TW201631563A - 顯示模組及顯示模組的製造方法 - Google Patents

顯示模組及顯示模組的製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TW201631563A
TW201631563A TW104138632A TW104138632A TW201631563A TW 201631563 A TW201631563 A TW 201631563A TW 104138632 A TW104138632 A TW 104138632A TW 104138632 A TW104138632 A TW 104138632A TW 201631563 A TW201631563 A TW 201631563A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
layer
display module
film
terminal
Prior art date
Application number
TW104138632A
Other languages
English (en)
Inventor
山崎舜平
平形吉晴
神保安弘
Original Assignee
半導體能源研究所股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 半導體能源研究所股份有限公司 filed Critical 半導體能源研究所股份有限公司
Publication of TW201631563A publication Critical patent/TW201631563A/zh

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/842Containers
    • H10K50/8426Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/841Self-supporting sealing arrangements
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/40OLEDs integrated with touch screens
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111Flexible substrates
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301Details of OLEDs
    • H10K2102/311Flexible OLED
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549Organic PV cells
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

提供一種方便性或可靠性優異的新穎的顯示模組。提供一種顯示模組的方便性或可靠性優異的新穎的製造方法。本發明的一個實施方式的顯示模組包括:支撐端子的撓性第一基材;與第一基材重疊的撓性第二基材;貼合第一基材及第二基材的接合層;與端子電連接的軟性印刷電路板;與端子電連接的顯示元件;以及與第一基材、第二基材、接合層及軟性印刷電路板接觸的絕緣層。顯示元件包括含有發光有機化合物的層。

Description

顯示模組及顯示模組的製造方法
本發明的一個實施方式係關於一種顯示模組、半導體裝置或顯示模組的製造方法。
注意,本發明的一個實施方式不侷限於上述技術領域。本說明書等所公開的發明的一個實施方式的技術領域係關於一種物體、方法或製造方法。或者,本發明的一個實施方式係關於一種程式(process)、機器(machine)、產品(manufacture)或者組成物(composition of matter)。因此,具體地,作為本說明書所公開的本發明的一個實施方式的技術領域的例子可以舉出半導體裝置、顯示裝置、發光裝置、蓄電裝置、記憶體裝置、這些裝置的驅動方法和這些裝置的製造方法。
由於雜質的擴散,導致某些功能元件的功能受損。為了維持這種功能元件的功能,已知將功能元件密封在由設置有功能元件的基板、密封基板以及將基板和密封基板貼合的密封材料包圍的空間中的發明(專利文獻1)。
已知另一種具有高功能及高可靠性的發光裝置(專利文獻2),在該發光裝置的製程中,藉由在形成電極層及/或元件層之後進行對形狀進行成形的加工來形成至少一部分彎曲的發光面板,並形成覆蓋至少一部分彎曲的發光面板表面的保護膜。
[專利文獻1]美國專利申請公開第2007/0170854號說明書
[專利文獻2]日本專利申請公開第2011-003537號公報
本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種方便性或可靠性優異的新穎的顯示模組。另外,本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種顯示模組的方便性或可靠性優異的新穎的製造方法。另外,本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種新穎的顯示模組、顯示模組的新穎的製造方法或新穎的半導體裝置。
另外,這些目的的記載不妨礙其他目的的存在。此外,本發明的一個實施方式並不需要實現所有上述目的。另外,從說明書、圖式、申請專利範圍等的記載中可明顯看出這些目的以外的目的,而可以從說明書、圖式、申請專利範圍等的記載中衍生這些目的以外的目的。
(1)本發明的一個實施方式是一種顯示模組,該顯示模組包括端子、第一基材、第二基材、接合層、顯示元件、軟性印刷電路板以及絕緣層。
第一基材具有撓性並能夠支撐端子。
第二基材具有撓性並具有與第一基材重疊的區域。
接合層能夠貼合第一基材與第二基材。
顯示元件設置於第一基材與第二基材之間並與端子電連接。
軟性印刷電路板與端子電連接。
絕緣層與第一基材、第二基材、接合層及軟性印刷電路板接觸。
上述本發明的一個實施方式的顯示模組包括:支撐端子的撓性第一基材;與第一基材重疊的撓性第二基材;貼合第一基材及第二基材的接合層; 與端子電連接的軟性印刷電路板;與端子電連接的顯示元件;以及與第一基材、第二基材、接合層及軟性印刷電路板接觸的絕緣層。由此,可以抑制雜質擴散到由第一基材、第二基材及絕緣層包圍的區域內,例如,含有發光有機化合物的層。由此,可以提供一種方便性或可靠性優異的新穎的顯示模組。
(2)另外,本發明的一個實施方式的上述顯示模組還包括樹脂層並且絕緣層具有被夾在接合層與樹脂層之間的區域。
上述本發明的一個實施方式的顯示模組包括夾在接合層與樹脂層之間的絕緣層。由此,可以分散各種應力,從而可以防止由於應力集中而使絕緣層破損。由此,可以提供一種方便性或可靠性優異的新穎的顯示模組。
(3)另外,本發明的一個實施方式的上述顯示模組的顯示元件包括含有發光有機化合物的層。
由此,可以抑制各種雜質擴散至含有發光有機化合物的層中。由此,可以提供一種方便性或可靠性優異的新穎的顯示模組。
(4)另外,本發明的一個實施方式的上述顯示模組還包括驅動電路,並且驅動電路與距其最近的第一基材的端部或第二基材的端部的距離大於0mm且為1.0mm以下。
(5)另外,本發明的一個實施方式的上述顯示模組還包括驅動電路,並且,驅動電路配置於顯示元件與第一基材的端部之間。另外,顯示元件與距其最近的第一基材的端部或第二基材的端部的距離大於0mm且為4.0mm以下。
(6)另外,在本發明的一個實施方式的上述顯示模組中,顯示元件與距其最近的第一基材的端部或第二基材的端部的距離大於0mm且為3.0mm以下。
由此,可以縮小形成於配置有顯示元件的區域的外側的邊框部分的寬度。由此,可以提供一種方便性或可靠性優異的新穎的顯示模組。
(7)另外,本發明的另一個實施方式是一種顯示模組,該顯示模組包括:第一端子部;第二端子部;第一基材;第二基材;接合層;顯示元件;觸控感測器;第一軟性印刷電路板;第二軟性印刷電路板;以及絕緣層。
第一基材能夠支撐第一端子部。
第二基材能夠支撐與第一基材重疊的區域以及第二端子部。
接合層能夠貼合第一基材與第二基材。
顯示元件設置於第一基材與第二基材之間並與第一端子部電連接。
觸控感測器設置於第一基材與第二基材之間並與第二端子部電連接。
第一軟性印刷電路板與第一端子部電連接。
第二軟性印刷電路板與第二端子部電連接。
絕緣層與第一基材、第二基材、接合層、第一軟性印刷電路板及第二軟性印刷電路板接觸。
上述本發明的一個實施方式的顯示模組包括配置於由撓性第一基材、撓性第二基材及絕緣層包圍的區域中的顯示元件。由此,可以抑制各種雜質擴散至由第一基材、第二基材及絕緣層包圍的區域中。由此,可以提供一種方便性或可靠性優異的新穎的顯示模組。
(8)另外,本發明的一個實施方式是包括如下第一步驟至第三步驟的上述顯示模組的製造方法。
在第一步驟中,準備包括端子、支撐端子的第一基材、具有與第一基材重疊的區域的第二基材、貼合第一基材與第二基材的接合層、設置於第一基材與第二基材之間並與端子電連接的顯示元件以及與端子電連接的軟性印刷電路板的加工構件,並在與軟性印刷電路板的端子部重疊的區域形成遮罩。
在第二步驟中,利用原子層沉積(ALD:Atomic Layer Deposition)法形成與第一基材、第二基材、接合層及軟性印刷電路板接觸的絕緣層。
在第三步驟中,將絕緣層的一部分與遮罩一起去除,以在絕緣層的與軟性印刷電路板的端子部重疊的區域中形成開口部。
上述本發明的一個實施方式的顯示模組的製造方法包括:在與軟性印刷電路板的端子部重疊的區域中形成遮罩的第一步驟;利用原子層沉積法形成絕緣層的第二步驟;以及在絕緣層的與軟性印刷電路板的端子部重疊的區域中形成開口部的第三步驟。由此,可以形成在軟性印刷電路板的端子部中具有開口部的絕緣層。由此,可以提供一種顯示模組的方便性或可靠性優異的新穎的製造方法。
根據本發明的一個實施方式,可以提供一種方便性或可靠性優異的新穎的顯示模組。另外,可以提供一種顯示模組的方便性或可靠性優異的新穎的製造方法。另外,提供一種新穎的顯示模組、顯示模組的新穎的製造方法或新穎的半導體裝置。
注意,這些效果的記載不妨礙其他效果的存在。此外,本發明的一個實施方式並不需要具有所有上述效果。另外,從說明書、圖式、申請專利範圍等的記載中可明顯看出這些效果以外的效果,而可以從說明書、圖式、申請專利範圍等的記載中衍生這些效果以外的效果。
BM‧‧‧遮光層
CF‧‧‧彩色層
FPC‧‧‧軟性印刷電路板
FPC1‧‧‧軟性印刷電路板
FPC2‧‧‧軟性印刷電路板
F1‧‧‧基板
F2‧‧‧剝離層
F3‧‧‧被剝離層
F3b‧‧‧導電層
F3s‧‧‧剝離起點
GD‧‧‧驅動電路
KB‧‧‧間隔物
SD‧‧‧驅動電路
S1‧‧‧基板
S2‧‧‧剝離層
S3‧‧‧被剝離層
S5‧‧‧基材
30‧‧‧接合層
31‧‧‧第一黏合層
32‧‧‧第二黏合層
80‧‧‧加工構件
80a‧‧‧剩餘部
80b‧‧‧表層
81‧‧‧疊層體
90‧‧‧加工構件
90a‧‧‧剩餘部
90b‧‧‧表層
91‧‧‧疊層體
91a‧‧‧剩餘部
91s‧‧‧剝離起點
92‧‧‧疊層體
92c‧‧‧疊層體
92d‧‧‧疊層體
99‧‧‧噴嘴
10‧‧‧加工構件
180‧‧‧沉積室
181a‧‧‧原料供應部
181b‧‧‧原料供應部
182‧‧‧控制部
182a‧‧‧流量控制器
182b‧‧‧流量控制器
182c‧‧‧流量控制器
182h‧‧‧加熱機構
183‧‧‧導入口
184‧‧‧排出口
185‧‧‧排氣裝置
186‧‧‧支撐部
186P‧‧‧間隔物
186S‧‧‧梁部
186B‧‧‧支撐部
187‧‧‧加熱機構
188‧‧‧門
300‧‧‧顯示模組
300B‧‧‧顯示模組
300C‧‧‧顯示模組
300D‧‧‧顯示模組
300P‧‧‧顯示面板
300PB‧‧‧顯示面板
300PC‧‧‧顯示面板
300PD‧‧‧顯示面板
303G‧‧‧驅動電路
301‧‧‧區域
305‧‧‧接合層
310‧‧‧基材
310a‧‧‧障壁膜
310b‧‧‧基材
310c‧‧‧樹脂層
311‧‧‧佈線
319‧‧‧端子
350‧‧‧顯示元件
370‧‧‧基材
370a‧‧‧障壁膜
370b‧‧‧基材
370c‧‧‧樹脂層
389‧‧‧樹脂層
390‧‧‧絕緣層
391‧‧‧開口部
398‧‧‧樹脂層
450R‧‧‧顯示元件
451‧‧‧電極
452‧‧‧電極
453‧‧‧層
470P1‧‧‧功能膜
470P2‧‧‧功能膜
500‧‧‧顯示模組
501‧‧‧區域
502‧‧‧像素
502R‧‧‧子像素
505‧‧‧接合層
510‧‧‧基材
511‧‧‧佈線
519A‧‧‧端子部
519B‧‧‧端子部
521‧‧‧絕緣層
528‧‧‧分隔壁
550R‧‧‧顯示元件
551R‧‧‧電極
552‧‧‧電極
553‧‧‧含有發光有機化合物的層
570‧‧‧基材
570P‧‧‧功能膜
571‧‧‧絕緣層
576‧‧‧開口部
590‧‧‧絕緣層
591‧‧‧開口部
600‧‧‧顯示模組
605‧‧‧接合層
610‧‧‧基材
619‧‧‧端子
650‧‧‧顯示元件
670‧‧‧基材
690‧‧‧絕緣層
1600‧‧‧顯示模組
1602‧‧‧像素
1602c‧‧‧像素電路
1605‧‧‧接合層
1610‧‧‧基材
1610a‧‧‧障壁膜
1610b‧‧‧基材
1610c‧‧‧樹脂層
1650‧‧‧顯示元件
1670‧‧‧基材
1670a‧‧‧障壁膜
1670b‧‧‧基材
1670c‧‧‧樹脂層
1690‧‧‧絕緣層
3000A‧‧‧資訊處理裝置
3000B‧‧‧資訊處理裝置
3000C‧‧‧資訊處理裝置
3101‧‧‧外殼
3101b‧‧‧外殼
3120‧‧‧輸入輸出部
3120b‧‧‧輸入輸出部
4000A‧‧‧資訊處理裝置
4000B‧‧‧資訊處理裝置
4000C‧‧‧資訊處理裝置
4101‧‧‧外殼
4101b‧‧‧外殼
4120‧‧‧輸入輸出部
4120b‧‧‧輸入輸出部
在圖式中: 圖1A至圖1C是說明根據實施方式的顯示模組的結構的圖;圖2A至圖2C是說明根據實施方式的顯示模組的結構的圖;圖3A至圖3C是說明根據實施方式的顯示面板的結構的圖;圖4A至圖4C是說明根據實施方式的顯示面板的結構的圖;圖5A至圖5D是說明根據實施方式的顯示模組的結構的圖;圖6是說明根據實施方式的顯示模組的結構的圖;圖7是說明根據實施方式的顯示模組的製造方法的圖;圖8A至圖8C是說明根據實施方式的顯示模組的製造方法的圖;圖9是說明根據實施方式的沉積装置的結構的圖;圖10A1、圖10A2、圖10A3、圖10B、圖10C是說明根據實施方式的支撐部的結構的圖;圖11A至圖11C是說明根據實施方式的支撐部的結構的圖;圖12A、圖12B、圖12C1及圖12C2是說明根據實施方式的資訊處理裝置的結構的圖;圖13A1、圖13A2、圖13B1、圖13B2、圖13C、圖13D1、圖13D2、圖13E1及圖13E2是說明根據實施方式的疊層體的製程的示意圖;圖14A1、圖14A2、圖14B1、圖14B2、圖14C、圖14D1、圖14D2、圖14E1、圖14E2是說明根據實施方式的疊層體的製程的示意圖;圖15A1、圖15A2、圖15B、圖15C、圖15D1、圖15D2、圖15E1及圖15E2是說明根據實施方式的疊層體的製程的示意圖;圖16A1、圖16A2、圖16B1、圖16B2、圖16C1、圖16C2、圖16D1及圖16D2是說明根據實施方式的在支撐體中具有開口部的疊層體的製程的示意圖;圖17A1、圖17A2、圖17B1及圖17B2是說明根據實施方式的加工構件的結構的示意圖;圖18A和圖18B是說明根據實施例製造的顯示模組的結構的圖及照片;圖19A、圖19B、圖19C1及圖19C2是說明根據實施例的顯示模組的絕緣層的製造方法的圖;圖20A和圖20B是說明根據實施例的顯示模組的外觀與顯示品質的照片;圖21A至圖21C是彎曲試驗機及鉛筆硬度試驗機的外觀圖; 圖22是說明能夠用於根據實施例的絕緣層的材料的透射率的圖;圖23是說明根據實施方式的顯示模組的結構的圖;圖24A1、圖24A2、圖24A3、圖24B1、圖24B2、圖24C1及圖24C2是說明根據實施方式的資訊處理裝置的結構的圖。
本發明的一個實施方式的顯示模組包括:支撐端子的第一基材;與第一基材重疊的第二基材;貼合第一基材及第二基材的接合層;與端子電連接的軟性印刷電路板;與端子電連接的顯示元件;以及與第一基材、第二基材、接合層及軟性印刷電路板接觸的絕緣層。
由此,可以抑制雜質擴散至由絕緣層包圍的區域中。由此,可以提供一種方便性或可靠性優異的新穎的顯示模組。
參照圖式對實施方式及實施例進行詳細說明。但是,本發明不侷限於以下說明,而所屬技術領域的普通技術人員可以很容易地理解一個事實就是其方式及詳細內容在不脫離本發明的精神及其範圍的情況下可以被變換為各種各樣的形式。因此,本發明不應該被解釋為僅侷限在以下所示的實施方式及實施例所記載的內容中。注意,在下面說明的發明結構中,在不同的圖式中共同使用相同的元件符號來顯示相同的部分或具有相同功能的部分,而省略反復說明。
實施方式1
在本實施方式中,參照圖1A至圖1C對本發明的一實施方式的顯示模組的結構進行說明。
圖1A至圖1C是說明本發明的一個實施方式的顯示模組的結構的圖。圖1A是本發明的一個實施方式的顯示模組300的俯視圖。另外,圖1B是沿著圖1A的切割線A-B及切割線C-D的剖面圖。
另外,圖1C是說明與圖1B所示的顯示模組300具有不同結構的顯示模組300B的結構的剖面圖。
〈顯示模組的結構實例1〉
本實施方式中說明的顯示模組300包括:端子319;支撐端子319的第一基材310;具有與第一基材310重疊的區域的第二基材370;能夠貼合第一基材310與第二基材370的接合層305;設置於第一基材310與第二基材370之間並與端子319電連接的顯示元件350;與端子319電連接的軟性印刷電路板FPC;以及與第一基材310、第二基材370、接合層305及軟性印刷電路板FPC接觸的絕緣層390(參照圖1B)。
由此,可以抑制雜質擴散至由第一基材、第二基材及絕緣層包圍的區域中,例如顯示元件等。具體地,可以抑制雜質擴散至含有液晶材料的層或含有發光有機化合物的層等中。由此,可以提供一種方便性或可靠性優異的新穎的顯示模組。
另外,顯示模組300具有與端子319及顯示元件350電連接的佈線311。
另外,顯示模組300在配置有顯示元件350的區域301與第一基材310的端部之間具有驅動電路303G(參照圖1A)。
另外,參照圖1B說明的顯示模組300在由第一基材310、第二基材370及接合層305包圍的區域中包含與接合層305不同的材料(例如氣體、液體或液晶等)。
另外,參照圖1C說明的顯示模組300B與參照圖1B說明的顯示模組300的不同之處在於,顯示元件350與第二基材370之間填滿了接合層305。
顯示模組300包括驅動電路303G,驅動電路303G與距其最近的第一基材310的端部的距離L2大於0mm且為1.0mm以下,較佳為0.3mm以下。
例如,在顯示模組300中,以與第一基材310的端部之間夾著驅動電路 303G的方式配置的顯示元件350與距其最近的第一基材310或者第二基材370的端部的距離L1大於0mm且為4.0mm以下,較佳為2mm以下,更佳為1.0mm以下。
例如,顯示模組300包括顯示元件350,顯示元件350與距其最近的第一基材310的端部或者第二基材370的端部的距離L3大於0mm且小於3.0mm,小於1.5mm是較佳的。由此,可以提供邊框部分窄的顯示模組。
例如,顯示模組300包括接合層305,與第二基材370重疊的第一基材310的端部到接合層305的端部的距離和與第一基材310重疊的第二基材370的端部到接合層305的端部的距離中最長的距離L4為0.3mm以上,較佳為0.5mm以上且小於10mm。例如,藉由利用原子層沉積法,可以不依存加工構件表面朝向地將成膜材料以大致均勻的厚度沉積成膜,由此形成絕緣層390(參照圖1B)。
下面,對構成顯示模組300的各要素進行說明。注意,有時無法明確區分上述構成要素,一個結構可能兼作其他結構或包含其他結構的一部分。
《顯示模組300》
顯示模組300包括端子319、第一基材310、第二基材370、接合層305、顯示元件350、軟性印刷電路板FPC或絕緣層390。
另外,顯示模組300包括佈線311。
《第一基材310》
第一基材310和第二基材370中的至少一個在其與顯示元件350重疊的區域中具有透光性區域。
第一基材310只要具有能夠耐受製程的耐熱性以及能夠用於製造裝置的厚度及大小,就對其材料沒有特別的限制。
可以將有機材料、無機材料或有機材料與無機材料等的複合材料等用於第一基材310。例如可以將玻璃、陶瓷、金屬等無機材料用於第一基材310。
明確而言,可以將無鹼玻璃、鈉鈣玻璃、鉀鈣玻璃或水晶玻璃等用於第一基材310。明確而言,可以將無機氧化物膜、無機氮化物膜或無機氧氮化物膜等用於第一基材310。例如,可以將氧化矽膜、氮化矽膜、氧氮化矽膜、氧化鋁膜等用於第一基材310。可以將SUS或鋁等用於第一基材310。
例如,可以將樹脂、樹脂薄膜或塑膠等有機材料用於第一基材310。明確而言,可以將聚酯、聚烯烴、聚醯胺、聚醯亞胺、聚碳酸酯或丙烯酸樹脂等的樹脂薄膜或樹脂板用於第一基材310。
例如,第一基材310可以使用將金屬板、薄板狀的玻璃板或無機材料等的膜貼合於樹脂薄膜等的複合材料。例如,作為第一基材310可以使用將纖維狀或粒子狀的金屬、玻璃或無機材料等分散到樹脂薄膜而得到的複合材料。例如,作為第一基材310可以使用將纖維狀或粒子狀的樹脂或有機材料等分散到無機材料而得到的複合材料。
另外,可以將單層材料或層疊有多個層的疊層材料用於第一基材310。例如,也可以將層疊有基材與防止包含在基材中的雜質擴散的絕緣膜等的材料用於第一基材310。明確而言,可以將層疊有玻璃與防止包含在玻璃中的雜質擴散的選自氧化矽膜、氮化矽膜或氧氮化矽膜等中的一種或多種的膜的材料應用於第一基材310。或者,可以將層疊有樹脂與防止透過樹脂的雜質的擴散的氧化矽膜、氮化矽膜或氧氮化矽膜等的材料應用於第一基材310。
此外,可以將具有撓性的材料用於第一基材310。例如,可以使用具有能夠彎曲或折疊的撓性的材料。明確而言,可以使用能夠以5mm以上,較佳為4mm以上,更佳為3mm以上,尤其較佳為1mm以上的曲率半徑彎曲的材料。另外,可以將厚度為2.5μm以上且3mm以下,較佳為5μm以上且1.5mm以下,更佳為10μm以上且500μm以下的材料用於第一基材310。
例如,作為第一基材310可以使用層疊有撓性基材310b、防止雜質的擴散的障壁膜310a以及將撓性基材310b和障壁膜310a貼合的樹脂層310c的疊層體。
具體地,可以將含有層疊厚度為600nm的氧氮化矽膜與厚度為200nm的氮化矽膜而成的疊層材料的膜用於障壁膜310a。
具體地,可以將含有依次層疊厚度為600nm的氧氮化矽膜、厚度為200nm的氮化矽膜、厚度為200nm的氧氮化矽膜、厚度為140nm的氮氧化矽膜及厚度為100nm的氧氮化矽膜而成的疊層材料的膜用於障壁膜310a。
具體地,可以將聚酯、聚烯烴、聚醯胺、聚醯亞胺、聚碳酸酯或丙烯酸樹脂等的樹脂薄膜、樹脂板或疊層體等用於基材310b。
具體地,可以將包含聚酯、聚烯烴、聚醯胺(尼龍、芳族聚醯胺等)、聚醯亞胺、聚碳酸酯或丙烯酸樹脂、氨酯樹脂、環氧樹脂或有機矽樹脂等具有矽氧烷鍵的樹脂等的材料用於樹脂層310c。
《第二基材370》
可以將能夠用於第一基材310的材料用於第二基材370。
例如,作為第二基材370可以使用層疊有具有撓性的基材370b、防止雜質擴散的障壁膜370a以及貼合基材370b與障壁膜370a的樹脂層370c的疊層體。
《接合層305》
可以將能夠貼合第一基材310與第二基材370的材料用於接合層305。
可以將無機材料、有機材料或無機材料與有機材料的複合材料等用於接合層305。
例如,可以將熔點為400℃以下,較佳為300℃以下的玻璃用於接合層305。
例如,可以將熱熔性樹脂或固化樹脂等有機材料用於接合層305。
例如,可以將光固化型黏合劑、反應固化型黏合劑、熱固性黏合劑或/及厭氧型黏合劑等有機材料用於接合層305。
明確而言,可以使用包含環氧樹脂、丙烯酸樹脂、矽酮樹脂、酚醛樹脂、聚醯亞胺樹脂、亞胺樹脂、PVC(聚氯乙烯)樹脂、PVB(聚乙烯醇縮丁醛)樹脂、EVA(乙烯-醋酸乙烯酯)樹脂等的黏合劑。
《佈線311、端子319》
可以將具有導電性的材料用於佈線311或端子319。
例如,可以將無機導電性材料、有機導電性材料、金屬或導電性陶瓷等用於佈線311或端子319。
具體地,可以將選自鋁、金、鉑、銀、銅、鉻、鉭、鈦、鉬、鎢、鎳、鐵、鈷、鈀或錳的金屬元素等用於佈線311或端子319。或者,可以將含有上述金屬元素的合金等用於佈線311或端子319。或者,可以將組合了上述金屬元素的合金等用於佈線311或端子319。尤其是,銅和錳的合金適用於利用濕蝕刻的微細加工。
具體地,可以使用如下結構:在鋁膜上層疊鈦膜的雙層結構;在氮化鈦膜上層疊鈦膜的雙層結構;在氮化鈦膜上層疊鎢膜的雙層結構;在氮化鉭膜或氮化鎢膜上層疊鎢膜的雙層結構;鈦膜、在該鈦膜上層疊鋁膜、再在該鋁膜上形成鈦膜的三層結構等。
具體地,可以將氧化銦、銦錫氧化物、銦鋅氧化物、氧化鋅、添加了鎵的氧化鋅等導電氧化物用於佈線311或端子319。
具體地,可以將含有石墨烯或石墨的膜用作佈線311或端子319。
例如,可以形成含有氧化石墨烯的膜,然後藉由使含有氧化石墨烯的膜還原來形成含有石墨烯的膜。作為還原方法,可以舉出利用加熱的方法以及利用還原劑的方法等。
具體地,可以將導電高分子用於佈線311或端子319。
《顯示元件350》
可以將各種顯示元件用於顯示元件350。
例如,可以使用對比度、亮度、反射率、透射率等因電或磁作用變化的顯示媒體。
具體地,可以使用EL(電致發光)元件(包含有機物及無機物的EL元件、有機EL元件、無機EL元件)、LED(白色LED、紅色LED、綠色LED、藍色LED等)、電晶體(根據電流而發光的電晶體)、電子發射元件、液晶元件、電子墨水、電泳元件、柵光閥(GLV)、電漿顯示器(PDP)、使用MEMS(微機電系統)的顯示元件、數位微鏡裝置(DMD)、DMS(數位微快門)、MIRASOL(在日本註冊的商標)、IMOD(干涉調變)元件、快門方式的MEMS顯示元件、光干涉方式的MEMS顯示元件、電潤濕(electrowetting)元件等。
《軟性印刷電路板FPC》
軟性印刷電路板FPC包括:與端子319電連接的佈線;支撐該佈線的基材;以及具有與該佈線重疊的區域的覆蓋層。佈線具有夾在上述基材與覆蓋層之間的區域以及不與覆蓋層重疊的區域。
另外,可以將佈線的不與覆蓋層重疊的區域用於軟性印刷電路板FPC的端子。
可以將具有導電性的材料用於軟性印刷電路板FPC的佈線。例如,可 以將能夠用於佈線311等的材料用於軟性印刷電路板FPC的佈線。具體地,可以使用銅等。
可以將在與軟性印刷電路板FPC的佈線接觸的區域中具有絕緣區域的材料用於軟性印刷電路板FPC的基材。
例如,可以將樹脂、樹脂薄膜或塑膠等有機材料用於基材。具體地,可以將聚酯、聚烯烴、聚醯胺、聚醯亞胺、聚碳酸酯或丙烯酸樹脂等樹脂層、樹脂薄膜或樹脂板用於基材。例如,可以將玻璃轉移溫度為150℃以上,較佳為200℃以上,更佳為250℃以上的樹脂薄膜用於基材。
另外,可以將異方性導電膜ACF用於使軟性印刷電路板FPC的端子與端子319電連接的材料。例如,可以將含有具有導電性的粒子或熱固性樹脂等的材料用於異方性導電膜ACF。由此,可以使軟性印刷電路板FPC的端子與端子319藉由導電性粒子等電連接。
《絕緣層390》
絕緣層390在與軟性印刷電路板FPC的端子重疊的區域中具有開口部391。
例如,可以將含有氧化物、氮化物、氟化物、三元化合物或聚合物等的材料用於絕緣層390。另外,可以將比基材370的表面硬的材料用於絕緣層390。由此,可以提供不易受損的顯示模組300。
具體地,可以使用含有氧化鋁、氧化給、鋁矽酸鹽、矽酸鉿、氧化鑭、氧化矽、鈦酸鍶、氧化鉭、氧化鈦、氧化鋅、氧化鈮、氧化鋯、氧化錫、氧化釔、氧化鈰、氧化鈧、氧化鉺、氧化釩或氧化銦等的材料。
例如,可以使用含有氮化鋁、氮化鉿或氮化矽等的材料。
另外,替代開口部391,顯示模組可以在絕緣層390與軟性印刷電路板FPC的端子之間具有能夠形成開口部391的遮罩。具體地,可以將遮蔽膠帶 等用作遮罩。由此,在使用顯示模組時,例如可以藉由去除遮罩來使軟性印刷電路板FPC的端子露出。
可以將具有電絕緣性的材料或能夠抑制雜質擴散的材料用於絕緣層390。
例如,可以將能夠抑制水蒸氣透過的材料用於絕緣層390。具體地,可以將水蒸氣穿透率為10-5g/(m2.day)以下,較佳為10-6g/(m2.day)以下的材料等用於絕緣層390。
例如,可以將能夠利用原子層沉積法形成的材料用於絕緣層390。
但是,絕緣層390中的裂縫、針孔等缺陷或絕緣層390的厚度不均有可能助長雜質擴散。當利用原子層沉積法形成絕緣層390時,可以減少絕緣層390中的缺陷或絕緣層390的厚度不均。另外,可以形成緻密的絕緣層390。由此,可以提供能夠抑制雜質擴散的絕緣層390。
另外,可以將原子層沉積法用作絕緣層390的形成方法。例如,與電漿CVD法或熱CVD法相比,利用原子層沉積法可以減輕對加工構件的損傷。
但是,當將第一基材310或第二基材370與其他基材分開時,有時端面上會形成細微的裂痕(也稱為microcrack:微裂紋)。具體地,有時細微的裂痕會形成在藉由畫線(也稱為scribing:劃線)並對劃線集中施加應力而被分開的玻璃的端面。藉由利用原子層沉積法形成絕緣層390,可以期待填埋形成在端面上的細微的裂痕。
可以將厚度為3nm以上且200nm以下,較佳為5nm以上且50nm以下的含有無機化合物的膜用於絕緣層390。
尤其是,可以將如下膜用於絕緣層390:利用包括供應含有前體的要素的步驟以及供應含有自由基的要素的步驟的原子層沉積法,並以形成在反 錐形形狀或其他結構的陰影的區域中的方式,不依存加工構件表面朝向地將成膜材料以大致均勻的厚度沉積而形成的含有無機化合物的膜。由此,可以使含有水分等雜質的大氣等不接觸接合層305。
另外,原子層沉積法是一種成膜方法,其包括將第一要素供應給加工構件的表面的第一步驟及供應與第一要素起反應的第二要素的第二步驟,並在加工構件的表面上沉積第一要素與第二要素的反應生成物。
另外,在第一步驟中,吸附於加工構件的表面上的第一要素的量受限於溫度等加工條件。另外,也將其稱為自停機構工作的條件。由此,在包括一個第一步驟及一個第二步驟的一個循環中,可以沉積限量的第一要素與第二要素的反應生成物。
例如,藉由交替地反復進行第一步驟和第二步驟,可以在加工構件的表面沉積指定量的第一要素與第二要素的反應生成物。
另外,還可以在第一步驟之後進行排出第一步驟中過多供應的第一要素的步驟。
另外,還可以在第二步驟之後進行排出第二步驟中過多供應的第二要素的步驟。
具體地,在第一步驟中配置加工構件,並對被設定為指定環境的反應室供應第一要素。由此,第一要素吸附於加工構件的表面。
接著,邊供應淨化氣體(purge gas)邊排出殘留在反應室內的剩餘的第一要素。
在第二步驟中,供應第二要素。由此,吸附於加工構件的表面的第一要素與第二要素發生反應,反應生成物沉積於加工構件的表面上。
接著,邊供應淨化氣體邊排出殘留於反應室內的剩餘的第二要素。
在如下步驟中,交替地反復進行第一步驟和第二步驟,在加工構件的表面沉積指定量的反應生成物。
可以將根據想要沉積的反應生成物的種類選擇的前體(precursor)等用於第一要素。具體地,可以將揮發性有機金屬化合物、金屬醇鹽等用於第一要素。
另外,可以使用利用汽化器(也稱為蒸發器或起泡裝置)被汽化的前體。
另外,可以將多個物質用於第一要素。另外,在反復進行的第一步驟中,可以將不同的物質用於第一要素。
例如,可以將根據想要沉積的反應生成物的種類以及第一要素而選擇的與第一要素起反應的各種物質用於第二要素。例如,可以將有助於氧化反應的物質、有助於還原反應的物質、有助於付加反應的物質、有助於分解反應的物質或有助於加水分解反應的物質等用於第二要素。
另外,可以將電漿用於第二要素。具體地,可以將氧自由基或氮自由基等用於第二要素。由此,可以提高與第一要素的反應速度。由此,可以抑制加工構件的溫度。此外,可以縮短成膜時間。
〈顯示模組的結構實例2〉
參照圖2A至圖2C對本發明的一個實施方式的顯示模組的另一個結構進行說明。
圖2A至圖2C是說明本發明的一個實施方式的顯示模組的結構的圖。圖2A是本發明的一個實施方式的顯示模組300C的俯視圖。另外,圖2B是沿著圖2A的切割線A-B及切割線C-D的剖面圖。
另外,圖2C是說明與圖2B所示的顯示模組300C具有不同結構的顯示 模組300D的結構的剖面圖。
另外,顯示模組300C在具有樹脂層398這一點上與參照圖1B說明的顯示模組300不同。在此,對不同結構進行詳細說明,關於其他相同的結構援用上述說明。
另外,參照圖2C說明的顯示模組300D在顯示元件350與第二基材370之間填滿了接合層305這一點上與參照圖2B說明的顯示模組300C不同。
本實施方式中說明的顯示模組300C是具有樹脂層398的上述顯示模組300。並且,絕緣層390具有夾在接合層305與樹脂層398之間的區域。
本實施方式中說明的顯示模組300C包括夾在接合層305與樹脂層389之間的絕緣層390。由此,可以分散各種應力從而防止因應力集中而導致絕緣層破損。由此,可以提供一種方便性或可靠性優異的新穎的顯示模組。
《顯示模組300C》
顯示模組300C包括樹脂層398、端子319、第一基材310、第二基材370、接合層305、顯示元件350、軟性印刷電路板FPC或絕緣層390。
另外,顯示模組300C包括佈線311。
《樹脂層398》
顯示模組300C包括樹脂層398,該樹脂層398以絕緣層390具有夾在樹脂層398與接合層305之間的區域的方式設置。
例如,可以將與能夠用於接合層305的材料相同的材料用於樹脂層398。
注意,本實施方式可以與本說明書所示的其他實施方式及實施例適當地組合。
實施方式2
在本實施方式中,參照圖3A至圖3C對本發明的一個實施方式的顯示面板的結構進行說明。
圖3A至圖3C是說明本發明的一個實施方式的顯示面板的結構的圖。圖3A是本發明的一個實施方式的顯示面板300P的俯視圖。另外,圖3B是沿著圖3A的切割線A-B及切割線C-D的剖面圖。
另外,圖3C是說明與圖3B所示的顯示面板300P具有不同結構的顯示面板300PB的結構的剖面圖。
〈顯示面板的結構實例1〉
本實施方式中說明的顯示面板300P包括:端子319;支撐端子319的撓性第一基材310;具有與第一基材310重疊的區域的撓性第二基材370;貼合第一基材310與第二基材370的接合層305;設置於第一基材310與第二基材370之間並與端子319電連接的顯示元件350;以及與第一基材310、第二基材370及接合層305接觸的絕緣層390(參照圖3B)。
由此,可以抑制雜質擴散至由第一基材、第二基材及絕緣層包圍的區域中。從而,可以提供一種方便性或可靠性優異的新穎的顯示面板。
另外,顯示面板300P具有與端子319及顯示元件350電連接的佈線311。
另外,參照圖3B說明的顯示面板300P在顯示元件350與第二基材370之間具有含有與接合層305不同的材料的區域。例如,顯示面板300P具有包括氣體、液體或液晶等的區域。
另外,參照圖3C說明的顯示面板300PB與參照圖3B說明的顯示面板300P的不同之處在於顯示元件350與第二基材370之間填滿了接合層305。
另外,顯示面板300P與參照圖1A至圖1C說明的顯示模組的不同之處在於:顯示面板300P不包括軟性印刷電路板FPC,並且絕緣層390在與端子319重疊的區域中具有開口部。例如,可以在與端子319重疊的區域中形成有遮罩的加工構件上形成絕緣層,然後利用剝離法(lift-off method)將絕緣層的一部分與遮罩一起去除,由此形成開口部。
〈顯示面板的結構實例2〉
參照圖4A至圖4C對本發明的一個實施方式的顯示面板的另一個結構進行說明。
圖4A至圖4C是說明本發明的一個實施方式的顯示面板的結構的圖。圖4A是本發明的一個實施方式的顯示面板300PC的俯視圖。另外,圖4B是沿著圖4A的切割線A-B及切割線C-D的剖面圖。
另外,圖4C是說明與圖4B所示的顯示面板300PC具有不同結構的顯示面板300PD的結構的剖面圖。
另外,顯示面板300PC在具有樹脂層398這一點上與參照圖3B說明的顯示面板300P不同。在此,僅對不同的結構進行詳細的說明,關於其他相同的結構援用上述說明。
另外,參照圖4C說明的顯示面板300PD與參照圖4B說明的顯示面板300PC的不同之處在於顯示元件350與第二基材370之間填滿了接合層305。
本實施方式中說明的顯示面板300PC是具有樹脂層398的上述顯示面板300P。並且,絕緣層390具有夾在接合層305與樹脂層398之間的區域。
本實施方式中說明的顯示面板300PC包括夾在接合層305與樹脂層389之間的絕緣層390。由此,可以分散各種應力從而防止因應力集中而導致絕緣層破損。由此,可以提供一種方便性或可靠性優異的新穎的顯示面板。
《顯示面板300PC》
顯示面板300PC包括樹脂層398、端子319、第一基材310、第二基材370、接合層305、顯示元件350或絕緣層390。
另外,顯示面板300PC包括佈線311。
《樹脂層398》
顯示面板300PC包括樹脂層398,該樹脂層398以絕緣層390具有夾在樹脂層398與接合層305之間的區域的方式設置。
例如,可以將與能夠用於接合層305的材料相同的材料用於樹脂層398。
注意,本實施方式可以與本說明書所示的其他實施方式及實施例適當地組合。
實施方式3
在本實施方式中,參照圖5A至圖5D以及圖6說明能夠用於輸入輸出裝置的本發明的一個實施方式的顯示模組的結構。
圖5A至圖5D以及圖6是說明本發明的一個實施方式的顯示模組的結構的圖。
圖5A是本發明的一個實施方式的顯示模組500的俯視圖,圖5B是沿著圖5A的切割線A-B及切割線C-D的剖面圖。另外,圖5C是說明顯示模組500的一部分的結構的俯視圖,圖5D是沿著圖5C所示的切割線W3-W4的剖面圖。
圖6是說明本發明的一個實施方式的顯示模組500的投影圖。另外,為了便於說明,擴大顯示模組500的一部分。
〈顯示模組的結構實例1〉
本發明的一個實施方式的顯示模組500包括:第一端子部519A;支撐第一端子部519A的第一基材510;具有與第一基材510重疊的區域並具有第二端子部519B的第二基材570;以及能夠貼合第一基材510與第二基材570的接合層505(參照圖5B)。
另外,本發明的一個實施方式的顯示模組500具有顯示部。顯示部包括:第一基材510與第二基材570之間的顯示元件550R;與顯示元件550R電連接的第一端子部519A;以及與第一端子部519A電連接的第一軟性印刷電路板FPC1。
另外,本發明的一個實施方式的顯示模組500具有檢測部。檢測部包括:第一基材510與第二基材570之間的觸控感測器;與觸控感測器電連接的第二端子部519B;以及與第二端子部519B電連接的第二軟性印刷電路板FPC2(參照圖5A)。
另外,本發明的一個實施方式的顯示模組500還包括與第一基材510、第二基材570、接合層505、軟性印刷電路板FPC1及軟性印刷電路板FPC2接觸的絕緣層590(參照圖5B)。
另外,絕緣層590在與軟性印刷電路板FPC1的端子重疊的區域以及與軟性印刷電路板FPC2的端子重疊的區域中具有開口部591。另外,可以將具有與顯示部或檢測部重疊的區域的絕緣層用作絕緣層590。尤其是,當將比第一基材510硬的材料用於絕緣層590時,可以使顯示模組的表面在使用時不易受損。
《顯示部》
另外,本發明的一個實施方式的顯示模組500包括:被供應控制信號及影像信號的像素502;設置有像素502的區域501;供應控制信號的驅動電路GD;供應影像信號的驅動電路SD;與驅動電路SD電連接的佈線511;以及與佈線511電連接的第一端子部519A(參照圖5A及圖5B)。
像素502具有多個子像素(例如,子像素502R等)。另外,可以使用能夠顯示各種顏色的子像素。具體地,可以將能夠顯示紅色的子像素用作子像素502R。另外,可以將能夠顯示綠色或藍色等的子像素用作像素502。
子像素502R包括:顯示元件550R;具有與顯示元件550R重疊的區域的彩色層CF;以及能夠根據控制信號及影像信號對顯示元件550R供應電力的像素電路。例如,可以將驅動電晶體M0或電容元件用於像素電路(參照圖5B)。
顯示元件550R包括被供應電力的第一電極551R及第二電極552,並在第一電極551R與第二電極552之間具有含有發光有機化合物的層553。
第一電極551R與驅動電晶體M0的源極電極或汲極電極電連接。
驅動電路SD包括電晶體MD或電容器CD。例如,可以將能夠與驅動電晶體M0由同一製程形成的電晶體用作電晶體MD。
另外,本發明的一個實施方式的顯示模組500在含有發光有機化合物的層553與第一基材510之間具有像素電路,並在含有發光有機化合物的層553與像素電路之間具有絕緣層521。
另外,本發明的一個實施方式的顯示模組500包括遮光層BM,該遮光層BM在與子像素502R重疊的區域中具有開口部。
另外,本發明的一個實施方式的顯示模組500包括具有與區域501重疊的區域的功能膜570P。例如,可以將偏光板用於功能膜570P。
《檢測部》
另外,本發明的一個實施方式的顯示模組500包括具有檢測元件的觸控感測器。
顯示模組500包括:與觸控感測器電連接的控制線CL(i);與觸控感 測器電連接的信號線ML(j);與控制線CL(i)電連接的端子;以及與信號線ML(j)電連接的第二端子部519B(參照圖5C及圖6)。
觸控感測器包括第一電極C1(i)以及具有不與第一電極C1(i)重疊的部分的第二電極C2(j)。
第一電極C1(i)或第二電極C2(j)包括在與像素502或子像素502R重疊的區域中具有透光性的導電膜。
或者,第一電極C1(i)或第二電極C2(j)包括其開口部576與像素502或子像素502R重疊的網狀的導電膜。
第一電極C1(i)與在行方向(圖中由R表示的箭頭的方向)上延伸的控制線CL(i)電連接。另外,控制線CL(i)能夠供應控制信號。
第二電極C2(j)與在列方向(圖中由C表示的箭頭的方向)上延伸的信號線ML(j)電連接。另外,信號線ML(j)能夠供應檢測信號(參照圖6)。
控制線CL(i)包括佈線BR(i,j)。控制線CL(i)在佈線BR(i,j)中與信號線ML(j)交叉(參照圖5C)。佈線BR(i,j)與信號線ML(j)之間設置有絕緣層571(參照圖5D)。由此,可以防止佈線BR(i,j)與信號線ML(j)發生短路。
本實施方式中說明的顯示模組500包括在由第一基材510、第二基材570及絕緣層590包圍的區域中具有含有發光有機化合物的層553的顯示元件。由此,可以抑制各種雜質擴散到含有發光有機化合物的層553中。從而,可以提供一種方便性或可靠性優異的新穎的顯示模組。
另外,可以將具有觸控感測器的顯示模組500稱為輸入輸出模組或觸控面板模組。
顯示模組500可以檢測接近物,並提供接近物的位置資訊或軌跡等檢測資訊。例如,顯示模組500的使用者可以將接近或接觸顯示模組500的手指等作為指示器,來檢測各種手勢(點按、拖拉、滑動或縮小等)。
另外,顯示模組500的使用者可以藉由顯示模組500向算術裝置傳達各種操作命令。例如,可以利用顯示模組500檢測手勢,並使算術裝置根據程式等判斷顯示模組500所提供的檢測資訊是否滿足指定條件,當滿足條件時執行指定命令。
下面,對構成顯示模組500的各要素進行說明。注意,有時無法明確區分上述構成要素,一個結構可能兼作其他結構或包含其他結構的一部分。
例如,顯示模組500既是觸控面板也是檢測面板或顯示面板。
《整體結構》
本實施方式中說明的顯示模組500包括:第一基材510、第二基材570、接合層505、顯示元件550R、第一端子部519A、第二端子部519B、絕緣層590、軟性印刷電路板FPC1、軟性印刷電路板FPC2或功能層。
另外,顯示模組500還包括:像素502、區域501、驅動電路GD、驅動電路SD、佈線511、子像素502R、顯示元件550R、彩色層CF、像素電路、驅動電晶體M0、第一電極551R、第二電極552、含有發光有機化合物的層553、電晶體MD、電容器CD、遮光層BM、功能膜570P。
另外,顯示模組500還包括觸控感測器、控制線CL(i)、信號線ML(j)、第一電極C1(i)或第二電極C2(j)。
《第一基材》
第一基材510可以使用各種基材。
例如在本說明書等中,可以使用各種基板或各種基材形成電晶體。對 基板或基材的種類沒有特別的限制。作為該基板或基材的一個例子,可以舉出半導體基板(例如,單晶基板或矽基板)、SOI基板、玻璃基板、石英基板、塑膠基板、藍寶石玻璃基板、金屬基板、不鏽鋼基板、包含不鏽鋼箔的基板、鎢基板、包含鎢箔的基板、撓性基板、貼合薄膜、包含纖維狀材料的紙或基材薄膜等。作為玻璃基板的一個例子,可以舉出鋇硼矽酸鹽玻璃、鋁硼矽酸鹽玻璃或鈉鈣玻璃等。作為撓性基板、貼合薄膜、基材薄膜等,可以舉出如下例子。例如可以舉出以聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚醚碸(PES)、聚四氟乙烯(PTFE)為代表的塑膠。或者,作為一個例子,可以舉出丙烯酸樹脂等合成樹脂等。或者,可以舉出聚丙烯、聚酯、聚氟化乙烯、聚氯乙烯等。或者,作為一個例子,可以舉出聚醯胺、聚醯亞胺、芳族聚醯胺、環氧樹脂、無機蒸鍍薄膜、紙類等。尤其是,藉由使用半導體基板、單晶基板或SOI基板等製造電晶體,可以製造特性、尺寸或形狀等的不均勻性小、電流能力高且尺寸小的電晶體。當利用上述電晶體構成電路時,可以實現電路的低功耗化或電路的高集成化。
另外,作為基板也可以使用撓性基板,在該撓性基板上直接形成電晶體。或者,也可以在基板與電晶體之間設置剝離層。剝離層可以在如下情況下使用,亦即:在剝離層上製造半導體裝置的一部分或全部,然後將其從基板分離並轉置到其他基板上的情況。此時,也可以將電晶體轉置到耐熱性低的基板或撓性基板上。另外,作為上述剝離層,例如可以使用鎢膜與氧化矽膜的無機膜的疊層結構或基板上形成有聚醯亞胺等有機樹脂膜的結構等。
就是說,也可以使用某個基板形成電晶體,然後將電晶體轉移並配置到其他基板上。作為被轉移電晶體的基板,除了上述可以形成電晶體的基板之外,還可以使用紙基板、玻璃紙基板、芳族聚醯胺薄膜基板、聚醯亞胺薄膜基板、石材基板、木材基板、布基板(包括天然纖維(絲、棉、麻)、合成纖維(尼龍、聚氨酯、聚酯)或再生纖維(醋酯纖維、銅氨纖維、人造纖維、再生聚酯)等)、皮革基板、或橡膠基板等。藉由使用上述基板,可以形成特性良好的電晶體或功耗低的電晶體,可以製造不容易發生故障的裝置或具有耐熱性的裝置,並且可以實現輕量化或薄型化。
例如在本說明書等中,作為電晶體可以使用各種結構的電晶體。因此,不限制所使用的電晶體的種類。作為電晶體的一個例子,可以使用具有單晶矽的電晶體或者具有以非晶矽、多晶矽或微晶(也稱為奈米晶、半非晶(semi-amorphous))矽等為代表的非單晶半導體膜的電晶體等。或者,可以使用使這些半導體薄膜化的薄膜電晶體(TFT)等。當使用TFT時,具有各種優點。例如,因為可以在比使用單晶矽時低的溫度下進行製造,所以可以實現製造成本的降低或製造裝置的大型化。由於可以使製造裝置變大,所以可以在大型基板上製造。因此,可以同時製造多個顯示裝置,所以可以以低成本製造。或者,由於製造溫度低,所以可以使用耐熱性低的基板。由此,可以在具有透光性的基板上製造電晶體。或者,可以藉由使用形成在具有透光性的基板上的電晶體來控制顯示元件的透光。或者,因為電晶體的膜厚較薄,所以形成電晶體的膜的一部分能夠透光。因此,能夠提高開口率。
另外,當製造多晶矽時,藉由使用催化劑(鎳等)進一步提高結晶性,從而可以製造電特性良好的電晶體。其結果是,可以在基板上一體地形成閘極驅動電路(掃描線驅動電路)、源極驅動電路(信號線驅動電路)以及信號處理電路(信號產生電路、伽瑪校正電路、DA轉換電路等)。
另外,在製造微晶矽的情況下,當使用催化劑(鎳等)時,結晶性進一步提高,從而可以製造電特性良好的電晶體。此時,無需進行雷射照射僅藉由進行加熱處理就可以提高結晶性。其結果是,可以在基板上一體地形成源極驅動電路的一部分(類比開關等)以及閘極驅動電路(掃描線驅動電路)。當不進行用來實現結晶化的雷射照射時,可以抑制矽結晶性的不均勻。因此,可以顯示影像品質得到了提高的影像。但是,不使用催化劑(鎳等)也可以製造多晶矽或微晶矽。
另外,雖然在整個面板上使矽的結晶性提高到多晶或微晶等是較佳的,但不侷限於此。也可以只在面板的一部分區域中提高矽的結晶性。藉由選擇性地照射雷射,可以選擇性地提高結晶性。例如,也可以僅對如下區域照射雷射:作為像素以外的區域的週邊電路區域;閘極驅動電路及源極驅 動電路等區域;或者源極驅動電路的一部分(類比開關等)。其結果是,可以只在需要使電路高速工作的區域中提高矽的結晶性。在像素區域中,由於使其高速地工作的必要性低,所以即使不提高結晶性,也可以使像素電路工作而不發生問題。由此,因為需提高結晶性的區域較少,所以可以縮短製程。因此,可以提高生產量並降低製造成本。或者,因為可以以較少的製造裝置的數量來進行製造,所以可以降低製造成本。
作為電晶體的一個例子,可以使用包括化合物半導體(例如,SiGe、GaAs等)或氧化物半導體(例如,Zn-O、In-Ga-Zn-O、In-Zn-O、In-Sn-O(ITO)、Sn-O、Ti-O、Al-Zn-Sn-O(AZTO)、In-Sn-Zn-O等)等的電晶體。或者,可以使用使上述化合物半導體或上述氧化物半導體薄膜化的薄膜電晶體等。由此,可以降低製造溫度,所以例如可以在室溫下製造電晶體。其結果是,可以在塑膠基板或薄膜基板等耐熱性低的基板上直接形成電晶體。此外,不僅可以將這些化合物半導體或氧化物半導體用於電晶體的通道部分,而且還可以用作其它用途。例如,可以將這些化合物半導體或氧化物半導體用作佈線、電阻元件、像素電極或具有透光性的電極等。因為可以與電晶體同時形成上述半導體,所以可以降低成本。
作為電晶體的一個例子,可以使用藉由噴墨法或印刷法形成的電晶體等。由此,可以在室溫下、在低真空下或在大型基板上進行製造。因此,即使不使用遮罩(光罩(reticle))也可以進行製造,所以可以容易地改變電晶體的佈局。或者,因為可以以不使用光阻劑的方式進行製造,所以可以減少材料費,並減少製程數。或者,因為可以只在需要的部分上形成膜,所以與在整個面上形成膜之後進行蝕刻的製造方法相比成本較低且不浪費材料。
作為電晶體的一個例子,可以使用具有有機半導體或碳奈米管的電晶體等。由此,可以在能夠彎曲的基板上形成電晶體。使用具有有機半導體或碳奈米管的電晶體的裝置能抗衝擊。
作為電晶體還可以使用其他各種結構的電晶體。例如,作為電晶體,可以使用MOS型電晶體、接合型電晶體、雙極電晶體等。藉由作為電晶體 使用MOS型電晶體,可以減小電晶體尺寸。因此,可以安裝多個電晶體。藉由作為電晶體使用雙極電晶體,可以使較大的電流流過。因此,可以使電路高速地工作。注意,也可以將MOS型電晶體、雙極電晶體等形成在一個基板上。由此,可以實現低功耗、小型化、高速工作等。
例如,可以使用與能夠用於實施方式1中記載的第一基材310的材料相同的材料。
《第二基材》
第二基材570可以使用各種基材。
例如,可以使用與能夠用於實施方式1中記載的第二基材370的材料相同的材料。
《接合層》
接合層可以使用各種材料。
例如,可以使用與能夠用於實施方式1中記載的接合層305的材料相同的材料。
《佈線、端子》
佈線或端子能夠供應影像信號、控制信號、檢測信號或電源電位等。另外,佈線包括控制線CL(i)、信號線ML(j)等。
佈線可以使用各種材料。
例如,可以使用與能夠用於實施方式1中記載的線311或端子319的材料相同的材料。
《顯示單元》
顯示單元580R包括顯示元件550R或能夠使光的至少一部分透過的彩色層CF。
另外,顯示元件550R與彩色層CF之間設置有間隔物KB。間隔物KB能夠控制位於顯示元件550R與彩色層CF之間的空隙的距離。
例如,可以將含有顏料或染料等材料的層用於彩色層CF。由此,可以提供顯示透過彩色層CF的特定顏色的顯示元件。
另外,可以將具有反射膜及半透射.半反射膜的微諧振器結構用於顯示單元580R。
具體地,可以將如下發光元件用於顯示單元580R,該發光元件的一個電極包括反射性導電膜,另一個電極包括半透射.半反射性導電膜,並且在一個電極與另一個電極之間具有含有發光有機化合物的層。
例如,可以將高效地提取紅色光的微諧振器及使紅色光透過的彩色層用於顯示紅色的顯示單元580R。或者,可以將高效地提取綠色光的微諧振器及使綠色光透過的彩色層用於顯示綠色的顯示單元。或者,可以將高效地提取藍色光的微諧振器及使藍色光透過的彩色層用於顯示藍色的顯示單元。或者,可以將高效地提取黃色光的微諧振器及使黃色光透過的彩色層用於顯示黃色的顯示單元。
《顯示元件》
可以將對比度、亮度、反射率、透射率等因電或磁作用變化的顯示媒體用於顯示元件550R。
例如,可以使用發射白色光的有機EL元件。
例如,可以使用分別發射不同顏色的多個有機EL元件。
例如,可以使用將顯示元件分隔為多個顯示元件的分隔壁528。例如,可以將絕緣材料用於分隔壁528。具體地,可以使用絕緣無機氧化物材料或樹脂等。
具體地,可以使用EL(電致發光)元件(包含有機物及無機物的EL元件、有機EL元件、無機EL元件)、LED(白色LED、紅色LED、綠色LED、藍色LED等)、電晶體(根據電流而發光的電晶體)、電子發射元件、液晶元件、電子墨水、電泳元件、柵光閥(GLV)、電漿顯示器(PDP)、使用MEMS(微機電系統)的顯示元件、數位微鏡裝置(DMD)、DMS(數位微快門)、MIRASOL(在日本註冊的商標)、IMOD(干涉調變)元件、快門方式的MEMS顯示元件、光干涉方式的MEMS顯示元件、電潤濕(electrowetting)元件等。
《第一電極》
可以將具有導電性的材料用於第一電極551R。尤其較佳為使用能夠高效地反射從含有發光有機化合物的層553發射的光的材料。
例如,可以使用無機導電性材料、有機導電性材料、金屬或導電性陶瓷等。另外,例如可以使用含有選自上述材料的材料的單層結構或多個層的疊層結構。
具體地,可以使用選自鋁、金、鉑、銀、鉻、鉭、鈦、鉬、鎢、鎳、鐵、鈷、鈀或錳的金屬元素、包含上述金屬元素的合金或組合上述金屬元素的合金等來形成。
尤其是由於銀、鋁及含有銀、鋁的合金對可見光具有高反射率,所以是較佳的。
或者,可以使用氧化銦、銦錫氧化物、銦鋅氧化物、氧化鋅或添加了鎵的氧化鋅等的導電氧化物。
或者,可以使用石墨烯或石墨。含有石墨烯的膜例如可以藉由使包含氧化石墨烯的膜還原而形成。作為還原方法,可以採用進行加熱的方法或使用還原劑的方法等。
或者,可以使用導電高分子。
《第二電極》
可以將具有導電性及透光性的材料用於第二電極552。
例如,可以將能夠用於第一電極551R的材料形成為薄到具有透光性的程度而將其用於第二電極552。具體地,可以使用厚度為5nm以上且30nm以下的金屬薄膜。
另外,可以將材料形成為單層或層疊的多個層。具體地,可以使用含有銦和錫的金屬氧化物層與厚度為5nm以上且30nm以下的銀的疊層。
《含有發光有機化合物的層》
可以將含有發射螢光或經過三重激發態得到的光的有機化合物的層用作含有發光有機化合物的層553。
另外,含有發光有機化合物的層553可以採用單層或多個層的疊層結構。
例如,可以使用含有電洞移動率比電子移動率高的材料的層、含有電子移動率比電洞移動率高的材料的層等。
例如,可以將結構不同的多個含有發光有機化合物的層553用於一個顯示面板。例如,可以將含有發射紅色光的發光有機化合物的層、含有發射綠色光的發光有機化合物的層、含有發射藍色光的發光有機化合物的層用於顯示面板。
另外,發光元件在一對電極間包括發光物質。作為該發光物質,可以舉出能夠將單重激發能轉換為發光的材料(例如,螢光材料等)、能夠將三重激發能轉換為發光的材料(例如,磷光材料、TADF(Thermally Activated Delayed Fluorescence)材料等)。
另外,上述發光物質在藍色(420nm以上且小於500nm)、綠色(500nm以上且小於550nm)、黃色(550nm以上且小於600nm)及紅色(600nm以上且740nm以下)的波長區中的至少一個內具有發射光譜峰值。另外,上述發光物質可以利用蒸鍍法(包括真空蒸鍍法)、噴墨法、塗佈法、凹版印刷等方法形成。
另外,作為在藍色波長區中具有發射光譜峰值的物質,例如,可以舉出包括芘衍生物、蒽衍生物、聯伸三苯衍生物、茀衍生物、咔唑衍生物、二苯并噻吩衍生物、二苯并呋喃衍生物、二苯并喹 啉衍生物、喹 啉衍生物、吡啶衍生物、嘧啶衍生物、菲衍生物、萘衍生物等的螢光材料。尤其是由於芘衍生物的發光量子產率高,所以是較佳的。
另外,作為在藍色波長區中具有發射光譜峰值的物質,例如,可以舉出銥、銠、鉑類有機金屬錯合物或金屬錯合物,其中較佳為使用有機銥錯合物,例如銥類鄰位金屬錯合物。作為鄰位金屬化的配體,可以舉出4H-三唑配體、1H-三唑配體、咪唑配體、吡啶配體等。另外,作為在藍色波長區中具有發射光譜峰值的物質,例如,可以舉出如下有機金屬銥錯合物,該有機金屬銥錯合物包括銥金屬、配位於該銥金屬的配體及與該配體結合的取代基,其中該取代基是質量數為90以上且小於200的橋環烴基(例如,金剛烷基或降冰片烯基)。另外,上述配體較佳為含氮五元雜環骨架(例如,咪唑骨架或三唑骨架)。藉由將具有上述含氮五元雜環骨架的物質用於發光層,可以製造具有高發光效率或高可靠性的發光元件。
另外,作為在綠色、黃色及紅色波長區內具有發射光譜峰值的物質,可以舉出銥、銠、鉑類有機金屬錯合物或者金屬錯合物,其中較佳為使用有機銥錯合物,例如銥類鄰位金屬錯合物。作為鄰位金屬化的配體,可以舉出4H-三唑配體、1H-三唑配體、咪唑配體、吡啶配體、嘧啶配體、吡嗪配體、異喹啉配體等。作為金屬錯合物可以舉出具有金屬卟啉配體的鉑錯合物等。另外,具有吡嗪配體的有機金屬銥錯合物由於可以獲得色度良好的紅色發光,所以是較佳的。另外,具有嘧啶配體的有機金屬銥錯合物由於具有高可靠性或高發光效率,所以是較佳的。
另外,發光元件除了上述發光物質之外,還可以包括具有載子傳輸性(電子或電洞)的物質。另外,發光元件除了上述發光物質之外,還可以具有無機化合物或高分子化合物(低聚物、樹枝狀聚合物、聚合物等)。
另外,藉由在形成含有發光有機化合物的層553之後對其進行加熱,有時可以使含有發光有機化合物的層553處於穩定狀態。
例如,使含有發光有機化合物的層553藉由形成絕緣層590時的加熱而處於穩定狀態。由此,可以提高顯示元件550R的可靠性。
《軟性印刷電路板》
可以將各種結構的軟性印刷電路板用於軟性印刷電路板FPC1或軟性印刷電路板FPC2。
例如,可以使用與能夠用於實施方式1中記載的軟性印刷電路板的結構相同的結構。
《絕緣層》
絕緣層590可以使用各種材料。
例如,可以使用與能夠用於實施方式1中記載的絕緣層390的材料相同的材料。
例如,可以使用含有氧化物、氮化物、氟化物、硫化物、三元化合物、金屬或聚合物的材料。具體地,可以將厚度為3nm以上且200nm以下,較佳為5nm以上且50nm以下的含有無機化合物的膜用於絕緣層590。
例如,可以使用利用原子層沉積法的氧化物或氮化物等的無機材料。具體地,可以使用氧化鋁等。
可以將具有抑制水分子等雜質的擴散的功能的材料用於絕緣層590。由此,可以抑制顯示元件550R的可靠性下降。
例如,藉由抑制水分子等雜質擴散到含有發光有機化合物的層553中,可以抑制發光有機化合物的劣化。
由此,可以提高具有含有發光有機化合物的層553的顯示元件550R的可靠性。
《檢測元件、檢測電路》
可以將檢測元件用於功能層,該檢測元件檢測靜電電容、照度、磁力、電波或壓力等,而供應基於檢測出的物理量的信號。
例如,可以將導電膜、光電轉換元件、磁檢測元件、壓電元件或諧振器等用於檢測元件。
例如,可以將檢測電路用於功能層,該檢測電路具有供應基於寄生在導電膜中的靜電電容而變化的信號的功能。由此,藉由利用靜電電容的變化可以檢測在大氣中靠近於導電膜的指頭等。
明確而言,可以使用控制線CL(i)將控制信號供應給第一電極C1(i),且使用信號線ML(j)得到基於被供應的控制信號及靜電電容而變化的第二電極C2(j)的電位並將其作為檢測信號而供應。
例如,可以將包括其一個電極連接於導電膜的電容元件的電路用作檢測電路。
另外,也可以使用在第二基材570上形成用來形成檢測元件的膜且對該膜進行加工的方法,來形成檢測元件。
另外,也可以使用在其它基材上形成顯示模組500的一部分且將該一部分轉置到第二基材570的方法,來形成顯示模組500。
《功能膜》
功能膜570P可以使用各種功能膜。
例如,可以將反射防止膜等用於功能膜570P。具體地,可以使用防眩光塗層或圓偏光板等。由此,例如,當顯示模組500在屋外使用時,可以減弱反射的外光的強度。另外,例如,當在屋內使用時,可以抑制照明的眩光。
例如,可以將陶瓷塗層或硬塗層用作功能膜570P。具體地,可以使用含有氧化鋁或氧化矽等的陶瓷塗層或UV固化樹脂層等。
〈顯示模組的結構實例2〉
參照圖23對本發明的一個實施方式的顯示模組的另一結構進行說明。
圖23是沿著圖2A的切割線A-B及切割線C-D的剖面圖。
另外,使用圖23說明的顯示模組與參照圖5B說明的顯示模組的不同之處在於:使用圖23說明的顯示模組替代顯示元件550R具有顯示元件450R,並具有功能膜470P1及470P2。在此,僅對不同的結構進行詳細的說明,而關於可使用相同結構的部分,援用上述說明。
《顯示元件》
可以將使用各種模式的液晶元件用於顯示元件450R。具體地,可以使用採用IPS(In-Plane-Switching:平面內切換)模式、TN(Twisted Nematic:扭曲向列)模式、FFS(Fringe Field Switching:邊緣電場切換)模式、ASM(Axially Symmetric aligned Micro-cell:軸對稱排列微單元)模式、OCB(Optically Compensated Birefringence:光學補償彎曲)模式、FLC(Ferroelectric Liquid Crystal:鐵電性液晶)模式、AFLC(AntiFerroelectric Liquid Crystal:反鐵電性液晶)模式等的液晶元件。
根據顯示元件450R所使用的模式選擇液晶材料,並根據施加到含有液晶材料的層453的電場的方向選擇第一電極451及第二電極452的配置。
例如,可以將熱向性液晶、低分子液晶、高分子液晶、鐵電液晶、反鐵電液晶等用於含有液晶材料的層453。
例如,可以使用呈現藍相的液晶。由此,可以不使用配向膜。此外,可以獲得寬視角。
另外,可以組合使用呈現藍相的液晶和使藍相穩定的高分子。由此,可以擴大液晶呈現藍相的溫度區域。具體地,藉由將含有呈現藍相的液晶、聚合引發劑及單體的混合物注入或滴落並密封於基板間,然後使該單體聚合,由此可以擴大該液晶呈現藍相的溫度區域。
另外,可以將高分子分散型液晶(PDLC:Polymer Dispersed Liquid Crystal:聚合物分散液晶)用於顯示元件450R。
例如,可以使用以在垂直方向上施加電場的方式配置的第一電極451及第二電極452。
例如,可以使用以在水平方向上施加電場的方式配置的第一電極451及第二電極452。
《絕緣層》
例如,可以將抑制水分或離子性物質等雜質擴散到含有液晶材料的層453中的材料用於絕緣層590。由此,可以抑制保持於第一電極451與第二電極452之間的電壓的隨時間衰減。
由此,可以在不降低顯示品質的情況下降低對包括含有液晶材料的層453的顯示元件450R提供影像信號的頻率以及重寫影像信號的頻率,從而降低功耗。
具體地,即使以低於60Hz的頻率(例如30Hz以下,較佳為1Hz以下)對顯示元件450R提供影像信號,也可以抑制能夠被使用者觀察到的閃爍。
《功能膜》
功能膜470P1或功能膜470P2可以使用各種功能膜。
例如,可以將反射防止膜等用於功能膜470P1或功能膜470P2。具體地,可以使用防眩光塗層、直線偏光板或圓偏光板等。由此,例如當顯示模組500在屋外使用時,可以減弱反射的外光的強度。另外,例如,當在屋內使用時,可以抑制照明的眩光。
例如,可以將陶瓷塗層或硬塗層用於功能膜470P1或功能膜470P2。具體地,可以使用含有氧化鋁或氧化矽等的陶瓷塗層或UV固化樹脂層等。
注意,本實施方式可以與本說明書所示的其他實施方式及實施例適當地組合。
實施方式4
在本實施方式中,參照圖7至圖8C對本發明的一個實施方式的顯示模組的製造方法進行說明。
圖7是說明本發明的一個實施方式的顯示模組的製造方法的流程圖。
圖8A至圖8C是說明本發明的一個實施方式的顯示模組的製造方法的圖。圖8A至圖8C是製程中的顯示模組的剖面圖。
〈顯示模組的製造方法例〉
本實施方式中說明的顯示模組的製造方法包括如下三個步驟(參照圖7)。
《第一步驟》
在第一步驟中,準備包括端子319、支撐端子319的第一基材310、具有與第一基材310重疊的區域的第二基材370、貼合第一基材310與第二基材370的接合層305、在第一基材310與第二基材370之間與端子319電連 接的顯示元件350以及與端子319電連接的軟性印刷電路板FPC的加工構件,並在與軟性印刷電路板FPC的端子部重疊的區域中形成遮罩MASK(參照圖7(S1)及圖8A)。
《第二步驟》
在第二步驟中,利用原子層沉積法形成與第一基材310、第二基材370、接合層305及軟性印刷電路板FPC接觸的絕緣層390(參照圖7(S2))。
絕緣層390中的裂縫、針孔等缺陷或絕緣層390的厚度不均有可能助長雜質擴散。當利用原子層沉積法形成絕緣層390時,可以減少絕緣層390中的缺陷或絕緣層390的厚度不均。另外,可以形成緻密的絕緣層390。另外,當將樹脂等用於基底膜時,伴隨加熱,樹脂等被軟化,而能夠在基底膜表面形成優質的膜。由此,可以提供能夠抑制雜質擴散的絕緣層390。
當將第一基材310或第二基材370與其他基材分開時,有時端面上會形成細微的裂痕(微裂紋MC)。具體地,有時細微的裂痕會形成在藉由畫線(也稱為scribing:劃線)並對劃線集中施加應力而被分開(也稱為斷裂)的玻璃的端面。藉由利用原子層沉積法形成絕緣層390,可以期待填埋端面上形成的細微的裂痕(參照圖8B)。
例如,可以使用實施方式5中說明的沉積装置100利用原子層沉積法形成絕緣層390。
《第三步驟》
在第三步驟中,將絕緣層390的一部分與遮罩MASK一起去除,在絕緣層390的與軟性印刷電路板FPC的端子部重疊的區域中形成開口部391(參照圖7(S3)及圖8B)。
本實施方式中說明的顯示模組的製造方法包括如下步驟:在與軟性印刷電路板FPC的端子部重疊的區域中形成遮罩MASK的第一步驟;利用原子層沉積法形成絕緣層390的第二步驟;以及在絕緣層390的與軟性印刷電路板FPC的端子部重疊的區域中形成開口部391的第三步驟。由此,可以 在軟性印刷電路板FPC的端子部中形成具有開口部391的絕緣層390。由此,可以提供一種方便性或可靠性優異的新穎的顯示模組的製造方法。
〈顯示模組的製造方法的變形實例〉
本實施方式中說明的顯示模組的製造方法除了上述步驟之外還具有第四步驟。
《第四步驟》
在第四步驟中形成樹脂層398,該樹脂層398以在由接合層305和樹脂層398夾著的區域中形成有絕緣層390的方式形成(參照圖8C)。
注意,本實施方式可以與本說明書所示的其他實施方式及實施例適當地組合。
實施方式5
在本實施方式中參照圖9至圖11C對能夠用於本發明的一個實施方式的顯示模組的製造的沉積装置進行說明。
圖9是說明能夠用於本發明的一個實施方式的顯示模組的製造的沉積装置100的剖面圖。
圖10A1至圖10A3是說明能夠用於本發明的一個實施方式的顯示模組的製造的加工構件10被支撐部186支撐的狀態的圖。
圖10B是說明能夠用於本發明的一個實施方式的顯示模組的製造的支撐部186的投影圖。
圖10C是說明在能夠用於本發明的一個實施方式的顯示模組的製造的沉積装置100的沉積室180中準備有多個加工構件10的狀態的側面圖。
圖11A至圖11C是說明能夠用於本發明的一個實施方式的顯示模組的 製造的加工構件10被支撐部186B支撐的狀態的圖。
〈沉積装置100的結構實例〉
本實施方式中說明的沉積装置100包括沉積室180及與沉積室180連接的控制部182。
控制部182包括提供控制信號的控制裝置(未圖示)以及被提供控制信號的流量控制器182a、流量控制器182b及流量控制器182c。例如,可以將高速閥用於流量控制器。明確而言,藉由使用ALD用閥等可以精密地控制流量。另外,還包括流量控制器及控制管道溫度的加熱機構182h。
流量控制器182a被供應控制信號、第一原料及惰性氣體,並能夠根據控制信號供應第一原料或惰性氣體。
流量控制器182b被供應控制信號、第二原料及惰性氣體,並能夠根據控制信號供應第二原料或惰性氣體。
流量控制器182c被供應控制信號,並能夠根據控制信號連接到排氣裝置185。
《原料供應部》
另外,原料供應部181a能夠供應第一原料,並與流量控制器182a連接。
原料供應部181b能夠供應第二原料,並與流量控制器182b連接。
可以將汽化器或加熱單元等用於原料供應部。由此,可以由固體原料或液體原料生成氣體原料。
另外,原料供應部不侷限於兩個,也可以具有三個以上的原料供應部。
《原料》
第一原料可以使用各種物質。
例如,可以將揮發性有機金屬化合物、金屬醇鹽等用於第一原料。
可以將與第一原料起反應的各種物質用於第二原料。例如,可以將有助於氧化反應的物質、有助於還原反應的物質、有助於付加反應的物質、有助於分解反應的物質或有助於加水分解反應的物質等用於第二原料。
另外,可以使用自由基等。例如,可以將原料供應給電漿源而使用電漿等。明確而言,可以使用氧自由基、氮自由基等。
另外,還可以將高頻電源或光源用於電漿源。例如,可以使用感應耦合型或電容耦合型的高頻電源。或者,可以將準分子雷射、準分子燈、低壓汞燈或同步加速器輻射光源用作光源。另外,與第一原料組合使用的第二原料較佳為使用在接近室溫的溫度與第一原料起反應的原料。例如,較佳為使用反應溫度為室溫以上200℃以下,更佳為50℃以上且150℃以下的物質。
《排氣裝置185》
排氣裝置185具有排氣功能並與流量控制器182c連接。另外,可以在排出口184與流量控制器182c之間設置捕捉排出物質的陷阱。另外,利用去除裝置去除排出的氣體等。
《控制部182》
控制裝置供應控制流量控制器的控制信號、控制加熱機構的控制信號等。例如,在第一步驟中,將第一原料供應至加工構件的表面。並且,在第二步驟中,供應與第一原料起反應的第二原料。由此,第一原料與第二原料發生反應,反應生成物沉積於加工構件10的表面。
另外,沉積於加工構件10的表面的反應生成物的量可以藉由反復進行第一步驟和第二步驟來控制。
另外,供應至加工構件10的第一原料的量受限於加工構件10的表面能 夠吸附的量。例如,以第一原料的單分子層形成於加工構件10的表面上的方式選擇條件,藉由使形成的第一原料的單分子層與第二原料發生反應,可以形成極均勻的含有第一原料與第二原料的反應生成物的層。
由此,可以在表面具有複雜結構的加工構件10的表面上將各種材料沉積成膜。例如,可以在加工構件10上形成厚度為3nm以上且200nm以下的膜。
例如,當加工構件10的表面形成有被稱為針孔的小孔等時,藉由將材料沉積到針孔內可以填埋針孔。
另外,利用排氣裝置185將剩餘的第一原料或第二原料從沉積室180排出。例如,可以邊導入氬或氮等惰性氣體邊進行排氣。
《沉積室180》
沉積室180包括供應第一原料、第二原料及惰性氣體的導入口183以及排出第一原料、第二原料及惰性氣體的排出口184。
沉積室180包括:能夠支撐一個或多個加工構件10的支撐部186、能夠加熱加工構件的加熱機構187、能夠打開或關閉加工構件10的搬入及搬出區域的門188。
例如,可以將電阻加熱器或紅外線燈等用於加熱機構187。
加熱機構187具有例如加熱至80℃以上、100℃以上或150℃以上的加熱功能。
加熱機構187例如將加工構件10加熱為室溫以上且200℃以下,較佳為50℃以上且150℃以下。
另外,沉積室180具有壓力調整器及壓力檢測器。
《支撐部186》
支撐部186支撐一個或多個加工構件10。由此,例如可以在每次處理中在一個或多個加工構件10上形成絕緣層。
例如,圖9及圖10A2示出使用六個支撐部186支撐六個加工構件10的狀態的側面圖。另外,圖10A1示出圖10A2所示的狀態的從左側看時的側面圖,圖10A3示出圖10A2的俯視圖。
支撐部186具有多個柱狀間隔物186P以及將一個間隔物與其他的間隔物連接的梁部186S(參照圖10B)。另外,支撐部186較佳為具有三個以上,尤其較佳為具有四個以上至十個以下的柱狀間隔物186P。
支撐部186支撐放在間隔物186P的上部的加工構件10。
可以在由一個支撐部186支撐的一個加工構件10上放上其他的支撐部186,利用其他的支撐部186支撐其他的加工構件10。藉由像這樣交替地疊加支撐部186與加工構件10,可以在沉積室180中準備好多個加工構件。
另外,例如,使用比加工構件10的外形小的支撐部186,以其端部露出支撐部186的外側的方式配置加工構件10。由此,可以對加工構件10的端部及其側面均勻地供應原料(參照圖10C)。
另外,將加工構件10的端部配置為離開沉積室180的壁面。例如,使加工構件10的端部到沉積室180的壁面的距離d1及距離d3大於一個加工構件10與其他的加工構件10之間的間隔。由此,可以均勻地供應原料。另外,可以使距離d3與距離d1大致相等。
例如,圖11A示出四個加工構件10由支撐部186B支撐的狀態的俯視圖。另外,圖11B示出沿著圖11A所示的切割線Q1-Q2的剖面圖,圖11C示出投影圖。
支撐部186B具有能夠配置加工構件10的凹部,凹部具有不會與加工 構件10的側面接觸的大小。由此,可以在多個加工構件10的側面不受支撐部186B阻礙地同時形成例如絕緣層。
〈膜的例子〉
對能夠利用本實施方式中說明的沉積装置100形成的膜進行說明。
例如,可以形成含有氧化物、氮化物、氟化物、硫化物、三元化合物、金屬或聚合物的膜。
例如,可以形成含有氧化鋁、氧化鉿、鋁矽酸鹽、矽酸鉿、氧化鑭、氧化矽、鈦酸鍶、氧化鉭、氧化鈦、氧化鋅、氧化鈮、氧化鋯、氧化錫、氧化釔、氧化鈰、氧化鈧、氧化鉺、氧化釩或氧化銦等材料的膜。
例如,可以形成含有氮化鋁、氮化鉿、氮化矽、氮化鉭、氮化鈦、氮化鈮、氮化鉬、氮化鋯或氮化鎵等材料的膜。
例如,可以形成含有銅、鉑、釕、鎢、銥、鈀、鐵、鈷或鎳等材料的膜。
例如,可以形成含有硫化鋅、硫化鍶、硫化鈣、硫化鉛、氟化鈣、氟化鍶或氟化鋅等材料的膜。
例如,可以形成含有如下材料的膜:含有鈦及鋁的氮化物;含有鈦及鋁的氧化物;含有鋁及鋅的氧化物;含有錳及鋅的硫化物;含有鈰及鍶的硫化物;含有鉺及鋁的氧化物;含有釔及鋯的氧化物;等等。
《含有氧化鋁的膜》
例如,可以將使含有鋁前體化合物的原料氣化而生成的氣體用作第一原料。具體地,可以使用三甲基鋁(TMA,化學式為Al(CH3)3)或三(二甲基醯胺)鋁、三異丁基鋁、鋁三(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮)等。
可以將水蒸氣(化學式為H2O)用作第二原料。
利用沉積装置100可以由上述第一原料及第二原料形成含有氧化鋁的膜。
《含有氧化鉿的膜》
例如,可以將使含有鉿前體化合物的原料氣化而生成的氣體用作第一原料。具體地,可以使用含有四二甲基醯胺鉿(TDMAH,化學式為Hf[N(CH3)2]4)或四(乙基甲基醯胺)鉿等鉿醯胺的原料。
可以將臭氧用作第二原料。
《含有鎢的膜》
例如,可以將WF6氣體用作第一原料。
可以將B2H6氣體或SiH4氣體等用作第二原料。
注意,本實施方式可以與本說明書所示的其他實施方式及實施例適當地組合。
實施方式6
在本實施方式中,參照圖13A1至圖13E2說明能夠在製造本發明的一個實施方式的顯示模組時使用的疊層體的製造方法。
圖13A1至圖13E2是說明製造疊層體的製程的示意圖。圖13A1、圖13B1、圖13C、圖13D1及圖13E1示出說明加工構件及疊層體的結構的剖面圖(左側),圖13A2、圖13B2、圖13D2及圖13E2示出分別對應於圖13A1、圖13B1、圖13D1及圖13E1的俯視圖(右側)。
〈疊層體的製造方法〉
參照圖13A1至圖13E2說明從加工構件80製造疊層體81的方法。
加工構件80包括第一基板F1、第一基板F1上的第一剝離層F2、其一個表面與第一剝離層F2相接的第一被剝離層F3、其一個表面與第一被剝離層F3的另一個表面相接的接合層30、以及與接合層30的另一個表面相接的基材S5(參照圖13A1及圖13A2)。
此外,例如,可以將具有實施方式8中詳細說明的結構的加工構件用作加工構件80。
〈〈剝離起點的形成〉〉
準備剝離起點F3s被形成於接合層30的端部附近的加工構件80。
剝離起點F3s藉由將第一被剝離層F3的一部分從第一基板F1分離形成。
可以利用由鋒利的尖端從第一基板F1一側刺入第一被剝離層F3的方法或使用雷射等的方法(例如雷射燒蝕法)等,從剝離層F2部分地剝離第一被剝離層F3。由此,可以形成剝離起點F3s。
〈〈第一步驟〉〉
準備預先剝離起點F3s被形成於接合層30的端部附近的加工構件80(參照圖13B1及圖13B2)。
〈〈第二步驟〉〉
剝離加工構件80的一個表層80b。由此,從加工構件80得到第一剩餘部80a。
明確而言,從形成於接合層30的端部附近的剝離起點F3s將第一基板F1與第一剝離層F2一起從第一被剝離層F3分離(參照圖13C)。由此,得到具備第一被剝離層F3、其一個表面與第一被剝離層F3相接的接合層30以及與接合層30的另一個表面相接的基材S5的第一剩餘部80a。
此外,也可以對第一剝離層F2與第一被剝離層F3的介面附近照射離 子,一邊去除靜電一邊進行剝離。明確而言,也可以照射使用離子發生器生成的離子。
此外,當從第一剝離層F2剝離第一被剝離層F3時,使液體滲透到第一剝離層F2與第一被剝離層F3的介面。或者,也可以使液體從噴嘴99噴出並進行噴射。例如,可以將水、極性溶劑等用於滲透的液體或噴射的液體。
藉由使液體滲透,可以抑制隨著剝離而發生的靜電等的影響。此外,也可以一邊使溶解剝離層的液體滲透一邊進行剝離。
尤其是,當將包含氧化鎢的膜用作第一剝離層F2時,若一邊使包含水的液體滲透或者噴射包含水的液體一邊剝離第一被剝離層F3,則可以減少施加到第一被剝離層F3的因剝離而產生的應力,所以是較佳的。
〈〈第三步驟〉〉
將第一黏合層31形成於第一剩餘部80a(參照圖13D1及圖13D2),並使用第一黏合層31將第一剩餘部80a與第一支撐體41貼合。由此,從第一剩餘部80a得到疊層體81。
明確而言,得到疊層體81,該疊層體81包括第一支撐體41、第一黏合層31、第一被剝離層F3、其一個表面與第一被剝離層F3相接的接合層30以及與接合層30的另一個表面相接的基材S5(參照圖13E1及圖13E2)。
另外,可以將各種方法用作形成接合層30的方法。例如可以使用分配器或網版印刷法等形成接合層30。使用對應於接合層30所使用的材料的方法使接合層30固化。例如,當對接合層30使用光固化型的黏合劑時,照射包含規定的波長的光的光。
注意,本實施方式可以與本說明書所示的其他實施方式及實施例適當地組合。
實施方式7
在本實施方式中,參照圖14A1至圖15E2說明能夠在製造本發明的一個實施方式的顯示模組時使用的疊層體的製造方法。
圖14A1至圖14E2及圖15A1至圖15E2是說明製造疊層體的製程的示意圖。圖14A1、圖14B1、圖14C、圖14D1、圖14E1、圖15A1、圖15B、圖15C、圖15D1及圖15E1示出說明加工構件及疊層體的結構的剖面圖(左側),圖14A2、圖14B2、圖14D2、圖14E2、圖15A2、圖15D2及圖15E2示出分別對應於圖14A1、圖14B1、圖14D1、圖14E1、圖15A1、圖15D1及圖15E1的俯視圖(右側)。
〈疊層體的製造方法〉
參照圖14A1至圖15E2說明從加工構件90製造疊層體92的方法。
加工構件90與加工構件80的不同之處在於:作為加工構件90,接合層30的另一個表面與第二被剝離層S3的一個表面代相接。
明確而言,不同之處在於:在加工構件90中,代替基材S5,具有包括第二基板S1、第二基板S1上的第二剝離層S2以及其另一個表面與第二剝離層S2相接的第二被剝離層S3的疊層體,第二被剝離層S3的一個表面與接合層30的另一個表面相接。
加工構件90以如下順序配置有:第一基板F1;第一剝離層F2;其一個表面與第一剝離層F2的相接的第一被剝離層F3;其一個表面與第一被剝離層F3的另一個表面相接的接合層30;其一個表面與接合層30的另一個表面相接的第二被剝離層S3;其一個表面與第二被剝離層S3的另一個表面相接的第二剝離層S2;以及第二基板S1(參照圖14A1及圖14A2)。
另外,例如可以將具有實施方式8中詳細說明的結構的加工構件用作加工構件90。
〈〈第一步驟〉〉
準備剝離起點F3s形成於接合層30的端部附近的加工構件90(參照圖14B1及圖14B2)。
剝離起點F3s藉由將第一被剝離層F3的一部分從第一基板F1分離形成。
例如,可以利用由鋒利的尖端從第一基板F1一側刺入第一被剝離層F3的方法或使用雷射等的方法(例如雷射燒蝕法)等,從剝離層F2部分地剝離第一被剝離層F3。由此,可以形成剝離起點F3s。
〈〈第二步驟〉〉
剝離加工構件90的一個表層90b。由此,從加工構件90得到第一剩餘部90a。
明確而言,從形成於接合層30的端部附近的剝離起點F3s將第一基板F1與第一剝離層F2一起從第一被剝離層F3分離(參照圖14C)。由此,得到以如下順序配置的第一剩餘部90a:第一被剝離層F3;其一個表面與第一被剝離層F3相接的接合層30;其一個表面與接合層30的另一個表面相接的第二被剝離層S3;其一個表面與第二被剝離層S3的另一個表面相接的第二剝離層S2;以及第二基板S1。
此外,也可以對第二剝離層S2與第二被剝離層S3的介面附近照射離子,一邊去除靜電一邊進行剝離。明確而言,也可以照射使用離子發生器生成的離子。
此外,當從第二剝離層S2剝離第二被剝離層S3時,使液體滲透到第二剝離層S2與第二被剝離層S3的介面。此外,也可以使液體從噴嘴99噴出並進行噴射。例如,可以將水、極性溶劑等用於滲透的液體或噴射的液體。
藉由使液體滲透,可以抑制隨著剝離而產生的靜電等的影響。此外, 也可以一邊使溶解剝離層的液體滲透一邊進行剝離。
尤其是,當將包含氧化鎢的膜用作第二剝離層S2時,若一邊使包含水的液體滲透或噴射包含水的液體一邊剝離第二被剝離層S3,則可以減少施加到第二被剝離層S3的因剝離而產生的應力,所以是較佳的。
〈〈第三步驟〉〉
將第一黏合層31形成於第一剩餘部90a(參照圖14D1及圖14D2),並使用第一黏合層31將第一剩餘部90a與第一支撐體41貼合。由此,從第一剩餘部90a得到疊層體91。
明確而言,得到疊層體91,該疊層體91以如下順序配置有:第一支撐體41;第一黏合層31;第一被剝離層F3;其一個表面與第一被剝離層F3相接的接合層30;其一個表面與接合層30的另一個表面相接的第二被剝離層S3;其一個表面與第二被剝離層S3的另一個表面相接的第二剝離層S2;以及第二基板S1(參照圖14E1及圖14E2)。
〈〈第四步驟〉〉
將位於疊層體91的第一黏合層31的端部附近的第二被剝離層S3的一部分從第二基板S1分離,而形成第二剝離起點91s。
例如,從第一支撐體41一側切削第一支撐體41及第一黏合層31,並且沿著新形成的第一黏合層31的端部從第二基板S1分離第二被剝離層S3的一部分。
明確而言,使用具有鋒利的尖端的刀具切削位於第二剝離層S2上的設置有第二被剝離層S3的區域的第一黏合層31及第一支撐體41,並且沿著新形成的第一黏合層31的端部從第二基板S1分離第二被剝離層S3的一部分(參照圖15A1及圖15A2)。
藉由該步驟,在新形成的第一支撐體41b及第一黏合層31的端部附近形成剝離起點91s。
〈〈第五步驟〉〉
從疊層體91分離第二剩餘部91a。由此,從疊層體91得到第二剩餘部91a(參照圖15C)。
明確而言,從在第一黏合層31的端部附近形成的剝離起點91s將第二基板S1與第二剝離層S2一起從第二被剝離層S3分離。由此,得到第二剩餘部91a,該第二剩餘部91a以如下順序配置有:第一支撐體41b;第一黏合層31;第一被剝離層F3;其一個表面與第一被剝離層F3相接的接合層30;以及其一個表面與接合層30的另一個表面相接的第二被剝離層S3。
此外,也可以對第二剝離層S2與第二被剝離層S3的介面附近照射離子,一邊去除靜電一邊進行剝離。明確而言,也可以照射使用離子發生器生成的離子。
此外,當從第二剝離層S2剝離第二被剝離層S3時,使液體滲透到第二剝離層S2與第二被剝離層S3的介面。此外,也可以使液體從噴嘴99噴出並進行噴射。例如,可以將水、極性溶劑等用於滲透的液體或噴射的液體。
藉由使液體滲透,可以抑制隨著剝離而產生的靜電等的影響。此外,也可以一邊使溶解剝離層的液體滲透一邊進行剝離。
尤其是,當將包含氧化鎢的膜用作第二剝離層S2時,若一邊使包含水的液體滲透或噴射包含水的液體一邊剝離第二被剝離層S3,則可以減少施加到第二被剝離層S3的因剝離而產生的應力,所以是較佳的。
〈〈第六步驟〉〉
將第二黏合層32形成於第二剩餘部91a(參照圖15D1及圖15D2)。
使用第二黏合層32貼合第二剩餘部91a與第二支撐體42。藉由該步驟,可以從第二剩餘部91a得到疊層體92(參照圖15E1及圖15E2)。
明確而言,得到疊層體92,該疊層體92以如下順序配置有:第一支撐體41b;第一黏合層31;第一被剝離層F3;其一個表面與第一被剝離層F3的一個表面相接的接合層30;其一個表面與接合層30的另一個表面相接的第二被剝離層S3;第二黏合層32;以及第二支撐體42。
〈具有形成在支撐體中的開口部的疊層體的製造方法〉
將參照圖16A1至圖16D2說明具有形成在支撐體中的開口部的疊層體的製造方法。
圖16A1至圖16D2是說明具有形成在支撐體中且用來使被剝離層的一部分露出的開口部的疊層體的製造方法的圖。圖16A1、圖16B1、圖16C1以及圖16D1是說明疊層體的結構的剖面圖(左側),而圖16A2、圖16B2、圖16C2以及圖16D2是對應於上述剖面圖的俯視圖(右側)。
圖16A1至圖16B2是說明使用比第一支撐體41b小的第二支撐體42b製造具有開口部的疊層體92c的方法的圖。
圖16C1至圖16D2是說明製造具有形成在第二支撐體42中的開口部的疊層體92d的方法的圖。
〈〈具有形成在支撐體中的開口部的疊層體的製造方法例子1〉〉
將說明的疊層體的製造方法與上述製造方法大致相同,不同之處為如下:使用比第一支撐體41b小的第二支撐體42b代替上述第六步驟中的第二支撐體42。由此,可以製造第二被剝離層S3的一部分露出的疊層體(參照圖16A1及圖16A2)。
第二黏合層32既可使用液體狀的黏合劑又可使用流動性得到抑制且預先成型為單片形狀的黏合劑(薄片狀黏合劑)。藉由使用薄片狀黏合劑,可以減少露出第二支撐體42b的外側的第二黏合層32的量。另外,還可以容易地使第二黏合層32的厚度均勻。
另外,也可以切除第二被剝離層S3的露出部分,以使第一被剝離層F3露出(參照圖16B1及圖16B2)。
明確而言,使用其尖端銳利的刀具等在第二被剝離層S3的露出部分形成切口。接著,例如,將具有黏合性的膠帶等以使應力集中到該切口附近的方式貼合到第二被剝離層S3的露出部分,來可以將該部分與被貼合的膠帶等一起剝離而選擇性地切除。
另外,也可以在第一被剝離層F3的一部分上選擇性地形成能夠抑制接合層30黏合於第一被剝離層F3的層。例如,可以選擇性地形成不容易與接合層30黏合的材料。明確而言,也可以將有機材料蒸鍍為島狀。由此,可以容易地與第二被剝離層S3一起選擇性地去除接合層30的一部分。其結果是,可以使第一被剝離層F3露出。
例如,在第一被剝離層F3包括功能層及電連接於功能層的導電層F3b的情況下,可以使導電層F3b露出於第二疊層體92c的開口部。由此,可以將露出於第二疊層體92c的開口部的導電層F3b用作被供應信號的端子。
其結果是,可以將其一部分露出於開口部的導電層F3b用作能夠取出由功能層供應的信號的端子或能夠由外部裝置供應功能層被供應的信號的端子。
〈〈具有形成在支撐體中的開口部的疊層體的製造方法例子2〉〉
將具有以與設置在第二支撐體42中的開口部重疊的方式形成的開口部的遮罩48形成在疊層體92上。接著,將溶劑49滴下在遮罩48的開口部中。由此,可以使用溶劑49使露出於遮罩48的開口部的第二支撐體42溶脹或溶解(參照圖16C1及圖16C2)。
在去除剩餘的溶劑49之後,藉由摩擦等對露出於遮罩48的開口部的第二支撐體42等施加應力。由此,可以去除與遮罩48的開口部重疊的第二支撐體42等。
另外,藉由使用使接合層30溶脹或溶解的溶劑,可以使第一被剝離層F3露出(參照圖16D1及圖16D2)。
注意,本實施方式可以與本說明書所示的其他實施方式及實施例適當地組合。
實施方式8
在本實施方式中,參照圖17A1至圖17B2說明能夠加工為本發明的一個實施方式的顯示模組的加工構件的結構。
圖17A1至圖17B2是說明能夠加工為疊層體的加工構件的結構的示意圖。
圖17A1是說明能夠加工為疊層體的加工構件80的結構的剖面圖,圖17A2是對應於圖17A1的俯視圖。
圖17B1是說明能夠加工為疊層體的加工構件90的其他結構的剖面圖,圖17B2是對應於圖17B1的俯視圖。
〈加工構件的結構例子1〉
加工構件80包括:第一基板F1;第一基板F1上的第一剝離層F2;其一個表面與第一剝離層F2相接的第一被剝離層F3;其一個表面與第一被剝離層F3的另一個表面相接的接合層30;以及與接合層30的另一個表面相接的基材S5(參照圖17A1至圖17A2)。
另外,也可以將剝離起點F3s設置在接合層30的端部附近。
〈〈第一基板〉〉
第一基板F1只要具有能夠經受製程的程度的耐熱性以及可適用於製造裝置的厚度及尺寸,就沒有特別的限制。
可以將有機材料、無機材料或有機材料和無機材料等的複合材料等用於第一基板F1。
例如可以將玻璃、陶瓷、金屬等無機材料用於第一基板F1。
明確而言,可以將無鹼玻璃、鈉鈣玻璃、鉀鈣玻璃或水晶玻璃等用於第一基板F1。
明確而言,可以將金屬氧化物膜、金屬氮化物膜或金屬氧氮化物膜等用於第一基板F1。例如,可以將氧化矽膜、氮化矽膜、氧氮化矽膜、氧化鋁膜等用於第一基板F1。
明確而言,可以將SUS(不鏽鋼)或鋁等用於第一基板F1。
例如,可以將樹脂、樹脂薄膜或塑膠等有機材料用於第一基板F1。
明確而言,可以將聚酯、聚烯烴、聚醯胺、聚醯亞胺、聚碳酸酯或丙烯酸樹脂等的樹脂薄膜或樹脂板用於第一基板F1。
例如,第一基板F1可以使用將金屬板、薄板狀的玻璃板或無機材料等的膜貼合於樹脂薄膜等的複合材料。
例如,第一基板F1可以使用將纖維狀或粒子狀的金屬、玻璃或無機材料等分散到樹脂薄膜而得到的複合材料。
例如,第一基板F1可以使用將纖維狀或粒子狀的樹脂或有機材料等分散到無機材料而得到的複合材料。
另外,可以將單層材料或層疊有多個層的疊層材料用於第一基板F1。例如,也可以將層疊有基材及用來防止包含在基材中的雜質擴散的絕緣層等的疊層材料用於第一基板F1。
明確而言,可以將層疊有玻璃與選自防止包含在玻璃中的雜質擴散的氧化矽膜、氮化矽膜或氧氮化矽膜等中的一種或多種的膜的疊層材料應用於第一基板F1。
或者,可以將層疊有樹脂與防止透過樹脂的雜質的擴散的氧化矽膜、氮化矽膜或氧氮化矽膜等的疊層材料應用於第一基板F1。
〈〈第一剝離層〉〉
第一剝離層F2設置在第一基板F1與第一被剝離層F3之間。第一剝離層F2是其附近形成有能夠分離第一基板F1與第一被剝離層F3的邊界的層。此外,第一剝離層F2只要可以將被剝離層形成於其上且具有能夠經受第一被剝離層F3的製程的程度的耐熱性,就沒有特別的限制。
例如可以將無機材料或有機樹脂等用於第一剝離層F2。
明確而言,作為第一剝離層F2,可以使用包含選自鎢、鉬、鈦、鉭、鈮、鎳、鈷、鋯、鋅、釕、銠、鈀、鋨、銥、矽中的元素的金屬、包含該元素的合金或者包含該元素的化合物等的無機材料。
明確而言,可以使用聚醯亞胺、聚酯、聚烯烴、聚醯胺、聚碳酸酯或丙烯酸樹脂等有機材料。
例如,可以將單層材料或層疊有多個層的材料用於第一剝離層F2。
明確而言,也可以將層疊有包含鎢的層與包含鎢氧化物的層的材料用於第一剝離層F2。
另外,包含鎢氧化物的層也可以使用在包含鎢的層上層疊其他層來形成。明確而言,也可以藉由在包含鎢的層上層疊氧化矽或氧氮化矽等的方法形成包含鎢氧化物的層。
此外,也可以藉由對包含鎢的層的表面進行熱氧化處理、氧電漿處理、 一氧化二氮(N2O)電漿處理或使用氧化性高的溶液(例如,臭氧水等)的處理等而形成包含鎢氧化物的層。
明確而言,可以將包含聚醯亞胺的層用作第一剝離層F2。包含聚醯亞胺的層具有能夠經受在形成第一被剝離層F3時所需的各種製程的程度的耐熱性。
例如,含聚醯亞胺的層具有200℃以上、較佳為250℃以上、更佳為300℃以上、進一步較佳為350℃以上的耐熱性。
可以使用藉由加熱形成於第一基板F1的包含單體的膜而縮合的包含聚醯亞胺的膜。
〈〈第一被剝離層〉〉
第一被剝離層F3只要可以從第一基板F1分離且具有能夠經受製程的程度的耐熱性,就沒有特別的限制。
能夠將第一被剝離層F3從第一基板F1分離的邊界既可以形成在第一被剝離層F3與第一剝離層F2之間,又可以形成在第一剝離層F2與第一基板F1之間。
當在第一被剝離層F3與第一剝離層F2之間形成邊界時,第一剝離層F2不包括在疊層體中,當在第一剝離層F2與第一基板F1之間形成邊界時,第一剝離層F2包括在疊層體中。
可以將無機材料、有機材料、單層材料或層疊有多個層的疊層材料等用於第一被剝離層F3。
例如,可以將金屬氧化物膜、金屬氮化物膜或金屬氧氮化物膜等無機材料用於第一被剝離層F3。
明確而言,可以將氧化矽膜、氮化矽膜、氧氮化矽膜、氧化鋁膜等用 於第一被剝離層F3。
例如,可以將樹脂、樹脂薄膜或塑膠等用於第一被剝離層F3。
明確而言,可以將聚醯亞胺膜等用於第一被剝離層F3。
例如,可以使用具有層疊有如下層的結構的材料:具有與第一剝離層F2重疊的區域的功能層;以及在第一剝離層F2與功能層之間的能夠防止損害該功能層的功能的雜質的擴散的絕緣層。
明確而言,將厚度為0.7mm的玻璃板用作第一基板F1,並將從第一基板F1一側依次層疊有厚度為200nm的氧氮化矽膜及厚度為30nm的鎢膜的疊層材料用於第一剝離層F2。並且,可以將包含從第一剝離層F2一側依次層疊有厚度為600nm的氧氮化矽膜及厚度為200nm的氮化矽膜的疊層材料的膜用作第一被剝離層F3。注意,氧氮化矽膜中的氧比氮多,而氮氧化矽膜中的氮比氧多。
明確而言,代替上述第一被剝離層F3,可以將包含從第一剝離層F2一側依次層疊有厚度為600nm的氧氮化矽膜、厚度為200nm的氮化矽膜、厚度為200nm的氧氮化矽膜、厚度為140nm的氮氧化矽膜以及厚度為100nm的氧氮化矽膜的疊層材料的膜用作第一被剝離層F3。
明確而言,可以使用從第一剝離層F2一側依次層疊有聚醯亞胺膜、包含氧化矽或氮化矽等的層及功能層的疊層材料。
〈〈功能層〉〉
功能層包括在第一被剝離層F3中。
例如,可以將功能電路、功能元件、光學元件、或功能膜等或者包含選自它們中的多個的層用作功能層。
明確而言,可以舉出能夠用於顯示裝置的顯示元件、驅動顯示元件的 像素電路、驅動像素電路的驅動電路、濾色片、防潮膜等或者包含選自它們中的多個的層。
〈〈接合層〉〉
接合層30只要是將第一被剝離層F3與基材S5接合的層,就沒有特別的限制。
可以將無機材料、有機材料或無機材料和有機材料的複合材料等用於接合層30。
例如,可以使用熔點為400℃以下,較佳為300℃以下的玻璃層或黏合劑等。
例如,可以將光固化型黏合劑、反應固化型黏合劑、熱固性黏合劑或/及厭氧型黏合劑等有機材料用於接合層30。
明確而言,可以使用包含環氧樹脂、丙烯酸樹脂、矽酮樹脂、酚醛樹脂、聚醯亞胺樹脂、亞胺樹脂、PVC(聚氯乙烯)樹脂、PVB(聚乙烯醇縮丁醛)樹脂、EVA(乙烯-醋酸乙烯酯)樹脂等的黏合劑。
〈〈基材〉〉
基材S5只要具有能夠經受製程的程度的耐熱性以及可適用於製造裝置的厚度及尺寸,就沒有特別的限制。
作為可以用於基材S5的材料,例如,可以使用與第一基板F1同樣的材料。
〈〈剝離起點〉〉
加工構件80的剝離起點F3s也可以設置在接合層30的端部附近。
剝離起點F3s具有從第一基板F1分離第一被剝離層F3的一部分的結構。
利用使用鋒利的尖端從第一基板F1一側刺入第一被剝離層F3的方法或使用雷射等的方法(例如雷射燒蝕法)等,可以從剝離層F2部分地剝離第一被剝離層F3。由此可以形成剝離起點F3s。
〈加工構件的結構例子2.〉
參照圖17B1及圖17B2說明能夠做成疊層體的與上述不同的加工構件的結構。
加工構件90與加工構件80的不同之處在於:接合層30的另一個表面與加工構件90的第二被剝離層S3的一個表面相接,而不與基材S5相接。
明確而言,加工構件90包括:形成有第一剝離層F2及其一個表面與第一剝離層F2相接的第一被剝離層F3的第一基板F1;形成有第二剝離層S2及其另一個表面與第二剝離層S2相接的第二被剝離層S3的第二基板S1;以及其一個表面與第一被剝離層F3的另一個表面相接且其另一個表面與第二被剝離層S3的一個表面相接的接合層30(參照圖17B1及圖17B2)。
〈〈第二基板〉〉
第二基板S1可以使用與第一基板F1相同的基板。另外,第二基板S1不一定需要採用與第一基板F1相同的結構。
〈〈第二剝離層〉〉
第二剝離層S2可以使用與第一剝離層F2相同的結構。另外,第二剝離層S2也可以採用與第一剝離層F2不同的結構。
〈〈第二被剝離層〉〉
第二被剝離層S3可以使用與第一被剝離層F3相同的結構。另外,第二被剝離層S3也可以採用與第一被剝離層F3不同的結構。
明確而言,也可以採用如下結構:第一被剝離層F3具備功能電路,第二被剝離層S3具備防止雜質向該功能電路的擴散的功能層。
明確而言,也可以採用如下結構:第一被剝離層F3具備向第二被剝離層S3發射光的發光元件、驅動該發光元件的像素電路及驅動該像素電路的驅動電路,並且第二被剝離層S3具備使發光元件所發射的光的一部分透過的濾色片及防止雜質向發光元件擴散的防潮膜。注意,具有該結構的加工構件可以做成能夠被用作具有撓性的顯示裝置的疊層體。
本實施方式可以與本說明書所示的其他實施方式及實施例適當地組合。
實施方式9
在本實施方式中,參照圖12A、圖12B、圖12C1及圖12C2、圖24A1、圖24A2、圖24A3、圖24B1、圖24B2、圖24C1及圖24C2對本發明的一個實施方式的資訊處理裝置的結構進行說明。
圖12A至圖12C2是說明本發明的一個實施方式的資訊處理裝置的圖。
圖12A是本發明的一個實施方式的資訊處理裝置3000A的投影圖。
圖12B是本發明的一個實施方式的資訊處理裝置3000B的投影圖。
圖12C1及圖12C2是本發明的一個實施方式的資訊處理裝置3000C的俯視圖及底面圖。
圖24A1至圖24C2是說明本發明的一個實施方式的資訊處理裝置的圖。
圖24A1至圖24A3是本發明的一個實施方式的資訊處理裝置4000A的投影圖。
圖24B1及圖24B2是本發明的一個實施方式的資訊處理裝置4000B的 投影圖。
圖24C1及圖24C2是本發明的一個實施方式的資訊處理裝置4000C的俯視圖及底面圖。
《資訊處理裝置A》
資訊處理裝置3000A包括輸入輸出部3120及支撐輸入輸出部3120的外殼3101(參照圖12A)。
輸入輸出部3120包括本發明的一個實施方式的顯示模組。例如,可以將實施方式3所示的顯示模組用於輸入輸出部3120。
此外,資訊處理裝置3000A包括運算部、儲存由運算部執行的程式的記憶部以及供應用來驅動運算部的電力的電池等電源。
另外,外殼3101容納運算部、記憶部或電池等。
資訊處理裝置3000A可以在其側面或/及頂面顯示資料。
資訊處理裝置3000A的使用者可以使用接觸於其側面或/及頂面的指頭供應操作指令。
《資訊處理裝置B》
資訊處理裝置3000B包括外殼3101及藉由鉸鏈連接到外殼3101的外殼3101b(參照圖12B)。
外殼3101支撐輸入輸出部3120。
外殼3101b支撐輸入輸出部3120b。
輸入輸出部3120或輸入輸出部3120b包括本發明的一個實施方式的顯示模組。例如,可以將實施方式3所示的顯示模組用於輸入輸出部3120。
此外,資訊處理裝置3000B包括運算部、儲存由運算部執行的程式的記憶部以及供應用來驅動運算部的電力的電池等電源。
外殼3101容納運算部、記憶部或電池等。
資訊處理裝置3000B可以在輸入輸出部3120或輸入輸出部3120b顯示資料。
資訊處理裝置3000B的使用者可以使用接觸於輸入輸出部3120或輸入輸出部3120b的指頭供應操作指令。
《資訊處理裝置C》
資訊處理裝置3000C包括輸入輸出部3120、支撐輸入輸出部3120的外殼3101及外殼3101b(參照圖12C1及圖12C2)。
輸入輸出部3120包括本發明的一個實施方式的顯示模組。例如,可以將實施方式3所示的顯示模組用於輸入輸出部3120。
此外,資訊處理裝置3000C包括運算部、儲存由運算部執行的程式的記憶部以及供應用來驅動運算部的電力的電池等電源。
另外,外殼3101容納運算部、記憶部或電池等。
《資訊處理裝置D》
資訊處理裝置4000A包括輸入輸出部4120及支撐輸入輸出部4120的外殼4101(參照圖24A1至圖24A3)。
輸入輸出部4120包括本發明的一個實施方式的顯示模組。例如,可以將實施方式3所示的顯示模組用於輸入輸出部4120。
此外,資訊處理裝置4000A包括運算部、儲存由運算部執行的程式的 記憶部以及供應用來驅動運算部的電力的電池等電源。
另外,外殼4101容納運算部、記憶部或電池等。
資訊處理裝置4000A可以在其側面或/及頂面顯示資料。
資訊處理裝置4000A的使用者可以使用接觸於其側面或/及頂面的指頭供應操作指令。
《資訊處理裝置E》
資訊處理裝置4000B包括外殼4101以及由鉸鏈與外殼4101連接的外殼4101b(參照圖24B1及圖24B2)。
外殼4101支撐輸入輸出部4120。
外殼4101b支撐輸入輸出部4120b。
輸入輸出部4120或輸入輸出部4120b包括本發明的一個實施方式的顯示模組。例如,可以將實施方式3所示的顯示模組用於輸入輸出部4120。
此外,資訊處理裝置4000B包括運算部、儲存由運算部執行的程式的記憶部以及供應用來驅動運算部的電力的電池等電源。
外殼4101容納運算部、記憶部或電池等。
資訊處理裝置4000B可以在輸入輸出部4120或輸入輸出部4120b顯示資料。
資訊處理裝置4000B的使用者可以使用接觸於輸入輸出部4120或輸入輸出部4120b的指頭供應操作指令。
《資訊處理裝置F》
資訊處理裝置4000C包括輸入輸出部4120、支撐輸入輸出部4120的外殼4101(參照圖24C1及圖24C2)。
輸入輸出部4120包括本發明的一個實施方式的顯示模組。例如,可以將實施方式3所示的顯示模組用於輸入輸出部4120。
此外,資訊處理裝置4000C包括運算部、儲存由運算部執行的程式的記憶部以及供應用來驅動運算部的電力的電池等電源。
另外,外殼4101容納運算部、記憶部或電池等。
注意,本實施方式可以與本說明書所示的其他實施方式及實施例適當地組合。
實施例1
在本實施例中,參照圖18A和圖18B對製造出的本發明的一個實施方式的顯示模組進行說明。
圖18A和圖18B是說明製造出的顯示模組的結構的圖及照片。圖18A是說明結構的剖面圖,圖18B是說明顯示狀態的照片。
《結構》
製造出的顯示模組600包括:端子619;支撐端子619的第一基材610;具有與第一基材610重疊的區域的第二基材670;能夠貼合第一基材610與第二基材670的接合層605;設置於第一基材610與第二基材670之間並與端子619電連接的顯示元件650;與端子619電連接的軟性印刷電路板FPC;以及與第一基材610、第二基材670、接合層605及軟性印刷電路板FPC接觸的絕緣層690(參照圖18A)。
另外,可以將0.7mm的無鹼玻璃板用於第一基材610及第二基材670。
將發射白光的有機EL元件用於顯示元件650。
另外,顯示模組在有機EL元件發射光的一側具有彩色層CF,彩色層CF具有與有機EL元件重疊的區域。
另外,顯示部包括3.4英寸(對角線)的顯示區域、驅動電路SD以及驅動電路GD。顯示區域包括以主動矩陣方式驅動的多個像素。
具體地,顯示區域在行方向上具有540個像素,在列方向上具有960個像素,像素在行方向上以78μm的像素間距,在列方向上以78μm的像素間距配置。顯示區域的清晰度為326ppi。
像素具有44.4%的開口率。另外,像素電路包括在通道中具有氧化物半導體的電晶體。另外,將相對於像素面積的顯示元件650的面積的比例稱為開口率。
驅動電路SD能夠對像素電路提供影像信號,驅動電路GD能夠對像素電路提供選擇信號。驅動電路SD及驅動電路GD包括和像素電路在同一製程形成的電晶體。
絕緣層690含有氧化鋁。
絕緣層690的製造採用原子層沉積法。具體地,作為原料使用三甲基鋁(TMA,化學式為Al(CH3)3)和臭氧,並利用了熱ALD法。
《評價》
對製造出的顯示模組600進行了評價。具體地,在溫度85℃、濕度85%的環境中進行保存,對顯示品質的經時變化進行了評價。圖18B示出對具有相同結構的兩個顯示模組600進行評價的結果。另外,在圖中將兩個顯示模組600中的一個記作Sample 1,將另一個記作Sample 2。
在溫度85℃、濕度85%的環境中保存了120小時的顯示模組600的顯 示品質與初始狀態沒有變化。由此,實現了抑制雜質擴散至配置於由第一基材610、第二基材670及絕緣層690包圍的區域中的包括有機EL元件的顯示元件650。由此,可以提供具有優良可靠性的新穎的顯示模組600。
實施例2
在本實施例中,參照圖19A、圖19B、圖19C1、圖19C2、圖20A、圖20B、圖21A至圖21C及圖22對製造出的本發明的一個實施方式的顯示模組進行說明。
圖19A是說明製造出的顯示模組1600的絕緣層1690的製造方法的示意圖,圖19B是說明製造出的顯示模組1600的結構的示意圖。圖19C1是說明圖19B中由圓形虛線示出的區域的顯示模組1600的結構的掃描穿透式電子顯微鏡(STEM:Scanning Transmission Electron Microscope)照片,圖19C2是利用能量色散X射線性分析法(EDX:Energy Dispersive X-ray Spectrometry)對同一區域進行觀察的照片。
圖20A是說明製造出的顯示模組1600的外觀的照片。圖20B是說明製造出的顯示模組1600的顯示品質的照片。
圖21A是說明彎曲試驗機的外觀的照片,圖21B是說明彎曲試驗機的工作的示意圖。圖21C是說明鉛筆硬度試驗機的外觀的照片以及被支撐的鉛筆的狀態的示意圖。
圖22是說明能夠用於絕緣層1690的材料的對可見光的透射率的圖。
《結構》
製造出的顯示模組1600包括:端子;由端子支撐的第一基材1610;具有與第一基材1610重疊的區域的第二基材1670;能夠貼合第一基材1610與第二基材1670的接合層1605;設置於第一基材1610與第二基材1670之間並與端子電連接的顯示元件1650;與端子電連接的軟性印刷電路板;以及與第一基材1610、第二基材1670、接合層1605及軟性印刷電路板接觸的 絕緣層1690(參照圖19B)。另外,還包括具有與顯示元件1650重疊的區域的彩色層CF。
另外,將如下疊層體用於第一基材1610,該疊層體包括:障壁膜1610a;具有撓性的基材1610b;貼合障壁膜1610a與具有撓性的基材1610b的樹脂層1610c。
將包含氧化矽膜及氮化矽膜等的厚度為1.2μm的疊層膜用於障壁膜1610a。
樹脂層1610c使用環氧樹脂。
第二基材1670採用與第一基材1610相同的結構。
接合層1605使用環氧樹脂。另外,第一基材1610與第二基材1670之間的間隔為5μm。另外,藉由對製造出的顯示模組1600的剖面進行觀察可知側端面被含有鋁的膜覆蓋(參照圖19C1及圖19C2)。
另外,顯示模組1600還具有配置為矩陣狀的像素1602。配置為矩陣狀的像素1602包括像素電路1602c和顯示元件1650。
將通道蝕刻型電晶體用於像素電路1602c。另外,將含有銦、鎵、鋅的氧化物半導體用於電晶體。另外,採用在大致垂直於基材表面的方向上進行c軸配向的結晶氧化物半導體。
另外,將在大致垂直於基材表面的方向上進行c軸配向的結晶氧化物半導體稱為CAAC-OS(C-Axis-Aligned-Crystal Oxide Semiconductor)。CAAC-OS的能帶間隙內的缺陷能階密度低,使用CAAC-OS的電晶體具有優良的特性及可靠性。
顯示元件1650採用發射白光的串聯型的有機EL元件。
下表示出製造出的顯示模組1600的特徵,圖20A示出其外觀。
《製造方法》
以與一個製程用基板上形成的鎢膜接觸的方式形成障壁膜1610a。另外,障壁膜1610a與鎢膜之間形成有含有氧化鎢的膜。
將佈線及像素電路1602c形成於障壁膜1610a上,並利用真空蒸鍍法形成具有與像素電路1602c重疊的區域的顯示元件1650。
以與其他的製程用基板上形成的鎢膜接觸的方式形成障壁膜1670a。另外,將彩色層CF形成於障壁膜1670a上。
將顯示元件1650和彩色層CF重疊地配置,並使用環氧樹脂對其進行貼合。
藉由進行雷射照射使障壁膜1610a的一部分與鎢膜分離,形成剝離起點。可以使其間夾有含有氧化鎢的膜的障壁膜1610a與鎢膜分離。
在將障壁膜1610a從形成有鎢膜的製程用基板分離之後,使用樹脂層1610c貼合障壁膜1610a與具有撓性的基材1610b。
使障壁膜1670a的一部分與鎢膜分離,形成剝離起點。
在將障壁膜1670a從形成有鎢膜的製程用基板分離之後,使用樹脂層 1670c貼合障壁膜1670a與具有撓性的基材1670b。
以TMA及臭氧為原料,利用熱ALD法形成絕緣層1690。另外,圖22示出具有利用與上述熱ALD法相同方法形成在玻璃基板上的厚度為100nm的絕緣層的材料的對可見光的透射率、以及玻璃基板的透射率。由於製造出的材料對可見光具有高透射率,所以適用於顯示模組的顯示面。
《評價》
對製造出的顯示模組1600進行評價。
《高溫高濕環境下的保存試驗》
在溫度65℃、濕度95%的環境下將顯示模組1600保存800小時,對顯示品質的經時變化進行了評價。圖20B示出保存前、保存100小時後、保存240小時後、保存500小時後及保存800小時後在整個螢幕顯示白色影像的結果。另外,作為保存800小時後的顯示模組1600,還以強調對比度的方式示出將顯示區域的端部擴大4倍的照片。
《彎曲試驗》
以每分鐘彎曲43次的頻率反復進行10萬次之後,在溫度65℃、濕度95%的環境下保存24小時以上,對顯示品質的變化進行評價。另外,分別對以使顯示面位於內側的方式彎曲時的情況及以使顯示面位於外側的方式彎曲時的情況進行了評價。下表示出其結果。圖21A示出彎曲試驗機的外觀。
除了使顯示面位於內側並以曲率半徑3mm進行彎曲的情況之外,在彎曲試驗中呈現了良好的耐受性。
當使顯示面位於內側並以曲率半徑3mm進行彎曲時,絕緣層1690出現裂縫。但是,不影響顯示品質。
《鉛筆硬度試驗》
在利用鉛筆硬度試驗機對顯示模組1600施加負荷時,對不會使顯示模組1600表面受損的鉛筆或者不會造成顯示缺陷的鉛筆中最硬的芯的硬度進行了調查。
圖21C示出鉛筆硬度試驗機的外觀。鉛筆硬度試驗機備有被削成圓柱狀的先端平坦的芯,鉛筆芯以相對於顯示模組成45°角的方式被支撐並以750gf的壓力按壓水平放置的顯示模組的表面。
邊移動鉛筆硬度試驗機邊用鉛筆芯對顯示模組的表面進行掃描。另外,沒有形成有絕緣層1690的顯示模組經受住了使用3H鉛筆的鉛筆硬度試驗,沒有損傷也沒有出現顯示缺陷。
形成有絕緣層1690的顯示模組1600經受住了使用4H鉛筆的鉛筆硬度試驗,證實了絕緣層1690的效果。
例如,在本說明書等中,當明確地記載為“X與Y連接時,意味著如下情況:X與Y電連接;X與Y在功能上連接;X與Y直接連接。因此,不侷限於規定的連接關係(例如,圖式或文中所示的連接關係等),圖式或文中所示的連接關係以外的連接關係也包含於圖式或文中所記載的內容中。
這裡,X和Y為物件(例如,裝置、元件、電路、佈線、電極、端子、導電膜及層等)。
作為X與Y直接連接的情況的一個例子,可以舉出在X與Y之間沒有連接能夠電連接X與Y的元件(例如開關、電晶體、電容元件、電感器、電阻元件、二極體、顯示元件、發光元件及負載等),並且X與Y沒有藉由能夠電連接X與Y的元件(例如開關、電晶體、電容元件、電感器、電阻 元件、二極體、顯示元件、發光元件及負載等)連接的情況。
作為X與Y電連接的情況的一個例子,例如可以在X與Y之間連接一個以上的能夠電連接X與Y的元件(例如開關、電晶體、電容元件、電感器、電阻元件、二極體、顯示元件、發光元件及負載等)。另外,開關具有控制開啟和關閉的功能。換言之,藉由使開關處於導通狀態(開啟狀態)或非導通狀態(關閉狀態)來控制是否使電流流過。或者,開關具有選擇並切換電流路徑的功能。另外,X與Y電連接的情況包括X與Y直接連接的情況。
作為X與Y在功能上連接的情況的一個例子,例如可以在X與Y之間連接一個以上的能夠在功能上連接X與Y的電路(例如,邏輯電路(反相器、NAND電路、NOR電路等)、信號轉換電路(DA轉換電路、AD轉換電路、伽瑪校正電路等)、電位位準轉換電路(電源電路(升壓電路、降壓電路等)、改變信號的電位位準的位準轉移電路等)、電壓源、電流源、切換電路、放大電路(能夠增大信號振幅或電流量等的電路、運算放大器、差動放大電路、源極隨耦電路、緩衝電路等)、信號產生電路、記憶體電路、控制電路等)。注意,例如,即使在X與Y之間夾有其他電路,當從X輸出的信號傳送到Y時,也可以說X與Y在功能上是連接著的。另外,X與Y在功能上連接的情況包括X與Y直接連接的情況及X與Y電連接的情況。
此外,當明確地記載為X與Y電連接時,在本說明書等中意味著如下情況:X與Y電連接(亦即,以中間夾有其他元件或其他電路的方式連接X與Y);X與Y在功能上連接(亦即,以中間夾有其他電路的方式在功能上連接X與Y);X與Y直接連接(亦即,以中間不夾有其他元件或其他電路的方式連接X與Y)。亦即,在本說明書等中,當明確地記載為電連接時與只明確地記載為連接時的情況相同。
注意,例如,在電晶體的源極(或第一端子等)藉由Z1(或沒有藉由Z1)與X電連接,電晶體的汲極(或第二端子等)藉由Z2(或沒有藉由Z2)與Y電連接的情況下以及在電晶體的源極(或第一端子等)與Z1的一部分 直接連接,Z1的另一部分與X直接連接,電晶體的汲極(或第二端子等)與Z2的一部分直接連接,Z2的另一部分與Y直接連接的情況下,可以表示為如下。
例如,可以表示為“X、Y、電晶體的源極(或第一端子等)與電晶體的汲極(或第二端子等)互相電連接,X、電晶體的源極(或第一端子等)、電晶體的汲極(或第二端子等)、Y依次電連接”。或者,可以表示為“電晶體的源極(或第一端子等)與X電連接,電晶體的汲極(或第二端子等)與Y電連接,X、電晶體的源極(或第一端子等)、電晶體的汲極(或第二端子等)、Y依次電連接”。或者,可以表示為“X藉由電晶體的源極(或第一端子等)及汲極(或第二端子等)與Y電連接,X、電晶體的源極(或第一端子等)、電晶體的汲極(或第二端子等)、Y依次設置為相互連接”。藉由使用與這種例子相同的表示方法規定電路結構中的連接順序,可以區別電晶體的源極(或第一端子等)與汲極(或第二端子等)而決定技術範圍。
另外,作為其他表示方法,例如可以表示為“電晶體的源極(或第一端子等)至少經過第一連接路徑與X電連接,所述第一連接路徑不具有第二連接路徑,所述第二連接路徑是電晶體的源極(或第一端子等)與電晶體的汲極(或第二端子等)之間的路徑,所述第一連接路徑是經過Z1的路徑,電晶體的汲極(或第二端子等)至少經過第三連接路徑與Y電連接,所述第三連接路徑不具有所述第二連接路徑,所述第三連接路徑是經過Z2的路徑”。或者,也可以表示為“電晶體的源極(或第一端子等)至少經過第一連接路徑,藉由Z1與X電連接,所述第一連接路徑不具有第二連接路徑,所述第二連接路徑具有藉由電晶體的連接路徑,電晶體的汲極(或第二端子等)至少經過第三連接路徑,藉由Z2與Y電連接,所述第三連接路徑不具有所述第二連接路徑”。或者,也可以表示為“電晶體的源極(或第一端子等)至少經過第一電路徑,藉由Z1與X電連接,所述第一電路徑不具有第二電路徑,所述第二電路徑是從電晶體的源極(或第一端子等)到電晶體的汲極(或第二端子等)的電路徑,電晶體的汲極(或第二端子等)至少經過第三電路徑,藉由Z2與Y電連接,所述第三電路徑不具有第四電路徑,所述第四電路徑是從電晶體的汲極(或第二端子等)到電晶體 的源極(或第一端子等)的電路徑”。藉由使用與這種例子同樣的表示方法規定電路結構中的連接路徑,可以區別電晶體的源極(或第一端子等)和汲極(或第二端子等)來決定技術範圍。
注意,這種表示方法只是一個例子而已,不侷限於上述表示方法。在此,X、Y、Z1及Z2為物件(例如,裝置、元件、電路、佈線、電極、端子、導電膜及層等)。
另外,即使圖式示出在電路圖上獨立的構成要素彼此電連接,也有一個構成要素兼有多個構成要素的功能的情況。例如,在佈線的一部分被用作電極時,一個導電膜兼有佈線和電極的兩個構成要素的功能。因此,本說明書中的電連接的範疇內還包括這種一個導電膜兼有多個構成要素的功能的情況。
ACF‧‧‧異方性導電膜
FPC‧‧‧軟性印刷電路板
300‧‧‧顯示模組
305‧‧‧接合層
310‧‧‧基材
310a‧‧‧障壁膜
310b‧‧‧基材
310c‧‧‧樹脂層
311‧‧‧佈線
319‧‧‧端子
350‧‧‧顯示元件
370‧‧‧基材
370a‧‧‧障壁膜
370b‧‧‧基材
370c‧‧‧樹脂層
390‧‧‧絕緣層
391‧‧‧開口部

Claims (8)

  1. 一種顯示模組,包括:端子;第一基材;具有與該第一基材重疊的第一區域的第二基材;接合層;該第一基材與該第二基材之間的顯示元件,該顯示元件與該端子電連接;與該端子電連接的撓性印刷電路;以及與該第一基材、該第二基材、該接合層及該撓性印刷電路接觸的絕緣層,其中,該第一基材具有撓性,該第一基材支撐該端子,該第二基材具有撓性,並且,該接合層貼合該第一基材和該第二基材。
  2. 根據申請專利範圍第1項之顯示模組還包括樹脂層,其中該絕緣層具有夾在該接合層與該樹脂層之間的第二區域。
  3. 根據申請專利範圍第1項之顯示模組,其中該顯示元件具有含有發光有機化合物的層。
  4. 根據申請專利範圍第1項之顯示模組還包括驅動電路,其中該驅動電路與距其最近的該第一基材的端部或該第二基材的端部的距離大於0mm且為1.0mm以下。
  5. 根據申請專利範圍第1項之顯示模組還包括驅動電路,其中該驅動電路設置於該顯示元件與該第一基材的端部之間,並且該驅動元件與距其最近的該第一基材的該端部或該第二基材的端部的距離大於0mm且為4.0mm以下。
  6. 根據申請專利範圍第1項之顯示模組,其中該顯示元件與距其最近的該第一基材的端部或該第二基材的端部的距離大於0mm且為3.0mm以下。
  7. 一種顯示模組,包括:第一端子部;第二端子部; 第一基材;第二基材;接合層;該第一基材與該第二基材之間的顯示元件,該顯示元件與該第一端子部電連接;該第一基材與該第二基材之間的觸控感測器,該觸控感測器與該第二端子部電連接;與該第一端子部電連接的第一撓性印刷電路;與該第二端子部電連接的第二撓性印刷電路;以及與該第一基材、該第二基材、該接合層、該第一撓性印刷電路及該第二撓性印刷電路接觸的絕緣層,其中,該第一基材具有撓性,該第一基材支撐該第一端子部,該第二基材具有撓性,該第二基材支撐與該第一基材重疊的第一區域及該第二端子部,該接合層貼合該第一基材和該第二基材,並且,該顯示元件具有含有發光有機化合物的層。
  8. 一種根據申請專利範圍第1項之顯示模組的製造方法,包括如下步驟:第一步驟,在該步驟中準備包括該端子、支撐該端子的該第一基材、具有與該第一基材重疊的第一區域的該第二基材、貼合該第一基材及該第二基材的該接合層、設置於該第一基材與該第二基材之間並與該端子電連接的該顯示元件以及與該端子電連接的該撓性印刷電路的加工構件,並在與該撓性印刷電路的端子部重疊的第三區域中形成遮罩;第二步驟,在該步驟中利用原子層沉積法形成與該第一基材、該第二基材、該接合層及該撓性印刷電路接觸的該絕緣層;以及第三步驟,在該步驟中與該遮罩一起去除該絕緣層的一部分,並在該絕緣層的第四區域中形成開口,該第四區域與該撓性印刷電路的該端子部重疊。
TW104138632A 2014-11-28 2015-11-20 顯示模組及顯示模組的製造方法 TW201631563A (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014241556 2014-11-28
JP2014242992 2014-12-01
JP2015045490 2015-03-09
JP2015129863 2015-06-29

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW201631563A true TW201631563A (zh) 2016-09-01

Family

ID=56073695

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW104138632A TW201631563A (zh) 2014-11-28 2015-11-20 顯示模組及顯示模組的製造方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20160155984A1 (zh)
JP (1) JP2017009983A (zh)
TW (1) TW201631563A (zh)
WO (1) WO2016083934A1 (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI674466B (zh) * 2018-07-30 2019-10-11 友達光電股份有限公司 顯示面板及其製造方法
TWI708967B (zh) * 2017-04-13 2020-11-01 日商日東電工股份有限公司 影像顯示裝置之製造方法及影像顯示裝置

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9269914B2 (en) * 2013-08-01 2016-02-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, electronic device, and lighting device
WO2016067159A1 (en) 2014-10-28 2016-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Functional panel, method for manufacturing the same, module, data processing device
KR102456654B1 (ko) 2014-11-26 2022-10-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 전자 기기
US9766763B2 (en) * 2014-12-26 2017-09-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Functional panel, light-emitting panel, display panel, and sensor panel
US10558265B2 (en) 2015-12-11 2020-02-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Input device and system of input device
KR102570314B1 (ko) * 2016-06-08 2023-08-24 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
US10141544B2 (en) 2016-08-10 2018-11-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electroluminescent display device and manufacturing method thereof
US11177373B2 (en) * 2016-11-03 2021-11-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP2020064704A (ja) * 2017-02-22 2020-04-23 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
KR102561618B1 (ko) * 2017-12-28 2023-07-28 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN109671758A (zh) * 2018-12-18 2019-04-23 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置
CN111370445A (zh) * 2018-12-26 2020-07-03 陕西坤同半导体科技有限公司 柔性显示屏及其制作方法和应用
CN109884830B (zh) * 2019-02-28 2021-09-21 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、显示装置、掩模板
CN110197878A (zh) * 2019-05-24 2019-09-03 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种柔性有机发光二极管显示面板
KR20200135659A (ko) 2019-05-24 2020-12-03 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2760413B2 (ja) * 1990-12-21 1998-05-28 アルプス電気株式会社 液晶表示素子
TW507258B (en) * 2000-02-29 2002-10-21 Semiconductor Systems Corp Display device and method for fabricating the same
US6956324B2 (en) * 2000-08-04 2005-10-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method therefor
US6605826B2 (en) * 2000-08-18 2003-08-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and display device
TW546857B (en) * 2001-07-03 2003-08-11 Semiconductor Energy Lab Light-emitting device, method of manufacturing a light-emitting device, and electronic equipment
JP2009244303A (ja) * 2008-03-28 2009-10-22 Hitachi Displays Ltd 液晶表示装置
US8325309B2 (en) * 2008-09-23 2012-12-04 Apple Inc. Display having a plurality of driver integrated circuits
US8911653B2 (en) * 2009-05-21 2014-12-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing light-emitting device
US8450838B2 (en) * 2009-08-11 2013-05-28 Seiko Epson Corporation Electro-optic apparatus, electronic device, and method for manufacturing electro-optic apparatus
KR101855245B1 (ko) * 2011-07-13 2018-05-08 삼성전자 주식회사 터치스크린패널 능동형유기발광다이오드 표시장치
JP2013029568A (ja) * 2011-07-27 2013-02-07 Sumitomo Chemical Co Ltd 表示装置およびその製造方法
WO2013018591A1 (ja) * 2011-07-29 2013-02-07 シャープ株式会社 タッチパネル基板および電気光学装置
TW201322382A (zh) * 2011-11-17 2013-06-01 Wintek Corp 電致發光顯示裝置
KR102245511B1 (ko) * 2012-12-27 2021-04-28 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 유기 발광 표시 장치 및 플렉서블 유기 발광 표시 장치 제조 방법
JP5929775B2 (ja) * 2013-02-08 2016-06-08 コニカミノルタ株式会社 ガスバリア性フィルムおよびその製造方法、ならびに前記ガスバリア性フィルムを含む電子デバイス
WO2014175296A1 (en) * 2013-04-24 2014-10-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI708967B (zh) * 2017-04-13 2020-11-01 日商日東電工股份有限公司 影像顯示裝置之製造方法及影像顯示裝置
TWI674466B (zh) * 2018-07-30 2019-10-11 友達光電股份有限公司 顯示面板及其製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2016083934A1 (en) 2016-06-02
JP2017009983A (ja) 2017-01-12
US20160155984A1 (en) 2016-06-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW201631563A (zh) 顯示模組及顯示模組的製造方法
JP6612055B2 (ja) 入出力装置
JP6474648B2 (ja) 検知器および入力装置
JP6874109B2 (ja) 機能パネル
JP7032073B2 (ja) 表示装置及び半導体装置
JP7462013B2 (ja) 表示装置
JP2021184105A (ja) 表示装置
JP6362412B2 (ja) 入出力装置
JP2018045196A (ja) 表示装置または表示装置を有する電子機器
JP2015176254A (ja) 情報処理装置