CN109188746B - 显示面板及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本公开涉及一种显示面板及其制造方法，该显示面板包括主动元件阵列基板、对向基板、显示介质层、第一封装层、第二封装层及柔性电路板。主动元件阵列基板包括基板及设置于其上的多个像素结构。对向基板与主动元件阵列基板对向地设置且未覆盖部分的主动元件阵列基板。显示介以及第一封装层设置于主动元件阵列基板与对向基板之间。第二封装层设置于未经覆盖的部分的主动元件阵列基板上且与第一封装层一起围绕显示介质层。第二封装层与基板的维氏硬度的差值为‑550～150HV。柔性电路板设置于主动元件阵列基板与第二封装层的至少一侧边上。

Description

显示面板及其制造方法

技术领域

本发明涉及一种半导体装置及其制造方法，且特别涉及一种显示面板及其制造方法。

背景技术

随着技术的发展，显示面板的边框逐渐缩小，甚至出现无边框的设计。而为了实现显示面板的窄边框，需要改变面板与其他电子元件的接合方式。

此外，显示面板由于具有轻薄短小与节能等优点，因此其已被广泛地应用于如智能手机、笔记本电脑、平板电脑与电视等各式电子产品。然而，汰换速率提高，上述电子产品的生命周期变短，回收再利用的议题也备受关注。

发明内容

本发明提供一种显示面板，其具有较高的可靠度及特性。

本发明提供一种显示面板的其制造方法，其制造出的显示面板具有较高的可靠度及特性。

本发明提供一种显示面板，其包括主动元件阵列基板、对向基板、显示介质层、第一封装层、第二封装层以及柔性电路板。主动元件阵列基板包括基板以及设置于基板上的多个像素结构。对向基板与主动元件阵列基板对向地设置且未覆盖部分的主动元件阵列基板。显示介质层设置于主动元件阵列基板与对向基板之间。第一封装层设置于主动元件阵列基板与对向基板之间且位于显示介质层的外围。第二封装层设置于未经覆盖的部分的主动元件阵列基板上且与第一封装层一起围绕显示介质层。第二封装层与基板的维氏硬度(Vickers hardness，HV)差值为-550～150HV。柔性电路板设置于主动元件阵列基板的至少一侧边与第二封装层的至少一侧边上且与至少部分的像素结构电性连接。

本发明提供一种显示面板的制造方法，其具有以下步骤。

提供初步显示面板，初步显示面板包括初步主动元件阵列基板、初步对向基板、显示介质层以及第一封装材料层，其中第一封装材料层形成于初步主动元件阵列基板与初步对向基板之间，且显示介质层填充于初步主动元件阵列基板、初步对向基板与第一封装材料层之间，其中初步主动元件阵列基板包括初步基板以及设置于初步基板上的多个像素结构。移除部分的初步显示面板，以使初步主动元件阵列基板与初步对向基板各自形成主动元件阵列基板材料层与对向基板，且暴露出至少部分的像素结构。形成主动元件阵列基板以及第二封装层。第二封装层形成于主动元件阵列基板上。主动元件阵列基板包括基板及设置于基板上的多个像素结构。第二封装层覆盖暴露出的至少部分像素结构。第二封装层基板的维氏硬度的差值为-550～150HV。于主动元件阵列基板的至少一侧边与第二封装层的至少一侧边上形成柔性电路板。柔性电路板与像素结构电性连接。

基于上述，由于设置于显示面板的外围的第二封装层与基板的维氏硬度差值为-550～150HV，因此在对设置有第二封装层的显示面板的侧边进行封装工艺时可避免因磨耗而使第二封装层与基板间产生缝隙，借此可避免光从缝隙中漏出或者水氧从缝隙中渗漏进显示面板，以提升显示面板的可靠度及特性。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合说明书附图作详细说明如下。

附图说明

图1为依照本发明的一实施例的显示面板的立体示意图。

图2为图1所示的像素结构的剖面示意图。

图3为依照本发明的另一实施例的显示面板的立体示意图。

图4A-图4H为依照本发明的一实施例的显示装置的制造过程的局部剖面示意图。

附图标记说明：

100、100a、200：显示面板

110、110a：主动元件阵列基板

112、112a：基板

120、120a：对向基板

130、130a：显示介质层

140：第一封装层

140a：第一封装材料层

150、150A、150B：第二封装层

150a：第二封装材料层

110s、110s1、110s2、110s3、110s4、120s、120s1、120s2、120s3、120s4、150s、150s1、150s2、150s3、SS：侧边

160：柔性电路板

170：侧面电极

180：导电胶

AE：活性能量线

CEL：共用电极线

COM：共用电极线

D：漏极

DL：数据线

G：栅极

M：通道层

PE：像素电极

PX：像素结构

S：源极

SL：扫描线

T：薄膜晶体管

ML1、ML2：线路层

具体实施方式

以下将参照本实施例的附图以更全面地阐述本发明。然而，本发明亦可以各种不同的形式体现，而不应限于本文中所述的实施例。附图中的层与区域的厚度会为了清楚起见而放大。相同或相似的参考号码表示相同或相似的元件，以下段落将不再一一赘述。另外，实施例中所提到的方向用语，例如：上、下、左、右、前或后等，仅是参考附加附图的方向。因此，使用的方向用语是用来说明并非用来限制本发明。

本文参考作为理想化实施例的示意图的截面图来描述示例性实施例。因此，可以预期到作为例如制造技术及/或公差的结果的图示的形状变化。因此，本文所述的实施例不应被解释为限于如本文所示的区域的特定形状，而是包括例如由制造导致的形状偏差。例如，示出或描述为平坦的区域通常可以具有粗糙及/或非线性特征。此外，所示的锐角可以是圆的。因此，图中所示的区域本质上是示意性的，并且它们的形状不是旨在示出区域的精确形状，并且不是旨在限制权利要求的范围。

应当理解，当诸如层、膜、区域或基板的元件被称为在另一元件“上”或“连接到”另一元件时，其可以直接在另一元件上或与另一元件连接，或者中间元件可以也存在。相反，当元件被称为“直接在另一元件上”或“直接连接到”另一元件时，不存在中间元件。如本文所使用的，“连接”可以指物理及/或电性连接。再者，“电性连接”或“耦合”系可为二元件间存在其它元件。

本文使用的“约”、“近似”、或“实质上”包括所述值和在本领域普通技术人员确定的特定值的可接受的偏差范围内的平均值，考虑到所讨论的测量和与测量相关的误差的特定数量(即，测量系统的限制)。例如，“约”可以表示在所述值的一个或多个标准偏差内，或±30％、±20％、±10％、±5％内。再者，本文使用的“约”、“近似”或“实质上”可依光学性质、蚀刻性质或其它性质，来选择较可接受的偏差范围或标准偏差，而可不用一个标准偏差适用全部性质。

除非另有定义，本文使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本发明所属领域的普通技术人员通常理解的相同的含义。将进一步理解的是，诸如在通常使用的字典中定义的那些术语应当被解释为具有与它们在相关技术和本发明的上下文中的含义一致的含义，并且将不被解释为理想化的或过度正式的意义，除非本文中明确地这样定义。

图1为依照本发明的一实施例的显示面板的立体示意图。

请参照图1，显示面板100包括主动元件阵列基板110、对向基板120、显示介质层130、第一封装层140、第二封装层150以及柔性电路板160。主动元件阵列基板110包括基板112以及设置于基板上的多个像素结构PX。像素结构PX包括至少一扫描线SL、至少一数据线DL、至少一薄膜晶体管T以及至少一像素电极PE。为使图面简洁，图1所示线路层ML1即表示扫描线SL、数据线DL、或共用电极线。而有关多个像素结构PX的技术内容将于后续的段落中作详细地说明。基板112的材料例如为玻璃、石英、有机聚合物或是不透光/反射材料(例如导电材料、金属、晶圆、陶瓷或其它可适用的材料)或是其它可适用的材料。若基板112的材料为导电材料或金属时，则在基板112上覆盖有一层绝缘层(未示出)以避免短路问题。

图2为图1所示的像素结构的俯视示意图。需注意的是，为使图面简洁，图中仅示出多个像素结构中的一小部分，实际上本发明不限于此。

请参照图2，多个像素结构PX中的其中一个包括至少一扫描线SL、至少一数据线DL、至少一薄膜晶体管T以及至少一像素电极PE。多个像素结构PX中的其中一个可选择性地设置共用电极线COM。如图1所示的线路层ML1即表示扫描线SL、数据线DL、共用电极线COM或其他传输信号线。扫描线SL与数据线DL相交地(interlaced)设置。扫描线SL、数据线DL及共用电极线COM的材料可包括金属材料，但本发明不限于此。在其他实施方式中，扫描线SL、数据线DL及共用电极线COM亦可以使用其他导电材料，其例如为合金、金属材料的氮化物、金属材料的氧化物、金属材料的氮氧化物或是金属材料与其它导电材料的堆叠层。薄膜晶体管T可例如是各种半导体元件。举例而言，薄膜晶体管T例如是晶体管或二极管等半导体元件，且薄膜晶体管T的材料例如是多晶硅、单晶硅、微晶硅、非晶硅、有机半导体材料、金属氧化物或其组合。在一实施例中，薄膜晶体管T包括栅极G、源极S、通道层M以及漏极D。栅极G与通道层M之间设置有栅极绝缘层(未示出)。多个薄膜晶体管T分别与多条扫描线SL及多条数据线DL中的至少一者连接。详细地说，薄膜晶体管T中的栅极G与扫描线SL连接，且薄膜晶体管T中的源极S与数据线DL电性连接。多个像素电极PE分别与对应的薄膜晶体管T电性连接。像素电极PE可例如是穿透式像素电极、反射式像素电极或半穿透半反射式像素电极。上述的穿透式像素电极的材料包括金属氧化物，其例如是铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锡氧化物、铝锌氧化物、铟锗锌氧化物或其组合。上述的反射式像素电极的材料例如是具有高反射率的金属材料。在其他实施方式中，共用电极线COM可包括透明导电材料，例如：铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锡氧化物、铝锌氧化物、铟锗锌氧化物、纳米碳管/杆、小于约60埃的金属或合金、或其它合适的材料。在一实施例中，共用电极线COM可例如与像素电极PE通过同一层图案化导电层所构成。在其他实施例中，共用电极线COM可例如与像素电极PE部分重叠，并通过设置于共用电极线COM与像素电极PE间的绝缘层(未示出)彼此分隔。

于一优选实施例中，共用电极线COM例如是与扫描线SL为同一膜层且邻近于扫描线SL进行配置。共用电极线COM的延伸方向例如是与扫描线SL实质上相同，但与数据线DL的延伸方向不同。在本实施例中，栅极G、扫描线SL以及共用电极线COM可由同一层金属层所形成，且源极S、漏极D以及数据线DL可由另外的同一层金属层所形成。在一实施例中，主动元件阵列基板110还包括多个接触垫(未示出)。多个接触垫例如包括栅极接触垫以及源极接触垫。多个接触垫例如可经由其所对应的扫描线SL或数据线DL与薄膜晶体管T电性连接。举例而言，栅极接触垫经由扫描线SL与薄膜晶体管T电性连接，且源极接触垫经由数据线DL与薄膜晶体管T电性连接。

请参照图1，对向基板120与主动元件阵列基板110对向地设置。对向基板120的材料例如为玻璃、石英或有机聚合物。在一实施例中，对向基板120上可依照显示介质层130的驱动而可选择性的设置线路层ML2(举例而言，共用电极层)，但不限于此。线路层ML2例如为透明导电层。线路层ML2的材料可包括透明导电材料，例如：铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锡氧化物、铝锌氧化物、铟锗锌氧化物、纳米碳管/杆、小于约60埃的金属或合金、或其它合适的材料。此外，根据本发明的另一实施例，对向基板120上可选择性包括设置有彩色滤光阵列(未示出)。彩色滤光阵列包括红色滤光图案、绿色滤光图案以及蓝色滤光图案。另外，第二基板110上可选择性包括设置遮光图案层(未示出)。遮光图案层例如是黑色矩阵，其设置于彩色滤光阵列的图案之间。在一实施例中，对向基板120未覆盖部分的主动元件阵列基板110。举例而言，在本实施例中，对向基板120可未覆盖位于主动元件阵列基板110一侧的部分的像素结构PX。然而，本发明不限于此。对向基板120也可未覆盖位于主动元件阵列基板110两侧或两侧以上的部分的像素结构PX。

显示介质层130设置于主动元件阵列基板110与对向基板120之间。详细地说，显示介质层130设置于显示面板100的显示区。显示介质层130可包括液晶分子、有机发光二极管(OLED)、微发光二极管(micro LED)、电泳显示介质、或是其它可适用的介质。在一实施例中，显示介质层130为液晶分子，但本发明不限于此。液晶分子优选地为可被水平电场转动或切换的液晶分子或者是可被横向电场转动或切换的液晶分子，但本发明不限于此。第一封装层140设置于主动元件阵列基板110与对向基板120之间且位于显示介质层130的外围。详细地说，第一封装层140设置于显示面板100的非显示区。第一封装层140用以将主动元件阵列基板110与对向基板120接合。在一实施例中，第一封装层140为框胶层(sealant)。框胶层的材料例如是环氧树脂、丙烯酸树脂、或其组合材料，框胶层黏合主动元件阵列基板110及对向基板120，通过框胶层将显示介质层130封合于两片基板(即，主动元件阵列基板110及对向基板120)之间。第一封装层140可例如包括多个框胶间隔物，其例如具有特定尺寸的金粒子、其他材料之间隔球或其他形状之间隔物，但本发明不限于此。

第二封装层150设置于未经覆盖的部分的主动元件阵列基板110上。在本实施例中，第二封装层150设置于未经对向基板120覆盖的主动元件阵列基板110的一侧，且覆盖位于主动元件阵列基板110一侧的部分的像素结构PX。然而，本发明不限于此。举例而言，第二封装层150可设置于未经对向基板120覆盖的主动元件阵列基板110的两侧或两侧以上。第二封装层150的至少一侧边150s实质上与主动元件阵列基板110的至少一侧边110s实质上切齐，且裸露出主动元件阵列基板110的线路层ML1的侧边SS。于其它实施例中，第二封装层150的至少一侧边150s实质上与主动元件阵列基板110的至少一侧边110s不切齐，且仍裸露出主动元件阵列基板110的线路层ML1的侧边SS。在本实施例中，第二封装层150的一侧边150s1实质上与主动元件阵列基板110的一侧边110s1切齐为范例，但不以此为限。于部分实施例中，第二封装层150的一侧边150s2也可实质上与主动元件阵列基板110的另一侧边110s2切齐。于本实施例中，可例如通过研磨工艺使得第二封装层150的至少一侧边150s实质上与主动元件阵列基板110的至少一侧边110s切齐，以利后续进行封装工艺，但本发明不以此为限。

从另一个角度来看，第二封装层150设置于对向基板120的一侧边120s1上。并且，第二封装层150设置于显示介质层130的外围。因此，第二封装层150与第一封装层140皆设置于显示介质层130的外围以用于围绕显示介质层130。第二封装层150的材料例如是聚丙烯酸树脂、环氧树脂、烯丙基树脂、酚醛树脂、聚四氟乙烯或其组合等有机化合物，或者例如是氧化铝、氧化硅、氧化硼、铝硅酸盐、硼硅酸盐或其组合等无机化合物。在本实施例中，第二封装层150的材料为聚丙烯酸树脂、烯丙基树脂、碳粉末的混合物、或环氧树脂的混合物。于部分实施例中，第二封装层150优选可具有遮光效果，但不限于此。第二封装层150的维氏硬度值约为15～700HV，但不限于此。第二封装层150与基板112的维氏硬度的差值约为-550～150HV。必须说明的是，维氏硬度的差值为负数的情况代表第二封装层150的维氏硬度小于基板112的维氏硬度，而维氏硬度的差值为正数的情况代表第二封装层150的维氏硬度大于基板112的维氏硬度。在本实施例中，基板112的维氏硬度为530HV，基板112的维氏硬度为20HV，故第二封装层150与基板112的维氏硬度的差值优选可约为-510HV，但不限于此。用以量测上述维氏硬度值的仪器例如：可以为由Mitutoyo公司制造的硬度试验机HM-103，测试负重为100g持续时间25秒，但不限于此。在第二封装层150与基板112的维氏硬度的差值处于-550～150HV范围时，可避免于后续进行封装工艺(例如侧边封装工艺)贴合电路板时因第二封装层150与基板112的硬度差距超过-550～150HV范围而导致后续进行侧边研磨工艺、或柔性电路板压合时，侧边因封装层与基板间产生缝隙，造成工艺中侧边受压力不均，进一步造成侧边封装结构或基板边缘破损，使得水氧渗漏而导致显示面板的可靠度及特性降低。

请参照图1，显示面板100还包括多个侧面电极170。侧面电极170设置于主动元件阵列基板110与第二封装层150上。在一实施例中，侧面电极170贴合于主动元件阵列基板110的至少一侧边110s与第二封装层150的至少一侧边150s上。在本实施例中，侧面电极170贴合于主动元件阵列基板110的一侧边110s1与第二封装层150的一侧边150s1上，但不以此为限。设置于主动元件阵列基板110与第二封装层150上的侧面电极170与线路层ML1电性连接，换句话说，侧面电极170与未被对向基板120覆盖的至少部分的像素结构PX电性连接。详细地说，在本实施例中，侧面电极170对应于自主动元件阵列基板110的侧边110s1与第二封装层150的侧边150s1裸露出的部分像素结构PX而设置，以与像素结构PX或共用电极线COM电性连接。侧面电极170可例如使用喷墨印刷、柔版印刷或凹版印刷等工艺设置于主动元件阵列基板110与第二封装层150上。

柔性电路板160设置于主动元件阵列基板110的侧边110s与第二封装层150的至少一侧边150s上。在本实施例中，柔性电路板160贴合于主动元件阵列基板110的一侧边110s1与第二封装层150的一侧边150s1上，但不以此为限。若第二封装层150设置于未经对向基板120覆盖的主动元件阵列基板110的两侧或两侧以上，则柔性电路板160可视情况贴合于主动元件阵列基板110与第二封装层150的两个或两个以上的侧边，用以提供不同的驱动信号。举例来说，图1所示的主动元件阵列基板110的侧边110s2也可依照使用需求摆放柔性电路板160。柔性电路板160与至少部分的像素结构PX电性连接。详细地说，柔性电路板160可与自主动元件阵列基板110的至少一侧边110s与第二封装层150的至少一侧边150s裸露出的像素结构PX的线路层ML1(例如共用电极线COM，然本发明并不以此为限)的侧边SS电性连接。

显示面板100可选择性还包括导电胶180。柔性电路板160可经由导电胶180电性连接于所对应的各侧面电极170。于部分实施例中，导电胶180也具有多个区域(未示出)可分别对应于该些侧面电极170，则柔性电路板160的接合垫(未标示)就可经由导电胶180电性连接于所对应的各侧面电极170，但不限于此。导电胶180的材料例如是纳米或微米金属、有机金属盐类、树脂、溶剂或其组合。在本实施例中，优选地，导电胶180的材料为异方性导电胶(ACF)，但不限于此。

图3为依照本发明的另一实施例的显示面板的立体示意图。图3的实施例沿用图1的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。

请参照图3，图3所示出的显示面板200与图1所示出的显示面板100的主要差异在于：对向基板120与主动元件阵列基板110部分重叠，且对向基板120与主动元件阵列基板110的至少一侧边分别设置有第二封装层150A以及第二封装层150B。

从另一个角度来看，主动元件阵列基板110具有侧边110s1、110s2、110s3、110s4，且对向基板120具有侧边120s1、120s2、120s3、120s4。在本实施例中，如图3所示，第二封装层150A分别设置于对向基板120的彼此相邻的两侧边120s1、120s4上以及，第二封装层150B设置于主动元件阵列基板110的侧边110s2上。由于对向基板120与主动元件阵列基板110部分重叠，因此对向基板120会暴露出主动元件阵列基板110的一部分的像素结构PX，且设置于对向基板120的彼此相邻的两侧边120s1、120s4上的第二封装层150A可覆盖经暴露的像素结构PX。相对地，设置于主动元件阵列基板110的侧边110s2上的第二封装层150B也可覆盖未与主动元件阵列基板110重叠的部分对向基板120。在本实施例中，第二封装层150A的侧边150s1例如与主动元件阵列基板110的侧边110s1实质上切齐，第二封装层150A的侧边150s3例如与主动元件阵列基板110的侧边110s4实质上切齐，且第二封装层150B的侧边150s2例如与对向基板120的侧边120s2实质上切齐。第二封装层150A、150B可与第一封装层(图未示出)一起围绕显示介质层130。第二封装层150B的一侧边150s2上可设置另一柔性电路板(图未示出)，线路层ML2可经由侧边150s2接收外部驱动信号，然本发明并不以此为限，本领域技术人员可依照实际需求做选择。在本实施例中，由于第二封装层150与基板112的维氏硬度的差值约为-520～-400HV，因此可避免于后续进行封装工艺(例如侧边封装工艺)贴合电路板时因第二封装层150与基板112的硬度差距超过超过-550～150HV范围而导致后续进行侧边研磨工艺、或柔性电路板压合时，侧边因封装层与基板间产生缝隙，造成工艺中侧边受压力不均，进一步造成侧边封装结构或基板边缘破损，使得水氧渗漏而导致显示面板的可靠度及特性降低。

图4A-图4G为依照本发明的一实施例的显示装置的制造过程的局部剖面示意图。图4A-图4G的实施例沿用图1的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。在此需说明的是，图4A-图4G所示出的为本发明的一实施例的显示面板100，但省略了部分构件的示出。此外，尽管图4A-图4G所示出的为本发明的一实施例的显示面板100，但不以此为限。

请参照图4A，提供显示面板100a。显示面板100a例如包括主动元件阵列基板110a、对向基板120a、显示介质层130a以及第一封装材料层140a。主动元件阵列基板110a例如是与对向基板120a对向设置。主动元件阵列基板110a包括基板112a以及设置于基板112a上的多个像素结构PX。第一封装材料层140a形成于主动元件阵列基板110a与对向基板120a之间。显示介质层130a填充于主动元件阵列基板110a、对向基板120a与第一封装材料层140a之间。在此需说明的是，关于主动元件阵列基板110a、对向基板120a、显示介质层130a以及第一封装材料层140a的详细技术内容的说明可参照前述实施例，在此不赘述。

请参照图4B，移除位于显示面板100a的一侧的部分对向基板120a。移除位于显示面板100a的一侧的部分对向基板120a的步骤例如是进行切割工艺，该切割工艺可例如是光学激光切割或刀轮切割。在部分的对向基板120a经移除后，即形成对向基板120。此外，在移除部分的对向基板120a之后，可例如通过常压等离子体或氧气等离子体处理初步主动元件阵列基板110a经暴露的部分顶表面及经切割后的对向基板120的侧边，以移除因移除部分对向基板120a而暴露出的部分显示介质层130a以及第一封装材料层140a。在对其充分地进行清洁后即暴露出主动元件阵列基板110a的一部分像素结构PX，亦即暴露出线路层ML1的侧边SS。

请参照图4C，在移除位于显示面板100a的一侧的部分对向基板120a之后，可选择性地移除位于显示面板100a的一侧的部分主动元件阵列基板110a。详细地说，可选择性地移除未被对向基板120a覆盖的部分主动元件阵列基板110a。移除位于显示面板100a的一侧的部分主动元件阵列基板110a的步骤例如是进行切割工艺，该切割工艺可例如是光学激光切割工艺、刀轮切割工艺或其组合。在移除位于显示面板100a一侧的部分主动元件阵列基板110a之后，即形成主动元件阵列基板110。主动元件阵列基板110包括基板112以及多个像素结构PX。然而，本发明不以此为限。当显示面板100a为窄边框的设计时(例如基板112a为可挠式基板等设计)，可不进行如图4C所示的工艺步骤。

请参照图4D，设置第二封装材料层150a于主动元件阵列基板110上。形成第二封装材料层150a的方法例如是通过印刷工艺或涂布工艺于主动元件阵列基板110上，以使第二封装材料层150a覆盖经暴露出的主动元件阵列基板110的部分顶表面。亦即，第二封装材料层150a会覆盖经暴露出的主动元件阵列基板110的像素结构PX。在本实施例中，第二封装材料层150a设置于未经对向基板120覆盖的主动元件阵列基板110的一侧。然而，本发明不限于此。举例而言，在其他实施例中，第二封装材料层150a可设置于未经对向基板120覆盖的主动元件阵列基板110的两侧或两侧以上。第二封装材料层150a的材料例如是聚丙烯酸树脂、环氧树脂、烯丙基树脂、酚醛树脂、聚四氟乙烯或其组合等有机化合物，或者例如是氧化铝、氧化硅、氧化硼、铝硅酸盐、硼硅酸盐或其组合等无机化合物。在本实施例中，第二封装材料层150a的材料为聚丙烯酸树脂、烯丙基树脂、碳粉末的混合物、或环氧树脂的混合物。于部分实施例中，第二封装层150可具有遮光效果，但不限于此。

请参照图4E，于主动元件阵列基板110上形成第二封装材料层150a之后，固化第二封装材料层150a。固化第二封装材料层150a的方式例如是通过照射活性能量线AE固化或加热固化。于优选实施例中，通过照射活性能量线AE以固化第二封装材料层150a。上述的活性能量线AE例如是激光光线或红外线。由于使用加热的方式来固化第二封装材料层150a需要使用较高的温度，因此其有可能损害到显示面板100a的内部元件。基于此，使用活性能量线AE照射第二封装材料层150a的侧边150s1(或侧边150s2)以使其固化可避免出现上述问题。另外，于本实施例中是对着第二封装材料层150a的侧边150s1照射活性能量线AE，因此可避免损害到显示面板100a的内部元件。在第二封装材料层150a经固化后，即形成第二材料层150。

请参照图4F，进行一研磨工艺，以移除位于显示面板100a一侧的部分第二封装层150与部分主动元件阵列基板110。详细地说，在本实施例中，进行该研磨工艺以移除第二封装层150的一侧边150s1的一部分以及主动元件阵列基板110的一侧边110s1的一部分，但不以此为限。如图3示出的实施例所示，若第二封装层150设置于未经对向基板120覆盖的主动元件阵列基板110的两侧(或两侧以上)，则对第二封装层150与主动元件阵列基板110的两个(或两个以上)侧边(举例来说，侧边150s1、150s2以及侧边110s1、110s2)进行研磨工艺。在本实施例中，经形成的第二封装层150覆盖经对向基板120暴露出的该至少一部分该些像素结构，在第二封装层150的材料为前述实施例提及的材料时，第二封装层150的维氏硬度约为15～700HV。并且，第二封装层150与基板112的维氏硬度的差值约为-550～+150HV。在本实施例中，第二封装层150与基板112的维氏硬度的差值约为-520～-400HV。在第二封装层150与基板112的维氏硬度的差值处于上述范围时，可确保对第二封装层150的侧边150s1的一部分以及主动元件阵列基板110的侧边110s1的一部分进行研磨工艺之后，所形成的第二封装层150的侧边150s1实质上与主动元件阵列基板110的侧边110s1以及线路层ML1的侧边SS实质上切齐。此外，基板112的侧表面110s1与第二封装层150的侧表面150s1的表面粗糙度中的中心线平均粗糙度(Ra)于优选实施例中的值低于约1微米(um)，于后续进行封装工艺(例如侧边封装工艺)贴合电路板时可避免因第一封装层140及第二封装层150与基板112的硬度差距而导致侧边封装结构破损或产生缝隙，使得水氧渗漏而导致显示面板的可靠度及特性降低。

请参照图4G，于主动元件阵列基板110的至少一侧边110s以及第二封装层150的至少一侧边150s上形成多个侧面电极170。在本实施例中，于主动元件阵列基板110的一侧边110s1以及第二封装层150的一侧边150s1上形成多个侧面电极170，但不以此为限。如图3示出的实施例所示，若第二封装层150设置于未经对向基板120覆盖的主动元件阵列基板110的两侧(或两侧以上)，则可视情况于第二封装层150与主动元件阵列基板110的两个(或两个)以上侧边(举例来说，侧边150s1、150s2以及侧边110s1、110s2)上形成多个侧面电极170。在本实施例中，侧面电极170可例如通过使用喷墨印刷、柔版印刷或凹版印刷等工艺设置于主动元件阵列基板110的一侧边110s1与第二封装层150的一侧边150s1上。并且，侧面电极170对应于自主动元件阵列基板110的一侧边110s1与第二封装层150的一侧边150s1裸露出的线路层ML1的侧边SS而设置，因此，侧面电极170可与像素结构PX电性连接。

请参照图4H，于主动元件阵列基板110的至少一侧边110s与第二封装层150的至少一侧边150s上形成柔性电路板160。在本实施例中，柔性电路板160贴合于主动元件阵列基板110的一侧边110s1与第二封装层150的一侧边150s1上，但不以此为限。如图3示出的实施例所示，若第二封装层150设置于未经对向基板120覆盖的主动元件阵列基板110的两侧(或两侧以上)，则柔性电路板160可视情况贴合于主动元件阵列基板110与第二封装层150的两个(或两个以上)侧边(举例来说，侧边110s1、110s2以及侧边150s1、150s2)。所形成的柔性电路板160与至少部分的像素结构PX电性连接。详细地说，柔性电路板160可通过侧面电极170与自主动元件阵列基板110的至少一侧边110s与第二封装层150的至少一侧边150s裸露出的像素结构PX电性连接。

在本实施例中，显示面板100可选择性还包括导电胶180。柔性电路板160可经由导电胶180电性连接于所对应的各侧面电极170。于部分实施例中，导电胶180也具有多个区域(未示出)可分别对应于该些侧面电极170，则柔性电路板160的接合垫(未标示)就可经由导电胶180电性连接于所对应的各侧面电极170，但不限于此。导电胶180的材料例如是纳米或微米金属、有机金属盐类、树脂、溶剂或其组合。在本实施例中，优选地，导电胶180的材料为异方性导电胶(ACF)，但不限于此。

综上所述，由于设置于显示面板的外围的第二封装层与基板的维氏硬度差值约为-550～150HV，因此在对设置有第二封装层的显示面板的侧边进行封装工艺时可避免硬度差值过大导致后续进行侧边研磨工艺、或柔性电路板压合时，侧边因封装层与基板间产生缝隙，造成工艺中侧边受压力不均，进一步造成侧边封装结构或基板边缘破损，使得水氧渗漏而导致显示面板的可靠度及特性降低，或避免光从缝隙中漏出。此外，贴附于主动元件阵列基板与第二封装层的侧边上的柔性电路板也可借此避免凹折或刮伤。基于此，本发明的显示面板具有较高的可靠度及特性。

虽然本发明已以实施例公开如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的变动与润饰，故本发明的保护范围当视权利要求所界定者为准。

Claims (13)

1.一种显示面板，包括：

一主动元件阵列基板，包括一基板以及设置于该基板上的多个像素结构；

一对向基板，与该主动元件阵列基板对向地设置，其中该主动元件阵列基板的至少一侧与至少一部分的所述多个像素结构未被该对向基板覆盖；

一显示介质层，设置于该主动元件阵列基板与该对向基板之间；

一第一封装层，设置于该主动元件阵列基板与该对向基板之间且围绕该显示介质层；

一第二封装层，设置于未被该对向基板覆盖的至少一部分的该主动元件阵列基板上，其中该第二封装层围绕该第一封装层的至少一侧边，该第二封装层于该主动元件阵列基板的该至少一侧具有至少一侧边，且该第二封装层的维氏硬度与该基板的维氏硬度的差值为-550～150HV；以及

一柔性电路板，其中该柔性电路板位于该第二封装层的该至少一侧边，且该柔性电路板与该至少一部分的所述多个像素结构电性连接。

2.如权利要求1所述的显示面板，其中该第二封装层的该至少一侧边与对应的该主动元件阵列基板的至少一侧边实质上切齐。

3.如权利要求1所述的显示面板，其中所述多个像素结构还包括：

多条扫描线以及多条数据线，其中所述多条扫描线与所述多条数据线相交；

多个薄膜晶体管，分别与所述多条扫描线及所述多条数据线中的至少一者连接；以及

多个像素电极，分别与对应的所述多个薄膜晶体管电性连接。

4.如权利要求1所述的显示面板，其中该第二封装层的维氏硬度为15～700HV。

5.如权利要求1所述的显示面板，其中该第二封装层包括聚丙烯酸树脂、环氧树脂、烯丙基树脂、酚醛树脂、聚四氟乙烯或它们的组合，或者氧化铝、氧化硅、氧化硼、铝硅酸盐、硼硅酸盐或它们的组合。

6.如权利要求1所述的显示面板，还包括多个侧面电极，所述多个侧面电极设置于该第二封装层的该至少一侧边与对应的该主动元件阵列基板的至少一侧边，且所述多个侧面电极与该至少一部分的所述多个像素结构电性连接，该柔性电路板通过所述多个侧面电极与该至少一部分的所述多个像素结构电性连接。

7.如权利要求6所述的显示面板，还包括一导电胶，其中该柔性电路板经由该导电胶电性连接于所对应的各该侧面电极。

8.一种显示面板的制造方法，包括：

提供一显示面板，其中该显示面板包括一主动元件阵列基板、一对向基板、一显示介质层以及一第一封装材料层，其中该第一封装材料层形成于该主动元件阵列基板与该对向基板之间，且该显示介质层填充于该主动元件阵列基板、该对向基板与该第一封装材料层之间，其中该主动元件阵列基板包括一基板以及设置于该基板上的多个像素结构；

移除于该显示面板的一侧的部分该对向基板，暴露出至少一部分的所述多个像素结构；

设置一第二封装层于该主动元件阵列基板上，其中该第二封装层覆盖该对向基板暴露出的该至少一部分的所述多个像素结构，其中该第二封装层的硬度与该基板的维氏硬度的差值为-550～150HV；

进行一研磨工艺，以移除位于该显示面板的该侧的部分该第二封装层与部分该主动元件阵列基板，暴露出该至少一部分的所述多个像素结构的一侧面；以及

设置一柔性电路板于该主动元件阵列基板与该第二封装层的至少一侧边所对应的至少一侧边，其中该柔性电路板与所述多个像素结构电性连接。

9.如权利要求8所述的显示面板的制造方法，其中于设置该第二封装层之前还包括移除于该显示面板的该一侧的部分的该主动元件阵列基板。

10.如权利要求8或9所述的显示面板的制造方法，其中移除部分的该对向基板或部分的该主动元件阵列基板包括进行一光学激光切割工艺、一刀轮切割工艺或它们的组合。

11.如权利要求8所述的显示面板的制造方法，其中设置该第二封装层还包括：

涂布一第二封装材料；以及

固化该第二封装材料，以形成该第二封装层，其中固化该第二封装材料是通过照射活性能量线固化或加热固化。

12.如权利要求8所述的显示面板的制造方法，还包括形成多个侧面电极于该显示面板的该一侧所对应的该主动元件阵列基板与该第二封装层的该至少一侧边。

13.如权利要求12所述的显示面板的制造方法，还包括设置一柔性电路板，该柔性电路板通过所述多个侧面电极与对应的所述多个像素结构电性连接。

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