TW201432525A - 靜電電容式觸控面板及其製造方法、輸入元件 - Google Patents

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Abstract

本發明的目的在於提供可抑制暴露於高溫高濕環境下時的運作不良的產生、且良率高的靜電電容式觸控面板。靜電電容式觸控面板包含：絕緣層；多個電極部，配置於絕緣層的至少一主表面上；多個引出配線部，配置於絕緣層的配置有多個電極部的主表面上，且各自的一端與對應的電極部連接；透明樹脂層，以引出配線部的各自的另一端露出的方式配置於電極部及引出配線部上；基板，配置於透明樹脂層上；至少在特定位置配置有密封層，密封層的氯離子透過係數為1.0 mgCl-(100 μm)．cm-2．y-1以下，存在於密封層表面的直徑1 μm以上的針孔的平均個數為5(個/mm2)以下。

Description

靜電電容式觸控面板及其製造方法、輸入元件
本發明是關於一種靜電電容式觸控面板，特別是有關於包含具有規定特性及結構的密封層的靜電電容式觸控面板。
而且，本發明亦關於靜電電容式觸控面板的製造方法、及輸入元件。
觸控面板的方式已知有電阻膜方式、光感測器方式等，特別是近年來開始普及檢測電容變化的靜電電容式的觸控面板。
另一方面，觸控面板存在容易由於外部環境的影響而產生運作不良的問題，例如在電阻膜方式的情況下，採取如下所示的對策。
在專利文獻1(特別是參照圖6)中揭示了：在電阻膜式觸控面板的側端部的面塗佈環氧樹脂而形成側端強化層28，防止自外部浸入水分、化學品，防止透明接著層軟化的方法。
而且，在專利文獻2(特別是參照圖9)中揭示了：以覆蓋觸控面板中的上部電極板1或下部電極板3的端部周邊的方式塗佈密封材料而形成密封層21，防止水分滲入而防止黏著層5劣化的 方法。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2004-30317號公報
[專利文獻2]日本專利特開2003-157149號公報
隨著近年來觸控面板的使用環境的擴大，在靜電電容式觸控面板中亦要求抑制由於外部環境(特別是高溫高濕環境)所造成的運作不良。
然而，本發明者等人對上述專利文獻1及專利文獻2進行了研究，結果可知藉由這些文獻中記載的方法，無法充分抑制在靜電電容式觸控面板中暴露於高溫高濕環境下時的運作不良的產生。而且可知良率(特別是暴露於高溫高濕環境下之後的良率)的水準亦未能滿足最近所要求的水準。
因此，本發明鑒於上述事實，目的在於提供可抑制暴露於高溫高濕環境下時的運作不良的產生，且良率高的靜電電容式觸控面板。
本發明者等人對上述課題進行了銳意研究，結果發現藉由將氯離子透過係數與針孔的平均個數處於規定的範圍的密封層配置在靜電電容式面板的特定位置，可獲得抑制暴露在高溫高濕環境下時的運作不良的產生，亦即高溫高濕可靠性優異、且良率高的靜電電容式觸控面板，從而完成本發明。
亦即，本發明者等人發現藉由以下構成可解決上述課題。
(1)一種靜電電容式觸控面板，其包含：絕緣層；多個電極部，配置於上述絕緣層的至少一主表面上；多個引出配線部，配置於上述絕緣層的配置有上述多個電極部的主表面上，且各自的一端與對應的上述電極部連接；透明樹脂層，以上述引出配線部的各自的另一端露出的方式配置於上述電極部及上述引出配線部上；基板，配置於上述透明樹脂層上；至少在自上述絕緣層與上述基板之間露出的上述透明樹脂層的周緣部的表面上、及上述引出配線部的露出面上配置有密封層，上述密封層的氯離子透過係數為1.0mgCl-(100μm)．cm-2．y-1以下，存在於上述密封層表面的直徑為1μm以上的針孔的平均個數為5(個/mm2)以下。
(2)如上述(1)所述之靜電電容式觸控面板，其包含：絕緣層；多個第1電極部，配置於上述絕緣層的表面上；多個第1引出配線部，配置於上述絕緣層的表面上，且各自的一端與對應的上述第1電極部連接；第1透明樹脂層，以上述第1引出配線部的各自的另一端露出的方式配置於上述第1電極部及上述第1引出配線部上； 第1保護基板，配置於上述第1透明樹脂層上；多個第2電極部，配置於上述絕緣層的背面上；多個第2配線部，配置於上述絕緣層的背面上，且各自的一端與對應的上述第2電極部連接；第2透明樹脂層，以上述第2引出配線部的各自的另一端露出的方式配置於上述第2電極部及上述第2引出配線部上；第2保護基板，配置於上述第2透明樹脂層上；至少在自上述絕緣層與上述第1保護基板之間露出的上述第1透明樹脂層的周緣部的表面上及自上述絕緣層與上述第2保護基板之間露出的上述第2透明樹脂層的周緣部的表面上，與上述第1引出配線及上述第2引出配線的露出面上配置密封層，上述密封層的氯離子透過係數為1.0mgCl-(100μm)．cm-2．y-1以下，存在於上述密封層表面的直徑為1μm以上的針孔的平均個數為5(個/mm2)以下。
(3)如上述(1)或(2)所述之靜電電容式觸控面板，其中，上述密封層包含氟系樹脂。
(4)如上述(1)至(3)中任一項所述之靜電電容式觸控面板，其中，上述密封層包含1質量%以上的氟原子。
(5)如上述(1)至(4)中任一項所述之靜電電容式觸控 面板，其中，上述密封層的厚度為1.0μm以上。
(6)如上述(1)至(5)中任一項所述之靜電電容式觸控面板，其中，上述密封層是由經脫泡的密封層形成用組成物所形成的層。
(7)如上述(1)至(6)中任一項所述之靜電電容式觸控面板，其中，上述密封層是由密封層形成用組成物所形成的層，上述密封層形成用組成物的表面張力為20mN/m以下，上述密封層形成用組成物的黏度為100cps以下。
(8)如上述(1)至(7)中任一項所述之靜電電容式觸控面板，其中，上述引出配線部包含銀。
(9)如上述(1)至(8)中任一項所述之靜電電容式觸控面板，其中，上述電極部是包含金屬氧化物的透明電極部。
(10)如上述(1)至(9)中任一項所述之靜電電容式觸控面板，其中，上述電極部是由平均線徑為50nm以下、且平均線長為5μm以上的金屬奈米線構成的透明電極部。
(11)一種靜電電容式觸控面板的製造方法，其是如上述(2)所述之靜電電容式觸控面板的製造方法， 其包括使積層體與包含密封劑的密封層形成用組成物接觸的步驟，上述積層體包含：絕緣層；多個第1電極部，配置於上述絕緣層的表面上；多個第1引出配線部，配置於上述絕緣層的表面上，且各自的一端與對應的上述第1電極部連接；第1透明樹脂層，以上述第1引出配線部的各自的另一端露出的方式配置於上述第1電極部及上述第1引出配線部上；第1保護基板，配置於上述第1透明樹脂層上；第1保護膜，可剝離地配置於上述第1保護基板的主表面上；多個第2電極部，配置於上述絕緣層的背面上；多個第2配線部，配置於上述絕緣層的背面上，且各自的一端與對應的上述第2電極部連接；第2透明樹脂層，以上述第2引出配線部的各自的另一端露出的方式配置於上述第2電極部及上述第2引出配線部上；第2保護基板，配置於上述第2透明樹脂層上；第2保護膜，可剝離地配置於上述第2保護基板的主表面上。
(12)如上述(11)所述之靜電電容式觸控面板的製造方法，其中，上述接觸是藉由噴灑(spray)處理、浸漬處理、或分配(dispense)而進行。
(13)一種輸入元件，其包含如上述(1)至(10)中任一項所述之靜電電容式觸控面板、或者藉由如上述(11)或(12)所述之方法製造而成的靜電電容式觸控面板。
藉由本發明可提供高溫高濕可靠性優異、且良率高的靜電電容式觸控面板。
10‧‧‧絕緣層
12‧‧‧第1電極部
14‧‧‧第1引出配線部
16‧‧‧第1透明樹脂層
18‧‧‧第1保護基板
18a、26a‧‧‧主表面
20‧‧‧第2電極部
22‧‧‧第2引出配線部
24‧‧‧第2透明樹脂層
26‧‧‧第2保護基板
28、28a、28b、28c‧‧‧密封層
30‧‧‧可撓性印刷線路板
36‧‧‧導電性細線
38‧‧‧格子
40‧‧‧第1絕緣層
42‧‧‧第2絕緣層
44‧‧‧保護基板
46‧‧‧跨接線
48‧‧‧透明樹脂層
50‧‧‧通孔
52‧‧‧連接部
54‧‧‧電極部
56‧‧‧引出配線部
100、150、200、300、400、500、600‧‧‧靜電電容式觸控面板
110‧‧‧背光源
120、140‧‧‧偏光板
130‧‧‧LCD
160‧‧‧保護基板
170a、170b、170c‧‧‧輸入裝置
180‧‧‧透明樹脂層
圖1(A)是本發明的靜電電容式觸控面板的第1實施方式的平面圖，圖1(B)是剖面圖。
圖2是第1電極部的放大平面圖。
圖3是本發明的靜電電容式觸控面板的第2實施方式的剖面圖。
圖4是本發明的靜電電容式觸控面板的第3實施方式的剖面圖。
圖5(A)是本發明的靜電電容式觸控面板的第4實施方式的剖面圖，圖5(B)是部分平面圖。
圖6(A)是本發明的靜電電容式觸控面板的第5實施方式的剖面圖，圖6(B)是部分平面圖。
圖7(A)是本發明的靜電電容式觸控面板的第6實施方式的剖面圖，圖7(B)是部分平面圖。
圖8(A)、圖8(B)及圖8(C)是包含本發明的靜電電容式觸控面板的輸入裝置的剖面圖。
圖9是實施例7中所使用的銀奈米線的穿透式電子顯微鏡照片。
圖10(A)及圖10(B)是實施例7中所使用的銀奈米線的線 徑及線長的直方圖(histogram)。
本發明的靜電電容式觸控面板(以下亦簡稱為本發明的觸控面板)是在靜電電容式觸控面板的特定位置配置有後述的規定的密封層者。藉由採用此種構成，本發明的觸控面板顯示出優異的高溫高濕可靠性以及高良率。
其理由尚不明確，但大概如下所述地推測。
在將靜電電容式觸控面板暴露於高溫高濕環境下的情況下，水分或離子等成分(以下亦簡稱為水分等)自後述的透明樹脂層的周緣部或透明樹脂層與引出配線部的邊界部等浸入，由此而造成引出配線部間的絕緣電阻變動而產生運作不良。
相對於此，在本發明的觸控面板中，在靜電電容式觸控面板的特定位置(透明樹脂層的周緣部的表面上、及引出配線部的露出面上)配置規定的密封層，因此抑制如上所述的水分等的浸入，其結果抑制運作不良的產生。同時顯示出高良率。其原因亦推測如下：如後述的比較例1所示那樣，在不具有密封層的靜電電容式觸控面板的情況下，高溫高濕環境試驗後的運作性或良率並不充分。
而且，特別是本發明的觸控面板在密封層具有規定的特性及結構的方面具有特徵。具體而言，密封層的氯離子透過係數及存在於密封層表面的針孔(直徑為1μm以上的針孔)的平均個數為規定的範圍。由於具有此種規定的特性及結構，因此變得可藉由 密封層將水分等的浸入充分抑制為滿足所期望的效果的程度。其原因亦推測如下：如後述的比較例2所示那樣，即使具有密封層，在密封層並不具有規定的特性及結構的情況下，高溫高濕環境試驗後的運作性或良率亦變得不充分。
以下，參照圖式對本發明的靜電電容式觸控面板的較佳的實施方式加以說明。
<第1實施方式>
圖1(A)及圖1(B)是表示本發明的靜電電容式觸控面板的第1實施方式的示意圖。圖1(A)是靜電電容式觸控面板100的平面圖，圖1(B)是剖面圖。另外，圖1(B)是為了使對靜電電容式觸控面板100的層構成的理解變容易而示意性地表示者，並非準確地表示各層的配置的圖式。
如圖1(A)及圖1(B)所示，靜電電容式觸控面板100包含：絕緣層10；第1電極部12，配置於絕緣層10的其中之一主表面上(正面上)；第1引出配線部14；第1透明樹脂層16；第1保護基板18；第2電極部20，配置於絕緣層10的另一主表面上(背面上)；第2引出配線部22；第2透明樹脂層24；第2保護基板26；密封層28；可撓性印刷線路板30。
以下，首先對本發明的特徵點之一的密封層28的形態加以詳述，其後進行各構件的說明。
密封層28是防止水分等浸入至靜電電容式觸控面板100的層。藉由設置密封層28，即使在暴露於高溫高濕環境下的 情況下，亦可抑制第1引出配線部14間、及第2引出配線部22間的絕緣電阻的變動，其結果可抑制運作不良。特別是如後所述那樣，藉由將密封層28至少配置於自絕緣層10與第1保護基板18之間露出的第1透明樹脂層16的周緣部的表面上及自絕緣層10與第2保護基板26之間露出的第2透明樹脂層24的周緣部的表面上、第1引出配線部14及第2引出配線部22的露出面上，可抑制自比較容易吸收水分的第1透明樹脂層16及第2透明樹脂層24滲入水分等，且抑制自第1引出配線部14與第1透明樹脂層16的邊界部及自第2引出配線部22與第2透明樹脂層24的邊界部滲入水分等，其結果獲得所期望的效果。另外，在圖1(A)、圖1(B)中，所謂上述第1透明樹脂層16的周緣部及上述第2透明樹脂層24的周緣部，是表示在如下的積層體中，露出至外部的第1透明樹脂層16的側面部及第2透明樹脂層24的側面部：在絕緣層10的其中之一主表面上順次積層第1電極部12、第1引出配線部14、第1透明樹脂層16、第1保護基板18，在絕緣層10的另一主表面上順次積層第2電極部20、第2引出配線部22、第2透明樹脂層24、第2保護基板26，並進一步積層可撓性印刷線路板30而成的積層體。
在圖1(A)、圖1(B)中，密封層28包含配置於絕緣層10、第1引出配線部14及可撓性印刷線路板30上的密封層28a，配置於絕緣層10、第2引出配線部22及可撓性印刷線路板30上的密封層28b，以覆蓋靜電電容式觸控面板100的端面的方式而配置的 密封層28c。
密封層28a及密封層28b是配置在圖1(A)、圖1(B)中的長條狀的靜電電容式觸控面板100的配置有可撓性印刷線路板30之側的一邊的密封層。
密封層28a是以如下方式配置於絕緣層10、第1引出配線部14、及可撓性印刷線路板30上的層：覆蓋位於並未被第1透明樹脂層16覆蓋的第1引出配線部14的另一端側(具有可撓性印刷線路板30之側)的第1透明樹脂層16的端面(側面)、以及並未被第1透明樹脂層16及可撓性印刷線路板30覆蓋的第1引出配線部14的露出面。
密封層28b是以如下方式配置於絕緣層10、第2引出配線部22、及可撓性印刷線路板30上的層：覆蓋位於並未被第2透明樹脂層24覆蓋的第2引出配線部22的另一端側(具有可撓性印刷線路板30之側)的第2透明樹脂層24的端面(側面)、以及並未被第2透明樹脂層24及可撓性印刷線路板30覆蓋的第2引出配線部22的露出面。
另外，在圖1(A)、圖1(B)中，密封層28a及密封層28b以覆蓋第1保護基板18及第2保護基板26的端面的一部分的方式進行配置，但並不限定於該形態。例如，亦可以覆蓋第1保護基板18及第2保護基板26的端面的全體的方式進行配置。
在圖1(A)、圖1(B)中的長條狀的靜電電容式觸控面板100的配置有可撓性印刷線路板30之側的一邊以外的三個邊 中，以覆蓋靜電電容式觸控面板100的端面(周面)的方式配置有密封層28c。另外，如後所述，在圖1(A)、圖1(B)中，第1電極部12及第1引出配線部14除了第1引出配線部14的另一端側的一部分以外，由第1透明樹脂層16覆蓋，第2電極部20及第2引出配線部22除了第2引出配線部22的另一端側的一部分以外，由第2透明樹脂層24覆蓋。因此，在圖1(A)、圖1(B)中，所謂靜電電容式觸控面板100的端面是表示由第1透明樹脂層16、絕緣層10、及第2透明樹脂層24的各個層的端面所形成的端面。另外，在上述三個邊中，在第1電極部12及第1引出配線部14的端面、或第2電極部20及第2引出配線部22的端面露出的形態中，包含這些端面而形成靜電電容式觸控面板100的端面。
密封層28c於圖1(A)、圖1(B)中的長條狀的靜電電容式觸控面板100的配置可撓性印刷線路板30之側的一邊中，以覆蓋絕緣層10的端面的方式進行配置。
在圖1(A)、圖1(B)中，密封層28c配置成覆蓋第1保護基板18及第2保護基板26的端面的一部分，但並不限定於該形態。例如，亦可配置成覆蓋第1保護基板18及第2保護基板26的端面的全體。
在圖1(A)、圖1(B)中，配置有密封層28a、密封層28b及密封層28c，但並不限定於該形態。例如，在自絕緣層10與第1透明樹脂層16之間露出第1電極部12、及/或自絕緣層10 與第2透明樹脂層24之間露出第2電極部20的一部分的情況下，較佳為進一步在第1電極部12及第2電極部20的露出面上配置密封層28。
而且，自視認性更優異、且進一步抑制運作不良的產生的方面考慮，較佳的是在第1保護基板18及第2保護基板26的各自的外側的主表面18a及主表面26a以外的絕緣層10、第1透明樹脂層16、第1保護基板18、第2透明樹脂層24、及第2保護基板26的周緣部(靜電電容式觸控面板100的周緣部)配置密封層。另外，亦可在靜電電容式觸控面板100的整個面(露出的面)配置密封層。
密封層28的氯離子透過係數為1.0mgCl-(100μm)．cm-2．y-1以下。此處，「mgCl-(100μm)．cm-2．y-1」是表示將每單位時間(1年)的透過單位面積(1cm2)的氯離子(Cl-)的質量(mg)換算為單位層厚(100μm)者。其中，自高溫高濕可靠性更優異、且良率變得更高的理由考慮，較佳的是0.5mgCl-(100μm)．cm-2．y-1以下，更佳的是0.3mgCl-(100μm)．cm-2．y-1以下。另外，下限並無特別限制，通常由於所使用的材料的性質而為0.01mgCl-(100μm)．cm-2．y-1以上的情況較多。
另一方面，在密封層28的氯離子透過係數超過1.0mgCl-(100μm)．cm-2．y-1的情況下，靜電電容式觸控面板對水分等的耐受性降低，在暴露於高溫高濕環境下的情況下，引出配線部間的絕緣電阻變動，變得容易產生運作不良。
另外，氯離子透過係數是以JSCE-E 530-2003為基準而測定者。更具體而言如下所述地進行評價。
製作僅僅包含密封層的試驗塗膜，準備氯離子滲透性試驗用裝置，該氯離子滲透性試驗用裝置包含夾住所製作的試驗塗膜而在左右分別具有約0.2L的容積的2個槽。
在塗膜表面側槽(槽A)中注入5%的氯化鈉水溶液，在背面側槽(槽B)中注入蒸餾水。溶液量設為試驗塗膜的兩個面全體完全浸漬於溶液中為止，其質量分別測量至0.1g的位數。另外，確認在溶液注入後並無液體漏出。試驗溫度設為23℃±2℃。
在經過100小時後，自蒸餾水側的槽(槽B)中採集一定量的溶液。此時，對溶液進行充分攪拌後採集。而且，確實試驗塗膜全體始終浸漬於溶液中。
對所採集的溶液測定氯離子，算出氯離子透過係數。另外，以JIS K 0101為基準而進行氯離子的測定。
存在於密封層28表面的直徑為1μm以上的針孔的平均個數為5(個/mm2)以下。另外，所謂密封層28表面是表示密封層28的露出於外部的表面(露出表面)。其中，自高溫高濕可靠性更優異、且良率變得更高的理由考慮，較佳的是3(個/mm2)以下，更佳的是1(個/mm2)以下，特佳的是0(個/mm2)。
此處，所謂針孔是指存在於密封層28表面的小孔(凹部或貫穿孔)，更具體而言是指直徑為1μm以上的孔。密封層表面的針孔的形狀並無特別限定，在並非圓狀的情況下將長徑作為直徑。
針孔的平均個數可藉由如下方式而求出：藉由光學顯微鏡對密封層28的表面觀察至少1cm2的範圍，對存在於上述範圍中的直徑為1μm以上的針孔個數進行計數，並換算為每單位面積(mm2)的平均個數。
自高溫高濕可靠性更優異、且良率變得更高的理由考慮，密封層28的厚度較佳的是0.1μm以上，更佳的是1.0μm以上，進一步更佳的是2.0μm以上，特佳的是4.0μm以上。另外，上限並無特別限制，自效果飽和、有損經濟性的方面考慮，較佳的是50μm以下。
另外，密封層28的厚度是測定密封層28的任意20處以上的位置的厚度，對這些厚度進行算術平均而得的平均值。
密封層28的體積電阻率較佳的是10的11次方Ωcm以上，更佳的是10的12次方Ωcm以上，進一步更佳的是10的13次方Ωcm以上。若為上述範圍，則可進一步抑制運作不良的產生。另外，上限並無特別限制，根據所使用的有機化合物的特性，通常多為10的18次方Ωcm以下的情形。
構成密封層28的材料若為使密封層28顯示上述規定的氯離子透過係數的材料則並無特別限制，例如可列舉環氧樹脂、矽酮系樹脂、氯乙烯系樹脂、氟系樹脂等，其中自高溫高濕可靠性更優異、且良率變得更高的理由考慮，較佳的是氯乙烯系樹脂或氟系樹脂，更佳的是氟系樹脂。
上述環氧樹脂例如可列舉雙酚A型環氧樹脂、雙酚F 型環氧樹脂、溴化雙酚A型環氧樹脂、氫化雙酚A型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、雙酚AF型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂等。
上述矽酮系樹脂例如可列舉聚二甲基矽酮樹脂、甲基苯基矽酮樹脂、改質矽酮樹脂(環氧改質矽酮樹脂、胺改質矽酮樹脂等)等。
上述氯乙烯系樹脂可列舉氯乙烯或偏二氯乙烯的均聚樹脂、氯乙烯或偏二氯乙烯與其他可共聚的單體(例如乙烯、丙烯、乙酸乙烯酯、烯丙基氯、烯丙基縮水甘油醚、丙烯酸酯、乙烯醚等)的共聚樹脂等。
上述氟系樹脂可列舉四氟乙烯樹脂(PTFE)、四氟乙烯-全氟烷基乙烯基醚共聚樹脂(PFA)、四氟乙烯-六氟丙烯共聚樹脂(FEP)、四氟乙烯-乙烯共聚樹脂(ETFE)、偏二氟乙烯樹脂(PVDF)、三氟氯乙烯(PCTFE)、聚氟乙烯(PVF)、乙烯-三氟氯乙烯樹脂(ECTFE)、四氟乙烯-全氟二甲基間二氧雜環戊烯共聚樹脂(TFE/PDD)等。
自高溫高濕可靠性更優異、且良率變得更高的理由考慮，上述氟系樹脂更佳的是(A)具有碳數為1~12的(全)氟烷基及/或(全)氟聚醚基，且具有碳-碳雙鍵的單體、與(B)不含氟的具有碳-碳雙鍵的單體共聚而成的氟系樹脂。另外，此處所謂(全)氟烷基是表示氟烷基或全氟烷基，所謂(全)氟聚醚基是表示氟聚醚基或全氟聚醚基。
(A)成分較佳的是(甲基)丙烯酸酯系單體及乙烯系單 體，(甲基)丙烯酸酯系單體可列舉(甲基)丙烯酸三氟乙酯、(甲基)丙烯酸全氟癸基乙酯、(甲基)丙烯酸全氟辛基乙酯、(甲基)丙烯酸全氟己基乙酯、(甲基)丙烯酸全氟丁基乙酯、全氟聚醚(甲基)丙烯酸酯等，乙烯系單體可列舉三氟甲基乙烯、全氟乙基乙烯、全氟乙基醚乙烯等。另外，此處所謂的(甲基)丙烯酸酯是表示丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯。
而且，(A)成分中的官能基較佳的是全氟烷基或全氟聚醚基。藉由具有這些基而進一步提高相對於後文所詳述的溶劑的溶解性。
上述(A)成分可單獨使用一種或者將兩種以上混合使用，其含量較佳的是以(A)成分與(B)成分共聚而成的氟系樹脂為基準而言為50質量%~95質量%的範圍。若(A)成分不足50質量%，則在溶劑中的溶解性變低；而且若超過95質量%，則存在如下的情況：密封層28變脆，由於急劇的溫度變化等而容易於密封層28中產生龜裂，變得難以維持防濕性、絕緣性、耐酸性。自以上的觀點考慮，更佳的是(A)成分為60質量%~85質量%的範圍。
作為(B)成分的不含氟且具有碳-碳雙鍵的單體，較佳的是(甲基)丙烯酸酯系單體、苯乙烯系單體、烯烴系單體、或乙烯系單體。
(甲基)丙烯酸酯系單體可列舉(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸-2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸異冰片酯、(甲基)丙烯酸縮水甘油 酯、(甲基)丙烯酸苄酯、(甲基)丙烯酸硬脂基酯、(甲基)丙烯酸月桂酯、(甲基)丙烯酸-2-羥基-3-苯氧基丙酯等。而且，苯乙烯系單體可列舉苯乙烯等，烯烴系單體可列舉乙烯、丙烯等，乙烯系單體可列舉氯乙烯、偏二氯乙烯等。
上述(B)成分可單獨使用一種或者將兩種以上混合使用，其含量較佳的是以(A)成分與(B)成分共聚而成的氟系樹脂為基準而言為5質量%~50質量%的範圍。若(B)成分不足5質量%，則密封層28變脆；且若超過50質量%，則在溶劑中的溶解性變低。自以上的觀點考慮，更佳的是(B)成分為10質量%~40質量%的範圍。
上述氟系樹脂較佳的是使上述(A)成分與(B)成分共聚而成。聚合方法並無特別限定，可使用現有公知的方法。而且，該氟系樹脂較佳的是其重量平均分子量為50,000~800,000的範圍，(A)成分與(B)成分可共聚為無規狀，而且亦可共聚為嵌段狀。
在形成密封層28時，較佳的是使用包含選自由上述環氧樹脂、上述矽酮系樹脂、上述氯乙烯系樹脂及上述氟系樹脂所構成的群組的至少1種樹脂(以下亦稱為密封層形成用樹脂)的密封層形成用組成物(塗佈劑)，其中更佳的是使用包含上述氟系樹脂的密封層形成用組成物。
密封層形成用樹脂較佳的是以8質量%~60質量%的範圍而含有於塗佈劑中。若為8質量%以上，則獲得高的防濕性；另一方 面，若為60質量%以下，則具有適宜的黏性，因此塗佈性及乾燥性優異。自以上的觀點考慮，密封層形成用組成物中的密封層形成用樹脂的含量更佳的是10質量%~50質量%的範圍。
密封層形成用組成物較佳的是除了上述密封層形成用樹脂以外亦含有不燃性氟系溶劑。不燃性氟系溶劑是指由於在結構中含有氟而並不產生引火點(flash point)的物質，較佳的是在常溫下為液體，而且自塗佈密封層形成用組成物後的乾燥性的觀點考慮，較佳的是沸點為55℃以上。若沸點為55℃以上，則乾燥速度不會過快，可獲得平滑且均一的皮膜。關於沸點的上限，並無特別限制，自可以高生產性獲得皮膜的觀點考慮，較佳的是180℃以下。
不燃性氟系溶劑若為具有上述物性者，則並無特別限定，例如可列舉氫氟醚、全氟聚醚、全氟烷烴(perfluoroalkane)、氫氟聚醚、氫氟碳等。這些不燃性氟系溶劑可單獨使用一種或者將兩種以上混合使用。
在密封層形成用組成物中，不燃性氟系溶劑較佳的是以20質量%~92質量%的範圍而含有於塗佈劑中。若為20質量%以上，則可確保非引火性，因此安全性優異；另一方面，若為92質量%以下，則高溫高濕可靠性更優異，良率變得更高。自以上的觀點考慮，密封層形成用組成物中的不燃性氟系溶劑的含量更佳的是40質量%~90質量%的範圍。
而且，除了上述不燃性氟系溶劑以外，只要密封層形成用組成物全體在不具有引火性的範圍內，則可加入其他溶劑。例如可混合三氟丙醇、間二三氟甲苯(meta xylene hexafluoride)等具有引火性的氟系溶劑或醇、石蠟(paraffin)系溶劑、酯系溶劑等有機溶劑。
密封層28較佳的是相對於密封層總量而言包含1質量%以上的氟原子，更佳的是包含3質量%以上，進一步更佳的是包含5質量%以上。若為上述範圍，則可進一步抑制運作不良的產生。另外，上限並無特別限制，根據所使用的有機化合物的特性，通常多為76質量%以下的情況。
絕緣層10是用以確保第1電極部12與第2電極部20之間的絕緣性的層。在圖1(A)、圖1(B)中，絕緣層10為單層，亦可為2層以上的多層。。
絕緣層10的厚度(在絕緣層為2層以上的多層的情況下，這些的合計厚度)並無特別限制，較佳的是5μm~350μm，更佳的是30μm~150μm。若為上述範圍內，則獲得所期望的可見光的穿透率，且操作亦容易。
絕緣層10的總透光率較佳的是85%~100%。
絕緣層10較佳的是透明絕緣層。作為其具體例，例如可列舉絕緣樹脂層、陶瓷層、玻璃層等。其中，自韌性優異的理由考慮，較佳的是絕緣樹脂層。
作為構成絕緣樹脂層的材料，更具體而言可列舉聚對苯二甲 酸乙二酯、聚醚碸、聚丙烯酸系樹脂、聚胺基甲酸酯系樹脂、聚酯、聚碳酸酯、聚碸、聚醯胺、聚芳酯、聚烯烴、纖維素系樹脂、聚氯乙烯、環烯系樹脂等。其中，自透明性優異的理由考慮，較佳的是聚對苯二甲酸乙二酯、環烯系樹脂、聚碳酸酯、三乙酸纖維素樹脂。
第1電極部12及第2電極部20是在靜電電容式觸控面板100中感知靜電電容的變化的感測電極，構成感知部(感測器部)。亦即，若使指尖與觸控面板接觸，則在第1電極部12及第2電極部20之間的相互靜電電容變化，基於該變化量而由IC電路演算出指尖的位置。
第1電極部12是在第1方向(X方向)上延伸、排列在與第1方向正交的第2方向(Y方向)上的電極，包含規定的圖案。第2電極部20是在第2方向(Y方向)上延伸、排列在第1方向(X方向)上的電極，包含規定的圖案。在圖1(A)、圖1(B)中，設有5個第1電極部12、4個第2電極部20，但其個數並無特別限制，為多個即可。
在圖1(A)、圖1(B)中，第1電極部12及第2電極部20由導電性細線而構成。在圖2中表示第1電極部12的放大平面圖。如圖2所示，第1電極部12由導電性細線36而構成，包含由導電性細線36交叉而成的多個格子38。另外，第2電極部20亦與第1電極部12同樣地包含由導電性細線36交叉而成的多個格子38。
另外，在圖1(A)、圖1(B)中，第1電極部12及第2電極部20均為長條狀的電極，但其形狀並不限定於該形態，亦可為菱形形狀串列連接而成的所謂菱形圖案。
導電性細線36的材料例如可列舉金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、鋁(Al)等金屬或合金，ITO、氧化錫、氧化鋅、氧化鎘、氧化鎵、氧化鈦等金屬氧化物等。其中，自導電性細線36的導電性優異的理由考慮，較佳的是銀。
在導電性細線36中，自導電性細線36與絕緣層10的密接性的觀點考慮，較佳的是包含黏合劑。
作為黏合劑，自導電性細線36與絕緣層10的密接性更優異的理由考慮，較佳的是水溶性高分子。黏合劑的種類例如可列舉明膠、鹿角菜膠(carrageenan)、聚乙烯醇(PVA)、聚乙烯吡咯烷酮(PVP)、澱粉等多糖類、纖維素及其衍生物、聚環氧乙烷、多糖、聚乙烯胺、聚葡萄胺糖(chitosan)、聚離胺酸(polylysine)、聚丙烯酸、聚海藻酸、聚透明質酸、羧基纖維素、阿拉伯膠、海藻酸鈉等。其中，自導電性細線36與絕緣層10的密接性更優異的理由考慮，較佳的是明膠。
另外，作為明膠，除了石灰處理明膠以外，亦可使用酸處理明膠，且可使用明膠的水解物、明膠酶分解物、其他修飾了胺基、羧基的明膠(鄰苯二甲醯化明膠、乙醯化明膠)。
導電性細線36中的金屬與黏合劑的體積比(金屬的體積/黏合劑的體積)較佳的是1.0以上，更佳的是1.5以上。藉由 使金屬與黏合劑的體積比為1.0以上，可進一步提高導電性細線36的導電性。上限並無特別限制，自生產性的觀點考慮，較佳的是4.0以下，更佳的是2.5以下。
另外，金屬與黏合劑的體積比可藉由導電性細線36中所含的金屬及黏合劑的密度而計算。例如，在金屬為銀的情況下，將銀的密度設為10.5g/cm3、在黏合劑為明膠的情況下，將明膠的密度設為1.34g/cm3進行計算而求出。
導電性細線36的線寬並無特別限制，自可比較容易地形成低電阻的電極的觀點考慮，較佳的是30μm以下，更佳的是15μm以下，進一步更佳的是10μm以下，特佳的是9μm以下，最佳的是7μm以下；較佳的是0.5μm以上，更佳的是1.0μm以上。
導電性細線36的厚度並無特別限制，自導電性與視認性的觀點考慮，可自0.00001mm~0.2mm中選擇，較佳的是30μm以下，更佳的是20μm以下，進一步更佳的是0.01μm~9μm，最佳的是0.05μm~5μm。
格子38包含由導電性配線36包圍的開口區域。格子38的一邊的長度W較佳為800μm以下，更佳為600μm以下，較佳為400μm以上。
在第1電極部12及第2電極部20中，自可見光穿透率的方面考慮，開口率較佳的是85%以上，更佳的是90%以上，最佳的是95%以上。所謂開口率，相當於在規定區域中，第1電極部12 或第2電極部20中的除了導電性細線36以外的穿透性部分在全體中所佔的比例。
格子38具有大致棱形的形狀。但另外亦可為多角形狀(例如六角形)。而且，將一邊的形狀設為直線狀，除此以外亦可為彎曲形狀，亦可為圓弧狀。在設為圓弧狀的情況下，例如關於對向的2個邊，可設為向外部凸起的圓弧狀；關於另外的對向的2個邊，可設為向內部凸起的圓弧狀。而且，亦可將各邊的形狀設為向外部凸起的圓弧與向內部凸起的圓弧連續而成的波線形狀。當然，亦可將各邊的形狀設為正弦曲線。
另外，在圖2中，導電性細線36形成為網狀圖案，但並不限定於該形態，亦可為條紋狀圖案。
另外，在圖1(A)、圖1(B)中，第1電極部12及第2電極部20由導電性細線36而構成，但並不限定於該形態，例如亦可藉由ITO、ZnO等的金屬氧化物薄膜或金屬氧化物粒子、銀漿或銅漿等金屬漿料、銀奈米線或銅奈米線等金屬奈米線粒子而構成。其中，在導電性與透明性優異的方面而言，較佳的是銀奈米線。
而且，電極部的圖案化可根據電極部的材料而選擇，可使用光微影法(photolithography)或抗蝕劑遮罩網版印刷-蝕刻法、噴墨法、印刷法等。
第1引出配線部14是用以連接第1電極部12與後述的可撓性印刷線路板30的配線。第1引出配線部14配置於第1電 極部12的周緣部，其一端與對應的第1電極部12連接，另一端與可撓性印刷線路板30中的未圖示的端子電性連接。亦即，第1引出配線部14的另一端延伸至後述的第1透明樹脂層16的外側，在其延伸部上配置有上述密封層28。
第2引出配線部22是用以連接第2電極部20與後述的可撓性印刷線路板30的配線。第2引出配線部22配置於第2電極部20的周緣部，其一端與第2電極部20連接，另一端與可撓性印刷線路板30中的未圖示的端子電性連接。亦即，第2引出配線部22的另一端延伸至後述的第2透明樹脂層24的外側，在其延伸部上配置有上述密封層28。
另外，如圖1(A)、圖1(B)所示，第1引出配線部14及第2引出配線部22的各自的另一端集合，構成與可撓性印刷線路板30連接的另一端部。而且，在圖1(A)、圖1(B)中，第1引出配線部14記載為5根，第2引出配線部22記載為4根，其根數並無特別限制，通常根據電極部數而配置多個。
構成第1引出配線部14及第2引出配線部22的配線的材料例如可列舉金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)等金屬，或氧化錫、氧化鋅、氧化鎘、氧化鎵、氧化鈦等金屬氧化物等。其中，自導電性優異的理由考慮，較佳的是銀。而且，亦可由銀漿或銅漿等金屬漿料，或鋁(Al)或鉬(Mo)等金屬或合金薄膜而構成。在金屬漿料的情況下，藉由網版印刷或噴墨印刷法；在金屬或合金薄膜的情況下，適宜地使用以光微影法等對濺鍍膜進行圖案化的 方法。
作為上述導電性細線36、以及構成第1引出配線部14及第2引出配線部22的配線的材料，自表面電阻值低於ITO等金屬氧化物、且容易形成透明的導電性層的觀點考慮，可使用金屬奈米線。金屬奈米線較佳的是縱橫比(平均線長/平均線徑)為30以上、平均線徑為1nm以上150nm以下、平均線長為1μm以上100μm以下的金屬微粒子。金屬奈米線的平均線徑較佳的是100nm以下，更佳的是50nm以下，進一步更佳的是35nm以下。金屬奈米線的平均線長較佳的是1μm以上40μm以下，更佳的是3μm以上35μm以下，進一步更佳的是5μm以上30μm以下。
構成金屬奈米線的金屬並無特別限制，可為僅僅包含1種金屬者，亦可組合使用2種以上金屬，亦可使用合金。具體而言，可列舉銅、銀、金、鉑、鈀、鎳、錫、鈷、銠、銥、鐵、釕、鋨、錳、鉬、鎢、鈮、鉭、鈦、鉍、銻、鉛、或這些的合金等。較佳的是以50%以上的質量比含有銀的銀奈米線。
金屬奈米線可藉由任意方法而製作。金屬奈米線的製造方法例如在先進材料(Adv.Mater.)第14卷，2002，833-837、日本專利特開2010-084173號公報、美國公開專利2011-0174190公報中有所詳細記載。另外，與上述金屬奈米線有關係的文獻例如可列舉日本專利特開2010-86714號公報、日本專利特開2010-87105號公報、日本專利特開2010-250109號公報、日本專利特開2010-250110號公報、日本專利特開2010-251611號公報、 日本專利特開2011-54419號公報、日本專利特開2011-60686號公報、日本專利特開2011-65765號公報、日本專利特開2011-70792號公報、日本專利特開2011-86482號公報、日本專利特開2011-96813號公報。在本發明中，可適宜地組合使用這些文獻中所揭示的內容。
第1透明樹脂層16及第2透明樹脂層24分別配置於第1電極部12上及第2電極部20上，是用以確保第1電極部12與第1保護基板18之間、及第2電極部20與第2保護基板26之間的密接性的層(特別是黏著性透明樹脂層)。在圖1(A)、圖1(B)中，第1透明樹脂層16以第1引出配線部14的與可撓性印刷線路板30連接的另一端露出的方式覆蓋第1引出配線部14及第1電極部12。而且，第2透明樹脂層24以第2引出配線部22的與可撓性印刷線路板30連接的另一端露出的方式覆蓋第2引出配線部22及第2電極部20。如圖1(A)、圖1(B)所示，為了使第1引出配線部14的另一端及第2引出配線部22的另一端露出，第1透明樹脂層16及第2透明樹脂層24的大小通常小於絕緣層10。
第1透明樹脂層16及第2透明樹脂層24的厚度並無特別限制，較佳的是5μm~350μm，更佳的是30μm~150μm。若為上述範圍內，則獲得所期望的可見光的穿透率，且操作亦容易。
第1透明樹脂層16及第2透明樹脂層24的總透光率較佳的是85%~100%。
作為構成第1透明樹脂層16及第2透明樹脂層24的材 料，較佳的是使用公知的黏著劑，例如可列舉橡膠系黏著性絕緣材料、丙烯酸系黏著性絕緣材料、矽酮系黏著性絕緣材料等。其中，自透明性優異的觀點考慮，較佳的是丙烯酸系黏著性絕緣材料。
作為上述黏著性絕緣材料的適宜形態的丙烯酸系黏著性絕緣材料是以具有源自(甲基)丙烯酸烷基酯的重複單元的丙烯酸系聚合物為主成分者。另外，(甲基)丙烯酸酯是指丙烯酸酯及/或甲基丙烯酸酯。自黏著性更優異的方面考慮，丙烯酸系黏著性絕緣材料中較佳的是具有源自烷基的碳數為1~12左右的(甲基)丙烯酸烷基酯的重複單元的丙烯酸系聚合物，更佳的是具有源自上述碳數的甲基丙烯酸烷基酯的重複單元及源自上述碳數的丙烯酸烷基酯的重複單元的丙烯酸系聚合物。
上述丙烯酸系聚合物中的重複單元中亦可包含源自(甲基)丙烯酸的重複單元。
第1保護基板18及第2保護基板26分別是配置在第1透明樹脂層16及第2透明樹脂層24上的基板，是保護第1電極部12或第2電極部20免受外部環境的影響的基板，通常其中之一保護基板的主表面構成觸碰面。
第1保護基板18及第2保護基板26較佳的是透明基板，可使用塑膠膜、塑膠板、玻璃板等。層的厚度理想的是根據各自的用途而適宜選擇。
上述塑膠膜及塑膠板的原料例如可使用聚對苯二甲酸乙二酯 (PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)等聚酯類；聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、聚苯乙烯、乙烯-乙酸乙烯酯(Ethylene Vinyl Acetate，EVA)等聚烯烴類；乙烯系樹脂；另外可使用聚碳酸酯(PC)、聚醯胺、聚醯亞胺、丙烯酸樹脂、三乙酸纖維素(TAC)、環烯系樹脂(COP)等。
而且，第1保護基板18及第2保護基板26亦可使用液晶顯示器或偏光板、圓偏光板等。
可撓性印刷線路板30是在基板上設有多個配線及端子的板，與第1引出配線部14的各自的另一端及第2引出配線部22的各自的另一端連接，起到將靜電電容式觸控面板100與外部裝置(例如液晶表示裝置)連接的作用。可撓性印刷線路板30可如圖1(A)、圖1(B)所示般以夾持第1引出配線部14、絕緣層10及第2引出配線部22的方式而配置。
另外，在圖1(A)、圖1(B)中表示了在絕緣層的兩個面上配置有電極部的靜電電容式觸控面板上設置密封層的形態，但如後所述並不限定於此。例如亦可列舉在藉由如下方式而得的靜電電容式觸控面板中具有密封層的形態：準備2枚包含絕緣層與配置於絕緣層表面的電極部的附有電極部的絕緣層，以電極部彼此相對的方式、或其中之一附有電極部的絕緣層的絕緣層與另一附有電極部的絕緣層的電極部相對的方式，經由透明樹脂層進行貼合而得的觸控面板。而且，另外亦可列舉在絕緣層的其中之一主表面上設置第1電極部及第2電極部而得的靜電電容式觸控 面板中具有密封層的形態。
靜電電容式觸控面板100的製造方法並無特別限制，可採用公知的方法。
作為在絕緣層10上形成第1電極部12及第1引出配線部14、以及第2電極部20及第2引出配線部22的方法，例如可列舉對絕緣層10的兩個主表面上所形成的金屬箔上的光阻膜進行曝光、顯影處理而形成抗蝕劑圖案，對自抗蝕劑圖案露出的金屬箔進行蝕刻的方法。
或者列舉在絕緣層10的兩個主表面上印刷包含金屬微粒子或金屬奈米線的漿料，對漿料進行金屬鍍覆的方法。
而且，亦可列舉在絕緣層10上藉由網版印刷版或凹版印刷版而印刷形成的方法、或藉由噴墨而形成的方法。
另外，除了上述方法以外亦可列舉使用鹵化銀的方法。更具體而言，可列舉包含如下步驟的方法：步驟(1)，在絕緣層10的兩個面分別形成包含鹵化銀與黏合劑的鹵化銀乳劑層(以後亦簡稱為感光性層)；步驟(2)，在對感光性層進行曝光後，藉由進行顯影處理而形成第1電極部12及第1引出配線部14、以及第2電極部20及第2引出配線部22。
以下，關於各步驟而加以說明。
[步驟(1)：感光性層形成步驟]
步驟(1)是在絕緣層10的兩個面形成含有鹵化銀與黏合劑的感光性層的步驟。
形成感光性層的方法並無特別限制，自生產性的方面考慮，較佳的是使含有鹵化銀及黏合劑的感光性層形成用組成物與絕緣層10接觸，在絕緣層10的兩個面上形成感光性層的方法。
以下，對上述方法中所使用的感光性層形成用組成物的形態加以詳述，然後對步驟的順序加以詳述。
感光性層形成用組成物中含有鹵化銀及黏合劑。
鹵化銀中所含有的鹵素元素可為氯、溴、碘及氟的任意者，亦可將這些加以組合。鹵化銀例如可較佳地使用以氯化銀、溴化銀、碘化銀為主體的鹵化銀，可更佳地使用以溴化銀或氯化銀為主體的鹵化銀。
所使用的黏合劑的種類如上所述。而且，黏合劑亦可以乳膠的形態而包含於感光性層形成用組成物中。
感光性層形成用組成物中所含的鹵化銀及黏合劑的體積比並無特別限制，可以成為上述導電性細線36中的金屬與黏合劑的適宜的體積比的範圍的方式而加以適宜調整。
感光性層形成用組成物中視需要可含有溶劑。
所使用的溶劑例如可列舉水、有機溶劑(例如甲醇等醇類、丙酮等酮類、甲醯胺等醯胺類、二甲基亞碸等亞碸類、乙酸乙酯等酯類、醚類等)、離子性液體、或這些的混合溶劑。
所使用的溶劑的含量並無特別限制，相對於鹵化銀及黏合劑的合計質量而言，較佳的是30質量%~90質量%的範圍，更佳的是50質量%~80質量%的範圍。
(步驟的順序)
使感光性層形成用組成物與絕緣層10接觸的方法並無特別限制，可採用公知的方法。例如，可列舉將感光性層形成用組成物塗佈於絕緣層10上的方法、或在感光性層形成用組成物中浸漬絕緣層10的方法等。
所形成的感光性層中的黏合劑的含量並無特別限制，較佳的是0.3g/m2~5.0g/m2，更佳的是0.5g/m2~2.0g/m2。
而且，感光性層中的鹵化銀的含量並無特別限制，於導電性細線36的導電特性更優異的方面而言，以銀換算而言較佳的是1.0g/m2~20.0g/m2，更佳的是5.0g/m2~15.0g/m2。
另外，亦可視需要在感光性層上進一步設置包含黏合劑的保護層。藉由設置保護層，可防止擦傷或改良力學特性。
[步驟(2)：曝光顯影步驟]
步驟(2)是對上述步驟(1)中所得的感光性層進行圖案曝光後，藉由進行顯影處理而形成第1電極部12及第1引出配線部14、以及第2電極部20及第2引出配線部22的步驟。
首先，於以下對圖案曝光處理加以詳述，其後對顯影處理加以詳述。
(圖案曝光)
藉由對感光性層實施圖案狀的曝光，感光性層中的鹵化銀在曝光區域中形成潛影。形成有該潛影的區域由於後述的顯影處理而形成導電性細線。另一方面，在未進行曝光的未曝光區域中， 在後述的定影處理時，鹵化銀溶解而自感光性層流出，獲得透明的膜。
曝光時所使用的光源並無特別限制，可列舉可見光、紫外線等光、或X射線等放射線等。
進行圖案曝光的方法並無特別限制，例如可藉由利用光罩的表面曝光而進行，亦可藉由利用雷射光束的掃描曝光而進行。另外，圖案的形狀並無特別限制，可根據所欲形成的導電性細線的圖案而適宜調整。
(顯影處理)
顯影處理的方法並無特別限制，可採用公知的方法。例如，可使用銀鹽攝影膠片、相紙(photographic paper)、印刷製版用膜、光罩用乳膠遮罩等中所使用的通常的顯影處理的技術。
顯影處理時所使用的顯影液的種類並無特別限制，例如可使用PQ顯影液、MQ顯影液、MAA顯影液等。市售品例如可使用富士膠片公司配方的CN-16、CR-56、CP45X、FD-3、PAPITOL，柯達(KODAK)公司配方的C-41、E-6、RA-4、D-19、D-72等顯影液、或在該套組中所含的顯影液。而且，亦可使用平版顯影液。
顯影處理可包含為了除去未曝光部分的銀鹽而使其穩定化所進行的定影處理。定影處理可使用銀鹽攝影膠片或相紙、印刷製版用膜、光罩用乳膠遮罩等中所使用的定影處理的技術。
定影步驟中的定影溫度較佳的是約20℃~約50℃，更佳的是25℃~45℃。而且，定影時間較佳的是5秒~1分鐘，更佳的是7 秒~50秒。
顯影處理後的曝光部(導電性細線)中所含的金屬銀的質量較佳的是相對於曝光前的曝光部中所含的銀的質量而言為50質量%以上的含有率，更佳的是80質量%以上。若曝光部中所含的銀的質量相對於曝光前的曝光部中所含的銀的質量而言為50質量%以上，可獲得高的導電性，因此較佳。
除了上述步驟以外，亦可視需要而實施以下的下塗層形成步驟、防光暈層(anti-halation layer)形成步驟、或加熱處理。
(下塗層形成步驟)
自絕緣層與鹵化銀乳劑層的密接性優異的理由考慮，較佳的是在上述步驟(1)之前，實施在絕緣層的兩個面形成包含上述黏合劑的下塗層的步驟。
所使用的黏合劑如上所述。下塗層的厚度並無特別限制，在進一步抑制密接性與相互靜電電容的變化率的方面而言，較佳的是0.01μm~0.5μm，更佳的是0.01μm~0.1μm。
(防光暈層形成步驟)
自導電性細線的細線化的觀點考慮，較佳的是於上述步驟(1)之前，實施在絕緣層的兩個面形成防光暈層的步驟。
關於防光暈層中所使用的材料與其使用方法，並無特別限制，例如例示於日本專利特開2009-188360號公報的段落[0029]~段落[0032]等中。
自進一步抑制相互靜電電容的變化率、而且電極部間的耐遷 移(migration)性優異的理由考慮，較佳的是在防光暈層中含有交聯劑。交聯劑可任意使用有機硬膜劑、無機硬膜劑，自硬膜控制的觀點考慮，較佳的是有機硬膜劑，作為具體例，例如可列舉醛類、酮類、羧酸衍生物、磺酸酯、三嗪類、活性烯烴類、異氰酸酯、碳二醯亞胺。
[步驟(3)：加熱步驟]
步驟(3)是於上述顯影處理之後實施加熱處理的步驟。藉由實施本步驟，於黏合劑間產生熔接，導電性細線的硬度進一步上升。特別是在感光性層形成用組成物中分散聚合物粒子作為黏合劑的情況下(黏合劑為乳膠中的聚合物粒子的情況下)，藉由實施本步驟，於聚合物粒子間產生熔接，形成顯示所期望的硬度的導電性細線。
加熱處理的條件可根據所使用的黏合劑而適宜地選擇適合的條件，自聚合物粒子的造膜溫度的觀點考慮，較佳的是40℃以上，更佳的是50℃以上，進一步更佳的是60℃以上。而且，自抑制絕緣層的捲曲等的觀點考慮，較佳的是150℃以下，更佳的是100℃以下。
加熱時間並無特別限定，自抑制絕緣層的捲曲等的觀點、及生產性的觀點考慮，較佳的是1分鐘~5分鐘，更佳的是1分鐘~3分鐘。
另外，該加熱處理通常可兼作曝光、顯影處理後所進行的乾燥步驟，因此無需為了進行聚合物粒子的造膜而增加新的步驟， 自生產性、成本等的觀點而言優異。
另外，藉由實施上述步驟，在導電性細線間形成包含黏合劑的透光性部。作為透光性部的穿透率，以380nm~780nm的波長區域中的穿透率的最小值所表示的穿透率為90%以上，較佳的是95%以上，更佳的是97%以上，進一步更佳的是98%以上，最佳的是99%以上。
透光性部中亦可包含上述黏合劑以外的材料，例如可列舉銀難溶劑等。
藉由在透光性部中包含銀難溶劑，可進一步抑制導電性細線間的金屬的離子遷移。銀難溶劑的pKsp較佳的是9以上，更佳的是10~20。銀難溶劑並無特別限定，例如可列舉TTHA(三乙四胺六乙酸)等。
另外，銀的溶解度積Ksp成為這些化合物與銀離子的相互作用的強度的基準。Ksp的測定方法可參照「阪口喜堅、菊池真一，日本寫真學會雜誌，13，126，(1951)」與「A.Pailliofet and J.Pouradier，法國化學會通報(Bull.Soc.chim.France)，1982，I-445(1982)」而進行測定。
形成第1透明樹脂層16及第2透明樹脂層24的方法並無特別限制，可列舉公知的貼合透明樹脂膜的方法、或塗佈形成透明樹脂層的透明樹脂層形成用組成物而形成層的方法等。
另外，在形成第1透明樹脂層16及第2透明樹脂層24時，以第1引出配線部14的與第1電極部12接合的一端的相反側的 另一端、及第2引出配線部22的與第2電極部20接合的一端的相反側的另一端分別露出的方式形成各層。
形成第1保護基板18及第2保護基板26的方法並無特別限制，可列舉在第1透明樹脂層16及第2透明樹脂層24上分別貼合保護基板的方法。
其後，使可撓性印刷線路板30的未圖示的端子與第1引出配線部14及第2引出配線部22的露出的另一端連接，配置可撓性印刷線路板30而獲得積層體。
密封層28的形成方法並無特別限制，例如可列舉將形成密封層28的密封層形成用組成物(塗佈劑)塗佈於規定位置的方法。更具體而言，可列舉：在該組成物中浸漬上述積層體的方法，或在上述積層體的規定位置噴灑塗佈組成物的方法等。
例如，在除第1保護基板18及第2保護基板26的各自的主表面18a及主表面26a以外的整個面上配置密封層的情況下，在上述所得的積層體的第1保護基板18及第2保護基板26的各自的主表面18a及主表面26a上配置可剝離的保護膜，使所得的積層體與密封層形成用組成物接觸(較佳的是浸漬於密封層形成用組成物中)，其後將保護膜剝去，藉此可製造所期望的靜電電容式觸控面板。
另外，上述密封層形成用組成物的乾燥性高，因此可藉由在常溫下放置而容易地乾燥而可獲得皮膜，但亦可視需要進行加熱而乾燥。
如上所述，密封層28的針孔的平均個數為規定的範圍，更具體而言存在於密封層28表面的直徑為1μm以上的針孔的平均個數為5(個/mm2)以下。形成此種密封層28的方法並無特別限制，例如可列舉使密封層28的形成中所使用的密封層形成用組成物脫泡的方法。在使用經脫泡的密封層形成用組成物的情況下，存在於組成物中的成為針孔的原因的氣泡或溶存氣體少，因此抑制針孔的產生。
作為對密封層形成用組成物進行脫泡的方法，可列舉對密封層形成用組成物進行過濾的方法、對密封層形成用組成物進行超音波處理的方法、對密封層形成用組成物進行減壓的方法、在密封層形成用組成物中添加消泡劑的方法等。其中，自高溫高濕可靠性更優異、且良率變得更高的理由考慮，較佳的是對密封層形成用組成物進行過濾的方法、或對密封層形成用組成物進行超音波處理的方法。
對密封層形成用組成物進行過濾的方法並無特別限制，可使用抽氣過濾、加壓過濾、離心分離等公知的方法。過濾器的孔徑並無特別限制，自容易減低針孔、且良率變得更高的理由考慮，較佳的是0.1μm~10μm，更佳的是0.2μm~5μm。
對密封層形成用組成物進行超音波處理的方法並無特別限制，可使用：使用超音波清洗器的方法、使用超音波均質機的方法等公知的方法。
對密封層形成用組成物進行減壓的方法並無特別限制，可使 用：使用真空泵的方法等公知的方法。
在密封層形成用組成物中所添加的消泡劑並無特別限制，可使用矽系油、氟系油、多羧酸系聚合物等公知的消泡劑。
而且，形成針孔的平均個數為規定的範圍的密封層28的其他方法例如可列舉一面對密封層形成用組成物進行超音波處理一面浸漬上述積層體的方法。藉由一面對密封層形成用組成物進行超音波處理一面浸漬積層體，可防止成為針孔的原因的氣泡附著於積層體上。
另外，密封層形成用組成物的表面張力較佳的是20mN/m以下，更佳的是15mN/m以下。而且，密封層形成用組成物的黏度較佳的是100cps以下，更佳的是50cps以下。若為上述範圍，則可進一步抑制運作不良的產生。
<第2實施方式>
在圖3中表示本發明的靜電電容式觸控面板的第2實施方式的剖面圖。另外，圖3是為了使對靜電電容式觸控面板200的層構成的理解變得容易而示意性地表示者，並非準確地表示各層的配置的圖式。
如圖3所示，靜電電容式觸控面板200包含：第1絕緣層40、配置於第1絕緣層40的其中之一主表面上的第1電極部12及第1引出配線部14、第1透明樹脂層16、第2電極部20及第2引出配線部22、第2絕緣層42、第2透明樹脂層24、保護基板44、密封層28、可撓性印刷線路板30。
作為圖3中所示的靜電電容式觸控面板200，除了各層的順序不同的方面以外，具有與圖1(A)、圖1(B)中所示的靜電電容式觸控面板200同樣的層，因此對同一構成要素附以同一參照符號，省略其說明。另外，第1絕緣層40及第2絕緣層42是與圖1(A)、圖1(B)中所示的絕緣層10同樣的層，其定義如上所述。而且，保護基板44是與圖1(A)、圖1(B)中所示的第1保護基板18及第2保護基板26同樣的層，其定義如上所述。
而且，圖3中的第1電極部12與第2電極部20可如圖1(A)、圖1(B)所示般分別使用多個，兩者如圖1(A)、圖1(B)所示般互相正交地進行配置。
另外，第1透明樹脂層16以第1引出配線部14及第2引出配線部22的各自的另一端露出的方式配置於第1電極部12及第1引出配線部14上、以及第2電極部20及第2引出配線部22上。
圖3中所示的靜電電容式觸控面板200相當於藉由如下方式而所得的靜電電容式觸控面板：準備2枚包含絕緣層與配置於絕緣層表面的電極部及引出配線部的附有電極部的絕緣層，以電極部彼此相對的方式，經由透明樹脂層進行貼合。如圖3所示，密封層28分別配置於：包含自第1絕緣層40與第2絕緣層42(基板)之間露出的第1透明樹脂層16的周緣部的靜電電容式觸控面板200的周緣部的表面上、第1引出配線部14的未被第1透明樹脂層16及可撓性印刷線路板30覆蓋的露出面上、及第2引出配線部22的未被第1透明樹脂層16及可撓性印刷線路板30覆蓋的 露出面上。
<第3實施方式>
在圖4中表示本發明的靜電電容式觸控面板的第3實施方式的剖面圖。另外，圖4是為了使對靜電電容式觸控面板300的層構成的理解變得容易而示意性地表示者，並非準確地表示各層的配置的圖式。
如圖4所示，靜電電容式觸控面板300包含：第1絕緣層40、配置於第1絕緣層40的其中之一主表面上的第1電極部12及第1引出配線部14、第1透明樹脂層16、第2絕緣層42、第2電極部20及第2引出配線部22、第2透明樹脂層24、保護基板44、密封層28、可撓性印刷線路板30。
作為圖4中所示的靜電電容式觸控面板300，除了各層的順序不同的方面以外，具有與圖3中所示的靜電電容式觸控面板300同樣的層，因此對同一構成要素附以同一參照符號，省略其說明。
另外，圖4中的第1電極部12與第2電極部20可如圖1(A)、圖1(B)所示般分別使用多個，兩者如圖1(A)、圖1(B)所示般相互正交地進行配置。
另外，第1透明樹脂層16以第1引出配線部14的另一端露出的方式配置於第1電極部12及第1引出配線部14上。而且，第2透明樹脂層24以第2引出配線部22的另一端露出的方式配置於第2電極部20及第2引出配線部22上。
圖4中所示的靜電電容式觸控面板300相當於藉由如下 方式而得的靜電電容式觸控面板：準備2枚包含絕緣層與配置於絕緣層表面的電極部及引出配線部的附有電極部的絕緣層，以其中之一附有電極部的絕緣層的絕緣層與另一附有電極部的絕緣層的電極部相對的方式，經由透明樹脂層進行貼合。
如圖4所示，密封層28分別配置於：靜電電容式觸控面板300的周緣部的表面上，該表面上包含自第1絕緣層40與第2絕緣層42之間露出的第1透明樹脂層16的周緣部的表面上及自第2絕緣層42與保護基板44之間露出的第2透明樹脂層24的周緣部的表面上；第1引出配線部14的未被第1透明樹脂層16及可撓性印刷線路板30覆蓋的露出面上；及第2引出配線部22的未被第2透明樹脂層24及可撓性印刷線路板30覆蓋的露出面上。
<第4實施方式>
圖5(A)及圖5(B)表示本發明的靜電電容式觸控面板的第4實施方式的示意圖。圖5(A)是靜電電容式觸控面板400的剖面圖，圖5(B)是部分平面圖。另外，圖5(A)、圖5(B)是為了使對靜電電容式觸控面板400的層構成的理解變得容易而示意性地表示者，並非準確地表示各層的配置的圖式。
靜電電容式觸控面板400在第1絕緣層40的表面包含多個跨接線(jumper)46、第2絕緣層42、第1電極部12、未圖示的第1引出配線部、第2電極部20、未圖示的第2引出配線部、透明樹脂層48、保護基板44、未圖示的密封層28、未圖示的可撓性印刷線路板。
另外，透明樹脂層48是與上述的第1透明樹脂層16及第2透明樹脂層24同樣的層，其定義如上所述。
跨接線46由導電性材料而形成，在第1絕緣層40的表面上，在X軸方向及Y軸方向上排列為矩陣狀。跨接線46的各個是用以將在X軸方向上所排列的第2電極部20在X軸方向上連接者。跨接線46例如可藉由金屬(MAM、APC以及其他)或氧化銦錫(Indium Tin Oxide；ITO)、聚乙烯二氧噻吩(polyethylene dioxy thiophene，PEDOT)等導電性高分子而形成。此處，MAM是Mo(鉬)/Al(鋁)/Mo的略稱，是3層結構的導電材料。而且，APC是銀/鈀/銅的合金。
第2絕緣層42可藉由以覆蓋跨接線46及第1絕緣層40的表面全體的方式進行積層而形成。在第2電極部20與跨接線46重疊的部分的第2絕緣層42上設置直至達到跨接線46的表面的通孔50。
如圖5(B)所示，靜電電容式觸控面板400在同一層內包含：在X軸方向及與其正交的Y軸方向上間歇性地排列的第2電極部20、在X軸方向及Y軸方向上排列且分別配置於第2電極部20的行間及列間的第1電極部12。排列於X軸方向的第2電極部20的各個成為：在第2絕緣層42上，於X軸方向及Y軸方向的任意方向均不相互連接，但經由通孔(through hole)50而與第1絕緣層40上的跨接線46電性連接的狀態。另一方面，第1電極部12的各個排列於X軸方向及Y軸方向上，且分別配置於 第1電極部12的行間及列間，在第2絕緣層42上，經由連接部52而於Y軸方向上相互連結。
在第1電極部12及第2電極部20上分別連接未圖示的第1引出配線部及第2引出配線部的一端。
透明樹脂層48以未圖示的第1引出配線部及第2引出配線部的另一端露出的方式配置於第1電極部12及第2電極部20上、以及未圖示的第1引出配線部及第2引出配線部上。
保護基板44配置於透明樹脂層48上。
另外，於第1引出配線部及第2引出配線部的另一端連接未圖示的可撓性印刷線路板。
未圖示的密封層分別配置於自第1絕緣層40與保護基板44之間露出的透明樹脂層48的周緣部的表面上、及未圖示的第1引出配線部及第2引出配線部的未被透明樹脂層48及可撓性印刷線路板覆蓋的露出面上。
<第5實施方式>
圖6(A)及圖6(B)表示本發明的靜電電容式觸控面板的第5實施方式的示意圖。圖6(A)是靜電電容式觸控面板500的剖面圖，圖6(B)是部分平面圖。另外，圖6(A)、圖6(B)是為了使對靜電電容式觸控面板500的層構成的理解變得容易而示意性地表示者，並非準確地表示各層的配置的圖式。
靜電電容式觸控面板500在第1絕緣層40的表面包含：第1電極部12、未圖示的第1引出配線部、第2電極部20、未圖示的 第2引出配線部、第2絕緣層42、跨接線46、透明樹脂層48、保護基板44、未圖示的密封層、未圖示的可撓性印刷線路板。
如圖6(B)所示，第1電極部12以於Y軸方向上連接的方式在第1絕緣層40上形成圖案，第2電極部20以覆蓋與第1電極部12交叉的部分的方式配置第2絕緣層42，經由以跨於該第2絕緣層42的上而設的跨接線46，於X軸方向上電性連接。
在第1電極部12及第2電極部20上分別連接未圖示的第1引出配線部及第2引出配線部的一端。
透明樹脂層48以未圖示的第1引出配線部及第2引出配線部的另一端露出的方式配置於第1電極部12及第2電極部20上、以及未圖示的第1引出配線部及第2引出配線部上。
保護基板44配置於透明樹脂層48上。
另外，在第1引出配線部及第2引出配線部的另一端連接有未圖示的可撓性印刷線路板。
未圖示的密封層分別配置於自第1絕緣層40與保護基板44之間露出的透明樹脂層48的周緣部的表面上、及未圖示的第1引出配線部及第2引出配線部的未被透明樹脂層48及可撓性印刷線路板覆蓋的露出面上。
<第6實施方式>
在圖7(A)及圖7(B)中表示本發明的靜電電容式觸控面板的第6實施方式的示意圖。圖7(A)是靜電電容式觸控面板600的剖面圖，圖7(B)是部分平面圖。另外，圖7(A)、圖7(B) 是為了使對靜電電容式觸控面板600的層構成的理解變得容易而示意性地表示者，並非準確地表示各層的配置的圖式。
如圖7(A)、圖7(B)所示，靜電電容式觸控面板600包含：絕緣層10、在絕緣層10的其中之一主表面上所配置的多個電極部54及多個引出配線部56、透明樹脂層48、保護基板44、未圖示的密封層、未圖示的可撓性印刷線路板。
另外，電極部54是與上述第1電極部12及第2電極部20相同的構件，其定義如上所述。而且，引出配線部56是與上述的第1引出配線部14及第2引出配線部22相同的構件，其定義如上所述。
如圖7(B)所示，電極部54具有大致等腰三角形的形狀，以多個電極部54相互位置不同的方式配置於絕緣層10上。
多個引出配線部56的各自的一端與對應的電極部54連接。
透明樹脂層48以引出配線部56的另一端露出的方式配置於電極部54及引出配線部56上。
保護基板44配置於透明樹脂層48上。
另外，在引出配線部56的另一端連接有未圖示的可撓性印刷線路板。
未圖示的密封層分別配置於自絕緣層10與保護基板44之間露出的透明樹脂層48的周緣部的表面上、及引出配線部56的未被透明樹脂層48及可撓性印刷線路板覆蓋的露出面上。
上述本發明的靜電電容式觸控面板可適用於各種用途 中，例如可適用於輸入裝置等中。
包含本發明的靜電電容式觸控面板的輸入裝置的構成並無特別限制，例如可列舉圖8(A)、圖8(B)及圖8(C)中所示的形態。圖8(A)中所示的形態相當於所謂的外掛(Out-Cell)型的形態，可列舉輸入裝置170a，其順次包含背光源110、第1偏光板120、液晶顯示器(LCD)130、第2偏光板140、本發明的靜電電容式觸控面板150、保護基板160。另外，在第2偏光板140與靜電電容式觸控面板150之間配置有未圖示的間隔物。
而且，作為輸入裝置的形態，並不限定於圖8(A)的形態，例如可列舉圖8(B)中所示的輸入裝置170b，其順次包含背光源110、第1偏光板120、液晶顯示器(LCD)130、第2偏光板140、黏著層180、本發明的靜電電容式觸控面板150、保護基板160。
另外，作為輸入裝置的其他形態，可列舉圖8(C)中所示的輸入裝置170c，其順次包含背光源110、第1偏光板120、液晶顯示器(LCD)130、本發明的靜電電容式觸控面板150、第2偏光板140、保護基板160。
在本發明中，靜電電容式觸控面板並不限於上述的實施方式，當然可並不偏離本發明的主旨地採用各種構成。而且，可與日本專利特開2011-113149號公報、日本專利特開2011-129501號公報、日本專利特開2011-129112號公報、日本專利特開2011-134311號公報、日本專利特開2011-175628號公報等中所揭示的技術適宜組合而使用。
[實施例]
以下，藉由實施例對本發明加以更詳細的說明，但本發明並不限定於這些實施例。
<實施例1>
(鹵化銀乳劑的製備)
在保持為38℃、pH 4.5的下述液體1中，一面攪拌，一面以20分鐘加入下述液體2及液體3各相當於90%的量，形成0.16μm的核粒子。繼而以8分鐘加入下述液體4及液體5，進一步以2分鐘加入下述液體2及液體3的剩餘10%的量，使核粒子成長至0.21μm。進一步加入碘化鉀0.15g，進行5分鐘熟化而結束粒子形成。
其後，依照常法，藉由絮凝法(flocculation method)進行水洗。具體而言，將溫度降至35℃，使用硫酸將pH降至鹵化銀沈澱(pH為3.6±0.2的範圍)。其次，除去約3升的上清液(第一水洗)。進一步加入3升蒸餾水後，加入硫酸直至鹵化銀沈澱。再次除去3升的上清液(第二水洗)。進一步重複進行1次與第二水洗相同的操作(第三水洗)，結束水洗、除鹽步驟。將水洗、除鹽後的乳劑調整為pH 6.4、pAg 7.5，加入明膠3.9g、苯硫代磺酸 鈉10mg、苯硫代亞磺酸鈉3mg、硫代硫酸鈉15mg與氯金酸10mg，於55℃下以獲得最佳感度的方式實施化學增感，加入作為穩定劑的1,3,3a,7-四氮茚100mg、作為防腐劑的PROXEL(商品名、帝國化學工業有限公司(ICI Co.,Ltd.)製造)100mg。最終所獲得的乳劑是包含0.08莫耳%的碘化銀，使氯溴化銀的比率為氯化銀為70莫耳%、溴化銀為30莫耳%，平均粒徑為0.22μm、變動係數為9%的碘氯溴化銀立方體粒子乳劑。
(感光性層形成用組成物的製備)
在上述乳劑中添加1,3,3a,7-四氮茚1.2×10-4莫耳/莫耳Ag、對苯二酚1.2×10-2莫耳/莫耳Ag、檸檬酸3.0×10-4莫耳/莫耳Ag、2,4-二氯-6-羥基-1,3,5-三嗪鈉鹽0.90g/莫耳Ag，使用檸檬酸將塗佈液的pH調整為5.6，獲得感光性層形成用組成物。
(感光性層形成步驟)
對厚度為100μm的聚對苯二甲酸乙二酯(PET)膜實施電暈放電處理後，在上述PET膜的兩個面設置作為下塗層的厚度為0.1μm的明膠層，進一步在下塗層上設置包含光學密度約為1.0且藉由顯影液的鹼進行脫色的染料的防光暈層。在上述防光暈層上塗佈上述感光性層形成用組成物，進一步設置厚度為0.15μm的明膠層，獲得在兩個面形成有感光性層的PET膜。將所得的膜作為膜A。所形成的感光性層中，銀量為6.0g/m2、明膠量為1.0g/m2。
(曝光顯影步驟)
在上述膜A的兩個面，經由配有如圖1(A)、圖1(B)所示 的觸控面板感測器圖案(第1電極部及第2電極部)及引出配線部(第1引出配線部及第2引出配線部)的光罩，使用以高壓水銀燈為光源的平行光而進行曝光。於曝光後，藉由下述的顯影液進行顯影，進一步使用定影液(商品名為CN16X用N3X-R、富士膠片公司製造)進行顯影處理。進一步藉由純水進行沖洗，加以乾燥，藉此獲得在兩個面形成有包含Ag細線的電極圖案與明膠層的PET膜。明膠層形成於Ag細線間。將所得的膜作為膜B。另外，引出配線部的L/S(線寬/線距)為100μm/100μm。
(顯影液的組成)
在顯影液1升(L)中包含以下的化合物。
(觸控面板的製作)
於上述所得的膜B的其中之一面上(底面)順次積層3M公司製造的OCA(#8146-4：100微米厚)、木本(KIMOTO)公司製造的硬塗膜(G1SBF：50微米厚)。進一步在膜B的另一面上(頂面)順次積層3M公司製造的OCA(#8146-4：100微米厚)、木本公司製造的硬塗膜(G1SBF：50微米厚)。另外，事先挖出OCA 及硬塗膜的相當於可撓性印刷線路板(Flexible Printed Circuit，FPC)壓接部的位於第1引出配線部及第2引出配線部的各自的另一端上的部分以使其可壓接FPC。
將上述積層體的外形調整為與為大致感測器尺寸的0.7mm厚的鈉鈣玻璃相同的大小，藉由索尼化學公司製造的異方性導電膜(Anisotropic Conductive Film，ACF)(CP906AM-25AC)壓接接合FPC後，在頂側貼附上述鈉鈣玻璃，製作觸控面板。
(密封層的形成)
藉由圓盤注射器(disk syringe)(惠特曼(Whatman)公司製造、膜(membrane)：PTFE、孔徑：0.2μm)對FG-3030C-20(氟化物科技(Fluoro Technology)公司製造、氟系表面處理劑)進行過濾而進行脫泡。其次，將藉由上述方法而製作的觸控面板在經脫泡的FG-3030C-20(氟化物科技公司製造、氟系表面處理劑)中浸漬10秒。其後，於35mm/sec的條件下拉出，在室溫下使其乾燥30分鐘，獲得在整個面塗佈有藉由FG-3030C-20而形成的密封層的觸控面板。FG-3030C-20的表面張力為19mN/m，黏度為25cps。
所形成的密封層的厚度為5μm。密封層的厚度是使用光干涉式膜厚計(科美(K-MAC)公司、ST-2000DLXn)，測定任意20處以上的位置的厚度，對這些厚度進行算術平均而得的平均值。
依照上述的方法測定存在於密封層表面的直徑為1μm以上的針孔的平均個數。而且，依照上述的方法測定密封層的氯離子透 過係數。將結果匯總表示於表1中。
<高溫高濕環境試驗及絕緣電阻測定>
使用藉由上述方法而製作的形成有密封層的觸控面板，以JIS C 7022：1979為基準而進行高溫高濕環境試驗(85℃/RH85%、240小時)。其後測定引出配線部間的絕緣電阻。將結果記載於表1中。另外，引出配線部間的絕緣電阻值是使用測試探針而進行測定，算出所有配線部間的平均值。
<高溫高濕環境試驗後的運作性(高溫高濕可靠性)評價>
實施高溫高濕環境試驗後的觸控面板的運作確認，依照以下基準進行評價。將結果表示於表1中。另外，於以下中，所謂線是表示第1電極部及第2電極部。
「A」：於所有的線中確認到運作。
「B」：於一部分的線中確認到運作不良。
「C」：於所有的線中確認到運作不良。
<良率評價>
使用50件(piece)所得的形成有密封層的觸控面板，進行與上述高溫高濕環境試驗相同的試驗，進一步實施在60℃/RH90%的環境下放置240小時後的觸控面板的運作確認，評價在所有線中確認到運作的「A」等級的觸控面板的比例(%)[(「A」等級的觸控面板的個數/50)×100]。將結果表示於表1中。另外，所謂線是表示第1電極部及第2電極部。
<實施例2>
將在FG-3030C-20(氟化物科技公司製造、氟系表面處理劑)中浸漬10秒後的拉出速度由35mm/sec變更為10mm/sec，除此以外依照與實施例1同樣的順序製造形成有密封層的觸控面板，進行各種評價。將結果匯總表示於表1中。
<實施例3>
藉由超音波處理進行脫泡而代替藉由圓盤注射器(惠特曼公司製造、膜：PTFE、孔徑：0.2μm)進行過濾，除此以外依照與實施例1同樣的順序而製造形成有密封層的觸控面板，進行各種評價。將結果匯總表示於表1中。
另外，使用超音波真空脫泡機VSD-101(千代田電子公司(Tiyoda Electric Co.,Ltd.)製造)進行20分鐘的超音波處理。
<實施例4>
使用Araldite Standard(汽巴-嘉基公司(Ciba-geigy Corporation)製造、環氧樹脂)代替FG-3030C-20，用分配器(dispenser)進行塗佈而在室溫下進行硬化，藉此對密封層進行整個面塗佈以代替藉由浸漬對密封層進行整個面塗佈，除此以外依照與實施例3相同的順序製造形成有密封層的觸控面板，進行各種評價。將結果匯總表示於表1中。
<實施例5>
使用HIPEC-R6101(東麗道康寧公司製造、矽酮系樹脂)代替Araldite Standard(汽巴-嘉基公司製造、環氧樹脂)，除此以外 依照與實施例4同樣的順序而製造形成有密封層的觸控面板，進行各種評價。將結果匯總表示於表1中。
<實施例6>
使用將賽綸樹脂R204(旭化成公司製造、氯乙烯系樹脂)以5g/kg的濃度溶解於四氫呋喃/甲苯=2/1體積比的混合溶劑中而成的密封層形成用組成物，代替Araldite Standard(汽巴-嘉基公司製造、環氧樹脂)，除此以外依照與實施例4相同的順序而製造形成有密封層的觸控面板，進行各種評價。將結果匯總表示於表1中。另外，在對密封層進行整個面塗佈後，進行自然乾燥2h，進一步進行40℃、2天的老化處理。
<比較例1>
並未實施在FG-3030C-20中的浸漬，並未形成密封層，除此以外依照與實施例1相同的順序而製造觸控面板(無密封層)，進行各種評價。將結果匯總表示於表1中。
<比較例2>
並未實施FG-3030C-20的脫泡，除此以外依照與實施例1相同的順序而製造形成有密封層的觸控面板，進行各種評價。將結果匯總表示於表1中。
<實施例7>
(銀奈米線分散物的製備)
銀奈米線依照坎布利歐斯(CAMBRIOS)公司的美國申請專利中所記載的合成方法(公開編號為US2008/0210052、實例8) 而製作。以下表示詳細條件。
將硝酸銀1.9g溶解於1,2-丙二醇115.79g中，製備反應液A。將聚乙烯吡咯烷酮(奧瑞奇(Aldrich)公司製造、分子量為55000)1.99g溶解於1,2-丙二醇100g中，製備反應液B。將四丁基氯化銨(奧瑞奇公司製造)0.288g溶解於1,2-丙二醇199.71g中，製備反應液C。在300mL的玻璃製三口燒瓶中投入反應液B 42.68g、反應液C 10g，在25℃的環境下，使用鐵氟龍(註冊商標)製攪拌翼而以160rpm的攪拌速度對混合液進行攪拌。在持續攪拌的狀態下，投入反應液A 52.65g，在投入後將攪拌速度設為320rpm而進行15分鐘的攪拌。於15分鐘後將燒瓶浸漬於油浴中，以燒瓶內的液溫成為80℃的方式對油浴進行升溫而進行溫度調整。於升溫開始20小時後，取出燒瓶內的反應液。將所取出的反應液45g放入至離心分離用離心管(centrifuge tube)中，投入純水270g，於3000rpm下進行15分鐘的離心分離。於離心分離後將上清液除去，在沈澱物中加入少量的純水，回收銀奈米線分散物9.6g。
藉由穿透式電子顯微鏡觀察所得的銀奈米線的形狀。將銀奈米線的穿透式電子顯微鏡相片示於圖9中。測定線徑及線長，結果是平均線徑為32.14nm(測量根數為161根、變動係數為14.6%)、平均線長為7.92μm(測量根數為237根、變動係數為29.3%)。將所測量的線徑及線長的直方圖示於圖10(A)、圖10(B)中。
(導電層形成用組成物的製備)
導電層形成用組成物的製備依照坎布利歐斯公司的美國申請 專利中所記載的塗佈液配方(公開編號為US2008/0259262、實例 2)而進行。以下表示詳細條件。
以成為以下重量%的方式製備導電層形成用組成物。
銀奈米線：0.2重量%
羥丙基甲基纖維素(hydroxypropylmethylcellulose，HPMC)：0.4重量%
Triton-X100：0.025重量%
水：49.375重量%
異丙醇：50.0重量%
(導電層形成)
使用安裝有材質為sus的墊片(shim)(墊片厚度為50μm)的狹縫式模塗機而將所製備的導電層形成用組成物塗佈於厚度為125μm的聚對苯二甲酸乙二酯膜表面上，在100℃下進行1分鐘的乾燥，形成「導電層A」。藉由低阻計(LORESTA)-四端子法測定導電層A的表面電阻值，結果是50Ω/□。
(保護層形成用組成物的製備)
對下述化合物進行混合、攪拌而製備保護層形成用組成物。
綜研化學股份有限公司製造的Follett GS-1000(直鏈丙烯酸系樹脂、固體成分濃度為30質量%)：500g
大金工業股份有限公司製造的Optool DAC(固體成分濃度為 20質量%)：0.75g
乙酸乙酯：1501.25g
(保護層形成)
使用安裝有材質為sus的墊片(墊片厚度為50μm)的狹縫式模塗機而將所製備的保護層形成用組成物塗佈在上述導電層A上，在120℃下進行2分鐘的乾燥，設置800nm的保護層，形成導電積層體。
導電層的圖案化可參考ITO導電膜的一般的圖案化方法而實施。以下表示詳細條件。
(第1電極圖案(第1電極部)的形成)
在上述方法中所得的導電積層體表面，藉由負型光阻方式而形成蝕刻遮罩材，將其浸漬於溶解有銀的蝕刻液中，藉此形成導電層的導電部與非導電部。具體而言如下所述地進行。
-黏合劑(A-1)的合成-
使用MAA(甲基丙烯酸；7.79g)、BzMA(甲基丙烯酸苄酯；37.21g)作為構成共聚物的單體成分，使用AIBN(2,2'-偶氮雙(異丁腈)；0.5g)作為自由基聚合起始劑，使這些化合物在溶劑PGMEA(丙二醇單甲醚乙酸酯；55.00g)中進行聚合反應，藉此獲得下述式所表示的黏合劑(A-1)的PGMEA溶液(固體成分濃度為45質量%)。另外，聚合溫度調整為60℃至100℃。
作為分子量，使用凝膠滲透層析法(Gel Permeation Chromatography，GPC)而測定的結果是聚苯乙烯換算的重量平均 分子量(Mw)為30,000，分子量分佈(Mw/Mn)為2.21。
-感光性組成物(1)的製備-
加入黏合劑(A-1)3.80質量份(固體成分為40.0質量%、PGMEA溶液)、作為感光性化合物的KAYARAD DPHA(日本化藥股份有限公司製造)1.59質量份、作為光聚合起始劑的IRGACURE379(汽巴精化股份有限公司製造)0.159質量份、作為交聯劑的EHPE-3150(大賽璐化學股份有限公司製造)0.150質量份、Megafac F781F(大日本油墨化學工業(DIC)股份有限公司製造)0.002質量份、及PGMEA 19.3質量份，進行攪拌而製備感光性組成物(1)。
-抗蝕劑圖案化(賦予蝕刻遮罩材)步驟-
在上述所得的導電積層體上，以乾燥膜厚成為5μm的方式棒式塗佈感光性組成物(1)，在150℃的烘箱中進行5分鐘的乾燥。自曝光玻璃遮罩上，對該基板進行高壓水銀燈i線(365nm)的400mJ/cm2(照度為50mW/cm2)曝光。
藉由1%氫氧化鈉水溶液(35℃)對曝光後的基板進行噴淋顯影(60秒)。噴淋壓力為0.08MPa，直至出現條紋圖案的時間為30秒。藉由噴淋純水而加以沖洗後，於50℃下進行1分鐘的乾燥，製作附有抗蝕劑圖案的導電積層體。
另外，曝光玻璃遮罩使用可形成靜電電容式觸控面板的感測器電極的遮罩。
-蝕刻步驟-
將附有抗蝕劑圖案的導電積層體浸漬於蝕刻液(硝酸)中。在調整為35℃的蝕刻液中浸漬2分鐘而進行蝕刻處理，藉由噴淋純水而進行沖洗後，藉由氣刀而將樣品表面的水吹飛，於60℃下進行5分鐘的乾燥，製作附有抗蝕劑圖案的圖案狀導電積層體。
-抗蝕劑剝離步驟-
藉由保溫為35℃的2.38%四甲基氫氧化銨水溶液對蝕刻後的附有抗蝕劑圖案的圖案狀導電積層體進行噴淋顯影(75秒)。噴淋壓力為3.0MPa。藉由噴淋純水而進行沖洗後，藉由氣刀而將樣品表面的水吹飛，於60℃下進行5分鐘的乾燥，製作第1電極圖案構件。藉由測試器(tester)而測定所製作的第1電極圖案構件的電極部的端子間電阻值，結果顯示所期望的電阻值，鄰接電極部間的絕緣電阻值為10MΩ以上。
(第2電極圖案(第2電極部)的形成)
其次，除了與第1電極圖案的形成方法的方向有90度不同以外，藉由同樣的方法製作第2電極圖案構件。藉由測試器而測定 所製作的第2電極圖案構件的電極部的端子間電阻值，結果顯示所期望的電阻值，鄰接電極部間的絕緣電阻值為10MΩ以上。
(形成周邊配線)
與藉由上述圖案化而形成的第1電極圖案構件中的第1電極圖案及第2電極圖案構件中的第2電極圖案連接的引出配線(周邊配線)可如下所述地製作。亦即，藉由網版印刷機印刷銀漿(DOTITE FA-401CA、藤倉化成製造)後，藉由130℃、30分鐘的退火處理而進行硬化，形成引出配線(周邊配線)。另外，引出配線的L/S(線寬/線距)為100μm/100μm，鄰接的引出配線間的絕緣電阻值為10MΩ以上。
另外，網版印刷版使用可形成靜電電容式觸控面板用周邊配線的印刷版。
(觸控面板的製作)
使藉由上述方法所製作的第1電極圖案構件與第2電極圖案構件的電極部面彼此相對，於其間配置3M公司製造的OCA(#8146-4：100微米厚)，將第1電極圖案構件及第2電極圖案構件貼合而獲得積層體。另外，此處所使用的OCA以第1電極圖案構件及第2電極圖案構件的引出配線的另一端露出的方式，事先挖出相當於FPC壓接部的部分以使其可壓接FPC。將上述積層體的外形調整為與為大致感測器尺寸的0.7mm厚的鈉鈣玻璃相同的大小，藉由索尼化學公司製造的ACF(CP906AM-25AC)壓接接合FPC。其後，在積層體中的第1電極圖案構件的聚對苯二甲酸 乙二酯膜上順次積層3M公司製造的OCA(#8146-4：100微米厚)、木本公司製造的硬塗膜(G1SBF：50微米厚)，在積層體中的第2電極圖案構件的聚對苯二甲酸乙二酯膜上貼附3M公司製造的OCA(#8146-4：100微米厚)、鈉鈣玻璃，製作觸控面板。
關於藉由上述方法而製作的觸控面板，依照與實施例1相同的順序而形成密封層，獲得對藉由FG-3030C-20而形成的密封層進行了整個面塗佈的觸控面板。對所得的形成有密封層的觸控面板進行各種評價。將結果匯總表示於表1中。
<實施例8>
(第1電極圖案(第1電極部)的形成)
在ITO透明導電材料表面(奧瑞奇公司製造、639281-1EA、100Ω/□)，藉由負型光阻方式而形成蝕刻遮罩材，將其浸漬於溶解有ITO的蝕刻液中，藉此形成導電層的導電部與非導電部。
-抗蝕劑圖案化(賦予蝕刻遮罩材)步驟-
在ITO透明導電材料表面上，以乾燥膜厚成為5μm的方式棒式塗佈上述實施例7中所製備的感光性組成物(1)，在150℃的烘箱中進行5分鐘的乾燥。自曝光玻璃遮罩上，對該基板進行高壓水銀燈i線(365nm)的400mJ/cm2(照度為50mW/cm2)曝光。
藉由1%氫氧化鈉水溶液(35℃)對曝光後的基板進行噴淋顯影(60秒)。噴淋壓力為0.08MPa，直至出現條紋圖案的時間為30秒。藉由噴淋純水而加以沖洗後，於50℃下進行1分鐘的乾燥，製作附有抗蝕劑圖案的導電性構件。
另外，曝光玻璃遮罩使用可形成靜電電容式觸控面板的感測器電極的遮罩。
-蝕刻步驟-
將附有抗蝕劑圖案的導電性構件浸漬於ITO用蝕刻液中。在調整為35℃的蝕刻液中浸漬2分鐘而進行蝕刻處理，藉由噴淋純水而進行沖洗後，藉由氣刀而將樣品表面的水吹飛，於60℃下進行5分鐘的乾燥，製作附有抗蝕劑圖案的圖案狀導電性構件。
-抗蝕劑剝離步驟-
藉由保溫為35℃的2.38%四甲基氫氧化銨水溶液對蝕刻後的附有抗蝕劑圖案的圖案狀導電性構件進行噴淋顯影(75秒)。噴淋壓力為3.0MPa。藉由噴淋純水而進行沖洗後，藉由氣刀而將樣品表面的水吹飛，於60℃下進行5分鐘的乾燥，製作第1電極圖案構件。藉由測試器而測定所製作的第1電極圖案構件的電極部的端子間電阻值，結果顯示所期望的電阻值，鄰接電極部間的絕緣電阻值為10MΩ以上。
(第2電極圖案(第2電極部)的形成)
其次，除了與第1電極圖案的形成方法的方向有90度不同以外，藉由同樣的方法製作第2電極圖案構件。藉由測試器而測定所製作的第2電極圖案構件的電極部的端子間電阻值，結果顯示所期望的電阻值，鄰接電極部間的絕緣電阻值為10MΩ以上。
(形成周邊配線)
與藉由上述圖案化而形成的第1電極圖案構件中的第1電極 圖案及第2電極圖案構件中的第2電極圖案連接的引出配線(周邊配線)可如下所述地製作。亦即，藉由網版印刷機印刷銀漿(DOTITE FA-401CA、藤倉化成製造)後，藉由130℃、30分鐘的退火處理而進行硬化，形成周邊配線。另外，引出配線的L/S(線寬/線距)為100μm/100μm，鄰接的引出配線間的絕緣電阻值為10MΩ以上。
另外，網版印刷版使用可形成靜電電容式觸控面板用周邊配線的印刷版。
(觸控面板的製作)
使藉由上述方法所製作的第1電極圖案構件與第2電極圖案構件的電極面彼此相對，於其間配置3M公司製造的OCA(#8146-4：100微米厚)，將第1電極圖案構件及第2電極圖案構件貼合而獲得積層體。另外，此處所使用的OCA以第1電極圖案構件及第2電極圖案構件的引出配線的另一端露出的方式，事先挖出相當於FPC壓接部的部分以使其可壓接FPC。將上述積層體的外形調整為與為大致感測器尺寸的0.7mm厚的鈉鈣玻璃相同的大小，藉由索尼化學公司製造的ACF(CP906AM-25AC)壓接接合FPC。其後，在積層體中的第1電極圖案構件側的表面上順次積層3M公司製造的OCA(#8146-4：100微米厚)、木本(KIMOTO)公司製造的硬塗膜(G1SBF：50微米厚)，在積層體中的第2電極圖案構件側的表面上貼附3M公司製造的OCA(#8146-4：100微米厚)、鈉鈣玻璃，製作觸控面板。
關於藉由上述方法而製作的觸控面板，依照與實施例1相同的順序而形成密封層，獲得對藉由FG-3030C-20而形成的密封層進行了整個面塗佈的觸控面板。對所得的形成有密封層的觸控面板進行各種評價。將結果匯總表示於表1中。
在上述表1中，關於高溫高濕環境試驗後的絕緣電阻，「>1MΩ」是表示1MΩ以上。
根據表1可知：與不具有密封層的比較例1、或雖然具有密封層但存在於密封層表面的直徑為1μm以上的針孔的平均個數超過5(個/mm2)的比較例2相比較而言，具有規定的密封層的本申請案的實施例1~實施例8均顯示出優異的高溫高濕可靠性與高良率。
根據實施例1及實施例3~實施例8的對比可知：在密封層中使用氟系樹脂或氯乙烯樹脂的實施例1、實施例3及實施例6~實施例8顯示出更高良率。其中，在密封層中使用氟系樹脂的實施例1、實施例3、實施例7及實施例8顯示出進一步更高良率。
根據實施例1與實施例2的對比可知：密封層的厚度為1μm以上的實施例1顯示出更優異的高溫高濕可靠性及更高良率。
根據實施例1與實施例3的對比可知：利用過濾的脫泡及利用超音波脫泡機的脫泡均顯示出優異的高溫高濕可靠性與高良率。
10‧‧‧絕緣層
12‧‧‧第1電極部
14‧‧‧第1引出配線部
16‧‧‧第1透明樹脂層
18‧‧‧第1保護基板
18a、26a‧‧‧主表面
20‧‧‧第2電極部
22‧‧‧第2引出配線部
24‧‧‧第2透明樹脂層
26‧‧‧第2保護基板
28、28a、28b、28c‧‧‧密封層
30‧‧‧可撓性印刷線路板
100‧‧‧靜電電容式觸控面板

Claims (13)

  1. 一種靜電電容式觸控面板，其包含：絕緣層；多個電極部，配置於上述絕緣層的至少一主表面上；多個引出配線部，配置於上述絕緣層的配置有上述多個電極部的主表面上，且各自的一端與對應的上述電極部連接；透明樹脂層，以上述引出配線部的各自的另一端露出的方式配置於上述電極部及上述引出配線部上；基板，配置於上述透明樹脂層上；至少在自上述絕緣層與上述基板之間露出的上述透明樹脂層的周緣部的表面上、及上述引出配線部的露出面上配置有密封層，上述密封層的氯離子透過係數為1.0mgCl-(100μm)．cm-2．y-1以下，存在於上述密封層表面的直徑為1μm以上的針孔的平均個數為5(個/mm2)以下。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之靜電電容式觸控面板，其包含：絕緣層；多個第1電極部，配置於上述絕緣層的表面上；多個第1引出配線部，配置於上述絕緣層的表面上，且各自的一端與對應的上述第1電極部連接；第1透明樹脂層，以上述第1引出配線部的各自的另一端露 出的方式配置於上述第1電極部及上述第1引出配線部上；第1保護基板，配置於上述第1透明樹脂層上；多個第2電極部，配置於上述絕緣層的背面上；多個第2配線部，配置於上述絕緣層的背面上，且各自的一端與對應的上述第2電極部連接；第2透明樹脂層，以上述第2引出配線部的各自的另一端露出的方式配置於上述第2電極部及上述第2引出配線部上；第2保護基板，配置於上述第2透明樹脂層上；至少在自上述絕緣層與上述第1保護基板之間露出的上述第1透明樹脂層的周緣部的表面上以及自上述絕緣層與上述第2保護基板之間露出的上述第2透明樹脂層的周緣部的表面上，與上述第1引出配線及上述第2引出配線的露出面上配置密封層，上述密封層的氯離子透過係數為1.0mgCl-(100μm)．cm-2．y-1以下，存在於上述密封層表面的直徑為1μm以上的針孔的平均個數為5(個/mm2)以下。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之靜電電容式觸控面板，其中，上述密封層包含氟系樹脂。
  4. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之靜電電容式觸控面板，其中，上述密封層包含1質量%以上的氟原子。
  5. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之靜電電容式觸控面板，其中，上述密封層的厚度為1.0μm以上。
  6. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之靜電電容式觸控面板，其中，上述密封層是由經脫泡的密封層形成用組成物所形成的層。
  7. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之靜電電容式觸控面板，其中，上述密封層是由密封層形成用組成物所形成的層，上述密封層形成用組成物的表面張力為20mN/m以下，上述密封層形成用組成物的黏度為100cps以下。
  8. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之靜電電容式觸控面板，其中，上述引出配線部包含銀。
  9. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之靜電電容式觸控面板，其中，上述電極部是包含金屬氧化物的透明電極部。
  10. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之靜電電容式觸控面板，其中，上述電極部是由平均線徑為50nm以下、且平均線長為5μm以上的金屬奈米線構成的透明電極部。
  11. 一種靜電電容式觸控面板的製造方法，其是如申請專利範 圍第2項所述之靜電電容式觸控面板的製造方法，其包括使積層體與包含密封劑的密封層形成用組成物接觸的步驟，上述積層體包含：絕緣層；多個第1電極部，配置於上述絕緣層的表面上；多個第1引出配線部，配置於上述絕緣層的表面上，且各自的一端與對應的上述第1電極部連接；第1透明樹脂層，以上述第1引出配線部的各自的另一端露出的方式配置於上述第1電極部及上述第1引出配線部上；第1保護基板，配置於上述第1透明樹脂層上；第1保護膜，可剝離地配置於上述第1保護基板的主表面上；多個第2電極部，配置於上述絕緣層的背面上；多個第2配線部，配置於上述絕緣層的背面上，且各自的一端與對應的上述第2電極部連接；第2透明樹脂層，以上述第2引出配線部的各自的另一端露出的方式配置於上述第2電極部及上述第2引出配線部上；第2保護基板，配置於上述第2透明樹脂層上；第2保護膜，可剝離地配置於上述第2保護基板的主表面上。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之靜電電容式觸控面板的製造方法，其中，上述接觸藉由噴灑處理、浸漬處理、或分配而進行。
  13. 一種輸入元件，其包含如申請專利範圍第1項至第10項中任一項所述之靜電電容式觸控面板、或者藉由如申請專利範圍第11項或第12項所述之靜電電容式觸控面板的製造方法製造而成的靜電電容式觸控面板。
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