JP5287024B2 - 画素回路の駆動方法、発光装置および電子機器 - Google Patents
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Description
図1は、本発明の第1実施形態に係る発光装置のブロック図である。発光装置100は、画像を表示する表示体として電子機器に搭載される。図1に示すように、発光装置100は、複数の画素回路Uが配列された素子部10と、各画素回路Uを駆動する駆動回路30とを具備する。駆動回路30は、走査線駆動回路32と信号線駆動回路34と電位制御回路36とを含んで構成される。駆動回路30は、例えば複数の集積回路に分散して実装される。ただし、駆動回路30の少なくとも一部は、基板上に形成された薄膜トランジスタで構成され得る。
図3および図4に示すように、初期化期間PRSにおいては、信号線駆動回路34が信号S[j]を基準電位VREF1に設定し、電位制御回路36が電位VEL[i]を電位V2に設定する。選択スイッチTSLはオン状態であるから、駆動トランジスタTDRのゲートの電位VGは、信号線14と選択スイッチTSLとを介して信号S[j]の基準電位VREF1に設定される。また、駆動トランジスタTDRのソースの電位VSは電位V2に設定される。すなわち、駆動トランジスタTDRの電圧VGS(保持容量C1の両端間の電圧)が基準電位VREF1と電位V2との差分の電圧VGS1(VGS1=VREF1−V2)に初期化される。
VGS1=VREF1−V2≫VTH ……(1)
V2−VCT≪VTH_OLED……(2)
図3に示すように、補償期間PCPは動作期間PCP1と保持期間PCP2とに区分される。動作期間PCP1は、補償期間PCPの始点(初期化期間PRSの終点)から時間長t1が経過するまでの期間であり、保持期間PCP2は補償期間PCPの残余の期間(動作期間PCP1の終点から補償期間PCPの終点までの期間)である。動作期間PCP1の時間長t1は、画素回路Uに指定された階調値Dに応じて可変に設定される。すなわち、図3に示すように、階調値Dが高階調(高輝度)を指定する場合の時間長t1は、階調値Dが低階調(低輝度)を指定する場合の時間長t1と比較して短い。なお、動作期間PCP1の時間長t1の設定については後述する。
Ids=1/2・μ・W/L・Cox・(VGS−VTH)2 ……(3)
VGS3=VGS2−ΔVREF・cp2/(cp1+cp2) ……(4)
図3および図7に示すように、書込期間PWRが開始すると、信号線駆動回路34は信号S[j]を階調電位VDATAに変化させる。階調電位VDATAは、画素回路U(発光素子E)に指定された階調値Dに応じて可変に設定される。選択スイッチTSLは書込期間PWRでもオン状態を維持するから、駆動トランジスタTDRのゲートの電位VGは、保持期間PCP2にて設定された基準電位VREF2から階調電位VDATAに変化する。そして、駆動トランジスタTDRのソースの電位VSは電位VGに連動して変化する。書込期間PWRの開始の直後における電位VSの変化量は、電位VGの変化量ΔV(ΔV=VDATA−VREF2)を保持容量C1と容量C2との容量比に応じて分割した電圧(ΔV・cp1/(cp1+cp2))に相当する。
VGS4=VGS3+ΔV・cp2/(cp1+cp2)
={VGS2−ΔVREF・cp2/(cp1+cp2)}+ΔV・cp2/(cp1+cp2)
=VGS2+{−(VREF1−VREF2)+(VDATA−VREF2)}・cp2/(cp1+cp2)
=VGS2+(VDATA−VREF1)・cp2/(cp1+cp2) ……(5)
図3および図8に示すように、駆動期間PDRが開始すると、走査線駆動回路32は走査信号GA[i]を非アクティブレベル(ローレベル)に変化させる。したがって、第i行目の各画素回路Uの選択スイッチTSLはオフ状態に変化する。すなわち、駆動トランジスタTDRのゲートは電気的なフローティング状態となる(すなわち、駆動トランジスタTDRのゲートに対する電位の供給が停止する)。一方、書込期間PWRにてオン状態に遷移した駆動トランジスタTDRのドレイン−ソース間に数式(3)の電流Idsが流れることで容量C2が充電される。したがって、駆動トランジスタTDRの電圧VGSが式(5)の電圧VGS4に維持されたまま、容量C2の両端間の電圧(駆動トランジスタTDRのソースの電位VS)が徐々に増加する。そして、容量C2の両端間の電圧が発光素子Eの閾値電圧VTH_OLEDに到達した時点で電流Idsが駆動電流IDRとして発光素子Eに供給される。したがって、駆動電流IDRは以下の数式(6)で表現される。
IDR=1/2・μ・W/L・Cox・(VGS4−VTH)2 ……(6)
以上のように駆動電流IDRは、階調電位VDATAを反映した電圧VGS4に応じた電流量に制御されるから、発光素子Eは階調電位VDATA(すなわち階調値D)に応じた輝度で発光する。発光素子Eの発光は、走査信号GA[i]が次にアクティブレベルとなる選択期間PSLの開始まで継続される。以上が画素回路Uの動作である。
次に、本発明の第2実施形態について説明する。なお、以下の各形態において作用や機能が第1実施形態と同等である要素については、以上と同じ符号を付して各々の詳細な説明を適宜に省略する。
図16は、本発明の第3実施形態における画素回路Uの回路図である。図16に示すように、本形態の画素回路Uは、第1実施形態の画素回路Uに制御スイッチTCRを追加した構成である。制御スイッチTCRは、駆動トランジスタTDRのドレイン−ソース間の電流Ids(駆動電流IDR)の経路上に配置される。例えば、図16に示すように、駆動トランジスタTDRのドレインと給電線16との間に介在するNチャネル型のトランジスタが制御スイッチTCRとして利用される。制御スイッチTCRがオン状態に遷移すると電流Idsの経路が確立し、制御スイッチTCRがオフ状態に遷移すると電流Idsの経路が遮断される。
以上の各形態は様々に変形される。各形態に対する変形の具体的な態様を以下に例示する。なお、以下の例示から2以上の態様を任意に選択して組合わせてもよい。
画素回路Uを構成する各トランジスタ(駆動トランジスタTDR,選択スイッチTSL,制御スイッチTCR)の導電型は任意である。例えば、図18に示すように、駆動トランジスタTDRや選択スイッチTSLをPチャネル型とした構成も採用される。図18の画素回路Uにおいては、発光素子Eの陽極が給電線18(電位VCT)に接続され、駆動トランジスタTDRのドレインが給電線16(電位VEL[i])に接続されるとともにソースが発光素子Eの陰極に接続される。駆動トランジスタTDRのゲートとソースとの間に保持容量C1が介在する構成や、駆動トランジスタTDRのゲートと信号線14との間に選択スイッチTSLが介在する構成は図2と同様である。以上のようにPチャネル型の駆動トランジスタTDRを採用した場合、Nチャネル型の駆動トランジスタTDRを採用した場合と比較して電圧の関係(高低)は逆転するが、本質的な動作は図3と同様であるから動作の詳細な説明は省略する。なお、第3実施形態と同様に、図18の駆動トランジスタTDRに流れる電流Idsの経路上(例えば駆動トランジスタTDRのドレインと給電線18との間)に制御スイッチTCRを配置した構成も採用される。
階調電位VDATAを画素回路Uに供給するための信号線14を、補償期間PCPや初期化期間PRSにおける画素回路Uの動作の規定のために兼用する構成は本発明において必須ではない。さらに詳述すると以下の通りである。
以上の各形態のように、複数の画素回路Uが行列状に配列された構成のもとで各画素回路Uを行単位で時分割に駆動する場合には各画素回路U内に選択スイッチTSLが必要である。しかし、例えば複数の画素回路UがX方向に沿って1列のみに配列された構成においては、時分割での複数行の選択という動作が不要であるから、画素回路U内の選択スイッチTSLは不要となる。複数の画素回路Uが1列のみに配列された発光装置100は、例えば、電子写真方式の画像形成装置(印刷装置)において感光体ドラムなどの像担持体を露光する露光装置として好適に採用される。
以上の各形態においては発光素子Eに付随する容量C2を利用したが、図19に示すように容量CXを容量C2とともに利用する構成も好適である。容量CXの電極e1は、駆動トランジスタTDRと発光素子Eとを結ぶ経路上(駆動トランジスタTDRのソース)に接続される。容量CXの電極e2は、所定の電位が供給される配線(例えば電位VCTが供給される給電線18)に接続される。以上の構成においては、数式(4)や数式(5)における容量値cp2が容量CXと発光素子Eの容量C2との合計値となる。したがって、数式(4)の電圧VGS3や数式(5)の電圧VGS4を容量CXに応じて調整することが可能である。
有機EL素子は発光素子の例示に過ぎない。例えば、無機EL素子やLED(Light Emitting Diode)素子などの発光素子を配列した発光装置にも以上の各態様と同様に本発明が適用される。本発明における発光素子は、電流の供給で階調(輝度)が変化する要素である。
次に、以上の各態様に係る発光装置100を利用した電子機器について説明する。図20ないし図22には、発光装置100を表示装置として採用した電子機器の形態が図示されている。
Claims (7)
- 相互に直列に接続された発光素子および駆動トランジスタと、前記発光素子と前記駆動トランジスタとの間の経路と前記駆動トランジスタのゲートとの間に介在する保持容量とを具備する画素回路を駆動する方法であって、
前記保持容量の両端間の電圧を初期化期間にて初期化することで前記駆動トランジスタを導通させ、
前記初期化期間の経過後の補償期間において、前記駆動トランジスタのゲートに第1基準電位を供給しながら前記保持容量の両端間の電圧を前記駆動トランジスタの閾値電圧に応じた電圧に漸近させる補償動作を、当該画素回路に指定された階調値に応じて可変に設定された時間長にわたって実行し、
前記補償期間の経過後の書込期間において、信号線から前記駆動トランジスタのゲートに前記階調値に応じた階調電位を供給することで、前記保持容量の両端間の電圧を、前記補償動作で設定された電圧から前記階調値に応じた電圧に変化させ、
前記書込期間の経過後の駆動期間において、前記駆動トランジスタのゲートに対する電位の供給を停止することで、前記保持容量の両端間の電圧に応じた駆動電流を前記発光素子に供給する
画素回路の駆動方法。 - 前記階調電位が高いほど前記補償動作の時間長が短くなるように、前記補償期間における補償動作の時間長を設定する
請求項1の画素回路の駆動方法。 - 前記補償期間において、前記第1基準電位を前記信号線から前記駆動トランジスタのゲートに供給することで前記補償動作を実行し、前記信号線の前記第1基準電位を第2基準電位に変化させて前記駆動トランジスタをオフ状態に遷移させることで前記補償動作を停止する
請求項1または請求項2の画素回路の駆動方法。 - 前記階調値が所定値を下回る場合には、前記補償動作の時間長を、前記階調値に依存しない所定値に設定する
請求項1から請求項3の何れかの画素回路の駆動方法。 - 前記書込期間において、前記駆動トランジスタに流れる電流の経路を遮断する
請求項1から請求項4の何れかの画素回路の駆動方法。 - 相互に直列に接続された発光素子および駆動トランジスタと、前記駆動トランジスタと前記発光素子との間の経路と前記駆動トランジスタのゲートとの間に介在する保持容量とを含む画素回路と、
前記画素回路を駆動する駆動回路とを具備し、
前記駆動回路は、
前記保持容量の両端間の電圧を初期化期間にて初期化することで前記駆動トランジスタを導通させ、
前記初期化期間の経過後の補償期間において、前記駆動トランジスタのゲートに第1基準電位を供給しながら前記保持容量の両端間の電圧を前記駆動トランジスタの閾値電圧に応じた電圧に漸近させる補償動作を、当該画素回路に指定された階調値に応じて可変に設定された時間長にわたって実行し、
前記補償期間の経過後の書込期間において、信号線から前記駆動トランジスタのゲートに前記階調値に応じた階調電位を供給することで、前記保持容量の両端間の電圧を、前記補償動作で設定された電圧から前記階調値に応じた電圧に変化させ、
前記書込期間の経過後の駆動期間において、前記駆動トランジスタのゲートに対する電位の供給を停止することで、前記保持容量の両端間の電圧に応じた駆動電流を前記発光素子に供給する
発光装置。 - 請求項6の発光装置を具備する電子機器。
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