TW201826291A - 導電性膜、觸控面板感測器及觸控面板 - Google Patents

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Abstract

本發明的課題在於提供一種可見性優異之導電性膜。又，本發明的課題還在於提供一種觸控面板感測器及觸控面板。本發明的導電性膜具有導電部，前述導電部配置於基板上，且由線寬0.5μm以上且小於2μm的金屬細線構成，其中上述金屬細線形成網格圖案，上述金屬細線的線寬Lμm與上述網格圖案的開口率A%滿足式（I）的關係，在波長550nm下之上述金屬細線的反射率為80%以下，式（I）：70 ≤A＜（10-L/15）2。

Description

導電性膜、觸控面板感測器及觸控面板
本發明是關於一種導電性膜、觸控面板感測器及觸控面板。
在基板上配置有包含金屬細線之導電部之導電性膜使用於各種用途中。例如，近年來，伴隨觸控面板在行動電話或行動遊戲設備等中之搭載率的上升，作為能夠多點檢測之靜電容量方式的觸控面板感測器用，導電性膜的需求迅速擴大。 對如上所述之導電性膜要求優異之導電性及透明性，因此廣泛使用利用銦錫氧化物（ITO）製作出之ITO膜。 此時，從電阻較低、低成本等觀點考慮，作為ITO膜的替代，具有金屬細線之導電性膜受到矚目。
作為如上所述之具有金屬細線之導電性膜，例如專利文獻1中揭示有如下內容：導電部的線寬（conductor trace width）為0.5～5μm，具有開口率（open area fraction）90.5～99.5%的圖案（申請專利範圍1）。 又，專利文獻2中揭示有如下內容：「一種導電片，其特徵為，具有沿一方向排列之複數個導電圖案，上述導電圖案是由金屬細線所形成之複數個第1格子和尺寸大於上述第1格子的金屬細線所形成之複數個第2格子組合而構成，由上述第2格子構成之第2格子部沿上述一方向排列，由上述第1格子構成之第1格子部以與上述第2格子部非連接之狀態配置，前述第1格子部沿與上述一方向大致正交之方向排列，且以既定間隔進行設置。」（申請專利範圍1）。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]美國專利8179381號說明書 [專利文獻2]日本專利第5839541號公報
形成有金屬細線之導電性膜具有上述優點，另一方面，適用於觸控面板時，金屬細線的網格圖案容易被觀察者視覺辨認（可見性的下降）。如此，金屬細線被觀察者視覺辨認之現象有時被稱作為「線可視」或「圖案可視」。 因此，為了提高金屬細線的可見性，可以考慮將金屬細線的線寬減小至專利文獻1及2中所記載之程度之方法。 本發明者等對如專利文獻1及2中所記載之形成有線寬小的金屬細線之導電性膜進行了研究，其結果，得到了金屬細線的可見性無法充分得到改善，有改良的餘地之見解。
本發明的目的在於提供一種可見性優異之導電性膜。又，本發明的目的還在於提供一種觸控面板感測器及觸控面板。
本發明者對上述課題進行了深入研究，其結果，發現藉由金屬細線的線寬與金屬細線所形成之網格圖案的開口率滿足既定的關係，且金屬細線的反射率為既定值以下，可得到可見性優異之導電性膜，並達到了本發明。 亦即，本發明者發現藉由以下構成能夠解決上述課題。
[1]一種導電性膜，其具有導電部，前述導電部配置於基板上，且由線寬0.5μm以上且小於2μm的金屬細線構成，其中 上述金屬細線形成網格圖案， 上述金屬細線的線寬Lμm與上述網格圖案的開口率A%滿足式（I）的關係， 在波長550nm下之上述金屬細線的反射率為80%以下。 式（I）：70≤A＜（10-L/15）2 [2]如上述[1]所述之導電性膜，其中上述開口率A為95.0～99.6%。 [3]如上述[1]或[2]所述之導電性膜，其中在波長550nm下之上述金屬細線的反射率為20～40%。 [4]一種觸控面板感測器，其具有上述[1]至[3]中任一項所述之導電性膜。 [5]一種觸控面板，其具有上述[4]所述之觸控面板感測器。 [發明效果]
如以下所示，依本發明，能夠提供可見性優異之導電性膜。又，依本發明，還能夠提供觸控面板感測器及觸控面板。
以下，對本發明進行詳細說明。 以下所記載之構成要件的說明有時基於本發明的代表性實施態樣而進行，但本發明並不限定於該種實施態樣。 另外，本說明書中，使用「～」表示之數值範圍是指將「～」的前後所記載之數值作為下限值及上限值而包含之範圍。 又，本說明書中之「光化射線」或「放射線」例如是指水銀燈的明線光譜及以準分子雷射為代表之遠紫外線、極紫外線（EUV：Extreme ultraviolet lithography光）、X射線、以及電子束等。又，本說明書中，光是指光化射線及放射線。本說明書中之「曝光」只要沒有特別指定，則不僅包含使用水銀燈及以準分子雷射為代表之遠紫外線、X射線、以及EUV光等進行之曝光，而且還包含使用電子束及離子束等粒子束進行之描畫。
[導電性膜] 參閱圖式對本發明的導電性膜進行說明。另外，以下說明中所使用之各圖式中，為了將各構成要件（構件）在圖式上設為能夠識別之程度的大小，按每個構成要件適當變更縮尺。本發明的導電性膜並不僅限於該等圖式中所記載之構成要件的數量、形狀及大小的比率、以及各構成要件的相對位置關係。
圖1是表示導電性膜3的剖面之局部剖面圖。如圖1所示，導電性膜3具有基板31和配置於基板上之導電部32。 圖1的例子中，在基板31的一個表面上配置有導電部32，但並不限定於此，亦可以在基板31的兩個表面上分別配置有導電部32。 又，圖1的例子中，在基板上31的表面上的一部分上配置有導電部32，但並不限定於此，亦可以在基板31的整個表面上配置有導電部32。
基板31的種類並沒有特別限制，具有可撓性之基板（較佳為絕緣基板）為較佳，樹脂基板為更佳。 作為基板31，使可視光（波長400～800nm）的光透射60%以上為較佳，透射80%以上為更佳，透射90%以上為進一步較佳，透射95%以上為特佳。 作為構成基板31之材料，例如可以舉出聚醚碸系樹脂、聚丙烯酸系樹脂、聚胺酯系樹脂、聚酯系樹脂（聚對苯二甲酸乙二酯及聚萘二甲酸乙二酯等）、聚碳酸酯系樹脂、聚碸系樹脂、聚醯胺系樹脂、聚芳酯系樹脂、聚烯烴系樹脂、纖維素系樹脂、聚氯乙烯系樹脂及環烯烴系樹脂等。其中，環烯烴系樹脂為較佳。 作為基板31的厚度並沒有特別限制，從處理性及薄型化的平衡的觀點考慮，0.05～2mm為較佳，0.1～1mm為更佳。 又，基板31可以是多層結構，例如作為其中1個層，可以具有功能性膜。另外，亦可以是基板31本身為功能性膜。 作為基板31，從能夠達成適合於顯示裝置之低雙折射之觀點考慮，使用延遲較低的膜為較佳，具體而言，延遲是0.1～20nm為較佳。作為該種基板31，可以舉出ARTON膜（商品名稱，JSR Corporation製，環烯烴系樹脂膜）、ZEONOR膜（商品名稱，Zeon Corporation製，環烯烴系樹脂膜）。
圖2是放大了導電性膜3的導電部32之局部放大平面圖。如圖2所示，導電部32由包含金屬細線38之網格圖案形成。具體而言，金屬細線38配置成網格狀（格子狀），網格圖案的開口39藉由金屬細線38分隔。 開口39的一邊的長度X表示相鄰之金屬細線38的配置間隔，本說明書中，亦稱為間距尺寸X。如圖2所示，平面觀察導電部32時，間距尺寸X表示位於正對之金屬細線38之間之開口39的最短寬度。 圖2中，網格圖案的開口39具有大致菱形的形狀。但是，除此以外，開口39的形狀亦可以設為多邊形狀（例如，三角形、四邊形、六邊形及無規則的多邊形）。又，一邊的形狀除了直線狀以外，亦可以設為彎曲形狀，亦可以設為圓弧狀。當設為圓弧狀時，例如關於對向之2個邊，可以設為向外凸的圓弧狀，關於其他對向之2個邊，可以設為向內凸的圓弧狀。又，亦可以將各邊的形狀設為向外凸的圓弧和向內凸的圓弧連續之波浪線形狀。當然，亦可以將各邊的形狀設為正弦曲線。
圖3是放大了金屬細線38之局部放大剖面圖，具體而言，是局部放大了圖2中之A-A線上之剖面之圖。 如圖3所示，在基板31上以間距尺寸X的間隔配置有具有線寬L之金屬細線38。 本發明者等進行了研究，其結果，得到如下見解：藉由金屬細線的線寬L（μm）與網格圖案的開口率A（%）滿足下式（I）的關係，且在波長550nm下之金屬細線的反射率為80%以下，成為金屬細線的可見性優異者（亦即，觀察者難以視覺辨認金屬細線）。 式（I）：70≤A＜（10-L/15）2 式（I）中，L為0.5以上且小於2（亦即，金屬細線38的線寬L為0.5μm以上且小於2μm。）。
在此，開口率A可由間距尺寸X和線寬L進行計算。例如，欲減小開口率A時，將金屬細線38緊密地配置而減小間距尺寸X即可。如此，若開口的間距尺寸X變小，則由於視覺傳遞函數（VTF：Visual Transfer Function）的影響，會發生用人眼難以視覺辨認理應緊密配置之金屬細線之現象。因此，從可見性的觀點考慮，可以說減小開口率A為較佳。 另一方面，發現若線寬L成為2μm以上，則發生疊紋現象，可見性容易下降（亦即，容易視覺辨認網格圖案），基於此，將線寬L設定為小於2μm。 本發明者等基於上述見解，為了提高可見性（亦即，使金屬配線難以視覺辨認）而進行了研究，其結果，發現當線寬L微細至小於2μm時，若將開口率A與線寬L設定為上述式（I）的關係，則能夠提高金屬配線的可見性。 另外，本發明者等反覆進行了研究，其結果，發現藉由在波長550nm下之金屬細線的反射率為80%以下，從金屬細線反射之反射光的總量減少，能夠提高金屬細線的可見性。 如此，認為由滿足式（I）而產生之效果及由將金屬細線的反射率設為既定值以下而產生之效果雙方共同作用而成為金屬細線的可見性優異者。
金屬細線38的線寬L小於2.0μm，1.5μm以下為較佳，1.0μm以下為更佳。金屬細線38的線寬L的下限值為0.5μm以上。 若金屬細線38的線寬L小於2.0μm，則將導電性膜適用於觸控面板感測器時，觸控面板的使用者難以視覺辨認金屬細線38。若金屬細線38的線寬L為0.5μm以上，則導電性膜3的導電性進一步得到提高。 另外，本發明中，金屬細線的線寬L是指，在金屬細線的寬度方向的剖面（與金屬細線的延伸方向正交之剖面）上最大的線寬。 又，金屬細線的線寬L是指，將金屬細線連同基板包埋於樹脂中，在寬度方向（與金屬細線的延伸方向正交之方向）上使用超薄切片機進行切斷，在所得到之剖面上蒸鍍碳之後，使用掃描型電子顯微鏡（Hitachi High-Technologies Corporation製S-550型）進行觀察而測定之線寬。
作為金屬細線38的厚度並沒有特別限制，一般是10～10000nm為較佳，300～1100nm為更佳。若金屬細線38的厚度在上述範圍內，則導電性膜3的導電性及可見性變良好。 金屬細線的厚度是指，將金屬細線連同基板包埋於樹脂中，在寬度方向（與金屬細線的延伸方向正交之方向）上使用超薄切片機進行切斷，在所得到之剖面上蒸鍍碳之後，使用掃描型電子顯微鏡（Hitachi High-Technologies Corporation製S-550型）進行觀察而測定之金屬細線的厚度。
作為金屬細線38的縱橫比（厚度/線寬），是0.01以上為較佳，0.1以上為更佳，0.5以上為進一步較佳。作為縱橫比的下限值，是10以下為較佳，2.0以下為更佳。 藉由縱橫比為0.1以上，以維持金屬細線38的細線寬之狀態，體積變大，因此能夠使導電性膜3低電阻化。又，藉由為10以下，能夠抑制來自金屬細線的側面之反射光，能夠維持良好的可見性。 又，作為金屬細線38的剖面形狀，一般是半圓、矩形、錐形、倒錐形等為較佳。另外，從可見性的觀點考慮，半圓或倒錐形為更佳。藉由設為如半圓或逆錐形之類的剖面形狀，能夠抑制來自金屬細線38的側面之反射光，線可視得到抑制，從而能夠確保良好的可見性。
開口率A為70%以上，95%以上為較佳，96%以上為更佳。藉由開口率A為70%以上，將導電性膜3適用於顯示裝置時，容易設定為顯示裝置的觸控面板所需之透射率。 又，開口率A的上限值只要小於上述式（I）的右邊的值即可。 在此，開口率A是朝向金屬細線38積層於基板31上之方向觀察導電性膜3時，開口39的面積相對於導電部32所在之面積之比率（%），是表示金屬細線38在導電部32所在之面積中之非佔有率者。 又，作為開口率A的計算方法，首先，在導電性膜3的導電部32所存在之中央部的縱35mm×橫35mm的四邊形區域中，將該中心部30mm×30mm的區域分割成10mm×10mm的9個區域。接著，計算所分割之各區域中之開口率，將對該等進行算術平均而得到者設為網格圖案的開口率A（%）。
尤其，在導電性膜3中，開口率A是95.0～99.6%為較佳。藉此，導電性膜3的金屬細線38的可見性更加優異。
開口39的一邊的長度X（「間距尺寸X」）小於150μm為較佳，140μm以下為更佳，130μm以下為進一步較佳。又，下限值一般是30μm以上為較佳。 若間距尺寸X小於150μm，則由於視覺傳遞函數（VTF）的影響，能夠進一步提高金屬細線38的可見性。
在波長550nm下之金屬細線38的反射率為80%以下，但20%～40%為較佳，25～35%為更佳。 本發明中，金屬細線的反射率是指在視覺辨認側的表面上之反射率。 本發明中之反射率可藉由後述之實施例欄中所記載之方法進行測定。 另外，金屬細線的反射率例如能夠藉由後述之金屬細線的材質及金屬細線的形成方法進行調整。
作為金屬細線38的材質，例如可以舉出銅、鉻、鉛、鎳、金、銀、錫及鋅等金屬、以及該等金屬的合金。 其中，從進一步降低金屬細線的反射率、且導電性亦優異之觀點考慮，金屬細線38至少在視覺辨認側的表面具有銅或其合金或者鉻或其合金為較佳。 金屬細線38可以是2個以上的層積層而成之積層結構體。
導電性膜3能夠用於各種用途。例如，各種電極膜、散熱片及印刷配線基板。其中，導電性膜3用於觸控面板感測器為較佳，用於靜電容量方式的觸控面板感測器為更佳。包含上述導電性膜3作為觸控面板感測器之觸控面板中，難以視覺辨認金屬細線。 另外，作為觸控面板的構成，例如可以舉出日本特開2015-195004號公報的0020～0027段中所記載之觸控面板模組等，上述內容被併入本說明書中。
[導電性膜的製造方法] 作為上述導電性膜的製造方法並沒有特別限制，能夠使用公知的形成方法。一般而言，有如下方法：使用噴墨法或網版印刷法形成導電性油墨的圖案之方法、在基板上將配線圖案的凹凸進行圖案化之後，塗佈導電性油墨之方法、藉由濺射法或蒸鍍法等真空成膜，將金屬膜進行成膜之後，使用光微影法將金屬膜進行圖案化之方法、使用自形成性的透明導電材料之方法、將電鍍基底層進行圖案化之後，藉由無電解鍍覆形成金屬細線之方法、及藉由半加成法，利用電鍍形成金屬細線之方法等。 當使用半加成法時，例如能夠藉由以下方法進行製造。亦即，本發明的導電性膜的製造方法包含以下製程。 （1）在基板上形成第1金屬膜之製程（第1金屬膜形成製程） （2）在第1金屬膜上形成抗蝕劑膜之製程（抗蝕劑膜形成製程），該抗蝕劑膜在形成金屬細線之區域具備開口； （3）在開口內之第1金屬膜上形成第2金屬膜之製程（第2金屬膜形成製程） （4）去除抗蝕劑膜之製程（抗蝕劑膜去除製程） （5）將第2金屬膜作為遮罩而去除上述第1金屬膜的一部分，形成由金屬細線構成之導電部之製程（導電部形成製程） 以下，對上述各製程的步驟進行詳述。
〔第1金屬膜形成製程〕 圖4A是用於說明第1金屬膜形成製程之概略剖面圖。藉由實施第1金屬膜形成製程，將第1金屬膜138a形成於基板131上。 第1金屬膜138a作為晶種層（seed layer）和/或基底金屬層（基底密合層）發揮功能。 另外，圖4A的例子中，示出了第1金屬膜138a為一層之情況，但並不限定於此。例如，第1金屬膜138a亦可以是2個以上的層積層而成之積層結構體。當第1金屬膜138a為積層結構體時，位於基板131側之下層作為基底金屬層（基底密合層）發揮功能為較佳，且位於第2金屬膜138b（後述）側之上層作為晶種層發揮功能為較佳。 基板131對應於上述基板31，因此省略其說明。 作為第1金屬膜138a的材質，與上述金屬細線38中舉出之材質相同，因此省略其說明。 作為第1金屬膜138a的厚度並沒有特別限制，一般是30～300nm為較佳，40～100nm為更佳。 若第1金屬膜138a的厚度為300nm以下，則後述之導電部形成製程（尤其是蝕刻程序）中之製造適性優化，因此可容易得到線寬的偏差少的既定線寬的金屬細線。
作為第1金屬膜138a的形成方法並沒有特別限制，能夠使用公知的形成方法。其中，從容易形成具有更緻密的結構之層之觀點考慮，濺射法或蒸鍍法為較佳。
〔抗蝕劑膜形成製程〕 圖4B是用於說明抗蝕劑膜形成製程之概略剖面圖。藉由實施本製程，將抗蝕劑膜150形成於第1金屬膜138a上。 抗蝕劑膜150在形成金屬細線之區域具有開口151。 抗蝕劑膜150中之開口151的區域能夠配合欲配置金屬細線之區域適當調整。具體而言，當欲形成配置成網格狀之金屬細線時，形成具有網格狀的開口之抗蝕劑膜150。另外，開口通常配合金屬細線而形成為細線狀。 開口151的線寬小於2.0μm為較佳，1.5μm以下為更佳，1.0μm以下為進一步較佳。藉由將開口的線寬設為小於2.0μm，能夠得到線寬細的金屬細線138。尤其，當開口151的線寬為1.5μm以下時，所得到之金屬細線138的線寬變得更細，金屬細線138更難以被使用者視覺辨認。 另外，開口151的線寬是指，與開口151的細線部分的延伸方向正交之方向上之細線部的寬度。經後述之各製程而形成具有與開口151的線寬相對應之線寬之金屬細線138。
作為在第1金屬膜138a上形成抗蝕劑膜150之方法並沒有特別限制，能夠使用公知的抗蝕劑膜形成方法。例如，可以舉出含有以下製程之方法。 （a）在第1金屬膜138a上塗佈抗蝕劑膜形成用組成物而形成抗蝕劑膜形成用組成物層之製程。 （b）經由具有圖案狀的開口之光罩，將抗蝕劑膜形成用組成物進行曝光之製程。 （c）對曝光後的抗蝕劑膜形成用組成物進行顯影，得到抗蝕劑膜150之製程。 另外，在上述製程（a）與（b）之間、（b）與（c）之間、和/或（c）之後可以進一步含有對抗蝕劑膜形成用組成物層和/或抗蝕劑膜150進行加熱之製程。
·製程（a） 作為能夠在上述製程（a）中使用之抗蝕劑膜形成用組成物，能夠使用任何公知的正型感放射線性組成物。
作為在第1金屬膜138a上塗佈抗蝕劑膜形成用組成物之方法並沒有特別限制，能夠使用公知的塗佈方法。 作為抗蝕劑膜形成用組成物的塗佈方法，例如可以舉出旋塗法、噴霧法、輥塗法及浸漬法等。
亦可以在第1金屬膜138a上形成抗蝕劑膜形成用組成物層之後，對抗蝕劑膜形成用組成物層進行加熱。藉由加熱，能夠去除殘留於抗蝕劑膜形成用組成物層之不必要的溶劑，使抗蝕劑膜形成用組成物層成為均勻的狀態。 作為對抗蝕劑膜形成用組成物層進行加熱之方法並沒有特別限制，例如可以舉出對基板進行加熱之方法。 作為上述加熱的溫度並沒有特別限制，一般是40～160℃為較佳。
作為抗蝕劑膜形成用組成物層的厚度並沒有特別限制，作為乾燥後的厚度，一般是1.0～5.0μm為較佳。
·製程（b） 作為將抗蝕劑膜形成用組成物層進行曝光之方法並沒有特別限制，能夠使用公知的曝光方法。 作為將抗蝕劑膜形成用組成物層進行曝光之方法，例如可以舉出經由具備圖案狀的開口之光罩，向抗蝕劑膜形成用組成物層照射光化射線或放射線之方法。作為曝光量並沒有特別限制，一般在10～50mW/cm2 下照射1～10秒鐘為較佳。
製程（b）中所使用之光罩所具備之圖案狀的開口的線寬一般小於2.0μm為較佳，1.5μm以下為更佳，1.0μm以下為進一步較佳。
亦可以對曝光後的抗蝕劑膜形成用組成物層進行加熱。作為加熱的溫度並沒有特別限制，一般是40～160℃為較佳。
·製程（c） 作為對曝光後的抗蝕劑膜形成用組成物層進行顯影之方法並沒有特別限制，能夠使用公知的顯影方法。 作為公知的顯影方法，例如可以舉出使用含有有機溶劑之顯影液或鹼顯影液之方法。 作為顯影方法，例如可以舉出浸漬法（dip method）、浸置法（puddle method）、噴霧法及動態分配法（dynamic dispense method）等。
又，亦可以使用沖洗液清洗顯影後的抗蝕劑膜150。作為沖洗液並沒有特別限制，能夠使用公知的沖洗液。作為沖洗液，可以舉出有機溶劑及水等。
〔第2金屬膜形成製程〕 圖4C是用於說明第2金屬膜形成製程之概略剖面圖。藉由本製程，在抗蝕劑膜150的開口151內之第1金屬膜138a上形成第2金屬膜138b。如圖4C所示，第2金屬膜138b可以以填補抗蝕劑膜150的開口151之方式形成。
第2金屬膜138b藉由鍍覆法形成為較佳。 作為鍍覆法，能夠使用公知的鍍覆法。具體而言，可以舉出電解鍍覆法及無電解鍍覆法，從生產率的觀點考慮，電解鍍覆法為較佳。
作為第2金屬膜138b中所含之金屬並沒有特別限制，能夠使用公知的金屬。 第2金屬膜138b例如可以含有銅、鉻、鉛、鎳、金、銀、錫及鋅等金屬、以及該等金屬的合金。 其中，從金屬細線38的導電性更加優異之觀點考慮，第2金屬膜138b含有銅或其合金為較佳。又，從金屬細線38的導電性更加優異之觀點考慮，第2金屬膜138b的主成分是銅為較佳。
作為第2金屬膜138b中的構成主成分之金屬的含量並沒有特別限制，一般是50～100質量%為較佳，90～100質量%為更佳。
第2金屬膜138b的線寬具有與抗蝕劑膜150的開口151相對應之線寬，具體而言，小於2.0μm為較佳，1.5μm以下為更佳，1.0μm以下為進一步較佳。第2金屬膜138b的線寬的下限值是0.5μm以上為較佳。 第2金屬膜138b的線寬是指，與第2金屬膜138b的細線部分的延伸方向正交之方向上之細線的寬度。
作為第2金屬膜138b的厚度並沒有特別限制，一般是300～2000nm為較佳，300～1000nm為更佳。
〔抗蝕劑膜去除製程〕 圖4D是用於說明抗蝕劑膜去除製程之概略剖面圖。藉由本製程，去除抗蝕劑膜150，得到依次形成有基板131、第1金屬膜138a及第2金屬膜138b之積層體。 作為去除抗蝕劑膜150之方法並沒有特別限制，可以舉出使用公知的抗蝕劑膜去除液去除抗蝕劑膜150之方法。 作為抗蝕劑膜去除液，例如可以舉出有機溶劑及鹼溶液等。 作為使抗蝕劑膜去除液與抗蝕劑膜150接触之方法並沒有特別限制，例如可以舉出浸漬法、浸置法、噴霧法及動態分配法等。
〔導電部形成製程〕 圖4E是用於說明導電部形成製程之概略剖面圖。依本製程，去除作為未形成有第2金屬膜138b之區域之第1金屬膜138a的一部分，得到在基板131上積層金屬細線138而成之導電性膜300。另外，金屬細線138構成上述圖1中之導電部32。 金屬細線138具有與第1金屬膜138a相對應之第1金屬層138A和與第2金屬膜138b相對應之第2金屬層138B。第1金屬層138A和第2金屬層138B從基板131側依次積層。
作為去除第1金屬膜138a的一部分之方法並沒有特別限定，能夠使用公知的蝕刻液。 作為公知的蝕刻液，例如可以舉出氯化鐵溶液、氯化二銅（copper（II）chloride）溶液、氨鹼溶液、硫酸-過氧化氫混合液及磷酸-過氧化氫混合液等。從該等之中適當選擇容易溶解第1金屬膜138a且第2金屬膜138b相比第1金屬膜138a難以溶解之蝕刻液即可。 另外，如上所述，當第1金屬膜138a為積層結構體時，可以按每個層改變蝕刻液而進行多階段的蝕刻。
第1金屬層138A的線寬小於2.0μm為較佳，1.5μm以下為更佳，1.0μm以下為進一步較佳。第1金屬層138A的線寬的下限值是0.5μm以上為較佳。 第1金屬層138A的線寬是指，與第1金屬層138A的細線部分的延伸方向正交之方向上之細線的寬度。
第2金屬層138B的線寬與上述第2金屬膜138b的線寬相同，因此省略其說明。
金屬細線138的線寬L小於2.0μm，1.5μm以下為較佳，1.0μm以下為更佳。金屬細線138的線寬L的下限值為0.5μm以上。 若金屬細線138的線寬L小於2.0μm，則觸控面板的使用者更難以視覺辨認金屬細線138。若金屬細線138的線寬L為0.5μm以上，則導電性膜300的導電性得到進一步提高。 另外，金屬細線138的線寬L是指，在金屬細線138的寬度方向的剖面（與金屬細線的延伸方向正交之剖面）上，第1金屬層138A及第2金屬層138B的線寬中最大的線寬。
金屬細線138構成網格圖案。如上所述，導電性膜300製造成金屬細線的線寬L與網格圖案的開口率A%的關係滿足上述式（I）。 又，由金屬細線138構成之網格圖案的開口139的一邊的長度X為（間距尺寸X）如上所述。
如上所述，作為導電性膜300的製造方法，示出了金屬細線138為2層以上的積層結構之情況，但並不限定於此，金屬細線亦可以是一層。 當金屬細線為一層時，能夠藉由公知的方法將上述第1金屬膜138a進行圖案化而得到具有一層結構的金屬細線之導電性膜。 [實施例]
以下，基於實施例對本發明進一步進行詳細的說明。以下實施例所示之材料、使用量、比例、處理內容及處理步驟等，只要不脫離本發明的趣旨，則能夠適當變更。因此，本發明的範圍並不限於以下所示之實施例。 又，只要沒有特別指定，則份及%是指質量基準。
[實施例1～4及7、以及比較例1、3、5～10及12～14] 實施例1～4及7、以及比較例1、3、5～10及12～14的導電性膜藉由以下示出詳細內容之半加成法進行製作。另外，以使金屬細線的線寬L（μm）及開口率A（%）成為第1表中所記載之方式，使用具備具有第1表中所記載之線寬及開口率之四方形格子圖案（網格圖案）之光罩，除此以外，全部藉由相同的方法進行了製作。另外，光罩在與導電性膜的網格圖案的開口部相對應之位置具有鉻遮罩。 首先，使用濺射裝置在基板（COP膜（環烯烴聚合物膜）、厚度80μm）上將Cr成膜為10nm的厚度，得到了基底金屬層。接下來，在基底金屬層上將Cu成膜為50nm的厚度，得到了晶種層。以下，將基底金屬層及晶種層的積層結構體亦稱為「第1金屬膜」。 接著，調整旋塗機的轉速而將抗蝕劑膜形成用組成物（FUJIFILM Co.,Ltd.製，「FHi-622BC」，黏度11mPa·s）以乾燥厚度成為1μm之方式塗佈於第1金屬膜上（晶種層上），並在100℃下乾燥1分鐘，得到了抗蝕劑膜形成用組成物層。 接著，準備形成有第1表中所記載之既定線寬的開口之光罩，並將光罩配置於抗蝕劑膜形成用組成物層上。 然後，使用平行光曝光機，對正型抗蝕劑膜形成用組成物層經由光罩照射200～400nm波長之光（光源 鹵素燈，曝光量16mW/cm2 ）2秒鐘，並在100℃下加熱（後烘烤）1分鐘，得到了曝光後的抗蝕劑膜形成用組成物層。 接著，將曝光後的抗蝕劑膜形成用組成物層於0.5M氫氧化鈉水溶液中進行顯影，得到了形成有開口之抗蝕劑膜（膜厚1μm）。另外，抗蝕劑膜的開口與曝光區域相對應。 使用硫酸銅鍍浴（high-throw bath）（作為添加劑，含有Top Lucina HT-A和Top Lucina HT-B。均為OKUNO CHEMICAL INDUSTRIES CO.,LTD.製），對藉由上述步驟製作之依次具備基板、第1金屬膜及形成有開口之抗蝕劑膜之積層體實施了電鍍。作為電鍍的條件，電流密度設為3A/dm2 ，電壓施加時間設為20秒鐘。藉由電鍍，在抗蝕劑膜的開口內之第1金屬膜上形成了網格圖案狀的第2金屬膜。另外，第2金屬膜的厚度為1μm。 接著，使用1M氫氧化鈉水溶液，從積層體剝離了抗蝕劑膜。 接著，將第2金屬膜作為蝕刻遮罩進行了第1金屬膜的蝕刻。具體而言，將第2金屬膜作為蝕刻遮罩，使用濃度調整為對晶種層之蝕刻速度成為200nm/min之Cu蝕刻液（Wako Pure Chemical Industries, Ltd.製，「Cu蝕刻劑」），對晶種層中未形成有第2金屬膜之區域進行了蝕刻。接著，將第2金屬膜及晶種層作為蝕刻遮罩，使用Cr蝕刻液（NIHON KAGAKU SANGYO CO.,LTD.製，「鹼性鉻蝕刻液」。另外，對基底金屬層之蝕刻速度為100nm/min。），對基底金屬層中未形成有第2金屬膜及晶種層之區域進行了蝕刻。如此，得到了具有基板和形成於基板上之金屬細線之實施例1～4及7、以及比較例1、3、5～10及12～14的導電性膜。另外，金屬細線是從基板側依次形成有與第1金屬膜相對應之第1金屬層和與第2金屬膜相對應之第2金屬層之積層結構體。
[實施例5] 將金屬細線的材質變更為銅，除此以外，藉由與美國專利第8179831號說明書的實施例6～23相同的方法得到了實施例5的導電性膜。另外，形成於實施例5的導電性膜上之金屬細線是藉由濺射法形成包含銅之膜之後對包含銅之膜進行蝕刻而得到，其構成網格圖案。
[實施例6] 藉由與上述實施例1～4及7的導電性膜相同的方法形成線寬0.9μm的網格圖案之後，作為黑化處理，進行了第2金屬層（銅）的鈀置換。
[比較例2、4、11及15] 以使金屬細線的線寬L（μm）及開口率A（%）成為第1表中所記載之方式，使用了具有第1表中所記載之線寬及開口率之光罩，除此以外，全部藉由相同的方法進行了製作。另外，光罩在與導電性膜的網格圖案的開口部相對應之位置具有鉻遮罩。 首先，以成為以下配合比例之方式混合及攪拌各成分，製備出被電鍍層形成用組成物（以下，簡稱為「組成物」。）。聚丙烯酸 1.35質量% 4官能丙烯醯胺 0.9質量% 聚合起始劑 0.045質量% 氟系界面活性劑 0.015質量% 異丙醇（有機溶劑） 餘量合計 100質量% 上述各成分的詳細內容如下。 ·聚丙烯酸（Wako Pure Chemical Industries, Ltd.製，重量平均分子量8000～12000） ·4官能丙烯醯胺（下述通式（A）的「R」全部由甲基表示之單體。按照日本專利第5486536號公報進行合成。） ·聚合起始劑（商品名稱「Irgacure127」，BASF公司製） ·氟系界面活性劑（商品名稱「W-AHE」（下述結構式（B））FUJIFILM Co.,Ltd.製）
[化學式1]
接著，藉由辊塗，將使用「W-AHE」作為氟系界面活性劑之組成物以成為600nm的膜厚的方式成膜於基板（商品名稱「LUMIRROR U48」，聚對苯二甲酸乙二酯膜，長條膜，TORAY INDUSTRIES, INC.製）上，並通過80℃的烘箱進行乾燥，藉此在基板上形成了被電鍍層形成用層。如此，將形成有被電鍍層形成用層之基板以使被電鍍層形成用層成為內側之方式捲取成卷。 然後，捲出上述卷，將被電鍍層形成用層載置於真空腔室內，使其與具有四角格子圖案的開口（網格圖案）之光罩（硬遮罩）以真空狀態密合。接著，在保持真空狀態下，使用平行光曝光機（光源 鹵素燈）以照射量800mJ/cm2 照射200～400nm波長之光，使腔室內的被電鍍層形成用層的露出部分聚合。 然後，使用碳酸鈉水溶液進行顯影，形成了包含曝光部分之圖案狀被電鍍層。 另外，使帶圖案狀被電鍍層之膜於30℃的Pd催化劑賦予液（R&H公司製）中浸漬了5分鐘。接著，進行水洗，並浸漬於30℃的金屬催化劑還原液（R&H公司製）中。進一步進行水洗，並於30℃的銅電鍍液（R&H公司製）中浸漬了15分鐘。 如此，得到了圖案狀被電鍍層的整個區域被鍍銅包覆之具有金屬細線比較例2、4、11及15的導電性膜。
[比較例16] 藉由與美國專利第8179831號說明書的實施例6～23相同的方法得到了比較例16的導電性膜。另外，形成於比較例16的導電性膜上之金屬細線是藉由蒸鍍法形成包含金之膜之後，對包含金之膜進行蝕刻而得到，其構成網格圖案。
[評價試驗] 〔金屬細線的線寬L〕 對於藉由上述方法製作出之實施例及比較例的導電性膜，藉由以下方法測定了金屬細線的線寬。 首先，將導電性膜連同基板包埋於樹脂中，在寬度方向（與金屬細線的延伸方向正交之方向）上使用超薄切片機進行切斷，在所得到之剖面上蒸鍍碳之後，使用掃描型電子顯微鏡（Hitachi High-Technologies Corporation製S-550型）進行了觀察。測定第1金屬層及第2金屬層各自的線寬，將最大的線寬作為金屬細線的線寬L（μm）。另外，當金屬細線為單層時，將其最大的線寬作為金屬細線的線寬L。
〔網格圖案的間距尺寸X〕 在實施例及比較例的各導電性膜的中央部（形成有導電部之區域）的縱35mm×橫35mm的四邊形區域中，將該中心部30mm×30mm的區域分割成10mm×10mm的9個區域。接著，測定所分割之各區域中之網格圖案的間距尺寸，將對該等進行算術平均而得到者作為網格圖案的間距尺寸X（μm）。 關於10mm四方部（縱10mm×橫10mm）的區內的間距尺寸，利用光學顯微鏡對10mm四方部整體的由金屬細線形成之網格圖案進行攝影，根據該圖像資料測定了該區的網格圖案的間距尺寸X（μm）。
〔網格圖案的開口率A〕 在實施例及比較例的各導電性膜的中央部（形成有導電部之區域）的縱35mm×橫35mm的四邊形區域中，將該中心部30mm×30mm的區域分割成10mm×10mm的9個區域。接著，計算出所分割之各區域中之開口率，將對該等進行算術平均而得到者作為網格圖案的開口率A（%）。 關於10mm四方部（縱10mm×橫10mm）的區內的開口率，利用光學顯微鏡對10mm四方部整體的由金屬細線形成之網格圖案進行攝影，根據該圖像資料計算出該區的網格圖案的開口率A（%）。
〔金屬細線的反射率〕 在與上述實施例及比較例的各導電性膜的製作相同的條件下，製作固體（beta）（無圖案）的模型膜，並使用反射分光膜厚計FE-3000（Otsuka Electronics Co.,Ltd.製）測定了模型膜在波長550nm下的反射率（%）。另外，入射角度、受光角均設定為90度（垂直入射）。
〔薄片電阻（sheet resistance）〕 YOKOGAWA 7555數位萬用表（Digital Multimeter）（4線歐姆模型（4 wire ohms mode））上連接自製的治具，來測定上述實施例及比較例的各導電性膜的薄片電阻，並按照以下的評價基準評價了薄片電阻。 A：小於10Ω/sq B：10Ω/sq以上且小於20Ω/sq C：20Ω/sq以上
〔可見性〕 將上述實施例及比較例的各導電性膜配置於黑色版上，從相對於樣品表面傾斜45度照射白色光，在自上述實施例及比較例的各導電性膜的正上方（90度）相隔高度10cm及高度30cm之高度的2處目視觀察，並按照以下的評價基準評價了可見性。 A：高度10cm及高度30cm的任何一處都是完全無法觀察網格圖案的金屬細線之優異之水平 B：自高度30cm無法觀察網格圖案的金屬細線，但自高度10cm發生稍許線可視，但不成問題的水平 C：自任何一個高度均可觀察稍許網格圖案的金屬細線，有問題的水平 D：自任何一個高度，網格圖案的金屬細線均顯眼，有問題的水平
[評價結果] 將以上的評價試驗的結果總結示於下述表1。
[表1]
若滿足式（I）、線寬2μm以下、且反射率為80%以下，則可見性良好（實施例1～7），若反射率20%以上且40%以下、且線寬1μm以下，則低電阻且可見性良好，表明具有特別優異之性能（實施例1及3）。 在此，實施例5中，將濺射銅成膜於整個面之後，藉由濕式蝕刻形成金屬細線。基於濕式蝕刻之金屬細線的形成，不同於能夠藉由光阻劑圖案控制金屬細線的線寬之半加成法（實施例1～4），難以控制線寬，尤其具有配線高度越高，越難以控制線寬之傾向。因此，欲形成線寬5μm左右以下的金屬細線，需製作厚度100nm左右的金屬細線（實施例5的金屬細線的縱橫比（厚度/線寬）為0.11）。因此，推測實施例5的導電性膜，由於金屬細線的厚度（配線高度）較低，因此金屬細線的體積變小，與實施例1～4的導電性膜（縱橫比為0.5以上）相比，電阻較高。 又，實施例6中，為了降低反射率而進行了黑化處理，因此推測存在於最表面之銅被鈀置換，與實施例1～4的導電性膜相比，電阻較高。 當不滿足式（I）時，圖案可視顯著，表明是可見性有問題之水平（比較例5～15）。 即使滿足式（I），在線寬2μm以上的圖案中，亦存在圖案可視，表明可見性不是很好（比較例1～4）。 即使滿足式（I）且線寬小於2μm，當反射率超過80%時，亦存在圖案可視，表明可見性不是很好（比較例16）。
3、300‧‧‧導電性膜
31、131‧‧‧基板
32‧‧‧導電部
38、138‧‧‧金屬細線
39、139、151‧‧‧開口
L‧‧‧線寬
X‧‧‧一邊的長度（間距尺寸）
138a‧‧‧第1金屬膜
138b‧‧‧第2金屬膜
138A‧‧‧第1金屬層
138B‧‧‧第2金屬層
150‧‧‧抗蝕劑膜
圖1是表示導電性膜的剖面之局部剖面圖。 圖2是放大了導電性膜的導電部之局部放大平面圖。 圖3是放大了金屬細線之局部放大剖面圖。 圖4A是用於說明第1金屬膜形成製程之概略剖面圖。 圖4B是用於說明抗蝕劑膜形成製程之概略剖面圖。 圖4C是用於說明第2金屬膜形成製程之概略剖面圖。 圖4D是用於說明抗蝕劑膜去除製程之概略剖面圖。 圖4E是用於說明導電部形成製程之概略剖面圖。

Claims (5)

  1. 一種導電性膜，其具有導電部，前述導電部配置於基板上，且由線寬0.5μm以上且小於2μm的金屬細線構成， 前述金屬細線形成網格圖案， 前述金屬細線的線寬Lμm與前述網格圖案的開口率A%滿足式（I）的關係， 在波長550nm下之前述金屬細線的反射率為80%以下， 式（I）：70≤A＜（10-L/15）2 。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之導電性膜，其中 前述開口率A為95.0～99.6%。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之導電性膜，其中 在波長550nm下之前述金屬細線的反射率為20～40%。
  4. 一種觸控面板感測器，其具有如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述之導電性膜。
  5. 一種觸控面板，其具有如申請專利範圍第4項所述之觸控面板感測器。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO2020067232A1 (ja) 2018-09-28 2020-04-02 富士フイルム株式会社 導電性部材、タッチパネルセンサー、タッチパネル、成形体の製造方法
WO2020158494A1 (ja) * 2019-01-31 2020-08-06 富士フイルム株式会社 導電性基板の製造方法、導電性基板
WO2022038936A1 (ja) * 2020-08-18 2022-02-24 国立大学法人静岡大学 透明電極を製造する方法および透明電極

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3614418B1 (en) * 2008-02-28 2023-11-01 3M Innovative Properties Company Touch screen sensor
KR100897157B1 (ko) * 2008-02-28 2009-05-14 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광 표시장치
JP5474097B2 (ja) 2009-02-06 2014-04-16 エルジー・ケム・リミテッド タッチスクリーンおよびその製造方法
JP2011076932A (ja) * 2009-09-30 2011-04-14 Nitto Denko Corp 透明導電性フィルム及びタッチパネル
KR20140009287A (ko) * 2011-01-18 2014-01-22 후지필름 가부시키가이샤 도전성 필름 및 그것을 구비한 표시 장치
JP5486536B2 (ja) 2011-03-30 2014-05-07 富士フイルム株式会社 重合性化合物
JP5839541B2 (ja) 2011-05-13 2016-01-06 富士フイルム株式会社 導電シート及びタッチパネル
TWI479386B (zh) 2011-12-23 2015-04-01 Lg Chemical Ltd 導電基板及包含其之電子裝置
JP5829647B2 (ja) * 2012-05-08 2015-12-09 富士フイルム株式会社 導電性フイルム
JP2014029614A (ja) * 2012-07-31 2014-02-13 Toppan Printing Co Ltd フィルム状静電容量型タッチパネル及びその製造方法
TW201411886A (zh) * 2012-09-13 2014-03-16 Univ Nat Taipei Technology 反射式相位延遲器及包含該反射式相位延遲器之半導體發光元件
JP6186805B2 (ja) * 2013-03-28 2017-08-30 大日本印刷株式会社 タッチパネル
CN203179574U (zh) * 2013-03-30 2013-09-04 深圳欧菲光科技股份有限公司 透明导电体
JP5743237B2 (ja) * 2013-09-25 2015-07-01 大日本印刷株式会社 タッチパネルセンサ、タッチパネル装置および表示装置
JP6503728B2 (ja) * 2013-12-26 2019-04-24 大日本印刷株式会社 表示装置
JP6274559B2 (ja) * 2013-12-26 2018-02-07 大日本印刷株式会社 フィルムセンサ、タッチ位置検出機能付き表示装置、およびフィルムセンサを作製するための積層体
JP6196180B2 (ja) * 2014-03-26 2017-09-13 日東電工株式会社 透光性導電フィルム
JP2015195004A (ja) 2014-03-28 2015-11-05 富士フイルム株式会社 導電性フィルム及びタッチパネルモジュール
CN105278709A (zh) * 2014-05-28 2016-01-27 介面光电股份有限公司 金属线路微结构的制法

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