TWI733557B

TWI733557B - 顯示面板

Info

Publication number: TWI733557B
Application number: TW109127575A
Authority: TW
Inventors: 葉家宏; 黃國有; 陳茂松
Original assignee: 友達光電股份有限公司
Priority date: 2020-08-13
Filing date: 2020-08-13
Publication date: 2021-07-11
Also published as: TW202206903A; CN112837617A

Abstract

提供一種顯示面板，顯示面板包括第一基板、畫素結構及第一平坦化層。畫素結構配置於第一基板上。第一平坦化層配置於畫素結構上並包括平坦化部、凸台部以及溝槽。溝槽沿凸台部的邊緣設置於平坦化部與凸台部之間，其中凸台部在第一基板的法線方向上由溝槽的底部遠離第一基板凸出的高度大於平坦化部由溝槽的底部遠離第一基板凸出的高度。

Description

顯示面板

本發明是有關於一種電子裝置，且特別是有關於一種顯示面板。

顯示面板利用主動元件電性連接像素電極層，以透過像素電極層提供電場控制顯示介質（例如，液晶），其中像素電極層的狀態（例如，平坦度）影響電場的分布狀態，進而影響顯示品質。除此之外，顯示介質夾設在兩基板之間，兩基板之間的間隔距離被要求維持穩定，以確保顯示品質。目前，顯示面板可以例如間隙物之類的構件夾設於兩基板之間，以維持兩基板之間的間隔距離。然而，間隙物在顯示面板組立的過程或是使用的過程中並非固定不動的，而是可能滑移的，滑移的過程將損傷顯示面板的層膜結構，對顯示品質造成不良的影響。因此，如何在考量製程成本的情況下，生產顯示品質良好的顯示面板，成為亟需解決的問題。

本發明提供一種顯示面板，具備理想的顯示品質。

本發明的顯示面板包括第一基板、畫素結構及平坦化層。畫素結構配置於第一基板上。第一平坦化層配置於畫素結構上並包括平坦化部、凸台部以及溝槽。溝槽沿凸台部的邊緣設置於平坦化部與凸台部之間，其中凸台部在第一基板的法線方向上由溝槽的底部遠離第一基板凸出的高度大於平坦化部由溝槽的底部遠離第一基板凸出的高度。

基於上述，本發明實施例提供的顯示面板中，第一平坦化層包括平坦化部、凸台部以及溝槽。平坦化部用以提供平坦化表面給設置於其上的膜層，以確保顯示品質。沿凸台部的邊緣設置的溝槽使得凸台部形狀完整，凸台部則用於抵頂顯示面板另一側基板上的間隙物，避免因間隙物滑移造成的接觸面的膜層掉屑問題。並且，平坦化部、凸台部以及溝槽皆設置於同一個平坦化層，以整合的製程步驟製造，降低製程成本。

為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

圖1為本發明一實施例的顯示面板的剖面示意圖。顯示面板10可包括第一基板101、第二基板102、顯示介質103、平坦化層104與間隙物105。第一基板101例如是畫素陣列基板，其上設置有多個畫素結構，但為了圖式簡潔，圖1中並未具體示出畫素結構。第二基板102與第一基板101相對設置。顯示介質103配置於第一基板101與第二基板102之間，且顯示介質103例如為液晶層，但不以此為限。第一基板101上設置有平坦化層104其可配置於畫素結構上。平坦化層104具有平坦化部104A、凸台部104B以及位於平坦化部104A與凸台部104B之間的溝槽104C。凸台部104B相對於平坦化部104A更遠離第一基板101而凸出。間隙物105配置於第二基板102上，朝第一基板101凸伸，且間隙物105的端面抵住凸台部104B的頂面以維持第一基板101與第二基板102之間的距離。在本實施例中，凸台部104B被溝槽104C環繞，這有助於形成所需尺寸大小及形狀的凸台部104B。平坦化層104具有的凸台部104B相對於平坦化部104A更為凸出而可避免間隙物105相對於凸台部104B位移時造成間隙物105表面的材料刮損及/或剝落而污染顯示介質103導致顯示不良點。因此，平坦化層104除了提供平坦化的作用之外，還可用於抵頂間隙物105，並且可降低因間隙物105位移導致的不良影響。

以下將舉例說明平坦化層104在多種實施方式中的設計，但本發明的平坦化層104不以下列實施例為限。另外，在圖1中，第一方向D1是指第一基板101的法線方向，第二方向D2與第三方向D3則構成第一基板101的板平面。為了方面說明，在此後的描述中，第一方向D1、第二方向D2與第三方向D3的對應關係皆如圖1所示。

圖2A~圖2D繪示了本發明一實施例的顯示面板中第一基板及配置於第一基板上的部分構件的平面圖。可理解，本文中平面圖或是上視圖所呈現的構件及/或膜層可以視為個別構件及/或膜層在基板的法線方向（即，第一方向D1）上的投影(即垂直投影)的輪廓。圖2E是圖2A至圖2D中第二金屬層之上的膜層沿I-I’線的剖面示意圖。為了便於理解，繪示於圖2A~圖2D的部分層膜結構並未繪示於圖2E中。

參照圖2A，第一基板101上設置了半導體層111、第一金屬層112以及第二金屬層113，其中半導體層111、第一金屬層112以及第二金屬層113的相鄰兩層之間還設置有絕緣層（未繪示）。半導體層111、第一金屬層112以及第二金屬層113都經圖案化而定義出需要的構件，例如主動元件TFT、掃描線SL、資料線DL、連接電極CE等。由於第二金屬層113以及半導體層111之間設置有絕緣層（未繪示），為了實現需要的電連接關係，第二金屬層113可透過貫穿此絕緣層的通孔ILD以連接至半導體層111。除此之外，第一基板101上可更設置有屏蔽金屬層SM，其設置在半導體層111與第一基板101之間，以避免半導體層111受背光（未繪示）照射，影響半導體層111的特性。

接下來參照圖2B及圖2E，第一基板101上還設置有覆蓋主動元件TFT、掃描線SL、資料線DL等構件的平坦化層PL1、絕緣層BP0以及平坦化層PL2。如圖2E所示，平坦化層PL1形成於第二金屬層113上，絕緣層BP0沉積形成在平坦化層PL1上，且平坦化層PL2形成於絕緣層BP0上。圖2E雖未示出，但由圖2B搭配圖2E可理解，主動元件TFT配置於平坦化層PL1與第一基板101之間。平坦化層PL1與平坦化層PL2可以採用塗佈（coating）的方式形成，且可採用有機絕緣材料製作，而絕緣層BP0被設置以增加平坦化層PL2與平坦化層PL1之間的黏附力（adhesion），並預防平坦化層PL1脫氣（outgassing）而對其他膜層造成影響。根據一些實施例，絕緣層BP0可以是例如SiO _x或SiN _x的無機化合物，但不以此為限。

在本實施例中，為了實現不同導電膜層之間的電性連接，平坦化層PL1可被圖案化而具有通孔V1，絕緣層BP0可被圖案化而具有通孔V2，而平坦化層PL2可被圖案化而具有通孔V3，使得第二金屬層113的連接電極CE暴露出來而不被平坦化層PL1、絕緣層BP0以及平坦化層PL2覆蓋。另外，同樣參照圖2B與圖2E，平坦化層PL2包括平坦化部121、凸台部122以及溝槽123，溝槽123沿凸台部122的邊緣設置，且設置於平坦化部121與凸台部122之間，其中通孔V3例如是設置於平坦化部121中。具體而言，圖2B中，平坦化部121大致覆蓋了通孔V3、溝槽123與凸台部122之外的所有區域。由於平坦化層PL1、絕緣層BP0以及平坦化層PL2的平坦化部121覆蓋第一基板101的大部分面積，這些構件在圖2B中的輪廓並無明顯邊界，因此以通孔V1、通孔V2與通孔V3的輪廓做為表示。

接下來參照圖2C及圖2E，導電層ITO1設置於平坦化層PL2上，覆蓋至少一部份的平坦化部121、凸台部122以及溝槽123，且不覆蓋通孔V1、通孔V2及通孔V3。導電層ITO1的材質包括氧化銦錫（ITO）材料，但不以此為限。具體而言，導電層ITO1的材質可以是包括透明金屬氧化物材料例如氧化銦鋅（IZO）、氧化鋁鋅（AZO）、氧化鋁銦（AIO）氧化銦（InO）、氧化鎵（gallium oxide, GaO）與氧化銦鎵鋅（IGZO）之其中至少一者等的氧化物導電材料，或其它透明導電材料例如奈米碳管、奈米銀顆粒、厚度小於60奈米（nm）的金屬或合金、有機透明導電材料或上述至少兩種材料的組合。另外，絕緣層BP1進一步設置於導電層ITO1上，並如同絕緣層BP0一樣的覆蓋第一基板101的大部分面積。絕緣層BP1可具有通孔V4，且通孔V4對應於通孔V1、通孔V2及通孔V3而設置，使得第二金屬層113在通孔V1、通孔V2、通孔V3及通孔V4中露出。

接下來參照圖2D及圖2E，導電層ITO2設置於絕緣層BP1上，並連接到平坦化層PL1的通孔V1、絕緣層BP0的通孔V2、平坦化層PL2的通孔V3以及絕緣層BP1的通孔V4所露出的連接電極CE。具體地，導電層ITO2可被用作為像素電極層，且第二金屬層113的連接電極CE電性連接在導電層ITO2及主動元件TFT之間；意即，主動元件TFT透過連接電極CE提供導電層ITO2電壓。導電層ITO1則可作為共用電極且連接至共用電壓。如此，主動元件TFT、導電層ITO1與導電層ITO2可構成畫素結構PX以應用於圖1的顯示面板10中，其中畫素結構PX當畫素結構PX受驅動時，導電層ITO1與導電層ITO2的壓差所產生的電場可用於控制顯示面板10的顯示介質103。在此，導電層ITO2相對於導電層ITO1更遠離第一基板101，且可經圖案化以具有多個狹縫，但不以此為限。導電層ITO2與導電層ITO1可選用相同的材料製作，或是由不同的透明導電材料構成。在本實施例中，導電層ITO2設置於平坦化層PL2上，使得導電層ITO2具備良好的平坦度，因此，導電層ITO2提供給顯示介質的電場具備均勻的電力線，而非雜亂的電力線，進而提升顯示面板的顯示品質。

為了清楚呈現第二金屬層113上方的膜層的剖面結構，圖2E中僅繪示連接電極CE及畫素結構PX的導電層ITO1與導電層ITO2而省略了畫素結構PX的其他膜層與構件。如圖2E所示，第二金屬層113、平坦化層PL1、絕緣層BP0、平坦化層PL2、導電層IOT1、絕緣層BP1與導電層ITO2依序堆疊。絕緣層BP0配置於平坦化層PL1與平坦化層PL2之間，而可提升平坦化層PL1與平坦化層PL2之間的附著性。絕緣層BP1配置於導電層ITO1與導電層ITO2之間以避免兩導電層電性短路。平坦化層PL2配置於第二金屬層113與導電層ITO1之間。平坦化層PL2包括通孔V3以允許第二金屬層113與導電層ITO1電性連接。

平坦化層PL2具備平坦化部121、凸台部122以及溝槽123。溝槽123沿凸台部122的邊緣設置，且溝槽123的至少一部份介於凸台部122與通孔V3之間，使得凸台部122的輪廓鮮明，而可在製作程序中較容易控制凸台部122的尺寸。凸台部122在第一方向D1上由溝槽123的底部凸出的高度H1大於平坦化部121由溝槽123的底部凸出的高度H2，其中第一方向D1是指第一基板101（參照圖2D與圖1）的法線方向，且如圖2D所示，凸台部122在第一基板101的垂直投影不重疊平坦化部121在第一基板101的垂直投影。圖2D與圖2E所示的平坦化層PL2可以應用於圖1的顯示面板10中以作為平坦化層104的實施方式，且圖2D與圖2E的畫素結構PX可以應用於顯示面板10中。另外，平坦化部121、凸台部122以及溝槽123皆屬於平坦化層PL2，並且可以採用同一個黃光製程來形成。

請參照圖3A與圖3B，其說明在同一個黃光製程中形成平坦化部121、凸台部122以及溝槽123的方法。如圖3A所示的步驟，先利用塗佈的方式在絕緣層BP0上形成平坦材料層PL2’，其中平坦材料層PL2’相對於絕緣層BP0頂面的高度可以是均勻的。接下來，以如圖3B所示的光罩900對上述具有均勻高度的平坦材料層PL2’進行曝光與顯影步驟使得平坦材料層PL2’圖案化成平坦化層PL2。如圖3B所示，光罩900包括不透光區901、半透光區902以及透明區903，其中透明區903的透光度大於半透光區902，且半透光區902的透光度大於不透光區901。當以光罩900對具有均勻高度的平坦材料層PL2’進行曝光時，平坦材料層PL2’不同的局部之間可以受到不同的曝光程度。在本實施例中，平坦材料層PL2’可具有正型感光性質，因此，平坦材料層PL2’中，與不透光區901對應的區域形成為凸台部122，與半透光區902對應的區域形成為平坦化部121，而與透明區903對應的區域則形成為溝槽123，使得平坦材料層PL2’圖案化成如圖2E所示的具有平坦化部121、凸台部122以及溝槽123三者的平坦化層PL2。

在一些實施例中，製作圖2E的平坦化層PL2的過程中，可一併形成通孔V3。舉例而言，在製作平坦化層PL2時，預計要形成溝槽123與通孔V3的部份可以對應於光罩900的相同透光度的區域，以移除這部分的平坦材料而形成溝槽123與通孔V3，但不以此為限。由於平坦化部121、凸台部122以及溝槽123，甚至通孔V3可以在同一個黃光製程中形成，而不需要分別用不同的製程步驟來形成，這樣整合的製程步驟降低了製程的成本以及製程的時間。另外，結構上彼此緊鄰的凸台部122以及溝槽123是分別對應於光罩900中透光度最小與透光度最大的兩個區域，因此凸台部122的邊界可被明確定義出來而具有理想的尺寸及圖案。

在本實施例中，溝槽123貫穿整個平坦化層PL2使得溝槽123的底部與平坦化部122的底面共面，但不以此為限。下述實施例將舉例說明溝槽的不同設置方式。下述實施例沿用前述實施例的元件標號邏輯與部分內容，其中採用相同邏輯的標號方式來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，下述實施例不再重複贅述。

參照圖4，其繪示依照本發明的另一實施例的顯示面板的部分剖面圖。圖4的實施例大致相似於圖2E的實施例，且圖4僅示出第二金屬層113（其可視為畫素結構PX中主動元件的一部分）、平坦化層PL1、絕緣層BP0、平坦化層PL2A、導電層ITO1、絕緣層BP1以及導電層ITO2。在圖4中，與圖2E不同之處主要在於平坦化層PL2A的結構。具體而言，本實施例的平坦化層PL2A包括平坦化部221、凸台部222與溝槽223，且一部分的平坦材料可延伸至溝槽223的底部。也就是說，溝槽223與絕緣層BP0之間存在一部分的平坦材料，使得溝槽223並未貫穿整個平坦化層PL2A。部過，平坦化層PL2A在溝槽223的厚度T1小於平坦化層PL2A在平坦化部222的厚度T2。另外，平坦化層PL2A在溝槽223處的頂表面相較於在平坦化部221處的頂表面更低，也就是更接近第一基板（圖3中未示出）。因此，位於平坦化部221與凸台部222之間的溝槽223仍構成了相對凹陷的結構。

如同前述實施例的平坦化層PL2的製作方法，本實施例可以採用同一個黃光製程來形成平坦化層PL2A中的平坦化部221、凸台部222以及溝槽223。本實施例的製作平坦化層PL2A的方法大致類似於圖3A與圖3B所述的方法。不過，製作本實施例的平坦化層PL2A時可調整光罩的透光度，使得預計要形成溝槽223的一部分平坦材料不會被完全移除。舉例而言，用於本實施例的光罩可包括不透光區、第一半透光區以及第二半透光區，且第一半透光區的透光率低於第二半透光區的透光率，其中與不透光區對應的區域形成為凸台部222，與第一半透光區對應的區域形成為平坦化部221，而與第二半透光區對應的區域形成為溝槽223，以形成如圖4所示的具有平坦化部221、凸台部222以及溝槽223三者的平坦化層PL2A。

參照圖5，其繪示依照本發明的再一實施例的顯示面板的部分剖面圖。圖5的實施例大致相似於圖2E的實施例，且圖5僅示出第二金屬層113（其為畫素結構PX的一部分）、平坦化層PL1、絕緣層BP0、平坦化層PL2B、導電層ITO1、絕緣層BP1以及導電層ITO2。另外，與圖2E不同的是，圖5的平坦化層PL2B包括平坦化部321、凸台部322與溝槽323，且顯示面板更包括金屬層324，其中金屬層324設置於凸台部322之下。圖5的結構應用於圖1的顯示面板10時，凸台部322在圖1所示的第一基板101的垂直投影可重疊金屬層324的垂直投影，且溝槽323的垂直投影重疊金屬層324的垂直投影。如此，金屬層324的頂面T324定義出溝槽323的底部。在本發明一實施例中，金屬層324可以是觸控面板的觸控電極，但不以此為限。

參照圖6，其繪示依照本發明一實施例的顯示面板的平坦化層上視示意圖。平坦化層400包括平坦化部421、凸台部422以及溝槽423，其可視為前述實施例的平坦化層104、平坦化層PL2、平坦化層PL2A或平坦化層PL2B在上視圖（也就是第二方向D2與第三方向D3所構成的平面）中的一種可能實施方式。具體而言，類似於前述實施例，平坦化層400例如可配置於基板（例如圖1的第一基板101）上。在圖6中，為了說明的目的，僅繪示鄰近凸台部422的一部分平坦化部421。

在本實施例中，凸台部422在基板（未標示）上的垂直投影在第三方向D3上具備一長軸，溝槽423包括在第二方向D2上位於凸台部422相對兩側的兩個溝槽分段4231及4232，且兩個溝槽分段4231及4232皆沿著第三方向D3設置，但是本發明不以此為限。舉例而言，溝槽423可以例如包括在第三方向D3上位於凸台部422相對兩側的兩個溝槽分段，且兩個溝槽分段皆沿著第二方向D2設置。如前述實施例所述，在剖面結構上，凸台部422在基板的法線方向上由溝槽423的底部凸出的高度大於平坦化部421由溝槽423的底部凸出的高度，且介在凸台部422以及平坦化部421之間的溝槽分段4231及4232構成了相對凹陷的結構（未繪示），使得凸台部422在製作程序中較易控制尺寸大小及形狀。

參照圖7，其繪示依照本發明一實施例的顯示面板的平坦化層上視示意圖。平坦化層500包括平坦化部521、凸台部522以及溝槽523。與圖6所示的平坦化層400類似，平坦化層500可以是圖1、圖2E、圖4及圖5所述實施例中的平坦化層在上視圖（在第二方向D2以及第三方向D3所形成的平面上的平面視圖）中的一種實施方式。類似於前述實施例，平坦化層500例如可配置於基板（類似於圖1的第一基板101）上。在圖7中，僅繪示鄰近凸台部522的一部分平坦化部521。

在本實施例中，凸台部522在基板上的投影在第三方向D3上具備一長軸，溝槽523包括沿著凸台部522的邊緣的四個角部外側的四個不連續的溝槽分段5231、5232、5233、5234，且一部分平坦化部521位於上述溝槽分段5231、5232、5233、5234中相鄰的溝槽分段之間。具體而言，如圖7所示，溝槽分段5231以及溝槽分段5232之間具備一部分平坦化部521，溝槽分段5232以及溝槽分段5233之間具備一部分平坦化部521，溝槽分段5233以及溝槽分段5234之間具備一部分平坦化部521，且溝槽分段5234以及溝槽分段5231之間具備一部分平坦化部521，但是本發明不以此為限。

在本發明的另一實施例中，溝槽523可以僅包括前述溝槽分段5231、5232、5233、5234中的兩者，例如僅包括溝槽分段5231及5233，或是僅包括溝槽分段5232及5234。在本發明的再一實施例中，溝槽523可以包括四個不連續的溝槽分段，四個溝槽分段分別沿著凸台部522的四個邊設置，且不設置在沿著凸台部522的邊緣的四個角部外側，但是本發明不以此為限。在圖7中，如前述實施例所述，在剖面結構上，凸台部522在基板的法線方向上由溝槽523的底部凸出的高度大於平坦化部521由溝槽523的底部凸出的高度，且介在凸台部522以及平坦化部521之間的溝槽分段5231、5232、5233、5234構成了相對凹陷的結構（未繪示），使得凸台部522在製作程序中較易控制大小。

參照圖8，其繪示依照本發明一實施例的顯示面板的平坦化層上視示意圖。平坦化層600包括平坦化部621、凸台部622以及溝槽623。同樣地，平坦化層600可以是圖1、圖2E、圖4及圖5所述實施例中的平坦化層在上視圖（在第二方向D2以及第三方向D3所形成的平面上的平面視圖）中的一種實施方式。具體而言，類似於前述實施例，平坦化層600例如可配置於基板（類似於圖1的第一基板101）上。在圖8中，僅繪示鄰近凸台部622的一部分平坦化部621。

凸台部622在基板上的垂直投影是橢圓形，其長軸沿第三方向D3設置，且溝槽623完全環繞凸台部622的邊緣，但是本發明不以此為限。在本發明的另一實施例中，溝槽623可以是由多個溝槽分段所構成，例如兩個溝槽分段、三個溝槽分段或四個溝槽分段，且多個溝槽分段中相鄰的兩個溝槽分段之間設置有一部分的平坦化部621，也就是說，溝槽623是部分環繞凸台部622的邊緣設置。在本實施例中，如前述實施例所述，在剖面結構上，凸台部622在基板的法線方向上由溝槽623的底部凸出的高度大於平坦化部621由溝槽623的底部凸出的高度，且介在凸台部622以及平坦化部621之間的溝槽623構成了相對凹陷的結構（未繪示），使得凸台部622在製作程序中較易控制大小。

參照圖9，其繪示依照本發明一實施例的平坦化層上視示意圖。平坦化層700包括平坦化部721、凸台部722以及溝槽723。同樣地，平坦化層700可以是圖1、圖2E、圖4及圖5所述實施例中的平坦化層在上視圖（在第二方向D2以及第三方向D3所形成的平面上的平面視圖）中的一種實施方式。在圖9中，僅繪示鄰近凸台部722的一部分平坦化部721。

相較於圖8所示的平坦化層600，平坦化層700的凸台部722是較短的橢圓形。與平坦化層600類似的是，平坦化層700的凸台部722在基板上的投影的長軸沿著第三方向D3設置，且溝槽723完全環繞凸台部722的邊緣設置，但是本發明不以此為限。在本發明的另一實施例中，溝槽723可以是由多個溝槽分段所構成，例如兩個溝槽分段、三個溝槽分段或四個溝槽分段，且多個溝槽分段中相鄰的兩個溝槽分段之間設置有一部分的平坦化部721，也就是說，溝槽723是部分環繞凸台部722的邊緣設置。在本實施例中，如前述實施例所述，在剖面結構上，凸台部722在基板的法線方向上由溝槽723的底部凸出的高度大於平坦化部721由溝槽723的底部凸出的高度，且介在凸台部722以及平坦化部721之間的溝槽723構成了相對凹陷的結構（未繪示），使得凸台部722在製作程序中較易控制大小。

參照圖10A與10B，其分別以側視圖及上視圖繪示依照本發明一實施例的顯示面板中平坦化層及間隙物的配置示意圖。具體而言，圖10A可以是沿著圖10B中的虛線A-A’截取的剖面圖。請先參照圖10A，平坦化層820設置於絕緣層BP0上，且包括平坦化部821、凸台部822以及溝槽823，其中溝槽823包括兩個溝槽分段8231及8232，凸台部822在第一方向D1上由溝槽823的底部凸出的高度大於平坦化部821由溝槽823的底部凸出的高度。平坦化層820類似於圖2E所示實施例的平坦化層PL2直接設置於絕緣層BP0上，絕緣層BP0例如可以設置於基板（類似於圖1的第一基板101）上，且溝槽823的底面與絕緣層BP0的頂面共面。間隙物830可以例如設置在另一基板（未繪示）上，且朝凸台部822凸伸。具體而言，間隙物830朝向平坦化層820凸伸，且間隙物830的端面抵頂凸台部822的頂面。

在另一實施例中，平坦化層820可以類似於圖4所示實施例的平坦化層PL2A直接設置於絕緣層BP0上，且溝槽823的底部設置有一部份的平坦化部821。在再一實施例中，平坦化層820可以類似於圖5所示實施例的平坦化層PL2B，在凸台部822和絕緣層BP0之間設置有金屬層，金屬層更延伸至溝槽823底部，且溝槽823的底面與金屬層的頂面共面。然而，為了清楚理解間隙物830與凸台部822的配置關係，並避免混淆，本實施例僅以平坦化層820直接設置於絕緣層BP0上且溝槽823貫穿平坦化層820的情況作為示例。

接下來請參照圖10B，其以上視圖繪示了平坦化層820及間隙物830的配置關係，且圖10B也可以視為是平坦化層820及間隙物830在設置有平坦化層820的基板（例如圖1的第一基板101）上的垂直投影。由圖10B可以看到，凸台部822在基板上的垂直投影具備沿著第三方向D3設置的第一長軸822A，兩個溝槽分段8231及8232皆沿著第三方向D3設置。間隙物830在基板上的垂直投影具備沿著第二方向D2設置的第二長軸830A，且第二長軸830A與第一長軸822A相正交，但是本發明不限於此。在本發明的其他實施例中，第一長軸822A及第二長軸830A可以大於0度且小於等於90度的角度相交，而構成X字型。

如圖10A及圖10B所示，間隙物830是以其端面中間段部分抵靠凸台部822頂面的中間段部分，而不是抵靠彼此靠近長軸端部的部分，這有助於避免因間隙物830滑移造成間隙物830以及凸台部822彼此端部互磨，而產生的接觸面的膜層掉屑問題。具體而言，若是以間隙物830靠近長軸端部的部分或是凸台部822靠近長軸端部的部分來抵靠間隙物830以及凸台部822，當間隙物830滑移，可能使得間隙物830的周緣轉角摩擦凸台部822，或是使得凸台部822的周緣轉角摩擦間隙物830，這會造成間隙物830與凸台部822上所設置的膜層(例如前述實施例的導電層ITO1、絕緣層BP1或未示出的配向層等膜層)破損或掉屑，進而影響顯示品質。因此，本實施例以間隙物830端面中間段部分抵頂凸台部822頂面的中間段部分，得以改善或避免上述的膜層掉屑問題。另外，本實施例的平坦化層820可與圖6所示的平坦化層400具有類似的結構，但是本發明不限於此。舉例而言，平坦化層820可以圖7至圖9所示的平坦化層500、平坦化層600或平坦化層700來替換，也同樣能得到上述的有益功效。

綜上所述，本發明實施例提供的顯示面板中包括了平坦化層，且平坦化層包括了平坦化部、凸台部以及溝槽。平坦化部提供平坦化表面給設置於其上的各個層膜，使得例如像素電極層得以具備平坦的結構，而提供均勻的電力線，避免雜亂電場分布影響顯示品質。沿凸台部的邊緣設置的溝槽確保了凸台部形狀的完整，並在製程步驟中較易控制凸台部的尺寸大小。凸台部則以其頂面的中間段抵頂間隙物的端面的中間段，避免因間隙物滑移造成的層膜掉屑問題。並且，平坦化部、凸台部以及溝槽可以整合的採用同一個黃光製程步驟來製造，且設置於同一個平坦化層，其中平坦化部及凸台部以相同的材料構成，這樣整合的製程步驟降低了製程成本，並縮短製程時間。

本文參考作為理想化實施例的示意圖的截面圖來描述示例性實施例。因此，可以預期到作為例如製造技術及/或公差的結果的圖示的形狀變化。因此，本文所述的實施例不應被解釋為限於如本文所示的區域的特定形狀，而是包括例如由製造導致的形狀偏差。例如，示出或描述為平坦的區域通常可以具有粗糙及/或非線性特徵。此外，所示的銳角可以是圓的。因此，圖中所示的區域本質上是示意性的，並且它們的形狀不是旨在示出區域的精確形狀，並且不是旨在限制申請專利範圍。

10:顯示面板 101:第一基板 102:第二基板 103:顯示介質 104、PL1、PL2、PL2A、PL2B、400、500、600、700、820:平坦化層 104A、121、221、321、421 521、621、721、821:平坦化部 104B、122、222、322、422、522、622、722、822:凸台部 104C、123、223、323、423、523、623、723、823:溝槽 105、830:間隙物 111:半導體層 112:第一金屬層 113:第二金屬層 4231、4232、5231、5232、5233、5234、8231、8232:溝槽分段 324:金屬層 822A:第一長軸 830A:第二長軸 900:光罩 901:不透光區 902:半透光區 903:透明區 BP0、BP1:絕緣層 CE:連接電極 D1:第一方向 D2:第二方向 D3:第三方向 DL:資料線 ILD:通孔 ITO1、ITO2:導電層 H1、H2:高度 SM:屏蔽金屬層 SL:掃描線 TFT:主動元件 T1、T2:厚度 T324:金屬層頂面 PL2’:平坦材料層 PX:畫素結構 V1、V2、V3、V4:通孔

圖1為本發明一實施例的顯示面板的剖面示意圖。圖2A~圖2D繪示了本發明一實施例的顯示面板中第一基板及配置於第一基板的部分構件的平面圖。圖2E是圖2A至圖2D中第二金屬層之上的膜層沿I-I’線的剖面示意圖。圖3A~圖3B繪示了本發明實施例的平坦化層的製造方法。圖4是依照本發明的另一實施例的顯示面板的部分剖面圖。圖5是依照本發明的再一實施例的顯示面板的部分剖面圖。圖6是依照本發明一實施例的顯示面板的平坦化層上視示意圖。圖7是依照本發明一實施例的顯示面板的平坦化層上視示意圖。圖8是依照本發明一實施例的顯示面板的平坦化層上視示意圖。圖9是依照本發明一實施例的顯示面板的平坦化層上視示意圖。圖10A是以側視圖繪示依照本發明一實施例的顯示面板中平坦化層及間隙物的配置示意圖。圖10B是以上視圖繪示依照本發明一實施例的顯示面板中平坦化層及間隙物的配置示意圖。

10:顯示面板

101:第一基板

102:第二基板

103:顯示介質

104:平坦化層

104A:平坦化部

104B:凸台部

104C:溝槽

105:間隙物

D1:第一方向

D2:第二方向

D3:第三方向

Claims

一種顯示面板，包括：一第一基板；一畫素結構，配置於該第一基板上；以及一第一平坦化層，配置於該畫素結構上，包括：一平坦化部；一凸台部；以及一溝槽，沿該凸台部的一邊緣設置於該平坦化部與該凸台部之間，其中該凸台部在該第一基板的法線方向上由該溝槽的一底部遠離該第一基板凸出的高度大於該平坦化部由該溝槽的該底部遠離該第一基板凸出的高度，其中該溝槽包括不連續的多個溝槽分段，該多個溝槽分段沿該凸台部的該邊緣設置，且該平坦化部更位於該多個溝槽分段之間。
如請求項1所述的顯示面板，更包括一第二基板以及一間隙物，該間隙物配置於該第二基板上，朝該第一基板凸伸，且該間隙物的一端面抵頂該凸台部的一頂面。
如請求項2所述的顯示面板，其中該凸台部的該頂面於該第一基板的垂直投影具有一第一長軸，該間隙物的該端面於該第一基板的垂直投影具有一第二長軸，該第一長軸與該第二長軸相交。
如請求項2所述的顯示面板，其中該凸台部的該頂面於該第一基板的垂直投影與該間隙物的該端面於該第一基板的垂直投影構成X字型。
如請求項1所述的顯示面板，更包括一第二平坦化層，該第二平坦化層設置於該第一基板以及該第一平坦化層之間。
如請求項5所述的顯示面板，其中該畫素結構包括一主動元件，該主動元件設置於該第一基板以及該第二平坦化層之間。
如請求項1所述的顯示面板，其中該第一平坦化層在該溝槽的厚度小於該第一平坦化層在該平坦化部的厚度。
如請求項1所述的顯示面板，其中該溝槽的該底部與該平坦化部的底面共面。
如請求項1所述的顯示面板，其中該畫素結構包括一金屬層與一導電層，該第一平坦化層配置於該金屬層與該導電層之間，該第一平坦化層更包括一通孔以使該金屬層與該導電層電性連接，且該溝槽的至少一部份介於該凸台部與該通孔之間。
如請求項1所述的顯示面板，更包括一金屬層，設置於該凸台部之下，且該凸台部在該第一基板的一垂直投影重疊該金屬層的一垂直投影。
如請求項10所述的顯示面板，其中該金屬層的一頂面定義出該溝槽的該底部。
如請求項1所述的顯示面板，其中該溝槽包括兩個溝槽分段，且該兩個溝槽分段位於該凸台部的相對兩側。
如請求項1所述的顯示面板，其中該凸台部在該第一基板的一垂直投影不重疊該平坦化部的一垂直投影。