JP2011008161A - 発光装置および電子機器、画素回路の駆動方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】複数の階調について駆動電流の誤差を抑制する。
【解決手段】互いに直列に接続される発光素子Eおよび駆動トランジスタTDRと、駆動トランジスタTDRのゲートと信号線14との間に配置される選択トランジスタTSとを含む画素回路Uと、画素回路Uを駆動する駆動回路30とを具備し、駆動回路30は、書込期間PWRTが開始すると、走査信号GWRの電位を選択電位VSLに設定することで選択トランジスタTSをオン状態にするとともに、指定階調に応じた時間変化率で経時的に変化するデータ電位VXを信号線14に出力することで、当該データ電位VXに応じた電流が駆動トランジスタTDRを流れるようにする。その後、書込期間PWRTの終点teに至るまでの所定の期間において走査信号GWRの電位を経時的に変化させることで、選択トランジスタTSをオフ状態にして駆動トランジスタTDRに対するデータ電位VXの供給を停止する。
【選択図】 図6
【解決手段】互いに直列に接続される発光素子Eおよび駆動トランジスタTDRと、駆動トランジスタTDRのゲートと信号線14との間に配置される選択トランジスタTSとを含む画素回路Uと、画素回路Uを駆動する駆動回路30とを具備し、駆動回路30は、書込期間PWRTが開始すると、走査信号GWRの電位を選択電位VSLに設定することで選択トランジスタTSをオン状態にするとともに、指定階調に応じた時間変化率で経時的に変化するデータ電位VXを信号線14に出力することで、当該データ電位VXに応じた電流が駆動トランジスタTDRを流れるようにする。その後、書込期間PWRTの終点teに至るまでの所定の期間において走査信号GWRの電位を経時的に変化させることで、選択トランジスタTSをオフ状態にして駆動トランジスタTDRに対するデータ電位VXの供給を停止する。
【選択図】 図6
Description
本発明は、有機EL(Electroluminescence)素子などの発光素子を駆動する技術に関する。
発光素子に供給される駆動電流を駆動トランジスタが制御する発光装置においては、駆動トランジスタの電気的な特性の誤差(目標値からの相違や各素子間のバラツキ)が問題となる。特許文献1には、駆動トランジスタのゲート−ソース間の電圧を駆動トランジスタの閾値電圧に設定してから階調に応じた電圧に変化させることで、駆動トランジスタの閾値電圧および移動度の誤差(ひいては駆動電流の電流量の誤差)を補償する技術が開示されている。
しかし、特許文献1の技術で駆動電流の誤差が有効に補償されるのは特定の階調が指定された場合に限定され、階調によっては駆動電流の誤差を解消できない場合がある。以上の事情に鑑みて、本発明は、複数の階調について駆動電流の誤差を抑制することを目的とする。
以上の課題を解決するために、本発明に係る発光装置は、画素回路と、画素回路を駆動する駆動回路とを具備し、画素回路は、発光素子と、発光素子に直列に接続される駆動トランジスタと、駆動トランジスタのゲートとソースとの間に介在する保持容量と、駆動トランジスタのゲートと当該画素回路に対応する信号線との間に配置される選択トランジスタと、を具備し、駆動回路は、書込期間が開始すると、選択トランジスタのゲートに供給する選択信号(例えば図6に示す走査信号GWR)の電位を選択電位に設定することで選択トランジスタをオン状態にするとともに、経時的に変化するデータ電位を信号線に出力することで、当該データ電位に応じた電流が駆動トランジスタを流れるようにし、その後、書込期間の終点に至るまでの期間において選択信号の電位を選択電位から経時的に変化させることで、選択トランジスタをオフ状態にして駆動トランジスタに対するデータ電位の供給を停止するとともに、駆動トランジスタに対するデータ電位の供給を停止する時点におけるデータ電位の時間変化率が、当該画素回路の指定階調に対応した時間変化率となるように設定する。
本発明においては、経時的に変化するデータ電位が駆動トランジスタのゲートに供給されることで、データ電位の時間変化率に応じた電流(駆動トランジスタの閾値電圧や移動度に依存しない電流)が駆動トランジスタに流れる。保持容量の両端間の電圧は、駆動トランジスタのゲートに対する駆動信号の供給が停止する時点での駆動信号の電位の時間変化率に応じた電流を駆動トランジスタに流すための電圧に設定される。さらに詳述すると、駆動トランジスタのゲートに対するデータ電位の供給を停止する時点におけるデータ電位の時間変化率と、発光素子に付随する容量の容量値との乗算値に相当する電流が、当該駆動トランジスタに流れるように、保持容量の両端間の電圧が設定される。データ電位の供給の停止時における時間変化率は画素回路の指定階調に応じて可変に設定される。したがって、保持容量の両端間の電圧に応じて発光素子に供給される駆動電流は、指定階調に応じた電流量(駆動トランジスタの閾値電圧や移動度に依存しない電流量)に設定される。なお、電位の時間変化率とは、電位が時間の経過とともに変化する割合を意味し、時間軸に対する電位の勾配や電位の時間微分値と同義である。
さらに、本発明においては、選択信号の電位を選択電位に設定した後、書込期間の終点に至るまでの期間において選択信号の電位を選択電位から経時的に変化させて選択トランジスタをオフ状態に遷移させるから、選択信号の電位を選択電位から非アクティブレベルの電位へ急峻に変化させて選択トランジスタをオフ状態に遷移させる態様に比べて、選択トランジスタがオフ状態に遷移するときの選択信号の電位の変化量を充分に小さくできる。したがって、選択トランジスタをオフ状態に遷移させるために選択信号の電位を変化させたときのフィードスルーに起因した駆動トランジスタのゲートの電位の変動量を抑制できる。これにより、画素の輝度が所定の目標値から乖離することを抑制できるという利点がある。
本発明に係る発光装置の態様として、選択信号の電位は、選択電位に設定された後、書込期間の終点に至るまで一定の時間変化率で変化する。この態様によれば、選択トランジスタがオフ状態に遷移するときの選択信号の電位の変化量は、指定階調に拘わらず同じ値になる。したがって、選択トランジスタがオフ状態に遷移するときのフィードスルーに起因した駆動トランジスタのゲートの電位の変動量が、指定階調ごとにばらつくことを抑制できるという利点がある。
また、書込期間において、選択信号の電位は、駆動トランジスタのゲートの電位の時間変化率がソースの電位の時間変化率に合致する時点よりも後の時点で選択トランジスタがオフ状態になるように設定されることが好適である。この態様によれば、書込期間において駆動トランジスタを確実に平衡状態に到達させる(駆動トランジスタのソースの電位の時間変化率をデータ電位の時間変化率に合致させる)ことが可能になるという利点がある。
本発明に係る発光装置の態様として、画素回路は、駆動トランジスタのソースとリセット線との間に配置される第1スイッチング素子と、駆動トランジスタのゲートと選択トランジスタとの間に介在するノードと初期化線との間に介在する第2スイッチング素子と、
発光素子および駆動トランジスタに直列に接続される発光制御トランジスタと、をさらに備え、駆動回路は、書込期間よりも前の初期化期間において、発光制御トランジスタおよび選択トランジスタをオフ状態に設定するとともに、第1スイッチング素子および第2スイッチング素子をオン状態に設定することで、駆動トランジスタのゲート・ソース間の電圧を初期化し、初期化期間の後であって書込期間よりも前の補償期間において、第1スイッチング素子をオフ状態に設定するとともに、発光制御トランジスタをオン状態に設定することで、駆動トランジスタのゲート・ソース間の電圧を閾値電圧に漸近させる補償動作を実行し、書込期間において、第2スイッチング素子をオフ状態に設定し、書込期間の後の発光期間において、発光制御トランジスタをオン状態に維持することで、駆動トランジスタのソースの電位(駆動トランジスタと発光素子との接続点の電位)を、発光素子が発光するように変化させる。例えば駆動トランジスタがNチャネル型のトランジスタである場合、駆動回路は、発光期間において駆動トランジスタのソースの電位を上昇させて発光素子を発光させる。一方、駆動トランジスタがPチャネル型のトランジスタである場合、駆動回路は、発光期間において駆動トランジスタのソースの電位を下降させて発光素子を発光させるという具合である。
発光素子および駆動トランジスタに直列に接続される発光制御トランジスタと、をさらに備え、駆動回路は、書込期間よりも前の初期化期間において、発光制御トランジスタおよび選択トランジスタをオフ状態に設定するとともに、第1スイッチング素子および第2スイッチング素子をオン状態に設定することで、駆動トランジスタのゲート・ソース間の電圧を初期化し、初期化期間の後であって書込期間よりも前の補償期間において、第1スイッチング素子をオフ状態に設定するとともに、発光制御トランジスタをオン状態に設定することで、駆動トランジスタのゲート・ソース間の電圧を閾値電圧に漸近させる補償動作を実行し、書込期間において、第2スイッチング素子をオフ状態に設定し、書込期間の後の発光期間において、発光制御トランジスタをオン状態に維持することで、駆動トランジスタのソースの電位(駆動トランジスタと発光素子との接続点の電位)を、発光素子が発光するように変化させる。例えば駆動トランジスタがNチャネル型のトランジスタである場合、駆動回路は、発光期間において駆動トランジスタのソースの電位を上昇させて発光素子を発光させる。一方、駆動トランジスタがPチャネル型のトランジスタである場合、駆動回路は、発光期間において駆動トランジスタのソースの電位を下降させて発光素子を発光させるという具合である。
この態様では、初期化期間、補償期間および書込期間において、発光素子が非発光状態となるように、駆動トランジスタのソースの電位が設定される。発光期間の開始前の期間(例えば初期化期間や補償期間などに相当する期間)において発光素子が発光してしまうと、表示画像のコントラストが低下するという問題があるところ、この態様によれば、発光期間の開始前の期間にて発光素子が確実にオフ状態(非発光状態)に維持される。したがって、表示画像のコントラストの低下を抑制できるという利点がある。
本発明に係る発光装置は各種の電子機器に利用される。電子機器の典型例は、発光装置を表示装置として利用した機器である。本発明に係る電子機器としてはパーソナルコンピュータや携帯電話機が例示される。もっとも、本発明に係る発光装置の用途は画像の表示に限定されない。例えば、光線の照射によって感光体ドラムなどの像担持体に潜像を形成するための露光装置(光ヘッド)としても本発明の発光装置が適用される。
本発明は、発光装置を駆動する方法としても特定される。本発明に係る駆動方法は、発光素子と、発光素子に直列に接続される駆動トランジスタと、駆動トランジスタのゲートとソースとの間に介在する保持容量と、駆動トランジスタのゲートと当該画素回路に対応する信号線との間に配置される選択トランジスタと、を含む画素回路の駆動方法であって、
書込期間が開始すると、選択トランジスタのゲートに供給する選択信号の電位を選択電位に設定することで選択トランジスタをオン状態にするとともに、当該画素回路の指定階調に応じた時間変化率で経時的に変化するデータ電位を信号線に出力することで、当該データ電位に応じた電流が駆動トランジスタを流れるようにし、その後、書込期間の終点に至るまでの所定の期間において選択信号の電位を選択電位から経時的に変化させることで、選択トランジスタをオフ状態にして駆動トランジスタに対するデータ電位の供給を停止する。以上の駆動方法によっても本発明に係る発光装置と同様の効果が得られる。
書込期間が開始すると、選択トランジスタのゲートに供給する選択信号の電位を選択電位に設定することで選択トランジスタをオン状態にするとともに、当該画素回路の指定階調に応じた時間変化率で経時的に変化するデータ電位を信号線に出力することで、当該データ電位に応じた電流が駆動トランジスタを流れるようにし、その後、書込期間の終点に至るまでの所定の期間において選択信号の電位を選択電位から経時的に変化させることで、選択トランジスタをオフ状態にして駆動トランジスタに対するデータ電位の供給を停止する。以上の駆動方法によっても本発明に係る発光装置と同様の効果が得られる。
<A:駆動の原理>
本発明の具体的な形態の説明に先立って、画素回路の駆動に利用される原理を説明する。図1に示すように、給電線16と給電線18とを連結する経路上にNチャネル型の駆動トランジスタTDRと容量CE(容量値cp1)とが直列に配置された回路を想定する。
本発明の具体的な形態の説明に先立って、画素回路の駆動に利用される原理を説明する。図1に示すように、給電線16と給電線18とを連結する経路上にNチャネル型の駆動トランジスタTDRと容量CE(容量値cp1)とが直列に配置された回路を想定する。
給電線16には電位VELが供給され、給電線18には電位VCT(VCT<VEL)が供給される。駆動トランジスタTDRのドレインは給電線16に接続され、容量CEは駆動トランジスタTDRのソースと給電線18との間に介在する。駆動トランジスタTDRのゲートとソースとの間には保持容量CST(容量値cp2)が介在する。したがって、駆動トランジスタTDRのゲートの電位VGとソースの電位VSとの差分の電圧VGS(VGS=VG−VS)が保持容量CSTの両端間に印加される。
駆動トランジスタTDRのゲートには駆動信号Xが供給される。駆動信号Xの電位VXは、図2に示すように経時的に変化する。図2においては、電位VXが所定の時間変化率RX(RX=dVX/dt)で直線的に上昇する場合が例示されている。また、図2には、駆動トランジスタTDRの電気的な特性(例えば移動度や閾値電圧)が特性Paである場合と特性Pbである場合との各々についてソースの電位VSの時間的な変化が併記されている。
駆動信号Xの供給で駆動トランジスタTDRのゲートの電位VG(電位VX)が上昇し、駆動トランジスタTDRのゲート・ソース間の電圧VGSが駆動トランジスタTDRの閾値電圧VTHを上回ると、駆動トランジスタTDRのドレイン−ソース間には電流IDSが流れる。電流IDSは以下の数式(1)で表現される。数式(1)のμは駆動トランジスタTDRの移動度である。また、W/Lは、駆動トランジスタTDRのチャネル長Lに対するチャネル幅Wの相対比であり、Coxは、駆動トランジスタTDRのゲート絶縁膜の単位面積毎の容量値である。
IDS=1/2・μ・W/L・Cox・(VGS−VTH)2 ……(1)
IDS=1/2・μ・W/L・Cox・(VGS−VTH)2 ……(1)
一方、駆動トランジスタTDRに電流IDSが流れると容量CEおよび保持容量CSTに電荷が充電されるから、図2のように駆動トランジスタTDRのソースの電位VSは時間変化率RS(RS=dVS/dt)で経時的に変化する。電流IDSと駆動トランジスタTDRのソースの電位VSとの間には以下の数式(2)の関係が成立する。
IDS=dQ/dt
=cp2・(dVS/dt−dVX/dt)+cp1・dVS/dt ……(2)
IDS=dQ/dt
=cp2・(dVS/dt−dVX/dt)+cp1・dVS/dt ……(2)
図2の部分aのように、駆動トランジスタTDRのソースの電位VSの時間変化率(すなわち、時間tに対する電位VSの勾配)RSが駆動信号Xの電位VXの時間変化率RXを下回る場合、駆動トランジスタTDRのゲート・ソース間の電圧VGSは経時的に増加する。数式(1)が示すように、電圧VGSが増加すると電流IDSは増加する。そして、数式(2)から理解されるように、電流IDSが増加すると時間変化率RSも増加する。すなわち、時間変化率RSが時間変化率RXを下回ると時間変化率RSは増加する。
一方、図2の部分bのように、駆動信号Xの電位VXの時間変化率RXがソースの電位VSの時間変化率RSを下回る場合、ゲート−ソース間の電圧VGSは経時的に減少するから、数式(1)から理解されるように電流IDSは減少する。電流IDSが減少すると時間変化率RSは減少する。すなわち、時間変化率RSが時間変化率RXを上回ると時間変化率RSは減少する。
以上のように、駆動トランジスタTDRのソースの電位VSの時間変化率RSは、駆動トランジスタTDRの特性に拘わらず(すなわち、特性Paおよび特性Pbの何れであっても)、駆動信号Xの電位VXの時間変化率RXに経時的に接近し、最終的には時間変化率RXに到達する。時間変化率RSが時間変化率RXに合致した状態(以下「平衡状態」という)は、駆動信号Xの電位VXの上昇に起因した電圧VGSの増加と電流IDSによる充電に起因した電圧VGSの減少とが平衡した状態とも表現できる。
平衡状態では時間変化率RSと時間変化率RXとが合致する(RS=dVS/dt=RX=dVX/dt)から、数式(2)は以下の数式(3)に変形される。すなわち、駆動トランジスタTDRに流れる電流IDSは、駆動信号Xの電位VXの時間変化率RXに比例する。さらに詳述すると、電流IDSは、容量CEの容量値cp1および電位VXの時間変化率RXのみに応じて決定され、駆動トランジスタTDRの移動度μや閾値電圧VTHには依存しない。
IDS=cp2・(dVS/dt−dVX/dt)+cp1・dVS/dt
=cp2・(dVX/dt−dVX/dt)+cp1・dVX/dt
=cp1・RX ……(3)
IDS=cp2・(dVS/dt−dVX/dt)+cp1・dVS/dt
=cp2・(dVX/dt−dVX/dt)+cp1・dVX/dt
=cp1・RX ……(3)
駆動トランジスタTDRのゲート・ソース間の電圧VGSは、移動度μや閾値電圧VTHに依存しない数式(4)の電流IDSが駆動トランジスタTDRを流れるのに必要な電圧(すなわち、数式(3)の電流IDSに対して数式(1)の関係を満たす電圧VGS)になるように、自身の移動度μや閾値電圧VTHに応じて自動的に設定される。例えば、駆動トランジスタTDRの特性が図2の特性Paである場合には電圧VGSが電圧Vaに設定され、駆動トランジスタTDRの特性が図2の特性Pbである場合には電圧VGSが電圧Vbに設定される。平衡状態においては、特性Paおよび特性Pbの何れの場合でも、容量値cp1および時間変化率RXのみに応じた共通の電流IDSが駆動トランジスタTDRに流れる。
以上の方法で設定されたゲート・ソース間の電圧VGSが保持容量CSTに保持されることで、駆動トランジスタTDRには、駆動信号X(電位VX)の供給の停止後も継続的に電流IDSが流れ得る。以下に例示する実施形態では、発光素子の駆動用の電流(以下「駆動電流」という)IDRとして電流IDSを利用する。数式(3)を参照して説明したように電流IDSは駆動トランジスタTDRの特性(移動度μや閾値電圧VTH)に依存しないから、駆動トランジスタTDRの特性に起因した駆動電流IDRの誤差(さらには発光素子の輝度の誤差)を補償することが可能である。一方、駆動電流IDR(電流IDS)は駆動信号Xの電位VXの時間変化率RXに応じて決定されるから、駆動信号Xの時間変化率RXを制御することで駆動電流IDRの電流量(さらには発光素子の輝度)を可変に設定することが可能である。
続いて、駆動信号X[j]の電位VXの時間変化率RXと、駆動トランジスタTDRのソースの電位VSが平衡状態に到達する(すなわち電位VSの時間変化率RSが駆動信号X[j]の時間変化率RXに収束する)までの時間との相関を検討する。
図3および図4は、駆動信号Xの電位VXの時間変化率RXと駆動トランジスタTDRのドレイン−ソース間の電流IDSとの相関を示すグラフである。図3の部分(A)は、図3の部分(B)のように、高目の中間調DHに対応した時間変化率RX(r_H)で電位VXを変化させた場合の電流IDSの時間的な変化を示す。一方、図4の部分(A)は、図4の部分(B)のように、低目の中間調DLに対応した時間変化率RX(r_L)で電位VXを変化させた場合の電流IDSの時間的な変化を示す。図3および図4の何れにおいても、電位VXが変化し始めた時点(グラフの左端)では、駆動トランジスタTDRのゲート−ソース間の電圧VGSを閾値電圧VTHの付近の電圧に設定した。したがって、電位VXを変化させ始めた時点の電流IDSはゼロである。
数式(3)から理解されるように、電流IDSの電流量は、駆動信号X[j]の電位VXの変化の開始後に駆動トランジスタTDRのソースの電位VSが平衡状態に到達することで、駆動信号X[j]の時間変化率RXに対応した所定値に安定する。図3の部分(A)と図4の部分(A)とを対比すると、時間変化率RXが低いほど、平衡状態に到達するまでに必要な時間Δtが長いという傾向が把握される。これらを踏まえて本発明の実施形態を説明する。
<B:発光装置の構成および動作>
図5は、本発明の実施形態に係る発光装置のブロック図である。発光装置100は、画像を表示する表示装置として電子機器に搭載される。図5に示すように、発光装置100は、複数の画素回路Uが配列された素子部10と、各画素回路Uを駆動する駆動回路30とを具備する。駆動回路30は、走査線駆動回路32と信号線駆動回路34とを含んで構成される。駆動回路30は、例えば複数の集積回路に分散して実装される。ただし、駆動回路30の少なくとも一部は、画素回路Uとともに基板上に形成された薄膜トランジスタで構成され得る。
図5は、本発明の実施形態に係る発光装置のブロック図である。発光装置100は、画像を表示する表示装置として電子機器に搭載される。図5に示すように、発光装置100は、複数の画素回路Uが配列された素子部10と、各画素回路Uを駆動する駆動回路30とを具備する。駆動回路30は、走査線駆動回路32と信号線駆動回路34とを含んで構成される。駆動回路30は、例えば複数の集積回路に分散して実装される。ただし、駆動回路30の少なくとも一部は、画素回路Uとともに基板上に形成された薄膜トランジスタで構成され得る。
素子部10には、X方向に延在するm本の走査線12と、X方向に交差するY方向に延在するn本の信号線14とが形成される(m,nは自然数)。複数の画素回路Uは、各走査線12と各信号線14との交差に配置されて縦m行×横n列の行列状に配列する。
走査線駆動回路32は、複数の画素回路Uを行単位で順次に選択するための回路である。図6に示すように、走査線駆動回路32は、垂直走査期間内のm個の単位期間H(H[1]〜H[m])の各々において走査信号GWR[1]〜GWR[m]を順番に選択電位VSL(アクティブレベル)に設定することで各走査線12(各行のn個の画素回路Uの集合)を順次に選択する。走査信号GWR[1]〜GWR[m]は、単位期間Hを周期として電位が経時的に変化する信号である。より具体的には、走査信号GWR[1]〜GWR[m]の各々の電位は、単位期間の始点tsにて選択電位VSLに設定されるとともに単位期間の始点tsから終点teにかけて一定の時間変化率で変化する。すなわち、走査信号GWR[1]〜GWR[m]は、単位期間Hを周期とするランプ波形(鋸歯状波形)の電圧信号である。以下では、各走査線12が選択される期間(すなわち単位期間H[1]〜H[m])を「書込期間PWRT」と表記する。
図5に示す信号線駆動回路34は、各単位期間H[1]〜H[m]で走査線駆動回路32が選択した1行分(n個)の画素回路Uの指定階調に応じたデータ電位VX[1]〜VX[n]を生成して各信号線14へ出力する。例えば、第j列目(j=1〜n)の信号線14に着目すると、図6に示すように、信号線駆動回路34は、単位期間Hを周期として経時的に変化するデータ電位VX[j]を生成して第j列目の信号線14に出力する。データ電位VX[j]は、単位期間Hの始点tsにて基準電位VRSに設定されるとともに単位期間Hの始点tsから終点teにかけて時間変化率RX(RX=dVX/dt)で直線的に上昇する。すなわち、データ電位VX[j]は、単位期間Hを周期とするランプ波形(鋸歯状波形)の電圧信号である。第i行(i=1〜m)の走査線12が選択される単位期間H[i]において第j列目の信号線14に供給されるデータ電位VX[j]の時間変化率RX[i,j]は、第i行の第j列目に位置する画素回路Uの指定階調に応じて可変に設定される。他の信号線14に出力されるデータ電位VXについても同様である。
図7は、画素回路Uの回路図である。図7においては、第i行の第j列目に位置する1個の画素回路Uのみが代表的に図示されている。図7に示すように、素子部10には、X方向に延在する第1制御線40、第2制御線42および第3制御線44の各々がm本の走査線12と1対1に対応して設けられる。第1制御線40、第2制御線42および第3制御線44の各々には、駆動回路30(例えば走査線駆動回路32)から所定の信号が供給される。より具体的には、第1制御線40には発光制御信号GEL[i]が供給され、第2制御線42にはリセット信号GRES[i]が供給され、第3制御線44には初期化信号GIN[i]が供給されるという具合である。
図7に示すように、画素回路Uは、発光素子Eと、駆動トランジスタTDRと、発光制御トランジスタTGELと、保持容量CSTと、選択トランジスタTSと、第1スイッチング素子SW1と、第2スイッチング素子SW2とを含んで構成される。発光素子E、駆動トランジスタTDRおよび発光制御トランジスタTGELは、高位側電位VELが供給される給電線16と低位側電位VCT(<VEL)が供給される給電線18とを連結する経路上に直列に配置される。発光素子Eは、相対向する陽極と陰極との間に有機EL(Electroluminescence)材料の発光層を介在させた有機EL素子である。図7に示すように、発光素子Eには図1の容量CE(容量値cp1)が付随する。
発光制御トランジスタTGELは、そのソースが給電線16に接続されるとともにそのドレインが駆動トランジスタTDRに接続されるPチャネル型のトランジスタ(例えば薄膜トランジスタ)である。発光制御トランジスタTGELのゲートは第1制御線40に接続される。駆動トランジスタTDRは、そのドレインが発光制御トランジスタTGELに接続されるとともにそのソースが発光素子Eの陽極に接続されるNチャネル型のトランジスタである。保持容量CST(容量値cp2)は、駆動トランジスタTDRのソース(すなわち、駆動トランジスタTDRと発光素子Eとの間の経路)と駆動トランジスタTDRのゲートとの間に介在する。
選択トランジスタTSは、信号線14と駆動トランジスタTDRのゲートとの間に配置されるNチャネル型のトランジスタである。選択トランジスタTSのゲートは走査線12に接続される。
第1スイッチング素子SW1は、リセット電位VRESが供給されるリセット線50と駆動トランジスタTDRのソースとの間に配置されるNチャネル型のトランジスタである。第1スイッチング素子SW2のゲートは第2制御線42に接続される。
第2スイッチング素子SW2は、駆動トランジスタTDRと選択トランジスタTSとの間に介在するノードNDと、初期化電位VSTが供給される初期化線52との間に配置されるNチャネル型のトランジスタである。第2スイッチング素子SW2のゲートは第3制御線44に接続される。
第1スイッチング素子SW1は、リセット電位VRESが供給されるリセット線50と駆動トランジスタTDRのソースとの間に配置されるNチャネル型のトランジスタである。第1スイッチング素子SW2のゲートは第2制御線42に接続される。
第2スイッチング素子SW2は、駆動トランジスタTDRと選択トランジスタTSとの間に介在するノードNDと、初期化電位VSTが供給される初期化線52との間に配置されるNチャネル型のトランジスタである。第2スイッチング素子SW2のゲートは第3制御線44に接続される。
次に、図6を参照しながら、発光装置100で利用される各信号の波形について説明する。図6に示すように、初期化信号GIN[i]は、第i行の走査線12が選択される書込期間PWRT(第i番目の単位期間H[i])の直前の期間(以下、「動作期間」という)Paにおいてアクティブレベル(ハイレベル)に設定され、その他の期間で非アクティブレベル(ローレベル)に設定される信号である。図6に示すように、動作期間Paは、初期化期間PINとその直後の補償期間PCPとに区分される。初期化期間PINは、駆動トランジスタTDRのゲート・ソース間の電圧を初期化するための期間であり、補償期間PCPは、駆動トランジスタTDRのゲート・ソース間の電圧を駆動トランジスタTDRの閾値電圧VTHに漸近させるための期間である。
リセット信号GRES[i]は、動作期間Paの初期化期間PINにおいてアクティブレベル(ハイレベル)に設定され、その他の期間で非アクティブレベル(ローレベル)に設定される信号である。
発光制御信号GEL[i]は、動作期間Paの初期化期間PINにおいて非アクティブレベル(ハイレベル)に設定され、その他の期間でアクティブレベル(ローレベル)に設定される信号である。
発光制御信号GEL[i]は、動作期間Paの初期化期間PINにおいて非アクティブレベル(ハイレベル)に設定され、その他の期間でアクティブレベル(ローレベル)に設定される信号である。
次に、画素回路Uの具体的な動作(駆動方法)について説明する。以下では、第i行目の第j列目の画素回路Uの動作を、初期化期間PINと補償期間PCPと書込期間PWRTと発光期間PELとに区分して説明するが、他の画素回路Uの動作も同様である。
(a)初期化期間PIN
図6に示すように、駆動回路30(例えば走査線駆動回路32)は、初期化信号GIN[i
]、リセット信号GRES[i]および発光制御信号GEL[i]をハイレベルに設定し、走査信号GWR[i]をローレベルに設定する。したがって、図8に示すように、第1スイッチング素子SW1および第2スイッチング素子SW2がオン状態になる一方、選択トランジスタTSおよび発光制御トランジスタTGELはオフ状態になる。
図6に示すように、駆動回路30(例えば走査線駆動回路32)は、初期化信号GIN[i
]、リセット信号GRES[i]および発光制御信号GEL[i]をハイレベルに設定し、走査信号GWR[i]をローレベルに設定する。したがって、図8に示すように、第1スイッチング素子SW1および第2スイッチング素子SW2がオン状態になる一方、選択トランジスタTSおよび発光制御トランジスタTGELはオフ状態になる。
駆動トランジスタTDRのソースは第1スイッチング素子SW1を介してリセット線50に導通するから、駆動トランジスタTDRのソースの電位VSはリセット線50に供給されるリセット電位VRESに設定される。また、駆動トランジスタTDRのゲートは第2スイッチング素子SW2を介して初期化線52に導通するから、駆動トランジスタTDRのゲートの電位VGは初期化線52に供給される初期化電位VSTに設定される。したがって、駆動トランジスタTDRのゲート・ソース間の電圧VGSは|VIN−VRES|に設定(初期化)される。本実施形態では、初期化電位VSTとリセット電位VRESとの差分|VIN−VRES|は、駆動トランジスタTDRの閾値電圧VTHを上回るような値に設定される。また、リセット電位VRESは、当該リセット電位VRESと給電線18に供給される低位側電位VCTとの電位差(すなわち容量CEの両端間の電圧)が発光素子Eの発光閾値電圧を下回るような値に設定される。したがって、初期化期間PRSにおいては発光素子Eはオフ状態(非発光状態)となる。
(b)補償期間PCP
図6に示すように、補償期間PCPが開始すると、駆動回路30は、リセット信号GRES[i]および発光制御信号GEL[i]をローレベルに設定する。他の信号は初期化期間PINと同じレベルに維持する。したがって、図9に示すように、第1スイッチング素子SW1がオフ状態に遷移する一方、発光制御トランジスタTGELがオン状態に遷移する。そうすると、給電線16からの電流が発光制御トランジスタTGELを介して駆動トランジスタTDRを流れ、駆動トランジスタTDRのソースの電位VSが上昇を開始する。このとき、駆動トランジスタTDRのゲートの電位VGは初期化電位VSTに維持されるから、駆動トランジスタTDRのゲート・ソース間の電圧VGSは徐々に減少していき、駆動トランジスタTDRの閾値電圧VTHに漸近していく。すなわち、補償期間PCPにおいては、駆動トランジスタTDRのゲート・ソース間の電圧VGSを、駆動トランジスタTDRの閾値電圧VTHに漸近させる補償動作が実行される。
図6に示すように、補償期間PCPが開始すると、駆動回路30は、リセット信号GRES[i]および発光制御信号GEL[i]をローレベルに設定する。他の信号は初期化期間PINと同じレベルに維持する。したがって、図9に示すように、第1スイッチング素子SW1がオフ状態に遷移する一方、発光制御トランジスタTGELがオン状態に遷移する。そうすると、給電線16からの電流が発光制御トランジスタTGELを介して駆動トランジスタTDRを流れ、駆動トランジスタTDRのソースの電位VSが上昇を開始する。このとき、駆動トランジスタTDRのゲートの電位VGは初期化電位VSTに維持されるから、駆動トランジスタTDRのゲート・ソース間の電圧VGSは徐々に減少していき、駆動トランジスタTDRの閾値電圧VTHに漸近していく。すなわち、補償期間PCPにおいては、駆動トランジスタTDRのゲート・ソース間の電圧VGSを、駆動トランジスタTDRの閾値電圧VTHに漸近させる補償動作が実行される。
補償期間PCPの終点において、駆動トランジスタTDRのゲート・ソース間の電圧は駆動トランジスタTDRの閾値電圧VTHにほぼ等しくなるから、駆動トランジスタTDRのソースの電位VSは電位VST(ゲートの電位VG)よりも閾値電圧VTHだけ低い電位VST−VTHに設定される。本実施形態では、この電位VST−VTHと低位側電位VCTとの電位差(容量CEの両端間の電圧)は、発光素子Eの発光閾値電圧を下回るように設定される。したがって、補償期間PCPにおいては、発光素子Eはオフ状態(非発光状態)となる。
(c)書込期間PWRT
図6に示すように、書込期間PWRTが開始すると、駆動回路30は、走査信号GWR[i]の電位を選択電位VSL(アクティブレベル)に設定する一方、初期化信号GIN[i]をローレベルに設定する。他の信号は補償期間PCPと同じレベルに維持する。したがって、図10に示すように、選択トランジスタTSがオン状態に遷移する一方、第2スイッチング素子SW2はオフ状態に遷移する。したがって、駆動トランジスタTDRのゲートは信号線14に導通する。これにより、駆動トランジスタTDRのゲートにはデータ電位VX[j]が供給され、当該画素回路Uの指定階調に応じた時間変化率RX[i,j]で駆動トランジスタTDRのゲートの電位VGが経時的に上昇する。そして、ゲートの電位VGに応じた電流IDSが駆動トランジスタTDRのドレイン−ソース間を流れることでソースの電位VSは経時的に上昇する。ソースの電位VSの時間変化率RS(RS=dVS/dt)がデータ電位VX[j]の時間変化率RX[i,j]に合致する平衡状態に到達すると、発光素子Eに付随する容量CEの容量値cp1および時間変化率RX[i,j]のみに依存する電流IDSが駆動トランジスタTDRを流れる。
図6に示すように、書込期間PWRTが開始すると、駆動回路30は、走査信号GWR[i]の電位を選択電位VSL(アクティブレベル)に設定する一方、初期化信号GIN[i]をローレベルに設定する。他の信号は補償期間PCPと同じレベルに維持する。したがって、図10に示すように、選択トランジスタTSがオン状態に遷移する一方、第2スイッチング素子SW2はオフ状態に遷移する。したがって、駆動トランジスタTDRのゲートは信号線14に導通する。これにより、駆動トランジスタTDRのゲートにはデータ電位VX[j]が供給され、当該画素回路Uの指定階調に応じた時間変化率RX[i,j]で駆動トランジスタTDRのゲートの電位VGが経時的に上昇する。そして、ゲートの電位VGに応じた電流IDSが駆動トランジスタTDRのドレイン−ソース間を流れることでソースの電位VSは経時的に上昇する。ソースの電位VSの時間変化率RS(RS=dVS/dt)がデータ電位VX[j]の時間変化率RX[i,j]に合致する平衡状態に到達すると、発光素子Eに付随する容量CEの容量値cp1および時間変化率RX[i,j]のみに依存する電流IDSが駆動トランジスタTDRを流れる。
駆動回路30(例えば走査線駆動回路32)は、走査信号GWR[i]の電位を選択電位VSL(アクティブレベル)に設定した後、書込期間PWRTの終点teに至るまでの所定の期間において走査信号GWR[i]の電位を選択電位VSLから経時的に変化させることで、選択トランジスタTSをオフ状態にして駆動トランジスタTDRに対するデータ電位VX[j]の供給を停止する。以下、その具体的な内容を説明する。
図11は、書込期間PWRTにおける走査信号GWR[i]の電位とデータ電位VX[j]との関係を示す図である。図11に示すように、走査信号GWR[i]の電位は、書込期間PWRTの始点tsにて選択電位VSLに設定されるとともに当該始点tsから終点teにかけて一定の時間変化率で直線的に減少する。そして、終点teにて直前の電位Vf(<VSL)から非アクティブレベル(ローレベル)の電位VLLに設定される。一方、データ電位VX[j]は、書込期間PWRTの始点tsにて基準電位VRSに設定されるとともに当該始点tsから終点teにかけて直線的に上昇する。データ電位VX[j]の時間変化率RX[i,j]は、画素回路Uの指定階調に応じて可変に設定され、指定階調が高いほどデータ電位VX[j]の勾配は急峻となる。図11に示すように、例えば指定階調が最低階調Dmin(黒表示)である場合、データ電位VX[j]の時間変化率RX[i,j]は最小値r_min(ゼロ)に設定される。すなわち、書込期間PWRT内でデータ電位VX[j]は変化せずに基準電位VRSのままである。一方、指定階調が最高階調Dmax(白表示)である場合、データ電位VX[j]の時間変化率RX[i,j]は最大値r_maxに設定される。また、指定階調が中間階調Dmidである場合、データ電位VX[j]の時間変化率RX[i,j]はr_mid(r_min<r_mid<r_max)に設定されるという具合である。
駆動回路30(走査線駆動回路32、信号線駆動回路34)は、データ電位VX[j]と走査信号GWR[i]の電位との差分が、書込期間PWRTの途中の時点にて選択トランジスタTSの閾値電圧VTH_Sを下回るように、データ電位VX[j]および走査信号GWR[i]を生成する。図11に示すように、書込期間PWRTの始点tsからデータ電位VX[j]と走査信号GWR[i]の電位との差分が選択トランジスタTSの閾値電圧VTH_Sを下回るまでの時間長は、指定階調に応じて異なる。本実施形態では、書込期間PWRTの始点tsからデータ電位VX[j]と走査信号GWR[i]の電位との差分が選択トランジスタTSの閾値電圧VTH_Sを下回るまでの時間長は、指定階調が高いほど短い。より具体的には、以下のとおりである。
本実施形態では、書込期間PWRTの終点teの直前における走査信号GWR[i]の電位Vfとデータ電位VX[j]の基準電位VRSとの差分は、選択トランジスタTSの閾値電圧VTH_Sと略同等になるように設定されており、最低階調Dminが指定された場合には、書込期間PWRTの終点teの直前にて選択トランジスタTSがオフ状態に遷移する。一方、最高階調Dmaxが指定された場合には、図11に示すように、データ電位VX[j]と走査信号GWR[i]の電位との差分は、終点teよりも前の時点t1にて閾値電圧VTH_Sと略同等になり、当該時点t1にて選択トランジスタTSはオフ状態に遷移する。また、中間階調Dmidが指定された場合には、図11に示すように、データ電位VX[j]と走査信号GWR[i]の電位との差分は、前述の時点t1よりも後であって終点teよりも前の時点t2にて閾値電圧VTH_Sと略同等になり、当該時点t2にて選択トランジスタTSはオフ状態に遷移するという具合である。
また、駆動回路30(走査線駆動回路32、信号線駆動回路34)は、書込期間PWRTの始点tsからデータ電位VX[j]と走査信号GWR[i]の電位との差分が閾値電圧VTH_Sを下回るまでの時間長(選択トランジスタTSがオフ状態に遷移するまでの時間長)が、駆動トランジスタTDRが平衡状態に到達するまでに必要な時間Δt(図3および図4)を上回るように、データ電位VX[j]および走査信号GWR[i]を生成する。これにより、書込期間PWRTにおいて駆動トランジスタTDRを確実に平衡状態に到達させる(駆動トランジスタTDRのソースの電位VSの時間変化率RSをデータ電位VX[j]の時間変化率RXに合致させる)ことが可能になるという利点がある。図3および図4を参照して説明したように、平衡状態に到達するまでの時間Δtは時間変化率RXが高いほど(指定階調が高いほど)短いから、図11のように指定階調が高いほどデータ電位VX[j]の供給の時間が短いとは言っても、駆動トランジスタTDRを確実に平衡状態に到達させることが可能である。
以上のようにして、選択トランジスタTSがオフ状態に変化することで駆動トランジスタTDRのゲートに対するデータ電位VX[j]の供給が停止すると、保持容量CSTには、データ電位VX[j]の供給が停止した時点で駆動トランジスタTDRを流れていた電流IDSに対応する電圧VSETが保持される。電圧VSETは、容量CEの容量値cp1と時間変化率RX[i,j]とで決定される数式(3)の電流IDSを駆動トランジスタTDRに流すために必要なゲート・ソース間の電圧VGSであり、当該駆動トランジスタTDRの移動度μや閾値電圧VTHなどの特性に応じて自動的に設定される(<A:駆動の原理>参照)。駆動回路30は、駆動トランジスタTDRのゲートに対するデータ電位VX[j]の供給を停止する時点におけるデータ電位VX[j]の時間変化率RX[i,j]が、当該画素回路Uの指定階調に対応した時間変化率RX[i,j]となるように、データ電位VX[j]および走査信号GWR[i]の波形を設定する。
本実施形態では、書込期間PWRTの終点teよりも前の時点で選択トランジスタTSがオフ状態に遷移するが、保持容量CSTに電圧VSETが保持されることで、当該電圧VSETに応じた電流IDSが駆動トランジスタTDRを流れ続ける。したがって、駆動トランジスタTDRのソースの電位VSは経時的に上昇する。このとき、選択トランジスタTSはオフ状態であるため、駆動トランジスタTDRのゲートは電気的にフローティング状態となり、駆動トランジスタTDRのゲートの電位VGはソースの電位VSに連動して上昇する。つまり、駆動トランジスタTDRのゲート・ソース間の電圧VGSが電圧VSETに維持されたまま、容量CEの両端間の電圧(駆動トランジスタTDRのソースの電位VS)が徐々に増加していく。なお、本実施形態においては、書込期間PWRTの終点teにおける駆動トランジスタTDRのソースの電位VSは、容量CEの両端間の電圧が発光素子Eの発光閾値電圧を下回るような値に設定される。したがって、書込期間PWRTにおいては、発光素子Eはオフ状態(非発光状態)となる。
(d)発光期間PEL
図6に示すように、発光期間PELにおいては、駆動回路30は、走査信号GWR[i]を非アクティブレベル(ローレベル)の電位VLLに設定する。他の信号は書込期間PWRTと同じレベルに維持する。したがって、図12に示すように、選択トランジスタTSは確実にオフ状態に設定される。また、発光制御トランジスタTGELがオン状態に維持されることで、保持容量CSTに保持された電圧VSETに応じた電流IDSが駆動トランジスタTDRを流れる。これにより、駆動トランジスタTDRのソースの電位VSは経時的に上昇する。
図6に示すように、発光期間PELにおいては、駆動回路30は、走査信号GWR[i]を非アクティブレベル(ローレベル)の電位VLLに設定する。他の信号は書込期間PWRTと同じレベルに維持する。したがって、図12に示すように、選択トランジスタTSは確実にオフ状態に設定される。また、発光制御トランジスタTGELがオン状態に維持されることで、保持容量CSTに保持された電圧VSETに応じた電流IDSが駆動トランジスタTDRを流れる。これにより、駆動トランジスタTDRのソースの電位VSは経時的に上昇する。
このとき、駆動トランジスタTDRのゲートは電気的なフローティング状態であるから、駆動トランジスタTDRのゲートの電位VGはソースの電位VSに連動して上昇する。そして、駆動トランジスタTDRのゲート・ソース間の電圧VGS(保持容量CSTの両端間の電圧)が書込期間PWRTにて設定された電圧VSETに維持されたまま、発光素子Eに付随する容量CEの両端間の電圧(駆動トランジスタTDRのソースの電位VS)が徐々に増加する。容量CEの両端間の電圧が発光素子Eの発光閾値電圧に到達すると、電圧VSETに対応する電流IDS(駆動トランジスタTDRの移動度μや閾値電圧VTHに依存しない電流)が駆動電流IDRとして発光素子Eを流れる。発光素子Eは、駆動電流IDRの電流量に応じた輝度で発光する。
発光素子Eに供給される駆動電流IDRの電流量は、データ電位VX[j]の供給の停止時に駆動トランジスタTDRを流れていた電流IDSと同等の電流量に維持される。電流IDSは、指定階調に応じて可変に設定される時間変化率RX[i,j]に依存するから(数式(3))、発光素子Eには指定階調に応じた電流量の駆動電流IDRが供給される。以上のように、第i行の第j列目に位置する画素回路Uの発光素子Eには、第i番目の書込期間PWRT(単位期間H[i])におけるデータ電位VX[j]の時間変化率RX[i,j](指定階調)に対応した駆動電流IDRが供給される。
以上の形態においては、データ電位VX[j]の時間変化率RX[i,j]に応じた電流IDS(駆動トランジスタTDRの移動度μや閾値電圧VTHに依存しない電流)が駆動トランジスタTDRを流れるように保持容量CSTの両端間の電圧VSETが設定されるから、各画素回路Uの指定階調に拘わらず、駆動トランジスタTDRの特性(移動度μや閾値電圧VTH)に起因した駆動電流IDRの誤差(ひいては発光素子Eの輝度の誤差)を抑制することが可能である。したがって、例えば、素子部10に表示される画像の階調のムラが抑制されるという利点がある。
ここで、上述の本実施形態とは異なり、走査信号GWR[1]〜GWR[m]の各々の電位が、書込期間PWRTにおいて経時的に変化せずに、始点tsから終点teにわたって選択電位VSLに維持される態様(以下、「対比例」という)を想定する。対比例において、走査信号GWR[i]は、垂直走査期間内の第i番目の書込期間PWRT(単位期間H[i])に選択電位VSLの選択パルスPSLが配置された電圧信号である。その他の構成は上述の実施形態と同じであるから、重複する部分については説明を省略する。
図13は、対比例における第i番目の書込期間PWRT(単位期間H[i])内の走査信号GWR[i]の電位とデータ電位VX[j]との関係を示す図である。対比例においては、所定値を上回る階調(明階調)が指定された場合に、データ電位VX[j]と選択電位VSLとの差分が、書込期間PWRT(単位期間H[i])の途中の時点(選択パルスPSLの後縁よりも手前の時点)にて選択トランジスタTSの閾値電圧VTH_SLを下回るように、データ電位VX[j]の波形が選定される。すなわち、最高階調Dmaxや所定値を上回る明階調DHが指定された場合、選択トランジスタTSは、選択パルスPSLの後縁の到来前の時点(書込期間PWRTの途中の時点)にてオフ状態に変化する。図13に示すように、例えば最高階調Dmaxが指定された場合、データ電位VX[j]と走査信号GWR[i]の電位との差分は、終点teよりも前の時点t11にて閾値電圧VTH_Sと略同等になり、当該時点t11にて選択トランジスタTSはオフ状態に遷移する。また、明階調DHが指定された場合、データ電位VX[j]と走査信号GWR[i]の電位との差分は、前述の時点t11よりも後であって終点teよりも前の時点t12にて閾値電圧VTH_Sと略同等になり、当該時点t12にて選択トランジスタTSはオフ状態に遷移するという具合である。所定値を上回る階調が指定された場合、選択トランジスタTSがオフ状態に遷移するときの走査信号GWR[i]の電位は選択電位VSLに維持されたままである。
一方、所定値を下回る階調(暗階調)が指定された場合には、書込期間PWRTの終点teにおけるデータ電位VX[j]と選択電位VSLとの差分が選択トランジスタTSの閾値電圧VTH_Sを上回るように、データ電位VX[j]の波形が選定される。したがって、所定値を下回る暗階調DLや最低階調Dminが指定された場合には、書込期間PWRTの終点te(選択パルスPSLの後縁)にて走査信号GWR[i]の電位が選択電位VSLから非アクティブレベルの電位VLLへ瞬時に変化することで、選択トランジスタTSがオフ状態に変化する。この場合、選択トランジスタTSをオフ状態に遷移させるために走査信号GWR[i]の電位を選択電位VSLから電位VLLへ瞬時に変化(低下)させたときのフィードスルーに起因して、駆動トランジスタTDRのゲートの電位VGは、書込期間PWRTの終点teにて変動(低下)する。この電位VGの変動量(低下量)は、選択トランジスタTSがオフ状態に遷移するときの走査信号GWR[i]の電位の変化量が大きいほど増大するから、所定値を下回る階調(暗階調)が指定された場合には、所定値を上回る階調(明階調)が指定された場合に比べて、電位VGの変動量が大きくなる。したがって、所定値を下回る階調(暗階調)が指定された場合には、画素の輝度を所望の階調に設定することが困難になるという問題が発生する。
これに対して、本実施形態では、書込期間PWRTの始点tsから終点teにかけて走査信号GWR[i]の電位を選択電位VSLから経時的に変化させることで、如何なる階調が指定された場合にも書込期間PWRTの途中の時点で選択トランジスタTSをオフ状態に遷移させる。例えば前述の暗階調DLが指定された場合には、図14に示すように、データ電位VX[j]と走査信号GWR[i]の電位との差分は、書込期間PWRTの終点teよりも前の時点t22にて閾値電圧VTH_Sと略同等になり、当該時点t22にて選択トランジスタTSはオフ状態に遷移する。そして、選択トランジスタTSがオフ状態に遷移するときの走査信号GWR[i]の電位の変化量(時点t22における走査信号GWR[i]の電位の変化量)は、対比例における走査信号GWR[i]の電位の変化量(=VSL−VLL)に比べて充分に小さいから、選択トランジスタTSがオフ状態に遷移するときのフィードスルーに起因した電位VGの変動量(低下量)を対比例に比べて抑制できる。例えば最低階調Dminが指定された場合についても同様である。すなわち、本実施形態によれば、所定値を下回る階調(例えば暗階調DLや最低階調Dminなど)が指定された場合にも、書込期間PWRTにおいて選択トランジスタTSがオフ状態に遷移するときの走査信号GWR[i]の電位の変化量を対比例に比べて小さくできるから、画素の輝度が所定の目標値から乖離することを抑制できるという利点がある。
なお、本実施形態において、所定値を下回る階調が指定されたときに、書込期間PWRTの終点teにおける走査信号GWR[i]の電位とデータ電位VX[j]との差分が、選択トランジスタTSの閾値電圧VTH_Sを上回る(選択トランジスタTSがオン状態に維持される)ように設定される場合であっても、走査信号GWR[i]の電位は書込期間PWR[i]の始点tsから終点teにかけて直線的に減少するから、書込期間PWRTの終点teの電位は選択電位VSLよりも低い電位に設定される。そして、書込期間PWRTの終点teにて、走査信号GWR[i]の電位が非アクティブレベルの電位VLLに遷移することで選択トランジスタTSはオフ状態に遷移するが、このときの走査信号GWR[i]の電位の変化量は対比例(=VSL−VLL)に比べて小さくなる。すなわち、この態様であっても、選択トランジスタTSがオフ状態に遷移するときのフィードスルーに起因した電位VGの変動量(低下量)を対比例に比べて抑制できるという利点が得られる。
図15は、素子部10の所定の領域に含まれる複数の画素(画素回路U)の指定階調と、画素間の輝度のバラツキとの関係を示す図である。図15においては、横軸は各画素の指定階調を示し、縦軸は各画素間の発光輝度のバラツキを示す。図15の縦軸の「バラツキ」は、各画素の発光輝度の平均値、最大値および最小値を用いた(最大値−最小値)/(平均値)に基づいて定められている。図15からも理解されるように、本実施形態によれば、暗階調が指定された場合における画素間の発光輝度のバラツキが対比例に比べて抑制されることが分かる。これは、前述したように、本実施形態によれば、暗階調(所定値を下回る暗階調DLや最低階調Dmin)が指定された場合にも、書込期間PWRTにおいて選択トランジスタTSがオフ状態に遷移するときのフィードスルーに起因した電位VGの変動量(低下量)を対比例に比べて抑制できるためである。
ところで、対比例のように、各単位期間H[1]〜H[m]における走査信号GWR[1]〜GWR[m]をパルス波形とした場合、走査線12に付随する寄生容量や寄生抵抗の影響によって、駆動回路30(例えば走査線駆動回路32)に近い画素回路Uへ供給される走査信号GWR[i]の波形は、駆動回路30から遠い画素回路Uへ供給される走査信号GWR[i]の波形と異なる。より具体的には、走査線12に付随する寄生容量や寄生抵抗の総和は、駆動回路30から各画素回路Uへ至る走査線12の経路長が長くなるほど増大するため、駆動回路30から遠い画素回路Uへ供給される走査信号GWR[i]の波形は、寄生容量や寄生抵抗の影響を受けることで、駆動回路30に近い画素回路Uへ供給される走査信号GWR[i]の波形に比べて鈍る(遅延する)。その鈍り(遅延)の程度は、走査信号GWR[i]の電位の単位時間当たりの変化量が大きいほど増大する傾向を示す。
図16は、駆動回路30に近い画素回路Uへ供給される走査信号GWR[i]の波形と、駆動回路30から遠い画素回路Uへ供給される走査信号GWR[i]の波形とを対比する形で示した図である。図16に示すように、書込期間PWRTの終点teにおいて、駆動回路30に近い画素回路Uへ供給される走査信号GWR[i]の電位は選択電位VSLから非アクティブレベルの電位VLLへと急峻に立ち下がるのに対し、駆動回路30から遠い画素回路Uへ供給される走査信号GWR[i]の電位は、寄生容量や寄生抵抗の影響を受けることで、その立ち下がりの波形が鈍り(立ち下がりに遅延が生じ)、書込期間PWRTの終点teよりも後の時点tfで非アクティブレベルの電位VLLに到達するという具合である。
そうすると、対比例において、所定値を下回る階調(暗階調DLや最低階調Dminなど)が指定された場合には、前述したように、書込期間PWRTの終点teにて選択トランジスタTSがオフ状態に遷移するときのフィードスルーに起因して駆動トランジスタTDRのゲートの電位VGが大きく変動(低下)するのみならず、駆動回路30に近い画素回路Uに供給される走査信号GWR[i]の立ち下がりの波形と、駆動回路30から遠い画素回路Uに供給される走査信号GWR[i]の立ち下がりの波形とが異なることに起因して、フィードスルーによる電位VGの変動量が、駆動回路30に近い画素回路Uと遠い画素回路Uとでばらつくという問題も発生する。
これに対して、本実施形態では、書込期間PWRTの始点tsから終点teにかけて走査信号GWR[i]の電位を直線的に減少させることで、走査信号GWR[i]の立ち下がりの波形(選択電位VSLから経時的に減少するときの波形)の単位時間当たりの変化量を対比例に比べて抑制できる。これにより、駆動回路30に近い画素回路Uへ供給される走査信号GWR[i]の立ち下がりの波形と、駆動回路30から遠い画素回路Uへ供給される走査信号GWR[i]の立ち下がりの波形とを揃えることができる。すなわち、本実施形態によれば、所定値を下回る階調が指定された場合にも、選択トランジスタTSがオフ状態に遷移するときのフィードスルーに起因した電位VGの変動量を抑制できるとともに、その変動量が、駆動回路30に近い画素回路Uと駆動回路30から遠い画素回路Uとの間でばらつくことを抑制できるという利点がある。
図17は、図18に示す領域Aおよび領域Cの各々に含まれる複数の画素の指定階調と、領域Aと領域Cとの間の輝度のバラツキとの関係を示す図である。図17においては、横軸は各画素の指定階調を示し、縦軸は、領域Aと領域Cとの間の発光輝度のバラツキを示す。図17の縦軸の「バラツキ」は、領域Aに含まれる複数の画素の発光輝度の平均値と領域Cに含まれる複数の画素の発光輝度の平均値とを用いた(領域Cの平均輝度−領域Aの平均輝度)/(領域Cの平均輝度+領域Aの平均輝度)に基づいて定められている。
図18に示すように、素子部10における領域Aは、素子部10における領域Cに比べて走査線駆動回路32に近い位置に配置される。言い換えれば、走査線駆動回路32と領域Aとの間のX方向の距離は、走査線駆動回路32と領域Cとの間のX方向の距離に比べて小さい。
図18に示すように、素子部10における領域Aは、素子部10における領域Cに比べて走査線駆動回路32に近い位置に配置される。言い換えれば、走査線駆動回路32と領域Aとの間のX方向の距離は、走査線駆動回路32と領域Cとの間のX方向の距離に比べて小さい。
図17からも理解されるように、本実施形態によれば、暗階調が指定された場合における領域Aと領域Cとの間の発光輝度のバラツキが、対比例に比べて抑制されることが分かる。
<C:走査線駆動回路32の具体的な構成>
図19は、走査線駆動回路32の概略構成を示すブロック図である。図19に示すように、走査線駆動回路32は、シフトレジスタ36と、走査線12の総数(画素回路Uの行数)に相当するm個の出力バッファ部38とを含んで構成される。シフトレジスタ36は、クロック信号に従ってスタートパルス信号を順次転送することで、垂直走査期間内のm個の単位期間H(H[1]〜H[m])の各々において順番にアクティブレベル(ハイレベル)に遷移するm個の制御信号CP[1]〜CP[m]を生成して各出力バッファ部38へ出力する。例えば第i番目の単位期間H[i](書込期間PWRT)においては、ハイレベルの制御信号CP[i]が、第i段目の出力バッファ部38へ出力されるという具合である。
図19は、走査線駆動回路32の概略構成を示すブロック図である。図19に示すように、走査線駆動回路32は、シフトレジスタ36と、走査線12の総数(画素回路Uの行数)に相当するm個の出力バッファ部38とを含んで構成される。シフトレジスタ36は、クロック信号に従ってスタートパルス信号を順次転送することで、垂直走査期間内のm個の単位期間H(H[1]〜H[m])の各々において順番にアクティブレベル(ハイレベル)に遷移するm個の制御信号CP[1]〜CP[m]を生成して各出力バッファ部38へ出力する。例えば第i番目の単位期間H[i](書込期間PWRT)においては、ハイレベルの制御信号CP[i]が、第i段目の出力バッファ部38へ出力されるという具合である。
各出力バッファ部38は、インバータIVTと、単位回路Jとを含んで構成される。単位回路Jは、Pチャネル型のトランジスタTr1とNチャネル型のトランジスタTr2とから構成されるインバータ回路である。各単位回路Jの出力端子Sは、当該単位回路Jに対応する走査線12に接続される。第i段目の単位回路Jの出力端子Sは、第i行の走査線12に接続されるという具合である。つまり、第i段目の単位回路Jの出力端子Sの出力電位は、第i行の走査線12に出力される走査信号GWR[i]の電位になる。
いま、第i段目の単位回路Jにて走査信号GWR[i]が生成されるときの態様を説明する。
第i番目の単位期間H[i]が開始すると、第i段目の出力バッファ部38にはハイレベルの制御信号CP[i]が供給される。当該制御信号CP[i]はインバータIVTにてローレベルに反転されて単位回路Jの入力端子Iに供給される。これにより、トランジスタTr1がオン状態になる一方、トランジスタTr2はオフ状態になる。そうすると、単位回路Jの出力端子Sの電位(走査信号GWR[i]の電位)は高電位VONに設定される。図20に示すように、高電位VONは、単位期間H[i]の始点tsから終点teにかけて選択電位VSLから直線的に減少するように設定される。このような高電位VONの波形は、コンデンサと定電流を用いて生成することが可能である。あるいは、コンデンサと抵抗を用いたCR回路を用いて生成することも可能である。
第i番目の単位期間H[i]が開始すると、第i段目の出力バッファ部38にはハイレベルの制御信号CP[i]が供給される。当該制御信号CP[i]はインバータIVTにてローレベルに反転されて単位回路Jの入力端子Iに供給される。これにより、トランジスタTr1がオン状態になる一方、トランジスタTr2はオフ状態になる。そうすると、単位回路Jの出力端子Sの電位(走査信号GWR[i]の電位)は高電位VONに設定される。図20に示すように、高電位VONは、単位期間H[i]の始点tsから終点teにかけて選択電位VSLから直線的に減少するように設定される。このような高電位VONの波形は、コンデンサと定電流を用いて生成することが可能である。あるいは、コンデンサと抵抗を用いたCR回路を用いて生成することも可能である。
そして、単位期間H[i]の終点teにおいては、第i段目の出力バッファ部38に供給される制御信号CP[i]はローレベルに遷移し、当該制御信号CP[i]はインバータIVTにてハイレベルに反転されて入力端子Iへ供給される。これにより、トランジスタTr2がオン状態になる一方、トランジスタTr1はオフ状態になる。そうすると、出力端子Sの電位(走査信号GWR[i]の電位)は低電位VLLに設定される。そして、出力端子Sの電位は、制御信号CP[i]が再びハイレベルに遷移するまでの期間、低電位VLLに維持される。このようにして、第i行の走査線12に出力される走査信号GWR[i]の波形が生成される(図20参照)。他の行の走査線12に出力される走査信号GWRの波形も同様にして生成される。
<D:変形例>
本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、例えば、以下の変形が可能である。また、以下に示す変形例のうちの2以上の変形例を組み合わせることもできる。
本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、例えば、以下の変形が可能である。また、以下に示す変形例のうちの2以上の変形例を組み合わせることもできる。
(1)変形例1
上述の実施形態では、単調に増加する、いわゆるランプ波形のデータ信号(データ電位VX)であり、階調が高い場合は傾斜が急峻で、階調が低い場合には傾斜が緩やかなデータ信号に対し、データ信号が単調増加している間に、選択トランジスタTSをターンオフさせている。ただし、データ信号を一定電位とする階調や、選択信号(走査信号GWR)の電位の変化に対し概略一定とみなせる階調(要するに低階調)では、データ信号が単調増加している間に選択トランジスタTSをターンオフさせなくてもよい。
上述の実施形態では、単調に増加する、いわゆるランプ波形のデータ信号(データ電位VX)であり、階調が高い場合は傾斜が急峻で、階調が低い場合には傾斜が緩やかなデータ信号に対し、データ信号が単調増加している間に、選択トランジスタTSをターンオフさせている。ただし、データ信号を一定電位とする階調や、選択信号(走査信号GWR)の電位の変化に対し概略一定とみなせる階調(要するに低階調)では、データ信号が単調増加している間に選択トランジスタTSをターンオフさせなくてもよい。
(2)変形例2
上述の実施形態において、走査信号GWR[i]の電位は、垂直走査期間内の第i番目の書込期間PWRT(単位期間H[i])の始点tsにて選択電位VSLに設定されるとともに当該始点tsから終点teにかけて一定の時間変化率で直線的に減少しているが、これに限らず、走査信号GWR[i]の電位の変化の態様は任意である。要するに、走査信号GWR[i]の電位は、書込期間PWRTの始点tsにて選択電位VSLに設定された後、終点teに至るまでの所定の期間において経時的に変化するものであればよい。
上述の実施形態において、走査信号GWR[i]の電位は、垂直走査期間内の第i番目の書込期間PWRT(単位期間H[i])の始点tsにて選択電位VSLに設定されるとともに当該始点tsから終点teにかけて一定の時間変化率で直線的に減少しているが、これに限らず、走査信号GWR[i]の電位の変化の態様は任意である。要するに、走査信号GWR[i]の電位は、書込期間PWRTの始点tsにて選択電位VSLに設定された後、終点teに至るまでの所定の期間において経時的に変化するものであればよい。
例えば、図11において、指定階調が最高階調Dmaxである場合、データ信号との相互作用で選択トランジスタTSがターンオフする前のタイミングでは、選択トランジスタTSはターンオンしていればよいため、図21に示すように、走査信号GWR[i]の電位は、書込期間PWRT(単位期間H[i])の始点tsから所定の時間長tvだけ選択電位VSLに維持され、当該時間長tvが経過した後に、一定の時間変化率で直線的に減少する態様とすることもできる。これにより、選択トランジスタTSに必要以上の電圧が印加されないようにすることで、選択トランジスタTSの耐圧劣化や装置における消費電力を低減させることができる。
また、図22の点線部分で示すように、走査信号GWR[i]の電位は、書込期間PWRT(単位期間H[i])の始点tsにて選択電位VSLに設定されるとともに当該始点tsから終点teにかけて曲線的に減少する態様とすることもできる。ただし、上述の実施形態のように、書込期間PWRTにおいて、走査信号GWRの電位を始点tsから終点teにかけて直線的に変化させることで選択トランジスタTSをオフ状態に遷移させる態様によれば、選択トランジスタTSがオフ状態に遷移するときの走査信号GWR[i]の電位の変化量は、指定階調とは無関係に同じ値に設定されるから、選択トランジスタTSがオフ状態に遷移するときのフィードスルーに起因した駆動トランジスタTDRのゲートの電位VGの変動量(低下量)が、指定階調ごとにばらつくことを抑制できるという利点がある。
さらに、図23に示すように、書込期間PWRTにて経時的に変化する走査信号GWR[i]の電位が、書込期間PWRTの終点teにて非アクティブレベルの電位VLLに到達するように、走査信号GWR[i]の波形(走査信号GWR[i]の電位の時間変化率)が設定される態様とすることもできる。
(3)変形例3
上述の実施形態では、書込期間PWRTにおいて選択トランジスタTSがターンオフするタイミングは指定階調毎に異なる。つまり、他の階調と同じタイミングで選択トランジスタTSがターンオフしないように設定されているが、データ信号(データ電位VX)が一定の値になる階調や選択信号(走査信号GWR)の電位変化に対し概略一定とみなせる階調(要するに低階調)では、同じタイミングで選択トランジスタTSをターンオフさせてもよい
上述の実施形態では、書込期間PWRTにおいて選択トランジスタTSがターンオフするタイミングは指定階調毎に異なる。つまり、他の階調と同じタイミングで選択トランジスタTSがターンオフしないように設定されているが、データ信号(データ電位VX)が一定の値になる階調や選択信号(走査信号GWR)の電位変化に対し概略一定とみなせる階調(要するに低階調)では、同じタイミングで選択トランジスタTSをターンオフさせてもよい
(4)変形例4
画素回路Uを構成する各トランジスタ(駆動トランジスタTDR,選択トランジスタTS,発光制御トランジスタTGEL,第1スイッチング素子SW1,第2スイッチング素子SW2)の導電型は任意である。例えば、駆動トランジスタTDRをPチャネル型とした構成も採用される。Pチャネル型の駆動トランジスタTDRを採用した場合、Nチャネル型の駆動トランジスタTDRを採用した場合と比較して電圧の関係(高低)は逆転するが、本質的な動作は上述の実施形態と同様であるから動作の詳細な説明は省略する。
画素回路Uを構成する各トランジスタ(駆動トランジスタTDR,選択トランジスタTS,発光制御トランジスタTGEL,第1スイッチング素子SW1,第2スイッチング素子SW2)の導電型は任意である。例えば、駆動トランジスタTDRをPチャネル型とした構成も採用される。Pチャネル型の駆動トランジスタTDRを採用した場合、Nチャネル型の駆動トランジスタTDRを採用した場合と比較して電圧の関係(高低)は逆転するが、本質的な動作は上述の実施形態と同様であるから動作の詳細な説明は省略する。
(5)変形例5
上述の実施形態において、発光素子Eに供給される駆動電流IDRの電流量は、書込期間PWRTの終点teにおけるデータ電位VXの時間変化率RXに応じて決定される。したがって、データ電位VXのうち書込期間PWRTの終点te(駆動トランジスタTDRのゲートに対するデータ電位VXの供給を停止する時点)におけるデータ電位VXの時間変化率RXが指定階調に応じて設定される構成は好適であるが、書込期間PWRTの途中におけるデータ電位VXの波形(時間変化率RX)は本発明において不問である。ただし、書込期間PWRTの終点teにて駆動トランジスタTDRのソースの電位VSの時間変化率RSをデータ電位VXの時間変化率RXに正確に合致させるためには、データ電位VXの時間変化率RXを、終点teまでの所定の期間にわたって継続的に、指定階調に応じた一定の数値に固定する構成が格別に好適である。
上述の実施形態において、発光素子Eに供給される駆動電流IDRの電流量は、書込期間PWRTの終点teにおけるデータ電位VXの時間変化率RXに応じて決定される。したがって、データ電位VXのうち書込期間PWRTの終点te(駆動トランジスタTDRのゲートに対するデータ電位VXの供給を停止する時点)におけるデータ電位VXの時間変化率RXが指定階調に応じて設定される構成は好適であるが、書込期間PWRTの途中におけるデータ電位VXの波形(時間変化率RX)は本発明において不問である。ただし、書込期間PWRTの終点teにて駆動トランジスタTDRのソースの電位VSの時間変化率RSをデータ電位VXの時間変化率RXに正確に合致させるためには、データ電位VXの時間変化率RXを、終点teまでの所定の期間にわたって継続的に、指定階調に応じた一定の数値に固定する構成が格別に好適である。
(6)変形例6
例えば、図11に示されるように、上述の実施形態においては、走査信号GWR[i]の非アクティブレベルの電位VLLは、データ電位VX[j]の基準電位VRSよりも低い値に設定されているが、これに限らず、両者の高低の関係は任意に設定することができる。例えば図24に示すように、電位VLLが基準電位VRSを上回る態様とすることもできる。この態様においては、例えば最低階調Dminが指定された場合に、走査信号GWR[i]とデータ電位VX[j]とが、電位と時間との関係を図示した場合において交差しないようにすることができる。
例えば、図11に示されるように、上述の実施形態においては、走査信号GWR[i]の非アクティブレベルの電位VLLは、データ電位VX[j]の基準電位VRSよりも低い値に設定されているが、これに限らず、両者の高低の関係は任意に設定することができる。例えば図24に示すように、電位VLLが基準電位VRSを上回る態様とすることもできる。この態様においては、例えば最低階調Dminが指定された場合に、走査信号GWR[i]とデータ電位VX[j]とが、電位と時間との関係を図示した場合において交差しないようにすることができる。
(7)変形例7
発光素子Eは、OLED素子であってもよいし、無機発光ダイオードやLED(Light Emitting Diode)であってもよい。要は、電気エネルギーの供給(電界の印加や電流の供給)に応じて発光する総ての素子を本発明の発光素子として利用できる。
発光素子Eは、OLED素子であってもよいし、無機発光ダイオードやLED(Light Emitting Diode)であってもよい。要は、電気エネルギーの供給(電界の印加や電流の供給)に応じて発光する総ての素子を本発明の発光素子として利用できる。
<E:応用例>
次に、本発明に係る発光装置を利用した電子機器について説明する。図25は、以上に説明した実施形態に係る発光装置100を表示装置として採用したモバイル型のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。パーソナルコンピュータ2000は、表示装置としての発光装置100と本体部2010とを備える。本体部2010には、電源スイッチ2001およびキーボード2002が設けられている。この発光装置100は発光素子EにOLED素子を使用しているので、視野角が広く見易い画面を表示できる。
次に、本発明に係る発光装置を利用した電子機器について説明する。図25は、以上に説明した実施形態に係る発光装置100を表示装置として採用したモバイル型のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。パーソナルコンピュータ2000は、表示装置としての発光装置100と本体部2010とを備える。本体部2010には、電源スイッチ2001およびキーボード2002が設けられている。この発光装置100は発光素子EにOLED素子を使用しているので、視野角が広く見易い画面を表示できる。
図26に、以上に説明した実施形態に係る発光装置100を表示装置として採用した携帯電話機の構成を示す。携帯電話機3000は、複数の操作ボタン3001およびスクロールボタン3002、ならびに発光装置100を備える。スクロールボタン3002を操作することによって、発光装置100に表示される画面がスクロールされる。
図27に、以上に説明した実施形態に係る発光装置100を表示装置として採用した携帯情報端末(PDA:Personal Digital Assistants)の構成を示す。情報携帯端末4000は、複数の操作ボタン4001および電源スイッチ4002、ならびに発光装置100を備える。電源スイッチ4002を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が発光装置10に表示される。
なお、本発明に係る発光装置が適用される電子機器としては、図25から図27に示したもののほか、デジタルスチルカメラ、テレビ、ビデオカメラ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、プリンタ、スキャナ、複写機、ビデオプレーヤ、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。また、本発明に係る発光装置100の用途は画像の表示に限定されない。例えば、電子写真方式の画像形成装置において露光により感光体ドラムに潜像を形成する露光装置としても本発明の発光装置100は利用される。
10……素子部、12……走査線、14……信号線、16,18……給電線、30……駆動回路、32……走査線駆動回路、34……信号線駆動回路、36……シフトレジスタ、38……出力バッファ部、40……第1制御線、42……第2制御線、44……第3制御線、50……リセット線、52……初期化線、100……発光装置、CST……保持容量、CE……容量、E……発光素子、GWR……走査信号、GIN……制御信号、H……単位期間、ND……ノード、PWRT……書込期間、TDR……駆動トランジスタ、TS……選択トランジスタ、TGEL……発光制御トランジスタ、SW1……第1スイッチング素子、SW2……第2スイッチング素子、U……画素回路、VSL……選択電位。
Claims (8)
- 画素回路と、前記画素回路を駆動する駆動回路とを具備し、
前記画素回路は、
発光素子と、
前記発光素子に直列に接続される駆動トランジスタと、
前記駆動トランジスタのゲートとソースとの間に介在する保持容量と、
前記駆動トランジスタのゲートと当該画素回路に対応する信号線との間に配置される選択トランジスタと、を具備し、
前記駆動回路は、
書込期間が開始すると、前記選択トランジスタのゲートに供給する選択信号の電位を選択電位に設定することで前記選択トランジスタをオン状態にするとともに、経時的に変化するデータ電位を前記信号線に出力することで、当該データ電位に応じた電流が前記駆動トランジスタを流れるようにし、
その後、前記書込期間の終点に至るまでの期間において前記選択信号の電位を前記選択電位から経時的に変化させることで、前記選択トランジスタをオフ状態にして前記駆動トランジスタに対する前記データ電位の供給を停止するとともに、前記駆動トランジスタに対する前記データ電位の供給を停止する時点における前記データ電位の時間変化率が、当該画素回路の指定階調に対応した時間変化率となるように設定する、
発光装置。 - 前記選択信号の電位は、前記選択電位に設定された後、前記書込期間の終点に至るまで一定の時間変化率で変化する、
請求項1の発光装置。 - 前記書込期間において、前記選択信号の電位は、前記駆動トランジスタのゲートの電位の時間変化率がソースの電位の時間変化率に合致する時点よりも後の時点で前記選択トランジスタがオフ状態になるように設定される、
請求項1または請求項2の発光装置。 - 前記画素回路は、
前記駆動トランジスタのソースとリセット線との間に配置される第1スイッチング素子と、
前記駆動トランジスタのゲートと前記選択トランジスタとの間に介在するノードと初期化線との間に介在する第2スイッチング素子と、
前記発光素子および前記駆動トランジスタに直列に接続される発光制御トランジスタと、をさらに備え、
前記駆動回路は、
前記書込期間よりも前の初期化期間において、前記発光制御トランジスタおよび前記第選択トランジスタをオフ状態に設定するとともに、前記第1スイッチング素子および前記第2スイッチング素子をオン状態に設定することで、前記駆動トランジスタのゲート・ソース間の電圧を初期化し、
前記初期化期間の後であって前記書込期間よりも前の補償期間において、前記第1スイッチング素子をオフ状態に設定するとともに、前記発光制御トランジスタをオン状態に設定することで、前記駆動トランジスタのゲート・ソース間の電圧を閾値電圧に漸近させる補償動作を実行し、
前記書込期間において、前記第2スイッチング素子をオフ状態に設定し、
前記書込期間の後の発光期間において、前記発光制御トランジスタをオン状態に維持することで、前記駆動トランジスタのソースの電位を、前記発光素子が発光するように変化させる、
請求項1から請求項3の何れかの発光装置。 - 前記初期化期間、前記補償期間および前記書込期間において、前記発光素子が非発光状態となるように、前記駆動トランジスタのソースの電位が設定される、
請求項4の発光装置。 - 前記駆動トランジスタに対する前記データ電位の供給を停止する時点における前記データ電位の時間変化率と、前記発光素子に付随する容量の容量値との乗算値に相当する電流が、当該駆動トランジスタを流れるように、前記保持容量の両端間の電圧が設定される、
請求項1から請求項5の何れかの発光装置。 - 請求項1から請求項6の何れかの発光装置を具備する電子機器。
- 発光素子と、前記発光素子に直列に接続される駆動トランジスタと、前記駆動トランジスタのゲートとソースとの間に介在する保持容量と、前記駆動トランジスタのゲートと当該画素回路に対応する信号線との間に配置される選択トランジスタと、を含む画素回路の駆動方法であって、
書込期間が開始すると、前記選択トランジスタのゲートに供給する選択信号の電位を選択電位に設定することで前記選択トランジスタをオン状態にするとともに、当該画素回路の指定階調に応じた時間変化率で経時的に変化するデータ電位を前記信号線に出力することで、当該データ電位に応じた電流が前記駆動トランジスタを流れるようにし、
その後、前記書込期間の終点に至るまでの期間において前記選択信号の電位を前記選択電位から経時的に変化させることで、前記選択トランジスタをオフ状態にして前記駆動トランジスタに対する前記データ電位の供給を停止するとともに、前記駆動トランジスタに対する前記データ電位の供給を停止する時点における前記データ電位の時間変化率が、当該画素回路の指定階調に対応した時間変化率となるように設定する、
画素回路の駆動方法。
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