WO2013018591A1

WO2013018591A1 - タッチパネル基板および電気光学装置

Info

Publication number: WO2013018591A1
Application number: PCT/JP2012/068740
Authority: WO
Inventors: 有史八代; 杉田　靖博; 和寿木田; 山岸　慎治; 小川　裕之
Original assignee: シャープ株式会社
Priority date: 2011-07-29
Filing date: 2012-07-24
Publication date: 2013-02-07
Also published as: US9285842B2; TW201314528A; TWI492109B; US20140152921A1

Abstract

　絶縁基板（２１）と対向電極（２７）との間に設けられたセンサ電極（３１）が、第１の方向に配列された複数の電極（３２）と、第１の方向と交差する第２の方向に、電極（３２）とは絶縁して配列された複数の電極（３３）とを備え、これら電極（３２・３３）が同一面内に形成されている。

Description

タッチパネル基板および電気光学装置

　本発明は、インセル型のタッチパネルに用いられるタッチパネル基板および該タッチパネル基板を備えた電気光学装置に関するものである。

　近年、装置の小型化を図るため、表示部と入力部とが一体化された表示装置等の電気光学装置が広く普及している。特に、携帯電話機、ＰＤＡ（Personal Digital Assistants）、ノート型パーソナルコンピュータ等の携帯端末では、指や入力用のペンを表示表面に接触させると、その接触位置を検出することができるタッチパネルを備えた表示装置が広く用いられている。

　タッチパネルとしては、従来、いわゆる抵抗膜（感圧）方式や静電容量方式等、種々のタイプのタッチパネルが知られている。そのなかでも、静電容量方式を用いた、いわゆる静電容量型のタッチパネルが広く用いられている。

　静電容量型のタッチパネルでは、指や入力用のペンを表示画面に接触させたときの静電容量の変化を検出することで接触位置を検出する。このため、簡便な操作で接触位置を検出することができる。

　また、静電容量型のタッチパネルでは、抵抗膜方式を用いたタッチパネルのように空気層を挟んで２枚の導電膜を形成する必要がないことから、空気層と導電膜との界面における外光の界面反射が生じない。

　しかしながら、一方で、静電容量型のタッチパネルは、静電容量の変化を検出することで接触位置を検出することから、タッチパネルが外部からノイズを受けると、このノイズによって電気力線が変化し、接触位置を正しく検出することができないおそれがある。

　従来、タッチパネルとしては、表示パネルの外側に搭載されるアウトセル（Out-Cell）型またはオンセル（On-Cell）型のタッチパネル（例えば、特許文献１参照）が広く用いられている。

　しかしながら、表示パネルの外側にタッチパネルを設けた場合、表示を行いながらタッチパネル動作を行う際に、表示パネルから輻射ノイズが発生し、タッチパネルが受けるノイズ量が増加するという問題がある。

　このため、表示パネルの外側にタッチパネルを設けた場合、ＳＮ比（信号対雑音比）が低下し、この結果、タッチパネルの検出性能が低下することで、接触位置を誤検出するおそれがある。

　また、表示パネルの外側にタッチパネルを設けた場合、表示パネルにタッチパネルを重ねて設けることで、装置全体の厚みや重量が増大するという問題が発生する。

　しかも、表示パネルの外側にタッチパネルを搭載することで、タッチパネルの表面だけでなく、タッチパネルと表示パネルとの界面において外光が反射することで、コントラストや視認性に悪影響を及ぼす。また、表示パネルの外側にタッチパネルを搭載することで、タッチパネルそのものによっても視認性が低下する。

　そこで、近年、薄型軽量化および視認性の向上、並びに、インセル化による部品点数削減等のコストメリットの観点から、表示パネル等におけるセル内にタッチパネルを組み込んだインセル（In-Cell）型のタッチパネルの開発が進められている（例えば、特許文献２、３、５参照）。

　インセル型のタッチパネルとしては、代表的には、表示パネルあるいは表示装置等の電気光学装置を構成する、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）基板等のアレイ基板と、ＣＦ（カラーフィルタ）基板等の対向基板との間に、物体の接触位置を検出する位置検出電極である所謂センサ電極を作り込んだ構造が挙げられる。

　特許文献２、３、５では、ＣＦ基板における絶縁基板と、ＩＴＯ（酸化インジウム錫）からなる透明な対向電極との間にセンサ電極を作り込んでおり、インセル型のタッチパネルを構成するタッチパネル基板（言い換えれば、インセル方式のタッチパネル基板）として、ＣＦ基板を用いている。

　図４９は、特許文献２に記載の表示装置の構成を示す断面図であり、図５０は、図４９に示すＨ－Ｈ線に沿った断面から見たセンサ電極の構成を示す平面図である。

　図４９に示すように、特許文献２に記載の表示装置３００は、ＴＦＴ基板３０１とＣＦ基板３０２との間に液晶層３０３が挟持された表示パネル３０４を備えている。

　ＣＦ基板３０２における絶縁基板３１１と対向電極３１９（共通電極）との間には、遮光部３１６（ＢＭ）と、隣り合う遮光部３１６間に設けられた複数の着色層３１７（ＣＦ）とからなるＣＦ層３１８が設けられている。また、ＣＦ層３１８と絶縁基板３１１との間には、センサ電極として、第１電極層３１２と第２電極層３１４とが設けられている。第１電極層３１２と第２電極層３１４との間には、絶縁層３１３が設けられている。

　図４９および図５０に示すように、第１電極層３１２は、第１の方向に延びる直線状のライン部３１２ａと、ライン部３１２ａから膨出した膨出部３１２ｂとを有している。また、第２電極層３１４は、第１の方向に直交する第２の方向に延びる直線状のライン部３１４ａと、ライン部３１４ａから膨出した膨出部３１４ｂとを有している。

　図５１は、インセル型のタッチパネルを構成するタッチパネル基板として用いられる、特許文献２、３に記載の表示装置３００におけるＣＦ基板３０２の要部の構成を、積層順に模式的に示す断面図である。なお、図５１は、図４９に示す表示装置３００におけるＣＦ基板３０２の要部の構成を模式的に示す断面図に相当する。

　なお、特許文献１では、図４９に示すように、ＣＦ層３１８と対向電極３１９との間に、ＣＦ層３１８側から、絶縁層３２０およびシールド電極３２１が設けられているが、ここでは、絶縁層３２０およびシールド電極３２１の図示は省略する。また、図５１では、遮光部３１６（ＢＭ）と着色層３１７（ＣＦ）とが積層して記載されているが、遮光部３１６と着色層３１７とは、図４９に示すように、ほぼ同層に設けられている。

　なお、特許文献２、３には、第１電極層３１２および第２電極層３１４として、面状（シート状）の透明導電体に代えて、例えば格子状（メッシュ状）にパターニングされた金属を用いてもよいことが開示されている。

　また、特許文献５には、絶縁層を挟んで対向配置された、センサ電極を構成する一方の導電層に黒マトリックス層を使用することが開示されている。

日本国公開特許公報「特開２０１０－７２５８４号公報（２０１０年４月２日公開）」日本国公開特許公報「特開２０１０－７２５８１号公報（２０１０年４月２日公開）」日本国公開特許公報「特開２０１０－１６０７４５号公報（２０１０年７月２２日公開）」米国特許第６４５２５１４号（２００２年９月１７日登録）日本国特許公報「第３５２６４１８号公報（２００４年２月２７日登録）」

　しかしながら、図５１あるいは特許文献５に示すように、センサ電極を、例えば第１電極層３１２と第２電極層３１４との２層構造のように、絶縁層を介して積層された導電層からなる２層構造とすると、第２電極層３１４と対向電極３１９との間の距離が近く、寄生容量が大きくなる。寄生容量が大きいと、位置検出を正しく行うことができないおそれがあり、タッチパネルとして正常に動作しないおそれがある。

　また、第１電極層３１２および第２電極層３１４を透明導電体（すなわち、透明電極）のみで構成すると、配線抵抗が大きくなる。このため、ＣＲ時定数（コンデンサ×抵抗）が大きくなり、タッチパネルとして正常に動作しないおそれがある。また、動作可能にするためには、プロセスコストが大きいという課題がある。

　一方、第１電極層３１２および第２電極層３１４を格子状の金属で形成した場合、第１電極層３１２および第２電極層３１４を面状の透明電極で形成した場合と比較すれば、寄生容量は小さくなる。しかしながら、この場合でも、センサ電極を、第１電極層３１２と第２電極層３１４との２層構造としていることで、第２電極層３１４と対向電極３１９との間の距離が近く、寄生容量は大きい。

　また、第１電極層３１２および第２電極層３１４を格子状の金属で形成した場合、検出信号が小さくなり、タッチパネルとして正常に動作しないおそれがある。

　このように、寄生容量や配線抵抗は、タッチパネルの性能並びに動作に大きく影響する。

　本発明は、上記問題点に鑑みなされたものであり、その目的は、位置検出性能が高く、安定した位置検出動作を行うことができる、インセル型のタッチパネルに用いられるタッチパネル基板および該タッチパネル基板を備えた電気光学装置を提供することにある。

　特に、本発明は、寄生容量が小さいタッチパネル基板および該タッチパネル基板を備えた電気光学装置を提供することを目的としている。また、本発明は、上記タッチパネル基板の配線抵抗を低下させることをさらなる目的としている。

　本発明にかかるタッチパネル基板は、上記の課題を解決するために、電気光学素子を挟持する一対の基板のうち一方の基板として用いられ、静電容量の変化により検出対象物の指示座標の位置を検出する位置検出電極が設けられたタッチパネル基板であって、絶縁基板と、上記電気光学素子に電界を印加する電気光学素子駆動電極と、上記絶縁基板と電気光学素子駆動電極との間に、上記電気光学素子駆動電極から絶縁されて設けられた上記位置検出電極とを備え、上記位置検出電極は、第１の方向に配列された複数の第１の電極と、上記第１の方向と交差する第２の方向に、上記第１の電極とは絶縁して配列された複数の第２の電極とを備え、上記第１の電極と第２の電極とは、同一面内に形成されていることを特徴としている。

　上記の構成によれば、上記第１の電極と第２の電極とが同一面内に形成されていることで、第１の電極および第２の電極と電気光学素子駆動電極との間の距離を稼ぐことができる。したがって、第１の電極と第２の電極とを別層に設ける場合と比較して、第１の電極および第２の電極と電気光学素子駆動電極との間の寄生容量（すなわち、位置検出電極と電気光学素子駆動電極との間の寄生容量）を小さくすることができる。

　このため、上記の構成によれば、位置検出性能が高く、安定した位置検出動作を行うことができる、インセル型のタッチパネルに用いられるタッチパネル基板を提供することができる。

　また、上記の構成によれば、上記第１の電極と第２の電極とが同一面内に形成されていることで、第１の電極および第２の電極と電気光学素子駆動電極との間の距離を稼ぐことができるので、第１の電極および第２の電極を面状パターン（平面パターン）とした場合であっても、上記寄生容量を小さくすることができる。このため、検出信号の大きさを確保したまま、上記寄生容量を小さくすることができる。

　また、上記の構成によれば、第１の電極と第２の電極とを同一面内に形成することで、第１の電極と第２の電極とを同一材料で同時に形成することができる。したがって、プロセスコストを低減することができる。

　また、本発明にかかる電気光学装置は、上記の課題を解決するために、電気光学素子と、上記電気光学素子を挟持する一対の基板とを備え、上記一対の基板のうち一方の基板が、上記タッチパネル基板であることを特徴としている。

　上記の構成によれば、上記一対の基板のうち一方の基板として上記タッチパネル基板を用いることで、位置検出性能が高く、安定した位置検出動作を行うことができる、インセル型のタッチパネルを備えたタッチパネル一体型の電気光学装置を提供することができる。

　以上のように、本発明にかかるタッチパネル基板および電気光学装置は、絶縁基板と電気光学素子駆動電極との間に設けられた位置検出電極が第１の電極および第２の電極を備え、これら第１の電極と第２の電極とが同一面内に形成されている構成を有している。

　したがって、第１の電極および第２の電極と電気光学素子駆動電極との間の距離を稼ぐことができ、位置検出電極と電気光学素子駆動電極との間の寄生容量を従来よりも小さくすることができる。

　このため、上記の構成によれば、位置検出性能が高く、安定した位置検出動作を行うことができる、インセル型のタッチパネルに用いられるタッチパネル基板および該タッチパネル基板を備えた電気光学装置を提供することができる。

実施の形態１にかかる液晶表示装置の要部の概略構成を示す断面図である。実施の形態１にかかるタッチパネル基板の要部の構成を、積層順に模式的に示す断面図である。実施の形態１にかかるタッチパネル基板におけるタッチパネル層の要部の概略構成の一例を模式的に示す平面図である。図３に示すタッチパネル層の一部を拡大して示す平面図である。（ａ）は、図４に示すタッチパネル層をＹ１－Ｙ１線で切断したときのタッチパネル基板の要部の断面を示す図であり、（ｂ）は、図４に示すタッチパネル層をＸ２－Ｘ２線で切断したときのタッチパネル基板の要部の断面を示す図である。図４に示すメタルブリッジの概略構成を示す平面図である。（ａ）は、実施の形態１にかかるタッチパネル基板に検出対象物が接触していないときのセンサ電極の電気力線を模式的に示す図であり、（ｂ）は、上記タッチパネル基板に検出対象物を接触させたときのセンサ電極の電気力線を模式的に示す図である。実施の形態１にかかる液晶表示装置に備えられた位置検出回路の一例を示す回路図である。実施の形態１にかかる液晶表示装置における各々のドライブラインに印加されたそれぞれの信号を示すタイミングチャートである。実施の形態１にかかる液晶表示装置に備えられたインセル型のタッチパネルの駆動タイミングを示すタイミングチャートである。実施の形態１にかかるサンプリング回路とリセットスイッチとの各ステップにおける状態を説明するための図である。従来の表示パネルを模式的に示した断面図である。静電容量方式のタッチパネルの駆動回路を示す図である。図１３に示す駆動回路の動作の概要を示すシミュレーション波形図である。タッチパネル基板における電極条件と、シミュレーションにより得られた検出信号波形とをまとめて示す図である。タッチパネル基板における電極条件と、シミュレーションにより得られた検出信号波形とをまとめて示す他の図である。タッチパネル基板における電極条件と、シミュレーションにより得られた検出信号波形とをまとめて示す図である。タッチパネル基板における電極条件と、シミュレーションにより得られた検出信号波形とをまとめて示す図である。（ａ）～（ｆ）は、実施の形態１にかかるタッチパネル基板の作製工程を工程順に示す断面図である。実施の形態２にかかるタッチパネル基板のタッチパネル層の要部の構成を示す平面図である。（ａ）は、図２０に示すタッチパネル層をＹ２－Ｙ２線で切断したときのタッチパネル基板の断面を示す図であり、（ｂ）は、図２０に示すタッチパネル層をＸ３－Ｘ３線で切断したときのタッチパネル基板の断面を示す図である。図２０に示すメタルブリッジの概略構成を示す平面図である。実施の形態３にかかるタッチパネル基板のタッチパネル層の要部の構成を示す平面図である。図２３に示すタッチパネル層をＸ４－Ｘ４線で切断したときのタッチパネル基板の断面を示す図である。図２３に示すメタルブリッジの概略構成を示す平面図である。実施の形態３にかかる他のタッチパネル基板のタッチパネル層の要部の構成を示す平面図である。（ａ）は、図２６に示すタッチパネル層をＹ３－Ｙ３線で切断したときのタッチパネル基板の断面を示す図であり、（ｂ）は、図２６に示すタッチパネル層をＸ５－Ｘ５線で切断したときのタッチパネル基板の断面を示す図であり、（ｃ）は、図２６に示すタッチパネル層をＸ６－Ｘ６線で切断したときのタッチパネル基板の断面を示す図である。図２６に示すメタルブリッジの概略構成を示す平面図である。実施の形態４にかかるタッチパネル基板のタッチパネル層の要部の構成を示す平面図である。（ａ）は、図２９に示すタッチパネル層をＹ４－Ｙ４線で切断したときのタッチパネル基板の断面を示す図であり、（ｂ）は、図２９に示すタッチパネル層をＸ７－Ｘ７線で切断したときのタッチパネル基板の断面を示す図である。実施の形態４にかかる他のタッチパネル基板におけるタッチパネル層の要部の構成を示す平面図である。メタルブリッジにおけるＹ軸方向に配列された電極とこれら電極にＸ軸方向に隣り合う電極との間に断線ラインを２本設けたときのタッチパネル層の要部の構成を示す平面図である。（ａ）は、図３２に示すタッチパネル層をＹ５－Ｙ５線で切断したときのタッチパネル基板の断面を示す図であり、（ｂ）は、図３２に示すタッチパネル層をＸ８－Ｘ８線で切断したときのタッチパネル基板の断面を示す図であり、（ｃ）は、図３２に示すタッチパネル層をＸ９－Ｘ９線で切断したときのタッチパネル基板の断面を示す図である。実施の形態４にかかるさらに他のタッチパネル基板のタッチパネル層の要部の構成を示すさらに他の平面図である。図３４に示すタッチパネル層における、Ｙ軸方向に配列された電極列と該電極列との交差部近傍の構成を示す平面図である。実施の形態４にかかるタッチパネル基板のタッチパネル層におけるコンタクトホールの変形例をまとめて示す平面図である。実施の形態５にかかるタッチパネル基板のタッチパネル層の要部の構成を示す平面図である。実施の形態６にかかるタッチパネル基板のタッチパネル層の要部の構成を示す平面図である。実施の形態７にかかるタッチパネル基板のタッチパネル層の要部の構成を示す平面図である。実施の形態７にかかる他のタッチパネル基板のタッチパネル層の要部の構成を示す平面図である。（ａ）は、実施の形態８にかかるタッチパネル基板の概略構成を示す平面図であり、（ｂ）は、（ａ）に示すタッチパネル基板のＩ－Ｉ線断面図である。（ａ）は、実施の形態８にかかる液晶パネルの概略構成を示す平面図であり、（ｂ）は、（ａ）に示す液晶パネルのII－II線断面図である。実施の形態８にかかる他の液晶パネルの概略構成を示す断面図である。実施の形態９にかかる液晶表示装置の要部の概略構成を示す断面図である。実施の形態９にかかるタッチパネル基板の要部の構成を、積層順に模式的に示す断面図である。（ａ）は実施の形態１０にかかる液晶パネルの表示駆動用端子とタッチパネル用端子とを示す平面図であり、（ｂ）は、（ａ）に示すタッチパネル用端子の丸囲み領域の拡大図である。実施の形態１０にかかる液晶パネルの表示駆動用端子とタッチパネル用端子とを示す他の平面図である。実施の形態１０にかかる液晶パネルの表示駆動用端子とタッチパネル用端子とを示す他の平面図である。特許文献２に記載の表示装置の構成を示す断面図である。図４９に示すＨ－Ｈ線に沿った断面から見たセンサ電極の構成を示す平面図である。特許文献２、３に記載の表示装置におけるカラーフィルタ基板の要部の構成を、積層順に模式的に示す断面図である。

　以下、本発明の実施の形態について、詳細に説明する。

　〔実施の形態１〕
　本発明にかかる実施の一形態について、図１ないし図１９の（ａ）～（ｆ）に基づいて説明すれば、以下の通りである。

　なお、以下、本実施の形態では、インセル型のタッチパネルを備えた電気光学装置として、液晶表示装置を例に挙げて説明するが、本実施の形態は、これに限定されるものではない。

　＜液晶表示装置および液晶パネルの概略構成＞
　図１は、本実施の形態にかかる液晶表示装置の要部の概略構成を示す断面図である。

　図１に示すように、本実施の形態にかかる液晶表示装置１（表示装置）は、液晶パネル２（表示パネル）と、液晶パネル２に光を照射するバックライト３（照明装置）と、図示しない駆動回路等を備えている。

　なお、バックライト３の構成は従来と同じである。したがって、バックライト３の構成については、その説明を省略する。バックライト３としては、例えば、エッジライト型や直下型の面光源装置等を適宜用いることができる。

　本実施の形態にかかる液晶表示装置１は、液晶パネル２における液晶セル４（表示セル）の内部にタッチパネルを組み込んだインセル型のタッチパネルを有する、タッチパネル一体化型の液晶表示装置である。また、液晶パネル２は、上記したように液晶セル４の内部にタッチパネルを組み込んだ、インセル型のタッチパネル基板を有する、タッチパネル一体型の液晶パネルである。液晶パネル２は、画像表示機能と静電容量方式のタッチパネル機能とを兼ね備えている。

　液晶セル４の外側には、液晶セル４を挟むように偏光板５・６がそれぞれ設けられている。また、液晶セル４と偏光板５・６との間には、必要に応じて、図示しない位相差板が設けられていてもよい。偏光板５・６は、例えば、偏光板５・６の透過軸方位が互いに直交するように配置される。

　＜液晶セル４の概略構成＞
　液晶セル４は、電極基板（アレイ基板、素子基板）および対向基板として、互いに対向して設けられた一対の基板１０・２０を備えている。

　これら一対の基板１０・２０間には、電気光学素子として、液晶層５０が挟持されている。液晶層５０は、電界の印加により光学変調する光学変調層の一種であり、表示用の媒質層として用いられる。

　これら一対の基板１０・２０間は、これら基板１０・２０の端部に設けられたシール材６０によって封止されている。

　表示面側（観察者側）の基板２０は、静電容量方式のタッチパネル機能を有するタッチパネル基板であり、基板２０における、シール材６０の外側には、タッチパネルの端子部４０が設けられている。

　端子部４０には、例えば、電子回路として図示しないＩＣチップが実装されているとともに、画像表示用および置検出用の信号等を伝送するためのフィルム基板として、図示しないＦＰＣ（フレキシブルプリント回路）基板等が取り付けられている。

　ＩＣチップは、例えば、基板１０に設けられたゲートラインやソースライン等の配線が接続された駆動回路や、検出対象物の座標位置を検出するための位置検出回路等を備えている。

　基板１０・２０は、それぞれ、例えば、透明なガラス基板からなる絶縁基板１１・２１を備えている。但し、これら一対の基板１０・２０のうち、タッチパネル基板として用いられる表示面側の基板２０が透明であればよく、バックライト３側の基板１０における絶縁基板は、必ずしも透明である必要はない。また、基板１０・２０における互いの対向面には、必要に応じて、図示しない配向膜が設けられている。

　次に、各基板１０・２０の構成について説明する。

　＜基板１０＞
　基板１０（第１の基板）はアレイ基板である。基板１０としては、例えば、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）基板等のアクティブマトリクス基板が用いられる。

　基板１０は、絶縁基板１１上に、図示しない、ゲート絶縁膜、複数のゲートラインおよびソースライン、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）等のスイッチング素子、層間絶縁膜、画素電極、および配向膜等が設けられた構成を有している。

　なお、上記アレイ基板としては、周知のアレイ基板を用いることができる。したがって、ここでは、その詳細な説明並びに図示は省略する。

　また、上記液晶パネル２の駆動方式（表示方式）は特に限定されるものではなく、ＶＡ（Vertical Alignment）方式、ＴＮ（Twisted Nematic）方式等、各種方式を採用することができる。

　＜基板２０＞
　基板２０（第２の基板）は、基板１０（アレイ基板）に対向配置される対向基板である。基板２０としては、例えば、各色のＣＦ（カラーフィルタ）層（着色層）が設けられたＣＦ基板が用いられる。

　基板２０は、静電容量の変化により検出対象物の指示座標の位置を検出するセンサ電極（位置検出電極）を有し、液晶セル４に組み込まれて、インセル型のタッチパネルを構成するタッチパネル基板として用いられる。

　センサ電極は、静電容量の変化により液晶パネル２の表示面への検出対象物の接触を検知することで、液晶パネル２の表示面に接触した検出対象物の指示座標の位置を検出する。

　したがって、検出対象物としては、静電容量の変化を引き起こす物体であれば特に限定されるものではないが、例えば、指やタッチペン等の導体が用いられる。

　図２は、基板２０の要部の構成を、積層順に模式的に示す断面図である。

　まず、基板２０の積層構造について、図１および図２を参照して以下に説明する。

　＜積層構造＞
　基板２０は、図１および図２に示すように、絶縁基板２１、遮光層２２、タッチパネル層２３、樹脂層２４、対向電極２７（光学素子駆動電極、共通電極）、および図示しない配向膜を備え、これらの構成要素（部材）がこの順に積層されて形成されている。

　図１および図２に示すように、タッチパネル層２３は、センサ電極３１（位置検出電極）と、絶縁層３４と、センサ電極３１にブリッジ接続されるメタルブリッジ３５（金属配線）とを備えている。メタルブリッジ３５は、センサ電極３１と電気的に接続されている。

　これらセンサ電極３１、絶縁層３４、メタルブリッジ３５は、絶縁基板２１上に形成された遮光層２２上に、この順に積層されている。

　また、図２に示すように、センサ電極３１は、複数の島状の電極３２（第１の電極）および複数の島状の電極３３（第２の電極）を備えている。図２に示すように、これら電極３２と電極３３とは、同一層（同一平面）に形成されている。

　また、図２に示すように、樹脂層２４は、ＣＦ層２６と、絶縁層２５とで構成されている。

　図３は、基板２０におけるタッチパネル層２３の要部の概略構成の一例を模式的に示す平面図である。なお、図３は、基板２０におけるタッチパネルの入力領域（液晶パネル２の表示領域）におけるタッチパネル層２３の概略構成を示している。

　図４は、図３に示すタッチパネル層２３の一部を拡大して示す平面図である。

　図５の（ａ）は、図４に示すタッチパネル層２３をＹ１－Ｙ１線で切断したときの基板２０の要部の断面を示す図であり、図５の（ｂ）は、図４に示すタッチパネル層２３をＸ２－Ｘ２線で切断したときの基板２０の要部の断面を示す図である。なお、図１は、図４に示すタッチパネル層２３をＸ１－Ｘ１線で切断したときの液晶パネル２の要部の断面を示している。

　また、図６は、図４に示すメタルブリッジ３５の概略構成を示す平面図である。

　図３および図４に示すタッチパネル層２３において、センサ電極３１は、島状の電極３２・３３として、平面視で矩形状（図３および図４に示す例では正方形状）の面状パターン（平面パターン）からなる複数の電極を備えている。

　これら電極３２・３３のうち電極３２は、ある一定の方向（第１の方向、本例ではＹ軸方向）に沿って、互いに離間して複数配列されている。

　また、電極３３は、電極３２の配列方向に交差する方向（第２の方向、本例では、第１の方向であるＹ軸方向に直交するＸ軸方向）に沿って、互いに離間して複数配列されている。

　なお、図３および図４に示す例では、矩形状の各電極３２・３３の対角線が、それそれＸ軸方向およびＹ軸方向に沿って延びるように、各電極３２・３３が配置されている。したがって、電極３２・３３は、図３に示すように、斜め方向から見たときに市松状に互い違いに配置されている。

　これら電極３２・３３は、透明な電極であり、例えば、酸化物等の透明導電材料で形成されている。上記透明導電材料としては、例えば、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）、ＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）、酸化亜鉛、酸化スズ等が挙げられる。

　また、電極３２・３３は、グラフェン等の金属薄膜電極、あるいは、薄膜のカーボン電極等、薄膜とすることで透明状態を有する透明な電極であってもよい。

　なお、透過率とバックライト３の消費電力とはトレードオフの関係にあることから、電極３２・３３は、透過率が７０％以上となるように形成されていることが望ましい。

　このように、本実施の形態では、これら電極３２・３３を、面状パターンを有する透明電極で形成することにより、光の透過率並びに透明領域の面積を確保している。

　但し、全面表示等、表示のさせ方や表示位置、あるいは見た目等に特に言及しなければ、電極３２・３３の材料としては、特に限定されるものではない。

　また、Ｘ軸方向に隣り合う電極３３は、図３および図４に示すように、接続配線３６（中継電極）によってそれぞれ電気的に接続されている。これにより、各電極３３は、Ｘ軸方向に連なるように設けられている。

　接続配線３６は、例えば、電極３２・３３と同じ材料を使用することができる。

　これにより、接続配線３６は、各電極３３を繋ぐ接続部として、電極３３と同一層に、電極３３と同時に形成することができる。

　但し、上記したようにＸ軸方向に隣り合う電極３３の電気的接続が電極３３と同じ材料からなる接続配線３６によって行われている必要は必ずしもなく、Ｘ軸方向に隣り合う電極３３同士が電気的に接続されていれば、その接続方法並びに接続手段は特に限定されるものではない。

　一方、図３および図４に示すように、電極３２・３３の形成面内において、各電極３２は、Ｙ軸方向にそれぞれ孤立して配置されている。

　電極３２・３３および接続配線３６上には、絶縁層２５（図１および図２参照）を介してメタルブリッジ３５が設けられている。

　図３および図４では、メタルブリッジ３５として、格子状の金属配線を使用している。なお、図３および図４では、格子状の金属配線として、Ｙ軸方向およびＸ軸方向に複数の線状配線が網状に形成された網状の金属配線（メタルメッシュ）を用いた例を示している。

　なお、以下、Ｙ軸方向に沿って配された線状配線をＹ配線（縦配線）と称し、Ｘ軸方向に沿って配された線状配線をＸ配線（横配線）と称する。

　メタルブリッジ３５は、画素間を覆う遮光層２２（ＢＭ）に対応して、該遮光層２２に重畳して形成されている。

　言い換えれば、遮光層２２は、平面視でメタルブリッジ３５を覆っている。これにより、本実施の形態によれば、遮光層２２によって、メタルブリッジ３５の形成領域を遮光することができるとともに、メタルブリッジ３５の側方からの漏光やメタルブリッジ３５による反射光を遮光することができる。

　また、遮光層２２が、メタルブリッジ３５に対応した形状を有していることで、遮光層２２の形成とメタルブリッジ３５の形成とに同じマスクパターンを使用することができる。このため、マスク枚数を削減することができ、プロセスコストを低減することができる。

　電極３２・３３上には、絶縁層３４が、これら電極３２・３３全体を覆うように、例えば、絶縁基板２１におけるタッチパネル層２３の積層面全面に、ベタ状に設けられている。

　絶縁層３４には、Ｙ軸方向に配列された各電極３２とメタルブリッジ３５とを電気的に接続するコンタクトホール３７が設けられている。

　コンタクトホール３７は、１つの電極３２に対し、少なくとも１つ（図４に示す例では１つ）形成されている。

　メタルブリッジ３５は、Ｙ軸方向に配列された電極３２間を、これら電極３２にそれぞれ設けられたコンタクトホール３７によってそれぞれブリッジ接続している。

　また、絶縁層３４には、電極３３とメタルブリッジ３５とをそれぞれ電気的に接続するコンタクトホール３８が設けられている。

　コンタクトホール３８は、１つの電極３３に対し、少なくとも１つ（図４に示す例では２つ）形成されている。

　メタルブリッジ３５は、コンタクトホール３８によって電極３３にそれぞれブリッジ接続されている。

　本実施の形態によれば、メタルブリッジ３５が、絶縁層３４に設けられた少なくとも１つのコンタクトホールによって電極３３間をブリッジ接続していることで、上記したように格子状のメタルブリッジ３５によって、容易にブリッジ接続を行うことができる。したがって、プロセスを簡略化することができ、プロセスコストを削減することができる。

　メタルブリッジ３５における隣り合う電極３２と電極３３との間は、電極３２と電極３３とが通電しないように断線されている。

　メタルブリッジ３５におけるＹ軸方向に配列された電極３２とこれら電極３２にＸ軸方向に隣り合う電極３３との間には、これら電極３２・３３のパターンに沿って、それぞれ１本ずつ断線ライン３９が設けられている。

　断線ライン３９は、図３、図４および図６に示すように、メタルブリッジ３５を、電極３２に電気的に接続された金属配線部３５ａと、電極３３に電気的に接続された金属配線部３５ｂとに分断している。

　電極３２・３３は、コンタクトホール３７・３８によってそれぞれメタルブリッジ３５に電気的に接続されているが、そのうち、Ｙ軸方向に配列された電極３２のみが、メタルブリッジ３５によってＹ軸方向に電極間接続されている。電極３２・３３間並びに電極３３を介してＸ軸方向に隣り合う電極３２間は、電極３２・３３間に設けられた断線ライン３９によって互いに絶縁されている。

　したがって、Ｙ軸方向に配列された電極３２は、メタルブリッジ３５によって、それぞれＹ軸方向に接続されている。また、Ｘ軸方向に配列された電極３３は、接続配線３６によって、それぞれＸ軸方向に接続されている。

　Ｙ軸方向に接続された電極３２列と、Ｘ軸方向に接続された電極３３列とは、Ｙ軸方向に延びるＹ電極列およびＸ軸方向に延びるＸ電極列として、それぞれの電極３２・３３の接続部で、互いに交差している。なお、Ｙ電極列である電極３２列は、Ｘ軸方向に複数配列されている。また、Ｘ電極列である電極３３列は、Ｙ軸方向に複数配列されている。

　電極３２・３３は、一方がドライブ電極（駆動電極、送信電極）として用いられ、他方がセンス電極（検出電極、受信電極）として用いられる。すなわち、電極３２列および電極３３列のうち一方がドライブラインとして用いられ、他方がセンスラインとして用いられる。

　＜位置検出動作＞
　次に、上記タッチパネルによる検出対象物の位置検出動作について説明する。

　図７の（ａ）は、基板２０に検出対象物が接触していないときのセンサ電極３１の電気力線を模式的に示す図であり、図７の（ｂ）は、基板２０に、検出対象物を接触させたときのセンサ電極３１の電気力線を模式的に示す図である。なお、図７の（ｂ）では、基板２０に、検出対象物として、例えば指先を接触させたときの電気力線を示している。

　なお、メタルブリッジ３５は、センサ電極３１に電気的に接続されており、センサ電極３１の電気力線に影響を与えない。したがって、図７の（ａ）・（ｂ）では、遮光層２２、タッチパネル層２３における絶縁層３４およびメタルブリッジ３５、ＣＦ層２６、対向電極２７等の図示を省略している。

　電極３２・３３には、図示しない駆動回路部から、それぞれ駆動電圧が印加される。電極３２・３３は、一方（例えば電極３３）がドライブ電極として用いられ、他方（例えば電極３２）がセンス電極として用いられる。

　これら電極３２・３３に駆動電圧が印加されると、これら電極３２と電極３３との間に、絶縁基板２１および絶縁層２５等を介して静電容量が形成され、図７の（ａ）に示すような電気力線が形成される。

　このような状態で、図７の（ｂ）に示すように、検出対象物として、導体である指先７０を基板２０の表面に接触させると、人体（指先７０）と電極３２・３３との間に、それぞれ静電容量７１が形成されることになり、電気力線の一部は指先７０を介して接地されることになる。これは、指先７０が接触した部分の電極３２・３３間の静電容量が大きく変化したことを示しており、これを検出することによって、指先７０が接触した位置を検出することができる。

　すなわち、Ｙ軸方向に延びる、Ｘ軸方向に配列された電極３２列を構成する電極３２によって、基板２０の表面における指先７０のＸ座標が検出される。また、Ｘ軸方向に延びる、Ｙ軸方向に配列された電極３３列を構成する電極３３によって、基板２０の表面における指先７０のＹ座標が検出される。

　＜駆動回路＞
　本実施の形態において検出対象物の座標位置を検出するための位置検出回路としては、周知の回路（例えば特許文献４参照）を用いることができ、特に限定されるものではない。

　以下に、本実施の形態にかかる液晶表示装置１に備えられた位置検出回路の一例として、静電容量方式のタッチパネルの主流である相互容量方式を用いた位置検出回路の一例について、図８～図１１を参照して説明する。

　図８は、本実施の形態にかかる液晶表示装置１に備えられた位置検出回路の一例を示す回路図である。

　図８において、図３および図４に示す電極３３列は、ドライブラインＤＬ１・ＤＬ２・・・ＤＬｎに対応し、電極３２列は、それぞれセンスライン（ｎ）に対応する。

　各々のドライブラインＤＬ１・ＤＬ２・・・ＤＬｎと各センスライン（ｎ）とが、交差する箇所においては、検出対象物である指先７０等の接触によってその容量（Ｃ_ｘ）が変化する可変容量が形成される。

　図８に示す位置検出回路１００は、ドライブライン駆動回路１０１、センスライン駆動回路１０２、タッチパネルコントローラ（タッチパネルの制御回路）１０３、液晶パネル２のタイミングコントローラ１０４を備えている。

　図８に示すように、ドライブライン駆動回路１０１は、ドライブラインＤＬ１・ＤＬ２・・・ＤＬｎに、所定波形を有する信号を順次印加する。ドライブライン駆動回路１０１は、逐次駆動で、ドライブラインＤＬ１から順にドライブラインＤＬｎまで、所定波形を有する信号を印加していく。

　図９は、各々のドライブラインＤＬ１・ＤＬ２・・・ＤＬｎに印加されたそれぞれの信号を示すタイミングチャートである。

　また、センスライン駆動回路１０２は、各センスライン（ｎ）毎に、サンプリング回路１１１、蓄積容量１１２、出力アンプ１１３、リセットスイッチ１１４、測定手段１１５を備えている。

　タッチパネルコントローラ１０３は、液晶パネル２のタイミングコントローラ１０４からゲートクロックＧＣＫおよびゲートスタートパルスＧＳＰを受け、液晶パネル２側が書込み期間であるか、休止期間であるかを判断し、休止期間である場合、ドライブライン駆動回路１０１に各々のドライブラインＤＬ１・ＤＬ２・・・ＤＬｎに所定波形を有する信号を順次印加開始するためのスタート信号を送る。

　また、タッチパネルコントローラ１０３は、サンプリング回路１１１にサンプリング信号を、リセットスイッチ１１４にリセット信号をそれぞれ出力する。

　図１０は、液晶表示装置１に備えられた上記インセル型のタッチパネルの駆動タイミングを示すタイミングチャートである。

　図１０では、ドライブラインＤＬ１に印加された信号およびサンプリング信号がハイレベルになる前のタイミングにおいて、リセット信号をハイレベルにし、蓄積容量１１２を接地させ、蓄積容量１１２をリセットする。

　そして、リセット信号がローレベルになった後、ＤＬ１に印加された信号がハイレベルになるまでの間に、サンプリング信号をハイレベルにし、サンプリング回路１１１を０状態から１状態とし、サンプリング回路１１１を介して、センスライン（ｎ）からの出力を蓄積容量１１２に供給する。

　サンプリング信号がハイレベルの状態において、ドライブラインＤＬ１に印加された信号がハイレベルになると、蓄積容量１１２への電荷移動が生じ、ドライブラインＤＬ１に印加された信号がハイレベルの状態において、サンプリング信号をローレベルの状態とすることにより、ドライブラインＤＬ１に印加された信号がローレベルになっても、上記電荷をそのまま維持（ホールド）することができる。

　本実施の形態においては、図８に図示されているように、積分回数Ｎiｎｔを４回としているため、電荷移動および維持（ホールド）を４回繰返した後、測定手段１１５によって、出力アンプ１１３を介して、容量が測定されるようになっている。

　測定後には、再びリセット信号をハイレベルにし、蓄積容量１１２を接地させ、蓄積容量１１２をリセットする。

　図１１は、各ステップにおける、サンプリング回路１１１とリセットスイッチ１１４との状態を説明するための図である。

　図１１に示すように、ステップＡは、全体がリセットされる場合であり、この場合においては、サンプリング回路１１１は０の状態となり、センスライン（ｎ）を接地させ、リセットスイッチ１１４は、蓄積容量１１２を接地させ、蓄積容量１１２をリセットする。

　ステップＢは、リセット信号がローレベルになってからサンプリング信号がハイレベルになるまでの不感時間（ＤＥＡＤＴＩＭＥ）である。

　ステップＣは、サンプリング回路１１１が１の状態となり、サンプリング回路１１１を介して、センスライン（ｎ）からの出力が蓄積容量１１２に供給される状態となる、電荷移動状態を示す。

　ステップＤは、サンプリング信号がローレベルになった後に、ドライブラインＤＬ１に印加された信号がローレベルになるまでの不感時間（ＤＥＡＤＴＩＭＥ）である。

　ステップＥは、サンプリング回路１１１が０の状態となり、センスライン（ｎ）と蓄積容量１１２とは電気的に分離される維持（ホールド）を示す。

　そして、上記ステップＢ～Ｅまでが４回繰返された後に、ステップＦにおいて、サンプリング回路１１１が０の状態を維持したまま、センスライン（ｎ）と蓄積容量１１２とが電気的に分離された状態で、測定手段１１５によって、出力アンプ１１３を介して容量が測定される。

　＜寄生容量＞
　次に、センサ電極（位置検出電極）と対向電極との間に形成される寄生容量がタッチパネルの性能に与える影響ついて、図１２～図１４を参照して説明する。

　図１２は、従来の表示パネルを模式的に示した断面図であり、図１３は、静電容量方式のタッチパネルの駆動回路を示す図であり、図１４は、該駆動回路の動作の概要を示すシミュレーション波形図である。なお、上記シミュレーションには、エムエスシーソフトウェア株式会社製の「Ｐａｔｒａｎ」（商品名）を用いた。

　図１２および図１３において、Ｃ_Ｄ－Ｓは、タッチパネルのドライブ電極（例えば第１電極層）とセンス電極（例えば第２電極層）との間に形成されるタッチ検出用の静電容量であり、指先等がタッチパネルに接触している時と接触していない時でその容量が変化することを示すため、可変の静電容量として記載されている。

　なお、図１３において、ドライブラインはドライブ電極の出力端子に該当し、センスラインはセンス電極の出力端子に該当し、ＣＩＴＯラインは対向電極の出力端子に該当する。

　位置検出回路はオペアンプおよび静電容量Ｃ_ＩＮＴから構成される積分回路を有しており、指先等が接触したか否かの出力は、この積分回路からＶ_ＯＵＴとして得られる。Ｃ_Ｄ－Ｃは、ドライブ電極と対向電極との間に形成される寄生容量であり、Ｃ_Ｃ－Ｓは、センス電極と対向電極との間に形成される寄生容量である。Ｒ_{ｓｅｎｃｅ}は、位置検出電極（センス電極）の抵抗であり、Ｒ_ＣＩＴＯは対向電極の抵抗である。

　タッチパネルが表示パネルの外部に設けられる構造（いわゆるアウトセル型）では、電流の経路は、図１３の矢印Ｆ１で示す経路が支配的となるが、本実施の形態のようにタッチパネルが表示パネル（本実施の形態では液晶パネル２）の内部に設けられるインセル型では、さらに矢印Ｆ２で示す寄生の電流経路が存在する。

　図１４の（ａ）・（ｂ）において、太線Ｐはドライブラインの電圧波形を示し、細線Ｑは出力電圧Ｖ_ＯＵＴの電圧波形を示している。図１４の（ａ）・（ｂ）に示すように、対向電極の抵抗が高い場合（例えばＲ_ＣＩＴＯ＝３９０Ω）には、図１３の矢印Ｆ２で示した寄生の電流経路の影響により、ＣＲ時定数（コンデンサ×抵抗）が大きくなるため、本来の出力電圧に収束するまでの時間が長くなることが判る（図１４の（ｂ）参照）。そのため、積分時間が長くなり、積分回数が減るため、ＳＮ比（信号対ノイズ比）が低下する。これにより、タッチパネルの検出性能が低下する。

　したがって、インセル型のタッチパネルでは、タッチパネルの検出性能を高めるために、ドライブ電極と対向電極との間に形成される寄生容量Ｃ_Ｄ－Ｃ、センス電極と対向電極との間に形成される寄生容量Ｃ_Ｃ－Ｓ、位置検出電極の抵抗（例えばセンス電極の抵抗Ｒ_{ｓｅｎｃｅ}）、対向電極の抵抗Ｒ_ＣＩＴＯの何れかを下げる必要がある。

　そこで、本実施の形態では、電極３２と電極３３とを同一面内に形成することで、電極３２・３３と対向電極２７との間の距離を稼いでいる。これにより、従来のように、ドライブ電極およびセンス電極として用いられるＸ電極およびＹ電極を、第１電極層および第２電極層としてそれぞれ別層に設ける場合と比較して、センサ電極と対向電極との間の寄生容量を小さくすることができる。

　このため、本実施の形態によれば、位置検出性能が高く、安定した位置検出動作を行うことができるインセル型のタッチパネル、並びに、該インセル型のタッチパネルに用いられる、位置検出性能が高く、安定した位置検出動作を行うことができるタッチパネル基板としての基板２０を提供することができる。

　また、本実施の形態によれば、電極３２・３３を同一面内に形成することで、電極３２・３３を同一材料で同時に形成することができる。したがって、プロセスコストを低減することができる。

　＜センサ電極の面積と検出信号との関係＞
　次に、センサ電極（位置検出電極）の面積と検出信号（位置検出信号）との関係について、図１５～図１８を参照して以下に説明する。

　図１５～図１８は、それぞれ、電極条件と、シミュレーションにより得られた検出信号波形とをまとめて示す図である。

　本シミュレーションでは、図１５～図１８に示すように、それぞれ、カバーガラスにセンス電極およびドライブ電極を設けるとともに、絶縁層を介してセンスおよびドライブ電極と対向してＩＴＯからなる対向電極（対向ＩＴＯ電極）を設けた場合の位置検出信号を測定した。

　図１５～図１８に示す結果から判るように、対向ＩＴＯ電極上にセンサ電極を形成する場合、センサ電極の密度（センス電極およびドライブ電極の密度）が低下するほど、検出信号の大きさ（強度）が低下する。

　したがって、検出信号の大きさを確保するには、図１５に示すように、センサ電極をベタ状の平面パターンとすることが望ましい。

　また、このようにセンサ電極をベタ状の平面パターンとした場合、表示の開口率を確保するためには、センサ電極を透明な電極で形成することが望ましい。

　しかしながら、透明導電材料からなる電極は金属電極と比較して抵抗が高い。また、グラフェン等の金属薄膜電極は、透明性を確保するために薄膜化していることで、非透明状態の金属電極よりも抵抗が高い。

　このため、本実施の形態では、前記したように、電極３２・３３を、絶縁層３４を介して、格子状の金属配線からなるメタルブリッジ３５と電気的に接続している。これにより、光の透過率並びに透明領域の面積を確保したまま、電極３２・３３の低抵抗化を図ることができる。したがって、基板２０を表示パネルに搭載した場合、該表示パネルの開口率を確保したまま、電極３２・３３の低抵抗化を図ることができる。

　また、上記したように電極３２・３３を低抵抗化することができるので、ＣＲ時定数を低減することができる。

　したがって、本実施の形態によれば、位置検出性能が高く、安定した位置検出動作を行うことができる、インセル型のタッチパネル並びにタッチパネル基板を提供することができる。

　また、本実施の形態では、電極３２・３３が同一面内に形成されていることで、電極３２・３３と対向電極２７との間の距離を稼ぐことができるので、上記したように電極３２・３３を平面パターンとした場合であっても、電極３２・３３と対向電極２７との間の寄生容量を小さくすることができる。このため、検出信号の大きさを確保したまま、上記寄生容量を小さくすることができる。

　また、メタルブリッジ３５は、配線形状（線状パターン）を有していることから、メタルブリッジ３５と対向電極２７との間の寄生容量は小さい。このため、図１および図２に示したようにセンサ電極３１よりも対向電極２７側にメタルブリッジ３５が設けられていることで、位置検出性能が高く、安定した位置検出動作を行うことができる、インセル型のタッチパネル並びにタッチパネル基板を提供することができる。

　＜液晶パネル２の製造方法＞
　次に、本実施の形態にかかる液晶パネル２の製造方法について説明する。

　＜基板１０の作製工程＞
　基板１０は、例えばアクティブマトリクス基板であり、絶縁基板１１上に、周知の技術を用いて、ゲートライン、ソースライン、ＴＦＴ、画素電極等を形成した後、必要に応じて配向膜を形成する。

　なお、このようなアクティブマトリクス基板の製造工程は周知の技術を適用できるためここでは詳細な説明は省略する。

　＜基板２０の作製工程＞
　次に、基板２０の作製工程について、図１９の（ａ）～（ｆ）を参照して以下に説明する。なお、図１９の（ａ）～（ｆ）は、基板２０の作製工程を工程順に示す断面図であり、何れも、図４のＹ１－Ｙ１線断面に対応している。

　まず、図１９の（ａ）に示すように、絶縁基板２１上に、遮光性を有する材料からなる膜を成膜してパターニングすることにより、絶縁基板２１上に、遮光層２２（ＢＭ）を形成する。

　なお、絶縁基板１１・２１としては、例えば、ガラス基板、プラスチック基板等を用いることができる。

　また、遮光層２２は、例えば、遮光性を有する樹脂で形成することができる。例えば、遮光層２２の材料としては、黒色顔料等が分散された感光性樹脂等が挙げられる。なお、上記感光性樹脂としては、アクリル系の感光性樹脂等、公知の感光性樹脂を使用することができる。

　また、遮光層２２の形成方法としては、周知の方法を使用することができる。例えば、絶縁基板２１上に、スピンコート法により、黒色顔料が分散された感光性樹脂を塗布し、この塗布された感光性樹脂を、フォトマスクを介して露光した後、現像することにより、遮光層２２を形成することができる。

　あるいは、絶縁基板２１の表面に、黒色の樹脂膜を有するドライフィルムをラミネートし、カバーフィルムを剥離することによって黒色の樹脂膜を転写後、フォトマスクを用いて露光、現像することによって遮光層２２を形成してもよい。

　このとき、遮光層２２は、パネル化したときに、基板１０における、スイッチング素子や、ゲートライン、ソースライン、補助容量ライン等の配線を覆うようにパターン化される。

　次に、上記絶縁基板２１上に、透明導電材料、あるいは、グラフェン、カーボン等、薄膜化することで透明状態が得られる、金属材料等の導電材料をスパッタリング法により成膜した後、図示しないフォトレジストを積層し、例えばフォトリソグラフィ法等によりパターニングを行う。これにより、図１９の（ｂ）に示すように、遮光層２２が形成された絶縁基板２１上に、電極３２・３３、および接続配線３６（図３、図４参照）を形成する。

　なお、上記透明導電材料としては、前記したように、例えばＩＴＯ、ＩＺＯ、酸化亜鉛、酸化スズ等の透明導電材料を用いることができる。

　なお、電極３２・３３の厚み並びに電極面積は、用いる電極材料によって適宜設定すればよく、特に限定されるものではない。電極３２・３３に透明導電材料を使用する場合、電極３２・３３の厚み並びに電極面積は、例えば従来と同様に設定することができる。

　また、電極３２・３３に、グラフェン、カーボン等、薄膜化することで透明状態が得られる、金属材料等の導電材料を使用する場合、光の透過率並びに透明領域の面積を確保するために、透明状態が得られるように電極３２・３３の厚みが設定されることが望ましい。

　次に、上記電極３２・３３等が形成された絶縁基板２１におけるこれら電極３２・３３の形成面全面を覆うように、ＣＶＤ法（化学蒸着法）、スピンコート法等を用いて、絶縁層３４を形成する。その後、絶縁層３４上に、図示しないフォトレジストを積層し、フォトリソグラフィ法等によりパターニングを行うことで、図１９の（ｃ）に示すように、絶縁層３４に、コンタクトホールとなる開口部３４ａを形成する。

　上記絶縁層３４の材料としては、例えば、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリウレタン系樹脂、ポリイミド系樹脂等の有機絶縁材料（感光性樹脂）、あるいは、ＳｉＮｘ膜（窒化シリコン膜）等の、絶縁性を有する透明な無機絶縁材料を用いることができる。そのなかでも、上記絶縁層３４の材料としては、感光性樹脂等の、有機絶縁材料からなる樹脂を用いることが好ましく、上記絶縁層３４は、いわゆる有機絶縁膜からなる、有機絶縁層であることが好ましい。

　有機絶縁膜は、無機絶縁膜と比較して厚膜化が可能であり、また、無機絶縁膜と比較して比誘電率が低い。例えば、窒素シリコンの比誘電率εが６．９であるのに対し、アクリル樹脂の比誘電率εは、３．７である。また、有機絶縁膜は透明度が高いため、厚膜化が可能となる。

　したがって、絶縁層３４が有機絶縁層である場合、厚膜化と低誘電率化の両方の観点から、センサ電極３１と対向電極２７との間の寄生容量を低減することができる。

　なお、絶縁層３４の厚みが薄すぎると、センサ電極３１と対向電極２７との間の寄生容量が増加する。一方、絶縁層３４の厚みが厚すぎると、コンタクトホール３７・３８の形成が困難となる。このため、絶縁層３４の厚みは、１μｍ～３．５μｍの範囲内であることが好ましい。

　次に、コンタクトホールとなる開口部３４ａが形成された絶縁層３４上に、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、亜鉛（Ｚｎ）、ニッケル（Ｎｉ）、スズ（Ｓｎ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）等の抵抗の低い金属およびその金属化合物並びに金属シリサイド等の金属材料からなる金属配線を形成する。このとき、開口部３４ａ内にも上記金属材料からなる金属配線を形成することで、図１９の（ｄ）に示すように、上記金属配線からなるメタルブリッジ３５およびコンタクトホール３７・３８を形成する。

　その後、フォトリソグラフィ等によってメタルブリッジ３５をパターニングすることにより、図３および図４に示すように、メタルブリッジ３５に断線ライン３９を形成する。なお、メタルブリッジ３５の厚みは、低抵抗化の観点から１００ｎｍ以上であることが望ましく、対向電極２７の平坦性を確保するとともにプロセスコストを抑えるために、３００ｎｍ以下であることが望ましい。

　また、メタルブリッジ３５に断線ライン３９を形成する方法としては、フォトリソグラフィ等によるパターニングに限定されるものではなく、メタルブリッジ３５を部分的に断線させる（電気的に切断する）ことができれば、特に限定されない。

　次に、図１９の（ｅ）に示すように、メタルブリッジ３５が形成された絶縁基板２１におけるこれら電極３２・３３の形成面全面を覆うように、絶縁層２５を形成する。

　絶縁層２５の材料並びに成膜方法としては、例えば絶縁層３４の材料並びに成膜方法と同様の材料並びに成膜方法を用いることができる。

　このとき、絶縁層３４同様、絶縁層２５が有機絶縁層である場合、厚膜化と低誘電率化の両方の観点から、センサ電極３１と対向電極２７との間の寄生容量を低減することができる。

　なお、絶縁層３４同様、絶縁層２５の厚みが薄すぎると、センサ電極３１と対向電極２７との間の寄生容量が増加する。一方、絶縁層２５の厚みが厚すぎると、後述する実施の形態に示すように絶縁層２５にコンタクトホールを形成する場合、該コンタクトホールの形成が困難となる。このため、絶縁層３４同様、絶縁層２５の厚みは、１μｍ～３．５μｍの範囲内であることが好ましい。

　次に、フォトリソグラフィを用いたパターニング、あるいは、インクジェット印刷法やラミネート法等の周知の方法を用いて、図１９の（ｅ）に示すように、上記絶縁層２５上に、例えば赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）等の複数色のＣＦ層２６を形成する。

　その後、図１９の（ｆ）に示すように、ＣＦ層２６上に、スパッタリング法等により、ＩＴＯ、ＩＺＯ、酸化亜鉛、酸化スズ等の透明導電材料からなる透明導電膜を成膜することで、対向電極２７を形成する。

　最後に、対向電極２７上に、必要に応じて、図示しない配向膜を形成することにより、基板２０を製造することができる。

　なお、遮光層２２、ＣＦ層２６、対向電極２７、配向膜等の厚みは特に限定されるものではなく、従来と同様に設定することができる。

　＜基板貼合工程＞
　次に、基板１０・２０の貼合工程（すなわち、液晶パネル２の組み立て工程）について、説明する。

　まず、基板１０・２０の一方に、スクリーン印刷等あるいはディスペンサ等により、シール材６０（図１参照）を、液晶注入口の部分を欠いた枠状パターンに塗布し、他方の基板に液晶層５０の厚さに相当する直径を持ち、プラスチックまたは二酸化珪素等からなる球状のスペーサを散布する。なお、スペーサを散布する代わりに、基板２０の対向電極２７上あるいは基板１０のメタル配線上にスペーサを形成してもよい。

　次に、基板１０・２０を貼り合わせ、シール材６０を硬化させた後、基板１０・２０並びにシール材６０で囲まれる空間に、例えば真空注入法により液晶材料を注入する。その後、液晶注入口にＵＶ硬化樹脂を塗布し、ＵＶ照射によって液晶材料を封止することで液晶層５０を形成する。

　もしくは、シール材６０を枠状に塗布した基板に、滴下法により液晶材料を滴下することで、シール材６０で囲まれた空間に液晶材料を充填した後、基板１０・２０を貼り合わせることで、基板１０・２０間に液晶層５０を形成する。

　上記シール材６０としては、例えば、図示しない導電性粒子および黒色顔料等を含有する紫外線硬化性樹脂あるいは熱硬化性樹脂、紫外線硬化および熱硬化併用型樹脂等を用いることができる。上記導電性粒子としては、例えば金ビーズを用いることができる。

　以上のようにして、本実施の形態にかかる液晶パネル２を製造することができる。

　＜変形例＞
　次に、本実施の形態にかかる電気光学装置における各構成要素の変形例について以下に説明する。

　＜接続配線３６による接続方向＞
　なお、本実施の形態では、図３および図４に示すように、Ｘ軸方向に配列された電極３３がそれぞれ電極３３と同一層に形成された接続配線３６で接続されている場合を例に挙げて説明した。

　しかしながら、本実施の形態はこれに限定されるものではなく、Ｙ軸方向に配列された電極３２が、それぞれ電極３２と同一層に形成された接続配線３６で接続されており、Ｘ軸方向に配列された電極３３が孤立パターンを有していてもよい。

　したがって、電極３２・３３の何れが孤立パターンを有していてもよいが、一方の電極が透明な接続配線３６で接続されている場合、絶縁基板２１の長辺側に配列された電極が孤立パターンを有していることが好ましい。これにより、透明な接続配線３６のみによる通電エリアを小さくすることができ、センサ電極３１を低抵抗化することができるので、ＣＲ時定数を低減することができる。

　＜絶縁層３４＞
　また、本実施の形態では、電極３２・３３上に、絶縁層３４が、これら電極３２・３３全体を覆うように、絶縁基板２１におけるタッチパネル層２３の積層面全面にベタ状に設けられているものとした。

　しかしながら、本実施の形態はこれに限定されるものではない。絶縁層３４は、メタルブリッジ３５を介して電極３２・３３が導通しないように設けられていればよい。したがって、絶縁層３４は、少なくとも、メタルブリッジ３５と、電極３２・３３および接続配線３６との間（つまり、平面視でメタルブリッジ３５の配設領域）に形成されていればよい。

　＜メタルブリッジ３５による接続＞
　また、本実施の形態では、図３および図４に示すように、断線ライン３９が、平面視で、Ｙ軸方向に配列された電極３２とこれら電極３２にＸ軸方向に隣り合う電極３３との間に、これら電極３２・３３のパターンに沿って形成されている場合を例に挙げて図示した。

　しかしながら、断線ライン３９は、電極３２と電極３３とが通電しないように電気的に切断していればよい。

　したがって、断線ライン３９は、必ずしも電極３２・３３のパターン間に形成されている必要はなく、平面視で、それぞれの電極３２・３３に設けられたコンタクトホール３７・３８間に形成されていればよい。

　また、本実施の形態では、図３～図５の（ａ）・（ｂ）に示すように、電極３２・３３がそれぞれメタルブリッジ３５に電気的に接続されている場合を例に挙げて説明した。

　しかしながら、電極３２・３３のうち、接続配線３６で接続されていない一方の電極（例えば図３および図４に示す例では電極３３）のみが、メタルメッシュからなるメタルブリッジ３５に電気的に接続されていてもよい。

　この場合、メタルブリッジ３５と他方の電極との間に絶縁層３４が設けられていることで、電極３２・３３間に断線ライン３９を設ける必要は必ずしもなく、例えば電極３３を挟んでＸ軸方向に隣り合う電極３２間を電気的に切断することができる。

　また、この場合、断線ライン３９は、平面視で、電極３３を挟んでＸ軸方向にそれぞれ隣り合う電極３２にそれぞれ設けられたコンタクトホール３７間に形成されていればよい。

　＜断線ライン３９＞
　なお、本実施の形態では、断線ライン３９が、隣り合う電極３２・３３間に１本ずつ形成されている場合を例に挙げて説明した。しかしながら、断線ライン３９は隣り合う電極３２・３３間に少なくとも１本形成されていればよく、２本以上形成されていてもよい。

　＜電気光学装置＞
　なお、本実施の形態では、一対の基板１０・２０間に、電気光学素子（光学変調層）として液晶層３０が挟持されている場合を例に挙げて説明した。しかしながら、本実施の形態はこれに限定されるものではない。上記電気光学素子としては、例えば、誘電性液体であってもよく、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）層であってもよい。

　また、本実施の形態にかかる表示パネル並びに表示装置としては、液晶パネル並びに液晶表示装置に限定されるものではなく、例えば、有機ＥＬ表示パネル、電気泳動表示パネル、並びにこれら表示パネルを用いた表示装置であってもよい。

　また、液晶パネル２に代えて有機ＥＬ表示パネル等の自発光型の表示パネルを用いた場合、バックライト３等の照明装置は不要であることは言うまでもない。

　また、本実施の形態では、上記したようにタッチパネル基板が表示パネルに用いられる基板であり、電気光学装置が表示装置である場合を例に挙げて説明した。

　しかしながら、上記タッチパネル基板は、電気光学素子駆動電極と位置検出電極とを有する電気光学装置全般に適用することができる。例えば、上記電気光学装置としては、例えば表示パネルに重ねて配置される視野角制御パネル等に適用することもできる。

　また、本実施の形態では、対向基板である基板１０が、ＣＦ基板である場合を例に挙げて説明したが、本実施の形態はこれに限定されるものではなく、アレイ基板側にＣＦが設けられていても構わない。

　〔実施の形態２〕
　本発明における他の実施の形態について、図２０～図２２に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、説明の便宜上、実施の形態１で用いた構成要素と同一の機能を有する構成要素については、同一の符号を付し、その説明を省略する。

　図２０は、本実施の形態にかかる基板２０のタッチパネル層２３の要部の構成を示す平面図である。また、図２１の（ａ）は、図２０に示すタッチパネル層２３をＹ２－Ｙ２線で切断したときの基板２０の断面を示す図であり、図２１の（ｂ）は、図２０に示すタッチパネル層２３をＸ３－Ｘ３線で切断したときの基板２０の断面を示す図である。

　また、図２２は、図２０に示すメタルブリッジ３５の概略構成を示す平面図である。

　実施の形態１では、電極３２・３３がそれぞれメタルブリッジ３５に電気的に接続されている場合に、メタルブリッジ３５におけう隣り合う電極３２と電極３３との間の領域がそれぞれ１箇所で切断されていた。

　これに対し、本実施の形態では、図２０および図２２に示すように、メタルブリッジ３５における隣り合う電極３２と電極３３との間の領域がそれぞれ２箇所で切断されている。

　このため、メタルブリッジ３５におけるＹ軸方向に配列された電極３２とこれら電極３２にＸ軸方向に隣り合う電極３３との間には、断線ライン３９が２本ずつ設けられている。

　このため、メタルブリッジ３５における、Ｙ軸方向に配列された電極３２とこれら電極３２にＸ軸方向に隣り合う電極３３との間には、断線ライン３９によって、電極３２・３３の何れにも電気的に接続されていない、電気的に浮島状の金属配線部３５ｃが形成されている。

　このため、メタルブリッジ３５は、電極３２に電気的に接続された金属配線部３５ａと、電極３３に電気的に接続された金属配線部３５ｂと、電気的に浮島状の金属配線部３５ｃとを備えている。

　そして、少なくとも金属配線部３５ａと金属配線部３５ｂとの間には、金属配線部３５ｃが設けられている。

　このため、本実施の形態によれば、金属配線部３５ａと金属配線部３５ｂとの短絡を確実に防止することができ、上記短絡による歩留りの低下を抑えることができる。

　また、金属配線部３５ａと金属配線部３５ｂとの間に金属配線部３５ｃが設けられていることで、電極３２と電極３３との間に形成される、検出対象物の接触の有無により容量変化が伴わない容量（クロス容量）を低減させることができる。

　したがって、ＣＲ時定数を下げることができ、タッチパネルとしての位置検出動作をより容易にすることができる。

　＜メタルブリッジ３５による接続＞
　本実施の形態では、図２０および図２２に示すように、断線ライン３９が、平面視で、Ｙ軸方向に配列された電極３２とこれら電極３２にＸ軸方向に隣り合う電極３３との間に、これら電極３２・３３のパターンに沿って形成されている場合を例に挙げて図示した。

　また、本実施の形態では、電極３２・３３がそれぞれメタルブリッジ３５に電気的に接続されている場合を例に挙げて説明した。

　しかしながら、電極３２・３３のうち、接続配線３６で接続されていない一方の電極（例えば図２０に示す例では電極３３）のみが、メタルメッシュからなるメタルブリッジ３５に電気的に接続されていてもよい。

　この場合、メタルブリッジ３５と他方の電極との間に絶縁層３４が設けられていることで、電極３２・３３間に断線ライン３９を設ける必要は必ずしもない。

　例えば電極３３を挟んでＸ軸方向に隣り合う電極３２間に断線ライン３９を２本設けることで、電極３３を挟んでＸ軸方向に隣り合う電極３２間を電気的に切断することができる。また、電極３３を挟んでＸ軸方向に隣り合う電極３２の電極列間（すなわち、隣り合う金属配線部３５ａ間）に、電気的に浮島状の金属配線部３５ｃを形成することができる。

　〔実施の形態３〕
　本発明におけるさらに他の実施の形態について、図２３～図２８に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、説明の便宜上、実施の形態１で用いた構成要素と同一の機能を有する構成要素については、同一の符号を付し、その説明を省略する。

　図２３は、本実施の形態にかかる基板２０のタッチパネル層２３の要部の構成を示す平面図である。また、図２４は、図２３に示すタッチパネル層２３をＸ４－Ｘ４線で切断したときの基板２０の断面を示す図である。

　また、図２５は、図２３に示すメタルブリッジ３５の概略構成を示す平面図である。

　実施の形態２では、メタルブリッジ３５におけるＹ軸方向に配列された電極３２とこれら電極３２にＸ軸方向に隣り合う電極３３との間に断線ライン３９を２本ずつ形成することで、メタルブリッジ３５における金属配線部３５ａと金属配線部３５ｂとの間に、電気的に浮島状の金属配線部３５ｃを形成した。

　本実施の形態では、図２３および図２５に示すように、電極３２に設けられたコンタクトホール３７と電極３３に設けられたコンタクトホール３８との間に、電極３２・３３の配列方向に沿って、電極３２・３３と交差するように断線ライン３９が形成されている。

　図２３および図２５に示す例では、Ｙ軸方向に配列された電極３２間を接続する中央幹線３５Ａに沿って、Ｙ軸方向に、各電極３２に設けられたコンタクトホール３７を挟むように断線ライン３９が形成されているとともにＸ軸方向に、各電極３３に設けられたコンタクトホール３８を挟むように断線ライン３９が形成されている。

　これにより、メタルブリッジ３５には、電極３２に電気的に接続された金属配線部３５ａと、電極３３に電気的に接続された金属配線部３５ｂとの間に、電極３２・３３に電気的に接続されていない金属配線部３５ｃが設けられている。

　また、図２３および図２４に示すように、メタルブリッジ３５の金属配線部３５ｃ上に積層された樹脂層２４（絶縁層２５およびＣＦ層２６）には、メタルブリッジ３５の金属配線部３５ｃと、対向電極２７とを電気的に接続するコンタクトホール２８が設けられている。

　コンタクトホール２８は、１つの金属配線部３５ｃに対し、少なくとも１つ（図２３に示す例では２つ）形成されている。

　本実施の形態によれば、このように、メタルブリッジ３５における、電極３２・３３に電気的に接続されていない金属配線部３５ｃが対向電極２７と電気的に接続されていることで、対向電極２７の低抵抗化を図ることができる。したがって、ＣＲ時定数を低減することができる。また、基板２０を液晶パネル２に搭載した場合、上記対向電極２７の低抵抗化を図ることができるので、ＣＲ時定数を低減でき、ＳＮ比を高めることができる。

　＜基板２０の作製工程＞
　なお、ここでは、実施の形態１との相違点についてのみ説明する。

　本実施の形態では、実施の形態１において、図１９の（ｄ）でメタルブリッジ３５に断線ライン３９を形成するときに、図２３および図２５に示すように断線ライン３９を形成する。

　また、図１９の（ｅ）に示すように、メタルブリッジ３５上に絶縁層２５およびＣＦ層２６を形成した後、図示しないフォトレジストを用いて、これら絶縁層２５およびＣＦ層２６に、フォトリソグラフィ法等によりパターニングを行う。これにより、図２４に示すように、絶縁層２５およびＣＦ層２６に、コンタクトホール２８となる開口部を形成する。

　その後、図１９の（ｆ）に示す工程で、絶縁層２５およびＣＦ層２６に形成された開口部内にも透明導電膜を形成することで、対向電極２７およびコンタクトホール２８を形成する。

　なお、その他の工程については、実施の形態１と同じである。これにより、本実施の形態にかかる基板２０並びに該基板２０を備えた液晶パネル２を製造することができる。

　図２６は、本実施の形態にかかる他の基板２０のタッチパネル層２３の要部の構成を示す平面図である。また、図２７の（ａ）は、図２６に示すタッチパネル層２３をＹ３－Ｙ３線で切断したときの基板２０の断面を示す図であり、図２７の（ｂ）は、図２６に示すタッチパネル層２３をＸ５－Ｘ５線で切断したときの基板２０の断面を示す図である。また、図２７の（ｃ）は、図２６に示すタッチパネル層２３をＸ６－Ｘ６線で切断したときの基板２０の断面を示す図である。

　また、図２８は、図２６に示すメタルブリッジ３５の概略構成を示す平面図である。

　図２３に示す例では、電極３２の中央に、接続配線３６の幅と同程度の大きさを有するコンタクトホール３７を１つ設けている。このため、Ｙ軸方向に、各電極３２に設けられたコンタクトホール３７を挟むように断線ライン３９を形成したときに、この断線ライン３９が、Ｘ軸方向に隣り合う電極に形成されたコンタクトホール３８間の内側を通ることで、メタルブリッジ３５に、それぞれ矩形状の電極配線部３５ａ・３５ｂ・３５ｃを形成した。

　図２６に示す例では、電極３２に、Ｘ軸方向に対し２つのコンタクトホール３７を設けることで、図２８に示す形状の電極配線部３５ａ・３５ｂ・３５ｃを形成している。

　このように、電極配線部３５ａ・３５ｂ・３５ｃの形状並びに大きさは、各電極３２・３３に形成されるコンタクトホール３７・３８の大きさや数に応じて適宜設定すればよい。

　本実施の形態によれば、図２３～図２８に示すように、平面視で、各コンタクトホール３７・３８による電極３２・３３とメタルブリッジ３５との接続部（具体的には、各電極３２における各コンタクトホール３７間の領域並びに各電極３３における各コンタクトホール３８間の領域）を囲むように断線ライン３９が形成されている。

　このため、メタルブリッジ３５におけるＹ軸方向に配列された電極３２とこれら電極３２にＸ軸方向に隣り合う電極３３との間に電極３２・３３のパターンに沿って断線ライン３９を形成する場合よりも、金属配線部３５ｃの面積（すなわち、対向電極２７と接続されるメタルブリッジ３５の面積）を大きくとることができる。このため、対向電極２７を低抵抗化することができる。

　また、本実施の形態によれば、メタルブリッジ３５を断線ライン３９で電気的に切断することによって、別途金属層を形成することなく、電極３２・３３と絶縁された金属配線部を形成することができる。言い換えれば、部品点数や基板２０の厚みを増加させることなく、電極３２・３３と絶縁された金属配線部を形成することができる。

　〔実施の形態４〕
　本発明におけるさらに他の実施の形態について、図２９～図３６に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、説明の便宜上、実施の形態１～３で用いた構成要素と同一の機能を有する構成要素については、同一の符号を付し、その説明を省略する。

　本実施の形態では、コンタクトホール３７を例に挙げて、センサ電極３１とメタルブリッジ３５とを接続するコンタクトホール３７の変形例について説明する。

　＜コンタクトホールの数＞
　図２９は、本実施の形態にかかる基板２０のタッチパネル層２３の要部の構成を示す平面図である。また、図３０の（ａ）は、図２９に示すタッチパネル層２３をＹ４－Ｙ４線で切断したときの基板２０の断面を示す図であり、図３０の（ｂ）は、図２９に示すタッチパネル層２３をＸ７－Ｘ７線で切断したときの基板２０の断面を示す図である。

　実施の形態１、２における図３、図４、図２０、図２３では、電極３２が、例えば各電極３２の中央部にコンタクトホール３７を１つ有し、該コンタクトホール３７でメタルブリッジ３５と電気的に接続されている場合を例に挙げて図示した。

　しかしながら、コンタクトホール３７は、例えば図２９に示すように、１つの電極に対し、複数配置されていることが好ましい。

　Ｙ軸方向に配列された電極３２間は、メタルブリッジ３５によってブリッジ接続されている。したがって、各電極３２に、メタルブリッジ３５と接続される複数のコンタクトホール３７が設けられていることで、何れかのコンタクトホール３７で断線等の接続不良が生じた場合であっても、電極３２間の電気的接続を確保することができる。したがって、歩留りを向上させることができる。

　また、メタルブリッジ３５で電極間接続される電極３２に限らず、センサ電極３１として用いられる各電極３２・３３とメタルブリッジ３５とを接続するためのコンタクトホール３７・３８は、１つの電極に対し、複数配置されていることが好ましい。

　これにより、メタルブリッジ３５と各電極３２・３３との接続部の面積を確保することができ、各電極３２・３３を低抵抗化することができる。

　＜電極間接続に用いられるコンタクトホールの配置＞
　また、図３１は、本実施の形態にかかる他の基板２０におけるタッチパネル層２３の要部の構成を示す平面図である。なお、図３１では、メタルブリッジ３５におけるＹ軸方向に配列された電極３２とこれら電極３２にＸ軸方向に隣り合う電極３３との間に断線ライン３９を１本設けた場合を例に挙げて図示している。

　一方、図３２は、メタルブリッジ３５におけるＹ軸方向に配列された電極３２とこれら電極３２にＸ軸方向に隣り合う電極３３との間に断線ライン３９を２本設けたときのタッチパネル層２３の要部の構成を示す平面図である。

　また、図３３の（ａ）は、図３２に示すタッチパネル層２３をＹ５－Ｙ５線で切断したときの基板２０の断面を示す図であり、図３３の（ｂ）は、図３２に示すタッチパネル層２３をＸ８－Ｘ８線で切断したときの基板２０の断面を示す図である。図３３の（ｃ）は、図３２に示すタッチパネル層２３をＸ９－Ｘ９線で切断したときの基板２０の断面を示す図である。

　図３、図４、図２０、図２３、および図２９では、コンタクトホール３７の数に拘らず、コンタクトホール３７が、メタルブリッジ３５における、電極３２のＹ軸方向の対角線上を通る中央幹線３５Ａ（図３１および図３２参照、図３１中、二点鎖線で囲んだ配線）に設けられている場合を例に挙げて図示した。

　図３１および図３２では、コンタクトホール３７が、メタルブリッジ３５における、電極３２の中央幹線３５Ａではなく、中央幹線３５Ａに交差する枝線部３５Ｂに形成されている。

　このように、コンタクトホール３７が、中央幹線３５Ａではなく枝線部３５Ｂに形成されていることで、断線を防止することができ、歩留りを向上させることができる。

　なお、図３１および図３２では、Ｙ軸方向に配列された電極３２間が、メタルブリッジ３５の中央幹線３５Ａで電気的に接続されており、メタルブリッジ３５における中央幹線３５Ａ以外のＹ軸方向に延びる配線が、Ｙ軸方向に配列された電極３２間で断線されている場合を例に挙げて図示している。

　しかしながら、断線ライン３９は、必ずしも電極３２・３３のパターン間に形成されている必要はなく、実施の形態２で説明したように、平面視で、それぞれの電極３２・３３に設けられたコンタクトホール３７・３８間に形成されていればよい。したがって、Ｙ軸方向に配列された電極３２間は、中央幹線３５Ａ以外のＹ軸方向に延びる配線（幹線）で接続されていても構わない。

　このため、コンタクトホール３７は、中央幹線３５Ａに交差する枝線部３５Ｂに限定されず、メタルブリッジ３５における、メタルブリッジ３５で接続される電極間（本実施の形態では電極３２間）を結ぶ幹線に交差する枝線部に形成されていることが好ましい。これにより、断線を防止することができ、歩留りを向上させることができる。

　＜接続配線で接続された電極との接続に用いられるコンタクトホールの配置＞
　図３４は、本実施の形態にかかるさらに他の基板２０のタッチパネル層２３の要部の構成を示す平面図であり、図３５は、図３４に示すタッチパネル層２３における、電極３２列と電極３３列との交差部近傍の構成を示す平面図である。なお、図３５は、図３４に太線で囲んだ領域８１を拡大して示している。

　図３４および図３５では、配列方向が交差する電極３２・３３のうち一方の電極が、孤立パターンではなく、透明な接続配線３６で接続されている。

　なお、以下、電極３２・３３のうち電極３３が透明な接続配線３６で接続されている場合を例に挙げて説明する。

　この場合、図３４および図３５に示すように、透明な接続配線３６で接続された電極３３には、各電極列の交差部近傍（つまり、透明な接続配線３６で接続された電極３３の端部）にコンタクトホール３８が設けられていることが好ましい。

　この場合、透明な接続配線３６のみによる通電エリアを小さくすることができる。したがって、透明な接続配線３６で接続された電極３３を低抵抗化することができるので、ＣＲ時定数を低減することができる。

　＜コンタクトホールの形状および面積＞
　図３６は、本実施の形態にかかる基板２０のタッチパネル層２３におけるコンタクトホールの変形例をまとめて示す平面図である。なお、図３６では、コンタクトホール３７を例に挙げて示している。

　１つの電極３２に対するコンタクトホール３７の形成面積は、メタルブリッジ３５と電極３２との接続部の面積を確保するために、十分に広くとられていることが好ましい。

　図３６に二点鎖線で示す領域８２は、電極３２におけるＹ軸方向の各角部近傍に、メタルブリッジ３５を構成するメッシュメタルの各配線交差部（格子部分）にそれぞれ対応するように複数のコンタクトホール３７が設けられている例を示している。

　このようにコンタクトホール３７の数を増やすことで、コンタクトホール３７の形成面積を十分に大きくすることができる。

　また、図３６に二点鎖線で示す領域８３は、電極３２に、メタルブリッジ３５による接続方向であるＹ軸方向に交差する、Ｘ軸方向に長い横長のコンタクトホール３７が設けられている例を示している。

　図３６に二点鎖線で示す領域８４は、電極３２に、メタルブリッジ３５を構成するメッシュメタルにおける複数の配線交差部（格子部分）に跨がる大型のコンタクトホール３７が設けられている例を示している。

　領域８３・８４のコンタクトホール３７は、上記したように横長もしくは大型に形成されていることで、メタルブリッジ３５における中央幹線３５Ａに並走する（例えば中央幹線３５Ａに平行な）複数の配線に跨がって形成されている。

　前記したように、メタルブリッジ３５は、画素間を覆う遮光層２２（ＢＭ）に重畳して形成されている。

　したがって、領域８３・８４のコンタクトホール３７は、複数の画素に跨がって形成されている。

　このようにコンタクトホール３７の数を増やす代わりに、コンタクトホール３７のサイズを大きくすることでコンタクトホール３７の形成面積を大きくしてもよい。

　〔実施の形態５〕
　本発明における他の実施の形態について、図３７に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、説明の便宜上、実施の形態１～４で用いた構成要素と同一の機能を有する構成要素については、同一の符号を付し、その説明を省略する。

　図３７は、本実施の形態にかかる基板２０のタッチパネル層２３の要部の構成を示す平面図である。

　実施の形態１～４では、電極３２・３３が、平面視で矩形状（例えば正方形状）であり、かつ、各電極３２・３３の対角線が、それそれＸ軸方向およびＹ軸方向に沿って延びるように各電極３２・３３が配置されている場合を例に挙げて説明した。

　これに対し、本実施の形態では、図３７に示すように、電極３２・３３が、平面視で矩形状（図３７に示す例では長方形状）のパターンを有し、かつ、各電極３２・３３の各辺が、それそれＸ軸方向およびＹ軸方向に沿って延びるように各電極３２・３３が配置されている。

　また、本実施の形態でも、Ｘ軸方向に配列された電極３３は、Ｘ軸方向に配された接続配線３６によって互いに接続されている。なお、接続配線３６および電極３３を同一材料で形成する場合、電極３３と接続配線３６とは、同一層に一体的に形成することができる。

　図３７に示す例では、Ｘ軸方向に配列された電極３３は、Ｘ軸方向の辺で、接続配線３６によって接続されている。したがって、電極３３列は、櫛歯状に形成されている。

　一方、Ｙ軸方向に配列された電極３２は、Ｘ軸方向に隣り合う２つの矩形状の電極部３２ａを有し、これら電極部３２ａが、Ｘ軸方向の辺で、Ｘ軸方向に配された接続部３２ｂで接続された構造を有している。

　このため、電極３２は、電極３３列による櫛歯パターンに噛み合うように凹状に形成されている。

　電極３２は、各電極部３２ａに設けられたコンタクトホール３７によって、メッシュメタルからなるメタルブリッジ３５と電気的に接続されている。

　このため、本実施の形態では、平面視で各電極３３を囲むように、メタルブリッジ３５に断線ライン３９が設けられている。

　これにより、電極３２・３３を通電させることなく、電極３２をメタルブリッジ３５と電気的に接続させることができるので、ＣＲ時定数を低減することができる。

　なお、電極３２のみをメタルブリッジ３５と接続した場合、断線ライン３９で囲まれた領域に、電気的に浮島状の金属配線部３５ｃを形成することができる。この場合、上記金属配線部３５ｃは、対向電極２７と電気的に接続することができる。

　一方、電極３３に、二点鎖線で示すようにコンタクトホール３８を形成して電極３３とメタルブリッジとを接続することで、断線ライン３９で囲まれた領域に、電極３３に電気的に接続された金属配線部３５ｂを形成することができる。

　〔実施の形態６〕
　本発明における他の実施の形態について、図３８に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、説明の便宜上、実施の形態１～５で用いた構成要素と同一の機能を有する構成要素については、同一の符号を付し、その説明を省略する。

　図３８は、本実施の形態にかかる基板２０のタッチパネル層２３の要部の構成を示す平面図である。

　実施の形態２、３、５では、メタルブリッジ３５としてメタルメッシュを使用し、該メッシュメタルに断線ライン３９を設けることで、断線ライン３９で囲まれた領域に、電極３２・３３に電気的に接続されていない金属配線部３５ｃを形成する場合を例に挙げて説明した。

　これに対し、本実施の形態では、図３８に示すように、平面視で、各コンタクトホール３７・３８による電極３２・３３とメタルブリッジ３５との接続部（具体的には、各電極３２における各コンタクトホール３７間の領域並びに各電極３３における各コンタクトホール３８間の領域）以外の領域のメタルブリッジ３５が、切断され、除去されている。

　本実施の形態によれば、このように、メタルブリッジ３５における、電極３２・３３に電気的に接続されていない浮島領域を削除することで、対向電極２７と、メタルブリッジ３５における浮島領域との寄生容量を低減することができる。

　〔実施の形態７〕
　本発明における他の実施の形態について、図３９および図４０に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、説明の便宜上、実施の形態１～６で用いた構成要素と同一の機能を有する構成要素については、同一の符号を付し、その説明を省略する。

　実施の形態１～６では、メタルブリッジ３５として、格子状の金属配線（具体的には、メタルメッシュ）を用いた場合を例に挙げて説明した。

　しかしながら、メタルブリッジ３５は、必ずしも格子状である必要はなく、電極３２・３３のうち少なくとも一方の電極間を、他方の電極の配列方向に交差する方向に跨ぐようにブリッジ接続していればよい。

　図３９および図４０は、それぞれ、本実施の形態にかかる基板２０のタッチパネル層２３の要部の構成を示す平面図である。

　図３９および図４０は、それぞれ、メタルブリッジ３５が線状配線（本実施の形態ではＹ配線）からなり、メタルブリッジ３５が、Ｙ軸方向に配列された電極３２間をＹ軸方向に跨いでブリッジ接続している例を示している。

　なお、この場合、絶縁層３４は、電極３２・３３全体を覆うように設けられている必要はなく、メタルブリッジ３５と、電極３２・３３および接続配線３６との間（つまり、平面視でメタルブリッジ３５の配設領域）に設けられていればよい。

　これにより、メタルブリッジ３５が、電極３３と導通することなく、電極３２間をブリッジ接続することができる。

　＜変形例＞
　また、実施の形態１～６では、電極３２・３３の形成面内において、電極３２・３３のうち一方の電極が孤立パターンを有し、他方の電極が接続配線３６で接続されている場合を例に挙げて説明した。

　しかしながら、電極３２・３３は、少なくとも一方の電極が、他方の電極の配列方向に交差する方向に孤立した孤立パターンを有していればよく、両方とも孤立パターンを有していてもよい。

　電極３２・３３の形成面内において、電極３２・３３のうち少なくとも一方の電極が孤立パターンを有していることで、メタルブリッジにより、電極３２・３３が互いに接触せず、しかも、電極３２・３３が互いに通電しないように各電極３２間あるいは各電極３３間を接続することができる。

　すなわち、電極３２・３３は、これら電極３２・３３のうち少なくとも一方の電極間が、メタルブリッジにより、他方の電極の配列方向に交差する方向に跨ぐようにブリッジ接続されていればよい。これにより、電極３２・３３が互いに通電しないように各電極３２間あるいは各電極３３間を接続することができる。

　なお、電極３２・３３の形成面内において、電極３２・３３のうち少なくとも一方の電極間は接続配線で接続されており、他方の電極は、上記一方の電極の配列方向に交差する方向に孤立した孤立パターンを有し、少なくとも上記孤立パターンの配列方向にメタルブリッジが形成されていることで、電極３２・３３が互いに通電しないように各電極３２間あるいは各電極３３間を接続することができるとともに、各電極間を、簡素かつ容易に接続することができる。

　〔実施の形態８〕
　本発明における他の実施の形態について、図４１の（ａ）・（ｂ）～図４３に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、説明の便宜上、実施の形態１～７で用いた構成要素と同一の機能を有する構成要素については、同一の符号を付し、その説明を省略する。

　図４１の（ａ）は、本実施の形態にかかる基板２０の概略構成を示す平面図であり、図４１の（ｂ）は、図４１の（ａ）に示す基板２０のＩ－Ｉ線断面図である。

　また、図４２の（ａ）は、本実施の形態にかかる液晶パネル２の概略構成を示す平面図であり、図４２の（ｂ）は、図４２の（ａ）に示す液晶パネル２のII－II線断面図である。

　図４１の（ｂ）および図４２の（ｂ）に示すように、メタルブリッジ３５における、基板２０と基板１０との接続部（シール部）となる外周部９０（外周端部）は、電極３２・３３から電気的に切断されている。

　本実施の形態では、対向電極２７が、メタルブリッジ３５の外周部９０（シールドライン）と電気的に接続されている。すなわち、対向電極２７は、図４２の（ｂ）に示すように、シール材６０が設けられたシール部において、メタルブリッジ３５のシールドラインに電気的に接続されている。これにより、シール部においても対向電極２７の低抵抗化を図ることができる。したがって、ＣＲ時定数を低減することができる。

　また、上記したように基板２０を液晶パネル２に搭載した場合、上記したように対向電極２７の低抵抗化を図ることができるので、液晶パネル２の表示性能を向上させることができる。

　また、対向電極２７をシールドラインと接続することで、例えばＴＦＴ用の配線等からのノイズを防止することができる。

　また、本実施の形態では、図４１の（ｂ）および図４２の（ｂ）に示すように、基板２０の外周部において、メタルブリッジ３５上に対向電極２７が形成（成膜）されることにより、メタルブリッジ３５と対向電極２７とが電気的に接続されている。

　したがって、本実施の形態によれば、メタルブリッジ３５と対向電極２７とを電気的に接続するための製造工程、すなわち、メタルブリッジ３５における、電極３２・３３と電気的に接続されていない金属配線部３５ｃと対向電極２７とを電気的に接続するためのコンタクトホール２８の形成工程を省略することができる。このため、基板２０の製造工程の簡略化および製造コストの低減化を図ることができる。

　なお、タッチパネル層２３の各引出配線（図示せず）は、シール材６０に含有される、キンビーズ等の導電性粒子を介して、基板１０におけるアクティブマトリクス層１２（ＴＦＴ画素部）の配線パターン（図示せず）に接続される。

　＜変形例＞
　図４３は、本実施の形態にかかる液晶パネル２の概略構成を示す断面図である。なお、図４３は、図４２の（ａ）に示す液晶パネル２のII－II線断面図に該当する。

　図４２では、ＣＦ層２６が、対向電極２７を介してシール材６０の配設領域に隣接して設けられている場合を例に挙げて図示した。

　図４３では、ＣＦ層２６が、遮光層２２による遮光領域に形成されている場合を示している。これにより、ＣＦ層２６の周縁部の周囲がシール材６０で遮光され、ＣＦ層２６の周端部における光漏れを抑制することができる。

　〔実施の形態９〕
　本発明における他の実施の形態について、図４４～図４５に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、説明の便宜上、実施の形態１～８で用いた構成要素と同一の機能を有する構成要素については、同一の符号を付し、その説明を省略する。

　図４４は、本実施の形態にかかる液晶表示装置の要部の概略構成を示す断面図である。また、図４５は、基板２０の要部の構成を、積層順に模式的に示す断面図である。

　図４４および図４５に示すように、本実施の形態にかかる基板２０は、絶縁基板２１、遮光層２２（ＢＭ）、ＣＦ層２６、タッチパネル層２３、絶縁層２５、対向電極２７が、この順に積層されて形成されている。

　すなわち、本実施の形態にかかる基板２０は、ＣＦ層２６の積層順が異なっていることを除けば、実施の形態１～７にかかる基板２０と同じ構成を有している。

　本実施の形態によれば、遮光層２２（ＢＭ）によって各色のＣＦ層２６間を遮光するに際し、遮光層２２とＣＦ層２６との位置合わせを容易に行うことができる。

　また、絶縁基板２１上に遮光層２２とＣＦ層２６とが予め設けられた基板を用いて、該基板上にセンサ電極３１や対向電極２７等の電極パターンを形成することができる。したがって、上記基板の作製と、電極パターンの形成等の配線とを分業して行うことができるので、プロセスコストを低減することができる。

　なお、一方、実施の形態１～７に示したように、メタルブリッジ３５と対向電極２７との間にＣＦ層２６が設けられていることで、センサ電極３１と対向電極２７との間の距離を稼ぐことができる。これにより、センサ電極３１と対向電極２７との間の寄生容量を小さくすることができる。

　〔実施の形態１０〕
　本発明における他の実施の形態について、図４６の（ａ）・（ｂ）～図４８に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、説明の便宜上、実施の形態１～９で用いた構成要素と同一の機能を有する構成要素については、同一の符号を付し、その説明を省略する。

　図４６の（ａ）は液晶パネル２の表示駆動用端子とタッチパネル用端子とを示す平面図であり、図４６の（ｂ）は、図４６の（ａ）に示すタッチパネル用端子の部分（丸囲み領域）の拡大図である。

　また、図４７および図４８は、それぞれ、液晶パネル２の表示駆動用端子とタッチパネル用端子とを示す他の平面図である。

　図４６の（ａ）に示すように、液晶パネル２は、表示駆動用端子の表面と、タッチパネル用端子の表面とが同一方向（図４６の（ａ）における紙面鉛直上向き）となるように構成されている。

　図４６の（ｂ）に示すように、タッチパネルの表面に設けられた端子は、コンタクト部を介して裏面の信号配線（タッチパネル用配線）に接続されている。具体的には、タッチパネル用端子と裏面の信号配線とは、コンタクト部において、シール部内に設けられた金ビーズ等の導電性粒子により電気的に接続されている。

　これにより、表示駆動用端子とタッチパネル用端子とを同じ向きに形成することができるので、基板１０・２０のうち一方の基板側、つまり、基板１０側で、表示駆動用端子およびタッチパネル用端子と回路との接続を行うことができる。

　但し、液晶パネル２の額縁領域の端子部は、上記の構成に限定されず、例えば図４７あるいは図４８に示す構成としてもよい。

　図４７に示す液晶パネル２では、基板１０・２０の端子部を斜めに切り出してずらして配置することで、タッチパネル用端子の表面と、表示駆動用端子の表面とが対向するように構成されている。

　また、図４８に示す液晶パネル２では、基板１０・２０を互いに反対方向に引き出してずらして配置することで、基板１０・２０にそれぞれ端子部を形成している。これにより、図４８に示す液晶パネル２では、タッチパネル用端子の表面と表示駆動用端子の表面とが、互いに対向するとともに液晶パネル２の中心に対して対称となるように構成されている。

　なお、上記端子部の構成は、上述した各実施の形態にかかる基板２０に共通して適用することができる。

　＜変形例＞
　なお、上述した各実施の形態では、タッチパネル層２３が、対向基板、特に、ＣＦ基板に設けられている場合を例に挙げて説明した。しかしながら、本発明はこれに限定されるものではなく、アクティブマトリクス基板等のアレイ基板にタッチパネル層２３が設けられていてもよい。

　但し、タッチパネル層２３を対向基板に設けることで、アレイ基板上の画像表示用の信号線（ゲートラインやソースライン）とタッチパネル層２３とを離間させることができるので、タッチパネル層２３がアレイ基板に設けられている場合よりも、ノイズの発生を抑えることができ、タッチパネルの感度を向上させることができる。

　＜要点概要＞
　以上のように、本発明の一態様にかかるタッチパネル基板は、電気光学素子を挟持する一対の基板のうち一方の基板として用いられ、静電容量の変化により検出対象物の指示座標の位置を検出する位置検出電極が設けられたタッチパネル基板であって、絶縁基板と、上記電気光学素子に電界を印加する電気光学素子駆動電極と、上記絶縁基板と電気光学素子駆動電極との間に、上記電気光学素子駆動電極から絶縁されて設けられた上記位置検出電極とを備え、上記位置検出電極は、第１の方向に配列された複数の第１の電極と、上記第１の方向と交差する第２の方向に、上記第１の電極とは絶縁して配列された複数の第２の電極とを備え、上記第１の電極と第２の電極とは、同一面内に形成されている。

　上記の構成によれば、第１の電極と第２の電極とを別層に設ける場合と比較して、第１の電極および第２の電極と電気光学素子駆動電極との間の寄生容量を小さくすることができる。したがって、位置検出性能が高く、安定した位置検出動作を行うことができる、インセル型のタッチパネルに用いられるタッチパネル基板を提供することができる。

　また、上記の構成によれば、第１の電極および第２の電極を面状パターンとした場合であっても、上記寄生容量を小さくすることができるので、検出信号の大きさを確保したまま、上記寄生容量を小さくすることができる。また、第１の電極と第２の電極とを同一面内に形成することで、第１の電極と第２の電極とを同一材料で同時に形成することができるので、プロセスコストを低減することができる。

　上記第１の電極および第２の電極の形成面内において、上記第１の電極および第２の電極のうち少なくとも一方の電極は、他方の電極の配列方向に交差する方向に孤立した孤立パターンを有していることが好ましい。

　上記の構成によれば、第１の電極と第２の電極とが互いに接触せず、しかも、第１の電極と第２の電極とが互いに通電しないように各電極間を接続することができる。

　また、上記タッチパネル基板は、上記第１の電極および第２の電極とは別層に設けられた金属配線を備え、上記金属配線は、上記第１の電極および第２の電極のうち少なくとも一方の電極間を、他方の電極の配列方向に交差する方向に跨ぐようにブリッジ接続していることが好ましい。

　上記の構成によれば、第１の電極および第２の電極のうち少なくとも一方の電極間を、他方の電極の配列方向に交差する方向に跨ぐように金属配線でブリッジ接続していることで、第１の電極と第２の電極とが互いに通電しないように各電極間を接続することができる。

　また、上記の構成によれば、位置検出電極を低抵抗化することができるので、ＣＲ時定数を低減することができる。

　なお、上記第１の電極および第２の電極は、透明な電極であることが好ましい。

　上記第１の電極および第２の電極が透明な電極であり、第１の電極および第２の電極のうち一方の電極間を、上記したように金属配線でブリッジ接続することで、光の透過率並びに透明領域の面積を確保したまま、位置検出電極の低抵抗化を図ることができる。したがって、上記タッチパネル基板を表示パネルに搭載した場合、該表示パネルの開口率を確保したまま、位置検出電極の低抵抗化を図ることができる。

　また、上記タッチパネル基板は、上記第１の電極および第２の電極の形成面内において、上記第１の電極および第２の電極のうち一方の電極間は接続配線で接続されており、他方の電極は、上記一方の電極の配列方向に交差する方向に孤立した孤立パターンを有し、少なくとも上記孤立パターンの配列方向に上記金属配線が形成されていることが好ましい。

　上記の構成によれば、第１の電極と第２の電極とが互いに通電しないように各電極間を接続することができるとともに、上記第１の電極および第２の電極の形成面内で、接続配線により一方の電極間を接続し、他方の電極間のみを上記金属配線でブリッジ接続するので、各電極間を、簡素かつ容易に接続することができる。

　なお、上記金属配線は、上記第１の電極および第２の電極と上記電気光学素子駆動電極との間に設けられていることが好ましい。

　上記第１の電極および第２の電極よりも電気光学素子駆動電極側に上記金属配線が設けられていることで、第１の電極および第２の電極と電気光学素子駆動電極との間の距離を稼ぐことができ、第１の電極および第２の電極と電気光学素子駆動電極との間の寄生容量を小さくすることができる。

　しかも、金属配線は、配線形状（線状パターン）を有していることから、金属配線と電気光学素子駆動電極との間の寄生容量は小さい。

　また、上記金属配線と上記第１の電極および第２の電極との間、および、上記金属配線と上記電気光学素子駆動電極との間のうち少なくとも一方に、絶縁層として有機絶縁層が設けられていることが好ましい。

　有機絶縁膜は、無機絶縁膜と比較して厚膜化が可能であり、また、無機絶縁膜と比較して比誘電率が低い。

　したがって、上記金属配線と上記第１の電極および第２の電極との間、および、上記金属配線と上記電気光学素子駆動電極との間のうち少なくとも一方に、有機絶縁層（有機絶縁膜からなる層）が設けられていることで、厚膜化と低誘電率化の両方の観点から、上記位置検出電極と電気光学素子駆動電極との間の寄生容量を低減することができる。

　また、上記タッチパネル基板においては、上記絶縁基板上に格子状の遮光層が形成されており、上記遮光層は、平面視で上記金属配線を覆っていることが好ましい。

　上記の構成によれば、上記金属配線の形成領域を遮光することができるとともに、上記金属配線の側方からの漏光や上記金属配線による反射光を遮光することができる。

　また、上記金属配線は、格子状の金属配線であることが好ましい。

　上記の構成によれば、上記格子状の金属配線によって位置検出電極の低抵抗化を図ることができる。このため、ＣＲ時定数を低減することができる。

　なお、上記遮光層は、上記金属配線に対応した形状を有していることが好ましい。

　上記遮光層が、上記金属配線に対応した形状を有していることで、上記遮光層の形成と金属配線の形成とに同じマスクパターンを使用することができる。このため、マスク枚数を削減することができ、プロセスコストを低減することができる。

　また、上記金属配線は、上記金属配線と該金属配線で接続される電極との間に設けられた絶縁層に形成された少なくとも１つのコンタクトホールにより上記電極間をブリッジ接続していることが好ましい。

　上記の構成によれば、上記格子状の金属配線によって、容易にブリッジ接続を行うことができる。したがって、プロセスを簡略化することができ、プロセスコストを削減することができる。

　また、上記コンタクトホールは、上記金属配線における、上記金属配線で接続される電極間を結ぶ幹線に交差する枝線部に形成されていることが好ましい。

　上記の構成によれば、上記コンタクトホールが、上記金属配線の幹線ではなく枝線部に形成されていることで、断線を防止することができ、歩留りを向上させることができる。

　また、上記コンタクトホールは、１つの電極に対し、複数配置されていることが好ましい。

　上記の構成によれば、上記金属配線と電極との接続部の面積を確保することができ、上記位置検出電極を低抵抗化することができるので、ＣＲ時定数を低減することができる。

　また、上記コンタクトホールは、上記金属配線における、上記金属配線で接続される電極間を結ぶ幹線に並走する複数の配線に跨がって形成されていることが好ましい。

　このとき、例えば、上記コンタクトホールは、上記金属配線における、複数の格子部分に跨がって形成されていることが好ましい。

　また、上記タッチパネル基板は、上記第１の電極および第２の電極の形成面内において、上記第１の電極および第２の電極のうち一方の電極間は透明な接続配線で接続されているとともに、上記第１の電極および第２の電極は、上記コンタクトホールを介して上記金属配線とそれぞれ電気的に接続されており、上記金属配線は、上記第１の電極に設けられた上記コンタクトホールと上記第２の電極に設けられたコンタクトホールとの間で、上記第１の電極と第２の電極とが通電しないように断線されている構成を有していることが好ましい。

　例えば、上記金属配線は、上記第１の電極に設けられた上記コンタクトホールと上記第２の電極に設けられた上記コンタクトホールとの間に、上記金属配線を複数の金属配線部に分断する断線ラインを有し、上記断線ラインによって、上記第１の電極に接続された金属配線部と上記第２の電極に接続された金属配線部とに分断されていることが好ましい。

　上記の構成によれば、上記第１の電極と第２の電極とを通電させることなく、上記第１の電極および第２の電極を、それぞれ、上記金属配線と電気的に接続させることができる。したがって、上記位置検出電極を低抵抗化することができるので、ＣＲ時定数を低減することができる。

　また、上記第１の電極および第２の電極のうち透明な接続配線で接続された電極には、上記接続配線で接続された電極端部に上記コンタクトホールが設けられていることが好ましい。

　上記の構成によれば、上記透明な接続配線のみによる通電エリアを小さくすることができる。このため、上記位置検出電極を低抵抗化することができるので、ＣＲ時定数を低減することができる。

　また、上記金属配線は、（１）上記第１の電極に設けられた上記コンタクトホールと上記第２の電極に設けられたコンタクトホールとの間に、上記金属配線を複数の金属配線部に分断する少なくとも１本の断線ラインを有し、（２）上記第１の電極に設けられた上記コンタクトホールと上記第２の電極に設けられた上記コンタクトホールとの間に、上記断線ラインで分断された、上記第１の電極および第２の電極の何れにも電気的に接続されていない金属配線部を有していることが好ましい。

　上記第１の電極に設けられた上記コンタクトホールと上記第２の電極に設けられた上記コンタクトホールとの間に、上記第１の電極および第２の電極の何れにも電気的に接続されていない金属配線部による浮島が形成されていることで、上記金属配線における、上記第１の電極に接続された金属配線部と上記第２の電極に接続された金属配線部との短絡を防止することができる。このため、上記短絡による歩留りの低下を抑えることができる。

　また、上記の構成によれば、上記浮島（第１の電極および第２の電極の何れにも接続されていない金属配線部）により、上記第１の電極と第２電極との間に形成されるクロス容量（検出対象物の接触の有無により容量変化が伴わない容量）を低減させることができる。このため、ＣＲ時定数を下げることができ、タッチパネルとしての位置検出動作をより容易にすることができる。

　さらに、上記の構成によれば、別途金属層を形成することなく、上記第１の電極および第２の電極と絶縁された金属配線部を形成することができる。言い換えれば、部品点数や層厚を増加させることなく、上記第１の電極および第２の電極と絶縁された金属配線部を形成することができる。

　また、上記第１の電極および第２の電極の何れにも接続されていない金属配線部は、上記電気光学素子駆動電極と電気的に接続されていることが好ましい。

　上記の構成によれば、上記第１の電極および第２の電極の何れにも接続されていない金属配線部が、上記電気光学素子駆動電極と電気的に接続されていることで、上記電気光学素子駆動電極の低抵抗化を図ることができる。したがって、ＣＲ時定数を低減することができる。また、上記タッチパネル基板を表示パネルに搭載した場合、上記電気光学素子駆動電極の低抵抗化を図ることができるので、上記表示パネルの表示性能を向上させることができる。

　また、上記金属配線における、上記一対の基板のうち他方の基板との接続部となる外周部は、上記第１の電極および第２の電極から電気的に切断されており、上記電気光学素子駆動電極は、上記金属配線の外周部と電気的に接続されていることが好ましい。

　上記の構成によれば、上記電気光学素子駆動電極の低抵抗化を図ることができる。したがって、ＣＲ時定数を低減することができる。また、上記タッチパネル基板を表示パネルに搭載した場合、上記電気光学素子駆動電極の低抵抗化を図ることができるので、上記表示パネルの表示性能を向上させることができる。

　また、上記タッチパネル基板は、上記遮光層に隣接して、上記遮光層と位置検出電極との間に、複数色のカラーフィルタが設けられていることが好ましい。

　上記の構成によれば、上記遮光層によって各色のカラーフィルタ間を遮光するに際し、遮光層とカラーフィルタとの位置合わせを容易に行うことができる。

　また、上記の構成によれば、絶縁基板上に遮光層とカラーフィルタとが予め設けられた基板を用いて、該基板上に位置検出電極や光学素子駆動電極等の電極パターンを形成することができる。したがって、上記基板の作製と、電極パターンの形成等の配線とを分業して行うことができるので、プロセスコストを低減することができる。

　また、上記金属配線は、上記第１の電極および第２の電極と上記電気光学素子駆動電極との間に設けられており、上記金属配線と電気光学素子駆動電極との間に、複数色のカラーフィルタが設けられていることが好ましい。

　上記の構成によれば、カラーフィルタを設ける場合、上記したように上記金属配線と電気光学素子駆動電極との間にカラーフィルタを形成することで、上記第１の電極および第２の電極と電気光学素子駆動電極との間の距離を稼ぐことができる。したがって、上記第１の電極および第２の電極と電気光学素子駆動電極との間の寄生容量を小さくすることができる。

　また、以上のように、本発明の一態様にかかる電気光学装置は、電気光学素子と、上記電気光学素子を挟持する一対の基板とを備え、上記一対の基板のうち一方の基板が、上記タッチパネル基板である。

　本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。

　本発明は、インセル型のタッチパネルに用いられるタッチパネル基板および該タッチパネル基板を備えた電気光学装置に利用することができる。上記電気光学装置としては、例えば、液晶パネル、有機ＥＬ表示パネル、電気泳動表示パネル等の表示パネル、並びにこれら表示パネルを用いた表示装置や、視野角制御パネル等が挙げられる。

　　１　　液晶表示装置（電気光学装置）
　　２　　液晶パネル（電気光学装置）
　　３　　バックライト
　　４　　液晶セル
　　５　　偏光板
　　６　　偏光板
　１０　　基板
　１１　　絶縁基板
　１２　　アクティブマトリクス層
　２０　　基板（タッチパネル基板）
　２１　　絶縁基板
　２２　　遮光層
　２３　　タッチパネル層
　２４　　樹脂層
　２５　　絶縁層
　２６　　ＣＦ層（カラーフィルタ）
　２７　　対向電極
　２８　　コンタクトホール
　３０　　液晶層（電気光学素子）
　３１　　センサ電極（位置検出電極）
　３２　　電極（位置検出電極）
　３２ａ　電極部
　３２ｂ　接続部
　３３　　電極（位置検出電極）
　３４　　絶縁層
　３４ａ　開口部
　３５　　メタルブリッジ
　３５Ａ　中央幹線
　３５Ｂ　枝線部
　３５ａ　電極配線部
　３５ｂ　金属配線部
　３５ｃ　金属配線部
　３６　　接続配線
　３７　　コンタクトホール
　３８　　コンタクトホール
　３９　　断線ライン
　４０　　端子部
　５０　　液晶層
　６０　　シール材
　７０　　指先
　７１　　静電容量
　９０　　外周部
１００　位置検出回路
１０１　ドライブライン駆動回路
１０２　センスライン駆動回路
１０３　タッチパネルコントローラ
１０４　タイミングコントローラ
１１１　サンプリング回路
１１２　蓄積容量
１１３　出力アンプ
１１４　リセットスイッチ
１１５　測定手段

Claims

　電気光学素子を挟持する一対の基板のうち一方の基板として用いられ、静電容量の変化により検出対象物の指示座標の位置を検出する位置検出電極が設けられたタッチパネル基板であって、
　絶縁基板と、上記電気光学素子に電界を印加する電気光学素子駆動電極と、上記絶縁基板と電気光学素子駆動電極との間に、上記電気光学素子駆動電極から絶縁されて設けられた上記位置検出電極とを備え、
　上記位置検出電極は、第１の方向に配列された複数の第１の電極と、上記第１の方向と交差する第２の方向に、上記第１の電極とは絶縁して配列された複数の第２の電極とを備え、
　上記第１の電極と第２の電極とは、同一面内に形成されていることを特徴とするタッチパネル基板。
　上記第１の電極および第２の電極の形成面内において、上記第１の電極および第２の電極のうち少なくとも一方の電極は、他方の電極の配列方向に交差する方向に孤立した孤立パターンを有していることを特徴とする請求項１に記載のタッチパネル基板。
　上記第１の電極および第２の電極とは別層に設けられた金属配線を備え、
　上記金属配線は、上記第１の電極および第２の電極のうち少なくとも一方の電極間を、他方の電極の配列方向に交差する方向に跨ぐようにブリッジ接続していることを特徴とする請求項２に記載のタッチパネル基板。
　上記第１の電極および第２の電極の形成面内において、上記第１の電極および第２の電極のうち一方の電極間は接続配線で接続されており、他方の電極は、上記一方の電極の配列方向に交差する方向に孤立した孤立パターンを有し、
　少なくとも上記孤立パターンの配列方向に上記金属配線が形成されていることを特徴とする請求項３に記載のタッチパネル基板。
　上記金属配線は、上記第１の電極および第２の電極と上記電気光学素子駆動電極との間に設けられていることを特徴とする請求項３または４に記載のタッチパネル基板。
　上記金属配線と上記第１の電極および第２の電極との間、および、上記金属配線と上記電気光学素子駆動電極との間のうち少なくとも一方に、絶縁層として有機絶縁層が設けられていることを特徴とする請求項５に記載のタッチパネル基板。
　上記絶縁基板上に格子状の遮光層が形成されており、上記遮光層は、平面視で上記金属配線を覆っていることを特徴とする請求項３～６の何れか１項に記載のタッチパネル基板。
　上記金属配線が格子状の金属配線であることを特徴とする請求項７に記載のタッチパネル基板。
　上記金属配線は、上記金属配線と該金属配線で接続される電極との間に設けられた絶縁層に形成された少なくとも１つのコンタクトホールにより上記電極間をブリッジ接続していることを特徴とする請求項８に記載のタッチパネル基板。
　上記コンタクトホールは、上記金属配線における、上記金属配線で接続される電極間を結ぶ幹線に交差する枝線部に形成されていることを特徴とする請求項９に記載のタッチパネル基板。
　上記第１の電極および第２の電極の形成面内において、上記第１の電極および第２の電極のうち一方の電極間は透明な接続配線で接続されているとともに、
　上記第１の電極および第２の電極は、上記コンタクトホールを介して上記金属配線とそれぞれ電気的に接続されており、
　上記金属配線は、上記第１の電極に設けられた上記コンタクトホールと上記第２の電極に設けられたコンタクトホールとの間で、上記第１の電極と第２の電極とが通電しないように断線されていることを特徴とする請求項９または１０に記載のタッチパネル基板。
　上記第１の電極および第２の電極のうち透明な接続配線で接続された電極には、上記接続配線で接続された電極端部に上記コンタクトホールが設けられていることを特徴とする請求項１１に記載のタッチパネル基板。
　上記金属配線は、
　上記第１の電極に設けられた上記コンタクトホールと上記第２の電極に設けられたコンタクトホールとの間に、上記金属配線を複数の金属配線部に分断する少なくとも１本の断線ラインを有し、
　上記第１の電極に設けられた上記コンタクトホールと上記第２の電極に設けられた上記コンタクトホールとの間に、上記断線ラインで分断された、上記第１の電極および第２の電極の何れにも電気的に接続されていない金属配線部を有していることを特徴とする請求項１１または１２に記載のタッチパネル基板。
　上記第１の電極および第２の電極の何れにも接続されていない金属配線部が、上記電気光学素子駆動電極と電気的に接続されていることを特徴とする請求項１３に記載のタッチパネル基板。
　上記金属配線における、上記一対の基板のうち他方の基板との接続部となる外周部は、上記第１の電極および第２の電極から電気的に切断されており、上記電気光学素子駆動電極は、上記金属配線の外周部と電気的に接続されていることを特徴とする請求項６～１４の何れか１項に記載のタッチパネル基板。
　電気光学素子と、上記電気光学素子を挟持する一対の基板とを備え、
　上記一対の基板のうち一方の基板が、請求項１～１５の何れか１項に記載のタッチパネル基板であることを特徴とする電気光学装置。