TWI674466B - 顯示面板及其製造方法 - Google Patents

Abstract

一種顯示面板，其包括主動元件陣列基板、對向基板、顯示介質層、第一封裝層、第二封裝層及可撓性電路板。主動元件陣列基板包括基板及設置於其上的多個畫素結構。對向基板與主動元件陣列基板對向地設置且未覆蓋部分的主動元件陣列基板。顯示介以及第一封裝層設置於主動元件陣列基板與對向基板之間。第二封裝層設置於未經覆蓋的部分的主動元件陣列基板上且與第一封裝層一起圍繞顯示介質層。第二封裝層與基板的維氏硬度的差值為 -550~150 HV。可撓性電路板設置於主動元件陣列基板與第二封裝層的至少一側邊上。

Description

顯示面板及其製造方法

本發明是有關於一種半導體裝置及其製造方法，且特別是有關於一種顯示面板及其製造方法。

隨著技術的發展，顯示面板的邊框逐漸縮小，甚至出現無邊框的設計。而為了實現顯示面板的窄邊框，需要改變面板與其他電子元件的接合方式。

此外，顯示面板由於具有輕薄短小與節能等優點，因此其已被廣泛地應用於如智慧手機、筆記型電腦、平板電腦與電視等各式電子產品。然而，汰換速率提高，上述電子產品的生命週期變短，回收再利用的議題也備受關注。

本發明提供一種顯示面板，其具有較高的可靠度及特性。

本發明提供一種顯示面板的其製造方法，其製造出的顯示面板具有較高的可靠度及特性。

本發明提供一種顯示面板，其包括主動元件陣列基板、對向基板、顯示介質層、第一封裝層、第二封裝層以及可撓性電路板。主動元件陣列基板包括基板以及設置於基板上的多個畫素結構。對向基板與主動元件陣列基板對向地設置且未覆蓋部分的主動元件陣列基板。顯示介質層設置於主動元件陣列基板與對向基板之間。第一封裝層設置於主動元件陣列基板與對向基板之間且位於顯示介質層的外圍。第二封裝層設置於未經覆蓋的部分的主動元件陣列基板上且與第一封裝層一起圍繞顯示介質層。第二封裝層與基板的維氏硬度（Vickers hardness，HV）差值為 -550~150 HV。可撓性電路板設置於主動元件陣列基板的至少一側邊與第二封裝層的至少一側邊上且與至少部分的畫素結構電性連接。

本發明提供一種顯示面板的製造方法，其具有以下步驟。 提供初步顯示面板，初步顯示面板包括初步主動元件陣列基板、初步對向基板、顯示介質層以及第一封裝材料層，其中第一封裝材料層形成於初步主動元件陣列基板與初步對向基板之間，且顯示介質層填充於初步主動元件陣列基板、初步對向基板與第一封裝材料層之間，其中初步主動元件陣列基板包括初步基板以及設置於初步基板上的多個畫素結構。移除部分的初步顯示面板，以使初步主動元件陣列基板與初步對向基板各自形成主動元件陣列基板材料層與對向基板，且暴露出至少部分的畫素結構。形成主動元件陣列基板以及第二封裝層。第二封裝層形成於主動元件陣列基板上。主動元件陣列基板包括基板及設置於基板上的多個畫素結構。第二封裝層覆蓋暴露出的至少部分畫素結構。第二封裝層基板的維氏硬度的差值為 -550~150 HV。於主動元件陣列基板的至少一側邊與第二封裝層的至少一側邊上形成可撓性電路板。可撓性電路板與畫素結構電性連接。

基於上述，由於設置於顯示面板的外圍的第二封裝層與基板的維氏硬度差值為 -550~150 HV，因此在對設置有第二封裝層的顯示面板的側邊進行封裝製程時可避免因磨耗而使第二封裝層與基板間產生縫隙，藉此可避免光從縫隙中漏出或者水氧從縫隙中滲漏進顯示面板，以提升顯示面板的可靠度及特性。

為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

以下將參照本實施例之圖式以更全面地闡述本發明。然而，本發明亦可以各種不同的形式體現，而不應限於本文中所述之實施例。圖式中的層與區域的厚度會為了清楚起見而放大。相同或相似之參考號碼表示相同或相似之元件，以下段落將不再一一贅述。另外，實施例中所提到的方向用語，例如：上、下、左、右、前或後等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語是用來說明並非用來限制本發明。

本文參考作為理想化實施例的示意圖的截面圖來描述示例性實施例。因此，可以預期到作為例如製造技術及/或公差的結果的圖示的形狀變化。因此，本文所述的實施例不應被解釋為限於如本文所示的區域的特定形狀，而是包括例如由製造導致的形狀偏差。例如，示出或描述為平坦的區域通常可以具有粗糙及/或非線性特徵。此外，所示的銳角可以是圓的。因此，圖中所示的區域本質上是示意性的，並且它們的形狀不是旨在示出區域的精確形狀，並且不是旨在限制權利要求的範圍。

應當理解，當諸如層、膜、區域或基板的元件被稱為在另一元件“上”或“連接到”另一元件時，其可以直接在另一元件上或與另一元件連接，或者中間元件可以也存在。相反，當元件被稱為“直接在另一元件上”或“直接連接到”另一元件時，不存在中間元件。如本文所使用的，“連接”可以指物理及/或電性連接。再者，“電性連接”或“耦合”係可為二元件間存在其它元件。

本文使用的“約”、“近似”、或“實質上”包括所述值和在本領域普通技術人員確定的特定值的可接受的偏差範圍內的平均值，考慮到所討論的測量和與測量相關的誤差的特定數量（即，測量系統的限制）。例如，“約”可以表示在所述值的一個或多個標準偏差內，或±30％、±20％、±10％、±5％內。再者，本文使用的“約”、 “近似”或“實質上”可依光學性質、蝕刻性質或其它性質，來選擇較可接受的偏差範圍或標準偏差，而可不用一個標準偏差適用全部性質。

除非另有定義，本文使用的所有術語（包括技術和科學術語）具有與本發明所屬領域的普通技術人員通常理解的相同的含義。將進一步理解的是，諸如在通常使用的字典中定義的那些術語應當被解釋為具有與它們在相關技術和本發明的上下文中的含義一致的含義，並且將不被解釋為理想化的或過度正式的意義，除非本文中明確地這樣定義。

圖1為依照本發明的一實施例的顯示面板的立體示意圖。

請參照圖1，顯示面板100包括主動元件陣列基板110、對向基板120、顯示介質層130、第一封裝層140、第二封裝層150以及可撓性電路板160。主動元件陣列基板110包括基板112以及設置於基板上的多個畫素結構PX。畫素結構PX包括至少一掃描線SL、至少一資料線DL、至少一薄膜電晶體T以及至少一畫素電極PE。為使圖面簡潔，圖1所示線路層ML1即表示掃描線SL、資料線DL、或共用電極線。而有關多個畫素結構PX的技術內容將於後續的段落中作詳細地說明。基板112的材料例如為玻璃、石英、有機聚合物或是不透光/反射材料（例如導電材料、金屬、晶圓、陶瓷或其它可適用的材料）或是其它可適用的材料。若基板112的材料為導電材料或金屬時，則在基板112上覆蓋有一層絕緣層（未繪示）以避免短路問題。

圖2為圖1所示的畫素結構的俯視示意圖。需注意的是，為使圖面簡潔，圖中僅繪示多個畫素結構中的一小部分，實際上本發明不限於此。

請參照圖2，多個畫素結構PX中的其中一個包括至少一掃描線SL、至少一資料線DL、至少一薄膜電晶體T以及至少一畫素電極PE。多個畫素結構PX中的其中一個可選擇性地設置共用電極線COM。如圖1所示之線路層ML1即表示掃描線SL、資料線DL、共用電極線COM或其他傳輸訊號線。掃描線SL與資料線DL相交地（interlaced）設置。掃描線SL、資料線DL及共用電極線COM的材料可包括金屬材料，但本發明不限於此。在其他實施方式中，掃描線SL、資料線DL及共用電極線COM亦可以使用其他導電材料，其例如為合金、金屬材料的氮化物、金屬材料的氧化物、金屬材料的氮氧化物或是金屬材料與其它導電材料的堆疊層。薄膜電晶體T可例如是各種半導體元件。舉例而言，薄膜電晶體T例如是電晶體或二極體等半導體元件，且薄膜電晶體T的材料例如是多晶矽、單晶矽、微晶矽、非晶矽、有機半導體材料、金屬氧化物或其組合。在一實施例中，薄膜電晶體T包括閘極G、源極S、通道層M以及汲極D。閘極G與通道層M之間設置有閘極絕緣層（未繪示）。多個薄膜電晶體T分別與多條掃描線SL及多條資料線DL中的至少一者連接。詳細地說，薄膜電晶體T中的閘極G與掃描線SL連接，且薄膜電晶體T中的源極S與資料線DL電性連接。多個畫素電極PE分別與對應的薄膜電晶體T電性連接。畫素電極PE可例如是穿透式畫素電極、反射式畫素電極或半穿透半反射式畫素電極。上述的穿透式畫素電極之材料包括金屬氧化物，其例如是銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物或其組合。上述的反射式畫素電極之材料例如是具有高反射率的金屬材料。在其他實施方式中，共用電極線COM可包括透明導電材料，例如：銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物、奈米碳管/桿、小於約60埃的金屬或合金、或其它合適的材料。在一實施例中，共用電極線COM可例如與畫素電極PE藉由同一層圖案化導電層所構成。在其他實施例中，共用電極線COM可例如與畫素電極PE部分重疊，並透過設置於共用電極線COM與畫素電極PE間的絕緣層（未繪示）彼此分隔。

於一較佳實施例中，共用電極線COM例如是與掃描線SL為同一膜層且鄰近於掃描線SL進行配置。共用電極線COM的延伸方向例如是與掃描線SL實質上相同，但與資料線DL的延伸方向不同。在本實施例中，閘極G、掃描線SL以及共用電極線COM可由同一層金屬層所形成，且源極S、汲極D以及資料線DL可由另外的同一層金屬層所形成。在一實施例中，主動元件陣列基板110更包括多個接觸墊（未繪示）。多個接觸墊例如包括閘極接觸墊以及源極接觸墊。多個接觸墊例如可經由其所對應的掃描線SL或資料線DL與薄膜電晶體T電性連接。舉例而言，閘極接觸墊經由掃描線SL與薄膜電晶體T電性連接，且源極接觸墊經由資料線DL與薄膜電晶體T電性連接。

請參照圖1，對向基板120與主動元件陣列基板110對向地設置。對向基板120的材料例如為玻璃、石英或有機聚合物。在一實施例中，對向基板120上可依照顯示介質層130的驅動而可選擇性的設置線路層ML2（舉例而言，共用電極層），但不限於此。線路層ML2例如為透明導電層。線路層ML2的材料可包括透明導電材料，例如：銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物、奈米碳管/桿、小於約60埃的金屬或合金、或其它合適的材料。此外，根據本發明的另一實施例，對向基板120上可選擇性包括設置有彩色濾光陣列（未繪示）。彩色濾光陣列包括紅色濾光圖案、綠色濾光圖案以及藍色濾光圖案。另外，第二基板110上可選擇性包括設置遮光圖案層（未繪示）。遮光圖案層例如是黑色矩陣，其設置於彩色濾光陣列的圖案之間。在一實施例中，對向基板120未覆蓋部分的主動元件陣列基板110。舉例而言，在本實施例中，對向基板120可未覆蓋位於主動元件陣列基板110一側的部分的畫素結構PX。然而，本發明不限於此。對向基板120也可未覆蓋位於主動元件陣列基板110兩側或兩側以上的部分的畫素結構PX。

顯示介質層130設置於主動元件陣列基板110與對向基板120之間。詳細地說，顯示介質層130設置於顯示面板100的顯示區。顯示介質層130可包括液晶分子、有機發光二極體（OLED）、微發光二極體（micro LED）、電泳顯示介質、或是其它可適用的介質。在一實施例中，顯示介質層130為液晶分子，但本發明不限於此。液晶分子較佳地為可被水平電場轉動或切換的液晶分子或者是可被橫向電場轉動或切換的液晶分子，但本發明不限於此。第一封裝層140設置於主動元件陣列基板110與對向基板120之間且位於顯示介質層130的外圍。詳細地說，第一封裝層140設置於顯示面板100的非顯示區。第一封裝層140用以將主動元件陣列基板110與對向基板120接合。在一實施例中，第一封裝層140為框膠層（sealant）。框膠層的材料例如是環氧樹脂、丙烯酸樹脂、或其組合材料，框膠層黏合主動元件陣列基板110及對向基板120，藉由框膠層將顯示介質層130封合於兩片基板（即，主動元件陣列基板110及對向基板120）之間。第一封裝層140可例如包括複數個框膠間隔物，其例如具有特定尺寸之金粒子、其他材料之間隔球或其他形狀之間隔物，但本發明不限於此。

第二封裝層150設置於未經覆蓋的部分的主動元件陣列基板110上。在本實施例中，第二封裝層150設置於未經對向基板120覆蓋的主動元件陣列基板110的一側，且覆蓋位於主動元件陣列基板110一側的部分的畫素結構PX。然而，本發明不限於此。舉例而言，第二封裝層150可設置於未經對向基板120覆蓋的主動元件陣列基板110的兩側或兩側以上。第二封裝層150的至少一側邊150s實質上與主動元件陣列基板110的至少一側邊110s實質上切齊，且裸露出主動元件陣列基板110之線路層ML1的側邊SS。於其它實施例中，第二封裝層150的至少一側邊150s實質上與主動元件陣列基板110的至少一側邊110s不切齊，且仍裸露出主動元件陣列基板110之線路層ML1的側邊SS。在本實施例中，第二封裝層150的一側邊150s1實質上與主動元件陣列基板110的一側邊110s1切齊為範例，但不以此為限。於部份實施例中，第二封裝層150的一側邊150s2也可實質上與主動元件陣列基板110的另一側邊110s2切齊。於本實施例中，可例如藉由研磨製程使得第二封裝層150的至少一側邊150s實質上與主動元件陣列基板110的至少一側邊110s切齊，以利後續進行封裝製程，但本發明不以此為限。

從另一個角度來看，第二封裝層150設置於對向基板120的一側邊120s1上。並且，第二封裝層150設置於顯示介質層130的外圍。因此，第二封裝層150與第一封裝層140皆設置於顯示介質層130的外圍以用於圍繞顯示介質層130。第二封裝層150的材料例如是聚丙烯酸樹脂、環氧樹脂、烯丙基樹脂、酚醛樹脂、聚四氟乙烯或其組合等有機化合物，或者例如是氧化鋁、氧化矽、氧化硼、鋁矽酸鹽、硼矽酸鹽或其組合等無機化合物。在本實施例中，第二封裝層150的材料為聚丙烯酸樹脂、烯丙基樹脂、碳粉末之混合物、或環氧樹脂之混合物。於部份實施例中，第二封裝層150較佳可具有遮光效果，但不限於此。第二封裝層150的維氏硬度值約為15~700 HV，但不限於此。第二封裝層150與基板112的維氏硬度的差值約為-550~150 HV。必須說明的是，維氏硬度的差值為負數的情況代表第二封裝層150的維氏硬度小於基板112的維氏硬度，而維氏硬度的差值為正數的情況代表第二封裝層150的維氏硬度大於基板112的維氏硬度。在本實施例中，基板112的維氏硬度為530HV，基板112的維氏硬度為20HV，故第二封裝層150與基板112的維氏硬度的差值較佳可約為-510HV，但不限於此。用以量測上述維氏硬度值的儀器例如:可以為由Mitutoyo公司製造的硬度試驗機HM-103，測試負重為100g持續時間25秒，但不限於此。在第二封裝層150與基板112的維氏硬度的差值處於-550~150 HV範圍時，可避免於後續進行封裝製程（例如側邊封裝製程）貼合電路板時因第二封裝層150與基板112的硬度差距超過-550~150 HV範圍而導致後續進行側邊研磨製程、或可撓性電路板壓合時，側邊因封裝層與基板間產生縫隙，造成製程中側邊受壓力不均，進一步造成側邊封裝結構或基板邊緣破損，使得水氧滲漏而導致顯示面板的可靠度及特性降低。

請參照圖1，顯示面板100更包括多個側面電極170。側面電極170設置於主動元件陣列基板110與第二封裝層150上。在一實施例中，側面電極170貼合於主動元件陣列基板110的至少一側邊110s與第二封裝層150的至少一側邊150s上。在本實施例中，側面電極170貼合於主動元件陣列基板110的一側邊110s1與第二封裝層150的一側邊150s1上，但不以此為限。設置於主動元件陣列基板110與第二封裝層150上的側面電極170與線路層ML1電性連接，換句話說，側面電極170與未被對向基板120覆蓋之至少部分的畫素結構PX電性連接。詳細地說，在本實施例中，側面電極170對應於自主動元件陣列基板110的側邊110s1與第二封裝層150的側邊150s1裸露出的部分畫素結構PX而設置，以與畫素結構PX或共用電極線COM電性連接。側面電極170可例如使用噴墨印刷、柔版印刷或凹版印刷等製程設置於主動元件陣列基板110與第二封裝層150上。

可撓性電路板160設置於主動元件陣列基板110的側邊110s與第二封裝層150的至少一側邊150s上。在本實施例中，可撓性電路板160貼合於主動元件陣列基板110的一側邊110s1與第二封裝層150的一側邊150s1上，但不以此為限。若第二封裝層150設置於未經對向基板120覆蓋的主動元件陣列基板110的兩側或兩側以上，則可撓性電路板160可視情況貼合於主動元件陣列基板110與第二封裝層150的兩個或兩個以上的側邊，用以提供不同的驅動訊號。舉例來說，圖1所示的主動元件陣列基板110的側邊110s2也可依照使用需求擺放可撓性電路板160。可撓性電路板160與至少部分的畫素結構PX電性連接。詳細地說，可撓性電路板160可與自主動元件陣列基板110的至少一側邊110s與第二封裝層150的至少一側邊150s裸露出的畫素結構PX的線路層ML1（例如共用電極線COM，然本發明並不以此為限）的側邊SS電性連接。

顯示面板100可選擇性更包括導電膠180。可撓性電路板160可經由導電膠180電性連接於所對應之各側面電極170。於部份實施例中，導電膠180也具有多個區塊（未繪示）可分別對應於該些側面電極170，則可撓性電路板160之接合墊（未標示）就可經由導電膠180電性連接於所對應之各側面電極170，但不限於此。導電膠180的材料例如是奈米或微米金屬、有機金屬鹽類、樹脂、溶劑或其組合。在本實施例中，較佳地，導電膠180的材料為異方性導電膠（ACF），但不限於此。

圖3為依照本發明的另一實施例的顯示面板的立體示意圖。圖3的實施例沿用圖1的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。

請參照圖3，圖3所繪示之顯示面板200與圖1所繪示之顯示面板100的主要差異在於：對向基板120與主動元件陣列基板110部分重疊，且對向基板120與主動元件陣列基板110的至少一側邊分別設置有第二封裝層150A以及第二封裝層150B。

從另一個角度來看，主動元件陣列基板110具有側邊110s1、110s2、110s3、110s4，且對向基板120具有側邊120s1、120s2、120s3、120s4。在本實施例中，如圖3所示，第二封裝層150A 分別設置於對向基板120的彼此相鄰的兩側邊120s1、120s4上以及，第二封裝層150B 設置於主動元件陣列基板110的側邊110s2上。由於對向基板120與主動元件陣列基板110部分重疊，因此對向基板120會暴露出主動元件陣列基板110的一部分的畫素結構PX，且設置於對向基板120的彼此相鄰的兩側邊120s1、120s4上的第二封裝層150A可覆蓋經暴露的畫素結構PX。相對地，設置於主動元件陣列基板110的側邊110s2上的第二封裝層150B也可覆蓋未與主動元件陣列基板110重疊的部分對向基板120。在本實施例中，第二封裝層150A的側邊150s1例如與主動元件陣列基板110的側邊110s1實質上切齊，第二封裝層150A的側邊150s3例如與主動元件陣列基板110的側邊110s4實質上切齊，且第二封裝層150B的側邊150s2例如與對向基板120的側邊120s2實質上切齊。第二封裝層150A、150B可與第一封裝層（圖未繪示）一起圍繞顯示介質層130。第二封裝層150B的一側邊150s2上可設置另一可撓性電路板（圖未繪示），線路層ML2可經由側邊150s2接收外部驅動訊號，然本發明並不以此為限，本領域技術人員可依照實際需求做選擇。在本實施例中，由於第二封裝層150與基板112的維氏硬度的差值約為-520~-400HV，因此可避免於後續進行封裝製程（例如側邊封裝製程）貼合電路板時因第二封裝層150與基板112的硬度差距超過超過-550~150 HV範圍而導致後續進行側邊研磨製程、或可撓性電路板壓合時，側邊因封裝層與基板間產生縫隙，造成製程中側邊受壓力不均，進一步造成側邊封裝結構或基板邊緣破損，使得水氧滲漏而導致顯示面板的可靠度及特性降低。

圖4A-圖4G為依照本發明的一實施例的顯示裝置的製造過程的局部剖面示意圖。圖4A-圖4G的實施例沿用圖1的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。在此需說明的是，圖4A-圖4G所繪示的為本發明的一實施例之顯示面板100，但省略了部分構件的繪示。此外，儘管圖4A-圖4G所繪示的為本發明的一實施例之顯示面板100，但不以此為限。

請參照圖4A，提供顯示面板100a。顯示面板100a例如包括主動元件陣列基板110a、對向基板120a、顯示介質層130a以及第一封裝材料層140a。主動元件陣列基板110a例如是與對向基板120a對向設置。主動元件陣列基板110a包括基板112a以及設置於基板112a上的多個畫素結構PX。第一封裝材料層140a形成於主動元件陣列基板110a與對向基板120a之間。顯示介質層130a填充於主動元件陣列基板110a、對向基板120a與第一封裝材料層140a之間。在此需說明的是，關於主動元件陣列基板110a、對向基板120a、顯示介質層130a以及第一封裝材料層140a的詳細技術內容的說明可參照前述實施例，在此不贅述。

請參照圖4B，移除位於顯示面板100a之一側的部分對向基板120a。移除位於顯示面板100a之一側的部分對向基板120a的步驟例如是進行切割製程，該切割製程可例如是光學雷射切割或刀輪切割。在部分的對向基板120a經移除後，即形成對向基板120。此外，在移除部分的對向基板120a之後，可例如藉由常壓電漿或氧氣電漿處理初步主動元件陣列基板110a經暴露的部分頂表面及經切割後的對向基板120的側邊，以移除因移除部分對向基板120a而暴露出的部分顯示介質層130a以及第一封裝材料層140a。在對其充分地進行清潔後即暴露出主動元件陣列基板110a的一部分畫素結構PX，亦即暴露出線路層ML1的側邊SS。

請參照圖4C，在移除位於顯示面板100a之一側的部分對向基板120a之後，可選擇性地移除位於顯示面板100a之一側的部分主動元件陣列基板110a。詳細地說，可選擇性地移除未被對向基板120a覆蓋的部分主動元件陣列基板110a。移除位於顯示面板100a之一側的部分主動元件陣列基板110a的步驟例如是進行切割製程，該切割製程可例如是光學雷射切割製程、刀輪切割製程或其組合。在移除位於顯示面板100a一側的部分主動元件陣列基板110a之後，即形成主動元件陣列基板110。主動元件陣列基板110包括基板112以及多個畫素結構PX。然而，本發明不以此為限。當顯示面板100a為窄邊框的設計時（例如基板112a為可撓式基板等設計），可不進行如圖4C所示的製程步驟。

請參照圖4D，設置第二封裝材料層150a於主動元件陣列基板110上。形成第二封裝材料層150a的方法例如是藉由印刷製程或塗布製程於主動元件陣列基板110上，以使第二封裝材料層150a覆蓋經暴露出的主動元件陣列基板110的部分頂表面。亦即，第二封裝材料層150a會覆蓋經暴露出的主動元件陣列基板110的畫素結構PX。在本實施例中，第二封裝材料層150a設置於未經對向基板120覆蓋的主動元件陣列基板110的一側。然而，本發明不限於此。舉例而言，在其他實施例中，第二封裝材料層150a可設置於未經對向基板120覆蓋的主動元件陣列基板110的兩側或兩側以上。第二封裝材料層150a的材料例如是聚丙烯酸樹脂、環氧樹脂、烯丙基樹脂、酚醛樹脂、聚四氟乙烯或其組合等有機化合物，或者例如是氧化鋁、氧化矽、氧化硼、鋁矽酸鹽、硼矽酸鹽或其組合等無機化合物。在本實施例中，第二封裝材料層150a的材料為聚丙烯酸樹脂、烯丙基樹脂、碳粉末之混合物、或環氧樹脂之混合物。於部份實施例中，第二封裝層150可具有遮光效果，但不限於此。

請參照圖4E，於主動元件陣列基板110上形成第二封裝材料層150a之後，固化第二封裝材料層150a。固化第二封裝材料層150a的方式例如是藉由照射活性能量線AE固化或加熱固化。於較佳實施例中，藉由照射活性能量線AE以固化第二封裝材料層150a。上述的活性能量線AE例如是雷射光線或紅外線。由於使用加熱的方式來固化第二封裝材料層150a需要使用較高的溫度，因此其有可能損害到顯示面板100a的內部元件。基於此，使用活性能量線AE照射第二封裝材料層150a的側邊150s1（或側邊150s2）以使其固化可避免出現上述問題。另外，於本實施例中是對著第二封裝材料層150a的側邊150s1照射活性能量線AE，因此可避免損害到顯示面板100a的內部元件。在第二封裝材料層150a經固化後，即形成第二材料層150。

請參照圖4F，進行一研磨製程，以移除位於顯示面板100a一側的部分第二封裝層150與部分主動元件陣列基板110。詳細地說，在本實施例中，進行該研磨製程以移除第二封裝層150的一側邊150s1的一部分以及主動元件陣列基板110的一側邊110s1的一部分，但不以此為限。如圖3繪示的實施例所示，若第二封裝層150設置於未經對向基板120覆蓋的主動元件陣列基板110的兩側（或兩側以上），則對第二封裝層150與主動元件陣列基板110的兩個（或兩個以上）側邊（舉例來說，側邊150s1、150s2以及側邊110s1、110s2）進行研磨製程。在本實施例中，經形成的第二封裝層150覆蓋經對向基板120暴露出的該至少一部分該些畫素結構，在第二封裝層150的材料為前述實施例提及的材料時，第二封裝層150的維氏硬度約為15~700 HV。並且，第二封裝層150與基板112的維氏硬度的差值約為-550~+150 HV。在本實施例中，第二封裝層150與基板112的維氏硬度的差值約為-520~-400 HV。在第二封裝層150與基板112的維氏硬度的差值處於上述範圍時，可確保對第二封裝層150的側邊150s1的一部分以及主動元件陣列基板110的側邊110s1的一部分進行研磨製程之後，所形成之第二封裝層150的側邊150s1實質上與主動元件陣列基板110的側邊110s1以及線路層ML1的側邊SS實質上切齊。此外，基板112的側表面110s1與第二封裝層150的側表面150s1的表面粗糙度中之中心線平均粗糙度（Ra）於較佳實施例中的值低於約1微米（um），於後續進行封裝製程（例如側邊封裝製程）貼合電路板時可避免因第一封裝層140及第二封裝層150與基板112的硬度差距而導致側邊封裝結構破損或產生縫隙，使得水氧滲漏而導致顯示面板的可靠度及特性降低。

請參照圖4G，於主動元件陣列基板110的至少一側邊110s以及第二封裝層150的至少一側邊150s上形成多個側面電極170。在本實施例中，於主動元件陣列基板110的一側邊110s1以及第二封裝層150的一側邊150s1上形成多個側面電極170，但不以此為限。如圖3繪示的實施例所示，若第二封裝層150設置於未經對向基板120覆蓋的主動元件陣列基板110的兩側（或兩側以上），則可視情況於第二封裝層150與主動元件陣列基板110的兩個（或兩個）以上側邊（舉例來說，側邊150s1、150s2以及側邊110s1、110s2）上形成多個側面電極170。在本實施例中，側面電極170可例如藉由使用噴墨印刷、柔版印刷或凹版印刷等製程設置於主動元件陣列基板110的一側邊110s1與第二封裝層150的一側邊150s1上。並且，側面電極170對應於自主動元件陣列基板110的一側邊110s1與第二封裝層150的一側邊150s1裸露出的線路層ML1的側邊SS而設置，因此，側面電極170可與畫素結構PX電性連接。

請參照圖4H，於主動元件陣列基板110的至少一側邊110s與第二封裝層150的至少一側邊150s上形成可撓性電路板160。在本實施例中，可撓性電路板160貼合於主動元件陣列基板110的一側邊110s1與第二封裝層150的一側邊150s1上，但不以此為限。如圖3繪示的實施例所示，若第二封裝層150設置於未經對向基板120覆蓋的主動元件陣列基板110的兩側（或兩側以上），則可撓性電路板160可視情況貼合於主動元件陣列基板110與第二封裝層150的兩個（或兩個以上）側邊（舉例來說，側邊110s1、110s2以及側邊150s1、150s2）。所形成之可撓性電路板160與至少部分的畫素結構PX電性連接。詳細地說，可撓性電路板160可藉由側面電極170與自主動元件陣列基板110的至少一側邊110s與第二封裝層150的至少一側邊150s裸露出的畫素結構PX電性連接。

在本實施例中，顯示面板100可選擇性更包括導電膠180。可撓性電路板160可經由導電膠180電性連接於所對應之各側面電極170。於部份實施例中，導電膠180也具有多個區塊（未繪示）可分別對應於該些側面電極170，則可撓性電路板160之接合墊（未標示）就可經由導電膠180電性連接於所對應之各側面電極170，但不限於此。導電膠180的材料例如是奈米或微米金屬、有機金屬鹽類、樹脂、溶劑或其組合。在本實施例中，較佳地，導電膠180的材料為異方性導電膠（ACF），但不限於此。

綜上所述，由於設置於顯示面板的外圍的第二封裝層與基板的維氏硬度差值約為-550~150 HV，因此在對設置有第二封裝層的顯示面板的側邊進行封裝製程時可避免硬度差值過大導致後續進行側邊研磨製程、或可撓性電路板壓合時，側邊因封裝層與基板間產生縫隙，造成製程中側邊受壓力不均，進一步造成側邊封裝結構或基板邊緣破損，使得水氧滲漏而導致顯示面板的可靠度及特性降低，或避免光從縫隙中漏出。此外，貼附於主動元件陣列基板與第二封裝層的側邊上的可撓性電路板也可藉此避免凹折或刮傷。基於此，本發明的顯示面板具有較高的可靠度及特性。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

100、100a、200‧‧‧顯示面板

110、110a‧‧‧主動元件陣列基板

112、112a‧‧‧基板

120、120a‧‧‧對向基板

130、130a‧‧‧顯示介質層

140‧‧‧第一封裝層

140a‧‧‧第一封裝材料層

150、150A、150B‧‧‧第二封裝層

150a‧‧‧第二封裝材料層

110s、110s1、110s2、110s3、110s4、120s、120s1、120s2、120s3、120s4、150s、150s1、150s2、150s3、SS‧‧‧側邊

160‧‧‧可撓性電路板

170‧‧‧側面電極

180‧‧‧導電膠

AE‧‧‧活性能量線

CEL‧‧‧共用電極線

COM‧‧‧共用電極線

D‧‧‧汲極

DL‧‧‧資料線

G‧‧‧閘極

M‧‧‧通道層

PE‧‧‧畫素電極

PX‧‧‧畫素結構

S‧‧‧源極

SL‧‧‧掃描線

T‧‧‧薄膜電晶體

ML1、ML2‧‧‧線路層

圖1為依照本發明的一實施例的顯示面板的立體示意圖。 圖2為圖1所示的畫素結構的剖面示意圖。 圖3為依照本發明的另一實施例的顯示面板的立體示意圖。 圖4A-圖4H為依照本發明的一實施例的顯示裝置的製造過程的局部剖面示意圖。

Claims (13)

1. 一種顯示面板，包括： 一主動元件陣列基板，包括一基板以及設置於該基板上的多個畫素結構； 一對向基板，與該主動元件陣列基板對向地設置，其中該主動元件陣列基板的至少一側與至少一部分的該些畫素結構未被該對向基板覆蓋； 一顯示介質層，設置於該主動元件陣列基板與該對向基板之間； 一第一封裝層，設置於該主動元件陣列基板與該對向基板之間且圍繞該顯示介質層； 一第二封裝層，設置於未被該對向基板覆蓋之至少一部分的該主動元件陣列基板上，其中該第二封裝層圍繞該第一封裝層的至少一側邊，該第二封裝層於該主動元件陣列基板之該至少一側具有至少一側邊，且該第二封裝層的維氏硬度與該基板的維氏硬度的差值為-550~150 HV；以及 一可撓性電路板，其中該可撓性電路板位於該第二封裝層之該至少一側邊，且該可撓性電路板與該至少一部分的該些畫素結構電性連接。
2. 如申請專利範圍第1項所述的顯示面板，其中該第二封裝層之該至少一側邊與對應的該主動元件陣列基板的至少一側邊實質上切齊。
3. 如申請專利範圍第1項所述的顯示面板，其中該些畫素結構更包括： 多條掃描線以及多條資料線，其中該些掃描線與該些資料線相交； 多個薄膜電晶體，分別與該些掃描線及該些資料線中的至少一者連接；以及 多個畫素電極，分別與對應的該些薄膜電晶體電性連接。
4. 如申請專利範圍第1項所述的顯示面板，其中該第二封裝層的維氏硬度為15~700 HV。
5. 如申請專利範圍第1項所述的顯示面板，其中該第二封裝層包括聚丙烯酸樹脂、環氧樹脂、烯丙基樹脂、酚醛樹脂、聚四氟乙烯或其組合或者氧化鋁、氧化矽、氧化硼、鋁矽酸鹽、硼矽酸鹽或其組合。
6. 如申請專利範圍第1項所述的顯示面板，更包括多個側面電極，該些側面電極設置於該第二封裝層之該至少一側邊與對應的該主動元件陣列基板之至少一側邊，且該些側面電極與該至少一部分的該些畫素結構電性連接，該可撓性電路板藉由該些側面電極與該至少一部分的該些畫素結構電性連接。
7. 如申請專利範圍第6項所述的顯示面板，更包括一導電膠，其中該可撓性電路板經由該導電膠電性連接於所對應之各該側面電極。
8. 一種顯示面板的製造方法，包括： 提供一顯示面板，其中該顯示面板包括一主動元件陣列基板、一對向基板、一顯示介質層以及一第一封裝材料層，其中該第一封裝材料層形成於該主動元件陣列基板與該對向基板之間，且該顯示介質層填充於該主動元件陣列基板、該對向基板與該第一封裝材料層之間，其中該主動元件陣列基板包括一基板以及設置於該基板上的多個畫素結構； 移除於該顯示面板之一側的部分該對向基板，暴露出至少一部分的該些畫素結構； 設置一第二封裝層於該主動元件陣列基板上，其中該第二封裝層覆蓋該對向基板暴露出的該至少一部分的該些畫素結構，其中該第二封裝層的硬度與該基板的維氏硬度的差值為-550~150 HV； 進行一研磨製程，以移除位於該顯示面板之該側的部分該第二封裝層與部分該主動元件陣列基板，暴露出該至少一部分的該些畫素結構之一側面；以及 設置一可撓性電路板於該主動元件陣列基板與該第二封裝層的該至少一側邊所對應的至少一側邊，其中該可撓性電路板與該些畫素結構電性連接。
9. 如申請專利範圍第8項所述的顯示面板的製造方法，其中於設置該第二封裝層之前更包括移除於該顯示面板的該側的部分的該主動元件陣列基板。
10. 如申請專利範圍第8項或第9項所述的顯示面板的製造方法，其中移除部分的該對向基板或部分的該主動元件陣列基板包括進行一光學雷射切割製程、一刀輪切割製程或其組合。
11. 如申請專利範圍第8項所述的顯示面板的製造方法，其中設置該第二封裝層更包括: 塗佈一第二封裝材料；以及 固化該第二封裝材料，以形成該第二封裝層，其中固化該第二封裝材料係藉由照射活性能量線固化或加熱固化。
12. 如申請專利範圍第8項所述的顯示面板的製造方法，更包括形成多個側面電極於該顯示面板之該側所對應的該主動元件陣列基板與該第二封裝層的該至少一側邊。
13. 如申請專利範圍第12項所述的顯示面板的製造方法，更包括設置一可撓性電路板，該可撓性電路板藉由該些側面電極與對應的該些畫素結構電性連接。