各部件進行說明。 首先，對第1檢測電極32和第2檢測電極34的導體佈線40進行說明。 導體佈線40的線寬w並無特別限定，作為第1檢測電極32及第2檢測電極34而應用之情況下，從可進一步抑制可見性之原因考慮，導體佈線40的線寬w係5μm以下，並且導體佈線40的間距係30～500μm為較佳。並且，從可見性和電阻率的觀點考慮，導體佈線40的線寬w係0.5μm～5μm為更佳，0.8μm～4μm為進一步較佳，1μm～3μm為特佳。導體佈線的間距係指，例如上述單元61的一邊的長度P。從可見性的觀點考慮，導體佈線的間距係50μm～500μm為較佳，75μm～250μm為進一步較佳。 作為周邊佈線而應用導體佈線40之情況下，導體佈線40的線寬w係500μm以下為較佳，100μm以下為較佳，50μm以下為特佳。若線寬w係上述範圍，則能夠相對輕鬆地形成低電阻周邊佈線。
作為周邊佈線而應用導體佈線40之情況下，還能夠與第1檢測電極32及第2檢測電極34相同地設為網孔圖案，該情況下，線寬w並無特別限定，50μm以下為較佳，15μm以下為較佳，10μm以下為進一步較佳，9μm以下為特佳，7μm以下為最佳，0.5μm以上為較佳，1.0μm以上為更佳。若線寬w係上述範圍，則能夠相對輕鬆地形成低電阻周邊佈線。藉由將周邊佈線設為網孔圖案，形成第1檢測電極32及第2檢測電極34時，照射來自氙氣閃光燈的脈衝光之製程中，除了能夠提高檢測電極和周邊佈線的基於照射的低電阻化的均勻性以外，貼合了黏合劑層之情況下，能夠將第1檢測電極32及第2檢測電極34和周邊佈線的剝離強度設為恆定，且能夠減小面內分佈，從該觀察考慮為較佳。
導體佈線40的厚度t並無特別限定，1～200μm為較佳，50μm以下為更佳，20μm以下為進一步較佳，0.01～9μm為特佳，0.05～5μm為最佳。若厚度t係上述範圍，則能夠相對輕鬆地形成低電阻且耐久性優異之檢測電極。 關於導體佈線40的線寬w及導體佈線40的厚度t，獲取包括導體佈線40之導電性薄膜10的截面圖像，將截面圖像導入個人電腦，並顯示於顯示器，於顯示器上規定上述導體佈線40的線寬w之兩個部位，分別畫水平線，並求出水平線之間的長度。藉此，能夠得到導體佈線40的線寬w。並且，於規定導體佈線40的厚度t之兩個部位，分別畫水平線，並求出水平線之間的長度。藉此，能夠得到導體佈線40的厚度t。
＜基材＞ 基材只要能夠支撐導體佈線，則其種類並無特別限定，係透明基板為較佳。透明的定義與上述相同，因此省略其詳細說明。 基材的厚度能夠依用途而適當設定，因此並無特別限定，通常係10～5000μm為較佳，25～250μm為更佳，50～150μm為進一步較佳。 並且，基材的形狀並無特別限定，例如可以係以捲狀供給者、不會彎曲至捲繞之程度但藉由施加負載而彎曲者、不會彎曲者中的任一個。 並且，基材的結構並不限定於由單一層組成之結構，可以係具有積層有複數層之結構。具有積層有複數層之情況下，可以積層有相同組成的層，或可以積層有具有不同之組成之複數層。
＜透明基板＞ 作為基材而使用透明基板。上述透明基板30與透明基板31相同，因此僅對透明基板30進行說明。透明基板30係對第1檢測電極32、第1周邊佈線33、第2檢測電極34及第2周邊佈線35進行支撐者。 作為透明基板30的材料，例如可列舉透明樹脂材料及透明無機材料等。 作為透明樹脂材料，具體而言，例如可列舉三乙醯纖維素等乙醯纖維素類樹脂、聚對苯二甲酸乙二酯（PET）、聚萘二甲酸乙二酯等聚酯類樹脂、聚乙烯（PE）、聚甲基戊烯、環烯烴聚合物、環烯烴共聚物等烯烴類樹脂、聚甲基丙烯酸甲酯等丙烯酸類樹脂、聚胺基甲酸酯類樹脂、聚醚碸、聚碳酸酯、聚碸、聚醚、聚醚酮、丙酮腈、甲基丙烯腈等。 作為透明無機材料，具體而言，例如可列舉鈉玻璃、鉀玻璃及鉛玻璃等玻璃、透光性壓電陶瓷（PLZT（鈦酸鋯酸鑭鉛））等陶瓷、石英、螢石、以及藍寶石等。
作為透明基板30的較佳態様之一，可列舉實施了選自包括大氣壓電漿處理、電暈放電處理及紫外線照射處理之組中之至少一個處理之經處理基板。藉由實施上述處理，已處理之透明基板30的面內導入有OH基等親水性基，因此第1檢測電極32、第1周邊佈線33、第2檢測電極34及第2周邊佈線35與透明基板30的黏合性進一步提高。 上述處理中，從第1檢測電極32、第1周邊佈線33、第2檢測電極34及第2周邊佈線35與透明基板30的黏合性進一步提高之方面考慮，大氣壓電漿處理為較佳。
作為透明基板30的另一較佳態様，於設有第1檢測電極32、第1周邊佈線33、第2檢測電極34及第2周邊佈線35之面上具有包含高分子之底塗層為較佳。於該底塗層上形成用於形成第1檢測電極32、第1周邊佈線33、第2檢測電極34及第2周邊佈線35之感光性層，藉此第1檢測電極32、第1周邊佈線33、第2檢測電極34及第2周邊佈線35與透明基板30的黏合性進一步提高。 底塗層的形成方法並無特別限定，例如可列舉將包含高分子之底塗層形成用組成物塗佈於基板上，並依需要實施加熱處理之方法。底塗層形成用組成物中，可以依需要含有溶劑。溶劑的種類並無特別限定，例示後述的使用於感光性層形成用組成物之溶劑。並且，作為包含高分子之底塗層形成用組成物，可以使用包含高分子微粒之膠乳。 底塗層的厚度並無特別限定，從第1檢測電極32、第1周邊佈線33、第2檢測電極34及第2周邊佈線35與透明基板30的黏附性進一步優異之觀點考慮，0.02～0.3μm為較佳，0.03～0.2μm為更佳。 此外，依需要，導電性薄膜10作為透明基板30、第1檢測電極32及第2檢測電極34之間的另一層，除了上述底塗層以外，例如還可以具備防光暈層。
＜導體佈線＞ 導體佈線40係具有電導電性者，例如由金屬或合金構成。導體佈線40例如能夠由銅線或銀線構成。作為導體佈線40，如上述，至少為了確保導電性而具有金屬層即可。
＜金屬層＞ 金屬層中所含有之金屬並無特別限定，含有選自包括銅（Cu）、鋁（Al）、金（Au）、銀（Ag）、鎳（Ni）及鈀（Pd）之組中之至少一種金屬為較佳，含有Cu及Al中的至少一種為較佳，含有Cu為進一步較佳。 並且，當金屬層含有Cu時，從成本、電阻率等觀點考慮，其含量（原子組成比）係80原子%以上為較佳，90原子%以上為更佳。 並且，當金屬層含有Al時，從成本、電阻率等觀點考慮，其含量（原子組成比）係80原子%以上為較佳，90原子%以上為更佳。此外，除了上述金屬以外，還可以含有若干質量%左右的鐵（Fe）、鉻（Cr）、鈦（Ti）等。 從圖案化時的加工性、表面電阻率等觀點考慮，金屬層的厚度係0.05～3μm為較佳，0.15～2μm為更佳。 金屬層可以係積層有兩個以上的金屬層者，例如可以係積層有含有80原子%以上的Cu之金屬層和含有80質量%的Al之金屬層之結構。
並且，導體佈線40可以係含有網孔圖案的形成中為較佳的金屬銀及明膠等高分子黏合劑者。導體佈線40並不限定於由上述金屬或合金構成者，例如，可以係含有金屬氧化物粒子、銀漿或銅漿等金屬漿及銀納米線或銅納米線等金屬納米粒子者。
導體佈線中的金屬層的形成方法並無特別限定，例如能夠於基材上的整個面形成金屬層之後，藉由圖案化而設為佈線形狀。 作為於基板上形成金屬層之方法，例如係真空成膜法。更具體而言，能夠藉由電子束沉積法、電阻加熱沉積法、雷射燒蝕法、濺射法及離子束濺射法等，於基板上形成金屬層。此外，可以將該些方法組合兩種以上來於基板上形成金屬層，亦可以組合電解電鍍或無電解電鍍等液相過程來於基板上形成金屬層。 並且，作為將形成在基材上之金屬層圖案化之方法，例如，可列舉光微影法及電子束微影法等。
第1檢測電極32和第2檢測電極34的網孔圖案並無特別限定，係正三角形、等腰三角形、直角三角形等三角形、正方形、長方形、菱形、平行四邊形、梯形等四邊形、六邊形、八邊形等多邊形、圓、橢圓或星形等，或者將該些組合而成之幾何學圖形為較佳。網孔圖案係指，將藉由導體佈線而構成為方格狀之單元組合複數個而成者。具體而言，如圖5所示，係指將形成在透明基板的相同的面上、且由交叉之導體佈線40構成之複數個正方形方格組合複數個而成之圖案。作為網孔圖案，可以構成為組合形狀相似或相同的方格而成，亦可以組合形狀不同之方格而成。方格的一邊的長度並無特別限定，從不易觀察到的方面考慮，50～500μm為較佳，75～250μm為進一步較佳。單位方格的邊的長度係上述範圍之情況下，還能夠確保透明性良好，且貼合於顯示裝置的前表面時，能夠觀察顯示而無不適感。 並且，第1檢測電極32和第2檢測電極34的網孔圖案可以由組合曲線而成者構成，例如可以組合圓弧來作為圓或橢圓方格狀的單元。作為圓弧，例如能夠使用90度的圓弧、180度的圓弧。
第1檢測電極32和第2檢測電極34的網孔圖案可以係無規則圖案。無規則圖案例如係隨機組合種類及大小不同之多角形而成之圖案。除此以外，無規則圖案係指，例如相對於構成圖案之多角形，配置間距、角度、長度及形狀中的至少一者並不恆定之圖案。此外，在此，多角形實質上係多角形即可，且邊的一部分或全部可以呈曲線。 該情況下，例如無規則圖案係如下圖案，亦即關於具有規則性之菱形形狀，確保角度，並且對間距賦予了不規則性且開口部為平行四邊形。並且，無規則圖案可以係如下圖案，亦即開口部係菱形，關於菱形形狀的角度，對角度賦予了不規則性。不規則性分佈可以係正態分佈，亦可以係均勻分佈。
接著，對導體佈線40的形成方法進行說明。導體佈線40的形成方法中只要能夠形成於透明基板30等基材，則並無特別限定。導體佈線40的形成方法中，例如能夠適當利用電鍍法、銀鹽法、沉積法及印刷法等。 對基於電鍍的導體佈線40的形成方法進行說明。例如，導體佈線40能夠由藉由對無電解電鍍基底層進行無電解電鍍而於基底層上形成之金屬鍍膜構成。該情況下，藉由將至少含有金屬微粒子之觸媒油墨以圖案狀形成在基材上之後，將基材浸漬於無電解電鍍浴中，並形成金屬鍍膜來形成。更具體而言，能夠利用日本特開2014-159620號公報中所記載之金屬覆膜基材的製造方法。並且，藉由將至少具有可與金屬觸媒前驅物相互作用之官能基之樹脂組成物以圖案狀形成在基材上之後，賦予觸媒或觸媒前驅物，將基材浸漬於無電解電鍍浴，並形成金屬鍍膜來形成。更具體而言，能夠應用日本特開2012-144761號公報中所記載之金屬覆膜基材的製造方法。
電鍍方法可以僅為無電解電鍍，亦可以於無電解電鍍後進行電解電鍍。電鍍法中能夠利用加成法。 加成法係藉由僅對透明基板上的欲形成導體佈線之部分實施電鍍處理等來形成導體佈線之方法。從生產性等方面考慮，加成法為較佳。 導體佈線40的形成中，亦能夠利用減成法。減成法係如下方法，亦即於透明基板上形成導電層，例如藉由化學蝕刻處理等蝕刻處理去除多餘部分來形成導體佈線。
對基於銀鹽法的導體佈線40的形成方法進行說明。首先，對可含有鹵化銀之銀鹽乳劑層，利用成為導體佈線40之曝光圖案實施曝光處理，然後進行顯影處理，藉此能夠形成導體佈線40。更具體而言，能夠利用日本特開2015-22597號公報中所記載之導體佈線的製造方法。 對基於沉積法的導體佈線40的形成方法進行說明。首先，藉由沉積形成銅箔層，並藉由光微影法用銅箔層形成銅佈線，藉此能夠形成導體佈線40。除了沉積銅箔以外，銅箔層還能夠利用電解銅箔。更具體而言，能夠利用日本特開2014-29614號公報中所記載之形成銅佈線之製程。 對基於印刷法的導體佈線40的形成方法進行說明。首先，將含有導電性粉末之導電性漿以與導體佈線40相同的圖案塗佈於基板，然後實施加熱處理，藉此能夠形成導體佈線40。使用了導電性漿之圖案形成例如藉由噴墨法或絲網印刷法而成。作為導電性漿，更具體而言，能夠利用日本特開2011-28985號公報中所記載之導電性漿。
接著，對導電性薄膜10的製造方法進行更具體的說明。 圖10～圖12為表示使用了光罩之導電性薄膜的製造方法之示意性剖面圖。 於透明基板30的表面30a，作為成為導體佈線40的導體層形成第1金屬膜80。第1金屬膜80的形成方法並無特別限定，例如能夠藉由真空成膜法來形成，具體而言，例如能夠藉由電子束沉積法、電阻加熱沉積法、雷射燒蝕法、濺射法及離子束濺射法等來形成。此外，可以將該些方法組合兩種以上來形成，亦可以組合電解電鍍、或無電解電鍍等液相過程來形成第1金屬膜80。
接著，對第1金屬膜80的表面80a，例如塗佈紫外線硬化性樹脂來形成抗蝕劑膜82。 接著，將光罩70黏附於抗蝕劑膜82。光罩70中，於成為導體佈線40的區域形成有開口部71。開口部71形成為導體佈線40的佈線圖案狀。 接著，從光罩70的表面70a側，照射紫外光來作為曝光光Le。藉此，於抗蝕劑膜82經由開口部71被照射曝光光Le之部分會硬化。
接著，從抗蝕劑膜82去除光罩70，用顯影液對抗蝕劑膜82的曝光部分進行顯影。藉此，如圖11所示，形成與導體佈線40對應之導體佈線形成用部件83。 圖11所示之設置於透明基板30上，且具有成為導體佈線之第1金屬膜80和設置於第1金屬膜80上，且與導體佈線40對應之導體佈線形成用部件83者係導電性薄膜形成用積層體88。
接著，使用蝕刻液對第1金屬膜80進行蝕刻，然後去除抗蝕劑膜82，從而如圖12所示形成導體佈線40。 僅示出了於透明基板30的表面30a形成導體佈線40之情況，但藉由還於透明基板30的背面30b，如上述使用光罩70形成導體佈線40，例如能夠形成圖3所示之構成的導電性薄膜10。
圖10所示之光罩70中，開口部71與長邊方向正交之方向的兩個側端面71c的線邊緣粗糙度分別以3σ值計為0.7μm以上，並且開口部71的兩個側端面71c分別針對功率譜P（f）滿足上述數式（1）。光罩70例如係於石英玻璃基板形成有鉻膜構成之遮光膜者，且於遮光膜形成有上述開口部71。 關於與導體佈線40對應之導體佈線形成用部件83，與長邊方向正交之方向的兩個側端面83c的線邊緣粗糙度分別以3σ值計為0.7μm以上，並且兩側的側端面71c分別針對功率譜P（f）滿足上述數式（1）。 關於所形成之導體佈線40，兩側的側端面40c、40d的各自的線邊緣粗糙度以3σ值計為0.7μm以上，且針對功率譜P（f）滿足上述數式（1）。
對使用了光罩70之光微影法進行說明，但光微影法並無特別限定，能夠使用使用了電子束之電子束微影法。為電子束微影法時，不使用遮罩，而使用電子束直接於抗蝕劑膜82形成圖案。因此，需要將電子束的描繪圖案設為滿足上述線邊緣粗糙度和功率譜P（f）的條件者。
圖13及圖14為表示使用了壓印模板之導電性薄膜的製造方法之示意性剖面圖。圖13及圖14中，對於表示使用了光罩之導電性薄膜的製造方法之圖10～圖12相同的構成物標註相同的符號，並省略其詳細說明。導電性薄膜亦能夠壓印模板72來製造。
與使用了上述光罩70之情況相同，於透明基板30的表面30a形成第1金屬膜80。第1金屬膜80能夠適當利用形成上述金屬層之方法。 接著，於第1金屬膜80的表面80a，例如塗佈紫外線硬化性樹脂來形成抗蝕劑膜82。 接著，於抗蝕劑膜82將壓印模板72配置於抗蝕劑膜82之上，並按壓。然後，對抗蝕劑膜82照射紫外光。因此，壓印模板72由透過率相對於有紫外光高者構成為較佳。 壓印模板72具有與導體佈線對應之圖案部73。圖案部73形成為導體佈線40的佈線圖案狀。 僅殘留與壓印模板72的圖案部73對應之抗蝕劑膜82。抗蝕劑膜82中，藉由紫外光的照射，相應於壓印模板72的圖案部73的部分硬化。 將壓印模板72配置於抗蝕劑膜82，並按壓時，有時殘留不與圖案部73相應之部分的抗蝕劑膜82，但其能夠藉由電漿處理等適當去除。
接著，從抗蝕劑膜82去除壓模板72，如圖14所示，形成與線40對應之佈線形成用部件83。 圖14所示之設置於透明基板30上，並具有成為導體佈線的第1金屬膜80和設置於第1金屬膜80上，並與導體佈線40對應之導體佈線形成用部件83者係導電性薄膜形成用積層體88。
接著，使用蝕刻液對第1金屬膜80進行蝕刻，然後去除由抗蝕劑膜82組成之導體佈線形成用部件83，從而如圖12所示形成導體佈線40。僅示出於透明基板30的表面30a形成導體佈線40，但於透明基板30的背面30b亦如上述使用壓印模板72而形成導體佈線40，藉此例如能夠形成圖3所示之結構的導電性薄膜10。
圖13所示之壓印模板72如上述由透過率相對於紫外光高者構成為較佳，並且對對象物進行按壓，因此硬度高為較佳。因此，壓印模板72例如由石英玻璃構成。 並且，抗蝕劑膜82係熱硬化者時，於對壓印模板72進行按壓之狀態下進行加熱，從而形成導體佈線形成用部件83。該情況下，關於壓印模板72，要求加熱時尺寸變化小，從而由熱膨張係數小者構成為較佳。 壓印模板72中，圖案部73與長邊方向正交之方向的兩個側端面73c的線邊緣粗糙度分別以3σ值計為0.7μm以上，並且圖案部73的兩個側端面73c分別針對功率譜P（f）滿足上述數式（1）。
關於與導體佈線40對應之導體佈線形成用部件83，與長邊方向正交之方向的兩個側端面83c的線邊緣粗糙度分別以3σ值計為0.7μm以上，並且兩個側端面71c分別針對功率譜P（f）滿足上述數式（1）。 關於所形成之導體佈線40，兩側的側端面40c、40d的線邊緣粗糙度分別以3σ值計為0.7μm以上，且針對功率譜P（f）滿足上述數式（1）。
上述使用了光罩70之導體佈線40的形成方法及使用了壓印模板72之導體佈線40的形成方法中，示出第1金屬膜80為一層，但並不限定於此，可以係複數層，亦可以係於第1金屬膜80上形成成為可見抑制層之可見抑制膜。 抗蝕劑膜82的形成及抗蝕劑膜82的去除能夠分別利用公知的方法。亦能夠利用後述的抗蝕劑膜84的形成方法及去除方法。
作為導電性薄膜10的導體佈線40的形成方法，除了上述方法以外，還有藉由以下所示之半加成法對導體佈線進行電鍍來形成之方法等。 對半加成法進行說明。例如，半加成法具有以下所示之製程。 （1）於基板上形成第1金屬膜之製程（第1金屬膜形成製程） （2）於第1金屬膜上形成於形成導體佈線之區域具備開口之抗蝕劑膜之製程（抗蝕劑膜形成製程） （3）於開口內，且於第1金屬膜上形成第2金屬膜之製程（第2金屬膜形成製程） （4）去除抗蝕劑膜之製程（抗蝕劑膜去除製程） （5）以第2金屬膜作為遮罩，去除上述第1金屬膜的一部分來形成由導體佈線構成之導電部之製程（導電部形成製程） 以下，對上述各製程的步驟進行詳細說明。
〔第1金屬膜形成製程〕 圖15為用於說明第1金屬膜形成製程之示意性剖面圖。藉由實施第1金屬膜形成製程，第1金屬膜80形成於透明基板30的表面30a。 第1金屬膜80作為種子層及基底金屬層（基底黏合層）中的至少一者而發揮功能。 此外，圖15中示出第1金屬膜80為一層之情況，但並不限定於此。例如，第1金屬膜80可以係積層2層以上的層而成之積層結構體。當第1金屬膜80為積層結構體時，位於透明基板30側的底層作為基底金屬層（基底黏合層）而發揮功能為較佳，位於後述第2金屬膜86側的上層作為種子層而發揮功能為較佳。 作為第1金屬膜80的材質，於以上述導體佈線40列舉之材質相同，因此省略其說明。 作為第1金屬膜80的厚度並無特別限定，通常係30～300nm為較佳，40～100nm為更佳。 若第1金屬膜80的厚度係300nm以下，則後述的導電部形成製程（尤其蝕刻過程）中的製造適性得以優化，因此導體佈線40具有更優異之線寬的面內均勻性。
作為第1金屬膜80的形成方法並無特別限定，能夠利用公知的形成方法。其中，從可輕鬆地形成具有更緻密的結構之層之方面考慮，濺射法或沉積法為較佳。
〔抗蝕劑膜形成製程〕 圖16為用於說明抗蝕劑膜形成製程之示意性剖面圖。藉由實施本製程，抗蝕劑膜84形成於第1金屬膜80上。 抗蝕劑膜84於形成導體佈線40（參閱圖19）之區域具備開口85。抗蝕劑膜84中的開口85的區域能夠對應於欲配置導體佈線之區域而適當調整。具體而言，欲形成配置成網孔狀之導體佈線之情況下，形成具有網孔狀開口之抗蝕劑膜84。此外，通常開口85對應於導體佈線而形成為細線狀。開口85的兩個側端面85c中，線邊緣粗糙度均以3σ值計為0.7μm以上，且針對功率譜P（f）滿足上述數式（1）。 開口85的線寬小於2.0μm為較佳，1.5μm以下為較佳，1.0μm以下為進一步較佳。藉由將開口85的線寬設為小於2.0μm，能夠得到線寬細的導體佈線40。尤其，開口85的線寬為1.5μm以下時，得到之導體佈線40的線寬變得更細，且使用者更不易觀察到導體佈線40。 此外，開口85的線寬係指，與開口85的細線部分的延伸方向正交之方向上的細線部的寬度。經後述的各製程，形成具有與開口85的線寬對應之線寬之導體佈線40。
作為於第1金屬膜80上形成抗蝕劑膜84之方法並無特別限定，能夠利用公知的抗蝕劑膜形成方法。例如，可列舉含有以下製程之方法。 （a）於第1金屬膜80上塗佈抗蝕劑膜形成用組成物來形成抗蝕劑膜形成用組成物層之製程。 （b）經由具備圖案狀開口之光罩，對抗蝕劑膜形成用組成物進行曝光之製程。 （c）對曝光後的抗蝕劑膜形成用組成物進行顯影來得到抗蝕劑膜84之製程。 此外，於上述製程（a）與製程（b）之間，製程（b）與製程（c）之間及製程（c）之後中的至少一個時點，可以進一步實施對抗蝕劑膜形成用組成物層及抗蝕劑膜84進行加熱之製程中的至少一者。
･製程（a） 作為上述製程（a）中能夠使用之抗蝕劑膜形成用組成物，能夠使用任意公知的正型感放射線性組成物。
作為於第1金屬膜80上塗佈抗蝕劑膜形成用組成物之方法並無特別限定，能夠利用公知的塗佈方法。 作為抗蝕劑膜形成用組成物的塗佈方法，例如可列舉旋塗法、噴塗法、輥塗法及浸漬法等。
可以於第1金屬膜80上形成抗蝕劑膜形成用組成物層之後，對抗蝕劑膜形成用組成物層進行加熱。藉由加熱，去除殘留於抗蝕劑膜形成用組成物層之多餘溶劑，從而能夠將抗蝕劑膜形成用組成物層設為均勻的狀態。 作為對抗蝕劑膜形成用組成物層進行加熱之方法並無特別限定，例如可列舉對透明基板30進行加熱之方法。 作為上述加熱溫度並無特別限定，通常係40～160℃為較佳。
作為抗蝕劑膜形成用組成物層的厚度並無特別限定，作為乾燥後的厚度，通常係1.0～5.0μm為較佳。
･製程（b） 作為對抗蝕劑膜形成用組成物層進行曝光之方法並無特別限定，能夠利用公知的曝光方法。 作為對抗蝕劑膜形成用組成物層進行曝光之方法，例如可列舉經由具備圖案狀開口之光罩，對抗蝕劑膜形成用組成物層照射光化射線或放射線之方法。作為曝光量並無特別限定，通常係以10～50mW/cm2 ，照射1～10秒鐘為較佳。
製程（b）中使用之光罩所具備之圖案狀開口的線寬通常小於2.0μm為較佳，1.5μm以下為較佳，1.0μm以下為進一步較佳。此外，藉由光罩而形成開口85，但光罩所具備之圖案狀開口的與長邊方向正交之方向的兩個側端面的線邊緣粗糙度分別以3σ值計為0.7μm以上，並且開口的兩個側端面分別針對功率譜P（f）滿足上述數式（1）。
可以對曝光後的抗蝕劑膜形成用組成物層進行加熱。作為加熱溫度並無特別限定，通常係40～160℃為較佳。
･製程（c） 作為對曝光後的抗蝕劑膜形成用組成物層進行顯影之方法並無特別限定，能夠利用公知的顯影方法。 作為公知的顯影方法，例如可列舉使用含有有機溶劑之顯影液或鹼顯影液之方法。 作為顯影方法，例如可列舉浸漬法、槳式攪拌法、噴塗法及動態分配法等。
並且，可以使用沖洗液對顯影後的抗蝕劑膜84進行清洗。作為沖洗液並無特別限定，能夠使用公知的沖洗液。作為沖洗液，可列舉有機溶劑及水等。
〔第2金屬膜形成製程〕 圖17為用於說明第2金屬膜形成製程之示意性剖面圖。藉由本製程，於抗蝕劑膜84的開口85內，且於第1金屬膜80上形成第2金屬膜86。第2金屬膜86以填補抗蝕劑膜84的開口85之方式形成。
第2金屬膜86藉由電鍍法形成為較佳。 作為電鍍法，能夠利用公知的電鍍法。具體而言，可列舉電解電鍍法及無電解電鍍法，從生產性的方面考慮，電解電鍍法為較佳。
作為第2金屬膜86中含有之金屬並無特別限定，能夠使用公知的金屬。 第2金屬膜86例如可以含有銅、鉻、鉛、鎳、金、銀、錫及鋅等金屬、以及該些金屬的合金。 其中，從導體佈線40的導電性更加優異之方面考慮，第2金屬膜86含有銅或其合金為較佳。並且，從導體佈線40的導電性更加優異之方面考慮，第2金屬膜86的主成分係銅為較佳。
作為構成第2金屬膜86中的主成分之金屬的含量，並無特別限定，通常係50～100質量%為較佳，90～100質量%為更佳。
第2金屬膜86的線寬具有與抗蝕劑膜84的開口85的線寬對應之線寬，具體而言，小於2.0μm為較佳，1.5μm以下為較佳，1.0μm以下為進一步較佳。作為第2金屬膜86的線寬的下限值並無特別限定，通常係0.3μm以上為較佳。 第2金屬膜86的線寬係指，與第2金屬膜86的細線部分的延伸方向正交之方向上的細線的寬度。
作為第2金屬膜86的厚度並無特別限定，通常係300～2000nm為較佳，300～1000nm為更佳。
〔抗蝕劑膜去除製程〕 圖18為用於說明抗蝕劑膜去除製程之示意性剖面圖。藉由本製程，抗蝕劑膜84被去除，且可得到依次形成有透明基板30、第1金屬膜80及第2金屬膜86之積層體。 作為去除抗蝕劑膜84之方法並無特別限定，可列舉使用公知的抗蝕劑膜去除液去除抗蝕劑膜84之方法。 作為抗蝕劑膜去除液，例如可列舉有機溶劑及鹼溶液等。 作為使抗蝕劑膜去除液與抗蝕劑膜84接觸之方法，並無特別限定，例如可列舉浸漬法、槳式攪拌法、噴塗法及動態分配法等。
〔導電部形成製程〕 圖19為用於說明導電部形成製程之示意性剖面圖。依本製程，作為未形成有第2金屬膜86之區域之第1金屬膜80的一部分被去除，並於透明基板30的表面30a形成導體佈線40。 導體佈線40具有與第1金屬膜80對應之第1金屬層81和與第2金屬膜86對應之第2金屬層87。第1金屬層81和第2金屬層87從透明基板30的表面30a側依次積層。
作為去除第1金屬膜80的一部分之方法，並無特別限定，能夠使用公知的蝕刻液。 作為公知的蝕刻液，例如可列舉氯化鐵溶液、氯化銅溶液、氨鹼溶液、硫酸-過氧化氫混合液及磷酸-過氧化氫混合液等。該些中，適當選擇第1金屬膜80容易溶解，且第2金屬膜86比第1金屬膜80不易溶解之蝕刻液即可。 此外，如上述第1金屬膜80係積層結構體之情況下，可以對每一層改變蝕刻液來進行多階段的蝕刻。
第1金屬層81的線寬係小於2.0μm為較佳，1.5μm以下為較佳，1.0μm以下為進一步較佳。作為第1金屬層81的線寬的下限值並無特別限定，通常係0.3μm以上為較佳。 第1金屬層81的線寬係指，與第1金屬層81的細線部分的延伸方向正交之方向上的細線的寬度。 第2金屬層87的線寬與上述第2金屬膜86的線寬相同，因此省略其說明。
導體佈線40的線寬w小於2.0μm，1.5μm以下為較佳，1.0μm以下為更佳。作為導體佈線40的線寬w的下限值並無特別限定，通常係0.3μm以上為較佳。 若導體佈線40的線寬w小於2.0μm，則觸控面板的使用者更不易觀察到導體佈線40。 此外，導體佈線40的線寬w係指，於導體佈線40的寬度方向的截面（與導體佈線的延伸方向正交之截面），第1金屬層81及第2金屬層87的線寬中的最大的線寬。
本發明係基本上如上構成者。以上，對本發明的導電性薄膜、觸控面板、光罩、壓印模板、導電性薄膜形成用積層體、導電性薄膜的製造方法及電子裝置的製造方法進行了詳細說明，但本發明並不限定於上述實施形態，於不脫離本發明的宗旨之範圍內，當然可以進行各種改良或變更。 [實施例1]
以下列舉實施例對本發明的特徵進行更具體的說明。以下的實施例所示之材料、試劑、使用量、物質量、比例、處理內容、處理步驟等於不脫離本發明的宗旨之範圍內能夠進行適當變更。從而，本發明的範圍並不應藉由以下所示之具體例限定性解釋。
第1實施例中，針對以下所示之實施例1-1～實施例1-3及比較例1-1～比較例1-6，評價了可見性。 關於可見性，進行了基於觀察者的評價和基於使用了時域差分法（FDTD（Finite-difference time-domain）法）之計算的評價。於後面對可見性的評價進行詳細說明。
以下，對實施例1-1～實施例1-3及比較例1-1～比較例1-6進行說明。 （實施例1-1） 首先，於基板上依次分別藉由濺射法形成了厚度150nm的Cu膜和厚度100nm的CuO膜。此外，基板中使用了TORAY INDUSTRIES, INC.製 商品名“LUMIRROR（註冊商標）U48”的聚對苯二甲酸乙二酯膜。 接著，於CuO膜上塗佈紫外線硬化性樹脂，並黏附預先準備之光罩來藉由紫外光進行了曝光。作為光罩，使用了導體佈線的圖案的平均線寬係3.0μm，導體佈線的間距係150μm者。將導體佈線的圖案佈局設為圖22所示者。 然後，藉由浸漬於四甲基氫氧化銨水溶液來對紫外線硬化性樹脂的曝光部分進行了顯影。 接著，使用鹽酸對CuO膜進行了蝕刻。接著，使用氯化鐵（FeCl3 ）溶液對Cu膜進行了蝕刻。藉此，得到了如圖20所示於基板90上以150μm的間距Dp形成了由金屬層93和可見抑制層94構成之導體佈線92之實施例1-1。實施例1-1的導體佈線92係圖22所示之圖案佈局，導體佈線92的平均線寬係3.0μm，線邊緣粗糙度（LER）以3σ值計為0.79μm。 關於線邊緣粗糙度及功率譜，如上述，獲取導體佈線92的SEM（掃描電子顯微鏡）圖像來求出。
（實施例1-2） 與實施例1-1相比，實施例1-2中，導體佈線係圖23所示之圖案佈局，除此以外，與實施例1-1相同。因此，省略其詳細說明。 （實施例1-3） 與實施例1-1相比，實施例1-3中，導體佈線92的結構係如圖21所示為金屬層93單層，且導體佈線係圖23所示之圖案佈局，除此以外，與實施例1-1相同。因此，省略其詳細說明。
（比較例1-1） 與實施例1-1相比，比較例1-1中，導體佈線係圖24所示之圖案佈局，除此以外，與實施例1-1相同。因此，省略其詳細說明。 （比較例1-2） 與實施例1-1相比，比較例1-2中，導體佈線係圖25所示之圖案佈局，除此以外，與實施例1-1相同。因此，省略其詳細說明。比較例1-1中，兩側的側端面平坦，且線邊緣粗糙度係0μm。 （比較例1-3） 與實施例1-1相比，比較例1-3中，導體佈線係圖26所示之圖案佈局，除此以外，與實施例1-1相同。因此，省略其詳細說明。
（比較例1-4） 與實施例1-1相比，比較例1-4中，導體佈線係圖27所示之圖案佈局，除此以外，與實施例1-1相同。因此，省略其詳細說明。比較例1-4中，一側的側端面平坦。 （比較例1-5） 與實施例1-1相比，比較例1-5中，導體佈線係圖28所示之圖案佈局，除此以外，與實施例1-1相同。因此，省略其詳細說明。比較例1-5中，與比較例1-4不同側的側端面平坦。 （比較例1-6） 與實施例1-1相比，比較例1-6中，導體佈線92的結構係如圖21所示為金屬層93單層及導體佈線係圖24所示之圖案佈局，除此以外，與實施例1-1相同。因此，省略其詳細說明。
表示導體佈線的圖案形狀之圖22～圖28中，僅示出導體佈線的一部分，而實際導體佈線沿縱軸方向週期性延續。 實施例1-1～實施例1-3及比較例1-2～比較例1-5中將K值設為相同的值，且該變了線邊緣粗糙度的值。此外，實施例1-1～實施例1-3及比較例1-2～比較例1-5中，均將K值設為0.5。比較例1-1及比較例1-6中，線邊緣粗糙度係零，且K值不確定。K值係藉由下述數式求出之值。本發明中，設為K值＞0.2μm-1 。 並且，實施例1-1～實施例1-3及比較例1-1～比較例1-6中，將導體佈線的平均線寬設為3.0μm。
[數式12]
以下，對可見性進行說明。 基於觀察者的評價中，如圖29所示，作為光源95而使用氙氣燈，將來自氙氣燈的準直化之光Ls對形成有導體佈線92之基板90從入射角45度的角度照射之情況下，從基板90正面肉眼觀察導體佈線92來評價了可見性。 光Ls為s偏光與p偏光中間的偏光狀態的光，並藉由於氙氣燈的射出部配置線性偏振器來實現。 光Ls的照射面積係直徑20mm，且將照射到基板90之氙氣燈的光Ls的照度調整至大致成為500勒克斯。其為於標準室內環境相同程度的照度。 關於導體佈線的配置，以0度、22.5度、45度、67.5度及90度的配置分別評價了可見性。0度為將導體佈線設為縱向方向之狀態，90度為將導體佈線設為橫向方向之狀態。關於導體佈線的配置的各角度，如圖30所示，成為以0度為基準之旋轉角r。
進行評價時，隨機抽出之10名受試者96分別從導體佈線92的正面從基板90離距離Ld而用肉眼觀察來評價了可見性。此外，將距離Ld設為120mm。 評價基準如下。 佈線配置角度中的可見性的評價結果中，將受試者10名中，將能夠觀察到之人數為0名以上且3名以下之情況判定為○，將4名以上且6名以下的情況判定為△，將7名以上能夠觀察到之情況判定為×。 關於可見性，將配置角度0度～90度均為○的情況判定為A，將包含至少一個×之情況判定為C，除此以外，判定為B。
時域差分法（FDTD（Finite-difference time-domain）法）中，與上述基於觀察者的評價相同之狀況下，藉由FDTD法（時域差分法）進行計算，並評價了計算結果。 作為計算模組，如圖31所示，設為假設與可見性的評價相同的狀況者。具體而言，於基板模組97，以150μm間距配置了導體佈線模組98。將基板模組97的反射特性設為與上述基板90相同。關於導體佈線模組98，將波長550nm中的反射特性設為與上述導體佈線92相同的反射特性。上述基板模組97及導體佈線模組98為能夠藉由FDTD法（時域差分法）進行計算之模組，並藉由公知的方法而進行了模組化。
關於導體佈線模組98的配置，與基於觀察者的評價相同，設為0度、22.5度、45度、67.5度、90度，並計算了以入射角45度使s偏光與p偏光的中間的偏光狀態的光Ls入射之情況下的散射強度分佈。然後，計算了入射到位於從基板模組97離距離Ld120mm之位置之直徑8mm的圓形開口99之光的電場強度的合計。此外，上述電場強度係指將電場的絕對值平方者。並且，圓形開口99相當於上述受試者96。 而且，計算一佈線配置角度和另一佈線配置角度的光的電場強度之差，並將該值標準化。利用比較例1-6的計算結果將實施例1-1～實施例1-3及比較例1-1～比較例1-6標準化。 將基準值設為0.15，將用比較例1-6標準化之值為0.15以下者判定為A，將用比較例1-6標準化之值大於0.15者判定為C。
將配置角度設為Ψ，將入射到形開口之光的電場強度設為E時，進行計算而得到之可見性的角度依賴值RΨ由下述數式定義。 RΨ =max（E（Ψ1）、･･･E（Ψn））-min（E（Ψ1）、･･･E（Ψn）） 此外，佈線配置為0度、22.5度、45度、67.5度及90度者5種，因此n=5。 上述可見性的角度依賴值RΨ 係各配置角度Ψ中的入射之光的電場強度E的最大值與最小值之差。 將比較例1-6中的角度依賴值RΨ 設為Y時，被標準化之角度依賴值Rd由下述數式定義。 Rd=（max（E（Ψ1）、･･･E（Ψn））-min（E（Ψ1）、･･･E（Ψn）））/Y 角度依賴值Rd越大，亦即用比較例1-6標準化之值越大，係指關於導體佈線，如下基於導體佈線的配置的易觀察性的差異越大，亦即容易於一角度下觀察，又不易於另一角度下度觀察。
此外，圖32中示出實施例1-1～實施例1-3及比較例1-1～比較例1-6的計算結果，符號101表示實施例1-1，符號102表示實施例1-2，符號103表示實施例1-3，符號111表示比較例1-1，符號112表示比較例1-2，符號113表示比較例1-3，符號114表示比較例1-4，符號115表示比較例1-5，符號116表示比較例1-6。並且，圖32的基準線BL係表示值0.15之線。 將實施例1-1～實施例1-3及比較例1-1～比較例1-6的評價結果示於下述表1。此外，下述表1中，將線邊緣粗糙度表示為LER，將數值表示為3σ值。
[表1]
如表1所示，從實施例1-1～實施例1-3及比較例1-1～比較例1-6的結果，表示於線邊緣粗糙度（LER）以3σ值計為0.7μm以上之情況下，基於觀察者的評價和基於使用了FDTD法（時域差分法）之計算的評價中的任一個中，基於觀察方向的角度的差異小，且可見性變良好。並且，與實施例1-1～實施例1-3相比，實施例1-3中未設有可見抑制層。設有可見抑制層時，於基於觀察者的評價得到了良好的結果。 [實施例2]
於第2實施例中，針對以下所示之實施例2-1、實施例2-2、比較例2-1及比較例2-2，評價了可見性。 關於可見性，與第1實施例相同，進行了基於觀察者的評價和基於使用了FDTD法（時域差分法）之計算的評價。關於可見性的評價，與上述第1實施例相同，因此省略其詳細說明。
以下，對實施例2-1、實施例2-2、比較例2-1及比較例2-2進行說明。實施例2-1、實施例2-2、比較例2-1及比較例2-2中，將線邊緣粗糙度設為相同的值，且改變了K值。此外，實施例2-1、實施例2-2、比較例2-1及比較例2-2中，將線邊緣粗糙度均設為以3σ值計為0.79μm，並將導體佈線的平均線寬設為3.0μm。
（實施例2-1） 與第1實施例的實施例1-1相比，實施例2-1中，導體佈線係圖33所示之圖案佈局，除此以外，與實施例1-1相同。因此，省略其詳細說明。 （實施例2-2） 與第1實施例的實施例1-1相比，實施例2-2中，導體佈線係圖34所示之圖案佈局，除此以外，與實施例1-1相同。因此，省略其詳細說明。
（比較例2-1） 與第1實施例的實施例1-1相比，比較例2-1中，導體佈線係圖35所示之圖案佈局，除此以外，與實施例1-1相同。因此，省略其詳細說明。 （比較例2-2） 與第1實施例的實施例1-1相比，比較例2-2中，導體佈線係圖36所示之圖案佈局，除此以外，與實施例1-1相同。因此，省略其詳細說明。
基於觀察者的評價和基於使用了FDTD法（時域差分法）之計算的評價均與上述第1實施例相同，因此省略其詳細說明。 基於使用了FDTD法（時域差分法）之計算的評價中，利用上述第1實施例的比較例1-6的計算結果，將實施例2-1、實施例2-2、比較例2-1及比較例2-2的計算結果標準化。 第2實施例中亦將基準值設為0.15，將用比較例1-6標準化之值為0.15以下者判定為A，將用比較例1-6標準化之值大於0.15者判定為C。 此外，圖37中示出實施例2-1、實施例2-2、比較例2-1及比較例2-2的計算結果，符號121表示實施例2-1，符號122表示實施例2-2，符號123表示比較例2-1，符號124表示比較例2-2。並且，圖37的基準線BL係表示值0.15之線。 將實施例2-1、實施例2-2、比較例2-1及比較例2-2的評價結果示於下述表2。此外，下述表2中，線邊緣粗糙度表示LER，且數值表示3σ值。
[表2]
如表2所示，從實施例2-1、實施例2-2、比較例2-1及比較例2-2的結果，表示滿足LER≥0.7μm之導體佈線中，滿足上述功率譜P（f）的數式（1）時，於基於觀察者的評價和基於使用了FDTD法（時域差分法）之計算的評價中的任一個中，於一特定配置角度下易觀察之現象得以抑制，且可見性變良好。
10‧‧‧導電性薄膜
10a、12a、30a、31a、40a、43a、70a、80a‧‧‧表面
12‧‧‧保護層
13‧‧‧觸控感測器
14‧‧‧控制器
16‧‧‧觸控面板
18‧‧‧透明層
20‧‧‧顯示裝置
22‧‧‧顯示單元
24‧‧‧顯示設備
30、31‧‧‧透明基板
30b‧‧‧背面
30c‧‧‧一邊
32‧‧‧第1檢測電極
33‧‧‧第1周邊佈線
34‧‧‧第2檢測電極
35‧‧‧第2周邊佈線
36‧‧‧感測器部
39‧‧‧端子
40、41、92‧‧‧導體佈線
40c、40d、71c、73c、83c、85c‧‧‧側端面
40e‧‧‧邊緣
43‧‧‧金屬層
45‧‧‧可見抑制層
50‧‧‧第1周邊佈線部
52‧‧‧第2周邊佈線部
56‧‧‧黏結層
60‧‧‧佈線圖案
61‧‧‧單元
64‧‧‧虛擬電極
65‧‧‧間隔
70‧‧‧光罩
71‧‧‧開口部
72‧‧‧壓印模板
73‧‧‧圖案部
80‧‧‧第1金屬膜
81‧‧‧第1金屬層
82、84‧‧‧抗蝕劑膜
83‧‧‧導體佈線形成用部件
85‧‧‧開口
86‧‧‧第2金屬膜
87‧‧‧第2金屬層
88‧‧‧導電性薄膜形成用積層體
90‧‧‧基板
93‧‧‧金屬層
94‧‧‧可見抑制層
95‧‧‧光源
96‧‧‧受試者
97‧‧‧基板模組
98‧‧‧導體佈線模組
99‧‧‧圓形開口
101‧‧‧實施例1-1
102‧‧‧實施例1-2
103‧‧‧實施例1-3
111‧‧‧比較例1-1
112‧‧‧比較例1-2
113‧‧‧比較例1-3
114‧‧‧比較例1-4
115‧‧‧比較例1-5
116‧‧‧比較例1-6
121‧‧‧實施例2-1
122‧‧‧實施例2-2
123‧‧‧比較例2-1
124‧‧‧比較例2-2
BL‧‧‧基準線
D1‧‧‧第1方向
D2‧‧‧第2方向
DL ‧‧‧長邊方向
Dn‧‧‧方向
Dp‧‧‧間距
Dw‧‧‧方向
Ld‧‧‧距離
Le‧‧‧曝光光
Ls‧‧‧光
P‧‧‧長度
r‧‧‧旋轉角
t‧‧‧厚度
w‧‧‧線寬
圖1為表示具有本發明的實施形態的導電性薄膜之顯示裝置之示意圖。 圖2為表示使用了本發明的實施形態的導電性薄膜之觸控面板之示意性俯視圖。 圖3為表示本發明的實施形態的導電性薄膜的結構的第1例之示意性剖面圖。 圖4為表示本發明的實施形態的導電性薄膜的導體佈線的佈線圖案的一例之示意圖。 圖5為表示本發明的實施形態的導電性薄膜的導體佈線之示意性立體圖。 圖6為表示本發明的實施形態的導電性薄膜的結構的第2例之示意性剖面圖。 圖7為表示本發明的實施形態的導電性薄膜的結構的第3例之示意性剖面圖。 圖8為表示本發明的實施形態的導電性薄膜的結構第4例之示意性俯視圖。 圖9為表示本發明的實施形態的導電性薄膜的結構的第5例之示意性剖面圖。 圖10為表示使用了光罩之導電性薄膜的製造方法之示意性剖面圖。 圖11為表示使用了光罩之導電性薄膜的製造方法之示意性剖面圖。 圖12為表示使用了光罩之導電性薄膜的製造方法之示意性剖面圖。 圖13為表示使用了壓印模板之導電性薄膜的製造方法之示意性剖面圖。 圖14為表示使用了壓印模板之導電性薄膜的製造方法之示意性剖面圖。 圖15為用於說明第1金屬膜形成製程之示意性剖面圖。 圖16為用於說明抗蝕劑膜形成製程之示意性剖面圖。 圖17為用於說明第2金屬膜形成製程之示意性剖面圖。 圖18為用於說明抗蝕劑膜去除製程之示意性剖面圖。 圖19為用於說明導電部形成製程之示意性剖面圖。 圖20為表示評價中所使用之具有可見抑制層之導體佈線之示意性剖面圖。 圖21為表示評價中所使用之導體佈線之示意性剖面圖。 圖22為表示導體佈線的圖案佈局之圖表。 圖23為表示導體佈線的圖案佈局之圖表。 圖24為表示導體佈線的圖案佈局之圖表。 圖25為表示導體佈線的圖案佈局之圖表。 圖26為表示導體佈線的圖案佈局之圖表。 圖27為表示導體佈線的圖案佈局之圖表。 圖28為表示導體佈線的圖案佈局之圖表。 圖29為用於說明基於觀察者的可見性的評價之示意圖。 圖30為用於說明導體佈線的配置角度之示意圖。 圖31為表示用於說明使用了時域差分法之可見性的評價之計算模組之示意圖。 圖32為表示使用了時域差分法之可見性的評價的計算結果之圖表。 圖33為表示導體佈線的圖案佈局之圖表。 圖34為表示導體佈線的圖案佈局之圖表。 圖35為表示導體佈線的圖案佈局之圖表。 圖36為表示導體佈線的圖案佈局之圖表。 圖37為表示使用了時域差分法之可見性的評價的計算結果之圖表。

Claims (11)

  1. 一種導電性薄膜，其特徵為，具有： 基材；及 設置於前述基材的至少一個面之導體佈線， 前述導體佈線的與長邊方向正交之方向的兩個側端面的線邊緣粗糙度分別以3σ值計為0.7μm以上，並且前述導體佈線的前述兩個側端面分別針對功率譜P（f）滿足下述數式，。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之導電性薄膜，其中 前述導體佈線具有金屬層。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之導電性薄膜，其中 前述導體佈線具有可見抑制層。
  4. 一種觸控面板，其特徵為，具有申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述之導電性薄膜。
  5. 一種光罩，其使用於製造具有基材和設置於前述基材的至少一個面之導體佈線之導電性薄膜的製造中，該光罩的特徵為，具有與前述導體佈線對應之開口部， 前述開口部的與長邊方向正交之方向的兩個側端面的線邊緣粗糙度分別以3σ值計為0.7μm以上，並且前述開口部的前述兩個側端面分別針對功率譜P（f）滿足下述數式，。
  6. 一種壓印模板，其使用於製造具有基材和設置於前述基材的至少一個面之導體佈線之導電性薄膜的製造中，該壓印模板的特徵為， 具有與前述導體佈線對應之圖案部， 前述圖案部的與長邊方向正交之方向的兩個側端面的線邊緣粗糙度分別以3σ值計為0.7μm以上，並且前述圖案部的前述兩個側端面分別針對功率譜P（f）滿足下述數式，。
  7. 一種導電性薄膜形成用積層體，其使用於製造具有基材和設置於前述基材的至少一個面之導體佈線之導電性薄膜的製造中，該導電性薄膜形成用積層體的特徵為，具有： 導體層，設置於前述基材上，且成為前述導體佈線；及 導體佈線形成用部件，設置於前述導體層上，且與前述導體佈線對應， 前述導體佈線形成用部件的與長邊方向正交之方向的兩個側端面的線邊緣粗糙度分別以3σ值計為0.7μm以上，並且前述兩個側端面分別針對功率譜P（f）滿足下述數式，。
  8. 一種導電性薄膜的製造方法，該導電性薄膜具有基材和設置於前述基材的至少一個面之導體佈線，該製造方法的特徵為， 藉由使用了如下光罩之微影法形成前述導體佈線，該光罩中，與前述導體佈線對應之開口部的與長邊方向正交之方向的兩個側端面的線邊緣粗糙度分別以3σ值計為0.7μm以上，並且前述開口部的前述兩個側端面分別針對功率譜P（f）滿足下述數式，。
  9. 一種導電性薄膜的製造方法，該導電性薄膜具有基材和設置於前述基材的至少一個面之導體佈線，該製造方法的特徵為， 藉由使用了如下壓印模板之微影法形成前述導體佈線，該壓印模板中，與前述導體佈線對應之圖案部的與長邊方向正交之方向的兩個側端面的線邊緣粗糙度分別以3σ值計為0.7μm以上，並且前述圖案部的前述兩個側端面分別針對功率譜P（f）滿足下述數式，。
  10. 一種電子裝置的製造方法，該電子裝置具備具有基材和設置於前述基材的至少一個面之導體佈線之導電性薄膜，該製造方法的特徵為， 藉由使用了如下光罩之微影法形成前述導體佈線，該光罩中，與前述導體佈線對應之開口部的與長邊方向正交之方向的兩個側端面的線邊緣粗糙度分別以3σ值計為0.7μm以上，並且前述開口部的前述兩個側端面分別針對功率譜P（f）滿足下述數式，。
  11. 一種電子裝置的製造方法，該電子裝置具備具有基材和設置於前述基材的至少一個面之導體佈線之導電性薄膜，該製造方法的特徵為， 藉由使用了如下壓印模板之微影法形成前述導體佈線，該壓印模板中，與前述導體佈線對應之圖案部的與長邊方向正交之方向的兩個側端面的線邊緣粗糙度分別以3σ值計為0.7μm以上，並且前述圖案部的前述兩個側端面分別針對功率譜P（f）滿足下述數式，。
TW106132055A 2016-09-23 2017-09-19 導電性薄膜、觸控面板、光罩、壓印模板、導電性薄膜形成用積層體、導電性薄膜的製造方法及電子裝置的製造方法 TW201814730A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016-185947 2016-09-23
JP2016185947 2016-09-23

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW201814730A true TW201814730A (zh) 2018-04-16

Family

ID=61690060

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW106132055A TW201814730A (zh) 2016-09-23 2017-09-19 導電性薄膜、觸控面板、光罩、壓印模板、導電性薄膜形成用積層體、導電性薄膜的製造方法及電子裝置的製造方法

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP6722291B2 (zh)
TW (1) TW201814730A (zh)
WO (1) WO2018056089A1 (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI695029B (zh) * 2019-02-15 2020-06-01 國立臺灣科技大學 圖案化金屬層及其製造方法
CN115024025A (zh) * 2020-07-08 2022-09-06 住友电气工业株式会社 柔性印刷布线板及其制造方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5667938B2 (ja) * 2010-09-30 2015-02-12 富士フイルム株式会社 静電容量方式タッチパネル
JP5734243B2 (ja) * 2011-07-11 2015-06-17 富士フイルム株式会社 導電シート、タッチパネル及び表示装置
CN105992975B (zh) * 2014-02-11 2018-06-01 Asml荷兰有限公司 用于计算任意图案的随机变化的模型
JP6265021B2 (ja) * 2014-04-18 2018-01-24 大日本印刷株式会社 タッチパネルセンサ、タッチパネル装置および表示装置
JP6466677B2 (ja) * 2014-09-22 2019-02-06 株式会社Ｖｔｓタッチセンサー タッチセンサ用電極、タッチパネル、および、表示装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI695029B (zh) * 2019-02-15 2020-06-01 國立臺灣科技大學 圖案化金屬層及其製造方法
CN115024025A (zh) * 2020-07-08 2022-09-06 住友电气工业株式会社 柔性印刷布线板及其制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP6722291B2 (ja) 2020-07-15
WO2018056089A1 (ja) 2018-03-29
JPWO2018056089A1 (ja) 2019-08-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9996203B2 (en) Conductive sheet and usage method of conductive sheet
CN103329643B (zh) 具有变暗的多层导体迹线的图案化基底
US9411080B2 (en) Method for manufacturing conductive member, conductive member, and touch panel using same
US9280185B2 (en) Conductive sheet and touch panel
TW566078B (en) Electromagnetic wave shielding sheet
WO2013094728A1 (ja) 導電シート及びタッチパネル
US10402028B2 (en) Transparent conductive film, method of producing transparent conductive film, and touch panel
JPWO2019044120A1 (ja) タッチパネル用導電部材およびタッチパネル
TW201241691A (en) Resistor film-type multi-touch panel and electrode sheet used therein
TWI711950B (zh) 觸控面板感測器
JP6705900B2 (ja) タッチパネル
JP2020074114A (ja) 導電性フィルム、タッチパネルセンサー、および、タッチパネル
TW201635015A (zh) 用於光刻金屬網格觸控感應器的製造之催化性光阻
TW201814730A (zh) 導電性薄膜、觸控面板、光罩、壓印模板、導電性薄膜形成用積層體、導電性薄膜的製造方法及電子裝置的製造方法
TWI533176B (zh) Touch panel, and touch panel manufacturing methods
JP4870830B2 (ja) 防錆性に優れた両面透明導電膜シートとその製造方法
WO2015045965A1 (ja) タッチパネル用積層体、タッチパネル
TW201910128A (zh) 片材、金屬網格、及其等之製造方法
JPWO2018047608A1 (ja) 導電性フィルムの製造方法、導電性フィルム、タッチパネルセンサー、アンテナ、指紋認証部、および、タッチパネル
WO2015107759A1 (ja) 導電性フイルム
JP2019043006A (ja) 導電性基材、導電性基材の製造方法、積層体およびタッチパネル
JP6626759B2 (ja) 導電性フィルム、タッチパネルおよび電子デバイス
JP2024005532A (ja) 導電性フィルム
KR20160090670A (ko) 전도성 구조체 및 이의 제조방법