TWI652606B

TWI652606B - Input device

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Publication number: TWI652606B
Application number: TW107103582A
Authority: TW
Inventors: 本西道治; 小林潔
Original assignee: 日商阿爾普士電氣股份有限公司
Priority date: 2017-06-29
Filing date: 2018-02-01
Publication date: 2019-03-01
Also published as: JP6831913B2; EP3647918B1; WO2019003732A1; TW201905659A; JPWO2019003732A1; KR20200012925A; KR102325850B1; CN110678829A; US11284520B2; US20200073497A1; EP3647918A4; CN110678829B; EP3647918A1

Abstract

[課題]提供一種能夠將被形成於感測器部與光學層之間之氣泡的區域縮窄之輸入裝置。　　[解決手段]本發明之其中一種態樣之輸入裝置，係具備有感測器部、和與感測器部相重疊之光學層、以及使連接區域被挾持在光學層與支持基材之間之可撓性配線基板。可撓性配線基板，係具備有被設置有電極層之可撓性基材、和身為電極層之端部並以藉由導電性接合構件而與端子部作導通的方式而被作連接之配線端部。藉由使此配線端部之位置較可撓性基材之端的位置而更加後退，在可撓性基材處係被形成有朝偵測區域側突出之突出部分。輸入裝置，係具備有導電性接合構件並未較此突出部分之前端而更超出至偵測區域側處之部分。

Description

輸入裝置

本發明，係有關於輸入裝置，特別是有關於具備有將手指等所作了接近的位置偵測出來之觸控感測器的輸入裝置。

作為輸入裝置而多所被利用之觸控面板，係具備有將手指等對於檢測區域而作了接近(以下，定義為在接近中為包含有接觸者)的位置檢測出來之觸控感測器。例如，在相互電容方式之觸控面板中，係被設置有驅動側之電極和輸出側之電極，並對於驅動側之電極賦予驅動脈衝，而藉由輸出側之電極來偵測出起因於手指等之接近所導致的電容變化。

在觸控面板之最表面處，係被設置有表面面板，其係在將畫像清晰地作顯示的同時，亦用以保護觸控面板以免受到手指等之接觸所造成的損傷。觸控感測器，係被配置在表面面板與液晶等之顯示裝置之間，並藉由OCA(Optical Clear Adhesive)等之透光性樹脂而被貼附在表面面板以及顯示裝置上。又，在觸控感測器與表面面板之間，係會有被設置有偏光薄膜等之光學層的情況。

在專利文獻1中，係揭示有一體型觸碰偏光板以及包含有此之觸控面板。此觸控面板，係具備有一體性觸碰偏光板，該一體性觸碰偏光板，係包含有：於上面具備有傳導性層之第1傳導性薄膜、和在傳導性層上所具備的第1接著劑層、以及在第1接著劑層上所具備的偏光板。

在專利文獻2中，係揭示有輸入裝置及其製造方法。此輸入裝置，係具備有：透光性之透明基材、和被設置在透明基材之其中一面之輸入區域處的透明電極層、和包圍輸入區域並在所位置之非輸入區域處而被與透明電極層作電性連接所被設置的導出電極。而，在此輸入裝置之製造方法中，係在相對向之透明基材與表面構件之間的空間中注入樹脂，以防止在表面構件與光學黏著層之間的氣泡之產生。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2011-081810號公報　　[專利文獻2]日本特開2012-190087號公報

[發明所欲解決之課題]

在身為觸控面板之輸入裝置中，為了得到觸控感測器之與透光性電極之間的導通，係直到觸控感測器之基材的緣部為止地而延伸存在有配線圖案。在此配線圖案之端部處，係被設置有端子部，在此端子部處，係被連接有可撓性基板之電極層。

在將此種可撓性基板與觸控感測器之基材作連接時，為了得到充分的連接強度，係會有將可撓性基板之連接區域挾入至基材與光學層之間的情況。於此情況，光學層係成為跨上至與基材作連接之可撓性基板之連接區域之上，並在光學層處產生基於可撓性基板之厚度所導致的階差。以下，將此階差稱作光學層之階差。起因於此光學層之階差，在光學層與基材之間係產生有空間，並作為氣泡而被觀察到。此氣泡，係會依存於光學性之角度而發生干涉，或者是在高溫環境下發生體積膨脹而使光學層變形，此些情形，係可能會成為外觀不良的原因。

為了防止此空間(氣泡)之產生，係進行有將樹脂注入至空間中的處理，但是，係成為需要進行樹脂注入之工程，並成為導致製造工程數量之增加。又，雖然亦有以就算是發生有起因於氣泡所導致的外觀不良也不會使其之影響波及到透光性電極所被作配置之偵測區域內的方式，來在氣泡所位置之區域與偵測區域之端部之間設置緩衝區域的情況，但是，由於當氣泡之區域為大時，會成為亦有需要確保更大的緩衝區域，因此，係會變得難以達成近年來之想要將偵測區域之周圍的區域(在此區域處係被配置有導出配線)之寬幅縮窄的要求。故而，從使起因於氣泡所導致的各種問題成為難以發生的觀點來看，將氣泡之區域盡可能地縮窄一事，係成為其中一種最為理想之對策。

本發明之目的，係在於提供一種能夠將被形成於感測器部與光學層之間之氣泡的區域縮窄之輸入裝置。 [用以解決課題之手段]

為了解決上述課題，本發明之其中一種態樣，係為一種輸入裝置，其係具備有：感測器部，係具有支持基材、和被設置在支持基材之第1面上的偵測區域處之透光性電極部、以及與透光性電極部相導通並被設置在支持基材之第1面上之偵測區域之外側處的端子部；和光學層，係在第1方向上而與感測器部相重疊；和可撓性配線基板，係具備有被與端子部作連接之連接區域，並使連接區域被挾持於光學層與支持基材之間。

在此輸入裝置中，可撓性配線基板，係具備有被設置有電極層之可撓性基材、和身為電極層之端部並在連接區域處以藉由導電性接合構件而與端子部作導通的方式而被作連接之配線端部。藉由使此配線端部之位置較可撓性基材之偵測區域側之端的位置而更加後退，在可撓性基材處係被形成有並未被層積有電極層並較配線端部而更朝偵測區域側突出之突出部分。而，輸入裝置，係具備有導電性接合構件並未較突出部分之前端而更超出至偵測區域側處之部分。

若依據此種構成，則在導電性接合構件之並未超出之部分處，係能夠從可撓性基材之突出部分起朝向偵測區域側而進行光學層之階差吸收。藉由此，係能夠將起因於光學層之階差而被形成的氣泡之區域的長度縮窄。

在上述輸入裝置中，係亦可構成為：較突出部分而更朝向偵測區域側作了超出的導電性接合構件之從第1面起之高度，係為突出部分之從第1面起之高度以下。藉由此，就算是身為從可撓性基材之突出部分起的導電性接合構件所超出之部分，亦能夠從突出部分之前端起朝向偵測區域側而進行光學層之階差吸收。

在上述輸入裝置中，係亦可構成為：係更進而具備有被設置在透光性電極部與光學層之間之保護層，將保護層與光學層作固定之接著層，係以一直配置至保護層之主面的外周端部處為止的方式而被作設置。藉由此，氣泡係成為位置在較保護層而更外側處，而能夠將氣泡區域的長度縮窄。

在上述輸入裝置中，係亦可構成為：保護層之厚度的相對於突出部分之從第1面起之高度的比例，係為0.2以上。由於若是保護層之厚度為越厚則在光學層處所產生的階差係變得越小，因此係為理想。若是僅基於將此階差縮小的觀點來看，則上述之比例係以越接近1為越理想，其結果，保護層之厚度係以厚為理想，但是，若是保護層之厚度變得過厚，則由於作為輸入裝置(觸控面板)之彎折性係會降低，因此，現實而言，係以15μm程度為上限，又以10μm以下為理想。

在上述輸入裝置中，係亦可構成為：突出部分，係以在所突出之方向上而接近支持基材側的方式，而被作設置。藉由此，由於突出部分係朝向前端(朝向偵測區域側)而逐漸下降，因此，相較於突出部分並不作下降的情況，係能夠將光學層之階差吸收的開始點設為外側。

在上述輸入裝置中，係亦可構成為：在從第1方向來作了觀察時，導電性接合構件，係並未較突出部分之前端而更超出至偵測區域側處。藉由此，可撓性基材之偵測區域側的端部係全部成為突出部分，而能夠有效地進行光學層之階差吸收。

上述輸入裝置，係亦可構成為：係更進而具備有將在從第1方向來作了觀察時為位置在偵測區域之外側處的周邊區域作覆蓋之裝飾層。被設置有裝飾層之區域，係成為不可視區域，不可視區域之內側的區域，係成為視覺辨認區域。上述輸入裝置，係亦可在操作面(手指等之操作體所接近之面)側處被設置有表面構件(表面面板)。 [發明之效果]

若依據本發明，則係成為可提供一種能夠將被形成於感測器部與光學層之間之氣泡的區域縮窄之輸入裝置。

以下，根據圖面，對於本發明之實施形態作說明。另外，在以下之說明中，對於相同之構件，係附加相同之元件符號，針對已作過說明的構件，係適宜省略其說明。

(輸入裝置之構成) 　　圖1，係為對於本實施形態的輸入裝置作例示之分解立體圖。　　圖2，係為對於本實施形態的輸入裝置作例示之示意平面圖。在圖2中，係展示有輸入裝置1中之可撓性配線基板40的連接部分之示意平面圖。　　圖3，係為對於本實施形態的輸入裝置作例示之示意剖面圖。在圖3中，係展示有輸入裝置1中之可撓性配線基板40的連接部分之示意剖面圖。另外，為了方便說明，在圖3中，係並未對於顯示裝置100作標示。

如同圖1中所示一般，本實施形態之輸入裝置1，係具備有例如身為靜電電容式之觸控感測器的感測器部10、和在第1方向D1上而與感測器部10作重疊之表面面板(表面基材)20、和被設置在感測器部10與表面面板20之間之光學層30、以及被與感測器部10作連接之可撓性配線基板40。輸入裝置1，例如係為觸控面板。輸入裝置1，係被安裝在液晶等之顯示裝置100之上。

感測器部10，係根據當手指等接近了偵測區域SA之處的情況時之靜電電容之變化，而進行位置檢測。感測器部10，係具備有支持基材15、和身為被設置在支持基材15之第1面15a上的偵測區域SA處之透光性電極部的第1電極11以及第2電極12。支持基材15，係藉由PET(Polyethylene Terephthalate)、COP(環烯烴聚合物)、COC(環烯烴共聚物)等之具有透光性的可撓性薄膜、丙烯酸樹脂、PC(聚碳酸酯樹脂)等之硬質之透光性板材等，而被形成。

第1電極11，係在沿著支持基材15之表面的其中一個方向(例如，X方向)上而延伸存在，第2電極12，係在沿著支持基材15之表面的與其中一個方向相正交之方向(例如，Y方向)上而延伸存在。第1電極11以及第2電極12，係相互被絕緣。在本實施形態中，係於Y方向上以特定之節距而被配置有複數之第1電極11，並於X方向上以特定之節距而被配置有複數之第2電極12。

構成第1電極11以及第2電極12的電極之圖案，係存在有各種圖案，但是，在本實施形態中，第1電極11以及第2電極12之各者，係具備有複數之島狀電極部。各島狀電極部，例如係具備有接近於菱形之形狀。

第1電極11以及第2電極12，由於係被設置在與偵測區域SA相重疊之位置處，因此，係以能夠使藉由顯示裝置100所顯示之畫像透過的方式而具備有透光性。因此，在第1電極11以及第2電極12處，係使用有透光性導電材料(ITO(Indium Tin Oxide)、SnO ₂、ZnO、導電性奈米材料、被形成為網格狀之金属材料)。

在支持基材15之身為偵測區域SA之外側的周邊區域EA處，係被設置有端子部155。將第1電極11以及第2電極12作導通之導出圖案150，係延伸存在於周邊區域EA處，並被與端子部155作連接。端子部155，係在可撓性配線基板40的連接區域CA處而被與配線端部455作連接。

在第1電極11、第2電極12以及導出圖案150之上，係被設置有保護層50。保護層50，係為覆蓋薄膜，並被設置在第1電極11、第2電極12以及導出圖案150與光學層30之間。

在感測器部10之上(被形成有第1電極11以及第2電極12之側)，係被設置有用以保護感測器部10之表面面板20。表面面板20，係為由玻璃或塑膠所成之具備有透光性之薄板狀的構件。

被設置在感測器部10與表面面板20之間之光學層30，例如係身為偏光板、1/4λ相位差板、或者是將此些作了層積的光學調整基材。光學層30，係成為薄膜狀。光學層30，較理想，係藉由與支持基材15相同之材料(PET(Polyethylene Terephthalate：聚對苯二甲酸乙二酯)、COP(Cyclo Olefin Polymer：環烯烴聚合物)、COC(Cyclo Olefin Copolymer：環烯烴共聚物)等之具有透光性的可撓性薄膜、丙烯酸樹脂、PC(聚碳酸酯樹脂)等之硬質之透光性板材等)，而被形成。光學層30，係藉由接著劑35而被貼附在感測器部10之上。

可撓性配線基板40的連接區域CA，係被挾持在光學層30之例如端部與支持基材15之間。藉由使可撓性配線基板40的連接區域CA被挾持在光學層30與支持基材15之間，來將在使可撓性配線基板40作了彎折的情況時之起因於對於支持基材15所施加的應力而導致之負載減輕，並對於支持基材15之破損及可撓性配線基板40之剝離作抑制。

在將可撓性配線基板40的連接區域CA挾持在光學層30之例如端部與支持基材15之間的構成中，係以使薄膜狀之光學層30之端部跨上至可撓性配線基板40之上的方式而被作固定。光學層30，係成為以將起因於可撓性配線基板40之厚度所產生的階差作吸收的方式而被貼附在感測器部10之上。起因於此階差，在光學層30與感測器部10之間之較可撓性配線基板40之端部而更靠偵測區域SA側處，係產生有空間(氣泡區域A)。

可撓性配線基板40，係具備有被設置有電極層45之可撓性基材41。在可撓性基材41處，係使用有聚醯亞胺等之具備有可撓性之薄膜基材。可撓性配線基板40，係成為在表面側之可撓性基材41與背面側之可撓性基材42之間挾持有電極層45之構造。

配線端部455，係身為電極層45之端部。配線端部455，係並未被背面側之可撓性基材42所覆蓋。配線端部455，係在連接區域CA處以藉由導電性接合構件80而作導通的方式，而被與端子部155作連接。在導電性接合構件80處，係使用有向異性導電接著劑。藉由將導電性接合構件80挾持於可撓性配線基板40之配線端部455與支持基材15之端子部155之間並進行加熱壓著，係能夠得到配線端部455與端子部155之間的導通。

在表面面板20與光學層30之間，係作為接著層而被設置有接著樹脂層70。在接著樹脂層70處，係使用有OCA(Optical Clear Adhesive)等之透光性樹脂。又，在周邊區域EA處之光學層30的表面面板20側處，係被設置有裝飾層60。裝飾層60，例如，係被設置在表面面板20之背面處。藉由將身為偵測區域SA之外側的周邊區域EA以裝飾層60來作覆蓋，係能夠成為使導出圖案150和可撓性配線基板40不會被視覺辨認到。從更為安定地確保被設置在周邊區域EA處之導出圖案150之不可視性的觀點來看，係如同圖3中所示一般，會有將裝飾層60之內側的端部設置在較周邊區域EA之偵測區域SA側之端部而更靠內側處的情況。於此情況，如同圖3中所示一般，從D1方向來看，被設置有裝飾層60之區域，係成為不可視區域DA，視覺辨認區域VA係位置在不可視區域DA之內側處。

於此，作為非限定性之例示，來對於各構成構件之厚度作展示。可撓性基材41之厚度係為約10μm～25μm，較理想係為約10μm～15μm，電極層45之厚度，係為約12μm～25μm，典型性而言係為約20μm，可撓性基材42之厚度係為約30μm，導電性接合構件80之厚度係為約3μm～10μm，光學層30之厚度係為約150μm，接著劑35之厚度係為約10μm～20μm，保護層50之厚度係為約5μm～15μm。故而，光學層30係被安裝在約30μm～40μm程度的階差之上，在此階差之部分處係成為產生氣泡區域A。

在此種輸入裝置1中，配線端部455之位置係較可撓性基材41處之偵測區域SA側之端的位置而更加後退。藉由此，在可撓性基材41處，係被形成有並未被層積有電極層45並較配線端部455而更朝偵測區域SA側突出之突出部分411。在本實施形態中，係具備有導電性接合構件80並未較此突出部分411之前端411a而更超出至偵測區域SA側處之部分RA。

藉由具備有如同上述一般之導電性接合構件80之並未超出之部分RA，係能夠從可撓性基材41之突出部分411起朝向偵測區域SA側而有效地進行光學層30之階差吸收。具體而言，將保護層50與光學層30作固定之接著劑35，係一直配置至保護層50之主面的外周端部處為止，保護層50之主面的外周端部係成為氣泡區域A之偵測區域SA側的端部。

其結果，由於氣泡區域A之長度係變窄，因此周邊區域EA之寬幅係縮窄，而成為能夠將偵測區域SA之面積擴廣。由於若是周邊區域EA之寬幅變窄則不可視區域DA之寬幅也會變窄，因此，係能夠將視覺辨認區域VA擴廣，並成為能夠容易地達成所謂的窄邊框(將不可視區域DA之寬幅縮窄並將視覺辨認區域VA一直擴廣至輸入裝置1之端部近旁為止)之要求。

圖4，係為對於導電性接合構件之並未超出的部分之狀態作例示之示意平面圖。在圖4中，係展示有將配線端部455之部分作了擴大的示意平面圖。

在將可撓性配線基板40作連接的情況時，係藉由將導電性接合構件80挾持於配線端部455與端子部155之間並進行加熱壓著，來進行導通以及接著，但是，在進行此壓著時，導電性接合構件80係被壓潰並逐漸擴展至周圍。

擴展至偵測區域SA側處之導電性接合構件80，係成為進入至可撓性基材41之突出部分411與端子部155之間的空間中。此空間(突出部分411與端子部155之間的區域)，係身為能夠收容導電性接合構件80之區域。藉由使導電性接合構件80不僅是進入至配線端部455與端子部155之間而亦進入至此空間中，係能夠將可撓性配線基板40之連接強度提高。

又，藉由存在有此收容區域一事，作了擴展的導電性接合構件80之偵測區域SA側之前端80a，係不會從可撓性基材41之突出部分411的偵測區域SA側之前端411a起而超出。藉由此，係成為被設置有在較突出部分411之前端411a而更靠偵測區域SA側處而導電性接合構件80並未超出之部分RA。

藉由使導電性接合構件80並不較突出部分411之前端411a而更加超出，係能夠將氣泡區域A之長度縮窄。若是能夠將氣泡區域A之長度縮窄，則由於係能夠將用以吸收光學層30之階差的長度縮短，因此，相應於此，係能夠將偵測區域SA擴廣。另外，如同在圖3中所示一般，在偵測區域SA之外側的端部與氣泡區域A之內側的端部之間，係被設置有特定之長度的區域。此區域，係為就算是產生有起因於氣泡所導致之外觀不良也能夠防止該影響波及偵測區域SA內的緩衝區域BA，藉由將氣泡區域A之長度縮窄，係亦能夠將緩衝區域BA之長度縮窄。

圖5(a)以及(b)，係為對於其他例作展示之示意剖面圖。在圖5(a)中，係展示有輸入裝置1中之可撓性配線基板40的連接部分之示意剖面圖。另外，為了方便說明，在圖5(a)中，係並未對於顯示裝置100作標示。又，在圖5(b)中，係展示有將突出部分411之周邊作了擴大的示意剖面圖。　　圖6，係為對於在其他例中之導電性接合構件之並未超出的部分之狀態作例示之示意平面圖。在圖6中，係展示有將配線端部455之部分作了擴大的示意平面圖。

先前所作了說明的導電性接合構件80之並未超出之部分RA之狀態，係為涵蓋可撓性基材41之寬幅方向全部區域地而被設置有並未超出之部分RA，但是，在圖5以及圖6所示之其他例中，係成為在可撓性基材41之寬幅方向之一部分處被設置有並未超出之部分RA的構成。

導電性接合構件80之並未超出之部分RA，係以涵蓋可撓性基材41之寬幅方向之全部區域地而被作設置為理想，但是，就算是僅為一部分，也能夠得到可將氣泡區域A之長度縮窄的效果。另外，為了得到能夠將氣泡區域A之長度縮短的效果，係只要在可撓性基材41之寬幅方向的約80％以上之區域處被設置有導電性接合構件80之並未超出之部分RA即可。

又，如同圖5(b)中所示一般，就算是在可撓性基材41之寬幅方向的一部分處，導電性接合構件80為較突出部分411而更朝向偵測區域SA側作了超出，在導電性接合構件80之作了超出的部分之最上方之位置處的從第1面15a起之高度h1，係成為突出部分411之上面的從第1面15a起之高度h2以下。藉由此，從可撓性基材41之突出部分411起而導電性接合構件80所超出之部分，係並不會與光學層30相接觸，而並不會成為光學層30之階差吸收的阻礙。另外，就算是在可撓性基材41之全部區域處，導電性接合構件80為較突出部分411而更朝向偵測區域SA側作了超出，當導電性接合構件80之作了超出的部分之上述高度h1為較突出部分411之上面的高度h2而更低的情況時，導電性接合構件80之作了超出的部分係並不會對於光學層30之階差吸收造成影響，其結果，係會有能夠將氣泡區域A之長度縮窄的情況。

於此，針對比較例作說明。　　圖7，係為對於比較例作展示之示意剖面圖。在圖7中，係展示有比較例之輸入裝置2中之可撓性配線基板40的連接部分之示意剖面圖。另外，為了方便說明，在圖7中，係並未對於顯示裝置100作標示。　　圖8，係為對於在比較例中之導電性接合構件作了超出的狀態作例示之示意平面圖。在圖8中，係展示有將配線端部455之部分作了擴大的示意平面圖。

在比較例之輸入裝置2中，可撓性配線基板40之配線端部455係幾乎並未從可撓性基材41之偵測區域SA側之端起而作任何的後退。因此，電極層45係一直被設置至可撓性基材41之偵測區域SA側處，而並無法藉由可撓性基材41與端子部155之間的區域來完全地收容導電性接合構件80。

故而，在可撓性配線基板40之連接中，在將導電性接合構件80挾持於配線端部455與端子部155之間並進行加熱壓著時，擴展至偵測區域SA側處的導電性接合構件80，係成為從可撓性基材41起而超出至偵測區域SA側處。起因於導電性接合構件80作了超出一事，作了超出的部分係成為按壓光學層30，光學層30之階差吸收範圍係變長。若是有必要將階差吸收範圍設定為長，則相應於此，係成為對於偵測區域SA造成壓迫，並成為將偵測區域SA擴廣之阻礙。

另一方面，如同本實施形態一般，藉由存在有導電性接合構件80並未較突出部分411之前端411a而更超出至偵測區域SA側處之部分RA，係能夠將光學層30之階差吸收範圍縮短，而成為能夠將偵測區域SA擴廣。

圖9，係為針對保護層之厚度作說明之示意剖面圖。在圖9中，係展示有輸入裝置1中之可撓性配線基板40的連接部分之示意剖面圖。另外，為了方便說明，在圖9中，係並未對於顯示裝置100作標示。

在輸入裝置1中，係能夠藉由保護層50之厚度來對於起因於可撓性配線基板40所產生的階差之大小作調整。例如，係亦可將保護層50之厚度t1的相對於突出部分411之上面的從第1面15a起之高度h2的比例，設為0.2以上。由於若是保護層50之厚度t1為越厚則在光學層30處所產生的階差係變得越小，因此係為理想。亦即是，若是僅基於將此階差縮小的觀點來看，則上述之比例係以越接近1為越理想，其結果，保護層50之厚度t1係以厚為理想。但是，若是保護層50之厚度變得過厚，則作為輸入裝置1之彎折性係會降低。因此，保護層50之厚度t1，現實而言，係以15μm程度為上限，又以10μm以下為理想。

圖10，係為對於突出部分之其他例作展示之示意剖面圖。在圖10中，係展示有輸入裝置1中之可撓性配線基板40的連接部分之示意剖面圖。另外，為了方便說明，在圖10中，係並未對於顯示裝置100作標示。

圖10中所示之突出部分411，係以在所突出之方向上而接近支持基材15側的方式，而被作設置。可撓性基材41，係藉由具備有可撓性之聚醯亞胺等之樹脂材料所形成。在突出部分411處，係並未重疊有電極層45和背面側之可撓性基材42。故而，係能夠藉由可撓性基材41之可撓性，來將突出部分411以朝向前端(朝向偵測區域SA側)而逐漸下降的方式來作設置。

若是如此這般地使突出部分411朝向前端而逐漸下降，則相較於突出部分411並不作下降的情況，係能夠將光學層30之階差吸收的開始點設為外側(從偵測區域SA而離開之側)。故而，係能夠將氣泡區域A之長度更進一步縮短，其結果，係成為能夠將偵測區域SA擴廣。

如同以上所作了說明一般，若依據本實施形態，則係成為可提供一種能夠將被形成於感測器部10與光學層30之間之氣泡區域A縮窄並將偵測區域SA擴廣之輸入裝置1。

另外，雖係於上而對於本實施形態作了說明，但是，本發明係並非為被限定於此些之例者。例如，同業者所對於前述之各實施形態而適宜進行了構成要素之追加、削除、設計變更者，或者是將各實施形態之特徵作了適宜組合者，只要是具備有本發明之要旨內容，則係亦被包含於本發明之範圍內。

例如，在上述之輸入裝置1中，雖係以覆蓋光學層30的方式來配置表面面板20，但是，係並不被限定於此。亦可將表面面板20配置在感測器部10之支持基材15側處。

在上述之說明中，輸入裝置1，雖係在具備有感測器部10以及光學層30並且藉由此些來挾持可撓性配線基板40所構成的層積體上，與裝飾層60一同地而進而重疊表面面板20，而構成之，但是，本發明之其中一個實施形態之輸入裝置，係亦可為並不具備有裝飾層60或表面面板20之構成。於此情況，輸入裝置，係具備有感測器部10、和與感測器部10相重疊之光學層30、以及使連接區域CA被挾持在支持基材15與光學層30之間之可撓性配線基板40，並因應於需要，而在感測器部10之與光學層30相對向之側處更進而具備有保護層50。

1、2：輸入裝置 10：感測器部 11：第1電極 12：第2電極 15：支持基材 15a：第1面 20：表面面板 30：光學層 35：接著劑 40：可撓性配線基板 41、42：可撓性基材 45：電極層 50：保護層 60：裝飾層 70：接著樹脂層 80：導電性接合構件 80a：前端 100：顯示裝置 150：導出圖案 155：端子部 411：突出部分 411a：前端 455：配線端部 A：氣泡區域 BA：緩衝區域 CA：連接區域 D1：第1方向 DA：不可視區域 EA：周邊區域 RA：未超出部分 SA：偵測區域 VA：視覺辨認區域 h1、h2：高度 t1：厚度

[圖1]係為對於本實施形態的輸入裝置作例示之分解立體圖。　　[圖2]係為對於本實施形態的輸入裝置作例示之示意平面圖。　　[圖3]係為對於本實施形態的輸入裝置作例示之示意剖面圖。　　[圖4]係為對於導電性接合構件之並未超出的部分之狀態作例示之示意平面圖。　　[圖5](a)以及(b)，係為對於其他例作展示之示意剖面圖。　　[圖6]係為對於在其他例中之導電性接合構件之並未超出的部分之狀態作例示之示意平面圖。　　[圖7]係為對於比較例作展示之示意剖面圖。　　[圖8]係為對於在比較例中之導電性接合構件作了超出的狀態作例示之示意平面圖。　　[圖9]係為針對保護層之厚度作說明之示意剖面圖。　　[圖10]係為對於突出部分之其他例作展示之示意剖面圖。

Claims

一種輸入裝置，係具備有：感測器部，係具有支持基材、和被設置在前述支持基材之第1面上的偵測區域處之透光性電極部、以及與前述透光性電極部相導通並被設置在前述支持基材之前述第1面上之前述偵測區域之外側處的端子部；和薄膜狀之光學層，係在第1方向上而與前述感測器部相重疊；和可撓性配線基板，係具備有被與前述端子部作連接之連接區域，並使前述連接區域被挾持於前述光學層與前述支持基材之間，該輸入裝置，其特徵為：前述可撓性配線基板，係具備有：可撓性基材，係被設置有電極層；和配線端部，係身為前述電極層之端部，並以在前述連接區域處藉由導電性接合構件而與前述端子部作導通的方式而被作連接，藉由使前述配線端部之位置較前述可撓性基材之前述偵測區域側之端的位置而更加後退，在前述可撓性基材處係被形成有並未被層積有前述電極層並較前述配線端部而更朝前述偵測區域側突出之突出部分，係具備有前述導電性接合構件並未較前述突出部分之前端而更朝向前述偵測區域側超出之部分，其中，係更進而具備有被設置在前述透光性電極部與前述光學層之間之保護層，將前述保護層與前述光學層作固定之接著層，係一直配置至前述保護層之主面的外周端部處為止。
如申請專利範圍第1項所記載之輸入裝置，其中，較前述突出部分而更朝向前述偵測區域側作了超出的前述導電性接合構件之從前述第1面起之高度，係為前述突出部分之從前述第1面起之高度以下。
如申請專利範圍第1項或第2項所記載之輸入裝置，其中，前述保護層之厚度的相對於前述突出部分之從前述第1面起之高度的比例，係為0.2以上。
如申請專利範圍第1項或第2項所記載之輸入裝置，其中，前述突出部分，係以在所突出之方向上而接近前述支持基材側的方式，而被作設置。
如申請專利範圍第1項或第2項所記載之輸入裝置，其中，在從前述第1方向來作了觀察時，前述導電性接合構件，係並未較前述突出部分之前端而更超出至前述偵測區域側處。
如申請專利範圍第3項所記載之輸入裝置，其中，前述保護層之厚度的相對於前述突出部分之從前述第1面起之高度的比例，係較1更小。
如申請專利範圍第6項所記載之輸入裝置，其中，前述保護層之厚度係為15μm以下。
如申請專利範圍第6項所記載之輸入裝置，其中，前述保護層之厚度係為10μm以下。
如申請專利範圍第1項或第2項所記載之輸入裝置，其中，前述光學層係為光學調整基材。
如申請專利範圍第9項所記載之輸入裝置，其中，前述光學調整基材，係具備有偏光板、1/4λ相位差板之其中一者，或者是此些之層積體。