JP2021184105A - 表示装置 - Google Patents

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Hajime Kimura
舜平 山崎
Shunpei Yamazaki
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Abstract

【課題】新規な表示装置を提供すること。【解決手段】２Ｔ−１Ｃの回路構成を有する表示装置において、電流供給線とトランジスタとの間にスイッチを設ける。スイッチは、データ電圧書き込み期間においてオフにするよう制御する。スイッチをオフにすることで、トランジスタのソースまたはドレインの一方を電気的に浮遊状態とすることができる。このようにすることで、発光素子の陽極側の電位の上昇を抑制し、データ電圧書き込み期間での意図しない発光を抑制することができる。【選択図】図１

Description

本発明の一態様は、表示装置、および電子機器に関する。
なお本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明の技
術分野は、物、方法、または、製造方法に関するものである。または、本発明の一態様は
、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・オブ・マタ
ー）に関するものである。そのため、より具体的に本明細書で開示する本発明の一態様の
技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、撮像装置、記憶装置、
それらの駆動方法、または、それらの製造方法、を一例として挙げることができる。
エレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ：ＥＬ）素子（以
下、ＥＬ素子）に代表される発光素子を備えた表示装置の開発が活発である。
例えば、特許文献１乃至４には、１つの画素に２つのトランジスタと、少なくとも一つの
キャパシタを備えた２Ｔ−１Ｃ構造の回路構成が開示されている。
米国特許出願公開第２００７／０２６８２１０号明細書 米国特許出願公開第２００９／０２１９２３４号明細書 米国特許出願公開第２００８／００３０４３６号明細書 国際公開２００６／０６０９０２号
上述したように、表示装置が有する回路構成には、多数の構成が存在する。それぞれの構
成には一長一短があり、状況に応じて適当な構成が選択される。従って、新規な構成の表
示装置等が提案できれば、選択の自由度を向上させることにつながる。
本発明の一態様は、新規な表示装置、新規な表示装置の駆動方法等を提供することを課題
の一とする。
また特許文献１乃至４の２Ｔ−１Ｃの画素では、トランジスタに電流を流すことでゲート
−ソース間に保持した電圧を調整し、移動度補正機能を実現している。トランジスタに電
流を流す構成は、発光素子に電流を流すための配線（電流供給線）の電位を高くすること
で実現している。しかしながら、補正を行う期間において電流供給線の電位を高くすると
、意図しない発光素子の発光といった虞がある。
そこで本発明の一態様は、補正を行う期間において意図しない発光素子の発光を抑制でき
る、新規な構成の半導体装置等を提供することを課題の一とする。
なお本発明の一態様の課題は、上記列挙した課題に限定されない。上記列挙した課題は、
他の課題の存在を妨げるものではない。なお他の課題は、以下の記載で述べる、本項目で
言及していない課題である。本項目で言及していない課題は、当業者であれば明細書また
は図面等の記載から導き出せるものであり、これらの記載から適宜抽出することができる
。なお、本発明の一態様は、上記列挙した記載、および／または他の課題のうち、少なく
とも一つの課題を解決するものである。
本発明の一態様は、第１のスイッチと、トランジスタと、キャパシタと、発光素子と、を
有する画素と、第２のスイッチの一方の端子に電気的に接続された配線と、を有する表示
装置であって、キャパシタの第１の電極は、トランジスタのゲートに電気的に接続され、
キャパシタの第２の電極は、トランジスタのソースまたはドレインの一方と、発光素子の
第１の電極と、に電気的に接続され、トランジスタのソースまたはドレインの他方は、第
２のスイッチの他方の端子に電気的に接続され、配線は、発光素子に電流を供給する機能
を有し、第１のスイッチは、オンにすることで、トランジスタのゲートにデータ電圧を与
える機能を有し、第２のスイッチは、トランジスタのゲートにデータ電圧が与えられる期
間でオフにすることで、トランジスタのソースまたはドレインの他方を電気的に浮遊状態
にする機能を有する表示装置である。
本発明の一態様において、トランジスタは、チャネル形成領域に酸化物半導体を有するト
ランジスタである表示装置が好ましい。
本発明の一態様は、第１のスイッチと、トランジスタと、キャパシタと、発光素子と、を
有する画素と、第２のスイッチの一方の端子に電気的に接続された配線と、を有し、キャ
パシタの第１の電極は、トランジスタのゲートに電気的に接続され、キャパシタの第２の
電極は、トランジスタのソースまたはドレインの一方と、発光素子の第１の電極と、に電
気的に接続され、トランジスタのソースまたはドレインの他方は、第２のスイッチの他方
の端子に電気的に接続され、配線は、発光素子に電流を供給する機能を有する、表示装置
の駆動方法であって、第１乃至第３の期間を有し、第１の期間は、トランジスタの閾値電
圧をキャパシタに保持させる期間であり、第２の期間は、閾値電圧にデータ電圧に相当す
る電圧が加わった電圧をキャパシタに保持させる期間であり、第３の期間は、発光素子を
発光させる期間であり、第２の期間では、第２のスイッチをオフにすることでトランジス
タのソース又はドレインの他方を電気的に浮遊状態とする表示装置の駆動方法である。
本発明の一態様は、第１のスイッチと、トランジスタと、キャパシタと、発光素子と、を
有する画素と、第２のスイッチの一方の端子に電気的に接続された配線と、を有し、キャ
パシタの第１の電極は、トランジスタのゲートに電気的に接続され、キャパシタの第２の
電極は、トランジスタのソースまたはドレインの一方と、発光素子の第１の電極と、に電
気的に接続され、トランジスタのソースまたはドレインの他方は、第２のスイッチの他方
の端子に電気的に接続され、配線は、発光素子に電流を供給する機能を有する、表示装置
の駆動方法であって、第１乃至第３の期間を有し、第１の期間は、トランジスタの閾値電
圧を、キャパシタに保持させる期間であり、第２の期間は、閾値電圧にデータ電圧に相当
する電圧が加わった電圧をキャパシタに保持させる期間であり、第３の期間は、発光素子
を発光させる期間であり、第１の期間では、第２のスイッチをオンにすることでトランジ
スタのソース又はドレインの他方の電位を発光素子の第２の電極に与えられる電位よりも
小さい電位とし、第２の期間では、第２のスイッチをオフにすることでトランジスタのソ
ース又はドレインの他方の電位を電気的に浮遊状態とする表示装置の駆動方法である。
本発明の一態様において、第３の期間では、第２のスイッチをオンにすることでトランジ
スタのソース又はドレインの他方の電位を発光素子の第２の電極に与えられる電位よりも
大きい電位とする表示装置の駆動方法が好ましい。
なおその他の本発明の一態様については、以下で述べる実施の形態における説明、および
図面に記載されている。
本発明の一態様は、新規な表示装置等を提供することができる。
または、本発明の一態様は、補正を行う期間において意図しない発光素子の発光を抑制で
きる、新規な構成の表示装置等を提供することができる。
なお本発明の一態様の効果は、上記列挙した効果に限定されない。上記列挙した効果は、
他の効果の存在を妨げるものではない。なお他の効果は、以下の記載で述べる、本項目で
言及していない効果である。本項目で言及していない効果は、当業者であれば明細書また
は図面等の記載から導き出せるものであり、これらの記載から適宜抽出することができる
。なお、本発明の一態様は、上記列挙した効果、および／または他の効果のうち、少なく
とも一つの効果を有するものである。従って本発明の一態様は、場合によっては、上記列
挙した効果を有さない場合もある。
本発明の一態様を説明するための回路図およびタイミングチャート。 本発明の一態様を説明するための回路図。 本発明の一態様を説明するための回路図。 本発明の一態様を説明するための回路図。 本発明の一態様を説明するための回路図。 本発明の一態様を説明するための回路図。 本発明の一態様を説明するための回路図。 本発明の一態様を説明するための回路図。 本発明の一態様を説明するための回路図。 本発明の一態様を説明するための回路図。 本発明の一態様を説明するための回路図。 本発明の一態様を説明するための回路図。 本発明の一態様を説明するための回路図。 本発明の一態様を説明するための回路図。 本発明の一態様を説明するための回路図及びタイミングチャート。 本発明の一態様を説明するための回路図。 本発明の一態様を説明するための回路図。 本発明の一態様を説明するためのブロック図。 本発明の一態様を説明するためのタイミングチャート。 本発明の一態様を説明するための回路図およびタイミングチャート。 本発明の一態様を説明するための回路図。 本発明の一態様を説明するための回路図。 本発明の一態様を説明するための回路図。 本発明の一態様を説明するための上面図。 本発明の一態様を説明するための断面図。 本発明の一態様を説明するための上面図。 本発明の一態様を説明するための断面図。 本発明の一態様を説明するための上面図。 本発明の一態様を説明するための断面図。 本発明の一態様を説明するための断面図。 本発明の一態様を説明するためのレイアウト図。 本発明の一態様を説明するための断面模式図。 本発明の一態様を説明するためのレイアウト図。 本発明の一態様を説明するためのレイアウト図。 本発明の一態様を説明するための断面模式図。 本発明の一態様を説明するための断面図。 本発明の一態様を説明するための断面図。 本発明の一態様を説明するための断面図。 本発明の一態様を説明するための斜視図。 本発明の一態様を説明するための断面図。 本発明の一態様を説明するための断面図。 本発明の一態様を説明するための断面図。 本発明の一態様を説明するための回路図およびタイミングチャート。 本発明の一態様を説明するための回路図。 本発明の一態様を説明するための模式図。 本発明の一態様を説明するための模式図。 本発明の一態様を説明するための模式図。 本発明の一態様を説明するための模式図。 本発明の一態様を説明するための斜視図。 本発明の一態様を説明するための電子機器の図。 本発明の一態様を説明するための上面図および断面図。 本発明の一態様を説明するための上面図および断面図。 本発明の一態様を説明するための上面図および断面図。
以下、実施の形態について図面を参照しながら説明する。但し、実施の形態は多くの異な
る態様で実施することが可能であり、趣旨およびその範囲から逸脱することなくその形態
および詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明
は、以下の実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
なお本明細書等において、「第１」、「第２」、「第３」という序数詞は、構成要素の混
同を避けるために付したものである。従って、構成要素の数を限定するものではない。ま
た、構成要素の順序を限定するものではない。また例えば、本明細書等の実施の形態の一
において「第１」に言及された構成要素が、他の実施の形態、あるいは特許請求の範囲に
おいて「第２」に言及された構成要素とすることもありうる。また例えば、本明細書等の
実施の形態の一において「第１」に言及された構成要素を、他の実施の形態、あるいは特
許請求の範囲において省略することもありうる。
なお図面において、同一の要素または同様な機能を有する要素、同一の材質の要素、ある
いは同時に形成される要素等には同一の符号を付す場合があり、その繰り返しの説明は省
略する場合がある。
（実施の形態１）
本発明の一態様の表示装置の構成について、図１乃至図２３を用いて説明する。
＜画素について＞
まず表示装置が有する画素について説明する。
本実施の形態で説明する画素は、一例として、表示される画像に悪影響を与える、トラン
ジスタの閾値電圧のばらつきを補正する機能を有する。
閾値電圧のばらつきを補正する機構の一例は、簡単には次のとおりである。まず、前の期
間に書き込んだ、表示させたい階調に対応するデータ電圧を初期化する。言い換えると、
トランジスタがオン状態（導通状態）となるように設定する。その後、閾値電圧または、
閾値電圧に応じた大きさを有する電圧をキャパシタに保持させる。その後、キャパシタに
保持させた閾値電圧に、表示させたい階調に対応するデータ電圧に応じた電圧を加える。
その後、閾値電圧にデータ電圧を加えた電圧に応じて発光素子に電流を流す。このように
することで、発光素子に流れる電流へのトランジスタの閾値電圧の影響を低減することが
できる。
上述の諸動作は、言い換えれば、例えば、初期化期間、閾値電圧補正期間、データ電圧書
き込み期間、および発光期間に分けることができる。いずれの期間でも画素を選択して、
ゲート線、データ線、電流供給線の各配線の電圧を切り替えて、画素に所定の電圧を与え
る場合が多い。
本実施の形態の一態様では、一例としては、データ電圧書き込み期間において、電流供給
線を電気的に浮遊状態（フローティング）とする構成とする。または、電流供給線と、電
流供給線に電圧などを供給する機能を有する回路との間を、非導通状態とする。そして、
そのような状態において、データ電圧を与える構成とする。本実施形態の構成では、発光
素子に電流を流すために設けられる電流供給線を、所定の期間にフローティングとするた
めに、一例として、電流供給線と画素が有するトランジスタの間にスイッチを設ける。そ
してデータ電圧書き込み期間において、スイッチをオフ状態（非導通状態）とし、当該期
間での電気的な浮遊状態を実現する構成とする。このようにすることで、トランジスタの
状態に関わらず、発光素子のアノードの電位が上昇することを抑制することができる。そ
のため、意図しない発光素子の発光を抑制することができる。
次に画素の回路構成の一例について説明する。
図１（Ａ）には、本発明の一態様である表示装置の画素１００を示す。画素１００（図中
、ＰＩＸと図示）は、スイッチ１０１、トランジスタ１０２、キャパシタ１０３、および
発光素子１０４を有する。また図１（Ａ）には、電流供給線ＰＬと画素１００の間にスイ
ッチ１０６を有する。つまり、一例としては、スイッチ１０６は、画素１００の外側に設
けられている。なお、表示装置においては、画素は、複数個設けられている。画素１００
は、複数個の画素のうちで、１個を取り出して示したものに相当する。
図１（Ａ）では、トランジスタ１０２のゲートをノードＮＧとして示している。また図１
（Ａ）では、トランジスタ１０２と発光素子１０４との間のノードをノードＮＳとして示
している。また図１（Ａ）では、トランジスタ１０２とスイッチ１０６との間のノードを
ノードＮＤとして示している。なお、トランジスタ１０２は、駆動用トランジスタという
場合がある。
スイッチ１０１の一方の端子は、一例としては、データ線ＤＬに接続される。スイッチ１
０１の他方の端子は、一例としては、ノードＮＧに接続される。なおスイッチ１０１は、
第１のスイッチという場合がある。または、スイッチ１０１は、選択用スイッチという場
合もある。
データ線ＤＬは、一例としては、初期化期間および閾値電圧補正期間において、初期化電
圧を与える（または伝える）機能を有する配線である。またデータ線ＤＬは、一例として
は、データ電圧書き込み期間において、画素１００にデータ電圧（又は映像信号電圧、ビ
デオ信号などともいう）を与える（または伝える）機能を有する配線である。または、デ
ータ線ＤＬは、一例としては、画素１００にプリチャージ電圧を与える（または伝える）
機能を有する配線である。ただし、データ線ＤＬの機能は、これらに限定されない。した
がって、データ線ＤＬは、単に配線、または第１の配線という場合がある。
データ線ＤＬに与えるデータ電圧は、発光素子１０４を所望の階調値で発光させるための
電圧である。データ電圧は、ＶＤＡＴＡで表す場合がある。
データ線ＤＬに与える初期化電圧は、キャパシタ１０３の両端の電圧を初期化するための
機能を有する電圧である。または、その初期化電圧は、トランジスタ１０２がオン状態と
なるようにするための電圧である。初期化電圧は、ＶＧ−ＩＮＩで表す場合がある。
トランジスタ１０２のゲートは、ノードＮＧに接続される。トランジスタ１０２のソース
またはドレインの一方は、ノードＮＳに接続される。トランジスタ１０２のソースまたは
ドレインの他方は、ノードＮＤに接続される。なお、トランジスタのソースとドレインと
は、電位に応じて入れ替わる。したがって、例えば発光期間においては、電流供給線ＰＬ
の電位は、陰極線ＣＬの電位よりも高いため、その場合には、トランジスタ１０２のソー
スが、ノードＮＳに接続されている、ということが出来る。なお以下の説明においてトラ
ンジスタ１０２は、ｎチャネル型であると説明する。また以下の説明においては、一例と
して、トランジスタ１０２の閾値電圧をＶＴＨとして表す。
スイッチ１０６の他方の端子は、一例としては、電流供給線ＰＬに接続される。なおスイ
ッチ１０６は、第１のスイッチ、または、第２のスイッチという場合がある。
電流供給線ＰＬは、例えば、初期化期間において、キャパシタ１０３の両端の電圧を初期
化するための初期化電圧を与える機能を有する配線である。または、電流供給線ＰＬは、
初期化期間において、ノードＮＳの電圧を初期化するための初期化電圧を与える機能を有
する配線である。また、電流供給線ＰＬは、閾値電圧補正期間において、トランジスタ１
０２のゲート−ソース間の電圧（ＶＧＳという場合がある）に従って電流を流すための電
圧を与える（または伝える）機能を有する配線である。また、電流供給線ＰＬは、例えば
、発光期間において、トランジスタ１０２のＶＧＳに従って発光素子１０４に電流を流す
ための電圧を与える機能を有する配線である。ただし、電流供給線ＰＬの機能は、これら
に限定されない。したがって、電流供給線ＰＬは、単に配線、または、第１の配線などと
いう場合がある。
電流供給線ＰＬに与える初期化電圧は、キャパシタ１０３の両端の電圧を初期化するため
の電圧である。または、その初期化電圧は、トランジスタ１０２がオン状態となるように
するための電圧である。初期化電圧は、ＶＰ−ＩＮＩで表す場合がある。なお、ＶＰ−Ｉ
ＮＩとＶＧ−ＩＮＩとは、一例としては、異なる電圧である。ただし、状況に応じて、同
じ電圧となる場合もある。
電流供給線ＰＬに与える、トランジスタ１０２のＶＧＳに従って電流を流すための電圧は
、一例としては、発光素子１０４を発光させるため、およびキャパシタ１０３の両端の電
極に保持される電圧をトランジスタ１０２の閾値電圧にするため、の電圧である。トラン
ジスタ１０２のＶＧＳに従って電流を流すための電圧は、ＶＰ−ＥＭＩで表す場合がある
。
なお、発光素子１０４を発光させる場合と、トランジスタ１０２の閾値電圧を取得する場
合とにおいて、電流供給線ＰＬの電圧の大きさは、異なっていてもよい。ただし、発光素
子１０４を発光させる場合と、トランジスタ１０２の閾値電圧を取得する場合とにおいて
、電流供給線ＰＬの電圧の大きさを同じとする場合、電圧を供給する回路の構成を簡単に
することが出来るため、より望ましい。
陰極線ＣＬに与える電圧は、ＶＣＳで表す場合がある。ただし、陰極線ＣＬの機能は、こ
れらに限定されない。したがって、陰極線ＣＬは、単に配線、または、第１の配線などと
いう場合がある。
キャパシタ１０３の一方の電極は、ノードＮＧに接続される。キャパシタ１０３の他方の
電極は、ノードＮＳに接続される。
発光素子１０４の一方の電極は、ノードＮＳに接続される。発光素子１０４の他方の電極
は、陰極線ＣＬに接続される。陰極線ＣＬには、ＶＣＳが与えられる。なお、キャパシタ
１０３は、トランジスタ１０２のゲート容量（寄生容量）を利用することにより、省略す
ることも可能である。その場合の画素１００Ｉの回路図の例を、図２に示す。
＜画素の動作＞
次いで、図１（Ａ）の画素１００の動作の一例について説明する。
図１（Ｂ）には、画素１００の動作を説明するタイミングチャートの一例を示す。また、
図３乃至図５では、図１（Ｂ）に付した各期間における、各配線の電圧、スイッチの動作
、ノードの電圧を表す回路図を示す。
図１（Ｂ）のタイミングチャートは、発光期間Ｐ１１、初期化期間Ｐ１２、初期化完了期
間Ｐ１３、閾値電圧補正期間Ｐ１４、および、データ電圧書き込み期間Ｐ１５に分けて示
している。初期化期間Ｐ１２および初期化完了期間Ｐ１３は、上述した初期化期間に対応
する。
なお、発光期間Ｐ１１、初期化期間Ｐ１２、初期化完了期間Ｐ１３、閾値電圧補正期間Ｐ
１４、および、データ電圧書き込み期間Ｐ１５が設けられている場合の例を示すが、本発
明の一態様は、これに限定されない。例えば、本発明の一態様は、これらの期間以外の期
間が設けられていてもよい。または、例えば、本発明の一態様は、これらの期間のうちの
少なくとも一つの期間が設けられていなくてもよい。例えば、トランジスタ１０２がオン
状態になっている場合には、必ずしも、初期化期間Ｐ１２を設けなくてもよい。
図１（Ｂ）のタイミングチャートは、上記期間におけるノードＮＤ、陰極線ＣＬ、ノード
ＮＧ、ノードＮＳの電圧の変化の一例を表している。また図１（Ｂ）中では、各配線およ
びノードが取り得るＶＰ−ＥＭＩ、ＶＤＡＴＡ、ＶＣＳ、ＶＧ−ＩＮＩ、ＶＰ−ＩＮＩの
大小関係の一例を縦軸を電圧として図示している。また図１（Ｂ）中では、トランジスタ
１０２の閾値電圧であるＶＴＨ、キャパシタ１０３の両端の電極に保持される電圧ＶＣＰ
、発光素子１０４の両端の電極に印加される電圧ＶＥＬを図示している。また図１（Ｂ）
中では、一例として、スイッチ１０１及びスイッチ１０６のオンまたはオフの状態を表し
ている。なお図１（Ｂ）の説明では、トランジスタ１０２はノーマリオン、すなわち閾値
電圧ＶＴＨが負であるとして説明をする。なお、この場合には、トランジスタ１０２がノ
ーマリオンであっても、ノーマリオフであっても、正常に動作させることが出来る。
なお図１（Ｂ）では、同じタイミングの場合であっても、あるいは同じ電位の場合であっ
ても、配線およびノードの電圧の変化の視認性を確保するため、位置を少しずらして付し
ている。そのため、各電圧の大小関係、タイミングの前後は必ずしも図示した通りではな
い場合がある。
まず初期化期間Ｐ１２では、前の発光期間Ｐ１１にトランジスタ１０２のゲートに保持さ
れた電圧を初期化する動作を行う。または、トランジスタ１０２がオン状態となるように
する動作を行う。または、ノードＮＳの電圧を初期化する動作を行う。したがって、既に
トランジスタ１０２がオン状態である場合には、必ずしも、初期化期間Ｐ１２を設けなく
てもよい。まず例えば、ノードＮＧの電圧はＶＧ−ＩＮＩであり、スイッチ１０１がオン
状態である。ノードＮＧの電圧が低下するのに合わせて、容量結合により、ノードＮＳの
電圧も低下する。また初期化期間Ｐ１２以降、陰極線ＣＬの電圧はＶＣＳで変化しない。
ただし、状況に応じて、陰極線ＣＬの電圧を変化させてもよい。初期化期間Ｐ１２の動作
によって、ノードＮＧの電圧はＶＧ−ＩＮＩとなる。初期化期間Ｐ１２による各配線、各
ノードの電圧は、図３（Ａ）に図示するようになる。なお、初期化期間Ｐ１２において、
スイッチ１０６は、オフ状態であってもよい。
なお、初期化期間Ｐ１２における動作について述べたが、本発明の一態様は、これに限定
されない。例えば、本発明の一態様は、初期化期間Ｐ１２において、様々な動作を行って
もよい。したがって、初期化期間Ｐ１２は、単に期間、または、第１の期間などという場
合がある。
次いで初期化完了期間Ｐ１３では、ノードＮＳに保持された電圧を初期化する動作を行う
。まず例えば、電流供給線ＰＬの電圧はＶＰ−ＩＮＩであり、スイッチ１０６はオン状態
である。ノードＮＤの電圧が低下するのに合わせてトランジスタ１０２に電流が流れ、ノ
ードＮＳの電圧がさらに低下する。初期化完了期間Ｐ１３の動作によって、ノードＮＳの
電圧はＶＰ−ＩＮＩとなる。初期化完了期間Ｐ１３による各配線、各ノードの電圧は、図
３（Ｂ）に図示するようになる。
なお電圧ＶＰ−ＩＮＩは、一例としては、ＶＣＳより小さくしておく。このようにするこ
とで、発光素子１０４には電流が流れないようにすることができる。また電圧ＶＧ−ＩＮ
Ｉは、ＶＰ−ＩＮＩより大きくしておく。このようにすることで、トランジスタ１０２に
電流が流れ、初期化をすることができる。ただし、トランジスタ１０２の閾値電圧の大き
さによっては、ノードＮＳの電圧は、ノードＮＧの電圧よりも、高くなっていても、トラ
ンジスタ１０２に電流が流れる場合がある。そのため、そのような場合には、ノードＮＳ
の電圧は、ノードＮＧの電圧よりも、高くなっていてもよい。なお、初期化完了期間Ｐ１
３において、スイッチ１０１は、オフ状態であってもよい。
なお、初期化完了期間Ｐ１３における動作について述べたが、本発明の一態様は、これに
限定されない。例えば、本発明の一態様は、初期化完了期間Ｐ１３において、様々な動作
を行ってもよい。したがって、初期化完了期間Ｐ１３は、単に期間、または、第１の期間
などという場合がある。
次いで閾値電圧補正期間Ｐ１４では、キャパシタ１０３の両端の電極にＶＴＨまたは、Ｖ
ＴＨに応じた電圧を保持させるため、トランジスタ１０２に電流を流し、ノードＮＳの電
圧を上昇させる動作を行う。なお、トランジスタ１０２の特性のばらつきが小さい場合、
または、動画を表示している場合などのようにトランジスタ１０２の特性のばらつきの影
響が出にくい場合には、必ずしも、トランジスタ１０２の閾値電圧を取得しなくてもよい
。したがって、状況に応じて、閾値電圧補正期間Ｐ１３を設けなくてもよい。まず、電流
供給線ＰＬの電圧はＶＰ−ＥＭＩであり、スイッチ１０１及びスイッチ１０６はオン状態
である。ノードＮＤの電圧が上昇することでトランジスタ１０２に電流が流れ、ノードＮ
Ｓの電圧が上昇し、キャパシタ１０３に蓄積されている電荷が放電される。またスイッチ
１０１はオン状態のため、ノードＮＧの電圧は変化しない。ノードＮＳの電圧の上昇は、
トランジスタ１０２のＶＧＳがＶＴＨとなることでトランジスタ１０２を流れる電流が小
さくなって電流が止まるため、止まる。つまりノードＮＳの電圧は、電圧（ＶＧ−ＩＮＩ
−ＶＴＨ）となる。そして、キャパシタ１０３には、電圧（ＶＴＨ）が蓄積される。つま
り、トランジスタ１０２のＶＴＨを取得できたこととなる。このとき、トランジスタ１０
２がノーマリオンの場合には、ノードＮＳの電圧は、ノードＮＧの電圧よりも、高くなっ
ていることとなる。ノードＮＳの電圧は、電圧（ＶＧ−ＩＮＩ−ＶＴＨ）となっているが
、ＶＴＨは負の値なので、実際のノードＮＳの電圧は、ノードＮＧの電圧よりも、高くな
っていることとなる。言い換えると、このような動作を行うことにより、トランジスタ１
０２がノーマリオンであっても、適切に、閾値電圧を取得することができる。閾値電圧補
正期間Ｐ１４による各配線、各ノードの電圧は、図４（Ａ）に図示するようになる。なお
、この期間において、電流供給線ＰＬの電圧は、ＶＰ−ＥＭＩでなくてもよい。例えば、
電流供給線ＰＬの電圧は、電圧が上昇した後のノードＮＳの電圧よりも、高い電圧となっ
ていればよい。
なお、ここでは、トランジスタ１０２のＶＧＳがＶＴＨとなるとしたが、必ずしも、ＶＧ
ＳがＶＴＨとなるまで、キャパシタ１０３に蓄積されている電荷を放電しなくてもよい。
例えば、トランジスタ１０２のＶＧＳがＶＴＨに概ね近い大きさになったときに、閾値電
圧を取得動作を終了してもよい。その場合には、トランジスタ１０２のＶＴＨに応じた大
きさの電圧を取得できたこととなる。
なお、閾値電圧補正期間Ｐ１４における動作について述べたが、本発明の一態様は、これ
に限定されない。例えば、本発明の一態様は、閾値電圧補正期間Ｐ１４において、様々な
動作を行ってもよい。したがって、閾値電圧補正期間Ｐ１４は、単に期間、または、第１
の期間などという場合がある。
次いでデータ電圧書き込み期間Ｐ１５は、データ線ＤＬにＶＤＡＴＡを与える。そして、
スイッチ１０１はオン状態である。ノードＮＧの電圧は、ＶＧ−ＩＮＩからＶＤＡＴＡに
変化する。また、スイッチ１０１をオフ状態である。したがって、ノードＮＤは、電気的
に浮遊状態（フローティング）となる。ノードＮＳの電圧は、ノードＮＧの電圧の変化に
従って、キャパシタ１０３の容量結合に応じて変化する。
ここでキャパシタ１０３の電圧をＶＣＰとする。またキャパシタ１０３のキャパシタンス
をＣ１０３とする。また発光素子１０４のキャパシタンスをＣＥＬとする。図６には、各
素子の電圧、キャパシタンスを図示している。キャパシタの両端の電極に保持される電圧
ＶＣＰは、容量結合によってＶＴＨ＋ΔＶとなる。ΔＶは、ノードＮＧの電圧の変化分（
ＶＤＡＴＡ−ＶＧ−ＩＮＩ）と、キャパシタ１０３と発光素子１０４のキャパシタンスの
比（ＣＥＬ／（Ｃ１０３＋ＣＥＬ））との積で表すことができる。
すなわちデータ電圧入力期間Ｐ１５においてノードＮＳの電圧は（ＶＤＡＴＡ−ＶＣＰ）
に上昇するものの、発光素子１０４のキャパシタンスＣＥＬを大きくすることで、この上
昇を抑えることができる。また、ノードＮＳの電圧が上昇しても、データ電圧書き込み期
間Ｐ１５ではノードＮＤを電気的に浮遊状態としている。そのため、電流供給線ＰＬから
トランジスタ１０２を介して発光素子１０４に向けて電流が流れないため、発光素子１０
４の意図しない発光を抑制することができる。データ電圧入力期間Ｐ１５による各配線、
各ノードの電圧は、図４（Ｂ）に図示するようになる。
なお、データ電圧書き込み期間Ｐ１５における動作について述べたが、本発明の一態様は
、これに限定されない。例えば、本発明の一態様は、データ電圧書き込み期間Ｐ１５にお
いて、様々な動作を行ってもよい。したがって、データ電圧書き込み期間Ｐ１５は、単に
期間、または、第１の期間などという場合がある。
本実施の形態の構成では、データ電圧書き込み期間Ｐ１５において、スイッチ１０６がオ
フ状態であり、ノードＮＤは電気的に浮遊状態である。そのため、データ電圧書き込み期
間におけるノードＮＳの電圧の変化を抑制することができる。そして、発光素子１０４の
発光を抑制することができる。仮に、データ電圧書き込み期間Ｐ１５の長さが長かったと
しても、ノードＮＤは電気的に浮遊状態であるため、ノードＮＳの電圧の変化を抑制する
ことができる。
仮に、データ電圧書き込み期間Ｐ１５において、スイッチ１０６がオン状態である場合に
は、電流供給線ＰＬからトランジスタ１０２を介してノードＮＳに向けて電流が流れる。
その結果、ノードＮＳの電位が上昇していく。そして仮に、データ電圧書き込み期間Ｐ１
５の長さが長かった場合には、ノードＮＳの電位がさらに上昇し、最終的には、キャパシ
タ１０３の電圧は、ＶＴＨとなる。そして、トランジスタ１０２がオフ状態となる。その
結果、供給されたＶＤＡＴＡが消失してしまうことになってしまう。以上のことから、デ
ータ電圧書き込み期間Ｐ１５において、スイッチ１０６がオフ状態であることが望ましい
。ただし、本発明の一態様は、これに限定されない。
次いで発光期間Ｐ１１は、電流供給線ＰＬの電圧はＶＰ−ＥＭＩであり、スイッチ１０６
はオン状態であり、スイッチ１０１はオフ状態である。ノードＮＤに電圧が供給され、ノ
ードＮＧがフローティング状態であることでトランジスタ１０２に電流が流れ、ノードＮ
Ｓの電圧が上昇する。また、ノードＮＧがフローティング状態であるため、ノードＮＳの
電圧の上昇につれてノードＮＧの電圧も上昇する。トランジスタのＶＧＳはデータ電圧書
き込み期間で設定されたＶＣＰを保持する。ＶＣＰはＶＴＨにＶＤＡＴＡを含む項が加わ
った電圧である。そのため、発光素子１０４には、ＶＴＨの大きさに依存せず、ＶＤＡＴ
Ａに応じた電流を流すことができる。つまり、ＶＴＨのばらつきの影響を低減できたこと
となる。なおノードＮＳは、ＶＣＳからＶＥＬだけ高い電圧（ＶＥＬ＋ＶＣＳ）となる。
また、ノードＮＧは、（ＶＣＳ＋ＶＥＬ）からＶＣＰだけ高い電圧（ＶＣＰ＋ＶＣＳ＋Ｖ
ＥＬ）となる。発光期間Ｐ１１による各配線、各ノードの電圧は、図５に図示するように
なる。
なお、発光期間Ｐ１１における動作について述べたが、本発明の一態様は、これに限定さ
れない。例えば、本発明の一態様は、発光期間Ｐ１１において、様々な動作を行ってもよ
い。したがって、発光期間Ｐ１１は、単に期間、または、第１の期間などという場合があ
る。
以上説明した本発明の一態様における構成では、トランジスタ１０２のソース又はドレイ
ンのうち、電流供給線ＰＬがある側にスイッチを設ける。そして、データ電圧書き込み期
間において、該スイッチをオフにすることで画素１００と電流供給線ＰＬとを電気的に切
り離し、画素１００に電流を供給する配線を電気的に浮遊状態とする。このようにするこ
とで、発光素子のアノード側にあるノードＮＳの電圧の上昇を抑制し、データ電圧書き込
み期間での意図しない発光を抑制することができる。ただし、本発明の一態様は、これに
限定されない。
＜画素の変形例＞
次いで図１（Ａ）で図示した画素の回路構成の変形例について説明する。
図１（Ａ）の画素１００が有するスイッチ１０１及びスイッチ１０６は、例えばトランジ
スタを適用することができる。この場合の回路図を図７に示す。図７に示す画素１００Ａ
は、図１（Ａ）のスイッチ１０１に代わって、トランジスタ１０１Ａを有する。なおトラ
ンジスタ１０１Ａのオンまたはオフは、ゲート線ＧＬに与える電位によって制御すること
ができる。したがって、トランジスタ１０１Ａは、選択用トランジスタと呼ぶ場合がある
。
また図７では、スイッチ１０６に代わってトランジスタ１０６Ａを図示している。なおト
ランジスタ１０６Ａのオンまたはオフは、電源制御線ＰＥＮに与える電位によって制御す
ることができる。
トランジスタ１０１Ａ及びトランジスタ１０６Ａは、一例としては、チャネル形成領域に
酸化物半導体を有するトランジスタ（ＯＳトランジスタ）であることが好ましい。ＯＳト
ランジスタは、オフ電流を低くすることができる。そのため、スイッチとして機能するト
ランジスタ１０１Ａをオフにすることで、ノードＮＧの電位の変動を小さくできる。また
、スイッチとして機能するトランジスタ１０６Ａをオフにすることで、ノードＮＤの電位
の変動を小さくできる。あるいはトランジスタ１０１Ａ及びトランジスタ１０６Ａは、チ
ャネル形成領域にシリコンを有するトランジスタ（Ｓｉトランジスタ）であってもよい。
なお、トランジスタ１０２も同様に、チャネル形成領域に酸化物半導体を有するトランジ
スタ（ＯＳトランジスタ）であることが好ましい。ただし、本発明の一態様は、これに限
定されない。例えば、トランジスタ１０２は、チャネル形成領域にシリコンを有するトラ
ンジスタ（Ｓｉトランジスタ）であってもよい。Ｓｉトランジスタにおけるチャネル形成
領域は、多結晶シリコンであってもよいし、アモルファスシリコンであってもよいし、単
結晶シリコンであってもよい。
図１（Ａ）の画素１００は、一例としては、発光素子１０４に並列にキャパシタを有する
ことが好ましい。この場合の回路図を図８（Ａ）に示す。図８（Ａ）に示す画素１００Ｂ
は、図１（Ａ）の構成に加えて、キャパシタ１０５を有する。
上述した本発明の一態様では、キャパシタ１０３と発光素子１０４のキャパシタンスの比
を利用する。キャパシタ１０３のキャパシタンスが、発光素子１０４のキャパシタンスに
比べて大きいと、データ電圧入力期間Ｐ１５の動作でノードＮＳの電位が上昇しすぎて発
光素子が発光する虞がある。従って別途、キャパシタ１０５を設けることが好ましい。な
お図８（Ａ）の構成の場合、配線数を増やすことなくキャパシタを作製できるため好適で
ある。
またキャパシタ１０５は、別途容量線を設けて作製してもよい。この場合の回路図を図８
（Ｂ）に示す。図８（Ｂ）に示す画素１００Ｃは、図８（Ａ）の構成に加えて、容量線Ｃ
ＳＬに一方の電極が接続されたキャパシタ１０５を有する。
図８（Ｂ）の構成は、配線数が増えるものの、発光素子１０４の陰極をトランジスタ１０
２の電極層に接続する等の複雑な工程を経ることなく作製することができるため、容易に
作製することが可能である。
図９（Ａ）には、図７の画素１００Ａを変形した画素１００Ｄを図示している。画素１０
０Ｄは、スイッチとして機能するトランジスタとしてバックゲートを有するトランジスタ
１０１Ｂとしている。なおトランジスタ１０６Ａも、トランジスタ１０１Ｂと同様の構成
とすることが可能である。
図９（Ｂ）には、図７の画素１００Ａを変形した画素１００Ｅを図示している。画素１０
０Ｅは、スイッチとして機能するトランジスタとしてトランジスタを直列に接続したトラ
ンジスタ１０１Ｃとしている。なおトランジスタ１０６Ａも、トランジスタ１０１Ｃと同
様の構成とすることが可能である。
図１０（Ａ）には、図７の画素１００Ａを変形した画素１００Ｆを図示している。画素１
００Ｆは、トランジスタ１０２としてバックゲートを有し、上下のゲートで同じ電位を与
えるトランジスタ１０２Ｄとしている。
図１０（Ｂ）には、図７の画素１００Ａを変形した画素１００Ｇを図示している。画素１
００Ｇは、トランジスタ１０２としてバックゲートを有し、上下のゲートで異なる電位を
与えるトランジスタ１０２Ｅとしている。バックゲート側には電圧ＶＢＧを与え、トラン
ジスタ１０２Ｅの閾値電圧を制御することができる。
図１０（Ｃ）には、図７の画素１００Ａを変形した画素１００Ｈを図示している。画素１
００Ｈは、トランジスタ１０２としてバックゲートを有し、上下のゲートで異なる電位を
与えるトランジスタ１０２Ｆとしている。バックゲート側にはノードＮＳの電圧を与えて
いる。
なお、図１（Ａ）の画素１００でトランジスタ１０２は、ｎチャネル型の場合について述
べたが、本発明の一態様は、これに限定されない。図１１の画素１００Ｊでは、図１（Ａ
）とは異なる構成を示している。図１１では、トランジスタ１０２の代わりに、ｐチャネ
ル型のトランジスタ１０２ｐを有している。
なお、トランジスタ１０２は、スイッチ１０６を介して、電流供給線ＰＬと接続されてい
るが、本発明の一態様は、これに限定されない。例えば、図１２（Ａ）の画素１００Ｋで
は、図１（Ａ）とは異なる構成を示している。図１２（Ａ）では、トランジスタ１０２と
、スイッチ１０６Ａを介して電流供給線ＰＬ＿Ａ、スイッチ１０６Ｂを介して電流供給線
ＰＬ＿Ｂ、スイッチ１０６Ｃを介して電流供給線ＰＬ＿Ｃとが、それぞれ別々に接続され
ている。電流供給線ＰＬ＿Ａ、ＰＬ＿Ｂ、ＰＬ＿Ｃに異なる電圧としてＶＰ−ＥＭＩ、Ｖ
ＣＳ、ＶＰ−ＩＮＩを与え、スイッチ１０６Ａ、１０６Ｂ、１０６Ｃのオンオフを制御す
ることにより、トランジスタ１０２に供給される電圧の大きさを制御することができる。
このようにスイッチを設けることにより、電流供給線ＰＬ＿Ａ、ＰＬ＿Ｂ，ＰＬ＿Ｃの電
位を変化させずに、同様の動作を実現することが可能となる。
なお図１２（Ａ）の画素１００Ｋでは、電流供給線ＰＬ＿Ａ、ＰＬ＿Ｂ、ＰＬ＿Ｃに異な
る電圧を与える構成としたが、一定の電圧を与える配線と、電圧を切り替えて与える配線
とを分けて設ける構成としてもよい。この場合の画素の回路図を図１２（Ｂ）に示す。図
１２（Ｂ）の画素１００Ｌでは、トランジスタ１０２と、スイッチ１０６Ｄを介して電流
供給線ＰＬ＿Ｄ、スイッチ１０６Ｅを介して電流供給線ＰＬ＿Ｅとが、それぞれ別々に接
続されている。電流供給線ＰＬ＿ＤにＶＰ−ＥＭＩ、電流供給線ＰＬ＿ＥにＶＣＳまたは
ＶＰ−ＩＮＩを与え、スイッチ１０６Ｄ、１０６Ｅのオンオフを制御することにより、ト
ランジスタ１０２に供給される電圧の大きさを制御することができる。
なお、図１３（Ａ）の画素１００Ｍでは、図１（Ａ）とは異なる構成を示している。図１
３（Ａ）では、ノードＮＳは、スイッチ１０７を介して、配線ＩＬと接続されている。配
線ＩＬは、初期化電圧ＶＰ−ＩＮＩを与える。このスイッチ１０７を少なくとも初期化期
間Ｐ１２においてオン状態とすることにより、電流供給線ＰＬの電圧を下げなくても、ノ
ードＮＳの電圧を低い電圧に制御することが出来る。なお、初期化期間Ｐ１２以外の期間
においては、スイッチ１０７がオフ状態となっていることが望ましい。ただし、本発明の
一態様は、これに限定されない。
なお図１３（Ａ）の画素１００Ｍでにおけるスイッチ１０１、１０７は、トランジスタに
置き換えることができる。この場合の画素の回路図を図１３（Ｂ）に示す。図１３（Ｂ）
の画素１００Ｎでは、トランジスタ１０１Ａ、トランジスタ１０７Ａを有する。トランジ
スタ１０１Ａは、ゲート線ＧＬ＿Ａによって制御することができる。トランジスタ１０７
Ａは、ゲート線ＧＬ＿Ｂによって制御することができる。
図１４（Ａ）の画素１００Ｏでは、図１（Ａ）とは異なる構成を示している。図１４（Ａ
）では、ノードＮＳと、発光素子１０４との間に、スイッチ１０８が設けられていてもよ
い。このスイッチ１０８を、例えば、発光期間Ｐ１１以外の少なくとも一つの期間におい
てオフ状態とし、少なくとも発光期間Ｐ１１においてオン状態としてもよい。例えば、ス
イッチ１０８は、データ電圧書き込み期間Ｐ１５においてオン状態としてもよい。これに
より、発光素子１０４が、意図せず発光してしまうことを抑制することができる。なお、
データ電圧入力期間Ｐ１５においても、このスイッチがオン状態となっていてもよい。
なお図１４（Ａ）の画素１００Ｏでにおけるスイッチ１０１、１０８は、トランジスタに
置き換えることができる。この場合の画素の回路図を図１４（Ｂ）に示す。図１４（Ｂ）
の画素１００Ｐでは、トランジスタ１０１Ａ、トランジスタ１０８Ａを有する。トランジ
スタ１０１Ａは、ゲート線ＧＬ＿Ａによって制御することができる。トランジスタ１０８
Ａは、ゲート線ＧＬ＿Ｃによって制御することができる。
図１４（Ｃ）の画素１００Ｑでは、図１４（Ａ）とは異なる構成を示している。図１４（
Ｃ）では、ノードＮＳと、発光素子１０４との間ではなく、トランジスタ１０２とスイッ
チ１０６との間に、スイッチ１０８が設けられている。このようにすることで、画素ごと
にスイッチの制御を行うことができる。
図１５（Ａ）の画素１００Ｒでは、図１（Ａ）とは異なる構成を示している。図１５（Ａ
）では、トランジスタ１０２と、電流供給線ＰＬとの間に、スイッチ１０６Ｄと、回路１
０９Ａ及びスイッチ１０６Ｅを設けている。回路１０９Ａは、電流供給線ＰＬの電圧をノ
ードＮＤに与える際に、波形をなまらせる機能を有する回路である。なお回路１０９Ａは
、画素１００Ｒの中に設けられていてもよいし、画素１００Ｒの外に設けられていてもよ
い。
回路１０９Ａは、スイッチ１０６Ｄ、１０６Ｅのオン状態を変更することにより、機能す
る場合と、機能させない場合とを切り替えるようにすることが好ましい。例えば、回路１
０９Ａを機能させたい場合には、ノードＮＤでの波形をなまらせたい場合である。このよ
うな場合としては、例えば、発光期間Ｐ１１がある。発光期間Ｐ１１では、発光期間Ｐ１
１に移行する場合に、図１５（Ｂ）に図示するように、スイッチ１０６Ｄ、１０６Ｅのオ
ン状態を変更し、ノードＮＤの電圧の波形をなまらせることにより、輝度の変化を滑らか
にすることができる。そのため表示装置の使用時において、目がまぶしく感じることを低
減できたり、ちらつきを感じることを低減できたりする可能性が期待される。よって、目
にやさしく、目が疲れにくくなる可能性が期待される。
回路１０９Ａは、例えば図１６（Ａ）に示すように抵抗素子でとしてもよい。あるいは、
図１６（Ｂ）に示すようにダイオードで構成してもよい。あるいは、図１６（Ｃ）に示す
ようにダイオード接続されたトランジスタで構成してもよい。
なお回路１０９Ａは、図１６（Ｄ）に示すように、機能させたい場合スイッチ１０６Ｄを
オフ状態とし、機能させたくない場合スイッチ１０６Ｄをオン状態とする構成としてもよ
い。また回路１０９Ａは、図１６（Ｅ）に示すように、抵抗素子とキャパシタを組み合わ
せた回路としてもよい。
なお、図１２乃至図１５などの回路を、それぞれ組み合わせた回路を構成することも可能
である。例えば、図１２（Ａ）と図１３（Ａ）とを組み合わせた場合の画素１００Ｓを図
１７（Ａ）に示す。同様に、図１２（Ａ）と図１４（Ａ）を組み合わせた場合の画素１０
０Ｔを図１７（Ｂ）に示す。同様に、図１２（Ａ）と図１３（Ａ）と図１４（Ａ）とを組
み合わせた場合の画素１００Ｕを図１７（Ｃ）に示す。このように、適宜組み合わせた回
路を構成することも可能である。
以上説明したように本発明の一態様は様々な変形例を適用することができる。
＜表示装置のブロック図＞
次いで図１（Ａ）で図示した画素を適用しうる表示装置のブロック図の一例について説明
する。
図１８には、表示装置のブロック図の一例として、ゲート線側駆動回路１１０、データ線
側駆動回路１２０、電流供給線制御回路１３０、および画素１００を有する画素部１４０
を図示している。
画素部１４０において、複数の画素１００は、ｘ−ｙ方向にマトリクス状に設けられてい
る。画素部１４０では、Ｘ方向に、ゲート線側駆動回路１１０に接続されたゲート線ＧＬ
１乃至ＧＬｍ（ｍは自然数）を設ける。ゲート線ＧＬ１乃至ＧＬｍは、それぞれ、各画素
１００と接続されている。例えば、図７におけるゲート線ＧＬは、ゲート線側駆動回路１
１０に接続される。また画素部１４０では、Ｙ方向に、データ線側駆動回路１２０に接続
されたデータ線ＤＬ１乃至ＤＬｎ（ｎは自然数）を、設ける。データ線ＤＬ１乃至ＤＬｎ
は、それぞれ、各画素１００と接続されている。例えば、図７におけるデータ線ＤＬは、
データ線側駆動回路１２０に接続される。
電流供給線ＰＬは、図１８に示すようにＸ方向に、電流供給線制御回路１３０に接続され
た電流供給線ＰＬ１乃至ＰＬｍを、各画素１００に接続されるように設けることができる
。例えば、図７などにおけるノードＮＤは、電流供給線制御回路１３０に接続される。
電流供給線制御回路１３０は、電流供給線ＰＬ１乃至ＰＬｍを１行づつ走査することがで
きる。また電流供給線制御回路１３０は、電源制御線Ｐ１ＥＮ乃至ＰｍＥＮによって各行
のスイッチのオンまたはオフを制御することができる。電源制御線Ｐ１ＥＮ乃至ＰｍＥＮ
は、電流供給線ＰＬ１乃至ＰＬｍに設けられるスイッチを１行毎にオフにし、電気的に浮
遊状態とすることができる。電流供給線ＰＬ１乃至ＰＬｍに設けられるスイッチは、例え
ば、図１などにおけるスイッチ１０６に相当する。
なお図１９には、ゲート線ＧＬ１乃至ＧＬｍ、電流供給線ＰＬ１乃至ＰＬｍ、および電源
制御線Ｐ１ＥＮ乃至ＰｍＥＮによって制御されるスイッチの状態を、１行ずつ走査する動
作のタイミングチャートを示す。
＜画素の動作の変形例＞
次いで、図１（Ａ）で図示した画素１００の動作の変形例について説明する。
図２０（Ａ）には、図１（Ａ）と同じ画素１００の回路図を示す。また、図２０（Ｂ）に
は、図１（Ｂ）とは異なる、画素１００の動作の変形例を説明するタイミングチャートを
示す。また、図２１乃至図２３では、図２０（Ｂ）に付した各期間における、各配線の電
圧、スイッチの動作、ノードの電圧を表す回路図を示す。
なお図２０（Ｂ）の説明では、図１（Ｂ）とは異なり、トランジスタ１０２はノーマリオ
フ、すなわち閾値電圧ＶＴＨが正であるとして説明をする。以下、図１（Ｂ）とは異なる
点について詳述し、同様の点については、上記説明を援用し、省略して記載する場合があ
る。
図２０（Ｂ）のタイミングチャートは、発光期間Ｐ２１、初期化期間Ｐ２２、初期化完了
期間Ｐ２３、閾値電圧補正期間Ｐ２４、および、データ電圧書き込み期間Ｐ２５に分けて
示している。初期化期間Ｐ２２および初期化完了期間Ｐ２３は、上述した初期化期間に対
応する。
図２０（Ｂ）のタイミングチャートは、下記期間におけるノードＮＤ、陰極線ＣＬ、ノー
ドＮＧ、ノードＮＳの電圧の変化の一例を表している。また図２０（Ｂ）中では、各配線
およびノードが取り得るＶＰ−ＥＭＩ、ＶＤＡＴＡ、ＶＣＳ、ＶＰ−ＩＮＩの大小関係を
縦軸を電圧として図示している。また図２０（Ｂ）中では、トランジスタ１０２の閾値電
圧であるＶＴＨ、キャパシタ１０３の両端の電極に保持される電圧ＶＣＰ、発光素子１０
４の両端の電極に印加される電圧ＶＥＬを図示している。また図２０（Ｂ）中では、スイ
ッチ１０１及びスイッチ１０６のオンまたはオフの状態を表している。
まず初期化期間Ｐ２２では、前の発光期間Ｐ２１にトランジスタ１０２のゲートに保持さ
れた電圧を初期化する動作を行う。初期化期間Ｐ１２と異なる点として、データ線ＤＬを
ＶＣＳとする。また、ノードＮＧはＶＣＳとなる。初期化期間Ｐ２２による各配線、各ノ
ードの電圧は、図２１（Ａ）に図示するようになる。
次いで初期化完了期間Ｐ２３では、ノードＮＳに保持された電圧を初期化する動作を行う
。初期化完了期間Ｐ２３と異なる点として、電流供給線ＰＬの電圧はＶＰ−ＩＮＩである
。ノードＮＧのＶＣＳは、ＶＰ−ＩＮＩよりも大きい。そのため、トランジスタ１０２が
オン状態となり、ノードＮＳの電圧が低下し、ノードＮＳがＶＰ−ＩＮＩとなる。初期化
完了期間Ｐ２３による各配線、各ノードの電圧は、図２１（Ｂ）に図示するようになる。
次いで閾値電圧補正期間Ｐ２４では、キャパシタ１０３の両端の電極にＶＴＨを保持させ
るため、トランジスタ１０２に電流を流し、ノードＮＳの電圧を上昇させる動作を行う。
閾値電圧補正期間Ｐ２４の動作の異なる点として、データ線ＤＬをＶＣＳとする。また、
ノードＮＧはＶＣＳとなる。電流供給線ＰＬの電圧はＶＣＳとする。電流供給線ＰＬがＶ
ＣＳとなることで、ノードＮＳの電圧が上昇する。ノードＮＳの電圧の上昇は、トランジ
スタ１０２のＶＧＳがＶＴＨとなることでトランジスタ１０２を流れる電流が小さくなっ
て、電流が止まる。つまりノードＮＳの電圧は、電圧（ＶＣＳ−ＶＴＨ）となる。なお図
２０（Ｂ）でノードＮＳの電圧の上昇は、ノードＮＧの電圧よりＶＴＨだけ低い電圧で止
まる。これは、トランジスタ１０２がノーマリーオフのためである。閾値電圧補正期間Ｐ
２４による各配線、各ノードの電圧は、図２２（Ａ）に図示するようになる。
次いでデータ電圧書き込み期間Ｐ２５は、データ線ＤＬはＶＤＡＴＡであり、スイッチ１
０１はオン状態とする。また、スイッチ１０６はオフ状態である。このときノードＮＤは
、電気的に浮遊状態（フローティング）となる。データ電圧書き込み期間Ｐ２５の動作は
、データ電圧書き込み期間Ｐ１５と同じである。なお図２０（Ｂ）でノードＮＳの電圧の
上昇は、ノードＮＳの電圧が図１（Ｂ）のときより小さいため、ＶＣＳより小さい電圧の
上昇にとどまる。これは、トランジスタ１０２がノーマリーオフのためである。この場合
、ノードＮＳの電圧によって発光素子１０４は発光しない。データ電圧書き込み期間Ｐ２
５による各配線、各ノードの電圧は、図２２（Ｂ）に図示するようになる。
次いで発光期間Ｐ２１は、電流供給線ＰＬの電圧がＶＰ−ＥＭＩである。発光期間Ｐ２１
の動作は、発光期間Ｐ１１と同じである。発光期間Ｐ２１による各配線、各ノードの電圧
は、図２３に図示するようになる。
以上説明した本発明の一態様における構成では、トランジスタ１０２の閾値電圧の正負に
関わらず、閾値電圧の取得にかける時間を長くすることができる。また、発光素子のアノ
ード側にあるノードＮＳの電圧の上昇を抑制し、データ電圧書き込み期間での意図しない
発光を抑制することができる。
なお、本実施の形態において、本発明の一態様について述べた。または、他の実施の形態
において、本発明の一態様について述べる。ただし、本発明の一態様は、これらに限定さ
れない。つまり、本実施の形態および他の実施の形態では、様々な発明の態様が記載され
ているため、本発明の一態様は、特定の態様に限定されない。例えば、本発明の一態様と
して、トランジスタの閾値電圧のばらつきを補正した場合の例を示したが、本発明の一態
様は、これに限定されない。例えば、場合によっては、または、状況に応じて、本発明の
一態様では、別の特性のばらつきの補正を行ってもよい。または例えば、場合によっては
、または、状況に応じて、本発明の一態様では、トランジスタの閾値電圧のばらつきを補
正しなくてもよい。
（実施の形態２）
本実施の形態では、上記実施の形態で説明した画素のトランジスタに適用可能な、チャネ
ル形成領域が酸化物半導体膜で形成されているトランジスタ（ＯＳトランジスタ）、およ
びチャネル形成領域がシリコンで形成されているトランジスタ（Ｓｉトランジスタ）、を
一例に挙げて説明する。
＜トランジスタの構成例１＞
まずチャネル形成領域が酸化物半導体膜で形成されているトランジスタ（ＯＳトランジス
タ）について説明する。
図２４（Ａ）、図２４（Ｂ）および図２４（Ｃ）に、デバイス構造の異なる３つのトラン
ジスタ（ＴＡ１、ＴＡ２、ＴＢ１）の上面図（レイアウト図）と、それぞれの回路記号を
示す。図２５は、トランジスタ（ＴＡ１、ＴＡ２、ＴＢ１）の断面図である。トランジス
タＴＡ１のａ１−ａ２線およびｂ１−ｂ２線による断面図、トランジスタＴＡ２のａ３−
ａ４線およびｂ３−ｂ４線による断面図、ならびにトランジスタＴＢ１のａ５−ａ６線、
ｂ５−ｂ６線による断面図を、図２５（Ａ）、図２５（Ｂ）に示す。これらトランジスタ
のチャネル長方向の断面構造が、図２５（Ａ）に示され、同チャネル幅方向の断面構造が
図２５（Ｂ）に示されている。
図２５（Ａ）、図２５（Ｂ）に示すように、トランジスタ（ＴＡ１、ＴＡ２、ＴＢ１）は
、同一絶縁表面上に集積されており、これらのトランジスタは、同一の作製工程で作成す
ることが可能である。なお、ここでは、デバイス構造の明瞭化のため、各トランジスタの
ゲート（Ｇ）、ソース（Ｓ）、およびドレイン（Ｄ）への電位や電源の供給するための配
線との電気的な接続は省略している。
トランジスタＴＡ１（図２４（Ａ））、トランジスタＴＡ２（図２４（Ｂ））は、ゲート
（Ｇ）とバックゲート（ＢＧ）を有するトランジスタである。ゲート（Ｇ）およびバック
ゲート（ＢＧ）は、いずれか一方が第１のゲートに相当し、他方が第２のゲートに相当す
る。トランジスタＴＡ１、トランジスタＴＡ２はバックゲートをゲートに接続した構造と
している。トランジスタＴＢ１（図２４（Ｃ））は、ＢＧを有さないトランジスタである
。図２５に示すように、これらのトランジスタ（ＴＡ１、ＴＡ２、ＴＢ１）は、基板３０
に形成されている。以下、図２４、図２５を参照して、これらのトランジスタの構成を説
明する。
［トランジスタＴＡ１］
トランジスタＴＡ１は、ゲート電極ＧＥ１、ソース電極ＳＥ１、ドレイン電極ＤＥ１、バ
ックゲート電極ＢＧＥ１、および酸化物半導体膜ＯＳ１を有する。
以下の説明において、トランジスタＴＡ１をＴＡ１と呼ぶ、バックゲートをＢＧと呼ぶ、
酸化物半導体膜ＯＳ１をＯＳ１や膜ＯＳ１と呼ぶなど、素子や素子の構成要素を省略して
呼ぶ場合がある。また、信号、電位、回路などについても同様に省略する場合がある。
また、本実施の形態では、ＯＳトランジスタのチャネル長は、ソース電極とドレイン電極
間の距離とする。また、ＯＳトランジスタのチャネル幅は、酸化物半導体膜とゲート電極
が重なる領域でのソース電極またはドレイン電極の幅とする。トランジスタＴＡ１のチャ
ネル長は、Ｌａ１であり、チャネル幅はＷａ１である。
膜ＯＳ１は、絶縁膜３４を介して電極ＧＥ１と重なっている。膜ＯＳ１の上面および側面
に接して一対の電極（ＳＥ１、ＤＥ１）が形成されている。図２４（Ａ）に示すように、
膜ＯＳ１は、電極ＧＥ１および一対の電極（ＳＥ１、ＤＥ１）と重ならない部分を有して
いる。膜ＯＳ１は、チャネル長方向の長さがチャネル長Ｌａ１よりも長く、かつチャネル
幅方向の長さがチャネル幅Ｗａ１よりも長い。
膜ＯＳ１、電極ＧＥ１、電極ＳＥ１および電極ＤＥ１を覆って、絶縁膜３５、絶縁膜３６
が形成されている。絶縁膜３６上に電極ＢＧＥ１が形成されている。電極ＢＧＥ１は、膜
ＯＳ１および電極ＧＥ１と重なるように設けられている。ここでは、一例として、電極Ｇ
Ｅ１と同じ形状で、同じ位置に配置されるように電極ＢＧＥ１を設けている。電極ＢＧＥ
１は、絶縁膜３４絶縁膜３５および絶縁膜３６を貫通する開口ＣＧ１において、電極ＧＥ
１に接している。この構造により、トランジスタＴＡ１のゲートとバックゲートが電気的
に接続される。
バックゲート電極ＢＧＥ１をゲート電極ＧＥ１に接続することで、トランジスタＴＡ１の
オン電流を増加させることができる。バックゲート電極ＢＧＥ１を設けることで、トラン
ジスタＴＡ１の強度を向上させることができる。基板３０の曲げ等の変形に対して、電極
ＢＧＥ１が補強部材となってトランジスタＴＡ１を壊れにくくすることができる。
チャネル形成領域を含む膜ＯＳ１は多層構造であり、ここでは、一例として３つの酸化物
半導体膜（３１、３２、３３）でなる３層構造としている。膜ＯＳ１を構成する酸化物半
導体膜は、少なくとも１つ同じ金属元素を含む金属酸化物膜であることが好ましく、Ｉｎ
を含むことが特に好ましい。トランジスタの半導体膜を構成することが可能なＩｎを含む
金属酸化物としては、Ｉｎ−Ｇａ酸化物膜、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物膜（ＭはＡｌ、Ｇａ、
Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、またはＮｄ）が代表的である。また、このような金属酸化物膜に
他の元素や材料を添加した膜を用いることもできる。
『３２』は、トランジスタＴＡ１のチャネル形成領域を構成する膜である。また、『３３
』は、後述するトランジスタＴＡ２およびトランジスタＴＢ１のチャネル形成領域を構成
する膜でもある。そのため、トランジスタＴＡ２およびトランジスタＴＢ１に要求される
電気的特性（例えば、電界効果移動度、しきい値電圧など）に応じて、適切な組成の酸化
物半導体膜を用いればよい。例えば、『３２』にチャネルが形成されるように、酸化物半
導体膜３１−３３の主成分である金属元素の組成を調節することが好ましい。
トランジスタＴＡ１において、『３２』にチャネルが形成されるようにすることで、チャ
ネル形成領域が絶縁膜３４、３５に接しないようにすることができる。また、酸化物半導
体膜３１−３３を少なくとも１つ同じ金属元素を含む金属酸化物膜とすることで、『３２
』と『３１』の界面、および『３２』と『３３』の界面において、界面散乱が起こりにく
くすることができる。これにより、トランジスタＴＡ１の電界効果移動度をトランジスタ
ＴＡ２やトランジスタＴＢ１よりも高くすることができる、また、オン状態でのドレイン
電流（オン電流）を増加させることができる。
［トランジスタＴＡ２］
トランジスタＴＡ２は、ゲート電極ＧＥ２、ソース電極ＳＥ２、ドレイン電極ＤＥ２、バ
ックゲート電極ＢＧＥ２、および酸化物半導体膜ＯＳ２を有する。電極ＢＧＥ２は、絶縁
膜３４乃至絶縁膜３６を貫通する開口ＣＧ２において電極ＧＥ２に接している。トランジ
スタＴＡ２は、トランジスタＴＡ１の変形例であり、膜ＯＳ２が酸化物半導体膜３３でな
る単層構造である点でトランジスタＴＡ１と異なり、その他については同様である。ここ
では、トランジスタＴＡ２のチャネル長Ｌａ２、チャネル幅Ｗａ２は、トランジスタＴＡ
１のチャネル長Ｌａ１、チャネル幅Ｗａ１と等しくなるようにしている。
［トランジスタＴＢ１］
トランジスタＴＢ１は、ゲート電極ＧＥ３、ソース電極ＳＥ３、ドレイン電極ＤＥ３およ
び酸化物半導体膜ＯＳ３を有する。トランジスタＴＢ１は、トランジスタＴＡ２の変形例
である。トランジスタＴＡ２と同様に、膜ＯＳ３が酸化物半導体膜３３でなる単層構造で
ある。トランジスタＴＡ２とは、バックゲート電極を有していない点で異なる。また、膜
ＯＳ３および電極（ＧＥ３、ＳＥ３、ＤＥ３）のレイアウトが異なる。図２４（Ｃ）に示
すように、膜ＯＳ３は、電極ＧＥ３と重なっていない領域は、電極ＳＥ３または電極ＤＥ
３の何れかと重なっている。そのため、トランジスタＴＢ１のチャネル幅Ｗｂ１は、膜Ｏ
Ｓ３の幅で決定されている。チャネル長Ｌｂ１は、トランジスタＴＡ２と同様、電極ＳＥ
３と電極ＤＥ３間の距離で決定され、ここでは、トランジスタＴＡ２のチャネル長Ｌａ２
よりも長くしている。
［絶縁膜］
絶縁膜３４、絶縁膜３５および絶縁膜３６は、基板３０のトランジスタ（ＴＡ１、ＴＡ２
、ＴＢ１）が形成される領域全体に形成される膜である。絶縁膜３４、絶縁膜３５、およ
び絶縁膜３６は、単層あるいは複数層の絶縁膜で形成される。絶縁膜３４は、トランジス
タ（ＴＡ１、ＴＡ２、ＴＢ１）のゲート絶縁膜を構成する膜である。また、絶縁膜３５お
よび絶縁膜３６は、トランジスタ（ＴＡ１、ＴＡ２、ＴＢ１）のバックチャネル側のゲー
ト絶縁膜を構成する膜である。また、最上面の絶縁膜３６は、基板３０に形成されるトラ
ンジスタの保護膜として機能するような材料で形成することが好ましい。絶縁膜３６は適
宜設ければよい。３層目の電極ＢＧＥ１と２層目の電極（ＳＥ１、ＤＥ１）を絶縁するた
めに、これらの間に少なくとも１層絶縁膜が存在していればよい。
絶縁膜３４乃至絶縁膜３６は、単層の絶縁膜で、または２層以上の多層の絶縁膜で形成す
ることができる。これら絶縁膜３４乃至絶縁膜３６を構成する絶縁膜としては、酸化アル
ミニウム、酸化マグネシウム、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒
化シリコン、酸化ガリウム、酸化ゲルマニウム、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、
酸化ランタン、酸化ネオジム、酸化ハフニウムおよび酸化タンタル等でなる膜があげられ
る。また、これらの絶縁膜は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法、ＡＬＤ法または
ＰＬＤ法を用いて形成することができる。
［酸化物半導体膜］
ここでは、ＯＳトランジスタの半導体膜を構成する酸化物半導体膜について説明する。膜
ＯＳ１にように半導体膜を多層構造とする場合、これらを構成する酸化物半導体膜は、少
なくとも１つ同じ金属元素を含む金属酸化物膜であることが好ましく、Ｉｎを含むことが
好ましい。
例えば、『３１』がＩｎ−Ｇａ酸化物膜の場合、Ｉｎの原子数比をＧａの原子数比よりも
小さくする。Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物膜（ＭはＡｌ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、または
Ｎｄ）の場合、Ｉｎの原子数比をＭの原子数比よりも小さくする。この場合、Ｚｎの原子
数比が最も大きくなるようにすることができる。
例えば、『３２』がＩｎ−Ｇａ酸化物膜の場合、Ｉｎの原子数比をＧａの原子数比よりも
大きくする。Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物膜の場合、Ｉｎの原子数比をＭの原子数比よりも大き
くする。Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物膜では、Ｉｎの原子数比がＭおよびＺｎの原子数比よりも
大きくすることが好ましい。
例えば、『３３』がＩｎ−Ｇａ酸化物膜の場合、Ｉｎの原子数比をＧａの原子数比と同じ
にする、または小さくする。Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物膜の場合、Ｉｎの原子数比をＭの原子
数比と同じにする。この場合、Ｚｎの原子数比が、ＩｎおよびＭよりも大きくすることが
できる。ここでは、『３３』は、後述するトランジスタＴＡ２、トランジスタＴＢ１のチ
ャネル形成領域を構成する膜でもある。
酸化物半導体膜３１乃至酸化物半導体膜３３の原子数比は、スパッタリング法で成膜する
場合は、ターゲットの構成材料の原子数比等を調節することで可能である。また、ＣＶＤ
法で成膜する場合は、原料ガスの流量比などを調節することで可能である。以下、酸化物
半導体膜３１乃至酸化物半導体膜３３として、スパッタリング法でＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物
膜を形成する場合を例に、成膜に使用されるターゲットについて述べる。これらの膜を成
膜するために、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物でなるターゲットが用いられる。
『３１』のターゲットの金属元素の原子数比をＩｎ：Ｍ：Ｚｎ＝ｘ１：ｙ１：ｚ１とする
と、ｘ１／ｙ１は、１／６以上１未満であることが好ましい。また、ｚ１／ｙ１は、１／
３以上６以下、さらには１以上６以下であることが好ましい。
ターゲットの金属元素の原子数比の代表例としては、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：３：２、Ｉｎ
：Ｍ：Ｚｎ＝１：３：４、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：３：６、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：３：８、
Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：４：４、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：４：５、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：４：
６、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：４：７、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：４：８、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：
５：５、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：５：６、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：５：７、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝
１：５：８、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：６：８等がある。
『３２』のターゲットの金属元素の原子数比をＩｎ：Ｍ：Ｚｎ＝ｘ２：ｙ２：ｚ２とする
と、ｘ２／ｙ２は、１より大きく６以下であることが好ましい。また、ｚ２／ｙ２は１よ
り大きく６以下であることが好ましい。ターゲットの金属元素の原子数比の代表例として
は、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝２：１：１．５、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝２：１：２．３、Ｉｎ：Ｍ：Ｚ
ｎ＝２：１：３、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝３：１：２、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝３：１：３、Ｉｎ：Ｍ
：Ｚｎ＝３：１：４等がある。
『３３』のターゲットの金属元素の原子数比をＩｎ：Ｍ：Ｚｎ＝ｘ３：ｙ３：ｚ３とする
と、ｘ３／ｙ３は、１／６以上１以下であることが好ましい。また、ｚ３／ｙ３は、１／
３以上６以下、さらには１以上６以下であることが好ましい。ターゲットの金属元素の原
子数比の代表例としては、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１．
２、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：３：２、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：３：４、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：
３：６、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：３：８、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：４：４、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝
１：４：５、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：４：６、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：４：７、Ｉｎ：Ｍ：Ｚ
ｎ＝１：４：８、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：５：５、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：５：６、Ｉｎ：Ｍ
：Ｚｎ＝１：５：７、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：５：８、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：６：８等があ
る。
Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物膜の成膜用ターゲットにおいて、金属元素の原子数比をＩｎ：Ｍ：
Ｚｎ＝ｘ：ｙ：ｚとした場合、１≦ｚ／ｙ≦６とすることで、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物膜と
してＣＡＡＣ−ＯＳ膜が形成されやすくなるため好ましい。なお、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜につ
いては後述する。
酸化物半導体膜３１乃至酸化物半導体膜３３としては、キャリア密度の低い酸化物半導体
膜を用いる。例えば、酸化物半導体膜３１乃至酸化物半導体膜３３として、キャリア密度
が１×１０１７個／ｃｍ３以下、好ましくは１×１０１５個／ｃｍ３以下、さらに好まし
くは１×１０１３個／ｃｍ３以下の酸化物半導体膜を用いる。特に、酸化物半導体膜３１
乃至酸化物半導体膜３３として、キャリア密度が、８×１０１１個／ｃｍ３未満、より好
ましくは１×１０１１個／ｃｍ３未満、さらに好ましくは１×１０１０個／ｃｍ３未満で
あり、且つ、１×１０−９個／ｃｍ３以上の酸化物半導体膜を用いることが好ましい。
酸化物半導体膜３１乃至酸化物半導体膜３３として、不純物濃度が低く、欠陥準位密度の
低い酸化物半導体膜を用いることで、さらに優れた電気的特性を有するトランジスタを作
製することができる。ここでは、不純物濃度が低く、欠陥準位密度の低い（酸素欠損の少
ない）ことを高純度真性または実質的に高純度真性とよぶ。高純度真性または実質的に高
純度真性である酸化物半導体は、キャリア発生源が少ないため、キャリア密度を低くする
ことができる場合がある。従って、当該酸化物半導体膜にチャネル領域が形成されるトラ
ンジスタは、しきい値電圧がマイナスとなる電気的特性（ノーマリオンともいう。）にな
ることが少ない。また、高純度真性または実質的に高純度真性である酸化物半導体膜は、
欠陥準位密度が低いため、トラップ準位密度も低くなる場合がある。また、高純度真性ま
たは実質的に高純度真性である酸化物半導体膜は、オフ電流が著しく小さく、チャネル幅
が１×１０６μｍでチャネル長Ｌが１０μｍの素子であっても、ソース電極とドレイン電
極間の電圧（ドレイン電圧）が１Ｖから１０Ｖの範囲において、オフ電流が、半導体パラ
メータアナライザの測定限界以下、すなわち１×１０−１３Ａ以下という特性を得ること
ができる。従って、当該酸化物半導体膜にチャネル領域が形成されるトランジスタは、電
気的特性の変動が小さく、信頼性の高いトランジスタとなる。不純物としては、水素、窒
素、アルカリ金属、またはアルカリ土類金属等がある。
酸化物半導体膜に含まれる水素は金属原子と結合する酸素と反応して水になると共に、酸
素が脱離した格子（または酸素が脱離した部分）に酸素欠損が形成される。当該酸素欠損
に水素が入ることで、キャリアである電子が生成される場合がある。また、水素の一部が
金属原子と結合する酸素と結合することで、キャリアである電子を生成する場合がある。
従って、水素が含まれている酸化物半導体を用いたトランジスタはノーマリオン特性とな
りやすい。
このため、酸化物半導体膜３１乃至酸化物半導体膜３３は酸素欠損と共に、水素ができる
限り低減されていることが好ましい。具体的には、酸化物半導体膜３１乃至酸化物半導体
膜３３において、二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ：Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ Ｉｏｎ Ｍａ
ｓｓ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）により得られる水素濃度を、５×１０１９ａｔｏｍｓ
／ｃｍ３以下、より好ましくは１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、５×１０１８ａｔ
ｏｍｓ／ｃｍ３未満、好ましくは１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、より好ましくは
５×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、さらに好ましくは１×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ
３以下とする。
酸化物半導体膜３１乃至酸化物半導体膜３３に第１４族元素の一つであるシリコンや炭素
が含まれると、膜中の酸素欠損が増加し、これらの膜がｎ型化してしまう。このため、酸
化物半導体膜３１乃至酸化物半導体膜３３におけるシリコンや炭素の濃度（二次イオン質
量分析法により得られる濃度）を、２×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、好ましくは２
×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下とする。
また、酸化物半導体膜３１乃至酸化物半導体膜３３において、二次イオン質量分析法によ
り得られるアルカリ金属またはアルカリ土類金属の濃度を、１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃ
ｍ３以下、好ましくは２×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下にする。アルカリ金属および
アルカリ土類金属は、酸化物半導体と結合するとキャリアを生成する場合があり、トラン
ジスタのオフ電流が増大してしまうことがある。このため、酸化物半導体膜３１乃至酸化
物半導体膜３３のアルカリ金属またはアルカリ土類金属の濃度を低減することが好ましい
。
酸化物半導体膜３１乃至酸化物半導体膜３３に窒素が含まれていると、キャリアである電
子が生じ、キャリア密度が増加し、ｎ型化しやすい。そのため窒素が含まれている酸化物
半導体を用いたトランジスタはノーマリオン特性となりやすいので、酸化物半導体膜３１
乃至酸化物半導体膜３３の窒素含有量はできる限り低減されていることが好ましい、例え
ば、二次イオン質量分析法により得られる窒素濃度を５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以
下にすることが好ましい。
以上、酸化物半導体膜３１乃至酸化物半導体膜３３について述べたが、これらに限られず
、必要とするトランジスタの半導体特性および電気的特性（電界効果移動度、しきい値電
圧等）に応じて適切な組成の酸化物半導体膜を用いればよい。また、必要とするトランジ
スタの半導体特性および電気的特性を得るために、酸化物半導体膜３１乃至酸化物半導体
膜３３のキャリア密度や不純物濃度、欠陥密度、金属元素と酸素の原子数比、原子間距離
、密度等を適切なものとすることが好ましい。
トランジスタＴＡ１は、ＧａまたはＭ（ＭはＡｌ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、または
Ｎｄ）の原子数比よりもＩｎの原子数比が大きい酸化物半導体膜３２でチャネルが形成さ
れるため、電界効果移動度を高くすることができる。代表的には、その電界効果移動度は
、１０ｃｍ２／Ｖｓより大きく６０ｃｍ２／Ｖｓ未満、好ましくは１５ｃｍ２／Ｖｓ以上
５０ｃｍ２／Ｖｓ未満である。そのため、アクティブマトリクス型表示装置の回路にトラ
ンジスタＴＡ１を用いる場合は、高速動作が要求される駆動回路に好適である。
また、トランジスタＴＡ１は、遮光された領域に、設けることが好ましい。また高い電界
効果移動度を有するトランジスタＴＡ１を駆動回路に設けることで、駆動周波数を高くす
ることができるため、より高精細な表示装置を実現することができる。
チャネル形成領域が酸化物半導体膜３３で形成されるトランジスタＴＡ２、ＴＢ１は、ト
ランジスタＴＡ１よりも電界効果移動度が低く、その大きさは、３ｃｍ２／Ｖｓ以上１０
ｃｍ２／Ｖｓ以下程度である。トランジスタＴＡ２、ＴＢ１は、酸化物半導体膜３２を有
していないため、トランジスタＴＡ１よりも光によって劣化しにくく、光照射によるオフ
電流の増大量が少ない。そのため、チャネル形成領域が酸化物半導体膜３３で形成される
トランジスタＴＡ２、ＴＢ１は光が照射されるような画素部に好適である。
トランジスタＴＡ１は、酸化物半導体膜３２を有しないトランジスタＴＡ２と比較して、
光が照射されるとオフ状態における電流が増大しやすい。トランジスタＴＡ１が画素部の
ように遮光が十分できない画素部よりも光の影響が少ない周辺駆動回路に適している理由
の１つである。また、もちろん、トランジスタＴＡ２、ＴＢ１のような構成のトランジス
タも、駆動回路に設けることが可能である。
以上、トランジスタ（ＴＡ１、ＴＡ２、ＴＢ１）と酸化物半導体膜３１乃至酸化物半導体
膜３３について述べたが、これらに限られず、必要とするトランジスタの半導体特性およ
び電気的特性に応じて、トランジスタの構成を変更すればよい。例えば、バックゲート電
極の有無、酸化物半導体膜の積層構造、酸化物半導体膜、ゲート電極、ソース電極および
ドレイン電極の形状や配置等を適宜変更することができる。
［酸化物半導体の構造］
次に、酸化物半導体の構造について説明する。
なお本明細書において、「平行」とは、二つの直線が−１０°以上１０°以下の角度で配
置されている状態をいう。したがって、−５°以上５°以下の場合も含まれる。また、「
略平行」とは、二つの直線が−３０°以上３０°以下の角度で配置されている状態をいう
。また、「垂直」とは、二つの直線が８０°以上１００°以下の角度で配置されている状
態をいう。したがって、８５°以上９５°以下の場合も含まれる。また、「略垂直」とは
、二つの直線が６０°以上１２０°以下の角度で配置されている状態をいう。
また、本明細書において、結晶が三方晶または菱面体晶である場合、六方晶系として表す
。
酸化物半導体膜は、非単結晶酸化物半導体膜と単結晶酸化物半導体膜とに分けられる。ま
たは、酸化物半導体は、例えば、結晶性酸化物半導体と非晶質酸化物半導体とに分けられ
る。
なお、非単結晶酸化物半導体としては、ＣＡＡＣ−ＯＳ（Ｃ Ａｘｉｓ Ａｌｉｇｎｅｄ
Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、多結晶酸化物
半導体、微結晶酸化物半導体、非晶質酸化物半導体などがある。また、結晶性酸化物半導
体としては、単結晶酸化物半導体、ＣＡＡＣ−ＯＳ、多結晶酸化物半導体、微結晶酸化物
半導体などがある。
まずは、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜について説明する。
ＣＡＡＣ−ＯＳ膜は、ｃ軸配向した複数の結晶部を有する酸化物半導体膜の一つである。
透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ：Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏ
ｓｃｏｐｅ）によって、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の明視野像および回折パターンの複合解析像（
高分解能ＴＥＭ像ともいう。）を観察することで複数の結晶部を確認することができる。
一方、高分解能ＴＥＭ像によっても明確な結晶部同士の境界、即ち結晶粒界（グレインバ
ウンダリーともいう。）を確認することができない。そのため、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜は、結
晶粒界に起因する電子移動度の低下が起こりにくいといえる。
試料面と略平行な方向から、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の断面の高分解能ＴＥＭ像を観察すると、
結晶部において、金属原子が層状に配列していることを確認できる。金属原子の各層は、
ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の膜を形成する面（被形成面ともいう。）または上面の凹凸を反映した
形状であり、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の被形成面または上面と平行に配列する。
一方、試料面と略垂直な方向から、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の平面の高分解能ＴＥＭ像を観察す
ると、結晶部において、金属原子が三角形状または六角形状に配列していることを確認で
きる。しかしながら、異なる結晶部間で、金属原子の配列に規則性は見られない。
ＣＡＡＣ−ＯＳ膜に対し、Ｘ線回折（ＸＲＤ：Ｘ−Ｒａｙ Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）装
置を用いて構造解析を行うと、例えばＩｎＧａＺｎＯ４の結晶を有するＣＡＡＣ−ＯＳ膜
のｏｕｔ−ｏｆ−ｐｌａｎｅ法による解析では、回折角（２θ）が３１°近傍にピークが
現れる場合がある。このピークは、ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶の（００９）面に帰属される
ことから、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の結晶がｃ軸配向性を有し、ｃ軸が被形成面または上面に略
垂直な方向を向いていることが確認できる。
なお、ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶を有するＣＡＡＣ−ＯＳ膜のｏｕｔ−ｏｆ−ｐｌａｎｅ法
による解析では、２θが３１°近傍のピークの他に、２θが３６°近傍にもピークが現れ
る場合がある。２θが３６°近傍のピークは、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜中の一部に、ｃ軸配向性
を有さない結晶が含まれることを示している。ＣＡＡＣ−ＯＳ膜は、２θが３１°近傍に
ピークを示し、２θが３６°近傍にピークを示さないことが好ましい。
ＣＡＡＣ−ＯＳ膜は、不純物濃度の低い酸化物半導体膜である。不純物は、水素、炭素、
シリコン、遷移金属元素などの酸化物半導体膜の主成分以外の元素である。特に、シリコ
ンなどの、酸化物半導体膜を構成する金属元素よりも酸素との結合力の強い元素は、酸化
物半導体膜から酸素を奪うことで酸化物半導体膜の原子配列を乱し、結晶性を低下させる
要因となる。また、鉄やニッケルなどの重金属、アルゴン、二酸化炭素などは、原子半径
（または分子半径）が大きいため、酸化物半導体膜内部に含まれると、酸化物半導体膜の
原子配列を乱し、結晶性を低下させる要因となる。なお、酸化物半導体膜に含まれる不純
物は、キャリアトラップやキャリア発生源となる場合がある。
また、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜は、欠陥準位密度の低い酸化物半導体膜である。例えば、酸化物
半導体膜中の酸素欠損は、キャリアトラップとなることや、水素を捕獲することによって
キャリア発生源となることがある。
不純物濃度が低く、欠陥準位密度が低い（酸素欠損の少ない）ことを、高純度真性または
実質的に高純度真性と呼ぶ。高純度真性または実質的に高純度真性である酸化物半導体膜
は、キャリア発生源が少ないため、キャリア密度を低くすることができる。したがって、
当該酸化物半導体膜を用いたトランジスタは、しきい値電圧がマイナスとなる電気特性（
ノーマリーオンともいう。）になることが少ない。また、高純度真性または実質的に高純
度真性である酸化物半導体膜は、キャリアトラップが少ない。そのため、当該酸化物半導
体膜を用いたトランジスタは、電気特性の変動が小さく、信頼性の高いトランジスタとな
る。なお、酸化物半導体膜のキャリアトラップに捕獲された電荷は、放出するまでに要す
る時間が長く、あたかも固定電荷のように振る舞うことがある。そのため、不純物濃度が
高く、欠陥準位密度が高い酸化物半導体膜を用いたトランジスタは、電気特性が不安定と
なる場合がある。
また、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜を用いたトランジスタは、可視光や紫外光の照射による電気特性
の変動が小さい。
次に、微結晶酸化物半導体膜について説明する。
微結晶酸化物半導体膜は、高分解能ＴＥＭ像において、結晶部を確認することのできる領
域と、明確な結晶部を確認することのできない領域と、を有する。微結晶酸化物半導体膜
に含まれる結晶部は、１ｎｍ以上１００ｎｍ以下、または１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の大き
さであることが多い。特に、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下、または１ｎｍ以上３ｎｍ以下の微
結晶であるナノ結晶（ｎｃ：ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌ）を有する酸化物半導体膜を、ｎｃ
−ＯＳ（ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）
膜と呼ぶ。また、ｎｃ−ＯＳ膜は、例えば、高分解能ＴＥＭ像では、結晶粒界を明確に確
認できない場合がある。
ｎｃ−ＯＳ膜は、微小な領域（例えば、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の領域、特に１ｎｍ以上
３ｎｍ以下の領域）において原子配列に周期性を有する。また、ｎｃ−ＯＳ膜は、異なる
結晶部間で結晶方位に規則性が見られない。そのため、膜全体で配向性が見られない。し
たがって、ｎｃ−ＯＳ膜は、分析方法によっては、非晶質酸化物半導体膜と区別が付かな
い場合がある。例えば、ｎｃ−ＯＳ膜に対し、結晶部よりも大きい径のＸ線を用いるＸＲ
Ｄ装置を用いて構造解析を行うと、ｏｕｔ−ｏｆ−ｐｌａｎｅ法による解析では、結晶面
を示すピークが検出されない。また、ｎｃ−ＯＳ膜に対し、結晶部よりも大きいプローブ
径（例えば５０ｎｍ以上）の電子線を用いる電子回折（制限視野電子回折ともいう。）を
行うと、ハローパターンのような回折パターンが観測される。一方、ｎｃ−ＯＳ膜に対し
、結晶部の大きさと近いか結晶部より小さいプローブ径の電子線を用いるナノビーム電子
回折を行うと、スポットが観測される。また、ｎｃ−ＯＳ膜に対しナノビーム電子回折を
行うと、円を描くように（リング状に）輝度の高い領域が観測される場合がある。また、
ｎｃ−ＯＳ膜に対しナノビーム電子回折を行うと、リング状の領域内に複数のスポットが
観測される場合がある。
ｎｃ−ＯＳ膜は、非晶質酸化物半導体膜よりも規則性の高い酸化物半導体膜である。その
ため、ｎｃ−ＯＳ膜は、非晶質酸化物半導体膜よりも欠陥準位密度が低くなる。ただし、
ｎｃ−ＯＳ膜は、異なる結晶部間で結晶方位に規則性が見られない。そのため、ｎｃ−Ｏ
Ｓ膜は、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜と比べて欠陥準位密度が高くなる。
次に、非晶質酸化物半導体膜について説明する。
非晶質酸化物半導体膜は、膜中における原子配列が不規則であり、結晶部を有さない酸化
物半導体膜である。石英のような無定形状態を有する酸化物半導体膜が一例である。
非晶質酸化物半導体膜は、高分解能ＴＥＭ像において結晶部を確認することができない。
非晶質酸化物半導体膜に対し、ＸＲＤ装置を用いた構造解析を行うと、ｏｕｔ−ｏｆ−ｐ
ｌａｎｅ法による解析では、結晶面を示すピークが検出されない。また、非晶質酸化物半
導体膜に対し、電子回折を行うと、ハローパターンが観測される。また、非晶質酸化物半
導体膜に対し、ナノビーム電子回折を行うと、スポットが観測されず、ハローパターンが
観測される。
なお、酸化物半導体膜は、ｎｃ−ＯＳ膜と非晶質酸化物半導体膜との間の物性を示す構造
を有する場合がある。そのような構造を有する酸化物半導体膜を、特に非晶質ライク酸化
物半導体（ａ−ｌｉｋｅ ＯＳ：ａｍｏｒｐｈｏｕｓ−ｌｉｋｅ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉ
ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）膜と呼ぶ。
ａ−ｌｉｋｅ ＯＳ膜は、高分解能ＴＥＭ像において鬆（ボイドともいう。）が観察され
る場合がある。また、高分解能ＴＥＭ像において、明確に結晶部を確認することのできる
領域と、結晶部を確認することのできない領域と、を有する。ａ−ｌｉｋｅ ＯＳ膜は、
ＴＥＭによる観察程度の微量な電子照射によって、結晶化が起こり、結晶部の成長が見ら
れる場合がある。一方、良質なｎｃ−ＯＳ膜であれば、ＴＥＭによる観察程度の微量な電
子照射による結晶化はほとんど見られない。
なお、ａ−ｌｉｋｅ ＯＳ膜およびｎｃ−ＯＳ膜の結晶部の大きさの計測は、高分解能Ｔ
ＥＭ像を用いて行うことができる。例えば、ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶は層状構造を有し、
Ｉｎ−Ｏ層の間に、Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ層を２層有する。ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶の単位格子
は、Ｉｎ−Ｏ層を３層有し、またＧａ−Ｚｎ−Ｏ層を６層有する、計９層がｃ軸方向に層
状に重なった構造を有する。よって、これらの近接する層同士の間隔は、（００９）面の
格子面間隔（ｄ値ともいう。）と同程度であり、結晶構造解析からその値は０．２９ｎｍ
と求められている。そのため、高分解能ＴＥＭ像における格子縞に着目し、格子縞の間隔
が０．２８ｎｍ以上０．３０ｎｍ以下である箇所においては、それぞれの格子縞がＩｎＧ
ａＺｎＯ４の結晶のａ−ｂ面に対応する。
また、酸化物半導体膜は、構造ごとに密度が異なる場合がある。例えば、ある酸化物半導
体膜の組成がわかれば、該組成と同じ組成における単結晶の密度と比較することにより、
その酸化物半導体膜の構造を推定することができる。例えば、単結晶の密度に対し、ａ−
ｌｉｋｅ ＯＳ膜の密度は７８．６％以上９２．３％未満となる。また、例えば、単結晶
の密度に対し、ｎｃ−ＯＳ膜の密度およびＣＡＡＣ−ＯＳ膜の密度は９２．３％以上１０
０％未満となる。なお、単結晶の密度に対し密度が７８％未満となる酸化物半導体膜は、
成膜すること自体が困難である。
上記について、具体例を用いて説明する。例えば、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１［原子
数比］を満たす酸化物半導体膜において、菱面体晶構造を有する単結晶ＩｎＧａＺｎＯ４
の密度は６．３５７ｇ／ｃｍ３となる。よって、例えば、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１
［原子数比］を満たす酸化物半導体膜において、ａ−ｌｉｋｅ ＯＳ膜の密度は５．０ｇ
／ｃｍ３以上５．９ｇ／ｃｍ３未満となる。また、例えば、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：
１［原子数比］を満たす酸化物半導体膜において、ｎｃ−ＯＳ膜の密度およびＣＡＡＣ−
ＯＳ膜の密度は５．９ｇ／ｃｍ３以上６．３ｇ／ｃｍ３未満となる。
なお、同じ組成の単結晶が存在しない場合がある。その場合、任意の割合で組成の異なる
単結晶を組み合わせることにより、所望の組成の単結晶に相当する密度を算出することが
できる。所望の組成の単結晶の密度は、組成の異なる単結晶を組み合わせる割合に対して
、加重平均を用いて算出すればよい。ただし、密度は、可能な限り少ない種類の単結晶を
組み合わせて算出することが好ましい。
なお、酸化物半導体膜は、例えば、非晶質酸化物半導体膜、ａ−ｌｉｋｅ ＯＳ膜、微結
晶酸化物半導体膜、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜のうち、二種以上を有する積層膜であってもよい。
以上説明したようにＯＳトランジスタは、極めて優れたオフ電流特性を実現できる。
［基板３０］
基板３０としては、様々な基板を用いることができ、特定のものに限定されることはない
。基板３０の一例としては、半導体基板（例えば単結晶基板またはシリコン基板）、ＳＯ
Ｉ基板、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板、金属基板、ステンレス・スチル基板
、ステンレス・スチル・ホイルを有する基板、タングステン基板、タングステン・ホイル
を有する基板、可撓性基板、貼り合わせフィルム、繊維状の材料を含む紙、または基材フ
ィルムなどがある。ガラス基板の一例としては、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホ
ウケイ酸ガラス、またはソーダライムガラスなどがある。可撓性基板、貼り合わせフィル
ム、基材フィルムなどの一例としては、以下のものがあげられる。例えば、ポリエチレン
テレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルフ
ォン（ＰＥＳ）に代表されるプラスチックがある。または、一例としては、アクリル等の
合成樹脂などがある。または、一例としては、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリフッ
化ビニル、またはポリ塩化ビニルなどがある。または、一例としては、ポリアミド、ポリ
イミド、アラミド、エポキシ、無機蒸着フィルム、または紙類などがある。特に、半導体
基板、単結晶基板、またはＳＯＩ基板などを用いてトランジスタを製造することによって
、特性、サイズ、または形状などのばらつきが少なく、電流能力が高く、サイズの小さい
トランジスタを製造することができる。このようなトランジスタによって回路を構成する
と、回路の低消費電力化、または回路の高集積化を図ることができる。
ゲート電極（ＧＥ１、ＧＥ２、ＧＥ３）を形成する前に、基板３０上に下地絶縁膜を形成
してもよい。下地絶縁膜としては、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化シリコン、窒
化酸化シリコン、酸化ガリウム、酸化ハフニウム、酸化イットリウム、酸化アルミニウム
、酸化窒化アルミニウム等がある。なお、下地絶縁膜として、窒化シリコン、酸化ガリウ
ム、酸化ハフニウム、酸化イットリウム、酸化アルミニウム等を用いることで、基板３０
から不純物（代表的にはアルカリ金属、水、水素等）が酸化物半導体膜（ＯＳ１−ＯＳ３
）への拡散を抑制することができる。
［ゲート電極（ＧＥ１、ＧＥ２、ＧＥ３）］
ゲート電極（ＧＥ１、ＧＥ２、ＧＥ３）は、単層の導電膜、または２つ以上の導電膜が積
層された多層構造の膜である。ゲート電極（ＧＥ１、ＧＥ２、ＧＥ３）として形成される
導電膜は、アルミニウム、クロム、銅、タンタル、チタン、モリブデン、タングステンか
ら選ばれた金属元素、または上述した金属元素を成分とする合金か、上述した金属元素を
組み合わせた合金等を用いて形成することができる。また、マンガン、ジルコニウムのい
ずれか一または複数から選択された金属元素を用いてもよい。また、アルミニウムに、チ
タン、タンタル、タングステン、モリブデン、クロム、ネオジム、スカンジウムから選ば
れた一または複数を組み合わせた合金膜、もしくは窒化膜を用いてもよい。また、インジ
ウム錫酸化物、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むイン
ジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫
酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化シリコンを含むインジウム錫酸化物等の透光性を有
する導電性材料を適用することもできる。
例えば、ゲート電極（ＧＥ１、ＧＥ２、ＧＥ３）として、シリコンを含むアルミニウム膜
を形成することができる。ゲート電極（ＧＥ１、ＧＥ２、ＧＥ３）を２層構造とする場合
は、例えば、アルミニウム膜上にチタン膜を形成する、窒化チタン膜上にチタン膜を形成
する、窒化チタン膜上にタングステン膜を形成する、窒化タンタル膜または窒化タングス
テン膜上にタングステン膜を形成すればよい。また、ゲート電極（ＧＥ１、ＧＥ２、ＧＥ
３）を３層構造とする場合は、例えば、チタン膜と、そのチタン膜上にアルミニウム膜を
積層し、さらにその上にチタン膜を形成すればよい。
スパッタリング法、真空蒸着法、パルスレーザー堆積（ＰＬＤ）法、熱ＣＶＤ法等により
ゲート電極（ＧＥ１、ＧＥ２、ＧＥ３）を形成する。
なお、タングステン膜はＡＬＤを利用する成膜装置により成膜することができる。この場
合には、ＷＦ６ガスとＢ２Ｈ６ガスを順次繰り返し導入して初期タングステン膜を形成し
、その後、ＷＦ６ガスとＨ２ガスを用いてタングステン膜を形成する。なお、Ｂ２Ｈ６ガ
スに代えてＳｉＨ４ガスを用いてもよい。
ゲート電極ＧＥ１−ＧＥ３の形成は、上記形成方法の他に、電解メッキ法、印刷法、イン
クジェット法等で行うことが可能である。
［絶縁膜３４（ゲート絶縁膜）］
ゲート電極ＧＥ１−ＧＥ３を覆って、絶縁膜３４を形成する。絶縁膜３４は、単層の絶縁
膜あるいは２層以上の多層構造の絶縁膜である。絶縁膜３４として形成される絶縁膜は、
酸化物絶縁膜、窒化物絶縁膜、酸化窒化絶縁膜、および窒化酸化絶縁膜等が挙げられる。
なお、本明細書において、酸化窒化物とは、窒素より酸素の含有量が多い材料であり、窒
化酸化物とは酸素より窒素の含有量が多い材料とする。
絶縁膜３４として形成される絶縁膜としては、例えば、酸化シリコン、酸化窒化シリコン
、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化ガリウム
またはＧａ−Ｚｎ系金属酸化物などでなる絶縁膜を形成することができる。また、このよ
うな絶縁膜として、ハフニウムシリケート（ＨｆＳｉＯｘ）、窒素が添加されたハフニウ
ムシリケート（ＨｆＳｉｘＯｙＮｚ）、窒素が添加されたハフニウムアルミネート（Ｈｆ
ＡｌｘＯｙＮｚ）、酸化ハフニウム、酸化イットリウムなどのｈｉｇｈ−ｋ材料でなる膜
を形成することができる。ｈｉｇｈ−ｋ材料を用いることでトランジスタのゲートリーク
を低減できる。
絶縁膜３４はゲート絶縁膜を構成する膜であるため、酸化物半導体膜（ＯＳ１、ＯＳ２、
ＯＳ３）とゲート絶縁膜との界面特性を向上させるため、絶縁膜３４においてこれらの層
（ＯＳ１、ＯＳ２、ＯＳ３）と接する領域は酸化物絶縁膜あるいは酸化窒化絶縁膜で形成
することが好ましい。例えば、絶縁膜３４の最上層の膜は、酸化シリコン膜あるいは酸化
窒化シリコン膜とすればよい。
絶縁膜３４の厚さは、例えば５ｎｍ以上４００ｎｍ以下とすればよい。その厚さは、好ま
しくは１０ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、より好ましくは５０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下
である。
スパッタリング法で酸化物半導体膜（ＯＳ１、ＯＳ２、ＯＳ３）を形成する場合、プラズ
マを発生させるための電源装置は、ＲＦ電源装置、ＡＣ電源装置、ＤＣ電源装置等を適宜
用いることができる。
スパッタリングガスは、希ガス（代表的にはアルゴン）雰囲気、酸素雰囲気、希ガスおよ
び酸素の混合ガスを適宜用いる。なお、希ガスおよび酸素の混合ガスの場合、希ガスに対
して酸素のガス比を高めることが好ましい。
また、ターゲットは、形成する酸化物半導体膜（ＯＳ１、ＯＳ２、ＯＳ３）の組成にあわ
せて、適宜選択すればよい。
なお、酸化物半導体膜（ＯＳ１、ＯＳ２、ＯＳ３）の形成にスパッタリング法を用いる場
合、基板温度を１５０℃以上７５０℃以下、好ましくは１５０℃以上４５０℃以下、さら
に好ましくは２００℃以上３５０℃以下とすることで、酸化物半導体膜３１−３２として
、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜を形成することができる。
また、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜を成膜するために、以下の条件を適用することが好ましい。
成膜時の不純物混入を抑制することで、不純物によって結晶状態が崩れることを抑制でき
る。例えば、成膜室内に存在する不純物濃度（水素、水、二酸化炭素および窒素など）を
低減すればよい。また、成膜ガス中の不純物濃度を低減すればよい。具体的には、露点が
−８０℃以下、好ましくは−１００℃以下である成膜ガスを用いる。
また、成膜ガス中の酸素割合を高め、電力を最適化することで成膜時のプラズマダメージ
を軽減すると好ましい。成膜ガス中の酸素割合は、３０体積％以上が好ましく、１００体
積％がより好ましい。
酸化物半導体膜を加熱しながら成膜することで、あるいは酸化物半導体膜を形成した後、
加熱処理を行うことで、酸化物半導体膜の水素濃度を２×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以
下、好ましくは５×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、より好ましくは１×１０１９ａｔ
ｏｍｓ／ｃｍ３以下、５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満、好ましくは１×１０１８ａ
ｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、より好ましくは５×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、さらに好
ましくは１×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下とすることができる。
なお、加熱処理は、３５０℃より高く６５０℃以下、好ましくは４５０℃以上６００℃以
下で行うことで、後述するＣＡＡＣ化率が、７０％以上１００％未満、好ましくは８０％
以上１００％未満、好ましくは９０％以上１００％未満、より好ましくは９５％以上９８
％以下である酸化物半導体膜を得ることができる。また、水素、水等の含有量が低減され
た酸化物半導体膜を得ることが可能である。すなわち、不純物濃度が低く、欠陥準位密度
の低い酸化物半導体膜を形成することができる。
ＡＬＤを利用する成膜装置により酸化物半導体膜を形成することができる。例えばＩｎＧ
ａＺｎＯＸ（Ｘ＞０）膜を成膜する場合には、Ｉｎ（ＣＨ３）３ガスとＯ３ガスを順次繰
り返し導入してＩｎＯ２層を形成し、その後、Ｇａ（ＣＨ３）３ガスとＯ３ガスを用いて
ＧａＯ層を形成し、更にその後Ｚｎ（ＣＨ３）２ガスとＯ３ガスを用いてＺｎＯ層を形成
する。なお、これらの層の順番はこの例に限らない。また、これらのガスを混ぜてＩｎＧ
ａＯ２層やＩｎＺｎＯ２層、ＧａＩｎＯ層、ＺｎＩｎＯ層、ＧａＺｎＯ層などの混合化合
物層を形成してもよい。なお、Ｏ３ガスに変えてＡｒ等の不活性ガスでバブリングしたＨ
２Ｏガスを用いてもよいが、Ｈを含まないＯ３ガスを用いる方が好ましい。また、Ｉｎ（
ＣＨ３）３ガスにかえて、Ｉｎ（Ｃ２Ｈ５）３ガスを用いてもよい。また、Ｇａ（ＣＨ３
）３ガスにかえて、Ｇａ（Ｃ２Ｈ５）３ガスを用いてもよい。また、Ｚｎ（ＣＨ３）２ガ
スを用いてもよい。
酸化物半導体膜３２、および酸化物半導体膜３３は、トランジスタのチャネルが形成され
る膜であり、その膜厚を３ｎｍ以上２００ｎｍ以下とすることができる。それらの厚さは
、好ましくは３ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、さらに好ましくは３０ｎｍ以上５０ｎｍ
以下である。酸化物半導体膜３１の膜厚は例えば、３ｎｍ以上１００ｎｍ以下とすること
ができ、好ましくは３ｎｍ以上３０ｎｍ以下であり、より好ましくは３ｎｍ以上１５ｎｍ
以下である。酸化物半導体膜３１は、酸化物半導体膜３２、酸化物半導体膜３３よりも薄
く形成することが好ましい。
ここでは、酸化物半導体膜３１、３２、３３として、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ膜をスパッタリン
グ法で成膜する。これらの成膜に用いられるターゲットの金属元素の原子数比（Ｉｎ：Ｇ
ａ：Ｚｎ）は、例えば、酸化物半導体膜３１は１：３：６であり、酸化物半導体膜３２は
３：１：２であり、酸化物半導体膜３３は、１：１：１．２または１：１：１とすること
ができる。また、酸化物半導体膜３１、３２、３３の厚さは、それぞれ、５ｎｍ、３５ｎ
ｍ、３５ｎｍとすることができる。
［ソース電極、ドレイン電極］
電極（ＳＥ１、ＤＥ１、ＳＥ２、ＤＥ２、ＳＥ３、ＤＥ３）はゲート電極（ＧＥ１、ＧＥ
２、ＧＥ３）と同様に形成することができる。
例えば、厚さ５０ｎｍの銅−マンガン合金膜、厚さ４００ｎｍの銅膜、および厚さ１００
ｎｍの銅−マンガン合金膜の順に、これらの膜をスパッタリング法により積層することで
、３層構造の電極（ＳＥ１、ＤＥ１、ＳＥ２、ＤＥ２、ＳＥ３、ＤＥ３）を形成すること
ができる。
発光装置の駆動回路などに用いられるトランジスタのように、高速で動作させるトランジ
スタには、トランジスタ（ＴＡ１、ＴＡ２）、あるいはトランジスタ（ＴＡ３、ＴＡ４、
ＴＣ１）のように、チャネル長を短くすることが好ましい。このようなトランジスタのチ
ャネル長は、２．５μｍ未満とすることが好ましい。例えば、２．２μｍ以下とすればよ
い。本実施の形態のトランジスタでは、チャネル長はソース電極とドレイン電極間の距離
で決定されるため、チャネル長の最小値は、電極（ＳＥ１、ＤＥ１、ＳＥ２、ＤＥ２、Ｓ
Ｅ３、ＤＥ３）となる導電膜を加工する精度で制約される。本実施の形態のトランジスタ
では、例えば、チャネル長は０．５μｍ以上、あるいは１．０μｍ以上とすることができ
る。
［絶縁膜３５、３６］
例えば、『３５』としては、２層構造の絶縁膜を形成することができる。ここでは、『３
５』の１層目の膜を絶縁膜３５ａと呼び、２層目の膜を絶縁膜３５ｂと呼ぶことにする。
絶縁膜３５ａとしては、例えば酸化シリコンなどでなる酸化物絶縁膜、あるいは窒素を含
み、且つ欠陥量の少ない酸化物絶縁膜を形成することができる。窒素を含み、且つ欠陥量
の少ない酸化物絶縁膜の代表例としては、酸化窒化シリコン膜、酸化窒化アルミニウム膜
等がある。
欠陥の少ない酸化物絶縁膜は、１００Ｋ以下のＥＳＲで測定して得られたスペクトルにお
いてｇ値が２．０３７以上２．０３９以下の第１のシグナル、ｇ値が２．００１以上２．
００３以下の第２のシグナル、およびｇ値が１．９６４以上１．９６６以下の第３のシグ
ナルが観測される。なお、第１のシグナルおよび第２のシグナルのスプリット幅、並びに
第２のシグナルおよび第３のシグナルのスプリット幅は、ＸバンドのＥＳＲ測定において
約５ｍＴである。また、ｇ値が２．０３７以上２．０３９以下の第１のシグナル、ｇ値が
２．００１以上２．００３以下の第２のシグナル、およびｇ値が１．９６４以上１．９６
６以下である第３のシグナルのスピンの密度の合計が１×１０１８ｓｐｉｎｓ／ｃｍ３未
満であり、代表的には１×１０１７ｓｐｉｎｓ／ｃｍ３以上１×１０１８ｓｐｉｎｓ／ｃ
ｍ３未満である。
なお、１００Ｋ以下のＥＳＲスペクトルにおいてｇ値が２．０３７以上２．０３９以下の
第１シグナル、ｇ値が２．００１以上２．００３以下の第２のシグナル、およびｇ値が１
．９６４以上１．９６６以下の第３のシグナルは、窒素酸化物（ＮＯｘ、ｘは０以上２以
下、好ましくは１以上２以下）起因のシグナルに相当する。窒素酸化物の代表例としては
、一酸化窒素、二酸化窒素等がある。即ち、ｇ値が２．０３７以上２．０３９以下の第１
のシグナル、ｇ値が２．００１以上２．００３以下の第２のシグナル、およびｇ値が１．
９６４以上１．９６６以下である第３のシグナルのスピンの密度の合計が少ないほど、酸
化物絶縁膜に含まれる窒素酸化物の含有量が少ないといえる。
絶縁膜３５ａが、窒素酸化物の含有量が少ない膜であることで、絶縁膜３５ａと層（ＯＳ
１、ＯＳ２、ＯＳ３）との界面におけるキャリアのトラップを低減することが可能である
。この結果、トランジスタのしきい値電圧のシフトを低減することが可能であり、トラン
ジスタの電気的特性の変動を低減することができる。
また、トランジスタの信頼性向上のため、絶縁膜３５ａは、ＳＩＭＳ（Ｓｅｃｏｎｄａｒ
ｙ Ｉｏｎ Ｍａｓｓ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）で測定される窒素濃度が６×１０２
０／ｃｍ３以下であることが好ましい。それは、トランジスタの作製工程中に絶縁膜３５
ａにおいて、窒素酸化物が生成されにくくなるからである。
絶縁膜３５ａとして、窒素を含み、且つ欠陥量の少ない酸化物絶縁膜の一例として、ＣＶ
Ｄ法により酸化窒化シリコン膜を形成することができる。この場合、原料ガスとしては、
シリコンを含む堆積性気体および酸化性気体を用いることが好ましい。シリコンを含む堆
積性気体の代表例としては、シラン、ジシラン、トリシラン、フッ化シラン等がある。酸
化性気体としては、一酸化二窒素、二酸化窒素等がある。
また、堆積性気体の流量に対して酸化性気体の流量を２０倍より大きく１００倍未満、好
ましくは４０倍以上８０倍以下とし、処理室内の圧力を１００Ｐａ未満、好ましくは５０
Ｐａ以下とするＣＶＤ法を用いることで、絶縁膜３５ａとして、窒素を含み、且つ欠陥量
の少ない酸化物絶縁膜を形成することができる。
絶縁膜３５ｂとして、例えば、化学量論的組成を満たす酸素よりも多くの酸素を含む酸化
物絶縁膜を用いて形成することができる。化学量論的組成を満たす酸素よりも多くの酸素
を含む酸化物絶縁膜は、加熱により酸素の一部が脱離する。化学量論的組成を満たす酸素
よりも多くの酸素を含む酸化物絶縁膜は、ＴＤＳ分析にて、酸素原子に換算しての酸素の
脱離量が１．０×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上、好ましくは３．０×１０２０ａｔｏ
ｍｓ／ｃｍ３以上である酸化物絶縁膜である。なお、上記ＴＤＳ分析時における膜の表面
温度としては１００℃以上７００℃以下、または１００℃以上５００℃以下の範囲が好ま
しい。
絶縁膜３５ｂとしては、厚さが３０ｎｍ以上５００ｎｍ以下、好ましくは５０ｎｍ以上４
００ｎｍ以下の、酸化シリコン、酸化窒化シリコン等を用いることができる。絶縁膜３５
ｂとして、化学量論的組成を満たす酸素よりも多くの酸素を含む酸化物絶縁膜を用いて形
成する場合、化学量論的組成を満たす酸素よりも多くの酸素を含む酸化物絶縁膜として酸
化窒化シリコン膜をＣＶＤ法を用いて形成することができる。
絶縁膜３５ｂとして、酸化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜を形成する場合、次のよ
うな条件で成膜を行うことができる。プラズマＣＶＤ装置の真空排気された処理室内に載
置された基板を１８０℃以上２８０℃以下、さらに好ましくは２００℃以上２４０℃以下
に保持し、処理室に原料ガスを導入して処理室内における圧力を１００Ｐａ以上２５０Ｐ
ａ以下、さらに好ましくは１００Ｐａ以上２００Ｐａ以下とし、処理室内に設けられる電
極に０．１７Ｗ／ｃｍ２以上０．５Ｗ／ｃｍ２以下、さらに好ましくは０．２５Ｗ／ｃｍ
２以上０．３５Ｗ／ｃｍ２以下の高周波電力を供給する。
絶縁膜３６としては、少なくとも、水素および酸素のブロッキング効果を有する膜を用い
る。さらに、好ましくは、酸素、水素、水、アルカリ金属、アルカリ土類金属等のブロッ
キング効果を有する。代表的には、窒化シリコンなどの窒化物絶縁膜を形成すればよい。
窒化シリコン膜の他、窒化酸化シリコン膜、窒化アルミニウム膜、窒化酸化アルミニウム
膜等も用いることができる。
また、絶縁膜３６を構成する膜として酸素、水素、水等に対してブロッキング効果を有す
る酸化物絶縁膜を設けてもよい。このような酸化物絶縁膜としては、酸化アルミニウム、
酸化窒化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化窒化ガリウム、酸化イットリウム、酸化窒化
イットリウム、酸化ハフニウム、酸化窒化ハフニウム等がある。
また、絶縁膜３６の厚さは５０ｎｍ以上３００ｎｍ以下とすればよく、好ましくは１００
ｎｍ以上２００ｎｍ以下である。酸素、水素、水等に対してブロッキング効果を有する絶
縁膜３６を形成することで、酸化物半導体膜３１乃至酸化物半導体膜３３から外部への酸
素の拡散を防ぎ、また外部から酸化物半導体膜３１乃至酸化物半導体膜３３への水素、水
等の侵入を防ぐことができる。
絶縁膜３６としてプラズマＣＶＤ法により窒化シリコン膜を形成する場合、シリコンを含
む堆積性気体、窒素、およびアンモニアを原料ガスとして用いることが好ましい。これら
の原料ガスを用いることで、プラズマ中でアンモニアが解離し、活性種が発生する。当該
活性種が、シリコンを含む堆積性気体に含まれるシリコンおよび水素の結合、および窒素
の三重結合を切断する。この結果、シリコンおよび窒素の結合が促進され、シリコンおよ
び水素の結合が少なく、欠陥が少なく、緻密な窒化シリコン膜を形成することができる。
一方、原料ガスにおいて、窒素に対するアンモニアの量が多いと、シリコンを含む堆積性
気体および窒素それぞれの分解が進まず、シリコンおよび水素結合が残存してしまい、欠
陥が増大した、且つ粗な窒化シリコン膜が形成されてしまう。これらのため、原料ガスに
おいて、アンモニアに対する窒素の流量比を５以上５０以下、好ましくは１０以上５０以
下とすることが好ましい。
絶縁膜３５を形成した後、加熱処理を行ってもよい。該加熱処理の温度は、代表的には、
１５０℃以上基板歪み点未満、好ましくは２００℃以上４５０℃以下、更に好ましくは３
００℃以上４５０℃以下とする。当該加熱処理により、絶縁膜３５の２層目を構成する酸
化物絶縁膜に含まれる酸素を、酸化物半導体膜３１乃至酸化物半導体膜３３に移動させて
、これらに含まれる酸素欠損を低減することができる。加熱処理は、例えば、窒素および
酸素を含む混合ガス雰囲気で、加熱温度３５０℃、加熱時間１時間とすればよい。
また、絶縁膜３６を形成した後、酸化物半導体膜３１乃至酸化物半導体膜３３から水素等
を放出させることを目的として加熱処理を行ってもよい。この加熱処理は、例えば、窒素
および酸素を含む混合ガス雰囲気で、加熱温度３５０℃、加熱時間１時間とすればよい。
［バックゲート電極］
バックゲート電極（ＢＧＥ１、ＢＧＥ２）はゲート電極（ＧＥ１、ＧＥ２、ＧＥ３）と同
様に形成することができる。
以下、トランジスタのいくつかの他の構成例を示す。
（トランジスタＴＡ３、ＴＡ４）
図２６（Ａ）、図２６（Ｂ）に、それぞれ、トランジスタＴＡ３、トランジスタＴＡ４の
上面図（レイアウト図）と、その回路記号を示す。図２７（Ａ）、図２７（Ｂ）に、トラ
ンジスタＴＡ３のａ７−ａ８線およびｂ７−ｂ８線による断面図、並びにトランジスタＴ
Ａ４のａ９−ａ１０線およびｂ９−ｂ１０線による断面図を示す。
トランジスタＴＡ３は、ゲート電極ＧＥ４、酸化物半導体膜ＯＳ４、ソース電極ＳＥ４、
ドレイン電極ＤＥ４、およびバックゲート電極ＢＧＥ４を有する。トランジスタＴＡ３は
、トランジスタＴＡ１の変形例であり、電極ＢＧＥ４が、２つの開口ＣＧ４、ＣＧ５にお
いて、電極ＧＥ４と接している点がトランジスタＴＡ１と異なり、他はトランジスタＴＡ
１と同様である。図２７（Ｂ）に示すように、チャネル幅方向で、膜ＯＳ４が電極ＧＥ４
と電極ＢＧＥ４で囲まれており、トランジスタＴＡ３の強度をより向上させることができ
る。
トランジスタＴＡ４は、ゲート電極ＧＥ５、酸化物半導体膜ＯＳ５、ソース電極ＳＥ５、
ドレイン電極ＤＥ５、およびバックゲート電極ＢＧＥ５を有する。トランジスタＴＡ４は
、トランジスタＴＡ２の変形例であり、電極ＢＧＥ５を電極ＧＥ５と接続せず、電極ＢＧ
Ｅ５を電極ＧＥ５に異なる信号や電位を入力可能としている。例えば、電極ＧＥ５にトラ
ンジスタＴＡ４の導通状態を制御する信号を入力し、電極ＢＧＥ５にトランジスタＴＡ４
のしきい値電圧を補正するような信号や電位を入力することが可能である。
（トランジスタＴＣ１、ＴＢ２、ＴＤ１）
図２８（Ａ）、図２８（Ｂ）、図２８（Ｃ）に、それぞれ、トランジスタＴＣ１、トラン
ジスタＴＢ２、およびトランジスタＴＤ１の上面図（レイアウト図）と、その回路記号を
示す。図２９（Ａ）、図２９（Ｂ）に、トランジスタＴＣ１のａ１１−ａ１２線およびｂ
１１ｂ１２線による断面図、トランジスタＴＢ２のａ１３−ａ１４線およびｂ１３−ｂ１
４線による断面図、並びにトランジスタＴＤ１のａ１５−ａ１６線およびｂ１５−ｂ１６
線による断面図を示す。
トランジスタＴＣ１は、ゲート電極ＧＥ６、酸化物半導体膜ＯＳ６、ソース電極ＳＥ６、
ドレイン電極ＤＥ６、およびバックゲート電極ＢＧＥ６を有する。電極ＢＧＥ６は開口Ｃ
Ｇ６において電極ＧＥ６に接している。トランジスタＴＣ１は、トランジスタＴＡ１の変
形例であり、膜ＯＳ６が２層構造としている。膜ＯＳ６は、『３２』と『３３』とでなる
。トランジスタＴＣ１もトランジスタＴＡ１と同様に、チャネル形成領域が『３２』で構
成されるトランジスタである。そのため、トランジスタＴＣ１も、トランジスタＴＡ１と
同程度に高い電界効果移動のトランジスタであり、代表的には、電界効果移動度が１０ｃ
ｍ２／Ｖｓより大きく６０ｃｍ２／Ｖｓ未満、好ましくは１５ｃｍ２／Ｖｓ以上５０ｃｍ
２／Ｖｓ未満のトランジスタである。よって、トランジスタＴＣ１もトランジスタＴＡ１
と同様に、駆動回路のような高速動作させるトランジスタに好適である。
トランジスタＴＢ２は、ゲート電極ＧＥ７、酸化物半導体膜ＯＳ７、ソース電極ＳＥ７、
ドレイン電極ＤＥ７、およびバックゲート電極ＢＧＥ７を有する。電極ＢＧＥ７は開口Ｃ
Ｇ７において電極ＧＥ７に接している。トランジスタＴＢ２は、トランジスタＴＢ１の変
形例であり、電極ＢＧＥ７を有する点でトランジスタＴＢ２と異なる。トランジスタＴＢ
２は、電極ＧＥ７と接続された電極ＢＧＥ７を有しているため、トランジスタＴＢ１より
もオン電流が高く、また機械的な強度が向上されている。
トランジスタＴＤ１は、ゲート電極ＧＥ８、酸化物半導体膜ＯＳ８、ソース電極ＳＥ８、
およびドレイン電極ＤＥ８を有する。トランジスタＴＤ１は、トランジスタＴＢ１の変形
例であり、膜ＯＳ８全体が電極ＧＥ８に重なっており、電極ＧＥ８の端部の外側にある部
分を有していない。このように、トランジスタＴＤ１は、膜ＯＳ８がトランジスタＴＢ１
よりも光に曝されにくい構造となっているため、画素部のトランジスタに好適である。
なお、トランジスタＴＡ１、トランジスタＴＡ２およびトランジスタＴＢ１を構成する膜
（絶縁膜、酸化物半導体膜、金属酸化物膜、導電膜等）は、スパッタリング法、化学気相
堆積（ＣＶＤ）法、真空蒸着法、パルスレーザー堆積（ＰＬＤ）法を用いて形成すること
ができる。あるいは、塗布法や印刷法で形成することができる。成膜方法としては、スパ
ッタリング法、プラズマ化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ）法が代表的であるが、熱ＣＶＤ法で
もよい。熱ＣＶＤ法の例として、ＭＯＣＶＤ（有機金属化学堆積）法やＡＬＤ（原子層成
膜）法を使ってもよい。
熱ＣＶＤ法は、チャンバー内を大気圧または減圧下とし、原料ガスと酸化剤を同時にチャ
ンバー内に送り、基板近傍または基板上で反応させて基板上に堆積させることで成膜を行
う。このように、熱ＣＶＤ法は、プラズマを発生させない成膜方法であるため、プラズマ
ダメージにより欠陥が生成されることが無いという利点を有する。
また、ＡＬＤ法は、チャンバー内を大気圧または減圧下とし、反応のための原料ガスが順
次にチャンバーに導入され、そのガス導入の順序を繰り返すことで成膜を行う。例えば、
それぞれのスイッチングバルブ（高速バルブともよぶ）を切り替えて２種類以上の原料ガ
スを順番にチャンバーに供給し、複数種の原料ガスが混ざらないように第１の原料ガスと
同時またはその後に不活性ガス（アルゴン、或いは窒素など）などを導入し、第２の原料
ガスを導入する。なお、同時に不活性ガスを導入する場合には、不活性ガスはキャリアガ
スとなり、また、第２の原料ガスの導入時にも同時に不活性ガスを導入してもよい。また
、不活性ガスを導入する代わりに真空排気によって第１の原料ガスを排出した後、第２の
原料ガスを導入してもよい。第１の原料ガスが基板の表面に吸着して第１の単原子層を成
膜し、後から導入される第２の原料ガスと反応して、第２の単原子層が第１の単原子層上
に積層されて薄膜が形成される。
このガス導入順序を制御しつつ所望の厚さになるまで複数回繰り返すことで、段差被覆性
に優れた薄膜を形成することができる。薄膜の厚さは、ガス導入順序を繰り返す回数によ
って調節することができるため、精密な膜厚調節が可能であり、微細なトランジスタを作
製する場合に適している。
＜トランジスタの構成例２＞
本発明の一態様にかかる表示装置に用いられるトランジスタは、非晶質、微結晶、多結晶
または単結晶である、シリコンまたはゲルマニウムなどの半導体膜または半導体基板に、
チャネル形成領域を有していても良い。シリコンの薄膜を用いてトランジスタを形成する
場合、当該薄膜には、プラズマＣＶＤ法などの気相成長法若しくはスパッタリング法で作
製された非晶質シリコン、非晶質シリコンをレーザーアニールなどの処理により結晶化さ
せた多結晶シリコン、単結晶シリコンウェハに水素イオン等を注入して表層部を剥離した
単結晶シリコンなどを用いることができる。
図３０（Ａ）、（Ｂ）に、本発明の一態様にかかる表示装置に用いることができる、薄膜
のシリコン膜を用いたトランジスタの断面図を例示する。図３０（Ａ）、（Ｂ）では、ｎ
チャネル型のトランジスタ７０と、ｐチャネル型のトランジスタ７１とを示す。
トランジスタ７０は、絶縁表面を有する基板７２上に、ゲートとして機能する導電膜７３
と、導電膜７３上の絶縁膜７４と、絶縁膜７４を間に介して導電膜７３と重畳する半導体
膜７５と、半導体膜７５上の絶縁膜７６と、絶縁膜７６を間に介して半導体膜７５と重畳
し、なおかつゲートとして機能する導電膜７７ａおよび導電膜７７ｂと、導電膜７７ａお
よび導電膜７７ｂ上の絶縁膜７８と、絶縁膜７８上の絶縁膜７９と、絶縁膜７８および絶
縁膜７９に設けられた開口において半導体膜７５に電気的に接続され、なおかつソースま
たはドレインとして機能する導電膜８０および導電膜８１とを有する。
導電膜７７ｂは、チャネル長方向の長さが導電膜７７ａよりも短く、導電膜７７ａおよび
導電膜７７ｂは、絶縁膜７６側から順に積層されている。また、半導体膜７５は、導電膜
７７ｂと重畳する位置にチャネル形成領域８２と、チャネル形成領域８２を間に挟むよう
に位置する一対のＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｄｏｐｅｄ Ｄｒａｉｎ）領域８３と、チャネル
形成領域８２、ＬＤＤ領域８３を間に挟むように位置する一対の不純物領域８４とを有す
る。一対の不純物領域８４はソース領域またはドレイン領域として機能する。また、ＬＤ
Ｄ領域８３、および不純物領域８４は、ｎ型の導電型を半導体膜７５に付与する不純物元
素、例えば、リン（Ｐ）、ヒ素（Ａｓ）等が添加されている。
また、トランジスタ７１は、絶縁表面を有する基板７２上に、ゲートとして機能する導電
膜８５と、導電膜８５上の絶縁膜７４と、絶縁膜７４を間に介して導電膜８５と重畳する
半導体膜８６と、半導体膜８６上の絶縁膜７６と、絶縁膜７６を間に介して半導体膜８６
と重畳し、なおかつゲートとして機能する導電膜８７ａおよび導電膜８７ｂと、導電膜８
７ａおよび導電膜８７ｂ上の絶縁膜７８と、絶縁膜７８上の絶縁膜７９と、絶縁膜７８お
よび絶縁膜７９に設けられた開口において半導体膜８６に電気的に接続され、なおかつソ
ースまたはドレインとして機能する導電膜８８および導電膜８９とを有する。
導電膜８７ｂは、チャネル長方向の長さが導電膜８７ａよりも短く、導電膜８７ａおよび
導電膜８７ｂは、絶縁膜７６側から順に積層されている。また、半導体膜７５は、導電膜
８７ｂと重畳する位置にチャネル形成領域９０と、チャネル形成領域９０を間に挟むよう
に位置する一対の不純物領域９１とを有する。一対の不純物領域９１はソース領域または
ドレイン領域として機能する。また、不純物領域９１は、ｐ型の導電型を半導体膜８６に
付与する不純物元素、例えば、ボロン（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）
等が添加されている。
なお、半導体膜７５または半導体膜８６は、様々な技術により結晶化しても良い。様々な
結晶化方法として、レーザ光を用いたレーザ結晶化法、触媒元素を用いる結晶化法がある
。或いは、触媒元素を用いる結晶化法とレーザ結晶化法とを組み合わせて用いることもで
きる。また、基板７２として石英のような耐熱性に優れている基板を用いる場合、電熱炉
を使用した熱結晶化方法、赤外光を用いたランプアニール結晶化法、触媒元素を用いる結
晶化法、９５０℃程度の高温アニールを組み合わせた結晶化法を用いても良い。
なお図３０（Ａ）では、ゲートとして機能する導電膜７７ａ、７７ｂと、バックゲート電
極として機能する導電膜７３を有する構成を示しているが、他の構成でもよい。例えば、
図３０（Ｂ）に図示するように、バックゲート電極として機能する導電膜７３を省略して
もよい。また、図３０（Ａ）では、ゲートとして機能する導電膜８７ａ、８７ｂと、バッ
クゲート電極として機能する導電膜７３を有する構成を示しているが、他の構成でもよい
。例えば、図３０（Ｂ）に図示するように、バックゲート電極として機能する導電膜８５
を省略してもよい。なお図３０（Ｂ）の構造は、ＯＳトランジスタに適用可能である。
また、図５１（Ａ）には、図３０（Ａ）に示すｎチャネル型のトランジスタ７０に対応す
る、トランジスタ７０Ａの上面図を示す。図５１（Ｂ）は、トランジスタ７０Ａのチャネ
ル長方向を表すＬ１−Ｌ２線による断面図である。図５１（Ｃ）は、トランジスタ７０Ａ
のチャネル幅方向を表すＷ１−Ｗ２線による断面図である。
図５１（Ａ）では、導電膜７７、導電膜７３、半導体膜７５、導電膜８０、導電膜８１、
開口９３、開口９４、開口９５および開口９６を示している。導電膜７７は、ゲートとし
て機能する。導電膜７３はバックゲートとして機能する。図５１（Ａ）での説明において
、同じ符号を付した構成の詳細については、図３０（Ａ）での説明と同様であるため、こ
こでは省略する。開口９３、９４は、半導体膜７５と、導電膜８０、導電膜８１とを接続
するための開口である。開口９５、９６は、導電膜７７と、導電膜７３と電気的に接続す
るための開口である。
図５１（Ｂ）では、基板７２上に、導電膜７３と、絶縁膜７４と、絶縁膜７４を間に介し
て導電膜７３と重畳する半導体膜７５と、半導体膜７５上の絶縁膜７６と、絶縁膜７６を
間に介して半導体膜７５と重畳し、なおかつゲートとして機能する導電膜７７ａおよび導
電膜７７ｂと、導電膜７７ａおよび導電膜７７ｂ上の絶縁膜７８と、絶縁膜７８上の絶縁
膜７９と、絶縁膜７８および絶縁膜７９に設けられた開口９３、９４において半導体膜７
５に電気的に接続され、なおかつソースまたはドレインとして機能する導電膜８０および
導電膜８１とが設けられている。半導体膜７５は、チャネル形成領域８２と、ＬＤＤ領域
８３と、チャネル形成領域８２と、不純物領域８４とを有する。図５１（Ｂ）での説明に
おいて、同じ符号を付した構成の詳細については、図３０（Ａ）での説明と同様であるた
め、ここでは省略する。
図５１（Ｃ）では、基板７２上に、導電膜７３と、絶縁膜７４と、チャネル形成領域８２
と、絶縁膜７６と、開口９５、９６において導電膜７３に電気的に接続された導電膜７７
ａおよび導電膜７７ｂと、導電膜７７ａおよび導電膜７７ｂ上の絶縁膜７８と、絶縁膜７
８上の絶縁膜７９とが設けられている。図５１（Ｃ）での説明において、同じ符号を付し
た構成の詳細については、図３０（Ａ）での説明と同様であるため、ここでは省略する。
図５１（Ａ）乃至（Ｃ）に示す上面図及び断面図の構成では、ゲートである導電膜７７、
導電膜７７と電気的に接続されたバックゲートである導電膜７３によって、半導体膜７５
のチャネル形成領域８２のチャネル幅方向を電気的に取り囲む構造としている。つまり当
該構造は、チャネル形成領域の上面、下面及び側面から、チャネル形成領域を包み込む構
造とすることができる。そのため、オン電流を高めることができ、チャネル幅方向のサイ
ズ縮小を図ることができる。また、チャネル形成領域を導電膜で取り囲む構成とするため
、チャネル形成領域の遮光を容易に行うことができ、チャネル形成領域に意図しない光が
照射されることによる光励起を抑制することができる。
また図５１（Ａ）乃至（Ｃ）に示す上面図及び断面図の構成では、半導体層７５における
Ｗ１−Ｗ２方向での側端部における意図しない導電性の上昇による導通状態を抑制するこ
とができる。また半導体層７５内に添加した不純物元素の分布ばらつきの影響を小さくす
ることができる。
また図５１（Ａ）乃至（Ｃ）に示す上面図及び断面図の構成では、ゲートとバックゲート
とを電気的に接続する構成としたが、別々の電圧とする構成も有効である。当該構成は、
特にｎチャネル型のみで構成する回路とする際に有効である。つまり、バックゲートに電
圧を印加することでトランジスタの閾値電圧を制御できるため、閾値電圧の異なるトラン
ジスタでＥＤ−ＭＯＳでインバータ回路などのロジック回路を構成することができる。こ
のようなロジック回路を、画素を駆動するための駆動回路に適用することで駆動回路が占
める面積を縮小することができるため、表示装置の狭額縁化を実現することができる。ま
た、バックゲートの電圧をトランジスタがオフになるような電圧にすることで、トランジ
スタをオフ状態にした際のオフ電流をより小さくすることができる。そのため、表示装置
のリフレッシュレートを大きくしても、書き込んだ電圧を保持し続けさせることができる
。そのため、書き込み回数を少なくすることによる表示装置の低消費電力化を見込むこと
ができる。
なお図５１（Ａ）乃至（Ｃ）に示す上面図及び断面図は、一例であり他の構成とすること
もできる。例えば、図５２（Ａ）乃至（Ｃ）に図５１（Ａ）乃至（Ｃ）とは異なる上面図
及び断面図を示す。
図５２（Ａ）乃至（Ｃ）に示す構成が、図５１（Ａ）乃至（Ｃ）に示す構成と異なる点は
、ゲートとなる導電層７７を単層で形成している点にある。また開口９５，９６の位置を
、よりチャネル形成領域８２側に近づけた点にある。このようにすることで、チャネル形
成領域の上面、下面及び側面から、チャネル形成領域に向けて電界をかけやすくすること
ができる。また、当該構成としても、図５１（Ａ）乃至（Ｃ）と同様の効果を奏すること
ができる。
また別の構成として、図５３（Ａ）乃至（Ｃ）に図５１（Ａ）乃至（Ｃ）、及び図５２（
Ａ）乃至（Ｃ）とは異なる上面図及び断面図を示す。
図５３（Ａ）乃至（Ｃ）に示す構成が、図５１（Ａ）乃至（Ｃ）、及び図５２（Ａ）乃至
（Ｃ）に示す構成と異なる点は、バックゲートとなる導電層７３を導電膜７３ａおよび導
電膜７３ｂで構成し、導電膜７３ｂを導電膜７３ａで取り囲む構造としている点にある。
当該構成としても、図５１（Ａ）乃至（Ｃ）と同様の効果を奏することができる。
加えて図５３（Ａ）乃至（Ｃ）の構成では、導電膜７３ｂに可動性の元素（例えば、銅（
Ｃｕ））を用いた場合においても、可動性の元素が半導体層７５に進入し半導体層７５が
劣化することを防止できる。
なお配線の被形成面にある、バリア膜として機能する導電膜７３ａの材料としては、高融
点材料であるタングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ
）、タンタル（Ｔａ）のいずれか、あるいはその合金（例えば、Ｗ‐Ｍｏ、Ｍｏ‐Ｃｒ、
Ｔａ‐Ｍｏ）、あるいはその窒化物（例えば、窒化タングステン（ＷＮｘ）、窒化チタン
（ＴｉＮｘ）、窒化タンタル（ＴａＮｘ）、ＴｉＳｉＮｘ）等を用いることができる。形
成方法としてはスパッタ法、ＣＶＤ法等を用いることができる。また導電膜７３ｂの材料
としては、銅（Ｃｕ）が好ましいが、低抵抗材料であれば特に限られない。例えば、銀（
Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、及びそれらの合金等を用いることもできる
。導電膜７３ｂを形成する方法としてはスパッタ法が好ましいが、レジストマスク１０２
にダメージを与えない条件を選択することで、ＣＶＤ法を用いることもできる。
＜トランジスタを画素に適用したレイアウト＞
次いで図３１乃至図３５では、上記トランジスタを適用できる画素の上面図およびその断
面図の一例について説明する。
［上面図１について］
図３１（Ａ）には、図８（Ｂ）で図示した画素１００Ｃに対応する上面図の一例を示す。
また図３１（Ｂ）には、画素１００Ｃに積層して設ける発光素子１０４について、図３１
（Ａ）と分けて示したものである。
図３１（Ａ）に示す上面図では、トランジスタ１０１Ａ、トランジスタ１０２、キャパシ
タ１０３、キャパシタ１０５を図示している。また、図３１（Ａ）に示す上面図では、ゲ
ート線ＧＬ、データ線ＤＬ、電流供給線ＰＬ、容量線ＣＳＬを図示している。また、図３
１（Ａ）に示す上面図では、開口ＣＨ１、開口ＣＨ２を図示している。
図３１（Ｂ）に示す上面図では、発光素子のアノード側電極として機能する電極ＰＥ、隔
壁層ＲＬを図示している。また発光層、発光素子のカソード側の電極として機能する電極
は、省略しているが、隔壁層ＲＬの開口に設けられる。なお電極ＰＥ、発光層、発光素子
のカソード側の電極として機能する電極が重なる領域を発光素子１０４として図示してい
る。
図３１（Ａ）、（Ｂ）に示す上面図に付した一点鎖線Ａ−Ａ´、一点鎖線Ｂ−Ｂ´、およ
び一点鎖線Ｃ−Ｃ´の断面模式図について、図３２（Ａ）乃至（Ｃ）に示す。
図３２（Ａ）乃至（Ｃ）では、基板３０１、絶縁膜３０３、ゲート電極３０５、絶縁膜３
０７、半導体膜３０９、電極３１１、絶縁膜３１３、絶縁膜３１５、絶縁膜３１７、電極
ＰＥ、隔壁層ＲＬ、発光層３２３、電極３２５、開口ＣＨ１、開口ＣＨ２を図示している
。
絶縁膜３０３は、下地膜としての機能を有する。絶縁膜３０７は、ゲート絶縁膜としての
機能を有する。電極３１１は、ソース電極およびドレイン電極としての機能を有する。絶
縁膜３１７は平坦化膜としての機能を有する。電極ＰＥは、反射電極としての機能を有し
ていてもよい。なおトランジスタを構成する構成の詳細は、上述したトランジスタの構成
例１を参照すればよい。
開口ＣＨ１は、絶縁膜３０３に設けられる。開口ＣＨ１は、ゲート電極３０５が設けられ
る層と、電極３１１が設けられる層とを接続するための開口である。開口ＣＨ２は、絶縁
膜３１３、絶縁膜３１５、および絶縁膜３１７に設けられる。開口ＣＨ２は、電極ＰＥが
設けられる層と、電極３１１が設けられる層とを接続するための開口である。
なお半導体膜の大きさは、発光素子が発光する色毎に異ならせる構成としてもよい。例え
ば、図３３（Ａ）では、赤色を発光する画素１００Ｃ＿Ｒ、緑色を発光する画素１００Ｃ
＿Ｇ、青色を発光する画素１００Ｃ＿Ｂを図示している。赤色を発光する画素１００Ｃ＿
Ｒはトランジスタ１０２Ｒを有する。緑色を発光する画素１００Ｃ＿Ｇはトランジスタ１
０２Ｇを有する。青色を発光する画素１００Ｃ＿Ｂはトランジスタ１０２Ｒを有する。そ
の他の構成は、画素ごとに同じでもよいし、異ならせてもよい。
トランジスタ１０２Ｒ、トランジスタ１０２Ｇ、およびトランジスタ１０２Ｂでは、電極
間の距離Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３を異ならせる構成とする。このようにすることで、発光素子に
流れる電流を各色で調整することができる。その結果、表示品位に優れた表示装置とする
ことができる。
なおキャパシタ１０３とキャパシタ１０５のキャパシタンスは、発光素子が発光する色毎
に、大きさの比を異ならせる構成としてもよい。例えば、図３３（Ｂ）では、図３３（Ａ
）と同様に、赤色を発光する画素１００Ｃ＿Ｒ、緑色を発光する画素１００Ｃ＿Ｇ、青色
を発光する画素１００Ｃ＿Ｂを図示している。
赤色を発光する画素１００Ｃ＿Ｒは、ゲート電極３０５が設けられる層と、電極３１１が
設けられる層とが重なって設けられるキャパシタＣ１０３Ｒを有する。また赤色を発光す
る画素１００Ｃ＿Ｒは、ゲート電極３０５が設けられる層と、電極３１１が設けられる層
とが重なって設けられるキャパシタＣ１０５Ｒを有する。同様に、緑色を発光する画素１
００Ｃ＿Ｇは、キャパシタＣ１０３ＧおよびキャパシタＣ１０５Ｇを有する。同様に、青
色を発光する画素１００Ｃ＿Ｂは、キャパシタＣ１０３ＢおよびキャパシタＣ１０５Ｂを
有する。
図３３（Ｂ）に示すように、キャパシタＣ１０３ＲとキャパシタＣ１０５Ｒの面積の比は
、キャパシタＣ１０３ＧとキャパシタＣ１０５Ｇの面積の比、およびキャパシタＣ１０３
ＢとキャパシタＣ１０５Ｂの面積の比と異ならせることが好ましい。このようにすること
で、データ電圧書き込み期間でキャパシタンスの比によって変化する発光素子のアノード
側の電位の上昇を各色で調整することができる。その結果、表示品位に優れた表示装置と
することができる。
［上面図３について］
図３４（Ａ）には、図８（Ａ）で図示した画素１００Ｂに対応する上面図の一例を示す。
また図３４（Ｂ）には、画素１００Ｂに積層して設ける発光素子１０４について、図３４
（Ａ）と分けて示したものである。
図３４（Ａ）に示す上面図では、トランジスタ１０１Ａ、トランジスタ１０２、キャパシ
タ１０３、キャパシタ１０５を図示している。また、図３４（Ａ）に示す上面図では、ゲ
ート線ＧＬ、データ線ＤＬ、電流供給線ＰＬを図示している。また、図３４（Ａ）に示す
上面図では、開口ＣＨ１、開口ＣＨ２、開口ＣＨ３、開口ＣＨ４を図示している。
図３４（Ｂ）に示す上面図では、発光素子のアノード側電極として機能する電極ＰＥ、隔
壁層ＲＬを図示している。また発光層、発光素子のカソード側の電極として機能する電極
は、省略しているが、電極ＰＥと重なる隔壁層ＲＬの開口に設けられる。なお電極ＰＥ、
発光層、発光素子のカソード側の電極として機能する電極が重なる領域を発光素子１０４
として図示している。また図３４（Ｂ）に示す上面図では、隔壁層ＲＬに設けられる開口
を開口ＣＨ５として図示している。
図３４（Ａ）、（Ｂ）に示す上面図に付した一点鎖線Ａ−Ａ´、一点鎖線Ｂ−Ｂ´、およ
び一点鎖線Ｃ−Ｃ´の断面模式図について、図３５（Ａ）乃至（Ｃ）に示す。
図３５（Ａ）乃至（Ｃ）では、基板３０１、絶縁膜３０３、ゲート電極３０５、絶縁膜３
０７、半導体膜３０９、電極３１１、絶縁膜３１３、絶縁膜３１５、絶縁膜３１７、電極
ＰＥ、電極３１９、隔壁層ＲＬ、発光層３２３、電極３２５、開口ＣＨ１、開口ＣＨ２、
開口ＣＨ３、開口ＣＨ４、開口ＣＨ５を図示している。
絶縁膜３０３は、下地膜としての機能を有する。絶縁膜３０７は、ゲート絶縁膜としての
機能を有する。電極３１１は、ソース電極およびドレイン電極としての機能を有する。絶
縁膜３１７は平坦化膜としての機能を有する。電極ＰＥは、反射電極としての機能を有し
ていてもよい。なおトランジスタを構成する構成の詳細は、上述したトランジスタの構成
例１を参照すればよい。
開口ＣＨ１は、絶縁膜３０３に設けられる。開口ＣＨ１は、ゲート電極３０５が設けられ
る層と、電極３１１が設けられる層とを接続するための開口である。開口ＣＨ２は、絶縁
膜３１３、絶縁膜３１５、および絶縁膜３１７に設けられる。開口ＣＨ２は、電極ＰＥが
設けられる層と、電極３１１が設けられる層とを接続するための開口である。開口ＣＨ３
は、絶縁膜３０３に設けられる。開口ＣＨ１は、ゲート電極３０５が設けられる層と、電
極３１１が設けられる層とを接続するための開口である。開口ＣＨ４は、絶縁膜３１３、
絶縁膜３１５、および絶縁膜３１７に設けられる。開口ＣＨ４は、電極ＰＥが設けられる
層と、電極３１１が設けられる層とを接続するための開口である。開口ＣＨ５は、隔壁層
ＲＬに設けられる。開口ＣＨ５は、電極ＰＥが設けられる層と、電極３２５が設けられる
層とを接続するための開口である。
なお図３４、図３５に示す上面図および断面模式図の構成において、半導体膜の大きさは
、図３３（Ａ）と同様に、発光素子が発光する色毎に異ならせる構成としてもよい。また
、図３４、図３５に示す上面図および断面模式図の構成において、キャパシタ１０３およ
び１０５の面積の比は、図３３（Ｂ）と同様に、発光素子が発光する色毎に異ならせる構
成としてもよい。
（実施の形態３）
本実施の形態では、表示装置の作製方法の一例について図３６乃至図３８を用いて説明す
る。特に本実施の形態では、可撓性を有する表示装置の作製方法について説明する。
＜表示装置の作製方法１＞
まず、基板４６２上に絶縁膜４２０を形成し、絶縁膜４２０上に第１の素子層４１０を形
成する（図３６（Ａ）参照）。第１の素子層４１０には、半導体素子が設けられている。
或いは、第１の素子層４１０には、半導体素子に加え、表示素子、または画素電極などの
表示素子の一部が設けられていても良い。
基板４６２としては、少なくとも、後の熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有している必要
がある。例えば、ガラス基板、セラミック基板、石英基板、サファイア基板等を、基板４
６２として用いてもよい。
基板４６２にガラス基板を用いる場合、基板４６２と絶縁膜４２０との間に、酸化シリコ
ン膜、酸化窒化珪素膜、窒化珪素膜、窒化酸化シリコン膜等の絶縁膜を形成すると、ガラ
ス基板からの汚染を防止でき、好ましい。
絶縁膜４２０には、例えば、エポキシ樹脂、アラミド樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹
脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂等の有機樹脂膜を用いることができる。中で
もポリイミド樹脂を用いると耐熱性が高いため好ましい。絶縁膜４２０として、例えば、
ポリイミド樹脂を用いる場合、該ポリイミド樹脂の膜厚は、３ｎｍ以上２０μｍ以下、好
ましくは５００ｎｍ以上２μｍ以下である。絶縁膜４２０として、ポリイミド樹脂を用い
る場合、スピンコート法、ディップコート法、ドクターブレード法等により形成すること
ができる。例えば、絶縁膜４２０としてポリイミド樹脂を用いる場合、ドクターブレード
法により、当該ポリイミド樹脂を用いた膜の一部を除去することで、所望の厚さを有する
絶縁膜４２０を得ることができる。
なお、第１の素子層４１０は、その作製工程における温度が室温以上３００℃以下である
と好ましい。例えば、第１の素子層４１０に含まれる、無機材料を用いた絶縁膜または導
電膜は、成膜温度が１５０℃以上３００℃以下、さらには２００℃以上２７０℃以下で形
成されることが好ましい。また、第１の素子層４１０に含まれる、有機樹脂材料を用いた
絶縁膜等は、成膜温度が室温以上１００℃以下で形成されると好ましい。
また、第１の素子層４１０に含まれるトランジスタの酸化物半導体膜には、前述したＣＡ
ＡＣ−ＯＳを用いることが好ましい。当該トランジスタの酸化物半導体膜にＣＡＡＣ−Ｏ
Ｓを用いると、例えば、表示装置４００を折り曲げる際に、チャネル形成領域にクラック
等が入りづらく、曲げに対する耐性を高めることが可能となる。
また、第１の素子層４１０に含まれる導電膜として、酸化シリコンを添加したインジウム
錫酸化物を用いると、表示装置４００を折り曲げる際に、当該導電膜にクラック等が入り
づらくなるため、好ましい。
次に、第１の素子層４１０と、仮支持基板４６６とを、剥離用接着剤４６４を用いて接着
し、基板４６２から絶縁膜４２０と第１の素子層４１０を剥離する。これにより、絶縁膜
４２０と第１の素子層４１０は、仮支持基板４６６側に設けられる（図３６（Ｂ）参照）
。
仮支持基板４６６としては、ガラス基板、石英基板、サファイア基板、セラミック基板、
金属基板などを用いることができる。また、本実施の形態の処理温度に耐えうる耐熱性を
有するプラスチック基板を用いてもよいし、フィルムのような可撓性基板を用いてもよい
。
剥離用接着剤４６４としては、水や溶媒に可溶なものや、紫外線などの照射により可塑化
させることが可能であるもののように、必要時に仮支持基板４６６と素子層４１０とを化
学的もしくは物理的に分離することが可能な接着剤を用いる。
なお、仮支持基板４６６への転置工程は、様々な方法を適宜用いることができる。例えば
、基板４６２の絶縁膜４２０が形成されていない側、すなわち図３６（Ｂ）に示す下方側
より絶縁膜４２０にレーザ光４６８を照射することで、絶縁膜４２０を脆弱化させること
で基板４６２と絶縁膜４２０を剥離することができる。また、上記レーザ光４６８の照射
エネルギー密度を調整することで、基板４６２と絶縁膜４２０の密着性が高い領域と、基
板４６２と絶縁膜４２０の密着性が低い領域を作り分けてから剥離してもよい。
なお、本実施の形態においては、基板４６２と絶縁膜４２０の界面で剥離する方法につい
て例示したが、これに限定されない。例えば、絶縁膜４２０と第１の素子層４１０との界
面で剥離してもよい。
また、基板４６２と絶縁膜４２０との界面に液体を浸透させて基板４６２から絶縁膜４２
０を剥離してもよい。または、絶縁膜４２０と第１の素子層４１０との界面に液体を浸透
させて絶縁膜４２０から第１の素子層４１０を剥離してもよい。上記液体としては、例え
ば、水、極性溶媒等を用いることができる。絶縁膜４２０を剥離する界面、具体的には基
板４６２と絶縁膜４２０との界面または絶縁膜４２０と第１の素子層４１０との界面に液
体を浸透させることによって、第１の素子層４１０に与えられる剥離に伴い発生する静電
気等の影響を抑制することができる。
次に、接着層４１８を用いて、絶縁膜４２０に第１の基板４０１を接着させる（図３６（
Ｃ）参照）。
次に、剥離用接着剤４６４を溶解または可塑化させて、第１の素子層４１０から剥離用接
着剤４６４および仮支持基板４６６を取り外す（図３６（Ｄ）参照）。
なお、第１の素子層４１０の表面が露出するように剥離用接着剤４６４を水や溶媒などで
除去すると好ましい。
以上により、第１の基板４０１上に第１の素子層４１０を作製することができる。
次に、図３６（Ａ）乃至図３６（Ｄ）に示す工程と同様の形成方法により、第２の基板４
０５と、第２の基板４０５上の接着層４１２と、接着層４１２上の絶縁膜４４０と、第２
の素子層４１１と、を形成する（図３７（Ａ）参照）。
第２の素子層４１１が有する絶縁膜４４０としては、絶縁膜４２０と同様の材料、ここで
は有機樹脂を用いて形成することができる。
次に、第１の素子層４１０と第２の素子層４１１の間に、封止層４３２を充填し、第１の
素子層４１０と第２の素子層４１１と、を貼り合わせる（図３７（Ｂ）参照）。
封止層４３２により、例えば、固体封止させることができる。ただし、封止層４３２とし
ては、可撓性を有する構成が好ましい。封止層４３２としては、例えば、ガラスフリット
などのガラス材料や、二液混合型の樹脂などの常温で硬化する硬化樹脂、光硬化性の樹脂
、熱硬化性の樹脂などの樹脂材料を用いることができる。
以上により、表示装置４００を作製することができる。
＜表示装置の作製方法２＞
次いで、本発明の一態様にかかる表示装置４００の別の作製方法について、図３８を用い
て説明する。なお、図３８では、絶縁膜４２０および絶縁膜４４０として無機絶縁膜を用
いる構成について説明する。
まず、基板４６２上に剥離層４６３を形成する。次に、剥離層４６３上に絶縁膜４２０を
形成し、絶縁膜４２０上に第１の素子層４１０を形成する（図３８（Ａ）参照）。
剥離層４６３としては、例えば、タングステン、モリブデン、チタン、タンタル、ニオブ
、ニッケル、コバルト、ジルコニウム、亜鉛、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オス
ミウム、イリジウム、シリコンから選択された元素、該元素を含む合金材料、または該元
素を含む化合物材料を含み、単層または積層された構造を用いることができる。また、シ
リコンを含む層の場合、該シリコンを含む層の結晶構造としては、非晶質、微結晶、多結
晶、単結晶のいずれでもよい。
剥離層４６３は、スパッタリング法、ＰＥＣＶＤ法、塗布法、印刷法等により形成できる
。なお、塗布法は、スピンコーティング法、液滴吐出法、ディスペンス法を含む。
剥離層４６３が単層構造の場合、タングステン、モリブデン、またはタングステンとモリ
ブデンの混合物を含む層を形成することが好ましい。また、タングステンの酸化物もしく
は酸化窒化物を含む層、モリブデンの酸化物もしくは酸化窒化物を含む層、またはタング
ステンとモリブデンの混合物の酸化物もしくは酸化窒化物を含む層を形成してもよい。な
お、タングステンとモリブデンの混合物とは、例えば、タングステンとモリブデンの合金
に相当する。
また、剥離層４６３として、タングステンを含む層とタングステンの酸化物を含む層の積
層構造を形成する場合、タングステンを含む層を形成し、その上層に酸化物で形成される
絶縁層を形成することで、タングステン層と絶縁層との界面に、タングステンの酸化物を
含む層が形成されることを活用してもよい。また、タングステンを含む層の表面を、熱酸
化処理、酸素プラズマ処理、亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ）プラズマ処理、オゾン水等の酸化力の
強い溶液での処理等を行ってタングステンの酸化物を含む層を形成してもよい。またプラ
ズマ処理や加熱処理は、酸素、窒素、亜酸化窒素単独、あるいは該ガスとその他のガスと
の混合気体雰囲気下で行ってもよい。上記プラズマ処理や加熱処理により、剥離層４６３
の表面状態を変えることにより、剥離層４６３と後に形成される絶縁膜４２０との密着性
を制御することが可能である。
絶縁膜４２０には、例えば、酸化シリコン膜、窒化珪素膜、酸化窒化珪素膜、窒化酸化シ
リコン膜、酸化アルミニウム膜などの透湿性の低い無機絶縁膜を用いることができる。上
記無機絶縁膜は、例えば、スパッタリング法、ＰＥＣＶＤ法等を用いて形成することがで
きる。
次に、第１の素子層４１０と、仮支持基板４６６とを、剥離用接着剤４６４を用いて接着
し、剥離層４６３から絶縁膜４２０と第１の素子層４１０を剥離する。これにより、絶縁
膜４２０と第１の素子層４１０は、仮支持基板４６６側に設けられる（図３８（Ｂ）参照
）。
なお、仮支持基板４６６への転置工程は、様々な方法を適宜用いることができる。例えば
、剥離層４６３と絶縁膜４２０との界面に金属酸化膜を含む層を形成した場合は、該金属
酸化膜を結晶化により脆弱化して、剥離層４６３から絶縁膜４２０を剥離することができ
る。また、剥離層４６３をタングステン膜で形成した場合は、アンモニア水と過酸化水素
水の混合溶液によりタングステン膜をエッチングしながら剥離を行ってもよい。
また、剥離層４６３と絶縁膜４２０との界面に液体を浸透させて剥離層４６３から絶縁膜
４２０を剥離してもよい。上記液体としては、例えば、水、極性溶媒等を用いることがで
きる。絶縁膜４２０を剥離する界面、具体的には剥離層４６３と絶縁膜４２０との界面に
液体を浸透させることによって、第１の素子層４１０に与えられる剥離に伴い発生する静
電気等の影響を抑制することができる。
次に、絶縁膜４２０に接着層４１８を用いて第１の基板４０１を接着する（図３８（Ｃ）
参照）。
次に、剥離用接着剤４６４を溶解または可塑化させて、第１の素子層４１０から剥離用接
着剤４６４と仮支持基板４６６を取り除く（図３８（Ｄ）参照）。
なお、第１の素子層４１０の表面が露出するように剥離用接着剤４６４を水や溶媒などで
除去すると好ましい。
以上により、第１の基板４０１上に第１の素子層４１０を作製することができる。
次に、図３８（Ａ）乃至図３８（Ｄ）に示す工程と同様の形成方法により、第２の基板４
０５と、第２の基板４０５上の接着層４１２と、接着層４１２上の絶縁膜４４０と、第２
の素子層４１１と、を形成する。その後、第１の素子層４１０と第２の素子層４１１の間
に、封止層４３２を充填し、第１の素子層４１０と第２の素子層４１１と、を貼り合わせ
る。
最後に、接続電極３６０に異方性導電膜３８０とＦＰＣ４０８を貼り付ける。必要があれ
ばＩＣチップなどを実装させてもよい。
以上により、表示装置４００を作製することができる。
（実施の形態４）
本実施の形態においては、本発明の一態様の表示装置、および該表示装置に入力装置を
取り付けた電子機器について、図３９乃至図４４を用いて説明を行う。
＜タッチパネルに関する説明＞
なお、本実施の形態において、電子機器の一例として、表示装置と、入力装置とを合わ
せたタッチパネル２０００について説明する。また、入力装置の一例として、タッチセン
サを用いる場合について説明する。
図３９（Ａ）（Ｂ）は、タッチパネル２０００の斜視図である。なお、図３９（Ａ）（
Ｂ）において、明瞭化のため、タッチパネル２０００の代表的な構成要素を示す。
タッチパネル２０００は、表示装置２５０１とタッチセンサ２５９５とを有する（図３
９（Ｂ）参照）。また、タッチパネル２０００は、基板２５１０、基板２５７０、および
基板２５９０を有する。なお、基板２５１０、基板２５７０、および基板２５９０はいず
れも可撓性を有する。ただし、基板２５１０、基板２５７０、および基板２５９０のいず
れか一つまたは全てが可撓性を有さない構成としてもよい。
表示装置２５０１は、基板２５１０上に複数の画素および該画素に信号を供給すること
ができる複数の配線２５１１を有する。複数の配線２５１１は、基板２５１０の外周部に
まで引き回され、その一部が端子２５１９を構成している。端子２５１９はＦＰＣ２５０
９（１）と電気的に接続する。
基板２５９０は、タッチセンサ２５９５と、タッチセンサ２５９５と電気的に接続する
複数の配線２５９８とを有する。複数の配線２５９８は、基板２５９０の外周部に引き回
され、その一部は端子を構成する。そして、該端子はＦＰＣ２５０９（２）と電気的に接
続される。なお、図３９（Ｂ）では明瞭化のため、基板２５９０の裏面側（基板２５１０
と対向する面側）に設けられるタッチセンサ２５９５の電極や配線等を実線で示している
。
タッチセンサ２５９５として、例えば静電容量方式のタッチセンサを適用できる。静電
容量方式としては、表面型静電容量方式、投影型静電容量方式等がある。
投影型静電容量方式としては、主に駆動方式の違いから自己容量方式、相互容量方式な
どがある。相互容量方式を用いると同時多点検出が可能となるため好ましい。
なお、図３９（Ｂ）に示すタッチセンサ２５９５は、投影型静電容量方式のタッチセン
サを適用した構成である。
なお、タッチセンサ２５９５には、指等の検知対象の近接または接触を検知することが
できる、様々なセンサを適用することができる。
投影型静電容量方式のタッチセンサ２５９５は、電極２５９１と電極２５９２とを有す
る。電極２５９１は、複数の配線２５９８のいずれかと電気的に接続し、電極２５９２は
複数の配線２５９８の他のいずれかと電気的に接続する。
電極２５９２は、図３９（Ａ）（Ｂ）に示すように、一方向に繰り返し配置された複数
の四辺形が角部で接続される形状を有する。
電極２５９１は四辺形であり、電極２５９２が延在する方向と交差する方向に繰り返し
配置されている。
配線２５９４は、電極２５９２を挟む二つの電極２５９１と電気的に接続する。このと
き、電極２５９２と配線２５９４の交差部の面積ができるだけ小さくなる形状が好ましい
。これにより、電極が設けられていない領域の面積を低減でき、透過率のバラツキを低減
できる。その結果、タッチセンサ２５９５を透過する光の輝度のバラツキを低減すること
ができる。
なお、電極２５９１および電極２５９２の形状はこれに限定されず、様々な形状を取り
うる。例えば、複数の電極２５９１をできるだけ隙間が生じないように配置し、絶縁層を
介して電極２５９２を、電極２５９１と重ならない領域ができるように離間して複数設け
る構成としてもよい。このとき、隣接する２つの電極２５９２の間に、これらとは電気的
に絶縁されたダミー電極を設けると、透過率の異なる領域の面積を低減できるため好まし
い。
なお、電極２５９１、電極２５９２、配線２５９８などの導電膜、つまり、タッチパネ
ルを構成する配線や電極に用いることのできる材料として、酸化インジウム、酸化錫、酸
化亜鉛等を有する透明導電膜（例えば、ＩＴＯなど）が挙げられる。また、タッチパネル
を構成する配線や電極に用いることのできる材料として、例えば、抵抗値が低い方が好ま
しい。一例として、銀、銅、アルミニウム、カーボンナノチューブ、グラフェン、ハロゲ
ン化金属（ハロゲン化銀など）などを用いてもよい。さらに、非常に細くした（例えば、
直径が数ナノメール）複数の導電体を用いて構成されるような金属ナノワイヤを用いても
よい。または、導電体を網目状にした金属メッシュを用いてもよい。一例としては、Ａｇ
ナノワイヤ、Ｃｕナノワイヤ、Ａｌナノワイヤ、Ａｇメッシュ、Ｃｕメッシュ、Ａｌメッ
シュなどを用いてもよい。例えば、タッチパネルを構成する配線や電極にＡｇナノワイヤ
を用いる場合、可視光において透過率を８９％以上、シート抵抗値を４０Ω／ｃｍ２以上
１００Ω／ｃｍ２以下とすることができる。また、上述したタッチパネルを構成する配線
や電極に用いることのできる材料の一例である、金属ナノワイヤ、金属メッシュ、カーボ
ンナノチューブ、グラフェンなどは、可視光において透過率が高いため、表示素子に用い
る電極（例えば、画素電極または共通電極など）として用いてもよい。
＜表示装置に関する説明＞
次に、図４０（Ａ）、（Ｂ）を用いて、表示装置２５０１の詳細について説明する。図
４０（Ａ）、（Ｂ）は、図３９（Ｂ）に示す一点鎖線Ｘ１−Ｘ２間の断面図に相当する。
表示装置２５０１は、マトリクス状に配置された複数の画素を有する。該画素は表示素
子と、該表示素子を駆動する画素回路とを有する。
なお、図４０（Ａ）に示す断面図では、白色の光を射出するＥＬ素子を表示素子として適
用する場合について図示しているが、ＥＬ素子はこれに限定されない。例えば、図４０（
Ｂ）に図示するように、隣接する画素毎に射出する光の色が異なるように、発光色が異な
るＥＬ素子を画素毎に塗り分ける構成とすることもできる。以下の説明では、白色の光を
射出するＥＬ素子を表示素子として適用する場合を一例として挙げて説明する。
基板２５１０および基板２５７０としては、例えば、水蒸気の透過率が１０−５ｇ／（
ｍ２・ｄａｙ）以下、好ましくは１０−６ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）以下である可撓性を有す
る材料を好適に用いることができる。または、基板２５１０の熱膨張率と、基板２５７０
の熱膨張率とが、およそ等しい材料を用いると好適である。例えば、線膨張率が１×１０
−３／Ｋ以下、好ましくは５×１０−５／Ｋ以下、より好ましくは１×１０−５／Ｋ以下
である材料を好適に用いることができる。
なお、基板２５１０は、ＥＬ素子への不純物の拡散を防ぐ絶縁層２５１０ａと、可撓性
基板２５１０ｂと、絶縁層２５１０ａおよび可撓性基板２５１０ｂを貼り合わせる接着層
２５１０ｃと、を有する積層体である。また、基板２５７０は、ＥＬ素子への不純物の拡
散を防ぐ絶縁層２５７０ａと、可撓性基板２５７０ｂと、絶縁層２５７０ａおよび可撓性
基板２５７０ｂを貼り合わせる接着層２５７０ｃと、を有する積層体である。
接着層２５１０ｃおよび接着層２５７０ｃとしては、例えば、ポリエステル、ポリオレ
フィン、ポリアミド（ナイロン、アラミド等）、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリウ
レタン、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、もしくはシロキサン結合を有する樹脂含む材料を
用いることができる。
また、基板２５１０と基板２５７０との間に封止層２５６０を有する。封止層２５６０
は、空気より大きい屈折率を有すると好ましい。また、図４０（Ａ）に示すように、封止
層２５６０側に光を取り出す場合は、封止層２５６０は光学素子を兼ねることができる。
また、封止層２５６０の外周部にシール材を形成してもよい。当該シール材を用いるこ
とにより、基板２５１０、基板２５７０、封止層２５６０、およびシール材で囲まれた領
域にＥＬ素子２５５０を有する構成とすることができる。なお、封止層２５６０として、
不活性気体（窒素やアルゴン等）を充填してもよい。また、当該不活性気体内に、乾燥材
を設けて、水分等を吸着させる構成としてもよい。また、上述のシール材としては、例え
ば、エポキシ系樹脂やガラスフリットを用いるのが好ましい。また、シール材に用いる材
料としては、水分や酸素を透過しない材料を用いると好適である。
また、図４０（Ａ）に示す表示装置２５０１は、画素２５０５を有する。また、画素２
５０５は、発光モジュール２５８０と、ＥＬ素子２５５０と、ＥＬ素子２５５０に電力を
供給することができるトランジスタ２５０２ｔと、を有する。なお、トランジスタ２５０
２ｔは、画素回路の一部として機能する。
また、発光モジュール２５８０は、ＥＬ素子２５５０と、着色層２５６７とを有する。
また、ＥＬ素子２５５０は、下部電極と、上部電極と、下部電極と上部電極との間にＥＬ
層とを有する。
また、封止層２５６０が光を取り出す側に設けられている場合、封止層２５６０は、Ｅ
Ｌ素子２５５０と着色層２５６７に接する。なお着色層２５６７は、発光色が異なるＥＬ
素子を画素毎に塗り分けた場合、図４０（Ｂ）に図示するように省略することも可能であ
る。
着色層２５６７は、ＥＬ素子２５５０と重なる位置にある。これにより、ＥＬ素子２５
５０が発する光の一部は着色層２５６７を透過して、図中に示す矢印の方向の発光モジュ
ール２５８０の外部に射出される。
また、表示装置２５０１には、光を射出する方向に遮光層２５６８が設けられる。遮光
層２５６８は、着色層２５６７を囲むように設けられている。
着色層２５６７としては、特定の波長帯域の光を透過する機能を有していればよく、例
えば、赤色の波長帯域の光を透過するカラーフィルタ、緑色の波長帯域の光を透過するカ
ラーフィルタ、青色の波長帯域の光を透過するカラーフィルタ、黄色の波長帯域の光を透
過するカラーフィルタなどを用いることができる。各カラーフィルタは、様々な材料を用
いて、印刷法、インクジェット法、フォトリソグラフィ技術を用いたエッチング方法など
で形成することができる。
また、表示装置２５０１には、絶縁層２５２１が設けられる。絶縁層２５２１はトラン
ジスタ２５０２ｔ等を覆う。なお、絶縁層２５２１は、画素回路に起因する凹凸を平坦化
するための機能を有する。また、絶縁層２５２１に不純物の拡散を抑制できる機能を付与
してもよい。これにより、不純物の拡散によるトランジスタ２５０２ｔ等の信頼性の低下
を抑制できる。
また、ＥＬ素子２５５０は、絶縁層２５２１の上方に形成される。また、ＥＬ素子２５
５０が有する下部電極には、該下部電極の端部に重なる隔壁２５２８が設けられる。なお
、基板２５１０と、基板２５７０との間隔を制御するスペーサを、隔壁２５２８上に形成
してもよい。
また、ゲート線駆動回路２５０４は、トランジスタ２５０３ｔと、容量素子２５０３ｃ
とを有する。なお、駆動回路を画素回路と同一の工程で同一基板上に形成することができ
る。
また、基板２５１０上には、信号を供給することができる配線２５１１が設けられる。
また、配線２５１１上には、端子２５１９が設けられる。また、端子２５１９には、ＦＰ
Ｃ２５０９（１）が電気的に接続される。また、ＦＰＣ２５０９（１）は、ビデオ信号、
クロック信号、スタート信号、リセット信号等を供給する機能を有する。なお、ＦＰＣ２
５０９（１）にはプリント配線基板（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い。
なお、トランジスタ２５０２ｔおよびトランジスタ２５０３ｔのいずれか一方または双
方に先の実施の形態に示すトランジスタを適用すればよい。本実施の形態で用いるトラン
ジスタは、高純度化し結晶性が高い酸化物半導体膜を有する。該トランジスタは、オフ状
態における電流値（オフ電流値）を低くすることができる。よって、画像信号等の電気信
号の保持時間を長くすることができ、電源オン状態では書き込み間隔も長く設定できる。
よって、リフレッシュ動作の頻度を少なくすることができるため、消費電力を抑制する効
果を奏する。なお、リフレッシュ動作の詳細については、後述する。
また、本実施の形態で用いるトランジスタは、比較的高い電界効果移動度が得られるた
め、高速駆動が可能である。例えば、このような高速駆動が可能なトランジスタを表示装
置２５０１に用いることで、画素回路のスイッチングトランジスタと、駆動回路に使用す
るドライバトランジスタを同一基板上に形成することができる。すなわち、別途駆動回路
として、シリコンウェハ等により形成された半導体装置を用いる必要がないため、半導体
装置の部品点数を削減することができる。また、画素回路においても、高速駆動が可能な
トランジスタを用いることで、高画質な画像を提供することができる。
＜タッチセンサに関する説明＞
次に、図４１を用いて、タッチセンサ２５９５の詳細について説明する。図４１は、図
３９（Ｂ）に示す一点鎖線Ｘ３−Ｘ４間の断面図に相当する。
タッチセンサ２５９５は、基板２５９０上に千鳥状に配置された電極２５９１および電
極２５９２と、電極２５９１および電極２５９２を覆う絶縁層２５９３と、隣り合う電極
２５９１を電気的に接続する配線２５９４とを有する。
電極２５９１および電極２５９２は、透光性を有する導電材料を用いて形成する。透光
性を有する導電性材料としては、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛
酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物を用いることができ
る。なお、グラフェンを含む膜を用いることもできる。グラフェンを含む膜は、例えば膜
状に形成された酸化グラフェンを含む膜を還元して形成することができる。還元する方法
としては、熱を加える方法等を挙げることができる。
例えば、透光性を有する導電性材料を基板２５９０上にスパッタリング法により成膜し
た後、フォトリソグラフィ法等の様々なパターニング技術により、不要な部分を除去して
、電極２５９１および電極２５９２を形成することができる。
また、絶縁層２５９３に用いる材料としては、例えば、アクリル、エポキシなどの樹脂
、シロキサン結合を有する樹脂の他、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化アルミニウ
ムなどの無機絶縁材料を用いることもできる。
また、電極２５９１に達する開口が絶縁層２５９３に設けられ、配線２５９４が隣接す
る電極２５９１と電気的に接続する。透光性の導電性材料は、タッチパネルの開口率を高
めることができるため、配線２５９４に好適に用いることができる。また、電極２５９１
および電極２５９２より導電性の高い材料は、電気抵抗を低減できるため配線２５９４に
好適に用いることができる。
電極２５９２は、一方向に延在し、複数の電極２５９２がストライプ状に設けられてい
る。また、配線２５９４は電極２５９２と交差して設けられている。
一対の電極２５９１が１つの電極２５９２を挟んで設けられる。また、配線２５９４は
一対の電極２５９１を電気的に接続している。
なお、複数の電極２５９１は、１つの電極２５９２と必ずしも直交する方向に配置され
る必要はなく、０度を超えて９０度未満の角度をなすように配置されてもよい。
また、配線２５９８は、電極２５９１または電極２５９２と電気的に接続される。また
、配線２５９８の一部は、端子として機能する。配線２５９８としては、例えば、アルミ
ニウム、金、白金、銀、ニッケル、チタン、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コ
バルト、銅、またはパラジウム等の金属材料や、該金属材料を含む合金材料を用いること
ができる。
なお、絶縁層２５９３および配線２５９４を覆う絶縁層を設けて、タッチセンサ２５９
５を保護してもよい。
また、接続層２５９９は、配線２５９８とＦＰＣ２５０９（２）を電気的に接続させる
。
接続層２５９９としては、異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃ
ｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）や、異方性導電ペースト（ＡＣＰ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐ
ｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ）などを用いることができる。
＜タッチパネルに関する説明＞
次に、図４２（Ａ）を用いて、タッチパネル２０００の詳細について説明する。図４２
（Ａ）は、３４（Ａ）に示す一点鎖線Ｘ５−Ｘ６間の断面図に相当する。
図４２（Ａ）に示すタッチパネル２０００は、図４０（Ａ）で説明した表示装置２５０
１と、図４１で説明したタッチセンサ２５９５と、を貼り合わせた構成である。
また、図４２（Ａ）に示すタッチパネル２０００は、図４０（Ａ）で説明した構成の他
、接着層２５９７と、反射防止層２５６９と、を有する。
接着層２５９７は、配線２５９４と接して設けられる。なお、接着層２５９７は、タッ
チセンサ２５９５が表示装置２５０１に重なるように、基板２５９０を基板２５７０に貼
り合わせている。また、接着層２５９７は、透光性を有すると好ましい。また、接着層２
５９７としては、熱硬化性樹脂、または紫外線硬化樹脂を用いることができる。例えば、
アクリル系樹脂、ウレタン系樹脂、エポキシ系樹脂、またはシロキサン系樹脂を用いるこ
とができる。
反射防止層２５６９は、画素に重なる位置に設けられる。反射防止層２５６９として、
例えば円偏光板を用いることができる。
次に、図４２（Ａ）に示す構成と異なる構成のタッチパネルについて、図４２（Ｂ）を
用いて説明する。
図４２（Ｂ）は、タッチパネル２００１の断面図である。図４２（Ｂ）に示すタッチパ
ネル２００１は、図４２（Ａ）に示すタッチパネル２０００と、表示装置２５０１に対す
るタッチセンサ２５９５の位置が異なる。ここでは異なる構成について詳細に説明し、同
様の構成を用いることができる部分は、タッチパネル２０００の説明を援用する。
着色層２５６７は、ＥＬ素子２５５０の下方に位置する。また、図４２（Ｂ）に示すＥ
Ｌ素子２５５０は、トランジスタ２５０２ｔが設けられている側に光を射出する。これに
より、ＥＬ素子２５５０が発する光の一部は、着色層２５６７を透過して、図中に示す矢
印の方向の発光モジュール２５８０の外部に射出される。
また、タッチセンサ２５９５は、表示装置２５０１の基板２５１０側に設けられている
。
接着層２５９７は、基板２５１０と基板２５９０の間にあり、表示装置２５０１とタッ
チセンサ２５９５を貼り合わせる。
図４２（Ａ）（Ｂ）に示すように、発光素子から射出される光は、基板２５１０および
基板２５７０のいずれか一方または双方を通して射出されればよい。
＜タッチパネルの駆動方法に関する説明＞
次に、タッチパネルの駆動方法の一例について、図４３を用いて説明を行う。
図４３（Ａ）は、相互容量方式のタッチセンサの構成を示すブロック図である。図４３
（Ａ）では、パルス電圧出力回路２６０１、電流検出回路２６０２を示している。なお、
図４３（Ａ）では、パルス電圧が与えられる電極２６２１をＸ１−Ｘ６として、電流の変
化を検知する電極２６２２をＹ１−Ｙ６として、それぞれ６本の配線で例示している。ま
た、図４３（Ａ）は、電極２６２１と、電極２６２２とが重畳することで形成される容量
２６０３を示している。なお、電極２６２１と電極２６２２とはその機能を互いに置き換
えてもよい。
パルス電圧出力回路２６０１は、Ｘ１−Ｘ６の配線に順にパルスを印加するための回路
である。Ｘ１−Ｘ６の配線にパルス電圧が印加されることで、容量２６０３を形成する電
極２６２１と電極２６２２との間に電界が生じる。この電極間に生じる電界が遮蔽等によ
り容量２６０３の相互容量に変化を生じさせることを利用して、被検知体の近接、または
接触を検出することができる。
電流検出回路２６０２は、容量２６０３での相互容量の変化による、Ｙ１〜Ｙ６の配線
での電流の変化を検出するための回路である。Ｙ１−Ｙ６の配線では、被検知体の近接、
または接触がないと検出される電流値に変化はないが、検出する被検知体の近接、または
接触により相互容量が減少する場合には電流値が減少する変化を検出する。なお電流の検
出は、積分回路等を用いて行えばよい。
次に、図４３（Ｂ）には、図４３（Ａ）で示す相互容量方式のタッチセンサにおける入
出力波形のタイミングチャートを示す。図４３（Ｂ）では、１フレーム期間で各行列での
被検知体の検出を行うものとする。また図４３（Ｂ）では、被検知体を検出しない場合（
非タッチ）と被検知体を検出する場合（タッチ）との２つの場合について示している。な
おＹ１−Ｙ６の配線については、検出される電流値に対応する電圧値とした波形を示して
いる。
Ｘ１−Ｘ６の配線には、順にパルス電圧が与えられ、該パルス電圧にしたがってＹ１−
Ｙ６の配線での波形が変化する。被検知体の近接または接触がない場合には、Ｘ１−Ｘ６
の配線の電圧の変化に応じてＹ１−Ｙ６の波形が一様に変化する。一方、被検知体が近接
または接触する箇所では、電流値が減少するため、これに対応する電圧値の波形も変化す
る。
このように、相互容量の変化を検出することにより、被検知体の近接または接触を検知
することができる。
＜センサ回路に関する説明＞
また、図４３（Ａ）ではタッチセンサとして配線の交差部に容量２６０３のみを設ける
パッシブ型のタッチセンサの構成を示したが、トランジスタと容量とを有するアクティブ
型のタッチセンサとしてもよい。アクティブ型のタッチセンサに含まれるセンサ回路の一
例を図４４に示す。
図４４に示すセンサ回路は、容量２６０３と、トランジスタ２６１１と、トランジスタ
２６１２と、トランジスタ２６１３とを有する。
トランジスタ２６１３はゲートに信号Ｇ２が与えられ、ソースまたはドレインの一方に
電圧ＶＲＥＳが与えられ、他方が容量２６０３の一方の電極およびトランジスタ２６１１
のゲートと電気的に接続する。トランジスタ２６１１は、ソースまたはドレインの一方が
トランジスタ２６１２のソースまたはドレインの一方と電気的に接続し、他方に電圧ＶＳ
Ｓが与えられる。トランジスタ２６１２は、ゲートに信号Ｇ１が与えられ、ソースまたは
ドレインの他方が配線ＭＬと電気的に接続する。容量２６０３の他方の電極には電圧ＶＳ
Ｓが与えられる。
次に、図４４に示すセンサ回路の動作について説明する。まず、信号Ｇ２としてトラン
ジスタ２６１３をオン状態とする電位が与えられることで、トランジスタ２６１１のゲー
トが接続されるノードｎに電圧ＶＲＥＳに対応した電位が与えられる。次に、信号Ｇ２と
してトランジスタ２６１３をオフ状態とする電位が与えられることで、ノードｎの電位が
保持される。
続いて、指等の被検知体の近接または接触により、容量２６０３の相互容量が変化する
ことに伴い、ノードｎの電位がＶＲＥＳから変化する。
読み出し動作は、信号Ｇ１にトランジスタ２６１２をオン状態とする電位を与える。ノ
ードｎの電位に応じてトランジスタ２６１１に流れる電流、すなわち配線ＭＬに流れる電
流が変化する。この電流を検出することにより、被検知体の近接または接触を検出するこ
とができる。
トランジスタ２６１１、トランジスタ２６１２、およびトランジスタ２６１３に先の実
施の形態に示すトランジスタを適用することができる。とくにトランジスタ２６１３に先
の実施の形態に示すトランジスタを適用することにより、ノードｎの電位を長期間に亘っ
て保持することが可能となり、ノードｎにＶＲＥＳを供給しなおす動作（リフレッシュ動
作）の頻度を減らすことができる。
（実施の形態５）
本実施の形態においては、本発明の一態様の表示装置がとりうる表示方法について、図
４５乃至図４８を用いて説明を行う。
なお、本発明の一態様の表示装置は、情報処理部、演算部、記憶部、表示部、および入
力部等を有していてもよい。
また、本発明の一態様の表示装置において、同一画像（静止画像）を連続して表示する
場合、同一画像の信号を書き込む回数（リフレッシュするともいう）を低減することで、
消費電力の低減を図ることができる。なお、リフレッシュを行う頻度をリフレッシュレー
ト（走査周波数、垂直同期周波数ともいう）という。以下では、リフレッシュレートを低
減し、目の疲労が少ない表示装置について説明する。
目の疲労には、神経系の疲労と、筋肉系の疲労の２種類がある。神経系の疲労は、表示
装置の発光、点滅画面を、長時間見続けることで、その明るさが眼の網膜や神経、脳を刺
激して疲れさせるものである。筋肉系の疲労は、ピント調節のときに使用する毛様体の筋
肉を酷使することにより疲れさせるものである。
図４５（Ａ）に、従来の表示装置の表示を表す模式図を示す。図４５（Ａ）に示すよう
に、従来の表示装置では、１秒間に６０回の画像の書き換えが行われている。このような
画面を長時間見続けることにより、使用者の眼の網膜や神経、脳を刺激して眼の疲労が引
き起こされるおそれがあった。
本発明の一態様の表示装置においては、表示装置の画素部に、酸化物半導体を用いたト
ランジスタ、例えば、ＣＡＡＣ−ＯＳを用いたトランジスタを適用する。当該トランジス
タのオフ電流は、極めて小さい。従って、表示装置のリフレッシュレートを下げても、表
示装置の輝度の維持が可能となる。
つまり、図４５（Ｂ）に示すように、例えば、５秒間に１回の画像の書き換えが可能と
なるため、極力長い時間同じ映像を見ることが可能となり、使用者に視認される画面のち
らつきが低減される。これにより、使用者の眼の網膜や神経、脳の刺激が低減され、神経
系の疲労が軽減される。
また、図４６（Ａ）に示すように、１画素のサイズが大きい場合（例えば精細度が１５
０ｐｐｉ未満の場合）、表示装置に表示された文字はぼやけてしまう。表示装置に表示さ
れたぼやけた文字を長時間見続けると、毛様体の筋肉が、絶えずピントを合わせようと動
いているにもかかわらず、ピントが合わせづらい状態が続くことになり、目に負担をかけ
てしまうおそれがある。
これに対し、図４６（Ｂ）に示すように、本発明の一態様に係る表示装置では、１画素
のサイズが小さく高精細な表示が可能となるため、緻密で滑らかな表示とすることができ
る。これにより、毛様体の筋肉が、ピントを合わせやすくなるため、使用者の筋肉系の疲
労が軽減される。表示装置の解像度を１５０ｐｐｉ以上、好ましくは２００ｐｐｉ以上、
さらに好ましくは３００ｐｐｉ以上とすることにより、使用者の筋肉系の疲労を効果的に
低減することができる。
なお、目の疲労を定量的に測定する方法が検討されている。例えば、神経系の疲労の評
価指標としては、臨界融合周波数（ＣＦＦ：Ｃｒｉｔｉｃａｌ Ｆｌｉｃｋｅｒ（Ｆｕｓ
ｉｏｎ） Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）などが知られている。また、筋肉系の疲労の評価指標と
しては、調節時間や調節近点距離などが知られている。
そのほか、目の疲労を評価する方法として、脳波測定、サーモグラフィ法、瞬きの回数
の測定、涙液量の評価、瞳孔の収縮反応速度の評価や、自覚症状を調査するためのアンケ
ート等がある。
例えば、上記の様々な方法により、本発明の一態様の表示装置の駆動方法を評価するこ
とができる。
＜表示装置の表示方法＞
ここで、本発明の一態様の表示装置の表示方法について、図４７を用いて説明する。
［イメージ情報の表示例］
以下では、２つの異なるイメージ情報を含む画像を移動させて表示する例について示す
。
図４７（Ａ）には、表示部４５０にウィンドウ４５１と、ウィンドウ４５１に表示され
た静止画像である第１の画像４５２ａが表示されている例を示している。
このとき、第１のリフレッシュレートで表示を行っていることが好ましい。なお、第１
のリフレッシュレートとしては、１．１６×１０−５Ｈｚ（１日に約１回の頻度）以上１
Ｈｚ以下、または２．７８×１０−４Ｈｚ（１時間に約１回の頻度）以上０．５Ｈｚ以下
、または１．６７×１０−２Ｈｚ（１分間に約１回の頻度）以上０．１Ｈｚ以下とするこ
とができる。
このように、第１のリフレッシュレートを極めて小さい値に設定し、画面の書き換えの
頻度を低減することで、実質的にちらつきを生じない表示を実現でき、より効果的に使用
者の目の疲労を低減することができる。
なお、ウィンドウ４５１は、例えば画像表示アプリケーションソフトを実行することに
より表示され、画像を表示する表示領域を含む。
また、ウィンドウ４５１の下部には、異なるイメージ情報に表示を切り替えるためのボ
タン４５３を有する。使用者がボタン４５３を選択する操作を行うことにより、画像を移
動させる命令を表示装置の情報処理部に与えることができる。
なお、使用者の操作方法は入力手段に応じて設定すればよい。例えば入力手段として表
示部４５０に重ねて設けられたタッチパネルを用いる場合には、指やスタイラス等により
ボタン４５３をタッチする操作や、画像をスライドさせるようなジェスチャ入力を行うこ
とにより操作することができる。ジェスチャ入力や音声入力を用いる場合には、必ずしも
ボタン４５３を表示しなくてもよい。
画像を移動させる命令を表示装置の情報処理部が受け取ると、ウィンドウ４５１内に表
示された画像の移動が開始される（図４７（Ｂ））。
なお、図４７（Ａ）の時点で第１のリフレッシュレートで表示を行っていた場合には、
画像の移動の前に、リフレッシュレートを第２のリフレッシュレートに変更すると好まし
い。第２のリフレッシュレートは、動画像の表示を行うために必要な値である。例えば、
第２のリフレッシュレートは、３０Ｈｚ以上９６０Ｈｚ以下、好ましくは６０Ｈｚ以上９
６０Ｈｚ以下、より好ましくは７５Ｈｚ以上９６０Ｈｚ以下、より好ましくは１２０Ｈｚ
以上９６０Ｈｚ以下、より好ましくは２４０Ｈｚ以上９６０Ｈｚ以下とすることができる
。
第２のリフレッシュレートを、第１のリフレッシュレートよりも高い値に設定すること
により、動画像をより滑らかに自然に表示することができる。また書き換えに伴うちらつ
き（フリッカともいう）が使用者に視認されることが抑制されるため、使用者の目の疲労
を低減できる。
このとき、ウィンドウ４５１内に表示される画像は、第１の画像４５２ａと、次に表示
すべき第２の画像４５２ｂとが結合された画像である。ウィンドウ４５１内には、この結
合された画像が一方向（ここでは左方向）に移動するように、一部の領域が表示される。
また、結合された画像の移動と共に、ウィンドウ４５１内に表示された画像の輝度が初
期（図４７（Ａ）の時点）の輝度に比べて段階的に低下する。
図４７（Ｃ）は、ウィンドウ４５１内に表示された画像が、所定座標に到達した時点を
示している。したがって、この時点でウィンドウ４５１内に表示された画像の輝度が最も
低い。
なお、図４７（Ｃ）では、所定座標として、第１の画像４５２ａと第２の画像４５２ｂ
のそれぞれが、半分ずつ表示されている座標としたが、これに限られず、使用者が自由に
設定可能とすることが好ましい。
例えば、画像の初期座標から最終座標までの距離に対する、初期座標からの距離の比が
０より大きく、１未満である座標を所定座標に設定すればよい。
また、画像が所定座標に達した時の輝度についても、使用者が自由に設定可能とするこ
とが好ましい。例えば、画像が所定座標に達した時の輝度の、初期の輝度に対する比が０
以上１未満、好ましくは０以上０．８以下、より好ましくは０以上０．５以下などに設定
すればよい。
続いて、ウィンドウ４５１内には、結合された画像が移動しながら輝度が段階的に上昇
するように表示される（図４７（Ｄ）。
図４７（Ｅ）は、結合された画像の座標が最終座標に達した時点を示している。ウィン
ドウ４５１内には、第２の画像４５２ｂのみが、初期の輝度と等しい輝度で表示されてい
る。
なお、画像の移動が完了した後に、リフレッシュレートを第２のリフレッシュレートか
ら、第１のリフレッシュレートに変更することが好ましい。
このような表示を行うことにより、画像の移動を使用者が目で追ったとしても、該画像
の輝度が低減されているため、使用者の目の疲労を低減することができる。したがって、
このような駆動方法を用いることにより、目にやさしい表示を実現できる。
［文書情報の表示例］
次に、表示ウィンドウの大きさよりも大きな文書情報をスクロールさせて表示する例に
ついて説明する。
図４８（Ａ）には、表示部４５０にウィンドウ４５５と、ウィンドウ４５５に表示され
た静止画像である文書情報４５６の一部が表示されている例を示している。
このとき、上記の第１のリフレッシュレートで表示を行っていることが好ましい。
ウィンドウ４５５は、例えば文書表示アプリケーションソフト、文書作成アプリケーシ
ョンソフトなどを実行することにより表示され、文書情報を表示する表示領域を含む。
文書情報４５６は、その画像の大きさがウィンドウ４５５の表示領域よりも縦方向に大
きい。したがってウィンドウ４５５には、その一部の領域のみが表示されている。また、
図４８（Ａ）に示すように、ウィンドウ４５５は、文書情報４５６のどの領域が表示され
ているかを示すスクロールバー４５７を備えていてもよい。
入力部により画像を移動させる命令（ここでは、スクロール命令ともいう）が表示装置
に与えられると、文書情報４５６の移動が開始される（図４８（Ｂ））。また、表示され
る画像の輝度が段階的に低下する。
なお、図４８（Ａ）の時点で第１のリフレッシュレートで表示を行っていた場合には、
文書情報４５６の移動の前に、リフレッシュレートを第２のリフレッシュレートに変更す
ると好ましい。
ここでは、ウィンドウ４５５内に表示される画像の輝度だけでなく、表示部４５０に表
示される画像全体の輝度が低下する様子を示している。
図４８（Ｃ）は、文書情報４５６の座標が所定座標に達した時点を示している。このと
き、表示部４５０に表示される画像全体の輝度は最も低くなる。
続いて、ウィンドウ４５５内には、文書情報４５６が移動しながら表示される（図４８
（Ｄ））。このとき、表示部４５０に表示される画像全体の輝度は段階的に上昇する。
図４８（Ｅ）は、文書情報４５６の座標が最終座標に達した時点を示している。ウィン
ドウ４５５内には、文書情報４５６の初期に表示された領域とは異なる領域が、初期の輝
度と等しい輝度で表示される。
なお、文書情報４５６の移動が完了した後に、リフレッシュレートを第１のリフレッシ
ュレートに変更することが好ましい。
このような表示を行うことにより、画像の移動を使用者が目で追ったとしても、該画像
の輝度が低減されているため、使用者の目の疲労を低減することができる。したがって、
このような駆動方法を用いることにより、目にやさしい表示を実現できる。
特に、文書情報などのコントラストの高い表示は、使用者の目の疲労がより顕著になる
ため、文書情報の表示にこのような駆動方法を適用することはより好ましい。
（実施の形態６）
本実施の形態では、上記実施の形態で説明した画素を有する表示装置の外観、および表示
装置を具備する電子機器の一例について説明する。
＜表示装置の外観＞
図４９（Ａ）は、表示装置の外観の一例を示す、斜視図である。図４９（Ａ）に示す表示
装置は、パネル１６０１と、コントローラ、電源回路、画像処理回路、画像メモリ、ＣＰ
Ｕなどが設けられた回路基板１６０２と、接続部１６０３とを有している。パネル１６０
１は、画素が複数設けられた画素部１６０４と、複数の画素を行ごとに選択する駆動回路
１６０５と、選択された行内の画素へのデータ電圧の入力を制御する駆動回路１６０６と
を有する。
回路基板１６０２から、接続部１６０３を介して、各種信号と、電源の電位とが、パネル
１６０１に入力される。接続部１６０３には、ＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅ
ｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）などを用いることができる。ＦＰＣにチップを実装したものをＣＯ
Ｆテープと呼び、ＣＯＦテープを用いると、より小さい面積でより高密度の実装を行うこ
とができる。また、接続部１６０３にＣＯＦテープを用いる場合、回路基板１６０２内の
一部の回路、或いはパネル１６０１が有する駆動回路１６０５や駆動回路１６０６の一部
などを別途用意したチップに形成しておき、ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｆｉｌｍ）法を用
いて当該チップをＣＯＦテープに接続しておいても良い。
また、ＣＯＦテープ１６０７を用いた表示装置の外観の一例を示す斜視図を図４９（Ｂ）
に示す。
チップ１６０８は、バンプなどの端子を表面に有する半導体ベアチップ（ＩＣ、ＬＳＩな
ど）である。さらに、ＣＯＦテープ１６０７に、ＣＲ部品も実装でき、回路基板１６０２
の面積縮小も図れる。フレキシブル基板の配線パターンは、実装するチップの端子に対応
して複数形成される。チップ１６０８は、ボンダー装置などにより、配線パターンを有す
るフレキシブル基板上に位置決めして配置し、熱圧着することによって実装される。
図４９（Ｂ）には一つのチップ１６０８を実装した一つのＣＯＦテープ１６０７の例を示
したが特に限定されない。１つのＣＯＦテープ１６０７の片面または両面に複数列のチッ
プを実装することができるが、コスト削減のためには、実装するチップ数を少なくするた
め一列とすることが好ましく、さらに好ましくは１個とすることが望ましい。
＜電子機器の構成例＞
次いで、表示装置を備えた電子機器について説明する。
本発明の一態様に係る表示装置は、表示装置、ノート型パーソナルコンピュータ、記録媒
体を備えた画像再生装置（代表的にはＤＶＤ：Ｄｉｇｉｔａｌ Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ Ｄ
ｉｓｃ等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを有する装置）に用い
ることができる。その他に、本発明の一態様に係る表示装置を用いることができる電子機
器として、携帯電話、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、電子書籍、ビデオカメラ、デジタ
ルスチルカメラなどのカメラ、ゴーグル型ディスプレイ（ヘッドマウントディスプレイ）
、ナビゲーションシステム、音響再生装置（カーオーディオ、デジタルオーディオプレイ
ヤー等）、複写機、ファクシミリ、プリンター、プリンター複合機、現金自動預け入れ払
い機（ＡＴＭ）、自動販売機などが挙げられる。これら電子機器の具体例を図５０に示す
。
図５０（Ａ）は表示装置であり、筐体５００１、表示部５００２、支持台５００３等を有
する。本発明の一態様に係る表示装置は、表示部５００２に用いることができる。なお、
表示装置には、パーソナルコンピュータ用、ＴＶ放送受信用、広告表示用などの全ての情
報表示用表示装置が含まれる。
図５０（Ｂ）は携帯情報端末であり、筐体５１０１、表示部５１０２、操作キー５１０３
等を有する。本発明の一態様に係る表示装置は、表示部５１０２に用いることができる。
図５０（Ｃ）は表示装置であり、曲面を有する筐体５７０１、表示部５７０２等を有する
。本発明の一態様に係る表示装置に可撓性を有する基板を用いることで、曲面を有する筐
体５７０１に支持された表示部５７０２に、当該表示装置を用いることができ、フレキシ
ブルかつ軽くて使い勝手の良い表示装置を提供することができる。
図５０（Ｄ）は携帯型ゲーム機であり、筐体５３０１、筐体５３０２、表示部５３０３、
表示部５３０４、マイクロホン５３０５、スピーカー５３０６、操作キー５３０７、スタ
イラス５３０８等を有する。本発明の一態様に係る表示装置は、表示部５３０３または表
示部５３０４に用いることができる。表示部５３０３または表示部５３０４に本発明の一
態様に係る表示装置を用いることで、ユーザーの使用感に優れ、品質の低下が起こりにく
い携帯型ゲーム機を提供することができる。なお、図５０（Ｄ）に示した携帯型ゲーム機
は、２つの表示部５３０３と表示部５３０４とを有しているが、携帯型ゲーム機が有する
表示部の数は、これに限定されない。
図５０（Ｅ）は電子書籍であり、筐体５６０１、表示部５６０２等を有する。本発明の一
態様に係る表示装置は、表示部５６０２に用いることができる。そして、可撓性を有する
基板を用いることで、表示装置に可撓性を持たせることができるので、フレキシブルかつ
軽くて使い勝手の良い電子書籍を提供することができる。
図５０（Ｆ）は携帯電話であり、筐体５９０１に、表示部５９０２、マイク５９０７、ス
ピーカー５９０４、カメラ５９０３、外部接続部５９０６、操作用のボタン５９０５が設
けられている。表示部５９０２に、本発明の一態様に係る表示装置を用いることできる。
また、本発明の一態様に係る表示装置を、可撓性を有する基板に形成した場合、図５０（
Ｆ）に示すような曲面を有する表示部５９０２に当該表示装置を適用することが可能であ
る。
（本明細書等の記載に関する付記）
以上の実施の形態、および実施の形態における各構成の説明について、以下に付記する。
＜実施の形態で述べた本発明の一態様に関する付記＞
各実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて、本発明の一
態様とすることができる。また、１つの実施の形態の中に、複数の構成例が示される場合
は、互い構成例を適宜組み合わせることが可能である。
なお、ある一つの実施の形態の中で述べる内容（一部の内容でもよい）は、その実施の形
態で述べる別の内容（一部の内容でもよい）、および／または、一つ若しくは複数の別の
実施の形態で述べる内容（一部の内容でもよい）に対して、適用、組み合わせ、または置
き換えなどを行うことが出来る。
なお、実施の形態の中で述べる内容とは、各々の実施の形態において、様々な図を用いて
述べる内容、または明細書に記載される文章を用いて述べる内容のことである。
なお、ある一つの実施の形態において述べる図（一部でもよい）は、その図の別の部分、
その実施の形態において述べる別の図（一部でもよい）、および／または、一つ若しくは
複数の別の実施の形態において述べる図（一部でもよい）に対して、組み合わせることに
より、さらに多くの図を構成させることが出来る。
また、各実施の形態において本発明の一態様を説明したが、本発明の一態様はこれらに限
定されない。例えば、本発明の一態様として実施の形態２では、トランジスタ１０２など
のトランジスタのチャネル形成領域が、酸化物半導体あるいはシリコンを有する場合の例
を示したが、本発明の一態様は、これに限定されない。場合によっては、または、状況に
応じて、本発明の一態様における様々なトランジスタ、トランジスタのチャネル形成領域
、または、トランジスタのソースドレイン領域などは、様々な半導体を有していてもよい
。例えば、シリコン、ゲルマニウム、シリコンゲルマニウム、炭化シリコン、ガリウムヒ
素、アルミニウムガリウムヒ素、インジウムリン、窒化ガリウム、または、有機半導体な
どの少なくとも一つを有していてもよい。
＜図面を説明する記載に関する付記＞
本明細書等において、「上に」、「下に」などの配置を示す語句は、構成同士の位置関係
を、図面を参照して説明するために、便宜上用いている。構成同士の位置関係は、各構成
を描写する方向に応じて適宜変化する。そのため、配置を示す語句は、明細書で説明した
記載に限定されず、状況に応じて適切に言い換えることができる。
また、「上」や「下」の用語は、構成要素の位置関係が直上または直下で、かつ、直接接
していることを限定するものではない。例えば、「絶縁層Ａ上の電極Ｂ」の表現であれば
、絶縁層Ａの上に電極Ｂが直接接して形成されている必要はなく、絶縁層Ａと電極Ｂとの
間に他の構成要素を含むものを除外しない。
また本明細書等において、ブロック図では、構成要素を機能毎に分類し、互いに独立した
ブロックとして示している。しかしながら実際の回路等においては、構成要素を機能毎に
切り分けることが難しく、一つの回路に複数の機能が係わる場合や、複数の回路にわたっ
て一つの機能が関わる場合があり得る。そのため、ブロック図のブロックは、明細書で説
明した構成要素に限定されず、状況に応じて適切に言い換えることができる。
また、図面において、大きさ、層の厚さ、または領域は、説明の便宜上任意の大きさに示
したものである。よって、必ずしもそのスケールに限定されない。なお図面は明確性を期
すために模式的に示したものであり、図面に示す形状または値などに限定されない。例え
ば、ノイズによる信号、電圧、若しくは電流のばらつき、または、タイミングのずれによ
る信号、電圧、若しくは電流のばらつきなどを含むことが可能である。
また、図面において、上面図（平面図、レイアウト図ともいう）や斜視図などにおいて、
図面の明確性を期すために、一部の構成要素の記載を省略している場合がある。
＜言い換え可能な記載に関する付記＞
本明細書等において、トランジスタの接続関係を説明する際、ソースとドレインとの一方
を、「ソースまたはドレインの一方」（または第１電極、または第１端子）と表記し、ソ
ースとドレインとの他方を「ソースまたはドレインの他方」（または第２電極、または第
２端子）と表記している。これは、トランジスタのソースとドレインは、トランジスタの
構造または動作条件等によって変わるためである。なおトランジスタのソースとドレイン
の呼称については、ソース（ドレイン）端子や、ソース（ドレイン）電極等、状況に応じ
て適切に言い換えることができる。
また、本明細書等において「電極」や「配線」の用語は、これらの構成要素を機能的に限
定するものではない。例えば、「電極」は「配線」の一部として用いられることがあり、
その逆もまた同様である。さらに、「電極」や「配線」の用語は、複数の「電極」や「配
線」が一体となって形成されている場合なども含む。
また、本明細書等において、電圧と電位は、適宜言い換えることができる。電圧は、基準
となる電位からの電位差のことであり、例えば基準となる電位をグラウンド電圧（接地電
圧）とすると、電圧を電位に言い換えることができる。グラウンド電位は必ずしも０Ｖを
意味するとは限らない。なお電位は相対的なものであり、基準となる電位によっては、配
線等に与える電位を変化させる場合がある。
なお本明細書等において、「膜」、「層」などの語句は、場合によっては、または、状況
に応じて、互いに入れ替えることが可能である。例えば、「導電層」という用語を、「導
電膜」という用語に変更することが可能な場合がある。または、例えば、「絶縁膜」とい
う用語を、「絶縁層」という用語に変更することが可能な場合がある。
なお本明細書等において、１つの画素に２つのトランジスタおよび一つの容量素子を備え
た２Ｔ−１Ｃ構造の回路構成を示しているが、本実施の形態はこれに限定されない。１つ
の画素に３つ以上のトランジスタおよび３つ以上の容量素子を有する回路構成とすること
もでき、別途の配線がさらに形成されて、多様な回路構成としてもよい。
＜語句の定義に関する付記＞
以下では、上記実施の形態中で言及しなかった語句の定義について説明する。
［スイッチについて］
本明細書等において、スイッチとは、導通状態（オン状態）、または、非導通状態（オフ
状態）になり、電流を流すか流さないかを制御する機能を有するものをいう。または、ス
イッチとは、電流を流す経路を選択して切り替える機能を有するものをいう。
一例としては、電気的スイッチまたは機械的なスイッチなどを用いることができる。つま
り、スイッチは、電流を制御できるものであればよく、特定のものに限定されない。
電気的なスイッチの一例としては、トランジスタ（例えば、バイポーラトランジスタ、Ｍ
ＯＳトランジスタなど）、ダイオード（例えば、ＰＮダイオード、ＰＩＮダイオード、シ
ョットキーダイオード、ＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ Ｍｅｔａｌ）ダイオ
ード、ＭＩＳ（Ｍｅｔａｌ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）ダイオ
ード、ダイオード接続のトランジスタなど）、またはこれらを組み合わせた論理回路など
がある。
なお、スイッチとしてトランジスタを用いる場合、トランジスタの「導通状態」とは、ト
ランジスタのソースとドレインが電気的に短絡されているとみなせる状態をいう。また、
トランジスタの「非導通状態」とは、トランジスタのソースとドレインが電気的に遮断さ
れているとみなせる状態をいう。なおトランジスタを単なるスイッチとして動作させる場
合には、トランジスタの極性（導電型）は特に限定されない。
機械的なスイッチの一例としては、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）のように
、ＭＥＭＳ（マイクロ・エレクトロ・メカニカル・システム）技術を用いたスイッチがあ
る。そのスイッチは、機械的に動かすことが可能な電極を有し、その電極が動くことによ
って、導通と非導通とを制御して動作する。
［チャネル長について］
本明細書等において、チャネル長とは、例えば、トランジスタの上面図において、半導体
（またはトランジスタがオン状態のときに半導体の中で電流の流れる部分）とゲートとが
重なる領域、またはチャネルが形成される領域における、ソースとドレインとの間の距離
をいう。
なお、一つのトランジスタにおいて、チャネル長が全ての領域で同じ値をとるとは限らな
い。即ち、一つのトランジスタのチャネル長は、一つの値に定まらない場合がある。その
ため、本明細書では、チャネル長は、チャネルの形成される領域における、いずれか一の
値、最大値、最小値または平均値とする。
［チャネル幅について］
本明細書等において、チャネル幅とは、例えば、半導体（またはトランジスタがオン状態
のときに半導体の中で電流の流れる部分）とゲート電極とが重なる領域、またはチャネル
が形成される領域における、ソースとドレインとが向かい合っている部分の長さをいう。
なお、一つのトランジスタにおいて、チャネル幅がすべての領域で同じ値をとるとは限ら
ない。即ち、一つのトランジスタのチャネル幅は、一つの値に定まらない場合がある。そ
のため、本明細書では、チャネル幅は、チャネルの形成される領域における、いずれか一
の値、最大値、最小値または平均値とする。
なお、トランジスタの構造によっては、実際にチャネルの形成される領域におけるチャネ
ル幅（以下、実効的なチャネル幅と呼ぶ。）と、トランジスタの上面図において示される
チャネル幅（以下、見かけ上のチャネル幅と呼ぶ。）と、が異なる場合がある。例えば、
立体的な構造を有するトランジスタでは、実効的なチャネル幅が、トランジスタの上面図
において示される見かけ上のチャネル幅よりも大きくなり、その影響が無視できなくなる
場合がある。例えば、微細かつ立体的な構造を有するトランジスタでは、半導体の側面に
形成されるチャネル領域の割合が大きくなる場合がある。その場合は、上面図において示
される見かけ上のチャネル幅よりも、実際にチャネルの形成される実効的なチャネル幅の
方が大きくなる。
ところで、立体的な構造を有するトランジスタにおいては、実効的なチャネル幅の、実測
による見積もりが困難となる場合がある。例えば、設計値から実効的なチャネル幅を見積
もるためには、半導体の形状が既知という仮定が必要である。したがって、半導体の形状
が正確にわからない場合には、実効的なチャネル幅を正確に測定することは困難である。
そこで、本明細書では、トランジスタの上面図において、半導体とゲート電極とが重なる
領域における、ソースとドレインとが向かい合っている部分の長さである見かけ上のチャ
ネル幅を、「囲い込みチャネル幅（ＳＣＷ：Ｓｕｒｒｏｕｎｄｅｄ Ｃｈａｎｎｅｌ Ｗ
ｉｄｔｈ）」と呼ぶ場合がある。また、本明細書では、単にチャネル幅と記載した場合に
は、囲い込みチャネル幅または見かけ上のチャネル幅を指す場合がある。または、本明細
書では、単にチャネル幅と記載した場合には、実効的なチャネル幅を指す場合がある。な
お、チャネル長、チャネル幅、実効的なチャネル幅、見かけ上のチャネル幅、囲い込みチ
ャネル幅などは、断面ＴＥＭ像などを取得して、その画像を解析することなどによって、
値を決定することができる。
なお、トランジスタの電界効果移動度や、チャネル幅当たりの電流値などを計算して求め
る場合、囲い込みチャネル幅を用いて計算する場合がある。その場合には、実効的なチャ
ネル幅を用いて計算する場合とは異なる値をとる場合がある。
［画素について］
本明細書等において、画素とは、例えば、明るさを制御できる要素一つ分を示すものとす
る。よって、一例としては、一画素とは、一つの色要素を示すものとし、その色要素一つ
で明るさを表現する。従って、そのときは、Ｒ（赤）Ｇ（緑）Ｂ（青）の色要素からなる
カラー表示装置の場合には、画像の最小単位は、Ｒの画素とＧの画素とＢの画素との三画
素から構成されるものとする。
なお、色要素は、三色に限定されず、それ以上でもよく、例えば、ＲＧＢＷ（Ｗは白）や
、ＲＧＢに、イエロー、シアン、マゼンタを追加したものなどがある。
［表示素子について］
本明細書等において、発光素子１０４などの表示素子とは、電気的作用または磁気的作用
により、コントラスト、輝度、反射率、透過率などが変化する表示媒体を有するものであ
る。表示素子の一例としては、ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子、ＬＥＤチップ（
白色ＬＥＤチップ、赤色ＬＥＤチップ、緑色ＬＥＤチップ、青色ＬＥＤチップなど）、ト
ランジスタ（電流に応じて発光するトランジスタ）、電子放出素子、カーボンナノチュー
ブを用いた表示素子、液晶素子、電子インク、エレクトロウェッティング素子、電気泳動
素子、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）、ＭＥＭＳ（マイクロ・エレクトロ・メカニカル
・システム）を用いた表示素子（例えば、グレーティングライトバルブ（ＧＬＶ）、デジ
タルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）、ＤＭＳ（デジタル・マイクロ・シャッター）、
ＭＩＲＡＳＯＬ（登録商標）、ＩＭＯＤ（インターフェアレンス・モジュレーション）素
子、シャッター方式のＭＥＭＳ表示素子、光干渉方式のＭＥＭＳ表示素子、圧電セラミッ
クディスプレイなど）、カーボンナノチューブ、、または、量子ドットなど、がある。Ｅ
Ｌ素子を用いた表示装置の一例としては、ＥＬディスプレイなどがある。電子放出素子を
用いた表示装置の一例としては、フィールドエミッションディスプレイ（ＦＥＤ）又はＳ
ＥＤ方式平面型ディスプレイ（ＳＥＤ：Ｓｕｒｆａｃｅ−ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ Ｅｌｅ
ｃｔｒｏｎ−ｅｍｉｔｔｅｒ Ｄｉｓｐｌａｙ）などがある。液晶素子を用いた表示装置
の一例としては、液晶ディスプレイ（透過型液晶ディスプレイ、半透過型液晶ディスプレ
イ、反射型液晶ディスプレイ、直視型液晶ディスプレイ、投射型液晶ディスプレイ）など
がある。電子インク、電子粉流体（登録商標）、又は電気泳動素子を用いた表示装置の一
例としては、電子ペーパーなどがある。量子ドットを各画素に用いた表示装置の一例とし
ては、量子ドットディスプレイなどがある。なお、量子ドットは、表示素子としてではな
く、バックライトの一部に設けてもよい。量子ドットを用いることにより、色純度の高い
表示を行うことができる。なお、半透過型液晶ディスプレイや反射型液晶ディスプレイを
実現する場合には、画素電極の一部、または、全部が、反射電極としての機能を有するよ
うにすればよい。例えば、画素電極の一部、または、全部が、アルミニウム、銀、などを
有するようにすればよい。さらに、その場合、反射電極の下に、ＳＲＡＭなどの記憶回路
を設けることも可能である。これにより、さらに、消費電力を低減することができる。な
お、ＬＥＤチップを用いる場合、ＬＥＤチップの電極や窒化物半導体の下に、グラフェン
やグラファイトを配置してもよい。グラフェンやグラファイトは、複数の層を重ねて、多
層膜としてもよい。このように、グラフェンやグラファイトを設けることにより、その上
に、窒化物半導体、例えば、結晶を有するｎ型ＧａＮ半導体層などを容易に成膜すること
ができる。さらに、その上に、結晶を有するｐ型ＧａＮ半導体層などを設けて、ＬＥＤチ
ップを構成することができる。なお、グラフェンやグラファイトと、結晶を有するｎ型Ｇ
ａＮ半導体層との間に、ＡｌＮ層を設けてもよい。なお、ＬＥＤチップが有するＧａＮ半
導体層は、ＭＯＣＶＤで成膜してもよい。ただし、グラフェンを設けることにより、ＬＥ
Ｄチップが有するＧａＮ半導体層は、スパッタ法で成膜することも可能である。また、Ｍ
ＥＭＳ（マイクロ・エレクトロ・メカニカル・システム）を用いた表示素子においては、
表示素子が封止されている空間（例えば、表示素子が配置されている素子基板と、素子基
板に対向して配置されている対向基板との間）に、乾燥剤を配置してもよい。乾燥剤を配
置することにより、ＭＥＭＳなどが水分によって動きにくくなることや、劣化しやすくな
ることを防止することができる。
［接続について］
本明細書等において、ＡとＢとが接続されている、とは、ＡとＢとが直接接続されている
ものの他、電気的に接続されているものを含むものとする。ここで、ＡとＢとが電気的に
接続されているとは、ＡとＢとの間で、何らかの電気的作用を有する対象物が存在すると
き、ＡとＢとの電気信号の授受を可能とするものをいう。
トランジスタのソース（または第１の端子など）が、Ｚ１を介して（または介さず）、Ｘ
と電気的に接続され、トランジスタのドレイン（または第２の端子など）が、Ｚ２を介し
て（または介さず）、Ｙと電気的に接続されている場合や、トランジスタのソース（また
は第１の端子など）が、Ｚ１の一部と直接的に接続され、Ｚ１の別の一部がＸと直接的に
接続され、トランジスタのドレイン（または第２の端子など）が、Ｚ２の一部と直接的に
接続され、Ｚ２の別の一部がＹと直接的に接続されている場合では、以下のように表現す
ることが出来る。
例えば、「ＸとＹとトランジスタのソース（または第１の端子など）とドレイン（または
第２の端子など）とは、互いに電気的に接続されており、Ｘ、トランジスタのソース（ま
たは第１の端子など）、トランジスタのドレイン（または第２の端子など）、Ｙの順序で
電気的に接続されている。」と表現することができる。または、「トランジスタのソース
（または第１の端子など）は、Ｘと電気的に接続され、トランジスタのドレイン（または
第２の端子など）はＹと電気的に接続され、Ｘ、トランジスタのソース（または第１の端
子など）、トランジスタのドレイン（または第２の端子など）、Ｙは、この順序で電気的
に接続されている」と表現することができる。または、「Ｘは、トランジスタのソース（
または第１の端子など）とドレイン（または第２の端子など）とを介して、Ｙと電気的に
接続され、Ｘ、トランジスタのソース（または第１の端子など）、トランジスタのドレイ
ン（または第２の端子など）、Ｙは、この接続順序で設けられている」と表現することが
できる。これらの例と同様な表現方法を用いて、回路構成における接続の順序について規
定することにより、トランジスタのソース（または第１の端子など）と、ドレイン（また
は第２の端子など）とを、区別して、技術的範囲を決定することができる。
または、別の表現方法として、例えば、「トランジスタのソース（または第１の端子など
）は、少なくとも第１の接続経路を介して、Ｘと電気的に接続され、前記第１の接続経路
は、第２の接続経路を有しておらず、前記第２の接続経路は、トランジスタを介した、ト
ランジスタのソース（または第１の端子など）とトランジスタのドレイン（または第２の
端子など）との間の経路であり、前記第１の接続経路は、Ｚ１を介した経路であり、トラ
ンジスタのドレイン（または第２の端子など）は、少なくとも第３の接続経路を介して、
Ｙと電気的に接続され、前記第３の接続経路は、前記第２の接続経路を有しておらず、前
記第３の接続経路は、Ｚ２を介した経路である。」と表現することができる。または、「
トランジスタのソース（または第１の端子など）は、少なくとも第１の接続経路によって
、Ｚ１を介して、Ｘと電気的に接続され、前記第１の接続経路は、第２の接続経路を有し
ておらず、前記第２の接続経路は、トランジスタを介した接続経路を有し、トランジスタ
のドレイン（または第２の端子など）は、少なくとも第３の接続経路によって、Ｚ２を介
して、Ｙと電気的に接続され、前記第３の接続経路は、前記第２の接続経路を有していな
い。」と表現することができる。または、「トランジスタのソース（または第１の端子な
ど）は、少なくとも第１の電気的パスによって、Ｚ１を介して、Ｘと電気的に接続され、
前記第１の電気的パスは、第２の電気的パスを有しておらず、前記第２の電気的パスは、
トランジスタのソース（または第１の端子など）からトランジスタのドレイン（または第
２の端子など）への電気的パスであり、トランジスタのドレイン（または第２の端子など
）は、少なくとも第３の電気的パスによって、Ｚ２を介して、Ｙと電気的に接続され、前
記第３の電気的パスは、第４の電気的パスを有しておらず、前記第４の電気的パスは、ト
ランジスタのドレイン（または第２の端子など）からトランジスタのソース（または第１
の端子など）への電気的パスである。」と表現することができる。これらの例と同様な表
現方法を用いて、回路構成における接続経路について規定することにより、トランジスタ
のソース（または第１の端子など）と、ドレイン（または第２の端子など）とを、区別し
て、技術的範囲を決定することができる。
なお、これらの表現方法は、一例であり、これらの表現方法に限定されない。ここで、Ｘ
、Ｙ、Ｚ１、Ｚ２は、対象物（例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、
層、など）であるとする。
ＢＧＥ１ バックゲート電極
ＢＧＥ２ バックゲート電極
ＢＧＥ４ バックゲート電極
ＢＧＥ５ バックゲート電極
ＢＧＥ６ バックゲート電極
ＢＧＥ７ バックゲート電極
ＣＧ１ 開口
ＣＧ２ 開口
ＣＧ４ 開口
ＣＧ６ 開口
ＣＧ７ 開口
ＣＨ１ 開口
ＣＨ２ 開口
ＣＨ３ 開口
ＣＨ４ 開口
ＣＨ５ 開口
ＤＥ１ ドレイン電極
ＤＥ２ ドレイン電極
ＤＥ３ ドレイン電極
ＤＥ４ ドレイン電極
ＤＥ５ ドレイン電極
ＤＥ６ ドレイン電極
ＤＥ７ ドレイン電極
ＤＥ８ ドレイン電極
ＤＬ１ データ線
ＤＬｎ データ線
Ｇ１ 信号
Ｇ２ 信号
ＧＥ１ ゲート電極
ＧＥ２ ゲート電極
ＧＥ３ ゲート電極
ＧＥ４ ゲート電極
ＧＥ５ ゲート電極
ＧＥ６ ゲート電極
ＧＥ７ ゲート電極
ＧＥ８ ゲート電極
ＧＬ１ ゲート線
ＧＬｍ ゲート線
ＯＳ１ 酸化物半導体膜
ＯＳ２ 酸化物半導体膜
ＯＳ３ 酸化物半導体膜
ＯＳ４ 酸化物半導体膜
ＯＳ５ 酸化物半導体膜
ＯＳ６ 酸化物半導体膜
ＯＳ７ 酸化物半導体膜
ＯＳ８ 酸化物半導体膜
Ｐ１１ 発光期間
Ｐ１２ 初期化期間
Ｐ１３ 初期化完了期間
Ｐ１４ 閾値電圧補正期間
Ｐ１５ データ電圧入力期間
Ｐ１６ データ電圧入力完了期間
Ｐ２１ 発光期間
Ｐ２２ 初期化期間
Ｐ２３ 初期化完了期間
Ｐ２４ 閾値電圧補正期間
Ｐ２５ データ電圧入力期間
Ｐ２６ データ電圧入力完了期間
ＰＬ１ 電流供給線
ＰＬｍ 電流供給線
ＳＥ１ ソース電極
ＳＥ２ ソース電極
ＳＥ３ ソース電極
ＳＥ４ ソース電極
ＳＥ５ ソース電極
ＳＥ６ ソース電極
ＳＥ７ ソース電極
ＳＥ８ ソース電極
ＴＡ１ トランジスタ
ＴＡ２ トランジスタ
ＴＡ３ トランジスタ
ＴＡ４ トランジスタ
ＴＢ１ トランジスタ
ＴＢ２ トランジスタ
ＴＣ１ トランジスタ
ＴＤ１ トランジスタ
３０ 基板
３１ 酸化物半導体膜
３２ 酸化物半導体膜
３３ 酸化物半導体膜
３４ 絶縁膜
３５ 絶縁膜
３５ａ 絶縁膜
３５ｂ 絶縁膜
３６ 絶縁膜
７０ トランジスタ
７１ トランジスタ
７２ 基板
７３ 導電膜
７３ａ 導電膜
７３ｂ 導電膜
７４ 絶縁膜
７５ 半導体膜
７６ 絶縁膜
７７ａ 導電膜
７７ｂ 導電膜
７８ 絶縁膜
７９ 絶縁膜
８０ 導電膜
８１ 導電膜
８２ チャネル形成領域
８３ ＬＤＤ領域
８４ 不純物領域
８５ 導電膜
８６ 半導体膜
８７ａ 導電膜
８７ｂ 導電膜
８８ 導電膜
８９ 導電膜
９０ チャネル形成領域
９１ 不純物領域
９３ 開口
９４ 開口
９５ 開口
９６ 開口
１００ 画素
１００Ａ 画素
１００Ｂ 画素
１００Ｃ 画素
１００Ｃ＿Ｂ 画素
１００Ｃ＿Ｇ 画素
１００Ｃ＿Ｒ 画素
１００Ｄ 画素
１００Ｅ 画素
１００Ｆ 画素
１００Ｇ 画素
１００Ｈ 画素
１０１ スイッチ
１０１Ａ トランジスタ
１０１Ｂ トランジスタ
１０１Ｃ トランジスタ
１０２ トランジスタ
１０２Ｂ トランジスタ
１０２Ｄ トランジスタ
１０２Ｅ トランジスタ
１０２Ｆ トランジスタ
１０２Ｇ トランジスタ
１０２Ｒ トランジスタ
１０３ キャパシタ
１０４ 発光素子
１０５ キャパシタ
１０６ スイッチ
１０６＿１ スイッチ
１０６＿２ スイッチ
１０６Ａ トランジスタ
１０６Ｂ スイッチ
１０６Ｃ スイッチ
１０６Ｄ スイッチ
１０６Ｅ スイッチ
１０７ スイッチ
１０７Ａ トランジスタ
１０８ スイッチ
１０８Ａ トランジスタ
１０９Ａ 回路
１１０ ゲート線側駆動回路
１２０ データ線側駆動回路
１３０ 電流供給線制御回路
１３３ 抵抗素子
１４０ 画素部
３０１ 基板
３０３ 絶縁膜
３０５ ゲート電極
３０７ 絶縁膜
３０９ 半導体膜
３１１ 電極
３１３ 絶縁膜
３１５ 絶縁膜
３１７ 絶縁膜
３１９ 電極
３２３ 発光層
３２５ 電極
３６０ 接続電極
３８０ 異方性導電膜
４００ 表示装置
４０１ 基板
４０５ 基板
４０８ ＦＰＣ
４１０ 素子層
４１１ 素子層
４１２ 接着層
４１８ 接着層
４２０ 絶縁膜
４３２ 封止層
４４０ 絶縁膜
４５０ 表示部
４５１ ウィンドウ
４５２ａ 画像
４５２ｂ 画像
４５３ ボタン
４５５ ウィンドウ
４５６ 文書情報
４５７ スクロールバー
４６２ 基板
４６３ 剥離層
４６４ 剥離用接着剤
４６６ 仮支持基板
４６８ レーザ光
１６０１ パネル
１６０２ 回路基板
１６０３ 接続部
１６０４ 画素部
１６０５ 駆動回路
１６０６ 駆動回路
１６０７ ＣＯＦテープ
１６０８ チップ
２０００ タッチパネル
２００１ タッチパネル
２５０１ 表示装置
２５０２ｔ トランジスタ
２５０３ｃ 容量素子
２５０３ｔ トランジスタ
２５０４ ゲート線駆動回路
２５０５ 画素
２５０９ ＦＰＣ
２５１０ 基板
２５１０ａ 絶縁層
２５１０ｂ 可撓性基板
２５１０ｃ 接着層
２５１１ 配線
２５１９ 端子
２５２１ 絶縁層
２５２８ 隔壁
２５５０ ＥＬ素子
２５６０ 封止層
２５６７ 着色層
２５６８ 遮光層
２５６９ 反射防止層
２５７０ 基板
２５７０ａ 絶縁層
２５７０ｂ 可撓性基板
２５７０ｃ 接着層
２５８０ 発光モジュール
２５９０ 基板
２５９１ 電極
２５９２ 電極
２５９３ 絶縁層
２５９４ 配線
２５９５ タッチセンサ
２５９７ 接着層
２５９８ 配線
２５９９ 接続層
２６０１ パルス電圧出力回路
２６０２ 電流検出回路
２６０３ 容量
２６１１ トランジスタ
２６１２ トランジスタ
２６１３ トランジスタ
２６２１ 電極
２６２２ 電極
５００１ 筐体
５００２ 表示部
５００３ 支持台
５１０１ 筐体
５１０２ 表示部
５１０３ 操作キー
５３０１ 筐体
５３０２ 筐体
５３０３ 表示部
５３０４ 表示部
５３０５ マイクロホン
５３０６ スピーカー
５３０７ 操作キー
５３０８ スタイラス
５６０１ 筐体
５６０２ 表示部
５７０１ 筐体
５７０２ 表示部
５９０１ 筐体
５９０２ 表示部
５９０３ カメラ
５９０４ スピーカー
５９０５ ボタン
５９０６ 外部接続部
５９０７ マイク

Claims (6)

  1. 第１のスイッチと、トランジスタと、キャパシタと、発光素子と、を有する画素と、第２のスイッチの一方の端子に電気的に接続された配線と、を有する表示装置であって、
    前記キャパシタの第１の電極は、前記トランジスタのゲートに電気的に接続され、
    前記キャパシタの第２の電極は、前記トランジスタのソースまたはドレインの一方と、前記発光素子の第１の電極と、に電気的に接続され、
    前記トランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第２のスイッチの他方の端子に電気的に接続され、
    前記配線は、前記発光素子に電流を供給する機能を有し、
    前記第１のスイッチは、オンにすることで、前記トランジスタのゲートにデータ電圧を与える機能を有し、
    前記第２のスイッチは、前記トランジスタのゲートに前記データ電圧が与えられる期間でオフにすることで、前記トランジスタのソースまたはドレインの他方を電気的に浮遊状態にする機能を有することを特徴とする表示装置。
  2. 請求項１において、
    前記トランジスタは、チャネル形成領域に酸化物半導体を有するトランジスタであることを特徴とする表示装置。
  3. 請求項１または２の表示装置と、操作部と、を有する電子機器。
  4. 第１のスイッチと、トランジスタと、キャパシタと、発光素子と、を有する画素と、第２のスイッチの一方の端子に電気的に接続された配線と、を有し、前記キャパシタの第１の電極は、前記トランジスタのゲートに電気的に接続され、前記キャパシタの第２の電極は、前記トランジスタのソースまたはドレインの一方と、前記発光素子の第１の電極と、に電気的に接続され、前記トランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第２のスイッチの他方の端子に電気的に接続され、前記配線は、前記発光素子に電流を供給する機能を有する、表示装置の駆動方法であって、
    第１乃至第３の期間を有し、
    前記第１の期間は、前記トランジスタの閾値電圧を前記キャパシタに保持させる期間であり、
    前記第２の期間は、前記閾値電圧にデータ電圧に相当する電圧が加わった電圧を前記キャパシタに保持させる期間であり、
    前記第３の期間は、前記発光素子を発光させる期間であり、
    前記第２の期間では、前記第２のスイッチをオフにすることで前記トランジスタのソース又はドレインの他方の電位を電気的に浮遊状態とすることを特徴とする表示装置の駆動方法。
  5. 第１のスイッチと、トランジスタと、キャパシタと、発光素子と、を有する画素と、第２のスイッチの一方の端子に電気的に接続された配線と、を有し、前記キャパシタの第１の電極は、前記トランジスタのゲートに電気的に接続され、前記キャパシタの第２の電極は、前記トランジスタのソースまたはドレインの一方と、前記発光素子の第１の電極と、に電気的に接続され、前記トランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第２のスイッチの他方の端子に電気的に接続され、前記配線は、前記発光素子に電流を供給する機能を有する、表示装置の駆動方法であって、
    第１乃至第３の期間を有し、
    前記第１の期間は、前記トランジスタの閾値電圧を、前記キャパシタに保持させる期間であり、
    前記第２の期間は、前記閾値電圧にデータ電圧に相当する電圧が加わった電圧を前記キャパシタに保持させる期間であり、
    前記第３の期間は、前記発光素子を発光させる期間であり、
    前記第１の期間では、前記第２のスイッチをオンにすることで前記トランジスタのソース又はドレインの他方の電位を前記発光素子の第２の電極に与えられる電位よりも小さい電位とし、
    前記第２の期間では、前記第２のスイッチをオフにすることで前記トランジスタのソース又はドレインの他方の電位を電気的に浮遊状態とすることを特徴とする表示装置の駆動方法。
  6. 請求項４または５において、前記第３の期間では、前記第２のスイッチをオンにすることで前記トランジスタのソース又はドレインの他方の電位を前記発光素子の前記第２の電極に与えられる電位よりも大きい電位とすることを特徴とする表示装置の駆動方法。
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US (1) US9916791B2 (ja)
JP (3) JP2016206659A (ja)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10339855B2 (en) 2016-08-30 2019-07-02 Apple, Inc. Device and method for improved LED driving
WO2019092540A1 (en) * 2017-11-09 2019-05-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device, and electronic device
CN111837172A (zh) 2018-03-06 2020-10-27 株式会社半导体能源研究所 显示装置以及电子设备
WO2019234548A1 (ja) * 2018-06-06 2019-12-12 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置の駆動方法
CN110137187A (zh) * 2018-08-10 2019-08-16 友达光电股份有限公司 显示装置
CN114822408B (zh) * 2022-05-31 2023-10-10 昆山国显光电有限公司 电子标签及其驱动方法、电子标签的画面更新系统

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000347622A (ja) * 1999-06-07 2000-12-15 Casio Comput Co Ltd 表示装置及びその駆動方法
JP2003216110A (ja) * 2001-11-13 2003-07-30 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
JP2008233122A (ja) * 2007-03-16 2008-10-02 Sony Corp 表示装置、表示装置の駆動方法および電子機器
JP2010044297A (ja) * 2008-08-18 2010-02-25 Seiko Epson Corp 画素回路の駆動方法、発光装置および電子機器
CN102222468A (zh) * 2011-06-23 2011-10-19 华南理工大学 有源有机发光二极管显示器交流像素驱动电路及驱动方法

Family Cites Families (136)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60198861A (ja) 1984-03-23 1985-10-08 Fujitsu Ltd 薄膜トランジスタ
JPH0244256B2 (ja) 1987-01-28 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPS63210023A (ja) 1987-02-24 1988-08-31 Natl Inst For Res In Inorg Mater ＩｎＧａＺｎ↓４Ｏ↓７で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法
JPH0244258B2 (ja) 1987-02-24 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn3o6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH0244260B2 (ja) 1987-02-24 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn5o8deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH0244262B2 (ja) 1987-02-27 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn6o9deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH0244263B2 (ja) 1987-04-22 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn7o10deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH05251705A (ja) 1992-03-04 1993-09-28 Fuji Xerox Co Ltd 薄膜トランジスタ
JP3479375B2 (ja) 1995-03-27 2003-12-15 科学技術振興事業団 亜酸化銅等の金属酸化物半導体による薄膜トランジスタとｐｎ接合を形成した金属酸化物半導体装置およびそれらの製造方法
DE69635107D1 (de) 1995-08-03 2005-09-29 Koninkl Philips Electronics Nv Halbleiteranordnung mit einem transparenten schaltungselement
JP3625598B2 (ja) 1995-12-30 2005-03-02 三星電子株式会社 液晶表示装置の製造方法
JP4170454B2 (ja) 1998-07-24 2008-10-22 Ｈｏｙａ株式会社 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法
JP2000150861A (ja) 1998-11-16 2000-05-30 Tdk Corp 酸化物薄膜
JP3276930B2 (ja) 1998-11-17 2002-04-22 科学技術振興事業団 トランジスタ及び半導体装置
TW460731B (en) 1999-09-03 2001-10-21 Ind Tech Res Inst Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD
US6580094B1 (en) 1999-10-29 2003-06-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro luminescence display device
JP4089858B2 (ja) 2000-09-01 2008-05-28 国立大学法人東北大学 半導体デバイス
KR20020038482A (ko) 2000-11-15 2002-05-23 모리시타 요이찌 박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널
JP3997731B2 (ja) 2001-03-19 2007-10-24 富士ゼロックス株式会社 基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法
JP2002289859A (ja) 2001-03-23 2002-10-04 Minolta Co Ltd 薄膜トランジスタ
TWI283427B (en) 2001-07-12 2007-07-01 Semiconductor Energy Lab Display device using electron source elements and method of driving same
TWI221268B (en) 2001-09-07 2004-09-21 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of driving the same
JP3925839B2 (ja) 2001-09-10 2007-06-06 シャープ株式会社 半導体記憶装置およびその試験方法
JP4090716B2 (ja) 2001-09-10 2008-05-28 雅司 川崎 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置
US7365713B2 (en) 2001-10-24 2008-04-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
US7456810B2 (en) 2001-10-26 2008-11-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and driving method thereof
US7061014B2 (en) 2001-11-05 2006-06-13 Japan Science And Technology Agency Natural-superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film
JP4164562B2 (ja) 2002-09-11 2008-10-15 独立行政法人科学技術振興機構 ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ
JP4083486B2 (ja) 2002-02-21 2008-04-30 独立行政法人科学技術振興機構 ＬｎＣｕＯ（Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅ）単結晶薄膜の製造方法
JP2003263129A (ja) * 2002-03-07 2003-09-19 Sanyo Electric Co Ltd 表示装置
CN1445821A (zh) 2002-03-15 2003-10-01 三洋电机株式会社 ZnO膜和ZnO半导体层的形成方法、半导体元件及其制造方法
JP3933591B2 (ja) 2002-03-26 2007-06-20 淳二 城戸 有機エレクトロルミネッセント素子
US7339187B2 (en) 2002-05-21 2008-03-04 State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University Transistor structures
JP2004022625A (ja) 2002-06-13 2004-01-22 Murata Mfg Co Ltd 半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法
US7105868B2 (en) 2002-06-24 2006-09-12 Cermet, Inc. High-electron mobility transistor with zinc oxide
US7067843B2 (en) 2002-10-11 2006-06-27 E. I. Du Pont De Nemours And Company Transparent oxide semiconductor thin film transistors
JP4166105B2 (ja) 2003-03-06 2008-10-15 シャープ株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP2004273732A (ja) 2003-03-07 2004-09-30 Sharp Corp アクティブマトリクス基板およびその製造方法
JP4108633B2 (ja) 2003-06-20 2008-06-25 シャープ株式会社 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス
US7262463B2 (en) 2003-07-25 2007-08-28 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Transistor including a deposited channel region having a doped portion
US7145174B2 (en) 2004-03-12 2006-12-05 Hewlett-Packard Development Company, Lp. Semiconductor device
US7282782B2 (en) 2004-03-12 2007-10-16 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Combined binary oxide semiconductor device
EP1737044B1 (en) 2004-03-12 2014-12-10 Japan Science and Technology Agency Amorphous oxide and thin film transistor
US7297977B2 (en) 2004-03-12 2007-11-20 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Semiconductor device
US20050205880A1 (en) 2004-03-19 2005-09-22 Aya Anzai Display device and electronic appliance
US7211825B2 (en) 2004-06-14 2007-05-01 Yi-Chi Shih Indium oxide-based thin film transistors and circuits
US7332742B2 (en) 2004-06-29 2008-02-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic apparatus
US7046225B2 (en) * 2004-08-06 2006-05-16 Chen-Jean Chou Light emitting device display circuit and drive method thereof
JP2006100760A (ja) 2004-09-02 2006-04-13 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタおよびその製造方法
US7285501B2 (en) 2004-09-17 2007-10-23 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method of forming a solution processed device
US7298084B2 (en) 2004-11-02 2007-11-20 3M Innovative Properties Company Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes
BRPI0517568B8 (pt) 2004-11-10 2022-03-03 Canon Kk Transistor de efeito de campo
US7829444B2 (en) 2004-11-10 2010-11-09 Canon Kabushiki Kaisha Field effect transistor manufacturing method
US7453065B2 (en) 2004-11-10 2008-11-18 Canon Kabushiki Kaisha Sensor and image pickup device
US7863611B2 (en) 2004-11-10 2011-01-04 Canon Kabushiki Kaisha Integrated circuits utilizing amorphous oxides
RU2358355C2 (ru) 2004-11-10 2009-06-10 Кэнон Кабусики Кайся Полевой транзистор
CA2585063C (en) 2004-11-10 2013-01-15 Canon Kabushiki Kaisha Light-emitting device
US7791072B2 (en) 2004-11-10 2010-09-07 Canon Kabushiki Kaisha Display
CA2490858A1 (en) 2004-12-07 2006-06-07 Ignis Innovation Inc. Driving method for compensated voltage-programming of amoled displays
US9799246B2 (en) * 2011-05-20 2017-10-24 Ignis Innovation Inc. System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays
US7579224B2 (en) 2005-01-21 2009-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a thin film semiconductor device
US7608531B2 (en) 2005-01-28 2009-10-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, electronic device, and method of manufacturing semiconductor device
TWI505473B (zh) 2005-01-28 2015-10-21 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置，電子裝置，和半導體裝置的製造方法
JP4923410B2 (ja) * 2005-02-02 2012-04-25 ソニー株式会社 画素回路及び表示装置
US7858451B2 (en) 2005-02-03 2010-12-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof
US7948171B2 (en) 2005-02-18 2011-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US20060197092A1 (en) 2005-03-03 2006-09-07 Randy Hoffman System and method for forming conductive material on a substrate
US8681077B2 (en) 2005-03-18 2014-03-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof
WO2006105077A2 (en) 2005-03-28 2006-10-05 Massachusetts Institute Of Technology Low voltage thin film transistor with high-k dielectric material
US7645478B2 (en) 2005-03-31 2010-01-12 3M Innovative Properties Company Methods of making displays
US8300031B2 (en) 2005-04-20 2012-10-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element
JP4752331B2 (ja) * 2005-05-25 2011-08-17 セイコーエプソン株式会社 発光装置、その駆動方法及び駆動回路、並びに電子機器
JP2006344849A (ja) 2005-06-10 2006-12-21 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタ
US7691666B2 (en) 2005-06-16 2010-04-06 Eastman Kodak Company Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby
US7402506B2 (en) 2005-06-16 2008-07-22 Eastman Kodak Company Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby
US7507618B2 (en) 2005-06-27 2009-03-24 3M Innovative Properties Company Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles
KR100711890B1 (ko) 2005-07-28 2007-04-25 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광표시장치 및 그의 제조방법
JP2007059128A (ja) 2005-08-23 2007-03-08 Canon Inc 有機ｅｌ表示装置およびその製造方法
JP2007073705A (ja) 2005-09-06 2007-03-22 Canon Inc 酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法
JP5116225B2 (ja) 2005-09-06 2013-01-09 キヤノン株式会社 酸化物半導体デバイスの製造方法
JP4280736B2 (ja) 2005-09-06 2009-06-17 キヤノン株式会社 半導体素子
JP4850457B2 (ja) 2005-09-06 2012-01-11 キヤノン株式会社 薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード
EP1998373A3 (en) 2005-09-29 2012-10-31 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method thereof
JP5037808B2 (ja) 2005-10-20 2012-10-03 キヤノン株式会社 アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置
CN101577281B (zh) 2005-11-15 2012-01-11 株式会社半导体能源研究所 有源矩阵显示器及包含该显示器的电视机
TWI292281B (en) 2005-12-29 2008-01-01 Ind Tech Res Inst Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same
US7867636B2 (en) 2006-01-11 2011-01-11 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transparent conductive film and method for manufacturing the same
US9165505B2 (en) 2006-01-13 2015-10-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electoric device having the same
JP4977478B2 (ja) 2006-01-21 2012-07-18 三星電子株式会社 ＺｎＯフィルム及びこれを用いたＴＦＴの製造方法
US7576394B2 (en) 2006-02-02 2009-08-18 Kochi Industrial Promotion Center Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof
US7977169B2 (en) 2006-02-15 2011-07-12 Kochi Industrial Promotion Center Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof
KR20070101595A (ko) 2006-04-11 2007-10-17 삼성전자주식회사 ＺｎＯ ＴＦＴ
US20070252928A1 (en) 2006-04-28 2007-11-01 Toppan Printing Co., Ltd. Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof
JP4240059B2 (ja) 2006-05-22 2009-03-18 ソニー株式会社 表示装置及びその駆動方法
JP5028033B2 (ja) 2006-06-13 2012-09-19 キヤノン株式会社 酸化物半導体膜のドライエッチング方法
JP4203772B2 (ja) 2006-08-01 2009-01-07 ソニー株式会社 表示装置およびその駆動方法
JP4203773B2 (ja) 2006-08-01 2009-01-07 ソニー株式会社 表示装置
JP4999400B2 (ja) 2006-08-09 2012-08-15 キヤノン株式会社 酸化物半導体膜のドライエッチング方法
JP4281765B2 (ja) * 2006-08-09 2009-06-17 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクス型発光装置、電子機器およびアクティブマトリクス型発光装置の画素駆動方法
JP4609797B2 (ja) 2006-08-09 2011-01-12 Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 薄膜デバイス及びその製造方法
JP4332545B2 (ja) 2006-09-15 2009-09-16 キヤノン株式会社 電界効果型トランジスタ及びその製造方法
JP5164357B2 (ja) 2006-09-27 2013-03-21 キヤノン株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP4274219B2 (ja) 2006-09-27 2009-06-03 セイコーエプソン株式会社 電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置
US7622371B2 (en) 2006-10-10 2009-11-24 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Fused nanocrystal thin film semiconductor and method
US7772021B2 (en) 2006-11-29 2010-08-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays
JP2008140684A (ja) 2006-12-04 2008-06-19 Toppan Printing Co Ltd カラーｅｌディスプレイおよびその製造方法
KR101303578B1 (ko) 2007-01-05 2013-09-09 삼성전자주식회사 박막 식각 방법
US8207063B2 (en) 2007-01-26 2012-06-26 Eastman Kodak Company Process for atomic layer deposition
JP4300490B2 (ja) * 2007-02-21 2009-07-22 ソニー株式会社 表示装置及びその駆動方法と電子機器
JP4300492B2 (ja) * 2007-03-13 2009-07-22 ソニー株式会社 ディスプレイ装置
KR100851215B1 (ko) 2007-03-14 2008-08-07 삼성에스디아이 주식회사 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치
JP4293262B2 (ja) 2007-04-09 2009-07-08 ソニー株式会社 表示装置、表示装置の駆動方法および電子機器
US7795613B2 (en) 2007-04-17 2010-09-14 Toppan Printing Co., Ltd. Structure with transistor
KR101325053B1 (ko) 2007-04-18 2013-11-05 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법
KR20080094300A (ko) 2007-04-19 2008-10-23 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이
KR101334181B1 (ko) 2007-04-20 2013-11-28 삼성전자주식회사 선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법
WO2008133345A1 (en) 2007-04-25 2008-11-06 Canon Kabushiki Kaisha Oxynitride semiconductor
KR101345376B1 (ko) 2007-05-29 2013-12-24 삼성전자주식회사 ＺｎＯ 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
JP5023906B2 (ja) 2007-09-12 2012-09-12 ソニー株式会社 表示装置及び表示装置の駆動方法
JP5215158B2 (ja) 2007-12-17 2013-06-19 富士フイルム株式会社 無機結晶性配向膜及びその製造方法、半導体デバイス
JP5217500B2 (ja) 2008-02-28 2013-06-19 ソニー株式会社 Ｅｌ表示パネルモジュール、ｅｌ表示パネル、集積回路装置、電子機器及び駆動制御方法
US8207918B2 (en) * 2008-06-11 2012-06-26 Hitachi Displays, Ltd. Image display device having a set period during which a step signal is supplied at different levels to provide a uniform display
JP2010026209A (ja) * 2008-07-18 2010-02-04 Fujifilm Corp 表示装置
JP4623179B2 (ja) 2008-09-18 2011-02-02 ソニー株式会社 薄膜トランジスタおよびその製造方法
JP5451280B2 (ja) 2008-10-09 2014-03-26 キヤノン株式会社 ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置
JP2011008161A (ja) * 2009-06-29 2011-01-13 Seiko Epson Corp 発光装置および電子機器、画素回路の駆動方法
CN102044212B (zh) * 2009-10-21 2013-03-20 京东方科技集团股份有限公司 电压驱动像素电路及其驱动方法、有机发光显示器件
KR101074811B1 (ko) * 2010-01-05 2011-10-19 삼성모바일디스플레이주식회사 화소 회로, 유기전계발광 표시 장치 및 이의 구동 방법
US9401111B2 (en) * 2011-11-17 2016-07-26 Sharp Kabushiki Kaisha Display device and drive method thereof
JP5939135B2 (ja) * 2012-07-31 2016-06-22 ソニー株式会社 表示装置、駆動回路、駆動方法、および電子機器
JP5365734B2 (ja) 2012-11-08 2013-12-11 ソニー株式会社 表示装置
JP5541351B2 (ja) 2012-12-26 2014-07-09 ソニー株式会社 表示装置
CN103354077B (zh) * 2013-05-31 2017-02-08 上海和辉光电有限公司 一种像素驱动电路及显示面板
JP2015102793A (ja) * 2013-11-27 2015-06-04 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及び表示装置の駆動方法
KR102344782B1 (ko) 2014-06-13 2021-12-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 입력 장치 및 입출력 장치
JP2016177280A (ja) 2015-03-18 2016-10-06 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置および電子機器、並びに表示装置の駆動方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000347622A (ja) * 1999-06-07 2000-12-15 Casio Comput Co Ltd 表示装置及びその駆動方法
JP2003216110A (ja) * 2001-11-13 2003-07-30 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
JP2008233122A (ja) * 2007-03-16 2008-10-02 Sony Corp 表示装置、表示装置の駆動方法および電子機器
JP2010044297A (ja) * 2008-08-18 2010-02-25 Seiko Epson Corp 画素回路の駆動方法、発光装置および電子機器
CN102222468A (zh) * 2011-06-23 2011-10-19 华南理工大学 有源有机发光二极管显示器交流像素驱动电路及驱动方法

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