TWI608472B - 顯示裝置 - Google Patents

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TWI608472B
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小山潤
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半導體能源研究所股份有限公司
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Description

顯示裝置
本發明係關於一種物體、方法、製造方法、程式(process)、機器(machine)、產品(manufacture)或者組成物(composition of matter)。尤其是，本發明係關於例如半導體裝置、顯示裝置、發光裝置、上述裝置的驅動方法或它們的製造方法。尤其是，本發明係關於例如顯示裝置。尤其是，本發明係關於一種具有液晶元件的顯示裝置。或者，本發明係關於例如資訊處理裝置或電子裝置。
已知使將靜態影像顯示在顯示部上時的更新速率小而降低耗電量的技術。
[專利文獻1]日本專利申請公開第2011-186449號公報
顯示裝置具備被輸入包括影像資訊的信號且基於該信號顯示影像的顯示部。顯示部具備設置有多個像素的像素區域，且各像素包括顯示元件。
各像素以該顯示裝置的使用者不容易識別到的頻率(例如60Hz)改寫(也稱為更新)影像。由此，各像素可以連續地平滑地顯示動態影像，此外，以看上去呈靜態的方式顯示靜態影像。
但是，有時顯示裝置的使用者會將在像素中重新顯示影像時產生的變化識別為閃爍(flicker)。
本發明的一個方式是鑒於上述技術背景而提供的，本發明的一個方式的目的之一是提供一種新穎的顯示裝置。或者，本發明的一個方式的目的之一是提供一種雜訊的影響少的顯示裝置。或者，本發明的一個方式的目的之一是提供一種饋通(feedthrough)的影響少的顯示裝置。或者，本發明的一個方式的目的之一是提供一種閃爍少的顯示裝置。或者，本發明的一個方式的目的之一是提供一種可靠性高的顯示裝置。或者，本發明的一個方式的目的之一是提供一種能夠清晰地顯示的顯示裝置。或者，本發明的一個方式的目的之一是提供一種能夠進行對眼睛刺激小的顯示的顯示裝置。或者，本發明的一個方式的目的之一是提供一種能夠進行不容易引起眼睛疲勞的顯示的顯示裝置。或者，本發明的一個方式的目的之一是提供一種能夠進行耗電量少的顯示的顯示裝置。或者，本發明的一個方式的目的之一是提供一種洩漏電流少的顯示裝置。 注意，這些目的的記載不妨礙其他目的的存在。此外，本發明的一個方式並不需要實現所有上述目的。另外，從說明書、圖式、申請專利範圍等的記載可以得知並提煉上述以外的目的。
本發明的一個方式是一種對眼睛刺激小的顯示裝置，包括：顯示部及控制部。該顯示部的顯示光不包括短於420nm的波長的光。該顯示部包括像素部，該像素部包括以150ppi以上的清晰度設置的多個像素、能夠對多個像素的每個列供應第一驅動信號(也稱為S信號)的多個信號線以及能夠對多個像素的每個行供應第二驅動信號(也稱為G信號)的多個掃描線。該控制部對顯示部輸出二次影像信號。
像素包括：具備被輸入G信號的閘極電極及被輸入S信號的第一電極的電晶體；以及具備與電晶體的第二電極電連接的第一電極及被供應公共電位的第二電極的顯示元件。
此外，控制部具備決定二次影像信號的極性的極性決定電路及饋通校正電路。
此外，體通校正電路具有如下功能：輸出將以抵消產生在電晶體中的饋通的方式進行了校正的一次影像信號與參考電位之間的差異作為振幅的二次影像信號。
本發明的一個方式是一種對眼睛刺激小的顯示裝置，包括：顯示部及控制部。該顯示部的顯示光不包括短於420nm的波長的光。該顯示部包括像素部，該像 素部包括以150ppi以上的清晰度設置的多個像素、能夠對多個像素的每個列供應第一驅動信號(也稱為S信號)的多個信號線以及能夠對多個像素的每個行供應第二驅動信號(也稱為G信號)的多個掃描線。該控制部對顯示部輸出二次影像信號。
像素包括：具備被輸入G信號的閘極電極及被輸入S信號的第一電極的電晶體；以及具備與電晶體的第二電極電連接的第一電極及被供應公共電位的第二電極的顯示元件。
此外，控制部具備決定二次影像信號的極性的極性決定電路及饋通校正電路。
饋通校正電路具有輸出二次影像信號的功能，該二次影像信號將以在極性為負的情況下與極性為正的情況相比變小的方式進行了校正的一次影像信號與參考電位之間的差異作為振幅。
本發明的一個方式是一種對眼睛刺激小的顯示裝置，包括：顯示部及控制部。顯示部的顯示光不包括短於420nm的波長的光。該顯示部包括像素部及能夠供應G信號的G驅動電路，該像素部包括以150ppi以上的清晰度設置的多個像素、能夠對多個像素的每個列供應S信號的多個信號線以及能夠對多個像素的每個行供應G信號的多個掃描線。該控制部對顯示部輸出二次影像信號且對G驅動電路輸出掃描開始信號。
像素包括：具備被輸入G信號的閘極電極及 被輸入S信號的第一電極的電晶體；以及具備與電晶體的第二電極電連接的第一電極及被供應公共電位的第二電極的顯示元件。
此外，控制部具備決定二次影像信號的極性的極性決定電路及饋通校正電路。
饋通校正電路具有輸出二次影像信號的功能，該二次影像信號將以在極性為負的情況下與極性為正的情況相比變小的方式進行了校正的一次影像信號與參考電位之間的差異作為振幅。
本發明的一個方式是饋通校正電路具有如下功能的上述對眼睛刺激小的顯示裝置，在極性決定電路使二次影像信號的極性設定為正的情況下，將從使用下述公式(1)表示的函數算出的饋通△V1加上一次影像信號，在極性決定電路使二次影像信號的極性設定為負的情況下，將從使用下述公式(2)表示的函數算出的饋通△V2加上一次影像信號，生成二次影像信號。
△V 1=f (VgH-Vsc-VS1-Vth) (1)
△V 2=f (VgH-Vsc+VS2-Vth) (2)
此外，在公式(1)及公式(2)中，VgH表示G信號的高電位，Vsc表示一次影像信號的參考電位，Vth表示電晶體的臨界電壓。
根據上述本發明的一個方式的顯示裝置，能 夠預測饋通的大小而供應由預先進行了校正的一次影像信號生成的二次影像信號。由此，能夠使用饋通產生後的電壓而使顯示元件的顯示處於預定的顯示狀態。其結果是，能夠提供一種可靠性高的新穎的顯示裝置。或者，能夠提供一種閃爍得到減少的新穎的顯示裝置。或者，能夠提供一種顯示對眼睛刺激少的靜態影像的顯示裝置。
此外，本發明的一個方式是一種顯示元件為液晶元件的上述對眼睛刺激少的顯示裝置。
上述本發明的一個方式的顯示裝置在像素電路中包括液晶元件而構成。由此，能夠使用交流電壓驅動液晶元件且防止液晶元件的劣化。其結果是，能夠提供一種可靠性高的新穎的顯示裝置。或者，能夠提供一種閃爍得到減少的新穎的顯示裝置。或者，能夠提供一種顯示對眼睛刺激少的靜態影像的顯示裝置。
此外，本發明的一個方式是一種電晶體具有氧化物半導體層的上述對眼睛刺激少的顯示裝置。
上述本發明的一個方式的顯示裝置在像素電路中包括具有氧化物半導體層的電晶體。由此，能夠盡可能抑制洩漏電流。此外，能夠盡可能降低更新速率，且能夠不容易識別到更新工作時的影像的變化。其結果是，能夠提供一種可靠性高的新穎的顯示裝置。或者，能夠提供一種閃爍得到減少的新穎的顯示裝置。或者，能夠提供一種顯示對眼睛刺激少的靜態影像的顯示裝置。
注意，在本說明書中，如下模組都包括在顯 示裝置中：在顯示面板安裝有連接器、如FPC(Flexible printed circuit：撓性印刷電路)或TCP(Tape Carrier Package：帶載封裝)的模組；TCP的端部設置有印刷佈線板的模組；或藉由COG(Chip On Glass：晶粒玻璃接合)方式將IC(積體電路)直接安裝在形成有顯示元件的基板上的模組。
此外，在本說明書中，電晶體的第一電極和第二電極中的其中一個是源極電極，而另一個是汲極電極。
根據本發明的一個方式能夠提供一種新穎的顯示裝置。
100‧‧‧電晶體
101‧‧‧基板
102‧‧‧閘極電極
103‧‧‧絕緣層
104‧‧‧氧化物半導體層
105a‧‧‧電極
105b‧‧‧電極
106‧‧‧絕緣層
107‧‧‧絕緣層
110‧‧‧電晶體
114‧‧‧氧化物半導體層
114a‧‧‧氧化物半導體層
114b‧‧‧氧化物半導體層
120‧‧‧電晶體
124‧‧‧氧化物半導體層
124a‧‧‧氧化物半導體層
124b‧‧‧氧化物半導體層
124c‧‧‧氧化物半導體層
150‧‧‧電晶體
151‧‧‧絕緣層
152‧‧‧絕緣層
160‧‧‧電晶體
164a‧‧‧氧化物半導體層
164b‧‧‧氧化物半導體層
164c‧‧‧氧化物半導體層
164d‧‧‧氧化物半導體層
400‧‧‧觸控面板
401‧‧‧基板
402‧‧‧基板
403‧‧‧基板
404‧‧‧FPC
405‧‧‧外部連接點及
406‧‧‧佈線
411‧‧‧顯示部
412g‧‧‧閘極驅動電路
412s‧‧‧源極驅動電路
413‧‧‧像素部
415‧‧‧FPC
416‧‧‧外部連接電極
417‧‧‧佈線
421‧‧‧電極
422‧‧‧電極
424‧‧‧絕緣層
430‧‧‧觸控面板
431‧‧‧液晶
432‧‧‧佈線
433‧‧‧絕緣層
434‧‧‧黏合層
435‧‧‧濾色片層
436‧‧‧密封材料
437‧‧‧切換元件層
438‧‧‧佈線
439‧‧‧連接層
440‧‧‧感測器層
445‧‧‧偏光片
500‧‧‧輸入單元
500_C‧‧‧信號
600‧‧‧資訊處理裝置
610‧‧‧控制部
611‧‧‧饋通校正電路
612‧‧‧極性決定電路
615_C‧‧‧二次控制信號
615_V‧‧‧二次影像信號
620‧‧‧算術裝置
625_C‧‧‧一次控制信號
625_V‧‧‧一次影像信號
630‧‧‧顯示部
631‧‧‧像素部
631a‧‧‧區域
631b‧‧‧區域
631c‧‧‧區域
631p‧‧‧像素
632‧‧‧G驅動電路
632_G‧‧‧G信號
633‧‧‧S驅動電路
633_S‧‧‧S信號
634‧‧‧像素電路
634c‧‧‧電容元件
634t‧‧‧電晶體
635‧‧‧顯示元件
635LC‧‧‧液晶元件
640‧‧‧顯示裝置
650‧‧‧光供應部
701‧‧‧算術裝置
702‧‧‧記憶體裝置
703‧‧‧圖表單元
704‧‧‧顯示單元
930‧‧‧顯示部
931‧‧‧像素部
931p‧‧‧像素
932‧‧‧G驅動電路
933‧‧‧S驅動電路
934‧‧‧像素電路
934c‧‧‧電容元件
934t‧‧‧電晶體
934tc‧‧‧寄生電容
934LC‧‧‧液晶元件
7201‧‧‧主體
7202‧‧‧外殼
7203‧‧‧顯示部
7204‧‧‧鍵盤
7205‧‧‧外部連接埠
7206‧‧‧指向裝置
7400‧‧‧行動電話
7401‧‧‧外殼
7402‧‧‧顯示部
7403‧‧‧操作按鈕
7404‧‧‧外部連接埠
7405‧‧‧揚聲器
7406‧‧‧麥克風
7450‧‧‧電腦
7451L‧‧‧外殼
7451R‧‧‧外殼
7452L‧‧‧顯示部
7452R‧‧‧顯示部
7453‧‧‧操作按鈕
7454‧‧‧鉸鏈
7455L‧‧‧左側揚聲器
7455R‧‧‧右側揚聲器
7456‧‧‧外部連接埠
在圖式中：圖1A、圖1B1及圖1B2是說明根據實施方式的顯示裝置的結構的方塊圖及信號的示意圖；圖2A和圖2B是說明根據實施方式的顯示裝置的顯示部的結構的圖；圖3A至圖3D是說明根據實施方式的顯示裝置所具備的控制部的工作的時序圖及示意圖；圖4A至圖4C是說明各種振幅的S信號與產生在該S信號中的饋通的大小的關係的示意圖；圖5A和圖5B是說明神經系統的眼睛疲勞的圖；圖6A和圖6B是說明肌肉系統的眼睛疲勞的圖； 圖7是說明根據實施方式的具有顯示功能的資訊處理裝置的結構的方塊圖；圖8是說明根據實施方式的顯示部的結構的變形例的方塊圖；圖9是說明根據實施方式的顯示部的電路圖；圖10A和圖10B是說明根據實施方式的電晶體的結構例的圖；圖11A至圖11D是說明根據實施方式的電晶體的製造方法例的圖；圖12A和圖12B是說明根據實施方式的電晶體的結構例的圖；圖13A至圖13C是說明根據實施方式的電晶體的結構例的圖；圖14A和圖14B是根據實施方式的觸控面板的透視示意圖；圖15是根據實施方式的觸控面板的剖面圖；圖16A至圖16C示出根據實施方式的電子裝置；圖17A和圖17B是說明能夠應用根據實施方式的資訊處理方法的資訊處理裝置的結構的方塊圖及說明影像資料的示意圖；圖18A至圖18C是顯示部的方塊圖、顯示部的像素所具備的像素電路的等效電路圖以及透過液晶元件的偏振光的穿透率-電壓特性的示意圖；圖19A至圖19D是說明顯示裝置的像素部所具備的 像素電路的工作的時序圖及示意圖。
<本發明的一個方式能夠解決的課題的例子>
參照圖18A至圖19D說明本發明的一個方式能夠解決的課題。明確而言，說明如下問題：當使用用來防止液晶元件劣化的交流電壓驅動液晶元件時，因饋通產生閃爍，使得顯示裝置的使用者感到眼睛疲勞。
<<顯示部及像素的結構>>
圖18A至圖18C示出顯示裝置所具備的顯示部的方塊圖、顯示部的像素所具備的像素電路的等效電路圖以及透過液晶元件的偏振光的穿透率-電壓特性的示意圖。
圖19A至圖19D是說明顯示裝置的像素部所具備的像素電路的工作的時序圖及示意圖。
<<關於顯示裝置>>
顯示部930是顯示裝置的一部分。顯示部930具有像素部931(參照圖18A)。
像素部931具有多個像素931p、能夠對每一列像素931p供應第一驅動信號(也稱為S信號)的多個信號線S(S1至Sx)以及對每一行像素931p供應第二驅動信號(也稱為G信號)的多個掃描線G(G1至Gy)。
各像素931p與掃描線G中的至少一個及信號線S中的至少一個連接。
此外，也可以將在每個行選擇像素931p的信號用作G信號，也可以對根據G信號而選擇的像素931p供應包括像素的灰階資訊等的S信號。
G驅動電路932可以控制對掃描線G輸入G信號。S驅動電路933可以控制對信號線S輸入S信號。
在此所例示的像素931p具有液晶元件935LC及包括該液晶元件935LC的像素電路934(參照圖18B)。
像素電路934具有能夠控制對液晶元件935LC供應S信號的電晶體934t。
電晶體934t的閘極與掃描線G中的任一個電連接。電晶體934t的第一電極(源極和汲極中的一個)與信號線S中的任一個電連接。電晶體934t的第二電極(源極和汲極中的另一個)與液晶元件935LC的第一電極電連接。液晶元件935LC的第二電極與公共線C電連接。
此外，電晶體934t具有寄生電容934tc。寄生電容934tc包括產生在閘極電極與源極或汲極之間的電容及產生在閘極電極與通道之間的電容。
此外，像素電路934也可以具有能夠保持液晶元件935LC的第一電極與第二電極之間的電壓的電容元件934c。
電晶體934t的閘極電極被輸入G信號，而電晶體934t能夠作為一個切換元件控制對液晶元件935LC輸入S信號。
液晶元件935LC具有第一電極、第二電極以及包含施加有第一電極與第二電極之間的電壓的液晶材料的液晶層。
透過液晶元件935LC的偏振光的穿透率依賴於包括在液晶層中的液晶分子的配向狀態。液晶層的配向狀態可以由施加到液晶元件935LC的第一電極與第二電極之間的電壓控制。由此，藉由將對應於包括影像的灰階資訊的S信號的電壓施加到液晶元件935LC的第一電極與第二電極之間，可以根據灰階資訊控制透過液晶元件935LC的偏振光的穿透率。
<<關於液晶元件的特性>>
在圖18C中示意性地示出透過常白型液晶元件的偏振光的穿透率與施加到該液晶元件的電壓之間的關係。縱軸對應於偏振光的穿透率，而橫軸對應於第一電極相對於第二電極的電位。
在第一電極與第二電極之間的電壓為0的情況下，透過常白型液晶元件的偏振光的穿透率高，而當使該電壓變高時，穿透率降低。當將這樣的液晶元件用於透過型液晶顯示裝置時，在S信號的電壓近於0的情況下可以顯示白色，而在電壓高的情況下可以顯示黑色。
此外，已知若在長期間對液晶元件的液晶層施加直流電壓，則液晶元件會劣化。為了避免上述問題，需要使用交流電壓來驅動液晶元件。
為了將透過液晶元件的偏振光的穿透率保持為穿透率Ta，將第一電極相對於第二電極的極性替換為正(電位+Va)或負(電位-Va)而驅動即可。換言之，使用振幅保持恆定的交流電壓來驅動液晶元件即可。
<<關於液晶元件的驅動方法>>
以下說明使用交流電壓驅動像素電路934的液晶元件935LC的方法。
圖19A示出輸入到像素電路934的電晶體934t的閘極電極的G信號的電位Vg及輸入到第一電極的S信號的電位Vsa的時序圖。此外，圖19B示出從第二電極輸出的電位Vs的時序圖。另外，電位Vs也是輸入到液晶元件935LC的第一電極的電位。
S驅動電路933被輸入二次影像信號，而輸出S信號。S信號也可以具有與二次影像信號相等的振幅。此外，二次影像信號由一次影像信號生成，並可以具有對應於一次影像信號的電位與參考電位Vsc之間的差異的振幅。另外，二次影像信號是在每一連續的圖框進行極性反轉的信號。
在選擇設置在像素部931中的一個掃描線G之後直到重新選擇的期間稱為一個圖框。因此，G信號在 每個圖框輸入到電晶體934t的閘極電極(參照圖19A)。當G信號是高位準時，電位Vg是VgH，而當G信號是低位準時，電位Vg是VgL。
<<饋通的產生>>
電晶體934t的第二電極的電位Vs受到閘極電極的電位Vg的影響。由此，電位Vs成為與輸入到電晶體934t的第一電極的S信號的電位Vsa(與二次影像信號的電位相等)不同的電位。以下以具有比參考電位Vsc高Vsa1的電位的期間以及比參考電位Vsc低Vsa2的電位的期間的二次影像信號輸入到S驅動電路、且S驅動電路生成與二次影像信號相等的電位的S信號的情況為例子進行說明。
在第一圖框F1中，當閘極電極的電位Vg與S信號的電位Vsa之間的差異超過電晶體934t的臨界電壓Vth時，電晶體934t成為導通狀態，而電位Vs上升至電位Vsa。
然後，當閘極電極的電位Vg與S信號的電位Vsa之間的差異小於臨界電壓Vth時，電晶體934t成為關閉狀態，電晶體934t的第二電極的電位Vs比S信號的電位Vsa低出△V1。將電晶體934t的第二電極的電位Vs從S信號的電位Vsa降低的量稱為第一饋通△V1。
在第二圖框F2中，極性反轉的二次影像信號輸入到S驅動電路933。當電位Vg與S信號的電位Vsa 之間的差異超過電晶體934t的臨界電壓Vth時，電晶體934t成為導通狀態，而電晶體934t的第二電極的電位Vs降低至S信號的電位Vsa。
然後，當閘極電極的電位Vg與S信號的電位Vsa之間的差異小於臨界電壓Vth時，電晶體934t成為關閉狀態，電晶體934t的第二電極的電位Vs比電位Vsa低出△V2。將電晶體934t的第二電極的電位Vs從電位Vsa降低的量稱為第二饋通△V2。
<<關於饋通的大小>>
饋通起因於電晶體934t的寄生電容934tc的電容耦合而產生(參照圖19B)。饋通的大小△V可以使用下述公式(3)預測。此外，在公式中，VgLH是閘極電極的電位的振幅(VgH與VgL之間的差異)，CL是液晶元件935LC的電容，Cs是電容元件934c的電容，Cdg是電晶體934t的寄生電容934tc。
<<關於饋通的大小的非對稱性>>
輸入到電晶體934t的閘極電極的G信號不是完全的矩形波。例如，當G信號是上底比下底短的梯形狀的信號 時，在與所輸入的S信號的電位Vs為高的情況相比所輸入的S信號的電位Vs為低的情況下，電晶體934t成為導通狀態的時間較長。由此，由於Cdg值受到通道電容等的影響而變化，所以第二饋通△V2比第一饋通△V1大，第一饋通△V1及第二饋通△V2的大小成為非對稱。
此外，藉由G信號的波形保持恆定，即使第一饋通△V1及第二饋通△V2的大小成為非對稱時，也可以根據所輸入的S信號的電位預測饋通值。
<<關於饋通給透過液晶元件的偏振光的穿透率帶來的影響>>
藉由使用振幅保持恆定的交流電壓驅動液晶元件，透過液晶元件的偏振光的穿透率保持恆定。
但是，當在像素電路中產生饋通時，透過液晶元件的偏振光的穿透率不保持恆定。
第一饋通△V1在減少電晶體934t的第二電極的電位Vs與參考電位Vsc之間的差異|Vs-Vsc|的方向上起作用。此外，第二饋通△V2在增加電晶體934t的第二電極的電位Vs與參考電位Vsc之間的差異|Vs-Vsc|的方向上起作用(參照圖19C)。
由此，當液晶元件935LC是常白型時，透過液晶元件935LC的偏振光的穿透率在第一圖框F1中比穿透率Ta高△T1，而在第二圖框F2中比穿透率Ta低△T2(參照圖19D)。公共電位Vcom是輸入到液晶元件935LC的第二電極的公共電位，並與參考電位Vsc相等。
其結果是，透過顯示裝置的顯示部的液晶元件935LC的偏振光的穿透率變化(明確而言，相當於△T1和△T2的總和的變化)，而觀察到閃爍。
<<關於眼睛疲勞>>
以下說明神經系統的眼睛疲勞。
神經系統的疲勞是指由於長時間連續觀看顯示部所發射的光或閃爍畫面，其亮度刺激眼睛的視網膜、視神經或大腦而使使用者感到疲勞。螢光燈或習知的顯示裝置的顯示部微微地明滅的現象稱為閃爍，該閃爍會引起神經系統的疲勞。
如上所述，有如下問題：若對液晶元件施加為了防止液晶元件的劣化的交流電壓，則會因饋通產生閃爍，導致顯示裝置的使用者感到眼睛疲勞。
<本發明的一個方式>
因此，為了解決上述問題，本發明的一個方式著眼於當使用交流電壓驅動顯示元件時產生的饋通與S信號之間的關係。
例如，在像素電路934中，饋通是如下現象：無論S信號的極性如何，G信號的電位Vg從高位準變化至低位準時，液晶元件935LC的第一電極的電位Vs接近於低電位。液晶元件935LC的第一電極的電位Vs有時因饋通的產生接近於第二電極的電位Vcom或離第二電 極的電位較遠，分別給液晶元件935LC的偏振光的穿透率帶來的影響不同。
此外，使控制電晶體934t的閘極電極的G信號成為完全的矩形波是很困難的。由此，在S信號的極性為正的情況以及負的情況下饋通成為非對稱，但是藉由G信號的形狀保持恆定且決定所輸入的S信號的電位，可以預測饋通值。
以下所述的實施方式包括著眼於依賴於所輸入的S信號的饋通值而製造的本發明的一個方式。
本發明的一個方式的顯示裝置具備校正一次影像信號的饋通校正電路，該饋通校正電路以抵消預測的饋通值的方式校正一次影像信號。
根據上述本發明的一個方式的顯示裝置，可以預測饋通的大小而供應由預先校正的一次影像信號生成的二次影像信號。由此，使用饋通產生後的S信號的電位將透過液晶元件的偏振光的穿透率設定為預定值。其結果是，可以提供一種可靠性高的新穎的顯示裝置。或者，可以提供一種閃爍得到減少的新穎的顯示裝置。或者，可以提供一種顯示對眼睛刺激少的靜態影像的顯示裝置。
參照圖式對實施方式進行詳細的說明。但是，本發明不侷限於以下說明，而所屬技術領域的普通技術人員可以很容易地理解一個事實就是其方式及詳細內容在不脫離本發明的精神及其範圍的情況下可以被變換為各種各樣的形式。因此，本發明不應該被解釋為僅侷限在以 下所示的實施方式所記載的內容中。注意，在以下說明的發明的結構中，在不同的圖式之間共同使用同一元件符號來表示同一部分或具有同一功能的部分，而省略其重複說明。
實施方式1
在本實施方式中，參照圖1A至圖2B說明本發明的一個方式的校正影像信號的饋通校正電路、具備該饋通校正電路的顯示裝置的結構。
明確而言，說明以抵消預測的饋通值的方式校正一次影像信號的饋通校正電路、具備該校正電路的顯示裝置以及具備該顯示裝置的資訊處理裝置。
圖1A、圖1B1及圖1B2是說明本發明的一個方式的顯示裝置的方塊圖及信號的示意圖。
圖2A和圖2B是說明本發明的一個方式的顯示裝置所具備的顯示部的結構的圖。
<1．顯示裝置640的結構>
顯示裝置640具有顯示部630及控制部610(參照圖1A)。
<<顯示部的結構>>
顯示部630具有像素部631、G驅動電路632(參照圖2A)。
像素部631的顯示光不包括短於420nm的波長的光，且具備以150ppi以上的清晰度設置的多個像素631p、能夠對多個像素631p的每個行供應G信號的多個掃描線G(G1至Gy)以及能夠對多個像素的每個列供應S信號的多個信號線S(S1至Sx)。
G驅動電路632可以供應G信號632_G(參照圖1A)。
像素631p具備顯示元件635及包括該顯示元件635的像素電路634。
在本實施方式中，在圖2B中示出將液晶元件635LC應用於顯示元件635的結構作為像素電路634的一個例子。
像素電路634包括：具備被輸入G信號的閘極電極及被輸入S信號的第一電極的電晶體634t；以及具備與電晶體634t的第二電極電連接的第一電極及被供應公共電位的第二電極的液晶元件635LC。
<<控制部的結構>>
控制部610具有對顯示部630輸出二次影像信號615_V的功能。此外，控制部610具有對G驅動電路632輸出包括掃描開始信號的二次控制信號615_C的功能。
控制部610具備決定二次影像信號615_V的極性的極性決定電路612及饋通校正電路611。
饋通校正電路611具有如下功能：以抵消所 產生的饋通的方式校正包括一個灰階資訊的一次影像信號625_V的振幅從而輸出該被校正的信號作為二次影像信號615_V。
在本實施方式中所例示的顯示裝置640可以預測饋通的大小而供應由預先校正的一次影像信號生成的二次影像信號。由此，可以使用饋通產生後的S信號的電位使顯示元件的顯示處於預定的顯示狀態。其結果是，可以提供一種閃爍得到減少的新穎的顯示裝置。或者，可以提供一種顯示對眼睛刺激少的靜態影像的顯示裝置。
以下，詳細說明構成本發明的一個方式的顯示裝置的各種要素。
<2.可以用於顯示裝置640的信號>
顯示裝置640具有能夠從外部輸入一次控制信號625_C及一次影像信號625_V的功能。
一次控制信號625_C包括用來控制顯示裝置640的掃描工作的時序等的信號等。
一次影像信號625_V包括影像灰階資訊(也可以說亮度資訊)及色度資訊等。
二次影像信號615_V包括影像的灰階資訊等。二次影像信號615_V由一次影像信號625_V生成。例如，以一次影像信號625_V與參考電位Vsc之間的差異為振幅，可以將每個圖框中極性反轉的信號應用於二次影像信號615_V。二次影像信號615_V輸入到顯示部 630，而供應到S驅動電路633。
二次控制信號615_C包括控制S驅動電路633的工作的S驅動電路用起始脈衝信號SP、S驅動電路用時脈信號CK、鎖存信號LP、控制G驅動電路632的工作的G驅動電路用起始脈衝信號SP、G驅動電路用時脈信號CK、脈衝寬度控制信號PWC等。此外，二次控制信號615_C與電源電位等一起供應到S驅動電路633及G驅動電路632。
G信號由二次控制信號615_C藉由G驅動電路632生成。G信號在像素631p的每個行輸出，像素631p在每個行被選擇。
S信號包括影像的灰階資訊等。S信號由二次影像信號615_V藉由S驅動電路633生成。S信號輸出到由G信號選擇的像素631p。
<3.顯示部的結構的詳細內容>
設置在像素部631中的佈線的種類及個數可以根據像素631p的結構、個數及配置而決定。例如，在圖2A所示的像素部631中，x列×y行的像素631p被配置為矩陣狀，且信號線S1至信號線Sx及掃描線G1至掃描線Gy設置在像素部631中。
G驅動電路632可以在每個行控制G信號輸入到掃描線G。
顯示部630也可以具有S驅動電路633。S驅 動電路633可以控制S信號輸入到信號線S。
<<3-1.像素電路>>
像素電路634可以選擇對應於顯示元件635的種類或驅動方法的結構而使用。
像素電路634具有控制S信號633_S供應到顯示元件635的電晶體634t。
電晶體634t的閘極連接到掃描線G1至掃描線Gy中的任一個。電晶體634t的源極和汲極中的一個連接到信號線S1至信號線Sx中的任一個，並且電晶體634t的源極和汲極中的另一個連接到顯示元件635的第一電極。
在像素631p中將電晶體634t用作控制S信號633_S輸入到像素631p的切換元件。此外，也可以將多個電晶體用於像素631p作為一個切換元件。也可以將上述多個電晶體並聯連接而將其用作一個切換元件，又可以串聯連接，還可以組合並聯和串聯連接。
根據需要，像素631p除了用來保持液晶元件635LC的第一電極與第二電極之間的電壓的電容元件634c以外還可以具有電晶體、二極體、電阻元件、電容元件、電感器等其他電路元件。
適當地調整電容元件634c的電容即可。例如，在後面所述的第二模式中，在較長期間(明確而言，1/60sec以上)保持S信號633_S的情況下，設置電容元 件634c。此外，也可以使用電容元件634c以外的結構調整像素電路634的電容。例如，藉由採用重疊液晶元件635LC的第一電極與第二電極而設置的結構，也可以實質上形成電容元件。
<<3-2.電晶體>>
電晶體634t控制是否將信號線S的電位施加到顯示元件635的第一電極。對顯示元件635的第二電極施加有預定的公共電位Vcom。
此外，作為適用於本發明的一個方式的顯示裝置的電晶體可以應用使用氧化物半導體的電晶體。關於使用氧化物半導體的電晶體的詳細內容可以參照實施方式6。
<<3-3.顯示元件>>
作為顯示元件635，除了液晶元件635LC以外，例如還可以應用施加電壓產生發光(Electroluminescence：電致發光)的OLED元件、使用電泳的電子墨水等各種顯示元件。
例如，液晶元件635LC的偏振光的穿透率可以由S信號633_S的電位控制，由此可以顯示灰階。
<<3-4.光供應部>>
光供應部650具有光源。控制部610控制光供應部 650所具有的光源的驅動。
作為光供應部650的光源，可以使用冷陰極螢光燈、發光二極體(LED)、OLED元件等。
尤其是，較佳地採用光源所發射的藍色光的強度比其他顏色的光的強度弱的結構。這是因為如下緣故：因為包括在光源所發射的光中的呈現藍色的光到達視網膜而不被眼睛的角膜或晶狀體吸收，所以藉由採用使光源所發射的藍色的光的強度比其他顏色的光的強度弱的結構，可以降低對視網膜的長期性的負面影響(例如，年齡相關性黃斑變性等)或暴露於藍色光直到夜晚時的對晝夜節律(Circadian rhythm)的負面影響等。明確而言，光源較佳為不包含具有400nm以下，較佳為420nm以下，更佳為440nm以下的波長的光(也稱為UVA)。
<4.控制部610的詳細內容>
參照圖1A至圖3D說明控制部610所具有的功能。控制部610由一次影像信號生成二次影像信號。
圖1B1是示意性地示出輸入到本發明的一個方式的顯示裝置640的一次影像信號625_V的電位Vex的圖。另外，Vsc是參考電位。
圖1B2是示意性地示出控制部610所輸出的二次影像信號615_V的電位Vsb的圖。另外，電位Vsa是在每個圖框使一次影像信號625_V的極性反轉的信號。此外，二次影像信號615_V是對在每個圖框使一次影像信 號625_V的極性反轉的信號進行了饋通校正的信號。
<<由一次影像信號生成S信號的方法>>
圖3A至圖3D是說明本發明的一個方式的顯示部630所具備的控制部610的工作的時序圖及示意圖。圖3A示出輸入到像素電路634的電晶體634t的閘極電極的G信號的電位Vg及輸入到第一電極的S信號的電位Vsa的時序圖。此外，當G信號是高位準時，電位Vg是VgH，而當G信號是低位準時，電位Vg是VgL。此外，示出第一圖框F1及第一圖框F1之後的第二圖框F2。
<<決定二次影像信號的極性的步驟>>
在每個圖框反轉二次影像信號615_V的極性。二次影像信號615_V的極性由極性決定電路612決定。例如，在第一圖框F1中，以二次影像信號615_V的電位對參考電位Vsc成為正電位的方式決定，而在第二圖框F2中以成為負電位的方式決定。
圖3A示出以參考電位Vsc與一次影像信號625_V之間的差分為振幅而在每個圖框使極性反轉的信號的電位Vsa。該信號以參考電位Vsc為中心在正極性一側具有電壓Vsa1的振幅，而在負極性一側具有電壓Vsa2的振幅。
<<用於抵消饋通進行校正的步驟>>
饋通校正電路611校正一次影像信號625_V相對於參考電位Vsc的振幅，決定二次影像信號615_V的振幅。此外，饋通校正電路611既可以僅在極性為正的期間校正包括一個灰階資訊的一次影像信號625_V的振幅，也可以僅在極性為負的期間校正，還可以在兩個期間均校正。
以下說明在兩個以上的圖框中將液晶元件635LC的偏振光的穿透率保持恆定的方法。該校正例如可以應用於顯示靜態影像的情況。
另外，在本實施方式中，對在二次影像信號的極性為負的情況下與在極性為正的情況下產生的饋通相比產生大的饋通(換言之電壓下降大)的情況進行說明。
饋通校正電路611在二次影像信號的極性為負的情況下進行與極性為正的情況相比使振幅變小的校正。饋通校正電路611在極性為正的期間(例如第一圖框F1)放大一次影像信號625_V相對於參考電位Vsc的振幅(電壓Vsa1)，在極性為負的期間(例如第二圖框F2)使極性被反轉的一次影像信號625_V相對於參考電位Vsc的振幅(電壓Vsa2)衰減。明確而言，使電壓Vsa1放大為電壓Vsb1，而使電壓Vsa2衰減為電壓Vsb2(參照圖3A)。
<<饋通值的預測方法>>
饋通起因於電晶體634t的寄生電容產生。因此，饋通值可以藉由運算預測。此外，也可以經驗上對應於包括 在一次影像信號625_V中的灰階資訊來算出饋通值。另外，也可以在查找表等中預先記錄對應於預測或算出的饋通值的校正值，而查找對應於灰階資訊的校正值。
在極性決定電路所決定的極性為正的情況下，可以使用G信號的高位準的電位VgH、S信號的參考電位Vsc、電晶體634t的臨界電壓Vth以及上述公式(1)所示的函數算出在振幅為振幅VS1的S信號中產生的第一饋通△V1。
在極性決定電路所決定的極性為負的情況下，可以使用G信號的高位準的電位VgH、S信號的參考電位Vsc、電晶體634t的臨界電壓Vth以及上述公式(2)所示的函數算出在振幅為振幅VS2的S信號中產生的第二饋通△V2。
圖4A至圖4C示出說明具有各種振幅的S信號及產生在該S信號中的饋通的大小的關係的示意圖。圖4A、圖4B及圖4C均是示出由以抵消所產生的饋通的方式進行了校正的一次影像信號625_V生成的二次影像信號615_V的電位Vsb及輸入有該二次影像信號615_V的電晶體934t的第二電極的電位Vs的關係的時序圖。二次影像信號615_V的正的振幅(電壓Vsb1)以圖4A、圖4B及圖4C的順序變小。另外，所產生的第一饋通△V1及第二饋通△V2也以上述順序變小。由此，用來抵消饋通的校正值變小。其結果是，在上述時序圖中，產生饋通之後的電晶體934t的第二電極的電位Vs的振幅均為以參考電位 Vsc為中心的振幅。
有時產生在極性為負的S信號中的第二饋通△V2比產生在極性為正的S信號中的第一饋通△V1大。此外，當對產生在極性相同的S信號中的饋通進行比較時，有時產生在振幅大的S信號中的饋通大於產生在振幅小的S信號中的饋通。
電位Vs是電晶體634t的第二電極的電位，並是輸入到液晶元件635LC的第一電極的電位。
公共電位Vcom是輸入到液晶元件635LC的第二電極的公共電位。此外，公共電位Vcom的電位既可以為恆定又可以變化。例如，公共電位Vcom可以在每個圖框交替改變，也就是所謂的反轉驅動。
使用交流電壓驅動液晶元件635LC。由此，可以防止液晶元件635LC的液晶層的劣化。
<<顯示部所顯示的基於二次影像信號的影像>>
S驅動電路633由二次影像信號615_V生成S信號633_S。本實施方式所例示的S驅動電路633所生成的S信號633_S的電位與二次影像信號615_V的電位Vsb相等。
S信號633_S供應到由G信號632_G選擇的像素631p，而在電晶體634t中產生饋通(參照圖3B)。
在二次影像信號615_V的極性為正的情況下，以使其振幅變大的方式校正一次影像信號而得到二次 影像信號615_V。另一方面，第一饋通△V1起使振幅變小的作用。由此，藉由二次影像信號615_V與第一饋通△V1重疊，可以抵消第一饋通△V1。
此外，在二次影像信號615_V的極性為負的情況下，以使其振幅變小的方式校正一次影像信號而得到二次影像信號615_V。另一方面，第二饋通△V2起使振幅變大的作用。由此，藉由二次影像信號615_V與第二饋通△V2重疊，可以抵消第二饋通△V2。
其結果是，無論二次影像信號615_V的極性如何，都可以使參考電位Vsc與電晶體634t的第二電極的電位Vs之間的差異的絕對值|Vs-Vsc|大致一定(參照圖3C)。
圖3D示出驅動液晶元件635LC的電位及透過液晶元件635LC的偏振光的穿透率的關係的示意圖。此外，在圖3D中，示意性地示出二次影像信號615_V的極性為正時的電位Vsb1及極性為負時的電位Vsb2。同樣地，也示意性地示出從電位Vsb1低出第一饋通△V1的電位以及從電位Vsb2低出第二饋通△V2的電位。
像這樣，藉由根據極性決定電路612所決定的極性，由饋通校正電路611校正一次影像信號625_V，可以將液晶元件635LC的偏振光的穿透率保持恆定。
此外，在本實施方式中說明以抵消預測的饋通值的方式校正一次影像信號的情況，但是本發明的實施方式的一個方式不侷限於此。根據情況或根據狀況也可以 不進行以抵消饋通值的方式校正一次影像信號。
本實施方式可以與本說明書所示的其他實施方式適當地組合。
實施方式2
在本實施方式中，參照圖5A至圖7說明本發明的一個方式的資訊處理裝置的結構。
明確而言，說明具備第一模式及第二模式的資訊處理裝置，在該第一模式中以30Hz(每1秒鐘30次)以上的頻率，較佳為60Hz(每1秒鐘60次)以上且低於960Hz(每1秒鐘960次)的頻率輸出選擇像素的G信號，而在第二模式中以11.6μHz(每1天1次)以上且低於0.1Hz(每1秒鐘0.1次)的頻率，較佳為0.28mHz(每1小時1次)以上且低於1Hz(每1秒鐘1次)的頻率輸出G信號。
藉由使用該資訊處理裝置顯示靜態影像，可以將更新速率設定為低於1Hz，較佳為0.2Hz以下，可以進行對使用者的眼睛刺激小的顯示、減輕使用者的眼睛疲勞的顯示、不給使用者的眼睛加負擔的顯示。此外，可以對應於顯示在顯示部上的影像的性質以最適當地頻率更新顯示影像。明確而言，與平滑地顯示動態影像的情況相比，藉由以較低頻率進行更新，可以顯示閃爍少的靜態影像。加上，也具有降低耗電量的效果。
圖5A和圖5B是說明神經系統的眼睛疲勞的 圖。
圖6A和圖6B是說明肌肉系統的眼睛疲勞的圖
圖7是說明本發明的一個方式的具有顯示功能的資訊處理裝置的結構的方塊圖。
<眼睛疲勞>
在此說明眼睛疲勞。眼睛疲勞有神經疲勞及肌肉疲勞的兩種疲勞。
神經疲勞是指在長時間繼續看顯示部所發射的光或閃爍畫面，其亮度刺激眼睛的視網膜、視神經或大腦而使使用者感到疲勞。螢光燈或習知的顯示裝置的顯示部微微地明滅的現象稱為閃爍，該閃爍引起神經疲勞。
肌肉疲勞是由於過度使用在調節焦點時使用的睫狀肌而引起的。
圖5A示出習知的顯示部的顯示的示意圖。在習知的顯示部的顯示中，進行每1秒鐘60次的影像改寫。長時間連續觀看這種螢幕，恐怕會刺激使用者的視網膜、視神經、大腦而引起眼睛疲勞。
圖5B示出在本實施方式中說明的資訊處理裝置的顯示的示意圖。在本實施方式中說明的資訊處理裝置也可以改變輸出選擇影像的G信號的頻率。尤其是，藉由將關態電流(off-state current)極小的電晶體用於顯示部的像素部，可以在抑制閃爍的產生的同時減少圖框頻率。 例如，可以進行例如每5秒鐘1次的影像改寫，由此可以盡可能地長時間觀看同一影像，這使得使用者所感到的影像閃爍下降。由此，可以減少對使用者的視網膜、視神經、大腦的刺激而減輕神經疲勞。
此外，作為關態電流極小的電晶體，例如使用氧化物半導體的電晶體，尤其是使用CAAC-OS的電晶體是較佳的。
另外，如圖6A所示，在一個像素的尺寸大的情況下(例如，在清晰度低於150ppi的情況下)，顯示在顯示部上的文字變得模糊。長時間連續觀看顯示在顯示部上的模糊的文字，即連續處於即使睫狀肌不斷運動以調節焦點也不容易調節焦點的狀態，這恐怕會給眼睛加負擔。
與此相反，如圖6B所示，在根據本發明的一個方式的資訊處理裝置中，因為一個像素的尺寸小而能夠進行清晰度為150ppi以上較佳為200ppi以上的高清晰顯示，所以可以平滑地顯示緻密的影像。由此，睫狀肌的焦點調節變得容易，從而可以減輕使用者的肌肉疲勞。此外，可以使用像素密度(ppi：pixel per inch)表示清晰度。像素密度是每英寸中的像素數。此外，像素是構成影像的單位。
此外，已在研討定量地測量眼睛疲勞的方法。例如，作為神經系統疲勞的評價指標，已知有臨界融合頻率(CFF：Critical Flicker(Fusion)Frequency) 等。作為肌肉系統疲勞的評價指標，已知有調節時間、調節近點距離等。
除了上述以外，作為評價眼睛疲勞的方法，已知有腦波測量、熱成像法、眨眼次數的測量、淚液量的評價、瞳孔的收縮反應速度的評價、用來調查自覺症狀的問卷調查等。
<1.資訊處理裝置的結構>
本實施方式所說明的具有顯示功能的資訊處理裝置600包括顯示部630、控制部610、算術裝置620及輸入單元500(參照圖7)。
顯示部630包括像素部631、第一驅動電路(也稱為S驅動電路)633以及第二驅動電路(也稱為G驅動電路)632。可以對顯示部630應用實施方式1所說明的結構。在此，對重複部分的說明援用實施方式1所記載的內容。
S驅動電路將第一驅動信號(也稱為S信號)633_S輸出到像素電路634。G驅動電路將選擇像素電路634的第二驅動信號(也稱為G信號)632_G輸出到像素電路634。
G驅動電路632具備第一模式及第二模式，在該第一模式中以30Hz(每1秒鐘30次)以上的頻率，較佳為60Hz(每1秒鐘60次)以上且低於960Hz(每1秒鐘960次)的頻率對各掃描線輸出選擇各掃描線的G信號 632_G，而在第二模式中以11.6μHz(每1天1次)以上且低於0.1Hz(每1秒鐘0.1次)，較佳為0.28mHz(每1小時1次)以上且低於1Hz(每1秒鐘1次)的頻率輸出G信號632_G。
此外，G驅動電路632根據被輸入的模式切換信號切換第一模式和第二模式。
像素部631具備多個像素631p。像素631p具備像素電路634。像素電路634保持被輸入的S信號633_S，並包括根據S信號633_S在像素部631上顯示影像的顯示元件635。
算術裝置620輸出一次控制信號625_C及一次影像信號625_V。
控制部610控制S驅動電路633及G驅動電路632。
在將液晶元件應用於顯示元件635的情況下，將光供應部650設置在顯示部630中。光供應部650對設置有液晶元件的像素部631供應光，並用作背光。
具有顯示功能的資訊處理裝置600可以使用G驅動電路632所輸出的G信號632_G改變從設置在像素部631中的多個像素電路634選擇的一個頻率。其結果是，可以提供具有減少給使用資訊處理裝置600的使用者帶來的眼睛疲勞的顯示功能的資訊處理裝置。
在本說明書的圖式中，根據其功能對構成要素進行分類而示出為彼此獨立的方塊的方塊圖，但是，實 際上的構成要素難以根據其功能完全劃分，而一個構成要素會涉及多個功能。
在本說明書中，電晶體所具有的源極和汲極的名稱根據電晶體的極性及施加到各端子的電位的高低互相調換。一般而言，在n通道型電晶體中，將被施加低電位的端子稱為源極，而將被施加高電位的端子稱為汲極。另外，在p通道型電晶體中，將被施加低電位的端子稱為汲極，而將被施加高電位的端子稱為源極。在本說明書中，雖然有時為了方便起見假設源極和汲極被固定來說明電晶體的連接關係，但是實際上會根據上述電位的關係調換源極和汲極的名稱。
在本說明書中，電晶體的源極是指用作活性層的半導體膜的一部分的源極區或與上述半導體膜連接的源極電極。與此同樣，電晶體的汲極是指上述半導體膜的一部分的汲極區或與上述半導體膜連接的汲極電極。另外，閘極是指閘極電極。
在本說明書中，電晶體串聯連接的狀態是指例如第一電晶體的源極和汲極中的僅一個與第二電晶體的源極和汲極中的僅一個連接的狀態。另外，電晶體並聯連接的狀態是指第一電晶體的源極和汲極中的一個與第二電晶體的源極和汲極中的一個連接且第一電晶體的源極和汲極中的另一個與第二電晶體的源極和汲極中的另一個連接的狀態。
在本說明書中，連接是指電連接，相當於能 夠供應或傳送電流、電壓或電位的狀態。因此，連接狀態不一定必須是指直接連接的狀態，而在其範疇內還包括以能夠供應或傳送電流、電壓或電位的方式藉由佈線、電阻器、二極體、電晶體等電路元件間接地連接的狀態。
即使當在本說明中在電路圖上獨立的構成要素彼此連接時，實際上也有一個導電膜兼具有多個構成要素的功能的情況，例如佈線的一部分用作電極的情況等。在本說明書中的連接的範疇內包括這種一個導電膜兼具有多個構成要素的功能的情況。
以下，說明構成本發明的一個方式的具有顯示功能的資訊處理裝置的各種要素。
<2.算術裝置>
算術裝置620生成一次影像信號625_V及包括模式切換信號的一次控制信號625_C。
例如，也可以根據從輸入單元500輸入的影像切換信號500_C，由算術裝置620輸出包括模式切換信號的一次控制信號625_C。
當包括模式切換信號的一次控制信號625_C輸入到第二模式的G驅動電路632時，G驅動電路632從第二模式切換為第一模式。而且，輸出G信號一次以上，然後切換為第二模式。
例如，也可以採用當輸入單元500檢測出翻頁工作時將影像切換信號500_C輸出到算術裝置620的結 構。
算術裝置620生成包括翻頁工作的一次影像信號625_V，與包括模式切換信號的一次控制信號625_C一起輸出該一次影像信號625_V。
控制部610將包括模式切換信號的二次控制信號615_C輸出到G驅動電路632，將包括翻頁工作的二次影像信號615_V輸出到S驅動電路633。
G驅動電路632從第二模式切換為第一模式，以使用者不能辨別因信號的改寫工作而產生的影像變化程度的高頻率輸出G信號632_G，而改寫影像。
另一方面，S驅動電路633將由該二次影像信號615_V生成的S信號633_S輸出到像素電路634。
由此，因為像素631p可以以高頻率改寫包括翻頁工作的多個圖框影像，所以可以平滑地顯示基於包括翻頁工作的二次影像信號615_V的影像。
此外，算術裝置620辨別其對顯示部630輸出的一次影像信號625_V是動態影像還是靜態影像。例如，當一次影像信號625_V是動態影像時，該算術裝置620輸出選擇第一模式的切換信號，而當一次影像信號625_V是靜態影像時，該算術裝置620輸出選擇第二模式的切換信號。
另外，作為辨別是動態影像還是靜態影像的方法有如下方法：當一次影像信號625_V所包括的一個圖框的信號和該圖框前後的圖框的信號之間的差異大於預先 設定的差異時，辨別為動態影像，而當一次影像信號625_V所包括的一個圖框的信號和該圖框前後的圖框的信號之間的差異等於或小於預先設定的差異時，辨別為靜態影像。
當控制部610將G驅動電路632的工作模式從一個模式切換為其他模式時(例如，從第二模式切換為第一模式時)，G驅動電路632在輸出G信號632_G一次以上的預定的次數之後，切換為其他模式。
<3．控制部>
控制部610由一次影像信號625_V生成二次影像信號615_V，並輸出該二次影像信號615_V(參照圖7)。
控制部610使用包括垂直同步訊號、水平同步信號等同步信號的一次控制信號625_C生成二次控制信號615_C。二次控制信號615_C例如包括初始脈衝信號SP、鎖存信號LP、脈衝寬度控制信號PWC、時脈信號CK等。
控制部610具備極性決定電路612。極性決定電路612具有如下功能：通知反轉二次影像信號615_V的極性的時序，根據該時序，由控制部610反轉二次影像信號615_V的極性。此外，既可以在控制部610中進行二次影像信號615_V的極性的反轉，又可以根據控制部610的指令在顯示部630中進行二次影像信號615_V的極性的反轉。
極性決定電路612具有使用同步信號設定使二次影像信號615_V的極性反轉的時序的功能。本實施方式所例示的極性決定電路612包括計數器及信號生成電路。
計數器具有使用水平同步信號的脈衝來計數圖框的數量的功能。
信號生成電路具有如下功能：對控制部610通知使二次影像信號615_V的極性反轉的時序，以使用由計數器得到的圖框的數量資訊在每個連續的多個圖框中使二次影像信號615_V的極性反轉。
<4.輸入單元>
作為輸入單元500可以使用觸控面板、觸控板、滑鼠、控制杆、軌跡球、資料手套、攝像裝置等。算術裝置620可以使從輸入單元500輸入的電信號和顯示部的座標彼此相關。由此，使用者可以輸入用來處理顯示在顯示部上的資訊的指令。
作為使用者從輸入單元500輸入的資訊，例如可以舉出如下指令：用於改變顯示於顯示部上的影像的顯示位置的拖拉指令；用於將顯示影像翻到下一個影像的滑動指令；用於依次顯示連續影像的滾動指令；用於選擇特定的影像的指令；用於改變影像的顯示尺寸的縮放指令；以及用於輸入手寫的文字的指令等。
本實施方式可以與本說明書所示的其他實施 方式適當地組合。
實施方式3
在本實施方式中，參照圖8及圖9說明驅動實施方式1所說明的顯示部的方法的一個例子。
明確而言，說明具備第一模式及第二模式的資訊處理裝置的驅動方法，在該第一模式中以30Hz(每1秒鐘30次)以上的頻率，較佳為60Hz(每1秒鐘60次)以上且低於960Hz(每1秒鐘960次)的頻率輸出選擇像素的G信號，而在第二模式中以11.6μHz(每1天1次)以上且低於0.1Hz(每1秒鐘0.1次)，較佳為0.28mHz(每1小時1次)以上且低於1Hz(每1秒鐘1次)的頻率輸出G信號。
圖8是說明本發明的一個方式的顯示部的結構的變形例的方塊圖。
圖9是說明本發明的一個方式的顯示部的電路圖。
在本實施方式中，說明在實施方式1所例示的顯示裝置中以1Hz以下的頻率顯示影像的方法。
<1.S信號寫入像素部的方法>
說明對圖2A或圖8所例示的像素部631寫入S信號633_S的方法的一個例子。明確而言，將S信號633_S分別寫入到像素部631中的具備圖2B所例示的像素電路的 像素631p的方法。
<對像素部的信號寫入>
在第一圖框中，藉由對掃描線G1輸入具有脈衝的G信號632_G，選擇掃描線G1。在連接到被選擇的掃描線G1的多個像素631p的每一個中，電晶體634t成為導通狀態。
當電晶體634t處於導通狀態時(一個行期間)，從信號線S1對信號線Sx供應由二次影像信號615_V生成的S信號633_S的電位。而且，對應於S信號633_S的電位的電荷藉由導通狀態的電晶體634t積累到電容元件634c，並將S信號633_S的電位供應到液晶元件635LC的第一電極。
在第一圖框的掃描線G1被選擇的期間中，正的極性的S信號633_S依次被輸入到所有的信號線S1至信號線Sx。對分別連接到掃描線G1及信號線S1至信號線Sx的像素631p中的第一電極(G1S1)至第一電極(G1Sx)供應正的極性的S信號633_S。由此，液晶元件635LC的穿透率被S信號633_S的電位控制，且各像素顯示灰階。
同樣地，依次選擇掃描線G2至掃描線Gy，且在與掃描線G2至掃描線Gy的各掃描線連接的像素631p中重複依次進行與掃描線G1被選擇的期間相同的工作。藉由上述工作，可以在像素部631中顯示第一圖框的 影像。
另外，在本發明的一個方式中不一定需要依次選擇掃描線G1至掃描線Gy。
此外，也可以採用從S驅動電路633對信號線S1至信號線Sx依次輸入S信號633_S的點順序驅動或一併輸入S信號633_S的線順序驅動。或者，還可以採用對多個信號線S的每一個依次輸入S信號633_S的驅動方法。
此外，不侷限於使用逐行掃描方式選擇掃描線G，而還可以使用隔行掃描方式選擇掃描線G。
此外，在任意的一個圖框中，輸入到所有信號線的S信號633_S的極性可以是相同的，或者，在任意的一個圖框中，在每一個信號線中輸入到像素的S信號633_S的極性也可以是反轉的。
<對分割為多個區域的像素部的信號寫入>
此外，圖8示出顯示部630的結構的變形例。
圖8所示的顯示部630在分割為多個區域的像素部631(明確而言，第一區域631a、第二區域631b、第三區域631c)中設置有多個像素631p、用來選擇每行像素631p的多個掃描線G、用來對被選擇的像素631p供應S信號633_S的多個信號線S。
對設置在各個區域中的掃描線G的G信號632_G的輸入由各G驅動電路632來控制。對信號線S的 S信號633_S的輸入由S驅動電路633來控制。多個像素631p分別連接到掃描線G的至少一個及信號線S的至少一個。
藉由採用這種結構，可以分割地驅動像素部631。
例如，當作為輸入單元500從觸控面板輸入資訊時，也可以取得確定輸入該資訊的區域的座標，只將驅動對應於該座標的區域的G驅動電路632設定為第一模式，而將其他區域設定為第二模式。藉由進行該工作，可以停止未從觸控面板輸入資訊的區域、即不需要改寫顯示影像的區域的G驅動電路的工作。
<2．第一模式及第二模式的G驅動電路的工作>
對G驅動電路632所輸出的G信號632_G被輸入的像素電路634輸入S信號633_S。在不輸入G信號632_G的期間中，像素電路634保持S信號633_S的電位。換言之，像素電路634保持被寫入S信號633_S的電位的狀態。
寫入有顯示資料的像素電路634保持對應於S信號633_S的顯示狀態。注意，保持顯示狀態是指保持顯示狀態的變化不超過一定的範圍。上述一定的範圍是適當地設定的範圍，例如較佳的是將上述一定的範圍設定為當使用者閱覽顯示影像時能識別為相同的顯示影像的顯示狀態的範圍。
G驅動電路632具備第一模式和第二模式。
<2-1．第一模式>
G驅動電路632的第一模式對各像素以每1秒鐘30次以上的頻率，較佳的是以每1秒鐘60次以上且低於960次的頻率輸出G信號632_G。
第一模式的G驅動電路632以使用者無法識別因改寫工作而產生的影像變化的程度的速度改寫信號。其結果是，可以平滑地顯示動態影像。
<2-2．第二模式>
G驅動電路632的第二模式對各像素以每1天1次以上且每1秒鐘低於0.1次的頻率，較佳的是以每1小時1次以上且每1秒鐘低於1次的頻率輸出G信號632_G。
在沒有輸入G信號632_G的期間中，像素電路634保持S信號633_S，且繼續保持對應於該電位的顯示狀態。
由此，第二模式可以進行不產生像素的顯示的改寫所導致的忽明忽暗(也稱為閃爍)的顯示。
其結果是，可以減少具有該顯示功能的資訊處理裝置給使用者帶來的眼睛疲勞。
在第二模式中與第一模式相比可以降低耗電量。這是因為在第二模式中有G驅動電路632不工作的期間。
此外，使用具有第二模式的G驅動電路632驅動的像素電路較佳地採用長期間保持S信號633_S的結構。例如，電晶體634t的洩漏電流在關閉狀態下越小越較佳。
關閉狀態下洩漏電流小的電晶體634t的結構的一個例子可以參照實施方式5。
本實施方式可以與本說明書所示的其他實施方式適當地組合。
實施方式4
在本實施方式中，參照圖17A和圖17B說明本發明的一個方式的資訊處理裝置的資訊處理方法。
明確而言，說明能夠顯示在本發明的一個方式的資訊處理裝置的顯示部上的影像的生成方法。尤其是，說明當從顯示有第一靜態影像的顯示影像切換為與該顯示影像連續顯示的第二靜態影像作為下一個顯示影像時，對使用者的眼睛刺激少的影像的切換方法、減輕使用者的眼睛疲勞的影像的切換方法、不給使用者的眼睛加負擔的影像的切換方法。
圖17A和圖17B是說明可以應用本發明的一個方式的資訊處理方法的資訊處理裝置的結構的方塊圖及說明影像資料的示意圖。
<資訊處理方法>
本發明的一個方式是從顯示有第一靜態影像的顯示影像柔和地切換為與該顯示影像連續的第二靜態影像的資訊處理方法。
根據上述本發明的一個方式的資訊處理方法，將用算術裝置處理的不能顯示在一個畫面上的資訊分為多個靜態影像，將該多個靜態影像顯示在畫面或視窗上作為依次顯示影像。尤其是，在本實施方式中，柔和地進行顯示影像的切換。由此，資訊處理裝置的使用者不需要用眼睛追視所移動的顯示來從該所移動的顯示中找到目的的資訊，因此減輕給使用者的眼睛帶來的負擔。此外，減輕當切換顯示時給使用者的眼睛帶來的負擔。其結果是，可以提供能夠以對眼睛刺激少的方式顯示包括算術裝置所處理的資訊的影像的新穎的資訊處理方法。
當快速地切換影像而進行顯示時，可能給使用者帶來眼睛疲勞。例如，包括不斷地切換不同的情景的動態影像以及切換不同的靜態影像的情況等。
當切換不同的影像而進行顯示時，較佳的是柔和地(平靜地)且自然地切換影像而進行顯示，而非瞬間地切換顯示。
例如，當將顯示從第一靜態影像切換到第二靜態影像時，較佳的是，在第一靜態影像和第二靜態影像之間插入第一靜態影像淡出而被顯示的動態影像或/及第二靜態影像淡入的動態影像。此外，也可以插入以在第一靜態影像淡出的同時，第二靜態影像淡入(也稱為交替淡 變)的方式插入重疊兩個影像的動態影像，還可以插入顯示第一靜態影像逐漸變成第二靜態影像的動態影像(也稱為漸變)。
另外，也可以在以低更新速率顯示第一靜態影像資料，接著以高更新速率顯示用來切換影像的影像之後，以低更新速率顯示第二靜態影像資料。
<淡入、淡出>
下面說明切換互不相同的影像A和影像B的方法的一個例子。
圖17A是示出能夠進行影像切換工作的顯示部的結構的方塊圖。圖17A所示的顯示部包括算術裝置701、記憶體裝置702、圖表單元703以及顯示單元704。
在第一步驟中，算術裝置701將來自外部記憶體裝置等的影像A及影像B的各資料儲存在記憶體裝置702中。
在第二步驟中，算術裝置701根據預先設定的分割數的值使用影像A和影像B的各影像資料依次生成新的影像資料。
在第三步驟中，將所生成的影像資料輸出到圖表單元703中。圖表單元703將被輸入的影像資料顯示於顯示單元704。
圖17B是用來說明使用在將影像從影像A逐漸切換為影像B時的影像資料的示意圖。
例如，當切換影像時，從影像A到影像B生成N(N是自然數)個影像資料，分別將每一個影像資料顯示f(f是自然數)圖框。明確而言，在f為1的情況下，從影像A切換為影像B的期間是f×N圖框(參照圖17B)。
在此，較佳的是，使用者可以自由地設定上述N及f等的參數。算術裝置701預先取得這些參數，且根據該參數生成影像資料。
第i生成的影像資料(i是1以上且N以下的整數)能夠使用逐漸變化的係數對影像A的影像資料和影像B的影像資料進行加重平均來生成的。例如，在某個像素中，當以顯示影像A時的亮度(灰階)為a，而以顯示影像B時的亮度(灰階)為b時，顯示第i生成的影像資料的該像素的亮度(灰階)c是公式(4)所示的值。此外，灰階是指顯示部所顯示的濃淡的等級。只具有白色及黑色的兩個等級的影像可以說具有兩個灰階的影像。例如，習知的個人電腦的顯示部具有顯示紅色、綠色、藍色的子像素。對每個子像素輸入用來顯示256等級的濃淡的信號。
使用藉由這種方法生成的影像資料來將影像 A切換為影像B，從而可以柔和地(平靜地)且自然地切換不連續的影像。
注意，至於公式(4)，在所有的像素中，當a=0時(影像A是黑色影像時)相當於從黑色影像逐漸切換為影像B的淡入。此外，在所有的像素中，當b=0時(影像B是黑色影像時)相當於從影像A逐漸切換為黑色影像的淡出。
雖然在上述說明中描述了使兩個影像暫時重疊並切換影像的方法，但是也可以採用不使影像重複的方法。
在不使兩個影像重疊的情況下，也可以當從影像A切換為影像B時在其間插入黑色影像。此時，可以在從影像A遷移到黑色影像時、從黑色影像遷移到影像B時或兩者均採用上述影像切換方法。此外，作為插入影像A和影像B之間的影像不僅使用黑色影像，而且還可以使用白色影像等單色影像或與影像A及影像B不同的多色影像。
藉由在影像A和影像B之間插入其他影像，特別是黑色影像等單色影像，可以使使用者更自然地感覺到影像的切換的時序，從而可以以不使使用者受到壓力的方式切換影像。
本實施方式可以與本說明書所示的其他實施方式適當地組合。
實施方式5
下面說明較佳地用於電晶體的形成通道的區域的半導體及半導體膜的一個例子。
氧化物半導體具有3.0eV以上的高能隙，在包括以適當的條件對氧化物半導體進行加工並充分降低其載子密度而獲得的氧化物半導體膜的電晶體中，可以使關閉狀態下的源極與汲極之間的洩漏電流(關態電流)遠低於習知的使用矽的電晶體。
本實施方式所說明的具備半導體膜的關態電流得到減少的電晶體可以應用於實施方式1所說明的顯示裝置的顯示部。尤其是，藉由應用於像素部所具備的像素電路的切換元件，與習知的電晶體(例如，對半導體膜應用非晶矽的電晶體)相比，可以在長時間內保持顯示元件的顯示狀態。由此，如實施方式3所說明，可以大幅度地降低選擇資訊處理裝置的顯示部的像素的G信號的頻率。
在將氧化物半導體膜應用於電晶體的情況下，較佳的是將氧化物半導體膜的厚度設定為2nm以上且40nm以下。
能夠應用的氧化物半導體較佳的是至少含有銦(In)或鋅(Zn)。尤其是較佳地包含In及Zn。另外，作為用來減少使用該氧化物半導體的電晶體的電特性不均勻的穩定劑，較佳的是除了包含上述元素以外，還包含選自鎵(Ga)、錫(Sn)、鉿(Hf)、鋯(Zr)、鈦(Ti)、鈧(Sc)、釔(Y)、鑭系元素(例如，鈰 (Ce)、釹(Nd)、釓(Gd))中的一種或多種。
例如，作為氧化物半導體可以使用氧化銦、氧化錫、氧化鋅、In-Zn類氧化物、Sn-Zn類氧化物、Al-Zn類氧化物、Zn-Mg類氧化物、Sn-Mg類氧化物、In-Mg類氧化物、In-Ga類氧化物、In-Ga-Zn類氧化物(也稱為IGZO)、In-Al-Zn類氧化物、In-Sn-Zn類氧化物、Sn-Ga-Zn類氧化物、Al-Ga-Zn類氧化物、Sn-Al-Zn類氧化物、In-Hf-Zn類氧化物、In-Zr-Zn類氧化物、In-Ti-Zn類氧化物、In-Sc-Zn類氧化物、In-Y-Zn類氧化物、In-La-Zn類氧化物、In-Ce-Zn類氧化物、In-Pr-Zn類氧化物、In-Nd-Zn類氧化物、In-Sm-Zn類氧化物、In-Eu-Zn類氧化物、In-Gd-Zn類氧化物、In-Tb-Zn類氧化物、In-Dy-Zn類氧化物、In-Ho-Zn類氧化物、In-Er-Zn類氧化物、In-Tm-Zn類氧化物、In-Yb-Zn類氧化物、In-Lu-Zn類氧化物、In-Sn-Ga-Zn類氧化物、In-Hf-Ga-Zn類氧化物、In-Al-Ga-Zn類氧化物、In-Sn-Al-Zn類氧化物、In-Sn-Hf-Zn類氧化物、In-Hf-Al-Zn類氧化物。
在此，“In-Ga-Zn類氧化物”是指以In、Ga以及Zn為主要成分的氧化物，對In、Ga以及Zn的比率沒有限制。此外，也可以包含In、Ga、Zn以外的金屬元素。
另外，作為氧化物半導體，也可以使用表示為InMO3(ZnO)m(m>0且m不是整數)的材料。另外，M表示選自Ga、Fe、Mn及Co中的一種或多種金屬元素或 者用作上述穩定劑的元素。另外，作為氧化物半導體，也可以使用表示為In2SnO5(ZnO)n(n>0且n是整數)的材料。
例如，可以使用其原子數比為In：Ga：Zn=1：1：1、In：Ga：Zn=1：3：2、In：Ga：Zn=3：1：2或In：Ga：Zn=2：1：3的In-Ga-Zn類氧化物或其組成附近的氧化物。
當氧化物半導體膜含有大量的氫時，該氫與氧化物半導體鍵合而使該氫的一部分成為施體，因此產生作為載子的電子。其結果是，電晶體的臨界電壓向負方向漂移。由此，較佳的是藉由在形成氧化物半導體膜之後進行脫水化處理(脫氫化處理)，從氧化物半導體膜中去除氫或水分來實現高度純化，從而儘量不包含雜質。
此外，有時因對氧化物半導體膜進行脫水化處理(脫氫化處理)而使氧化物半導體膜的氧同時減少。因此，較佳的是，為了填補因對氧化物半導體膜進行脫水化處理(脫氫化處理)而增加的氧缺陷，進行對氧化物半導體膜添加氧的處理。在本說明書等中，有時將對氧化物半導體膜供應氧的處理稱為加氧化處理，或者，有時將使氧化物半導體膜所包含的氧多於化學計量組成的處理稱為過氧化處理。
如上所述，藉由進行脫水化處理(脫氫化處理)以從氧化物半導體膜去除氫或水分，並進行加氧化處理以填補氧缺陷，可以得到被i型(本質)化的氧化物半 導體膜或無限趨近於i型而實質上呈i型(本質)的氧化物半導體膜。注意，“實質上本質”是指：在氧化物半導體膜中，來自於施體的載子極少(近零)，載子密度為1×1017/cm3以下、1×1016/cm3以下、1×1015/cm3以下、1×1014/cm3以下、1×1013/cm3以下。
如此，具備i型或實質上呈i型的氧化物半導體膜的電晶體可以得到極為優良的關態電流特性。例如，關於使用氧化物半導體膜的電晶體處於關閉狀態時的汲極電流，室溫(25℃左右)下的汲極電流可以為1×10-18A以下，較佳為1×10-21A以下，更佳為1×10-24A以下，或者，85℃下的汲極電流可以為1×10-15A以下，較佳為1×10-18A以下，更佳為1×10-21A以下。注意，電晶體處於關閉狀態是指：在採用n通道型電晶體的情況下，閘極電壓充分小於臨界電壓的狀態。明確而言，在閘極電壓比臨界電壓小1V以上、2V以上或3V以上時，電晶體成為關閉狀態。
氧化物半導體膜可以為單晶或非單晶。在採用後者時，可以採用非晶或多晶。另外，可以採用在非晶中包括結晶性的部分的結構或非非晶。
較佳的是氧化物半導體膜為CAAC-OS(C Axis Aligned Crystalline Oxide Semiconductor：C軸配向結晶氧化物半導體)膜。
CAAC-OS膜不是完全的單晶，也不是完全的非晶。另外，在很多情況下包括在CAAC-OS膜中的結晶 部的尺寸為能夠容納於一個邊長小於100nm的立方體的尺寸。此外，在利用穿透式電子顯微鏡(TEM：Transmission Electron Microscope)觀察到的影像中，不能明確地觀察到CAAC-OS膜中的結晶部與結晶部之間的邊界。另外，在TEM的影像中，不能明確地觀察到CAAC-OS膜中的晶界(grain boundary)。因此，在CAAC-OS膜中，由晶界引起的電子移動率的降低得到抑制。
在包括在CAAC-OS膜中的結晶部中，例如c軸在平行於形成有CAAC-OS膜的表面的法線向量或CAAC-OS膜的表面的法線向量的方向上一致。並且，在結晶部中，當從垂直於ab面的方向看時具有三角形或六角形的原子排列，且當從垂直於c軸的方向看時，金屬原子排列為層狀或者金屬原子和氧原子排列為層狀。另外，在不同的結晶部之間，a軸及b軸的方向可以不同。在本說明書中，在只記載為“垂直”時，也包括85°以上且95°以下的範圍。另外，當只記載“平行”時，也包括-5°以上且5°以下的範圍。
另外，在CAAC-OS膜中，結晶部的分佈也可以不均勻。例如，在CAAC-OS膜的形成過程中，在從氧化物半導體膜的表面一側進行結晶生長時，有時與被形成面附近相比，在表面附近結晶部所占的比例較高。另外，當將雜質添加到CAAC-OS膜時，有時添加有雜質的區域中的結晶部的結晶性會下降。
因為包括在CAAC-OS膜中的結晶部的c軸在平行於形成有CAAC-OS膜的表面的法線向量或CAAC-OS膜的表面的法線向量的方向上一致，所以有時根據CAAC-OS膜的形狀(形成有CAAC-OS膜的表面的剖面形狀或CAAC-OS膜的表面的剖面形狀)，c軸的方向可以彼此不同。注意，結晶部的c軸方向是平行於形成有CAAC-OS膜的表面的法線向量或表面的法線向量的方向。結晶部藉由成膜或成膜後的加熱處理等的結晶化處理來形成。
在使用CAAC-OS膜的電晶體中，因照射可見光或紫外光而產生的電特性變動小。因此，這種電晶體的可靠性高。
CAAC-OS膜例如可以使用多晶的氧化物半導體濺射用靶材，且利用濺射法形成。當離子碰撞到該濺射用靶材時，有時包含在濺射用靶材中的結晶區域從a-b面劈開，即具有平行於a-b面的面的平板狀或顆粒狀的濺射粒子剝離。此時，藉由使該平板狀或顆粒狀的濺射粒子在保持結晶狀態的情況下到達形成CAAC-OS膜的面，可以形成CAAC-OS膜。
在平板狀的濺射粒子中，例如平行於a-b面的圓當量直徑為3nm以上且10nm以下，厚度(垂直於a-b面的方向的長度)為0.7nm以上且小於1nm。另外，平板狀的濺射粒子的平行於a-b面的面也可以是正三角形或正六角形。在此，面的圓當量直徑是指等於面的面積的正圓 形的直徑。
另外，為了形成CAAC-OS膜，較佳地採用如下條件。
藉由提高成膜時的基板溫度，使到達基板的平板狀濺射粒子發生遷移，以使濺射粒子的平坦的面附著到基板。此時，濺射粒子帶正電使得濺射粒子互相排斥而附著到基板上，由此濺射粒子不會不均勻地重疊，從而可以形成厚度均勻的CAAC-OS膜。明確而言，較佳的是在將基板溫度設定為100℃以上且740℃以下，較佳為200℃以上且500℃以下的狀態下進行成膜。
另外，藉由減少成膜時的雜質混入，可以抑制雜質所導致的結晶態的破壞。例如，可以降低存在於成膜室內的雜質(氫、水、二氧化碳及氮等)的濃度。另外，可以降低成膜氣體中的雜質濃度。明確而言，使用露點為-80℃以下，較佳為-100℃以下的成膜氣體。
另外，較佳的是，藉由增高成膜氣體中的氧比例並對電力進行最優化，來減輕成膜時的電漿損傷。將成膜氣體中的氧比例設定為30vol%以上，較佳為100vol%。
也可以在形成CAAC-OS膜之後進行加熱處理。將加熱處理的溫度設定為100℃以上且740℃以下，較佳為200℃以上且500℃以下。另外，將加熱處理的時間設定為1分鐘以上且24小時以下，較佳為6分鐘以上且4小時以下。加熱處理在惰性氛圍或氧化性氛圍中進行 即可。較佳的是，先在惰性氛圍中進行加熱處理，然後在氧化性氛圍中進行加熱處理。藉由在惰性氛圍中進行加熱處理，可以在短時間內降低CAAC-OS膜的雜質濃度。另一方面，在惰性氛圍中進行的加熱處理有可能導致CAAC-OS膜中的氧缺陷。在此情況下，藉由在氧化性氛圍中進行加熱處理，可以減少該氧缺陷。此外，藉由進行加熱處理，可以進一步提高CAAC-OS膜的結晶性。另外，也可以在1000Pa以下、100Pa以下、10Pa以下或1Pa以下的減壓下進行加熱處理。在減壓下，可以在更短時間內降低CAAC-OS膜的雜質濃度。
以下，作為濺射用靶材的一個例子示出In-Ga-Zn-O化合物靶材。
將InOX粉末、GaOY粉末及ZnOZ粉末以規定的莫耳數比混合，進行加壓處理，然後在1000℃以上且1500℃以下的溫度下進行加熱處理，由此得到多晶的In-Ga-Zn-O化合物靶材。注意，X、Y及Z為任意正數。在此，規定的莫耳數比、例如InOX粉末、GaOY粉末及ZnOZ粉末的莫耳數比為1：1：1、1：1：2、1：3：2、1：9：6、2：1：3、2：2：1、3：1：1、3：1：2、3：1：4、4：2：3、8：4：3或與這些值類似的值。另外，粉末的種類及其混合莫耳數比可以根據所製造的濺射用靶材適當地改變。
或者，CAAC-OS膜也可以使用以下方法而形成。
首先，形成其厚度為1nm以上且小於10nm的第一氧化物半導體膜。使用濺射法形成第一氧化物半導體膜。明確而言，第一氧化物半導體膜的形成條件如下：基板溫度為100℃以上且500℃以下，較佳為150℃以上且450℃以下；以及成膜氣體中的氧比例為30vol%以上，較佳為100vol%。
接著，進行加熱處理，以使第一氧化物半導體膜形成為高結晶性的第一CAAC-OS膜。將加熱處理的溫度設定為350℃以上且740℃以下，較佳為450℃以上且650℃以下。另外，將加熱處理的時間設定為1分鐘以上且24小時以下，較佳為6分鐘以上且4小時以下。加熱處理可以在惰性氛圍或氧化性氛圍中進行。較佳的是，先在惰性氛圍中進行加熱處理，然後在氧化性氛圍中進行加熱處理。藉由在惰性氛圍中進行加熱處理，可以在短時間內降低第一氧化物半導體膜的雜質濃度。另一方面，藉由在惰性氛圍中進行加熱處理，有可能在第一氧化物半導體膜中形成氧缺陷。在此情況下，藉由在氧化性氛圍中進行加熱處理，可以減少該氧缺陷。另外，也可以在1000Pa以下、100Pa以下、10Pa以下或1Pa以下的減壓下進行加熱處理。在減壓下，可以在更短時間內降低第一氧化物半導體膜的雜質濃度。
藉由將第一氧化物半導體膜的厚度設定為1nm以上低於10nm，與厚度為10nm以上的情況相比可以容易進行加熱處理以使其結晶化。
接著，以10nm以上且50nm以下的厚度形成其組成與第一氧化物半導體膜相同的第二氧化物半導體膜。使用濺射法形成第二氧化物半導體膜。明確而言，第二氧化物半導體膜的形成條件如下：基板溫度為100℃以上且500℃以下，較佳為150℃以上且450℃以下；以及成膜氣體中的氧比例為30vol%以上，較佳為100vol%。
接著，進行加熱處理，以使第二氧化物半導體膜從第一CAAC-OS膜進行固相成長，來形成高結晶性的第二CAAC-OS膜。將加熱處理的溫度設定為350℃以上且740℃以下，較佳為450℃以上且650℃以下。另外，將加熱處理的時間設定為1分鐘以上24小時以下，較佳為6分鐘以上4小時以下。加熱處理可以在惰性氛圍或氧化性氛圍中進行。較佳的是，先在惰性氛圍中進行加熱處理，然後在氧化性氛圍中進行加熱處理。藉由在惰性氛圍中進行加熱處理，可以在短時間內降低第二氧化物半導體膜的雜質濃度。另一方面，在惰性氛圍中進行的加熱處理有可能導致第二氧化物半導體膜中的氧缺陷。在此情況下，藉由在氧化性氛圍中進行加熱處理，可以減少該氧缺陷。另外，也可以在1000Pa以下、100Pa以下、10Pa以下或1Pa以下的減壓下進行加熱處理。在減壓下，可以在更短時間內降低第二氧化物半導體膜的雜質濃度。
經上述步驟，可以形成總厚度為10nm以上的CAAC-OS膜。
另外，氧化物半導體膜也可以採用層疊有多 個氧化物半導體膜的結構。
例如，可以在氧化物半導體膜(為方便起見，稱為第一層)與閘極絕緣膜之間設置由第一層的構成元素形成且其電子親和力比第一層小0.2eV以上的第二層。此時，當從閘極電極施加電場時，通道形成在第一層中而不形成在第二層中。因為第一層的構成元素與第二層的構成元素相同，所以在第一層與第二層之間的介面幾乎不發生介面散射。因此，藉由在第一層與閘極絕緣膜之間設置第二層，可以提高電晶體的場效移動率。
再者，在使用氧化矽膜、氧氮化矽膜、氮氧化矽膜或氮化矽膜作為閘極絕緣膜的情況下，包含在閘極絕緣膜中的矽有可能混入氧化物半導體膜中。如果矽混入氧化物半導體膜中，則會導致氧化物半導體膜的結晶性下降、載子移動率下降等。因此，為了降低形成有通道的第一層的矽濃度，較佳的是在第一層與閘極絕緣膜之間設置第二層。由於與上述同樣的理由，較佳地設置由第一層的構成元素形成且其電子親和力比第一層小0.2eV以上的第三層，以使第二層和第三層夾著第一層。
藉由採用這種結構，可以減少甚至防止矽等雜質擴散到通道形成區域，從而可以得到可靠性高的電晶體。
為了使氧化物半導體膜成為CAAC-OS膜，將包含在氧化物半導體膜中的矽濃度設定為2.5×1021/cm3以下，較佳為低於1.4×1021/cm3，更佳為低於4×1019/cm3， 進一步較佳為低於2.0×1018/cm3。這是因為如下緣故：在包含在氧化物半導體膜中的矽濃度為1.4×1021/cm3以上時，電晶體的場效移動率可能會下降；在包含在氧化物半導體膜中的矽的濃度為4.0×1019/cm3以上時，在與接觸於氧化物半導體膜的膜之間的介面氧化物半導體膜可能會被非晶化。另外，藉由將包含在氧化物半導體膜中的矽的濃度設定為低於2.0×1018/cm3，可以期待電晶體的可靠性進一步提高及氧化物半導體膜中的DOS(density of state：態密度)的下降。注意，氧化物半導體膜中的矽濃度可以藉由利用二次離子質譜分析法(SIMS：Secondary Ion Mass Spectrometry)而測量。
本實施方式可以與本說明書所示的其他實施方式適當地組合。
實施方式6
在本實施方式中，參照圖式說明應用實施方式5所說明的氧化物半導體膜的電晶體的結構例。
圖10A和圖10B是說明根據本實施方式的電晶體的結構例的圖。
圖11A至圖11D是說明根據本實施方式的電晶體的製造方法例的圖。
圖12A和圖12B是說明根據本實施方式的電晶體的結構例的圖。
圖13A至圖13C是說明根據本實施方式的電 晶體的結構例的圖。
<電晶體的結構例>
圖10A是下面所例示的電晶體100的俯視示意圖。此外，圖10B是沿著圖10A中的截斷線A-B的電晶體100的剖面示意圖。本結構例所例示的電晶體100是底閘極型電晶體。
電晶體100包括：設置在基板101上的閘極電極102；設置在基板101及閘極電極102上的絕緣層103；與閘極電極102重疊地設置在絕緣層103上的氧化物半導體層104；以及與氧化物半導體層104的頂面接觸的一對電極105a、105b。此外，還包括覆蓋絕緣層103、氧化物半導體層104、一對電極105a、105b的絕緣層106以及絕緣層106上的絕緣層107。
可以對電晶體100的氧化物半導體層104應用實施方式5所記載的氧化物半導體膜。
<<基板101>>
雖然對基板101的材料等沒有特別的限制，但是至少使用具有能夠承受後面的熱處理的耐熱性的材料。例如，作為基板101，可以使用玻璃基板、陶瓷基板、石英基板、藍寶石基板、YSZ(氧化釔穩定氧化鋯)基板等。此外，也可以使用矽或碳化矽等的單晶半導體基板、多晶半導體基板、矽鍺等的化合物半導體基板、SOI基板等。此 外，還可以將在這些基板上設置有半導體元件的基板用作基板101。
另外，作為基板101，也可以使用塑膠等撓性基板，並且在該撓性基板上直接形成電晶體100。或者，也可以在基板101和電晶體100之間設置剝離層。剝離層可以用於如下情況，即在其上層形成電晶體的一部分或全部，然後將其從基板101分離並轉置到其他基板上。其結果是，也可以將電晶體100轉置到耐熱性低的基板或撓性基板上。
<<閘極電極102>>
閘極電極102可以使用選自鋁、鉻、銅、鉭、鈦、鉬、鎢中的金屬、以上述金屬為成分的合金或組合上述金屬元素的合金等而形成。另外，也可以使用選自錳、鋯中的一個或多個的金屬。此外，閘極電極102可以具有單層結構或雙層以上的疊層結構。例如，可以舉出包含矽的鋁膜的單層結構、在鋁膜上層疊鈦膜的雙層結構、在氮化鈦膜上層疊鈦膜的雙層結構、在氮化鈦膜上層疊鎢膜的雙層結構、在氮化鉭膜或氮化鎢膜上層疊鎢膜的雙層結構以及依次層疊鈦膜、該鈦膜上的鋁膜和其上的鈦膜的三層結構等。此外，也可以使用組合鋁與選自鈦、鉭、鎢、鉬、鉻、釹、鈧中的一種的膜、組合鋁與上述金屬中的多種的合金膜或上述金屬的氮化膜。
另外，閘極電極102也可以使用銦錫氧化 物、包含氧化鎢的銦氧化物、包含氧化鎢的銦鋅氧化物、包含氧化鈦的銦氧化物、包含氧化鈦的銦錫氧化物、銦鋅氧化物、添加氧化矽的銦錫氧化物等透光導電材料。此外，也可以採用上述透光導電材料與上述金屬的疊層結構。
另外，可以在閘極電極102和絕緣層103之間設置In-Ga-Zn類氧氮化物半導體膜、In-Sn類氧氮化物半導體膜、In-Ga類氧氮化物半導體膜、In-Zn類氧氮化物半導體膜、Sn類氧氮化物半導體膜、In類氧氮化物半導體膜、金屬氮化膜(InN、ZnN等)等。由於上述膜具有5eV以上，較佳為5.5eV以上的功函數，且該值比氧化物半導體的電子親和力大，所以可以使使用氧化物半導體的電晶體的臨界電壓向正方向漂移，從而可以實現所謂常閉特性的切換元件。例如，在使用In-Ga-Zn類氧氮化物半導體膜的情況下，使用氮濃度至少高於氧化物半導體層104，具體為7at.%以上的In-Ga-Zn類氧氮化物半導體膜。
<<絕緣層103>>
絕緣層103用作閘極絕緣膜。與氧化物半導體層104的下表面接觸的絕緣層103較佳的是非晶膜。
絕緣層103例如可以使用氧化矽、氧氮化矽、氮氧化矽、氮化矽、氧化鋁、氧化鉿、氧化鎵或Ga-Zn類金屬氧化物、氮化矽等來以單層或疊層結構形 成。
此外，藉由作為絕緣層103使用矽酸鉿(HfSiOx)、添加有氮的矽酸鉿(HfSixOyNz)、添加有氮的鋁酸鉿(HfAlxOyNz)、氧化鉿、氧化釔等high-k材料，可以降低電晶體的閘極漏電流。
<<一對電極105a、105b>>
一對電極105a及105b用作電晶體的源極電極或汲極電極。
作為導電材料，一對電極105a、105b可以使用如下材料以單層或疊層形成：由鋁、鈦、鉻、鎳、銅、釔、鋯、鉬、銀、鉭或鎢構成的金屬或以這些元素為主要成分的合金。例如，可以舉出如下結構：包含矽的鋁膜的單層結構；在鋁膜上層疊鈦膜的雙層結構；在鎢膜上層疊鈦膜的雙層結構；在銅-鎂-鋁合金膜上層疊銅膜的雙層結構；在鈦膜或氮化鈦膜上層疊鋁膜或銅膜，在其上還形成鈦膜或氮化鈦膜的三層結構；以及在鉬膜或氮化鉬膜上層疊鋁膜或銅膜，在其上還形成鉬膜或氮化鉬膜的三層結構等。另外，可以使用包含氧化銦、氧化錫或氧化鋅的透明導電材料。
<<絕緣層106、107>>
絕緣層106較佳地使用所包含的氧多於滿足化學計量組成的氧的氧化物絕緣膜。所包含的氧多於滿足化學計量 組成的氧的氧化物絕緣膜中的一部分氧因加熱而脫離。所包含的氧多於滿足化學計量組成的氧的氧化物絕緣膜是指一種氧化物絕緣膜，其中當利用熱脫附譜分析法(TDS：Thermal Desorption Spectroscopy)進行分析時，換算為氧原子的氧的脫離量為1.0×1018atoms/cm3以上，較佳為3.0×1020atoms/cm3以上。
作為絕緣層106可以使用氧化矽、氧氮化矽等。
另外，絕緣層106還用作之後形成絕緣層107時的氧化物半導體層104的損傷緩和膜。
此外，也可以在絕緣層106和氧化物半導體層104之間設置使氧透過的氧化物膜。
作為使氧透過的氧化物膜，可以使用氧化矽、氧氮化矽等。注意，在本說明書中，“氧氮化矽膜”是指在其組成中氧含量多於氮含量的膜，而“氮氧化矽膜”是指在其組成中氮含量多於氧含量的膜。
作為絕緣層107可以使用具有對氧、氫、水等的阻擋效果的絕緣膜。藉由在絕緣層106上設置絕緣層107，可以防止氧從氧化物半導體層104擴散到外部以及氫、水等從外部侵入到氧化物半導體層104中。作為具有對氧、氫、水等的阻擋效果的絕緣膜，有氮化矽、氮氧化矽、氧化鋁、氧氮化鋁、氧化鎵、氧氮化鎵、氧化釔、氧氮化釔、氧化鉿、氧氮化鉿等。
<電晶體的製造方法例>
接著，說明圖10A和圖10B所例示的電晶體100的製造方法的一個例子。
首先，如圖11A所示，在基板101上形成閘極電極102，且在閘極電極102上形成絕緣層103。
在此，作為基板101使用玻璃基板。
<<閘極電極的形成>>
下面示出閘極電極102的形成方法。首先，藉由濺射法、CVD法、蒸鍍法等形成導電膜，且在導電膜上使用第一光遮罩並採用光微影製程形成光阻遮罩。接著，使用該光阻遮罩對導電膜的一部分進行蝕刻來形成閘極電極102。然後，去除光阻遮罩。
另外，可以採用電鍍法、印刷法、噴墨法等形成閘極電極102代替上述形成方法。
<<閘極絕緣層的形成>>
可以藉由濺射法、CVD法、蒸鍍法等形成絕緣層103。
當作為絕緣層103形成氧化矽膜、氧氮化矽膜或氮氧化矽膜時，作為原料氣體，較佳地使用包含矽的沉積氣體及氧化氣體。作為包含矽的沉積氣體的典型例子，可以舉出矽烷、乙矽烷、丙矽烷、氟化矽烷等。作為氧化氣體，可以舉出氧、臭氧、一氧化二氮、二氧化氮 等。
此外，當作為絕緣層103形成氮化矽膜時，較佳地使用兩個步驟的形成方法。首先，藉由將矽烷、氮和氨的混合氣體用作原料氣體的電漿CVD法形成缺陷少的第一氮化矽膜。接著，將原料氣體切換為矽烷及氮的混合氣體而形成氫濃度低且能夠阻擋氫的第二氮化矽膜。藉由採用這種形成方法，可以形成缺陷少且具有氫阻擋性的氮化矽膜作為絕緣層103。
此外，當作為絕緣層103形成氧化鎵膜時，可以藉由MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition：有機金屬化學氣相沉積)法形成。
<<氧化物半導體層的形成>>
接著，如圖11B所示，在絕緣層103上形成氧化物半導體層104。
下面示出氧化物半導體層104的形成方法。首先，藉由實施方式5所說明的方法形成氧化物半導體膜。接著，在氧化物半導體膜上使用第二光遮罩並採用光微影製程來形成光阻遮罩。接著，使用該光阻遮罩對氧化物半導體膜的一部分進行蝕刻來形成氧化物半導體層104。然後，去除光阻遮罩。
然後，也可以進行加熱處理。較佳的是在包含氧的氛圍下進行加熱處理。
雖然上述實施方式所公開的氧化物半導體層 可以利用濺射法形成，但是也可以利用例如熱CVD法等其他方法形成。作為熱CVD法的例子，可以舉出MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition：有機金屬化學氣相沉積)法或ALD(Atomic Layer Deposition：原子層沉積)法。
由於熱CVD法是不使用電漿的成膜方法，因此具有不產生因電漿損傷所引起的缺陷的優點。
可以以如下方法進行利用熱CVD法的成膜：將原料氣體及氧化劑同時供應到處理室內，將處理室內的壓力設定為大氣壓或減壓，使其在基板附近或在基板上發生反應並沉積。
另外，可以以如下方法進行利用ALD法的成膜：將處理室內的壓力設定為大氣壓或減壓，將用於反應的原料氣體依次引入處理室，並且按該順序反復地引入氣體。例如，藉由切換各開關閥(也稱為高速閥)來將兩種以上的原料氣體依次供應到處理室內，為了防止多種原料氣體混合，在引入第一原料氣體的同時或之後引入惰性氣體(氬或氮等)等，然後引入第二原料氣體。注意，當同時引入惰性氣體時，惰性氣體用作載子氣體，另外，可以在引入第二原料氣體的同時引入惰性氣體。另外，也可以利用真空抽氣將第一原料氣體排出來代替引入惰性氣體，然後引入第二原料氣體。第一原料氣體附著到基板表面形成第一層，之後引入的第二原料氣體與該第一層起反應，由此第二層層疊在第一層上而形成薄膜。藉由按該順序反 復多次地引入氣體直到獲得所希望的厚度為止，可以形成步階覆蓋性良好的薄膜。由於薄膜的厚度可以根據按順序反復引入氣體的次數來進行調節，因此，ALD法可以精確地調節厚度而適用於形成微型FET的情況。
例如，當藉由利用MOCVD的成膜裝置形成In-Ga-Zn-O膜時，使用三甲基銦、三甲基鎵及二甲基鋅。另外，三甲基銦的化學式為In(CH3)3。另外，三甲基鎵的化學式為Ga(CH3)3。另外，二乙基鋅的化學式為Zn(CH3)2。另外，不侷限於上述組合，也可以使用三乙基鎵(化學式為Ga(C2H5)3)代替三甲基鎵，並使用二乙基鋅(化學式為Zn(C2H5)2)代替二甲基鋅。
例如，在使用利用ALD的成膜裝置形成氧化物半導體層如In-Ga-Zn-O膜時，依次反復引入In(CH3)3氣體和O3氣體形成InO2層，然後同時引入Ga(CH3)3氣體和O3氣體形成GaO層，之後同時引入Zn(CH3)2氣體和O3氣體形成ZnO層。注意，這些層的順序不侷限於上述例子。此外，也可以混合這些氣體來形成混合化合物層如In-Ga-O層、In-Zn-O層、Ga-Zn-O層等。注意，雖然也可以使用利用Ar等惰性氣體進行鼓泡而得到的H2O氣體代替O3氣體，但是較佳地使用不包含H的O3氣體。另外，也可以使用In(C2H5)3氣體代替In(CH3)3氣體。此外，也可以使用Ga(C2H5)3氣體代替Ga(CH3)3氣體。另外，也可以使用Zn(CH3)2氣體。
<<一對電極的形成>>
接著，如圖11C所示，形成一對電極105a、105b。
下面示出一對電極105a、105b的形成方法。首先，藉由濺射法、CVD法、蒸鍍法等形成導電膜。接著，在該導電膜上使用第三光遮罩並採用光微影製程來形成光阻遮罩。接著，使用該光阻遮罩對導電膜的一部分進行蝕刻來形成一對電極105a、105b。然後，去除光阻遮罩。
另外，如圖11B所示，當對導電膜進行蝕刻時，氧化物半導體層104的頂面的一部分可能被蝕刻而薄膜化。由此，當形成氧化物半導體層104時，較佳的是預先將氧化物半導體膜的厚度設定得厚。
<<絕緣層的形成>>
接著，如圖11D所示，在氧化物半導體層104及一對電極105a、105b上形成絕緣層106，然後在絕緣層106上形成絕緣層107。
當作為絕緣層106形成氧化矽膜或氧氮化矽膜時，作為原料氣體，較佳地使用包含矽的沉積氣體及氧化氣體。作為包含矽的沉積氣體的典型例子，可以舉出矽烷、乙矽烷、丙矽烷、氟化矽烷等。作為氧化氣體，可以舉出氧、臭氧、一氧化二氮、二氧化氮等。
例如，將安裝在電漿CVD設備中的進行了真空排氣的處理室內的基板的溫度保持為180℃以上且260 ℃以下，較佳為200℃以上且240℃以下，將原料氣體導入處理室中並將處理室內的壓力設定為100Pa以上且250Pa以下，較佳地設定為100Pa以上且200Pa以下，並對設置在處理室內的電極供應高頻電力，即0.17W/cm2以上且0.5W/cm2以下、更佳為0.25W/cm2以上且0.35W/cm2以下，以上述條件形成氧化矽膜或氧氮化矽膜。
由於作為成膜條件，在施加有上述壓力的處理室中供應具有上述功率密度的高頻電力，因此電漿中的原料氣體的分解效率提高，氧自由基增加，且原料氣體進一步氧化，所以氧化物絕緣膜中的氧含量多於化學計量比。然而，在基板溫度是上述溫度的情況下，由於矽和氧的結合力低，因此一部分氧會因加熱而脫離。其結果是，可以形成一種氧化物絕緣膜，其包含的氧多於滿足化學計量組成的氧且一部分氧會因加熱而脫離。
此外，當在氧化物半導體層104和絕緣層106之間設置氧化物絕緣膜時，在絕緣層106的形成製程中，該氧化物絕緣膜成為氧化物半導體層104的保護膜。其結果是，可以在減少對氧化物半導體層104的損傷的同時使用功率密度高的高頻電力形成絕緣層106。
例如，將安裝在電漿CVD設備中的進行了真空排氣的處理室內的基板的溫度保持為180℃以上且400℃以下，較佳為200℃以上且370℃以下，將原料氣體導入處理室中並將處理室內的壓力設定為20Pa以上且250Pa以下，較佳地設定為100Pa以上且250Pa以下，並 對設置在處理室內的電極供應高頻電力，以上述條件可以形成氧化矽膜或氧氮化矽膜作為氧化物絕緣膜。此外，藉由使處理室的壓力為100Pa以上且250Pa以下，可以在形成該氧化物絕緣膜時減少對氧化物半導體層104的損傷。
作為氧化物絕緣膜的原料氣體，較佳地使用含有矽的沉積氣體及氧化氣體。作為包含矽的沉積氣體的典型例子，可以舉出矽烷、乙矽烷、丙矽烷、氟化矽烷等。作為氧化氣體，可以舉出氧、臭氧、一氧化二氮、二氧化氮等。
絕緣層107可以藉由濺射法或CVD法等形成。
當作為絕緣層107形成氮化矽膜或氮氧化矽膜時，作為原料氣體，較佳地使用包含矽的沉積氣體、氧化氣體及包含氮的氣體。作為包含矽的沉積氣體的典型例子，可以舉出矽烷、乙矽烷、丙矽烷、氟化矽烷等。作為氧化氣體，可以舉出氧、臭氧、一氧化二氮、二氧化氮等。作為包含氮的氣體有氮、氨等。
藉由上述製程，可以形成電晶體100。
<電晶體100的變形例>
下面說明其一部分與電晶體100不同的電晶體的結構例。
<<變形例1>>
圖12A示出下面所例示的電晶體110的剖面示意圖。電晶體110與電晶體100的不同之處是氧化物半導體層的結構。
電晶體110所包括的氧化物半導體層114是層疊氧化物半導體層114a和氧化物半導體層114b而構成的。
另外，因為有時氧化物半導體層114a和氧化物半導體層114b的邊界不清楚，所以在圖12A等圖式中，由虛線表示該邊界。
可以對氧化物半導體層114a和氧化物半導體層114b中的任一者或兩者應用本發明的一個方式的氧化物半導體膜。
例如，作為氧化物半導體層114a，典型地使用In-Ga類氧化物、In-Zn類氧化物、In-M-Zn類氧化物(M是Al、Ti、Ga、Y、Zr、La、Ce、Nd或Hf)。此外，當氧化物半導體層114a是In-M-Zn類氧化物時，In和M的原子數比率較佳為：In低於50at．%，M為50at．%以上，更佳為：In低於25at．%，M為75at．%以上。此外，作為氧化物半導體層114a例如使用其能隙為2eV以上，較佳為2.5eV以上，更佳為3eV以上的材料。
例如，氧化物半導體層114b包含In或Ga，典型的是In-Ga類氧化物、In-Zn類氧化物、In-M-Zn類氧化物(M是Al、Ti、Ga、Y、Zr、La、Ce、Nd或Hf)， 並且與氧化物半導體層114a相比，氧化物半導體層114b的導帶底端的能量較接近於真空能階，典型的是，氧化物半導體層114b的導帶底端的能量與氧化物半導體層114a的導帶底端的能量之間的差異較佳為0.05eV以上、0.07eV以上、0.1eV以上或0.15eV以上，且2eV以下、1eV以下、0.5eV以下或0.4eV以下。
例如，當氧化物半導體層114b是In-M-Zn類氧化物時，In和M的原子數比率較佳為：In為25atomic%以上，M低於75atomic%，更佳為：In為34atomic%以上，M低於66atomic%。
例如，作為氧化物半導體層114a可以使用原子數比為In：Ga：Zn=1：1：1或3：1：2的In-Ga-Zn類氧化物。此外，作為氧化物半導體層114b可以使用原子數比為In：Ga：Zn=1：3：2、1：6：4或1：9：6的In-Ga-Zn類氧化物。此外，氧化物半導體層114a及氧化物半導體層114b的原子數比分別包括上述原子數比的±20%的變動的誤差。
藉由使用用作穩定劑的Ga的含量多的氧化物作為設置在上層的氧化物半導體層114b，可以抑制氧從氧化物半導體層114a及氧化物半導體層114b被釋放。
另外，本發明不侷限於此，可以根據所需要的電晶體的半導體特性及電特性(場效移動率、臨界電壓等)而使用具有適當的組成的氧化物。此外，氧化物半導體層114a、氧化物半導體層114b較佳地採用適當的載子 密度、雜質濃度、缺陷密度、金屬元素和氧之間的原子數比、原子間距離、密度等，以得到所需要的電晶體的半導體特性。
另外，雖然在上述記載中，作為氧化物半導體層114例示了層疊兩個氧化物半導體層的結構，但是也可以採用層疊三個以上的氧化物半導體層的結構。
<<變形例2>>
圖12B示出下面所例示的電晶體120的剖面示意圖。電晶體120與電晶體100及電晶體110不同之處是氧化物半導體層的結構。
按順序層疊氧化物半導體層124a、氧化物半導體層124b和氧化物半導體層124c來構成電晶體120所具備的氧化物半導體層124。
氧化物半導體層124a及氧化物半導體層124b層疊設置在絕緣層103上。此外，以與氧化物半導體層124b的頂面以及一對電極105a、105b的頂面及側面接觸的方式設置氧化物半導體層124c。
可以對氧化物半導體層124a、氧化物半導體層124b、氧化物半導體層124c中的任一個、任兩個或全部應用實施方式5所說明的氧化物半導體膜。
例如，作為氧化物半導體層124b可以使用與上述變形例1所例示的氧化物半導體層114a相同的結構。此外，例如作為氧化物半導體層124a、124c，可以使 用與上述變形例1所例示的氧化物半導體層114b相同的結構。
例如，藉由使用用作穩定劑的Ga的含量多的氧化物作為設置在氧化物半導體層124b的下層的氧化物半導體層124a及設置在氧化物半導體層124b的上層的氧化物半導體層124c，可以抑制氧從氧化物半導體層124a、氧化物半導體層124b及氧化物半導體層124c被釋放。
此外，藉由當主要在氧化物半導體層124b上形成通道時，作為氧化物半導體層124b使用In的含量多的氧化物，並以與氧化物半導體層124b接觸的方式設置一對電極105a、105b，可以增大電晶體120的通態電流(on-state currrent)。
<電晶體的其他結構例>
下面說明能夠應用本發明的一個方式的氧化物半導體膜的頂閘極型電晶體的結構例。
注意，在下面的與上述結構相同的結構或具有與上述結構相同的功能的構成要素中使用同一符號而省略重複的說明。
<<結構例>>
圖13A示出下面所例示的頂閘極型電晶體150的剖面示意圖。
電晶體150包括：設置有絕緣層151的基板101上所設置的氧化物半導體層104；與氧化物半導體層104的頂面接觸的一對電極105a、105b；氧化物半導體層104、設置在一對電極105a、105b上的絕緣層103；以及在絕緣層103上與氧化物半導體層104重疊設置的閘極電極102。此外，以覆蓋絕緣層103及閘極電極102的方式設置有絕緣層152。
可以對電晶體150的氧化物半導體層104應用實施方式5所說明的氧化物半導體膜。
絕緣層151具有抑制雜質從基板101擴散到氧化物半導體層104的功能。例如，可以採用與上述絕緣層107相同的結構。另外，如果不需要則可以不設置絕緣層151。
與上述絕緣層107同樣，作為絕緣層152可以應用具有對氧、氫、水等的阻擋效果的絕緣膜。另外，如果不需要則可以不設置絕緣層152。
<<變形例>>
下面說明其一部分與電晶體150不同的電晶體的結構例。
圖13B示出下面所例示的電晶體160的剖面示意圖。電晶體160與電晶體150不同之處是氧化物半導體層的結構。
按順序層疊氧化物半導體層164a、氧化物半 導體層164b和氧化物半導體層164c來構成電晶體160所具備的氧化物半導體層164。
可以對氧化物半導體層164a、氧化物半導體層164b、氧化物半導體層164c中的任一個、任兩個或全部應用本發明的一個方式的氧化物半導體膜。
例如，作為氧化物半導體層164b可以使用與上述變形例1所例示的氧化物半導體層114a相同的結構。此外，例如作為氧化物半導體層164a、164c，可以使用與上述變形例1所例示的氧化物半導體層114b相同的結構。
例如，藉由使用用作穩定劑的Ga的含量多的氧化物作為設置在氧化物半導體層164b的下層的氧化物半導體層164a及設置在氧化物半導體層164b的上層的氧化物半導體層164c，可以抑制氧從氧化物半導體層164a、氧化物半導體層164b及氧化物半導體層164c被釋放。
在此，在形成氧化物半導體層164時，當藉由蝕刻加工氧化物半導體層164c和氧化物半導體層164b來使成為氧化物半導體層164a的氧化物半導體膜露出，然後藉由乾蝕刻法加工該氧化物半導體膜來形成氧化物半導體層164a時，該氧化物半導體膜的反應生成物再次附著到氧化物半導體層164b及氧化物半導體層164c的側面從而有時會形成側壁保護層(也可以稱為兔耳(rabbit ear))。另外，該反應生成物也可以會因濺射現象而再 次附著或藉由乾蝕刻時的電漿再次附著。
圖13C示出如上所述那樣在氧化物半導體層164的側面形成側壁保護層164d時的電晶體160的剖面示意圖。
側壁保護層164d主要包括與氧化物半導體層164a相同的材料。此外，側壁保護層164d有時包含設置在氧化物半導體層164a的下層的層(在此，絕緣層151)的成分(例如，矽)。
此外，如圖13C所示，藉由由側壁保護層164d覆蓋氧化物半導體層164b的側面來防止氧化物半導體層164b與一對電極105a、105b接觸，尤其當主要在氧化物半導體層164b中形成通道時，可以抑制電晶體關閉時的不希望的洩漏電流來實現具有優良的關閉特性的電晶體。此外，藉由使用用作穩定劑的Ga含量多的材料作為側壁保護層164d，可以有效地抑制氧從氧化物半導體層164b的側面脫離來實現電特性的穩定性高的電晶體。
本實施方式可以與本說明書所記載的其他實施方式適當地組合而實施。
實施方式7
在本實施方式中，參照圖14A、圖14B及圖15說明作為輸入單元的觸摸感測器(觸摸檢測裝置)與顯示部重疊設置的觸控面板的結構。在下面的說明中有時省略與上述實施方式重複的內容。
圖14A是本實施方式所例示的觸控面板400的透視示意圖。為了明確起見，圖14A和圖14B只示出典型結構要素。圖14B是將觸控面板400展開後的透視示意圖。
圖15示出沿著圖14A所示的觸控面板400的X1-X2的剖面圖。
觸控面板400包括夾在第一基板401與第二基板402之間的顯示部411以及夾在第二基板402與第三基板403之間的觸摸感測器430。
在第一基板401上具備顯示部411及與顯示部411電連接的多個佈線406。多個佈線406被引至第一基板401的週邊部，且其一部分構成外部連接電極405。外部連接電極405與FPC404電連接。
<觸摸感測器>
在第三基板403上具備觸摸感測器430、與觸摸感測器430電連接的多個佈線417。觸摸感測器430設置在第三基板403的與第二基板402對置的表面一側。此外，多個佈線417被引至第三基板403的週邊部，且其一部分構成用來與FPC415電連接的外部連接電極416。另外，為了明確起見，在圖14B中由實線示出設置在第三基板403的背面一側(紙面的裡面一側)的觸摸感測器430的電極或佈線等。
雖然在本實施方式中示出應用投影型靜電電 容式觸摸感測器的例子，但是不侷限於此。可以應用檢測出手指等檢測目標從與設置有顯示元件一側相反的一側接近或接觸的感測器。
作為觸摸感測器較佳地使用靜電電容式觸摸感測器。作為靜電電容式觸摸感測器，有表面型靜電電容式、投影型靜電電容式等，並且作為投影型靜電電容式，主要有自電容式、互電容式等，它們根據驅動方式的差異區分。較佳地使用互電容式，因為可以進行同時多點檢測。
以下說明應用投影型靜電電容式觸摸感測器的情況。
圖14B所示的觸摸感測器430是投影型靜電電容式觸摸感測器的一個例子。觸摸感測器430包括電極421及電極422。電極421及電極422分別與多個佈線417中的任一個電連接。
在此，如圖14A、圖14B所示，電極422的形狀是多個四邊形在一個方向上連續的形狀。此外，電極421的形狀是四邊形，在與電極422延伸的方向交叉的方向上排成一列的多個電極421分別藉由佈線432電連接。此時，較佳的是以電極422和佈線432的交叉部的面積儘量小的方式進行配置。藉由配置為這種形狀，可以減少沒有設置電極的區域的面積，且還可以減少根據該電極的有無產生的穿透率差異所導致的穿過觸摸感測器430的光的亮度不均勻。
另外，電極421、電極422的形狀不侷限於此而可以採用各種形狀。例如，也可以以儘量不產生空隙的方式配置多個電極421，並隔著絕緣層以能形成不與電極421重疊的區域的方式相離設置多個電極422。此時，藉由在相鄰的兩個電極422之間設置與它們電絕緣的虛擬電極，可以減少穿透率不同的區域的面積，所以是較佳的。
參照圖15說明觸摸感測器430的結構。
在第二基板402上設置有觸摸感測器。在觸摸感測器中在第三基板403的一個表面上隔著絕緣層424設置有感測器層440，且感測器層440隔著黏合層434與第二基板402貼合。
在第三基板403上形成感測器層440，然後使用黏合層434使第二基板402與感測器層440貼合。藉由上述方法，在顯示面板上重疊地設置觸摸感測器，而可以製造觸控面板。
絕緣層424例如可以使用氧化矽等氧化物。與絕緣層424接觸地設置有具有透光性的電極421及電極422。在形成在第三基板403上的絕緣層424上藉由濺射法形成導電膜，然後藉由光微影法等公知的構圖技術去除不需要的部分來形成電極421及電極422。作為透光導電材料，可以使用氧化銦、銦錫氧化物、銦鋅氧化物、氧化鋅、添加有鎵的氧化鋅等導電氧化物。
佈線438電連接到電極421或電極422。將佈線438的一部分用作與FPC415電連接的外部連接電極。 作為佈線438例如使用金屬材料諸如鋁、金、鉑、銀、鎳、鈦、鎢、鉻、鉬、鐵、鈷、銅或鈀等或者包含該金屬材料的合金材料。
將多個電極422設置為在一個方向上延伸的條狀。此外，以夾住一條電極422的方式設置一對電極421，並且將它們電連接的佈線432與電極422交叉地設置。在此，藉由佈線432電連接的多個電極421不一定需要與一條電極422正交地設置，它們所成的角度也可以小於90°。
此外，也可以以覆蓋電極421及電極422的方式設置有絕緣層433。作為用於絕緣層433的材料，除了丙烯酸樹脂、環氧樹脂等樹脂、具有矽氧烷鍵的樹脂之外，例如還可以使用氧化矽、氧氮化矽、氧化鋁等無機絕緣材料。另外，在絕緣層433中設置有到達電極421的開口部，並且設置有與電極421電連接的佈線432。較佳的是作為佈線432使用與電極421及電極422同樣的透光導電材料，因此觸控面板的孔徑比提高。此外，作為佈線432也可以使用與電極421及電極422相同的材料，而且較佳地使用導電性更高的材料。
此外，也可以設置有覆蓋絕緣層433及佈線432的絕緣層。該絕緣層可以用作保護層。
此外，在絕緣層433(及用作保護層的絕緣層)中設置有到達佈線438的開口，且由設置在開口中的連接層439使FPC415與佈線438電連接。作為連接層 439可以使用公知的各向異性導電薄膜(ACF：Anisotropic Conductive Film)或各向異性導電膏(ACP：Anisotropic Conductive Paste)等。
用來黏合感測器層440和第二基板402的黏合層434較佳地具有透光性。例如，可以使用熱固性樹脂或紫外線硬化性樹脂，明確而言，可以使用丙烯酸樹脂、聚氨酯樹脂、環氧樹脂或具有矽氧烷鍵的樹脂等的樹脂。
<顯示部>
顯示部411包括具有多個像素的像素部413。作為可以應用於顯示部411的像素部413的顯示元件，除了有機EL元件、液晶元件以外也可以使用利用電泳方式、電子粉流體方式等進行顯示的顯示元件等各種顯示元件。
以下說明對顯示元件應用液晶元件的情況。
液晶431在被夾在第一基板401與第二基板402之間的狀態下由密封材料436密封。此外，以包圍切換元件層437及濾色片層435的方式設置有密封材料436。
作為密封材料436，可以使用熱固性樹脂、紫外線硬化性樹脂或者有機樹脂諸如丙烯酸樹脂、聚氨酯樹脂、環氧樹脂或具有矽氧烷鍵的樹脂等。此外，密封材料436可以由包含低熔點玻璃的玻璃粉形成。另外，密封材料436可以組合上述有機樹脂和玻璃粉而形成。例如，藉由與液晶431接觸地設置上述有機樹脂，並在其外側設置玻璃粉，可以抑制水等從外部混入到液晶中。
顯示部411包括源極驅動電路412s及閘極驅動電路412g，且在第一基板401與第二基板402之間與液晶431一起密封。
在圖14B中示出源極驅動電路412s逐個配置在像素部413的兩側，即一共有兩個的結構，但是也可以採用一個源極驅動電路412s沿著像素部413的一個邊配置的結構。
切換元件層437設置在第一基板401上(參照圖15)。切換元件層437至少包括電晶體，除了電晶體之外還可以包括電容元件等元件。此外，切換元件層437除了驅動電路(閘極驅動電路、源極驅動電路)等電路以外還可以包括佈線或電極等。
在第二基板402的一個表面上設置有濾色片層435。濾色片層435包括與液晶元件重疊的濾色片。藉由在濾色片層435中設置R(紅色)、G(綠色)、B(藍色)的三種濾色片，可以製造全彩色的液晶面板。
例如，濾色片層435使用包含顏料的感光材料並藉由光微影製程形成。此外，作為濾色片層435也可以在不同顏色的濾色片之間設置黑矩陣。此外，也可以設置覆蓋濾色片及黑矩陣的保護層。
此外，根據所使用的液晶元件的結構，也可以在濾色片層435上形成液晶元件的一個電極。此外，該電極成為在後面形成的液晶元件的一部分。另外，也可以在該電極上設置有配向膜。
以夾著液晶431的方式設置有一對偏光板445。明確而言，一對偏光板445設置在第一基板401及第三基板403上。
作為偏光板445使用公知的偏光板即可，並使用能夠由自然光或圓偏振光形成線性偏振光的材料。例如，可以使用在一定方向上一致地配置雙色物質(dichroic substance)來得到光學各向異性的材料。例如，藉由使聚乙烯醇等薄膜吸附碘類化合物並使該薄膜在一個方向上延伸來製造偏光板445。注意，作為雙色物質，除了碘類化合物之外還可以使用染料類化合物等。作為偏光板445可以使用膜狀、薄膜狀、薄片狀或板狀材料。
本實施方式可以與本說明所記載的其他實施方式適當地組合而實施。
實施方式8
在本實施方式中，說明本發明的一個方式的電子裝置。明確而言，參照圖16A至圖16C說明具有本發明的一個方式的顯示裝置的電子裝置。
作為應用顯示裝置的電子裝置，例如可以舉出電腦、數位相機、數位攝影機、數位相框、行動電話機(也稱為行動電話、行動電話裝置)、可攜式資訊終端、音頻再生裝置等。圖16A至圖16C示出這些電子裝置的具體例。
圖16A示出電腦，該電腦包括主體7201、外殼7202、顯示部7203、鍵盤7204、外部連接埠7205、指向裝置7206等。此外，電腦在顯示部7203中顯示算術裝置所處理的結果。
圖16B示出行動電話機的一個例子。行動電話機7400除了組裝在外殼7401中的顯示部7402之外還具備操作按鈕7403、外部連接埠7404、揚聲器7405、麥克風7406等。此外，行動電話機7400在顯示部7402中顯示算術裝置所處理的結果。
圖16B所示的行動電話機7400可以用手指等觸摸顯示部7402來輸入資訊。另外，可以用手指等觸摸顯示部7402來進行打電話或編寫電子郵件等的操作。
顯示部7402主要有三種畫面模式。第一模式是主要用於顯示影像的顯示模式。第二模式是主要用於輸入文字等資訊的輸入模式。第三模式是混合顯示模式和輸入模式這兩種模式的顯示和輸入模式。
例如，在打電話或編寫電子郵件的情況下，可以使顯示部7402切換為以文字的輸入為主的文字輸入模式，並輸入在畫面上顯示的文字。在此情況下，較佳的是在顯示部7402的畫面的大部分中顯示鍵盤或號碼按鈕。
另外，藉由在行動電話機7400內部設置具有陀螺儀和加速度感測器等檢測傾斜度的感測器的檢測裝置來判斷行動電話機7400的方向(縱向或橫向)，從而可 以對顯示部7402的畫面顯示進行自動切換。
此外，藉由觸摸顯示部7402或對外殼7401的操作按鈕7403進行操作，來進行畫面模式的切換。此外，可以根據顯示在顯示部7402上的影像的種類而切換畫面模式。例如，當顯示在顯示部上的影像信號為動態影像的資料時，將畫面模式切換成顯示模式，而當顯示在顯示部上的影像信號為文本資料時，將畫面模式切換成輸入模式。
另外，當在輸入模式下藉由檢測出顯示部7402的光感測器所檢測的信號而得知在一定期間內沒有顯示部7402的觸摸操作輸入時，也可以進行控制以將畫面模式從輸入模式切換成顯示模式。
也可以將顯示部7402用作影像感測器。例如，藉由用手掌或手指觸摸顯示部7402，來拍攝掌紋、指紋等，可以進行個人識別。另外，藉由在顯示部中使用發射近紅外光的背光或發射近紅外光的感測用光源，也可以拍攝手指靜脈、手掌靜脈等。
圖16C示出折疊式電腦的一個例子。折疊式電腦7450具備由鉸鏈7454連接的外殼7451L和外殼7451R。另外，除了操作按鈕7453、左側揚聲器7455L及右側揚聲器7455R之外，在電腦7450的側面還具備有未圖示的外部連接埠7456。此外，藉由以設置在外殼7451L中的顯示部7452L和設置在外殼7451R中的顯示部7452R彼此相對的方式折疊鉸鏈7454，可以由外殼保護顯示 部。
顯示部7452L和顯示部7452R不但可以顯示影像，而且可以藉由用手指等觸摸它們來輸入資訊。例如，可以藉由用手指觸摸而選擇表示已安裝的程式的圖示來啟動程式。或者，可以藉由改變接觸於所顯示的影像的兩個部分的手指的間隔來放大或縮小影像。另外，可以藉由移動接觸於所顯示的影像的一個部分的手指來移動影像。此外，也可以藉由使它們顯示鍵盤的影像從而用手指觸摸而選擇所顯示的文字或記號，來輸入資訊。
另外，也可以將陀螺儀、加速度感測器、GPS(Global Positioning System：全球定位系統)接收器、指紋感測器、攝影機安裝在電腦7450中。例如，藉由設置具有陀螺儀、加速度感測器等檢測傾斜度的感測器的檢測裝置，判斷電腦7450的方向(縱向或橫向)，而可以自動切換所顯示的影像的方向。
另外，電腦7450可以與網路連接。電腦7450不但可以顯示網際網路上的資訊，而且可以用作遙控與網路連接的其他電子裝置的終端。
注意，本實施方式可以與本說明書所示的其他實施方式適當地組合。
610‧‧‧控制部
611‧‧‧饋通校正電路
612‧‧‧極性決定電路
615_C‧‧‧二次控制信號
615_V‧‧‧二次影像信號
625_C‧‧‧一次控制信號
625_V‧‧‧一次影像信號
630‧‧‧顯示部
631‧‧‧像素部
631p‧‧‧像素
632‧‧‧G驅動電路
632_G‧‧‧G信號
633‧‧‧S驅動電路
633_S‧‧‧S信號
634‧‧‧像素電路
635‧‧‧顯示元件
640‧‧‧顯示裝置
650‧‧‧光供應部

Claims (16)

  1. 一種顯示裝置，包括：包括具有顯示元件及電晶體的像素的顯示部；以及由一次影像信號生成二次影像信號且將該二次影像信號供應到該顯示部的控制部，其中，該控制部校正該一次影像信號以便抵消因該電晶體的寄生電容導致的饋通其中，該二次影像信號的振幅相當於該被校正的一次影像信號的電位與參考電位之間的差異，並且其中，該控制部決定該二次影像信號相對於該參考電位的極性。
  2. 根據申請專利範圍第1項之顯示裝置，其中，該顯示元件是液晶顯示元件。
  3. 根據申請專利範圍第1項之顯示裝置，其中，該控制部基於該饋通量校正該一次影像信號，該饋通量藉由計算來預測或者從基於包括在該一次影像信號中的灰階資訊的經驗資料算出。
  4. 根據申請專利範圍第1項之顯示裝置，其中，該電晶體包括氧化物半導體層。
  5. 一種資訊處理裝置，包括算術裝置、輸入單元及根據申請專利範圍第1項之顯示裝置。
  6. 一種顯示裝置，包括：包括第一驅動電路、第一信號線、第二驅動電路、第二信號線以及具有顯示元件及電晶體的像素的顯示部；以 及包括饋通校正電路及極性決定電路的控制部，其中，該顯示元件包括第一電極及第二電極，其中，該電晶體的源極和汲極中的一個電連接於該第一電極，其中，該第一信號線電連接於該第一驅動電路及該電晶體的源極和汲極中的另一個，其中，該第二信號線電連接於該第二驅動電路及該電晶體的閘極，其中，該饋通校正電路校正一次影像信號以便抵消因該電晶體的寄生電容導致的饋通且將二次影像信號供應到該第一驅動電路，其中，該二次影像信號的振幅相當於該被校正的一次影像信號的電位與參考電位之間的差異，並且其中，該極性決定電路決定該二次影像信號相對於該參考電位的極性。
  7. 根據申請專利範圍第6項之顯示裝置，其中，該顯示元件是液晶顯示元件。
  8. 根據申請專利範圍第6項之顯示裝置，其中，該控制部將控制信號供應到該第二驅動電路，其中，該控制信號包括用來在第一模式和第二模式之間切換該顯示裝置的顯示模式的模式切換信號，其中，該第二驅動電路在該第一模式中以60Hz以上且低於960Hz的頻率輸出用來選擇該像素的信號，並且 其中，該第二驅動電路在該第二模式中以0.28mHz以上且低於1Hz的頻率輸出用來選擇該像素的該信號。
  9. 根據申請專利範圍第6項之顯示裝置，其中，該第二驅動電路將驅動信號輸出到該第二信號線，並且其中，當藉由該極性決定電路決定的該二次影像信號的該極性為正時，藉由將具有從使用公式(1)表示之函數算出之VS1的振幅之信號的饋通△V1加上該一次影像信號的電位，且當藉由該極性決定電路決定的該二次影像信號的該極性為負時，藉由將具有從使用公式(2)表示之函數算出之VS2的振幅之信號的饋通△2加上該一次影像信號的該電位，由此，該饋通校正電路生成該二次影像信號，△V 1=f (VgH-Vsc-VS1-Vth) (1) △V 2=f (VgH-Vsc+VS2-Vth) (2)其中，VgH表示該驅動信號的高電位，Vsc表示該參考電位，且Vth表示該電晶體的臨界電壓，並且其中，VS1和VS2為當未執行該饋通校正時從該第一驅動電路輸出到該第一信號線的信號的振幅。
  10. 根據申請專利範圍第6項之顯示裝置，其中，該電晶體包括氧化物半導體層。
  11. 一種資訊處理裝置，包括算術裝置、輸入單元及 根據申請專利範圍第6項之顯示裝置。
  12. 一種顯示裝置的驅動方法，該顯示裝置包括控制部及顯示部的，該顯示部包括第一驅動電路、第一信號線、第二驅動電路、第二信號線以及具有顯示元件及電晶體的像素，該方法包括如下步驟：將一次影像信號輸入到該控制部；由該一次影像信號生成二次影像信號；以及將該二次影像信號供應到該第一驅動電路，其中，該顯示元件的第一電極藉由該電晶體及該第一信號線電連接於該第一驅動電路，其中，該顯示元件的第二電極被供應參考電位，其中，該控制部校正該一次影像信號以便抵消因該電晶體的寄生電容產生的饋通，其中，該二次影像信號的振幅相當於該被校正的一次影像信號的電位與該參考電位之間的差異，並且其中，該二次影像信號相對於該參考電位的極性按每個圖框被反轉。
  13. 根據申請專利範圍第12項之顯示裝置的驅動方法，還包括該控制部將控制信號供應到該第二驅動電路的步驟，其中，該控制信號包括在第一模式和第二模式之間切換該顯示裝置的顯示模式的模式切換信號， 其中，該第二驅動電路在該第一模式中以60Hz以上且低於960Hz的頻率輸出用來選擇該像素的信號，並且其中，該第二驅動電路在該第二模式中以0.28mHz以上且低於1Hz的頻率輸出用來選擇該像素的該信號。
  14. 根據申請專利範圍第12項之顯示裝置的驅動方法，其中，當該二次影像信號相對於該參考電位的該極性為正時，藉由將具有從使用公式(1)表示之函數算出之VS1的振幅之信號的饋通△V1加上該一次影像信號的該電位，且當該二次影像信號相對於該參考電位的該極性為負時，藉由將具有從使用公式(2)表示之函數算出之VS2的振幅之信號的饋通△V2加上該一次影像信號的該電位，由此，該控制部生成該二次影像信號，△V 1=f (VgH-Vsc-VS1-Vth) (1) △V 2=f (VgH-Vsc+VS2-Vth) (2)其中，VgH表示供應到該電晶體的閘極的驅動信號的高電位，Vsc表示該參考電位，且Vth表示該電晶體的臨界電壓，並且其中，VS1和VS2為當未執行該饋通校正時從該第一驅動電路輸出到該第一信號線的信號的振幅。
  15. 根據申請專利範圍第12項之顯示裝置的驅動方法，其中，在該顯示部中顯示靜態影像的期間，該控制部 校正該一次影像信號，使得與該極性為正時相比，該極性為負時該二次影像信號的該振幅更小。
  16. 根據申請專利範圍第12項之顯示裝置的驅動方法，其中，該電晶體包括氧化物半導體層。
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