JP2017009983A - 表示モジュール、表示モジュールの作製方法 - Google Patents

Abstract

【課題】利便性または信頼性に優れた新規な表示モジュールを提供する。また、利便性または信頼性に優れた新規な表示モジュールの作製方法を提供する。【解決手段】端子を支持する可撓性の第１の基材と、第１の基材に重なる可撓性の第２の基材と、第１の基材および第２の基材を貼り合わせる接合層と、端子と電気的に接続されるフレキシブルプリント基板と、端子と電気的に接続される表示素子と、第１の基材、第２の基材、接合層およびフレキシブルプリント基板に接する絶縁層と、を有し、表示素子は発光性の有機化合物を含む層を備える構成に想到した。【選択図】図１

Description

本発明の一態様は、表示モジュール、半導体装置または表示モジュールの作製方法に関する。

なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明の一態様の技術分野は、物、方法、または、製造方法に関するものである。または、本発明の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・オブ・マター）に関するものである。そのため、より具体的に本明細書で開示する本発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、それらの駆動方法、または、それらの製造方法、を一例として挙げることができる。

不純物が拡散することにより、その機能が損なわれてしまう機能素子がある。このような機能素子の機能を維持するために、機能素子をそれが設けられた基板、封止基板および基板と封止基板を貼り合わせる封止材に囲まれた空間に封止する発明が知られている（特許文献１）。

発光装置の作製工程において、電極層や素子層を作製後、形状を成形する加工を行うことによって少なくとも一部が曲折した発光パネルを作製し、少なくとも一部が曲折した発光パネル表面を覆う保護膜を形成して、当該発光パネルを用いた発光装置に高機能化及び高信頼性を付加する発明が知られている（特許文献２）。

米国特許出願公開第２００７／０１７０８５４号明細書 特開２０１１−００３５３７号公報

本発明の一態様は、利便性または信頼性に優れた新規な表示モジュールを提供することを課題の一とする。または、利便性または信頼性に優れた新規な表示モジュールの作製方法を提供することを課題の一とする。または、新規な表示モジュール、新規な表示モジュールの作製方法または新規な半導体装置を提供することを課題の一とする。

なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。

（１）本発明の一態様は、端子と、第１の基材と、第２の基材と、接合層と、表示素子と、フレキシブルプリント基板と、絶縁層と、を有する表示モジュールである。

第１の基材は、可撓性および端子を支持する機能を備える。

第２の基材は、可撓性および第１の基材に重なる領域を備える。

接合層は、第１の基材と第２の基材を貼り合わせる機能を備える。

表示素子は、第１の基材と第２の基材の間に設けられ、端子と電気的に接続される。

フレキシブルプリント基板は、端子と電気的に接続される。

絶縁層は、第１の基材、第２の基材、接合層およびフレキシブルプリント基板に接する。

上記本発明の一態様の表示モジュールは、端子を支持する可撓性の第１の基材と、第１の基材に重なる可撓性の第２の基材と、第１の基材および第２の基材を貼り合わせる接合層と、端子と電気的に接続されるフレキシブルプリント基板と、端子と電気的に接続される表示素子と、第１の基材、第２の基材、接合層およびフレキシブルプリント基板に接する絶縁層と、を有する。これにより、第１の基材、第２の基材および絶縁層に囲まれた領域、例えば発光性の有機化合物を含む層への不純物の拡散を抑制することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示モジュールを提供できる。

（２）また、本発明の一態様は、樹脂層と、を有し、絶縁層は接合層と樹脂層の間に挟まれる領域を備える、上記の表示モジュールである。

上記本発明の一態様の表示モジュールは、接合層と樹脂層の間に挟まれる絶縁層を含んで構成される。これにより、さまざまな応力を分散し、応力の集中に伴う絶縁層の破壊を防ぐことができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示モジュールを提供できる。

（３）また、本発明の一態様は、表示素子が発光性の有機化合物を含む層を備える上記の表示モジュールである。

これにより、発光性の有機化合物を含む層へのさまざまな不純物の拡散を抑制できる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示モジュールを提供できる。

（４）また、本発明の一態様は、駆動回路と、を有する。そして、駆動回路から最も近い第１の基材の端部または第２の基材の端部までの距離は、１．０ｍｍ以下であって、０ｍｍより大きい上記の表示モジュールである。

（５）また、本発明の一態様は、駆動回路と、を有する。そして、駆動回路は、表示素子と第１の基材の端部の間に配置される。また、表示素子から最も近い第１の基材の端部または第２基材の端部までの距離が４．０ｍｍ以下であって、０ｍｍより大きい上記の表示モジュールである。

（６）また、本発明の一態様は、表示素子から最も近い第１の基材の端部または前記第２の基材の端部までの距離が３．０ｍｍ以下であって、０ｍｍより大きい上記の表示モジュールである。

これにより、表示素子が配置される領域の外側に形成される額縁部分の幅を狭くすることができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示モジュールを提供できる。

（７）また、本発明の一態様は、第１の端子部と、第２の端子部と、第１の基材と、第２の基材と、接合層と、表示素子と、タッチセンサと、第１のフレキシブルプリント基板と、第２のフレキシブルプリント基板と、絶縁層と、を有する表示モジュールである。

第１の基材は、第１の端子部を支持する機能を備える。

第２の基材は、第１の基材に重なる領域および第２の端子部を支持する機能を備える。

接合層は、第１の基材と第２の基材を貼り合わせる機能を備える。

表示素子は、第１の基材と第２の基材の間に設けられ、第１の端子部と電気的に接続される。

タッチセンサは、第１の基材と第２の基材の間に設けられ、第２の端子部と電気的に接続される。

第１のフレキシブルプリント基板は、第１の端子部と電気的に接続される。

第２のフレキシブルプリント基板は、第２の端子部と電気的に接続される。

絶縁層は、第１の基材、第２の基材、接合層、第１のフレキシブルプリント基板および第２のフレキシブルプリント基板に接する。

上記本発明の一態様の表示モジュールは、可撓性の第１の基材、可撓性の第２の基材および絶縁層に囲まれた領域に配置された表示素子を含んで構成される。これにより、第１の基材、第２の基材および絶縁層に囲まれた領域へのさまざまな不純物の拡散を抑制できる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示モジュールを提供できる。

（８）また、本発明の一態様は、以下の第１のステップ乃至第３のステップを有する上記の表示モジュールの作製方法である。

第１のステップにおいて、端子、端子を支持する第１の基材、第１の基材に重なる領域を備える第２の基材、第１の基材と第２の基材を貼り合わせる接合層、第１の基材と第２の基材の間に設けられ、端子と電気的に接続される表示素子および端子と電気的に接続されるフレキシブルプリント基板を有する加工部材を準備して、フレキシブルプリント基板の端子部に重なる領域にマスクを形成する。

第２のステップにおいて、原子層堆積（ＡＬＤ：Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法を用いて、第１の基材、第２の基材、接合層およびフレキシブルプリント基板に接する絶縁層を形成する。

第３のステップにおいて、絶縁層の一部をマスクと共に取り除き、絶縁層のフレキシブルプリント基板の端子部に重なる領域に開口部を形成する。

上記本発明の一態様の表示モジュールの作製方法は、フレキシブルプリント基板の端子部に重なる領域にマスクを形成する第１のステップと、原子層堆積法を用いて絶縁層を形成する第２のステップと、絶縁層のフレキシブルプリント基板の端子部と重なる領域に開口部を形成する第３のステップとを含んで構成される。これにより、フレキシブルプリント基板の端子部に開口部を有する絶縁層を形成することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示モジュールの作製方法を提供できる。

本発明の一態様によれば、利便性または信頼性に優れた新規な表示モジュールを提供できる。または、利便性または信頼性に優れた新規な表示モジュールの作製方法を提供できる。または、新規な表示モジュール、新規な表示モジュールの作製方法または新規な半導体装置を提供できる。

なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。

実施の形態に係る表示モジュールの構成を説明する図。 実施の形態に係る表示モジュールの構成を説明する図。 実施の形態に係る表示パネルの構成を説明する図。 実施の形態に係る表示パネルの構成を説明する図。 実施の形態に係る表示モジュールの構成を説明する図。 実施の形態に係る表示モジュールの構成を説明する図。 実施の形態に係る表示モジュールの作製方法を説明する図。 実施の形態に係る表示モジュールの作製方法を説明する図。 実施の形態に係る成膜装置の構成を説明する図。 実施の形態に係る支持部の構成を説明する図。 実施の形態に係る支持部の構成を説明する図。 実施の形態に係る情報処理装置の構成を説明する図。 実施の形態に係る積層体の作製工程を説明する模式図。 実施の形態に係る積層体の作製工程を説明する模式図。 実施の形態に係る積層体の作製工程を説明する模式図。 実施の形態に係る支持体に開口部を有する積層体の作製工程を説明する模式図。 実施の形態に係る加工部材の構成を説明する模式図。 実施例に係る作製した表示モジュールの構成を説明する図および写真。 実施例に係る表示モジュールの絶縁層の作製方法を説明する図。 実施例に係る表示モジュールの外観と表示品位を説明する写真。 折り曲げ試験機および鉛筆硬度試験機の外観を説明する図。 実施例に係る絶縁層に用いることができる材料の透過率を説明する図。 実施の形態に係る表示モジュールの構成を説明する図。 実施の形態に係る情報処理装置の構成を説明する図。

本発明の一態様の表示モジュールは、端子を支持する第１の基材と、第１の基材に重なる第２の基材と、第１の基材および第２の基材を貼り合わせる接合層と、端子と電気的に接続されるフレキシブルプリント基板と、端子と電気的に接続される表示素子と、第１の基材、第２の基材、接合層およびフレキシブルプリント基板に接する絶縁層と、を有する。

これにより、絶縁層に囲まれた領域への不純物の拡散を抑制することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示モジュールを提供できる。

実施の形態および実施例について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態および実施例の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。

（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示モジュールの構成について、図１を参照しながら説明する。

図１は本発明の一態様の表示モジュールの構成を説明する図である。図１（Ａ）は本発明の一態様の表示モジュール３００の上面図である。また、図１（Ｂ）は図１（Ａ）の切断線Ａ−Ｂおよび切断線Ｃ−Ｄにおける断面図である。

また、図１（Ｃ）は図１（Ｂ）に示す表示モジュール３００とは異なる構成を備える、表示モジュール３００Ｂの構成を説明する断面図である。

＜表示モジュールの構成例１．＞
本実施の形態で説明する表示モジュール３００は、端子３１９と、端子３１９を支持する第１の基材３１０と、第１の基材３１０に重なる領域を備える第２の基材３７０と、第１の基材３１０と第２の基材３７０を貼り合わせる機能を有する接合層３０５と、第１の基材３１０と第２の基材３７０の間に配設され、端子３１９と電気的に接続される表示素子３５０と、端子３１９と電気的に接続されるフレキシブルプリント基板ＦＰＣと、第１の基材３１０、第２の基材３７０、接合層３０５およびフレキシブルプリント基板ＦＰＣに接する絶縁層３９０と、を有する（図１（Ｂ）参照）。

これにより、第１の基材、第２の基材および絶縁層に囲まれた領域、例えば表示素子等への不純物の拡散を抑制することができる。具体的には、液晶材料を含む層または発光性の有機化合物を含む層等への不純物の拡散を抑制することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示モジュールを提供できる。

また、表示モジュール３００は、端子３１９および表示素子３５０と電気的に接続される配線３１１を有する。

また、表示モジュール３００は、表示素子３５０が配置される領域３０１と第１の基材３１０の端部の間に駆動回路３０３Ｇを有する（図１（Ａ）参照）。

なお、図１（Ｂ）を参照しながら説明する表示モジュール３００は、第１の基材３１０、第２の基材３７０および接合層３０５で囲まれた領域に接合層３０５とは異なる材料（例えば気体、液体または液晶など）を含む。

一方、図１（Ｃ）を参照しながら説明する表示モジュール３００Ｂは、表示素子３５０と第２の基材３７０の間を接合層３０５が満たしている点が、図１（Ｂ）を参照しながら説明する表示モジュール３００とは異なる。

ところで、表示モジュール３００は、駆動回路３０３Ｇを有し、駆動回路３０３Ｇから最も近い第１の基材３１０の端部までの距離Ｌ２は、１．０ｍｍ以下好ましくは０．３ｍｍ以下であり、０ｍｍより大きい。

例えば、表示モジュール３００は、第１の基材３１０の端部との間に駆動回路３０３Ｇを挟むように配置された表示素子３５０から、最も近い第１の基材３１０または第２基材３７０の端部までの距離Ｌ１を４．０ｍｍ以下好ましくは２ｍｍ以下さらに好ましくは１．０ｍｍ以下であり、０ｍｍより大きい。

例えば、表示モジュール３００は表示素子３５０を有し、表示素子３５０から最も近い第１の基材３１０の端部または第２の基材３７０の端部までの距離Ｌ３は、３．０ｍｍ未満好ましくは１．５ｍｍ未満であり、０ｍｍより大きい。これにより、額縁部分の狭い表示モジュールを提供できる。

例えば、表示モジュール３００は接合層３０５を有し、第２の基材３７０に重なる第１の基材３１０の端部から接合層３０５の端部までの距離または、第１の基材３１０に重なる第２の基材３７０の端部から接合層３０５の端部までの距離のいずれか最も長い距離Ｌ４が、０．３ｍｍ以上好ましくは０．５ｍｍ以上１０ｍｍ未満である。例えば、原子層堆積法を用いることにより、加工部材の表面が向いている方向に依存することなく、成膜材料をおよそ均一な厚さで成膜して、絶縁層３９０を形成することができる（図１（Ｂ）参照）。

以下に、表示モジュール３００を構成する個々の要素について説明する。なお、これらの構成は明確に分離できず、一つの構成が他の構成を兼ねる場合や他の構成の一部を含む場合がある。

《表示モジュール３００》
表示モジュール３００は、端子３１９、第１の基材３１０、第２の基材３７０、接合層３０５、表示素子３５０、フレキシブルプリント基板ＦＰＣまたは絶縁層３９０を有する。

また、表示モジュール３００は、配線３１１を有する。

《第１の基材３１０》
第１の基材３１０または第２の基材３７０の少なくとも一方は、透光性を備える領域を表示素子３５０と重なる領域に有する。

第１の基材３１０は、製造工程に耐えられる程度の耐熱性および製造装置に適用可能な厚さおよび大きさを備えるものであれば、特に限定されない。

有機材料、無機材料または有機材料と無機材料等の複合材料等を第１の基材３１０に用いることができる。例えば、ガラス、セラミックス、金属等の無機材料を第１の基材３１０に用いることができる。

具体的には、無アルカリガラス、ソーダ石灰ガラス、カリガラスまたはクリスタルガラス等を、第１の基材３１０に用いることができる。具体的には、無機酸化物膜、無機窒化物膜または無機酸窒化物膜等を、第１の基材３１０に用いることができる。例えば、酸化珪素膜、窒化珪素膜、酸窒化珪素膜、アルミナ膜等を、第１の基材３１０に用いることができる。ＳＵＳまたはアルミニウム等を、第１の基材３１０に用いることができる。

例えば、樹脂、樹脂フィルムまたはプラスチック等の有機材料を第１の基材３１０に用いることができる。具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネートまたはアクリル樹脂等の樹脂フィルムまたは樹脂板を、第１の基材３１０に用いることができる。

例えば、金属板、薄板状のガラス板または無機材料等の膜を樹脂フィルム等に貼り合わせた複合材料を第１の基材３１０に用いることができる。例えば、繊維状または粒子状の金属、ガラスもしくは無機材料等を樹脂フィルムに分散した複合材料を、第１の基材３１０に用いることができる。例えば、繊維状または粒子状の樹脂もしくは有機材料等を無機材料に分散した複合材料を、第１の基材３１０に用いることができる。

また、単層の材料または複数の層が積層された材料を、第１の基材３１０に用いることができる。例えば、基材と基材に含まれる不純物の拡散を防ぐ絶縁膜等が積層された材料を、第１の基材３１０に用いることができる。具体的には、ガラスとガラスに含まれる不純物の拡散を防ぐ酸化珪素膜、窒化珪素膜または酸化窒化珪素膜等から選ばれた一または複数の膜が積層された材料を、第１の基材３１０に適用できる。または、樹脂と樹脂を透過する不純物の拡散を防ぐ酸化珪素膜、窒化珪素膜または酸化窒化珪素膜等が積層された材料を、第１の基材３１０に適用できる。

また、可撓性を有する材料を第１の基材３１０に用いることができる。例えば、折り曲げることができる程度または折り畳むことができる程度の可撓性を有する材料を用いることができる。具体的には５ｍｍ以上、好ましくは４ｍｍ以上、より好ましくは３ｍｍ以上、特に好ましくは１ｍｍ以上の曲率半径で屈曲できる材料を用いることができる。また、厚さが２．５μｍ以上３ｍｍ以下好ましくは５μｍ以上１．５ｍｍ以下より好ましくは１０μｍ以上５００μｍ以下の材料を第１の基材３１０に用いることができる。

例えば、可撓性を有する基材３１０ｂ、不純物の拡散を防ぐバリア膜３１０ａおよび基材３１０ｂとバリア膜３１０ａを貼り合わせる樹脂層３１０ｃを備える積層体を、第１の基材３１０に用いることができる。

具体的には、６００ｎｍの酸化窒化珪素膜および厚さ２００ｎｍの窒化珪素膜が積層された積層材料を含む膜を、バリア膜３１０ａに用いることができる。

具体的には、厚さ６００ｎｍの酸化窒化珪素膜、厚さ２００ｎｍの窒化珪素膜、厚さ２００ｎｍの酸化窒化珪素膜、厚さ１４０ｎｍの窒化酸化珪素膜および厚さ１００ｎｍの酸化窒化珪素膜がこの順に積層された積層材料を含む膜を、バリア膜３１０ａに用いることができる。

具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート若しくはアクリル樹脂等の樹脂フィルム、樹脂板または積層体等を基材３１０ｂに用いることができる。

具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド（ナイロン、アラミド等）、ポリイミド、ポリカーボネートまたはアクリル樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂もしくはシリコーン樹脂などシロキサン結合を有する樹脂等を含む材料を樹脂層３１０ｃに用いることができる。

《第２の基材３７０》
第１の基材３１０に用いることができる材料を、第２の基材３７０に用いることができる。

例えば、可撓性を有する基材３７０ｂ、不純物の拡散を防ぐバリア膜３７０ａおよび基材３７０ｂとバリア膜３７０ａを貼り合わせる樹脂層３７０ｃを備える積層体を、第２の基材３７０に用いることができる。

《接合層３０５》
第１の基材３１０および第２の基材３７０を貼り合わせる機能を備える材料を、接合層３０５に用いることができる。

無機材料、有機材料または無機材料と有機材料の複合材料等を接合層３０５に用いることができる。

例えば、融点が４００℃以下好ましくは３００℃以下のガラスを、接合層３０５に用いることができる。

例えば、熱溶融性の樹脂または硬化性の樹脂等の有機材料を、接合層３０５に用いることができる。

例えば、光硬化型接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤または／および嫌気型接着剤等の有機材料を接合層３０５に用いることができる。

具体的には、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミド樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）樹脂、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等を含む接着剤を用いることができる。

《配線３１１、端子３１９》
導電性を有する材料を配線３１１または端子３１９に用いることができる。

例えば、無機導電性材料、有機導電性材料、金属または導電性セラミックスなどを配線３１１または端子３１９に用いることができる。

具体的には、アルミニウム、金、白金、銀、銅、クロム、タンタル、チタン、モリブデン、タングステン、ニッケル、鉄、コバルト、パラジウムまたはマンガンから選ばれた金属元素などを、配線３１１または端子３１９に用いることができる。または、上述した金属元素を含む合金などを、配線３１１または端子３１９に用いることができる。または、上述した金属元素を組み合わせた合金などを、配線３１１または端子３１９に用いることができる。特に、銅とマンガンの合金がウエットエッチング法を用いた微細加工に好適である。

具体的には、アルミニウム膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、窒化タンタル膜または窒化タングステン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、チタン膜と、そのチタン膜上にアルミニウム膜を積層し、さらにその上にチタン膜を形成する三層構造等を用いることができる。

具体的には、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物を、配線３１１または端子３１９に用いることができる。

具体的には、グラフェンまたはグラファイトを含む膜を配線３１１または端子３１９に用いることができる。

例えば、酸化グラフェンを含む膜を形成し、酸化グラフェンを含む膜を還元することにより、グラフェンを含む膜を形成することができる。還元する方法としては、熱を加える方法や還元剤を用いる方法等を挙げることができる。

具体的には、導電性高分子を配線３１１または端子３１９に用いることができる。

《表示素子３５０》
さまざまな表示素子を表示素子３５０に用いることができる。

例えば、電気的作用または磁気的作用により、コントラスト、輝度、反射率、透過率などが変化する表示媒体を表示素子に用いることができる。

具体的には、ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子（有機物及び無機物を含むＥＬ素子、有機ＥＬ素子、無機ＥＬ素子）、ＬＥＤ（白色ＬＥＤ、赤色ＬＥＤ、緑色ＬＥＤ、青色ＬＥＤなど）、トランジスタ（電流に応じて発光するトランジスタ）、電子放出素子、液晶素子、電子インク、電気泳動素子、グレーティングライトバルブ（ＧＬＶ）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）、ＭＥＭＳ（マイクロ・エレクトロ・メカニカル・システム）を用いた表示素子、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）、ＤＭＳ（デジタル・マイクロ・シャッター）、ＭＩＲＡＳＯＬ（登録商標）、ＩＭＯＤ（インターフェアレンス・モジュレーション）素子、シャッター方式のＭＥＭＳ表示素子、光干渉方式のＭＥＭＳ表示素子、エレクトロウェッティング素子などを用いることができる。

《フレキシブルプリント基板ＦＰＣ》
フレキシブルプリント基板ＦＰＣは、端子３１９と電気的に接続される配線、当該配線を支持する基材および当該配線と重なる領域を備える被覆層を有する。配線は、当該基材と被覆層の間に挟まれる領域および被覆層と重ならない領域を備える。

なお、配線の被覆層と重ならない領域をフレキシブルプリント基板ＦＰＣの端子に用いることができる。

導電性を有する材料を、フレキシブルプリント基板ＦＰＣの配線に用いることができる。例えば、配線３１１等に用いることができる材料をフレキシブルプリント基板ＦＰＣの配線に用いることができる。具体的には、銅等を用いることができる。

フレキシブルプリント基板ＦＰＣの配線に接する領域に、絶縁性の領域を備える材料をフレキシブルプリント基板ＦＰＣの基材に用いることができる。

例えば、樹脂、樹脂フィルムまたはプラスチック等の有機材料を基材に用いることができる。具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネートまたはアクリル樹脂等の樹脂層、樹脂フィルムまたは樹脂板を、基材に用いることができる。例えば、ガラス転移温度が、１５０℃以上好ましくは２００℃以上より好ましくは２５０℃以上の樹脂フィルムを、基材に用いることができる。

なお、異方性導電膜ＡＣＦをフレキシブルプリント基板ＦＰＣの端子と端子３１９を電気的に接続する材料に用いることができる。例えば、導電性を備える粒子または熱硬化性の樹脂等を含む材料を異方性導電膜ＡＣＦに用いることができる。これにより、フレキシブルプリント基板ＦＰＣの端子と端子３１９を導電性の粒子等を用いて電気的に接続することができる。

《絶縁層３９０》
絶縁層３９０は、フレキシブルプリント基板ＦＰＣの端子と重なる領域に開口部３９１を備える。

例えば、酸化物、窒化物、フッ化物、三元化合物またはポリマー等を含む材料を絶縁層３９０に用いることができる。基材３７０の表面より硬い材料を絶縁層３９０に用いることができる。これにより、傷つきにくい表示モジュール３００を提供できる。

具体的には、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、アルミニウムシリケート、ハフニウムシリケート、酸化ランタン、酸化珪素、チタン酸ストロンチウム、酸化タンタル、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化ニオブ、酸化ジルコニウム、酸化スズ、酸化イットリウム、酸化セリウム、酸化スカンジウム、酸化エルビウム、酸化バナジウムまたは酸化インジウム等を含む材料を用いることができる。

例えば、窒化アルミニウム、窒化ハフニウムまたは窒化珪素等を含む材料を用いることができる。

なお、表示モジュールは開口部３９１に代えて、開口部３９１を形成する機能を有するマスクを絶縁層３９０とフレキシブルプリント基板ＦＰＣの端子の間に有していてもよい。具体的には、マスキングテープ等をマスクに用いることができる。これにより、表示モジュールの使用時に、例えばマスクを除去することにより、フレキシブルプリント基板ＦＰＣの端子を露出させることができる。

電気的な絶縁性を備える材料または不純物の拡散を抑制する機能を備える材料を絶縁層３９０に用いることができる。

例えば、水蒸気の透過を抑制する材料を絶縁層３９０に用いることができる。具体的には、１０^−５ｇ／（ｍ^２・ｄａｙ）以下、好ましくは１０^−６ｇ／（ｍ^２・ｄａｙ）以下の水蒸気透過率を備える材料等を絶縁層３９０に用いることができる。

例えば、原子層堆積法を用いて形成することができる材料を、絶縁層３９０に用いることができる。

ところで、絶縁層３９０に含まれるクラック、ピンホールなどの欠陥または絶縁層３９０の厚さのムラは、不純物の拡散を助長する場合がある。絶縁層３９０を形成する方法に、原子層堆積法を用いると、絶縁層３９０に含まれる欠陥または絶縁層３９０の厚さのムラを低減することができる。また、絶縁層３９０を緻密にすることができる。これにより、不純物の拡散を抑制することができる絶縁層３９０を提供できる。

また、原子層堆積法を絶縁層３９０の形成方法に用いることができる。原子層堆積法を用いると、加工部材に与える損傷を、例えば、プラズマＣＶＤ法や熱ＣＶＤ法に比べて軽減することができる。

ところで、第１の基材３１０または第２の基材３７０を他の基材から分断すると、端面に微細なヒビ（マイクロクラックともいう）が形成される場合がある。具体的には、けがき（スクライブともいう）をし、けがきに集中するように応力を加えて分断されたガラスの端面には、微細なヒビが形成される場合がある。原子層堆積法を用いて絶縁層３９０を形成すると、端面に形成された微細なヒビを塞ぐことが期待できる。

ところで、３ｎｍ以上２００ｎｍ以下好ましくは５ｎｍ以上５０ｎｍ以下の厚さを有する無機化合物を含む膜を絶縁層３９０に用いることができる。

特に、前駆体を含む要素を供給するステップと、ラジカルを含む要素を供給するステップと、を有する原子層堆積法を用いて、逆テーパーの形状や他の構造の陰になる領域に成膜されるように、加工部材の表面が向いている方向に依存することなく、成膜材料をおよそ均一な厚さで成膜して形成された無機化合物を含む膜を、絶縁層３９０に用いることができる。これにより、水分等の不純物を含む大気等が接合層３０５に触れないようにすることができる。

なお、原子層堆積法は、第１の要素を加工部材の表面に供給する第１のステップと、第１の要素と反応する第２の要素を供給する第２のステップと、を有し、加工部材の表面に第１の要素と第２の要素の反応生成物を堆積する成膜方法である。

なお、第１のステップにおいて、加工部材の表面に吸着する第１の要素の量は温度等の加工条件に基づいて限られる。なお、これを自己停止機構が作用する条件ともいう。これにより、一の第１のステップおよび一の第２のステップを含む１サイクルにおいて、制限された量の第１の要素と第２の要素の反応生成物を堆積することができる。

例えば、第１のステップと第２のステップを交互に繰り返すことにより、所定の量の第１の要素と第２の要素の反応生成物を加工部材の表面に堆積することができる。

また、第１のステップの後に、第１のステップにおいて余剰に供給された第１の要素を排出するステップを有してもよい。

また、第２のステップの後に、第２のステップにおいて余剰に供給された第２の要素を排出するステップを有してもよい。

具体的には、第１のステップにおいて、加工部材が配置され、所定の環境に準備された反応室に第１の要素を供給する。これにより、第１の要素が加工部材の表面に吸着される。

次いで、パージガスを供給しながら反応室内に残留する余剰な第１の要素を排気する。

第２のステップにおいて、第２の要素を供給する。これにより、加工部材の表面に吸着された第１の要素は第２の要素と反応し、加工部材の表面に反応生成物が堆積する。

次いで、パージガスを供給しながら反応室内に残留する余剰な第２の要素を排気する。

以後、第１のステップと第２のステップを交互に繰り返し、加工部材の表面に所定の量の反応生成物を堆積する。

堆積したい反応生成物の種類に応じて選択された前駆体（プリカーサともいう）等を第１の要素に用いることができる。具体的には、揮発性の有機金属化合物、金属アルコキシド等を第１の要素に用いることができる。

なお、気化装置（ベーパライザまたはバブリング装置ともいう）を用いて気化された前駆体を用いることができる。

なお、複数の物質を第１の要素に用いることができる。また、繰り返される第１のステップにおいて、異なる物質を第１の要素に用いることができる。

例えば、堆積したい反応生成物の種類および第１の要素に応じて選択された、第１の要素と反応をするさまざまな物質を第２の要素に用いることができる。例えば、酸化反応に寄与する物質、還元反応に寄与する物質、付加反応に寄与する物質、分解反応に寄与する物質または加水分解反応に寄与する物質などを第２の要素に用いることができる。

なお、第２の要素にプラズマを用いることができる。具体的には、酸素ラジカルまたは窒素ラジカル等を第２の要素に用いることができる。これにより、第１の要素との反応速度を高めることができる。その結果、加工部材の温度を抑制することができる。または、成膜時間を短縮できる。

＜表示モジュールの構成例２．＞
本発明の一態様の表示モジュールの別の構成について、図２を参照しながら説明する。

図２は本発明の一態様の表示モジュールの構成を説明する図である。図２（Ａ）は本発明の一態様の表示モジュール３００Ｃの上面図である。また、図２（Ｂ）は図２（Ａ）の切断線Ａ−Ｂおよび切断線Ｃ−Ｄにおける断面図である。

また、図２（Ｃ）は図２（Ｂ）に示す表示モジュール３００Ｃとは、異なる構成を備える表示モジュール３００Ｄの構成を説明する断面図である。

なお、表示モジュール３００Ｃは、樹脂層３９８を有する点が、図１（Ｂ）を参照しながら説明する表示モジュール３００とは異なる。ここでは異なる構成について詳細に説明し、同様の構成を用いることができる部分は、上記の説明を援用する。

一方、図２（Ｃ）を参照しながら説明する表示モジュール３００Ｄは、表示素子３５０と第２の基材３７０の間を接合層３０５が満たしている点が、図２（Ｂ）を参照しながら説明する表示モジュール３００Ｃとは異なる。

本実施の形態で説明する表示モジュール３００Ｃは、樹脂層３９８と、を有する上記の表示モジュール３００である。そして、絶縁層３９０は、接合層３０５と樹脂層３９８の間に挟まれる領域を備える。

本実施の形態で説明する表示モジュール３００Ｃは、接合層３０５と樹脂層３８９の間に挟まれる絶縁層３９０を含んで構成される。これにより、さまざまな応力を分散し、応力の集中に伴う絶縁層の破壊を防ぐことができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示モジュールを提供できる。

《表示モジュール３００Ｃ》
表示モジュール３００Ｃは、樹脂層３９８、端子３１９、第１の基材３１０、第２の基材３７０、接合層３０５、表示素子３５０、フレキシブルプリント基板ＦＰＣまたは絶縁層３９０を有する。

また、表示モジュール３００Ｃは、配線３１１を有する。

《樹脂層３９８》
絶縁層３９０が接合層３０５との間に挟まれる領域を有するように配置された樹脂層３９８を有する。

例えば、接合層３０５に用いることができる材料と同様の材料を樹脂層３９８に用いることができる。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態および実施例と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示パネルの構成について、図３を参照しながら説明する。

図３は本発明の一態様の表示パネルの構成を説明する図である。図３（Ａ）は本発明の一態様の表示パネル３００Ｐの上面図である。また、図３（Ｂ）は図３（Ａ）の切断線Ａ−Ｂおよび切断線Ｃ−Ｄにおける断面図である。

また、図３（Ｃ）は図３（Ｂ）に示す表示パネル３００Ｐとは、異なる構成を備える表示パネル３００ＰＢの構成を説明する断面図である。

＜表示パネルの構成例１．＞
本実施の形態で説明する表示パネル３００Ｐは、端子３１９と、端子３１９を支持する可撓性の第１の基材３１０と、第１の基材３１０に重なる領域を備える可撓性の第２の基材３７０と、第１の基材３１０と第２の基材３７０を貼り合わせる接合層３０５と、第１の基材３１０と第２の基材３７０の間に配設され、端子３１９と電気的に接続される表示素子３５０と、第１の基材３１０、第２の基材３７０および接合層３０５に接する絶縁層３９０と、を有する（図３（Ｂ）参照）。

これにより、第１の基材、第２の基材および絶縁層に囲まれた領域への不純物の拡散を抑制することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供できる。

また、表示パネル３００Ｐは、端子３１９および表示素子３５０と電気的に接続される配線３１１を有する。

なお、図３（Ｂ）を参照しながら説明する表示パネル３００Ｐは、表示素子３５０と第２の基材３７０の間に接合層３０５とは異なる材料を含む領域を有する。例えば気体、液体または液晶などを含む領域を有する。

一方、図３（Ｃ）を参照しながら説明する表示パネル３００ＰＢは、表示素子３５０と第２の基材３７０の間を接合層３０５が満たしている点が、図３（Ｂ）を参照しながら説明する表示パネル３００Ｐとは異なる。

なお、表示パネル３００Ｐは、フレキシブルプリント基板ＦＰＣを有しない点、および絶縁層３９０が端子３１９に重なる領域に開口部を備える点が、図１を参照しながら説明する表示モジュールとは異なる。例えば、端子３１９に重なる領域にマスクが形成された加工部材に絶縁層を形成し、リフトオフ法を用いて絶縁層の一部をマスクと共に除去して開口部を形成することができる。

＜表示パネルの構成例２．＞
本発明の一態様の表示パネルの別の構成について、図４を参照しながら説明する。

図４は本発明の一態様の表示パネルの構成を説明する図である。図４（Ａ）は本発明の一態様の表示パネル３００ＰＣの上面図である。また、図４（Ｂ）は図４（Ａ）の切断線Ａ−Ｂおよび切断線Ｃ−Ｄにおける断面図である。

また、図４（Ｃ）は図４（Ｂ）に示す表示パネル３００ＰＣとは異なる構成を備える表示パネル３００ＰＤの構成を説明する断面図である。

なお、表示パネル３００ＰＣは、樹脂層３９８を有する点が、図３（Ｂ）を参照しながら説明する表示パネル３００Ｐとは異なる。ここでは異なる構成について詳細に説明し、同様の構成を用いることができる部分は、上記の説明を援用する。

一方、図４（Ｃ）を参照しながら説明する表示パネル３００ＰＤは、表示素子３５０と第２の基材３７０の間を接合層３０５が満たしている点が、図４（Ｂ）を参照しながら説明する表示パネル３００ＰＣとは異なる。

本実施の形態で説明する表示パネル３００ＰＣは、樹脂層３９８と、を有する上記の表示パネル３００Ｐである。そして、絶縁層３９０は、接合層３０５と樹脂層３９８の間に挟まれる領域を備える。

本実施の形態で説明する表示パネル３００ＰＣは、接合層３０５と樹脂層３８９の間に挟まれる絶縁層３９０を含んで構成される。これにより、さまざまな応力を分散し、応力の集中に伴う絶縁層の破壊を防ぐことができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供できる。

《表示パネル３００ＰＣ》
表示パネル３００ＰＣは、樹脂層３９８、端子３１９、第１の基材３１０、第２の基材３７０、接合層３０５、表示素子３５０または絶縁層３９０を有する。

また、表示パネル３００ＰＣは、配線３１１を有する。

《樹脂層３９８》
接合層３０５との間に挟まれる領域を絶縁層３９０が有するように配置された樹脂層３９８を有する。

例えば、接合層３０５に用いることができる材料と同様の材料を樹脂層３９８に用いることができる。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態および実施例と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態３）
本実施の形態では、入出力装置に用いることができる本発明の一態様の表示モジュール構成について、図５および図６を参照しながら説明する。

図５および図６は本発明の一態様の表示モジュールの構成を説明する図である。

図５（Ａ）は本発明の一態様の表示モジュール５００の上面図であり、図５（Ｂ）は図５（Ａ）の切断線Ａ−Ｂおよび切断線Ｃ−Ｄにおける断面図である。また、図５（Ｃ）は表示モジュール５００の一部の構成を説明する上面図であり、図５（Ｄ）は図５（Ｃ）に示す切断線Ｗ３−Ｗ４における断面図である。

図６は本発明の一態様の表示モジュール５００を説明する投影図である。なお、説明の便宜のために表示モジュール５００の一部を拡大して図示している。

＜表示モジュールの構成例１．＞
本発明の一態様の表示モジュール５００は、第１の端子部５１９Ａと、第１の端子部５１９Ａを支持する第１の基材５１０と、第１の基材５１０と重なる領域および第２の端子部５１９Ｂを備える第２の基材５７０と、第１の基材５１０と第２の基材５７０を貼り合わせる機能を備える接合層５０５と、を有する（図５（Ｂ）参照）。

また、本発明の一態様の表示モジュール５００は表示部を有する。表示部は、第１の基材５１０と第２の基材５７０の間に表示素子５５０Ｒと、表示素子５５０Ｒと電気的に接続される第１の端子部５１９Ａと、第１の端子部５１９Ａと電気的に接続される第１のフレキシブルプリント基板ＦＰＣ１と、を備える。

また、本発明の一態様の表示モジュール５００は検知部を有する。検知部は、第１の基材５１０と第２の基材５７０の間にタッチセンサと、タッチセンサと電気的に接続される第２の端子部５１９Ｂと、第２の端子部５１９Ｂと電気的に接続される第２のフレキシブルプリント基板ＦＰＣ２と、を備える（図５（Ａ）参照）。

また、本発明の一態様の表示モジュール５００は、第１の基材５１０、第２の基材５７０、接合層５０５、フレキシブルプリント基板ＦＰＣ１およびフレキシブルプリント基板ＦＰＣ２に接する絶縁層５９０と、を有する（図５（Ｂ）参照）。

なお、絶縁層５９０は、フレキシブルプリント基板ＦＰＣ１の端子と重なる領域およびフレキシブルプリント基板ＦＰＣ２の端子と重なる領域に開口部５９１を備える。ところで、表示部または検知部と重なる領域を備える絶縁層を絶縁層５９０に用いることができる。特に、第１の基材５１０より硬い材料を絶縁層５９０に用いると、表示モジュールの表面を使用に伴う傷が付き難くすることができる。

《表示部》
また、本発明の一態様の表示モジュール５００は、制御信号および画像信号を供給される画素５０２と、画素５０２が配設される領域５０１と、制御信号を供給する駆動回路ＧＤと、画像信号を供給する駆動回路ＳＤと、駆動回路ＳＤに電気的に接続される配線５１１と、配線５１１に電気的に接続される第１の端子部５１９Ａと、を有する（図５（Ａ）および図５（Ｂ）参照）。

画素５０２は、複数の副画素（例えば、副画素５０２Ｒ等）を備える。なお、さまざまな色を表示する機能を備える副画素を用いることができる。具体的には、赤色を表示する機能を備える副画素を副画素５０２Ｒに用いることができる。また、緑色または青色等を表示する機能を備える副画素を画素５０２に用いることができる。

副画素５０２Ｒは、表示素子５５０Ｒと、表示素子５５０Ｒと重なる領域を備える着色層ＣＦと、制御信号および画像信号に基づいて表示素子５５０Ｒに電力を供給する機能を備える画素回路と、を備える。例えば、駆動トランジスタＭ０または容量素子を画素回路に用いることができる（図５（Ｂ）参照）。

表示素子５５０Ｒは、電力が供給される第１の電極５５１Ｒおよび第２の電極５５２と、第１の電極５５１Ｒおよび第２の電極５５２の間に発光性の有機化合物を含む層５５３と、を備える。

第１の電極５５１Ｒは、駆動トランジスタＭ０のソース電極またはドレイン電極と電気的に接続される。

駆動回路ＳＤは、トランジスタＭＤまたは容量ＣＤを備える。例えば、駆動トランジスタＭ０と同一の工程で形成することができるトランジスタをトランジスタＭＤに用いることができる。

また、本発明の一態様の表示モジュール５００は、発光性の有機化合物を含む層５５３および第１の基材５１０の間に画素回路を有し、発光性の有機化合物を含む層５５３および画素回路の間に絶縁層５２１を有する。

また、本発明の一態様の表示モジュール５００は、副画素５０２Ｒと重なる領域に開口部を備える遮光層ＢＭを有する。

また、本発明の一態様の表示モジュール５００は、領域５０１に重なる領域を備える機能膜５７０Ｐを有する。例えば、偏光板を機能膜５７０Ｐに用いることができる。

《検知部》
また、本発明の一態様の表示モジュール５００は、検知素子を含むタッチセンサを有する。

タッチセンサと電気的に接続される制御線ＣＬ（ｉ）と、タッチセンサと電気的に接続される信号線ＭＬ（ｊ）と、制御線ＣＬ（ｉ）と電気的に接続される端子と、信号線ＭＬ（ｊ）と電気的に接続される第２の端子部５１９Ｂを備える（図５（Ｃ）および図６参照）。

タッチセンサは、第１の電極Ｃ１（ｉ）と、第１の電極Ｃ１（ｉ）と重ならない部分を備える第２の電極Ｃ２（ｊ）と、を備える。

第１の電極Ｃ１（ｉ）または第２の電極Ｃ２（ｊ）は、画素５０２または副画素５０２Ｒと重なる領域に透光性を備える領域を具備する導電膜を含む。

または、第１の電極Ｃ１（ｉ）または第２の電極Ｃ２（ｊ）は、画素５０２または副画素５０２Ｒと重なる領域に開口部５７６を具備する網目状の導電膜を含む。

第１の電極Ｃ１（ｉ）は、行方向（図中にＲで示す矢印の方向）に延在する制御線ＣＬ（ｉ）と電気的に接続される。なお、制御線ＣＬ（ｉ）は、制御信号を供給する機能を備える。

第２の電極Ｃ２（ｊ）は、列方向（図中にＣで示す矢印の方向）に延在する信号線ＭＬ（ｊ）と電気的に接続される。なお、信号線ＭＬ（ｊ）は、検知信号を供給する機能を備える。（図６参照）。

制御線ＣＬ（ｉ）は配線ＢＲ（ｉ，ｊ）を備える。制御線ＣＬ（ｉ）は、配線ＢＲ（ｉ，ｊ）において信号線ＭＬ（ｊ）と交差する（図５（Ｃ）参照）。配線ＢＲ（ｉ，ｊ）と信号線ＭＬ（ｊ）の間に絶縁層５７１を備える（図５（Ｄ）参照）。これにより、配線ＢＲ（ｉ，ｊ）と信号線ＭＬ（ｊ）の短絡を防ぐことができる。

本実施の形態で説明する表示モジュール５００は、第１の基材５１０、第２の基材５７０および絶縁層５９０に囲まれた領域に発光性の有機化合物を含む層５５３を備える表示素子を含んで構成される。これにより、発光性の有機化合物を含む層５５３へのさまざまな不純物の拡散を抑制できる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示モジュールを提供できる。

なお、タッチセンサを含む表示モジュール５００は入出力モジュールまたはタッチパネルモジュールということができる。

表示モジュール５００は、近接したものを検知して、近接したものの位置情報または軌跡等を含む検知情報を供給することができる。例えば、表示モジュール５００の使用者は、表示モジュール５００に近接または接触させた指等をポインタに用いて、様々なジェスチャー（タップ、ドラッグ、スワイプまたはピンチイン等）を検知させることができる。

また、表示モジュール５００の使用者は、表示モジュール５００を用いてさまざまな操作命令を演算装置に供給することができる。例えば、表示モジュール５００にジェスチャーを検知させ、演算装置にプログラム等に基づいて、表示モジュール５００が供給する検知情報が所定の条件を満たすか否かを判断させ、条件を満たす場合に所定の命令を実行させることができる。

以下に、表示モジュール５００を構成する個々の要素について説明する。なお、これらの構成は明確に分離できず、一つの構成が他の構成を兼ねる場合や他の構成の一部を含む場合がある。

例えば、表示モジュール５００は、タッチパネルであるとともに検知パネルまたは表示パネルでもある。

《全体の構成》
本実施の形態で説明する表示モジュール５００は、第１の基材５１０、第２の基材５７０、接合層５０５、表示素子５５０Ｒ、第１の端子部５１９Ａ、第２の端子部５１９Ｂ、絶縁層５９０、フレキシブルプリント基板ＦＰＣ１、フレキシブルプリント基板ＦＰＣ２または機能層を有する。

また、表示モジュール５００は、画素５０２、領域５０１、駆動回路ＧＤ、駆動回路ＳＤ、配線５１１、副画素５０２Ｒ、表示素子５５０Ｒ、着色層ＣＦ、画素回路、駆動トランジスタＭ０、第１の電極５５１Ｒ、第２の電極５５２、発光性の有機化合物を含む層５５３、トランジスタＭＤ、容量ＣＤ、遮光層ＢＭ、機能膜５７０Ｐを備える。

また、表示モジュール５００は、タッチセンサ、制御線ＣＬ（ｉ）、信号線ＭＬ（ｊ）、第１の電極Ｃ１（ｉ）または第２の電極Ｃ２（ｊ）を有する。

《第１の基材》
さまざまな基材を第１の基材５１０に用いることができる。

例えば、本明細書等において、様々な基板や様々な基材を用いて、トランジスタを形成することが出来る。基板や基材の種類は、特定のものに限定されることはない。その基板や基材の一例としては、半導体基板（例えば単結晶基板又はシリコン基板）、ＳＯＩ基板、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板、サファイアガラス基板、金属基板、ステンレス・スチル基板、ステンレス・スチル・ホイルを有する基板、タングステン基板、タングステン・ホイルを有する基板、可撓性基板、貼り合わせフィルム、繊維状の材料を含む紙、又は基材フィルムなどがある。ガラス基板の一例としては、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、又はソーダライムガラスなどがある。可撓性基板、貼り合わせフィルム、基材フィルムなどの一例としては、以下のものがあげられる。例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）に代表されるプラスチックがある。または、一例としては、アクリル等の合成樹脂などがある。または、一例としては、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリフッ化ビニル、又はポリ塩化ビニルなどがある。または、一例としては、ポリアミド、ポリイミド、アラミド、エポキシ、無機蒸着フィルム、又は紙類などがある。特に、半導体基板、単結晶基板、又はＳＯＩ基板などを用いてトランジスタを製造することによって、特性、サイズ、又は形状などのばらつきが少なく、電流能力が高く、サイズの小さいトランジスタを製造することができる。このようなトランジスタによって回路を構成すると、回路の低消費電力化、又は回路の高集積化を図ることができる。

また、基板として、可撓性基板を用い、可撓性基板上に直接、トランジスタを形成してもよい。または、基板とトランジスタの間に剥離層を設けてもよい。剥離層は、その上に半導体装置を一部あるいは全部完成させた後、基板より分離し、他の基板に転載するために用いることができる。その際、トランジスタは耐熱性の劣る基板や可撓性の基板にも転載できる。なお、上述の剥離層には、例えば、タングステン膜と酸化珪素膜との無機膜の積層構造の構成や、基板上にポリイミド等の有機樹脂膜が形成された構成等を用いることができる。

つまり、ある基板を用いてトランジスタを形成し、その後、別の基板にトランジスタを転置し、別の基板上にトランジスタを配置してもよい。トランジスタが転置される基板の一例としては、上述したトランジスタを形成することが可能な基板に加え、紙基板、セロファン基板、アラミドフィルム基板、ポリイミドフィルム基板、石材基板、木材基板、布基板（天然繊維（絹、綿、麻）、合成繊維（ナイロン、ポリウレタン、ポリエステル）若しくは再生繊維（アセテート、キュプラ、レーヨン、再生ポリエステル）などを含む）、皮革基板、又はゴム基板などがある。これらの基板を用いることにより、特性のよいトランジスタの形成、消費電力の小さいトランジスタの形成、壊れにくい装置の製造、耐熱性の付与、軽量化、又は薄型化を図ることができる。

例えば、本明細書等において、トランジスタとして、様々な構造のトランジスタを用いることが出来る。よって、用いるトランジスタの種類に限定はない。トランジスタの一例としては、単結晶シリコンを有するトランジスタ、または、非晶質シリコン、多結晶シリコン、微結晶（マイクロクリスタル、ナノクリスタル、セミアモルファスとも言う）シリコンなどに代表される非単結晶半導体膜を有するトランジスタなどを用いることが出来る。または、それらの半導体を薄膜化した薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）などを用いることが出来る。ＴＦＴを用いる場合、様々なメリットがある。例えば、単結晶シリコンの場合よりも低い温度で製造できるため、製造コストの削減、又は製造装置の大型化を図ることができる。製造装置を大きくできるため、大型基板上に製造できる。そのため、同時に多くの個数の表示装置を製造できるため、低コストで製造できる。または、製造温度が低いため、耐熱性の弱い基板を用いることができる。そのため、透光性を有する基板上にトランジスタを製造できる。または、透光性を有する基板上のトランジスタを用いて表示素子での光の透過を制御することが出来る。または、トランジスタの膜厚が薄いため、トランジスタを形成する膜の一部は、光を透過させることが出来る。そのため、開口率が向上させることができる。

なお、多結晶シリコンを製造するときに、触媒（ニッケルなど）を用いることにより、結晶性をさらに向上させ、電気特性のよいトランジスタを製造することが可能となる。その結果、ゲートドライバ回路（走査線駆動回路）、ソースドライバ回路（信号線駆動回路）、及び信号処理回路（信号生成回路、ガンマ補正回路、ＤＡ変換回路など）を基板上に一体形成することが出来る。

なお、微結晶シリコンを製造するときに、触媒（ニッケルなど）を用いることにより、結晶性をさらに向上させ、電気特性のよいトランジスタを製造することが可能となる。このとき、レーザ照射を行うことなく、熱処理を加えるだけで、結晶性を向上させることも可能である。その結果、ソースドライバ回路の一部（アナログスイッチなど）及びゲートドライバ回路（走査線駆動回路）を基板上に一体形成することが出来る。なお、結晶化のためにレーザ照射を行わない場合は、シリコンの結晶性のムラを抑えることができる。そのため、画質の向上した画像を表示することが出来る。ただし、触媒（ニッケルなど）を用いずに、多結晶シリコン又は微結晶シリコンを製造することは可能である。

なお、シリコンの結晶性を、多結晶又は微結晶などへと向上させることは、パネル全体で行うことが望ましいが、それに限定されない。パネルの一部の領域のみにおいて、シリコンの結晶性を向上させてもよい。選択的に結晶性を向上させることは、レーザ光を選択的に照射することなどにより可能である。例えば、画素以外の領域である周辺回路領域にのみ、ゲートドライバ回路及びソースドライバ回路などの領域にのみ、又はソースドライバ回路の一部（例えば、アナログスイッチ）の領域にのみ、にレーザ光を照射してもよい。その結果、回路を高速に動作させる必要がある領域にのみ、シリコンの結晶化を向上させることができる。画素領域は、高速に動作させる必要性が低いため、結晶性が向上されなくても、問題なく画素回路を動作させることが出来る。こうすることによって、結晶性を向上させる領域が少なくて済むため、製造工程も短くすることが出来る。そのため、スループットが向上し、製造コストを低減させることが出来る。または、必要とされる製造装置の数も少ない数で製造できるため、製造コストを低減させることが出来る。

なお、トランジスタの一例としては、化合物半導体（例えば、ＳｉＧｅ、ＧａＡｓなど）、又は酸化物半導体（例えば、Ｚｎ−Ｏ、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ、Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏ（ＩＴＯ）、Ｓｎ−Ｏ、Ｔｉ−Ｏ、Ａｌ−Ｚｎ−Ｓｎ−Ｏ（ＡＺＴＯ）、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏなど）などを有するトランジスタを用いることが出来る。または、これらの化合物半導体、又は、これらの酸化物半導体を薄膜化した薄膜トランジスタなどを用いることが出来る。これらにより、製造温度を低くできるので、例えば、室温でトランジスタを製造することが可能となる。その結果、耐熱性の低い基板、例えばプラスチック基板又はフィルム基板などに直接トランジスタを形成することが出来る。なお、これらの化合物半導体又は酸化物半導体を、トランジスタのチャネル部分に用いるだけでなく、それ以外の用途で用いることも出来る。例えば、これらの化合物半導体又は酸化物半導体を配線、抵抗素子、画素電極、又は透光性を有する電極などとして用いることができる。それらをトランジスタと同時に成膜又は形成することが可能なため、コストを低減できる。

なお、トランジスタの一例としては、インクジェット法又は印刷法を用いて形成したトランジスタなどを用いることが出来る。これらにより、室温で製造、低真空度で製造、又は大型基板上に製造することができる。よって、マスク（レチクル）を用いなくても製造することが可能となるため、トランジスタのレイアウトを容易に変更することが出来る。または、レジストを用いらずに製造することが可能なので、材料費が安くなり、工程数を削減できる。または、必要な部分にのみ膜を付けることが可能なので、全面に成膜した後でエッチングする、という製法よりも、材料が無駄にならず、低コストにできる。

なお、トランジスタの一例としては、有機半導体やカーボンナノチューブを有するトランジスタ等を用いることができる。これらにより、曲げることが可能な基板上にトランジスタを形成することが出来る。有機半導体やカーボンナノチューブを有するトランジスタを用いた装置は、衝撃に強くすることができる。

なお、トランジスタとしては、他にも様々な構造のトランジスタを用いることができる。例えば、トランジスタとして、ＭＯＳ型トランジスタ、接合型トランジスタ、バイポーラトランジスタなどを用いることが出来る。トランジスタとしてＭＯＳ型トランジスタを用いることにより、トランジスタのサイズを小さくすることが出来る。よって、多数のトランジスタを搭載することができる。トランジスタとしてバイポーラトランジスタを用いることにより、大きな電流を流すことが出来る。よって、高速に回路を動作させることができる。なお、ＭＯＳ型トランジスタとバイポーラトランジスタとを１つの基板に混在させて形成してもよい。これにより、低消費電力、小型化、高速動作などを実現することが出来る。

例えば、実施の形態１に記載する第１の基材３１０に用いることができる材料と同様の材料を用いることができる。

《第２の基材》
さまざまな基材を第２の基材５７０に用いることができる。

例えば、実施の形態１に記載する第２の基材３７０に用いることができる材料と同様の材料を用いることができる。

《接合層》
さまざまな材料を接合層に用いることができる。

例えば、実施の形態１に記載する接合層３０５に用いることができる材料と同様の材料を用いることができる。

《配線、端子》
配線または端子は画像信号、制御信号、検知信号または電源電位等を供給する機能を備える。また、配線は制御線ＣＬ（ｉ）、信号線ＭＬ（ｊ）などを含む。

さまざまな材料を配線に用いることができる。

例えば、実施の形態１に記載する配線３１１または端子３１９に用いることができる材料と同様の材料を用いることができる。

《表示ユニット》
表示ユニット５８０Ｒは、表示素子５５０Ｒまたは光の少なくとも一部を透過する着色層ＣＦを備える。

また、表示素子５５０Ｒと着色層ＣＦの間にスペーサＫＢを備える。スペーサＫＢは、表示素子５５０Ｒと着色層ＣＦの間に設けられる間隙の距離を制御する機能を備える。

例えば、顔料または染料等の材料を含む層を着色層ＣＦに用いることができる。これにより、着色層ＣＦを透過する特定の色を表示する表示ユニットを提供することができる。

また、反射膜と半透過・半反射膜を備える微小共振器構造を表示ユニット５８０Ｒに用いることができる。

具体的には、反射性の導電膜を一方の電極に、半透過・半反射性の導電膜を他方の電極に備え、一方の電極と他方の電極の間に発光性の有機化合物を含む層を備える発光素子を、表示ユニット５８０Ｒに用いることができる。

例えば、赤色の光を効率よく取り出す微小共振器および赤色の光を透過する着色層を、赤色を表示する表示ユニット５８０Ｒに用いることができる。または、緑色の光を効率よく取り出す微小共振器および緑色の光を透過する着色層を、緑色を表示する表示ユニットに用いることができる。または、青色の光を効率よく取り出す微小共振器および青色の光を透過する着色層を、青色を表示する表示ユニットに用いることができる。または、黄色の光を効率よく取り出す微小共振器および黄色の光を透過する着色層と共に黄色を表示する表示ユニットに用いることができる。

《表示素子》
電気的作用または磁気的作用により、コントラスト、輝度、反射率、透過率などが変化する表示媒体を表示素子５５０Ｒに用いることができる。

例えば、白色の光を射出する有機ＥＬ素子を用いることができる。

例えば、互いに異なる色を射出する複数の有機ＥＬ素子を用いることができる。

例えば、表示素子を複数の表示素子に区切る隔壁５２８を用いることができる。例えば、絶縁性の材料を隔壁５２８に用いることができる。具体的には、絶縁性の無機酸化物材料または樹脂等を用いることができる。

ちなみに、ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子（有機物及び無機物を含むＥＬ素子、有機ＥＬ素子、無機ＥＬ素子）、ＬＥＤ（白色ＬＥＤ、赤色ＬＥＤ、緑色ＬＥＤ、青色ＬＥＤなど）、トランジスタ（電流に応じて発光するトランジスタ）、電子放出素子、液晶素子、電子インク、電気泳動素子、グレーティングライトバルブ（ＧＬＶ）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）、ＭＥＭＳ（マイクロ・エレクトロ・メカニカル・システム）を用いた表示素子、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）、ＤＭＳ（デジタル・マイクロ・シャッター）、ＭＩＲＡＳＯＬ（登録商標）、ＩＭＯＤ（インターフェアレンス・モジュレーション）素子、シャッター方式のＭＥＭＳ表示素子、光干渉方式のＭＥＭＳ表示素子、エレクトロウェッティング素子などを用いることができる。

《第１の電極》
導電性を有する材料を第１の電極５５１Ｒに用いることができる。特に、発光性の有機化合物を含む層５５３から射出される光を効率よく反射する材料が好ましい。

例えば、無機導電性材料、有機導電性材料、金属または導電性セラミックスなどを用いることができる。なお、例えばこれらから選ばれた材料を含む単一の層または複数の層が積層された構造を用いることができる。

具体的には、アルミニウム、金、白金、銀、クロム、タンタル、チタン、モリブデン、タングステン、ニッケル、鉄、コバルト、パラジウムまたはマンガンから選ばれた金属元素、上述した金属元素を含む合金または上述した金属元素を組み合わせた合金などを用いることができる。

特に、銀、アルミニウムまたはこれらを含む合金は、可視光について高い反射率を備えるため好ましい。

または、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物を用いることができる。

または、グラフェンまたはグラファイトを用いることができる。グラフェンを含む膜は、例えば酸化グラフェンを含む膜を還元して形成することができる。還元する方法としては、熱を加える方法や還元剤を用いる方法等を挙げることができる。

または、導電性高分子を用いることができる。

《第２の電極》
導電性および透光性を有する材料を第２の電極５５２に用いることができる。

例えば、第１の電極５５１Ｒに用いることができる材料を、透光性を有する程度に薄くして第２の電極５５２に用いることができる。具体的には、５ｎｍ以上３０ｎｍ以下の厚さの金属薄膜を用いることができる。

なお、材料を単一の層でまたは積層された複数の層で用いることができる。具体的には、インジウムとスズを含む金属酸化物層と厚さ５ｎｍ以上３０ｎｍ以下の銀を積層して用いることができる。

《発光性の有機化合物を含む層》
蛍光または三重項励起状態を経由して得られる光を発する有機化合物を含む層を、発光性の有機化合物を含む層５５３に用いることができる。

また、単一の層または複数の層が積層された構造を、発光性の有機化合物を含む層５５３に用いることができる。

例えば、電子に比べて正孔の移動度が優れる材料を含む層、正孔に比べて電子の移動度が優れる材料を含む層などを用いることができる。

例えば、構成が異なる複数の発光性の有機化合物を含む層５５３を、一の表示パネルに用いることができる。例えば、赤色の光を発する発光性の有機化合物を含む層と、緑色の光を発する発光性の有機化合物を含む層と、青色の光を発する発光性の有機化合物を含む層と、を表示パネルに用いることができる。

ところで、発光素子は、一対の電極間に発光性の物質を有する。当該発光性の物質としては、一重項励起エネルギーを発光に変換することができる材料（例えば、蛍光材料など）、三重項励起エネルギーを発光に変換することができる材料（例えば、燐光材料、ＴＡＤＦ（Ｔｈｅｒｍａｌｌｙ Ａｃｔｉｖａｔｅｄ Ｄｅｌａｙｅｄ Ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｃｅ）材料など）が挙げられる。

また、上記発光性の物質は、青色（４２０ｎｍ以上５００ｎｍ未満）、緑色（５００ｎｍ以上５５０ｎｍ未満）、黄色（５５０ｎｍ以上６００ｎｍ未満）、及び赤色（６００ｎｍ以上７４０ｎｍ以下）の波長帯域において、少なくともいずれか一つに発光スペクトルピークを有する。また、上記発光性の物質は、蒸着法（真空蒸着法を含む）、インクジェット法、塗布法、グラビア印刷等の方法で形成することができる。

ところで、青色の波長帯域に発光スペクトルピークを有する物質としては、例えば、ピレン誘導体、アントラセン誘導体、トリフェニレン誘導体、フルオレン誘導体、カルバゾール誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体、ジベンゾフラン誘導体、ジベンゾキノキサリン誘導体、キノキサリン誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、フェナントレン誘導体、ナフタレン誘導体などを有する蛍光材料が挙げられる。特にピレン誘導体は発光量子収率が高いので好ましい。

また、青色の波長帯域に発光スペクトルピークを有する物質としては、例えば、イリジウム、ロジウム、あるいは白金系の有機金属錯体、あるいは金属錯体が挙げられ、中でも有機イリジウム錯体、例えばイリジウム系オルトメタル錯体が好ましい。オルトメタル化する配位子としては４Ｈ−トリアゾール配位子、１Ｈ−トリアゾール配位子、イミダゾール配位子、ピリジン配位子などが挙げられる。また、青色の波長帯域に発光スペクトルピークを有する物質としては、例えば、イリジウム金属と、当該イリジウム金属に配位する配位子と、当該配位子に結合する置換基と、を有し、当該置換基は、質量数が９０以上２００未満の架橋環式炭化水素基（例えば、アダマンチル基またはノルボルニル基）である有機金属イリジウム錯体が挙げられる。また、上述の配位子は、含窒素五員複素環骨格（例えば、イミダゾール骨格またはトリアゾール骨格）であると好ましい。上述の含窒素五員複素環骨格を有する物質を発光層に用いると、高い発光効率、または高い信頼性を有する発光素子とすることが可能となる。

ところで、緑色、黄色、及び赤色の波長帯域に発光スペクトルピークを有する物質としては、イリジウム、ロジウム、あるいは白金系の有機金属錯体、あるいは金属錯体が挙げられ、中でも有機イリジウム錯体、例えばイリジウム系オルトメタル錯体が好ましい。オルトメタル化する配位子としては４Ｈ−トリアゾール配位子、１Ｈ−トリアゾール配位子、イミダゾール配位子、ピリジン配位子、ピリミジン配位子、ピラジン配位子、あるいはイソキノリン配位子などが挙げられる。金属錯体としては、ポルフィリン配位子を有する白金錯体などが挙げられる。また、ピラジン配位子を有する有機金属イリジウム錯体は、色度の良い赤色発光が得られるため好ましい。また、ピリミジン配位子を有する有機金属イリジウム錯体は、信頼性や発光効率が高いため好ましい。

また、発光素子は、上述の発光性の物質の他、キャリア輸送性（電子またはホール）を有する物質を有していてもよい。また、発光素子は、上述の発光性の物質の他、無機化合物または高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）を有していてもよい。

ところで、発光性の有機化合物を含む層５５３を形成した後に、発光性の有機化合物を含む層５５３を加熱すると、発光性の有機化合物を含む層５５３を安定な状態にする効果を奏する場合がある。

例えば、発光性の有機化合物を含む層５５３を、絶縁層５９０を形成する際に加える熱により安定な状態にする。これにより、表示素子５５０Ｒの信頼性を高めることができる。

《フレキシブルプリント基板》
さまざまな構成のフレキシブルプリント基板を、フレキシブルプリント基板ＦＰＣ１またはフレキシブルプリント基板ＦＰＣ２に用いることができる。

例えば、実施の形態１に記載するフレキシブルプリント基板に用いることができる構成と同様の構成を用いることができる。

《絶縁層》
さまざまな材料を絶縁層５９０に用いることができる。

例えば、実施の形態１に記載する絶縁層３９０に用いることができる材料と同様の材料を用いることができる。

例えば、酸化物、窒化物、フッ化物、硫化物、三元化合物、金属またはポリマーを含む材料を用いることができる。具体的には、３ｎｍ以上２００ｎｍ以下好ましくは５ｎｍ以上５０ｎｍ以下の厚さを有する無機化合物を含む膜を絶縁層５９０に用いることができる。

例えば、原子層堆積法を用いた酸化物や窒化物等の無機材料を用いることができる。具体的には、酸化アルミニウムなどを用いることができる。

水分子等の不純物の拡散を抑制する機能を備える材料を絶縁層５９０に用いることができる。これにより、表示素子５５０Ｒの信頼性の低下を抑制できる。

例えば、発光性の有機化合物を含む層５５３への水分子等の不純物の拡散を抑制することにより、発光性の有機化合物の劣化を抑制することができる。

その結果、発光性の有機化合物を含む層５５３を備える表示素子５５０Ｒの信頼性を高めることができる。

《検知素子、検知回路》
静電容量、照度、磁力、電波または圧力等を検知して、検知した物理量に基づく信号を供給する検知素子を機能層に用いることができる。

例えば、導電膜、光電変換素子、磁気検知素子、圧電素子または共振器等を検知素子に用いることができる。

例えば、導電膜に寄生する静電容量に基づいて変化する信号を供給する機能を備える検知回路を、機能層に用いることができる。これにより、大気中において導電膜に近接する指などを、静電容量の変化を用いて検知できる。

具体的には、制御線ＣＬ（ｉ）を用いて制御信号を第１の電極Ｃ１（ｉ）に供給し、供給された制御信号および静電容量に基づいて変化する第２の電極Ｃ２（ｊ）の電位を、信号線ＭＬ（ｊ）を用いて取得して、検知信号として供給することができる。

例えば、導電膜に一方の電極が接続された容量素子を含む回路を検知回路に用いることができる。

なお、第２の基材５７０に検知素子を形成するための膜を成膜し、当該膜を加工する方法を用いて、検知素子を作製してもよい。

または、表示モジュール５００の一部を他の基材に作製し、当該一部を第２の基材５７０に転置する方法を用いて、表示モジュール５００を作製してもよい。

《機能膜》
さまざまな機能膜を、機能膜５７０Ｐに用いることができる。

例えば、反射防止膜等を機能膜５７０Ｐに用いることができる。具体的には、アンチグレアコートまたは円偏光板等を用いることができる。これにより、例えば屋外の使用時に、反射する外光の強度を弱めることができる。また、例えば屋内の使用時に、照明の映り込みを抑制することができる。

例えば、セラミックコート層またはハードコート層を機能膜５７０Ｐに用いることができる。具体的には、酸化アルミニウムまたは酸化珪素などを含むセラミックコート層またはＵＶ硬化された樹脂層などを用いることができる。

＜表示モジュールの構成例２．＞
本発明の一態様の表示モジュールの別の構成について、図２３を参照しながら説明する。

図２３は図２（Ａ）の切断線Ａ−Ｂおよび切断線Ｃ−Ｄにおける断面図である。

なお、図２３を用いて説明する表示モジュールは、表示素子５５０Ｒに換えて表示素子４５０Ｒを有する点、機能膜４７０Ｐ１および４７０Ｐ２を有する点が、図５（Ｂ）を参照しながら説明する表示モジュールとは異なる。ここでは異なる構成について詳細に説明し、同様の構成を用いることができる部分は、上記の説明を援用する。

《表示素子》
さまざまなモードを用いた液晶素子を表示素子４５０Ｒに用いることができる。具体的には、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ−Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ Ｆｉｅｌｄ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＡＳＭ（Ａｘｉａｌｌｙ Ｓｙｍｍｅｔｒｉｃ ａｌｉｇｎｅｄ Ｍｉｃｒｏ−ｃｅｌｌ）モード、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＦＬＣ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＡＦＬＣ（ＡｎｔｉＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）モードなどを用いた液晶素子を用いることができる。

表示素子４５０Ｒに用いるモードに応じて、液晶材料を選択し、液晶材料を含む層４５３に与える電界の方向に応じて第１の電極４５１および第２の電極４５２の配置を選択する。

例えば、サーモトロピック液晶、低分子液晶、高分子液晶、強誘電液晶、反強誘電液晶などを、液晶材料を含む層４５３に用いることができる。

例えば、ブルー相を示す液晶を用いることができる。これにより、配向膜を用いる必要をなくすことができる。また、広い視野角を得ることができる。

また、ブルー相を示す液晶とブルー相を安定化する高分子を合わせて用いることができる。これにより、液晶がブルー相を示す温度領域を拡大することができる。具体的には、ブルー相を示す液晶、重合開始剤およびモノマーを含む混合物を、基板間に注入または滴下封止し、その後、当該モノマーを重合することにより、当該液晶がブルー相を示す温度領域を拡大することができる。

また、高分子分散型液晶（ＰＤＬＣ：Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｄｉｓｐｅｒｓｅｄ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）を表示素子４５０Ｒに用いることができる。

例えば、垂直方向に電界を与えるように配置された第１の電極４５１と第２の電極４５２を用いることができる。

例えば、水平方向に電界を与えるように配置された第１の電極４５１と第２の電極４５２を用いることができる。

《絶縁層》
例えば、水分やイオン性の物質等の不純物の液晶材料を含む層４５３への拡散を抑制する材料を、絶縁層５９０に用いることができる。これにより、第１の電極４５１と第２の電極４５２の間に保持される電圧の、継時的な減衰を抑制することができる。

その結果、液晶材料を含む層４５３を備える表示素子４５０Ｒに画像信号を供給し、画像信号を書き換える頻度を、表示品位を低下させることなく削減し、消費電力を低減することができる。

具体的には、６０Ｈｚより低い周波数（例えば３０Ｈｚ以下、好ましくは１Ｈｚ以下）で画像信号を表示素子４５０Ｒに供給しても、使用者に認識されるちらつきの発生を抑制できる。

《機能膜》
さまざまな機能膜を、機能膜４７０Ｐ１または機能膜４７０Ｐ２に用いることができる。

例えば、反射防止膜等を機能膜４７０Ｐ１または機能膜４７０Ｐ２に用いることができる。具体的には、アンチグレアコート、直線偏光板または円偏光板等を用いることができる。これにより、例えば屋外の使用時に、反射する外光の強度を弱めることができる。また、例えば屋内の使用時に、照明の映り込みを抑制することができる。

例えば、セラミックコート層またはハードコート層を機能膜４７０Ｐ１または機能膜４７０Ｐ２に用いることができる。具体的には、酸化アルミニウムまたは酸化珪素などを含むセラミックコート層またはＵＶ硬化された樹脂層などを用いることができる。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態および実施例と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示モジュールの作製の方法について、図７および図８を参照しながら説明する。

図７は本発明の一態様の表示モジュールの作製の方法を説明するフロー図である。

図８は本発明の一態様の表示モジュールの作製方法を説明する図である。図８（Ａ）乃至図８（Ｃ）は作製工程中の表示モジュールの断面図である。

＜表示モジュールの作製方法例＞
本実施の形態で説明する表示モジュールの作製方法は、以下の３つのステップを有する（図７参照）。

《第１のステップ》
第１のステップにおいて、端子３１９、端子３１９を支持する第１の基材３１０、第１の基材３１０に重なる領域を備える第２の基材３７０、第１の基材３１０と第２の基材３７０を貼り合わせる接合層３０５、第１の基材３１０と第２の基材３７０の間に端子３１９と電気的に接続される表示素子３５０および端子３１９と電気的に接続されるフレキシブルプリント基板ＦＰＣを有する加工部材を準備して、フレキシブルプリント基板ＦＰＣの端子部に重なる領域にマスクＭＡＳＫを形成する（図７（Ｓ１）および図８（Ａ）参照）。

《第２のステップ》
第２のステップにおいて、原子層堆積法を用いて、第１の基材３１０、第２の基材３７０、接合層３０５およびフレキシブルプリント基板ＦＰＣに接する絶縁層３９０を形成する（図７（Ｓ２）参照）。

ところで、絶縁層３９０に含まれるクラック、ピンホールなどの欠陥または絶縁層３９０の厚さのムラは、不純物の拡散を助長する場合がある。絶縁層３９０を形成する方法に、原子層堆積法を用いると、絶縁層３９０に含まれる欠陥または絶縁層３９０の厚さのムラを低減することができる。また、絶縁層３９０を緻密にすることができる。また、樹脂等を下地膜に用いると、加熱に伴い樹脂等が軟化され、下地膜の表面に良質な膜を形成できる。これにより、不純物の拡散を抑制することができる絶縁層３９０を提供できる。

第１の基材３１０または第２の基材３７０を他の基材から分断すると、端面に微細なヒビ（マイクロクラックＭＣ）が形成される場合がある。具体的には、けがき（スクライブともいう）をし、けがきに集中するように応力を加えて分断（ブレイクともいう）する方法で得られたガラスの端面には、微細なヒビが形成される場合がある。原子層堆積法を用いて絶縁層３９０を形成すると、端面に形成された微細なヒビを塞ぐことが期待できる（図８（Ｂ）参照）。

例えば、実施の形態５において説明する成膜装置１００を用いて、原子層堆積法により絶縁層３９０を形成することができる。

《第３のステップ》
第３のステップにおいて、絶縁層３９０の一部をマスクＭＡＳＫと共に取り除き、絶縁層３９０のフレキシブルプリント基板ＦＰＣの端子部に重なる領域に開口部３９１を形成する（図７（Ｓ３）および図８（Ｂ）参照）。

本実施の形態で説明する表示モジュールの作製方法は、フレキシブルプリント基板ＦＰＣの端子部に重なる領域にマスクＭＡＳＫを形成する第１のステップと、原子層堆積法を用いて絶縁層３９０を形成する第２のステップと、絶縁層３９０のフレキシブルプリント基板ＦＰＣの端子部と重なる領域に開口部３９１を形成する第３のステップとを含んで構成される。これにより、フレキシブルプリント基板ＦＰＣの端子部に開口部３９１を有する絶縁層３９０を形成することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示モジュールの作製方法を提供できる。

＜表示モジュールの作製方法の変形例＞
本実施の形態で説明する表示モジュールの作製方法は、上記のステップに加えて第４のステップを有する。

《第４のステップ》
第４のステップにおいて、接合層３０５と樹脂層３９８の間に挟まれる領域に、絶縁層３９０が形成されるように樹脂層３９８を形成する（図８（Ｃ）参照）。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態および実施例と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示モジュールの作製に用いることができる成膜装置について、図９乃至図１１を参照しながら説明する。

図９は本発明の一態様の表示モジュールの作製に用いることができる成膜装置１００を説明する断面図である。

図１０（Ａ１）乃至図１０（Ａ３）は本発明の一態様の表示モジュールの作製に用いることができる加工部材１０が支持部１８６に支持されている状態を説明する図である。

図１０（Ｂ）は本発明の一態様の表示モジュールの作製に用いることができる支持部１８６を説明する投影図である。

図１０（Ｃ）は本発明の一態様の表示モジュールの作製に用いることができる成膜装置１００の成膜室１８０に、複数の加工部材１０を準備した状態を説明する側面図である。

図１１（Ａ）乃至図１１（Ｃ）は本発明の一態様の表示モジュールの作製に用いることができる加工部材１０が支持部１８６Ｂに支持されている状態を説明する図である。

＜成膜装置１００の構成例＞
本実施の形態で説明する成膜装置１００は、成膜室１８０と、成膜室１８０に接続される制御部１８２と、を有する。

制御部１８２は、制御信号を供給する制御装置（図示せず）ならびに制御信号を供給される流量制御器１８２ａ、流量制御器１８２ｂおよび流量制御器１８２ｃを備える。例えば、高速バルブを流量制御器に用いることができる。具体的にはＡＬＤ用バルブ等を用いることにより、精密に流量を制御することができる。また、流量制御器および配管の温度を制御する加熱機構１８２ｈを有する。

流量制御器１８２ａは、制御信号ならびに第１の原料および不活性ガスを供給され、制御信号に基づいて第１の原料または不活性ガスを供給する機能を有する。

流量制御器１８２ｂは、制御信号ならびに第２の原料および不活性ガスを供給され、制御信号に基づいて第２の原料または不活性ガスを供給する機能を有する。

流量制御器１８２ｃは、制御信号を供給され、制御信号に基づいて排気装置１８５に接続する機能を有する。

《原料供給部》
なお、原料供給部１８１ａは、第１の原料を供給する機能を有し、流量制御器１８２ａに接続されている。

原料供給部１８１ｂは、第２の原料を供給する機能を有し、流量制御器１８２ｂに接続されている。

気化器または加熱手段等を原料供給部に用いることができる。これにより、固体の原料や液体の原料から気体の原料を生成することができる。

なお、原料供給部は２つに限定されず、３つ以上の原料供給部を有することができる。

《原料》
さまざまな物質を第１の原料に用いることができる。

例えば、揮発性の有機金属化合物、金属アルコキシド等を第１の原料に用いることができる。

第１の原料と反応をするさまざまな物質を第２の原料に用いることができる。例えば、酸化反応に寄与する物質、還元反応に寄与する物質、付加反応に寄与する物質、分解反応に寄与する物質または加水分解反応に寄与する物質などを第２の原料に用いることができる。

また、ラジカル等を用いることができる。例えば、原料をプラズマ源に供給し、プラズマ等を用いることができる。具体的には酸素ラジカル、窒素ラジカル等を用いることができる。

ところで、高周波電源または光源をプラズマ源に用いることができる。例えば、誘導結合型もしくは容量結合型の高周波電源を用いることができる。または、エキシマレーザ、エキシマランプ、低圧水銀ランプまたはシンクロトロン放射光源を光源に用いることができる。また、第１の原料と組み合わせて用いる第２の原料は、室温に近い温度で第１の原料と反応する原料が好ましい。例えば、反応温度が室温以上２００℃以下好ましくは５０℃以上１５０℃以下である物質が好ましい。

《排気装置１８５》
排気装置１８５は、排気する機能を有し、流量制御器１８２ｃに接続されている。なお、排出される物質を捕捉するトラップを排出口１８４と流量制御器１８２ｃの間に有してもよい。なお、除害設備を用いて排気されたガス等を除害する。

《制御部１８２》
制御装置は、流量制御器を制御する制御信号または加熱機構を制御する制御信号等を供給する。例えば、第１のステップにおいて、第１の原料を加工部材の表面に供給する。そして、第２のステップにおいて、第１の原料と反応する第２の原料を供給する。これにより第１の原料は第２の原料と反応し、反応生成物が加工部材１０の表面に堆積することができる。

なお、加工部材１０の表面に堆積させる反応生成物の量は、第１のステップと第２のステップを繰り返すことにより、制御することができる。

なお、加工部材１０に供給される第１の原料の量は、加工部材１０の表面が吸着することができる量により制限される。例えば、第１の原料の単分子層が加工部材１０の表面に形成される条件を選択し、形成された第１の原料の単分子層に第２の原料を反応させることにより、極めて均一な第１の原料と第２の原料の反応生成物を含む層を形成することができる。

その結果、入り組んだ構造を表面に備える加工部材１０の表面に、さまざまな材料を成膜することができる。例えば３ｎｍ以上２００ｎｍ以下の厚さを備える膜を、加工部材１０に形成することができる。

例えば、加工部材１０の表面にピンホールと呼ばれる小さい穴等が形成されている場合、ピンホールの内部に回り込んで成膜材料を成膜し、ピンホールを埋めることができる。

また、余剰の第１の原料または第２の原料を、排気装置１８５を用いて成膜室１８０から排出する。例えば、アルゴンまたは窒素などの不活性ガスを導入しながら排気してもよい。

《成膜室１８０》
成膜室１８０は、第１の原料、第２の原料および不活性ガスを供給される導入口１８３と、第１の原料、第２の原料および不活性ガスを排出する排出口１８４とを備える。

成膜室１８０は、単数または複数の加工部材１０を支持する機能を備える支持部１８６と、加工部材を加熱する機能を備える加熱機構１８７と、加工部材１０の搬入および搬出をする領域を開閉する機能を備える扉１８８と、を有する。

例えば、抵抗加熱器または赤外線ランプ等を加熱機構１８７に用いることができる。

加熱機構１８７は、例えば８０℃以上、１００℃以上または１５０℃以上に加熱する機能を備える。

ところで、加熱機構１８７は、例えば室温以上２００℃以下好ましくは５０℃以上１５０℃以下の温度になるように加工部材１０を加熱する。

また、成膜室１８０は、圧力調整器および圧力検知器を有する。

《支持部１８６》
支持部１８６は、単数または複数の加工部材１０を支持する。これにより、一回の処理ごとに単数または複数の加工部材１０に例えば絶縁層を形成できる。

例えば、６つの加工部材１０が６つの支持部１８６を用いて支持されている状態の側面を図９および図１０（Ａ２）に示す。また、図１０（Ａ２）に示す状態の左側からの側面図を図１０（Ａ１）に示し、上面図を図１０（Ａ３）に示す。

支持部１８６は、複数の柱状のスペーサ１８６Ｐと、一のスペーサと他のスペーサを連結する梁部１８６Ｓと、を有する（図１０（Ｂ）参照）。ところで、支持部１８６は、好ましくは３個以上、特に好ましくは４個以上１０個以下の柱状のスペーサ１８６Ｐを備える。

支持部１８６は、加工部材１０をスペーサ１８６Ｐの上部に載せて支持する。

一の支持部１８６に支持された一の加工部材１０に他の支持部１８６を載せ、他の支持部１８６を用いて他の加工部材１０を支持することができる。このように支持部１８６と加工部材１０を交互に重ねることにより、成膜室１８０に複数の加工部材を準備することができる。

ところで、例えば、加工部材１０の外形より小さい支持部１８６を用いて、支持部１８６の外側に端部がはみ出すように加工部材１０を配置する。これにより、加工部材１０の端部とその側面に原料を均一に供給することができる（図１０（Ｃ）参照）。

また、加工部材１０の端部を、成膜室１８０の壁面から離して配置する。例えば、加工部材１０の端部から成膜室１８０の壁面までの距離ｄ１および距離ｄ３を、一の加工部材１０と他の加工部材１０の間隔より大きくする。これにより、原料を均一に供給することができる。なお、距離ｄ３を距離ｄ１におよそ等しくできる。

例えば、４つの加工部材１０が支持部１８６Ｂを用いて支持されている状態の上面を図１１（Ａ）に示す。また、図１１（Ａ）に示す切断線Ｑ１−Ｑ２における断面図を図１１（Ｂ）に示し、投影図を図１１（Ｃ）に示す。

支持部１８６Ｂは、加工部材１０を配置することができる凹部を有し、凹部は加工部材１０の側面と接しない大きさを備える。これにより、複数の加工部材１０の側面に、支持部１８６Ｂに阻害されることなく例えば絶縁層を同時に形成できる。

＜膜の例＞
本実施の形態で説明する成膜装置１００を用いて、作製することができる膜について説明する。

例えば、酸化物、窒化物、フッ化物、硫化物、三元化合物、金属またはポリマーを含む膜を形成することができる。

例えば、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、アルミニウムシリケート、ハフニウムシリケート、酸化ランタン、酸化珪素、チタン酸ストロンチウム、酸化タンタル、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化ニオブ、酸化ジルコニウム、酸化スズ、酸化イットリウム、酸化セリウム、酸化スカンジウム、酸化エルビウム、酸化バナジウムまたは酸化インジウム等を含む材料を成膜することができる。

例えば、窒化アルミニウム、窒化ハフニウム、窒化珪素、窒化タンタル、窒化チタン、窒化ニオブ、窒化モリブデン、窒化ジルコニウムまたは窒化ガリウム等を含む材料を成膜することができる。

例えば、銅、白金、ルテニウム、タングステン、イリジウム、パラジウム、鉄、コバルトまたはニッケル等を含む材料を成膜することができる。

例えば、硫化亜鉛、硫化ストロンチウム、硫化カルシウム、硫化鉛、フッ化カルシウム、フッ化ストロンチウムまたはフッ化亜鉛等を含む材料を成膜することができる。

例えば、チタンおよびアルミニウムを含む窒化物、チタンおよびアルミニウムを含む酸化物、アルミニウムおよび亜鉛を含む酸化物、マンガンおよび亜鉛を含む硫化物、セリウムおよびストロンチウムを含む硫化物、エルビウムおよびアルミニウムを含む酸化物、イットリウムおよびジルコニウムを含む酸化物等を含む材料を成膜することができる。

《酸化アルミニウムを含む膜》
例えば、アルミニウム前駆体化合物を含む原料を気化させたガスを第１の原料に用いることができる。具体的には、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ、化学式はＡｌ（ＣＨ_３）_３）またはトリス（ジメチルアミド）アルミニウム、トリイソブチルアルミニウム、アルミニウムトリス（２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナート）などを用いることができる。

水蒸気（化学式はＨ_２Ｏ）を第２の原料に用いることができる。

成膜装置１００を用いて上記の第１の原料および第２の原料から、酸化アルミニウムを含む膜を形成できる。

《酸化ハフニウムを含む膜》
例えば、ハフニウム前駆体化合物を含む原料を気化させたガスを第１の原料に用いることができる。具体的には、テトラキスジメチルアミドハフニウム（ＴＤＭＡＨ、化学式はＨｆ［Ｎ（ＣＨ_３）_２］_４）またはテトラキス（エチルメチルアミド）ハフニウム等のハフニウムアミドを含む原料を用いることができる。

オゾンを第２の原料に用いることができる。

《タングステンを含む膜》
例えば、ＷＦ_６ガスを第１の原料に用いることができる。

Ｂ_２Ｈ_６ガスまたはＳｉＨ_４ガスなどを第２の原料に用いることができる。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態および実施例と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態６）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示モジュールの作製に用いることができる積層体の作製方法について、図１３を参照しながら説明する。

図１３は積層体を作製する工程を説明する模式図である。図１３の左側に、加工部材および積層体の構成を説明する断面図を示し、対応する上面図を、図１３（Ｃ）を除いて右側に示す。

＜積層体の作製方法＞
加工部材８０から積層体８１を作製する方法について、図１３を参照しながら説明する。

加工部材８０は、第１の基板Ｆ１と、第１の基板Ｆ１上の第１の剥離層Ｆ２と、第１の剥離層Ｆ２に一方の面が接する第１の被剥離層Ｆ３と、第１の被剥離層Ｆ３の他方の面に一方の面が接する接合層３０と、接合層３０の他方の面が接する基材Ｓ５と、を備える（図１３（Ａ−１）および図１３（Ａ−２））。

なお、例えば、実施の形態８で詳細に説明する構成を備える加工部材を加工部材８０に用いることができる。

《剥離の起点の形成》
剥離の起点Ｆ３ｓが接合層３０の端部近傍に形成された加工部材８０を準備する。

剥離の起点Ｆ３ｓは、第１の被剥離層Ｆ３の一部が第１の基板Ｆ１から分離された構造を有する。

第１の基板Ｆ１側から鋭利な先端で第１の被剥離層Ｆ３を刺突する方法またはレーザ等を用いる方法（例えばレーザアブレーション法）等を用いて、第１の被剥離層Ｆ３の一部を剥離層Ｆ２から部分的に剥離することができる。これにより、剥離の起点Ｆ３ｓを形成することができる。

《第１のステップ》
剥離の起点Ｆ３ｓがあらかじめ接合層３０の端部近傍に形成された加工部材８０を準備する（図１３（Ｂ−１）および図１３（Ｂ−２）参照）。

《第２のステップ》
加工部材８０の一方の表層８０ｂを剥離する。これにより、加工部材８０から第１の残部８０ａを得る。

具体的には、接合層３０の端部近傍に形成された剥離の起点Ｆ３ｓから、第１の基板Ｆ１を第１の剥離層Ｆ２と共に第１の被剥離層Ｆ３から分離する（図１３（Ｃ）参照）。これにより、第１の被剥離層Ｆ３、第１の被剥離層Ｆ３に一方の面が接する接合層３０および接合層３０の他方の面が接する基材Ｓ５を備える第１の残部８０ａを得る。

また、第１の剥離層Ｆ２と第１の被剥離層Ｆ３の界面近傍にイオンを照射して、静電気を取り除きながら剥離してもよい。具体的には、イオナイザーを用いて生成されたイオンを照射してもよい。

また、第１の剥離層Ｆ２から第１の被剥離層Ｆ３を剥離する際に、第１の剥離層Ｆ２と第１の被剥離層Ｆ３の界面に液体を浸透させる。または液体をノズル９９から噴出させて吹き付けてもよい。例えば、浸透させる液体または吹き付ける液体に水、極性溶媒等を用いることができる。

液体を浸透させることにより、剥離に伴い発生する静電気等の影響を抑制することができる。また、剥離層を溶かす液体を浸透しながら剥離してもよい。

特に、第１の剥離層Ｆ２に酸化タングステンを含む膜を用いる場合、水を含む液体を浸透させながらまたは吹き付けながら第１の被剥離層Ｆ３を剥離すると、第１の被剥離層Ｆ３に加わる剥離に伴う応力を低減することができ好ましい。

《第３のステップ》
第１の接着層３１を第１の残部８０ａに形成し（図１３（Ｄ−１）および図１３（Ｄ−２）参照）、第１の接着層３１を用いて第１の残部８０ａと第１の支持体４１を貼り合わせる。これにより、第１の残部８０ａから、積層体８１を得る。

具体的には、第１の支持体４１と、第１の接着層３１と、第１の被剥離層Ｆ３と、第１の被剥離層Ｆ３に一方の面が接する接合層３０と、接合層３０の他方の面が接する基材Ｓ５と、を備える積層体８１を得る（図１３（Ｅ−１）および図１３（Ｅ−２）参照）。

なお、様々な方法を、接合層３０を形成する方法に用いることができる。例えば、ディスペンサやスクリーン印刷法等を用いて接合層３０を形成する。接合層３０を接合層３０に用いる材料に応じた方法を用いて硬化する。例えば接合層３０に光硬化型の接着剤を用いる場合は、所定の波長の光を含む光を照射する。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態および実施例と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態７）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示モジュールの作製に用いることができる積層体の作製方法について、図１４および図１５を参照しながら説明する。

図１４および図１５は積層体を作製する工程を説明する模式図である。図１４および図１５の左側に、加工部材および積層体の構成を説明する断面図を示し、対応する上面図を、図１４（Ｃ）、図１５（Ｂ）および図１５（Ｃ）を除いて右側に示す。

＜積層体の作製方法＞
加工部材９０から積層体９２を作製する方法について、図１４乃至図１５を参照しながら説明する。

加工部材９０は、接合層３０の他方の面が第２の被剥離層Ｓ３の一方の面に接する点が加工部材８０と異なる。

具体的には、加工部材９０は、基材Ｓ５に換えて、第２の基板Ｓ１、第２の基板Ｓ１上の第２の剥離層Ｓ２、第２の剥離層Ｓ２と他方の面が接する第２の被剥離層Ｓ３を備える積層体を有し、第２の被剥離層Ｓ３の一方の面が、接合層３０の他方の面に接する点が、異なる。

加工部材９０は、第１の基板Ｆ１と、第１の剥離層Ｆ２と、第１の剥離層Ｆ２に一方の面が接する第１の被剥離層Ｆ３と、第１の被剥離層Ｆ３の他方の面に一方の面が接する接合層３０と、接合層３０の他方の面に一方の面が接する第２の被剥離層Ｓ３と、第２の被剥離層Ｓ３の他方の面に一方の面が接する第２の剥離層Ｓ２と、第２の基板Ｓ１と、がこの順に配置される（図１４（Ａ−１）および図１４（Ａ−２）参照）。

なお、例えば、実施の形態８で詳細に説明する構成を備える加工部材を加工部材９０に用いることができる。

《第１のステップ》
剥離の起点Ｆ３ｓが接合層３０の端部近傍に形成された加工部材９０を準備する（図１４（Ｂ−１）および図１４（Ｂ−２）参照）。

剥離の起点Ｆ３ｓは、第１の被剥離層Ｆ３の一部が第１の基板Ｆ１から分離された構造を有する。

例えば、第１の基板Ｆ１側から鋭利な先端で第１の被剥離層Ｆ３を刺突する方法またはレーザ等を用いる方法（例えばレーザアブレーション法）等を用いて、第１の被剥離層Ｆ３の一部を剥離層Ｆ２から部分的に剥離することができる。これにより、剥離の起点Ｆ３ｓを形成することができる。

《第２のステップ》
加工部材９０の一方の表層９０ｂを剥離する。これにより、加工部材９０から第１の残部９０ａを得る。

具体的には、接合層３０の端部近傍に形成された剥離の起点Ｆ３ｓから、第１の基板Ｆ１を第１の剥離層Ｆ２と共に第１の被剥離層Ｆ３から分離する（図１４（Ｃ）参照）。これにより、第１の被剥離層Ｆ３と、第１の被剥離層Ｆ３に一方の面が接する接合層３０と、接合層３０の他方の面に一方の面が接する第２の被剥離層Ｓ３と、第２の被剥離層Ｓ３の他方の面に一方の面が接する第２の剥離層Ｓ２と、第２の基板Ｓ１と、がこの順に配置される第１の残部９０ａを得る。

また、第２の剥離層Ｓ２と第２の被剥離層Ｓ３の界面近傍にイオンを照射して、静電気を取り除きながら剥離してもよい。具体的には、イオナイザーを用いて生成されたイオンを照射してもよい。

また、第２の剥離層Ｓ２から第２の被剥離層Ｓ３を剥離する際に、第２の剥離層Ｓ２と第２の被剥離層Ｓ３の界面に液体を浸透させる。または液体をノズル９９から噴出させて吹き付けてもよい。例えば、浸透させる液体または吹き付ける液体に水、極性溶媒等を用いることができる。

液体を浸透させることにより、剥離に伴い発生する静電気等の影響を抑制することができる。また、剥離層を溶かす液体を浸透しながら剥離してもよい。

特に、第２の剥離層Ｓ２に酸化タングステンを含む膜を用いる場合、水を含む液体を浸透させながらまたは吹き付けながら第２の被剥離層Ｓ３を剥離すると、第２の被剥離層Ｓ３に加わる剥離に伴う応力を低減することができ好ましい。

《第３のステップ》
第１の残部９０ａに第１の接着層３１を形成し（図１４（Ｄ−１）および図１４（Ｄ−２）参照）、第１の接着層３１を用いて第１の残部９０ａと第１の支持体４１を貼り合わせる。これにより、第１の残部９０ａから、積層体９１を得る。

具体的には、第１の支持体４１と、第１の接着層３１と、第１の被剥離層Ｆ３と、第１の被剥離層Ｆ３に一方の面が接する接合層３０と、接合層３０の他方の面に一方の面が接する第２の被剥離層Ｓ３と、第２の被剥離層Ｓ３の他方の面に一方の面が接する第２の剥離層Ｓ２と、第２の基板Ｓ１と、がこの順に配置された積層体９１を得る（図１４（Ｅ−１）および図１４（Ｅ−２）参照）。

《第４のステップ》
積層体９１の第１の接着層３１の端部近傍にある第２の被剥離層Ｓ３の一部を、第２の基板Ｓ１から分離して、剥離の起点９１ｓを形成する。

例えば、第１の支持体４１および第１の接着層３１を、第１の支持体４１側から切削し、且つ新たに形成された第１の接着層３１の端部に沿って第２の被剥離層Ｓ３の一部を第２の基板Ｓ１から分離する。

具体的には、第２の剥離層Ｓ２上の第２の被剥離層Ｓ３が設けられた領域にある、第１の接着層３１および第１の支持体４１を、鋭利な先端を備える刃物等を用いて切削し、且つ新たに形成された第１の接着層３１の端部に沿って、第２の被剥離層Ｓ３の一部を第２の基板Ｓ１から分離する（図１５（Ａ−１）および図１５（Ａ−２）参照）。

このステップにより、新たに形成された第１の支持体４１ｂおよび第１の接着層３１の端部近傍に剥離の起点９１ｓが形成される。

《第５のステップ》
積層体９１から第２の残部９１ａを分離する。これにより、積層体９１から第２の残部９１ａを得る。（図１５（Ｃ）参照）。

具体的には、第１の接着層３１の端部近傍に形成された剥離の起点９１ｓから、第２の基板Ｓ１を第２の剥離層Ｓ２と共に第２の被剥離層Ｓ３から分離する。これにより、第１の支持体４１ｂと、第１の接着層３１と、第１の被剥離層Ｆ３と、第１の被剥離層Ｆ３に一方の面が接する接合層３０と、接合層３０の他方の面に一方の面が接する第２の被剥離層Ｓ３と、がこの順に配置される第２の残部９１ａを得る。

また、第２の剥離層Ｓ２と第２の被剥離層Ｓ３の界面近傍にイオンを照射して、静電気を取り除きながら剥離してもよい。具体的には、イオナイザーを用いて生成されたイオンを照射してもよい。

また、第２の剥離層Ｓ２から第２の被剥離層Ｓ３を剥離する際に、第２の剥離層Ｓ２と第２の被剥離層Ｓ３の界面に液体を浸透させる。または液体をノズル９９から噴出させて吹き付けてもよい。例えば、浸透させる液体または吹き付ける液体に水、極性溶媒等を用いることができる。

液体を浸透させることにより、剥離に伴い発生する静電気等の影響を抑制することができる。また、剥離層を溶かす液体を浸透しながら剥離してもよい。

特に、第２の剥離層Ｓ２に酸化タングステンを含む膜を用いる場合、水を含む液体を浸透させながらまたは吹き付けながら第２の被剥離層Ｓ３を剥離すると、第２の被剥離層Ｓ３に加わる剥離に伴う応力を低減することができ好ましい。

《第６のステップ》
第２の残部９１ａに第２の接着層３２を形成する（図１５（Ｄ−１）および図１５（Ｄ−２）参照）。

第２の接着層３２を用いて第２の残部９１ａと第２の支持体４２を貼り合わせる。このステップにより、第２の残部９１ａから、積層体９２を得る（図１５（Ｅ−１）および図１５（Ｅ−２）参照）。

具体的には、第１の支持体４１ｂと、第１の接着層３１と、第１の被剥離層Ｆ３と、第１の被剥離層Ｆ３に一方の面が接する接合層３０と、接合層３０の他方の面に一方の面が接する第２の被剥離層Ｓ３と、第２の接着層３２と、第２の支持体４２と、がこの順に配置される積層体９２を得る。

＜支持体に開口部を有する積層体の作製方法＞
開口部を支持体に有する積層体の作製方法について、図１６を参照しながら説明する。

図１６は、被剥離層の一部が露出する開口部を支持体に有する積層体の作製方法を説明する図である。図１６の左側に、積層体の構成を説明する断面図を示し、対応する上面図を右側に示す。

図１６（Ａ−１）乃至図１６（Ｂ−２）は、第１の支持体４１ｂより小さい第２の支持体４２ｂを用いて開口部を有する積層体９２ｃを作製する方法について説明する図である。

図１６（Ｃ−１）乃至図１６（Ｄ−２）は、第２の支持体４２に形成された開口部を有する積層体９２ｄを作製する方法について説明する図である。

《支持体に開口部を有する積層体の作製方法の例１》
上記の第６のステップにおいて、第２の支持体４２に換えて、第１の支持体４１ｂより小さい第２の支持体４２ｂを用いる点が異なる他は、同様のステップを有する積層体の作製方法である。これにより、第２の被剥離層Ｓ３の一部が露出した状態の積層体を作製することができる（図１６（Ａ−１）および図１６（Ａ−２）参照）。

液状の接着剤を第２の接着層３２に用いることができる。または、流動性が抑制され且つあらかじめ枚葉状に成形された接着剤（シート状の接着剤ともいう）を用いることができる。シート状の接着剤を用いると、第２の支持体４２ｂより外側にはみ出す第２の接着層３２の量を少なくすることができる。また、第２の接着層３２の厚さを容易に均一にすることができる。

また、第２の被剥離層Ｓ３の露出した部分を切除して、第１の被剥離層Ｆ３が露出する状態にしてもよい（図１６（Ｂ−１）および図１６（Ｂ−２）参照）。

具体的には、鋭利な先端を有する刃物等を用いて、露出した第２の被剥離層Ｓ３に傷を形成する。次いで、例えば、傷の近傍に応力が集中するように粘着性を有するテープ等を露出した第２の被剥離層Ｓ３の一部に貼付し、貼付されたテープ等と共に第２の被剥離層Ｓ３の一部を剥離して、その一部を選択的に切除することができる。

また、接合層３０の第１の被剥離層Ｆ３に接着する力を抑制することができる層を、第１の被剥離層Ｆ３の一部に選択的に形成してもよい。例えば、接合層３０と接着しにくい材料を選択的に形成してもよい。具体的には、有機材料を島状に蒸着してもよい。これにより、接合層３０の一部を選択的に第２の被剥離層Ｓ３と共に容易に除去することができる。その結果、第１の被剥離層Ｆ３を露出した状態にすることができる。

なお、例えば、第１の被剥離層Ｆ３が機能層と、機能層に電気的に接続された導電層Ｆ３ｂと、を含む場合、導電層Ｆ３ｂを第２の積層体９２ｃの開口部に露出させることができる。これにより、例えば開口部に露出された導電層Ｆ３ｂを、信号が供給される端子に用いることができる。

その結果、開口部に一部が露出した導電層Ｆ３ｂは、機能層が供給する信号を取り出すことができる端子に用いることができる。または、機能層が供給される信号を外部の装置が供給することができる端子に用いることができる。

《支持体に開口部を有する積層体の作製方法の例２》
第２の支持体４２に設ける開口部と重なるように設けられた開口部を有するマスク４８を、積層体９２に形成する。次いで、マスク４８の開口部に溶剤４９を滴下する。これにより、溶剤４９を用いてマスク４８の開口部に露出した第２の支持体４２を膨潤または溶解することができる（図１６（Ｃ−１）および図１６（Ｃ−２）参照）。

余剰の溶剤４９を除去した後に、マスク４８の開口部に露出した第２の支持体４２を擦る等をして、応力を加える。これにより、マスク４８の開口部と重なる領域の第２の支持体４２等を除去することができる。

また、接合層３０を膨潤または溶解する溶剤を用いれば、第１の被剥離層Ｆ３を露出した状態にすることができる（図１６（Ｄ−１）および図１６（Ｄ−２）参照）。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形および実施例態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態８）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示モジュールに加工することができる加工部材の構成について、図１７を参照しながら説明する。

図１７は積層体に加工することができる加工部材の構成を説明する模式図である。

図１７（Ａ−１）は、積層体に加工することができる加工部材８０の構成を説明する断面図であり、図１７（Ａ−２）は、対応する上面図である。

図１７（Ｂ−１）は、積層体に加工することができる加工部材９０の構成を説明する断面図であり、図１７（Ｂ−２）は、対応する上面図である。

＜加工部材の構成例１．＞
加工部材８０は、第１の基板Ｆ１と、第１の基板Ｆ１上の第１の剥離層Ｆ２と、第１の剥離層Ｆ２に一方の面が接する第１の被剥離層Ｆ３と、第１の被剥離層Ｆ３の他方の面に一方の面が接する接合層３０と、接合層３０の他方の面が接する基材Ｓ５と、を有する（図１７（Ａ−１）および図１７（Ａ−２）参照）。

なお、剥離の起点Ｆ３ｓが、接合層３０の端部近傍に設けられていてもよい。

《第１の基板》
第１の基板Ｆ１は、製造工程に耐えられる程度の耐熱性および製造装置に適用可能な厚さおよび大きさを備えるものであれば、特に限定されない。

有機材料、無機材料または有機材料と無機材料等の複合材料等を第１の基板Ｆ１に用いることができる。

例えば、ガラス、セラミックス、金属等の無機材料を第１の基板Ｆ１に用いることができる。

具体的には、無アルカリガラス、ソーダ石灰ガラス、カリガラスまたはクリスタルガラス等を、第１の基板Ｆ１に用いることができる。

具体的には、金属酸化物膜、金属窒化物膜若しくは金属酸窒化物膜等を、第１の基板Ｆ１に用いることができる。例えば、酸化珪素膜、窒化珪素膜、酸窒化珪素膜、アルミナ膜等を、第１の基板Ｆ１に用いることができる。

具体的には、ＳＵＳまたはアルミニウム等を、第１の基板Ｆ１に用いることができる。

例えば、樹脂、樹脂フィルムまたはプラスチック等の有機材料を第１の基板Ｆ１に用いることができる。

具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート若しくはアクリル樹脂等の樹脂フィルムまたは樹脂板を、第１の基板Ｆ１に用いることができる。

例えば、金属板、薄板状のガラス板または無機材料等の膜を樹脂フィルム等に貼り合わせた複合材料を第１の基板Ｆ１に用いることができる。

例えば、繊維状または粒子状の金属、ガラスもしくは無機材料等を樹脂フィルムに分散した複合材料を、第１の基板Ｆ１に用いることができる。

例えば、繊維状または粒子状の樹脂もしくは有機材料等を無機材料に分散した複合材料を、第１の基板Ｆ１に用いることができる。

また、単層の材料または複数の層が積層された積層材料を、第１の基板Ｆ１に用いることができる。例えば、基材と基材に含まれる不純物の拡散を防ぐ絶縁層等が積層された積層材料を、第１の基板Ｆ１に用いることができる。

具体的には、ガラスとガラスに含まれる不純物の拡散を防ぐ酸化珪素膜、窒化珪素膜または酸化窒化珪素膜等から選ばれた一または複数の膜が積層された積層材料を、第１の基板Ｆ１に適用できる。

または、樹脂と樹脂を透過する不純物の拡散を防ぐ酸化珪素膜、窒化珪素膜または酸化窒化珪素膜等が積層された積層材料を、第１の基板Ｆ１に適用できる。

《第１の剥離層》
第１の剥離層Ｆ２は、第１の基板Ｆ１と第１の被剥離層Ｆ３の間に設けられる。第１の剥離層Ｆ２は、第１の基板Ｆ１から第１の被剥離層Ｆ３を分離できる境界がその近傍に形成される層である。また、第１の剥離層Ｆ２は、その上に被剥離層が形成され、第１の被剥離層Ｆ３の製造工程に耐えられる程度の耐熱性を備えるものであれば、特に限定されない。

例えば無機材料または有機樹脂等を第１の剥離層Ｆ２に用いることができる。

具体的には、タングステン、モリブデン、チタン、タンタル、ニオブ、ニッケル、コバルト、ジルコニウム、亜鉛、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、シリコンから選択された元素を含む金属、該元素を含む合金または該元素を含む化合物等の無機材料を第１の剥離層Ｆ２に用いることができる。

具体的には、ポリイミド、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリカーボネート若しくはアクリル樹脂等の有機材料を用いることができる。

例えば、単層の材料または複数の層が積層された材料を第１の剥離層Ｆ２に用いることができる。

具体的には、タングステンを含む層とタングステンの酸化物を含む層が積層された材料を第１の剥離層Ｆ２に用いることができる。

なお、タングステンの酸化物を含む層は、タングステンを含む層に他の層を積層する方法を用いて形成することができる。具体的には、タングステンの酸化物を含む層を、タングステンを含む層に酸化珪素または酸化窒化珪素等を積層する方法により形成してもよい。

また、タングステンの酸化物を含む層を、タングステンを含む層の表面を熱酸化処理、酸素プラズマ処理、亜酸化窒素（Ｎ_２Ｏ）プラズマ処理または酸化力の強い溶液（例えば、オゾン水等）を用いる処理等により形成してもよい。

具体的には、ポリイミドを含む層を第１の剥離層Ｆ２に用いることができる。ポリイミドを含む層は、第１の被剥離層Ｆ３を形成する際に要する様々な製造工程に耐えられる程度の耐熱性を備える。

例えば、ポリイミドを含む層は、２００℃以上、好ましくは２５０℃以上、より好ましくは３００℃以上、より好ましくは３５０℃以上の耐熱性を備える。

第１の基板Ｆ１に形成されたモノマーを含む膜を加熱し、縮合したポリイミドを含む膜を用いることができる。

《第１の被剥離層》
第１の被剥離層Ｆ３は、第１の基板Ｆ１から分離することができ、製造工程に耐えられる程度の耐熱性を備えるものであれば、特に限定されない。

第１の被剥離層Ｆ３を第１の基板Ｆ１から分離することができる境界は、第１の被剥離層Ｆ３と第１の剥離層Ｆ２の間に形成されてもよく、第１の剥離層Ｆ２と第１の基板Ｆ１の間に形成されてもよい。

第１の被剥離層Ｆ３と第１の剥離層Ｆ２の間に境界が形成される場合は、第１の剥離層Ｆ２は積層体に含まれず、第１の剥離層Ｆ２と第１の基板Ｆ１の間に境界が形成される場合は、第１の剥離層Ｆ２は積層体に含まれる。

無機材料、有機材料または単層の材料または複数の層が積層された積層材料等を第１の被剥離層Ｆ３に用いることができる。

例えば、金属酸化物膜、金属窒化物膜若しくは金属酸窒化物膜等の無機材料を、第１の被剥離層Ｆ３に用いることができる。

具体的には、酸化珪素膜、窒化珪素膜、酸窒化珪素膜、アルミナ膜等を、第１の被剥離層Ｆ３に用いることができる。

例えば、樹脂、樹脂フィルムまたはプラスチック等を、第１の被剥離層Ｆ３に用いることができる。

具体的には、ポリイミド膜等を、第１の被剥離層Ｆ３に用いることができる。

例えば、第１の剥離層Ｆ２と重なる領域を備える機能層と、第１の剥離層Ｆ２と機能層の間に当該機能層の機能を損なう不純物の拡散を防ぐことができる絶縁層と、が積層された構造を有する材料を用いることができる。

具体的には、厚さ０．７ｍｍのガラス板を第１の基板Ｆ１に用い、第１の基板Ｆ１側から順に厚さ２００ｎｍの酸化窒化珪素膜および３０ｎｍのタングステン膜が積層された積層材料を第１の剥離層Ｆ２に用いる。そして、第１の剥離層Ｆ２側から順に厚さ６００ｎｍの酸化窒化珪素膜および厚さ２００ｎｍの窒化珪素が積層された積層材料を含む膜を第１の被剥離層Ｆ３に用いることができる。なお、酸化窒化珪素膜は、酸素の組成が窒素の組成より多く、窒化酸化珪素膜は窒素の組成が酸素の組成より多い。

具体的には、上記の第１の被剥離層Ｆ３に換えて、第１の剥離層Ｆ２側から順に厚さ６００ｎｍの酸化窒化珪素膜、厚さ２００ｎｍの窒化珪素、厚さ２００ｎｍの酸化窒化珪素膜、厚さ１４０ｎｍの窒化酸化珪素膜および厚さ１００ｎｍの酸化窒化珪素膜を積層された積層材料を含む膜を第１の被剥離層Ｆ３に用いることができる。

具体的には、第１の剥離層Ｆ２側から順に、ポリイミド膜と、酸化珪素または窒化珪素等を含む層と、機能層と、が順に積層された積層材料を用いることができる。

《機能層》
機能層は第１の被剥離層Ｆ３に含まれる。

例えば、機能回路、機能素子、光学素子または機能膜等もしくはこれらから選ばれた複数を含む層を、機能層に用いることができる。

具体的には、表示装置に用いることができる表示素子、表示素子を駆動する画素回路、画素回路を駆動する駆動回路、カラーフィルタまたは防湿膜等もしくはこれらから選ばれた複数を含む層を挙げることができる。

《接合層》
接合層３０は、第１の被剥離層Ｆ３と基材Ｓ５を接合するものであれば、特に限定されない。

無機材料、有機材料または無機材料と有機材料の複合材料等を接合層３０に用いることができる。

例えば、融点が４００℃以下好ましくは３００℃以下のガラス層または接着剤等を用いることができる。

例えば、光硬化型接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤または／および嫌気型接着剤等の有機材料を接合層３０に用いることができる。

具体的には、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミド樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）樹脂、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等を含む接着剤を用いることができる。

《基材》
基材Ｓ５は、製造工程に耐えられる程度の耐熱性および製造装置に適用可能な厚さおよび大きさを備えるものであれば、特に限定されない。

基材Ｓ５に用いることができる材料は、例えば、第１の基板Ｆ１と同様のものを用いることができる。

《剥離の起点》
加工部材８０は剥離の起点Ｆ３ｓを接合層３０の端部近傍に有していてもよい。

剥離の起点Ｆ３ｓは、第１の被剥離層Ｆ３の一部が第１の基板Ｆ１から分離された構造を有する。

第１の基板Ｆ１側から鋭利な先端で第１の被剥離層Ｆ３を刺突する方法またはレーザ等を用いる方法（例えばレーザアブレーション法）等を用いて、第１の被剥離層Ｆ３の一部を剥離層Ｆ２から部分的に剥離することができる。これにより、剥離の起点Ｆ３ｓを形成することができる。

＜加工部材の構成例２．＞
積層体にすることができる、上記とは異なる加工部材の構成について、図１７（Ｂ−１）および図１７（Ｂ−２）を参照しながら説明する。

加工部材９０は、接合層３０の他方の面が、基材Ｓ５に換えて第２の被剥離層Ｓ３の一方の面に接する点が加工部材８０と異なる。

具体的には、加工部材９０は、第１の剥離層Ｆ２および第１の剥離層Ｆ２に一方の面が接する第１の被剥離層Ｆ３が形成された第１の基板Ｆ１と、第２の剥離層Ｓ２および第２の剥離層Ｓ２に他方の面が接する第２の被剥離層Ｓ３が形成された第２の基板Ｓ１と、第１の被剥離層Ｆ３の他方の面に一方の面を接し且つ第２の被剥離層Ｓ３の一方の面と他方の面が接する接合層３０と、を有する（図１７（Ｂ−１）および図１７（Ｂ−２）参照）。

《第２の基板》
第２の基板Ｓ１は、第１の基板Ｆ１と同様のものを用いることができる。なお、第２の基板Ｓ１を第１の基板Ｆ１と同一の構成とする必要はない。

《第２の剥離層》
第２の剥離層Ｓ２は、第１の剥離層Ｆ２と同様の構成を用いることができる。また、第２の剥離層Ｓ２は、第１の剥離層Ｆ２と異なる構成を用いることもできる。

《第２の被剥離層》
第２の被剥離層Ｓ３は、第１の被剥離層Ｆ３と同様の構成を用いることができる。また、第２の被剥離層Ｓ３は、第１の被剥離層Ｆ３と異なる構成を用いることもできる。

具体的には、第１の被剥離層Ｆ３が機能回路を備え、第２の被剥離層Ｓ３が当該機能回路への不純物の拡散を防ぐ機能層を備える構成としてもよい。

具体的には、第１の被剥離層Ｆ３が第２の被剥離層Ｓ３に向けて光を射出する発光素子、当該発光素子を駆動する画素回路、当該画素回路を駆動する駆動回路を備え、発光素子が射出する光の一部を透過するカラーフィルタおよび発光素子への不純物の拡散を防ぐ防湿膜を第２の被剥離層Ｓ３が備える構成としてもよい。なお、このような構成を有する加工部材は、可撓性を有する表示装置として用いることができる積層体にすることができる。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態および実施例と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態９）
本実施の形態では、本発明の一態様の情報処理装置の構成について、図１２および図２４を参照しながら説明する。

図１２は本発明の一態様の情報処理装置を説明する図である。

図１２（Ａ）は、本発明の一態様の情報処理装置３０００Ａの投影図である。

図１２（Ｂ）は、本発明の一態様の情報処理装置３０００Ｂの投影図である。

図１２（Ｃ−１）および図１２（Ｃ−２）は、本発明の一態様の情報処理装置３０００Ｃの上面図および底面図ある。

図２４は本発明の一態様の情報処理装置を説明する図である。

図２４（Ａ−１）乃至図２４（Ａ−３）は、本発明の一態様の情報処理装置４０００Ａの投影図である。

図２４（Ｂ−１）および図２４（Ｂ−２）は、本発明の一態様の情報処理装置４０００Ｂの投影図である。

図２４（Ｃ−１）および図２４（Ｃ−２）は、本発明の一態様の情報処理装置４０００Ｃの上面図および底面図ある。

《情報処理装置Ａ》
情報処理装置３０００Ａは、入出力部３１２０および入出力部３１２０を支持する筐体３１０１を有する（図１２（Ａ）参照）。

入出力部３１２０は、本発明の一態様の表示モジュールを備える。例えば、実施の形態３で説明する表示モジュールを入出力部３１２０に用いることができる。

また、情報処理装置３０００Ａは、演算部および演算部に実行させるプログラムを記憶する記憶部、演算部を駆動する電力を供給するバッテリーなどの電源を備える。

なお、筐体３１０１は、演算部、記憶部またはバッテリーなどを収納する。

情報処理装置３０００Ａは、側面または／および上面に表示情報を表示することができる。

情報処理装置３０００Ａの使用者は、側面または／および上面に接する指を用いて操作命令を供給することができる。

《情報処理装置Ｂ》
情報処理装置３０００Ｂは筐体３１０１およびヒンジで筐体３１０１に接続された筐体３１０１ｂを有する（図１２（Ｂ）参照）。

筐体３１０１は、入出力部３１２０を支持する。

筐体３１０１ｂは、入出力部３１２０ｂを支持する。

入出力部３１２０または入出力部３１２０ｂは、本発明の一態様の表示モジュールを備える。例えば、実施の形態３で説明する表示モジュールを入出力部３１２０に用いることができる。

また、情報処理装置３０００Ｂは、演算部および演算部に実行させるプログラムを記憶する記憶部、演算部を駆動する電力を供給するバッテリーなどの電源を備える。

筐体３１０１は、演算部、記憶部またはバッテリーなどを収納する。

情報処理装置３０００Ｂは、入出力部３１２０または入出力部３１２０ｂに情報を表示することができる。

情報処理装置３０００Ｂの使用者は、入出力部３１２０または入出力部３１２０ｂに接する指を用いて操作命令を供給することができる。

《情報処理装置Ｃ》
情報処理装置３０００Ｃは、入出力部３１２０ならびに入出力部３１２０を支持する筐体３１０１および筐体３１０１ｂを有する（図１２（Ｃ−１）および図１２（Ｃ−２）参照）。

入出力部３１２０は、本発明の一態様の表示モジュールを備える。例えば、実施の形態３で説明する表示モジュールを入出力部３１２０に用いることができる。

また、情報処理装置３０００Ｃは、演算部および演算部に実行させるプログラムを記憶する記憶部、演算部を駆動する電力を供給するバッテリーなどの電源を備える。

なお、筐体３１０１は、演算部、記憶部またはバッテリーなどを収納する。

《情報処理装置Ｄ》
情報処理装置４０００Ａは、入出力部４１２０および入出力部４１２０を支持する筐体４１０１を有する（図２４（Ａ−１）乃至図２４（Ａ−３）参照）。

入出力部４１２０は、本発明の一態様の表示モジュールを備える。例えば、実施の形態３で説明する表示モジュールを入出力部４１２０に用いることができる。

また、情報処理装置４０００Ａは、演算部および演算部に実行させるプログラムを記憶する記憶部、演算部を駆動する電力を供給するバッテリーなどの電源を備える。

なお、筐体４１０１は、演算部、記憶部またはバッテリーなどを収納する。

情報処理装置４０００Ａは、側面または／および上面に表示情報を表示することができる。

情報処理装置４０００Ａの使用者は、側面または／および上面に接する指を用いて操作命令を供給することができる。

《情報処理装置Ｅ》
情報処理装置４０００Ｂは筐体４１０１およびヒンジで筐体４１０１に接続された筐体４１０１ｂを有する（図２４（Ｂ−１）および図２４（Ｂ−２）参照）。

筐体４１０１は、入出力部４１２０を支持する。

筐体４１０１ｂは、入出力部４１２０ｂを支持する。

入出力部４１２０または入出力部４１２０ｂは、本発明の一態様の表示モジュールを備える。例えば、実施の形態３で説明する表示モジュールを入出力部４１２０に用いることができる。

また、情報処理装置４０００Ｂは、演算部および演算部に実行させるプログラムを記憶する記憶部、演算部を駆動する電力を供給するバッテリーなどの電源を備える。

筐体４１０１は、演算部、記憶部またはバッテリーなどを収納する。

情報処理装置４０００Ｂは、入出力部４１２０または入出力部４１２０ｂに情報を表示することができる。

情報処理装置４０００Ｂの使用者は、入出力部４１２０または入出力部４１２０ｂに接する指を用いて操作命令を供給することができる。

《情報処理装置Ｆ》
情報処理装置４０００Ｃは、入出力部４１２０ならびに入出力部４１２０を支持する筐体４１０１を有する（図２４（Ｃ−１）および図２４（Ｃ−２）参照）。

入出力部４１２０は、本発明の一態様の表示モジュールを備える。例えば、実施の形態３で説明する表示モジュールを入出力部４１２０に用いることができる。

また、情報処理装置４０００Ｃは、演算部および演算部に実行させるプログラムを記憶する記憶部、演算部を駆動する電力を供給するバッテリーなどの電源を備える。

なお、筐体４１０１は、演算部、記憶部またはバッテリーなどを収納する。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態および実施例と適宜組み合わせることができる。

本実施例では、作製した本発明の一態様の表示モジュールを、図１８を参照しながら説明する。

図１８は作製した表示モジュールの構成を説明する図および写真である。図１８（Ａ）は構成を説明する断面図であり、図１８（Ｂ）は表示状態を説明する写真である。

《構成》
作製した表示モジュール６００は、端子６１９と、端子６１９を支持する第１の基材６１０と、第１の基材６１０に重なる領域を備える第２の基材６７０と、第１の基材６１０と第２の基材６７０を貼り合わせる機能を有する接合層６０５と、第１の基材６１０と第２の基材６７０の間に配設され、端子６１９と電気的に接続される表示素子６５０と、端子６１９と電気的に接続されるフレキシブルプリント基板ＦＰＣと、第１の基材６１０、第２の基材６７０、接合層６０５およびフレキシブルプリント基板ＦＰＣに接する絶縁層６９０と、を有する（図１８（Ａ）参照）。

なお、０．７ｍｍの無アルカリガラス板を第１の基材６１０および第２の基材６７０に用いた。

白色の光を射出する有機ＥＬ素子を表示素子６５０に用いた。

また、表示モジュールは有機ＥＬ素子が光を射出する側に着色層ＣＦを有し、着色層ＣＦは有機ＥＬ素子と重なる領域を備える。

また、表示部は、対角３．４インチの表示領域および駆動回路ＳＤおよび駆動回路ＧＤを有する。表示領域はアクティブマトリクス方式を用いて駆動される複数の画素を備える。

具体的には、表示領域は、行方向に５４０個、列方向に９６０個の画素を備え、画素は行方向について７８μｍの画素ピッチで、列方向について７８μｍの画素ピッチで配置されている。表示領域の精細度は３２６ｐｐｉである。

画素は、４４．４％の開口率を備える。また、画素回路は、チャネルに酸化物半導体を備えるトランジスタを有する。なお、画素の面積に対する表示素子６５０の面積の割合を、開口率とする。

駆動回路ＳＤは、画素回路に画像信号を供給する機能を備え、駆動回路ＧＤは画素回路に選択信号を供給する機能を備える。駆動回路ＳＤおよび駆動回路ＧＤは、画素回路と同一の工程で作製されたトランジスタを備える。

絶縁層６９０は、酸化アルミニウムを含む。

絶縁層６９０の作製に、原子層堆積法を用いた。具体的には、原料にトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ、化学式はＡｌ（ＣＨ_３）_３）とオゾンを用い、熱ＡＬＤ法を用いた。

《評価》
作製した表示モジュール６００を評価した。具体的には、温度８５℃、湿度８５％の環境に保存し、表示品位の経時的な変化を評価した。同じ構成を備える２つの表示モジュール６００について評価した結果を図１８（Ｂ）に示す。なお、２つの表示モジュール６００の一方をＳａｍｐｌｅ １として、他方をＳａｍｐｌｅ ２として、図示した。

温度８５℃、湿度８５％の環境に１２０時間保存された表示モジュール６００の表示品位に、初期状態からの変化は認められなかった。これにより、第１の基材６１０、第２の基材６７０および絶縁層６９０に囲まれた領域に配設された、有機ＥＬ素子を用いた表示素子６５０への不純物の拡散を抑制することができた。その結果、信頼性に優れた新規な表示モジュール６００を提供できた。

本実施例では、作製した本発明の一態様の表示モジュールを、図１９乃至図２２を参照しながら説明する。

図１９（Ａ）は、作製した表示モジュール１６００の絶縁層１６９０の作製方法を説明する模式図であり、図１９（Ｂ）は、作製した表示モジュール１６００の構成を説明する模式図である。図１９（Ｃ１）は、図１９（Ｂ）に円形の破線を用いて示した領域の表示モジュール１６００の構成を説明する走査透過電子顕微鏡（ＳＴＥＭ；Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）写真であり、図１９（Ｃ２）は、同じ場所についてエネルギー分散Ｘ線分光法（ＥＤＸ：Ｅｎｅｒｇｙ Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ Ｘ−ｒａｙ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）を用いて行った観察写真である。

図２０（Ａ）は、作製した表示モジュール１６００の外観を説明する写真である。図２０（Ｂ）は、作製した表示モジュール１６００の表示品位を説明する写真である。

図２１（Ａ）は、折り曲げ試験機の外観を説明する写真であり、図２１（Ｂ）は、折り曲げ試験機の動作を説明する模式図である。図２１（Ｃ）は、鉛筆硬度試験機の外観を説明する写真および支持される鉛筆の状態を説明する模式図である。

図２２は、絶縁層１６９０に用いることができる材料の可視光に対する透過率を説明する図である。

《構成》
作製した表示モジュール１６００は、端子と、端子を支持する第１の基材１６１０と、第１の基材１６１０に重なる領域を備える第２の基材１６７０と、第１の基材１６１０と第２の基材１６７０を貼り合わせる機能を備える接合層１６０５と、第１の基材１６１０と第２の基材１６７０の間に配設され、端子と電気的に接続される表示素子１６５０と、端子と電気的に接続されるフレキシブルプリント基板と、第１の基材１６１０、第２の基材１６７０、接合層１６０５およびフレキシブルプリント基板に接する絶縁層１６９０と、を有する（図１９（Ｂ）参照）。また、表示素子１６５０と重なる領域を備える着色層ＣＦを有する。

なお、バリア膜１６１０ａ、可撓性を有する基材１６１０ｂおよびバリア膜１６１０ａと可撓性を有する基材１６１０ｂを貼り合わせる樹脂層１６１０ｃを備える積層体を第１の基材１６１０に用いた。

酸化珪素膜および窒化珪素膜などを含む厚さ１．２μｍの積層膜をバリア膜１６１０ａに用いた。

エポキシ樹脂を樹脂層１６１０ｃに用いた。

第１の基材１６１０と同様の構成を第２の基材１６７０に用いた。

エポキシ樹脂を接合層１６０５に用いた。なお、第１の基材１６１０と第２の基材１６７０の間に５μｍの間隔を有する。なお、作製した表示モジュール１６００の断面を観察した結果、アルミニウムを含む膜が側端面を被覆していた（図１９（Ｃ１）および図１９（Ｃ２）参照）。

なお、マトリクス状に配置された画素１６０２を備える。マトリクス状に配置された画素１６０２は、画素回路１６０２ｃと表示素子１６５０を備える。

チャネルエッチ型のトランジスタを画素回路１６０２ｃに用いた。また、インジウム、ガリウム、亜鉛を含む酸化物半導体をトランジスタに用いた。なお、基材の表面に対しおよそ垂直方向にｃ軸配向した結晶性を備える酸化物半導体を用いた。

なお、基材の表面に対しおよそ垂直方向にｃ軸配向した結晶性を備える酸化物半導体をＣＡＡＣ−ＯＳ（Ｃ−Ａｘｉｓ−Ａｌｉｇｎｅｄ−Ｃｒｙｓｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）という。ＣＡＡＣ−ＯＳはバンドギャップ内の欠陥準位密度が低く、ＣＡＡＣ−ＯＳを用いたトランジスタは優れた特性と優れた信頼性を備える。

白色の光を射出するタンデム型の有機ＥＬ素子を表示素子１６５０に用いた。

作製した表示モジュール１６００の特徴を次の表に示し、外観を図２０（Ａ）に示す。

《作製方法》
一の作製工程用の基板に形成されたタングステン膜に接するように、バリア膜１６１０ａを形成する。なお、バリア膜１６１０ａとタングステン膜の間に、酸化タングステンを含む膜が形成される。

配線および画素回路１６０２ｃをバリア膜１６１０ａ上に形成し、画素回路１６０２ｃと重なる領域を備える表示素子１６５０を、真空蒸着法を用いて形成する。

他の作製工程用の基板に形成されたタングステン膜に接するように、バリア膜１６７０ａを形成する。また、着色層ＣＦをバリア膜１６７０ａ上に形成する。

表示素子１６５０と着色層ＣＦを重なるように配置して、エポキシ樹脂を用いて貼り合わせる。

レーザ光を照射してバリア膜１６１０ａの一部をタングステン膜から分離して、剥離の起点を形成する。タングステン膜との間に酸化タングステンを含む膜を挟むバリア膜１６１０ａは、タングステン膜から分離することができる。

バリア膜１６１０ａをタングステン膜が形成された作製工程用基板から分離した後、樹脂層１６１０ｃを用いて可撓性を有する基材１６１０ｂと貼り合わせる。

バリア膜１６７０ａの一部をタングステン膜から分離して、剥離の起点を形成する。

バリア膜１６７０ａをタングステン膜が形成された作製工程用基板から分離した後、樹脂層１６７０ｃを用いて可撓性を有する基材１６７０ｂと貼り合わせる。

絶縁層１６９０を、ＴＭＡおよびオゾンを原料に、熱ＡＬＤ法を用いて形成した。なお、ガラス基板上に上記熱ＡＬＤ法と同様の方法を用いて形成された厚さ１００ｎｍの絶縁層を備える材料の可視光に対する透過率を、ガラス基板の透過率と共に図２２に示す。作製した材料は可視光に対し高い透過率を有しているため、表示モジュールの表示面に好適に使用することができる。

《評価》
作製した表示モジュール１６００を評価した。

《高温高湿環境における保存試験》
温度６５℃湿度９５％の環境に８００時間保存し、表示品位の経時的な変化を評価した。保存前、１００時間保存後、２４０時間保存後、５００時間保存後および８００時間保存後に、白色の画像を全面に表示した結果を図２０（Ｂ）に示す。なお、８００時間保存後の表示モジュール１６００については、表示領域の端部を４倍に拡大して撮影した結果を、コントラストを強調して、図に示す。

《折り曲げ試験》
折り曲げを１分間に４３回の頻度で１０万回繰り返した後、温度６５℃湿度９５％の環境に２４時間以上保存し、表示品位の変化を評価した。なお、表示面が内側になるように折り曲げる場合と、表示面が外側になるように折り曲げる場合について、評価を行った。結果を次の表に示す。折り曲げ試験機の外観を図２１（Ａ）に示す。

表示面を内側に曲率半径３ｍｍで曲げる場合を除いて、良好な耐性を折り曲げ試験に対して備えていた。

表示面を内側に曲率半径３ｍｍで曲げる場合、絶縁層１６９０にクラックが発生した。しかし、表示品位に対する影響は認められなかった。

《鉛筆硬度試験》
鉛筆硬度試験機を用いて表示モジュール１６００に負荷を与えた際に、表示モジュール１６００の表面に傷が形成されない鉛筆または表示不良が発生しない鉛筆のうち、最も硬い芯の硬さを調べた。

鉛筆硬度試験機の外観を図２１（Ｃ）に示す。鉛筆硬度試験機は、先端が平坦になるように円柱状に削られた芯を備え、表示モジュールに対し４５°の角度で支持され、７５０ｇｆの力で水平におかれた表示モジュールの表面に対して鉛筆の芯を押しつける。

鉛筆硬度試験機を移動しながら、鉛筆の芯で表示モジュールの表面を走査した。なお、絶縁層１６９０が形成されていない表示モジュールは、３Ｈの鉛筆を用いた鉛筆硬度試験に耐え、傷は形成されず、表示不良も発生しなかった。

絶縁層１６９０が形成された表示モジュール１６００は、４Ｈの鉛筆を用いた鉛筆硬度試験に耐え、絶縁層１６９０の効果が確認できた。

例えば、本明細書等において、ＸとＹとが接続されている、と明示的に記載されている場合は、ＸとＹとが電気的に接続されている場合と、ＸとＹとが機能的に接続されている場合と、ＸとＹとが直接接続されている場合とが、本明細書等に開示されているものとする。したがって、所定の接続関係、例えば、図または文章に示された接続関係に限定されず、図または文章に示された接続関係以外のものも、図または文章に記載されているものとする。

ここで、Ｘ、Ｙは、対象物（例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、層、など）であるとする。

ＸとＹとが直接的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの電気的な接続を可能とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイオード、表示素子、発光素子、負荷など）が、ＸとＹとの間に接続されていない場合であり、ＸとＹとの電気的な接続を可能とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイオード、表示素子、発光素子、負荷など）を介さずに、ＸとＹとが、接続されている場合である。

ＸとＹとが電気的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの電気的な接続を可能とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイオード、表示素子、発光素子、負荷など）が、ＸとＹとの間に１個以上接続されることが可能である。なお、スイッチは、オンオフが制御される機能を有している。つまり、スイッチは、導通状態（オン状態）、または、非導通状態（オフ状態）になり、電流を流すか流さないかを制御する機能を有している。または、スイッチは、電流を流す経路を選択して切り替える機能を有している。なお、ＸとＹとが電気的に接続されている場合は、ＸとＹとが直接的に接続されている場合を含むものとする。

ＸとＹとが機能的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの機能的な接続を可能とする回路（例えば、論理回路（インバータ、ＮＡＮＤ回路、ＮＯＲ回路など）、信号変換回路（ＤＡ変換回路、ＡＤ変換回路、ガンマ補正回路など）、電位レベル変換回路（電源回路（昇圧回路、降圧回路など）、信号の電位レベルを変えるレベルシフタ回路など）、電圧源、電流源、切り替え回路、増幅回路（信号振幅または電流量などを大きく出来る回路、オペアンプ、差動増幅回路、ソースフォロワ回路、バッファ回路など）、信号生成回路、記憶回路、制御回路など）が、ＸとＹとの間に１個以上接続されることが可能である。なお、一例として、ＸとＹとの間に別の回路を挟んでいても、Ｘから出力された信号がＹへ伝達される場合は、ＸとＹとは機能的に接続されているものとする。なお、ＸとＹとが機能的に接続されている場合は、ＸとＹとが直接的に接続されている場合と、ＸとＹとが電気的に接続されている場合とを含むものとする。

なお、ＸとＹとが電気的に接続されている、と明示的に記載されている場合は、ＸとＹとが電気的に接続されている場合（つまり、ＸとＹとの間に別の素子又は別の回路を挟んで接続されている場合）と、ＸとＹとが機能的に接続されている場合（つまり、ＸとＹとの間に別の回路を挟んで機能的に接続されている場合）と、ＸとＹとが直接接続されている場合（つまり、ＸとＹとの間に別の素子又は別の回路を挟まずに接続されている場合）とが、本明細書等に開示されているものとする。つまり、電気的に接続されている、と明示的に記載されている場合は、単に、接続されている、とのみ明示的に記載されている場合と同様な内容が、本明細書等に開示されているものとする。

なお、例えば、トランジスタのソース（又は第１の端子など）が、Ｚ１を介して（又は介さず）、Ｘと電気的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）が、Ｚ２を介して（又は介さず）、Ｙと電気的に接続されている場合や、トランジスタのソース（又は第１の端子など）が、Ｚ１の一部と直接的に接続され、Ｚ１の別の一部がＸと直接的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）が、Ｚ２の一部と直接的に接続され、Ｚ２の別の一部がＹと直接的に接続されている場合では、以下のように表現することが出来る。

例えば、「ＸとＹとトランジスタのソース（又は第１の端子など）とドレイン（又は第２の端子など）とは、互いに電気的に接続されており、Ｘ、トランジスタのソース（又は第１の端子など）、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）、Ｙの順序で電気的に接続されている。」と表現することができる。または、「トランジスタのソース（又は第１の端子など）は、Ｘと電気的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）はＹと電気的に接続され、Ｘ、トランジスタのソース（又は第１の端子など）、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）、Ｙは、この順序で電気的に接続されている」と表現することができる。または、「Ｘは、トランジスタのソース（又は第１の端子など）とドレイン（又は第２の端子など）とを介して、Ｙと電気的に接続され、Ｘ、トランジスタのソース（又は第１の端子など）、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）、Ｙは、この接続順序で設けられている」と表現することができる。これらの例と同様な表現方法を用いて、回路構成における接続の順序について規定することにより、トランジスタのソース（又は第１の端子など）と、ドレイン（又は第２の端子など）とを、区別して、技術的範囲を決定することができる。

または、別の表現方法として、例えば、「トランジスタのソース（又は第１の端子など）は、少なくとも第１の接続経路を介して、Ｘと電気的に接続され、前記第１の接続経路は、第２の接続経路を有しておらず、前記第２の接続経路は、トランジスタのソース（又は第１の端子など）とトランジスタのドレイン（又は第２の端子など）との間の経路であり、前記第１の接続経路は、Ｚ１を介した経路であり、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）は、少なくとも第３の接続経路を介して、Ｙと電気的に接続され、前記第３の接続経路は、前記第２の接続経路を有しておらず、前記第３の接続経路は、Ｚ２を介した経路である。」と表現することができる。または、「トランジスタのソース（又は第１の端子など）は、少なくとも第１の接続経路によって、Ｚ１を介して、Ｘと電気的に接続され、前記第１の接続経路は、第２の接続経路を有しておらず、前記第２の接続経路は、トランジスタを介した接続経路を有し、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）は、少なくとも第３の接続経路によって、Ｚ２を介して、Ｙと電気的に接続され、前記第３の接続経路は、前記第２の接続経路を有していない。」と表現することができる。または、「トランジスタのソース（又は第１の端子など）は、少なくとも第１の電気的パスによって、Ｚ１を介して、Ｘと電気的に接続され、前記第１の電気的パスは、第２の電気的パスを有しておらず、前記第２の電気的パスは、トランジスタのソース（又は第１の端子など）からトランジスタのドレイン（又は第２の端子など）への電気的パスであり、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）は、少なくとも第３の電気的パスによって、Ｚ２を介して、Ｙと電気的に接続され、前記第３の電気的パスは、第４の電気的パスを有しておらず、前記第４の電気的パスは、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）からトランジスタのソース（又は第１の端子など）への電気的パスである。」と表現することができる。これらの例と同様な表現方法を用いて、回路構成における接続経路について規定することにより、トランジスタのソース（又は第１の端子など）と、ドレイン（又は第２の端子など）とを、区別して、技術的範囲を決定することができる。

なお、これらの表現方法は、一例であり、これらの表現方法に限定されない。ここで、Ｘ、Ｙ、Ｚ１、Ｚ２は、対象物（例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、層、など）であるとする。

なお、回路図上は独立している構成要素同士が電気的に接続しているように図示されている場合であっても、１つの構成要素が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合もある。例えば配線の一部が電極としても機能する場合は、一の導電膜が、配線の機能、及び電極の機能の両方の構成要素の機能を併せ持っている。したがって、本明細書における電気的に接続とは、このような、一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合も、その範疇に含める。

ＢＭ 遮光層
ＣＦ 着色層
ＦＰＣ フレキシブルプリント基板
ＦＰＣ１ フレキシブルプリント基板
ＦＰＣ２ フレキシブルプリント基板
Ｆ１ 基板
Ｆ２ 剥離層
Ｆ３ 被剥離層
Ｆ３ｂ 導電層
Ｆ３ｓ 起点
ＧＤ 駆動回路
ＫＢ スペーサ
ＳＤ 駆動回路
Ｓ１ 基板
Ｓ２ 剥離層
Ｓ３ 被剥離層
Ｓ５ 基材
３０ 接合層
３１ 第１の接着層
３２ 第２の接着層
８０ 加工部材
８０ａ 残部
８０ｂ 表層
８１ 積層体
９０ 加工部材
９０ａ 残部
９０ｂ 表層
９１ 積層体
９１ａ 残部
９１ｓ 剥離の起点
９２ 積層体
９２ｃ 積層体
９２ｄ 積層体
９９ ノズル
１０ 加工部材
１８０ 成膜室
１８１ａ 原料供給部
１８１ｂ 原料供給部
１８２ 制御部
１８２ａ 流量制御器
１８２ｂ 流量制御器
１８２ｃ 流量制御器
１８２ｈ 加熱機構
１８３ 導入口
１８４ 排出口
１８５ 排気装置
１８６ 支持部
１８６Ｐ スペーサ
１８６Ｓ 梁部
１８６Ｂ 支持部
１８７ 加熱機構
１８８ 扉
３００ 表示モジュール
３００Ｂ 表示モジュール
３００Ｃ 表示モジュール
３００Ｄ 表示モジュール
３００Ｐ 表示パネル
３００ＰＢ 表示パネル
３００ＰＣ 表示パネル
３００ＰＤ 表示パネル
３０３Ｇ 駆動回路
３０１ 領域
３０５ 接合層
３１０ 基材
３１０ａ バリア膜
３１０ｂ 基材
３１０ｃ 樹脂層
３１１ 配線
３１９ 端子
３５０ 表示素子
３７０ 基材
３７０ａ バリア膜
３７０ｂ 基材
３７０ｃ 樹脂層
３８９ 樹脂層
３９０ 絶縁層
３９１ 開口部
３９８ 樹脂層
４５０Ｒ 表示素子
４５１ 電極
４５２ 電極
４５３ 層
４７０Ｐ１ 機能膜
４７０Ｐ２ 機能膜
５００ 表示モジュール
５０１ 領域
５０２ 画素
５０２Ｒ 副画素
５０５ 接合層
５１０ 基材
５１１ 配線
５１９Ａ 端子部
５１９Ｂ 端子部
５２１ 絶縁層
５２８ 隔壁
５５０Ｒ 表示素子
５５１Ｒ 電極
５５２ 電極
５５３ 発光性の有機化合物を含む層
５７０ 基材
５７０Ｐ 機能膜
５７１ 絶縁層
５７６ 開口部
５９０ 絶縁層
５９１ 開口部
６００ 表示モジュール
６０５ 接合層
６１０ 基材
６１９ 端子
６５０ 表示素子
６７０ 基材
６９０ 絶縁層
１６００ 表示モジュール
１６０２ 画素
１６０２ｃ 画素回路
１６０５ 接合層
１６１０ 基材
１６１０ａ バリア膜
１６１０ｂ 基材
１６１０ｃ 樹脂層
１６５０ 表示素子
１６７０ 基材
１６７０ａ バリア膜
１６７０ｂ 基材
１６７０ｃ 樹脂層
１６９０ 絶縁層
３０００Ａ 情報処理装置
３０００Ｂ 情報処理装置
３０００Ｃ 情報処理装置
３１０１ 筐体
３１０１ｂ 筐体
３１２０ 入出力部
３１２０ｂ 入出力部
４０００Ａ 情報処理装置
４０００Ｂ 情報処理装置
４０００Ｃ 情報処理装置
４１０１ 筐体
４１０１ｂ 筐体
４１２０ 入出力部
４１２０ｂ 入出力部

Claims (8)

1. 端子と、第１の基材と、第２の基材と、接合層と、表示素子と、フレキシブルプリント基板と、絶縁層と、を有し、
   前記第１の基材は、可撓性および端子を支持する機能を備え、
   前記第２の基材は、可撓性および前記第１の基材に重なる領域を備え、
   前記接合層は、前記第１の基材と前記第２の基材を貼り合わせる機能を備え、
   前記表示素子は、前記第１の基材と前記第２の基材の間に設けられ、前記端子と電気的に接続し、
   前記フレキシブルプリント基板は、前記端子と電気的に接続し、
   前記絶縁層は、前記第１の基材、前記第２の基材、前記接合層および前記フレキシブルプリント基板に接する表示モジュール。
2. 樹脂層と、を有し、
   前記絶縁層は、前記接合層と前記樹脂層の間に挟まれる領域を備える、請求項１に記載の表示モジュール。
3. 前記表示素子は、発光性の有機化合物を含む層を備える、
   請求項１または請求項２に記載の表示モジュール。
4. 駆動回路と、を有し、
   駆動回路から最も近い前記第１の基材の端部または前記第２の基材の端部までの距離は、１．０ｍｍ以下であって、０ｍｍより大きい請求項１乃至請求項３のいずれか一に記載の表示モジュール。
5. 駆動回路と、を有し、
   前記駆動回路は、前記表示素子と前記第１の基材の端部の間に配置され、
   前記表示素子から最も近い前記第１の基材の端部または前記第２基材の端部までの距離が４．０ｍｍ以下であって、０ｍｍより大きい、請求項１乃至請求項３のいずれか一に記載の表示モジュール。
6. 前記表示素子から最も近い前記第１の基材の端部または前記第２の基材の端部までの距離は、３．０ｍｍ以下であって、０ｍｍより大きい、請求項１乃至請求項５のいずれか一に記載の表示モジュール。
7. 第１の端子部と、第２の端子部と、第１の基材と、第２の基材と、接合層と、表示素子と、タッチセンサと、第１のフレキシブルプリント基板と、第２のフレキシブルプリント基板と、絶縁層と、を有し、
   前記第１の基材は、可撓性および前記第１の端子部を支持する機能を備え、
   前記第２の基材は、可撓性および前記第１の基材に重なる領域および前記第２の端子部を支持する機能を備え、
   前記接合層は、前記第１の基材と前記第２の基材を貼り合わせる機能を備え、
   前記表示素子は、前記第１の基材と前記第２の基材の間に設けられ、前記第１の端子部と電気的に接続し、
   前記表示素子は、発光性の有機化合物を含む層を備え、
   前記タッチセンサは、前記第１の基材と前記第２の基材の間に設けられ、前記第２の端子部と電気的に接続し、
   前記第１のフレキシブルプリント基板は、前記第１の端子部と電気的に接続され、
   前記第２のフレキシブルプリント基板は、前記第２の端子部と電気的に接続され、
   前記絶縁層は、前記第１の基材、前記第２の基材、前記接合層、前記第１のフレキシブルプリント基板および前記第２のフレキシブルプリント基板に接する表示モジュール。
8. 第１のステップ乃至第３のステップを有し、
   前記第１のステップにおいて、端子、前記端子を支持する第１の基材、前記第１の基材に重なる領域を備える第２の基材、前記第１の基材と前記第２の基材を貼り合わせる接合層、前記第１の基材と前記第２の基材の間に設けられ、前記端子と電気的に接続される表示素子および前記端子と電気的に接続されるフレキシブルプリント基板を有する加工部材を準備して、前記フレキシブルプリント基板の端子部に重なる領域にマスクを形成し、
   前記第２のステップにおいて、原子層堆積法を用いて、前記第１の基材、前記第２の基材、前記接合層および前記フレキシブルプリント基板に接する絶縁層を形成し、
   前記第３のステップにおいて、前記絶縁層の一部を前記マスクと共に取り除き、前記絶縁層の前記フレキシブルプリント基板の端子部に重なる領域に開口部を形成する、請求項１に記載の表示モジュールの作製方法。