TW201812797A - 導電性膜的製造方法、導電性膜、觸控面板感測器及觸控面板 - Google Patents

Abstract

本發明的課題在於提供一種能夠簡單製造具備線寬較細且向基板的密合性優異之金屬細線的導電性膜的製造方法。並且，本發明的課題還在於提供一種導電性膜、觸控面板感測器及觸控面板。本發明的導電性膜的製造方法依次具有：在基板的至少一側的主面上形成第一金屬膜之步驟；在第一金屬膜上形成作為主要成分含有與第一金屬膜的主要成分不同的成分之第二金屬膜之步驟；在第二金屬膜上形成在形成有金屬細線之區域具備線寬為2.0μm以下之開口部之光阻膜之步驟；形成第三金屬膜之步驟；去除光阻膜之步驟；將第三金屬膜作為遮罩，使用第二蝕刻液去除第二金屬膜之步驟；及將第三金屬膜作為遮罩，使用第一蝕刻液去除第一金屬膜之步驟。

Description

導電性膜的製造方法、導電性膜、觸控面板感測器及觸控面板

本發明係有關一種導電性膜的製造方法、導電性膜、觸控面板感測器及觸控面板。

在基板上配置有由金屬細線構成之導電部之導電性膜在各種用途中使用。例如，近年來，隨著觸控面板向行動電話或便攜遊戲機器等的搭載率的提升，作為能夠進行多點檢測之靜電容量方式的觸控面板感測器用，導電性膜的需要急速擴大。

在使用具備觸控面板之顯示器之情況下，使用者可從距顯示器數十釐米的距離看見顯示器。此時，為了不被使用者辨別金屬細線，需要更加細化金屬細線的線寬。 一般而言，線寬較細的金屬細線與基板的密合性較差，為了改善該問題，提出在基板與金屬細線之間設置具有進一步提高兩者的密合性之作用之層之導電性膜。

作為如上述的導電性膜，在專利文獻1中記載有一種在透明薄膜基板的至少一側的面上具備由金屬細線圖案構成之透明電極層之透明導電性膜，其中，金屬細線從透明薄膜基板側依次具備第一金屬層及與第一金屬層相接之第二金屬層，在透明薄膜基板與第一金屬層之間具備以Ni為主要成分之基底金屬層，基底金屬層與第一金屬層相接。並且，專利文獻1中還記載有透明導電性膜的製造方法。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]：國際公開第2014/156489號

本發明者對專利文獻1中記載之透明導電性膜的製造方法進行研究之結果明確了若要形成線寬更細的金屬細線，則發生所形成之金屬細線容易從基板剝離之問題、或者形成金屬細線時實施之蝕刻時成為金屬細線的金屬膜消失之問題。

本發明的課題在於提供一種導電性膜的製造方法，該方法能夠簡單製造具備線寬較細且向基板的密合性優異之金屬細線之導電性膜。 並且，本發明的課題在於還提供一種導電性膜、觸控面板感測器及觸控面板。

本發明者為實現上述課題進行深入研究之結果，發現能夠藉由以下結構實現上述課題。

[1]一種導電性膜的製造方法，該導電性膜具備：基板；及導電部，其配置在基板的至少一側的主面上，且由金屬細線構成，其中，該製造方法依次具有：在基板的至少一側的主面上形成第一金屬膜之步驟；在第一金屬膜上形成作為主要成分含有與第一金屬膜的主要成分不同的成分之第二金屬膜之步驟；在第二金屬膜上形成在形成有金屬細線之區域具備開口部之光阻膜之步驟；藉由電鍍法在開口部內且二金屬膜上形成第三金屬膜之步驟；去除光阻膜之步驟；將第三金屬膜作為遮罩，使用第二蝕刻液去除第二金屬膜之步驟；及將第三金屬膜作為遮罩，使用與第二蝕刻液不同的第一蝕刻液去除第一金屬膜之步驟，且開口部的線寬為2.0μm以下。 [2]如[1]所述之導電性膜的製造方法，其中，第二金屬膜含有銅或其合金。 [3]如[1]或[2]所述之導電性膜的製造方法，其中，第一金屬膜含有鉻或其合金。 [4]如[1]至[3]中任一項所述之導電性膜的製造方法，其中，第三金屬膜含有銅或其合金。 [5]如[1]至[4]中任一項所述之導電性膜的製造方法，其中，第一金屬膜的厚度小於20nm。 [6]如[1]至[5]中任一項所述之導電性膜的製造方法，其中，開口部的線寬為1.5μm以下。 [7]如[1]至[6]中任一項所述之導電性膜的製造方法，其中，第二蝕刻液對第二金屬膜之蝕刻速率為每分鐘300nm以下。 [8]如[1]至[7]中任一項所述之導電性膜的製造方法，其中，第一蝕刻液對第一金屬膜之蝕刻速率為每分鐘200nm以下。 [9]如[1]至[8]中任一項所述之導電性膜的製造方法，其中，第二蝕刻液對第一金屬膜之蝕刻速率相對於第二蝕刻液對第二金屬膜之蝕刻速率之比為0.0005以下。 [10]一種導電性膜，其具備：基板；及導電部，其配置在基板的至少一側的主面上，且由金屬細線構成，該導電性膜中，金屬細線從基板側依次具備：第一金屬層；第二金屬層，其作為主要成分含有與第一金屬層的主要成分不同的成分；及第三金屬層，且金屬細線的線寬為2.0μm以下，第二金屬層的線寬相對於第一金屬層的線寬之比超過1.0，且小於1.3。 [11]如[10]所述之導電性膜，其中，第二金屬層含有銅或其合金。 [12]如[10]或[11]所述之導電性膜，其中，第一金屬層含有鉻或其合金。 [13]如[10]至[12]中任一項所述之導電性膜，其中，第三金屬層含有銅或其合金。 [14]如[10]至[13]中任一項所述之導電性膜，其中，第一金屬層的厚度為20nm以下。 [15]如[10]至[14]中任一項所述之導電性膜，其中，金屬細線的線寬為1.5μm以下。 [16]一種觸控面板感測器，其含有[10]至[15]中任一項所述之導電性膜。 [17]一種觸控面板，其含有[16]所述之觸控面板感測器。 [發明效果]

依本發明，能夠提供一種導電性膜的製造方法，該方法能夠簡單製造具備線寬較細且向基板的密合性優異之金屬細線之導電性膜。 並且，依本發明，還能夠提供一種導電性膜、觸控面板感測器及觸控面板。

以下，對本發明進行詳細說明。 以下所記載之構成要件的說明依據本發明的代表性實施態樣完成，但本發明並不限定於這種實施態樣。 另外，在本說明書中，使用“～”表示之數值範圍是指將記載於“～”前後之數值作為下限值及上限值包含之範圍。 並且，本說明書中之“光化射線”或“放射線”是指例如汞燈的明線光譜及準分子雷射光所代表之遠紫外線、極紫外線（EUV：Extreme ultraviolet）、X射線及電子束等。並且，在本說明書中，光是指光化射線及放射線。本說明書中之“曝光”只要並無特別限定，則不僅是基於汞燈、準分子雷射光、遠紫外線、X射線及EUV等之曝光，還包含基於電子束及離子束等粒子束之描繪。

作為本發明的導電性膜的製造方法的特徵點，可舉出製造線寬較細之金屬細線時，使用兩種蝕刻液去除規定的金屬膜（第一金屬膜及第二金屬膜）之點。如後述，欲利用專利文獻1中記載之由一種蝕刻液去除基底金屬層與第一金屬膜之方法形成線寬較細的金屬細線，則會在蝕刻中發生金屬細線的剝離和/或金屬膜的消失，而無法獲得所希望的金屬細線。因此，藉由使用兩種蝕刻液階段性地去除規定的金屬膜，能夠簡單製造所希望的金屬細線。

以下，首先，對本發明的實施形態之導電性膜的製造方法進行說明，之後對本發明的實施形態之導電性膜進行說明。

[導電性膜的製造方法] 導電性膜的製造方法依如下順序具有以下步驟。 （1）在基板的至少一側的主面上形成第一金屬膜之步驟（第一金屬膜形成步驟） （2）在第一金屬膜上形成第二金屬膜之步驟（第二金屬膜形成步驟） （3）在第二金屬膜上形成在形成有金屬細線之區域具備開口部之光阻膜之步驟（光阻膜形成步驟） （4）藉由電鍍法，在開口部內且第二金屬膜上形成第三金屬膜之步驟（第三金屬膜形成步驟） （5）去除光阻膜之步驟（光阻膜去除步驟） （6）將第三金屬膜作為遮罩，使用第二蝕刻液去除第二金屬膜之步驟（第二金屬膜去除步驟） （7）將第三金屬膜作為遮罩，使用第一蝕刻液去除第一金屬膜之步驟（第一金屬膜去除步驟） 以下，對上述各步驟的步驟進行詳細說明。

[第一金屬膜形成步驟] 第一金屬膜形成步驟係在基板的至少一側的主面上形成第一金屬膜之步驟。具體而言，如圖1A所示，藉由實施本步驟，在基板101上形成第一金屬膜11。 如後述，藉由在第一金屬膜11實施蝕刻處理，獲得第一金屬層。第一金屬層作為基底金屬層（基底密合層）發揮作用。

[基板] 只要基板101係具有主面，且支撐導電部者，則對其種類並無特別限定。作為基板101，具有撓性之基板為較佳，具有撓性之絕緣基板更為佳。具體而言，樹脂基板為較佳。

作為基板101，可見光（波長400～800nm）的光透射率為60%以上為較佳，80%以上更為佳，90%以上為進一步較佳，95%以上尤為佳。

作為構成樹脂基板之材料，例如可舉出聚醚碸系樹脂、聚丙烯系樹脂、聚胺酯系樹脂、聚酯系樹脂（聚對苯二甲酸乙酯及聚萘二甲酸乙二醇酯等）、聚碳酸酯系樹脂、聚碸系樹脂、聚醯胺系樹脂、聚芳酯系樹脂、聚烯烴系樹脂、纖維素系樹脂、聚氯乙烯系樹脂及環烯烴系樹脂等。其中，從具有更優異之光學特性之方面而言，環烯烴系樹脂為較佳。 作為基板101的厚度，並無特別限定，但從操作性及薄型化的平衡的方面而言，0.05～2mm為較佳，0.1～1mm更為佳。 並且，基板101可為複層結構，例如亦可以作為其中一層含有功能性薄膜。另外，基板自身亦可以為功能性薄膜。

[第一金屬膜] 作為第一金屬膜11中含有之金屬並無特別限定，能夠使用公知的金屬。 第一金屬膜11例如可含有銅、鉻、鉛、鎳、金、銀、錫及鋅等金屬以及該些金屬的合金。 作為第一金屬膜11中所含之主要成分，例如可舉出銅、鉻、鉛、鎳、金、銀、錫及鋅等。另外，上述主要成分是指在第一金屬膜11中所含之金屬中，含量（質量）最大之金屬。 其中，從作為第一金屬層的基底金屬層的功能更優異之方面而言，第一金屬膜11含有鉻或其合金為較佳。並且，從作為第一金屬層的基底金屬層的功能更優異之方面而言，第一金屬膜11的主要成分係鉻為較佳。

作為構成第一金屬膜11中的主要成分之金屬的含量並無特別限定，但一般而言，55質量%以上為較佳，70質量%以上更為佳。

作為第一金屬膜11的厚度並無特別限定，但一般50nm以下為較佳，小於20nm為進一步較佳，15nm以下更為佳。 作為第一金屬膜11的厚度的下限值並無特別限定，但一般3nm以上為較佳。 若第一金屬膜11的厚度小於20nm，則導電性膜所具備之金屬細線具有更優異之向基板的密合性。

作為第一金屬膜11的形成方法並無特別限定，能夠利用公知的形成方法。其中，從容易形成具有更細緻的結構之層之方面而言，濺射法或蒸鍍法為較佳。

[第二金屬膜形成步驟] 第二金屬膜形成步驟係在第一金屬膜上形成作為主要成分含有與第一金屬膜的主要成分不同的成分之第二金屬膜之步驟。具體而言，如圖1B所示，藉由實施本步驟，在第一金屬膜11上形成第二金屬膜12。 如後述，第二金屬膜12作為電鍍法時的晶種層發揮作用。並且，藉由對第二金屬膜12實施蝕刻處理，獲得第二金屬層。

若第二金屬膜12作為主要成分含有與第一金屬膜11的主要成分不同的成分，則能夠使用公知的金屬。例如，第一金屬膜11作為主要成分含有鉻之情況下，第二金屬膜12作為主要成分含有除鉻以外的成分（例如銅）。 第二金屬膜12例如可含有銅、鉻、鉛、鎳、金、銀、錫及鋅等金屬以及該些金屬的合金。 作為第二金屬膜12所含之主要成分，例如可舉出銅、鉻、鉛、鎳、金、銀、錫及鋅等。另外，上述主要成分表示第二金屬膜12中所含之金屬中，含量（質量）最大之金屬。 其中，從與構成後述之第三金屬層之材料的親和性更優異之方面而言，第二金屬膜12的主要成分與後述之第三金屬膜的主要成分相同為較佳。 從作為第二金屬膜12的晶種層的功能更優異之方面而言，第二金屬膜12含有銅或其合金為較佳。並且，從作為第二金屬膜12的晶種層的功能更優異之方面而言，第二金屬膜12的主要成分係銅為較佳。

作為構成第二金屬膜12中的主要成分之金屬的含量並無特別限定，但一般80質量%以上為較佳，90質量%以上更為佳。

作為第二金屬膜12的厚度並無特別限定，但一般300nm以下為較佳。作為第二金屬膜12的厚度的下限值並無特別限定，但一般30nm以上為較佳。

作為第二金屬膜12的形成方法並無特別限定，能夠利用公知的形成方法，但是，其中從容易形成更細緻的結構之層之方面而言，濺射法或蒸鍍法為較佳。

[光阻膜形成步驟] 光阻膜形成步驟係形成在形成有金屬細線之區域具備開口部之光阻膜之步驟。具體而言，如圖1C所示，藉由實施本步驟，在第二金屬膜12上形成光阻膜20。

光阻膜20在形成有金屬細線之區域具備開口部21。 光阻膜20中之開口部21的區域能夠配合欲配置金屬細線之區域進行適當調整。例如，欲形成配置成網格狀之金屬細線之情況下，形成具有網格狀開口部之光阻膜。另外，通常，開口部配合金屬細線形成為細線狀。 上述開口部的線寬W為2.0μm以下。上述線寬W為1.5μm以下為較佳，1.0μm以下更為佳。藉由將開口部的線寬W設為2.0μm以下，能夠獲得線寬較細之金屬細線。尤其，開口部的線寬W為1.5μm以下之情況下，獲得之金屬細線的線寬變得更細，將導電性膜例如應用於觸控面板感測器等時，由使用者更不易辨別金屬細線。另外，上述開口部的線寬W的下限並無特別限定，但0.3μm以上為較佳。 另外，在本說明書中，開口部的寬度是指與開口部的細線部分的延伸方向正交之方向上的細線部的大小。經後述之各步驟，形成具有與開口部的線寬對應之線寬之金屬細線。

作為在第二金屬膜12上形成光阻膜20之方法並無特別限定，能夠利用公知的光阻膜形成方法，例如，可舉出具有以下步驟之方法。 （a）在第二金屬膜上塗佈光阻膜形成用組成物，形成光阻膜形成用組成物層之步驟。 （b）經由具備圖案狀開口部之光遮罩，將光阻膜形成用組成物曝光之步驟。 （c）將曝光後的光阻膜形成用組成物顯影，而獲得光阻膜之步驟。 另外，亦可以在上述步驟（a）與（b）之間、（b）與（c）之間和/或（c）之後，進一步具有加熱光阻膜形成用組成物層和/或光阻膜之步驟。

步驟（a） 作為能夠在上述步驟（a）中使用之光阻膜形成用組成物並無特別限定，能夠使用公知的光阻膜形成用組成物。 作為光阻膜形成用組成物，例如可舉出正型或負型感放射線性組成物。

作為在第二金屬膜上塗佈光阻膜形成用組成物之方法並無特別限定，能夠利用公知的塗佈方法。 作為光阻膜形成用組成物的塗佈方法，例如可舉出旋塗法、噴塗法、輥塗法及浸漬法等。

亦可以在第二金屬膜上形成光阻膜形成用組成物層之後，加熱光阻膜形成用組成物層。能夠藉由加熱，去除殘留在光阻膜形成用組成物層之不必要的溶劑，將光阻膜形成用組成物層設為均勻的狀態。 作為加熱光阻膜形成用組成物層之方法並無特別限定，但是，例如可舉出加熱基板之方法。 作為上述加熱的溫度並無特別限定，但一般40～160℃為較佳。

作為光阻膜形成用組成物層的厚度並無特別限定，但作為乾燥後的厚度，一般0.5～2.5μm為較佳。

･步驟（b） 作為將光阻膜形成用組成物層曝光之方法並無特別限定，能夠利用公知的曝光方法。 作為將光阻膜形成用組成物層曝光之方法，例如可舉出經由具備圖案狀開口部之光遮罩，在光阻膜形成用組成物層照射光化射線或放射線之方法。作為曝光量並無特別限定，但一般以1～100mW/cm² 照射0.1～10秒鐘為較佳。

例如，光阻膜形成用組成物為正型之情況下，在步驟（b）中使用之光遮罩所具備之圖案狀開口部的線寬W一般2.0μm以下為較佳，1.5μm以下為進一步較佳，1.0μm以下為進一步較佳。

亦可以加熱曝光後的光阻膜形成用組成物層。作為加熱的溫度並無特別限定，但一般40～160℃為較佳。

･步驟（c） 作為將曝光後的光阻膜形成用組成物層顯影之方法並無特別限定，能夠利用公知的顯影方法。 作為公知的顯影方法，例如可舉出使用含有有機溶劑之顯影液或鹼顯影液之方法。 作為顯影方法，例如可舉出浸漬法（dip method）、浸置法（puddle method）、噴塗法及動態分配法（dynamic dispense method）法等。

並且，亦可以使用沖洗液清洗顯影後的光阻膜。作為沖洗液並無特別限定，能夠使用公知的沖洗液。作為沖洗液，可舉出有機溶劑及水等。

[第三金屬膜形成步驟] 第三金屬膜形成步驟係藉由電鍍法在上述光阻膜的開口部內且第二金屬膜上形成第三金屬膜之步驟。具體而言，如圖1D所示，藉由實施本步驟，以填充圖1C中的開口部21之方式在第二金屬膜12上形成第三金屬膜13。 如後述，第三金屬膜13在進行規定的處理後成為金屬細線中的第三金屬層。

第三金屬膜13藉由電鍍法形成。 作為電鍍法，能夠利用公知的電鍍法。具體而言，可舉出電解電鍍法及非電解電鍍法，從生產率的方面而言，電解電鍍法為較佳。

作為第三金屬膜13中含有之金屬並無特別限定，能夠使用公知的金屬。 第三金屬膜13例如可含有銅、鉻、鉛、鎳、金、銀、錫及鋅等金屬以及該些金屬的合金。 並且，從對蝕刻液之溶解性不同的方面而言，第三金屬膜13的主要成分與第一金屬膜11的主要成分不同為較佳。 其中，從第三金屬層的導電性更優異之方面而言，第三金屬膜13含有銅或其合金為較佳。並且，從第三金屬層的導電性更優異之方面而言，第三金屬膜13的主要成分係銅為較佳。 另外，上述主要成分是指第三金屬膜13中含有之金屬中，含量（質量）最大之金屬。

作為構成第三金屬膜13中的主要成分之金屬的含量並無特別限定，但一般80質量%以上為較佳，90質量%以上更為佳。

作為第三金屬膜13的厚度並無特別限定，但一般3μm以下為較佳，2μm以下為進一步較佳，1μm以下尤為佳。作為第三金屬膜13的厚度的下限值並無特別限定，但一般0.1μm以上為較佳。

[光阻膜去除步驟] 光阻膜去除步驟係去除光阻膜之步驟。具體而言，如圖1E所示，藉由實施本步驟，獲得在基板101上具備第一金屬膜11、第二金屬膜12及第三金屬膜13之積層體。

作為去除光阻膜之方法並無特別限定，可舉出使用公知的光阻膜去除液去除光阻膜之方法。 作為光阻膜去除液，例如可舉出有機溶劑及鹼溶液等。 作為使光阻膜去除液與光阻膜接觸之方法並無特別限定，但是，例如可舉出浸漬法（dip method）、浸置法（puddle method）、噴塗法及動態分配法（dynamic dispense method）法等。

[第二金屬膜去除步驟] 第二金屬膜去除步驟係將第三金屬膜作為遮罩且使用第二蝕刻液去除第二金屬膜之步驟。藉由實施本步驟，去除未配置有第三金屬膜之區域的第二金屬膜。 另外，圖1F中，示出實施第二金屬膜去除步驟及後述之第一金屬膜去除步驟之後獲得之導電性膜30，導電性膜30具備基板101及金屬細線103。金屬細線103從基板101側依次具備第一金屬層201、第二金屬層202及第三金屬層203。

本發明者發現形成線寬較細之金屬細線時，如專利文獻1的第0087段中記載的透明導電性膜的製造方法（半添加法），欲在第二金屬膜的去除步驟中與第一金屬膜一起去除，則無法獲得所希望的金屬細線。作為其理由可推測，因為第一金屬膜與第二金屬膜對蝕刻液之溶解性不同，所以發生與第一金屬膜比較，第二金屬膜（及第三金屬膜）意外地去除較多，或者與第二金屬膜比較，第一金屬膜意外地去除較多的情況。與第一金屬膜比較，第二金屬膜（及第三金屬膜）意外地去除較多之情況下，如圖5（金屬細線的線寬方向的剖面圖）所示，在配置於基板101上之金屬細線103A中，第一金屬層201A的線寬變得大於第二金屬層202A及第三金屬層203A的線寬。並且，與第二金屬膜比較，第一金屬膜意外地去除較多之情況下，如圖6（金屬細線的寬度方向的剖面圖）所示，在配置於基板101上之金屬細線103B中，第一金屬層201B的線寬變得小於第二金屬層202B及第三金屬層203B的線寬。

若發生如圖5所示之現象，則容易產生第二金屬膜（及第三金屬膜）的線寬變薄，金屬細線的電阻率變大和/或蝕刻時第二金屬膜（及第三金屬膜）消失等不良情況。 另一方面，若發生如圖6所示之現象，則金屬細線與基板的密合性容易變得不充分。若金屬細線與基板的密合性變得不充分，則金屬細線容易從基板剝離。若金屬細線從基板剝離，則容易在該部分產生金屬細線的斷線。

本發明的實施形態之導電性膜的製造方法依次具有使用第二蝕刻液去除第二金屬膜之步驟（第二金屬膜去除步驟）及使用第一蝕刻液去除第一金屬膜之步驟（第二金屬膜去除步驟）。 其中，第一蝕刻液與第二蝕刻液是指相互不同的蝕刻液。另外，不同蝕刻液是指含有之成分的種類、含有之成分彼此的比率（組成）、成分的含量和/或溫度等不同的蝕刻液，其中，含有之成分的種類、含有之成分彼此的比率和/或成分的含量不同為較佳。

並且，在第二金屬膜去除步驟中被去除者為“未積層有第三金屬膜之區域的第二金屬膜”，換言之，“積層有光阻膜之區域的第二金屬膜”為較佳，在第一金屬膜去除步驟中被去除者為“未積層有第二金屬膜之區域的第一金屬膜”，換言之，“積層有在第二金屬膜去除步驟中被去除之第二金屬膜之區域的第一金屬膜”為較佳。

本發明的實施形態之導電性膜的製造方法如上述具有使用不同蝕刻液來去除第二金屬膜及第一金屬膜之步驟，因此推測出不易產生如圖5及圖6的不良情況，亦即使用單一的蝕刻液去除第一金屬膜及第二金屬膜而引起之不良情況。

作為第二蝕刻液，只要能夠溶解第二金屬膜而進行去除則並無特別限定，能夠使用公知的蝕刻液。 作為公知的蝕刻液，例如可舉出氯化鐵溶液、氯化銅溶液、氨鹼溶液、硫酸-過氧化氫混合液及磷酸-過氧化氫混合液等。

作為第二蝕刻液對第二金屬膜之蝕刻速率並無特別限定，但從具備向基板的密合性更優異之金屬細線之導電性膜更簡單地獲得之方面而言，作為第二蝕刻液對第二金屬膜之蝕刻速率為每分鐘300nm（以後，每分鐘Anm標記為“Anm/min”。）以下為較佳，200nm/min以下更為佳。 作為對第二金屬膜之蝕刻速率的下限值並無特別限定，但一般30nm/min以上為較佳。 關於第二蝕刻液對第二金屬膜之蝕刻速率，藉由調整第二蝕刻液的濃度及溫度等能夠進行調整。 另外，本說明書中，各蝕刻液的各金屬膜的蝕刻速率是指藉由以下方法測定之蝕刻速率。

（蝕刻速率測定方法） 藉由本說明書中的蝕刻液進行之對金屬膜之蝕刻速率的測定係藉由以下方法進行者。 首先，準備在矽晶圓上以10μm厚度形成作為對象之金屬膜之模型基板。接著，對將上述模型基板在作為對象之蝕刻液中浸漬5分鐘之後的金屬膜的厚度進行測定，計算在浸漬前後減少之金屬膜的厚度，並將該厚度除以5（份）來算出蝕刻速率。 另外，在厚度的測定中使用表面形狀測定裝置Dektak6M（Veeco公司製）。

作為第二蝕刻液“對第一金屬膜之蝕刻速率（ER1）”相對於第二蝕刻液“對第二金屬膜之蝕刻速率（ER2）”之比（亦即，對第一金屬膜之蝕刻速率/對第二金屬膜之蝕刻速率ER1/ER2），並無特別限定，但從第二蝕刻液不易溶解第一金屬膜之方面而言，換言之，從選擇性地溶解第二金屬膜之方面而言，0.01以下為較佳，0.002以下為進一步較佳，小於0.0005為進一步較佳。 作為第二蝕刻液的ER1/ER2的下限值並無特別限定，但一般0以上為較佳。 另外，第二蝕刻液的ER1/ER2為0之情況是指第二蝕刻液不會實質性地溶解第一金屬膜之情況。 若第二蝕刻液的ER1/ER2小於0.0005，則更簡單地獲得具備向基板的密合性更優異之金屬細線之導電性膜。

作為使用第二蝕刻液蝕刻第二金屬膜之方法並無特別限定，能夠使用公知的方法。

[第一金屬膜去除步驟] 第一金屬膜去除步驟係使用第一蝕刻液去除第一金屬膜之步驟。藉由實施本步驟，去除未配置有第三金屬膜之區域的第一金屬膜。 作為第一蝕刻液，只要能夠溶解第一金屬膜而進行去除則並無特別限定，能夠使用公知的蝕刻液。 作為公知的蝕刻液，例如可舉出硝酸鈰第二氨（硝酸氨鈰）-高氯酸-水混合液或硝酸氨鈰-硝酸-水混合液等。

作為第一蝕刻液對第一金屬膜之蝕刻速率並無特別限定，但從更簡單獲得具備向基板的密合性更優異之金屬細線之導電性膜之方面而言，作為第一蝕刻液對第一金屬膜之蝕刻速率，400nm/min以下為較佳，200nm/min以下為進一步較佳，100nm/min為進一步較佳。 作為對第一金屬膜之蝕刻速率的下限值並無特別限定，但一般10nm/min為較佳。 關於第一蝕刻液對第一金屬膜之蝕刻速率，藉由調整第一蝕刻液的濃度及溫度等能夠進行調整。

作為第一蝕刻液“對第二金屬膜之蝕刻速率（ER2）”相對於第一蝕刻液“對第一金屬膜之蝕刻速率（ER1）”之比（對第二金屬膜之蝕刻速率/對第一金屬膜之蝕刻速率、ER2/ER1），並無特別限定，但從第一蝕刻液不易溶解第二金屬膜之（選擇性地溶解第一金屬膜）方面而言，0.01以下為較佳，0.002以下更為佳。 作為第一蝕刻液的ER2/ER1的下限值並無特別限定，但一般0以上為較佳。 另外，第一蝕刻液的ER2/ER1為0之情況表示第一蝕刻液不會實質性地溶解第二金屬膜之情況。

作為使用第一蝕刻液蝕刻第一金屬膜之方法並無特別限定，能夠利用公知的方法。

[導電性膜] 藉由上述之步驟製造規定的導電性膜。 本發明的導電性膜具備：基板；及由配置在基板的至少一側的主面上之金屬細線構成之導電部。在導電性膜中，導電部通常藉由複數個金屬細線構成。另外，例如，將導電性膜作為觸控面板感測器用使用之情況下，能夠將導電部用作透明電極和/或引出配線。 在本說明書中，主面是指構成上述基板之面中，相互面對之面積最大之面，其相當於與基板的厚度方向對置之面。

圖2A係上述導電性膜的一實施形態的頂視圖，圖2B係其A-A截面中之剖面圖。圖3係導電性膜中的導電部的局部放大圖。 如圖2A及圖2B所示，導電性膜100含有基板101及配置於基板101的一側的主面上之導電部102。

另外，在圖2A及圖2B中，示出具有平面狀的形狀之導電性膜的形態，但作為導電性膜並不限定於上述。導電性膜亦可以具有三維形狀（立體形狀）。作為三維形狀，例如可舉出含有曲面之三維形狀，更具體而言，可舉出半球狀、半圓柱形狀、波形形狀、凸凹形狀及圓柱狀等。 並且，在圖2A及圖2B中，導電部102配置在基板101的一側的主面上，但並不限定於該形態。例如，亦可在基板101的兩方的主面上配置導電部102。 並且，在圖2A及圖2B中，導電部102配置成6根條狀，但並不限定於該形態，亦可以為其他配置。

圖3係導電部102的局部放大頂視圖，導電部102藉由複數個金屬細線103構成，且含有具有藉由交叉之金屬細線103而成之複數個開口部104之網格狀圖案。 金屬細線103的線寬為2.0μm以下，1.5μm以下為進一步較佳，1.0μm以下為進一步較佳。 作為金屬細線103的線寬的下限值並無特別限定，但一般0.2μm以上為較佳。 若金屬細線103的線寬為2.0μm以下，則例如將導電性膜應用於觸控面板感測器時，觸控面板的使用者更不易辨別金屬細線。

另外，在本說明書中，金屬細線103的線寬表示在金屬細線103的寬度方向的截面（與金屬細線的延伸方向正交之截面）中，後述之第一金屬層、第二金屬層及第三金屬層的線寬中最大的線寬。亦即，第一金屬層、第二金屬層及第三金屬層的線寬成為金屬細線103的線寬以下。 另外，對第一至第三金屬層的形態及線寬的測定方法進行後述。

作為金屬細線103的厚度，並無特別限定，但一般0.1～5.0μm為較佳，從導電性的觀點而言，0.2～2.0μm為較佳。 開口部104的一邊的長度X為20～250μm為較佳。

另外，在圖3中，開口部104具有大致菱形的形狀。但是，亦可以為其他多邊形狀（例如三角形、四邊形、六邊形及不規則多邊形）。並且，除了將一邊的形狀設為直線狀之外，可以設為彎曲形狀，亦可以設為圓弧狀。設為圓弧狀之情況下，例如，關於對置之兩邊，在外側設為凸圓弧狀，關於其他對置之兩邊，亦可以在內側設為凸圓弧狀。並且，亦可以將各邊的形狀設為外側的凸圓弧和內側的凸圓弧連續之波浪線形狀。當然，亦可將各邊的形狀設為正弦曲線。 另外，在圖3中，導電部102具有網格狀圖案，但並不限定於該形態。

圖4係金屬細線103的剖面圖。金屬細線103從基板101側依次具備第一金屬層201、第二金屬層202及第三金屬層203。另外，第一金屬層201、第二金屬層202及第三金屬層203的形狀均為與金屬細線103的形狀對應之細線狀。

[第一金屬層] 第一金屬層201具有導電性，並且具有將配置在其上之第二金屬層202保持於基板上之作用（密合性提高作用）。亦即，第一金屬層201作為基底金屬層發揮作用。 如上述，第一金屬層201藉由對第一金屬膜實施蝕刻處理而形成。 第一金屬層201所含之金屬的種類與上述之第一金屬膜所含之金屬的種類相同。 並且，第一金屬層201的厚度的較佳範圍與上述之第一金屬膜的厚度的較佳範圍相同。另外，關於導電性膜中的第一金屬層的厚度，還能夠在測定後述之第一金屬層的線寬時一起測定。

作為第一金屬層201的線寬，為2.0μm以下，1.5μm以下為較佳，1.0μm以下更為佳。 另外，第一金屬層201的線寬是指將金屬細線103按基板101包埋於樹脂，在寬度方向（與金屬細線的延伸方向正交之方向）上，使用超薄切片機切斷，在獲得之截面上蒸鍍碳之後，使用掃描型電子顯微鏡（Hitachi High-Technologies Corporation製 S-5500型）進行觀察而測定之線寬。並且，亦與後述之第二金屬層202及第三金屬層203的線寬相同。

作為第一金屬層201與後述之第二金屬層202的線寬的關係，第二金屬層202的線寬相對於第一金屬層201的線寬之比（第二金屬層的線寬/第一金屬層的線寬）超過1.0為較佳，1.01以上為進一步較佳，小於1.3為較佳，小於1.25為較佳，1.2以下更為佳。 若第二金屬層的線寬/第一金屬層的線寬超過1.0，則導電性膜所具備之金屬細線具有更優異之辨別性。 另一方面，若第二金屬層的線寬/第一金屬層的線寬小於1.3，則導電性膜所具備之金屬細線具有更優異之向基板的密合性。 [第二金屬層] 第二金屬層202具有作為第三金屬層203的密合性提高及形成第三金屬層203時的晶種層的功能。 如上述，第二金屬層202藉由在第二金屬膜實施蝕刻處理而形成。 第二金屬層202中含有之金屬的種類與上述之第二金屬膜中含有之金屬的種類相同。其中，從與構成後述之第三金屬層203之材料的親和性更優異之方面而言，第二金屬層202的主要成分與後述之第三金屬層203的主要成分相同為較佳。 並且，第二金屬層202的厚度的較佳範圍與上述之第二金屬膜的厚度的較佳範圍相同。另外，關於導電性膜中的第二金屬層的厚度，還能夠在測定上述之第一金屬層的線寬時一起測定。

作為第二金屬層202的線寬，為2.0μm以下，1.5μm以下為較佳，1.0μm以下更為佳。 另外，作為第二金屬層202的線寬，滿足與已說明之第一金屬層201的線寬的關係為較佳。

[第三金屬層] 第三金屬層203具有導電性，且具有確保金屬細線的導通之作用。 第三金屬層203中含有之金屬的種類與上述之第三金屬膜中含有之金屬的種類相同。 並且，第三金屬層203的厚度的較佳範圍與上述之第三金屬膜的厚度的較佳範圍相同。另外，關於導電性膜中的第三金屬層的厚度，還能夠在測定上述之第一金屬層的線寬時一起測定。

作為第三金屬層203的線寬，為2.0μm以下，1.5μm以下為較佳，1.0μm以下更為佳。

藉由上述製造方法製造之導電性膜能夠使用在各種用途中。作為用途例如可舉出各種電極薄膜、散熱片及印刷電路基板等。其中，導電性膜使用於觸控面板感測器為較佳，使用於靜電容量方式的觸控面板感測器更為佳。將上述導電性膜作為觸控面板感測器包含之觸控面板中難以辨別金屬細線。 另外，作為觸控面板的結構，例如可舉出日本特開2015-195004號公報的第0020～0027段中記載的觸控面板模塊等，上述內容編入本說明書中。 [實施例]

以下，依據實施例對本發明進行更詳細的說明。以下實施例所示之材料、使用量、比例、處理內容及處理步驟等在不脫離本發明的主旨之範圍內能夠進行適當變更。因此，本發明的範圍並不限定於以下所示之實施例。 並且，只要並無特別限定，份及%表示質量基準。

[實施例1] 在COP薄膜（環烯烴聚合物薄膜、厚度80μm）上使用濺射裝置將Cr成膜成10nm厚度而獲得第一金屬膜。接著，在第一金屬膜上將Cu成膜為50nm厚度而獲得第二金屬膜。接著，將光阻膜形成用組成物（Fujifilm Corporation製、“FHi-622BC”、黏度11mPa･s）以乾燥後的厚度成為1μm的方式調整旋轉塗佈機的轉速，塗佈在第二金屬膜上，在100℃下乾燥1分鐘，從而獲得光阻膜形成用組成物層。對上述光阻膜形成用組成物層，經由具備線寬0.8μm的直線狀開口部之光遮罩，使用平行光曝光機照射2秒鐘365nm波長的光（曝光量 16mW/cm² ），在100℃下加熱1分鐘（後烘乾），獲得曝光後的光阻膜形成用組成物層。接著，將曝光後的光阻膜形成用組成物利用0.5M氫氧化鈉水溶液顯影，獲得圖案狀光阻膜。上述光阻膜的圖案狀開口部為線寬1.0μm±0.1μm。 對藉由上述步驟製作之、依次具備基板、第一金屬膜、第二金屬膜及具備圖案狀開口部之光阻膜之積層體，使用硫酸銅高投浴（作為添加劑含有TOP LUCINAHT-A及TOP LUCINAHT-B。均為OKUNO CHEMICAL INDUSTRIES CO.，LTD.製）實施電鍍。作為電鍍的條件，電流密度設為3A/dm² 、導通時間設為20秒鐘。藉由電鍍，在圖案狀開口部內且第二金屬膜上形成第三金屬膜。亦即，獲得圖案狀第三金屬膜。此時，第三金屬膜的厚度為300nm。接著，使用1M氫氧化鈉水溶液剝離光阻膜。接著，使用對第二金屬膜之蝕刻速率成為200nm/min的方式調整濃度之第二蝕刻液（Wako Pure Chemical Industries， Ltd.製、Cu蝕刻液、“Cu蝕刻劑”）蝕刻第二金屬膜。 接著，使用第一蝕刻液（NIHON KAGAKU SANGYO CO.，LTD.製；Cr蝕刻液；“鹼性鉻蝕刻液”；使用原液；對第一金屬膜之蝕刻速率為100nm/min。）蝕刻第一金屬膜，獲得具備基板及金屬細線之導電性膜1。

[實施例2] 除了將第一金屬膜的厚度設為20nm之外，藉由與實施例1相同的操作獲得導電性膜2。

[實施例3] 除了以對第二金屬膜之蝕刻速率成為500nm/min的方式調整第二蝕刻液的濃度及以對第一金屬膜之蝕刻速率成為100nm/min的方式調整第一蝕刻液的濃度之外，藉由與實施例1相同的操作獲得導電性膜3。與導電性膜1比較，則在金屬細線的線寬及厚度上產生不均。並且，在局部中還確認到斷線，但在實用範圍內。

[實施例4] 除了以對第二金屬膜之蝕刻速率成為200nm/min的方式調整第二蝕刻液的濃度及以對第一金屬膜之蝕刻速率成為400nm/min的方式調整第一蝕刻液的濃度之外，藉由與實施例1相同的操作獲得導電性膜4。與導電性膜1比較，雖然密合力降低，但在實用範圍內。

[比較例1] 除了使用銅合金以厚度成為15nm的方式形成第一金屬膜以及僅使用以對第二金屬膜之蝕刻速率成為200nm/min的方式調整濃度之第二蝕刻液（Wako Pure Chemical Industries， Ltd.製、Cu蝕刻液、“Cu蝕刻劑”），蝕刻第一金屬膜及第二金屬膜之外，與實施例1相同地進行操作。另外，關於蝕刻，在能夠用肉眼確認源自第二金屬膜之金屬色消失為止，進行除了積層有第三金屬膜之部分以外的部分（被光阻膜包覆之部分）的第二金屬膜被完全去除。其結果，金屬細線在蝕刻液中剝離。 另外，銅合金的主要成分為銅，銅的含量為銅合金整體的70質量%。

[比較例2] 除了使用銅合金（與在比較例1中使用者相同）以厚度成為15nm的方式形成第一金屬膜、將對第二金屬膜之蝕刻速率成為200nm/min的方式調整濃度之氯化鐵（Wako Pure Chemical Industries， Ltd.製）水溶液用作第二蝕刻液以及僅使用第二蝕刻液蝕刻第一金屬膜及第二金屬膜之外，與實施例1相同地進行操作。另外，關於蝕刻，在能夠用肉眼確認源自第二金屬膜之金屬色消失為止，進行除了積層有第三金屬膜之部分以外的部分的第二金屬膜被完全去除。其結果，源自金屬細線中之第三金屬膜之金屬色亦消失。

[比較例3] 除了使用銅合金（與在比較例1中使用者相同）以厚度成為35nm的方式形成第一金屬膜之外，與比較例1相同地進行操作。其結果、金屬細線在蝕刻液中剝離。

[比較例4] 除了使用銅合金（與在比較例1中使用者相同）以厚度成為35nm的方式形成第一金屬膜之外，與比較例2相同地進行操作。其結果，源自金屬細線中之第三金屬膜之金屬色亦消失。

[比較例5] 除了未形成第一金屬膜以外與比較例1相同地進行操作。其結果、蝕刻後的第三金屬膜維持蝕刻前的第三金屬膜所具有之形狀。然而，藉由後述之方法實施之膠帶剝離試驗中，金屬細線較大地剝離。

[比較例6] 除了使用Cr以厚度成為10nm的方式形成第一金屬膜，僅使用對第二金屬膜之蝕刻速率以成為200nm/min的方式製備濃度之第二蝕刻液蝕刻第一金屬膜及第二金屬膜之外，與實施例1相同地進行操作。 另外，關於第二蝕刻液，使用混合硝酸氨鈰（IV）及硝酸且用純水稀釋者，表1中記載為“硝酸氨鈰液”。試劑均為Tokyo Chemical Industry Co.， Ltd.製。 另外，關於蝕刻，在能夠用肉眼確認源自第二金屬膜之金屬色消失為止，進行除了積層有第三金屬膜之部分以外的部分（被光阻膜包覆之部分）的第二金屬膜被完全去除。其結果，源自金屬細線中之第三金屬膜之金屬色亦消失。

另外，在上述中使用之第一蝕刻液的、對第一金屬膜之蝕刻速率藉由以下方法進行測定。並且，其他蝕刻速率亦利用與以下相同的方法測定。將測定結果一起示於表1。 首先，準備在矽晶圓上以10μm厚度形成第一金屬膜之模型基板。接著，測定將上述模型基板在第一蝕刻液中浸漬5分鐘之後的第一金屬膜的厚度，計算在浸漬前後減少之第一金屬膜的厚度，並將該厚度除以5（份）來算出蝕刻速率。 另外，在厚度的測定中使用表面形狀測定裝置Dektak6M（Veeco公司製）。

[評價] [金屬細線的形成性] 金屬細線的形狀用肉眼確認。結果依據以下基準進行評價，將評價結果示於表1。在實用上“B”以上為較佳。 A：在金屬細線的線寬及厚度上無不均，亦未確認到斷線。 B：在金屬細線的線寬及厚度上產生不均。並且，在局部上還確認到斷線，但作為導電性膜在實用範圍內。 C：金屬細線剝離和/或金屬細線消失。

[向基板的密合性] 金屬細線向基板的密合性藉由膠帶剝離試驗進行評價。 使用利用上述方法製作之各導電性膜，對具備金屬細線之一側的基材主面，用指腹按壓並密合透明膠帶薄膜（“CT24”Nichiban Co.， Ltd.製）之後，剝離透明膠帶。之後，用肉眼確認基材上的金屬細線的剝離面積（%）（剝離之金屬細線的面積/試驗片中之金屬細線的面積×100）。 結果依據以下基準進行評價，且將評價結果示於表1。實用上“B”以上為較佳。 A：未觀察到金屬細線的剝離。 B：雖觀察到金屬細線的剝離，但剝離面積小於1%。 C：觀察到金屬細線的剝離，且剝離面積為1%以上。 D：金屬細線已剝離和/或金屬細線消失，因此無法實施膠帶剝離試驗。

[金屬細線的線寬] 將藉由上述方法製作之導電性膜所具備之金屬細線的線寬及各金屬層的線寬藉由以下方法進行測定。結果匯總示於表1。 首先，將上述導電性膜按基板包埋於樹脂，在寬度方向（與金屬細線的延伸方向正交之方向）上，使用超薄切片機切斷，在獲得之截面蒸鍍碳之後，利用掃描型電子顯微鏡（Hitachi High-Technologies Corporation製 S-5500型）進行觀察。測定第一金屬層、第二金屬層及第三金屬層的各自的線寬，並將最大線寬作為金屬細線的線寬（μm）記載於表1。

另外，表1中，將實施例及比較例及之金屬膜形成步驟中之條件、使用之蝕刻液的種類與蝕刻速率、獲得之導電性膜的線寬及評價遍及（其1）～（其4）分別記載於各行中。例如，若為實施例1，第一金屬膜包含Cr，厚度為10nm，第二金屬膜包含Cu，厚度為50nm，第三金屬膜包含Cu，厚度為300nm。第二蝕刻液的種類為Cu蝕刻液，第二蝕刻液對第二金屬膜之蝕刻速率（ER2）為200nm/min，第二蝕刻液對第一金屬膜之蝕刻速率（ER1）小於0.1nm/min，作為結果，第二蝕刻液的ER1/ER2小於0.0005。第一蝕刻液為Cr蝕刻液，第一蝕刻液對第一金屬膜之蝕刻速率（ER1）為100nm/min，第一蝕刻液對第二金屬膜之蝕刻速率（ER2）小於1nm/min，作為結果，第一蝕刻液的ER2/ER1小於0.01。並且，獲得之導電性膜中之金屬細線的線寬為1μm，第一金屬層的線寬為0.9μm，第二金屬層的線寬為1μm，第三金屬層的線寬為1μm，作為結果，第二金屬層的線寬/第一金屬層的線寬為1.11。並且，關於評價，金屬細線的形成性為“A”，金屬細線向基板的密合性為“A”。關於其他實施例及比較例亦與上述相同地記載。 [表1]

上述表中，“無”表示未形成第一金屬膜，“-”表示由於未形成第一金屬膜，因此沒有相應之厚度。

[表2]

[表3]

上述表中，“無”表示未使用第一蝕刻液，“-”表示沒有相應之測定結果或計算結果。並且，“＜”表示測定值或計算值小於該數值。

[表4]

上述表中，比較例1～4的導電性膜的製造方法未得到所希望的導電性膜，且無法測定線寬，因此相應之欄中示為“不可測定”。並且，“-”表示沒有相應之測定結果或計算結果。

從表1所示之結果可知，依據實施例1～4的導電性膜的製造方法，能夠簡單地製造具備線寬較細且向基板的密合性優異之金屬細線之導電性膜。另一方面，比較例1～6的導電性膜的製造方法無法製造所希望的導電性膜。 第一金屬層的厚度小於20nm之實施例1的導電性膜的製造方法與實施例2的導電性膜的製造方法比較可知，能夠簡單製造具備向基板的密合性更優異之金屬細線之導電性膜。 第二蝕刻液對第二金屬膜之蝕刻速率為每分鐘300nm以下之實施例1的導電性膜的製造方法與實施例3的導電性膜的製造方法比較可知，能夠製造具備具有更優異之形狀之金屬細線之導電性膜。 第一蝕刻液對第一金屬膜之蝕刻速率為每分鐘200nm以下之實施例1的導電性膜的製造方法與實施例4的導電性膜的製造方法比較可知，能夠簡單製造具備向基板的密合性更優異之金屬細線之導電性膜。 第二蝕刻液對第一金屬膜之蝕刻速率相對於第二蝕刻液對第二金屬膜之蝕刻速率之比為0.0005以下之實施例1的導電性膜的製造方法與實施例4的導電性膜的製造方法比較可知，能夠簡單製造具備向基板的密合性更優異之金屬細線之導電性膜。

11‧‧‧第一金屬膜

12‧‧‧第二金屬膜

13‧‧‧第三金屬膜

20‧‧‧光阻膜

21‧‧‧開口部

30、100‧‧‧導電性膜

101‧‧‧基板

102‧‧‧導電部

103‧‧‧金屬細線

104‧‧‧開口部

201‧‧‧第一金屬層

202‧‧‧第二金屬層

203‧‧‧第三金屬層

圖1A係實施第一金屬膜形成步驟而獲得之帶第一金屬膜基板的剖面圖。 圖1B係實施第二金屬膜形成步驟而獲得之帶第二金屬膜基板的剖面圖。 圖1C係實施光阻膜形成步驟而獲得之帶光阻膜基板的剖面圖。 圖1D係實施第三金屬膜形成步驟而獲得之帶第三金屬膜基板的剖面圖。 圖1E係實施光阻膜去除步驟而獲得之積層體的剖面圖。 圖1F係實施第二金屬膜去除步驟及第一金屬膜去除步驟而獲得之導電性膜的剖面圖。 圖2A係導電性膜的一實施形態的頂視圖。 圖2B係圖2A中的A-A截面中之剖面圖。 圖3係導電性膜中的導電部的局部放大圖。 圖4係金屬細線的局部放大剖面圖。 圖5係藉由習知方法製造之導電性膜的一實施形態的剖面圖。 圖6係藉由習知方法製造之導電性膜的另一實施形態的剖面圖。

Claims (17)

1. 一種導電性膜的製造方法，該導電性膜具備：基板；及導電部，其配置在前述基板的至少一側的主面上，且由金屬細線構成，前述導電性膜的製造方法依次具有： 在前述基板的至少一側的主面上形成第一金屬膜之步驟； 在前述第一金屬膜上形成作為主要成分含有與前述第一金屬膜的主要成分不同的成分之第二金屬膜之步驟； 在前述第二金屬膜上形成在形成有前述金屬細線之區域具備開口部之光阻膜之步驟； 藉由電鍍法在前述開口部內且前述二金屬膜上形成第三金屬膜之步驟； 去除前述光阻膜之步驟； 將前述第三金屬膜作為遮罩，使用第二蝕刻液去除前述第二金屬膜之步驟；及 將前述第三金屬膜作為遮罩，使用與前述第二蝕刻液不同的第一蝕刻液去除前述第一金屬膜之步驟，且 前述開口部的線寬為2.0μm以下。
2. 如申請專利範圍第1項所述之導電性膜的製造方法，其中 前述第二金屬膜含有銅或其合金。
3. 如申請專利範圍第1或2項所述之導電性膜的製造方法，其中 前述第一金屬膜含有鉻或其合金。
4. 如申請專利範圍第1項所述之導電性膜的製造方法，其中 前述第三金屬膜含有銅或其合金。
5. 如申請專利範圍第1項所述之導電性膜的製造方法，其中 前述第一金屬膜的厚度小於20nm。
6. 如申請專利範圍第1項所述之導電性膜的製造方法，其中 前述開口部的線寬為1.5μm以下。
7. 如申請專利範圍第1項所述之導電性膜的製造方法，其中 前述第二蝕刻液對前述第二金屬膜之蝕刻速率為每分鐘300nm以下。
8. 如申請專利範圍第1項所述之導電性膜的製造方法，其中 前述第一蝕刻液對前述第一金屬膜之蝕刻速率為每分鐘200nm以下。
9. 如申請專利範圍第1項所述之導電性膜的製造方法，其中 前述第二蝕刻液對前述第一金屬膜之蝕刻速率相對於前述第二蝕刻液對前述第二金屬膜之蝕刻速率之比為0.0005以下。
10. 一種導電性膜，其具備：基板；及導電部，其配置在前述基板的至少一側的主面上，且由金屬細線構成，前述導電性膜中， 前述金屬細線從前述基板側依次具備： 第一金屬層； 第二金屬層，其作為主要成分含有與前述第一金屬層的主要成分不同的成分；及 第三金屬層，且 前述金屬細線的線寬為2.0μm以下， 前述第二金屬層的線寬相對於前述第一金屬層的線寬之比超過1.0，且小於1.3。
11. 如申請專利範圍第10項所述之導電性膜，其中 前述第二金屬層含有銅或其合金。
12. 如申請專利範圍第10或11項所述之導電性膜，其中 前述第一金屬層含有鉻或其合金。
13. 如申請專利範圍第10項所述之導電性膜，其中 前述第三金屬層含有銅或其合金。
14. 如申請專利範圍第10項所述之導電性膜，其中 前述第一金屬層的厚度為20nm以下。
15. 如申請專利範圍第10項所述之導電性膜，其中 前述金屬細線的線寬為1.5μm以下。
16. 一種觸控面板感測器，其含有申請專利範圍第10至15中任一項所述之導電性膜。
17. 一種觸控面板，其含有申請專利範圍第16項所述之觸控面板感測器。