WO2018047608A1 - 導電性フィルムの製造方法、導電性フィルム、タッチパネルセンサー、アンテナ、指紋認証部、および、タッチパネル - Google Patents

導電性フィルムの製造方法、導電性フィルム、タッチパネルセンサー、アンテナ、指紋認証部、および、タッチパネル Download PDF

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metal
resist film
composition layer
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孝彦 一木
吉田　昌史
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富士フイルム株式会社
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    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/18—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material

Definitions

  • the present invention relates to a method for producing a conductive film, a conductive film, a touch panel sensor, an antenna, a fingerprint authentication unit, and a touch panel.
  • a conductive film in which a conductive portion made of a fine metal wire is arranged on a substrate is used for various purposes.
  • the demand for conductive films for capacitive touch panel sensors capable of multipoint detection is rapidly expanding.
  • ITO films produced using indium tin oxide (ITO) are widely used. Under such circumstances, from the viewpoint of low electrical resistance and low cost, a conductive film having a fine metal wire is drawing attention as an alternative to the ITO film.
  • ITO indium tin oxide
  • Patent Document 1 discloses that “a method of manufacturing a fine structure of metal wiring, (a) a step of providing a substrate, (b) a step of forming a seed layer on the surface of the substrate, (c) Forming a photoresist layer on the surface of the seed layer, performing photolithography and an etching process, and forming a groove having a predetermined width in the photoresist layer; (d) forming a conductive layer in the groove; (E) removing the photoresist layer and the seed layer portion not covered by the conductive layer, thereby creating a fine structure of the metal wiring; A method of manufacturing a structure "is disclosed.
  • Patent Document 2 states that “a method for producing a transparent conductive support comprising a fine metal pattern and comprising a laminated metal film of a first conductive film layer and a second conductive film layer.
  • the first conductive film layer is formed on the surface of the transparent support, the thick resist layer is formed on the first conductive film layer, the resist layer is exposed and developed, and the first conductive film is formed.
  • the resist layer is completely peeled off to expose only the first conductive film layer formed under the resist layer, and the exposed first conductive film layer is removed by etching.
  • the conductive film having a fine metal wire has a problem of visibility of the fine metal wire. That is, when using a display having a touch panel, the user views the display from a distance of several tens of centimeters from the display. At this time, in order to prevent the fine metal wires from being visually recognized by the user, it is required to further narrow the width of the fine metal wires.
  • a conductive film having a thin metal wire currently on the market has a thin metal wire width of about 5 ⁇ m, but from the viewpoint of visibility, the thin metal wire is required to have a width of 2.0 ⁇ m or less.
  • the inventors have studied the techniques described in Patent Documents 1 and 2, and found that when exposing the resist film-forming composition layer formed on the first metal film, the mask (opening of the opening) was examined. It has been found that if a line width of 1.5 ⁇ m or less is used, the line width of the opening of the resist film obtained after exposure and development may become too large. Thus, when the line width of the opening of the resist film becomes too large, the line width of the second metal film formed in the opening of the resist film also increases, and as a result, a metal thin wire having a line width of 2.0 ⁇ m or less is formed. It becomes difficult to obtain.
  • the present inventors have found that when a mask having an opening with a line width of 1.5 ⁇ m or less is used, the distance between the mask and the first metal film is 1.5 ⁇ m or less. It was found that a metal fine wire having a line width of 2.0 ⁇ m or less can be obtained by disposing a mask on the substrate, and the present invention has been achieved. That is, the present inventors have found that the above problem can be solved by the following configuration.
  • [3] The manufacturing method of the conductive film as described in [1] or [2] whose film thickness of the said composition layer for resist film formation is 1.5 micrometers or less.
  • [4] The method for producing a conductive film according to any one of [1] to [3], wherein the film thickness of the composition layer for forming a resist film is 1.0 ⁇ m or less.
  • the resist film forming composition layer contains a photoacid generator, The method for producing a conductive film according to any one of [1] to [4], wherein the photoacid generator has photosensitivity in a wavelength region of 200 to 400 nm.
  • a touch panel sensor having the conductive film according to [7] or [8].
  • An antenna having the conductive film according to [7] or [8].
  • a method for producing a conductive film capable of forming a fine metal wire having a line width of 2.0 ⁇ m or less it is possible to provide a method for producing a conductive film capable of forming a fine metal wire having a line width of 2.0 ⁇ m or less.
  • an electroconductive film, a touchscreen sensor, an antenna, a fingerprint authentication part, and a touchscreen can be provided.
  • a numerical range expressed using “to” means a range including numerical values described before and after “to” as a lower limit value and an upper limit value.
  • active light or “radiation” means, for example, the emission line spectrum of a mercury lamp, deep ultraviolet light represented by excimer laser, extreme ultraviolet lithography (EUV), X-ray, and Means an electron beam.
  • light means actinic rays and radiation.
  • exposure in this specification is not limited to exposure with a mercury lamp and an excimer laser, such as far ultraviolet rays, X-rays, and EUV light, but also particle beams such as electron beams and ion beams. Also includes drawing by.
  • the distance between the mask formed with an opening having a line width of 1.5 ⁇ m or less and the first metal film is 1.5 ⁇ m or less. It includes a step of disposing a mask on the resist film forming composition layer.
  • the present inventors have applied the light irradiated from the light source of the parallel light exposure machine when the line width of the opening of the mask is 1.5 ⁇ m or less. It was found that the light was diffracted immediately after passing through the opening and diffused before reaching the resist film forming composition layer.
  • the line width of the exposure region of the composition layer for forming a resist film becomes large, and the line width of the opening of the resist film obtained after development becomes too large.
  • the line width of the fine metal wire corresponding to the opening width of the resist film exceeds 2.0 ⁇ m.
  • the manufacturing method of the electroconductive film of this invention includes the following processes. (1) A step of forming a first metal film on a substrate (first metal film forming step), (2) A step of applying a resist film forming composition on the first metal film to form a resist film forming composition layer (resist film forming composition layer forming step), (3) The mask is formed on the resist film forming composition layer so that a distance between the mask in which an opening having a line width of 1.5 ⁇ m or less and the first metal film is 1.5 ⁇ m or less.
  • a step of exposing the composition layer for forming a resist film through the mask with a parallel light exposure machine (exposure processing step) (5) Step of obtaining a resist film in which an opening is formed by performing a development process to remove the exposed region of the resist film forming composition layer (resist film forming step) (6) Step of forming a second metal film on the first metal film in the opening of the resist film (second metal film forming step) (7) Step of removing the resist film (resist film removing step) (8) Using the second metal film as a mask, removing a part of the first metal film to form a conductive portion made of a thin metal wire (conductive portion forming step)
  • exposure processing step (5) Step of obtaining a resist film in which an opening is formed by performing a development process to remove the exposed region of the resist film forming composition layer (resist film forming step) (6) Step of forming a second metal film on the first metal film in the opening of the resist film (second metal film forming step) (7) Step of removing
  • FIG. 1A is a schematic cross-sectional view for explaining a first metal film forming step.
  • the first metal film 11 is formed on the substrate 101.
  • the first metal layer 201 is obtained by etching the first metal film 11.
  • the first metal film 11 functions as a seed layer and / or a base metal layer (base adhesion layer).
  • the first metal film 11 may be a stacked structure in which two or more layers are stacked.
  • the lower layer on the substrate 101 side preferably functions as a base metal layer (base adhesion layer), and the upper layer on the second metal film 13 side functions as a seed layer. It is preferable.
  • substrate 101 supports the electroconductive part 102 (after-mentioned), the kind in particular will not be restrict
  • a flexible substrate preferably an insulating substrate
  • a resin substrate is more preferable.
  • the substrate 101 preferably transmits visible light (wavelength 400 to 800 nm) of 60% or more, preferably 80% or more, preferably 90% or more, and 95% or more. More preferred.
  • the material constituting the resin substrate examples include polyethersulfone resins, polyacrylic resins, polyurethane resins, polyester resins (polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, etc.), polycarbonate resins, polysulfone resins, polyamides. Resin, polyarylate resin, polyolefin resin, cellulose resin, polyvinyl chloride resin, cycloolefin resin and the like. Of these, cycloolefin resins are preferred.
  • the thickness of the substrate 101 is not particularly limited, but is preferably 0.05 to 2 mm, and more preferably 0.1 to 1 mm, from the viewpoint of balance between handleability and thinning.
  • the substrate 101 may have a multilayer structure, and for example, may have a functional film as one layer.
  • the substrate itself may be a functional film.
  • the metal contained in the first metal film 11 is not particularly limited, and a known metal can be used.
  • the first metal film 11 may contain, for example, metals such as copper, chromium, lead, nickel, gold, silver, tin, and zinc, and alloys of these metals.
  • Examples of the main component (so-called main metal) included in the first metal film 11 include copper, chromium, lead, nickel, gold, silver, tin, and zinc.
  • the said main component intends the metal with the largest content among the metals contained in the 1st metal film 11. FIG. Further, when the first metal film 11 is a laminated structure, the main component is determined for each layer.
  • the first metal film 11 preferably contains chromium or an alloy thereof. Moreover, it is preferable that the main component of the 1st metal film 11 is chromium from a viewpoint that the function as a base metal layer of the 1st metal film 11 is more excellent. On the other hand, from the viewpoint that the function of the first metal film 11 as a seed layer is more excellent (that is, the viewpoint of better affinity with a material constituting the second metal film 13 described later), the main component of the first metal film 11 is used. Is preferably the same as the main component of the second metal film 13 to be described later. Moreover, it is preferable that the main component of the 1st metal film 11 is copper from a viewpoint that the function as a seed layer of the 1st metal film 11 is more excellent.
  • the content of the metal constituting the main component in the first metal film 11 is not particularly limited, but is generally preferably 10 to 100% by mass, more preferably 20 to 100% by mass.
  • the thickness of the first metal film 11 is not particularly limited, but is generally preferably 100 nm or less and more preferably 70 nm or less.
  • the lower limit of the thickness of the first metal film 11 is not particularly limited, but is preferably 3 nm or more from the viewpoint that the fine metal wire 103 has better adhesion to the substrate 101.
  • the thickness of each layer is preferably 50 nm or less, and more preferably 20 nm or less.
  • the lower limit value of the thickness of each layer is preferably 3 nm or more.
  • the formation method of the first metal film 11 is not particularly limited, and a known formation method can be used. Among these, the sputtering method or the vapor deposition method is preferable because a layer having a denser structure can be easily formed.
  • FIG. 1B is a schematic cross-sectional view for explaining a resist film forming composition layer forming step.
  • the resist film forming composition layer 20 is formed on the first metal film 11 by performing the resist film forming composition layer forming step.
  • the method for applying the resist film forming composition on the first metal film 11 is not particularly limited, and a known application method can be used. For example, spin coating, spraying, roller coating, and dipping Law.
  • any known positive-type radiation-sensitive composition can be used as the resist film-forming composition, but the resist film-forming composition contains a photoacid generator having photosensitivity in the wavelength region of 200 to 400 nm. It is preferable to use a product. Thereby, compared with the exposure machine used for exposure of the resist film of a semiconductor, there exists an advantage that a fine pattern can be formed using an inexpensive parallel light exposure machine.
  • the photoacid generator having photosensitivity in the wavelength range of 200 to 400 nm include the photoacid generators described in paragraphs 0026 to 0061 of JP-A-5-80513.
  • a photo-acid generator means the compound which generate
  • the refractive index of the resist film forming composition layer 20 is preferably 1.5 or more, and more preferably 1.6 or more.
  • the upper limit of the refractive index is not particularly limited, but is generally 2.0 or less.
  • the refractive index of the composition layer 20 for forming a resist film is high (1.5 or more)
  • the degree of light diffraction at the time of exposure becomes weak, so the line width W2 of the opening 22 of the resist film 21 described later. It becomes easier to make the desired size.
  • the exposure processing step is performed in a state where the mask 30 and the resist film forming composition layer 20 are in contact with each other (described later), the above effect is further exhibited.
  • the refractive index of each member is measured at a measurement wavelength of 380 nm using ellipsometry.
  • the resist film forming composition layer 20 may be heated. By heating, removal of an unnecessary solvent remaining in the resist film forming composition layer 20 is promoted, and the resist film forming composition layer 20 can be made uniform.
  • the method for heating the resist film forming composition layer 20 is not particularly limited, and examples thereof include a method for heating the substrate 101.
  • the heating temperature is not particularly limited, but generally 40 to 160 ° C. is preferable.
  • the film thickness of the resist film forming composition layer 20 is preferably 0.3 to 1.5 ⁇ m, more preferably 0.5 to 1.4 ⁇ m, and even more preferably 0.8 to 1.4 ⁇ m, as the film thickness after drying. preferable.
  • the film thickness is 1.5 ⁇ m or less, the distance between the first metal film 11 (described later) and the mask 30 can be made closer, so that the line width of the metal thin wire 103 can be 2.0 ⁇ m or less. It becomes easy.
  • FIG. 1C is a schematic cross-sectional view for explaining a mask arrangement step.
  • the mask 30 in which the opening 32 is formed is disposed on the resist film forming composition layer 20 at a distance of 1.5 ⁇ m or less from the first metal film 11.
  • the line width W1 of the opening 32 of the mask 30 is 1.5 ⁇ m or less, and can be set as appropriate according to the required line width of the thin metal wire 103. For example, it may be 1.0 ⁇ m or less.
  • the lower limit value of the line width W1 is not particularly limited, but is preferably 0.3 ⁇ m or more.
  • the opening 32 of the mask 30 is formed corresponding to a region where the fine metal wire 103 is formed, and the opening 32 usually has a fine wire portion corresponding to the shape of the fine metal wire 103.
  • the line width W1 of the opening 32 of the mask 30 is intended to be the width of the thin line in the direction orthogonal to the extending direction of the thin line portion of the opening 32.
  • the distance D1 between the mask 30 and the first metal film 11 is 1.5 ⁇ m or less, the diffraction of light during exposure is further reduced, and the line width of the metal thin wire 103 becomes the line width W1 of the opening 32 of the mask 30. From the point of being close, 1.2 ⁇ m or less is preferable, 1.1 ⁇ m or less is more preferable, and 1.0 ⁇ m or less is more preferable. Further, the lower limit value of the distance D1 between the mask 30 and the first metal film 11 can be set according to the film thickness of the resist film forming composition layer 20. That is, the lower limit value of the distance D1 is equal to or greater than the film thickness value of the resist film forming composition layer 20.
  • the distance D ⁇ b> 1 between the mask 30 and the first metal film 11 is specifically the surface 11 a of the first metal film 11 on which the resist film forming composition layer 20 is formed and the first metal film 11.
  • the shortest distance between the surface 30a of the mask 30 facing the surface 11a is indicated.
  • the mask 30 is preferably arranged so as to be in contact with the resist film forming composition layer 20.
  • the distance D1 is the same as the film thickness of the resist film forming composition layer 20.
  • the mask 30 and the resist film forming composition layer 20 may be brought into close contact under vacuum.
  • a method of making it adhere in vacuum it can carry out using the apparatus which has a well-known vacuum mechanism (for example, vacuum pumps, such as a rotary pump), for example.
  • the vacuum is a concept including a negative pressure representing a state where the pressure is lower than the standard atmospheric pressure.
  • the vacuum pressure in the present invention is preferably 200 Pa or less, more preferably 150 Pa or less, and further preferably 0.01 to 100 Pa.
  • the shape of the opening 32 of the mask 30 has a shape corresponding to the thin metal wire 103.
  • the mask 30 having the openings 32 arranged in a mesh shape may be used.
  • Examples of the mask 30 include a quartz mask, a glass mask (for example, a chromium mask whose glass surface is coated with a chromium film, and an emulsion whose glass surface is coated with a film containing gelatin and silver halide). A mask etc.), and a film mask (polyester film).
  • the absolute value of the difference (refractive index difference) between the refractive index of the mask 30 and the refractive index of the resist film forming composition layer 20 is preferably smaller. Thereby, since the diffraction of the light resulting from the refractive index difference between the mask 30 and the resist film forming composition layer 20 can be further suppressed, the line width W2 of the opening 22 of the resist film 21 described later is set to a desired size. It becomes easier. In particular, when the exposure processing step is performed in a state where the mask 30 and the resist film forming composition layer 20 are in contact with each other, the above-described effect is further exhibited. Specifically, the absolute value of the refractive index difference is preferably 0 to 0.2, and more preferably 0 to 0.15.
  • FIG. 1D is a schematic cross-sectional view for explaining an exposure processing step.
  • the exposure process is performed using a parallel light exposure machine.
  • the light source of the parallel light exposure machine include a mercury lamp, a halogen lamp, a metal halide lamp, a xenon lamp, a chemical lamp, and a carbon arc lamp.
  • an electron beam, an X-ray, an ion beam, a far infrared ray, etc. can be used.
  • the adhesion between the first metal film 11 and the resist film forming composition layer 20 is such that the mask 30 and the resist It is preferable that the adhesion strength with the film-forming composition layer 20 is greater. Thereby, when the mask 30 is peeled from the resist film forming composition layer 20, the resist film forming composition layer 20 does not remain on the mask 30, and the reusability of the mask 30 is improved. Moreover, it can also suppress that the metal fine wire 103 is disconnected.
  • FIG. 1E is a schematic cross-sectional view for explaining a resist film forming step.
  • the resist film forming composition layer 20 existing in the exposed region 20 a is removed, and the resist film forming composition layer 20 existing in the unexposed region 20 b remains on the first metal film 11. That is, on the first metal film 11, a resist film 21 having an opening 22 corresponding to the exposure region 20a is formed.
  • the method for developing the composition layer 20 for forming a resist film after exposure is not particularly limited, and a known developing method can be used.
  • a developing method for example, a developing solution containing an organic solvent or a method using an alkaline developing solution can be mentioned.
  • Examples of the developing method include a dip method, a paddle method, a spray method, and a dynamic dispensing method.
  • the resist film 21 after development may be washed using a rinse solution.
  • the rinse solution is not particularly limited, and a known rinse solution can be used.
  • Examples of the rinse liquid include an organic solvent and water.
  • the shape of the opening 22 of the resist film 21 has a shape corresponding to the opening 32 of the mask 30, that is, a shape corresponding to the fine metal wire 103.
  • the openings 32 of the resist film 21 are arranged in a mesh shape.
  • the line width W2 of the opening 22 is preferably 2.0 ⁇ m or less, more preferably 1.5 ⁇ m or less, and even more preferably 1.0 ⁇ m or less.
  • the line width W2 of the opening 22 is 2.0 ⁇ m or less, the line width of the metal thin wire 103 can be easily set to 2.0 ⁇ m or less correspondingly.
  • the line width W2 of the opening 22 of the resist film 21 intends the width of the thin line in the direction orthogonal to the extending direction of the thin line portion of the opening 22.
  • the film thickness of the resist film 21 is the same as that of the resist film forming composition layer 20 described above, the description thereof is omitted.
  • FIG. 1F is a schematic cross-sectional view for explaining the second metal film forming step.
  • the second metal film 13 is formed on the first metal film 11 in the opening 22 of the resist film 21.
  • the second metal film 13 is formed so as to fill the opening 22 of the resist film 21.
  • the second metal film 13 is preferably formed by a plating method.
  • a plating method a known plating method can be used. Specific examples include an electrolytic plating method and an electroless plating method, and the electrolytic plating method is preferable from the viewpoint of productivity.
  • the metal contained in the second metal film 13 is not particularly limited, and a known metal can be used.
  • the second metal film 13 may contain, for example, metals such as copper, chromium, lead, nickel, gold, silver, tin, and zinc, and alloys of these metals.
  • the 2nd metal film 13 contains copper or its alloy from the point which the electroconductivity of the metal fine wire 103 is more excellent.
  • the main component of the 2nd metal film 13 is copper from the point which the electroconductivity of the metal fine wire 103 is more excellent.
  • the content of the metal constituting the main component in the second metal film 13 is not particularly limited, but is generally preferably 80 to 100% by mass and more preferably 90 to 100% by mass.
  • the line width of the second metal film 13 has a line width corresponding to the opening 22 of the resist film 21, and is specifically preferably 2.0 ⁇ m or less, more preferably 1.5 ⁇ m or less, and 1.0 ⁇ m. More preferred are:
  • the lower limit of the line width of the second metal film 13 is not particularly limited, but is generally preferably 0.3 ⁇ m or more.
  • the line width of the second metal film 13 is intended to be the width of the thin line in a direction orthogonal to the extending direction of the thin line portion of the second metal film 13.
  • the thickness of the second metal film 13 is not particularly limited, but generally 0.1 to 1 ⁇ m is preferable, and 0.3 to 1 ⁇ m is more preferable.
  • FIG. 1G is a schematic cross-sectional view for explaining the resist film removing step.
  • the method for removing the resist film 21 is not particularly limited, and examples thereof include a method for removing the resist film 21 using a known resist film removing solution.
  • the resist film removing liquid include an organic solvent and an alkaline solution.
  • a method for bringing the resist film removing solution into contact with the resist film 21 is not particularly limited, and examples thereof include a dipping method, a paddle method, a spray method, and a dynamic dispensing method.
  • FIG. 1H is a schematic cross-sectional view for explaining a conductive portion forming step.
  • a part of the first metal film 11 which is a region where the second metal film 13 is not formed is removed, and the conductive film 100 in which the thin metal wires 103 are laminated on the substrate 101 is obtained. It is done.
  • the thin metal wire 103 constitutes a conductive portion 102 described later.
  • the thin metal wire 103 includes a first metal layer 201 corresponding to the first metal film 11 and a second metal layer 203 corresponding to the second metal film 13.
  • the first metal layer 201 and the second metal layer 203 are laminated in this order from the substrate 101 side.
  • a method for removing a part of the first metal film 11 is not particularly limited, but a known etching solution can be used.
  • Known etching solutions include, for example, ferric chloride solution, cupric chloride solution, ammonia alkaline solution, sulfuric acid-hydrogen peroxide mixture, phosphoric acid-hydrogen peroxide mixture, and the like.
  • ferric chloride solution cupric chloride solution
  • ammonia alkaline solution sulfuric acid-hydrogen peroxide mixture
  • phosphoric acid-hydrogen peroxide mixture and the like.
  • the first metal film 11 is more easily dissolved than the second metal film 13 and the second metal film 13 is less easily dissolved than the first metal film 11.
  • multi-stage etching may be performed by changing the etching solution for each layer.
  • the line width of the first metal layer 201 is preferably 2.0 ⁇ m or less, more preferably 1.5 ⁇ m or less, and further preferably 1.0 ⁇ m or less. Although it does not restrict
  • the line width of the first metal layer 201 is intended to be the width of the thin line in a direction orthogonal to the extending direction of the thin line portion of the first metal layer 201.
  • the line width of the second metal layer 203 is the same as the line width of the second metal film 13, the description thereof is omitted.
  • the line width of the fine metal wire 103 is 2.0 ⁇ m or less, preferably 1.5 ⁇ m or less, and more preferably 1.0 ⁇ m or less.
  • the lower limit of the line width of the fine metal wire 103 is not particularly limited, but is generally preferably 0.3 ⁇ m or more.
  • the line width of the fine metal wire 103 is the maximum of the line widths of the first metal layer 201 and the second metal layer 203 in the cross section in the width direction of the fine metal wire 103 (cross section orthogonal to the extending direction of the fine metal wire). The line width of is intended.
  • the line width of the fine metal wire 103 is obtained by embedding the fine metal wire 103 together with the substrate 101 in a resin and cutting it in the width direction (direction perpendicular to the extending direction of the fine metal wire 103) using an ultramicrotome. After carbon is vapor-deposited on the cross section, the line width to be measured is intended by observation using a scanning electron microscope (S-550, manufactured by Hitachi High-Technologies Corporation). The same applies to the line widths of the first metal layer 201 and the second metal layer 203 (second metal film 13) constituting the metal thin wire 103.
  • the conductive film of this invention has a board
  • the electroconductive film of this invention can be obtained using the manufacturing method of the electroconductive film mentioned above.
  • the conductive portion is usually composed of a plurality of fine metal wires.
  • the conductive portion can be used as a transparent electrode and / or a lead wiring.
  • FIG. 2A is a top view of one embodiment of the conductive film
  • FIG. 2B is a cross-sectional view taken along the line AA.
  • FIG. 3 is a partially enlarged view of a conductive portion in the conductive film.
  • the conductive film 100 includes a substrate 101 and a conductive portion 102 disposed on one surface of the substrate 101.
  • the conductive film may have a three-dimensional shape (three-dimensional shape).
  • the three-dimensional shape include a three-dimensional shape having a curved surface, and more specifically, a hemispherical shape, a kamaboko shape, a wavy shape, an uneven shape, and a cylindrical shape.
  • the conductive portion 102 is disposed on one surface of the substrate 101, but the embodiment is not limited thereto.
  • the conductive portion 102 may be disposed on both surfaces of the substrate 101.
  • the conductive portions 102 are arranged in the form of six stripes, but the present invention is not limited to this configuration, and any arrangement pattern may be used.
  • FIG. 3 is a partially enlarged top view of the conductive portion 102.
  • the conductive portion 102 includes a plurality of fine metal wires 103 and has a mesh pattern in which a plurality of openings 104 are formed by intersecting thin metal wires 103. .
  • wire width of the metal fine wire 103 since it is as having demonstrated with the manufacturing method of an electroconductive film, the description is abbreviate
  • the length X of one side of the opening 104 is preferably 10 to 500 ⁇ m, more preferably 25 to 100 ⁇ m.
  • the opening 104 has a substantially rhombus shape.
  • other polygonal shapes for example, a triangle, a quadrangle, a hexagon, and a random polygon
  • the shape of one side may be a curved shape or a circular arc shape in addition to a linear shape.
  • the arc shape for example, the two opposing sides may have an outwardly convex arc shape, and the other two opposing sides may have an inwardly convex arc shape.
  • the shape of each side may be a wavy shape in which an outwardly convex arc and an inwardly convex arc are continuous. Of course, the shape of each side may be a sine curve.
  • the conductive portion 102 has a mesh pattern, but is not limited to this form.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view of the thin metal wire 103 and has the same structure as that of FIG. 1H described in the method for manufacturing the conductive film, and thus the description thereof is omitted.
  • the conductive film of the present invention can be used for various applications. For example, various electrode films, a heat generating sheet, and a printed wiring board are mentioned. Especially, it is preferable that an electroconductive film is used for a touchscreen sensor, and it is more preferable that it is used for a capacitive touch panel sensor. In a touch panel including the conductive film as a touch panel sensor, it is difficult to visually recognize a fine metal wire. Note that examples of the configuration of the touch panel include a touch panel module described in paragraphs 0020 to 0027 of JP-A-2015-195004, and the above contents are incorporated in this specification.
  • the conductive film of the present invention is also preferably used for at least one of an antenna and a fingerprint authentication unit.
  • the conductive film of the present invention is applied as a conductive member constituting the antenna and the fingerprint authentication unit. Since the conductive film of the present invention has a fine metal wire having a fine line width of 2.0 ⁇ m or less, an antenna and a fingerprint authentication unit excellent in sensitivity can be obtained.
  • the antenna and the fingerprint authentication unit are preferably members included in the touch panel.
  • a touch panel having an antenna for example, a multi-function touch panel described in Utility Model Registration No. 3171994 is cited, and the above contents are incorporated in this specification.
  • examples of the configuration of a touch panel having a fingerprint authentication unit include a touch panel having a fingerprint authentication function described in JP-A-2016-006648, and the above contents are incorporated in this specification.
  • the conductive film of the present invention may be applied to all of these.
  • the conductive films of Examples and Comparative Examples were produced as follows. On the substrate (COP film (cycloolefin polymer film), thickness 80 ⁇ m), Cr was deposited to a thickness of 10 nm using a sputtering apparatus to obtain a base metal layer. Subsequently, Cu was deposited to a thickness of 50 nm on the base metal layer to obtain a seed layer.
  • first metal film the laminated structure of the base metal layer and the seed layer is also referred to as “first metal film”.
  • a resist film forming composition (“FHi-622BC”, manufactured by Fuji Film Co., Ltd., viscosity 11 mPa ⁇ s) is adjusted by adjusting the rotation speed of the spin coater so that the dry thickness becomes 1 ⁇ m, and the first metal film
  • the composition was applied on top (on the seed layer) and dried at 100 ° C. for 1 minute to obtain a resist film forming composition layer (film thickness: see Table 1).
  • a photomask having an opening with a predetermined line width described in Table 1 is prepared, and the photomask is set so that the distance between the photomask and the first metal film is as described in Table 1. It arrange
  • the positive resist film forming composition layer is irradiated with light having a wavelength of 200 to 400 nm (light source halogen lamp, exposure amount 16 mW / cm 2 ) for 2 seconds through a photomask using a parallel light exposure machine. And it heated at 100 degreeC for 1 minute (post-baking), and obtained the composition layer for resist film formation after exposure.
  • the resist film-forming composition layer after exposure was developed with a 0.5 M aqueous sodium hydroxide solution to obtain a resist film having an opening (film thickness: the same as the resist film-forming composition layer). . Note that the opening of the resist film corresponds to the exposure region.
  • a copper sulfate high-throw bath (Top Lucina HT-A and Top Lucina HT- as additives) was applied to the laminate comprising the substrate, the first metal film, and the resist film having the openings formed in this order in the order described above.
  • the current density was 3 A / dm 2 and the conduction time was 20 seconds.
  • a linear second metal film was formed on the first metal film in the opening of the resist film. The thickness of the second metal film was 300 nm.
  • the resist film was peeled from the laminate using a 1M sodium hydroxide aqueous solution.
  • the first metal film was etched using the second metal film as an etching mask.
  • a Cu etching solution (“Cu etchant” manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) whose concentration is adjusted so that the etching rate for the seed layer is 200 nm / min using the second metal film as an etching mask.
  • the region where the second metal film was not formed in the seed layer was etched.
  • a Cr etching solution manufactured by Nippon Kagaku Sangyo Co., Ltd., “alkaline chromium etching solution”.
  • the etching rate for the base metal layer was 100 nm / min).
  • the region where the second metal film and the seed layer were not formed in the base metal layer was etched.
  • the conductive film of the Example and comparative example which have a board
  • the fine metal wire is a laminated structure formed in the order of a first metal layer corresponding to the first metal film and a second metal layer corresponding to the second metal film from the substrate side.
  • the resist film-forming composition layer has a distance of 1.5 ⁇ m or less between the mask in which an opening having a line width of 1.5 ⁇ m or less is formed and the first metal film. It was shown that when the mask was placed on the substrate and the exposure process was performed (Example), the line width of the fine metal wire could be made 2.0 ⁇ m or less. From the comparison between Examples 1 to 3, Examples 4 to 6, and Examples 7 to 9, when the exposure processing is performed in a state where the mask and the resist film forming composition layer are in contact with each other (Example 1). 3 and Examples 7 to 9), it was shown that the line width of the metal fine wire can be made smaller.

Abstract

本発明の課題は、線幅２．０μｍ以下の金属細線を形成できる導電性フィルムの製造方法を提供することである。また、本発明の課題は、導電性フィルム、タッチパネルセンサー、アンテナ、指紋認証部、およびタッチパネルを提供することにもある。本発明の導電性フィルムの製造方法は、基板上に第１金属膜を形成する工程と、第１金属膜上にレジスト膜形成用組成物層を形成する工程と、線幅１．５μｍ以下の開口が形成されたマスクと第１金属膜との距離が１．５μｍ以下となるように、レジスト膜形成用組成物層の上にマスクを配置する工程と、レジスト膜形成用組成物層の露光処理を平行光露光機で工程と、露光領域を除去して開口が形成されたレジスト膜を得る工程と、レジスト膜の開口内に第２金属膜を形成する工程と、レジスト膜を除去する工程と、第１金属膜の一部を除去して導電部を形成する工程と、を含む。

Description

導電性フィルムの製造方法、導電性フィルム、タッチパネルセンサー、アンテナ、指紋認証部、および、タッチパネル
　本発明は、導電性フィルムの製造方法、導電性フィルム、タッチパネルセンサー、アンテナ、指紋認証部、および、タッチパネルに関する。
　基板上に金属細線からなる導電部が配置された導電性フィルムは、種々の用途に使用されている。例えば、近年、携帯電話または携帯ゲーム機器等へのタッチパネルの搭載率の上昇に伴い、多点検出が可能な静電容量方式のタッチパネルセンサー用として導電性フィルムの需要が急速に拡大している。
　上記のような導電性フィルムには、優れた導電性および透明性が求められていることから、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）を用いて作製されたＩＴＯフィルムが広く用いられている。
　このような中、電気抵抗が低く、低コストである等の観点から、ＩＴＯフィルムの代替として、金属細線を有する導電性フィルムが注目されている。
　例えば、特許文献１には、「金属配線の微細構造を製造する方法であって、(a)基板を提供する工程、(b)シード層を上記基板の表面上に形成する工程、(c)フォトレジスト層を上記シード層の表面上に形成して、フォトリソグラフィおよびエッチングプロセスを実施し、上記フォトレジスト層に所定の幅を有する溝を形成する工程、(d)上記溝に、導電層を充填する工程、(e)上記フォトレジスト層と、上記導電層によって覆われてない上記シード層部分を取り除いて、それにより、上記金属配線の微細構造が作り出される、工程を備える、金属配線の微細構造を製造する方法。」が開示されている。
　また、特許文献２には、「微細な線状パターンからなり、第一導電性膜層と第二導電性膜層との積層金属膜で構成される透明導電性支持体の製造方法であって、透明支持体の表面に第一導電性膜層を形成し、上記第一導電性膜層上に厚膜のレジスト層を形成して、上記レジスト層を露光現像して上記第一導電性膜層の一部が露出した上記微細な線状パターンからなる溝を形成し、上記露出した溝の第一導電性膜層上のみに厚膜の第二導電性膜層を電解メッキにより形成した後、上記レジスト層を全て剥離して上記レジスト層の下に形成されていた第一導電性膜層のみの層を露出させ、上記露出した第一導電性膜層の層をエッチングにより除去して上記積層金属膜以外の箇所を透明化することを特徴とする透明導電性支持体の製造方法。」が開示されている。
　このように、金属細線を有する導電性フィルムの製造方法は、いわゆるセミアディティブ法により行われることが知られている。
特開２０１５－２２５６５０号公報 特開２０１５－６５３７６号公報
　しかしながら、金属細線を有する導電性フィルムは、金属細線の視認性が問題となる。すなわち、タッチパネルを備えるディスプレイを使用する場合、使用者は、ディスプレイから数十ｃｍの距離からディスプレイを見ることになる。このとき、金属細線が使用者から視認されないようにするため、金属細線の線幅をより細くすることが求められている。
　例えば、現在上市されている金属細線を有する導電性フィルムは、金属細線の線幅が５μｍ程度であるが、視認性の観点から金属細線の線幅を２．０μｍ以下にすることが求められる。
　本発明者らが、特許文献１および２に記載されている技術について検討を行ったところ、第１金属膜上に形成されたレジスト膜形成用組成物層を露光する際に、マスク（開口の線幅１．５μｍ以下）を使用すると、露光および現像後に得られるレジスト膜の開口の線幅が大きくなりすぎてしまう場合があることを知見した。このように、レジスト膜の開口の線幅が大きくなりすぎると、レジスト膜の開口内に形成される第２金属膜の線幅も大きくなり、結果として、線幅２．０μｍ以下の金属細線を得ることが困難になる。
　そこで、本発明は、線幅２．０μｍ以下の金属細線を形成できる導電性フィルムの製造方法を提供することを目的とする。また、本発明は、導電性フィルム、タッチパネルセンサー、アンテナ、指紋認証部、および、タッチパネルを提供することも目的とする。
　本発明者らは、上記課題について鋭意検討した結果、線幅１．５μｍ以下の開口が形成されたマスクを用いた際に、マスクと第１金属膜との距離が１．５μｍ以下となるようにマスクを配置することで、線幅２．０μｍ以下の金属細線が得られることを見出し、本発明に至った。
　すなわち、本発明者らは、以下の構成により上記課題が解決できることを見出した。
［１］
　基板上に第１金属膜を形成する工程と、
　上記第１金属膜上にレジスト膜形成用組成物を塗布して、レジスト膜形成用組成物層を形成する工程と、
　線幅１．５μｍ以下の開口が形成されたマスクと、上記第１金属膜と、の距離が１．５μｍ以下となるように、上記レジスト膜形成用組成物層の上に上記マスクを配置する工程と、
　上記マスクを介して、上記レジスト膜形成用組成物層の露光処理を平行光露光機によって行う工程と、
　上記レジスト膜形成用組成物層の露光領域を除去する現像処理を行って、開口が形成されたレジスト膜を得る工程と、
　上記レジスト膜の開口内であって、上記第１金属膜上に、第２金属膜を形成する工程と、
　上記レジスト膜を除去する工程と、
　上記第２金属膜をマスクとして、上記第１金属膜の一部を除去して、金属細線から構成される導電部を形成する工程と、
を含む、導電性フィルムの製造方法。
［２］
　上記第２金属膜が電解めっき法により形成される、［１］に記載の導電性フィルムの製造方法。
［３］
　上記レジスト膜形成用組成物層の膜厚が１．５μｍ以下である、［１］または［２］に記載の導電性フィルムの製造方法。
［４］
　上記レジスト膜形成用組成物層の膜厚が１．０μｍ以下である、［１］～［３］のいずれか１つに記載の導電性フィルムの製造方法。
［５］
　上記レジスト膜形成用組成物層が光酸発生剤を含み、
　上記光酸発生剤が、２００～４００ｎｍの波長領域に感光性を有する、［１］～［４］のいずれか１つに記載の導電性フィルムの製造方法。
［６］
　上記マスクが上記レジスト膜形成用組成物層と接するように配置される、［１］～［５］のいずれか１つに記載の導電性フィルムの製造方法。
［７］
　基板と、
　上記基板上に形成された、線幅２．０μｍ以下の金属細線から構成される導電部と、
を有する、導電性フィルム。
［８］
　上記金属細線が、２以上の積層構造を有する、［７］に記載の導電性フィルム。
［９］
　［７］または［８］に記載の導電性フィルムを有する、タッチパネルセンサー。
［１０］
　［７］または［８］に記載の導電性フィルムを有する、アンテナ。
［１１］
　［７］または［８］に記載の導電性フィルムを有する、指紋認証部。
［１２］
　［９］に記載のタッチパネルセンサーを有する、タッチパネル。
［１３］
　［１０］に記載のアンテナを有する、タッチパネル。
［１４］
　［１１］に記載の指紋認証部を有する、タッチパネル。
　以下に示すように、本発明によれば、線幅２．０μｍ以下の金属細線を形成できる導電性フィルムの製造方法を提供することができる。また、本発明によれば、導電性フィルム、タッチパネルセンサー、アンテナ、指紋認証部、および、タッチパネルを提供することができる。
第１金属膜形成工程を説明するための概略断面図である。 レジスト膜形成用組成物層形成工程を説明するための概略断面図である。 マスク配置工程を説明するための概略断面図である。 露光処理工程を説明するための概略断面図である。 レジスト膜形成工程を説明するための概略断面図である。 第２金属膜形成工程を説明するための概略断面図である。 レジスト膜除去工程を説明するための概略断面図である。 導電部形成工程を説明するための概略断面図である。 導電性フィルムの一実施形態の上面図である。 図２Ａ中のＡ－Ａ断面における断面図である。 導電性フィルム中の導電部の一部拡大図である。 金属細線の一部拡大断面図である。
　以下に、本発明について説明する。
　以下に記載する構成要件の説明は、本発明の代表的な実施態様に基づいてなされることがあるが、本発明はそのような実施態様に限定されるものではない。
　なお、本発明において「～」を用いて表される数値範囲は、「～」の前後に記載される数値を下限値および上限値として含む範囲を意味する。
　また、本明細書中における「活性光線」または「放射線」とは、例えば、水銀灯の輝線スペクトル、およびエキシマレーザーに代表される遠紫外線、極紫外線（ＥＵＶ：Extreme ultraviolet lithography光）、Ｘ線、並びに電子線等を意味する。また本明細書において光とは、活性光線および放射線を意味する。本明細書中における「露光」とは、特に断らない限り、水銀灯、およびエキシマレーザーに代表される遠紫外線、Ｘ線、並びにＥＵＶ光等による露光のみならず、電子線およびイオンビーム等の粒子線による描画も包含する。
　本発明の導電性フィルムの製造方法の特徴の１つとしては、線幅１．５μｍ以下の開口が形成されたマスクと、第１金属膜と、の距離が１．５μｍ以下となるように、レジスト膜形成用組成物層の上にマスクを配置する工程を含むことが挙げられる。
　本発明者らは、線幅２．０μｍ以下の微細な金属細線を得るために、マスクの開口の線幅を１．５μｍ以下にした場合、平行光露光機の光源から照射された光がマスクの開口を通過した直後に回折して、光がレジスト膜形成用組成物層に達するまでに拡散してしまうことを知見した。これにより、レジスト膜形成用組成物層の露光領域の線幅が大きくなり、現像後に得られるレジスト膜の開口の線幅が大きくなりすぎてしまう。その結果、レジスト膜の開口幅に対応する金属細線の線幅が２．０μｍを超えてしまうと考えられる。
　このような現象について、本発明者らが鋭意検討したところ、マスクと第１金属膜との距離を１．５μｍ以下にすることで、露光時の光の回折を抑制でき、得られる金属細線の線幅を２．０μｍ以下にできることを見出した。
　以下では、まず、本発明の実施形態に係る導電性フィルムの製造方法について説明し、その後、本発明の実施形態に係る導電性フィルムについて説明する。
［導電性フィルムの製造方法］
　本発明の導電性フィルムの製造方法は、以下の工程を含む。
（１）基板上に第１金属膜を形成する工程（第１金属膜形成工程）、
（２）上記第１金属膜上にレジスト膜形成用組成物を塗布して、レジスト膜形成用組成物層を形成する工程（レジスト膜形成用組成物層形成工程）、
（３）線幅１．５μｍ以下の開口が形成されたマスクと、上記第１金属膜と、の距離が１．５μｍ以下となるように、上記レジスト膜形成用組成物層の上に上記マスクを配置する工程（マスク配置工程）
（４）上記マスクを介して、上記レジスト膜形成用組成物層の露光処理を平行光露光機によって行う工程（露光処理工程）
（５）上記レジスト膜形成用組成物層の露光領域を除去する現像処理を行って、開口が形成されたレジスト膜を得る工程（レジスト膜形成工程）
（６）上記レジスト膜の開口内であって、上記第１金属膜上に、第２金属膜を形成する工程（第２金属膜形成工程）
（７）上記レジスト膜を除去する工程（レジスト膜除去工程）
（８）上記第２金属膜をマスクとして、上記第１金属膜の一部を除去して、金属細線から構成される導電部を形成する工程（導電部形成工程）
　以下、上記各工程の手順について、図１Ａ～図１Ｈを参照しながら詳述する。
〔第１金属膜形成工程〕
　図１Ａは、第１金属膜形成工程を説明するための概略断面図である。第１金属膜形成工程を実施することで、第１金属膜１１が基板１０１上に形成される。
　後述する図１Ｈに示すように、第１金属膜１１にエッチング処理を施すことにより、第１金属層２０１が得られる。
　第１金属膜１１は、シード層および／または下地金属層（下地密着層）として機能する。
　なお、図１Ａの例では、第１金属膜１１が一層である場合を示したが、これに限定されない。例えば、第１金属膜１１は、２以上の層が積層されてなる積層構造体であってもよい。第１金属膜１１が積層構造体である場合、基板１０１側にある下層が下地金属層（下地密着層）として機能することが好ましく、第２金属膜１３側にある上層がシード層として機能することが好ましい。
〔基板〕
　基板１０１は、導電部１０２（後述）を支持するものであれば、その種類は特に制限されない。基板１０１としては、可撓性を有する基板（好ましくは絶縁基板）が好ましく、樹脂基板がより好ましい。
　基板１０１としては、可視光（波長４００～８００ｎｍ）の光を６０％以上透過することが好ましく、８０％以上透過することが好ましく、９０％以上透過することが好ましく、９５％以上透過することがより好ましい。
　樹脂基板を構成する材料としては、例えば、ポリエーテルスルホン系樹脂、ポリアクリル系樹脂、ポリウレタン系樹脂、ポリエステル系樹脂（ポリエチレンテレフタレート、および、ポリエチレンナフタレート等）、ポリカーボネート系樹脂、ポリスルホン系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリアリレート系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、セルロース系樹脂、ポリ塩化ビニル系樹脂、および、シクロオレフィン系樹脂等が挙げられる。なかでも、シクロオレフィン系樹脂が好ましい。
　基板１０１の厚みとしては、特に制限されないが、取り扱い性および薄型化のバランスの点から、０．０５～２ｍｍが好ましく、０．１～１ｍｍがより好ましい。
　また、基板１０１は複層構造であってもよく、例えば、その１つの層として機能性フィルムを有してもよい。なお、基板自体が機能性フィルムであってもよい。
〔第１金属膜〕
　第１金属膜１１に含まれる金属としては特に制限されず、公知の金属を用いることができる。
　第１金属膜１１は、例えば、銅、クロム、鉛、ニッケル、金、銀、すず、および、亜鉛等の金属、並びに、これらの金属の合金を含有していてもよい。
　第１金属膜１１に含まれる主成分（いわゆる、主金属）としては、例えば、銅、クロム、鉛、ニッケル、金、銀、すず、および、亜鉛が挙げられる。なお、上記主成分とは、第１金属膜１１中に含まれる金属のうち、最も含有量が大きい金属を意図する。また、第１金属膜１１が積層構造体である場合には、主成分は層毎に決定される。
　なかでも、第１金属膜１１の下地金属層としての機能がより優れる観点からは、第１金属膜１１はクロムまたはその合金を含有することが好ましい。また、第１金属膜１１の下地金属層としての機能がより優れる観点から、第１金属膜１１の主成分はクロムであることが好ましい。
　一方、第１金属膜１１のシード層としての機能がより優れる観点（すなわち、後述する第２金属膜１３を構成する材料との親和性により優れる観点）からは、第１金属膜１１の主成分は、後述する第２金属膜１３の主成分と同一であることが好ましい。また、第１金属膜１１のシード層としての機能がより優れる観点から、第１金属膜１１の主成分は銅であることが好ましい。
　第１金属膜１１中の主成分を構成する金属の含有量としては特に制限されないが、一般に、１０～１００質量％が好ましく、２０～１００質量％がより好ましい。
　第１金属膜１１の厚みとしては特に制限されないが、一般に、１００ｎｍ以下が好ましく、７０ｎｍ以下がより好ましい。
　第１金属膜１１の厚みの下限値は特に限定されないが、金属細線１０３がより優れた基板１０１への密着性を有するという点から、３ｎｍ以上であることが好ましい。
　第１金属膜１１が２以上の層が積層されてなる積層構造体である場合には、各層の厚みは、５０ｎｍ以下が好ましく、２０ｎｍ以下がより好ましい。各層の膜厚の下限値は、３ｎｍ以上であることが好ましい。
　第１金属膜１１の形成方法としては特に制限されず、公知の形成方法を用いることができる。なかでも、より緻密な構造を有する層を形成し易い点で、スパッタリング法、または、蒸着法が好ましい。
〔レジスト膜形成用組成物層形成工程〕
　図１Ｂは、レジスト膜形成用組成物層形成工程を説明するための概略断面図である。レジスト膜形成用組成物層形成工程を実施することで、レジスト膜形成用組成物層２０が第１金属膜１１上に形成される。
　第１金属膜１１上にレジスト膜形成用組成物を塗布する方法としては特に制限されず、公知の塗布方法を用いることができ、例えば、スピンコート法、スプレー法、ローラーコート法、および、浸漬法等が挙げられる。
　レジスト膜形成用組成物は、公知のポジ型の感放射線性組成物をいずれも用いることができるが、２００～４００ｎｍの波長領域に感光性を有する光酸発生剤を含有するレジスト膜形成用組成物を用いることが好ましい。これにより、半導体のレジスト膜の露光に使用される露光機と比較して、安価な平行光露光機を利用しつつ、微細なパターンを形成できるという利点がある。
　２００～４００ｎｍの波長領域に感光性を有する光酸発生剤としては、例えば、特開平５－８０５１３号公報の段落００２６～００６１に記載の光酸発生剤などが挙げられる。なお、光酸発生剤とは、光の照射によって酸を発生する化合物のことをいう。
　レジスト膜形成用組成物層２０の屈折率は、１．５以上が好ましく、１．６以上が好ましい。なお、屈折率の上限値は特に制限されないが、一般的に、２．０以下である。このように、レジスト膜形成用組成物層２０の屈折率が高い（１．５以上）と、露光時における光の回折の程度が弱くなるので、後述するレジスト膜２１の開口２２の線幅Ｗ２を所望の大きさにすることがより容易になる。特に、マスク３０とレジスト膜形成用組成物層２０とが接した状態で露光処理工程が行われる場合（後述）には、上記効果がより一層発揮される。
　本明細書において、各部材の屈折率は、エリプソメトリーを使用し、測定波長３８０ｎｍにて測定される。
　第１金属膜１１上にレジスト膜形成用組成物層２０を形成後、レジスト膜形成用組成物層２０を加熱してもよい。加熱により、レジスト膜形成用組成物層２０に残留する不要な溶剤の除去を促進して、レジスト膜形成用組成物層２０を均一な状態とすることができる。
　レジスト膜形成用組成物層２０を加熱する方法としては特に制限されないが、例えば、基板１０１を加熱する方法が挙げられる。
　上記加熱の温度としては特に制限されないが、一般に４０～１６０℃が好ましい。
　レジスト膜形成用組成物層２０の膜厚は、乾燥後の膜厚として、０．３～１．５μｍが好ましく、０．５～１．４μｍがより好ましく、０．８～１．４μｍがさらに好ましい。上記膜厚が１．５μｍ以下であることで、後述する第１金属膜１１とマスク３０との距離をより接近させることができるので、金属細線１０３の線幅を２．０μｍ以下にすることが容易になる。
〔マスク配置工程〕
　図１Ｃは、マスク配置工程を説明するための概略断面図である。本工程によって、開口３２が形成されたマスク３０は、第１金属膜１１からの距離が１．５μｍ以下の位置であって、上記レジスト膜形成用組成物層２０の上に配置される。
　マスク３０の開口３２の線幅Ｗ１は、１．５μｍ以下であり、要求される金属細線１０３の線幅に応じて適宜設定でき、例えば、１．０μｍ以下にしてもよい。線幅Ｗ１の下限値は、特に制限されないが、０．３μｍ以上が好ましい。
　なお、マスク３０の開口３２は、金属細線１０３が形成される領域に対応して形成され、通常、開口３２は金属細線１０３の形状に対応する細線部分を有する。
　マスク３０の開口３２の線幅Ｗ１とは、開口３２の細線部分の延在方向に直交する方向での細線の幅を意図する。
　マスク３０と第１金属膜１１との距離Ｄ１は、１．５μｍ以下であるが、露光時の光の回折をより低減し、金属細線１０３の線幅がマスク３０の開口３２の線幅Ｗ１に近くなるという点から、１．２μｍ以下が好ましく、１．１μｍ以下がより好ましく、１．０μｍ以下がさらに好ましい。
　また、マスク３０と第１金属膜１１との距離Ｄ１の下限値は、レジスト膜形成用組成物層２０の膜厚に応じて設定できる。すなわち、距離Ｄ１の下限値は、レジスト膜形成用組成物層２０の膜厚の値以上になる。
　ここで、マスク３０と第１金属膜１１との距離Ｄ１は、具体的には、第１金属膜１１のレジスト膜形成用組成物層２０が形成される面１１ａと、第１金属膜１１の面１１ａと向かい合うマスク３０の面３０ａと、の最短距離を指す。
　マスク３０は、レジスト膜形成用組成物層２０と接するように配置されることが好ましい。この場合、距離Ｄ１は、レジスト膜形成用組成物層２０の膜厚と同じである。このように、マスク３０とレジスト膜形成用組成物層２０とが接していると、後述する露光処理工程におけるレジスト膜形成用組成物層２０の露光領域２０ａの線幅が大きくなりすぎることを抑制できるので、所望の線幅の金属細線１０３が容易に得られる。
　マスク３０とレジスト膜形成用組成物層２０とは、真空下で密着させてもよい。真空下で密着させる方法としては、例えば、公知の真空機構（例えばロータリーポンプなどの真空ポンプ）を有する装置を用いて行うことができる。
　ここで、真空とは、標準大気圧より圧力が低い状態を表す負圧を含む概念である。具体的には、本発明における真空時の圧力としては、２００Ｐａ以下であることが好ましく、１５０Ｐａ以下であることがより好ましく、０．０１～１００Ｐａであることがさらに好ましい。
　マスク３０の開口３２の形状は、金属細線１０３に応じた形状を有する。例えば、メッシュ状に配置された金属細線１０３を形成する場合、メッシュ状に配置された開口３２を有するマスク３０を用いればよい。
　マスク３０の種類としては、例えば、石英マスク、ガラスマスク（例えば、ガラスの表面がクロム膜で被覆されたクロムマスク、および、ガラスの表面がゼラチンとハロゲン化銀とを含む膜で被覆されたエマルジョンマスクなども含む。）、および、フィルムマスク（ポリエステルフィルム）などが挙げられる。
　マスク３０の屈折率と、レジスト膜形成用組成物層２０の屈折率と、の差（屈折率差）の絶対値は、小さい方が好ましい。これにより、マスク３０とレジスト膜形成用組成物層２０との屈折率差に起因する光の回折をより抑制できるので、後述するレジスト膜２１の開口２２の線幅Ｗ２を所望の大きさにすることがより容易になる。特に、マスク３０とレジスト膜形成用組成物層２０とが接した状態で露光処理工程が行われる場合には、上記効果がより一層発揮される。
　具体的には、屈折率差の絶対値は、０～０．２が好ましく、０～０．１５がより好ましい。
〔露光処理工程〕
　図１Ｄは、露光処理工程を説明するための概略断面図である。本工程によって、光Ｌがマスク３０の開口３２を通過するので、露光領域２０ａは露光され、未露光領域２０ｂは露光されない。
　露光処理は、平行光露光機を用いて行われる。これにより、露光処理における光の回折をより抑制できるという利点がある。
　平行光露光機の光源としては、例えば、水銀灯、ハロゲンランプ、メタルハライドランプ、キセノンランプ、ケミカルランプおよびカーボンアーク灯等が挙げられる。また、電子線、Ｘ線、イオンビームおよび遠赤外線なども使用可能である。これらの中でも、光源として水銀灯またはハロゲンランプを用いることが好ましい。
　マスク３０とレジスト膜形成用組成物層２０とが接した状態で露光処理工程が行われた場合、第１金属膜１１とレジスト膜形成用組成物層２０との密着力は、マスク３０とレジスト膜形成用組成物層２０との密着力よりも大きいことが好ましい。これにより、マスク３０をレジスト膜形成用組成物層２０から剥離する際に、レジスト膜形成用組成物層２０がマスク３０に残らず、マスク３０の再利用性が高まる。また、金属細線１０３が断線することも抑制できる。
〔レジスト膜形成工程〕
　図１Ｅは、レジスト膜形成工程を説明するための概略断面図である。本工程により、露光領域２０ａに存在するレジスト膜形成用組成物層２０が除去されて、未露光領域２０ｂに存在するレジスト膜形成用組成物層２０が第１金属膜１１上に残る。すなわち、第１金属膜１１上には、露光領域２０ａに対応する開口２２が形成されたレジスト膜２１が形成される。
　露光後のレジスト膜形成用組成物層２０を現像する方法としては特に制限されず、公知の現像方法を用いることができる。
　公知の現像方法としては、例えば、有機溶剤を含有する現像液、または、アルカリ現像液を用いる方法が挙げられる。
　現像方法としては、例えば、ディップ法、パドル法、スプレー法、および、ダイナミックディスペンス法等が挙げられる。
　現像後のレジスト膜２１は、リンス液を用いて洗浄してもよい。リンス液としては特に制限されず、公知のリンス液を用いることができる。リンス液としては、有機溶剤、および、水等が挙げられる。
　レジスト膜２１の開口２２の形状は、マスク３０の開口３２に応じた形状、すなわち、金属細線１０３に応じた形状を有する。例えば、メッシュ状に配置された金属細線１０３を形成する場合、レジスト膜２１の開口３２は、メッシュ状に配置される。
　開口２２の線幅Ｗ２は、２．０μｍ以下であることが好ましく、１．５μｍ以下がより好ましく、１．０μｍ以下がさらに好ましい。開口２２の線幅Ｗ２が２．０μｍ以下であると、金属細線１０３の線幅もこれに対応して２．０μｍ以下にすることが容易になる。
　レジスト膜２１の開口２２の線幅Ｗ２とは、開口２２の細線部分の延在方向に直交する方向での細線の幅を意図する。
　レジスト膜２１の膜厚は、上述したレジスト膜形成用組成物層２０と同様であるので、その説明を省略する。
〔第２金属膜形成工程〕
　図１Ｆは、第２金属膜形成工程を説明するための概略断面図である。本工程により、レジスト膜２１の開口２２内であって、第１金属膜１１上に、第２金属膜１３が形成される。図１Ｆに示すように、第２金属膜１３は、レジスト膜２１の開口２２を埋めるように形成される。
　第２金属膜１３は、めっき法により形成されることが好ましい。
　めっき法としては、公知のめっき法を用いることができる。具体的には、電解めっき法および無電解めっき法が挙げられ、生産性の点から、電解めっき法が好ましい。
　第２金属膜１３に含まれる金属としては特に制限されず、公知の金属を用いることができる。
　第２金属膜１３は、例えば、銅、クロム、鉛、ニッケル、金、銀、すず、および、亜鉛等の金属、並びに、これらの金属の合金を含有していてもよい。
　なかでも、第２金属膜１３は、金属細線１０３の導電性がより優れる点で、銅またはその合金を含有することが好ましい。また、金属細線１０３の導電性がより優れる点で、第２金属膜１３の主成分は、銅であることが好ましい。
　第２金属膜１３中の主成分を構成する金属の含有量としては、特に制限されないが、一般に、８０～１００質量％が好ましく９０～１００質量％がより好ましい。
　第２金属膜１３の線幅は、レジスト膜２１の開口２２に対応する線幅を有しており、具体的には、２．０μｍ以下が好ましく、１．５μｍ以下がより好ましく、１．０μｍ以下がさらに好ましい。第２金属膜１３の線幅の下限値としては特に制限されないが、一般に０．３μｍ以上が好ましい。
　第２金属膜１３の線幅とは、第２金属膜１３の細線部分の延在方向に直交する方向での細線の幅を意図する。
　第２金属膜１３の厚みとしては特に制限されないが、一般に、０．１～１μｍが好ましく、０．３～１μｍがより好ましい。
〔レジスト膜除去工程〕
　図１Ｇは、レジスト膜除去工程を説明するための概略断面図である。本工程により、レジスト膜２１が除去されて、基板１０１、第１金属膜１１および第２金属膜１３がこの順に形成された積層体が得られる。
　レジスト膜２１を除去する方法としては特に制限されず、公知のレジスト膜除去液を用いてレジスト膜２１を除去する方法が挙げられる。
　レジスト膜除去液としては例えば、有機溶剤、および、アルカリ溶液等が挙げられる。
　レジスト膜除去液をレジスト膜２１に接触させる方法としては、特に制限されないが、例えば、ディップ法、パドル法、スプレー法、および、ダイナミックディスペンス法等が挙げられる。
〔導電部形成工程〕
　図１Ｈは、導電部形成工程を説明するための概略断面図である。本工程によれば、第２金属膜１３が形成されていない領域である第１金属膜１１の一部が除去されて、基板１０１上に金属細線１０３が積層されてなる導電性フィルム１００が得られる。なお、金属細線１０３は、後述する導電部１０２を構成する。
　金属細線１０３は、第１金属膜１１に対応する第１金属層２０１と、第２金属膜１３に対応する第２金属層２０３と、を有する。第１金属層２０１と、第２金属層２０３とは、基板１０１側からこの順に積層されてなる。
　第１金属膜１１の一部を除去する方法としては、特に限定されないが、公知のエッチング液を用いることができる。
　公知のエッチング液としては、例えば、塩化第二鉄溶液、塩化第二銅溶液、アンモニアアルカリ溶液、硫酸－過酸化水素混合液、および、リン酸－過酸化水素混合液等が挙げられる。これらの中から、第１金属膜１１が第２金属膜１３よりも溶解しやすく、第２金属膜１３が第１金属膜１１よりも溶解しにくいものを適宜選択すればよい。
　なお、上述したように第１金属膜１１が積層構造体である場合には、層毎にエッチング液を変えて、多段階のエッチングを行ってもよい。
　第１金属層２０１の線幅は、２．０μｍ以下が好ましく、１．５μｍ以下がより好ましく、１．０μｍ以下がさらに好ましい。第１金属層２０１の線幅の下限値としては特に制限されないが、一般に０．３μｍ以上が好ましい。
　第１金属層２０１の線幅とは、第１金属層２０１の細線部分の延在方向に直交する方向での細線の幅を意図する。
　第２金属層２０３の線幅は、上述した第２金属膜１３の線幅と同様であるので、その説明を省略する。
　金属細線１０３の線幅は、２．０μｍ以下であり、１．５μｍ以下が好ましく、１．０μｍ以下がより好ましい。金属細線１０３の線幅の下限値としては特に制限されないが、一般に０．３μｍ以上が好ましい。
　金属細線１０３の線幅が２．０μｍ以下であると、例えば、導電性フィルムをタッチパネルセンサーに適用した際、タッチパネルの使用者が、金属細線１０３をより視認しにくい。
　なお、金属細線１０３の線幅とは、金属細線１０３の幅方向の断面（金属細線の延在方向と直交する断面）において、第１金属層２０１および第２金属層２０３の線幅のうち最大の線幅を意図する。
　なお、金属細線１０３の線幅は、金属細線１０３を基板１０１ごと樹脂に包埋し、幅方向（金属細線１０３の延在方向と直交する方向）で、ウルトラミクロトームを用いて切断し、得られた断面に炭素を蒸着した後、走査型電子顕微鏡（日立ハイテクノロジーズ社製　Ｓ－５５０型）を用いて観察して、測定される線幅を意図する。また、金属細線１０３を構成する第１金属層２０１および第２金属層２０３（第２金属膜１３）の線幅も同様である。
［導電性フィルム］
　本発明の導電性フィルムは、基板と、上記基板上に形成された、線幅２．０μｍ以下の金属細線から構成される導電部と、を有する。本発明の導電性フィルムは、上述した導電性フィルムの製造方法を用いて得ることができる。
　導電性フィルムにおいて、導電部は、通常、複数の金属細線により構成される。なお、例えば、導電性フィルムをタッチパネルセンサー用として用いる場合には、導電部を透明電極および／または引き出し配線として用いることができる。
　以下、本発明の導電性フィルムについて、図面を参照しながら説明する。
　図２Ａは、上記導電性フィルムの一実施形態の上面図であり、図２ＢはそのＡ－Ａ断面における断面図である。図３は、導電性フィルム中の導電部の一部拡大図である。
　図２Ａ、および、図２Ｂに示すように、導電性フィルム１００は、基板１０１、および、基板１０１の一方の面上に配置された導電部１０２を有する。
　なお、図２Ａ、および、図２Ｂにおいては、平面状の形状を有する導電性フィルムの形態を示したが、導電性フィルムとしては上記に制限されない。導電性フィルムは３次元形状（立体形状）を有していてもよい。３次元形状としては、例えば、曲面を有する３次元形状が挙げられ、より具体的には、半球状、かまぼこ形状、波形形状、凸凹形状、および、円柱状等が挙げられる。
　また、図２Ａ、および、図２Ｂには、導電部１０２は基板１０１の一方の面上に配置されているが、この形態には制限されない。例えば、基板１０１の両方の面上に導電部１０２が配置されていてもよい。
　また、図２Ａ、および、図２Ｂには、導電部１０２は、６本ストライプ状に配置されているが、この形態には制限されず、どのような配置パターンであってもよい。
　図３は、導電部１０２の一部拡大上面図であり、導電部１０２は、複数の金属細線１０３により構成され、交差する金属細線１０３による複数の開口１０４が形成されたメッシュ状のパターンを有する。
　金属細線１０３の線幅については、導電性フィルムの製造方法で説明した通りであるので、その説明を省略する。
　開口１０４の一辺の長さＸは、１０～５００μｍが好ましく、２５～１００μｍが好ましい。
　図３においては、開口１０４は、略ひし形の形状を有している。但し、その他、多角形状（例えば、三角形、四角形、六角形、および、ランダムな多角形）としてもよい。また、一辺の形状を直線状の他、湾曲形状にしてもよいし、円弧状にしてもよい。円弧状とする場合は、例えば、対向する２辺については、外方に凸の円弧状とし、他の対向する２辺については、内方に凸の円弧状としてもよい。また、各辺の形状を、外方に凸の円弧と内方に凸の円弧が連続した波線形状としてもよい。もちろん、各辺の形状を、サイン曲線にしてもよい。
　なお、図３においては、導電部１０２はメッシュ状のパターンを有するが、この形態には制限されない。
　図４は、金属細線１０３の断面図であり、導電性フィルムの製造方法において説明した図１Ｈと同様の構造であるため、その説明を省略する。
〔用途〕
　本発明の導電性フィルムは、種々の用途に用いることができる。例えば、各種電極フィルム、発熱シート、および、プリント配線基板が挙げられる。なかでも、導電性フィルムは、タッチパネルセンサーに用いられることが好ましく、静電容量方式のタッチパネルセンサーに用いられることがより好ましい。上記導電性フィルムをタッチパネルセンサーとして含むタッチパネルでは、金属細線が視認しづらい。
　なお、タッチパネルの構成としては、例えば、特開２０１５－１９５００４号公報の段落００２０～００２７に記載のタッチパネルモジュール等が挙げられ、上記内容は本明細書に組み込まれる。
　また、本発明の導電性フィルムは、アンテナおよび指紋認証部の少なくとも一方に用いることも好ましい。この場合、具体的には、アンテナおよび指紋認証部を構成する導電部材として、本発明の導電性フィルムが適用される。
　本発明の導電性フィルムは、２．０μｍ以下という微細な線幅の金属細線を有するため、感度に優れるアンテナおよび指紋認証部が得られる。
　アンテナおよび指紋認証部は、タッチパネルが有する部材であることが好ましい。アンテナを有するタッチパネルの構成としては、例えば、実用新案登録第３１７１９９４号公報に記載の多機能タッチパネル等が挙げられ、上記内容は本明細書に組み込まれる。また、指紋認証部を有するタッチパネルの構成としては、特開２０１６－００６６４８号公報に記載の指紋認証機能を有するタッチパネル等が挙げられ、上記内容は本明細書に組み込まれる。
　また、タッチパネルがタッチパネルセンサー、アンテナおよび指紋認証部を有する場合、これらの全てについて本発明の導電性フィルムを適用してもよい。
　以下に実施例に基づいて本発明をさらに詳細に説明する。以下の実施例に示す材料、使用量、割合、処理内容、および、処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更することができる。従って、本発明の範囲は以下に示す実施例に制限されない。
　また、特に断らない限り、部、および、％は質量基準を意図する。
［導電性フィルムの製造］
　以下のようにして、実施例および比較例の各導電性フィルムを作製した。
　基板（ＣＯＰフィルム（シクロオレフィンポリマーフィルム）、厚み８０μｍ）上に、スパッタリング装置を用いて、Ｃｒを１０ｎｍの厚みになるよう成膜して、下地金属層を得た。引き続き、下地金属層上にＣｕを５０ｎｍの厚みになるよう成膜して、シード層を得た。以下において、下地金属層およびシード層の積層構造体を「第１金属膜」ともいう。
　次にレジスト膜形成用組成物（富士フイルム社製、「ＦＨｉ－６２２ＢＣ」、粘度１１ｍＰａ・ｓ）を、乾燥厚みが１μｍとなるように、スピンコーターの回転数を調整して、第１金属膜上（シード層上）に塗布し、１００℃で１分間乾燥させて、レジスト膜形成用組成物層（膜厚：第１表参照）を得た。
　次に、第１表に記載の所定線幅の開口が形成されたフォトマスクを準備し、フォトマスクと第１金属膜との距離が第１表に記載の通りになるように、フォトマスクをレジスト膜形成用組成物層上に配置した。なお、フォトマスクの開口の形状は、直線状である。
　その後、ポジ型のレジスト膜形成用組成物層に対し、フォトマスクを介し、平行光露光機を用いて２００～４００ｎｍの波長の光（光源　ハロゲンランプ、露光量　１６ｍＷ／ｃｍ２）を２秒間照射し、１００℃で１分間加熱（ポストベーク）して、露光後のレジスト膜形成用組成物層を得た。
　次に、露光後のレジスト膜形成用組成物層を、０．５Ｍ水酸化ナトリウム水溶液で現像し、開口の形成されたレジスト膜（膜厚：レジスト膜形成用組成物層と同じ）を得た。なお、レジスト膜の開口は、露光領域に対応する。
　上記手順により作製した、基板と、第１金属膜と、開口の形成されたレジスト膜と、をこの順に備える積層体に対して、硫酸銅ハイスロー浴（添加剤としてトップルチナＨＴ－ＡとトップルチナＨＴ－Ｂとを含有する。いずれも奥野製薬工業社製）を用いて、電気めっきを施した。電気めっきの条件としては、電流密度は３Ａ／ｄｍ２、導通時間は２０秒間とした。電気めっきにより、レジスト膜の開口内であって、第１金属膜上に、直線状の第２金属膜が形成された。なお、第２金属膜の厚みは、３００ｎｍであった。
　次に、１Ｍ水酸化ナトリウム水溶液を用いて、レジスト膜を積層体から剥離した。
　次に、第２金属膜をエッチングマスクにして、第１金属膜のエッチングを行った。具体的には、第２金属膜をエッチングマスクにして、シード層に対するエッチングレートが２００ｎｍ／ｍｉｎとなるよう濃度を調整したＣｕエッチング液（和光純薬工業社製、「Ｃｕエッチャント」）を用いて、シード層における第２金属膜が形成されていない領域をエッチングした。続いて、第２金属膜およびシード層をエッチングマスクにして、Ｃｒエッチング液（日本化学産業社製、「アルカリ性クロムエッチング液」。なお、下地金属層に対するエッチングレートは１００ｎｍ／ｍｉｎだった。）を用いて、下地金属層における第２金属膜およびシード層の形成されていない領域をエッチングした。このようにして、基板と、基板上に形成された金属細線と、を有する実施例および比較例の導電性フィルムを得た。なお、金属細線は、基板側から、第１金属膜に対応する第１金属層と、第２金属膜に対応する第２金属層と、の順に形成された積層構造体である。
［評価試験］
〔金属細線の線幅〕
　上記の方法により作製した実施例および比較例の導電性フィルムについて、金属細線の線幅を以下の方法により測定した。
　まず、導電性フィルムを、基板ごと樹脂に包埋し、幅方向（金属細線の延在方向と直交する方向）で、ウルトラミクロトームを用いて切断し、得られた断面に炭素を蒸着した後、走査型電子顕微鏡（日立ハイテクノロジーズ社製　Ｓ－５５０型）を用いて観察した。第１金属層および第２金属層のそれぞれの線幅を測定し、最大の線幅を金属細線の線幅とした。
　測定結果は、第１表にまとめて示した。
［評価結果］
　以上の評価試験の結果を第１表に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　第１表の評価結果によれば、線幅１．５μｍ以下の開口が形成されたマスクと、第１金属膜と、の距離が１．５μｍ以下になるように、レジスト膜形成用組成物層の上にマスクを配置して、露光処理を行った場合（実施例）、金属細線の線幅が２．０μｍ以下にできることが示された。
　実施例１～３と、実施例４～６と、実施例７～９と、の対比から、マスクとレジスト膜形成用組成物層とが接した状態で露光処理が行われると（実施例１～３および実施例７～９）、金属細線の線幅をより小さくできることが示された。
　これに対して、マスクの開口の線幅が１．５μｍ超であること、および、マスクと第１金属膜との距離が１．５μｍ超であること、の少なくとも一方の条件を満たさない場合（比較例）、金属細線の線幅が２．０μｍを超えてしまうことが示された。
１、１００　導電性フィルム
１１　第１金属膜
１１ａ　面
１３　第２金属膜
２０　レジスト膜形成用組成物層
２０ａ　露光領域
２０ｂ　未露光領域
２１　レジスト膜
２２、３２、１０４　開口
３０　マスク
３０ａ　面
１０１　基板
１０２　導電部
１０３　金属細線
２０１　第１金属層
２０３　第２金属層
Ｄ１　距離
Ｗ１、Ｗ２　線幅
Ｌ　光
Ｘ　一辺の長さ

Claims (14)

  1. 　基板上に第１金属膜を形成する工程と、
    　前記第１金属膜上にレジスト膜形成用組成物を塗布して、レジスト膜形成用組成物層を形成する工程と、
    　線幅１．５μｍ以下の開口が形成されたマスクと、前記第１金属膜と、の距離が１．５μｍ以下となるように、前記レジスト膜形成用組成物層の上に前記マスクを配置する工程と、
    　前記マスクを介して、前記レジスト膜形成用組成物層の露光処理を平行光露光機によって行う工程と、
    　前記レジスト膜形成用組成物層の露光領域を除去する現像処理を行って、開口が形成されたレジスト膜を得る工程と、
    　前記レジスト膜の開口内であって、前記第１金属膜上に、第２金属膜を形成する工程と、
    　前記レジスト膜を除去する工程と、
    　前記第２金属膜をマスクとして、前記第１金属膜の一部を除去して、金属細線から構成される導電部を形成する工程と、
    を含む、導電性フィルムの製造方法。
  2. 　前記第２金属膜が電解めっき法により形成される、請求項１に記載の導電性フィルムの製造方法。
  3. 　前記レジスト膜形成用組成物層の膜厚が１．５μｍ以下である、請求項１または２に記載の導電性フィルムの製造方法。
  4. 　前記レジスト膜形成用組成物層の膜厚が１．０μｍ以下である、請求項１～３のいずれか１項に記載の導電性フィルムの製造方法。
  5. 　前記レジスト膜形成用組成物層が光酸発生剤を含み、
    　前記光酸発生剤が、２００～４００ｎｍの波長領域に感光性を有する、請求項１～４のいずれか１項に記載の導電性フィルムの製造方法。
  6. 　前記マスクが前記レジスト膜形成用組成物層と接するように配置される、請求項１～５のいずれか１項に記載の導電性フィルムの製造方法。
  7. 　基板と、
    　前記基板上に形成された、線幅２．０μｍ以下の金属細線から構成される導電部と、
    を有する、導電性フィルム。
  8. 　前記金属細線が、２以上の積層構造を有する、請求項７に記載の導電性フィルム。
  9. 　請求項７または８に記載の導電性フィルムを有する、タッチパネルセンサー。
  10. 　請求項７または８に記載の導電性フィルムを有する、アンテナ。
  11. 　請求項７または８に記載の導電性フィルムを有する、指紋認証部。
  12. 　請求項９に記載のタッチパネルセンサーを有する、タッチパネル。
  13. 　請求項１０に記載のアンテナを有する、タッチパネル。
  14. 　請求項１１に記載の指紋認証部を有する、タッチパネル。
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